JP2812181B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光の照射による
昇温、冷却の熱履歴の違いにより誘起される光学的性質
の変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録媒
体、すなわち相変化型光ディスクおよびその設計方法に
関するものである。
昇温、冷却の熱履歴の違いにより誘起される光学的性質
の変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録媒
体、すなわち相変化型光ディスクおよびその設計方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を利用して情報の記録・再生を
行う光ディスクは、大容量、可搬型のファイルメモリと
して注目されており、すでに、再生専用型、追記型、書
換型光磁気ディスクが実用化されている。オーバライト
が可能な方式としては、相変化型光ディスク、交換結合
光磁気ディスク、磁界変調光磁気ディスクなどが公知で
ある。これらのうちで、レーザ光の照射による昇温、冷
却の熱履歴の違いによる光学的性質の変化により記録消
去を行う相変化型光ディスクは、照射する光のエネルギ
ーを光学的に識別可能な２つの状態に対応した強度間で
変調させることによって情報を記録、もしくは古い情報
の上に新しい情報をオーバライトする。ここで、照射す
る光のエネルギーのうち高パワー側を記録パワー、低パ
ワー側を消去パワーと呼ぶ。再生時には、通常、２つの
状態の反射率もしくは透過率の変化を検出する方法が用
いられる。
行う光ディスクは、大容量、可搬型のファイルメモリと
して注目されており、すでに、再生専用型、追記型、書
換型光磁気ディスクが実用化されている。オーバライト
が可能な方式としては、相変化型光ディスク、交換結合
光磁気ディスク、磁界変調光磁気ディスクなどが公知で
ある。これらのうちで、レーザ光の照射による昇温、冷
却の熱履歴の違いによる光学的性質の変化により記録消
去を行う相変化型光ディスクは、照射する光のエネルギ
ーを光学的に識別可能な２つの状態に対応した強度間で
変調させることによって情報を記録、もしくは古い情報
の上に新しい情報をオーバライトする。ここで、照射す
る光のエネルギーのうち高パワー側を記録パワー、低パ
ワー側を消去パワーと呼ぶ。再生時には、通常、２つの
状態の反射率もしくは透過率の変化を検出する方法が用
いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクの記録密度
を向上させるため、記録マークの両端に情報を持たせる
マークエッジ記録が検討されている。相変化型光ディス
クにおいては一般に非晶質状態の方が結晶状態より吸収
率が高いため、マークエッジ記録によりオーバライトを
行う際に、記録マークの長さや位置が非晶質上に記録す
るか結晶上に記録するかで変化してしまうためにジッタ
が大きくなったり、オーバライトする信号が前の情報に
依存して変調を受けて消去率が悪くなるなど、オーバラ
イト特性が悪いという問題があった。さらに、結晶状態
の方が融解にともなう潜熱がおおきく、かつ、熱伝導率
が大きいことを考慮すると、結晶状態の吸収率が非晶質
状態よりも高くなるような層構成を選ぶ必要がある。
を向上させるため、記録マークの両端に情報を持たせる
マークエッジ記録が検討されている。相変化型光ディス
クにおいては一般に非晶質状態の方が結晶状態より吸収
率が高いため、マークエッジ記録によりオーバライトを
行う際に、記録マークの長さや位置が非晶質上に記録す
るか結晶上に記録するかで変化してしまうためにジッタ
が大きくなったり、オーバライトする信号が前の情報に
依存して変調を受けて消去率が悪くなるなど、オーバラ
イト特性が悪いという問題があった。さらに、結晶状態
の方が融解にともなう潜熱がおおきく、かつ、熱伝導率
が大きいことを考慮すると、結晶状態の吸収率が非晶質
状態よりも高くなるような層構成を選ぶ必要がある。
【０００４】このような媒体を提供する手段として、特
開平１−１４９２３８号公報記載の発明が知られてい
る。この発明では、金属反射層の膜厚を薄くして透過性
とし、反射層での反射率、吸収率を小さくすることによ
って結晶状態の吸収率を高くしている。しかしながら、
金属反射層の膜厚を薄くする場合、光学特性の膜厚依存
性が大きく、反射層の成膜マージンが狭いという問題が
ある。ここで、ガラス基板上にＡｕを単層で形成した場
合の、Ａｕの膜厚と基板入射の反射率の関係を図１２に
示す。特開平１−１４９２３８号公報の発明は反射層の
Ａｕの膜厚を２０nmと薄くして反射層の反射率を低下さ
せることにより所望の効果を得ているが、２０nm程度の
膜厚では反射率の膜厚依存が大きいことがわかる。この
ため、膜厚がずれた場合の反射膜の反射率の変化が大き
く、媒体の光学特性の変化が大きくなってしまい、反射
層の成膜マージンが狭い。さらに反射層の膜厚が薄い場
合、冷却速度が遅くなるため媒体の熱負荷が大きくな
り、記録・消去を繰り返した場合の特性の劣化が問題と
なる。
開平１−１４９２３８号公報記載の発明が知られてい
る。この発明では、金属反射層の膜厚を薄くして透過性
とし、反射層での反射率、吸収率を小さくすることによ
って結晶状態の吸収率を高くしている。しかしながら、
金属反射層の膜厚を薄くする場合、光学特性の膜厚依存
性が大きく、反射層の成膜マージンが狭いという問題が
ある。ここで、ガラス基板上にＡｕを単層で形成した場
合の、Ａｕの膜厚と基板入射の反射率の関係を図１２に
示す。特開平１−１４９２３８号公報の発明は反射層の
Ａｕの膜厚を２０nmと薄くして反射層の反射率を低下さ
せることにより所望の効果を得ているが、２０nm程度の
膜厚では反射率の膜厚依存が大きいことがわかる。この
ため、膜厚がずれた場合の反射膜の反射率の変化が大き
く、媒体の光学特性の変化が大きくなってしまい、反射
層の成膜マージンが狭い。さらに反射層の膜厚が薄い場
合、冷却速度が遅くなるため媒体の熱負荷が大きくな
り、記録・消去を繰り返した場合の特性の劣化が問題と
なる。
【０００５】結晶状態の吸収率を非晶質状態より高くす
る他の方法として、位相差再生を用いる方法がある。相
変化型光ディスクの場合、一般には反射率の差を再生し
ており、信号強度を強くするには非晶質−結晶間の反射
率差を大きくする必要があった。通常、媒体を結晶化し
てから使用することが多いので結晶の反射率を高くして
おり、反射層のついた構成においては結晶の吸収率の方
が小さくなっていた。位相差再生を用いた場合、非晶質
−結晶間の反射光の位相の差を再生するので、信号強度
を高くするのに必ずしも反射率差を大きくする必要はな
く、そのため結晶の吸収率を大きくすることが容易とな
る。こうした位相差再生の公知例として特開平２−７３
５３７号公報や特開平２−１１３４５１号公報、特開平
３−４１６３８号公報などが知られている。しかし、こ
れらの発明では、反射率差がほとんどなく反射光の位相
差が大きい層構成となっているため、光学特性の膜厚依
存が大きく、成膜マージンが狭いという問題があった。
さらに、これらの公知例の実施例に示されている層構成
では反射率が８％以下程度と狭くてサーボが不安定とい
う問題があった。
る他の方法として、位相差再生を用いる方法がある。相
変化型光ディスクの場合、一般には反射率の差を再生し
ており、信号強度を強くするには非晶質−結晶間の反射
率差を大きくする必要があった。通常、媒体を結晶化し
てから使用することが多いので結晶の反射率を高くして
おり、反射層のついた構成においては結晶の吸収率の方
が小さくなっていた。位相差再生を用いた場合、非晶質
−結晶間の反射光の位相の差を再生するので、信号強度
を高くするのに必ずしも反射率差を大きくする必要はな
く、そのため結晶の吸収率を大きくすることが容易とな
る。こうした位相差再生の公知例として特開平２−７３
５３７号公報や特開平２−１１３４５１号公報、特開平
