JPH08115534A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH08115534A JPH08115534A JP6251980A JP25198094A JPH08115534A JP H08115534 A JPH08115534 A JP H08115534A JP 6251980 A JP6251980 A JP 6251980A JP 25198094 A JP25198094 A JP 25198094A JP H08115534 A JPH08115534 A JP H08115534A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は相変化型光ディスクのオーバライト
特性を改善して高密度記録を可能にし、また、所望の吸
収率制御を実行しつつ、記録感度低下を抑えた媒体構成
の光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光学的情報記録媒体は、基板１上に第一保護
膜２、記録膜３、第二保護膜４、低屈折率誘電体膜８、
高屈折率誘電体反射膜９及び紫外線硬化樹脂６より構成
されている。低屈折率誘電体膜８は反射率特性及び吸収
率特性を制御し、それにより、結晶部分の吸収率を非晶
質部分に比べて大きくすると共に、透過光成分を抑制し
て、吸収率を上げて良好な記録感度特性を確保する。
特性を改善して高密度記録を可能にし、また、所望の吸
収率制御を実行しつつ、記録感度低下を抑えた媒体構成
の光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光学的情報記録媒体は、基板１上に第一保護
膜２、記録膜３、第二保護膜４、低屈折率誘電体膜８、
高屈折率誘電体反射膜９及び紫外線硬化樹脂６より構成
されている。低屈折率誘電体膜８は反射率特性及び吸収
率特性を制御し、それにより、結晶部分の吸収率を非晶
質部分に比べて大きくすると共に、透過光成分を抑制し
て、吸収率を上げて良好な記録感度特性を確保する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的情報記録媒体に係
り、特にレーザ光照射による昇温、冷却の熱履歴の違い
により結晶と非晶質間の可逆的な構造変化、並びに光学
的性質が変化する相変化型の光学的情報記録媒体に関す
る。
り、特にレーザ光照射による昇温、冷却の熱履歴の違い
により結晶と非晶質間の可逆的な構造変化、並びに光学
的性質が変化する相変化型の光学的情報記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いた光学的情報記録媒体、
特に円盤状の光学的情報記録媒体（以下、「光ディス
ク」という）の記録方式は、大容量記録が可能であり、
非接触で高速アクセスできることから、大容量メモリと
して実用化が進んでいる。光ディスクはコンパクトディ
スク（ＣＤ）やビデオディスクとして知られている再生
専用型、ユーザ自身で記録できる追記型、及びユーザ側
で繰り返し記録消去ができる書換型に分類される。その
うち、追記型や書換型の光ディスクは、コンピュータの
外部メモリ、あるいは文書・画像ファイルとして使用さ
れている。
特に円盤状の光学的情報記録媒体（以下、「光ディス
ク」という）の記録方式は、大容量記録が可能であり、
非接触で高速アクセスできることから、大容量メモリと
して実用化が進んでいる。光ディスクはコンパクトディ
スク（ＣＤ）やビデオディスクとして知られている再生
専用型、ユーザ自身で記録できる追記型、及びユーザ側
で繰り返し記録消去ができる書換型に分類される。その
うち、追記型や書換型の光ディスクは、コンピュータの
外部メモリ、あるいは文書・画像ファイルとして使用さ
れている。
【０００３】また、書換型光ディスクには、記録膜の相
変化を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化
方向の変化を利用した光磁気ディスクがある。このう
ち、相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、
オーバライトが容易にできることから、今後、書換型光
ディスクの主流になることが期待されている。
変化を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化
方向の変化を利用した光磁気ディスクがある。このう
ち、相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、
オーバライトが容易にできることから、今後、書換型光
ディスクの主流になることが期待されている。
【０００４】従来より、レーザ光照射により結晶−非晶
質間の相変化を起こす記録膜を用いた書換可能な、いわ
ゆる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光デ
ィスクでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワーの
レーザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇
させることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせ
て記録し、これに伴い光学定数の変化を低パワーのレー
ザ光によって反射光強度差あるいは位相変化として読み
取ることにより、再生を行っている。
質間の相変化を起こす記録膜を用いた書換可能な、いわ
