JPH0944904A - 光学ディスクとその製法 - Google Patents

光学ディスクとその製法

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JPH0944904A
JPH0944904A JP7194900A JP19490095A JPH0944904A JP H0944904 A JPH0944904 A JP H0944904A JP 7194900 A JP7194900 A JP 7194900A JP 19490095 A JP19490095 A JP 19490095A JP H0944904 A JPH0944904 A JP H0944904A
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thermal conductivity
conductivity layer
high thermal
recording
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透 安孫子
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い記録密度に対しても記録パワーに対する
パワーマージンを充分広くとることができる光学ディス
クを提供する。 【解決手段】 透明基板上に、少なくともレーザ光によ
る情報の書き換えが可能な記録層と誘電体層と熱伝導制
御層とを有して成り、熱伝導制御層が、第１の低熱伝導
率層と、第１の高熱伝導率層と、第２の低熱伝導率層
と、第２の高熱伝導率層とが順次積層された光学ディス
クを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明基板上に記録
層と誘電体層が形成されて、レーザー光の照射による温
度上昇を利用して情報の書き換えを行う光学ディスクと
その製法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えばコンピュータ等の外部メモ
リーとしての記録媒体等の分野では、コンピュータ等で
処理される情報量の増大に伴い、外部メモリーとして用
いられる記録媒体についても記録容量の増大が要求され
ている。また、コンピュータの中央演算処理装置ＣＰＵ
の能力向上、アプリケーションの多様化にも対応するこ
とが要求されている。
【０００３】そこで、大容量の外部メモリ用の記録媒体
として、極めて高密度な記録が可能であり、持ち運び性
にも優れた光学ディスクを用いることが有効である。特
に磁気光学効果あるいは結晶−非晶質の相転移現象を利
用した書き換え可能な光学ディスクの使用は非常に有望
視されている。
【０００４】このような状況から、これら光学ディスク
に対する高記録密度化への要求はますます高まる傾向に
あり、記録密度を向上させるために、レーザ光の短波長
化や、いわゆるマークエッジ記録方式の採用などが行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、コンピュー
タの外部メモリとして用いられる光学ディスクにおいて
は、ドライブの違いやレンズなどに付着したゴミの有
無、環境温度の違い等によって記録・再生特性が影響を
受けないように、広範囲の記録パワーにおいて良好に記
録できることが必要となる。
【０００６】しかしながら、レーザ光の短波長化や、マ
ークエッジ記録方式の採用によって高記録密度化を図っ
た光学ディスクにおいては、Ｓ／ＮないしはＣ／Ｎの低
下や隣接する符号間の熱干渉によって、良好な記録が可
能な記録パワーのマージンが減少してしまう。特に高記
録密度化により、記録直前のマークの熱による影響（熱
干渉）によって記録マーク長の変動が大きくなる。
【０００７】これらの問題を解決するには、記録直前に
おける熱流を制御させることが必要である、すなわち、
記録時のレーザ照射による記録膜の温度特性が熱しやす
くさめやすい特性を有することが、熱干渉を抑制する特
性として要求される。
