JP2947938B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2947938B2 JP2947938B2 JP8518572A JP51857296A JP2947938B2 JP 2947938 B2 JP2947938 B2 JP 2947938B2 JP 8518572 A JP8518572 A JP 8518572A JP 51857296 A JP51857296 A JP 51857296A JP 2947938 B2 JP2947938 B2 JP 2947938B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07J—STEROIDS
- C07J1/00—Normal steroids containing carbon, hydrogen, halogen or oxygen, not substituted in position 17 beta by a carbon atom, e.g. estrane, androstane
- C07J1/0051—Estrane derivatives
- C07J1/0081—Substituted in position 17 alfa and 17 beta
- C07J1/0085—Substituted in position 17 alfa and 17 beta the substituent in position 17 alfa being a saturated hydrocarbon group
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07J—STEROIDS
- C07J21/00—Normal steroids containing carbon, hydrogen, halogen or oxygen having an oxygen-containing hetero ring spiro-condensed with the cyclopenta(a)hydrophenanthrene skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07J—STEROIDS
- C07J71/00—Steroids in which the cyclopenta(a)hydrophenanthrene skeleton is condensed with a heterocyclic ring
- C07J71/0036—Nitrogen-containing hetero ring
- C07J71/0057—Nitrogen and oxygen
- C07J71/0063—Nitrogen and oxygen at position 2(3)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の属する技術分野］ 本発明は、光の照射によって情報の記録、消去および
再生が可能であり、信号の記録、消去を相変化によって
行う光記録媒体に関するものである。
再生が可能であり、信号の記録、消去を相変化によって
行う光記録媒体に関するものである。
さらに詳しくは、本発明は、光の照射により情報の記
録、消去および再生が可能な相変化型光記録媒体であ
り、該媒体は透明基板上に、第１保護層、記録層、第２
保護層、反射層を順次積層した構造であり、該第１保護
層の厚さが特定の範囲にあり、かつ該第２保護層が特定
の範囲の吸収係数ｋを有する相変化型光記録媒体に関す
る。
録、消去および再生が可能な相変化型光記録媒体であ
り、該媒体は透明基板上に、第１保護層、記録層、第２
保護層、反射層を順次積層した構造であり、該第１保護
層の厚さが特定の範囲にあり、かつ該第２保護層が特定
の範囲の吸収係数ｋを有する相変化型光記録媒体に関す
る。
［従来の技術］ 近年、光記録媒体は、高度情報化社会における記録媒
体の中心的役割りを担うものとして注目され、積極的に
研究が進められている。光記録媒体のうち、特に光ディ
スクは、今後のマルチメディアの普及にともない最も有
力な記録媒体として注目されている。
体の中心的役割りを担うものとして注目され、積極的に
研究が進められている。光記録媒体のうち、特に光ディ
スクは、今後のマルチメディアの普及にともない最も有
力な記録媒体として注目されている。
このような光ディスクには、コンパクトディスクやレ
ーザーディスクに代表される再生専用型、ユーザーによ
る情報の書き込みが可能な追記型、情報の書換が可能な
書換可能型の三種類がある。このうち、書換可能型に
は、光磁気方式と相変化方式とがあり、相変化方式には
結晶状態−非晶質状態間の相変化が生じる材料を記録層
として用いる。
ーザーディスクに代表される再生専用型、ユーザーによ
る情報の書き込みが可能な追記型、情報の書換が可能な
書換可能型の三種類がある。このうち、書換可能型に
は、光磁気方式と相変化方式とがあり、相変化方式には
結晶状態−非晶質状態間の相変化が生じる材料を記録層
として用いる。
相変化方式においては、この記録層に、図２に示すよ
うな記録信号に応じた強度変調をかけたレーザー光を照
射することで簡単にオーバーライトが可能である。
うな記録信号に応じた強度変調をかけたレーザー光を照
射することで簡単にオーバーライトが可能である。
すなわち強いパワーのレーザー光を短時間照射した位
置は、記録層の材料が融点以上に急熱され融解された後
に、急冷されることにより非晶質状態（記録ピット）が
形成され、一方、それより弱いパワーのレーザー光が照
射された位置は、該材料が融点よりも低い結晶化可能温
度範囲まで昇温され、結晶状態が形成される。
置は、記録層の材料が融点以上に急熱され融解された後
に、急冷されることにより非晶質状態（記録ピット）が
形成され、一方、それより弱いパワーのレーザー光が照
射された位置は、該材料が融点よりも低い結晶化可能温
度範囲まで昇温され、結晶状態が形成される。
従来より相変化型光ディスクでは、信号振幅を大きく
したり、繰り返し使用の特性を改善したりするため、図
１に示すような、透明基板上に４層を有する積層構造が
多用されている。即ち、ポリカーボネート樹脂などの透
明基板１上に、透明な第１保護層２、記録層３、第２保
護層４、反射層５を順次設けた４層構造であり、第２保
護層は、通常第１保護層と同様の透明な材料が用いられ
る。
したり、繰り返し使用の特性を改善したりするため、図
１に示すような、透明基板上に４層を有する積層構造が
多用されている。即ち、ポリカーボネート樹脂などの透
明基板１上に、透明な第１保護層２、記録層３、第２保
護層４、反射層５を順次設けた４層構造であり、第２保
護層は、通常第１保護層と同様の透明な材料が用いられ
る。
保護層としては、記録層の保護特性に優れ、かつ記
録、消去の繰り返しに十分に耐える機械特性を有してい
ることから、カルコゲン化合物と酸化物の混合物、また
は窒化物などの混合物、たとえばZnS−SiO2が一般的で
あり、広く用いられている。
録、消去の繰り返しに十分に耐える機械特性を有してい
ることから、カルコゲン化合物と酸化物の混合物、また
は窒化物などの混合物、たとえばZnS−SiO2が一般的で
あり、広く用いられている。
これまでに、相変化型光記録媒体の記録感度を向上さ
せる目的から、記録層の上側の第２保護層として、光吸
収性のある保護層、例えば誘電体中に金属を分散させた
ものなどの層を設けた構造が提案されている。これは、
記録層を透過した光を光吸収性のある保護層が吸収する
ことにより発生する吸収熱により、記録層の結晶化ある
いは非晶質化を促進させるという技術である。
せる目的から、記録層の上側の第２保護層として、光吸
収性のある保護層、例えば誘電体中に金属を分散させた
