JPH08180413A - 光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置 - Google Patents

光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置

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JPH08180413A
JPH08180413A JP6316594A JP31659494A JPH08180413A JP H08180413 A JPH08180413 A JP H08180413A JP 6316594 A JP6316594 A JP 6316594A JP 31659494 A JP31659494 A JP 31659494A JP H08180413 A JPH08180413 A JP H08180413A
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Nobuo Akahira
Eiji Ono
Yoshitaka Sakagami
嘉孝 坂上
鋭二 大野
信夫 赤平
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 角速度一定(CAV)におけるディスクの内
外周での線速度の差による記録特性の差を改善する。 【構成】 ディスク半径方向の薄膜構成が異なる複数の
ゾーン、あるいは記録層の組成が異なる複数のゾーンに
おいて、そのゾーン毎に記録マルチパルス波形を内周ゾ
ーンより外周ゾーンで(後続の短パルス巾/先頭パルス
巾)が大きくなるマルチパルス波形にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線等の光学
的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録、再生する
光ディスクの記録方法及びその記録装置に関するもので
ある。

【0002】

【従来の技術】レーザー光線を利用して高密度な情報の
再生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光デ
ィスクとして実用化されている。

【0003】光ディスクは再生専用型、追記型、書き換
え型に大別することができる。再生専用型はコンパクト
ディスクやレーザーディスクとして、また追記型や書き
換え型は文書ファイル、データファイル等として実用化
されている。書き換え型光ディスクの中にはおもに光磁
気と相変化型がある。相変化光ディスクは記録層がレー
ザー光線の照射によってアモルファスと結晶間(あるい
は結晶とさらに異なる構造の結晶間)で可逆的に状態変
化を起こすことを利用する。これは、レーザ光照射によ
り薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくともいず
れか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光ある
いは反射光の振幅が変化し、その結果検出系に至る透過
光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を
再生する。アモルファスと結晶間で状態変化を起こす材
料としてはTe、Se、In、Sb等の合金が主に用い
られている。

【0004】相変化光ディスクでは記録マークの書き換
えに1ビームオーバーライトを用いることができる。1
ビームオーバーライトとは記録信号によりレーザーパワ
ーを記録レベルと消去レベルの間で変調して信号トラッ
ク上に照射することにより、既に記録されている古い信
号を消去しながら新しい信号を記録する方法である。記
録レベルで照射された領域は元の状態がアモルファスか
結晶かにかかわらず溶融後冷却されるためアモルファス
となり、消去レベルで照射された領域は結晶化温度以上
に昇温するため元の状態にかかわらず結晶化して、新し
い信号がオーバーライトされる。

【0005】また、一つの記録マークを形成するための
記録波形を複数のパルスからなる記録パルス列で構成
(以下マルチパルス記録)する記録方法が提案されてい
る(例えば、特願平1ー323369号)。

【0006】ところで、光ディスクの記録再生装置では
光ディスクの回転方式は大別して2つある。ディスクの
内外周で線速度が同じになるようにディスクを回転させ
る方法(以下CLV)と、ディスクを一定の角速度で回
転させる方法(以下CAV)である。例えば、コンピュ
ーター用の外部メモリ等に用いられるデータファイルの
様に高速なアクセスが必要とされる場合にはディスク回
転数を変えるには時間がかかるためCAVが使用されて
おり、この場合、ディスクの周方向の線速度が外周で速
く内周で遅くなる。

【0007】

【発明が解決しようとする課題】光ディスク装置で半導
体レーザーにより光を照射して物理的状態変化を生じさ
せる場合、例えば書き換え可能な相変化材料を用いた光
ディスクにおいて良好な記録再生特性を得るには、アモ
ルファスの記録マークを安定して形成することと、充分
な消去率を実現することが不可欠である。しかしなが
ら、CAVモードでは線速度の大きい外周では消去率の
低下がおこり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさ
の記録マークが形成できなかったりあるいはマーク歪が
生じる場合があった。これは外周ほどレーザースポット
が信号トラック上の一点を通過する時間が短くなるため
結晶化が不充分となり消し残りを生じ、逆に内周ほど通
過時間が長くなるため溶融された領域は冷却速度が小さ
いために再結晶化してしまい充分にアモルファス化され
ないためである。上記消し残りやマーク歪等は共に再生
波形の歪やノイズになって再生ジッタの原因となってい
た。この問題点を解決する方法として、我々は、内周よ
り外周ゾーンにおいて結晶化速度を速くする、外周ゾー
ンより内周ゾーンにおける反射層の厚膜化、記録層の薄
膜化および反射層側誘電体層の薄膜化をおこなう等の半
径方向における薄膜構成の異なるゾーンを設けたディス
クを提案する。しかし、より記録再生のマージンの拡大
および安定性をはかるためには、さらなる再生ジッタ低
下をはかる必要がある。

