JP2003323743A - 情報記録媒体とその製造方法 - Google Patents

情報記録媒体とその製造方法

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JP2003323743A JP2002350034A JP2002350034A JP2003323743A JP 2003323743 A JP2003323743 A JP 2003323743A JP 2002350034 A JP2002350034 A JP 2002350034A JP 2002350034 A JP2002350034 A JP 2002350034A JP 2003323743 A JP2003323743 A JP 2003323743A
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晴比古 土生田
Noboru Yamada
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録層と誘電体層の間に界面層を設けなくて
も、高い信頼性と良好な繰り返し書き換え性能が確保さ
れた情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１の表面に、記録層４ならびに誘電
体層２および６が形成され、記録層４が光の照射または
電気的エネルギーの印加によって、結晶相と非晶質相と
の間で相変態を生じるものであり、誘電体層２および６
が、例えば式（ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）100-M（ｍｏｌ
％）（式中、２０≦Ｍ≦８０である）で表される材料か
ら成るＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的もしくは電
気的に情報を記録し、消去し、書き換え、および再生す
る情報記録媒体ならびにその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】発明者は、データファイルおよび画像フ
ァイルとして使える、大容量な書き換え型相変化情報記
録媒体である、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭを開発し
た。これは既に商品化されている。
【０００３】この４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭは、例え
ば日本国特許公開公報２００１−３２２３５７号（特許
文献１）に開示されている。この公報に開示されている
ＤＶＤ−ＲＡＭの構成を、図１０に示す。図１０に示す
情報記録媒体３１は、基板１の一方の表面に、第１の誘
電体層１０２、第１の界面層１０３、記録層４、第２の
界面層１０５、第２の誘電体層１０６、光吸収補正層
７、および反射層８がこの順に形成されている７層構造
を有する。この情報記録媒体において、第１の誘電体層
は、第２の誘電体層よりも、入射されるレーザ光により
近い位置に存在する。第１の界面層と第２の界面層も同
じ関係を有する。このように、本明細書においては、情
報記録媒体が、同じ機能を有する層を２以上含む場合、
入射されるレーザ光から見て近い側にあるものから、順
に「第１」「第２」「第３」・・・と称する。
【０００４】第１の誘電体層１０２と第２の誘電体層１
０６は、光学距離を調節して記録層４の光吸収効率を高
め、結晶相の反射率と非晶質相の反射率との差を大きく
して信号振幅を大きくする機能を有する。従来誘電体層
の材料として使用している、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％Ｓｉ
Ｏ2は非晶質材料で、熱伝導率が低く、透明であって且
つ高屈折率を有する。また、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％Ｓｉ
Ｏ2は、膜形成時の成膜速度が大きく、機械特性および
耐湿性も良好である。このように、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ
％ＳｉＯ2は、誘電体層を形成するのに適した優れた材
料である。
【０００５】第１の誘電体層１０２および第２の誘電体
層１０６の熱伝導率が低いと、記録層４にレーザ光が入
射した際に、熱を、記録層４から反射層８の方へ厚さ方
向において速やかに拡散させることができ、熱が誘電体
層１０２または１０６の面内方向に拡散しにくくなる。
即ち、誘電体層によって記録層４がより短い時間で冷却
されることとなり、非晶質マーク（記録マーク）が形成
され易くなる。記録マークが形成されにくい場合は、高
いピークパワーで記録する必要があり、記録マークが形
成され易い場合は低いピークパワーで記録できる。誘電
体層の熱伝導率が低い場合は、低いピークパワーで記録
できるので、情報記録媒体の記録感度は高くなる。一
方、誘電体層の熱伝導率が高い場合は、高いピークパワ
ーで記録するので、情報記録媒体の記録感度は低くな
る。情報記録媒体中の誘電体層は、熱伝導率を精度良く
測定できないほど、薄い膜の形態で存在する。そのた
め、発明者らは、誘電体層の熱伝導率の大きさを知る相
対的な判断基準として、情報記録媒体の記録感度を採用
している。
【０００６】記録層４は、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅを含
む、高速で結晶化する材料を用いて形成する。かかる材
料を記録層４として有する情報記録媒体は、優れた初期
記録性能を有するだけでなく、優れた記録保存性および
書き換え保存性をも有する。相変化情報記録媒体は、記
録層４が結晶相と非晶質相との間で可逆的相変態を生じ
ることを利用して情報の記録、消去および書き換えを行
う。高パワーのレーザ光（ピークパワー）を記録層４に
照射して急冷すると、照射部が非晶質相となり記録マー
クが形成される。低パワーのレーザ光（バイアスパワ
ー）を照射して記録層を昇温して徐冷すると、照射部が
結晶相となり記録されていた情報は消去される。ピーク
パワーレベルとバイアスパワーレベルとの間でパワー変
調したレーザ光を記録層に照射することにより、既に記
録されている情報を消去しながら新しい情報に書き換え
ていくことができる。繰り返し書き換え性能は、ジッタ
値が実用上問題の無い範囲で書き換えを繰り返し得る最
大回数で表される。この回数が多いほど、繰り返し書き
換え性能が良いといえる。特に、データファイル用の情
報記録媒体は、優れた繰り返し書き換え性能を有するこ
とが望まれる。
【０００７】第１の界面層１０３および第２の界面層１
０５は、第１の誘電体層１０２と記録層４との間、およ
び第２の誘電体層１０６と記録層４との間で生じる物質
移動を防止する機能を有する。ここで物質移動とは、レ
ーザ光を記録層に照射して繰り返し書き換えている間
に、第１及び第２の誘電体層ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％Ｓｉ
Ｏ2のＳが記録層に拡散していく現象をいう。多量のＳ
が記録層に拡散すると、記録層の反射率低下を引き起こ
し、繰り返し書き換え性能が悪化する。この現象は既に
知られている（非特許文献１、N. Yamada et al. Japan
ese Journal of Applied Physics Vol.37 (1998) pp. 2
104-2110参照）。また、日本国特許公開公報平１０−２
７５３６０号（特許文献２）および国際公開第ＷＯ９７
／３４２９８パンフレット（特許文献３）には、この現
象を防止する界面層を、Ｇｅを含む窒化物を使用して形
成することが開示されている。
【０００８】光吸収補正層１０７は、記録層４が結晶状
態であるときの光吸収率Ａｃと非晶質状態であるときの
光吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａを調整し、書き換え時にマ
ーク形状が歪まないようにする働きがある。反射層８
は、光学的には記録層４に吸収される光量を増大させる
機能を有し、熱的には記録層４で生じた熱を速やかに拡
散させて急冷し、記録層４を非晶質化し易くするという
機能を有する。反射層８はまた、多層膜を使用環境から
保護する機能を有している。
【０００９】このように、図１０に示す情報記録媒体
は、それぞれが上述のように機能する７つの層を積層し
た構造とすることによって、４．７ＧＢという大容量に
おいて、優れた繰り返し書き換え性能と高い信頼性を確
保し、商品化に至ったものである。
【００１０】また、情報記録媒体の誘電体層に適した材
料としては、予てより種々のものが提案されている。例
えば、日本国特許公開公報平５−１０９１１５号（特許
文献４）には、光情報記録媒体において、耐熱保護層
が、１６００Ｋ以上の融点をもつ高融点元素と低アルカ
リガラスとの混合物により形成されていることが開示さ
れている。同公報には、高融点元素として、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、およびＳｉが挙げられて
いる。また、同公報には、低アルカリガラスはＳｉ
Ｏ2、ＢａＯ、Ｂ2Ｏ3またはＡｌ2Ｏ3を主成分とするも
のであることが開示されている。
【００１１】日本国特許公開公報平５−１５９３７３号
（特許文献５）には、光情報記録媒体において、耐熱保
護層がＳｉよりも融点の高い窒化物、炭化物、酸化物、
硫化物のうちの少なくとも１種の化合物と、低アルカリ
ガラスとの混合物により形成されていることが開示され
ている。同公報には、高融点の化合物として、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌの炭化
物、酸化物、硫化物が例示されている。また、同公報に
は、低アルカリガラスがＳｉＯ2、ＢａＯ、Ｂ2Ｏ3、Ａ
ｌ2Ｏ3を主成分とするものであることが開示されてい
る。
【００１２】日本国特許公開公報平８−７７６０４号
（特許文献６）には、再生専用の情報記録媒体におい
て、誘電体層がＣｅ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇｅ、
Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、およびＷより成る群より選ばれた
少なくとも一元素の酸化物、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉより成る群より選ばれた
少なくとも一元素の硫化物、またはセレン化物等より成
ることが開示されている。
【００１３】日本国特許公開公報２００１−６７７２２
号（特許文献７）には、光記録媒体において、第１の界
面制御層および第２の界面制御層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｐ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｃｒ、Ｙ、Ｓｅ、Ｌａ、Ｌｉから成る元素群のう
ち１種以上を含む窒化物、酸化物、炭化物、および硫化
物から選択されることが開示されている。
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−３２２３５７号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５３６０号公報（特許
請求の範囲）
【特許文献３】ＷＯ９７／３４２９８（特許請求の範
囲）
【特許文献４】特開平５−１０９１１５号公報（特許請
求の範囲）
【特許文献５】特開平５−１５９３７３号公報（特許請
求の範囲）
【特許文献６】特開平８−７７６０４号公報（特許請求
の範囲）
【特許文献７】特開２００１−６７７２２号公報（特許
請求の範囲）
【非特許文献１】N. Yamada et al. Japanese Journal
of Applied Physics Vol.37(1998) pp. 2104-2110
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、第１及
び第２の誘電体層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2を用
いて形成した場合、Ｓの拡散防止のために誘電体層と記
録層との間には界面層が必然的に必要となる。しかしな
がら、媒体の価格を考慮すると、媒体を構成する層の数
は１つでも少ないことが望ましい。層の数が少ないと、
材料費の削減、製造装置の小型化、および製造時間短縮
による生産量の増加を実現することができ、媒体の価格
低減につながる。
【００１６】発明者は、層数を減らす一つの方法とし
て、第１の界面層および第２の界面層のうち、少なくと
も１つの界面層を無くす可能性について検討した。その
場合、繰り返し記録による誘電体層から記録層へのＳの
拡散が生じないよう、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2以
外の材料で誘電体層を形成する必要があると、発明者は
考えた。さらに、誘電体層の材料については、カルコゲ
ナイド材料である記録層との密着性が良いこと、上記７
層構造のものと同等かそれ以上の高記録感度が得られる
こと、透明であること、および記録の際に溶けないよう
に高融点を有することが望まれる。
【００１７】本発明は、記録層と直接接するように形成
された場合でも、界面層を設けなくとも、誘電体層から
記録層へ物質が移動せず、且つ記録層との密着性が良好
である誘電体層が設けられた、優れた繰り返し書き換え
性能を有する情報記録媒体を提供することを主たる課題
としてなされたものである。
【００１８】なお、上記特許文献４〜７はいずれも、誘
電体層から記録層へ物質が移動する問題については言及
していない。したがって、これらの公報は、本発明が解
決しようとする課題および当該課題を解決する手段、即
ち具体的な組成を教示していないことに留意すべきであ
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】発明者らは、後述の実施
例で説明するように、種々の化合物を使用して、誘電体
層を形成し、誘電体層の記録層への密着性、および情報
記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。その結
果、界面層を介さずに直接記録層の上下に誘電体層を設
ける場合、記録層に拡散し易い誘電体層、例えば従来の
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で誘電体層を形成した場
合、記録層への密着性は良いが、媒体の繰り返し書き換
え性能が悪いということが判った。また、例えば、Ｚｒ
Ｏ2は、熱伝導率が低く、また融点が高いため、これを
誘電体層として使用すれば、情報記録媒体の記録感度を
高くでき、また優れた繰り返し書き換え性能を確保でき
る。しかし、ＺｒＯ2を用いて誘電体層を形成した場
合、記録層への密着性が悪いという結果が得られた。そ
の他の種々の酸化物、窒化物、硫化物、およびセレン化
物を用いて、誘電体層を記録層に接して形成した情報記
録媒体について、誘電体層の記録層への密着性および繰
り返し書き換え性能を評価した。しかし、１種類の酸化
物、窒化物、硫化物、またはセレン化物を用いて誘電体
層を形成した場合には、良好な密着性と良好な繰り返し
書き換え性能とを両立させることはできなかった。
【００２０】そこで、発明者は、まず、Ｓを含まない２
種類以上の化合物を組み合わせて、誘電体層を形成する
ことを検討した。その結果、ＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3の組み
合わせが、記録層と接する誘電体層の構成材料として適
していることを見出し、さらにＺｒとＣｒの含有量が特
定範囲内にあるときに、界面層を形成する必要がないこ
とを見出し、本発明に至った。
【００２１】即ち、本発明は、基板および記録層を含
み、前記記録層が光の照射または電気的エネルギーの印
加によって、結晶相と非晶質相との間で相変態を生じる
情報記録媒体であって、Ｚｒ、ＣｒおよびＯを含む材料
から成るＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層をさらに含み、当該Ｚ
ｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層において、Ｚｒの含有量が３０原
子％以下であり、Ｃｒの含有量が７原子％以上３７原子
％以下である、情報記録媒体を提供する。
【００２２】本発明の情報記録媒体は、光を照射するこ
とによって、あるいは電気的エネルギーを印加すること
によって、情報を記録再生する媒体である。一般に、光
の照射は、レーザ光（即ち、レーザビーム）を照射する
ことにより実施され、電気的エネルギーの印加は記録層
に電圧を印加することにより実施される。以下、本発明
の情報記録媒体を構成するＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を、
より具体的に説明する。なお、以下の説明においては、
単に「Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層」というときは、Ｚｒお
よびＣｒの含有量が前記の割合で含まれている層を指す
ことに留意されたい。
【００２３】より具体的には、本発明の情報記録媒体
は、式（１）：
【化１５】ＺｒQＣｒRＯ100-Q-R（原子％）...（１）
（式中、ＱおよびＲはそれぞれ、０＜Ｑ≦３０、７≦Ｒ
≦３７の範囲内にあり、 且つ２０≦Ｑ＋Ｒ≦６０である） で表される材料から実質的に成るＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料
層を、構成要素として含むものである。ここで、「原子
％」とは、式（１）が、Ｚｒ、ＣｒおよびＯ原子を合わ
せた数を基準（１００％）として表された組成式である
ことを示している。以下の式においても「原子％」の表
示は、同様の趣旨で使用されている。
【００２４】式（１）において、Ｚｒ、ＣｒおよびＯの
各原子が、どのような化合物として存在しているかは問
われない。このような式で材料を特定しているのは、薄
膜に形成した層の組成を調べるに際し、化合物の組成を
求めることは難しく、現実には、元素組成（即ち、各原
子の割合）のみを求める場合が多いことによる。式
（１）で表される材料において、Ｚｒの殆どはＯととも
にＺｒＯ2として存在し、Ｃｒの殆どはＯとともにＣｒ2
Ｏ3として存在していると考えられる。
【００２５】上記式（１）で表される材料から実質的に
成るＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層は、情報記録媒体中におい
て、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、いずれか
一方の誘電体層として存在することが好ましく、両方の
誘電体層として存在することがより好ましい。上述の範
囲でＺｒ、ＣｒおよびＯを含む誘電体層は、融点が高く
且つ透明である。また、この層は、ＺｒＯ2が優れた繰
り返し書き換え性能を確保し、Ｃｒ2Ｏ3がカルコゲナイ
ド材料である記録層との密着性を確保する。したがっ
て、この情報記録媒体は、界面層が無くても、記録層と
誘電体層との間で剥離が生じず、また、優れた繰り返し
書き換え性能を示す。あるいは、式（１）で表される材
料の層は、情報記録媒体において、記録層と誘電体層と
の間に位置する界面層としてもよい。
【００２６】本発明の情報記録媒体において、Ｚｒ−Ｃ
ｒ−Ｏ系材料層は、式（１１）：
【化１６】 （ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）100-M（ｍｏｌ％）...（１１） （式中、Ｍは２０≦Ｍ≦８０の範囲である） で表される材料から実質的に成る層であってよい。式
（１１）は、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層がＺｒＯ2とＣｒ2
Ｏ3との混合物から成る場合に、２つの化合物の好まし
い割合を表している。ここで、「ｍｏｌ％」とは、式
（１１）が、各化合物の総数を基準（１００％）として
表わされた組成式であることを示している。以下の式に
おいても「ｍｏｌ％」の表示は、同様の趣旨で使用され
ている。
【００２７】式（１１）で表される材料から実質的に成
る層も、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、いず
れか一方の誘電体層として存在することが好ましく、両
方の誘電体層として存在することがより好ましい。式
（１１）で表される材料から実質的に成る層を誘電体層
とすることによる効果は、式（１）で表される材料に関
連して説明したとおりである。
【００２８】本発明の情報記録媒体において、Ｚｒ−Ｃ
ｒ−Ｏ系材料層は、Ｓｉをさらに含み、式（２）：
【化１７】 ＺｒUＣｒVＳｉTＯ100-U-V-T（原子％）...（２） （式中、Ｕ、Ｖ、およびＴはそれぞれ、０＜Ｕ≦３０、
７≦Ｖ≦３７、および０＜Ｔ≦１４の範囲内にあり、且
つ２０≦Ｕ＋Ｖ＋Ｔ≦６０である） で表される材料から実質的に成る層であってよい。
【００２９】式（２）においても、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｓｉお
よびＯの各原子が、どのような化合物として存在してい
るかは問われず、このような式で材料を特定しているの
は、式（１）と同じ理由による。式（２）で表される材
料において、Ｓｉの殆どはＯとともにＳｉＯ2として存
在していると考えられる。
【００３０】式（２）で表される材料から実質的に成る
層も、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、いずれ
か一方の誘電体層として存在することが好ましく、両方
の誘電体層として存在することがより好ましい。Ｓｉを
含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を誘電体層とする情報記録
媒体においては、誘電体層と記録層との良好な密着性が
確保され、また、優れた繰り返し書き換え性能が確保さ
れることに加えて、より高い記録感度が実現される。こ
れはＳｉを含むことによって、層の熱伝導率が低くなる
ことによると考えられる。あるいは、式（２）で表され
る材料から実質的に成る層は、情報記録媒体において、
記録層と誘電体層との間に位置する界面層としてもよ
い。
【００３１】上記Ｓｉを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層
は、式（２１）：
【化１８】 （ＺｒＯ2）X（Ｃｒ2Ｏ3）Y（ＳｉＯ2）100-X-Y（ｍｏｌ％）...（２１） （式中、ＸおよびＹはそれぞれ、２０≦Ｘ≦７０および
２０≦Ｙ≦６０の範囲内にあり、且つ６０≦Ｘ＋Ｙ≦９
０である） で表される材料から実質的に成る層であってよい。式
（２１）は、Ｓｉを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層が、Ｚ
ｒＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、およびＳｉＯ2の混合物から成る場合
に、３つの化合物の好ましい割合を示している。式（２
１）で表される材料から実質的に成る層も、記録層と隣
接する誘電体層のうち、いずれか一方の誘電体層として
存在することが好ましく、両方の誘電体層として存在す
ることがより好ましい。あるいは、式（２１）で表され
る材料から実質的に成る層は、情報記録媒体において、
記録層と誘電体層との間に位置する界面層としてもよ
い。
【００３２】式（２１）で表される材料から実質的に成
る層を誘電体層とする場合、ＳｉＯ 2は、情報記録媒体
の記録感度を高める機能を有する。その場合、式（２
１）において、６０≦Ｘ＋Ｙ≦９０とすることにより、
記録層との良好な密着性を確保する。ＳｉＯ2の割合
は、Ｘ＋Ｙをこの範囲で変化させることによって調整さ
れ、それにより、ＳｉＯ2の割合を適切に選択して記録
感度を調整することができる。さらに、式（２１）にお
いて、２０≦Ｘ≦７０、および２０≦Ｙ≦６０にするこ
とにより、ＺｒＯ2およびＣｒ2Ｏ3を適切な割合で層中
に存在させることができる。したがって、式（２１）で
表される材料から実質的に成る誘電体層は、透明であっ
て、記録層との密着性に優れるとともに、情報記録媒体
が、良好な記録感度および繰り返し書き換え性能を有す
ることを確保する。
【００３３】式（２１）で表される材料は、ＺｒＯ2と
ＳｉＯ2を略等しい割合で含んでもよい。その場合、こ
の材料は、下記の式（２２）：
【化１９】 （ＺｒＳｉＯ4）Z（Ｃｒ2Ｏ3）100-Z（ｍｏｌ％）...（２２） （式中、Ｚは、２５≦Ｚ≦６７の範囲内にある） で表される。ＺｒＯ2とＳｉＯ2とを略等しい割合で含む
と、構造が安定なＺｒＳｉＯ4が形成される。式（２
２）で表される材料から実質的に成る層も、記録層と隣
接する誘電体層のうち、いずれか一方の誘電体層として
存在することが好ましく、両方の誘電体層として存在す
ることがより好ましい。式（２２）において、Ｚを２５
≦Ｚ≦６７の範囲とすることにより、ＺｒＳｉＯ4およ
びＣｒ2Ｏ3が適切な割合で層中に存在する。したがっ
て、式（２２）で表される材料から実質的に成る誘電体
層は、透明であって、且つ記録層との密着性に優れると
ともに、情報記録媒体が、良好な記録感度および繰り返
し書き換え性能を有することを確保する。あるいは、式
（２２）で表される材料から実質的に成る層は、情報記
録媒体において、記録層と誘電体層との間に位置する界
面層としてもよい。
【００３４】本発明はまた、基板および記録層を含み、
前記記録層が光の照射または電気的エネルギーの印加に
よって、結晶相と非晶質相との間で相変態を生じる情報
記録媒体であって、式（３）：
【化２０】 （ＺｒＯ2）C（Ｃｒ2Ｏ3）E（Ｄ）F（ＳｉＯ2）100-C-E-F（ｍｏｌ％）...（ ３） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
Ｃ、ＥおよびＦはそれぞれ、２０≦Ｃ≦６０、２０≦Ｅ
≦６０、および１０≦Ｆ≦４０の範囲内にあり、且つ６
０≦Ｃ＋Ｅ＋Ｆ≦９０である） で表されるＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料から実質的に成
る層をさらに含んでいる情報記録媒体を提供する。以下
の説明においては、式（３）で表される材料から実質的
に成る層を、単に「Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層」と
呼ぶ場合がある。
【００３５】式（３）で表される材料から実質的に成る
層もまた、記録層と隣接する２つの誘電体層のうち、い
ずれか一方の誘電体層として存在することが好ましく、
両方の誘電体層として存在することがより好ましい。式
（３）で表される材料は、式（２１）で表される材料と
同様に、ＺｒＯ2、Ｃｒ2Ｏ3およびＳｉＯ2を含む。した
がって、この材料によれば、透明性、および記録層への
密着性に優れた誘電体層が形成され、また、この誘電体
層を含む情報記録媒体は、良好な記録感度および繰り返
し書き換え性能を有する。式（３）で表される材料は、
成分Ｄとして、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯを含むの
で、この材料で形成される誘電体層は、カルコゲナイド
材料から成る記録層との密着性がより向上したものとな
る。さらにまた、薄膜状態で非晶質状態になり易いＺｒ
Ｏ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料に、結晶状態になり易い
ＺｎＳまたはＺｎＳｅを添加することにより、記録感度
をさらに向上させることができる。あるいは、式（３）
で表される材料から実質的に成る層は、情報記録媒体に
おいて、記録層と誘電体層との間に位置する界面層とし
てもよい。
【００３６】式（３）において、２０≦Ｃ≦６０、およ
び２０≦Ｅ≦６０とすることにより、ＺｒＯ2およびＣ
ｒ2Ｏ3を適切な割合で層中に存在させることができる。
式（３）において、１０≦Ｆ≦４０にすることにより、
情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を損なうことな
く、成分Ｄによる効果（例えば密着性の向上等）が達成
される。また、式（３）において、Ｃ＋Ｅ＋Ｆを６０以
上９０以下の範囲で変化させることにより、ＳｉＯ2の
割合を適切に調整して、記録感度を調整することができ
る。
【００３７】式（３）で表される材料は、ＺｒＯ2とＳ
ｉＯ2を略等しい割合で含んでよい。その場合、この材
料は、下記の式（３１）：
【化２１】 （ＺｒＳｉＯ4）A（Ｃｒ2Ｏ3）B（Ｄ）100-A-B（ｍｏｌ％）...（３１） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
ＡおよびＢはそれぞれ、２５≦Ａ≦５４、および２５≦
Ｂ≦６３の範囲内にあり、且つ５０≦Ａ＋Ｂ≦８８であ
る） で表される。前述のようにＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい
割合で含むことにより、安定な構造のＺｒＳｉＯ4が形
成される。式（３１）で表される材料から実質的に成る
層も、記録層と隣接する誘電体層のうち、いずれか一方
の誘電体層として存在することが好ましく、両方の誘電
体層として存在することがより好ましい。式（３１）に