ものなどの層を設けた構造が提案されている。これは、
記録層を透過した光を光吸収性のある保護層が吸収する
ことにより発生する吸収熱により、記録層の結晶化ある
いは非晶質化を促進させるという技術である。
しかし、この提案は、記録感度の向上には効果がある
ものの、記録層における結晶状態での光吸収量を非晶質
状態の光吸収量より大きくさせることにより、記録ピッ
トの形状や大きさのばらつきを低減するまでには至ら
ず、高密度化に際してジッターの十分に小さいものなど
が得られないという問題があった。
ものの、記録層における結晶状態での光吸収量を非晶質
状態の光吸収量より大きくさせることにより、記録ピッ
トの形状や大きさのばらつきを低減するまでには至ら
ず、高密度化に際してジッターの十分に小さいものなど
が得られないという問題があった。
たとえば、第２保護層の材料としてカーボンを用い、
カーボン層を記録層に積層する構造についても、記録感
度の向上を目的とした提案（日本特開平３−100936号公
報）、および繰り返し使用に対する耐久性の向上を目的
とした提案〔米国特許5,294,523号（対応日本特開平２
−139283号）公報〕がなされている。
カーボン層を記録層に積層する構造についても、記録感
度の向上を目的とした提案（日本特開平３−100936号公
報）、および繰り返し使用に対する耐久性の向上を目的
とした提案〔米国特許5,294,523号（対応日本特開平２
−139283号）公報〕がなされている。
日本特開平３−100936号公報は、記録層にカーボン層
を50nm以上500nm以下の厚さの範囲で積層する構造に関
するが、カーボン層上に反射層を設ける構造の場合、そ
の厚さの範囲では、光学的コントラストが低くなり、信
号対雑音の強度比（C/N比）が十分とれない。また、カ
ーボン層の厚さが厚く、徐冷構造となるため、記録層面
内の温度分布が急峻になり、ピット端の消し残りが生じ
易く、消去比の低下をきたす。
を50nm以上500nm以下の厚さの範囲で積層する構造に関
するが、カーボン層上に反射層を設ける構造の場合、そ
の厚さの範囲では、光学的コントラストが低くなり、信
号対雑音の強度比（C/N比）が十分とれない。また、カ
ーボン層の厚さが厚く、徐冷構造となるため、記録層面
内の温度分布が急峻になり、ピット端の消し残りが生じ
易く、消去比の低下をきたす。
さらに、徐冷構造のため、繰り返しの記録、消去によ
る記録層の物質移動、たとえば層の厚さの変化が大きく
なるという問題があった。
る記録層の物質移動、たとえば層の厚さの変化が大きく
なるという問題があった。
米国特許5,294,523号公報は、記録層に接して10nm以
下の厚さのカーボン層を設けた構造を記しており、カー
ボンの融点が高温であることから、記録層内に添加され
たカーボン、あるいは記録層との界面に存在するカーボ
ンが、レーザー照射時に溶融されずに、繰り返しの記
録、消去における記録層の構成元素の物質移動を妨げる
働きをするというものである。しかし記録層に接してカ
ーボン層を設けただけでは、記録層における結晶状態で
の光吸収量を非晶質状態の光吸収量より大きくさせ、記
録ピットの形状や大きさのばらつきを低減するまでには
至らず、高密度化に際してジッターの小さいものなどが
得られないという問題があった。
下の厚さのカーボン層を設けた構造を記しており、カー
ボンの融点が高温であることから、記録層内に添加され
たカーボン、あるいは記録層との界面に存在するカーボ
ンが、レーザー照射時に溶融されずに、繰り返しの記
録、消去における記録層の構成元素の物質移動を妨げる
働きをするというものである。しかし記録層に接してカ
ーボン層を設けただけでは、記録層における結晶状態で
の光吸収量を非晶質状態の光吸収量より大きくさせ、記
録ピットの形状や大きさのばらつきを低減するまでには
至らず、高密度化に際してジッターの小さいものなどが
得られないという問題があった。
一般に、相変化型光記録媒体において、結晶状態の記
録層は非晶質状態に比較して熱伝導率が大きく、しかも
溶融するためには潜熱分の熱量が必要であり、結晶状態
の方が非晶質状態よりも記録ピットを形成するのに大き
な熱量を必要とする。
録層は非晶質状態に比較して熱伝導率が大きく、しかも
溶融するためには潜熱分の熱量が必要であり、結晶状態
の方が非晶質状態よりも記録ピットを形成するのに大き
な熱量を必要とする。
従って、オーバーライトを行った際、記録前の記録層
が、結晶状態であるか非晶質状態であるかに関わらず、
同じ大きさの記録ピットを形成するためには、結晶状態
の光吸収量は非晶質状態の光吸収量よりも大きいことが
望ましい。
が、結晶状態であるか非晶質状態であるかに関わらず、
同じ大きさの記録ピットを形成するためには、結晶状態
の光吸収量は非晶質状態の光吸収量よりも大きいことが
望ましい。
しかし、従来の４層構造の相変化型光記録媒体におい
ては、非晶質状態の光吸収量の方が結晶状態の光吸収量
よりも大きくなっており、その結果、図３に示すよう
に、記録前が非晶質状態の領域にオーバーライトされた
記録ピットは、記録前が結晶状態の領域にオーバーライ
トされた記録ピットとは、形状または大きさが異なって
しまう。すなわち、非晶質状態の領域にオーバーライト
された記録ピットは、結晶状態の領域にオーバーライト
された場合より溶融される領域が大きくなり、その結
果、所望の形状と異なった形状のピットが形成されてし
まうという問題があった。
ては、非晶質状態の光吸収量の方が結晶状態の光吸収量
よりも大きくなっており、その結果、図３に示すよう
に、記録前が非晶質状態の領域にオーバーライトされた
記録ピットは、記録前が結晶状態の領域にオーバーライ
トされた記録ピットとは、形状または大きさが異なって
しまう。すなわち、非晶質状態の領域にオーバーライト
された記録ピットは、結晶状態の領域にオーバーライト
された場合より溶融される領域が大きくなり、その結
果、所望の形状と異なった形状のピットが形成されてし
まうという問題があった。
特に、高密度化技術の主流となるピットエッジ記録に
おいては、データをピットの両端に乗せるため、記録ピ
ットの形状や大きさのばらつきが直接エラーとなってし
まい、相変化型光記録媒体の記録密度向上を阻害する大
きな要因となっていた。
おいては、データをピットの両端に乗せるため、記録ピ
ットの形状や大きさのばらつきが直接エラーとなってし
まい、相変化型光記録媒体の記録密度向上を阻害する大
きな要因となっていた。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の課題は、記録前の記録層の状態が非晶質状態
か結晶状態かによらず、記録ピットの形状や大きさやば
らつきを低減し、ジッターが十分に小さく、延いてはエ
ラーレートの優れた相変化型光記録媒体を提供すること
にある。
か結晶状態かによらず、記録ピットの形状や大きさやば
らつきを低減し、ジッターが十分に小さく、延いてはエ
ラーレートの優れた相変化型光記録媒体を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、このような課題を達成すべく鋭意検討
した結果、第１の保護層の厚さを特定の範囲で選び、か
つ第２保護層の吸収係数ｋを特定の範囲で選ぶことによ
り、その課題を達成することを見い出し、本発明を完成
するに至った。
した結果、第１の保護層の厚さを特定の範囲で選び、か
つ第２保護層の吸収係数ｋを特定の範囲で選ぶことによ
り、その課題を達成することを見い出し、本発明を完成
するに至った。
すなわち本発明は、光の照射により情報の記録、消去
および再生が可能な相変化型光記録媒体において、透明
基板上に、第１保護層、記録層、第２保護層、および反
射層が順次積層され、前記第１保護層の厚さは、この層
に透明基板側から光を照射した際の反射率が極小を示す
厚さ±30nmの範囲にあり、前記第２保護層は、下記の
