JP2806274B2 - 光学情報記録媒体 - Google Patents
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- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
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- G11B7/2595—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on gold
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/146—Laser beam
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱履歴の違いにより誘
起される相変化にともなう光学定数の変化を利用して情
報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相変化
光ディスクに関する。
起される相変化にともなう光学定数の変化を利用して情
報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相変化
光ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図4に示すように、
基板1上に第1誘電体層2、記録層3、第2誘電体層
4、反射層5、紫外線硬化樹脂層6がこの順に設けられ
た4層構成が通常用いられる。情報の記録・消去はレー
ザ光の照射による昇温・冷却の熱履歴の違いによって誘
起される記録層の非晶質・結晶間の相変化を利用して行
われる。すなわち、記録層を溶融し急冷することにより
非晶質化させ記録を行い、また、結晶化温度以上に一定
時間保持することにより結晶化させ、消去を行う。信号
の再生は非晶質・結晶間の反射率差を利用して行われ
る。第1誘電体層2、記録層3、第2誘電体層4及び反
射層5のそれぞれの膜厚は、感度、C/N、消去率、書
換可能繰り返し回数などの観点から最適化される。誘電
体層としてはZnS−SiO2 ,SiN,SiO2 等
が、また、記録層としてはSbTe,GeSbTe,A
gInSbTe等が、反射層としてはAl,Au等が用
いられる。
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図4に示すように、
基板1上に第1誘電体層2、記録層3、第2誘電体層
4、反射層5、紫外線硬化樹脂層6がこの順に設けられ
た4層構成が通常用いられる。情報の記録・消去はレー
ザ光の照射による昇温・冷却の熱履歴の違いによって誘
起される記録層の非晶質・結晶間の相変化を利用して行
われる。すなわち、記録層を溶融し急冷することにより
非晶質化させ記録を行い、また、結晶化温度以上に一定
時間保持することにより結晶化させ、消去を行う。信号
の再生は非晶質・結晶間の反射率差を利用して行われ
る。第1誘電体層2、記録層3、第2誘電体層4及び反
射層5のそれぞれの膜厚は、感度、C/N、消去率、書
換可能繰り返し回数などの観点から最適化される。誘電
体層としてはZnS−SiO2 ,SiN,SiO2 等
が、また、記録層としてはSbTe,GeSbTe,A
gInSbTe等が、反射層としてはAl,Au等が用
いられる。
【0003】高密度化には、記録マークの両端に情報を
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶状態の吸収率(Ac)と非晶質
状態の吸収率(Aa)が異なる場合が多く、一般に、A
aがAcより大きくなっている。このような場合、形成
されるマークの幅や長さは、新たに記録する前の状態が
結晶であったか、非晶質であったかによって影響され、
オーバライトによってジッタが大きく増加してしまう。
従って、相変化光ディスクにおいてジッタを低減し、マ
ークエッジ記録を実現するには、非晶質状態と結晶状態
の感度を等しくする必要がある。結晶状態の方が熱伝導
率が高いこと、融解にともなう潜熱が大きいことを考慮
すると、AcがAaより大きくなるように設計するのが
望ましい。このような媒体を提供する手段として、特開
平1−149238号公報に記載されている透過性の極
薄金属膜を反射膜として用いた吸収率制御方法や、特開
平2−218334号公報に記載されているSiのよう
な高屈折率材料を反射膜として用いた吸収率制御法が有
効であることが知られている。これらの方法では、非晶
質状態と結晶状態の透過率を大きく変化させることが重
要となる。
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶状態の吸収率(Ac)と非晶質
状態の吸収率(Aa)が異なる場合が多く、一般に、A