ゆる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光デ
ィスクでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワーの
レーザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇
させることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせ
て記録し、これに伴い光学定数の変化を低パワーのレー
ザ光によって反射光強度差あるいは位相変化として読み
取ることにより、再生を行っている。
【０００５】例えば、結晶化時間が比較的遅い記録膜を
用いた相変化型光ディスクでは、光ディスクを回転さ
せ、その光ディスクに形成された記録膜にレーザ光を照
射することにより、温度を融点以上に上昇させた当該記
録膜の部分を、レーザ光が通過した後、急冷することに
より非晶質状態として記録する。
用いた相変化型光ディスクでは、光ディスクを回転さ
せ、その光ディスクに形成された記録膜にレーザ光を照
射することにより、温度を融点以上に上昇させた当該記
録膜の部分を、レーザ光が通過した後、急冷することに
より非晶質状態として記録する。
【０００６】消去時には、記録膜温度を結晶化温度以
上、融点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させ
るために十分な時間保持し、記録膜を結晶化させる。こ
のための方法としては、レーザ光進行方向に長い長円レ
ーザ光を照射する方法が知られている。既に記録したデ
ータを消去しながら新しい情報を記録する２ビームによ
る擬似的なオーバライトを行う場合には、消去用の長円
レーザ光を記録用円形レーザ光に先行させて照射するよ
うに配置する。
上、融点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させ
るために十分な時間保持し、記録膜を結晶化させる。こ
のための方法としては、レーザ光進行方向に長い長円レ
ーザ光を照射する方法が知られている。既に記録したデ
ータを消去しながら新しい情報を記録する２ビームによ
る擬似的なオーバライトを行う場合には、消去用の長円
レーザ光を記録用円形レーザ光に先行させて照射するよ
うに配置する。
【０００７】一方、高速結晶化が可能な情報記録膜を用
いた光ディスクでは、円形に集光した１本のレーザ光を
使う。従来より知られている方法は、レーザ光のパワー
を２つのレベル間で変化させることにより、結晶化ある
いは非晶質化を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以
上に上昇させることが可能な高パワーのレーザ光を記録
膜に照射することにより、その殆どの部分は冷却時に非
晶質状態となり、一方、記録膜温度が結晶化温度以上、
融点以下の温度に達するような低パワーのレーザ光が照
射された部分は結晶状態になる。
いた光ディスクでは、円形に集光した１本のレーザ光を
使う。従来より知られている方法は、レーザ光のパワー
を２つのレベル間で変化させることにより、結晶化ある
いは非晶質化を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以
上に上昇させることが可能な高パワーのレーザ光を記録
膜に照射することにより、その殆どの部分は冷却時に非
晶質状態となり、一方、記録膜温度が結晶化温度以上、
融点以下の温度に達するような低パワーのレーザ光が照
射された部分は結晶状態になる。
【０００８】相変化型光ディスクの記録膜には、カルコ
ゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯ
ｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、Ｂ
ｉＳｅＧｅ系などが用いられるが、いずれも抵抗加熱真
空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリング法な
どの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜の状態は、
一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を行って非
晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を結晶質に
しておく初期化処理が行われる。記録はこの結晶化され
た状態の中に非晶質部分を形成することにより達成され
る。
ゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯ
ｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、Ｂ
ｉＳｅＧｅ系などが用いられるが、いずれも抵抗加熱真
空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリング法な
どの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜の状態は、
一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を行って非
晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を結晶質に