３−４１６３８号公報などが知られている。しかし、こ
れらの発明では、反射率差がほとんどなく反射光の位相
差が大きい層構成となっているため、光学特性の膜厚依
存が大きく、成膜マージンが狭いという問題があった。
さらに、これらの公知例の実施例に示されている層構成
では反射率が８％以下程度と狭くてサーボが不安定とい
う問題があった。
【０００６】本発明の目的は、レーザ光の照射による昇
温、冷却の熱履歴の違いにより誘起される光学的性質の
変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録媒体、
すなわち相変化型光ディスクにおいて、成膜マージンが
大きく、マークエッジ記録のオーバライト特性が良好
で、かつ繰り返しオーバライト信頼性に優れた媒体を提
供することにある。
温、冷却の熱履歴の違いにより誘起される光学的性質の
変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録媒体、
すなわち相変化型光ディスクにおいて、成膜マージンが
大きく、マークエッジ記録のオーバライト特性が良好
で、かつ繰り返しオーバライト信頼性に優れた媒体を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、下
地層、記録層、保護層および反射層とを備え、前記記録
層が、レーザ光の照射による昇温、冷却の熱履歴の違い
によって光学的性質が変化する光学的情報記録媒体にお
いて、前記記録層の光学的変化に伴って反射率および反
射光の位相が変化するとともに、前記記録層が結晶状態
である場合の記録層での吸収率が非晶質状態である場合
よりも大きく、かつ、前記記録層が結晶状態である場合
の反射率が１０％以上である層構成を有し、前記反射層
の膜厚が、反射層単層での反射率がバルク状態の反射率
の９０％以上となる膜厚もしくは４０nm以上であること
を特徴としている。
地層、記録層、保護層および反射層とを備え、前記記録
層が、レーザ光の照射による昇温、冷却の熱履歴の違い
によって光学的性質が変化する光学的情報記録媒体にお
いて、前記記録層の光学的変化に伴って反射率および反
射光の位相が変化するとともに、前記記録層が結晶状態
である場合の記録層での吸収率が非晶質状態である場合
よりも大きく、かつ、前記記録層が結晶状態である場合
の反射率が１０％以上である層構成を有し、前記反射層
の膜厚が、反射層単層での反射率がバルク状態の反射率
の９０％以上となる膜厚もしくは４０nm以上であること
を特徴としている。
【０００８】図６は本発明による光学的情報記録媒体の
基本構成の断面図である。透明な基板１上に、下地層
２、記録層３、保護層４、反射層５が形成されている。
記録層３としては、レーザ光の照射による昇温、冷却の
熱履歴の違いにより光学的性質が変化する物質、例え
ば、Ｓｅ、Ｔｅなどのカルコゲン系元素を含む化合物が
用いられる。下地層２および保護層４は、耐熱保護層で
あるとともに、光学的干渉層としても用いられるため、
記録層３の光学的性質の変化にともなって反射率が変化
するとともに、反射光の位相が変化するように、所望の
膜厚に設定される。下地層２および保護層４としては、
透明なＳｉ3 Ｎ4 やＡｌＮなどの窒化物、ＳｉＯやＳｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 などの酸化物、ＺｎＳやＺｎＳｅ、Ｍ
ｎＳなどのカルコゲナイドを、単体もしくは混合物で用
いることが望ましい。反射層５としてはＡｌ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａなどの金属を単体で用いるこ
ともできるし、反射率の調整や熱拡散率の調整、隣接す
る層との付着力向上などを目的に、添加物を加えたり、
合金化して用いることもできる。また、ＳｉやＧｅなど
の屈折率の高い半導体を用いることもできる。
基本構成の断面図である。透明な基板１上に、下地層
２、記録層３、保護層４、反射層５が形成されている。
記録層３としては、レーザ光の照射による昇温、冷却の
熱履歴の違いにより光学的性質が変化する物質、例え
ば、Ｓｅ、Ｔｅなどのカルコゲン系元素を含む化合物が
用いられる。下地層２および保護層４は、耐熱保護層で
あるとともに、光学的干渉層としても用いられるため、
記録層３の光学的性質の変化にともなって反射率が変化
するとともに、反射光の位相が変化するように、所望の
膜厚に設定される。下地層２および保護層４としては、
透明なＳｉ3 Ｎ4 やＡｌＮなどの窒化物、ＳｉＯやＳｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 などの酸化物、ＺｎＳやＺｎＳｅ、Ｍ
ｎＳなどのカルコゲナイドを、単体もしくは混合物で用
いることが望ましい。反射層５としてはＡｌ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａなどの金属を単体で用いるこ
ともできるし、反射率の調整や熱拡散率の調整、隣接す
る層との付着力向上などを目的に、添加物を加えたり、
合金化して用いることもできる。また、ＳｉやＧｅなど
の屈折率の高い半導体を用いることもできる。
【０００９】
【作用】本発明の光学的情報記録媒体は、記録層の光学
的変化に伴って反射率とともに反射光の位相が変化する
構成を有するため、結晶−非晶質間の反射率差を大きく
しなくても高い信号品質が得られる。よって、記録層が
結晶状態である場合の記録層での吸収率を高くしやす
く、マークエッジ記録において良好なオーバライト特性
が得られる。また、前記記録層が結晶状態である場合の
反射率が高いのでサーボが安定する。さらに、反射層の
膜厚を薄くしなくても記録層が結晶状態である場合の記
録層での吸収率を高くすることが可能なため、媒体に対
する熱負荷が小さくなり繰り返し記録・消去信頼性が高
い。反射層の膜厚については、図１２に矢印で示してい
るような、反射層の反射率がバルクの反射率の９０％以
上となる膜厚範囲に設定しているため、反射層の反射率
が変動しにくく、反射層の成膜マージンが大きい。
的変化に伴って反射率とともに反射光の位相が変化する
構成を有するため、結晶−非晶質間の反射率差を大きく
しなくても高い信号品質が得られる。よって、記録層が
結晶状態である場合の記録層での吸収率を高くしやす
く、マークエッジ記録において良好なオーバライト特性
が得られる。また、前記記録層が結晶状態である場合の
反射率が高いのでサーボが安定する。さらに、反射層の
膜厚を薄くしなくても記録層が結晶状態である場合の記
録層での吸収率を高くすることが可能なため、媒体に対
する熱負荷が小さくなり繰り返し記録・消去信頼性が高
い。反射層の膜厚については、図１２に矢印で示してい
るような、反射層の反射率がバルクの反射率の９０％以
上となる膜厚範囲に設定しているため、反射層の反射率
が変動しにくく、反射層の成膜マージンが大きい。
【００１０】
【実施例】実施例１として、ポリカーボネイト基板上に
下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を５nmから３００
nm、記録層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２０nm、保護層のＺ
ｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６
０nm順次形成した構成の媒体の結晶状態および非晶質状
態の基板入射の反射率Ｒｃ、Ｒａと吸収率Ａｃ、Ａａお
よび結晶状態から非晶質状態に相変化した場合の反射光
の位相差を計算した結果を図１に示す。波長は８３０nm
である。反射率および反射光の位相は記録層、保護層、
反射層などの各層の光学定数および膜厚からマトリック
ス法（例えば、鶴田匡夫著、「応用光学II」、応用物理
工学選書２、培風館、１９９０年、第４章参照）により
計算することができる。下地層および保護層の光学定数