aがAcより大きくなっている。このような場合、形成
されるマークの幅や長さは、新たに記録する前の状態が
結晶であったか、非晶質であったかによって影響され、
オーバライトによってジッタが大きく増加してしまう。
従って、相変化光ディスクにおいてジッタを低減し、マ
ークエッジ記録を実現するには、非晶質状態と結晶状態
の感度を等しくする必要がある。結晶状態の方が熱伝導
率が高いこと、融解にともなう潜熱が大きいことを考慮
すると、AcがAaより大きくなるように設計するのが
望ましい。このような媒体を提供する手段として、特開
平1−149238号公報に記載されている透過性の極
薄金属膜を反射膜として用いた吸収率制御方法や、特開
平2−218334号公報に記載されているSiのよう
な高屈折率材料を反射膜として用いた吸収率制御法が有
効であることが知られている。これらの方法では、非晶
質状態と結晶状態の透過率を大きく変化させることが重
要となる。
【0004】また、Al等の金属反射膜を用いた吸収率
制御法として特開平6−4903号公報が知られてい
る。
制御法として特開平6−4903号公報が知られてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】現在、製品化されてい
る光ディスクの光ヘッド光源には、波長780−830
nmのレーザダイオードが用いられている。さらに記録密
度を向上させるために、レーザダイオードの短波長化が
計られており、波長690nm前後の高パワ赤色レーザダ
イオードが実用化に供されつつある。相変化光ディスク
に用いられている記録層の相変化による光学定数の変
化、すなわち、非晶質状態と結晶状態の光学定数の差
は、波長が短くなるにつれ小さくなってしまう。そのた
め、透過光を利用して吸収率制御を行う従来構成の媒体
では、Acを非晶質状態の吸収率Aaより高くしようと
すると、両状態の反射率差が小さくなりC/Nが低下す
るという問題があった。この問題は、Ac/Aaをでき
るだけ大きくしなければならない高線速下では特に深刻
となるため、上記した発明(特開平1−149238,
2−218334,6−4903号公報)をそのまま適
用しても、良好なオーバライト特性を得ることは困難で
ある。例えばGe2 Sb2 Te5 では、波長830nmに
おける光学定数(n,k)は、非晶質では(4.6,
1.06)、結晶では(5.89,3.47)である。
これに対し、波長690nmでは、非晶質では(4.3
6,1.72)、結晶では(4.46,4.0)であ
り、nの変化が小さくなる。そのため、図3に示すよう
に、波長690nmにおいては、結晶と非晶質の反射率差
を15%程度取ろうとするとAc/Aaは最大でも1.
1程度にしかならない。そのため大きい値のAc/Aa
が必要になる高線速ではオーバライトによってジッタが
増加してしまう。まだ実用化には至っていないが、一層
の高密度化が可能な波長532nmにおいては、非晶質で
は(3.53,1.98)、結晶では(2.39,3.
86)とさらに光学定数の変化が小さくなるため、C/
Nを確保しながら吸収率制御をすることがより困難とな
る。
る光ディスクの光ヘッド光源には、波長780−830
nmのレーザダイオードが用いられている。さらに記録密
度を向上させるために、レーザダイオードの短波長化が
計られており、波長690nm前後の高パワ赤色レーザダ
イオードが実用化に供されつつある。相変化光ディスク
に用いられている記録層の相変化による光学定数の変
化、すなわち、非晶質状態と結晶状態の光学定数の差
は、波長が短くなるにつれ小さくなってしまう。そのた
め、透過光を利用して吸収率制御を行う従来構成の媒体
では、Acを非晶質状態の吸収率Aaより高くしようと
すると、両状態の反射率差が小さくなりC/Nが低下す
るという問題があった。この問題は、Ac/Aaをでき
るだけ大きくしなければならない高線速下では特に深刻
となるため、上記した発明(特開平1−149238,
2−218334,6−4903号公報)をそのまま適
用しても、良好なオーバライト特性を得ることは困難で
ある。例えばGe2 Sb2 Te5 では、波長830nmに
おける光学定数(n,k)は、非晶質では(4.6,
1.06)、結晶では(5.89,3.47)である。
これに対し、波長690nmでは、非晶質では(4.3
6,1.72)、結晶では(4.46,4.0)であ
り、nの変化が小さくなる。そのため、図3に示すよう
に、波長690nmにおいては、結晶と非晶質の反射率差
を15%程度取ろうとするとAc/Aaは最大でも1.
1程度にしかならない。そのため大きい値のAc/Aa
が必要になる高線速ではオーバライトによってジッタが
増加してしまう。まだ実用化には至っていないが、一層
の高密度化が可能な波長532nmにおいては、非晶質で
は(3.53,1.98)、結晶では(2.39,3.