おいて、ＡおよびＢをそれぞれ、２５≦Ａ≦５４、およ
び２５≦Ｂ≦６３とすることにより、ＺｒＳｉＯ4およ
びＣｒ2Ｏ3が適切な割合で層中に存在する。したがっ
て、式（３１）で表される材料から実質的に成る誘電体
層は、透明であって、且つ記録層との密着性に優れると
ともに、情報記録媒体が良好な記録感度および繰り返し
書き換え性能を有することを確保する。また、式（３
１）で表される材料が誘電体層に含まれる場合には、Ｓ
ｉＯ2および成分Ｄが、情報記録媒体の記録感度を高く
し、成分Ｄが誘電体層の記録層への密着性をより向上さ
せる。あるいは、式（３１）で表される材料から実質的
に成る層は、情報記録媒体において、記録層と誘電体層
との間に位置する界面層としてもよい。
【００３８】上記本発明の情報記録媒体は、その記録層
において、相変態が可逆的に生じるものであることが好
ましい。即ち、本発明の情報記録媒体は、書き換え型情
報記録媒体として好ましく提供される。
【００３９】相変態が可逆的に生じる記録層は、具体的
には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅおよびＳｂ−Ｔｅから選択される、い
ずれか１つの材料を含むことが好ましい。これらはいず
れも高速結晶化材料である。したがって、これらの材料
で記録層を形成すると、高密度且つ高転送速度で記録で
き、また、信頼性（具体的には記録保存性または書き換
え保存性）の点でも優れた情報記録媒体が得られる。
【００４０】本発明の情報記録媒体は、２つ以上の記録
層を有するものであってよい。そのような情報記録媒体
は、例えば、基板の一方の表面の側に、２つの記録層が
誘電体層および中間層等を介して積層された、片面２層
構造を有するものである。片面２層構造の情報記録媒体
は、片側から光を照射して、２つの記録層に情報を記録
するものである。この構造によれば、記録容量を大きく
することが可能となる。あるいは、本発明の情報記録媒
体は、基板の両方の面に記録層が形成されたものであっ
てよい。
【００４１】本発明の情報記録媒体において、記録層の
膜厚は１５ｎｍ以下であることが望ましい。１５ｎｍを
超えると、記録層に加えられた熱が面内に拡散し、厚さ
方向に拡散しにくくなる。
【００４２】本発明の情報記録媒体は、基板の一方の表
面に、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、およ
び反射層がこの順に形成された構成を有するものであっ
てよい。この構成を有する情報記録媒体は、光の照射に
より記録される媒体である。本明細書において、「第１
の誘電体層」とは、入射される光に対してより近い位置
にある誘電体層をいい、「第２の誘電体層」とは、入射
される光に対してより遠い位置にある誘電体層をいう。
即ち、照射される光は、第１の誘電体層から、記録層を
経由して、第２の誘電体層に到達する。この構成の情報
記録媒体は、例えば、波長６６０ｎｍ付近のレーザ光で
記録再生する場合に用いられる。
【００４３】本発明の情報記録媒体がこの構成を有する
場合、第１の誘電体層および第２の誘電体層のうち少な
くとも１つの誘電体層が、上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層
（具体的には、上記式（１）、（１１）、（２）、（２
１）および（２２）で表される材料のいずれか１つから
実質的に成る層）、または上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系
材料層（具体的には、上記式（３）または（３１）で表
される材料から実質的に成る層）である。好ましくは、
両方の誘電体層が、上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層または
上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層である。その場合、
両方の誘電体層は、同一組成の層としてよく、あるいは
異なる組成の層としてよい。
【００４４】本発明の情報記録媒体は、基板の一方の表
面に、反射層、第２の誘電体層、記録層、および第１の
誘電体層がこの順に形成された構成を有するものであっ
てよい。この構成は、光が入射する基板の厚さを薄くす
る必要がある場合に採用される。具体的には、波長４０
５ｎｍ付近の短波長のレーザ光で記録再生する場合に、
対物レンズの開口数ＮＡを例えば０．８５と大きくし
て、焦点位置を浅くする場合に、この構成の情報記録媒
体が使用される。このような波長および開口数ＮＡを使
用するには、光が入射する基板の厚さを、例えば６０〜
１２０μｍ程度にする必要がある。そのような薄い基板
の表面には、層を形成することが困難である。したがっ
て、この構成の情報記録媒体は、光が入射されない基板
を支持体として、その一方の表面に反射層等を順次形成
することにより形成されたものとして特定される。
【００４５】本発明の情報記録媒体がこの構成を有する
場合、第１の誘電体層および第２の誘電体層のうち少な
くとも１つの誘電体層が、上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料
層、または上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層である。
好ましくは、両方の誘電体層が、上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系
材料層または上記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層であ
る。その場合、両方の誘電体層は、同一組成の層として
よく、あるいは異なる組成の層としてよい。
【００４６】本発明はまた、本発明の情報記録媒体を製
造する方法として、上述したＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層
を、スパッタリング法で形成する工程を含む製造方法を
提供する。スパッタリング法によれば、スパッタリング
ターゲットの組成と略同じ組成を有するＺｒ−Ｃｒ−Ｏ
系材料層を形成できる。したがって、この製造方法によ
れば、スパッタリングターゲットを適切に選択すること
により、所望の組成のＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を容易に
形成できる。
【００４７】具体的には、スパッタリングターゲットと
して、下記の式（１０）：
【化２２】 ＺｒJＣｒKＯ100-J-K（原子％）...（１０） （式中、ＪおよびＫはそれぞれ、３≦Ｊ≦２４、および
１１≦Ｋ≦３６の範囲内にあり、且つ３４≦Ｊ＋Ｋ≦４
０である） で表される材料から実質的に成るものを使用できる。式
（１０）は、後述する式（１１０）で表される材料を元
素組成で表した式に相当する。したがって、このターゲ
ットによれば、上記式（１０）で表される材料から実質
的に成る層を形成することができる。
【００４８】スパッタリングによる形成される層の元素
組成は、スパッタリング装置、スパッタリング条件、お
よびスパッタリングターゲットの寸法等によって、スパ
ッタリングターゲットの元素組成と異なる場合がある。
そのような差異が、上記式（１０）で表される材料から
成るスパッタリングターゲットを使用した場合に生じる
としても、形成される層の元素組成は、少なくとも上記
式（１）で表されるものとなる。
【００４９】本発明の情報記録媒体の製造方法において
は、スパッタリングターゲットとして、式（１１０）：
【化２３】 （ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）100-m（ｍｏｌ％）...（１１０） （式中、ｍは２０≦ｍ≦８０の範囲内にある） で表される材料から実質的に成るものを使用してよい。
これは、スパッタリングターゲットの組成を、ＺｒＯ2
とＣｒ2Ｏ3の割合で表した式に相当する。このようにス
パッタリングターゲットを特定しているのは、通常、Ｚ
ｒ、ＣｒおよびＯを含む材料から成るスパッタリングタ
ーゲットは、この２つの化合物の組成が表示されて、販
売されていることによる。また、発明者は、市販のスパ
ッタリングターゲットのＸ線マイクロアナライザーで分
析して得た元素組成が、表示されている組成から算出さ
れる元素組成と略等しくなることを（即ち、組成表示
（公称組成）が適正であること）を確認している。した
がって、このスパッタリングターゲットによれば、式
（１１）で表される材料から実質的に成る層が形成され
る。
【００５０】本発明の情報記録媒体の製造方法において
は、Ｓｉを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を形成するため
に、スパッタリングターゲットとして、式（２０）：
【化２４】 ＺｒGＣｒHＳｉLＯ100-G-H-L（原子％）...（２０） （式中、Ｇ、ＨおよびＬは、４≦Ｇ≦２１、１１≦Ｈ≦
３０、２≦Ｌ≦１２の範囲内にあり、且つ３４≦Ｇ＋Ｈ
＋Ｌ≦４０である） で表される材料から実質的に成るものを用いてよい。こ
のスパッタリングターゲットを使用すれば、式（２１）
または式（２）で表される材料から実質的に成る層が形
成される。
【００５１】本発明の情報記録媒体の製造方法において
は、スパッタリングターゲットとして、式（２１０）：
【化２５】 （ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2Ｏ3）y（ＳｉＯ2）100-x-y（ｍｏｌ％）...（２１０） （式中、ｘおよびｙはそれぞれ、２０≦ｘ≦７０、およ
び２０≦ｙ≦６０の範囲内にあり、且つ６０≦ｘ＋ｙ≦
９０である） で表される材料から実質的に成るものを使用してよい。
このようにスパッタリングターゲットを特定しているの
は、Ｚｒ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯを含む材料から成るスパ
ッタリングターゲットが、通常、ＺｒＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、
およびＳｉＯ2の組成が表示されて、販売されているこ
とによる。発明者らは、式（２１０）のように組成が表
示されているターゲットについても、組成表示（即ち、
公称組成）が適正であることを確認している。したがっ
て、このスパッタリングターゲットによれば、式（２
１）で表される材料から実質的に成る層が形成される。
【００５２】上記式（２１０）で示されるスパッタリン
グターゲットは、ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含
むものであってよい。その場合、スパッタリングターゲ
ットは、式（２２０）：
【化２６】 （ＺｒＳｉＯ4）z（Ｃｒ2Ｏ3）100-z（ｍｏｌ％）...（２２０） （式中、ｚは、２５≦ｚ≦６７の範囲内にある） で表される材料から実質的に成るものである。このスパ
ッタリングターゲットによれば、式（２２）で示される
材料から実質的に成る層が形成される。
【００５３】本発明はまた、本発明の情報記録媒体を製
造する方法として、上述した、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系
材料層を、スパッタリングで形成する工程を含む製造方
法を提供する。スパッタリング法によれば、スパッタリ
ングターゲットと実質的に同じ組成である、Ｚｒ−Ｃｒ
−Ｚｎ−Ｏ系材料層を形成できる。具体的には、スパッ
タリングターゲットとして、下記の式（３０）：
【化２７】 （ＺｒＯ2）c（Ｃｒ2Ｏ3）e（Ｄ）f（ＳｉＯ2）100-c-e-f（ｍｏｌ％）...（ ３０） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
ｃ、ｅおよびｆはそれぞれ、２０≦ｃ≦６０、および２
０≦ｅ≦６０、１０≦ｆ≦４０の範囲内にあり、且つ６
０≦ｃ＋ｅ＋ｆ≦９０である） で表される材料から実質的に成るものを使用してよい。
このようにスパッタリングターゲットを特定しているの
は、Ｚｒ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯに加えて、成分Ｄを含む
ターゲットが、ＺｒＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2、および成
分Ｄの組成が表示されて、販売されていることによる。
このスパッタリングターゲットによれば、式（３）で示
される材料から実質的に成る層が形成される。
【００５４】上記式（３０）で示されるスパッタリング
ターゲットは、ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含む
ものであってよい。その場合、スパッタリングターゲッ
トは、式（３１０）：
【化２８】 （ＺｒＳｉＯ4）a（Ｃｒ2Ｏ3）b（Ｄ）100-a-b（ｍｏｌ％）...（３１０） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
ａおよびｂはそれぞれ、２５≦ａ≦５４、および２５≦
ｂ≦６３の範囲内にあり、且つ５０≦ａ＋ｂ≦８８であ
る） で表される材料から実質的に成るものである。このスパ
ッタリングターゲットによれば、式（３１）で示される
材料から実質的に成る層が形成される。
【００５５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的
なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されな
い。
【００５６】（実施の形態１）本発明の実施の形態１と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る、光情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光
情報記録媒体の一部断面を示す。
【００５７】図１に示す情報記録媒体２５は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層２、記録層４、第２の誘
電体層６、光吸収補正層７、および反射層８がこの順に
形成され、さらに接着層９でダミー基板１０が接着され
た構成を有する。この構成の情報記録媒体は、波長６６
０ｎｍ付近の赤色域のレーザビームで記録再生する、
４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭとして使用できる。この構
成の情報記録媒体には、基板１側からレーザ光１２が入
射され、それにより情報の記録及び再生が実施される。
情報記録媒体２５は、第１の界面層１０３および第２の
界面層１０５を有していない点において図１０に示す従
来の情報記録媒体３１と相違する。
【００５８】実施の形態１においては、第１の誘電体層
２および第２の誘電体層６がともに、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系
材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層である。
【００５９】一般に、誘電体層の材料には、１）透明で
あること、２）融点が高く、記録の際に溶融しないこ
と、および３）カルコゲナイド材料である記録層との密
着性が良好であることが要求される。透明であること
は、基板１側から入射されたレーザ光１２を通過させて
記録層４に到達させるために必要な特性である。この特
性は、特に入射側の第１の誘電体層に要求される。高い
融点は、ピークパワーレベルのレーザ光を照射したとき
に、誘電体層の材料が記録層に混入しないことを確保す
るために必要な特性である。誘電体層の材料が記録層に
混入すると、繰り返し書き換え性能が著しく低下する。
カルコゲナイド材料である記録層との密着性が良好であ
ることは、情報記録媒体の信頼性を確保するために必要
な特性である。さらに、誘電体層の材料は、得られる情
報記録媒体が、従来の情報記録媒体（即ち、ＺｎＳ−２
０ｍｏｌ％ＳｉＯ2から成る誘電体層と記録層との間に
界面層が位置する媒体）と同等かそれ以上の記録感度を
有するように選択する必要がある。
【００６０】Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層は、ＺｒＯ2とＣ
ｒ2Ｏ3の混合物から実質的に成る層であることが好まし
い。ＺｒＯ2は、透明で、高い融点（約２７００℃）を
有し、且つ酸化物の中では熱伝導率が低い材料である。
Ｃｒ2Ｏ3は、カルコゲナイド材料である記録層との密着
性が良い。したがって、この２種類の酸化物の混合物を
含む層を第１および第２の誘電体層２および６とし、こ
れらを図示するように記録層４と接するように形成する
ことによって、繰り返し書き換え性能に優れ、且つ記録
層と誘電体層との間の密着性が良好である、情報記録媒
体２５を実現し得る。ＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3の混合物は、
上記式（１１）、即ち、（ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）
100-M（ｍｏｌ％）で表される。この混合物において、
Ｃｒ2Ｏ3含有量（即ち、１００−Ｍ）は２０ｍｏｌ％以
上であることが好ましい。Ｃｒ2Ｏ3が多すぎると、情報
記録媒体の記録感度が低くなるので、Ｃｒ2Ｏ3の含有量
は８０ｍｏｌ％以下が好ましい。より好ましくは、３０
ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である。
【００６１】第１および第２の誘電体層２および６は、
Ｓｉを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層であってよい。Ｓｉ
を含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層は、ＺｒＯ2、Ｃｒ2Ｏ3
およびＳｉＯ2の混合物から実質的に成っていることが
好ましい。この混合物は、上記式（２１）、即ち、（Ｚ
ｒＯ2）X（Ｃｒ2Ｏ3）Y（ＳｉＯ2）100-X-Yで表され
る。この式において、ＸおよびＹはそれぞれ、２０≦Ｘ
≦７０、および２０≦Ｙ≦６０の範囲内にあり、６０≦
Ｘ＋Ｙ≦９０である。
【００６２】図７に、式（２１）で表される材料の組成
範囲を示す。図７において、座標は（ＺｒＯ2，Ｃｒ2Ｏ
3，ＳｉＯ2）である。この図において、式（２１）で表
される材料は、ａ（７０，２０，１０）、ｂ（４０，２
０，４０）、ｃ（２０，４０，４０）、ｄ（２０，６
０，２０）、ｅ（３０，６０，１０）で囲まれる範囲
（線上を含む）内の材料である。
【００６３】ＳｉＯ2を含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層
は、情報記録媒体の記録感度を高める。また、ＳｉＯ2
の割合を調整することにより、記録感度を調整すること
が可能となる。ＳｉＯ2によって記録感度を高くするた
めには、混合物中のＳｉＯ2の含有量は、１０ｍｏｌ％
以上であることが好ましい。一方、ＳｉＯ2の含有量が
多いと記録層４との密着性が悪くなるため、ＳｉＯ2の
含有量は４０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。Ｚｒ
Ｏ2およびＣｒ2Ｏ3が奏する機能は、先に説明したとお
りであり、適切な割合で混合されることにより、情報記
録媒体の性能を適切なものとする。ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3
−ＳｉＯ2混合物の場合、Ｃｒ2Ｏ3の含有量は２０ｍｏ
ｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、Ｚｒ
Ｏ2の含有量は２０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であ
ることが好ましい。第１の誘電体層２と第２の誘電体層
６は、それぞれＳｉＯ2の含有量が異なる混合物から成
る層であってよい。例えば、第１の誘電体層２を（Ｚｒ
Ｏ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）30（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）と
し、第２の誘電体層６を（ＺｒＯ2）40（Ｃｒ2Ｏ3）20
（ＳｉＯ2）40（ｍｏｌ％）としてよい。
【００６４】ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2混合物におい
て、ＺｒＯ2とＳｉＯ2の含有量が略等しい場合には、Ｚ
ｒＳｉＯ4が含まれていることが好ましい。ＺｒＳｉＯ4
は、化学量論組成の安定した複合化合物である。ＺｒＳ
ｉＯ4が形成されている混合物は、上記式（２２）、即
ち（ＺｒＳｉＯ4）Z（Ｃｒ2Ｏ3）100-Z（ｍｏｌ％）で
表される。この式において、Ｚは、２５≦Ｚ≦６７の範
囲内にある。ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含む
と、ＺｒＳｉＯ4が生成され、より結合の強いＺｒＯ2−
ＳｉＯ2系が得られる。記録層との密着性をより良好に
し、且つ情報記録媒体の繰り返し書き換え性能と高い記
録感度を確保するためには、Ｚは、３３≦Ｚ≦５０の範
囲内にあることがより好ましい。
【００６５】Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層は、ＺｒＯ
2、Ｃｒ2Ｏ3、およびＳｉＯ2の混合物に、ＺｎＳ、Ｚｎ
ＳｅまたはＺｎＯをさらに含む混合物から実質的に成る
層である。この混合物は、上記式（３）、即ち、（Ｚｒ
Ｏ2）C（Ｃｒ2Ｏ3）E（Ｄ）F（ＳｉＯ2）100-C-E-F（ｍ
ｏｌ％）で表される。この式において、Ｃ、ＥおよびＦ
はそれぞれ、２０≦Ｃ≦６０、２０≦Ｅ≦６０、および
１０≦Ｆ≦４０の範囲内にあり、且つ６０≦Ｃ＋Ｅ＋Ｆ
≦９０である。混合物が成分Ｄを含むことにより、この
混合物からなる層は、記録層４とより良好に密着する。
また、ＺｎＳおよびＺｎＳｅは薄膜でも結晶性が強く、
非晶質のＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2混合物に添加され
ると、混合物の熱伝導率をさらに低下させる。したがっ
て、ＺｎＳおよびＺｎＳｅを含む混合物で第１および第
２誘電体層２および６を形成すると、情報記録媒体の記
録感度をより高くし得る。このように４種の材料を混合
することにより、記録消去の条件（媒体の線速度および
レーザ光の波長）に適した記録感度を有し、また、密着
性および繰り返し書き換え性能にも優れた情報記録媒体
を実現できる。
【００６６】上記式（３）で示される混合物は、ＺｒＯ
2とＳｉＯ2を略等しい割合で含んでもよい。そのような
混合物は、上記式（３１）、即ち、（ＺｒＳｉＯ4）
A（Ｃｒ 2Ｏ3）B（Ｄ）100-A-B（ｍｏｌ％）で表され
る。この式において、ＡおよびＢはそれぞれ、２５≦Ａ
≦５４、および２５≦Ｂ≦６３の範囲内にあり、５０≦
Ａ＋Ｂ≦８８である。ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合
で含むことにより、ＺｒＳｉＯ4が形成され、より結合
の強いＺｒＯ2−ＳｉＯ2系が得られる。それにより、記
録消去の条件により適した記録感度を有し、また、密着
性および繰り返し書き換え性能にも優れた情報記録媒体
を実現できる。
【００６７】第１の誘電体層２および第２の誘電体層６
は、各々の光路長（即ち、誘電体層の屈折率ｎと誘電体
層の膜厚ｄとの積ｎｄ）を変えることにより、結晶相の
記録層４の光吸収率Ａｃ（％）と非晶質相の記録層４の
光吸収率Ａａ（％）、記録層４が結晶相であるときの情
報記録媒体２５の光反射率Ｒｃ（％）と記録層４が非晶
質相であるときの情報記録媒体２５の光反射率Ｒａ
（％）、記録層４が結晶相である部分と非晶質相である
部分の情報記録媒体２５の光の位相差Δφを調整する機
能を有する。記録マークの再生信号振幅を大きくして、
信号品質を上げるためには、反射率差（｜Ｒｃ−Ｒａ
｜）または反射率比（Ｒｃ／Ｒａ）が大きいことが望ま
しい。また、記録層４がレーザ光を吸収するように、Ａ
ｃおよびＡａも大きいことが望ましい。これらの条件を
同時に満足するように第１の誘電体層２および第２の誘
電体層６の光路長を決定する。それらの条件を満足する
光路長は、例えばマトリクス法（例えば久保田広著「波
動光学」岩波新書、１９７１年、第３章を参照）に基づ
く計算によって正確に決定することができる。
【００６８】上記において説明した、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系
材料、およびＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料は、その組成
に応じて異なる屈折率を有する。概して、これらの材料
は、１．８〜２．５の範囲内の屈折率を有する。誘電体
層の屈折率をｎ、膜厚をｄ（ｎｍ）、レーザ光１２の波
長をλ（ｎｍ）とした場合、光路長ｎｄは、ｎｄ＝ａλ
で表される。ここで、ａは正の数とする。情報記録媒体
２５の記録マークの再生信号振幅を大きくして信号品質
を向上させるには、例えば、１５％≦Ｒｃ且つＲａ≦２
％であることが好ましい。また、書き換えによるマーク
歪みを無くす又は小さくするには、１．１≦Ａｃ／Ａａ
であることが好ましい。これらの好ましい条件が同時に
満たされるように第１の誘電体層２および第２の誘電体
層６の光路長（ａλ）を、マトリクス法に基づく計算に
より正確に求めた。得られた光路長（ａλ）、ならびに
λおよびｎから、誘電体層の厚さｄを求めた。その結
果、第１の誘電体層２の厚さは、好ましくは１００ｎｍ
〜２００ｎｍであり、より好ましくは１３０ｎｍ〜１７
０ｎｍであることが判った。また、第２の誘電体層６の
厚さは、好ましくは２０ｎｍ〜７０ｎｍであり、より好
ましくは３０ｎｍ〜６０ｎｍであることが判った。
【００６９】基板１は、通常、透明な円盤状の板であ
る。誘電体層および記録層等を形成する側の表面には、
レーザ光を導くための案内溝が形成されていてもよい。
案内溝を基板に形成した場合、基板の断面を見ると、グ
ルーブ部とランド部とが形成される。グルーブ部は２つ
の隣接するランド部の間に位置するともいえる。したが
って、案内溝が形成された表面は、側壁でつながれた頂
面と底面とを有することとなる。本明細書において、底
面を「グルーブ面」と呼び、頂面を「ランド面」と呼
ぶ。したがって、図１〜図６において、面２３はグルー
ブ面に相当し、面２４はランド面に相当する。レーザ光
１２の方向において、グルーブ面は常にレーザ光１２に
近い側にあり、ランド面は常にレーザ光から遠い側にあ
る。記録マークは、記録層において、グルーブ面に相当
する記録層の表面に記録されるか（グルーブ記録）、ラ
ンド面に相当する記録層の表面に記録されるか（ランド
記録）、あるいはグルーブおよびランド両方の面に相当
する記録層の表面に記録される（ランド−グルーブ記
録）。図１に示す態様において基板１のグルーブ面２３
とランド面２４の段差は、４０ｎｍ〜６０ｎｍであるこ
とが好ましい。後述する図２、図３および図６に示す態
様の情報記録媒体を構成する基板１においても、グルー
ブ面２３とランド面２４との段差はこの範囲であること
が好ましい。また、層を形成しない側の表面は、平滑で
あることが望ましい。基板１の材料として、ポリカーボ
ネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ
のような樹脂、またはガラスを挙げることができる。成
形性、価格、および機械強度を考慮すると、ポリカーボ
ネートが好ましく使用される。図示した形態において、
基板１の厚さは、０．５〜０．７ｍｍ程度である。
【００７０】記録層４は、光の照射または電気的エネル
ギーの印加によって、結晶相と非晶質相との間で相変態
を起こし、記録マークが形成される層である。相変態が
可逆的であれば、消去や書き換えを行うことができる。
可逆的相変態材料としては、高速結晶化材料である、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−ＴｅもしくはＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅを用い
ることが好ましい。具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの場
合、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系組成であることが好
ましく、その場合、４Ｓｂ2Ｔｅ3≦ＧｅＴｅ≦５０Ｓｂ
2Ｔｅ3であることが好ましい。ＧｅＴｅ＜４Ｓｂ2Ｔｅ3
の場合、記録前後の反射光量の変化が小さく、読み出し
信号の品質が低下する。５０Ｓｂ2Ｔｅ3＜ＧｅＴｅの場
合、結晶相と非晶質相間の体積変化が大きく、繰り返し
書き換え性能が低下する。Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりも結晶化速度が速い。Ｇｅ−Ｓｎ
−Ｓｂ−Ｔｅは、例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元
系組成のＧｅの一部をＳｎで置換したものである。記録
層４において、Ｓｎの含有量は、２０原子％以下である
ことが好ましい。２０原子％を越えると、結晶化速度が
速すぎて、非晶質相の安定性が損なわれ、記録マークの
信頼性が低下する。Ｓｎの含有量は記録条件に合わせて