【0008】本発明は上記問題点を解決するもので、C
AVモードでディスクの内外周全面においてアモルファ
スの記録マークを安定して形成することを実現する記録
方法を提供することを目的とする。

【0009】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の記録方法は、ディスク半径方向の薄膜構成が
異なる複数のゾーンにおいて、記録される入力波形をあ
らかじめ決められた波形に補正した後レーザー出力を変
調して記録するものである。

【0010】また、前記記録方法を実現する装置とし
て、レーザースポットがどのゾーンに位置するかを検出
して、前記記録波形補正をゾーンに応じて切り換える記
録装置を提案する。

【0011】

【作用】ゾーンに応じて記録波形を最適化することで、
内周から外周までマーク歪の少ない記録が可能となる。

【0012】

【実施例】以下、図面を用いて本発明を説明する。

【0013】まず、本実施例で採用した具体的な記録波
形の形状を図1に示す。(a)はEFM(Eight
to Fourteen Modulation)信号
の入力波形の一例である。EFM変調は3Tから11T
の間の9種類の長さの信号の組合せによってデータを変
調するものでここでいうTとはクロックのことである。
(b)は(a)の入力波形を記録する場合の記録波形B
であり、(a)の入力波形より各入力波形で1.5Tず
つ先頭部分を削ったものである。(c)は(a)の入力
波形を記録する場合の記録波形Cであり、(a)の入力
波形より各入力波形で1.75Tずつ先頭部分を削った
ものである。(d)は(a)の入力波形を記録する場合
のマルチパルス記録波形Dであり、短パルス列中の先頭
パルスの幅は1.5T、後続パルスの幅および間隔はど
ちらも0.5Tである。(e)は前記記録波形Dより短
パルス列中の先頭パルス幅を1.5Tと同じくし後続パ
ルス幅を0.75Tと広くした記録波形Eである。
(f)は前記記録波形Dより後続パルス列中の最後部の
パルスのみを0.75Tと広くした記録波形Fである。

【0014】図2をもちいて本実施例で用いたディスク
の構造について説明する。誘電体層、記録層、反射層は
真空蒸着、またはスパッタリングなどの方法で、透明基
板上に形成する。基板21上に、第1の誘電体22、記
録層23、第2の誘電体層24、反射層25を順次設け
る。さらにその上に透明な密着した保護層26を設け
る。なお、図2ではディスク半径方向の内周ゾーン27
と外周ゾーン28の2ゾーン構造であるが、ゾーンが3
つ以上の場合の光ディスクも作成できる。また、反射層
25や保護層26のない構造の光ディスクもある。記
録、再生を行うレーザー光は基板21側から入射させ
る。

【0015】基板21の材質は、ガラス、石英、ポリカ
ーボネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使
用できる。また基板は平滑な平板でも表面にトラッキン
グガイド用の溝状の凸凹があってもよい。

【0016】保護層26としては樹脂を溶剤に溶かして
塗布・乾燥したものや樹脂板を接着剤で接着したもの等
が使える。

【0017】記録層23に用いる記録層材料としてはア
モルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金がよ
くしられており、例えばSbTe系,GeSbTe系,G
eSbTeSe系,GeSbTePd系,TeGeSnA
u系,AgSbTe系,GeTe系,GaSb系,InSe
系,InSb系,InSbTe系,InSbSe系,InS
bTeAg系等が使える。

【0018】記録層材料としてGeSbTeを用いた場
合、特にxGeTe+(1−x)Sb2Te3+ySb
(0<x≦1、y≧0)を満たす組成のものが書き換え
型相変化光ディスクの材料として適している。このこと
に関しては、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス 26(1987年)第61頁から
第66頁(Japanese Journal of
Applied Physics,Vol.26(19
87)61−66)に開示されている。

【0019】誘電体層22、24としてはSiO2、S
iO、TiO2、MgO、Ta25、Al23、Ge
2、Si34、BN、AlN、SiC、ZnS、Zn
Se、ZnTe、PbS等あるいはこれらの混合物が使
える。