86)とさらに光学定数の変化が小さくなるため、C/
Nを確保しながら吸収率制御をすることがより困難とな
る。
【0006】本発明は、マークエッジ記録を用いた相変
化光ディスクにおいて、特に、短波長光源を用いた高線
速下でのマークエッジ記録において良好なオーバライト
特性を得ることができる相変化光ディスクを提供するこ
とを目的とする。
化光ディスクにおいて、特に、短波長光源を用いた高線
速下でのマークエッジ記録において良好なオーバライト
特性を得ることができる相変化光ディスクを提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は極薄金属膜ある
いは高屈折率の透過性反射層の上に屈折率が1.5より
大きい第3誘電体層を積層することを特徴とする光学情
報記録媒体である。
いは高屈折率の透過性反射層の上に屈折率が1.5より
大きい第3誘電体層を積層することを特徴とする光学情
報記録媒体である。
【0008】本発明によれば、非晶質と結晶の反射率変
化を大きくしたまま、Ac/Aaを大きくすることが可
能となるので、高線速下でも消去率が高く、かつオーバ
ライトによるジッタ増加の小さな光学情報媒体を提供す
ることが可能となる。
化を大きくしたまま、Ac/Aaを大きくすることが可
能となるので、高線速下でも消去率が高く、かつオーバ
ライトによるジッタ増加の小さな光学情報媒体を提供す
ることが可能となる。
【0009】
【作用】図1にSiを反射層とし第3誘電体層を積層し
た相変化光ディスクの690nmにおける光学特性の1例
を示す。図1から分かるように、第3誘電体層の膜厚を
変化させることによりAc/Aaの値を変化させること
ができる。ただし、このような効果が得られるのは、反
射層5として透過性の極薄金属膜や、高屈折率の透過性
材料を用いた場合に限られ、特開平6−4903号公報
に記述されているようなAl系金属反射層を用いた場合
には透過光がほとんどないので、第3誘電体層を付加し
ても光学的特性は変化しない。
た相変化光ディスクの690nmにおける光学特性の1例
を示す。図1から分かるように、第3誘電体層の膜厚を
変化させることによりAc/Aaの値を変化させること
ができる。ただし、このような効果が得られるのは、反
射層5として透過性の極薄金属膜や、高屈折率の透過性
材料を用いた場合に限られ、特開平6−4903号公報
に記述されているようなAl系金属反射層を用いた場合
には透過光がほとんどないので、第3誘電体層を付加し
ても光学的特性は変化しない。
【0010】一般に、光ディスク表面には傷を防ぐため
に紫外線硬化樹脂層がつけられる。この樹脂層の屈折率
は1.5程度であるので、第3誘電体層を積層した光学
的な効果を出すためには、第3誘電体層の屈折率は1.
5より大きくなければならない。屈折率nが1.5より
大きい材料としてZnS−SiO2 (n=2.1)、A
l2 O3 (n=1.7)、AlN(n=2.0)、Ti
O2 (n=2.8)が使用できる。
に紫外線硬化樹脂層がつけられる。この樹脂層の屈折率
は1.5程度であるので、第3誘電体層を積層した光学
的な効果を出すためには、第3誘電体層の屈折率は1.
5より大きくなければならない。屈折率nが1.5より
大きい材料としてZnS−SiO2 (n=2.1)、A
l2 O3 (n=1.7)、AlN(n=2.0)、Ti
O2 (n=2.8)が使用できる。
【0011】図1に示すように第3誘電体層の膜厚Dを
λ/4n近傍(λは光の波長)に設定することにより、
Ac/Aaを1.3程度の大きな値にすることが可能と
なる。画像データを扱う場合のように、線速一定の高線
速下でディスクを使用する場合には、第3誘電体層の膜
厚Dをλ/6n<D<λ/3nの範囲にすることにより
良好なオーバライト特性を得ることが可能となる。
λ/4n近傍(λは光の波長)に設定することにより、
Ac/Aaを1.3程度の大きな値にすることが可能と
なる。画像データを扱う場合のように、線速一定の高線
速下でディスクを使用する場合には、第3誘電体層の膜
厚Dをλ/6n<D<λ/3nの範囲にすることにより
良好なオーバライト特性を得ることが可能となる。
【0012】
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【0014】図2は本発明に係る光学情報記録媒体の断
面を示す図である。基板1上に第1誘電体層2、記録層
3、第2誘電体層4、反射層5、第3誘電体層6、紫外
線硬化樹脂層7を順次積層した構成である。
面を示す図である。基板1上に第1誘電体層2、記録層
3、第2誘電体層4、反射層5、第3誘電体層6、紫外
線硬化樹脂層7を順次積層した構成である。
【0015】(実施例1)基板1としてポリカーボネー
ト(PC)を用い、第1誘電体層2としてZnS−Si
O2 を250nm、記録層3としてGe2 Sb2 Te5 を
15nm、第2誘電体層4としてZnS−SiO2 を18
nm、反射層5としてSiを60nm、第3誘電体層として
ZnS−SiO2 を100nmを順次スパッタリングによ
り積層した。この構成では、Ac/Aaは1.22であ
った。
ト(PC)を用い、第1誘電体層2としてZnS−Si
O2 を250nm、記録層3としてGe2 Sb2 Te5 を
15nm、第2誘電体層4としてZnS−SiO2 を18
nm、反射層5としてSiを60nm、第3誘電体層として
ZnS−SiO2 を100nmを順次スパッタリングによ
り積層した。この構成では、Ac/Aaは1.22であ
った。
【0016】上記ディスクを線速20m/sで回転さ
せ、波長690nmの半導体レーザを用いて記録・消去を
行った。3.76MHz,duty=50%の信号に
6.00MHz,duty=50%の信号をオーバライ
トして、C/N、消去率、ジッタを測定した。図5に示
すように、C/Nは57dBと高く、また、オーバライ