調整することができる。
【００７１】また、記録層４は、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、また
はＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−ＴｅのようなＢｉを含む材
料で形成することもできる。ＢｉはＳｂよりも結晶化し
やすい。したがって、Ｓｂの少なくとも一部をＢｉで置
換することによっても、記録層の結晶化速度を向上させ
ることができる。
【００７２】Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅは、ＧｅＴｅとＢｉ2Ｔ
ｅ3の混合物である。この混合物においては、８Ｂｉ2Ｔ
ｅ3≦ＧｅＴｅ≦２５Ｂｉ2Ｔｅ3であることが好まし
い。ＧｅＴｅ＜８Ｂｉ2Ｔｅ3の場合、結晶化温度が低下
し、記録保存性が劣化しやすくなる。２５Ｂｉ2Ｔｅ3＜
ＧｅＴｅ の場合、結晶相と非晶質相間の体積変化が大
きく、繰り返し書き換え性能が低下する。
【００７３】Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅは、Ｇｅ−Ｂｉ−
ＴｅのＧｅの一部をＳｎで置換したものに相当する。Ｓ
ｎの置換濃度を調整して、記録条件に合わせて結晶化速
度を制御することが可能である。Ｓｎ置換は、Ｂｉ置換
と比較して、記録層の結晶化速度の微調整により適して
いる。記録層において、Ｓｎの含有量は１０原子％以下
であることが好ましい。１０原子％を越えると、結晶化
速度が速くなりすぎるために、非晶質相の安定性が損な
われ、記録マークの保存性が低下する。
【００７４】Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅは、Ｇｅ−
Ｓｂ−ＴｅのＧｅの一部をＳｎで置換し、さらにＳｂの
一部をＢｉで置換したものに相当する。これは、ＧｅＴ
ｅ、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3およびＢｉ2Ｔｅ3の混合物に
相当する。この混合物においては、Ｓｎ置換濃度とＢｉ
置換濃度を調整して、記録条件に合わせて結晶化速度を
制御することが可能である。Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−
Ｔｅにおいては、４（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3≦（Ｇｅ−Ｓ
ｎ）Ｔｅ≦２５（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3であることが好ま
しい。（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ＜４（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3の
場合、記録前後の反射光量の変化が小さく、読み出し信
号品質が低下する。２５（Ｓｂ−Ｂｉ） 2Ｔｅ3＜（Ｇｅ
−Ｓｎ）Ｔｅの場合、結晶相と非晶質相間の体積変化が
大きく、繰り返し書き換え性能が低下する。また、記録
層において、Ｂｉの含有量は１０原子％以下であること
が好ましく、Ｓｎの含有量は２０原子％以下であること
が好ましい。ＢｉおよびＳｎの含有量がそれぞれこの範
囲内にあれば、良好な記録マークの保存性が得られる。
【００７５】可逆的に相変態を起こす材料としては、そ
の他に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ−Ｇｅ、およびＳｂを７０原子％以上含むＳｂ−Ｔ
ｅ−Ｇｅが挙げられる。
【００７６】非可逆的相変態材料としては、日本国特許
公報平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）
に開示されるように、ＴｅＯｘ＋α（αはＰｄ、Ｇｅ等
である）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相
変態材料である情報記録媒体は、記録が一度だけ可能で
ある、いわゆるライトワンスタイプのものである。その
ような情報記録媒体においても、記録時の熱により誘電
体層中の原子が記録層中に拡散して、信号の品質を低下
させるという問題がある。したがって、本発明は、書き
換え可能な情報記録媒体だけでなく、ライトワンス型の
情報記録媒体にも好ましく適用される。
【００７７】記録層４は、前述のように、その厚さが１
５ｎｍ以下であることが好ましく、１２ｎｍ以下である
ことがより好ましい。
【００７８】光吸収補正層７は、前述のように、記録層
４が結晶状態であるときの光吸収率Ａｃと非晶質状態で
あるときの光吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａを調整し、書き
換え時にマーク形状が歪まないようにする働きがある。
光吸収補正層７は、屈折率が高く、且つ適度に光を吸収
する材料で形成されることが好ましい。例えば、屈折率
ｎが３以上６以下、消衰係数ｋが１以上４以下である材
料を用いて、光吸収補正層７を形成できる。具体的に
は、Ｇｅ−Ｃｒ、およびＧｅ−Ｍｏ等の非晶質のＧｅ合
金、Ｓｉ−Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍｏ、およびＳｉ−Ｗ等の非晶
質のＳｉ合金、Ｔｅ化物、ならびにＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＳｎＴｅ、およびＰｂＴｅ等の
結晶性の金属、半金属及び半導体材料から選択される材
料を使用することが好ましい。光吸収補正層７の膜厚
は、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが好ましく、３０ｎ
ｍ〜５０ｎｍであることがより好ましい。
【００７９】反射層８は、光学的には記録層４に吸収さ
れる光量を増大させ、熱的には記録層４で生じた熱を速
やかに拡散させて記録層４を急冷し、非晶質化し易くす
る機能を有する。さらに、反射層８は、記録層４および
誘電体層２および６を含む多層膜を使用環境から保護す
る。反射層８の材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、およびＣｕ等の熱伝導率の高い単体金属材料が挙げ
られる。反射層８は、その耐湿性を向上させる目的で、
ならびに／あるいは熱伝導率または光学特性（例えば、
光反射率、光吸収率または光透過率）を調整する目的
で、上記の金属材料から選択される１つまたは複数の元
素に、他の１つまたは複数の元素を添加した材料を使用
して形成してよい。具体的には、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔ
ｉ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔ
ｉ、またはＡｕ−Ｃｒ等の合金材料を用いることができ
る。これらの材料は何れも耐食性に優れ且つ急冷機能を
有する優れた材料である。同様の目的は、反射層８を２
以上の層で形成することによっても達成され得る。反射
層８の厚さは５０〜１８０ｎｍであることが好ましく、
６０ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましい。
【００８０】図示した情報記録媒体２５において、接着
層９は、ダミー基板１０を反射層８に接着するために設
けられる。接着層９は、耐熱性及び接着性の高い材料、
例えば、紫外線硬化性樹脂等の接着樹脂を用いて形成し
てよい。具体的には、アクリル樹脂を主成分とする材料
またはエポキシ樹脂を主成分とする材料で、接着層９を
形成してよい。また、必要に応じて、接着層９を形成す
る前に、紫外線硬化性樹脂よりなる、厚さ５〜２０μｍ
の保護層を反射層８の表面に設けてもよい。接着層９の
厚さは好ましくは１５〜４０μｍであり、より好ましく
は２０〜３５μｍである。
【００８１】ダミー基板１０は、情報記録媒体２５の機
械的強度を高めるとともに、第１の誘電体層２から反射
層８までの積層体を保護する。ダミー基板１０の好まし
い材料は、基板１の好ましい材料と同じである。ダミー
基板１０を貼り合わせた情報記録媒体２５において、機
械的な反り、および歪み等が発生しないように、ダミー
基板１０と基板１は、実質的に同一材料で形成され、同
じ厚さを有することが好ましい。
【００８２】実施の形態１の情報記録媒体は、１つの記
録層を有する片面構造ディスクである。本発明の情報記
録媒体は、２つの記録層を有してよい。例えば、実施の
形態１において反射層８まで積層したものを、反射層８
同士を対向させて、接着層を介して貼り合わせることに
よって、両面構造の情報記録媒体が得られる。この場
合、２つの積層体の貼り合わせは、接着層を遅効性樹脂
で形成し、圧力と熱の作用を利用して実施する。反射層
８の上に保護層を設ける場合には、保護層まで形成した
積層体を、保護層同士を対向させて貼り合わせることに
より、両面構造の情報記録媒体を得る。
【００８３】続いて、実施の形態１の情報記録媒体２５
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２５は、案内
溝（グルーブ面２３とランド面２４）が形成された基板
１を成膜装置に配置し、基板１の案内溝が形成された表
面に第１の誘電体層２を成膜する工程（工程ａ）、記録
層４を成膜する工程（工程ｂ）、第２の誘電体層６を成
膜する工程（工程ｃ）、光吸収補正層７を成膜する工程
（工程ｄ）および反射層８を成膜する工程（工程ｅ）を
順次実施し、さらに、反射層８の表面に接着層９を形成
する工程、およびダミー基板１０を貼り合わせる工程を
実施することにより、製造される。以下の説明を含む本
明細書において、各層に関して、「表面」というとき
は、特に断りのない限り、各層が形成されたときの露出
している表面（厚さ方向に垂直な表面）を指すものとす
る。
【００８４】最初に、基板１の案内溝が形成された面
に、第１の誘電体層２を成膜する工程ａを実施する。工
程ａは、スパッタリングにより実施される。スパッタリ
ングは、高周波電源を用いて、Ａｒガス雰囲気中または
Ａｒガスと酸素との混合ガス雰囲気中で実施する。
【００８５】工程ａで使用されるスパッタリングターゲ
ットとしては、上記の式（１１０）、即ち、（Ｚｒ
Ｏ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）100-m（ｍｏｌ％）で表され、ｍ
が、２０≦ｍ≦８０の範囲内にある材料から実質的に成
るターゲットを使用できる。このターゲットによれば、
上記式（１１）で表される材料から実質的に成る層が形
成される。
【００８６】あるいは、スパッタリングターゲットは、
式（２１０）、即ち、（ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2Ｏ3）y（Ｓ
ｉＯ2）100-x-y（ｍｏｌ％）で表され、ｘおよびｙがそ
れぞれ、２０≦ｘ≦７０、および２０≦ｙ≦６０の範囲
内にあり、且つ６０≦ｘ＋ｙ≦９０である材料から実質
的に成るものであってよい。このターゲットによれば、
上記式（２１）で表される材料から実質的に成る層が形
成される。
【００８７】あるいは、スパッタリングターゲットは、
上記式（２２０）、即ち、（ＺｒＳｉＯ4）z（Ｃｒ
2Ｏ3）100-z（ｍｏｌ％）で表され、ｚが２５≦ｚ≦６
７の範囲内にある材料から実質的に成るものであってよ
い。このターゲットによれば、式（２２）で表される材
料から実質的に成る層が形成される。
【００８８】あるいは、スパッタリングターゲットは、
上記式（３０）、即ち、（ＺｒＯ2）c（Ｃｒ2Ｏ3）
e（Ｄ）f（ＳｉＯ2）100-c-e-f（ｍｏｌ％）で表され、
Ｄが、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、ｃ、ｅお
よびｆがそれぞれ、２０≦ｃ≦６０、および２０≦ｅ≦
６０、１０≦ｆ≦４０の範囲内にあり、且つ６０≦ｃ＋
ｅ＋ｆ≦９０である材料から実質的に成るものであって
よい。このターゲットによれば、式（３）で表される材
料から実質的に成る層が形成される。
【００８９】あるいは、スパッタリングターゲットは、
上記式（３１０）、即ち、（ＺｒＳｉＯ4）a（Ｃｒ
2Ｏ3）b（Ｄ）100-a-b（ｍｏｌ％）で表され、Ｄが、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、ａおよびｂがそれ
ぞれ、２５≦ａ≦５４、および２５≦ｂ≦６３の範囲内
にあり、且つ５０≦ａ＋ｂ≦８８である材料から実質的
に成るものであってよい。このターゲットによれば、式
（３１）で表される材料から実質的に成る層が形成され
る。
【００９０】次に、工程ｂを実施して、第１の誘電体層
２の表面に、記録層４を成膜する。工程ｂもまた、スパ
ッタリングにより実施される。スパッタリングは、直流
電源を用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスとＮ
2ガスの混合ガス雰囲気中で実施する。スパッタリング
ターゲットは、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅおよびＳｂ−Ｔｅのうち、
いずれか１つの材料を含むものを使用する。成膜後の記
録層４は非晶質状態である。
【００９１】次に、工程ｃを実施して、記録層４の表面
に、第２の誘電体層６を成膜する。工程ｃは、工程ａと
同様に実施される。第２の誘電体層６は、第１の誘電体
層２とは、異なる材料から成るスパッタリングターゲッ
トを用いて形成してよい。
【００９２】次に、工程ｄを実施して、第２の誘電体層
６の表面に、光吸収補正層７を成膜する。工程ｄにおい
ては、直流電源または高周波電源を用いて、スパッタリ
ングを実施する。スパッタリングターゲットとして、Ｇ
ｅ−Ｃｒ、およびＧｅ−Ｍｏ等の非晶質Ｇｅ合金、Ｓｉ
−ＣｒおよびＳｉ−Ｍｏ等の非晶質Ｓｉ合金、Ｔｅ化
物、ならびにＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、ＳｎＴｅ、およびＰｂＴｅ等の結晶性の金属、半金
属、および半導体材料から選択される材料から成るもの
を用いる。スパッタリングは、一般には、Ａｒガス雰囲
気中で実施する。
【００９３】次に、工程ｅを実施して、光吸収補正層７
の表面に、反射層８を成膜する。工程ｅはスパッタリン
グにより実施される。スパッタリングは、直流電源また
は高周波電源を用いて、Ａｒガス雰囲気中で実施する。
スパッタリングターゲットとしては、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ
−Ｔｉ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−
Ｔｉ、またはＡｕ−Ｃｒ等の合金材料より成るものを使
用できる。
【００９４】上記のように、工程ａ〜ｅは、いずれもス
パッタリング工程である。したがって、工程ａ〜ｅは、
１つのスパッタリング装置内において、ターゲットを順
次変更して連続的に実施してよい。あるいは、工程ａ〜
ｅはそれぞれ独立したスパッタリング装置を用いて実施
してよい。
【００９５】反射層８を成膜した後、第１誘電体層２か
ら反射層８まで順次積層した基板１をスパッタリング装
置から取り出す。それから、反射層８の表面に、紫外線
硬化性樹脂を例えばスピンコート法により塗布する。塗
布した紫外線硬化性樹脂に、ダミー基板１０を密着させ
て、紫外線をダミー基板１０側から照射して、樹脂を硬
化させ、貼り合わせ工程を終了させる。
【００９６】貼り合わせ工程が終了した後は、必要に応
じて初期化工程を実施する。初期化工程は、非晶質状態
である記録層４を、例えば半導体レーザを照射して、結
晶化温度以上に昇温して結晶化させる工程である。初期
化工程は貼り合わせ工程の前に実施してもよい。このよ
うに、工程ａ〜ｅ、接着層の形成工程、およびダミー基
板の貼り合わせ工程を順次実施することにより、実施の
形態１の情報記録媒体２５を製造することができる。
【００９７】（実施の形態２）本発明の実施の形態２と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る、光情報記録媒体の別の例を説明する。図２に、その
光情報記録媒体の一部断面を示す。
【００９８】図２に示す情報記録媒体２６は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層２、記録層４、第２の界
面層１０５、第２の誘電体層１０６、光吸収補正層７、
および反射層８がこの順に形成され、さらに接着層９で
ダミー基板１０が接着された構成を有する。図２に示す
情報記録媒体２６は、第１の界面層１０３を有していな
い点において、図１０に示す従来の情報記録媒体３１と
相違する。また、情報記録媒体２６は、記録層４の上に
第２の界面層１０５を介して第２の誘電体層１０６が積
層されている点において、図１に示す実施の形態１の情
報記録媒体２５と相違する。情報記録媒体２６において
は、第１の誘電体層２が、実施の形態１と同様に、Ｚｒ
−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料
層である。その他、図２において、図１で使用した符号
と同じ符号は、同じ要素を表し、図１を参照して説明し
た材料および方法で形成されるものである。したがっ
て、図１に関連して既に説明した要素については、その
詳細な説明を省略する。
【００９９】この形態の情報記録媒体２６は、第２の誘
電体層１０６を、従来の情報記録媒体で使用されていた
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形成した構成に相当す
る。したがって、第２の界面層１０５は、繰り返しの記
録により第２の誘電体層１０６と記録層４との間で生じ
る物質移動を防止するために設けられる。第２の界面層
１０５はＳｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｇ
ｅ−ＮもしくはＴａ−Ｎ等の窒化物またはこれらを含む
窒化酸化物、あるいはＳｉＣ等の炭化物で形成される。
あるいは、第２の界面層１０５は、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材
料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層であってもよ
い。界面層の厚さは１〜１０ｎｍであることが好まし
く、２〜７ｎｍであることがより好ましい。界面層の厚
さが大きいと、基板１の表面に形成された第１の誘電体
層２から反射層８までの積層体の光反射率および光吸収
率が変化して、記録消去性能に影響を与える。
【０１００】続いて、実施の形態２の情報記録媒体２６
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２６は、基板
１の案内溝が形成された表面に第１の誘電体層２を成膜
する工程（工程ａ）、記録層４を成膜する工程（工程
ｂ）、第２の界面層１０５を成膜する工程（工程ｆ）、
第２の誘電体層１０６を成膜する工程（工程ｇ）、光吸
収補正層７を成膜する工程（工程ｄ）および反射層８を
成膜する工程（工程ｅ）を順次実施し、さらに反射層８
の表面に接着層９を形成する工程、およびダミー基板１
０を貼り合わせる工程を実施することにより、製造され
る。工程ａ、ｂ、ｄ、およびｅは、実施の形態１に関連
して説明したとおりであるから、ここではその説明を省
略する。以下、実施の形態１の情報記録媒体の製造にお
いて実施されない工程のみ、説明する。
【０１０１】工程ｆは、記録層４を形成した後で実施さ
れ、記録層４の表面に第２の界面層１０５を成膜する工
程である。工程ｆにおいては、高周波電源を用いて、ス
パッタリングを実施する。スパッタリングは、例えば、
Ｇｅを含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガ
スとＮ2ガスの混合ガス雰囲気中で実施する、反応性ス
パッタリングであってよい。この反応性スパッタリング
によれば、Ｇｅ−Ｎを含む界面層が記録層４の表面に形
成される。
【０１０２】次に、工程ｇを実施して、第２の界面層１
０５の表面に、第２の誘電体層１０６を成膜する。工程
ｇにおいては、高周波電源を使用し、例えばＺｎＳ−２
０ｍｏｌ％ＳｉＯ2から成るスパッタリングターゲット
を用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスとＯ2ガ
スの混合ガス雰囲気中で、スパッタリングを実施する。
それにより、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2から成る層
が形成される。その後、ダミー基板１０を貼り合わせる
工程が終了した後、実施の形態１に関連して説明したよ
うに、必要に応じて初期化工程を実施して、情報記録媒
体２６を得る。
【０１０３】（実施の形態３）本発明の実施の形態３と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る、光情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図３
に、その光情報記録媒体の一部断面を示す。
【０１０４】図３に示す情報記録媒体２７は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層１０２、第１の界面層１
０３、記録層４、第２の誘電体層６、光吸収補正層７、
および反射層８がこの順に形成され、さらに接着層９で
ダミー基板１０が接着された構成を有する。図３に示す
情報記録媒体２７は、第２の界面層１０５を有していな
い点において、図１０に示す従来の情報記録媒体３１と
相違する。また、情報記録媒体２７は、基板１と記録層
４の間に第１の誘電体層１０２と第１の界面層１０３が
この順に積層されている点において、図１に示す実施の
形態１の情報記録媒体２５と相違する。情報記録媒体２
７においては、第２の誘電体層６が、実施の形態１と同
様に、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ
−Ｏ系材料層である。その他、図３において、図１で使
用した符号と同じ符号は、同じ要素を表し、図１を参照
して説明した材料および方法で形成されるものである。
したがって、図１で既に説明した要素については、その
詳細な説明を省略する。
【０１０５】この形態の情報記録媒体２７は、第１の誘
電体層１０２を、従来の情報記録媒体で使用されていた
ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形成した構成に相当す
る。したがって、第１の界面層１０３は、繰り返しの記
録により第１の誘電体層１０２と記録層４との間で生じ
る物質移動を防止するために設けられる。第１の界面層
１０３の好ましい材料および厚さは、図２を参照して説
明した実施の形態２の情報記録媒体２６の第２の界面層
１０５と同じである。したがって、それについての詳細
な説明は省略する。
【０１０６】続いて、実施の形態３の情報記録媒体２７
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２７は、基板
１の案内溝が形成された面に第１の誘電体層１０２を成
膜する工程（工程ｈ）、第１の界面層１０３を成膜する
工程（工程ｉ）、記録層４を成膜する工程（工程ｂ）、
第２の誘電体層６を成膜する工程（工程ｃ）、光吸収補
正層７を成膜する工程（工程ｄ）および反射層８を成膜
する工程（工程ｅ）を順次実施し、さらに反射層８の表
面に接着層９を形成する工程、およびダミー基板１０を
貼り合わせる工程を実施することにより、製造される。
工程ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、実施の形態１に関連して
説明したとおりであるから、ここではその説明を省略す
る。以下、実施の形態１の情報記録媒体の製造において
実施されない工程のみ、説明する。
【０１０７】工程ｈは、基板１の表面に第１の誘電体層
１０２を成膜する工程である。その具体的な方法は、実
施の形態２の製造方法に関連して説明した工程ｇと同様
である。工程ｉは、第１の誘電体層１０２の表面に第１
の界面層１０３を成膜する工程である。その具体的な方
法は、実施の形態２の製造方法に関連して説明した工程
ｆと同様である。その後、ダミー基板１０を貼り合わせ
る工程が終了した後、実施の形態１に関連して説明した
ように、必要に応じて初期化工程を実施して、情報記録
媒体２７を得る。
【０１０８】（実施の形態４）本発明の実施の形態４と
して、レーザ光を情報の記録および再生を実施する、光
情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図４に、その
光情報記録媒体の一部断面を示す。
【０１０９】図４に示す情報記録媒体２８は、基板１０
１の一方の表面に反射層８、第２の誘電体層６、記録層
４、および第１の誘電体層２をこの順に形成し、さらに
接着層９でダミー基板１１０が接着された構成を有す
る。この情報記録媒体２８は、第１の界面層１０３およ
び第２の界面層１０５を有していない点において図１０
に示す従来の情報記録媒体３１と相違する。また、この
構成の情報記録媒体は、光吸収補正層７を有していない
点において図１に示す構成の情報記録媒体２５と相違す
る。
【０１１０】この構成の情報記録媒体２８には、ダミー
基板１１０側からレーザ光１２が入射され、それにより
情報の記録および再生が実施される。情報記録媒体の記
録密度を高くするためには、短波長のレーザ光を使用す
るとともに、レーザビームをより絞り込んで、記録層に
小さな記録マークを形成する必要がある。ビームを絞り
込むためには、対物レンズの開口数ＮＡをより大きくす
ることが必要となる。しかし、ＮＡが大きくなると、焦
点位置が浅くなる。そこで、レーザ光が入射する基板を
薄くする必要がある。図４に示す情報記録媒体２８にお
いて、レーザ光が入射される側のダミー基板１１０は、
記録層等を形成する際の支持体として機能する必要がな
いため、その厚さを小さくすることができる。したがっ
て、この構成によれば、より高密度の記録が可能な大容
量情報記録媒体２８を得ることができる。具体的には、
この構成によれば、波長約４０５ｎｍの青紫色域のレー
ザ光を記録再生に使用する、容量が２５ＧＢの情報記録
媒体を得ることができる。
【０１１１】この情報記録媒体においても、第１および
第２の誘電体層２および６は、実施の形態１と同様に、
Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系
材料層である。Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層およびＺｒ−Ｃ
ｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層は、反射層等の形成順序および記
録容量に関係無く、誘電体層として適用される。Ｚｒ−
Ｃｒ−Ｏ系材料層およびＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層
に含まれる材料は、実施の形態１に関連して説明したと
おりであるから、それらについての詳細な説明は省略す
る。
【０１１２】前述のように、この情報記録媒体２８は、
短い波長のレーザ光で記録再生するのに適している。し
たがって、第１および第２の誘電体層２および６の厚さ
は、例えば、λ＝４０５ｎｍであるときの好ましい光路
長から求める。情報記録媒体２８の記録マークの再生信
号振幅を大きくして信号品質を向上させるために、例え
ば２０％≦Ｒｃ且つＲａ≦５％を満足するように第１の
誘電体層２および第２の誘電体層６の光路長ｎｄをマト
リクス法に基づく計算により厳密に決定した。その結
果、前述のような屈折率を有するＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料
またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層を第１および第２
の誘電体層２および６とする場合、第１の誘電体層２の
厚さは好ましくは３０ｎｍ〜１００ｎｍであり、より好
ましくは５０ｎｍ〜８０ｎｍであることが判った。ま
た、第２の誘電体層６の厚さは、好ましくは３ｎｍ〜５
０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍであ
ることが判った。
【０１１３】基板１０１は、実施の形態１の基板１と同
様、透明な円盤状の板である。基板１０１の反射層等を
形成する側の表面には、レーザ光を導くための案内溝が
形成されていてもよい。案内溝を形成した場合、実施の
形態１と同様に、面２３をグルーブ面２３と呼び、面２
４をランド面と呼ぶ。基板１０１においてグル−ブ面２
３とランド面２４の段差は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである
ことが好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍであることがより
好ましい。また、層を形成しない側の表面は、平滑であ
ることが望ましい。基板１０１の材料としては、実施の
形態１の基板１の材料と同じ材料を挙げることができ
る。基板１０１の厚さは、好ましくは１．０〜１．２ｍ
ｍ程度である。基板１０１の好ましい厚さは、実施の形
態１の基板１のそれよりも大きい。これは、後述するよ
うに、ダミー基板１１０の厚さが薄いために、基板１０
