JP2800431B2 - 光学情報記録媒体 - Google Patents

光学情報記録媒体

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JP2800431B2
JP2800431B2 JP3020366A JP2036691A JP2800431B2 JP 2800431 B2 JP2800431 B2 JP 2800431B2 JP 3020366 A JP3020366 A JP 3020366A JP 2036691 A JP2036691 A JP 2036691A JP 2800431 B2 JP2800431 B2 JP 2800431B2
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修一 大久保
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱履歴の違いにより誘
起される相変化に伴う光学定数の変化を利用して情報の
記録および消去を行う光学情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】レ―ザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体として、例えば“光デ
ィスク”(オ−ム社)に記されているような光磁気ディ
スクや相変化型光ディスクなどが知られている。このう
ち、相変化型光ディスクはレ―ザ光の照射による昇温・
冷却の熱履歴の違いによって誘起される非晶質・結晶間
などの相変化を利用して記録・消去が行われる。相変化
型光ディスクでは、図3に示すように、基板1上に下地
層2、記録層3、保護層4、金属反射層6がこの順に設
けられた4層構成が通常用いられる。このうち、反射層
6は入射光を効率よく使うという光学的観点、および冷
却速度を向上させて記録層を非晶質化しやすくする、あ
るいは記録層の温度分布をなだらかにして記録・消去の
パワ−マ−ジンを広げるという熱的観点の2つの観点か
ら付加されたものである。各層の膜厚は光学的に最適化
されるが、記録した部分と消去した部分との反射率の差
が15(%)以上あり、かつ、吸収率の差が5(%)以
下になるのが望ましい。
【0003】反射層には通常Al、Auなどの金属が用
いられる。しかし反射層に反射率の高い金属を用いた場
合には、記録した部分と消去した部分の反射率の差がほ
ぼそのまま吸収率の差となるため、吸収率の差を5
(%)以下にすることが困難となっていた。極端な場合
として、反射率100(%)の反射層を考えると、記録
した部分と消去した部分の反射率の差がそのまま吸収率
の差となってしまう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のように金属反射
層を用いた場合には、記録した部分と消去した部分の吸
収率の差が大きいために、すでに情報が記録されている
部分に新しい情報を重ね書きする場合、温度上昇が照射
光の強度だけでは決まらず、前の記録状態に依存してし
まうため、新しい情報が書き込みにくい、あるいは前の
信号が消えにくいなどの問題が生じていた。本発明はこ
のような従来の事情に対処してなされたもので、以前の
記録状態に関わらず情報の重ね書きが容易にできる光学
情報記録媒体を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、
ーザ光の照射による昇温・冷却の熱履歴の違いにより
晶・非晶質間の可逆的な相変化を起こす記録層、保護
層、反射層を順に積層した光学情報記録媒体であって
反射層がダイヤモンド状薄膜よりなり、記録層が非晶質
状態にあるときの反射率と結晶状態にある時の反射率の
差が15%以上であり、かつ記録層が非晶質状態にある
ときの吸収率と結晶状態にある時の吸収率の差が5%以
下であることを特徴とする光学情報記録媒体である。
【0006】
【作用】ダイヤモンド状薄膜は熱伝導率が大きく、かつ
屈折率が2.0〜2.7、消衰係数が0.1以下で適当
な反射率を有しているので、反射層として利用すること
が可能であり、記録した部分と消去した部分との反射率
の差を大きくしたまま、吸収率の差を小さくすることが
できる。従って、以前の記録状態に関わらず、情報の重
ね書きを容易にかつ確実に行うことが可能となる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明に係る光学情報記録媒体の断
面図であり、基板1上に下地層2、記録層3、保護層
4、ダイヤモンド状薄膜からなる反射層5が順次積層さ
れた構成である。
【0008】実施例1 基板1としてポリカーボネート(PC)を用い、下地層
2としてSiを100(nm)、記録層3として
Ge 18 Sb 30 Te 52 を40(nm)、保護層4と
してSiO60(nm)、反射層5としてダイヤモン
ド状薄膜を80(nm)、順次スパッタリングにより積
層したディスクを作製した。この構成において、記録層
3が記録状態・消去状態にあるときの反射率および吸収
率を表1に示す。
【0009】
【表1】