（１）式を満足する吸収係数ｋを有し、且つ厚さが10nm
以上30nm以下の範囲にあることを特徴とする光記録媒体
を提供する。
および再生が可能な相変化型光記録媒体において、透明
基板上に、第１保護層、記録層、第２保護層、および反
射層が順次積層され、前記第１保護層の厚さは、この層
に透明基板側から光を照射した際の反射率が極小を示す
厚さ±30nmの範囲にあり、前記第２保護層は、下記の
（１）式を満足する吸収係数ｋを有し、且つ厚さが10nm
以上30nm以下の範囲にあることを特徴とする光記録媒体
を提供する。
0.05≦ｋ≦2.5 ‥‥（１） この光記録媒体において、第２保護層は下記の（２）
式を満足する吸収係数ｋを有することが好ましい。
式を満足する吸収係数ｋを有することが好ましい。
0.1≦ｋ≦2.0 ‥‥（２） この光記録媒体において、第２保護層は、カーボンに
Al、Ag、Ｗ、Ti、Mo、Ni、Pt、Cr、Pd、Ｖ、Tc、Nb、T
a、Re、Irからなる群から選ばれた少なくとも１種の金
属または半金属を添加して得たものからなることが好ま
しい。
Al、Ag、Ｗ、Ti、Mo、Ni、Pt、Cr、Pd、Ｖ、Tc、Nb、T
a、Re、Irからなる群から選ばれた少なくとも１種の金
属または半金属を添加して得たものからなることが好ま
しい。
この光記録媒体において、第２保護層は窒化アルミニ
ウムからなることが好ましい。
ウムからなることが好ましい。
この光記録媒体において、第２保護層は、硫化物、酸
化物、窒化物、フッ化物、炭化物、またはそれらの混合
物中に、金属または半金属を添加して得たものからなる
ことが好ましい。
化物、窒化物、フッ化物、炭化物、またはそれらの混合
物中に、金属または半金属を添加して得たものからなる
ことが好ましい。
上記金属または半金属は、Al、Ag、Ｗ、Ti、Mo、Ni、
Pt、Cr、Pd、Ｖ、Ｃ、Ｂ、PbS、PbSe、PbTe、Mg2Snから
なる群から選ばれた少なくとも１種であることが好まし
い。
Pt、Cr、Pd、Ｖ、Ｃ、Ｂ、PbS、PbSe、PbTe、Mg2Snから
なる群から選ばれた少なくとも１種であることが好まし
い。
［発明の実施の形態］ 本発明の相変化型光記録媒体に用いられる透明基板の
材料としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリオレフィン樹脂などの透明材料が挙げら
れるが、これらの中でポリカーボネート樹脂およびアク
リル樹脂が光学的、機械的特性の面で好適である。
材料としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリオレフィン樹脂などの透明材料が挙げら
れるが、これらの中でポリカーボネート樹脂およびアク
リル樹脂が光学的、機械的特性の面で好適である。
本発明の光記録媒体における記録層の材料としては、
公知の相変化型光記録媒体の材料が使用可能であり、例
えばSb−Te−Ge合金、In−Sb合金、In−Sb−Te合金、ま
たはIn−Se合金を主成分とするものなどが挙げられる。
公知の相変化型光記録媒体の材料が使用可能であり、例
えばSb−Te−Ge合金、In−Sb合金、In−Sb−Te合金、ま
たはIn−Se合金を主成分とするものなどが挙げられる。
本発明の光記録媒体における記録層の厚さは、10nm以
上50nm以下が好ましい。記録層の厚さが10nmより薄い
と、結晶状態と非晶質状態との反射率の差が小さくな
り、信号の品質が低下する。記録層の厚さが50nmより厚
いと、非晶質状態の記録層での光の吸収量が大きくな
り、結晶状態の記録層での光の吸収量を、非晶質状態の
記録層での光の吸収量以上にすることができない。記録
層の厚さは、さらに20nm以上35nm以下の範囲がより好ま
しい。
上50nm以下が好ましい。記録層の厚さが10nmより薄い
と、結晶状態と非晶質状態との反射率の差が小さくな
り、信号の品質が低下する。記録層の厚さが50nmより厚
いと、非晶質状態の記録層での光の吸収量が大きくな
り、結晶状態の記録層での光の吸収量を、非晶質状態の
記録層での光の吸収量以上にすることができない。記録
層の厚さは、さらに20nm以上35nm以下の範囲がより好ま
しい。
本発明の光記録媒体における記録層の形成方法につい
ては、特に制限はなく、公知の蒸着法やスパッタリング
法などを用いることが出来る。
ては、特に制限はなく、公知の蒸着法やスパッタリング
法などを用いることが出来る。
本発明の光記録媒体の保護層は、第１保護層と第２保
護層を含むが、記録層を挟み、透明基板側の層を第１保
護層、他の側、即ち反射層側の層を第２保護層と言う。
護層を含むが、記録層を挟み、透明基板側の層を第１保
護層、他の側、即ち反射層側の層を第２保護層と言う。
本発明の光記録媒体では、非晶質状態の記録層を通過
する光量が多い程、光吸収性のある第２保護層に光が吸
収され易くなるため望ましい。従って、透明基板側から
該記録層に光を照射した際の反射率が極小を示すように
第１保護層の厚さを設定するのが望ましく、このとき結
晶状態の記録層における光の吸収量が非晶質状態の記録
層の吸収量より大きいことが実現可能となる。
する光量が多い程、光吸収性のある第２保護層に光が吸
収され易くなるため望ましい。従って、透明基板側から
該記録層に光を照射した際の反射率が極小を示すように
第１保護層の厚さを設定するのが望ましく、このとき結
晶状態の記録層における光の吸収量が非晶質状態の記録
層の吸収量より大きいことが実現可能となる。
透明基板側から記録層へ光を照射した際の反射率は、
一般に入射光の波長に応じた、透明基板の屈折率と吸収
係数、基板上に積層される各層の厚さ、屈折率、吸収係
数により一義的に決まる。
一般に入射光の波長に応じた、透明基板の屈折率と吸収
係数、基板上に積層される各層の厚さ、屈折率、吸収係
数により一義的に決まる。
図５に、透明基板上に第１保護層、記録層、第２保護
層、反射層を順次積層した構造において、反射率と第１
保護層の厚さとの関係のシミュレーションによる一例を
示す。ここで、シミュレーションに用いた各層の厚さ、
および光学定数（屈折率、吸収係数）の値は下記表１に
示した値を使用している。
層、反射層を順次積層した構造において、反射率と第１
保護層の厚さとの関係のシミュレーションによる一例を
示す。ここで、シミュレーションに用いた各層の厚さ、
および光学定数（屈折率、吸収係数）の値は下記表１に
示した値を使用している。
本発明の光記録媒体は、図５において反射率が極小と
なる第１保護層の厚さ、たとえばＡ、Ｂの近傍で効果を
発揮する。このとき、結晶状態の記録層における光の吸
収量を、非晶質状態の記録層の光の吸収量より大きくす
ることが可能となり、この状態が実現できる第１保護層
の厚さの範囲は、およそ、たとえば上記Ａ、Ｂの厚さ±
30nm程度である。
なる第１保護層の厚さ、たとえばＡ、Ｂの近傍で効果を
発揮する。このとき、結晶状態の記録層における光の吸
収量を、非晶質状態の記録層の光の吸収量より大きくす
ることが可能となり、この状態が実現できる第１保護層
の厚さの範囲は、およそ、たとえば上記Ａ、Ｂの厚さ±
30nm程度である。
その厚さが±30nmの範囲を越えると、非晶質状態の記
録層における光吸収量が結晶状態の記録層における光吸
収量を上回るようになるため、非晶質状態の領域にオー
バーライトされた記録ピットが、結晶状態の領域にオー
バーライトされたものより大きくなり易くなる。
録層における光吸収量が結晶状態の記録層における光吸
収量を上回るようになるため、非晶質状態の領域にオー
バーライトされた記録ピットが、結晶状態の領域にオー
バーライトされたものより大きくなり易くなる。
その結果、オーバーライト後に形成される記録ピット
の大きさや形状が不均一となり、消去比あるいはジッタ
ーなどの点で信号品質の低下を来たし、好ましくない。