１で情報記録媒体の強度を確保する必要があることによ
る。
【０１１４】ダミー基板１１０は、基板１０１同様、透
明な円盤状の板である。前述のように、図４に示す構成
によれば、ダミー基板１１０の厚さを小さくすることに
よって、短波長のレーザ光で記録することが可能とな
る。したがって、ダミー基板１１０の厚さは、４０μｍ
〜１１０μｍであることが好ましい。接着層９とダミー
基板１１０を合わせた厚さが５０μｍ〜１２０μｍであ
ることがより好ましい。
【０１１５】ダミー基板１１０は薄いので、ポリカーボ
ネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ
のような樹脂で形成することが好ましく、特にポリカー
ボネートで形成することが好ましい。また、ダミー基板
１１０は、レーザ光１２入射側に位置するため、光学的
には短波長域における複屈折が小さいものであることが
好ましい。
【０１１６】接着層９は、透明な紫外線硬化性樹脂で形
成することが好ましい。接着層９の厚さは５〜１５μｍ
であることが好ましい。接着層９がダミー基板１１０の
機能を兼ね備え、５０μｍ〜１２０μｍの厚さとなるよ
うに形成できれば、ダミー基板１１０を省略することも
できる。
【０１１７】その他、実施の形態１と同一の符号を付し
た要素は、既に実施の形態１に関連して説明したとおり
であるので、その説明を省略する。
【０１１８】この形態の情報記録媒体の変形例において
は、例えば、第１の誘電体層のみをＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材
料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層とし、第２の
誘電体層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形成して、
第２の誘電体層と記録層との間に第２の界面層を形成し
得る。また、この形態の情報記録媒体の別の変形例にお
いては、第２の誘電体層のみをＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料ま
たはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層とし、第１の誘電体
層をＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2として、第１の誘電
体層と記録層との間に第１の界面層を形成し得る。
【０１１９】続いて、実施の形態４の情報記録媒体２８
の製造方法を説明する。情報記録媒体２８は、案内溝
（グルーブ面２３とランド面２４）が形成された基板１
０１を成膜装置に配置し、基板１０１の案内溝が形成さ
れた表面に反射層８を成膜する工程（工程ｅ）、第２の
誘電体層６を成膜する工程（工程ｃ）、記録層４を成膜
する工程（工程ｂ）、および第１の誘電体層２を成膜す
る工程（工程ａ）を順次実施し、さらに、第１の誘電体
層２の表面に接着層９を形成する工程、およびダミー基
板１１０を貼り合わせる工程を実施することにより、製
造される。
【０１２０】最初に、工程ｅを実施して、基板１０１の
案内溝が形成された面に、反射層８を成膜する。工程ｅ
を実施する具体的な方法は、実施の形態１に関連して説
明したとおりである。次に、工程ｃ、工程ｂ、および工
程ａをこの順に実施する。工程ｃ、ｂおよびａを実施す
る具体的な方法は、実施の形態１に関連して説明したと
おりである。この形態の情報記録媒体の製造方法におい
ては、各工程の実施順序が、実施の形態１の情報記録媒
体の製造方法におけるそれと異なる。
【０１２１】第１の誘電体層２を成膜した後、反射層８
から第１の誘電体層２まで順次積層した基板１０１を、
スパッタリング装置から取り出す。それから、第１の誘
電体層２の上に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコー
ト法により塗布する。塗布した紫外線硬化性樹脂に、ダ
ミー基板１１０を密着させて、紫外線をダミー基板１１
０側から照射して樹脂を硬化させ、貼り合わせ工程を終
了させる。接着層９を、６０μｍ〜１２０μｍの厚さと
なるように形成し、これに紫外線を照射することによっ
て、ダミー基板１１０を貼り合わせる工程を省略するこ
とができる。
【０１２２】貼り合わせ工程が終了した後は、必要に応
じて初期化工程を実施する。初期化工程の方法は、実施
の形態１に関連して説明したとおりである。
【０１２３】（実施の形態５）本発明の実施の形態５と
して、レーザ光を用いて記録および再生を実施する、光
情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図５に、その
光情報記録媒体の一部断面を示す。
【０１２４】図５に示す情報記録媒体２９は、基板１０
１の一方の表面に第２情報層２２、中間層１６、および
第１情報層２１がこの順に形成され、さらに接着層９を
介してダミー基板１１０が積層された構成である。より
詳しくは、第２情報層２２は、基板１０１の一方の表面
に第２の反射層２０、第５の誘電体層１９、第２の記録
層１８、および第４の誘電体層１７がこの順に形成され
て成る。中間層１６は、第４の誘電体層１７の表面に形
成される。第１情報層２１は、この中間層１６の表面
に、第３の誘電体層１５、第１の反射層１４、第２の誘
電体層６、第１の記録層１３、および第１の誘電体層２
がこの順に形成されて成る。この形態においても、レー
ザ光１２は、ダミー基板１１０の側から入射される。ま
た、この形態の情報記録媒体においては、２つの記録層
にそれぞれ情報を記録できる。したがって、この構成に
よれば、上記実施の形態４の２倍程度の容量を有する、
情報記録媒体を得ることができる。具体的には、この構
成によれば、例えば、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域の
レーザ光を記録再生に使用する、容量が５０ＧＢの情報
記録媒体を得ることができる。
【０１２５】第１情報層２１における記録再生は、ダミ
ー基板１１０を通過したレーザ光１２によって行われ
る。第２情報層２２における記録再生は、ダミー基板１
１０、第１情報層２１および中間層１６を通過したレー
ザ光１２によって実施される。
【０１２６】図５に示す形態の情報記録媒体２９におい
ても、第５の誘電体層１９、第４の誘電体層１７、第２
の誘電体層６、および第１の誘電体層２はいずれも、Ｚ
ｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材
料層であることが好ましい。それらの材料層を使用すれ
ば、第１の記録層１３と第１の誘電体層２との間、第１
の記録層１３と第２の誘電体層６との間、第２の記録層
１８と第４の誘電体層１７との間、第２の記録層１８と
第５の誘電体層１９との間の界面層が不要となる。Ｚｒ
−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料
層の具体的な材料は、実施の形態１に関連して説明した
とおりであるから、それらについての詳細な説明は省略
する。
【０１２７】第５の誘電体層１９と第２の誘電体層６
は、反射層と記録層との間で断熱層として機能する。そ
のため、第５および第２の誘電体層１９および６は、式
（ＺｒＯ2）X（Ｃｒ2Ｏ3）Y（ＳｉＯ2）100-X-Y（即
ち、式（２１））で表される材料、または式（Ｚｒ
Ｏ2）C（Ｃｒ2Ｏ3）E（Ｄ）F（ＳｉＯ2）100-C-E-F（即
ち、式（３））で表される材料から実質的に成る層であ
ることが好ましい。また、第５および第２の誘電体層１
９および６の膜厚は、好ましくは３ｎｍ〜５０ｎｍであ
り、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０１２８】第４の誘電体層１７および第１の誘電体層
２は、それぞれ第２情報層２２および第１情報層２１に
おいて、レーザ光１２が、記録層１８および１３に到達
する前に入射される層である。そのため、第４および第
１の誘電体層１７および２は、透明で、且つ熱伝導率の
低い材料から成ることが望ましい。そのような材料は、
上記式（２１）および式（３）で表される材料である。
第４および第１の誘電体層１７および２の膜厚は、好ま
しくは３０ｎｍ〜１００ｎｍであり、より好ましくは５
０ｎｍ〜８０ｎｍである。
【０１２９】このように、図５に示すような片面２層構
造の情報記録媒体においても、記録層の両側に位置する
誘電体層をＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−
Ｚｎ−Ｏ系材料層とすることによって、誘電体層を界面
層を介することなく、記録層と直接的に接するように形
成できる。したがって、本発明によれば、片面２層構造
の情報記録媒体についても、全体を構成する層の数を減
らすことができる。また、誘電体層を上記特定の材料層
とすることにより、屈折率や媒体の記録感度を調整し
て、情報記録媒体の種類に応じて最適化することができ
る。
【０１３０】第３の誘電体層１５は、中間層１６と第１
の反射層１４との間に位置する。第３の誘電体層１５
は、第１情報層２１の光透過率を高める機能を有するよ
う、透明で、高い屈折率を有することが好ましい。ま
た、第３の誘電体層１５は、反射層と同様に、第１の記
録層１３の熱を速やかに拡散させる機能を有するよう
に、熱伝導率がより高い材料から成ることが好ましい。
これらの条件を満足する材料は、ＴｉＯ2およびＣｒ2Ｏ
3である。また、（ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）100-M（即
ち、上記式（１１））で表される材料も好ましく用いら
れる。式（１１）で表される材料で第３の誘電体層１５
を形成する場合は、Ｃｒ2Ｏ3の割合が４０ｍｏｌ％以上
となる条件で、組成を変化させることにより、熱伝導率
を調整することが好ましい。ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、また
は（ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）100-Mを使用すると、２．
４〜２．８の大きな屈折率が得られる。第３の誘電体層
１５の膜厚は１０ｎｍ〜３０ｎｍであることが好まし
い。
【０１３１】基板１０１は、実施の形態４の基板１０１
と同様のものである。したがって、ここでは、基板１０
１に関する詳細な説明を省略する。
【０１３２】第２の反射層２０は、実施の形態１の反射
層８と同様のものである。また、第２の記録層１８は、
実施の形態１の記録層４と同様のものである。したがっ
て、ここでは、第２の反射層２０および第２の記録層１
８に関する詳細な説明を省略する。
【０１３３】中間層１６は、第１情報層２１におけるレ
ーザ光の焦点位置と、第２情報層２２における焦点位置
とが有意に異なるようにするために設けられる。中間層
１６には、必要に応じて第１情報層２１側に案内溝が形
成されている。中間層１６は、紫外線硬化性樹脂で形成
することができる。中間層１６は、レーザ光１２が効率
よく第２情報層２２に到達するよう、記録再生する波長
λの光に対して透明であることが望ましい。中間層１６
の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザ光波長λに
より決定される焦点深度ΔＺ以上であることを要する。
ΔＺは、ΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ
＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の時、ΔＺ＝０．２８μ
ｍとなる。さらに、この値の±０．３μｍの範囲内は焦
点深度の範囲に含まれるので、中間層１６は、０．８μ
ｍ以上の厚さであることを要する。また、中間層１６の
厚さは、第１情報層２１の第１の記録層１３および第２
情報層２２の第２の記録層１８間の距離が、対物レンズ
の集光可能な範囲内にあるように、ダミー基板１１０の
厚さと合わせて、使用する対物レンズについて許容でき
る基板厚公差内にすることが好ましい。したがって、中
間層の厚さは１０μｍ〜４０μｍであることが好まし
い。
【０１３４】中間層１６は、必要に応じて樹脂層を複数
層、積層して構成してよい。具体的には、第４の誘電体
層１７を保護する層と、案内溝を有する層との２層構成
にしてよい。
【０１３５】第１の反射層１４は、第１の記録層１３の
熱を速やかに拡散させる機能を有する。また、第２情報
層２２を記録再生する際には、第１情報層２１を透過し
たレーザ光１２を使用するので、第１情報層２１は全体
として高い光透過率を有する必要があり、好ましくは、
４５％以上の光透過率を有する。そのため、第１の反射
層１４は、第２の反射層２０と比較して、その材料およ
び厚さが限定される。第１の反射層１４の光吸収を少な
くするために、第１の反射層１４は、厚さを薄くして、
小さい消衰係数、および大きい熱伝導率を有することが
望ましい。具体的には、第１の反射層１４は、好ましく
は、Ａｇを含む合金で、膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下
となるように形成される。
【０１３６】第１の記録層１３もまた、第１情報層２１
の高い光透過率を確保するために、第２の記録層１８と
比較して、その材料および膜厚が限定される。第１の記
録層１３は、好ましくは、その結晶相における透過率と
その非晶質相における透過率の平均が４５％以上になる
ように形成する。そのため、第１の記録層１３の膜厚は
７ｎｍ以下とすることが好ましい。第１の記録層１３を
構成する材料は、このように薄い膜厚であっても、溶融
急冷によって良好な記録マークが形成され、品質の高い
信号が再生できること、ならびに昇温徐冷により記録マ
ークを消去できることを確保し得るように、選択され
る。具体的には、可逆的相変態材料であるＧｅＴｅ−Ｓ
ｂ2Ｔｅ3系材料のようなＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、またはＧｅ
Ｔｅ−Ｓｂ 2Ｔｅ3系材料のＧｅの一部をＳｎで置換した
Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅで、第１の記録層１３を形成す
ることが好ましい。ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3系材料のよう
なＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、またはＧｅ−Ｂｉ−ＴｅのＧｅの
一部をＳｎで置換したＧｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅを用いる
こともできる。
【０１３７】接着層９は、実施の形態４の接着層９と同
様、透明な紫外線硬化性樹脂で形成することが好まし
い。接着層９の厚さは５〜１５μｍであることが好まし
い。
【０１３８】ダミー基板１１０は、実施の形態４のダミ
ー基板１１０と同様のものである。したがって、ここで
はダミー基板に関する詳細な説明を省略する。また、こ
の形態においても、接着層９がダミー基板１１０の機能
を兼ね備え、５０μｍ〜１２０μｍの厚さとなるように
形成できれば、ダミー基板１１０を省略することもでき
る。
【０１３９】以上において、記録層を有する情報層を２
つ有する構成の情報記録媒体を説明した。複数の記録層
を有する情報記録媒体は、この構成に限定されず、情報
層を３つ以上含む構成とすることも可能である。また、
図示した形態の変形例は、例えば２つの情報層のうち、
一つを可逆的相変態を生じる記録層を有する情報層と
し、一つを非可逆的相変態を生じる記録層を有する情報
層としたものである。
【０１４０】また、情報層を３つ有する情報記録媒体に
おいては、３つの情報層のうち一つを再生専用の情報層
とし、一つを可逆的相変態を生じる記録層を有する情報
層とし、一つを非可逆的相変態を生じる記録層を有する
情報層とすることも可能である。このように、情報層を
２以上有する情報記録媒体には、種々の形態のものがあ
る。いずれの形態においても、誘電体層をＺｒ−Ｃｒ−
Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層とする
ことによって、記録層と誘電体層との間に界面層を設け
る必要を無くすことができる。
【０１４１】続いて、実施の形態５の情報記録媒体２９
を製造する方法を説明する。情報記録媒体２９は、基板
１０１に第２の反射層２０を成膜する工程（工程ｊ）、
第５の誘電体層１９を成膜する工程（工程ｋ）、第２の
記録層１８を成膜する工程（工程ｌ）、および第４の誘
電体層１７を成膜する工程（工程ｍ）を順次実施した
後、第４の誘電体層１７の表面に中間層１６を形成する
工程を実施し、それから中間層１６の表面に第３の誘電
体層１５を成膜する工程（工程ｎ）、第１の反射層１４
を成膜する工程（工程ｏ）、第２の誘電体層６を成膜す
る工程（工程ｐ）、第１の記録層１３を成膜する工程
（工程ｑ）、および第１の誘電体層２を成膜する工程
（工程ｒ）を順次実施し、さらに、第１の誘電体層２の
表面に接着層９を形成する工程、およびダミー基板１１
０を貼り合わせる工程を実施することにより、製造され
る。
【０１４２】工程ｊ〜ｍは、第２情報層２２を形成する
工程に相当する。工程ｊは、基板１０１の案内溝が形成
された面に、第２の反射層２０を成膜する工程である。
工程ｊは、実施の形態１の工程ｅと同様にして実施され
る。次に、工程ｋを実施して、第２の反射層２０の表面
に、第５の誘電体層１９を成膜する。工程ｋは、実施の
形態１の工程ｃと同様にして実施される。次に、工程ｌ
を実施して、第５の誘電体層１９の表面に、第２の記録
層１８を成膜する。工程ｌは、実施の形態１の工程ｂと
同様にして実施される。最後に、工程ｍを実施して、第
２の記録層１８の表面に、第４の誘電体層１７を成膜す
る。工程ｍは、実施の形態１の工程ａと同様にして実施
される。
【０１４３】工程ｊ〜ｍにより第２情報層２２を形成し
た基板１０１を、スパッタリング装置から取り出し、中
間層１６を形成する。中間層１６は次の手順で形成され
る。まず、第４の誘電体層１７の表面に、紫外線硬化性
樹脂を例えばスピンコートにより塗布する。次に、案内
溝が形成されたポリカーボネート基板の案内溝側を、紫
外線硬化性樹脂に密着させる。その状態で紫外線を照射
して樹脂を硬化させた後、案内溝が形成されたポリカー
ボネート基板を剥離する。それにより、案内溝が紫外線
硬化性樹脂に転写されて、図示するような案内溝を有す
る中間層１６が形成される。別法において、中間層１６
は、第４の誘電体層１７を保護する層を紫外線硬化性樹
脂で形成し、その上に案内溝を有する層を形成すること
により、形成してよい。その場合、得られる中間層は２
層構造である。
【０１４４】中間層１６まで形成した基板１０１を再び
スパッタリング装置に配置して、中間層１６の表面に第
１情報層２１を形成する。第１情報層２１を形成する工
程は、工程ｎ〜ｒに相当する。
【０１４５】工程ｎは、中間層１６の案内溝を有する面
に、第３の誘電体層１５を成膜する工程である。工程ｎ
においては、高周波電源を使用し、ＴｉＯ2またはＣｒ2
Ｏ3から成るスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒ
ガス雰囲気中またはＡｒガスとＯ2ガスの混合ガス雰囲
気中で、スパッタリングを実施する。あるいは、工程ｎ
においては、ＺｒＯ2およびＣｒ2Ｏ3の混合物から成る
スパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中
で、スパッタリングを実施してよい。あるいは、工程ｎ
においては、ＴｉまたはＣｒから成るスパッタリングタ
ーゲットを用いて、ＡｒガスとＯ2ガスの混合ガス雰囲
気中にて反応性スパッタリングを実施してよい。
【０１４６】次に、工程ｏを実施して、第３の誘電体層
１５の表面に第１の反射層１４を成膜する。工程ｏにお
いては、直流電源を使用し、Ａｇを含む合金のスパッタ
リングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中でスパッ
タリングを実施する。
【０１４７】次に、工程ｐを実施して、第１の反射層１
４の表面に第２の誘電体層６を成膜する。工程ｐは、工
程ｋと同様にして実施される。
【０１４８】次に、工程ｑを実施して、第２の誘電体層
６の表面に第１の記録層１３を成膜する。工程ｑにおい
ては、直流電源を使用し、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、およびＧｅ−Ｓｎ−
Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅから選択されるいずれか１つの材料を
含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲
気中またはＡｒガスとＮ2ガスの混合ガス雰囲気中でス
パッタリングを実施する。
【０１４９】次に、工程ｒを実施して、第１の記録層１
３の表面に第１の誘電体層２を成膜する。工程ｒは工程
ｍと同様にして実施される。このように、工程ｎ〜ｒを
順次実施して、第１情報層２１を形成する。
【０１５０】第１情報層２１まで形成した基板１０１を
スパッタリング装置から取り出す。それから、第１の誘
電体層２の表面に、紫外線硬化性樹脂を例えばスピンコ
ート法により塗布する。塗布した紫外線硬化性樹脂に、
ダミー基板１１０を密着させて、紫外線をダミー基板１
１０側から照射して樹脂を硬化させ、貼り合わせ工程を
終了させる。実施の形態５の情報記録媒体の製造方法に
おいても、実施の形態４の情報記録媒体の製造方法と同
様にして、ダミー基板１１０を貼り合わせる工程を省略
することもできる。
【０１５１】貼り合わせ工程が終了した後は、必要に応
じて、第２情報層２２および第１情報層２１の初期化工
程を実施する。初期化工程は、中間層を形成する前もし
くは後に、第２情報層２２について実施し、ダミー基板
１１０の貼り合わせ工程の前もしくは後に、第１情報層
２１について実施してよい。初期化工程を実施する方法
は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。
【０１５２】（実施の形態６）本発明の実施の形態６と
して、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施す
る情報記録媒体のさらに別の例を説明する。図６に、そ
の光情報記録媒体の一部断面を示す。
【０１５３】図６に示す情報記録媒体３０は、基板１の
一方の表面に、第１の誘電体層１０２、第１の界面層
３、記録層４、第２の界面層５、第２の誘電体層１０
６、光吸収補正層７、および反射層８がこの順に形成さ
れ、さらに接着層９でダミー基板１０が接着された構成
を有する。図６に示す情報記録媒体３０においては、第
１および第２の界面層３および５を、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系
材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層としてい
る。その他、図６において、図１で使用した符号と同じ
符号は、同じ要素を表し、図１を参照して説明した材料
および方法で形成されるものである。したがって、図１
を参照して既に説明した要素については、その詳細な説
明を省略する。
【０１５４】この形態の情報記録媒体は、第１および第
２の誘電体層１０２および１０６を、従来の情報記録媒
体で使用されていたＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2で形
成した構成に相当する。このような構成において、Ｚｒ
−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料
層は、第１および第２の界面層３および５として使用で
きる。第１および第２の界面層３および５の好ましい材
料は、実施の形態１の第１および第２の誘電体層２およ
び６のそれと同じである。したがって、それらについて
の詳細な説明は省略する。第１および第２の界面層３お
よび５の厚さは、記録消去性能に影響を与えないよう
に、１〜１０ｎｍであることが好ましく、約２〜７ｎｍ
であることがより好ましい。Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層ま
たはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層である界面層は、従
来のＧｅを含む窒化物から成る界面層と比較して、材料
コストが安価である、消衰係数が小さい（透明性が高
い）、ならびに融点が高く熱的に安定であるといった利
点を有する。
【０１５５】続いて、実施の形態６の情報記録媒体３０
を製造する方法を説明する。情報記録媒体３０は、基板
１の案内溝が形成された面に第１の誘電体層１０２を成
膜する工程（工程ｈ）、第１の界面層３を成膜する工程
（工程ｓ）、記録層４を成膜する工程（工程ｂ）、第２
の界面層５を成膜する工程（工程ｔ）、第２の誘電体層
１０６を成膜する工程（工程ｇ）、光吸収補正層７を成
膜する工程（工程ｄ）および反射層８を成膜する工程
（工程ｅ）を順次実施し、さらに反射層８の表面に接着
層９を形成する工程、およびダミー基板１０を貼り合わ
せる工程を実施することにより、製造される。工程ｂ、
ｄおよびｅは、実施の形態１に関連して説明したとおり
であり、工程ｇは実施の形態２に関連して説明したとお
りであり、工程ｈは実施の形態３に関連して説明したと
おりであるから、ここでは、その説明を省略する。
【０１５６】工程ｓは、第１の誘電体層１０２の表面に
第１の界面層３を成膜する工程である。工程ｓは、実施
の形態１の工程ａと同様にして実施される。工程ｔは、
記録層４の表面に第２の界面層５を成膜する工程であ
る。工程ｔは、実施の形態１の工程ｃと同様にして実施
される。
【０１５７】以上、図１〜図６を参照して、本発明の情
報記録媒体の実施形態として、レーザ光で記録再生する
光情報記録媒体を説明した。本発明の光情報記録媒体は
これらの形態に限定されない。本発明の光情報記録媒体
は、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−
Ｏ系材料層を、構成層の１つとして、好ましくは記録層
と接するように設ける限りにおいて、任意の形態をとり
うる。また、本発明の光情報記録媒体は、種々の波長で
記録するのに適している。したがって、本発明の光情報
記録媒体は、例えば、波長６３０〜６８０ｎｍのレーザ
光で記録再生するＤＶＤ−ＲＡＭまたはＤＶＤ−Ｒ、お
よび波長４００〜４５０ｎｍのレーザ光で記録再生する
大容量光ディスク等であってよい。
【０１５８】（実施の形態７）本発明の実施の形態７と
して、電気的エネルギーを印加して情報の記録および再
生を実施する情報記録媒体の一例を示す。図８に、その
情報記録媒体の一部断面を示す。
【０１５９】図８は、基板２０１の表面に、下部電極２
０２、記録部２０３および上部電極２０４がこの順に形
成されたメモリ２０７である。メモリ２０７の記録部２
０３は、円柱状の記録層２０５および記録層２０５を取
り囲む誘電体層２０６を含む構成を有する。先に図１〜
図６を参照して説明した光情報記録媒体とは異なり、こ
の形態のメモリ２０７においては、記録層２０５および
誘電体層２０６は、同一面上に形成され、それらは積層
された関係にない。しかし、記録層２０５および誘電体
層２０６はともに、メモリ２０７においては、基板２０
１、下部および上部電極２０２および２０４を含む積層
体の一部を構成しているから、それぞれ「層」と呼び得
るものである。したがって、本発明の情報記録媒体に
は、記録層と誘電体層が同一面上にある形態のものも含
まれる。
【０１６０】基板２０１として、具体的には、Ｓｉ基板
などの半導体基板、またはポリカーボネート基板、Ｓｉ
Ｏ2基板およびＡｌ2Ｏ3基板などの絶縁性基板を、基板
２０１として使用できる。下部電極２０２および上部電
極２０４は、適当な導電材料で形成される。下部電極２
０２および上部電極２０４は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ａｌ、Ｔｉ、ＷおよびＣｒならびにこれらの混合物
のような金属をスパッタリングすることにより形成され
る。
【０１６１】記録部２０３を構成する記録層２０５は、
電気的エネルギーを印加することによって、相変化する
材料から成り、相変化部と称することもできる。記録層
２０５は、電気的エネルギーを印加することによって生
じるジュール熱によって、結晶相と非晶質相との間で相
変化する材料で形成される。記録層２０５の材料として
は、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｂｉ−ＴｅおよびＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅ系材料が使用され、より具体的には、ＧｅＴｅ−Ｓｂ
2Ｔｅ3系又はＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3系材料が使用され
る。
【０１６２】記録部２０３を構成する誘電体層２０６
は、上部電極２０４および下部電極２０２との間に電圧
を印加することによって、記録層２０５に流れた電流が
周辺部に逃げることを防止し、記録層２０５を電気的お
よび熱的に絶縁する機能を有する。したがって、誘電体
層２０６は、断熱部と称することもできる。誘電体層２