しておく初期化処理が行われる。記録はこの結晶化され
た状態の中に非晶質部分を形成することにより達成され
る。
【０００９】従来、このような相変化型光ディスクにお
いて高密度記録を行う手法として、記録マークのエッジ
に情報を記録するマークエッジ記録方式が提案されてい
る。マークエッジに情報を記録する場合、エッジ位置の
正確さが重要であり、エッジ位置揺らぎが高密度記録を
制限する大きな要因となっている。このエッジ揺らぎの
主な原因は非晶質と結晶間の吸収率差であり、エッジ揺
らぎを抑えるには、結晶の吸収率を非晶質部分のそれに
比べて大きくしておくことが重要である。
いて高密度記録を行う手法として、記録マークのエッジ
に情報を記録するマークエッジ記録方式が提案されてい
る。マークエッジに情報を記録する場合、エッジ位置の
正確さが重要であり、エッジ位置揺らぎが高密度記録を
制限する大きな要因となっている。このエッジ揺らぎの
主な原因は非晶質と結晶間の吸収率差であり、エッジ揺
らぎを抑えるには、結晶の吸収率を非晶質部分のそれに
比べて大きくしておくことが重要である。
【００１０】従来から知られている金属反射膜を用いた
光ディスクでは、結晶と非晶質間の反射率差を大きくす
る構成となっており、通常、結晶部分反射率を非晶質部
分反射率より高く設定するため、必然的に非晶質部分の
吸収率が大きくなってしまう。そのため、前述したよう
に、オーバライト記録時のマークエッジ揺らぎが大きく
なってしまうという課題がある。
光ディスクでは、結晶と非晶質間の反射率差を大きくす
る構成となっており、通常、結晶部分反射率を非晶質部
分反射率より高く設定するため、必然的に非晶質部分の
吸収率が大きくなってしまう。そのため、前述したよう
に、オーバライト記録時のマークエッジ揺らぎが大きく
なってしまうという課題がある。
【００１１】ここで、吸収率制御について詳細に説明す
る。従来から知られている相変化型光ディスクの構成
は、図３の断面図に示すように、透明基板１上に第一保
護膜２、記録膜３、第二保護膜４、金属反射膜５及び紫
外線硬化樹脂６をそれぞれ順次に積層した、いわゆる４
層反射膜構成である。
る。従来から知られている相変化型光ディスクの構成
は、図３の断面図に示すように、透明基板１上に第一保
護膜２、記録膜３、第二保護膜４、金属反射膜５及び紫
外線硬化樹脂６をそれぞれ順次に積層した、いわゆる４
層反射膜構成である。
【００１２】前述したように、通常は、結晶部分反射率
を非晶質部分反射率より高くして再生信号を確保するた
め、非晶質の反射率を結晶状態の反射率に比べて小さく
した構成が採用される。この場合、記録膜の相変化に伴
う光学定数の変化を反射率変化に効率よく変換でき、良
好な再生信号が確保できるという長所を持つ反面、金属
反射膜５において殆どの光が反射されてしまうため、記
録膜３の光学定数変化に伴う反射率差を大きく確保しよ
うとすると、記録膜３での吸収率は、必然的に、非晶質
部分に比べて結晶部分の吸収率が小さくなってしまう。
を非晶質部分反射率より高くして再生信号を確保するた
め、非晶質の反射率を結晶状態の反射率に比べて小さく
した構成が採用される。この場合、記録膜の相変化に伴
う光学定数の変化を反射率変化に効率よく変換でき、良
好な再生信号が確保できるという長所を持つ反面、金属
反射膜５において殆どの光が反射されてしまうため、記
録膜３の光学定数変化に伴う反射率差を大きく確保しよ
うとすると、記録膜３での吸収率は、必然的に、非晶質
部分に比べて結晶部分の吸収率が小さくなってしまう。
【００１３】このように、結晶部分の吸収率が小さくな
った場合、通常、結晶質の方が非晶質に比べて熱伝導率
が大きく、また溶融に必要な潜熱も大きいので、オーバ
ライト時に記録膜が結晶か、非晶質かによって記録膜昇
温状態に差が生じる。このため、オーバライト信号がオ
ーバライト前の信号成分によって変調されてしまう。こ
れがオーバライトジッタ低減を制限するマークエッジ揺
らぎの一因になっている。
った場合、通常、結晶質の方が非晶質に比べて熱伝導率
が大きく、また溶融に必要な潜熱も大きいので、オーバ
ライト時に記録膜が結晶か、非晶質かによって記録膜昇
温状態に差が生じる。このため、オーバライト信号がオ
ーバライト前の信号成分によって変調されてしまう。こ
れがオーバライトジッタ低減を制限するマークエッジ揺
らぎの一因になっている。
【００１４】そこで、このマークエッジ揺らぎの解決法
として、従来より極薄金属反射膜を用いる、透過性
高屈折率誘電体を反射膜とする、光学的な位相差を使
って再生し、吸収率設定に自由度を持たせる、の計３つ
の方法が提案されている。
として、従来より極薄金属反射膜を用いる、透過性
高屈折率誘電体を反射膜とする、光学的な位相差を使
って再生し、吸収率設定に自由度を持たせる、の計３つ
の方法が提案されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】まず、１番目の極薄金
属反射膜を用いる方法では、極薄金属反射膜として金
（Ａｕ）を用いることにより、記録膜が結晶質の状態の
ときと非晶質の状態のときとで光学的な吸収率を等しく
することにより、時間的、空間的に同様な昇温プロファ
イルを得るようにしている（特開平１−１４９２３８号
公報）。しかし、この従来方法は、金属反射膜が例えば
２０ｎｍと薄く、繰り返しオーバライト特性が乏しいと
いう問題がある。
属反射膜を用いる方法では、極薄金属反射膜として金
（Ａｕ）を用いることにより、記録膜が結晶質の状態の
ときと非晶質の状態のときとで光学的な吸収率を等しく
することにより、時間的、空間的に同様な昇温プロファ