【0020】反射層25としてはAu、Al、Cu、C
r、Ni、Ti等の金属材料を主成分とした材料あるい
はこれらの混合物、さらには所定の波長における反射率
の大きな誘電体多層膜等が使える。

【0021】本願発明の記録方法を用いるディスクの特
徴は、内外周のゾーンにおいて薄膜構成が異なることに
ある。例えば内周より外周ゾーンにおいて結晶化速度を
速くしたディスクである。CAVモードで光ディスクを
回転させた場合、線速度の大きい外周では消去率の低下
がおこり、逆に線速度の小さい内周で充分な大きさの記
録マークが形成できなかったりあるいはマーク歪が生じ
る場合があり再生ジッタの原因となっていた。しかし、
記録層の結晶化速度を外周ほど大きくすることにより内
外周における消去率をほぼ同等にできた。結晶化速度を
変化させるには、GeSbTe系記録層においてはSb
量を変化させる、あるいはさらに第4の元素を添加する
ことにより可能であった。例えば、xGeTe+(1−
x)Sb 2Te3 (0<x≦1)で表される組成にさら
にSbを添加すれば結晶化速度は遅くなる。さらに、G
eSbTeの3元系にAg、Cu、Co、Tl、Pd、
Au、Bi、Se、Sn、Pt、Niを添加しても結晶
化速度は遅くできる。さらには、反射層の厚膜化、記録
層の薄膜化および反射層側誘電体層の薄膜化は記録層の
冷却速度を高めることができ、結果として内周において
良好なアモルファスマークが形成できジッタが小さくで
きた。

【0022】本願発明ではこれらのディスクに対して、
一つの記録マークを形成するための記録波形を複数のゾ
ーンにおいて、そのゾーン毎に記録レーザー光波形を補
正し、その記録波形補正をゾーンに応じて切り換える記
録装置を提案することで、内周から外周までマーク歪が
より少ない記録を可能にすることを特徴とするものであ
る。

【0023】以下、具体的実施例をもって本発明をさら
に詳細に説明する。 (実施例1)反射層厚を内外周でCAVモードに対して
最適化したディスクのゾーン毎で、記録波形を図1の記
録波形B、Cと変えた場合すなわち、単パルス長を変化
させた場合について説明する。図7にそのディスクの構
造を示す。反射層厚を内外周ゾーンで変えたディスク
は、φ130mmのポリカーボネート製信号記録用トラ
ックを持つ基板を用いた。このディスクにおいては半径
22mm以上40mm未満を内周ゾーン、半径40mm
以上58mm以下を外周ゾーンとした。前記基板上に第
1の誘電体層としてZnS−SiO2混合膜を厚さ13
00Åスパッタリングにより形成した。記録層組成はG
21.6Sb24.3Te54.1;(2GeTe+Sb2Te3
0.25Sb)とし、記録層を250Å、第2の誘電体
層としてZnS−SiO2混合膜を厚さ200Å形成し
た。反射層はまずAl膜を1250Å 形成したのち、
図3に示す様な内周部のみ穴のあいているマスク31を
用いて内周部にAl膜を750Åスパッタリングにより
成膜を行った。すなわち、外周ゾーン、内周ゾーンでの
それぞれの反射層厚は1250Å、2000Åとしたの
である。そしてその上にポリカーボネートの保護層を設
けた。

【0024】また、誘電体層厚、記録層厚を内外周ゾー
ンで変えたディスクを作製する場合には、膜厚を変える
層をスパッタリングする場合に図3の内周部スパッタ用
マスク31あるいは図4の外周部スパッタ用マスク41
を用いて膜厚を制御し形成すればよい。また、記録層組
成を内外周ゾーンで変えたディスクを作製する場合にも
前記マスク31、41を用いればよい。

【0025】上記の光ディスクの評価条件は、レーザー
光の波長が780nm、記録装置の記録再生に用いる光
学ヘッドの対物レンズのNAを0.55、ディスク回転
数1000rpm、EFM信号を最短マーク長が常に
0.90μmとなるようにクロックTを変えて1ビーム
オーバーライトにより100回記録し、3T再生信号の
ゼロクロス点のジッタ値:σ/Tw(%)を半径23、
30、37、43、50、57mmの位置で測定した。
ここでσはジッタの標準偏差、Twは検出系のウインド
ウ幅である。前記半径でのそれぞれの線速度は、内周側
から約2.4、3.1、3.9、4.5、5.2、6.
0m/sである。それぞれのディスク、それぞれのゾー
ンについて、信号の記録は記録マーク長が0.9μmと
なる単一周波数を記録したとき、C/Nが飽和する記録
パワーとその信号を消去した場合に消去率がー20dB
を越えるパワーマージンの中央値のパワーを設定した。