ト後でもジッタは1.2nsと良好な値を示した。
せ、波長690nmの半導体レーザを用いて記録・消去を
行った。3.76MHz,duty=50%の信号に
6.00MHz,duty=50%の信号をオーバライ
トして、C/N、消去率、ジッタを測定した。図5に示
すように、C/Nは57dBと高く、また、オーバライ
ト後でもジッタは1.2nsと良好な値を示した。
【0017】(比較例1)実施例1とほぼ同様の構成
で、第3誘電体層を積層していない4層構成のディスク
を用いて、波長690nmにおけるオーバライト特性を測
定した。この構成では、Ac/Aaは1.07であっ
た。
で、第3誘電体層を積層していない4層構成のディスク
を用いて、波長690nmにおけるオーバライト特性を測
定した。この構成では、Ac/Aaは1.07であっ
た。
【0018】上記ディスクのオーバライト特性を実施例
1と同じ条件で測定したところ、C/Nは57dBと高
いもののジッタは2.3nsであり、初記録時のジッタ
1nsに比べて大きく増加することが確認された。
1と同じ条件で測定したところ、C/Nは57dBと高
いもののジッタは2.3nsであり、初記録時のジッタ
1nsに比べて大きく増加することが確認された。
【0019】(実施例2)基板1としてポリカーボネー
ト(PC)を用い、第1誘電体層2としてZnS−Si
O2 を240nm、記録層3としてGe2 Sb2 Te5 を
15nm、第2誘電体層4としてZnS−SiO2 を18
nm、反射層5としてSiを60nm、第3誘電体層として
TiO2 ,AlNをそれぞれ用いたディスクの特性を測
定した。TiO2 の膜厚は30nm,40nm,60nm,8
0nm,90nm、AlNの膜厚は50nm,60nm,90n
m,110nm,130nmとし、TiO2 の膜厚とオーバ
ライト特性の関係及びAlNの膜厚とオーバライト特性
の関係を調べた。
ト(PC)を用い、第1誘電体層2としてZnS−Si
O2 を240nm、記録層3としてGe2 Sb2 Te5 を
15nm、第2誘電体層4としてZnS−SiO2 を18
nm、反射層5としてSiを60nm、第3誘電体層として
TiO2 ,AlNをそれぞれ用いたディスクの特性を測
定した。TiO2 の膜厚は30nm,40nm,60nm,8
0nm,90nm、AlNの膜厚は50nm,60nm,90n
m,110nm,130nmとし、TiO2 の膜厚とオーバ
ライト特性の関係及びAlNの膜厚とオーバライト特性
の関係を調べた。
【0020】上記ディスクを線速一定の条件(25m/
s)で回転させ、波長690nmの半導体レーザを用いて
記録・消去を行った。3.76MHz,duty=50
%の信号に6.00MHz,duty=50%の信号を
オーバライトして、ジッタを測定した。図6に示すよう
に、第3誘電体層がTiO2 の場合には、膜厚が40nm
〜80nmにおいてオーバライトによるジッタの増加が小
さかった。また、第3誘電体層がAlNの場合には膜厚
が60nm〜110nmにおいてジッタの増加が小さかっ
た。これらの誘電体層の膜厚の範囲はλ/6n〜λ/3
nに相当する。
s)で回転させ、波長690nmの半導体レーザを用いて
記録・消去を行った。3.76MHz,duty=50
%の信号に6.00MHz,duty=50%の信号を
オーバライトして、ジッタを測定した。図6に示すよう
に、第3誘電体層がTiO2 の場合には、膜厚が40nm
〜80nmにおいてオーバライトによるジッタの増加が小
さかった。また、第3誘電体層がAlNの場合には膜厚
が60nm〜110nmにおいてジッタの増加が小さかっ
た。これらの誘電体層の膜厚の範囲はλ/6n〜λ/3
nに相当する。
【0021】(実施例3)反射層として10nmのAu
を、第1誘電体層及び第2誘電体層としてZnS−Si
O2 を、第3誘電体層としてAlNを用いたディスクを
作成した。このディスクではAc/Aaは1.2であっ
た。このディスクのオーバライト特性を実施例1と同じ
条件で測定したところ、56dBのC/Nが得られ、ジ
ッタも1.3nsと良好な値であった。
を、第1誘電体層及び第2誘電体層としてZnS−Si
O2 を、第3誘電体層としてAlNを用いたディスクを
作成した。このディスクではAc/Aaは1.2であっ
た。このディスクのオーバライト特性を実施例1と同じ
条件で測定したところ、56dBのC/Nが得られ、ジ
ッタも1.3nsと良好な値であった。
【0022】
【0023】
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、短
波長光源を用いた高線速下でのマークエッジ記録におい
て良好なオーバライト特性を得ることができる相変化光
ディスクを提供することが可能となる。
波長光源を用いた高線速下でのマークエッジ記録におい
て良好なオーバライト特性を得ることができる相変化光
ディスクを提供することが可能となる。
【図1】本発明にかかる光学情報記録媒体の光学設計の
1例を示す図である。
1例を示す図である。
【図2】本発明にかかる相変化光ディスクの媒体構成の
1例の断面を示す図である。
1例の断面を示す図である。
【図3】従来の光学情報記録媒体の光学設計の1例を示
す図である。
す図である。
【図4】従来の相変化光ディスクの媒体構成の1例の断
面を示す図である。
面を示す図である。
【図5】本発明の1実施例におけるオーバライト特性を
示す図である。
示す図である。
【図6】本発明の1実施例において、第3誘電体層の膜
厚とジッタの相関を示す図である。
厚とジッタの相関を示す図である。
1 基板 2 第1誘電体層 3 記録層 4 第2誘電体層 5 反射層 6 第3誘電体層 7 紫外線硬化樹脂層
Claims (1)
- 【請求項1】マークエッジ記録を利用し、情報の記録・
消去・再生を行う相変化光ディスクにおいて、基板上に