【０００８】上述した問題の解決手段として、記録媒体
内を流れる熱流を制御し、単位記録領域（例えば光磁気
記録媒体では記録磁区）の形状およびその大きさを制御
する方法、例えば以下（１）〜（４）に示す方法が提案
されている。
【０００９】（１）反射膜の熱伝導率を制御する（特開
平２−１５２０５０号公報参照）。 （２）保護層（ＵＶ保護層）の熱伝導率を制御する（特
開平４−３３７５４５号公報、特開平２−２４０８４６
号公報参照）。 （３）反射膜を２層にし、その熱伝導率を制御する（特
開平５ー３４２６５５号公報参照）。 （４）反射膜上に誘電体膜を設ける（特開平３−１０５
７４２号公報参照）
【００１０】しかし、これらの方法は、記録層における
熱の蓄積のしやすさ、すなわち温度上昇特性、または熱
の逃げやすさ、すなわち温度降下特性のいずれか一方の
改善を実現するものであり、両方の特性を満足するもの
ではなかった。
【００１１】上述した問題の解決のために、本発明は、
特に高い記録密度に対しても記録パワーに対するパワー
マージンを充分広くとることができる光学ディスクを提
供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上
に、少なくともレーザ光による情報の書き換えが可能な
記録層と、誘電体層と、熱伝導制御層とを有して成り、
熱伝導制御層は、第１の低熱伝導率層と、第１の高熱伝
導率層と、第２の低熱伝導率層と、第２の高熱伝導率層
とが順次積層された構成とするものである。
【００１３】また本発明製法は、透明基板上に少なくと
もレーザ光による情報の書き換えが可能な記録層と誘電
体層と熱伝導制御層とを有して成り、この熱伝導制御層
は、第１の低熱伝導率層と、第１の高熱伝導率層と、第
２の低熱伝導率層と、第２の高熱伝導率層とが順次積層
された構成とされた光学ディスクの作製に当たって、第
１の高熱伝導率層、第２の低熱伝導率層、第２の高熱伝
導率層の３層を同一スパッタチャンバ内で、同一材料タ
ーゲットを用いて、ガスの流量のみを変更することによ
り連続放電してスパッタ法による成膜を行う光学ディス
クの製造方法である。
【００１４】上述の本発明の構成によれば、熱伝導制御
層を有し、この熱伝導制御層が、第１の低熱伝導率層、
第１の高熱伝導率層、第２の低熱伝導率層、第２の高熱
伝導率層の順序に順次積層されてなる光学ディスクとす
ることにより、記録層の温度特性を制御できる。すなわ
ち、第１の低熱伝導率層および第２の低熱伝導率層が記
録層における熱の蓄積を促進し、急峻な温度上昇を可能
とし、第２の高熱伝導率層は、記録層からの熱拡散を促
進し、急峻な温度降下を可能とするものである。さらに
これら第１の高熱伝導率層と第２の高熱伝導率層との間
に第２の低熱伝導率層が配置形成されることにより、膜
厚方向の温度勾配を制御し、記録層の温度の時間変化を
制御することができる。
【００１５】また、この光学ディスクの作製に当たっ
て、本発明製法によれば、第１の高熱伝導率層、第２の
低熱伝導率層、第２の高熱伝導率層の３層を同一スパッ
タチャンバ内で、同一材料ターゲットを用いて、ガスの
流量のみを変更することにより連続放電してスパッタ法
による成膜を行う製造方法を採るので、このような多層
構造の光学ディスクの製法についても、従来の誘電体層
−記録層−誘電体層−反射層の４層構造の光学ディスク
の製造ラインにより製造することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の光学ディスクは、透明基
板上に、少なくともレーザ光による情報の書き換えが可
能な記録層と、誘電体層と、熱伝導制御層とを有してな
り、この熱伝導制御層が、第１の低熱伝導率層と、第１
の高熱伝導率層と、第２の低熱伝導率層と、第２の高熱
伝導率層とが順次積層された構成とされたものである。
【００１７】透明基板は、レーザ光を透過する材料、例
えばポリカーボネート樹脂等の透明樹脂やガラス等によ
って構成される。
【００１８】また、さらに透明基板と反対の側に例えば
紫外線硬化樹脂等からなる保護層を形成する構成を採る