【0026】ここで、本発明の光ディスク装置について
図5を用いて説明する。光ディスク51はスピンドルモ
ーター52に取り付けられ、一定の回転数で回転してい
る。光学ヘッド53は半導体レーザーを光源とし、コリ
メータレンズ、対物レンズ等により光ディスク上にレー
ザースポットを形成する。半導体レーザーはレーザー駆
動回路54により駆動されるが、信号を記録する場合に
は入力信号は波形補正回路A55、波形補正回路B56
のいずれかの回路により波形補正されたのち、レーザー
駆動回路54へ入力される。

【0027】本装置は信号を記録する場合に、最初にレ
ーザースポットを光ディスク51上に照射して信号トラ
ックに予め設けられたアドレス信号をアドレス再生回路
57で判読し、スイッチ59により波形補正手段を選択
する。

【0028】ぞれぞれの記録波形によるそれぞれの半径
とジッタとの関係を(表1)に示す。

【0029】

【表1】

【0030】(表1)から、記録波形Bをもちいた場合
には内周部では熱のこもりのため、良好な記録マークが
形成されておらずジッタが非常に悪くなっている。一
方、外周部ではレーザーパワーが内周部に比べて適正
で、内周部より良いジッタ値であった。

【0031】記録波形Cをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Bの場合より小さくマーク歪みも小
さいため、ジッタが記録波形Bの場合よりよくなってい
る。一方、外周部では記録波形Bの場合よりレーザーパ
ワーが不足しており、前後対称な記録マークが形成され
ていないためジッタ値が悪くなっている。

【0032】一方、本願発明による内周で記録波形Cを
外周で記録波形Bを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が改良されているため比較
的良好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0033】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0034】なお、本実施例では波形補正手段として2
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。

【0035】(実施例2)反射層厚を内外周でCAVモ
ードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、図1の
記録波形Dの先頭パルス幅を変化する場合について説明
する。

【0036】ディスクは実施例1と同じものを用いた。
本実施例で用いた記録波形は次の2種類である。すなわ
ち、図1の記録波形Dと、記録マーク間隔(入力波形が
0の間隔)が3Tの場合にのみその次にくる記録マーク
を形成するためのマルチパルスの先頭パルスのみを0.
25T削り、記録マーク間隔が4T〜11Tの場合には
記録波形Dと同じであるという記録波形D2である。

【0037】ぞれぞれの記録波形によるそれぞれの半径
とジッタとの関係を(表2)に示す。

【0038】

【表2】

【0039】(表2)から、記録波形Dをもちいた場合
には内周部で記録マーク間隔が小さいとき、ひとつ前の
記録マークからの熱干渉により、記録マークが歪みジッ
タが悪くなる。一方、外周部ではレーザーパワーが適し
ており、内周部より良いジッタ値となる。

【0040】記録波形D2をもちいた場合には内周部で
ひとつ前の記録マークからの熱干渉が抑制され、マーク
歪みも小さいためジッタが抑えられる。一方、外周部で
はもともと熱干渉が小さいため、記録波形Dの場合より
レーザーパワー不足でマーク形状が歪んでおりジッタ値
が悪くなっている。

【0041】一方、本願発明による内周で記録波形D2
を外周で記録波形Dを用いた場合には、前記の様にそれ
ぞれのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため
良好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0042】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0043】なお、本実施例では波形補正手段として2
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。

【0044】(実施例3)記録層組成を内外周でCAV
モードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、マル
チパルス波形を変えた場合について説明する。

【0045】ディスクの作成方法は実施例1と同じであ
る。記録層組成は外周ゾーンでGe 22.2Sb22.2Te
55.6;(2GeTe+Sb2Te3)、内周ゾーンでGe
21.1Sb26.3Te52.6;(2GeTe+Sb2Te3
0.5Sb)とし、その他の層の膜厚および組成は実施
例1と同じである。