第1誘電体層、記録層、第2誘電体層、反射層、第3誘
電体層、紫外線硬化樹脂層を順に積層した構成であっ
て、結晶の吸収率Acと非晶質の吸収率Aaの関係がA
c>Aaを満たし、反射層として透過性の極薄金属膜あ
るいはSi、Geを用い、第3誘電体層として屈折率n
が1.5より大きい誘電体(ただし、ダイヤモンド状カ
ーボンを除く)を用い、情報の記録再生に用いる光の波
長をλとし、第3誘電体層の膜厚Dがλ/6n<D<λ
/3nなる関係を満たすことを特徴とする光学情報記録
媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6253326A JP2806274B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 光学情報記録媒体 |
NL1001442A NL1001442C2 (nl) | 1994-10-19 | 1995-10-18 | Opneemmedium voor optische informatie. |
KR1019950036812A KR100212369B1 (ko) | 1994-10-19 | 1995-10-18 | 광학 정보 기록 매체 |
US08/762,307 US5719006A (en) | 1994-10-19 | 1996-12-09 | Optical information recording medium |
US08/959,032 US5900347A (en) | 1994-10-19 | 1997-10-28 | Optical information recording medium |
US09/234,500 US6140011A (en) | 1994-10-19 | 1999-01-21 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6253326A JP2806274B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 光学情報記録媒体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08124218A JPH08124218A (ja) | 1996-05-17 |
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Family
ID=17249755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6253326A Expired - Fee Related JP2806274B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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NL (1) | NL1001442C2 (ja) |
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JP3434419B2 (ja) * | 1996-08-09 | 2003-08-11 | パイオニア株式会社 | 記録媒体とその読み出し装置 |
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JP2924841B2 (ja) * | 1997-02-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録装置および光記録媒体および光記録媒体のトラッキング極性の判別方法 |
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KR100271567B1 (ko) * | 1997-08-14 | 2000-11-15 | 구자홍 | 상변화 광디스크 |
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JPH11259912A (ja) | 1997-12-25 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
JPH11259911A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
JP2000067435A (ja) * | 1997-12-27 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 光記録媒体およびその記録方法 |
JPH11203725A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nec Corp | 相変化光ディスク |
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TW421790B (en) * | 1998-04-20 | 2001-02-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rewritable optical information medium |
KR100318841B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2002-03-21 | 윤종용 | 고굴절율층과금속반사층을갖는상변화광디스크 |
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US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
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