イルを得るようにしている（特開平１−１４９２３８号
公報）。しかし、この従来方法は、金属反射膜が例えば
２０ｎｍと薄く、繰り返しオーバライト特性が乏しいと
いう問題がある。
【００１６】また、２番目の透過性高屈折率誘電体を反
射膜とする方法では、透過性高屈折率誘電体であるシリ
コン（Ｓｉ）を反射膜として用いた構成が知られている
（特開平４−１０２２４３号公報）。すなわち、この方
法では、光学的情報記録媒体を、図４の断面図に示すよ
うに、基板１上に第一保護膜２、記録膜３、第二保護膜
４、Ｓｉによる高屈折率誘電対反射膜７及び紫外線硬化
樹脂６の順で積層された構成である。
射膜とする方法では、透過性高屈折率誘電体であるシリ
コン（Ｓｉ）を反射膜として用いた構成が知られている
（特開平４−１０２２４３号公報）。すなわち、この方
法では、光学的情報記録媒体を、図４の断面図に示すよ
うに、基板１上に第一保護膜２、記録膜３、第二保護膜
４、Ｓｉによる高屈折率誘電対反射膜７及び紫外線硬化
樹脂６の順で積層された構成である。
【００１７】図５は図４に示した従来の光学的情報記録
媒体における反射率と透過率の下部保護膜である第一保
護膜２の膜厚依存性を示す特性図である。図５に示すよ
うに、第一保護膜２の膜厚の変化に伴い結晶の吸収率
Ｉ、非晶質の吸収率II、結晶の反射率III及び非晶質の
反射率IVはそれぞれ変化するが、結晶の吸収率Ｉは常に
非晶質の吸収率IIより大きく、また、結晶の反射率は常
に非晶質の反射率IVより大きい。すなわち、この従来の
光学的情報記録媒体では、図５から分かるように、第一
保護膜２の膜厚が変化しても、１５％以上の透過率があ
り、吸収率低下をもたらし、記録感度が低下するという
問題がある。
媒体における反射率と透過率の下部保護膜である第一保
護膜２の膜厚依存性を示す特性図である。図５に示すよ
うに、第一保護膜２の膜厚の変化に伴い結晶の吸収率
Ｉ、非晶質の吸収率II、結晶の反射率III及び非晶質の
反射率IVはそれぞれ変化するが、結晶の吸収率Ｉは常に
非晶質の吸収率IIより大きく、また、結晶の反射率は常
に非晶質の反射率IVより大きい。すなわち、この従来の
光学的情報記録媒体では、図５から分かるように、第一
保護膜２の膜厚が変化しても、１５％以上の透過率があ
り、吸収率低下をもたらし、記録感度が低下するという
問題がある。
【００１８】更に、反射膜としてダイヤモンド状薄膜を
用いた構成の光学的情報記録媒体も知られている（特開
平４−２５２４４２号公報）。しかるに、この従来の光
学的情報記録媒体では、熱伝導率が大きく、ポリカーボ
ネート製の基板の屈折率よりも高い屈折率で、結晶部分
と非晶質の部分との反射率の差を大きくしたまま吸収率
の差を小さくするものの、どうしても透過光量が多くな
る傾向にあり、記録感度が落ちてしまうという問題があ
る。
用いた構成の光学的情報記録媒体も知られている（特開
平４−２５２４４２号公報）。しかるに、この従来の光
学的情報記録媒体では、熱伝導率が大きく、ポリカーボ
ネート製の基板の屈折率よりも高い屈折率で、結晶部分
と非晶質の部分との反射率の差を大きくしたまま吸収率
の差を小さくするものの、どうしても透過光量が多くな
る傾向にあり、記録感度が落ちてしまうという問題があ
る。
【００１９】また、３番目の光学的な位相差を使って再
生し、吸収率設定に自由度を持たせる方法の光学的情報
記録媒体が従来より知られているが（特開平５−１４５
２９９号公報）、このものは、記録膜や保護膜など各層
の膜厚マージンが狭くなる傾向にあるなどの問題があ
る。
生し、吸収率設定に自由度を持たせる方法の光学的情報
記録媒体が従来より知られているが（特開平５−１４５
２９９号公報）、このものは、記録膜や保護膜など各層
の膜厚マージンが狭くなる傾向にあるなどの問題があ
る。
【００２０】なお、他の従来の光学的情報記録媒体とし
て、記録膜の第一保護膜の厚さが１００ｎｍ、記録膜の
非晶質状態の吸収率と結晶状態の吸収率とがそれぞれ
０．５より大で、また、第二保護膜と記録膜との膜厚が
上記の記録膜の非晶質状態の吸収率と結晶状態の吸収率
の値に関連した所定の不等式を満足する値に設定された
光学的情報記録媒体が知られている（特開平２−１２８
３３０号公報）。
て、記録膜の第一保護膜の厚さが１００ｎｍ、記録膜の
非晶質状態の吸収率と結晶状態の吸収率とがそれぞれ
０．５より大で、また、第二保護膜と記録膜との膜厚が
上記の記録膜の非晶質状態の吸収率と結晶状態の吸収率
の値に関連した所定の不等式を満足する値に設定された
光学的情報記録媒体が知られている（特開平２−１２８
３３０号公報）。
【００２１】しかし、この従来の光学的情報記録媒体に
よれば、光の多重反射を考慮に入れて吸収率コントラス
トが０．０５以下になるようにしているが、マークエッ
ジ記録に対応した媒体の吸収率に関する記述はなく、消
し残りを小さくするために、結晶状態の吸収率と非晶質
状態の吸収率との差を小さく抑えることを規定している
にすぎない。
よれば、光の多重反射を考慮に入れて吸収率コントラス
トが０．０５以下になるようにしているが、マークエッ
ジ記録に対応した媒体の吸収率に関する記述はなく、消
し残りを小さくするために、結晶状態の吸収率と非晶質
状態の吸収率との差を小さく抑えることを規定している
にすぎない。
【００２２】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
相変化型光ディスクのオーバライト特性を改善し、高密
度記録を可能にする新規な光学的情報記録媒体を提供す
ることを目的とする。また、本発明は所望の吸収率制御