は２．２−ｉ０．０、記録層の光学定数は結晶状態で
５．８９−ｉ３．４７、非晶質状態で４．６０−ｉ１．
０６、反射層の光学定数は２．８３−ｉ７．７５を用い
た。
下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を５nmから３００
nm、記録層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２０nm、保護層のＺ
ｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６
０nm順次形成した構成の媒体の結晶状態および非晶質状
態の基板入射の反射率Ｒｃ、Ｒａと吸収率Ａｃ、Ａａお
よび結晶状態から非晶質状態に相変化した場合の反射光
の位相差を計算した結果を図１に示す。波長は８３０nm
である。反射率および反射光の位相は記録層、保護層、
反射層などの各層の光学定数および膜厚からマトリック
ス法（例えば、鶴田匡夫著、「応用光学II」、応用物理
工学選書２、培風館、１９９０年、第４章参照）により
計算することができる。下地層および保護層の光学定数
は２．２−ｉ０．０、記録層の光学定数は結晶状態で
５．８９−ｉ３．４７、非晶質状態で４．６０−ｉ１．
０６、反射層の光学定数は２．８３−ｉ７．７５を用い
た。
【００１１】図１に矢印で示している、下地層の膜厚が
４３nmから１３７nmの範囲および２３２nmから３００nm
の範囲において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状
態の反射率が１０％以上となる。また、この範囲では結
晶−非晶質間の反射光の位相差が絶対値で９０°以上と
大きい。
４３nmから１３７nmの範囲および２３２nmから３００nm
の範囲において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状
態の反射率が１０％以上となる。また、この範囲では結
晶−非晶質間の反射光の位相差が絶対値で９０°以上と
大きい。
【００１２】実施例２として、実施例１と同様に、ただ
し、記録層の膜厚を１５nmとして計算した結果を図２に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が５nmか
ら６７nmの範囲、１０２nmから２５６nmの範囲および２
９１nmから３００nmの範囲において、結晶状態の方が吸
収率が高く、結晶状態の反射率が１０％以上となる。
し、記録層の膜厚を１５nmとして計算した結果を図２に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が５nmか
ら６７nmの範囲、１０２nmから２５６nmの範囲および２
９１nmから３００nmの範囲において、結晶状態の方が吸
収率が高く、結晶状態の反射率が１０％以上となる。
【００１３】実施例３として、実施例１と同様に、ただ
し、記録層の膜厚を２５nmとして計算した結果を図３に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が５６nm
から１０７nmの範囲および２４４nmから２９６nmの範囲
において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反
射率が１０％以上となる。
し、記録層の膜厚を２５nmとして計算した結果を図３に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が５６nm
から１０７nmの範囲および２４４nmから２９６nmの範囲
において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反
射率が１０％以上となる。
【００１４】実施例４として、実施例１と同様に、ただ
し、保護層の膜厚を３０nmとして計算した結果を図４に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が４２nm
から１２２nmの範囲および２３０nmから３００nmの範囲
において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反
射率が１０％以上となる。
し、保護層の膜厚を３０nmとして計算した結果を図４に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が４２nm
から１２２nmの範囲および２３０nmから３００nmの範囲
において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反
射率が１０％以上となる。
【００１５】実施例５として、実施例１と同様に、ただ
し、保護層の膜厚を４０nmとして計算した結果を図５に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が３５nm
から１１８nmの範囲および２２２nmから３００nmの範囲
において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反
射率が１０％以上となる。
し、保護層の膜厚を４０nmとして計算した結果を図５に
示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が３５nm
から１１８nmの範囲および２２２nmから３００nmの範囲
において、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反
射率が１０％以上となる。
【００１６】実施例６として、案内溝の刻まれた、直径
１３０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネイト基板上に、
下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１００nm、記録
層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２０nm、保護層のＺｎＳ−２
０ａｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６０nm、各
々スパッタ法により順次形成し、さらに、紫外線硬化樹
脂を９．２μm 形成した試料を作製した。基板入射の反
射率は非晶質状態で１１．６％、結晶状態で１３．５％
であった。マトリックス法による光学計算によると、吸
収率は非晶質状態で６７．７％、結晶状態で８０．５
％、結晶−非晶質間の反射光の位相差は−１５１．８°
であった。
１３０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネイト基板上に、
下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１００nm、記録
層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２０nm、保護層のＺｎＳ−２
０ａｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６０nm、各
々スパッタ法により順次形成し、さらに、紫外線硬化樹
脂を９．２μm 形成した試料を作製した。基板入射の反
射率は非晶質状態で１１．６％、結晶状態で１３．５％
であった。マトリックス法による光学計算によると、吸
収率は非晶質状態で６７．７％、結晶状態で８０．５
％、結晶−非晶質間の反射光の位相差は−１５１．８°
であった。
【００１７】実施例７として、実施例６と同様に、ただ
し、下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１３０nmと
して作製した。基板入射の反射率は非晶質状態で９．２
％、結晶状態で２２．６％であった。マトリックス法に
よる光学計算によると、吸収率は非晶質状態で６９．５