こともできる。
【００１９】
【実施例】本発明の光学ディスクおよびその製法の具体
的な実施例を示す。
【００２０】〔実施例１〕図１に本発明の光学ディスク
の一例の概略断面図を示す。図１に示す光学ディスク２
０は、磁気光学効果により記録情報の読み出しを行う光
磁気ディスクで、透明基板１上に、誘電体層２、記録層
３、第１の低熱伝導率層１１、第１の高熱伝導率層１
２、第２の低熱伝導率層１３、第２の高熱伝導率層１
４、保護層５が順次積層形成されてなる。そして、第１
の低熱伝導率層１１、第１の高熱伝導率層１２、第２の
低熱伝導率層１３、第２の高熱伝導率層１４の４層によ
り熱伝導制御層４を構成している。
【００２１】この光学ディスク２０の製造は例えば次の
ように行う。ポリカーボネート樹脂等からなる透明基板
１上に、ＳｉＮ膜からなる誘電体層２をスパッタ法によ
り厚さ１００ｎｍに形成し、次にＴｂＦｅＣｏ膜からな
る記録層３をスパッタ法により厚さ２０ｎｍに形成す
る。これの上にＳｉＮ膜からなる第１の低熱伝導率層１
１をスパッタ法により厚さ３０ｎｍに、Ａｌ膜からなる
第１の高熱伝導率層１２をスパッタ法により厚さ３０ｎ
ｍに、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜からなる第２の低熱伝導率層
１３をスパッタ法により厚さ３０ｎｍに、Ａｌ膜からな
る第２の高熱伝導率層１４をスパッタ法により厚さ６０
ｎｍに順次積層形成し、これらにより熱伝導制御層４を
構成する。さらにこれの上に、紫外線硬化樹脂からなる
保護層５をスピンコート法により厚さ５μｍに形成し、
光学ディスク２０すなわち光磁気ディスクを形成する。
【００２２】このとき、第１の低熱伝導率層１１を構成
するＳｉＮ膜は、熱伝導率が０．００３Ｊ／（ｃｍ・ｓ
ｅｃ・ｄｅｇ）であり、また第２の低熱伝導率層１３を
構成するＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜は、熱伝導率が０．００７
Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、記録層３を構成
する熱伝導率０．１３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）の
ＴｂＦｅＣｏ膜より熱伝導率が小さい。また第１の高熱
伝導率層１２および第２の高熱伝導率層１４を構成する
Ａｌ膜は、熱伝導率が２．３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅ
ｇ）であり、記録層３を構成するＴｂＦｅＣｏ膜より熱
伝導率が大きい。
【００２３】〔実施例２〕図２に本発明の光磁気ディス
クによる光学ディスクの他の例の概略断面図を示す。図
２に示す光学ディスク３０は、透明基板１上に、誘電体
層２、記録層３、第１の低熱伝導率層１１、第１の高熱
伝導率層１２、第２の低熱伝導率層１３、第２の高熱伝
導率層１４が順次積層形成されてなる。そして、第１の
低熱伝導率層１１、第１の高熱伝導率層１２、第２の低
熱伝導率層１３、第２の高熱伝導率層１４により熱伝導
制御層４を構成する。すなわち図１に示した光学ディス
クの例に対して、基板と反対側の保護層を設けない構成
の光学ディスクの例である。
【００２４】この光学ディスクの製造は例えば次のよう
に行う。ポリカーボネート樹脂等からなる透明基板１上
に、ＳｉＮ膜からなる誘電体層２をスパッタ法により厚
さ１００ｎｍに形成し、次にＴｂＦｅＣｏ膜からなる記
録層３をスパッタ法により厚さ２０ｎｍに形成する。こ
れの上にＳｉＮ膜からなる第１の低熱伝導率層１１をス
パッタ法により厚さ３０ｎｍに、Ａｌ膜からなる第１の
高熱伝導率層１２をスパッタ法により厚さ２０ｎｍに、
ＳｉＮ膜からなる第２の低熱伝導率層１３をスパッタ法
により厚さ５０ｎｍに、Ａｌ−Ｔｉ膜からなる第２の高
熱伝導率層１４をスパッタ法により厚さ１３０ｎｍに順
次積層形成しこれら４層により熱伝導制御層４を構成し
て、光学ディスク３０を形成する。