０６は、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚ
ｎ−Ｏ系材料層であり、具体的には、上記式（１）、
（１１）、（２）、（２１）、（２２）、（３）または
（３１）で表される材料から実質的に成る層である。Ｚ
ｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層およびＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材
料層は、高融点であること、加熱された場合でも材料層
中の原子が拡散しにくいこと、ならびに熱伝導率が低い
ことから、好ましく用いられる。
【０１６３】このメモリ２０７については、後述の実施
例において、その作動方法とともにさらに説明する。
【０１６４】
【実施例】（試験１）まず、本発明の情報記録媒体の製
造方法において用いられるＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系スパッタリ
ングターゲットの公称組成（換言すれば、市販に際して
ターゲットメーカーが公に表示している組成）、その分
析組成、およびこのターゲットを用いて得られるＺｒ−
Ｃｒ−Ｏ系材料層の分析組成の関係について試験により
確認した。
【０１６５】本試験では、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料の１つ
であるＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3系材料から成るスパッタリン
グターゲットの組成分析を行い、その公称組成と分析組
成との相違を調べた。より詳細には、式（１１０）：
【化２９】 （ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）100-m（ｍｏｌ％）...（１１０） で公称組成が表記され、ｍの値の異なる（ｍ＝２０およ
び８０）２種類のスパッタリングターゲットを粉末状に
し、Ｘ線マイクロアナライザ−法により組成分析を行っ
た。この結果、スパッタリングターゲットの分析組成
が、化合物基準（本試験では酸化物基準）の式（１１
０）ではなく、元素基準の式（１０）：
【化３０】ＺｒJＣｒKＯ100-J-K（原子％）...（１０） で得られた。得られたターゲットの分析組成を表１に示
す。また、スパッタリングターゲットの公称組成（ｍｏ
ｌ％）は酸化物の比を示した酸化物基準で表記される
が、この公称組成に基づいて、元素基準での換算組成
（原子％）を理論計算により求めた。計算した換算組成
（原子％）を表１に付記する。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】表１に示すように、（ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2
Ｏ3）100-m（ｍｏｌ％）の式（１１０）により公称組成
が表記されるスパッタリングターゲットの粉末を分析し
た結果、ｍ＝２０のターゲットについてＺｒ4Ｃｒ35Ｏ
61（原子％）、ｍ＝８０のターゲットについてＺｒ23Ｃ
ｒ12Ｏ65（原子％）という分析組成が得られた。これら
分析組成は公称組成（ｍｏｌ％）の換算組成（原子％）
とほぼ等しかった。従って、（ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）
100-m（ｍｏｌ％）の式（１１０）により表記する場合
に、ｍが２０≦ｍ≦８０を満たすターゲット組成は、Ｚ
ｒJＣｒKＯ100- J-K（原子％）の式（１０）により表記
する場合に、ＪおよびＫが、３≦Ｊ≦２４、１１≦Ｋ≦
３６、３４≦Ｊ＋Ｋ≦４０を満たすことがわかる。
【０１６８】さらに、上記２種の公称組成（ｍｏｌ％）
を有するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリ
ング法により誘電体層としてＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を
形成し、この誘電体層をＸ線マイクロアナライザ−法に
より組成分析した。この結果、誘電体層の分析組成が、
酸化物基準の式（１１）：
【化３１】 （ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）100-M（ｍｏｌ％）...（１１） ではなく、元素基準の式（１）：
【化３２】ＺｒQＣｒRＯ100-Q-R（原子％）...（１） で得られた。誘電体層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層）の分
析組成を表１に示す。
【０１６９】本試験において、誘電体層は、表１に示す
公称組成を有するスパッタリングターゲット（直径１０
０ｍｍ、厚み６ｍｍ）を一般的な成膜装置（スパッタリ
ング装置）に取り付け、０．１３Ｐａの圧力下、Ａｒガ
ス（１００％）の雰囲気中で、高周波電源を用いて５０
０Ｗのパワーでスパッタリングすることによって、Ｓｉ
基板上に５００ｎｍの厚さで形成した。
【０１７０】（ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）100-m（ｍｏｌ
％）の式（１１０）によって表記されるスパッタリング
ターゲットを用いてスパッタリング法により形成した誘
電体層の分析組成は、スパッタリングターゲットの換算
組成および分析組成のいずれにも極めて近かった。
【０１７１】よって、誘電体層の分析組成の式（１）に
おけるＱおよびＲは、スパッタリングターゲットの分析
組成の式（１０）におけるＪおよびＫと同様に、３≦Ｑ
≦２４、１１≦Ｒ≦３６、３４≦Ｑ＋Ｒ≦４０を満たす
ことが望ましい。しかしながら、誘電体層の組成は、成
膜装置の構造や成膜条件、スパッタリングターゲットの
大きさ、雰囲気ガスの組成等により、同じスパッタリン
グターゲットをスパッタリングしても違いが生じること
が起こり得る。このような可能性を考慮した結果、上記
式（１）におけるＱおよびＲは、０＜Ｑ≦３０、７＜Ｒ
≦３７、２０≦Ｑ＋Ｒ≦６０を満たすことが好ましく、
より好ましくは３≦Ｑ≦２４、１１≦Ｒ≦３６、３４≦
Ｑ＋Ｒ≦４０を満たす。
【０１７２】また、誘電体層の分析により検出されたＺ
ｒおよびＣｒは、一般的には、それぞれＺｒＯ2および
Ｃｒ2Ｏ3の形態で誘電体層にて安定に存在していると考
えられる。よって、本試験のようにスパッタリングター
ゲットの分析により検出されたＺｒおよびＣｒの含有量
と誘電体層の分析により検出されたＺｒおよびＣｒの含
有量とがほぼ等しい場合、スパッタリングターゲットの
公称組成（ｍｏｌ％）は、該スパッタリングターゲット
を用いてスパッタリング法により形成された誘電体層の
組成（ｍｏｌ％）と同様であると考えられる。この結
果、（ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）100-m（ｍｏｌ％）の式
（１１０）で公称組成が表記されるスパッタリングター
ゲットを用いてスパッタリング法により形成した誘電体
層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層）は、（ＺｒＯ2）M（Ｃｒ
2Ｏ3）100-M（ｍｏｌ％）の式（１１）で表記され、こ
こで、Ｍは、式（１１０）におけるｍと実質的に同じで
あると考えられる。
【０１７３】（試験２）本試験では、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系
材料の1つであるＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料か
ら成るスパッタリングターゲットの組成分析を行い、試
験１と同様に、その公称組成と分析組成との相違を調べ
た。より詳細には、式（２１０）：
【化３３】 （ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2Ｏ3）y（ＳｉＯ2）100-x-y（ｍｏｌ％）...（２１０） で公称組成が表記され、ｘおよびｙの値の異なる（ｘ＝
２０且つｙ＝６０；ｘ＝７０且つｙ＝２０；およびｘ＝
３０且つｙ＝３０）３種類のスパッタリングターゲット
を粉末状にし、試験１と同様に分析した。この結果、ス
パッタリングターゲットの分析組成が、酸化物基準の式
（２１０）ではなく、元素基準の式（２０）：
【化３４】 ＺｒGＣｒHＳｉLＯ100-G-H-L（原子％）...（２０） で得られた。得られたターゲットの分析組成を表２に示
す。また、試験１と同じく、スパッタリングターゲット
の公称組成に基づいて計算した換算組成（原子％）を表
２に付記する。尚、表２に示す換算組成において、全て
の元素の割合の合計は必ずしも１００％になっていない
が、換算組成は適宜四捨五入して計算して得たためであ
る。
【０１７４】
【表２】
【０１７５】表２に示すように、（ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2
Ｏ3）y（ＳｉＯ2）100-x-y（ｍｏｌ％）の式（２１０）
により公称組成が表記されるスパッタリングターゲット
の粉末を分析した結果、ｘ＝２０且つｙ＝６０のターゲ
ットについてＺｒ4.8Ｃｒ29Ｓｉ4.5Ｏ61.7（原子％）、
ｘ＝７０且つｙ＝２０のターゲットについてＺｒ20. 6Ｃ
ｒ11.8Ｓｉ2.5Ｏ65.1（原子％）、ｘ＝３０且つｙ＝３
０のターゲットについてＺｒ8Ｃｒ17Ｓｉ11Ｏ64（原子
％）という分析組成が得られた。これら分析組成は公称
組成（ｍｏｌ％）の換算組成（原子％）とほぼ等しかっ
た。従って、（ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2Ｏ3）y（ＳｉＯ2）
100-x-y（ｍｏｌ％）の式（２１０）により表記する場
合に、ｘおよびｙが、６０≦ｘ＋ｙ≦９０、２０≦ｘ≦
７０および２０≦ｙ≦６０を満たすターゲット組成は、
ＺｒGＣｒHＳｉLＯ100-G-H-L（原子％）の式（２０）に
より表記する場合に、Ｇ、ＨおよびＬが、４≦Ｇ≦２
１、１１≦Ｈ≦３０、２≦Ｌ≦１２、３４≦Ｇ＋Ｈ＋Ｌ
≦４０を満たすことがわかる。
【０１７６】さらに、上記３種の公称組成（ｍｏｌ％）
を有するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリ
ング法により誘電体層としてＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を
形成し、この誘電体層を、試験１と同様に組成分析し
た。この結果、誘電体層の分析組成が、酸化物基準の式
（２１）：
【化３５】（ＺｒＯ2）X（Ｃｒ2Ｏ3）Y（ＳｉＯ2）
100-X-Y（ｍｏｌ％）...（２１） ではなく、元素基準の式（２）：
【化３６】 ＺｒUＣｒVＳｉTＯ100-U-V-T（原子％）...（２） で得られた。誘電体層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層）の分
析組成を表２に示す。
【０１７７】本試験において、誘電体層は、表２に示す
公称組成を有するスパッタリングターゲットを試験１と
同様の条件でスパッタリングすることによって、炭素
（Ｃ）基板上に５００ｎｍの厚さで形成した。
【０１７８】（ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2Ｏ3）y（ＳｉＯ2）
100-x-y（ｍｏｌ％）の式（２１０）によって表記され
るスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法
により形成した誘電体層の分析組成は、試験１の場合と
同様に、スパッタリングターゲットの換算組成および分
析組成のいずれにも極めて近かった。
【０１７９】よって、誘電体層の分析組成の式（２）に
おけるＵ、ＶおよびＴは、スパッタリングターゲットの
分析組成の式（２０）におけるＧ、ＨおよびＬと同様
に、４≦Ｕ≦２１、１１≦Ｖ≦３０、２≦Ｔ≦１２、３
４≦Ｕ＋Ｖ＋Ｔ≦４０を満たすことが望ましい。しかし
ながら、試験１の場合と同様の可能性を考慮した結果、
上記式（２）におけるＵ、ＶおよびＴは、０＜Ｕ≦３
０、７＜Ｖ≦３７、０＜Ｔ≦１４、２０≦Ｕ＋Ｖ＋Ｔ≦
６０を満たすことが好ましく、より好ましくは４≦Ｕ≦
２１、１１≦Ｖ≦３０、２≦Ｔ≦１２、３４≦Ｕ＋Ｖ＋
Ｔ≦４０を満たす。
【０１８０】また、誘電体層の分析により検出されたＺ
ｒ、ＣｒおよびＳｉは、一般的には、それぞれＺｒ
Ｏ2、Ｃｒ2Ｏ3およびＳｉＯ2の形態で誘電体層にて安定
に存在していると考えられる。よって、試験１と同様の
考察により、（ＺｒＯ2）x（Ｃｒ 2Ｏ3）y（ＳｉＯ2）
100-x-y（ｍｏｌ％）の式（２１０）で公称組成が表記
されるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グ法により形成した誘電体層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料
層）は、（ＺｒＯ2）X（Ｃｒ2Ｏ3）Y（ＳｉＯ2）100-X-
Y（ｍｏｌ％）の式（２１）で表記され、ここで、Ｘお
よびＹは、式（２１０）におけるｘおよびｙと実質的に
同じであると考えられる。
【０１８１】試験１および２の結果によれば、スパッタ
リングターゲットの公称組成から得た換算組成は分析組
成に極めて近く、また、本発明者らが採用した条件でＺ
ｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を形成する限り、誘電体層の分析
組成にも近かったので、スパッタリングターゲットの換
算組成（原子％）を、該ターゲットを用いたスパッタリ
ングにより形成した誘電体層の組成（原子％）とみなし
て実質的に差し支えない。また、本発明者らが採用した
条件でＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を形成する限り、スパッ
タリングターゲットの公称組成（ｍｏｌ％）を、誘電体
層の組成（ｍｏｌ％）とみなして実質的に差し支えな
い。
【０１８２】さらに、試験１および２ではＺｒ−Ｃｒ−
Ｏ系材料層について試験したが、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ
系材料層についてもこれと同様であると考えられる。
【０１８３】従って、以下の実施例においては、スパッ
タリングターゲットの組成を公称組成（ｍｏｌ％）で表
し、特に言及しない限り、スパッタリングターゲットお
よび該スパッタリングターゲットを用いるスパッタリン
グ法により形成したＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ
−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層の組成（ｍｏｌ％）は同じも
のと考えた。尚、以下の実施例では、スパッタリングタ
ーゲットおよびＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃ
ｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層の組成を化合物基準（ｍｏｌ％）
でのみ表記するが、当業者であれば化合物基準の組成
（ｍｏｌ％）に基づいて元素基準の組成（原子％）を容
易に換算することができるであろう。
【０１８４】（実施例１）実施例１では、本発明を完成
するに至るまでの予備試験として、実施の形態１にて図
１を参照しながら上述した情報記録媒体２５と同様の構
造を有し、第１の誘電体層および第２の誘電体層が互い
に同じ組成を有する材料から成る情報記録媒体を、これ
ら誘電体層の材料を表３に示すように種々変化させて作
製した。
【０１８５】以下、情報記録媒体の作製方法について説
明するが、理解を容易にするために、各構成要素の参照
番号として図１の情報記録媒体２５における構成要素と
同じ番号を用いるものとする（尚、後述の実施例の情報
記録媒体についてもこれと同様に、対応する情報記録媒
体における構成要素と同じ番号を用いるものとする）。
【０１８６】まず、基板１として、深さ５６ｎｍ、トラ
ックピッチ（基板の主面に平行な面内におけるグルーブ
表面およびランド表面の中心間距離）０．６１５μｍの
案内溝が片側表面に予め設けられた、直径１２０ｍｍ、
厚み０．６ｍｍの円形のポリカーボネート基板を準備し
た。
【０１８７】この基板１の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2）20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を１５０ｎｍの
厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）の記録層
４を９ｎｍの厚さで、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍ
ｏｌ％）の第２の誘電体層６を５０ｎｍの厚さで、Ｇｅ
80Ｃｒ20（原子％）の光吸収補正層７を４０ｎｍの厚さ
で、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層８を８０ｎｍの厚さで、
スパッタリング法により以下のようにして順次成膜し
た。
【０１８８】第１の誘電体層２を成膜する工程において
は、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の組成を
有するスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚
み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー４００Ｗで、
Ａｒガス（９７％）とＯ2ガス（３％）との混合ガスを
導入して高周波スパッタリングを行った。スパッタ時の
圧力は約０．１３Ｐａとした。
【０１８９】記録層４を成膜する工程においては、Ｇｅ
Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系組成のＧｅの一部をＳｎで置
換したＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタ
リングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成
膜装置に取り付け、パワー１００Ｗで、Ａｒガス（９７
％）とＮ2ガス（３％）との混合ガスを導入して直流ス
パッタリングを行った。スパッタ時の圧力は約０．１３
Ｐａとした。
【０１９０】第２の誘電体層６を成膜する工程は、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層６が実質的に同じ組
成を有するように、層厚さを変えたこと以外は上記の第
１の誘電体層２を成膜する工程と同様にして、実施し
た。
【０１９１】光吸収補正層７を成膜する工程において
は、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の組成を有する材料から成
るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６
ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー３００Ｗで、Ａｒ
ガス（１００％）を導入して直流スパッタリングを行っ
た。スパッタ時の圧力は約０．４Ｐａとした。
【０１９２】反射層８を成膜する工程においては、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｃｕの組成を有する材料から成るスパッタリン
グターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装
置に取り付け、パワー２００Ｗで、Ａｒガス（１００
％）を導入して直流スパッタリングを行った。スパッタ
時の圧力は約０．４Ｐａとした。
【０１９３】以上のようにして基板１の上に第１の誘電
体層２、記録層４、第２の誘電体層６、光吸収補正層７
および反射層８を順次成膜して積層体を形成した後、紫
外線硬化性樹脂を反射層８の上に塗布し、塗布した紫外
線硬化性樹脂の上に、ダミー基板１０として直径１２０
ｍｍ、厚み０．６ｍｍの円形のポリカーボネート基板を
密着させた。そして、ダミー基板１０の側から紫外線を
照射して樹脂を硬化させた。これにより、硬化した樹脂
から成る接着層９が３０μｍの厚さで形成され、ダミー
基板１０を接着層９を介して積層体に貼り合わせた。
【０１９４】貼り合わせ後、初期化工程として、波長８
１０ｎｍの半導体レーザを使って、情報記録媒体２５の
記録層４を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領域内で
ほぼ全面に亘って結晶化させた。これにより初期化工程
が終了し、サンプル番号１−１の情報記録媒体２５の作
製が完了した。
【０１９５】さらに、第１の誘電体層２および第２の誘
電体層６の材料が表３に示す材料から成る点を除いてサ
ンプル番号１−１の情報記録媒体２５と同様の構成を有
する、サンプル番号１−２〜１−１６の情報記録媒体２
５を作製した。これら情報記録媒体２５は、第１の誘電
体層および第２の誘電体層の成膜工程を変更した点を除
いて、上記のサンプル番号１−１の情報記録媒体２５の
場合と同様にして作製した。
【０１９６】サンプル番号１−２〜１−１６の情報記録
媒体２５を作製するために、第１の誘電体層２および第
２の誘電体層６の成膜工程において、ＳｉＯ2、Ｚｎ
Ｓ、（ＺｎＳｅ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、Ｚｎ
Ｓｅ、（ＺｎＯ）80（ＳｉＯ2） 20（ｍｏｌ％）、Ｚｎ
Ｏ、Ｃｒ2Ｏ3、（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＳｉＯ2）50（ｍｏｌ
％）、ＺｒＯ2、ＺｒＳｉＯ4、（ＺｒＯ2）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）、Ｇｅ90Ｃｒ10（原子％）、（Ｂ
ｉ2Ｏ3）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）、ＴｅＯ2、およ
び（ＴｅＯ2）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の組成を有
する材料から成るスパッタリングターゲット（いずれも
直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）をそれぞれ用いた。
【０１９７】また、パワーは、スパッタリングターゲッ
トとして用いる材料の融点等に応じて調節し、具体的に
は、サンプル番号１−２については１ｋＷ、サンプル番
号１−３〜１−７についてはサンプル番号１−１と同じ
く４００Ｗ、サンプル番号１−８〜１−１２については
５００Ｗ、サンプル番号１−１３については３００Ｗ、
サンプル番号１−１４〜１−１６については２００Ｗと
した。スパッタ時の圧力は、サンプル番号１−１３で約
１．３３Ｐａとしたが、その他のサンプルではサンプル
番号１−１と同じく約０．１３Ｐａとした。成膜装置に
導入するガスには、サンプル番号１−２および１−１４
〜１−１６についてはサンプル番号１−１と同じくＡｒ
ガス（９７％）とＯ2ガス（３％）との混合ガスを用
い、サンプル番号１−３〜１−１２についてはＡｒガス
（１００％）を用い、サンプル番号１−１３について
は、Ａｒガス（６０％）とＮ2ガス（４０％）との混合
ガスを用いた。
【０１９８】尚、第１および第２の誘電体層の成膜工程
において、サンプル番号１−１３の情報記録媒体の場合
には混合ガス中のＮ2がスパッタリングターゲットから
スパッタされたＧｅおよびＣｒと反応してＧｅ−Ｃｒ−
Ｎの誘電体層を形成した。他のサンプルの場合には、成
膜された誘電体層は、用いたスパッタリングターゲット
と実質的に同じ組成を有するであろうと考えた。
【０１９９】加えて、比較のために、図１０に示すよう
な、第１の誘電体層１０２と記録層４との間および第２
の誘電体層１０６と記録層４との間に、第１の界面層１
０３および第２の界面層１０５をそれぞれ備える従来の
構成の情報記録媒体３１を作製した。第１の界面層１０
３および第２の界面層１０５はいずれもＧｅ−Ｃｒ−Ｎ
から成り、厚さ５ｎｍで形成した。
【０２００】この従来構成の情報記録媒体３１は、第１
の界面層１０３および第２の界面層１０５を成膜した点
を除いてサンプル番号１−１の情報記録媒体と同様の作
製条件により作製した。第１の界面層１０３の成膜工程
においては、Ｇｅ90Ｃｒ10（原子％）の組成を有する材
料から成るスパッタリングターゲット（直径１００ｍ
ｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー３００
Ｗで、Ａｒガス（６０％）とＮ2ガス（４０％）との混
合ガスを導入して、約１．３３Ｐａの圧力下、高周波ス
パッタリングを行った。この結果、混合ガス中のＮ2が
スパッタリングターゲットからスパッタされたＧｅおよ
びＣｒと反応してＧｅ−Ｃｒ−Ｎの第１の界面層１０３
を形成した。第２の界面層１０５の成膜工程もこれと同
様の条件で実施した。
【０２０１】以上のようにして得られたサンプル番号１
−１〜１−１６の情報記録媒体２５および比較例（従来
構成）の情報記録媒体３１について、誘電体層の密着性
および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価し
た。後述するように、密着性は剥離の有無により、繰り
返し書き換え性能は繰り返し回数により評価した。これ
らの結果を表３に示す。尚、サンプル番号１−１〜１−
１６の情報記録媒体２５および比較例の情報記録媒体３
１はいずれも本発明の範囲に属するものでない。
【０２０２】情報記録媒体２５における誘電体層の密着
性の評価は、高温高湿条件下での剥離の有無に基づいて
行った。具体的には、初期化工程後の情報記録媒体２５
を、温度９０℃で相対湿度８０％の高温高湿槽に１００
時間放置した後、記録層とこれに接する誘電体層の間、
より詳細には記録層４と第１の誘電体層２および第２の
誘電体層６の少なくとも一方との間で剥離が発生してい
ないか、光学顕微鏡を使って目視で調べた。もちろん、
剥離の無いものが密着性の評価が高く、剥離の有るもの
は密着性の評価が低い。
【０２０３】また、情報記録媒体２５の繰り返し書き換
え性能の評価は、繰り返し回数を指標として行い、繰り
返し回数は以下の条件で決定した。
【０２０４】情報記録媒体２５に情報を記録するため
に、情報記録媒体２５を回転させるスピンドルモータ
と、レーザ光１２を発する半導体レーザを備えた光学ヘ
ッドと、レーザ光１２を情報記録媒体２５の記録層４上
に集光させる対物レンズとを具備した一般的な構成の情
報記録システムを用いた。情報記録媒体２５の評価にお
いては、波長６６０ｎｍの半導体レーザと開口数０．６
の対物レンズを使用し、４．７ＧＢ容量相当の記録を行
った。情報記録媒体２５を回転させる線速度は８．２ｍ
／秒とした。また、後述の平均ジッタ値を求める際のジ
ッタ値の測定には、タイムインターバルアナライザーを
用いた。
【０２０５】まず、繰り返し回数を決定する際の測定条
件を決めるために、ピークパワー（Ｐｐ）およびバイア
スパワー（Ｐｂ）を以下の手順で設定した。上記のシス
テムを用いて、レーザ光１２を、高パワーレベルのピー
クパワー（ｍＷ）と低パワーレベルのバイアスパワー
（ｍＷ）との間でパワー変調しながら情報記録媒体２５
に向けて照射して、マーク長０．４２μｍ（３Ｔ）〜
１．９６μｍ（１４Ｔ）のランダム信号を（グルーブ記
録により）記録層４の同一のグルーブ表面に１０回記録
した。そして、前端間のジッタ値および後端間のジッタ
値を測定し、これらの平均値として平均ジッタ値を求め
た。バイアスパワーを一定の値に固定し、ピークパワー
を種々変化させた各記録条件について平均ジッタ値を測
定し、ピークパワーを徐々に増加させて、ランダム信号
の平均ジッタ値が１３％に達したときのピークパワーの
１．３倍のパワーを仮にＰｐ１と決めた。次に、ピーク
パワーをＰｐ１に固定し、バイアスパワーを種々変化さ
せた各記録条件について平均ジッタ値を測定し、ランダ
ム信号の平均ジッタ値が１３％以下となったときの、バ
イアスパワーの上限値および下限値の平均値をＰｂに設
定した。そして、バイアスパワーをＰｂに固定し、ピー
クパワーを種々変化させた各記録条件について平均ジッ
タ値を測定し、ピークパワーを徐々に増加させて、ラン
ダム信号の平均ジッタ値が１３％に達したときのピーク
パワーの１．３倍のパワーをＰｐに設定した。このよう
にして設定したＰｐおよびＰｂの条件で記録した場合、
例えば１０回繰り返し記録において、８〜９％の平均ジ
ッタ値が得られた。システムのレーザパワー上限値を考
慮すれば、Ｐｐ≦１４ｍＷ、Ｐｂ≦８ｍＷを満足するこ
とが望ましい。
【０２０６】繰り返し書き換え性能の指標となる繰り返
し回数は、本実施例では平均ジッタ値に基づいて決定し
た。上記のようにして設定したＰｐとＰｂとでレーザ光
をパワー変調しながら情報記録媒体２５に向けて照射し
て、マーク長０．４２μｍ（３Ｔ）〜１．９６μｍ（１
４Ｔ）のランダム信号を（グルーブ記録により）同一の
グルーブ表面に所定回数繰り返して連続記録した後、平
均ジッタ値を測定した。繰り返し回数は、１、２、３、
５、１０、１００、２００および５００回、１０００〜
１００００回の範囲では１０００回毎、ならびに２００
００〜１０００００回の範囲では１００００回毎とし
た。平均ジッタ値が１３％に達したときを繰り返し書き