％、結晶状態で７２．１％、結晶−非晶質間の反射光の
位相差は−１０７．６°であった。
し、下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１３０nmと
して作製した。基板入射の反射率は非晶質状態で９．２
％、結晶状態で２２．６％であった。マトリックス法に
よる光学計算によると、吸収率は非晶質状態で６９．５
％、結晶状態で７２．１％、結晶−非晶質間の反射光の
位相差は−１０７．６°であった。
【００１８】比較例１として、反射率差が大きく、反射
光の位相差が大きく、非晶質の方が吸収率が高い構成と
して、実施例６と同様に、ただし、下地層のＺｎＳ−２
０％ａｔＳｉＯ2 を１８０nmとして作製した。基板入射
の反射率は非晶質状態で４．２％、結晶状態で３３．９
％であった。マトリックス法による光学計算によると、
吸収率は非晶質状態で７３．３％、結晶状態で６１．７
％、結晶−非晶質間の反射光の位相差は−４８．１°と
小さい。
光の位相差が大きく、非晶質の方が吸収率が高い構成と
して、実施例６と同様に、ただし、下地層のＺｎＳ−２
０％ａｔＳｉＯ2 を１８０nmとして作製した。基板入射
の反射率は非晶質状態で４．２％、結晶状態で３３．９
％であった。マトリックス法による光学計算によると、
吸収率は非晶質状態で７３．３％、結晶状態で６１．７
％、結晶−非晶質間の反射光の位相差は−４８．１°と
小さい。
【００１９】実施例６、実施例７および比較例１のオー
バライト特性を評価した。ディスクは毎秒１１．３m/s
の速度で回転させている。記録消去再生に用いた光学ヘ
ッドは、波長は８３０nm、対物レンズのＮＡは０．５５
である。再生パワーは１．０ｍＷとした。マークエッジ
は２階微分信号のゼロクロス点により検出した。ジッタ
は、パルスの前端から前端まで、後端から後端までの時
間間隔を独立にタイムインターバルアナライザで測定し
た。各試料とも記録前にあらかじめレーザ光を照射して
記録層を成膜直後の非晶質状態から結晶状態に変化させ
てある。結晶状態の反射率が最も小さい実施例６におい
ても反射率が１３．５％と１０％以上の反射率があるの
で、サーボが不安定になるといった問題は生じなかっ
た。３．７ＭＨｚの信号を記録した上に２．１２ＭＨｚ
の信号をオーバライトした場合のジッタの測定結果を図
７に示す。比較例１に比べ実施例７、実施例６の順でジ
ッタが小さくなっていることがわかる。これは結晶の吸
収率が高い構成とすることにより、結晶と非晶質との温
度上昇が均等となり、オーバライトした場合に前に記録
してあった信号による歪みを受けにくくなったためであ
る。また、前端と後端のジッタの差も、比較例１、実施
例７、実施例６の順に小さくなっていることがわかる。
前端のジッタの方が大きくなりやすいのは、前端の方が
温度上昇が緩やかなために記録条件の変動を受けやすい
からであり、実施例６および実施例７においては、結晶
と非晶質の温度上昇を均等にして記録条件の変動を小さ
くしているので前端と後端のジッタの差が小さくなって
いる。
バライト特性を評価した。ディスクは毎秒１１．３m/s
の速度で回転させている。記録消去再生に用いた光学ヘ
ッドは、波長は８３０nm、対物レンズのＮＡは０．５５
である。再生パワーは１．０ｍＷとした。マークエッジ
は２階微分信号のゼロクロス点により検出した。ジッタ
は、パルスの前端から前端まで、後端から後端までの時
間間隔を独立にタイムインターバルアナライザで測定し
た。各試料とも記録前にあらかじめレーザ光を照射して
記録層を成膜直後の非晶質状態から結晶状態に変化させ
てある。結晶状態の反射率が最も小さい実施例６におい
ても反射率が１３．５％と１０％以上の反射率があるの
で、サーボが不安定になるといった問題は生じなかっ
た。３．７ＭＨｚの信号を記録した上に２．１２ＭＨｚ
の信号をオーバライトした場合のジッタの測定結果を図
７に示す。比較例１に比べ実施例７、実施例６の順でジ
ッタが小さくなっていることがわかる。これは結晶の吸
収率が高い構成とすることにより、結晶と非晶質との温
度上昇が均等となり、オーバライトした場合に前に記録
してあった信号による歪みを受けにくくなったためであ
る。また、前端と後端のジッタの差も、比較例１、実施
例７、実施例６の順に小さくなっていることがわかる。
前端のジッタの方が大きくなりやすいのは、前端の方が
温度上昇が緩やかなために記録条件の変動を受けやすい
からであり、実施例６および実施例７においては、結晶
と非晶質の温度上昇を均等にして記録条件の変動を小さ
くしているので前端と後端のジッタの差が小さくなって
いる。
【００２０】比較例２として、特開平１−１４９２３８
号公報に示されるような、金属反射層の膜厚を薄くして
透過性とし、反射層での反射率、吸収率を小さくするこ
とによって結晶状態の吸収率を高くしたディスクを作製
した。ポリカーボネイト基板上に、下地層のＺｎＳ−２
０ａｔ％ＳｉＯ2 を１００nm、記録層のＧｅ2 Ｓｂ2Ｔ
ｅ5 を２０nm、保護層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を
２０nm、反射層のＡｕを２０nm、各々スパッタ法により
順次形成し、さらに、紫外線硬化樹脂を９．２μm 形成
した。基板入射の反射率は非晶質状態で８．０％、結晶
状態で１２．８％であった。マトリックス法による光学
計算によると、吸収率は非晶質状態で７１．７％、結晶
状態で８１．７％と結晶状態の方が高くなっており、結
晶−非晶質間の反射光の位相差は１３４．２°と大き
い。
号公報に示されるような、金属反射層の膜厚を薄くして
透過性とし、反射層での反射率、吸収率を小さくするこ
とによって結晶状態の吸収率を高くしたディスクを作製
した。ポリカーボネイト基板上に、下地層のＺｎＳ−２
０ａｔ％ＳｉＯ2 を１００nm、記録層のＧｅ2 Ｓｂ2Ｔ
ｅ5 を２０nm、保護層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を
２０nm、反射層のＡｕを２０nm、各々スパッタ法により
順次形成し、さらに、紫外線硬化樹脂を９．２μm 形成
した。基板入射の反射率は非晶質状態で８．０％、結晶
状態で１２．８％であった。マトリックス法による光学
計算によると、吸収率は非晶質状態で７１．７％、結晶
状態で８１．７％と結晶状態の方が高くなっており、結
晶−非晶質間の反射光の位相差は１３４．２°と大き
い。
【００２１】比較例２について、３．７ＭＨｚの信号を
記録した上に２．１２ＭＨｚの信号をオーバライトした
場合のジッタを測定すると、実施例６と同程度と非常に
良好な値が得られた。
記録した上に２．１２ＭＨｚの信号をオーバライトした
場合のジッタを測定すると、実施例６と同程度と非常に
良好な値が得られた。
【００２２】そこで、実施例６および比較例２の繰り返
しオーバライト信頼性を測定した。記録条件は、線速１
１．３m/s 、周波数３．７ＭＨｚ、記録パルスのデュー
ティ４５％、実施例６では記録パワー１２ｍＷ、消去パ
ワー６．５ｍＷ、比較例２では記録パワー１１ｍＷ、消
去パワー６ｍＷである。測定結果を図８に示す。実施例
６では１０6 回オーバライト後でもジッタが増加してい
ないのに対して、比較例２では１０4 回程度からジッタ
が増加している。比較例２では反射層の膜厚が２０nmと
薄いため冷却速度が遅く媒体の熱負荷が大きいため記録
・消去を繰り返した場合に特性が劣化しやすい。
しオーバライト信頼性を測定した。記録条件は、線速１
１．３m/s 、周波数３．７ＭＨｚ、記録パルスのデュー
ティ４５％、実施例６では記録パワー１２ｍＷ、消去パ
ワー６．５ｍＷ、比較例２では記録パワー１１ｍＷ、消
去パワー６ｍＷである。測定結果を図８に示す。実施例
６では１０6 回オーバライト後でもジッタが増加してい
ないのに対して、比較例２では１０4 回程度からジッタ
が増加している。比較例２では反射層の膜厚が２０nmと
薄いため冷却速度が遅く媒体の熱負荷が大きいため記録
・消去を繰り返した場合に特性が劣化しやすい。