【００２５】このとき、第１の低熱伝導率層１１および
第２の低熱伝導率層１３を構成するＳｉＮ膜は、熱伝導
率が０．００３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、
記録層３を構成する熱伝導率０．１３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅ
ｃ・ｄｅｇ）のＴｂＦｅＣｏ膜より熱伝導率が小さい。
また第１の高熱伝導率層１２を構成するＡｌ膜は、熱伝
導率が２．３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、第
２の高熱伝導率層１４を構成するＡｌ−Ｔｉ膜は、熱伝
導率が１．２Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、こ
れらはともに記録層３を構成するＴｂＦｅＣｏ膜より熱
伝導率が大きい。
【００２６】〔比較例〕図６に本発明の光磁気ディスク
による光学ディスクとの比較を行う光学ディスクの一例
の概略断面図を示す。図６に示す光学ディスク５０は、
透明基板５１上に、第１の誘電体層５２、記録層５３、
第２の誘電体層５４、反射層５５、紫外線硬化樹脂から
なる保護層５６が順次積層形成されてなる。
【００２７】この光学ディスクの製造は例えば次のよう
に行う。ポリカーボネート樹脂等からなる透明基板５１
上に、ＳｉＮ膜からなる第１の誘電体層５２をスパッタ
法により厚さ１００ｎｍに形成し、次にＴｂＦｅＣｏ膜
からなる記録層５３をスパッタ法により厚さ２０ｎｍに
形成する。これの上にＳｉＮ膜からなる第２の誘電体層
５４をスパッタ法により厚さ３０ｎｍに、Ａｌ膜からな
る反射層５５をスパッタ法により厚さ５０ｎｍに順次積
層形成し、最後に紫外線硬化樹脂からなる保護層５６を
スピンコート法により厚さ１０μｍに形成し光学ディス
ク５０を形成する。
【００２８】これらの光学ディスクについて、記録パワ
ーに対するパワーマージンの大きさを調べた。記録の条
件は、記録レーザ光の波長を６８０ｎｍ、光学系の開口
数Ｎ．Ａ．＝０．５５、線速を６．４ｍ／ｓｅｃ、１チ
ャンネルのクロックを４０ｎｓｅｃとし、（１，７）Ｒ
ＬＬ記録方式によるランダム信号を櫛形パルス発光によ
り記録を行った。記録パワーを変化させて記録を行い、
それぞれビットあたりのエラーレートを測定した。
【００２９】この測定結果を図３に示す。図３は、記録
パワーの大きさＰｗ（ｍＷ）とビット当たりのエラーレ
ートｂｉｔＥＲとの関係を示したものである。図３か
ら、各実施例では実用に供するエラーレートである１０
-4以下となる記録パワーＰｗの範囲が比較例より広くな
り、パワーマージンが大きくなっている。この結果は、
記録層における熱特性の違いによるものと考えられる。
さらに詳しく熱特性について調べるために、まず温度の
時間変化を調べた。
【００３０】同じ大きさの単一の記録ピットが形成され
るように、加熱と冷却を行い、各例のディスクの記録層
の時間に対する温度変化を調べた。その結果を図４に示
す。図４より、各実施例の場合は比較例の場合と比して
温度上昇や温度下降が速く、熱しやすく冷めやすい特性
を有することがわかる。
【００３１】実際の記録における記録層の温度上昇およ
び温度下降の速度は、この図４における加熱・冷却条件
と比して高速であるので、図４に示した条件より各実施
例の場合と比較例の場合の記録層の温度特性の差が顕著
に現れることになる。これにより高レーザパワーの下に
おける熱干渉を抑制することができる。
【００３２】また実施例２および比較例の光磁気ディス
クについて、ディスクの反り量の経時変化の測定を行っ
た。３．５インチの光学ディスクに対して、８０℃湿度
８５％の環境で経時変化を促進させて試験を行った。デ
ィスクの反り量は、ディスクの傾き角度を測定すること
で求めた。図５は、この時間経過に対するディスクの傾
き角度の変化の測定結果を示す。
【００３３】図５から、実施例２では紫外線硬化樹脂に
よる保護層が設けられていないことにより、傾き角度す