【0010】表1の通り、吸収率の差を5(%)以下に
したまま、反射率の差を15(%)以上にすることがで
きた。上記ディスクを線速11.3(m/s)で回転さ
せ、周波数3.7(MHz)、デュ−ティ50(%)の
信号を記録した上に、周波数2.8(MHz)、デュ−
ティ50(%)の信号を重ね書きして3.7(MHz)
の信号の消去率を測定した。なお、あらかじめ記録層3
を結晶化させてから評価を行った。この結果を図2に示
す。消去パワ6〜10(mW)の広い範囲で消去率が2
5(dB)以上という優れた消去特性を有している。ま
た、3.7(MHz)の最適記録パワと2.8(MH
z)の最適記録パワは同じであった。
【0011】比較例1 比較例として、基板としてポリカーボネート(PC)を
用い、下地層としてSiを100(nm)、記録
層3としてGe 18 Sb 30 Te 52 を100(nm)
保護層としてSiOを60(nm)、反射層としてA
uを30(nm)、順次スパッタリングにより積層した
ディスクを作製した。この構成において、記録層3が記
録状態・消去状態にあるときの反射率および吸収率を表
2に示す。
【0012】
【表2】
【0013】表2の通り、反射率の差は15(%)以上
あるが、吸収率の差は15(%)と大きい。このディス
クについて実施例1と同じ測定を行った結果を図4に示
す。消去率が25(dB)以上となるのは、消去パワが
8〜10(mW)の時であり、実施例1に比べて消去パ
ワのマ−ジンが狭い。また、3.7(MHz)の最適記
録パワと2.8(MHz)の最適記録パワが変わってし
まうという問題がみられた。この原因は下記の通りであ
る。
【0014】3.7(MHz)の信号は、記録層が結晶
化されていて未記録のところに記録されるのに対し、
2.8(MHz)の信号は3.7(MHz)の信号がす
でに記録してあるところに記録される。このディスクに
おいては、表2に示したように、記録層が消去状態にあ
るときと記録状態にあるときで吸収率が大きく異なるた
めに、未記録の部分とすでに信号が記録されている部分
では記録層の平均的な吸収率に差を生じ、その結果、最
適記録パワが変わってしまうのである。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、相変化型光ディス
クにおいて反射層としてダイヤモンド状薄膜を用いるこ
とにより、記録した部分と消去した部分との反射率の差
を大きくしたまま、吸収率の差を小さくすることが可能
となり、その結果、以前の記録状態に関わらず、情報の
重ね書きを容易にかつ確実に行うことが可能となる。ま
た、ダイヤモンド状薄膜は熱伝導率が非常に大きいので
記録層の非晶質化が容易となり、高品質の信号を記録す
ることができる。さらに、ダイヤモンド状薄膜は耐熱衝
撃性にも優れているので、熱的あるいは機械的な損傷を
受けずに情報の重ね書きを多数回繰り返すことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光学情報記録媒体の断面図であ
る。
【図2】ダイヤモンド状薄膜からなる反射層を用いた場
合の相変化型光ディスクの消去特性図である。
【図3】従来の光学情報記録媒体の断面図である。
【図4】Auを反射層として用いた場合の相変化型光デ
ィスクの消去特性図である。
【符号の説明】
1 基板 2 下地層 3 記録層 4 保護層 5 ダイヤモンド状薄膜 6 金属反射層

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、レーザ光の照射による昇温・
    冷却の熱履歴の違いにより結晶・非晶質間の可逆的な相
    変化を起こす記録層、保護層、反射層を順に積層した光
    学情報記録媒体であって、反射層がダイヤモンド状薄膜
    よりなり、記録層が非晶質状態にあるときの反射率と結
    晶状態にある時の反射率の差が15%以上であり、かつ
    記録層が非晶質状態にあるときの吸収率と結晶状態にあ
    る時の吸収率の差が5%以下であることを特徴とする光
    学情報記録媒体。
JP3020366A 1991-01-22 1991-01-22 光学情報記録媒体 Expired - Lifetime JP2800431B2 (ja)

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JPH04252442A JPH04252442A (ja) 1992-09-08
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JPS62202629U (ja) * 1986-06-11 1987-12-24
JPH0734271B2 (ja) * 1986-07-11 1995-04-12 松下電器産業株式会社 光記録媒体
JPS63268144A (ja) * 1987-04-24 1988-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報担体デイスク

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