【００２３】実施例８として、比較例２と同様に、ただ
し、反射層の膜厚を変化させたディスクを作製し、繰り
返しオーバライト信頼性を測定した。反射層の膜厚と１
０6回繰り返しオーバライト後のジッタの増加量の関係
を図９に示す。反射層膜厚が４０nm以上あれば１０6 回
繰り返しオーバライトを行ってもジッタが増加しないこ
とがわかった。
し、反射層の膜厚を変化させたディスクを作製し、繰り
返しオーバライト信頼性を測定した。反射層の膜厚と１
０6回繰り返しオーバライト後のジッタの増加量の関係
を図９に示す。反射層膜厚が４０nm以上あれば１０6 回
繰り返しオーバライトを行ってもジッタが増加しないこ
とがわかった。
【００２４】比較例３として、特開平２−７３５３７号
公報や特開平２−１１３４５１号公報、特開平３−４１
６３８号公報などに示されている、反射率差がほとんど
なく反射光の位相差が大きい層構成のディスクを作製し
た。ポリカーボネイト基板上に、下地層のＺｎＳ−２０
ａｔ％ＳｉＯ2 を２５０nm、記録層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 を１５nm、保護層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１
５nm、反射層のＡｌを６０nm、各々スパッタ法により順
次形成し、さらに、紫外線硬化樹脂を９．２μm 形成し
た。基板入射の反射率は非晶質状態で８．３％、結晶状
態で８．５％とほとんど等しかった。マトリックス法に
よる光学計算によると、吸収率は非晶質状態で５９．９
％、結晶状態で８１．５％と結晶状態の方が高くなって
おり、結晶−非晶質間の反射光の位相差は１３９．１°
と大きい。比較例３のジッタ特性、繰り返し記録・消去
信頼性を測定しようとしたが、反射率が１０％以下と小
さいのでサーボが不安定であり、測定が非常に困難であ
った。
公報や特開平２−１１３４５１号公報、特開平３−４１
６３８号公報などに示されている、反射率差がほとんど
なく反射光の位相差が大きい層構成のディスクを作製し
た。ポリカーボネイト基板上に、下地層のＺｎＳ−２０
ａｔ％ＳｉＯ2 を２５０nm、記録層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 を１５nm、保護層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１
５nm、反射層のＡｌを６０nm、各々スパッタ法により順
次形成し、さらに、紫外線硬化樹脂を９．２μm 形成し
た。基板入射の反射率は非晶質状態で８．３％、結晶状
態で８．５％とほとんど等しかった。マトリックス法に
よる光学計算によると、吸収率は非晶質状態で５９．９
％、結晶状態で８１．５％と結晶状態の方が高くなって
おり、結晶−非晶質間の反射光の位相差は１３９．１°
と大きい。比較例３のジッタ特性、繰り返し記録・消去
信頼性を測定しようとしたが、反射率が１０％以下と小
さいのでサーボが不安定であり、測定が非常に困難であ
った。
【００２５】実施例９として、案内溝の刻まれた、直径
１３０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネイト基板上に、
下地層のＴａ2 Ｏ5 を９０nm、記録層のＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔ
ｅ7を２０nm、保護層のＴａ2 Ｏ5 を１５nm、反射層の
Ａｌを６０nm、各々スパッタ法により順次形成し、さら
に、紫外線硬化樹脂を９．２μm 形成した試料を作製し
た。基板入射の反射率は非晶質状態で５．８％、結晶状
態で１３．６％であった。マトリックス法による光学計
算によると、吸収率は非晶質状態で７９．８％、結晶状
態で７８．９％、結晶−非晶質間の反射光の位相差は−
８５．５°であった。計算に用いた光学定数は、下地層
および保護層のＴａ2 Ｏ5 が１．９６−ｉ０．０、記録
層のＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔｅ7 は非晶質状態で４．６０−ｉ
１．６０、結晶状態で５．７０−ｉ３．２５である。
１３０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネイト基板上に、
下地層のＴａ2 Ｏ5 を９０nm、記録層のＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔ
ｅ7を２０nm、保護層のＴａ2 Ｏ5 を１５nm、反射層の
Ａｌを６０nm、各々スパッタ法により順次形成し、さら
に、紫外線硬化樹脂を９．２μm 形成した試料を作製し
た。基板入射の反射率は非晶質状態で５．８％、結晶状
態で１３．６％であった。マトリックス法による光学計
算によると、吸収率は非晶質状態で７９．８％、結晶状
態で７８．９％、結晶−非晶質間の反射光の位相差は−
８５．５°であった。計算に用いた光学定数は、下地層
および保護層のＴａ2 Ｏ5 が１．９６−ｉ０．０、記録
層のＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔｅ7 は非晶質状態で４．６０−ｉ
１．６０、結晶状態で５．７０−ｉ３．２５である。
【００２６】実施例９について、３．７ＭＨｚの信号を
記録した上に２．１２ＭＨｚの信号をオーバライトした
場合のジッタを測定すると、実施例３と同様に、比較例
１よりも良好な値が得られた。また１０6 回繰り返しオ
ーバライト後もジッタは増加しなかった。
記録した上に２．１２ＭＨｚの信号をオーバライトした
場合のジッタを測定すると、実施例３と同様に、比較例
１よりも良好な値が得られた。また１０6 回繰り返しオ
ーバライト後もジッタは増加しなかった。
【００２７】以上、波長８３０nmにおいて本発明が相変
化光ディスクのオーバライトジッタ低減に有効であるこ
とを示してきた。より一層の高密度記録化には、記録再
生を行うレーザビーム径を絞ることができる、光源の短
波長化が有効である。
化光ディスクのオーバライトジッタ低減に有効であるこ
とを示してきた。より一層の高密度記録化には、記録再
生を行うレーザビーム径を絞ることができる、光源の短
波長化が有効である。
【００２８】そこで、本発明がより短波長である波長６
９０nmにおいても有効であることを示すため、実施例１
０として、ポリカーボネイト基板上に下地層のＺｎＳ−
２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１００nmから３００nm、記録層の
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５nm、保護層のＺｎＳ−２０ａ
ｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６０nm順次形成
した構成の媒体の結晶状態および非晶質状態の基板入射
の反射率Ｒｃ、Ｒａと吸収率Ａｃ、Ａａおよび結晶−非
晶質間の反射光の位相差を計算した結果を図１０に示
す。波長は６９０nmである。下地層および保護層の波長
６９０nmにおける光学定数は２．１−ｉ０．０、記録層
の光学定数は結晶状態で４．０３−ｉ３．８７、非晶質
状態で３．７９−ｉ１．３６、反射層の光学定数は１．
７３−ｉ７．９６を用いた。図１０に矢印で示してい
る、下地層の膜厚が２１０nmから２７７nmの範囲におい
て、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反射率が
１０％以上となる。
９０nmにおいても有効であることを示すため、実施例１
０として、ポリカーボネイト基板上に下地層のＺｎＳ−
２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１００nmから３００nm、記録層の