なわちディスクの反り量が少なくなっていることがわか
る。
【００３４】次に本発明の光学ディスクの製法、すなわ
ち連続スパッタにより熱伝導制御層の内の、第１の高熱
伝導率層、第２の低熱伝導率層、第２の高熱伝導率層の
３層を形成した例を示す。
【００３５】〔実施例３〕この例では図１に示した実施
例１と同様の構造の光磁気ディスクによる光学ディスク
を次のようにして製造した。
【００３６】ポリカーボネート樹脂等からなる透明基板
１上に、ＳｉＮ膜からなる誘電体層２をスパッタ法によ
り厚さ８０ｎｍに形成した。ターゲット材料はシリコン
を用いて、スパッタの条件は、アルゴンガス流量を８５
ｓｃｃｍ、窒素ガス流量を１５ｓｃｃｍとして、ガス圧
を３ｍtorr、印加パワーを１ｋＷとした。次に、ＴｂＦ
ｅＣｏ膜からなる記録層３をスパッタ法により厚さ２０
ｎｍに形成した。ターゲット材料はＴｂＦｅＣｏ合金を
用いて、スパッタの条件は、アルゴンガス流量を８０ｓ
ｃｃｍとして、ガス圧を３ｍtorr、印加パワーを１．２
ｋＷとした。
【００３７】続いて、これの上にＳｉＮ膜からなる第１
の低熱伝導率層１１をスパッタ法により厚さ３０ｎｍに
形成した。ターゲット材料はシリコンを用いて、スパッ
タの条件は、アルゴンガス流量を８５ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量を１５ｓｃｃｍとして、ガス圧を３ｍtorr、印加
パワーを１ｋＷとした。
【００３８】さらに、Ａｌ膜からなる第１の高熱伝導率
層１２をスパッタ法により形成した。ターゲット材料は
Ａｌを用いて、スパッタの条件は、アルゴンガス流量を
８０ｓｃｃｍとして、ガス圧を２．５ｍtorr、印加パワ
ーを１ｋＷとした。Ａｌ膜の厚さが２５ｎｍ相当となる
成膜時間の経過後に、続いて第２の低熱伝導率層１３を
成膜するために、放電を止めないでアルゴンガスに窒素
ガスを流量２１ｓｃｃｍ加えて流し始めた。このときス
パッタのガス圧は３ｍtorrであった。こうして、ＡｌＮ
膜からなる第２の低熱伝導率層１３を形成し、厚さが５
０ｎｍ相当となる成膜時間の経過後に、第２の高熱伝導
率層１４を成膜するために、放電を止めないで窒素ガス
のみを遮断し、Ａｌ膜からなる第２の高熱伝導率層１４
を厚さ１５０ｎｍに形成した。
【００３９】すなわち、この実施例３においては、第１
の高熱伝導率層１２、第２の低熱伝導率層１３、第２の
高熱伝導率層１４の３層を連続スパッタで積層形成した
ものであり、第２の低熱伝導率層１３の成膜時のみアル
ゴンガスに加えて窒素ガスを流したものである。
【００４０】さらにこれの上に、紫外線硬化樹脂からな
る保護層５をスピンコート法により厚さ１０μｍに形成
し光学ディスク３０を形成した。
【００４１】このとき、第１の低熱伝導率層１１を構成
するＳｉＮ膜は、熱伝導率が０．００３Ｊ／（ｃｍ・ｓ
ｅｃ・ｄｅｇ）であり、また第２の低熱伝導率層１３を
構成するＡｌＮ膜は、熱伝導率が０．００６Ｊ／（ｃｍ
・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、記録層３を構成する熱伝導
率０．１３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）のＴｂＦｅＣ
ｏ膜より熱伝導率が小さい。また第１の高熱伝導率層１
２および第２の高熱伝導率層１４を構成するＡｌ膜は、
熱伝導率が２．３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であ
り、記録層３を構成するＴｂＦｅＣｏ膜より熱伝導率が
大きい。
【００４２】尚、Ａｌターゲットは、熱特性を大きく変
えることがない範囲で、チタン等の材料が添付されてい
てもかまわない。
【００４３】次に本発明の光学ディスクの他の製法、す
なわち連続スパッタにより熱伝導制御層を構成する４
層、すなわち第１の低熱伝導率層、第１の高熱伝導率
層、第２の低熱伝導率層、第２の高熱伝導率層を形成し
た例を示す。
【００４４】〔実施例４〕この例では図１に示した実施