【0046】ぞれぞれのマルチパルス波形記録における
それぞれの半径とジッタとの関係を(表3)に示す。

【0047】

【表3】

【0048】(表3)から、記録波形Dをもちいた場合
には内周部ではレーザーパワーが適しているため良好な
ジッタが得られる。一方、外周部では記録波形Dの後続
の短パルス列でレーザーパワーが不足していたためマー
クの前部に比べ後部が細いという歪みが生じ、そのため
内周部より少し劣るジッタ値となる。

【0049】記録波形Eをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Dの場合より大きいためマークが歪
みジッタが記録波形Dの場合より悪くなっている。一
方、外周部では記録波形Dの場合よりレーザーパワーの
不足が改善されて前後対称な記録マークが形成されさら
にジッタ値が小さくなっている。

【0050】一方、本願発明による内周で記録波形Dを
外周で記録波形Eを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0051】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0052】なお、本実施例では波形補正手段として2
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。

【0053】なお、本実施例ではxGeTe+(1−
x)Sb2Te3+ySb (y≧0)においてx=2/
3の場合のみを示したが、x=1/2を満たす記録層組
成について、結晶化速度を外周ゾーンほど速くしたディ
スクでもマルチパルス波形を変えることでマルチパルス
が内外周で同じ場合より良好なジッタ値が得られた。

【0054】(実施例4)記録層がxGeTe+(1−
x)Sb2Te3+yAg(x=2/3、y≧0)を満た
しディスクの内外周ゾーンでCAVモードに対してyの
値を最適化したディスクのゾーン毎にマルチパルスを変
えた場合を説明する。

【0055】ディスクの作成方法は実施例1と同じであ
る。記録層組成は外周ゾーンでGe 22.2Sb22.2Te
55.6;(2GeTe+Sb2Te3)、内周ゾーンでGe
21.1Sb21.1Te52.6Ag5.2;(2GeTe+Sb2
3+0.5Ag)とし、その他の層の膜厚および組成
は実施例1と同じである。

【0056】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を(表4)に示
す。

【0057】

【表4】

【0058】(表4)から、記録波形Dを用いた場合に
は、外周部でも良好なジッタが得られてはいる。しか
し、記録波形Eをもちいた場合、外周部では記録波形D
の場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前後対称
な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さくなって
いる。一方、内周部では熱のこもりが記録波形Dの場合
より大きいためマークが歪みジッタが少し悪くなってい
る。

【0059】本願発明による内周で記録波形Dを外周で
記録波形Eを用いた場合には、前記の様にそれぞれのゾ
ーンにおいて記録波形が最適になっているため良好な記
録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0060】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0061】また、Ag以外のCu、Co、Tl、P
d、Au、Bi、Se、Sn、Pt、Niを記録層に外
周ゾーンほど多く添加した場合にも本実施例と同様の結
果が得られた。

【0062】(実施例5)内、外周ゾーンでの反射膜厚
をCAVモードに対して最適化したディスクのゾーン毎
でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。

【0063】ディスクの作製法は実施例1で説明したと
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図7に
示す。内周での反射層厚を2000Å、外周での反射層
厚を1250Åとした。記録層組成はGe21.6Sb24.3
Te54.1;(2GeTe+Sb2Te3+0.25Sb)
とし、膜厚およびその他の層の膜構成は実施例1と同じ
とした。

【0064】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を(表5)に示
す。

【0065】

【表5】

【0066】(表5)から、記録波形Dをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Dの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。

【0067】記録波形Eをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Dの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Dの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。

【0068】一方、本願発明による内周で記録波形Dを
外周で記録波形Eを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0069】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0070】(実施例6)内、外周ゾーンでの第2の誘
電体層厚をCAVモードに対して最適化したディスクの
ゾーン毎でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。

【0071】ディスクの作製法は実施例1で説明したと
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図8に
示す。内周での第2の誘電体層厚を170Å、外周での
第2の誘電体層厚を230Åとした。記録層組成はGe
21.6Sb24.3Te54.1;(2GeTe+Sb2Te3
0.25Sb)とし膜厚およびその他の層の膜構成は実
施例1と同じとした。

【0072】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を(表6)に示
す。

【0073】

【表6】

【0074】(表6)から、記録波形Dをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Dの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。

【0075】記録波形Eをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Dの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Dの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。