を実行しつつ、記録感度低下を抑えた媒体構成が選択さ
れた光学的情報記録媒体を提供することにある。
相変化型光ディスクのオーバライト特性を改善し、高密
度記録を可能にする新規な光学的情報記録媒体を提供す
ることを目的とする。また、本発明は所望の吸収率制御
を実行しつつ、記録感度低下を抑えた媒体構成が選択さ
れた光学的情報記録媒体を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、レーザ光が照射されて昇温、冷却の熱履歴
の違いにより記録膜の結晶と非晶質間の可逆的な相状態
変化により情報の記録再生消去を行う相変化型光学的情
報記録媒体において、透明基板と、透明基板上に形成さ
れた第一保護膜と、第一保護膜上に形成されたカルコゲ
ナイド系の材料からなる前記記録膜と、記録膜上に形成
された第二保護膜と、第二保護膜上に形成された、透明
基板の屈折率よりも低屈折率の誘電体膜と、誘電体膜上
に形成された、透明基板の屈折率よりも高屈折率の誘電
体反射膜とを有する構成としたものである。
成するため、レーザ光が照射されて昇温、冷却の熱履歴
の違いにより記録膜の結晶と非晶質間の可逆的な相状態
変化により情報の記録再生消去を行う相変化型光学的情
報記録媒体において、透明基板と、透明基板上に形成さ
れた第一保護膜と、第一保護膜上に形成されたカルコゲ
ナイド系の材料からなる前記記録膜と、記録膜上に形成
された第二保護膜と、第二保護膜上に形成された、透明
基板の屈折率よりも低屈折率の誘電体膜と、誘電体膜上
に形成された、透明基板の屈折率よりも高屈折率の誘電
体反射膜とを有する構成としたものである。
【００２４】
【作用】マークエッジ記録方式で情報を記録する場合、
エッジ位置の揺らぎの主な原因は非晶質と結晶間の吸収
率差であり、エッジ位置揺らぎを抑えるためには、結晶
の吸収率を非晶質部分に比べて大きくしておくことが重
要である。そこで、本発明では、透過性高屈折率誘電体
反射膜と第二保護膜との間に低屈折率誘電体膜を挿入す
ることにより、結晶状態の吸収率を従来に比べて大きく
するようにしたものである。従って、本発明では、金属
反射膜の厚さは極薄金属反射膜を用いる従来の記録媒体
よりも厚くでき、また、光学的な位相差を使って再生す
る従来の記録媒体とは異なる構成とすることができる。
エッジ位置の揺らぎの主な原因は非晶質と結晶間の吸収
率差であり、エッジ位置揺らぎを抑えるためには、結晶
の吸収率を非晶質部分に比べて大きくしておくことが重
要である。そこで、本発明では、透過性高屈折率誘電体
反射膜と第二保護膜との間に低屈折率誘電体膜を挿入す
ることにより、結晶状態の吸収率を従来に比べて大きく
するようにしたものである。従って、本発明では、金属
反射膜の厚さは極薄金属反射膜を用いる従来の記録媒体
よりも厚くでき、また、光学的な位相差を使って再生す
る従来の記録媒体とは異なる構成とすることができる。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
１は本発明の一実施例の構造断面図を示す。同図中、図
３及び図４と同一構成部分には同一符号を付してある。
図１に示すように、本実施例は基板１上に、第一保護膜
２、記録膜３、第二保護膜４、低屈折率誘電体膜８、高
屈折率誘電体反射膜９及び保護用の紫外線硬化樹脂６が
順次に積層された構成である。
１は本発明の一実施例の構造断面図を示す。同図中、図
３及び図４と同一構成部分には同一符号を付してある。
図１に示すように、本実施例は基板１上に、第一保護膜
２、記録膜３、第二保護膜４、低屈折率誘電体膜８、高
屈折率誘電体反射膜９及び保護用の紫外線硬化樹脂６が
順次に積層された構成である。
【００２６】すなわち、本実施例は、第二保護膜４上に
形成された低屈折率誘電体膜８により反射率特性並びに
吸収率特性を制御し、それにより、結晶部分の吸収率を
非晶質に比べて大きくすると共に、透過光成分を抑制し
て吸収率を上げて良好な記録感度特性を確保した点に特
徴がある。
形成された低屈折率誘電体膜８により反射率特性並びに
吸収率特性を制御し、それにより、結晶部分の吸収率を
非晶質に比べて大きくすると共に、透過光成分を抑制し
て吸収率を上げて良好な記録感度特性を確保した点に特
徴がある。
【００２７】基板１には、円盤状のガラス若しくはプラ
スチックが用いられる。第一保護膜２と第二保護膜４に
は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
などの誘電体材料がそれぞれ用いられる。
スチックが用いられる。第一保護膜２と第二保護膜４に
は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
などの誘電体材料がそれぞれ用いられる。
【００２８】記録膜３としては、カルコゲナイド系材料
であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、
ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、
ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系など
の相変化型記録材料が用いられる。
であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、
ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、
ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系など