例１と同様の構造の光磁気ディスクによる光学ディスク
を次のようにして製造した。
【００４５】ポリカーボネート樹脂等からなる透明基板
１上に、ＡｌＮ膜からなる誘電体層２をスパッタ法によ
り厚さ８０ｎｍに形成した。ターゲット材料はＡｌを用
いて、スパッタの条件は、アルゴンガス流量を８０ｓｃ
ｃｍ、窒素ガス流量を２１ｓｃｃｍとして、ガス圧を３
ｍtorr、印加パワーを１ｋＷとした。次に、ＴｂＦｅＣ
ｏ膜からなる記録層３をスパッタ法により厚さ２０ｎｍ
に形成した。ターゲット材料はＴｂＦｅＣｏ合金を用い
て、スパッタの条件は、アルゴンガス流量を８０ｓｃｃ
ｍとして、ガス圧を３ｍtorr、印加パワーを１．２ｋＷ
とした。
【００４６】続いて、これの上にＡｌＮ膜からなる第１
の低熱伝導率層１１をスパッタ法により形成した。ター
ゲット材料はＡｌを用いて、スパッタの条件は、アルゴ
ンガス流量を８０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量を２１ｓｃｃ
ｍとして、ガス圧を３ｍtorr、印加パワーを１ｋＷとし
た。ＡｌＮ膜の厚さが３０ｎｍ相当となる成膜時間の経
過後に、続いて第１の高熱伝導率層１２を成膜するため
に、放電を止めないで窒素ガスのみを遮断した。このと
きのスパッタのガス圧は２．５ｍtorrであった。
【００４７】こうして、Ａｌ膜からなる第１の高熱伝導
率層１２を形成し、Ａｌ膜の厚さが２５ｎｍ相当となる
成膜時間の経過後に、続いて第２の低熱伝導率層１３を
成膜するために、放電を止めないでアルゴンガスに窒素
ガスを流量２１ｓｃｃｍ加えて流し始めた。このときス
パッタのガス圧は３ｍtorrであった。こうして、ＡｌＮ
膜からなる第２の低熱伝導率層１３を形成し、厚さが５
０ｎｍ相当となる成膜時間の経過後に、第２の高熱伝導
率層１４を成膜するために、放電を止めないで窒素ガス
のみを遮断し、Ａｌ膜からなる第２の高熱伝導率層１４
を厚さ１５０ｎｍに形成した。
【００４８】すなわち、この実施例４においては、第１
の低熱伝導率層１１、第１の高熱伝導率層１２、第２の
低熱伝導率層１３、第２の高熱伝導率層１４の４層を連
続スパッタで積層形成したものであり、第１の低熱伝導
率層１１および第２の低熱伝導率層１３の成膜時のみア
ルゴンガスに加えて窒素ガスを流したものである。
【００４９】さらにこれの上に、紫外線硬化樹脂からな
る保護層５をスピンコート法により厚さ１０μｍに形成
し光学ディスク２０を形成した。
【００５０】このとき、第１の低熱伝導率層１１および
第２の低熱伝導率層１３を構成するＡｌＮ膜は、熱伝導
率が０．００６Ｊ／（ｃｍ・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、
記録層３を構成する熱伝導率０．１３Ｊ／（ｃｍ・ｓｅ
ｃ・ｄｅｇ）のＴｂＦｅＣｏ膜より熱伝導率が小さい。
また第１の高熱伝導率層１２および第２の高熱伝導率層
１４を構成するＡｌ膜は、熱伝導率が２．３Ｊ／（ｃｍ
・ｓｅｃ・ｄｅｇ）であり、記録層３を構成するＴｂＦ
ｅＣｏ膜より熱伝導率が大きい。
【００５１】尚、実施例３と同様にＡｌターゲットは、
熱特性を大きく変えることがない範囲で、チタン等の材
料が添付されていてもかまわない。
【００５２】これら実施例３、実施例４および比較例の
光学ディスクについて、記録パワーに対するパワーマー
ジンの大きさを調べた。記録の条件は、記録レーザ光の
波長を６８０ｎｍ、光学系の開口数Ｎ．Ａ．＝０．５
５、線速を６．４ｍ／ｓｅｃ、１チャンネルのクロック
を４０ｎｓｅｃとし、（１，７）ＲＬＬ記録方式による
ランダム信号を櫛形パルス発光により記録を行った。記
録パワーを変化させて記録を行い、それぞれビットあた
りのエラーレートを測定した。
【００５３】この測定結果を図７に示す。図７は記録パ
ワーの大きさＰｗ（ｍＷ）とビット当たりのエラーレー
トｂｉｔＥＲとの関係を示す。図７から、各実施例では
実用に供するエラーレートである１０-4以下となる記録
パワーＰｗの範囲が比較例より広くなり、パワーマージ