【0076】一方、本願発明による内周で記録波形Dを
外周で記録波形Eを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0077】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0078】(実施例7)内、外周ゾーンでの記録膜厚
をCAVモードに対して最適化したディスクのゾーン毎
でマルチパルス波形を変えた場合を説明する。

【0079】ディスクの作製法は実施例1で説明したと
おりである。本実施例で用いたディスクの構造を図10
に示す。内周での記録膜厚を200Å、外周での反射層
厚を300Åとした。記録層組成はGe21.6Sb24.3
54.1;(2GeTe+Sb 2Te3+0.25Sb)と
し、膜厚およびその他の層の膜構成は実施例1と同じと
した。

【0080】ぞれぞれのマルチパルス波形での記録にお
けるそれぞれの半径とジッタとの関係を(表7)に示
す。

【0081】

【表7】

【0082】(表7)から、記録波形Dをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Dの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。

【0083】記録波形Eをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Dの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Dの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。

【0084】一方、本願発明による内周で記録波形Dを
外周で記録波形Eを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0085】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0086】(実施例8)反射層厚を内外周でCAVモ
ードに対して最適化したディスクのゾーン毎で、後続パ
ルス列の最後尾のパルス幅のみを変化させた場合につい
て説明する。

【0087】ディスクは実施例1と同じものを用いた。
本実施例で用いた記録波形は、図1の記録波形Dと記録
波形Eである。

【0088】ぞれぞれの記録波形によるそれぞれの半径
とジッタとの関係を(表8)に示す。

【0089】

【表8】

【0090】(表8)から、記録波形Dをもちいた場合
には内周部では良好なジッタが得られる。一方、外周部
では記録波形Dの後続の短パルス列でレーザーパワーが
不足していたためマークの前部に比べ後部が細いという
歪みが生じ、そのため内周部より少し劣るジッタ値であ
った。

【0091】記録波形Fをもちいた場合には内周部で熱
のこもりが記録波形Dの場合より大きいためマークが歪
みジッタが少し悪くなっている。一方、外周部では記録
波形Dの場合よりレーザーパワーの不足が改善されて前
後対称な記録マークが形成されさらにジッタ値が小さく
なった。

【0092】一方、本願発明による内周で記録波形Dを
外周で記録波形Fを用いた場合には、前記の様にそれぞ
れのゾーンにおいて記録波形が最適になっているため良
好な記録マークが形成できジッタ値が小さくなる。

【0093】以上のようにゾーン毎に記録波形を補正す
ることによりディスク全面でジッタの小さい記録が可能
となる。

【0094】なお、本実施例では波形補正手段として2
つの波形補正回路を用いたが、さらに異なる種類の複数
の補正手段を用いてもよい。

【0095】

【発明の効果】以上のように、マルチパルス記録波形を
ゾーン毎に変えることによってもマーク歪を抑制するこ
とができ、良好な再生ジッタ特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図1】(a)は記録するデジタル信号波形の図 (b)は単パルス記録波形Bの図 (c)は単パルス記録波形Cの図 (d)はマルチパルス記録波形Dの図 (e)はマルチパルス記録波形Eの図 (f)はマルチパルス記録波形Fの図

【図2】本発明の代表的な光ディスクの構造図

【図3】本発明の光ディスクの製造装置の図

【図4】本発明の光ディスクの製造装置の図

【図5】本発明の記録装置の説明図

【図6】本発明の第1の実施例における光ディスクの構
造図

【図7】本発明の第3の実施例における光ディスクの構
造図

【図8】本発明の第4の実施例における光ディスクの構
造図

【図9】本発明の第5の実施例における光ディスクの構
造図

【符号の説明】

21 基板 22 第1の誘電体層 23 記録層 24 第2の誘電体層 25 反射層 26 保護層 27 内周ゾーン 28 外周ゾーン 31 内周部スパッタ用マスク 32 ターゲット1 41 外周部スパッタ用マスク 42 ターゲット2 51 光ディスク 52 スピンドルモーター 53 光学ヘッド 54 レーザー駆動回路 55 波形補正回路A 56 波形補正回路B 57 アドレス再生回路 58 システムコントローラー 59 スイッチ 60 トラッキング制御回路 61 記録層2 71 記録層3