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５nm、保護層のＺｎＳ−２０ａ
ｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６０nm順次形成
した構成の媒体の結晶状態および非晶質状態の基板入射
の反射率Ｒｃ、Ｒａと吸収率Ａｃ、Ａａおよび結晶−非
晶質間の反射光の位相差を計算した結果を図１０に示
す。波長は６９０nmである。下地層および保護層の波長
６９０nmにおける光学定数は２．１−ｉ０．０、記録層
の光学定数は結晶状態で４．０３−ｉ３．８７、非晶質
状態で３．７９−ｉ１．３６、反射層の光学定数は１．
７３−ｉ７．９６を用いた。図１０に矢印で示してい
る、下地層の膜厚が２１０nmから２７７nmの範囲におい
て、結晶状態の方が吸収率が高く、結晶状態の反射率が
１０％以上となる。
【００２９】実施例１１として、実施例１０と同様に、
ただし、保護層の膜厚を３０nmとして計算した結果を図
１１に示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が
２１０nmから２６５nmの範囲において、結晶状態の方が
吸収率が高く、結晶状態の反射率が１０％以上となる。
また、この範囲では反射光の位相差が絶対値で９０°以
上と大きい。
ただし、保護層の膜厚を３０nmとして計算した結果を図
１１に示す。矢印で示してあるように、下地層の膜厚が
２１０nmから２６５nmの範囲において、結晶状態の方が
吸収率が高く、結晶状態の反射率が１０％以上となる。
また、この範囲では反射光の位相差が絶対値で９０°以
上と大きい。
【００３０】実施例１２として、案内溝の刻まれた、直
径１３０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネイト基板上
に、下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ２を２３０nm、
記録層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５nm、保護層のＺｎＳ
−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６０n
m、各々スパッタ法により順次形成し、さらに、紫外線
硬化樹脂を９．２μm 形成した試料を作製した。基板入
射の反射率は非晶質状態で１３．６％、結晶状態で１
４．９％であった。マトリックス法による光学計算によ
ると、吸収率は非晶質状態で７４．２％、結晶状態で８
１．０％、非晶質化にともなう位相差は−１０５．２°
であった。
径１３０mm、厚さ１．２mmのポリカーボネイト基板上
に、下地層のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ２を２３０nm、
記録層のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を１５nm、保護層のＺｎＳ
−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を２０nm、反射層のＡｌを６０n
m、各々スパッタ法により順次形成し、さらに、紫外線
硬化樹脂を９．２μm 形成した試料を作製した。基板入
射の反射率は非晶質状態で１３．６％、結晶状態で１
４．９％であった。マトリックス法による光学計算によ
ると、吸収率は非晶質状態で７４．２％、結晶状態で８
１．０％、非晶質化にともなう位相差は−１０５．２°
であった。
【００３１】比較例４として、反射率差が大きく、反射
光の位相差が小さく、非晶質の方が吸収率が高い構成と
して、実施例１２と同様に、ただし、下地層のＺｎＳ−
２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１６０nmとして作製した。基板入
射の反射率は非晶質状態で１１．９％、結晶状態で３
２．５％であった。マトリックス法による光学計算によ
ると、吸収率は非晶質状態で７５．６％、結晶状態で６
４．３％、非晶質化にともなう位相差は−５９．０°と
小さい。
光の位相差が小さく、非晶質の方が吸収率が高い構成と
して、実施例１２と同様に、ただし、下地層のＺｎＳ−
２０ａｔ％ＳｉＯ2 を１６０nmとして作製した。基板入
射の反射率は非晶質状態で１１．９％、結晶状態で３
２．５％であった。マトリックス法による光学計算によ
ると、吸収率は非晶質状態で７５．６％、結晶状態で６
４．３％、非晶質化にともなう位相差は−５９．０°と
小さい。
【００３２】実施例１２および比較例４のオーバライト
特性を評価した。ディスクは毎秒９．４２m/s の速度で
回転させている。記録再生消去に用いた光学ヘッドは、
波長は６９０nm、対物レンズのＮＡは０．５５である。
再生パワーは１．０ｍＷとした。各試料とも記録前にあ
らかじめレーザ光を照射して記録層を成膜直後の非晶質
状態から結晶状態に変化させてある。結晶状態の反射率
が小さい実施例１２においても反射率が１４．９％と１
０％以上の反射率があるので、サーボが不安定になると
いった問題は生じなかった。２．９０ＭＨｚの信号を記
録した上に１．８１ＭＨｚの信号をオーバライトした場
合のジッタを測定した。実施例１２においては、初記録
のジッタが前端で１．３ｎｓ、後端で１．２ｎｓに対し
てオーバライトジッタが前端で２．０ｎｓ、後端で１．
９０ｎｓとオーバライトによるジッタの増加が小さいこ
とがわかった。また、反射率差が小さいにもかかわらず
６０．３ｄＢという良好なＣ／Ｎが得られた。一方、比
較例４では、初記録のジッタは前端で１．８ｎｓ、後端
で１．６ｎｓと十分小さいものの、オーバライトジッタ
が前端で３．８ｎｓ、後端で２．６ｎｓとオーバライト
によるジッタの増加が大きいことがわかった。Ｃ／Ｎは
６１．５ｄＢと良好であった。以上のように、本発明が
波長６９０nmにおいても有効であることが確認できた。
特性を評価した。ディスクは毎秒９．４２m/s の速度で
回転させている。記録再生消去に用いた光学ヘッドは、
波長は６９０nm、対物レンズのＮＡは０．５５である。
再生パワーは１．０ｍＷとした。各試料とも記録前にあ
らかじめレーザ光を照射して記録層を成膜直後の非晶質
状態から結晶状態に変化させてある。結晶状態の反射率
が小さい実施例１２においても反射率が１４．９％と１
０％以上の反射率があるので、サーボが不安定になると
いった問題は生じなかった。２．９０ＭＨｚの信号を記
録した上に１．８１ＭＨｚの信号をオーバライトした場
合のジッタを測定した。実施例１２においては、初記録
のジッタが前端で１．３ｎｓ、後端で１．２ｎｓに対し
てオーバライトジッタが前端で２．０ｎｓ、後端で１．
９０ｎｓとオーバライトによるジッタの増加が小さいこ
とがわかった。また、反射率差が小さいにもかかわらず
６０．３ｄＢという良好なＣ／Ｎが得られた。一方、比
較例４では、初記録のジッタは前端で１．８ｎｓ、後端
で１．６ｎｓと十分小さいものの、オーバライトジッタ
が前端で３．８ｎｓ、後端で２．６ｎｓとオーバライト
によるジッタの増加が大きいことがわかった。Ｃ／Ｎは
６１．５ｄＢと良好であった。以上のように、本発明が
波長６９０nmにおいても有効であることが確認できた。
【００３３】
【発明の効果】本発明による光学的情報記録媒体におい
ては、記録層の光学的変化に伴って反射率とともに反射
光の位相が変化する構成を有するため、結晶−非晶質間
の反射率差を大きくしなくても高い信号品質が得られ
る。よって、記録層が結晶状態である場合の記録層での
吸収率を高くしやすく、マークエッジ記録において良好
なオーバライト特性が得られる。また、前記記録層が結
晶状態である場合において反射率が高いのでサーボが安
定する。さらに、反射率の膜厚を薄くしなくても記録層
が結晶状態である場合の記録層での吸収率を高くするこ
とが可能なため、媒体に対する熱負荷が小さくなり繰り
返し記録・消去信頼性が高い。反射層の膜厚について
は、図１２に矢印で示しているような、反射層の反射率