の相変化型記録材料が用いられる。
【００２９】低屈折率誘電体膜８は、基板１の材料の屈
折率（１．４１〜１．５８）及び第一保護膜２と第二保
護膜４の屈折率（２．１程度）などの基準屈折率よりも
低い屈折率の材料、例えばフッ化マグネシウム（ＭｇＦ
2 ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、フッ化ナトリウ
ム（ＮａＦ2 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ2 ）及びＮａ
3 ＡｌＦ6 などが使用できる。更に、高屈折率誘電体反
射膜９は、上記の基準屈折率よりも高い屈折率の透過性
高屈折率材料、例えばＳｉ又はゲルマニウム（Ｇｅ）に
より構成された反射膜である。
折率（１．４１〜１．５８）及び第一保護膜２と第二保
護膜４の屈折率（２．１程度）などの基準屈折率よりも
低い屈折率の材料、例えばフッ化マグネシウム（ＭｇＦ
2 ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、フッ化ナトリウ
ム（ＮａＦ2 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ2 ）及びＮａ
3 ＡｌＦ6 などが使用できる。更に、高屈折率誘電体反
射膜９は、上記の基準屈折率よりも高い屈折率の透過性
高屈折率材料、例えばＳｉ又はゲルマニウム（Ｇｅ）に
より構成された反射膜である。
【００３０】本実施例の特徴は、記録感度の低下を抑え
て、吸収率差を制御した光ディスクの構成にあり、非晶
質記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、そ
れにより、結晶部分の吸収率が非晶質のそれに比べて大
きい状態を実現することにある。
て、吸収率差を制御した光ディスクの構成にあり、非晶
質記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、そ
れにより、結晶部分の吸収率が非晶質のそれに比べて大
きい状態を実現することにある。
【００３１】図２は第一保護膜２としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 を用い、かつ、その膜厚を変化させたときの、結晶の
吸収率特性V、非晶質の吸収率特性VI、結晶の反射率特
性VII及び非晶質の反射率特性VIIIを示す。また、この
特性は記録膜３をＧｅＳｂＴｅによる膜厚２０ｎｍ、第
二保護膜４をＺｎＳ−ＳｉＯ2 による膜厚２０ｎｍ、高
屈折率誘電体反射膜９をＡｌによる膜厚６０ｎｍとした
ときの特性である。
2 を用い、かつ、その膜厚を変化させたときの、結晶の
吸収率特性V、非晶質の吸収率特性VI、結晶の反射率特
性VII及び非晶質の反射率特性VIIIを示す。また、この
特性は記録膜３をＧｅＳｂＴｅによる膜厚２０ｎｍ、第
二保護膜４をＺｎＳ−ＳｉＯ2 による膜厚２０ｎｍ、高
屈折率誘電体反射膜９をＡｌによる膜厚６０ｎｍとした
ときの特性である。
【００３２】図２に示す特性Ｖ及びVIから分かるよう
に、第一保護膜２の膜厚が５０ｎｍ〜１２０ｎｍ、ある
いは２４０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲のときに、結晶の吸
収率が非晶質の吸収率よりも大であり、かつ、結晶の吸
収率が図５に示した従来の結晶の吸収率に比し１０％程
度大きく、その分感度が向上するという所望の条件が実
現できる。
に、第一保護膜２の膜厚が５０ｎｍ〜１２０ｎｍ、ある
いは２４０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲のときに、結晶の吸
収率が非晶質の吸収率よりも大であり、かつ、結晶の吸
収率が図５に示した従来の結晶の吸収率に比し１０％程
度大きく、その分感度が向上するという所望の条件が実
現できる。
【００３３】次に、本実施例の構成の詳細について説明
する。使用するレーザ波長を８３０ｎｍに設定し、非晶
質記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、そ
れにより、結晶部分の吸収率が非晶質部分に比べて大き
い状態を実現できるように、光ディスク構成を決定して
光ディスクを作成した。基板１には直径１３０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネート基板
を用いた。
する。使用するレーザ波長を８３０ｎｍに設定し、非晶
質記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくし、そ
れにより、結晶部分の吸収率が非晶質部分に比べて大き
い状態を実現できるように、光ディスク構成を決定して
光ディスクを作成した。基板１には直径１３０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネート基板
を用いた。
【００３４】第一保護膜２及び第二保護膜４にはＺｎＳ
とＳｉＯ2 の混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴｅを、
低屈折率誘電体膜８にはＭｇＦ2 を、高屈折率誘電体反
射膜９にはＳｉを用い、マグネトロンスパッタ法により
連続成膜した。各層の膜厚は、第一保護膜２が２９０ｎ
ｍ、記録膜３が２０ｎｍ、第二保護膜４が２０ｎｍ、低
屈折率誘電体膜８が２０ｎｍ、高屈折率誘電体反射膜が
６０ｎｍである。この構成の光ディスクによれば、波長