換えの限界として判断し、このときの繰り返し回数によ
り繰り返し書き換え性能を評価した。もちろん、繰り返
し回数が大きいほど繰り返し書き換え性能が高い。情報
記録媒体が、コンピュータの外部メモリとして用いられ
る場合には、繰り返し回数は１０万回以上が好ましく、
画像音声レコーダ用途であれば１万回以上が好ましい。
【０２０７】
【表３】
【０２０８】表３に示すように、サンプル番号１−１〜
１−１２の情報記録媒体のうち、剥離が無い（密着性が
高い）情報記録媒体（即ち、サンプル番号１−１および
１−３〜１−９）については繰り返し回数が１００００
０回に全く満たない（繰り返し書き換え性能が低い）の
に対して、剥離が有る（密着性が低い）情報記録媒体
（即ち、サンプル番号１−２および１−１０〜１−１
２）については繰り返し回数が１０００００回を上回る
（繰り返し書き換え性能が高い）という傾向が見られ
た。
【０２０９】また、サンプル番号１−１３および１−１
４の情報記録媒体については、ピークパワー１４ｍＷ以
下では十分な記録マークが形成できず、よって、低記録
感度であった。この理由としては、これらサンプルにお
ける誘電体層の材料の熱伝導率が、他のサンプルのもの
に比べて高いことが予想された。
【０２１０】また、サンプル番号１−１５および１−１
６の情報記録媒体では書き換えができず、記録時に誘電
体層の材料が溶けて記録層に混ざっていた。これは、こ
れらサンプルにおける誘電体層の材料の融点が他の材料
のものよりも低いためと考えられる。
【０２１１】これに対して、従来構成の比較例の情報記
録媒体（これは界面層を備える）では、剥離が無く、且
つ、繰り返し回数も１０００００回以上であって、密着
性および繰り返し書き換え性能が共に高かった。
【０２１２】以上のような予備試験の結果によれば、記
録層に接する誘電体層の材料として、酸化物、窒化物、
セレン化物、硫化物、またはこれらのいずれかとＳｉＯ
2とを組み合わせた混合物を用いたサンプル番号１−１
〜１−１６の情報記録媒体のうち、高い密着性および高
い繰り返し書き換え性能を同時に満足するものは存在し
なかった。しかしながら、本実施例で明らかになったこ
とは、ＺｒＯ2を含む材料を誘電体層の材料に用いた情
報記録媒体（サンプル番号１−１０〜１−１２）は繰り
返し書き換え性能に優れており、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｚｎ
Ｓｅ、Ｃｒ2Ｏ3を含む材料を誘電体層の材料に用いた情
報記録媒体（サンプル番号１−１および１−３〜１−
９）は記録層との密着性に優れていることであった。特
に、Ｃｒ2Ｏ3から成る材料を誘電体層の材料に用いた情
報記録媒体（サンプル番号１−８）では、繰り返し書き
換え性能について１００００回の書き換え回数が得られ
ていることから、ＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3との混合物を誘電
体層材料とすることにより、高い密着性および高い繰り
返し書き換え性能を同時に達成することが期待できた。
【０２１３】（実施例２）実施例２では、高い密着性お
よび高い繰り返し書き換え性能を同時に達成することを
目的として、密着性に優れた材料と繰り返し書き換え性
能に優れた材料との混合物を誘電体層の材料に用いた情
報記録媒体を作製した。具体的には、実施例１の酸化
物、セレン化物、硫化物のうち２つを組み合わせた混合
物（表４を参照のこと）を誘電体層の材料とした。本実
施例においても、実施例１と同様に、第１の誘電体層お
よび第２の誘電体層が互いに同じ組成を有する材料から
成る情報記録媒体２５を、これら誘電体層の材料を表４
に示すように種々変化させて作製した。
【０２１４】本実施例の情報記録媒体は、第１および第
２の誘電体層の材料が表４に示す材料から成る点を除い
て、実施例１の情報記録媒体２５と同様の構成とし、第
１および第２の誘電体層の成膜工程を変更した点を除い
てこれと同様にして作製した。サンプル番号２−１〜２
−８の情報記録媒体を作製するために、第１の誘電体層
および第２の誘電体層の成膜工程において、表４に示す
所定の組成を有する材料から成るスパッタリングターゲ
ット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）をそれぞれ用い
た。また、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜
工程において、パワーは、サンプル番号２−１および２
−２については５００Ｗ、サンプル番号２−３〜２−８
については４００Ｗとし、圧力は、いずれのサンプルに
ついても約０．１３Ｐａとし、成膜装置に導入するガス
には、いずれのサンプルについてもＡｒガス（１００
％）を用いた。
【０２１５】スパッタリング法により成膜された誘電体
層は、用いたスパッタリングターゲットと実質的に同じ
組成を有すると見なした。尚、特に言及しない限り、後
述の実施例についても同様とする。
【０２１６】以上のようにして得られたサンプル番号２
−１〜２−８の情報記録媒体について、実施例１と同様
にして、誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を表４に示
す。尚、サンプル番号２−１〜２−８の情報記録媒体の
うち、サンプル番号２−１および２−２の情報記録媒体
が本発明の範囲に属するものである。
【０２１７】
【表４】
【０２１８】表４に示すように、サンプル番号２−１〜
２−８の情報記録媒体の全てについて、剥離が発生せ
ず、よって、密着性が改善された。これら情報記録媒体
のうち、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3系の材料を誘電体層の材料
に用いたもの（サンプル番号２−１および２−２）が繰
り返し回数が大きく、繰り返し書き換え性能が極めて優
れていた。この結果によれば、記録層に接する誘電体層
として、ＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3とを混合した材料から成る
層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層）を用いた場合、記録層と
誘電体層との間に界面層を設けない構成の情報記録媒体
において、高い密着性および高い繰り返し書き換え性能
が同時に達成された。
【０２１９】加えて、記録層から反射層へ厚さ方向に速
やかに熱を拡散させるためには、誘電体層は低い熱伝導
率を示すことが好ましい。実施例２では、繰り返し書き
換え性能については誘電体層材料としてＺｒＯ2−Ｃｒ2
Ｏ3の系の材料を用いた情報記録媒体（サンプル番号２
−１および２−２）が極めて優れていた。これら情報記
録媒体のピークパワー（Ｐｐ）を比較すると、サンプル
番号２−１の情報記録媒体については１３ｍＷ、サンプ
ル番号２−２の情報記録媒体については１３．５ｍＷで
あり、Ｃｒ2Ｏ3の含有割合（酸化物基準）が高い方がＰ
ｐも高かった。一方、ＺｒＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2−ＺｎＳｅの系の材料を誘電体層の材料に
用いた情報記録媒体（サンプル番号２−３〜２−８）で
は、繰り返し書き換え性能は劣るものの、Ｐｐはいずれ
も１１ｍＷ〜１２ｍＷの範囲内にあり、よって、高記録
感度であったことから、これらの系の材料の方がＺｒＯ
2−Ｃｒ2Ｏ3の系の材料よりも熱伝導率が低いことが予
想された。このような結果から、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3の
系の材料とＺｒＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−ＺｎＯ、ＺｒＯ
2−ＺｎＳｅの系の材料のいずれかとを混合した材料を
誘電体層の材料に用いることにより、高い密着性および
高い繰り返し書き換え性能が同時に達成されることに加
えて、高記録感度化が期待できた。また、結晶性の強い
ＺｎＳ、ＺｎＳｅの結晶成長を抑えるためには、非晶質
であるＳｉＯ2をこれらにあわせて混合することも検討
した。
【０２２０】（実施例３）実施例３では、高記録感度の
情報記録媒体を実現することを目的として、ＺｒＯ2−
Ｃｒ2Ｏ3の系の材料とＺｒＯ2−ＺｎＳ、ＺｒＯ2−Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2−ＺｎＳｅの系の材料のいずれかとを混合
したものを誘電体層の材料に用い、また、結晶性の強い
ＺｎＳ、ＺｎＳｅの結晶成長を抑えることを目的とし
て、非晶質であるＳｉＯ2をさらに混合したものを誘電
体層の材料に用いた情報記録媒体を作製した。本実施例
においても、実施例１と同様に、第１の誘電体層と第２
の誘電体層が互いに同じ組成を有する材料から成る情報
記録媒体２５を、これら誘電体層の材料を表５に示すよ
うに種々変化させて作製した。
【０２２１】本実施例の情報記録媒体も、実施例２と同
じく、第１および第２の誘電体層の材料が表５に示す材
料から成る点を除いて、実施例１の情報記録媒体２５と
同様の構成とし、第１および第２の誘電体層の成膜工程
を変更した点を除いてこれと同様の条件で作製した。サ
ンプル番号３−１〜３−９の情報記録媒体を作製するた
めに、第１の誘電体層および第２の誘電体層の成膜工程
において、表５に示す所定の組成を有する材料から成る
スパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍ
ｍ）をそれぞれ用いた。また、第１の誘電体層および第
２の誘電体層の成膜工程において、パワーは、サンプル
番号３−１、３−２および３−６については５００Ｗ、
サンプル番号３−３〜３−５および３−７〜３−９につ
いては４００Ｗとし、圧力は、いずれのサンプルについ
ても約０．１３Ｐａとし、成膜装置に導入するガスは、
いずれのサンプルについてもＡｒガス（１００％）とし
た。
【０２２２】以上のようにして得られたサンプル番号３
−１〜３−９の情報記録媒体について、実施例１と同様
にして誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返し
書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し書
き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）と
共に表５に示す。比較のために、実施例１にて作製した
図１０に示す従来構成の情報記録媒体３１についても同
様に評価した結果も表５に示す（後述の実施例に関する
表６〜１０も同様とする）。尚、サンプル番号３−１〜
３−９の情報記録媒体はいずれも本発明の範囲に属する
ものである。
【０２２３】
【表５】
【０２２４】表５に示すように、サンプル番号３−１お
よび３−２の情報記録媒体では、剥離がなく、且つ繰り
返し回数が１０００００回以上に維持されたが、ＺｒＯ
2−Ｃｒ2Ｏ3系材料を誘電体層の材料に用いたサンプル
番号３−１の情報記録媒体のＰｐが１３．２ｍＷである
のに対して、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3系材料にＳｉＯ2を混合
した材料を誘電体層の材料に用いたサンプル番号３−２
の情報記録媒体ではＰｐを１２．５ｍＷにまで下げるこ
とができた。サンプル番号３−２の誘電体層の材料に含
まれるＣｒ2Ｏ3のうち１０ｍｏｌ％の部分をＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅまたはＺｎＯで置き換えた材料を誘電体層の材料
に用いたサンプル番号３−３〜３−５の情報記録媒体に
おいては、Ｐｐをさらに下げることができ、サンプル番
号３−３の情報記録媒体では１１．５ｍＷの低いＰｐが
得られた。
【０２２５】また、サンプル番号３−６〜３−９の情報
記録媒体では、誘電体層の材料を、ＺｒＯ2とＳｉＯ2を
ほぼ等しい割合で含むＺｒＳｉＯ4の系の材料とした。
誘電体層材料の組成はｍｏｌ％単位での酸化物基準で表
記されるので、例えば（ＺｒＯ2）35（Ｃｒ2Ｏ3）
30（ＳｉＯ2）35（ｍｏｌ％）は、（ＺｒＳｉＯ4）
35（Ｃｒ2Ｏ3）30（モル比）となり、それを１００％換
算すれば（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｃｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ
％）（サンプル番号３−６の誘電体層の材料）となる。
このようなサンプル番号３−６〜３−９の情報記録媒体
でも、１１〜１２ｍＷの低いＰｐが得られた。特に、Ｃ
ｒ2Ｏ3の一部をＺｎＳで置き換えた材料を誘電体層の材
料に用いたサンプル番号３−７の情報記録媒体では、比
較例の従来構成の情報記録媒体３１と同等の密着性（剥
離）、繰り返し書き換え性能（繰り返し回数）、および
Ｐｐが得られた。また、本実施例にて作製したサンプル
番号３−１〜３−９の情報記録媒体の（凹凸のない平面
部における）Ｒｃ実測値は１５％〜１７％であり、Ｒａ
実測値は２％以下であった。
【０２２６】以上のように、記録層に接する誘電体層と
して、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3の系またはＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3
−ＳｉＯ2の系の材料から成る層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材
料層）を用いた場合、またはＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2にＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯを混合した系の材
料から成る層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層）を用い
た場合、第１および第２の界面層を設けない構成（よっ
て従来よりも層数の少ない構成）の図１に示す情報記録
媒体２５において、第１および第２の界面層を備える図
１０に示す従来構成の情報記録媒体３１と同等の性能が
得られた。
【０２２７】なお、本実施例では、第１および第２の誘
電体層の材料に同じ組成の材料を用いたが、Ｚｒ−Ｃｒ
−Ｏ系材料およびＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料から選択
される互いに組成の異なる層を第１および第２の誘電体
層に用いることもできる。その場合にも本実施例の結果
と同程度に良好な性能が得られた。
【０２２８】（実施例４）実施例４では、ＺｒＯ2−Ｃ
ｒ2Ｏ3の系の材料について誘電体層に用いるのに適した
組成範囲を調べるために、表６に示すように、第２の誘
電体層の材料におけるＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3との含有率
（モル％）を種々変化させて情報記録媒体を作製した。
本実施例の情報記録媒体は、実施の形態３にて図３を参
照しながら上述した情報記録媒体２７と同様の構造と
し、よって、第１の誘電体層および第２の誘電体層が異
なる組成を有する材料から成り、第１の誘電体層と記録
層との間に第１の界面層を備えるものとした。
【０２２９】本実施例の情報記録媒体２７は次のように
して作製した。まず、実施例１と同様の基板１を準備
し、この基板１の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層１０２を１５０ｎｍの
厚さで、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎの第１の界面層１０３を５ｎｍ
の厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）の記録
層４を９ｎｍの厚さで、ＺｒＯ2の第２の誘電体層６を
５０ｎｍの厚さで、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の光吸収補
正層７を４０ｎｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層
８を８０ｎｍの厚さで、スパッタリング法により順次成
膜した。ここで、第１の誘電体層１０２および第１の界
面層１０３の各材料は、図１０を参照しながら上述した
従来の情報記録媒体３１におけるものと同様である。
【０２３０】本実施例の情報記録媒体２７は、第１の誘
電体層１０２の成膜工程と記録層４の成膜工程との間に
第１の界面層１０３の成膜工程を追加した点ならびに第
２の誘電体層６の成膜工程を変更した点を除いて、実施
例１のサンプル番号１−１の情報記録媒体の場合と同様
にして作製した。第１の界面層１０３を成膜する工程
は、実施例１にて上述した比較例の従来構成の情報記録
媒体３１の作製方法における第１の界面層を成膜する工
程と同様にして実施した。また、第２の誘電体層６の成
膜工程は、サンプル番号４−１〜４−１１の情報記録媒
体を作製するために表６に示す所定の組成を有するスパ
ッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）
をそれぞれ用い、いずれのサンプルについても、成膜装
置に導入するガスをＡｒガス（１００％）とし、パワー
を５００Ｗとし、圧力を約０．１３Ｐａとして実施し
た。尚、第１の誘電体層１０２を成膜する工程は、実施
例１にて上述したサンプル番号１−１の情報記録媒体２
５の作製方法における第１の誘電体層２を成膜する工程
と同様であり、従来構成の情報記録媒体３１の作製方法
における第１の誘電体層２を成膜する工程と同様でもあ
る。
【０２３１】以上のようにして得られたサンプル番号４
−１〜４−１１の情報記録媒体２７について、誘電体層
の密着性および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能
を、実施例１にて上述したのとほぼ同様にして評価した
が、本実施例では、密着性の評価は、記録層４とこれに
接する第２の誘電体層６との間で剥離が発生していない
かどうか調べることにより実施した。これらの結果を、
繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー
（Ｐｐ）と共に表６に示す。尚、サンプル番号４−１〜
４−１１の情報記録媒体のうち、サンプル番号４−３〜
４−９の情報記録媒体が本発明の範囲に属するものであ
る。
【０２３２】
【表６】
【０２３３】表６に示すように、第２の誘電体層の材料
が８０ｍｏｌ％以下の割合でＺｒＯ 2を含むサンプル番
号４−３〜４−１１の情報記録媒体では、剥離が発生し
なかった。また、第２の誘電体層の材料が２０ｍｏｌ％
以上の割合でＺｒＯ2を含むサンプル番号４−１〜４−
９の情報記録媒体では、１０００００回以上の繰り返し
回数が得られ、さらに、Ｐｐ≦１４．０ｍＷを満たし
た。従って、サンプル番号４−３〜４−９の情報記録媒
体で、高い密着性および高い繰り返し書き換え性能が得
られると共に、低いピークパワーが得られた。本実施例
の結果から、誘電体層の材料には、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3
系では、ＺｒＯ2を２０〜８０ｍｏｌ％で含む組成範囲
の材料が好ましいことが確認された。
【０２３４】（実施例５）実施例５では、ＺｒＯ2−Ｃ
ｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2の系の材料について誘電体層に用いる
のに適した組成範囲を調べるために、表７に示すよう
に、第２の誘電体層の材料におけるＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3
とＳｉＯ2との含有率（モル％）を種々変化させて情報
記録媒体を作製した。本実施例の情報記録媒体は、実施
例４の情報記録媒体と同様の構造とし、第２の誘電体層
の成膜工程にて、サンプル番号５−１〜５−１２の情報
記録媒体を作製するために表７に示す所定の組成を有す
るスパッタリングターゲットをそれぞれ用いた点を除い
て実施例４と同様の条件で作製した。この際、実施例４
の結果から、ＺｒＯ2の含有率が２０ｍｏｌ％以上、且
つＣｒ2Ｏ3の含有率が２０ｍｏｌ％以上となる範囲で、
ＳｉＯ2の含有率を変えた。
【０２３５】以上のようにして得られたサンプル番号５
−１〜５−１２の情報記録媒体について、実施例４と同
様にして誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表７に示す。尚、サンプル番号５−１〜５−１２
の情報記録媒体のうち、サンプル番号５−１〜５−４お
よび５−７〜５−１２の情報記録媒体が本発明の範囲に
属するものである。
【０２３６】
【表７】
【０２３７】表７に示すように、第２の誘電体層の材料
がＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の割合
で含むサンプル番号５−１〜５−４および５−７〜５−
１２の情報記録媒体で、剥離が発生せず、高い密着性お
よび高い繰り返し書き換え性能が得られると共に、低い
ピークパワーが得られた。本実施例の結果から、誘電体
層の材料には、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2系では、Ｚ
ｒＯ2を２０〜７０ｍｏｌ％、Ｃｒ2Ｏ3を２０〜６０ｍ
ｏｌ％、およびＳｉＯ2を１０〜４０ｍｏｌ％で含む組
成範囲の材料が好ましいことが確認された。
【０２３８】（実施例６）実施例６では、ＺｒＯ2とＳ
ｉＯ2を略等しい割合で含む、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3の
系の材料について誘電体層に用いるのに適した組成範囲
を調べるために、第２の誘電体層の材料を、表８に示す
ようにＺｒＳｉＯ4とＣｒ2Ｏ3との含有率（モル％）を
種々変化させて情報記録媒体を作製した。本実施例の情
報記録媒体は、実施例５と同じく、実施例４の情報記録
媒体と同様の構造とした。作製方法は実施例５の場合と
同様であるので説明を省略する。この際、ＺｒＯ2およ
びＳｉＯ2の含有率が２０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以
下の範囲（従って、ＺｒＳｉＯ4の構成割合が２５ｍｏ
ｌ％以上１００ｍｏｌ％以下の範囲）で、Ｃｒ2Ｏ3の含
有率を変えた。
【０２３９】表８を参照して、サンプル番号５−４、５
−９および５−１２の情報記録媒体は、上記の実施例５
の情報記録媒体に対応するものである。表７に記載のサ
ンプル番号５−４、５−９および５−１２の情報記録媒
体の第２の誘電体層の材料について、（ＺｒＯ2）
40（Ｃｒ2Ｏ3）20（ＳｉＯ2）40（ｍｏｌ％）は（Ｚｒ
ＳｉＯ4）67（Ｃｒ2Ｏ3）33（ｍｏｌ％）に、（Ｚｒ
Ｏ2）30（Ｃｒ2Ｏ3）40（ＳｉＯ 2）30（ｍｏｌ％）は
（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57（ｍｏｌ％）に、
（ＺｒＯ2）20（Ｃｒ2Ｏ3）60（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ
％）は（ＺｒＳｉＯ4）25（Ｃｒ2Ｏ3）75（ｍｏｌ％）
に換算した。
【０２４０】以上のようにして得られたサンプル番号５
−４、５−９、５−１２および６−１〜６−４の情報記
録媒体について、実施例４と同様にして誘電体層の密着
性および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価し
た。これらの結果を、繰り返し書き換え性能の評価の際
に求めたピークパワー（Ｐｐ）と共に表８に示す。尚、
サンプル番号５−４、５−９、５−１２および６−１〜
６−４の情報記録媒体のうち、サンプル番号５−４、５
−９、５−１２、６−３、および６−４の情報記録媒体
が本発明の範囲に属するものである。
【０２４１】
【表８】
【０２４２】表８に示すように、サンプル番号６−１と
６−２の情報記録媒体を除いて、剥離が発生せず、高い
密着性および高い繰り返し書き換え性能が得られると共
に、低いピークパワーが得られた。本実施例の結果か
ら、誘電体層の材料には、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3系で
は、ＺｒＳｉＯ4を２５〜６７ｍｏｌ％で含む組成範囲
の材料が好ましいことが確認された。
【０２４３】（実施例７）実施例７では、ＺｒＯ2−Ｃ
ｒ2Ｏ3−ＺｎＳ−ＳｉＯ2の系の材料について誘電体層
に用いるのに適した組成範囲を調べるために、第２の誘
電体層の材料を、表９に示すようにＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3
とＺｎＳとＳｉＯ2との含有率（モル％）を種々変化さ
せて情報記録媒体を作製した。本実施例の情報記録媒体
は、実施例５と同じく、実施例４の情報記録媒体と同様
の構造とした。作製方法は、第２の誘電体層の成膜工程
においてパワーを４００Ｗとしたこと以外は、実施例５
の場合と同様であるので説明を省略する。この際、実施
例４の結果から、ＺｒＯ2の含有率が２０ｍｏｌ％以
上、且つＣｒ2Ｏ3の含有率が２０ｍｏｌ％以上の範囲
で、ＺｎＳとＳｉＯ2の含有率を変えた。
【０２４４】以上のようにして得られたサンプル番号７
−１〜７−１６の情報記録媒体について、実施例４と同
様にして誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表９に示す。尚、サンプル番号７−１〜７−１６
の情報記録媒体のうち、サンプル番号７−２〜７−４お
よび７−６〜７−１６の情報記録媒体が本発明の範囲に
属するものである。
【０２４５】
【表９】
【０２４６】表９に示すように、第２の誘電体層の材料
がＺｎＳを５０ｍｏｌ％の割合で含むサンプル番号７−
１の情報記録媒体で、繰り返し回数が１０００回であっ
た。また、第２の誘電体層の材料がＳｉＯ2を５０ｍｏ
ｌ％の割合で含むサンプル番号７−５の情報記録媒体で
は、剥離が発生していた。その他のサンプル番号の情報
記録媒体では、剥離が発生せず、高い密着性および高い
繰り返し書き換え性能が得られると共に、低いピークパ
ワーが得られた。従って、本実施例の結果から、誘電体
層の材料には、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｎＳ−ＳｉＯ2系
では、ＺｒＯ2を２０〜６０ｍｏｌ％で、Ｃｒ2Ｏ3を２
０〜６０ｍｏｌ％で、ＺｎＳを１０〜４０ｍｏｌ％で、
ＳｉＯ2を１０〜４０ｍｏｌ％で含む組成範囲の材料が
好ましいことが確認された。
【０２４７】（実施例８）実施例８では、ＺｒＯ2−Ｃ
ｒ2Ｏ3−ＺｎＳｅ−ＳｉＯ2の系の材料について誘電体
層に用いるのに適した組成範囲を調べるために、ＺｒＯ
2とＣｒ2Ｏ3とＺｎＳｅとＳｉＯ2との含有率（モル％）
の異なる種々の材料を誘電体層に用いた情報記録媒体を
作製した。この材料は、実施例７で調べた材料におい
て、ＺｎＳに代えてＺｎＳｅを含むものである。実施例
７と同様の評価を行ったところ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−
ＺｎＳｅ−ＳｉＯ2系では、ＺｒＯ2を２０〜６０ｍｏｌ
％で、Ｃｒ2Ｏ3を２０〜６０ｍｏｌ％で、ＺｎＳｅを１
０〜４０ｍｏｌ％で、ＳｉＯ2を１０〜４０ｍｏｌ％で
含む組成範囲の材料が好ましいことが確認された。
【０２４８】（実施例９）実施例９では、ＺｒＯ2−Ｃ
ｒ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＳｉＯ2の系の材料について誘電体層
に用いるのに適した組成範囲を調べるために、ＺｒＯ2
とＣｒ2Ｏ3とＺｎＯとＳｉＯ2との含有率（モル％）の
異なる種々の材料を誘電体層に用いた情報記録媒体を作
製した。この材料は、実施例７で調べた材料において、
ＺｎＳに代えてＺｎＯを含むものである。実施例７と同
様の評価を行ったところ、ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｎＯ
−ＳｉＯ2系では、ＺｒＯ2を２０〜６０ｍｏｌ％で、Ｃ
ｒ2Ｏ3を２０〜６０ｍｏｌ％で、ＺｎＯを１０〜４０ｍ
ｏｌ％で、ＳｉＯ2を１０〜４０ｍｏｌ％で含む組成範
囲の材料が好ましいことが確認された。
【０２４９】（実施例１０）実施例１０では、ＺｒＳｉ
Ｏ4−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｎＳの系の材料について誘電体層に
用いるのに適した組成範囲を調べるために、第２の誘電
体層の材料を、表１０に示すようにＺｒＳｉＯ4とＣｒ2
Ｏ3とＺｎＳとの含有率（モル％）を種々変化させて情
報記録媒体を作製した。本実施例の情報記録媒体は、実
施例５と同じく、実施例４の情報記録媒体と同様の構造
とした。作製方法は、第２の誘電体層の成膜工程におい
てパワーを４００Ｗとしたこと以外は、実施例５の場合
と同様であるので説明を省略する。この際、ＺｒＳｉＯ
4の含有率が２５ｍｏｌ％以上、且つＣｒ2Ｏ3の含有率
が２５ｍｏｌ％以上の範囲で、ＺｎＳの含有率を変え
た。
【０２５０】以上のようにして得られたサンプル番号８
−１〜８−１０の情報記録媒体について、実施例４と同
様にして誘電体層の密着性および情報記録媒体の繰り返
し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し