ンが大きくなっている。
【００５４】このように、従来に比してパワーマージン
の大きい光学ディスクを形成することができる。
【００５５】また上述のように本発明製法を適用すれ
ば、第１の低熱伝導率層と第１の高熱伝導率層と第２の
低熱伝導率層と第２の高熱伝導率層の４層を同一ターゲ
ット材料を用いて、ガスの流量のみを変更して連続成膜
することにより、同一のスパッタチャンバーで連続成膜
することができる。これにより、通常の４層構造（透明
基板と保護層の間の層が４層である構造）の光学ディス
クと同じ数のスパッタチャンバーで製造できることにな
る。
【００５６】上述の各実施例では、記録層を磁気光学効
果により光磁気信号が得られる磁性層により構成した例
であったが、記録層を例えばＧｅＳｂＴｅ膜等のレーザ
光照射による相変化によって記録を行うことができる層
で構成する、いわゆる相変化型の光学ディスクの場合に
おいても、本発明の光学ディスクとその製法を適用する
ことができる。
【００５７】本発明の光学ディスクおよびその製法は、
上述の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００５８】
【発明の効果】本発明による光学ディスクは、記録層の
他に、第１の低熱伝導率層、第１の高熱伝導率層、第２
の低熱伝導率層、第２の高熱伝導率層の順で積層形成さ
れた構造の熱伝導制御層を有することから、記録密度を
高くした場合でも熱干渉を抑制し、記録パワーのマージ
ンを大きくすることができる。
【００５９】また、紫外線硬化樹脂による保護層を薄く
形成したり、あるいはこの保護層を設けない構成の光学
ディスクとすると、環境の変化、特に温度変化に対する
ディスクの反り量の低減が図られる。
【００６０】また、本発明製法により、熱伝導制御層の
内、第１の高熱伝導率層と第２の低熱伝導率層と第２の
高熱伝導率層の３層、あるいは第１の低熱伝導率層と第
１の高熱伝導率層と第２の低熱伝導率層と第２の高熱伝
導率層の４層を、同一のターゲット材料を用いてガスの
流量のみを変更して連続成膜することにより、同一のス
パッタチャンバーで連続成膜することができ、多層構造
の光学ディスクにおいても、従来の４層構造ディスクの
成膜装置と同じ装置で製造することができる。
【００６１】すなわち通常は膜数相当のスパッタチャン
バーが必要であり、図１に示したような６層構造の光学
ディスクの製造には６つのスパッタチャンバーが必要で
あった。上述の本発明製法を適用すれば、３つあるいは
４つのスパッタチャンバーで製造できるので、従来の４
つのチャンバーを有する４層構造ディスクの成膜ライン
で、本発明の６層構造の光学ディスクの製造を行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光学ディスクの一例の概略断面図であ
る。
【図２】本発明の光学ディスクの他の例の概略断面図で
ある。
【図３】記録パワーの大きさＰｗ（ｍＷ）とビット当た
りのエラーレートｂｉｔＥＲとの関係を示す図である。
【図４】ディスクの記録層の時間に対する温度変化を示
す図である。
【図５】時間経過に対するディスクの反り量の変化を示
す図である。
【図６】従来の光学ディスクの例の概略断面図である。
【図７】記録パワーの大きさＰｗ（ｍＷ）とビット当た
りのエラーレートｂｉｔＥＲとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１、５１ 透明基板 ２ 誘電体層 ３、５３ 記録層 ４ 熱伝導制御層 ５、５６ 保護層 １１ 第１の低熱伝導率層 １２ 第１の高熱伝導率層 １３ 第２の低熱伝導率層 １４ 第２の高熱伝導率層 ２０、３０、５０ 光学ディスク ５２ 第１の誘電体層 ５４ 第２の誘電体層 ５５ 反射層

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板上に、少なくともレーザ光によ
    る情報の書き換えが可能な記録層と、誘電体層と、熱伝
    導制御層とを有して成り、 該熱伝導制御層は、第１の低熱伝導率層と、第１の高熱