８３０ｎｍにおける吸収率は結晶に対して７９％、非晶
質に対して６３％、反射率は結晶に対して１３％、非晶
質に対して４％が得られた。
とＳｉＯ2 の混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴｅを、
低屈折率誘電体膜８にはＭｇＦ2 を、高屈折率誘電体反
射膜９にはＳｉを用い、マグネトロンスパッタ法により
連続成膜した。各層の膜厚は、第一保護膜２が２９０ｎ
ｍ、記録膜３が２０ｎｍ、第二保護膜４が２０ｎｍ、低
屈折率誘電体膜８が２０ｎｍ、高屈折率誘電体反射膜が
６０ｎｍである。この構成の光ディスクによれば、波長
８３０ｎｍにおける吸収率は結晶に対して７９％、非晶
質に対して６３％、反射率は結晶に対して１３％、非晶
質に対して４％が得られた。
【００３５】次に、この構成の光ディスクにオーバライ
トを行い、特性を評価した。測定には、波長８３０ｎｍ
の半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。初期化処
理後のディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、
半径３０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（デューティ５
０％）信号と、２．２ＭＨｚ（デューティ５０％）信号
を交互にオーバライトした。再生信号の二次高調波歪み
が最小となるように、記録パワーと消去パワーをそれぞ
れ１０ｍＷ、５ｍＷに設定した。
トを行い、特性を評価した。測定には、波長８３０ｎｍ
の半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。初期化処
理後のディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、
半径３０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（デューティ５
０％）信号と、２．２ＭＨｚ（デューティ５０％）信号
を交互にオーバライトした。再生信号の二次高調波歪み
が最小となるように、記録パワーと消去パワーをそれぞ
れ１０ｍＷ、５ｍＷに設定した。
【００３６】オーバライト時の再生信号ジッタは、２回
微分によるパルス化後の値として、２．８ｎｓであっ
た。初期化直後の初記録時のジッタと大差なく、良好な
オーバライトジッタ特性を示すことが確認された。
微分によるパルス化後の値として、２．８ｎｓであっ
た。初期化直後の初記録時のジッタと大差なく、良好な
オーバライトジッタ特性を示すことが確認された。
【００３７】比較例として、低屈折率誘電体膜を持たな
い図４の構成の光ディスクを作成した。本実施例と同様
に、基板１には直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリ
グルーブ付きポリカーボネート基板を用い、この上部に
第一保護膜２及び第二保護膜４としてＺｎＳとＳｉＯ2
との混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜７
にはＳｉを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成
膜した。
い図４の構成の光ディスクを作成した。本実施例と同様
に、基板１には直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリ
グルーブ付きポリカーボネート基板を用い、この上部に
第一保護膜２及び第二保護膜４としてＺｎＳとＳｉＯ2
との混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴｅを、反射膜７
にはＳｉを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成
膜した。
【００３８】各層の膜厚は第一保護膜２が２７０ｎｍ、
記録膜３が２０ｎｍ、第二保護膜４が１８ｎｍ、高屈折
率誘電体反射膜７が６５ｎｍである。この構成の光ディ
スクでは、波長８３０ｎｍにおける吸収率は結晶に対し
て７０％、非晶質に対して５０％であり、反射率は結晶
に対して１５％、非晶質に対して４％である。
記録膜３が２０ｎｍ、第二保護膜４が１８ｎｍ、高屈折
率誘電体反射膜７が６５ｎｍである。この構成の光ディ
スクでは、波長８３０ｎｍにおける吸収率は結晶に対し
て７０％、非晶質に対して５０％であり、反射率は結晶
に対して１５％、非晶質に対して４％である。
【００３９】次に、この光ディスク（比較例）にオーバ
ライトを行い、特性を評価した。測定には、上記と同様
に、波長８３０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッド
を用いた。初期化処理後のディスクを回転数３６００ｒ
ｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのトラックに８．４Ｍ
Ｈｚ（デューティ５０％）信号と、２．２ＭＨｚ（デュ
ーティ５０％）信号を交互にオーバライトした。再生信
号の二次高調波歪みが最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ設定したところ、それぞれ１１．
５ｍＷ、６ｍＷであり、上記の本実施例の光ディスクに
比べて必要となる記録パワーが高パワーであることが確
認された。
ライトを行い、特性を評価した。測定には、上記と同様