従って、第１保護層の厚さは、反射率が極小を示す厚さ
±30nmの範囲に設定する必要がある。
の大きさや形状が不均一となり、消去比あるいはジッタ
ーなどの点で信号品質の低下を来たし、好ましくない。
従って、第１保護層の厚さは、反射率が極小を示す厚さ
±30nmの範囲に設定する必要がある。
第１保護層の厚さは、好ましくは100nm以上400nm以下
で、かつ上記反射率が極小を示す厚さ±30nmが良い。そ
の厚さが100nmより薄いと、繰り返し記録、消去を行っ
たときに、透明基板への熱的ダメージが大きく、信号品
質が低下する。一方、その厚さが400nmより厚いと、層
の形成時に発生する熱の影響などにより、基板の変形が
発生する恐れがあり、好ましくない。
で、かつ上記反射率が極小を示す厚さ±30nmが良い。そ
の厚さが100nmより薄いと、繰り返し記録、消去を行っ
たときに、透明基板への熱的ダメージが大きく、信号品
質が低下する。一方、その厚さが400nmより厚いと、層
の形成時に発生する熱の影響などにより、基板の変形が
発生する恐れがあり、好ましくない。
本発明の光記録媒体において、第１保護層の材料とし
て、公知の誘電体材料が使用可能であり、例えばZnS、S
iO2、SiO、Al2O3、MgO、Si3N4、AlN、MgF2、SiC、ZnS−
SiO2などの硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物、炭化
物、またはそれらの混合物を挙げることができる。
て、公知の誘電体材料が使用可能であり、例えばZnS、S
iO2、SiO、Al2O3、MgO、Si3N4、AlN、MgF2、SiC、ZnS−
SiO2などの硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物、炭化
物、またはそれらの混合物を挙げることができる。
第２保護層の吸収係数ｋは、0.05≦ｋ≦2.5の関係を
満足する必要がある。吸収係数ｋが0.05より小さいと、
第２保護層においてレーザー光の吸収がほとんどなされ
ず、光の干渉による非晶質状態の記録層への光の吸収が
発生し、非晶質状態の吸収量を結晶状態の吸収量以下に
するということが実現できなくなる。一方、吸収係数ｋ
が2.5より大きいと、記録層と第２保護層との界面での
反射が大きくなり、非晶質状態の記録層でのレーザー光
の吸収が減少しないため、その吸収量を結晶状態の記録
層の吸収量より小さくすることが出来ない。該吸収係数
ｋは、好ましくは0.1≦ｋ≦2.0の範囲である。
満足する必要がある。吸収係数ｋが0.05より小さいと、
第２保護層においてレーザー光の吸収がほとんどなされ
ず、光の干渉による非晶質状態の記録層への光の吸収が
発生し、非晶質状態の吸収量を結晶状態の吸収量以下に
するということが実現できなくなる。一方、吸収係数ｋ
が2.5より大きいと、記録層と第２保護層との界面での
反射が大きくなり、非晶質状態の記録層でのレーザー光
の吸収が減少しないため、その吸収量を結晶状態の記録
層の吸収量より小さくすることが出来ない。該吸収係数
ｋは、好ましくは0.1≦ｋ≦2.0の範囲である。
第２保護層の厚さが2nmより薄いと、光吸収性のある
第２保護層での光の吸収量が小さく、オーバーライトに
より生じる記録ピットの大きさや形状のばらつきを低減
できない。一方、その厚さが40nmより厚いと、該光記録
媒体は徐冷構造となるため、ピット端の消し残りが生じ
易く、消去比の低下をきたしたり、繰り返しの記録、消
去による記録層の物質移動が大きくなる。また、第２保
護層の厚さの薄い領域では十分な記録、消去の感度を実
現することが困難である。本発明の光記録媒体の第２保
護層の厚さは10nm以上30nm以下の範囲とする。
第２保護層での光の吸収量が小さく、オーバーライトに
より生じる記録ピットの大きさや形状のばらつきを低減
できない。一方、その厚さが40nmより厚いと、該光記録
媒体は徐冷構造となるため、ピット端の消し残りが生じ
易く、消去比の低下をきたしたり、繰り返しの記録、消
去による記録層の物質移動が大きくなる。また、第２保
護層の厚さの薄い領域では十分な記録、消去の感度を実
現することが困難である。本発明の光記録媒体の第２保
護層の厚さは10nm以上30nm以下の範囲とする。
光吸収性のある第２保護層は、光学的な特性だけでな
く、記録層を保護する役割も有している。従って、該第
２保護層は、長期のデータの安定性のためには、耐熱性
があり、記録層との密着性および水分などの遮断性に優
れていることが必要である。また、良好な記録、消去の
繰り返しに対する耐久性を達成するためには、耐熱性お
よび機械的強度が高いことも要求される。
く、記録層を保護する役割も有している。従って、該第
２保護層は、長期のデータの安定性のためには、耐熱性
があり、記録層との密着性および水分などの遮断性に優
れていることが必要である。また、良好な記録、消去の
繰り返しに対する耐久性を達成するためには、耐熱性お
よび機械的強度が高いことも要求される。
これらを考慮すると、第２保護層として用いられる材
料は、カーボン中にAl、Ag、Ｗ、Ti、Mo、Ni、Pt、Cr、
Pd、Ｖ、Tc、Nb、Ta、Re、Irからなる群から選ばれた少
なくとも１種の金属または半金属を添加したものを第１
に挙げることができる。
料は、カーボン中にAl、Ag、Ｗ、Ti、Mo、Ni、Pt、Cr、
Pd、Ｖ、Tc、Nb、Ta、Re、Irからなる群から選ばれた少
なくとも１種の金属または半金属を添加したものを第１
に挙げることができる。
金属または半金属を添加したカーボン層の形成方法と
しては、カーボンと金属または半金属の別々のターゲッ
トを同時にスパッタリングする共スパッタや、カーボン
に金属または半金属を添加したターゲットをスパッタリ
ングする方法などが挙げられる。特に共スパッタ法は、
カーボンと金属または半金属の混合比を任意に変えら
れ、最適な吸収係数を得ることができるので有効であ
る。
しては、カーボンと金属または半金属の別々のターゲッ
トを同時にスパッタリングする共スパッタや、カーボン
に金属または半金属を添加したターゲットをスパッタリ
ングする方法などが挙げられる。特に共スパッタ法は、
カーボンと金属または半金属の混合比を任意に変えら
れ、最適な吸収係数を得ることができるので有効であ
る。
第２保護層の材料として、第２に、AlNxを挙げること
ができる。ここで、ｘはAlの元素濃度に対するＮの元素
濃度比（ｘ＝Ｎの元素濃度/Alの元素濃度）である。こ
の場合、AlNxは化学量論的に完全に安定でない状態、す
なわち、Alの元素濃度に対するＮの元素濃度比ｘが１以
下の場合には、第２保護層は、透明でなくなり、吸収係
数ｋを有するようになる。従って、ｘを所定の範囲に設
定することにより、本発明に有効な吸収係数ｋの範囲、
0.05≦ｋ≦2.5を達成することが出来、ｘは、ほぼ0.5〜
0.9の範囲に設定されることになる。
ができる。ここで、ｘはAlの元素濃度に対するＮの元素
濃度比（ｘ＝Ｎの元素濃度/Alの元素濃度）である。こ
の場合、AlNxは化学量論的に完全に安定でない状態、す
なわち、Alの元素濃度に対するＮの元素濃度比ｘが１以
下の場合には、第２保護層は、透明でなくなり、吸収係
数ｋを有するようになる。従って、ｘを所定の範囲に設
定することにより、本発明に有効な吸収係数ｋの範囲、
0.05≦ｋ≦2.5を達成することが出来、ｘは、ほぼ0.5〜
0.9の範囲に設定されることになる。
AlNx層の形成方法としては、AlターゲットをN2が含ま
れる反応ガス中で反応性スパッタし、反応ガス中のN2量
をコントロールすることにより形成する方法が挙げられ
る。
れる反応ガス中で反応性スパッタし、反応ガス中のN2量
をコントロールすることにより形成する方法が挙げられ
る。
第２保護層として用いられる材料としては、第３に、