書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）
と共に表１０に示す。尚、サンプル番号８−１〜８−１
０の情報記録媒体はいずれも本発明の範囲に属するもの
である。
【０２５１】
【表１０】
【０２５２】表１０に示すように、サンプル番号８−１
〜８−１０の全ての情報記録媒体で、剥離が発生せず、
高い密着性および高い繰り返し書き換え性能が得られる
と共に、低いピークパワーが得られた。従って、本実施
例の結果から、誘電体層の材料には、ＺｒＳｉＯ4−Ｃ
ｒ2Ｏ3−ＺｎＳ系では、ＺｒＳｉＯ4を２５〜５４ｍｏ
ｌ％で、Ｃｒ2Ｏ3を２５〜６３ｍｏｌ％で、ＺｎＳを１
２〜５０ｍｏｌ％で含む組成範囲の材料が好ましいこと
が確認された。
【０２５３】（実施例１１）実施例１１では、ＺｒＳｉ
Ｏ4−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｎＳｅの系の材料について誘電体層
に用いるのに適した組成範囲を調べるために、ＺｒＳｉ
Ｏ4とＣｒ2Ｏ3とＺｎＳｅとの含有率（モル％）の異な
る種々の材料を誘電体層に用いた情報記録媒体を作製し
た。この材料は、実施例１０で調べた材料において、Ｚ
ｎＳに代えてＺｎＳｅを含むものである。実施例１０と
同様の評価を行ったところ、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3−
ＺｎＳｅ系では、ＺｒＳｉＯ4を２５〜５４ｍｏｌ％
で、Ｃｒ2Ｏ3を２５〜６３ｍｏｌ％で、ＺｎＳｅを１２
〜５０ｍｏｌ％で含む組成範囲の材料が好ましいことが
確認された。
【０２５４】（実施例１２）実施例１２では、ＺｒＳｉ
Ｏ4−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｎＯの系の材料について誘電体層に
用いるのに適した組成範囲を調べるために、ＺｒＳｉＯ
4とＣｒ2Ｏ3とＺｎＯとの含有率（モル％）の異なる種
々の材料を誘電体層に用いた情報記録媒体を作製した。
この材料は、実施例１０で調べた材料において、ＺｎＳ
に代えてＺｎＯを含むものである。実施例１０と同様の
評価を行ったところ、実施例１０と同様に、ＺｒＳｉＯ
4−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｎＯ系では、ＺｒＳｉＯ4を２５〜５４
ｍｏｌ％で、Ｃｒ2Ｏ3を２５〜６３ｍｏｌ％で、ＺｎＯ
を１２〜５０ｍｏｌ％で含む組成範囲の材料が好ましい
ことが確認された。
【０２５５】（実施例１３）実施例１３では、実施の形
態２にて図２を参照しながら上述した情報記録媒体２６
と同様の構造を有し、第１の誘電体層および第２の誘電
体層が互いに異なる組成を有する材料から成る情報記録
媒体を作製した。
【０２５６】本実施例の情報記録媒体２６は次のように
して作製した。まず、基板１として、深さ５６ｎｍ、ト
ラックピッチ（基板の主面に平行な面内におけるグルー
ブ表面およびランド表面の中心間距離）０．６１５μｍ
の案内溝が片側表面に予め設けられた、直径１２０ｍ
ｍ、厚み０．６ｍｍの円形のポリカーボネート基板を準
備した。
【０２５７】この基板１の上に、（ＺｒＳｉＯ4）
33（Ｃｒ2Ｏ3）40（ＺｎＳ）27（ｍｏｌ％）の第１の誘
電体層２を１５０ｎｍの厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔ
ｅ53（原子％）記録層４を９ｎｍの厚さで、Ｇｅ−Ｃｒ
−Ｎの第２の界面層１０５を３ｎｍの厚さで、（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層１
０６を５０ｎｍの厚さで、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の光
吸収補正層７を４０ｎｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの
反射層８を８０ｎｍの厚さで、スパッタリング法により
順次成膜した。ここで、第２の界面層１０５および第２
の誘電体層１０６の各材料は、図１０を参照しながら上
述した従来の情報記録媒体３１におけるものと同様であ
る。
【０２５８】本実施例の情報記録媒体２６は、第１の誘
電体層２の成膜工程を変更した点ならびに記録層４の成
膜工程と第２の誘電体層１０６の成膜工程との間に第２
の界面層１０５の成膜工程を追加した点を除いて、実施
例１のサンプル番号１−１の情報記録媒体の場合と同様
にして作製した。第１の誘電体層２の成膜工程において
は、（ＺｒＳｉＯ4）33（Ｃｒ2Ｏ3）40（ＺｎＳ）
27（ｍｏｌ％）の組成を有するスパッタリングターゲッ
ト（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー４００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入し
て、約０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを
行った。第２の界面層１０５を成膜する工程は、実施例
１にて上述した比較例の従来構成の情報記録媒体３１の
作製方法における第２の界面層１０５を成膜する工程と
同様にして実施した。尚、第２の誘電体層１０６を成膜
する工程は、実施例１にて上述したサンプル番号１−１
の情報記録媒体２５の作製方法における第２の誘電体膜
６を成膜する工程と同様であり、従来構成の情報記録媒
体３１の作製方法における第２の誘電体層１０６を成膜
する工程と同様でもある。
【０２５９】以上のようにして得られたサンプル番号９
−１の情報記録媒体２６について、誘電体層の密着性お
よび情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を、実施例１
にて上述したのとほぼ同様にして評価したが、本実施例
では、密着性の評価は、記録層４とこれに接する第１の
誘電体層２との間で剥離が発生していないかどうか調べ
ることにより実施した。また、繰り返し書き換え性能の
評価は、グルーブ記録だけでなくランド記録も行って
（即ち、ランド−グルーブ記録により）グルーブ記録お
よびランド記録のそれぞれについて繰り返し回数を調べ
ることにより実施した。これらの結果を、繰り返し書き
換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）およ
びバイアスパワー（Ｐｂ）と共に表１１に示す。加え
て、比較のために、実施例１にて作製した図１０に示す
従来構成の情報記録媒体３１について同様に評価した結
果も表１１に示す。
【０２６０】
【表１１】
【０２６１】表１１に示すように、第１の誘電体層２の
材料のみに（ＺｒＳｉＯ4）33（Ｃｒ2Ｏ3）40（Ｚｎ
Ｓ）27（ｍｏｌ％）を用い、基板１の上にスパッタリン
グ法により形成する層（即ち、反射層８までの層）の層
数を６層とした本実施例のサンプル番号９−１の情報記
録媒体２６で、総数を７層とした比較例の従来構成の情
報記録媒体３１と同等の密着性、繰り返し回数、ピーク
パワー、およびバイアスパワーが得られた。尚、本実施
例では、第１の誘電体層２として、（ＺｒＳｉＯ 4）33
（Ｃｒ2Ｏ3）40（ＺｎＳ）27（ｍｏｌ％）の組成を有す
る材料から成る層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層）を
用いたが、この組成は一例であり、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2
Ｏ3−ＺｎＳ系の材料では、実施例１０に示すような組
成範囲に亘って、本実施例と同様に良好な結果が得られ
た。さらに、第１の誘電体層２として、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ
系材料層または他のＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層を用
いてもよい。
【０２６２】（実施例１４）実施例１４では、実施の形
態４にて図４を参照しながら上述した情報記録媒体２８
と同様の構造を有する情報記録媒体を作製した。
【０２６３】本実施例の情報記録媒体２８は次のように
して作製した。まず、基板１０１として、深さ２１ｎ
ｍ、トラックピッチ（基板の主面に平行な面内における
グルーブ表面およびグルーブ表面の中心間距離）０．３
２μｍの案内溝が片側表面に予め設けられた、直径１２
０ｍｍ、厚み１．１ｍｍの円形のポリカーボネート基板
を準備した。
【０２６４】この基板１０１の上に、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ
の反射層８を８０ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）
54（Ｃｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層６を１
６ｎｍの厚さで、Ｇｅ37.5Ｓｂ11Ｔｅ51.5（原子％）の
記録層４を１１ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｃ
ｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を６８ｎｍ
の厚さで、スパッタリング法により順次成膜した。
【０２６５】反射層８を成膜する工程は、実施例１のサ
ンプル番号１−１の情報記録媒体の作製方法におけるも
のと同様の条件で実施した。
【０２６６】第２の誘電体層６を成膜する工程において
は、（ＺｒＳｉＯ4）54（Ｃｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ％）の
組成を有する材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー５００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入し
て、約０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを
行った。
【０２６７】記録層４を成膜する工程においては、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー１００Ｗで、Ａｒガス（９７％）とＮ2ガス
（３％）の混合ガスを導入して直流スパッタリングを行
った。スパッタ時の圧力は約０．１３Ｐａとした。
【０２６８】第１の誘電体層２を成膜する工程は、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層６が実質的に同じ組
成を有するように、層厚さを変えたこと以外は上記の第
２の誘電体層６を成膜する工程と同様にして、実施し
た。
【０２６９】以上のようにして基板１０１の上に反射層
８、第２の誘電体層６、記録層４および第１の誘電体層
２を順次成膜して積層体を形成した後、紫外線硬化性樹
脂を第１の誘電体層２の上に塗布し、塗布した紫外線硬
化性樹脂の上に、ダミー基板１１０として直径１２０ｍ
ｍ、厚み９０μｍの円形のポリカーボネート基板を密着
させた。そして、ダミー基板１１０の側から紫外線を照
射して樹脂を硬化させた。これにより、硬化した樹脂か
ら成る接着層９が１０μｍの厚さで形成され、ダミー基
板１１０を接着層９を介して積層体に貼り合わせた。
【０２７０】貼り合わせ後、初期化工程として、波長６
７０ｎｍの半導体レーザを使って、情報記録媒体２８の
記録層４を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領域内で
ほぼ全面に亘って結晶化させた。これにより初期化工程
が終了し、サンプル番号１０−１の情報記録媒体２８の
作製が完了した。
【０２７１】加えて、比較のために、第１の誘電体層２
と記録層４との間および第２の誘電体層６と記録層４と
の間に、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎの第１の界面層１０３および第
２の界面層１０５をそれぞれ備え、且つ、第１の誘電体
層２および第２の誘電体層６に代えて、（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層１０２
および第２の誘電体層１０６を備える点を除いて、本実
施例の情報記録媒体と同様の構成を有する、比較例の情
報記録媒体を作製した（図示せず）。第１の界面層１０
３および第２の界面層１０５はいずれも厚さ５ｍｍで形
成した。
【０２７２】この比較例の情報記録媒体は、第１の界面
層１０３および第２の界面層１０５を成膜する工程なら
びに第１の誘電体層１０２および第２の誘電体層１０６
を成膜する工程を、実施例１にて作製した比較例の従来
構成の情報記録媒体３１の作製方法におけるものと同様
にして実施した点を除いて、本実施例の情報記録媒体の
作製方法と同様にして作製した。
【０２７３】以上のようにして得られたサンプル番号１
０−１の情報記録媒体２８および比較例の情報記録媒体
（図示せず）について、誘電体層の密着性および情報記
録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。これらの結
果を、繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピーク
パワー（Ｐｐ）と共に表１２に示す。
【０２７４】本実施例にて、情報記録媒体２８における
誘電体層の密着性の評価は実施例１と同様の条件で行っ
た。これに対して、情報記録媒体２８の繰り返し書き換
え性能の評価は、実施例１と同じく繰り返し回数を指標
とした点は共通するが、実施例１とは異なる条件によっ
た。
【０２７５】情報記録媒体２８の繰り返し書き換え性能
の評価に際し、実施例１の場合と同様の構成の情報記録
システムにて、波長４０５ｎｍの半導体レーザと開口数
０．８５の対物レンズを使用し、２３ＧＢ容量相当の記
録を行った。情報記録媒体２８を回転させる線速度は５
ｍ／秒とした。また、ＣＮＲ（即ち、信号振幅とノイズ
の比）および消去率の測定には、スペクトラムアナライ
ザーを用いた。
【０２７６】まず、繰り返し回数を決定する際の測定条
件を決めるために、ピークパワー（Ｐｐ）およびバイア
スパワー（Ｐｂ）を以下の手順で設定した。レーザ光１
２を、高パワーレベルのピークパワー（ｍＷ）と低パワ
ーレベルのバイアスパワー（ｍＷ）との間でパワー変調
しながら情報記録媒体２８に向けて照射して、マーク長
０．１６μｍの２Ｔ信号を記録層４の同一のグルーブ表
面に１０回記録した。２Ｔ信号を１０回記録した後、Ｃ
ＮＲを測定した。２Ｔ信号の１０回記録の際、バイアス
パワーを一定の値に固定し、ピークパワーを種々変化さ
せた各記録条件についてＣＮＲを測定し、信号振幅が飽
和するときの最小のピークパワーの１．２倍のパワーを
Ｐｐに設定した。また、上記と同様にして２Ｔ信号を１
０回記録した後、信号を再生して２Ｔ信号の振幅を測定
し、さらに、該グルーブ表面に９Ｔ信号を１回重ね書き
し、信号を再生して２Ｔ信号の振幅を測定し、１０回記
録後に測定した振幅を基準とする２Ｔ信号の減衰率を消
去率として求めた。２Ｔ信号の１０回記録および９Ｔ信
号の１回重ね書きの際、ピークパワーを先に設定したＰ
ｐに固定し、バイアスパワーを種々変化させた各パワー
条件について、以上のように定義される消去率を求め、
消去率が２５ｄＢ以上となるバイアスパワー範囲の中心
値をＰｂに設定した。システムのレーザパワー上限値を
考慮すれば、Ｐｐ≦７ｍＷ、Ｐｂ≦３．５ｍＷを満足す
ることが望ましい。
【０２７７】繰り返し書き換え性能の指標となる繰り返
し回数は、本実施例ではＣＮＲおよび消去率に基づいて
決定した。上記のようにして設定したＰｐとＰｂとでレ
ーザ光をパワー変調しながら情報記録媒体２８に向けて
照射して、２Ｔ信号を同一のグルーブ表面に所定回数繰
り返して連続記録した後、ＣＮＲを測定し、また、消去
率を求めた。消去率は、上記と同様に、所定回数記録し
た後およびその上に９Ｔ信号を１回重ね書きした後に２
Ｔ信号を測定し、所定回数記録した後に測定した２Ｔ信
号の振幅に対する、９Ｔ信号を１回重ね書きした後に測
定した２Ｔ信号の振幅の減衰率により求めた。繰り返し
回数は、１、２、３、５、１０、１００、２００、５０
０、１０００、２０００、３０００、５０００、７００
０、１００００回とした。１０回繰り返した場合のＣＮ
Ｒおよび消去率を基準として、ＣＮＲが２ｄＢ低下する
か、または消去率が５ｄＢ低下したときを繰り返し書き
換えの限界と判断し、このときの繰り返し回数により繰
り返し書き換え性能を評価した。もちろん、繰り返し回
数が大きいほど繰り返し書き換え性能が高い。情報記録
媒体２８の繰り返し回数は１万回以上が好ましい。
【０２７８】
【表１２】
【０２７９】本実施例のサンプル番号１０−１の情報記
録媒体２８では、図１に示すような情報記録媒体２５と
比べて、基板上への各層の成膜順が逆であること、記録
条件（レーザ波長やレンズの開口数）が異なること、な
らびに記録容量が約５倍に増えていることに関係なく、
第１の誘電体層２および第２の誘電体層６として、（Ｚ
ｒＳｉＯ4）54（Ｃｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ％）の組成を有
する材料から成る層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層）を用い
ることによって、界面層を設けることなく、良好な性能
が得られた。また、本実施例にて作製したサンプル番号
１０−１の情報記録媒体２８の（凹凸のない平面部にお
ける）Ｒｃ実測値は２０％であり、Ｒａ実測値は３％で
あった。表１２から、サンプル番号１０−１の情報記録
媒体２８は、第１および第２の界面層を設けた比較例の
情報記録媒体と同等の性能を示すことが確認された。
【０２８０】本実施例のサンプル番号１０−１の情報記
録媒体２８では、第１および第２の誘電体層の双方にＺ
ｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3の系の材料から成る層を用いた
が、他のＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚ
ｎ−Ｏ系材料層を用いてもよい。
【０２８１】また、本実施例の情報記録媒体２８では、
第１および第２の誘電体層の双方にＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材
料層（またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層）を用いる
こととしたが、本発明はこれに限定されない。一例とし
て、第１および第２の誘電体層のいずれか一方にＺｒ−
Ｃｒ−Ｏ系材料層（またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料
層）を用い、他方の誘電体層に、例えば従来の（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の組成を有する材料
を用い、該他方の誘電体層と記録層との間に界面層を設
ける構成としてもよい。この場合においても、本実施例
と同様な結果が得られた。従って、誘電体層としてＺｒ
−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料
層を用いることにより、従来、第１および第２の誘電体
層と記録層との間にそれぞれ用いていた２つの界面層の
うち少なくとも一方、好ましくは双方を減らすことがで
き、且つ、比較例の情報記録媒体と同等の性能を確保す
ることができる。
【０２８２】（実施例１５）実施例１５では、実施の形
態５にて図５を参照しながら上述した情報記録媒体２９
と同様の構造を有する情報記録媒体を作製した。
【０２８３】本実施例の情報記録媒体２９は次のように
して作製した。まず、実施例１４と同様の基板１０１を
準備し、この基板１０１の上に、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの第
２の反射層２０を８０ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）
54（Ｃｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ％）の第５の誘電体層１９を
１６ｎｍの厚さで、Ｇｅ45Ｓｂ4Ｔｅ51（原子％）の第
２の記録層１８を１１ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）
54（Ｃｒ2Ｏ3）46（ｍｏｌ％）の第４の誘電体層１７を
６８ｎｍの厚さで、スパッタリング法により順次成膜し
た。これにより、基板１０１の上に、第２情報層２２が
形成された。
【０２８４】第２の反射層２０、第５の誘電体層１９お
よび第４の誘電体層１７を成膜する工程は、実施例１４
の情報記録媒体２８の作製方法における、反射層８、第
２の誘電体層６、第１の誘電体層２を成膜する工程と同
様の条件でそれぞれ実施した。また、第２の記録層１８
を成膜する工程は、異なる組成のスパッタリングターゲ
ットを用いたこと以外は、実施例１４の情報記録媒体２
８の作製方法における記録層４を成膜する工程と同様の
条件で実施した。
【０２８５】次に、第２情報層２２の上に、例えばスピ
ンコートにより、紫外線硬化性樹脂を塗布し、塗布した
紫外線硬化性樹脂の上に、表面に案内溝が設けられたポ
リカーボネート基板を、その案内溝を密着させて配置す
る。そして、ポリカーボネート基板の側から紫外線を照
射して樹脂を硬化させ、ポリカーボネート基板を中間層
１６から剥離した。これにより、硬化した樹脂から成
り、溝を転写した中間層１６が３０μｍの厚さで形成さ
れた。
【０２８６】そして、第１の初期化工程として、波長６
７０ｎｍの半導体レーザを使って、第２情報層２２の第
２の記録層１８を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の環状領
域内でほぼ全面に亘って結晶化させた。
【０２８７】次に、以上のようにして得た積層体の中間
層１６の上に、ＴｉＯ2の第３の誘電体層１５を１５ｎ
ｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの第１の反射層１４を１
０ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）
57（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層６を１２ｎｍの厚さ
で、Ｇｅ40Ｓｎ5Ｓｂ4Ｔｅ51（原子％）の第１の記録層
１３を６ｎｍの厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ
2Ｏ3）57（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層２を４５ｎｍの
厚さで、スパッタリング法により順次成膜した。これに
より、第１情報層２１が形成された。
【０２８８】第３の誘電体層１５を成膜する工程におい
ては、ＴｉＯ2の組成を有する材料から成るスパッタリ
ングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を用
い、パワー４００Ｗで、Ａｒガス（９７％）とＯ2ガス
（３％）との混合ガスを導入して、約０．１３Ｐａの圧
力下、高周波スパッタリングを行った。
【０２８９】第１の反射層１４を成膜する工程は、層厚
さを変えたこと以外は、上記の第２の反射層２０の成膜
工程と同様の条件で実施した。
【０２９０】第２の誘電体層６を成膜する工程は、（Ｚ
ｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57の組成を有する材料から
成るスパッタリングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み
６ｍｍ）を成膜装置に取り付け、パワー５００Ｗで、Ａ
ｒガス（１００％）を導入して、約０．１３の圧力下、
高周波スパッタリングを行った。
【０２９１】第１の記録層１３を成膜する工程において
は、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタリ
ングターゲット（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜
装置に取り付け、パワー５０Ｗで、Ａｒガス（１００
％）を導入して、直流スパッタリングを行った。スパッ
タ時の圧力は約０．１３Ｐａとした。
【０２９２】第１の誘電体層２を成膜する工程は、第１
の誘電体層２および第２の誘電体層６が実質的に同じ組
成を有するように、層厚さを変えたこと以外は上記の第
２の誘電体層６を成膜する工程と同様にして、実施し
た。
【０２９３】以上のようにして基板１０１の上に第１の
誘電体層２まで成膜して積層体を形成した後、紫外線硬
化性樹脂を第１の誘電体層２の上に塗布し、塗布した紫
外線硬化性樹脂の上に、ダミー基板１１０として直径１
２０ｍｍ、厚み６５μｍの円形のポリカーボネート基板
を密着させた。そして、ダミー基板１１０の側から紫外
線を照射して樹脂を硬化させた。これにより、硬化した
樹脂から成る接着層９が１０μｍの厚さで形成され、ダ
ミー基板１１０を接着層９を介して積層体に貼り合わせ
た。
【０２９４】貼り合わせ後、第２の初期化工程として、
波長６７０ｎｍの半導体レーザを使って、第１情報層２
１の第１の記録層１３を、半径２２〜６０ｍｍの範囲の
環状領域内でほぼ全面に亘って結晶化させた。これによ
り、サンプル番号１１−１の情報記録媒体２９の作製が
完了した。
【０２９５】以上のようにして得られたサンプル番号１
１−１の情報記録媒体２９について、第１情報層２１お
よび第２情報層２２毎に、誘電体層の密着性および情報
記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。これらの
結果を、繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピー
クパワー（Ｐｐ）およびバイアスパワー（Ｐｂ）と共に
表１３に示す。
【０２９６】本実施例にて、情報記録媒体２９における
誘電体層の密着性の評価は実施例１と同様の条件で行っ
たが、第１情報層２１と第２情報層２２のそれぞれにつ
いて剥離の有無を調べた点で異なる。また、情報記録媒
体２９の繰り返し書き換え性能の評価は、実施例１４と
ほぼ同様の条件により行ったが、情報記録媒体２９の第
１情報層２１と第２情報層２２のそれぞれに２３ＧＢ容
量相当の記録を行って、第１情報層２１と第２情報層２
２のそれぞれについて繰り返し回数を調べた点で異な
る。第１情報層２１に記録する際には、レーザ光１２を
第１の記録層１３に焦点させ、第２情報層２２を記録す
る際には、レーザ光１２を第２の記録層１８に焦点させ
た。システムのレーザパワー上限値を考慮すれば、第１
の情報層２１でＰｐ≦１４ｍＷ、Ｐｂ≦７ｍＷ（第２情
報層２２では、第１情報層２１を通ってきたレーザ光１
２を使うのでこれらＰｐおよびＰｂの約半分の値）を満
足することが望ましい。
【０２９７】
【表１３】
【０２９８】表１３に示すように、本実施例のサンプル
番号１１−１の情報記録媒体２９では、図１に示すよう
な情報記録媒体２５と比べて、基板上への各層の成膜順
が逆であること、基板上に２つ以上の情報層があるこ
と、記録条件が異なること、ならびに記録容量が約１０
倍に増えていることに関係なく、第１誘電体層２、第２
誘電体層６、第４誘電体層１７および第５の誘電体層１
９として、ＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3の系の材料から成る
層を用いることによって、良好な性能が得られた。ま
た、本実施例にて作製したサンプル番号１１−１の情報
記録媒体２９の（凹凸のない平面部における）第１情報
層２１のＲｃ設計値は６％とし、Ｒａ設計値は０．７％
であった。第２情報層２２のＲｃ設計値は２５％であ
り、Ｒａ設計値は３％であった。
【０２９９】本実施例のサンプル番号１１−１の情報記
録媒体２９では、第１の誘電体層２、第２の誘電体層
６、第４の誘電体層１７および第５の誘電体層１９の全
てにＺｒＳｉＯ4−Ｃｒ2Ｏ3の系の材料から成る層を用
いたが、他のＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層（例えばＺｒＯ2
−Ｃｒ2Ｏ3の系およびＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3-ＳｉＯ2の系
などの材料から成る層）、またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ
系材料層（例えばＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3-ＳｉＯ2にＺｎ
Ｓ、ＺｎＳｅもしくはＺｎＯを混合した系の材料から成
る層）を誘電体層に用いても良好な性能が得られた。
【０３００】また、本実施例の情報記録媒体２９では、
第１の誘電体層２、第２の誘電体層６、第４の誘電体層
１７および第５の誘電体層１９の全てにＺｒ−Ｃｒ−Ｏ
系材料層（またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層）を用
いることとしたが、本発明はこれに限定されない。一例
として、これら誘電体層のうち少なくとも一つにＺｒ−
Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層