    伝導率層と、第２の低熱伝導率層と、第２の高熱伝導率
    層とが順次積層された構成とされたことを特徴とする光
    学ディスク。
  2. 【請求項２】 上記透明基板上に上記誘電体層、上記記
    録層、上記熱伝導制御層、紫外線硬化樹脂層の順序に積
    層形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の光
    学ディスク。
  3. 【請求項３】 上記透明基板上に上記誘電体層、上記記
    録層、上記熱伝導制御層の順序に積層形成されてなるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の光学ディスク。
  4. 【請求項４】 上記第１の高熱伝導率層および上記第２
    の高熱伝導率層の熱伝導率が上記記録層の熱伝導率より
    大きく、上記第１の低熱伝導率層および上記第２の低熱
    伝導率層の熱伝導率が上記記録層の熱伝導率より小さく
    選定されたことを特徴とする請求項２に記載の光学ディ
    スク。
  5. 【請求項５】 上記第１の高熱伝導率層および上記第２
    の高熱伝導率層の熱伝導率が上記記録層の熱伝導率より
    大きく、上記第１の低熱伝導率層および上記第２の低熱
    伝導率層の熱伝導率が上記記録層の熱伝導率より小さく
    選定されたことを特徴とする請求項３に記載の光学ディ
    スク。
  6. 【請求項６】 透明基板上に、少なくともレーザ光によ
    る情報の書き換えが可能な記録層と誘電体層と熱伝導制
    御層とを有して成り、 該熱伝導制御層は、第１の低熱伝導率層と、第１の高熱
    伝導率層と、第２の低熱伝導率層と、第２の高熱伝導率
    層とが順次積層された光学ディスクの作製に当たって、 該第１の高熱伝導率層、該第２の低熱伝導率層、該第２
    の高熱伝導率層の３層を同一スパッタチャンバ内で、同
    一材料ターゲットを用いて、ガスの流量のみを変更する
    ことにより連続放電してスパッタ法による成膜を行うこ
    とを特徴とする光学ディスクの製造方法。
  7. 【請求項７】 上記同一材料ターゲットをアルミニウム
    あるいはアルミニウムを主成分とする材料とし、 上記第１の高熱伝導率層をアルミニウム層、上記第２の
    低熱伝導率層を窒化アルミニウム層、上記第２の高熱伝
    導率層をアルミニウム層として形成し、 アルゴンガスおよび窒素ガスの流量を制御することによ
    り上記連続放電を行うことを特徴とする請求項６に記載
    の光学ディスクの製造方法。
  8. 【請求項８】 透明基板上に、少なくともレーザ光によ
    る情報の書き換えが可能な記録層と誘電体層と熱伝導制
    御層とを有して成り、 該熱伝導制御層は、第１の低熱伝導率層と、第１の高熱
    伝導率層と、第２の低熱伝導率層と、第２の高熱伝導率
    層とが順次積層された光学ディスクの作製に当たって、 該第１の低熱伝導率層、該第１の高熱伝導率層、該第２
    の低熱伝導率層、該第２の高熱伝導率層の４層を同一ス
    パッタチャンバ内で、同一材料ターゲットを用いて、ガ
    スの流量のみを変更することにより連続放電してスパッ
    タ法による成膜を行うことを特徴とする光学ディスクの
    製造方法。
  9. 【請求項９】 上記同一材料ターゲットをアルミニウム
    あるいはアルミニウムを主成分とする材料とし、 上記第１の低熱伝導率層を窒化アルミニウム層、上記第
    １の高熱伝導率層をアルミニウム層、第２の低熱伝導率
    層を窒化アルミニウム層、第２の高熱伝導率層をアルミ
    ニウム層として形成し、 アルゴンガスおよび窒素ガスの流量を制御することによ
    り上記連続放電を行うことを特徴とする請求項８に記載
    の光学ディスクの製造方法。
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