先に第１保護層に関して例示した硫化物、酸化物、窒化
物、フッ化物、炭化物、またはそれらの混合物を母材料
とし、その中に、金属または半金属を添加したものも有
効である。金属または半金属は、吸収係数を持ち、かつ
比較的融点の高い元素が好ましく、Al、Ag、Ｗ、Ti、M
o、Ni、Pt、Cr、Pd、Ｖ、Ｃ、Ｂ、PbS、PbSe、PbTe、Mg
2Snからなる群から選ばれた少なくとも１種が好まし
い。
先に第１保護層に関して例示した硫化物、酸化物、窒化
物、フッ化物、炭化物、またはそれらの混合物を母材料
とし、その中に、金属または半金属を添加したものも有
効である。金属または半金属は、吸収係数を持ち、かつ
比較的融点の高い元素が好ましく、Al、Ag、Ｗ、Ti、M
o、Ni、Pt、Cr、Pd、Ｖ、Ｃ、Ｂ、PbS、PbSe、PbTe、Mg
2Snからなる群から選ばれた少なくとも１種が好まし
い。
母材料としては、先述の様に、例えばZnS、SiO2、Si
O、Al2O3、MgO、Si3N4、AlN、MgF2、SiC、ZnS−SiO2な
どの硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物、炭化物、また
はそれらの混合物を挙げることができる。
O、Al2O3、MgO、Si3N4、AlN、MgF2、SiC、ZnS−SiO2な
どの硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物、炭化物、また
はそれらの混合物を挙げることができる。
上記の母材料に金属または半金属を添加した層の形成
方法としては、金属または半金属をカーボン層に添加し
た方法と同様に、母材料と金属または半金属の別々のタ
ーゲットを同時にスパッタリングする共スパッタや、母
材料に金属または半金属を添加したターゲットをスパッ
タリングする方法などが挙げられる。特に共スパッタ法
は、母材料と金属または半金属の混合比を任意に変えら
れ、最適な吸収係数を得ることができるので有効であ
る。
方法としては、金属または半金属をカーボン層に添加し
た方法と同様に、母材料と金属または半金属の別々のタ
ーゲットを同時にスパッタリングする共スパッタや、母
材料に金属または半金属を添加したターゲットをスパッ
タリングする方法などが挙げられる。特に共スパッタ法
は、母材料と金属または半金属の混合比を任意に変えら
れ、最適な吸収係数を得ることができるので有効であ
る。
本発明の相変化型光記録媒体によれば、非晶質状態の
記録層を透過してきたレーザー光は、光吸収性を有する
第２保護層に吸収され、レーザー光の干渉による非晶質
状態の記録層へのレーザー光の吸収量を低減し、レーザ
ー光の吸収量を結晶状態の記録層での吸収量以下とする
ことができる。従って、図４に示されるように、記録前
の記録層の状態によらず、記録ピットの形状や大きさの
ばらつきを低減することができる。
記録層を透過してきたレーザー光は、光吸収性を有する
第２保護層に吸収され、レーザー光の干渉による非晶質
状態の記録層へのレーザー光の吸収量を低減し、レーザ
ー光の吸収量を結晶状態の記録層での吸収量以下とする
ことができる。従って、図４に示されるように、記録前
の記録層の状態によらず、記録ピットの形状や大きさの
ばらつきを低減することができる。
本発明の光記録媒体の反射層の材料としては、Al、N
i、Cr、Au、Ti、Cu、Zr、Hf、Si、Mgなどの金属および
これらの合金が熱伝導率や光学定数の観点から好まし
い。なかでも、特にAlにCr、Ti、Si、Cu、Zr、Hfなどか
らなる群から選ばれた少なくとも１種を0.5以上40at.％
以下の割合で加えた合金がさらに好ましい。
i、Cr、Au、Ti、Cu、Zr、Hf、Si、Mgなどの金属および
これらの合金が熱伝導率や光学定数の観点から好まし
い。なかでも、特にAlにCr、Ti、Si、Cu、Zr、Hfなどか
らなる群から選ばれた少なくとも１種を0.5以上40at.％
以下の割合で加えた合金がさらに好ましい。
［実施例］ 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。
C/N比および消去比の測定は、スペクトラムアナライ
ザーを用いて行った。ここで消去比は、ある周波数f
1（ここでは、6MHz）で記録された信号上に、別の周波
数f2（ここでは、16MHz）でオーバーライトを行った場
合の、オーバーライト後の周波数f1の残留信号強度を、
オーバーライト前のf1の信号強度から引いた値で定義し
た。
ザーを用いて行った。ここで消去比は、ある周波数f
1（ここでは、6MHz）で記録された信号上に、別の周波
数f2（ここでは、16MHz）でオーバーライトを行った場
合の、オーバーライト後の周波数f1の残留信号強度を、
オーバーライト前のf1の信号強度から引いた値で定義し
た。
上記の手順でオーバーライトを行った場合、オーバー
ライト後に形成される記録ピットの大きさや形状のばら
つきは、周波数f1の残留信号強度という形で表わされ
る。なぜなら、周波数f2でオーバーライトされた信号
が、周波数f1間隔で形成されていた非晶質状態の記録ピ
ットの影響を受けて混変調されてしまうためである。従
って、オーバーライト後の記録ピットの大きさやばらつ
きは、周波数f1成分の消去比を測定することにより評価
できる。
ライト後に形成される記録ピットの大きさや形状のばら
つきは、周波数f1の残留信号強度という形で表わされ
る。なぜなら、周波数f2でオーバーライトされた信号
が、周波数f1間隔で形成されていた非晶質状態の記録ピ
ットの影響を受けて混変調されてしまうためである。従
って、オーバーライト後の記録ピットの大きさやばらつ
きは、周波数f1成分の消去比を測定することにより評価
できる。
また各層の厚さは、層の形成レートと時間の積を制御
して作成した薄膜を、触針式表面段差計で測定して比較
訂正し、目的の厚さとなるように制御した。
して作成した薄膜を、触針式表面段差計で測定して比較
訂正し、目的の厚さとなるように制御した。
［実施例１］ 案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのカーボン層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜
からなる反射層を、順次スパッタリング法により形成し
て積層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆
した。このとき、第２保護層として使用したカーボンの
波長680nmにおける光学定数は、屈折率ｎは2.5、吸収係
数ｋは0.5であった。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのカーボン層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜
からなる反射層を、順次スパッタリング法により形成し
て積層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆
した。このとき、第２保護層として使用したカーボンの
波長680nmにおける光学定数は、屈折率ｎは2.5、吸収係
数ｋは0.5であった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを線速度15m/secで回転
させ、パルス幅20nsec、周波数16MHzと6MHzの、図２に
示すような記録波形のパルスで、交互にオーバーライト
し、それぞれの周波数の消去比を測定した。この時の光
学系の各値は、レーザー光の波長λは680nm、対物レン
ズの開口数（NA）は0.6、記録に必要なレーザー光の出
力ピークパワーは13mW、消去に必要なレーザーの出力バ
イアスパワーは5mWである。
させ、パルス幅20nsec、周波数16MHzと6MHzの、図２に