を用い、残りの誘電体層に、例えば従来の（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）の組成を有する材料を用
い、該残りの誘電体層と記録層との間に界面層を設ける
構成としてもよい。この場合においても本実施例と同様
な結果が得られた。
【０３０１】また、本実施例の情報記録媒体２９では、
第３の誘電体層１５として、ＴｉＯ 2から成る層を用い
たが、これに代えて（ＺｒＯ2）30（Ｃｒ2Ｏ3）70から
成る層を用いてもよい。この場合、第１情報層２１にお
いて同等の性能が得られた。
【０３０２】さらに、本実施例の情報記録媒体２９で
は、第１の誘電体層２および第２の誘電体層６に、第４
の誘電体層１７および第５の誘電体層１９に、それぞれ
同じ組成の材料層を用いたが、これら誘電体層のうちの
少なくとも任意の二つについて、異なる組成の材料を用
いることもできる。その場合にも本実施例の結果と同程
度に良好な性能が得られた。
【０３０３】（実施例１６）実施例１６では、実施の形
態６にて図６を参照しながら上述した情報記録媒体３０
と同様の構造を有する情報記録媒体を作製した。本実施
例の情報記録媒体３０においては、上述までの実施例１
〜１５の情報記録媒体における誘電体層とは異なり、第
１の界面層３および第２の界面層５にＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系
材料層を用いたものである。
【０３０４】本実施例の情報記録媒体３０は次のように
して作製した。まず、実施例１と同様の基板１を準備
し、この基板１の上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）
20（ｍｏｌ％）の第１の誘電体層１０２を１５０ｎｍの
厚さで、（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57（ｍｏｌ
％）の第１の界面層３を５ｎｍの厚さで、Ｇｅ27Ｓｎ８
Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）の記録層４を９ｎｍの厚さで、
（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57（ｍｏｌ％）の第２
の界面層５を５ｎｍの厚さで、（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2）20（ｍｏｌ％）の第２の誘電体層１０６を５０ｎ
ｍの厚さで、Ｇｅ80Ｃｒ20（原子％）の光吸収補正層７
を４０ｎｍの厚さで、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの反射層８を８
０ｎｍの厚さで、スパッタリング法により順次成膜し
た。ここで、第１の誘電体層１０２および第２の誘電体
層１０６の各材料は、図１０を参照しながら上述した従
来の情報記録媒体３１に備えられるものと同様である。
【０３０５】この情報記録媒体３０は、第１の界面層３
および第２の界面層５の材料が異なる点を除いて、実施
例１にて作製した従来構成の情報記録媒体３１（図１０
を参照のこと）と同様であり、第１の界面層３および第
２の界面層５の成膜工程を除いてこれと同様にして作製
した。第１の界面層３および第２の界面層５の成膜工程
は、（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57（ｍｏｌ％）の
組成を有する材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー５００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入し
て、約０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを
行った。
【０３０６】以上のようにして得られたサンプル番号１
２−１の情報記録媒体３０について、誘電体層の密着性
および情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を、実施例
１にて上述したのとほぼ同様にして評価したが、本実施
例では、密着性の評価は、記録層４とこれに接する界面
層の間、より詳細には記録層と第１の界面層３および第
２の界面層５の少なくとも一方との間で剥離が発生して
いないかどうか調べることにより実施した。また、繰り
返し書き換え性能の評価は、グルーブ記録だけでなくラ
ンド記録も行って（即ち、ランド−グルーブ記録によ
り）グルーブ記録およびランド記録のそれぞれについて
繰り返し回数を調べることにより実施した。これらの結
果を表１４に示す。加えて、比較のために、実施例１に
て作製した図１０に示す従来構成の情報記録媒体３１に
ついて同様に評価した結果も表１４に示す。
【０３０７】
【表１４】
【０３０８】表１４に示すように、界面層の材料に（Ｚ
ｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57（ｍｏｌ％）を用いた本
実施例のサンプル番号１２−１の情報記録媒体３０で、
比較例の従来構成の情報記録媒体３１と同等の性能が得
られた。
【０３０９】本実施例によれば、界面層としてＺｒ−Ｃ
ｒ−Ｏ系材料層を用い、情報記録媒体の層数は従来と同
じであり、減らない。しかし、このようなＺｒ−Ｃｒ−
Ｏ系材料から成る界面層は、従来のＧｅ−Ｃｒ−Ｎの界
面層のように反応性スパッタリングに依らず、Ａｒガス
のみの雰囲気下でのスパッタリングで形成可能である。
従って、本実施例によれば、界面層自体の組成バラツキ
や膜厚分布が従来のＧｅ−Ｃｒ−Ｎの界面層よりも小さ
くなり、製造の容易性や安定性を向上させることができ
る。
【０３１０】尚、本実施例のサンプル番号１２−１の情
報記録媒体３０では、第１の界面層３および第２の界面
層５として、（ＺｒＳｉＯ4）43（Ｃｒ2Ｏ3）57（ｍｏ
ｌ％）の組成を有する材料から成る層（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ
系材料層）を用いたが、この組成は一例であり、他のＺ
ｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層またはＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材
料層を用いてもよい。また、第１の界面層３と第２の界
面層５は、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層およびＺｒ−Ｃｒ−
Ｚｎ−Ｏ系材料層から選択される互いに組成の異なる層
であってよい。
【０３１１】（実施例１７）以上の実施例１〜１６で
は、光学的手段によって情報を記録する情報記録媒体を
作製したが、実施例１７では、図８に示すような、電気
的手段によって情報を記録する情報記録媒体２０７を作
製した。本実施例の情報記録媒体２０７はいわゆるメモ
リである。
【０３１２】本実施例の情報記録媒体２０７は次のよう
にして作製した。まず、表面を窒化処理した、長さ５ｍ
ｍ、幅５ｍｍおよび厚さ１ｍｍのＳｉ基板２０１を準備
し、この基板２０１の上に、Ａｕの下部電極２０２を
１．０ｍｍ×１．０ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、Ｇ
ｅ38Ｓｂ10Ｔｅ52（化合物としてはＧｅ8Ｓｂ2Ｔｅ11と
表記される）の相変化部２０５を直径０．２ｍｍの円形
領域に厚さ０．１μｍで、（ＺｒＯ2）56（Ｃｒ2Ｏ3）
30（ＳｉＯ2）14の断熱部２０６を０．６ｍｍ×０．６
ｍｍの領域（但し相変化部２０５を除く）に相変化部２
０５と同じ厚さで、Ａｕの上部電極２０４を０．６ｍｍ
×０．６ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、スパッタリン
グ法により順次積層した。
【０３１３】相変化部２０５を成膜する工程では、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー１００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入し
て直流スパッタリングを行った。スパッタ時の圧力は約
０．１３Ｐａとした。また、断熱部２０６を成膜する工
程では、（ＺｒＯ2）56（Ｃｒ2Ｏ3）30（ＳｉＯ2）14の
組成を有する材料から成るスパッタリングターゲット
（直径１００ｍｍ、厚み６ｍｍ）を成膜装置に取り付
け、パワー５００Ｗで、Ａｒガス（１００％）を導入し
て、約０．１３Ｐａの圧力下、高周波スパッタリングを
行った。これら工程でのスパッタリングは、相変化部２
０５および断熱部２０６が互いに積層しないように、成
膜すべき面以外の領域をマスク治具で覆って各々行っ
た。尚、相変化部２０５および断熱部２０６の形成の順
序は問わず、いずれを先に行ってもよい。
【０３１４】相変化部２０５および断熱部２０６は記録
部２０３を構成し、相変化部２０５が本発明に言うとこ
ろの記録層に該当し、断熱部２０６が本発明に言うとこ
ろのＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層に該当する。
【０３１５】尚、下部電極２０２を成膜する工程および
上部電極２０４を成膜する工程は、スパッタリング法に
よる電極形成技術の分野において一般的な方法で実施で
きるので、詳細な説明は省略する。
【０３１６】以上のようにして作製した本実施例の情報
記録媒体２０７に電気的エネルギーを印加することによ
って相変化部２０５にて相変化が起こることを、図９に
示すシステムにより確認した。図９に示す情報記録媒体
２０７の断面図は、図８に示す情報記録媒体２０７の線
Ａ−Ｂに沿って厚さ方向に切断した断面を示している。
【０３１７】より詳細には、図９に示すように、２つの
印加部２１２を下部電極２０２および上部電極２０４に
Ａｕリード線でそれぞれボンディングすることによっ
て、印加部２１２を介して電気的書き込み／読み出し装
置２１４を情報記録媒体（メモリ）２０７に接続した。
この電気的書き込み／読み出し装置２１４において、下
部電極２０２と上部電極２０４に各々接続されている印
加部２１２の間には、パルス発生部２０８がスイッチ２
１０を介して接続され、また、抵抗測定器２０９がスイ
ッチ２１１を介して接続されていた。抵抗測定器２０９
は、抵抗測定器２０９によって測定される抵抗値の高低
を判定する判定部２１３に接続されていた。パルス発生
部２０８によって印加部２１２を介して上部電極２０４
および下部電極２０２の間に電流パルスを流し、下部電
極２０２と上部電極２０４との間の抵抗値を抵抗測定器
２０９によって測定し、この抵抗値の高低を判定部２１
３で判定した。一般に、相変化部２０５の相変化によっ
て抵抗値が変化するため、この判定結果に基づいて、相
変化部２０５の相の状態を知ることができる。
【０３１８】本実施例の場合、相変化部２０５の融点は
６３０℃、結晶化温度は１７０℃、結晶化時間は１３０
ｎｓであった。下部電極２０２と上部電極２０４の間の
抵抗値は、相変化部２０５が非晶質相状態では１０００
Ω、結晶相状態では２０Ωであった。相変化部２０５が
非晶質相状態（即ち高抵抗状態）のとき、下部電極２０
２と上部電極２０４の間に、２０ｍＡ、１５０ｎｓの電
流パルスを印加したところ、下部電極２０２と上部電極
２０４の間の抵抗値が低下し、相変化部２０５が非晶質
相状態から結晶相状態に転移した。次に、相変化部２０
５が結晶相状態（即ち低抵抗状態）のとき、下部電極２
０２と上部電極２０４の間に、２００ｍＡ、１００ｎｓ
の電流パルスを印加したところ、下部電極２０２と上部
電極２０４の間の抵抗値が上昇し、相変化部２０５が結
晶相から非晶質相に転移した。
【０３１９】以上の結果から、相変化部２０５の周囲の
断熱部２０６として（ＺｒＯ2）56（Ｃｒ2Ｏ3）30（Ｓ
ｉＯ2）14の組成を有する材料から成る層を用い、電気
的エネルギーを付与することによって相変化部（記録
層）にて相変態を生起させることができ、よって、情報
記録媒体２０７が、情報を記録する機能を有することが
確認できた。
【０３２０】本実施例のように、円柱状の相変化部２０
５の周囲に、誘電体である（ＺｒＯ 2）56（Ｃｒ2Ｏ3）
30（ＳｉＯ2）14の断熱部２０６を設けると、上部電極
２０４および下部電極２０２との間に電圧を印加するこ
とによって相変化部２０５に流れた電流がその周辺部に
逃げることが効果的に低減され、従って、電流により生
じるジュール熱によって相変化部２０５の温度を効率的
に上昇させることができる。特に、相変化部２０５を非
晶質相状態に転移させる場合には、相変化部２０５のＧ
ｅ38Ｓｂ10Ｔｅ52を一旦溶融させて急冷する過程が必要
であるが、断熱部２０６を相変化部２０５の周囲に設け
ることによって、より小さい電流で相変化部２０５の温
度を融点以上に上げることができる。
【０３２１】断熱部２０６の（ＺｒＯ2）56（Ｃｒ
2Ｏ3）30（ＳｉＯ2）14は、高融点であり、熱による原
子拡散も生じにくいので、情報記録媒体２０７のような
電気的メモリに適用することが可能である。また、相変
化部２０５の周囲に断熱部２０６が存在すると、断熱部
２０６が障壁となって相変化部２０５は記録部２０３の
面内において電気的および熱的に実質的に隔離されるの
で、情報記録媒体２０７に、複数の相変化部２０５を断
熱部２０６で互いに隔離された状態で設けて、情報記録
媒体２０７のメモリ容量を増やしたり、アクセス機能や
スイッチング機能を向上させることができる。尚、情報
記録媒体２０７自体を複数個つなぐことも可能である。
【０３２２】以上、種々の実施例を通じて本発明の情報
記録媒体について説明してきたが、光学的手段で記録す
る情報記録媒体および電気的手段で記録する情報記録媒
体のいずれにもＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層および／または
Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料層を用いることができ、こ
のような本発明の情報記録媒体によれば、従来の情報記
録媒体に比べて優れた効果が得られる。
【０３２３】
【発明の効果】本発明は、記録層と直接接して形成する
誘電体層を、好ましくはＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3系材料、Ｚ
ｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料、またはＺｒＯ2−Ｃ
ｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2にＺｎＳ、ＺｎＳｅもしくはＺｎＯを
混合した材料で形成することを特徴とする。この特徴に
よれば、従来の光情報記録媒体が有していた、記録層と
誘電体層との間の界面層を無くして、層数を減少できる
とともに、信頼性が高く、優れた繰り返し書き換え性能
および高記録感度が確保された光情報記録媒体を実現す
ることができる。また、これらの材料の層を、電気的エ
ネルギーを印加する情報記録媒体において、記録層を断
熱するための誘電体層として使用すれば、小さい電気的
エネルギーで記録層の相変化を生じさせることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光情報記録媒体の一例を示す部分断
面図である。
【図２】 本発明の光情報記録媒体の別の例を示す部分
断面図である。
【図３】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。
【図４】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。
【図５】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。
【図６】 本発明の光情報記録媒体のさらに別の例を示
す部分断面図である。
【図７】 式（２１）で表される材料の組成範囲を示す
三角図である。
【図８】 電気的エネルギーの印加により情報が記録さ
れる本発明の情報記録媒体の一例を示す模式図である。
【図９】 図８に示す情報記録媒体を使用するシステム
の一例を示す模式図である。
【図１０】 従来の情報記録媒体の一例を示す部分断面
図である。
【符号の説明】
１，１０１，２０１ 基板 ２，１０２ 第１の誘電体層 ３，１０３ 第１の界面層 ４ 記録層 ５，１０５ 第２の界面層 ６，１０６ 第２の誘電体層 ７ 光吸収補正層 ８ 反射層 ９ 接着層 １０，１１０ ダミー基板 １２ レーザ光 １３ 第１の記録層 １４ 第１の反射層 １５ 第３の誘電体層 １６ 中間層 １７ 第４の誘電体層 １８ 第２の記録層 １９ 第５の誘電体層 ２０ 第２の反射層 ２１ 第１情報層 ２２ 第２情報層 ２３ グルーブ面 ２４ ランド面 ２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，２０７
情報記録媒体 ２０２ 下部電極 ２０３ 記録部 ２０４ 上部電極 ２０５ 相変化部（記録層） ２０６ 断熱部（誘電体層） ２０８ パルス発生部 ２０９ 抵抗測定器 ２１０，２１１ スイッチ ２１２ 印加部 ２１３ 判定部 ２１４ 電気的書き込み／読み出し装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ (72)発明者 土生田 晴比古 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB13 JB18 JB35 LA14 LB01 5D121 AA04 EE03 EE13 EE14

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板および記録層を含み、前記記録層が
    光の照射または電気的エネルギーの印加によって、結晶
    相と非晶質相との間で相変態を生じる情報記録媒体であ
    って、Ｚｒ、ＣｒおよびＯを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料
    層をさらに含み、当該Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層におい
    て、Ｚｒの含有量が３０原子％以下であり、Ｃｒの含有
    量が７原子％以上３７原子％以下である情報記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層が、式
    （１）： 【化１】ＺｒQＣｒRＯ100-Q-R（原子％）...（１） （式中、ＱおよびＲはそれぞれ、０＜Ｑ≦３０、７≦Ｒ
    ≦３７の範囲内にあり、且つ２０≦Ｑ＋Ｒ≦６０であ
    る） で表される材料から実質的に成る、請求項１に記載の情
    報記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層がさらにＳ
    ｉを含み、式（２）： 【化２】 ＺｒUＣｒVＳｉTＯ100-U-V-T（原子％）...（２） （式中、Ｕ、Ｖ、およびＴはそれぞれ、０＜Ｕ≦３０、
    ７≦Ｖ≦３７、および０＜Ｔ≦１４の範囲内にあり、且
    つ２０≦Ｕ＋Ｖ＋Ｔ≦６０である） で表される材料から実質的に成る、請求項１に記載の情
    報記録媒体。
  4. 【請求項４】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層が、式（１
    １）： 【化３】 （ＺｒＯ2）M（Ｃｒ2Ｏ3）100-M（ｍｏｌ％）...（１１） （式中、Ｍは２０≦Ｍ≦８０である） で表される材料から実質的に成る、請求項１に記載の情
    報記録媒体。
  5. 【請求項５】 前記Ｓｉを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層
    が、式（２１）： 【化４】 （ＺｒＯ2）X（Ｃｒ2Ｏ3）Y（ＳｉＯ2）100-X-Y（ｍｏｌ％）...（２１） （式中、ＸおよびＹはそれぞれ、２０≦Ｘ≦７０および
    ２０≦Ｙ≦６０の範囲内にあり、且つ６０≦Ｘ＋Ｙ≦９
    ０である） で表される材料から実質的に成る、請求項３に記載の情
    報記録媒体。
  6. 【請求項６】 式（２１）で表される材料が、ＺｒＯ2
    とＳｉＯ2を略等しい割合で含み、式（２２）： 【化５】 （ＺｒＳｉＯ4）Z（Ｃｒ2Ｏ3）100-Z（ｍｏｌ％）...（２２） （式中、Ｚは、２５≦Ｚ≦６７の範囲内にある。） で表される、請求項５に記載の情報記録媒体。
  7. 【請求項７】 基板および記録層を含み、前記記録層が
    光の照射または電気的エネルギーの印加によって、結晶
    層と非晶質相との間で相変態を生じる情報記録媒体であ
    って、式（３）： 【化６】 （ＺｒＯ2）C（Ｃｒ2Ｏ3）E（Ｄ）F（ＳｉＯ2）100-C-E-F（ｍｏｌ％）...（ ３） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
    Ｃ、ＥおよびＦはそれぞれ、２０≦Ｃ≦６０、２０≦Ｅ
    ≦６０、および１０≦Ｆ≦４０の範囲内にあり、且つ６
    ０≦Ｃ＋Ｅ＋Ｆ≦９０である） で表されるＺｒ−Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系材料から実質的に成
    る層をさらに含んでいる情報記録媒体。
  8. 【請求項８】 式（３）で表される材料が、ＺｒＯ2と
    ＳｉＯ2を略等しい割合で含み、式（３１）： 【化７】 （ＺｒＳｉＯ4）A（Ｃｒ2Ｏ3）B（Ｄ）100-A-B（ｍｏｌ％）...（３１） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
    ＡおよびＢはそれぞれ、２５≦Ａ≦５４、および２５≦
    Ｂ≦６３の範囲内にあり、且つ５０≦Ａ＋Ｂ≦８８であ
    る） で表される、請求項７に記載の情報記録媒体。
  9. 【請求項９】 相変態が可逆的に生じる請求項１〜８の
    いずれか１項に記載の情報記録媒体。
  10. 【請求項１０】 記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−
    Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂ
    ｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ
    −Ｂｉ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅおよびＳｂ−Ｔ
    ｅから選択される、いずれか１つの材料を含む請求項９
    に記載の情報記録媒体。
  11. 【請求項１１】 記録層の膜厚が、１５ｎｍ以下である
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  12. 【請求項１２】 記録層を２つ以上備えている請求項１
    〜１１のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】 基板の一方の表面に、第１の誘電体
    層、記録層、第２の誘電体層、および反射層がこの順に
    形成されており、前記第１の誘電体層および前記第２の
    誘電体層のうち少なくとも１つの誘電体層が、前記Ｚｒ
    −Ｃｒ−Ｏ系材料層であって、前記記録層と界面を接し
    ている請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報記録
    媒体。
  14. 【請求項１４】 基板の一方の表面に、反射層、第２の
    誘電体層、記録層、および第１の誘電体層がこの順に形
    成されており、前記第１の誘電体層および前記第２の誘
    電体層のうち少なくとも１つの誘電体層が、前記Ｚｒ−
    Ｃｒ−Ｏ系材料層であって、前記記録層と界面を接して
    いる請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報記録媒
    体。
  15. 【請求項１５】 基板および記録層を含み、Ｚｒ、Ｃｒ
    およびＯを含み、Ｚｒの含有量が３０原子％以下であ
    り、Ｃｒの含有量が７原子％以上３７原子％以下である
    Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層をさらに含む情報記録媒体の製
    造方法であって、当該Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を、スパ
    ッタリング法で形成する工程を含む、情報記録媒体の製
    造方法。
  16. 【請求項１６】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層をスパッ
    タリング法で形成する工程において、式（１０）： 【化８】ＺｒJＣｒKＯ100-J-K（原子％）...（１０） （式中、ＪおよびＫはそれぞれ、３≦Ｊ≦２４、および
    １１≦Ｋ≦３６の範囲内にあり、且つ３４≦Ｊ＋Ｋ≦４
    ０である） で表される材料から実質的に成るスパッタリングターゲ
    ットを用いる、請求項１５に記載の情報記録媒体の製造
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層をスパッ
    タリング法で形成する工程において、式（２０）： 【化９】 ＺｒGＣｒHＳｉLＯ100-G-H-L（原子％）...（２０） （式中、Ｇ、ＨおよびＬはそれぞれ、４≦Ｇ≦２１、１
    １≦Ｈ≦３０、および２≦Ｌ≦１２の範囲内にあり、且
    つ３４≦Ｇ＋Ｈ＋Ｌ≦４０である）で表される材料から
    実質的に成るスパッタリングターゲットを用いて、Ｓｉ
    を含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を形成する、請求項１５
    に記載の情報記録媒体の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層をスパッ
    タリング法で形成する工程において、式（１１０）： 【化１０】 （ＺｒＯ2）m（Ｃｒ2Ｏ3）100-m（ｍｏｌ％）...（１１０） （式中、ｍは２０≦ｍ≦８０の範囲内にある） で表される材料から実質的に成るスパッタリングターゲ
    ットを用いる、請求項１５に記載の情報記録媒体の製造
    方法。
  19. 【請求項１９】 前記Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層をスパッ
    タリング法で形成する工程において、式（２１０）： 【化１１】 （ＺｒＯ2）x（Ｃｒ2Ｏ3）y（ＳｉＯ2）100-x-y（ｍｏｌ％）...（２１０） （式中、ｘおよびｙはそれぞれ、２０≦ｘ≦７０、およ
    び２０≦ｙ≦６０の範囲内にあり、且つ６０≦ｘ＋ｙ≦
    ９０である） で表される材料から実質的に成るスパッタリングターゲ
    ットを用いて、Ｓｉを含むＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料層を形
    成する、請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記式（２１０）で表される材料が、
    ＺｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含み、式（２２
    ０）： 【化１２】 （ＺｒＳｉＯ4）z（Ｃｒ2Ｏ3）100-z（ｍｏｌ％）...（２２０） （式中、ｚは、２５≦ｚ≦６７の範囲内にある） で表される材料である、請求項１９に記載の情報記録媒
    体の製造方法。
  21. 【請求項２１】 基板および記録層を含み、さらにＺｒ
    −Ｃｒ−Ｚｎ−Ｏ系の材料から実質的に成る層を含む情
    報記録媒体の製造方法であって、当該Ｚｒ−Ｃｒ−Ｚｎ
    −Ｏ系の材料から実質的に成る層をスパッタリング法で
    形成する工程を含み、この工程において、式（３０）： 【化１３】 （ＺｒＯ2）c（Ｃｒ2Ｏ3）e（Ｄ）f（ＳｉＯ2）100-c-e-f（ｍｏｌ％）...（ ３０） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
    ｃ、ｅおよびｆはそれぞれ、２０≦ｃ≦６０、および２
    ０≦ｅ≦６０、１０≦ｆ≦４０の範囲内にあり、且つ６
    ０≦ｃ＋ｅ＋ｆ≦９０である） で表される材料から実質的に成るスパッタリングターゲ
    ットを用いる、情報記録媒体の製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記式（３０）で表される材料が、Ｚ
    ｒＯ2とＳｉＯ2を略等しい割合で含み、式（３１０）： 【化１４】 （ＺｒＳｉＯ4）a（Ｃｒ2Ｏ3）b（Ｄ）100-a-b（ｍｏｌ％）...（３１０） （式中、Ｄは、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＯであり、
    ａおよびｂはそれぞれ、２５≦ａ≦５４、および２５≦
    ｂ≦６３の範囲内にあり、且つ５０≦ａ＋ｂ≦８８であ
    る） で表される材料である、請求項２１に記載の情報記録媒
    体の製造方法。
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