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザー光線等の照射によって光学的に検
    出可能な状態間で変化する記録層を設け、かつディスク
    の半径方向に薄膜構成が異なる同心円状の複数に分かれ
    たゾーンを有する光ディスクへの光学的情報の記録方法
    であって、前記光ディスク上に記録マークを形成して情
    報を記録する場合、記録される入力波形をあらかじめ決
    められた波形に補正した後レーザー出力を変調して記録
    し、かつ前記ゾーンによって記録補正方法を変えること
    を特徴とする光学的情報の記録方法。
  2. 【請求項2】記録マーク長および記録マーク間隔を変化
    させて記録マークのエッジ位置によりデジタル情報を記
    録する場合に、一つの記録マークを形成するための記録
    波形を複数のパルスからなる記録パルス列で構成する場
    合に薄膜構成が異なる前記ゾーンによって記録パルス列
    の形状が異なることを特徴とする請求項1記載の光学的
    情報の記録方法。
  3. 【請求項3】記録パルス列は先頭の幅広いパルスと後続
    の短パルス列からなり、前記ゾーンによって先頭のパル
    ス幅もしくは後続の短パルス列中のパルス幅の一方もし
    くは両方を変えることを特徴とする請求項2記載の光学
    的情報の記録方法。
  4. 【請求項4】記録波形の複数のパルスにおいて、ディス
    クの外周ゾーンほど内周ゾーンより(後続の短パルス幅
    /先頭のパルス幅)を大きくすることを特徴とする請求
    項3記載の光学的情報の記録方法。
  5. 【請求項5】記録パルス列は先頭の幅広いパルスと後続
    の短パルス列からなり、前記ゾーンによって後続の短パ
    ルス列の最後端パルスの幅が異なることを特徴とする請
    求項2記載の光学的情報の記録方法。
  6. 【請求項6】前記光ディスクが、基板上に、少なくとも
    第1の誘電体層、記録層、第2の誘電体層の順に積層し
    たものであり、前記記録層はレーザ光線等の照射によっ
    てアモルファス相と結晶相間で可逆的に相変化を起こす
    相変化記録材料からなり、かつディスクの半径方向に薄
    膜構成が異なる同心円状の複数のゾーンを有することを
    特徴とする請求項1記載の光学的情報の記録方法。
  7. 【請求項7】前記光ディスクの半径方向に薄膜構成が異
    なる同心円上の複数のゾーンが2つであることを特徴と
    する請求項1記載の光学的情報の記録方法。
  8. 【請求項8】請求項1に記載の光ディスクと、光源より
    発生した光ビームを前記光ディスク上に照射するための
    光学系と、 前記光ディスクを設置して回転する手段と、 前記光ディスク上に照射した光ビームをトラック方向と
    垂直な方向に移動させる移送手段と、 前記光ディスク上に照射した光ビームが記録トラック上
    を走査するように前記移送手段を制御するトラッキング
    制御手段と、 前記光ディスク上に照射した光ビームが走査している現
    在の記録トラックが前記複数のゾーンのどのゾーンであ
    るかを検出する手段と、 前記光ディスク上に一つの記録マークを形成するための
    複数のパルスからなる記録パルス列の入力信号のパルス
    波形を波形補正するための複数の波形補正手段と、 前記記録パルス列を前記検出されたゾーンに応じて前記
    波形補正手段を切り換える手段と、 前記波形補正手段から出力されたパルス列によりレーザ
    ー光変調させて信号を記録する手段とを有することを特
    徴とする光学的情報記録装置。
  9. 【請求項9】光ディスクの回転数が一定であることを特
    徴とする請求項8記載の光学的情報記録装置。
  10. 【請求項10】記録マーク長および記録マーク間隔を変
    化させて記録マークのエッジ位置によりデジタル情報を
    記録する場合に、同じ長さの記録マークを形成するため
    の記録波形の記録レベル長さをディスクの外周ゾーンほ
    ど長くすることを特徴とする請求項1記載の光学的情報
    の記録方法。
  11. 【請求項11】レーザー光線等の照射によって光学的に
    検出可能な状態間で変化する記録層を設け、かつディス
    クの半径方向に薄膜構成が異なる同心円状の複数に分か
    れたゾーンを有する光ディスクへの光学的情報の記録方
    法であって、前記光ディスク上に記録マークを形成して
    情報を記録する場合、記録される入力波形をあらかじめ
    決められた波形に補正した後レーザー出力を変調して記
    録し、かつレーザースポットとディスクとの相対速度に
    よって記録補正方法を変えることを特徴とする光学的情
    報の記録方法。
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