示すような記録波形のパルスで、交互にオーバーライト
し、それぞれの周波数の消去比を測定した。この時の光
学系の各値は、レーザー光の波長λは680nm、対物レン
ズの開口数（NA）は0.6、記録に必要なレーザー光の出
力ピークパワーは13mW、消去に必要なレーザーの出力バ
イアスパワーは5mWである。
その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHzの
信号をオーバーライトしたとき、16MHzの信号対雑音の
強度比（以下「C/N比」と言う）は50dB以上が得られ、6
MHzの信号の消去比は28dBであり、後述する比較例１の
光ディスクに比較して8dBの消去比の改善がはかられ
た。この時の波形を観察すると図６に示すような波形で
あり、振幅変調は全く見られなかった。
信号をオーバーライトしたとき、16MHzの信号対雑音の
強度比（以下「C/N比」と言う）は50dB以上が得られ、6
MHzの信号の消去比は28dBであり、後述する比較例１の
光ディスクに比較して8dBの消去比の改善がはかられ
た。この時の波形を観察すると図６に示すような波形で
あり、振幅変調は全く見られなかった。
また、10万回のオーバーライトの繰り返し記録を行っ
たところ、波形のゆらぎ、即ちジッターは小さく、波形
は初期波形とほとんど変わらず、データの誤り率バイト
エラーレート（BER）も悪化はみられなかった。
たところ、波形のゆらぎ、即ちジッターは小さく、波形
は初期波形とほとんど変わらず、データの誤り率バイト
エラーレート（BER）も悪化はみられなかった。
［実施例２］ 案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのカーボンにＷを30vol.％添加した層、さらに、
厚さ150nmのAl合金薄膜からなる反射層を、順次スパッ
タリング法により形成して積層し、次いで反射層の表面
を紫外線硬化樹脂で被覆した。ここで、カーボンにＷを
添加した層は、カーボンとＷの別々のターゲットを共ス
パッタし、Ｗが30vol.％になるように各々のスパッタリ
ングパワーを調整して形成した。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのカーボンにＷを30vol.％添加した層、さらに、
厚さ150nmのAl合金薄膜からなる反射層を、順次スパッ
タリング法により形成して積層し、次いで反射層の表面
を紫外線硬化樹脂で被覆した。ここで、カーボンにＷを
添加した層は、カーボンとＷの別々のターゲットを共ス
パッタし、Ｗが30vol.％になるように各々のスパッタリ
ングパワーを調整して形成した。
このとき、第２保護層として使用したカーボンにＷを
添加した層の波長680nmにおける光学定数は、屈折率ｎ
は2.8、吸収係数ｋは1.0であった。
添加した層の波長680nmにおける光学定数は、屈折率ｎ
は2.8、吸収係数ｋは1.0であった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを実施例１に示した方法
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上が得られ、6MHzの信号の消去比は32dBであり、後述
する比較例１の光ディスクに比較して12dBの消去比の改
善がはかられた。
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上が得られ、6MHzの信号の消去比は32dBであり、後述
する比較例１の光ディスクに比較して12dBの消去比の改
善がはかられた。
この時の波形を観察すると図６に示すような波形であ
り、振幅変調は全く見られなかった。
り、振幅変調は全く見られなかった。
［実施例３］ 案内溝を設けた洗浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのカーボンにMoを30vol.％添加した層、さらに、
厚さ150nmのAl合金薄膜からなる反射層を、順次スパッ
タリング法により形成して積層し、次いで反射層の表面
を紫外線硬化樹脂で被覆した。ここで、カーボンにMoを
添加した層は、カーボンとMoの別々のターゲットを共ス
パッタし、Moが30vol.％になるように各々のスパッタリ
ングパワーを調整して形成した。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのカーボンにMoを30vol.％添加した層、さらに、
厚さ150nmのAl合金薄膜からなる反射層を、順次スパッ
タリング法により形成して積層し、次いで反射層の表面
を紫外線硬化樹脂で被覆した。ここで、カーボンにMoを
添加した層は、カーボンとMoの別々のターゲットを共ス
パッタし、Moが30vol.％になるように各々のスパッタリ
ングパワーを調整して形成した。
このとき、第２保護層として使用したカーボンMoを添
加した層の波長680nmにおける光学定数は、屈折率ｎは
2.7、吸収係数ｋは0.8だった。
加した層の波長680nmにおける光学定数は、屈折率ｎは
2.7、吸収係数ｋは0.8だった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを実施例１に示した方法
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上が得られ、6MHzの信号の消去比は31dBであり、後述
する比較例１の光ディスクに比較して11dBの消去比の改
善がはかられた。
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上が得られ、6MHzの信号の消去比は31dBであり、後述
する比較例１の光ディスクに比較して11dBの消去比の改
善がはかられた。
この時の波形を観察すると図６に示すような波形であ
り、振幅変調は全く見られなかった。
り、振幅変調は全く見られなかった。
［実施例４］ 案内溝を設けた洗浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのAlNx層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜から
なる反射層を、順次スパッタリング法により形成して積
層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆し
た。ここで、AlNx層は、Alターゲットを用い、スパッタ
リング中に窒素ガスを流す反応性スパッタ法で形成し
た。窒素ガスの流量は、AlNx層の波長680nmに於ける吸
収係数ｋが1.0になるように調整した。このとき、屈折
率ｎは2.7であり、ｘは0.8であった。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのAlNx層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜から
なる反射層を、順次スパッタリング法により形成して積
層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆し
た。ここで、AlNx層は、Alターゲットを用い、スパッタ
リング中に窒素ガスを流す反応性スパッタ法で形成し
た。窒素ガスの流量は、AlNx層の波長680nmに於ける吸
収係数ｋが1.0になるように調整した。このとき、屈折
率ｎは2.7であり、ｘは0.8であった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを実施例１に示した方法
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上が得られ、6MHzの信号の消去比は32dBであり、後述