がバルクの反射率の９０％以上となる膜厚範囲に設定し
ているため、反射層の反射率が変動しにくく、反射層の
成膜マージンが大きい。
ては、記録層の光学的変化に伴って反射率とともに反射
光の位相が変化する構成を有するため、結晶−非晶質間
の反射率差を大きくしなくても高い信号品質が得られ
る。よって、記録層が結晶状態である場合の記録層での
吸収率を高くしやすく、マークエッジ記録において良好
なオーバライト特性が得られる。また、前記記録層が結
晶状態である場合において反射率が高いのでサーボが安
定する。さらに、反射率の膜厚を薄くしなくても記録層
が結晶状態である場合の記録層での吸収率を高くするこ
とが可能なため、媒体に対する熱負荷が小さくなり繰り
返し記録・消去信頼性が高い。反射層の膜厚について
は、図１２に矢印で示しているような、反射層の反射率
がバルクの反射率の９０％以上となる膜厚範囲に設定し
ているため、反射層の反射率が変動しにくく、反射層の
成膜マージンが大きい。
【００３４】このように本発明による光学的情報記録媒
体においては、相変化型光ディスクにおいて、作製時の
成膜マージンが大きくなるとともに、マークエッジ記録
において良好なオーバライト特性が得られ、かつ良好な
繰り返しオーバライト信頼性が得られる。よって、成膜
しやすく、記憶容量が大きく、信頼性の高い相変化型光
ディスクを提供できる。
体においては、相変化型光ディスクにおいて、作製時の
成膜マージンが大きくなるとともに、マークエッジ記録
において良好なオーバライト特性が得られ、かつ良好な
繰り返しオーバライト信頼性が得られる。よって、成膜
しやすく、記憶容量が大きく、信頼性の高い相変化型光
ディスクを提供できる。
【図１】本発明による光学的情報記録媒体の相変化にと
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図２】本発明による光学的情報記録媒体の相変化にと
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図３】本発明による光学的情報記録媒体の相変化にと
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図４】本発明による光学的情報記録媒体の相変化にと
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図５】本発明による光学的情報記録媒体の相変化にと
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
もなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図６】本発明による光学的情報記録媒体の基本構成の
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明および従来の技術を用いた場合のオーバ
ライトジッタを比較した図である。
ライトジッタを比較した図である。
【図８】本発明および従来の技術を用いた場合の繰り返
しオーバライト信頼性を比較した図である。
しオーバライト信頼性を比較した図である。
【図９】反射層の膜厚と繰り返しオーバライト後のジッ
タの増加量の関係を示す図である。
タの増加量の関係を示す図である。
【図１０】本発明による光学的情報記録媒体の相変化に
ともなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
ともなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図１１】本発明による光学的情報記録媒体の相変化に
ともなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
ともなう反射率変化、吸収率変化、位相差を示す図であ
る。
【図１２】反射層の膜厚と反射率の関係を示す図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 下地層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に、下地層、記録層、保護層および
反射層を備え、前記記録層が、レーザ光の照射による昇
温、冷却の熱履歴の違いによって光学的性質が変化する
光学的情報記録媒体において、 前記記録層の光学的性質の変化に伴って反射率および反
射光の位相が変化するとともに、前記記録層の光の吸収
率が、記録層が非晶質状態である場合よりも結晶状態で
ある場合の方が大きく、かつ、前記記録層が結晶状態で
ある場合の反射率が１０％以上である層構成を有し、前
記反射層の膜厚が、反射層単層での反射率がバルク状態
の反射率の９０％以上となる膜厚もしくは４０ｎｍ以上
であることを特徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項２】前記下地層または保護層がＳｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ，ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＭｎＳの
いずれか、またはこれらの混合物からなることを特徴と
する請求項１記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項３】前記記録層がＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5であること
を特徴とする請求項１記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項４】前記反射層がＡｌ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｇｅのいずれか、またはこれらの
合金からなることを特徴とする請求項１記載の光学的情
報記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187294A JP2812181B2 (ja) | 1993-06-17 | 1994-02-03 | 光学的情報記録媒体 |
| DE1994626171 DE69426171T2 (de) | 1993-06-17 | 1994-06-15 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium |
| EP19940109224 EP0630007B1 (en) | 1993-06-17 | 1994-06-15 | Optical information-recording medium |
| US08/260,827 US5506022A (en) | 1993-06-17 | 1994-06-16 | Optical information-recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14529993 | 1993-06-17 | ||
| JP5-145299 | 1993-06-17 | ||
| JP1187294A JP2812181B2 (ja) | 1993-06-17 | 1994-02-03 | 光学的情報記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793804A JPH0793804A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2812181B2 true JP2812181B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=26347392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187294A Expired - Fee Related JP2812181B2 (ja) | 1993-06-17 | 1994-02-03 | 光学的情報記録媒体 |