する比較例１の光ディスクに比較して12dBの消去比の改
善がはかられた。
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上が得られ、6MHzの信号の消去比は32dBであり、後述
する比較例１の光ディスクに比較して12dBの消去比の改
善がはかられた。
この時の波形を観察すると図６に示すような波形であ
り、振幅変調は全く見られなかった。
り、振幅変調は全く見られなかった。
［比較例１］ 案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのZnS−SiO2層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜
からなる反射層を、順次スパッタリング法により形成し
て積層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆
した。このとき、第２保護層として使用したZnS−SiO2
層の波長680nmに於ける光学定数は、屈折率ｎは2.1、吸
収係数ｋは０であった。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのZnS−SiO2層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜
からなる反射層を、順次スパッタリング法により形成し
て積層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆
した。このとき、第２保護層として使用したZnS−SiO2
層の波長680nmに於ける光学定数は、屈折率ｎは2.1、吸
収係数ｋは０であった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを実施例１に示した方法
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上であったが、6MHzの信号の消去比は20dBであった。
このときの波形を観察したところ、図７に示すような6M
Hzの周波数の振幅変調がみられ、明らかにオーバーライ
ト前の記録層の状態（結晶状態の未記録部と非晶質状態
の記録ピット）により、オーバーライト後に形成される
ピットの大きさ、形状が不均一であることがわかる。
にて記録、消去を行い、C/N比および消去比を測定し
た。その結果、6MHzの信号が記録してあった上に16MHz
の信号をオーバーライトしたとき、16MHzのC/N比は50dB
以上であったが、6MHzの信号の消去比は20dBであった。
このときの波形を観察したところ、図７に示すような6M
Hzの周波数の振幅変調がみられ、明らかにオーバーライ
ト前の記録層の状態（結晶状態の未記録部と非晶質状態
の記録ピット）により、オーバーライト後に形成される
ピットの大きさ、形状が不均一であることがわかる。
［比較例２］ 案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのZnS−SiO2とPdを57vol.％添加した層、さら
に、厚さ150nmのAl合金薄膜からなる反射層を、順次ス
パッタリング法により形成して積層し、次いで反射層の
表面を紫外線硬化樹脂で被覆した。ここで、第２保護層
のZnS−SiO2にPdを添加した層は、ZnS−SiO2とPdとの混
合ターゲットをスパッタリングして形成した。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ20nmのZnS−SiO2とPdを57vol.％添加した層、さら
に、厚さ150nmのAl合金薄膜からなる反射層を、順次ス
パッタリング法により形成して積層し、次いで反射層の
表面を紫外線硬化樹脂で被覆した。ここで、第２保護層
のZnS−SiO2にPdを添加した層は、ZnS−SiO2とPdとの混
合ターゲットをスパッタリングして形成した。
ZnS−SiO2とPdとの混合ターゲットは、ZnS−SiO2に対
して57vol.％の割合でPdが混合されるように組成を調整
したものである。この第２保護層の680nmに於ける光学
定数は、屈折率ｎは4.0、吸収係数ｋは3.1であった。
して57vol.％の割合でPdが混合されるように組成を調整
したものである。この第２保護層の680nmに於ける光学
定数は、屈折率ｎは4.0、吸収係数ｋは3.1であった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを実施例１に示した方法
にて記録、消去を行い、消去比を測定した。その結果、
6MHzの信号が記録してあった上に16MHzの信号をオーバ
ーライトしたとき、6MHzの信号の消去比は20dBであっ
た。この時の波形を観察したところ、図７に示すような
6MHzの周波数の振幅変調がみられ、明らかにオーバーラ
イト前の記録層の状態により、オーバーライト後に形成
されるピットの大きさ、形状が不均一であることがわか
る。
にて記録、消去を行い、消去比を測定した。その結果、
6MHzの信号が記録してあった上に16MHzの信号をオーバ
ーライトしたとき、6MHzの信号の消去比は20dBであっ
た。この時の波形を観察したところ、図７に示すような
6MHzの周波数の振幅変調がみられ、明らかにオーバーラ
イト前の記録層の状態により、オーバーライト後に形成
されるピットの大きさ、形状が不均一であることがわか
る。
［比較例３］ 案内溝を設けた清浄なポリカーボネート基板上に、厚
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ100nmのカーボン層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜
からなる反射層を、順次スパッタリング法により形成し
て積層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆
した。このとき、第２保護層として使用したカーボン層
の波長680nmに於ける光学定数は、屈折率ｎは2.5、吸収
係数ｋは0.5であった。
さ230nmのZnS−SiO2薄膜からなる第１保護層、厚さ25nm
のSbTeGe合金薄膜からなる記録層、第２保護層として厚
さ100nmのカーボン層、さらに、厚さ150nmのAl合金薄膜
からなる反射層を、順次スパッタリング法により形成し
て積層し、次いで反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆
した。このとき、第２保護層として使用したカーボン層
の波長680nmに於ける光学定数は、屈折率ｎは2.5、吸収
係数ｋは0.5であった。
このようにして作成した片面ディスク２枚を反射層側
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
を内側にしてホットメルト接着剤で接着することによ
り、全面密着構造の相変化型光ディスクを作成した。
こうして作成した光ディスクを実施例１に示した方法
にて記録、消去を行い、C/N比を測定した。その結果、6
MHzの信号が記録してあった上に16MHzの信号をオーバー
ライトしたとき、16MHzのC/N比は44dBしか得られなかっ
た。これは、第２保護層としてのカーボン層の厚さを厚
くしたことによる光学的コントラストの低下が原因であ
ると考えられる。
にて記録、消去を行い、C/N比を測定した。その結果、6
MHzの信号が記録してあった上に16MHzの信号をオーバー
ライトしたとき、16MHzのC/N比は44dBしか得られなかっ
た。これは、第２保護層としてのカーボン層の厚さを厚
くしたことによる光学的コントラストの低下が原因であ
ると考えられる。
［発明の効果］ 本発明によれば、透明基板上に、第１保護層、記録
層、第２保護層、反射層を順次積層した構造の、書換え
可能な相変化型光記録媒体において、該第１保護層の厚
さを透明基板側から該層に光を照射した際の反射率が極
小を示す厚さ±30nmの範囲で選び、かつ該第２保護層の
吸収係数ｋを0.05≦ｋ≦2.5の範囲で選び、第２保護層
の膜厚を10nm以上30nm以下の範囲で選ぶことにより、記
録前の記録層の状態が結晶状態であるか非晶質状態であ
るかによらず、記録ピットの形状や大きさのばらつきを
低減させることができる。
層、第２保護層、反射層を順次積層した構造の、書換え
可能な相変化型光記録媒体において、該第１保護層の厚
さを透明基板側から該層に光を照射した際の反射率が極
小を示す厚さ±30nmの範囲で選び、かつ該第２保護層の
吸収係数ｋを0.05≦ｋ≦2.5の範囲で選び、第２保護層
の膜厚を10nm以上30nm以下の範囲で選ぶことにより、記
録前の記録層の状態が結晶状態であるか非晶質状態であ
るかによらず、記録ピットの形状や大きさのばらつきを
低減させることができる。
これにより、本発明は消去比の向上、およびジッター
の減少が図れ、良好なエラーレートをもつ光記録媒体を
提供することができる。
の減少が図れ、良好なエラーレートをもつ光記録媒体を
提供することができる。
図面の簡単な説明 図１は、本発明および従来技術の光記録媒体の構造を
示す図である。
示す図である。
図２は、オーバーライト時のレーザービーム強度の波
形図である。
形図である。
図３は、従来技術の光記録媒体において、非晶質状態
と結晶状態の領域に記録した場合に形成されるピット形
状を示す説明図である。
と結晶状態の領域に記録した場合に形成されるピット形
状を示す説明図である。
図４は、本発明の光記録媒体において、非晶質状態と
結晶状態の領域に記録した場合に形成されるピット形状
を示す説明図である。
結晶状態の領域に記録した場合に形成されるピット形状
を示す説明図である。
図５は、本発明の光記録媒体の構造において、透明基
板側から記録層へ光を照射した際の反射率と第１保護層
の厚さとの関係を示す図である。
板側から記録層へ光を照射した際の反射率と第１保護層
の厚さとの関係を示す図である。
図６は、本発明の光記録媒体における、オーバーライ
ト後の再生信号波形図である。
ト後の再生信号波形図である。
図７は、従来技術の光記録媒体における、オーバーラ
イト後の再生信号波形図である。
イト後の再生信号波形図である。
1.透明基板 2.第１保護層 3.記録層 4.第２保護層 5.反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−129999（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−14206（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−316887（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24
Claims (6)
- 【請求項１】光の照射により情報の記録、消去および再
生が可能な相変化型光記録媒体において、 透明基板上に、第１保護層、記録層、第２保護層、およ
び反射層が順次積層され、前記第１保護層の厚さは、こ
の層に透明基板側から光を照射した際の反射率が極小を
示す厚さ±30nmの範囲にあり、前記第２保護層は、下記
の（１）式を満足する吸収係数ｋを有し、且つ厚さが10
nm以上30nm以下の範囲にあることを特徴とする光記録媒
体。 0.05≦ｋ≦2.5 ‥‥（１） - 【請求項２】第２保護層は下記の（２）式を満足する吸
収係数ｋを有することを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。 0.1≦ｋ≦2.0 ‥‥（２） - 【請求項３】第２保護層は、カーボンにAl、Ag、Ｗ、T
i、Mo、Ni、Pt、Cr、Pd、Ｖ、Tc、Nb、Ta、Re、Irから
なる群から選ばれた少なくとも１種の金属または半金属
を添加して得たものからなることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項４】第２保護層は窒化アルミニウムからなるこ
とを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】第２保護層は、硫化物、酸化物、窒化物、
フッ化物、炭化物、またはそれらの混合物中に、金属ま
たは半金属を添加して得たものからなることを特徴とす
る請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項６】金属または半金属は、Al、Ag、Ｗ、Ti、M
o、Ni、Pt、Cr、Pd、Ｖ、Ｃ、Ｂ、PbS、PbSe、PbTe、Mg
2Snからなる群から選ばれた少なくとも１種であること
を特徴とする請求項５記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8518572A JP2947938B2 (ja) | 1994-11-28 | 1995-11-22 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/177,899 | 1994-01-06 | ||
| JP6-292722 | 1994-11-28 | ||
| JP29272294 | 1994-11-28 | ||
| JP8518572A JP2947938B2 (ja) | 1994-11-28 | 1995-11-22 | 光記録媒体 |
| PCT/JP1995/002381 WO1996017344A1 (fr) | 1994-11-28 | 1995-11-22 | Support d'enregistrement optique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09510959A JPH09510959A (ja) | 1997-11-04 |
| JP2947938B2 true JP2947938B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=26559109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8518572A Ceased JP2947938B2 (ja) | 1994-11-28 | 1995-11-22 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947938B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001019387A1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-22 | The General Hospital Corporation | Use of mullerian inhibiting substance for treating excess androgen states |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP8518572A patent/JP2947938B2/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09510959A (ja) | 1997-11-04 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20051121 |
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