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| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| US5840466A (en) * | 1994-03-25 | 1998-11-24 | Toray Industries, Inc. | Optical recording media and their production methods |
| EP0706177B1 (en) * | 1994-03-25 | 2002-02-20 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| JP2806274B2 (ja) * | 1994-10-19 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| CN1149558C (zh) * | 1995-03-28 | 2004-05-12 | 东丽株式会社 | 光记录媒体及对光记录媒体的记录方法 |
| CA2191691C (en) * | 1995-12-11 | 2001-09-11 | Atsushi Ebina | Phase change optical recording medium |
| JP3525197B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2004-05-10 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体 |
| TW336317B (en) * | 1996-02-28 | 1998-07-11 | Asahi Chemical Ind | Design method of phase change type recording medium and the phase change optical recording medium |
| JP3138661B2 (ja) * | 1996-10-24 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | 相変化型光ディスク |
| JP3255051B2 (ja) * | 1996-12-05 | 2002-02-12 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| EP1396851B1 (en) * | 1997-03-27 | 2007-02-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5972459A (en) * | 1997-04-25 | 1999-10-26 | Sony Corporation | Optical recording medium and optical disk apparatus |
| JP3159374B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| KR19990042064A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 윤종용 | 귀금속 반사층을 구비한 상변화 광디스크 |
| JPH11203725A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nec Corp | 相変化光ディスク |
| US6426936B1 (en) | 1998-01-27 | 2002-07-30 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change medium usable in phase-difference tracking |
| US6191384B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-02-20 | Tapematic S.P.A. | Apparatus for trimming dye coated on a recordable disc substrate and related method |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746442B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1995-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| JPH01113451A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Dainippon Toryo Co Ltd | 塗料用樹脂組成物 |
| JPH081707B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1996-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| JPH07105063B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| EP0360466B1 (en) * | 1988-09-09 | 1997-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and information recording and reproducing method therefor |
| JPH07105064B2 (ja) * | 1988-10-21 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| EP0376700B1 (en) * | 1988-12-28 | 1995-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium |
| JPH07109654B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1995-11-22 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体およびその情報記録再生方法 |
| JPH03224790A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP1187294A patent/JP2812181B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-15 EP EP19940109224 patent/EP0630007B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-15 DE DE1994626171 patent/DE69426171T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-16 US US08/260,827 patent/US5506022A/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0630007A1 (en) | 1994-12-21 |
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| JPH0793804A (ja) | 1995-04-07 |
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