に、波長８３０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッド
を用いた。初期化処理後のディスクを回転数３６００ｒ
ｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのトラックに８．４Ｍ
Ｈｚ（デューティ５０％）信号と、２．２ＭＨｚ（デュ
ーティ５０％）信号を交互にオーバライトした。再生信
号の二次高調波歪みが最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ設定したところ、それぞれ１１．
５ｍＷ、６ｍＷであり、上記の本実施例の光ディスクに
比べて必要となる記録パワーが高パワーであることが確
認された。
【００４０】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、例えば低屈折率誘電体膜８は、ＭｇＦ
2 、ＣａＦ2 、ＮａＦ2 、ＬｉＦ2 及びＮａ3 ＡｌＦ6
の材料の多層膜から構成してもよい。
ものではなく、例えば低屈折率誘電体膜８は、ＭｇＦ
2 、ＣａＦ2 、ＮａＦ2 、ＬｉＦ2 及びＮａ3 ＡｌＦ6
の材料の多層膜から構成してもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透過性高屈折率誘電体反射膜と第二保護膜との間に低屈
折率誘電体膜を挿入することにより、結晶状態の吸収率
を従来に比べて大きくするようにしたため、使用するレ
ーザ波長に対して十分な記録感度を確保しつつ、非晶質
記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくでき、結
晶部分の吸収率が非晶質部分に比べて大きい状態を実現
できる。よって、本発明によれば、オーバライト時のマ
ーク形状歪みを抑え、これによりオーバライト時の再生
信号のジッタ増加を抑え、高密度記録を実現できる。
透過性高屈折率誘電体反射膜と第二保護膜との間に低屈
折率誘電体膜を挿入することにより、結晶状態の吸収率
を従来に比べて大きくするようにしたため、使用するレ
ーザ波長に対して十分な記録感度を確保しつつ、非晶質
記録マークの反射率を結晶部分に比べて大きくでき、結
晶部分の吸収率が非晶質部分に比べて大きい状態を実現
できる。よって、本発明によれば、オーバライト時のマ
ーク形状歪みを抑え、これによりオーバライト時の再生
信号のジッタ増加を抑え、高密度記録を実現できる。
【００４２】また、本発明によれば、金属反射膜の厚さ
は極薄金属反射膜を用いる従来の記録媒体よりも厚くで
きるため、繰り返しオーバライト耐性が向上し、また、
光学的な位相差を使って再生する従来の記録媒体とは異
なる構成であるため、従来に比べて各層の膜厚マージン
の自由度があり、更に結晶状態の吸収率が従来に比べて
大きな分だけ記録感度を向上できる。
は極薄金属反射膜を用いる従来の記録媒体よりも厚くで
きるため、繰り返しオーバライト耐性が向上し、また、
光学的な位相差を使って再生する従来の記録媒体とは異
なる構成であるため、従来に比べて各層の膜厚マージン
の自由度があり、更に結晶状態の吸収率が従来に比べて
大きな分だけ記録感度を向上できる。
【図１】本発明の一実施例の構造断面図である。
【図２】本発明の一実施例の要部の膜厚に対する反射率
と吸収率の変化を示す特性図である。
と吸収率の変化を示す特性図である。
【図３】従来の一例の構造断面図である。
【図４】従来の他の例の構造断面図である。
【図５】図４の反射率と吸収率の下部保護膜厚依存性の
特性図である。
特性図である。
１ 基板 ２ 第一保護膜 ３ 記録膜 ４ 第二保護膜 ６ 紫外線硬化樹脂 ８ 低屈折率誘電体膜 ９ 高屈折率誘電体反射膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１１月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】 また、３番目の光学的な位相差を使って
再生し、吸収率設定に自由度を持たせる方法の光学的情
報記録媒体が提案されているが（特願平５−１４５２９
９号）、このものは、記録膜や保護膜など各層の膜厚マ
ージンが狭くなる傾向にあるなどの問題がある。
再生し、吸収率設定に自由度を持たせる方法の光学的情
報記録媒体が提案されているが（特願平５−１４５２９
９号）、このものは、記録膜や保護膜など各層の膜厚マ
ージンが狭くなる傾向にあるなどの問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】 図２は第一保護膜２としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2を用い、かつ、その膜厚を変化させたときの、結晶
の吸収率特性V、非晶質の吸収率特性VI、結晶の反射率
特性VII及び非晶質の反射率特性VIIIを示す。また、こ
の特性は記録膜３をＧｅＳｂＴｅによる膜厚２０ｎｍ、
第二保護膜４をＺｎＳ−ＳｉＯ2による膜厚２０ｎｍ、
低屈折率誘電体膜８をＭｇＦ2による膜厚２０ｎｍ、高
屈折率誘電体反射膜９をＳｉによる膜厚６０ｎｍとした
ときの特性である。
Ｏ2を用い、かつ、その膜厚を変化させたときの、結晶
の吸収率特性V、非晶質の吸収率特性VI、結晶の反射率
特性VII及び非晶質の反射率特性VIIIを示す。また、こ
の特性は記録膜３をＧｅＳｂＴｅによる膜厚２０ｎｍ、
第二保護膜４をＺｎＳ−ＳｉＯ2による膜厚２０ｎｍ、
低屈折率誘電体膜８をＭｇＦ2による膜厚２０ｎｍ、高
屈折率誘電体反射膜９をＳｉによる膜厚６０ｎｍとした
ときの特性である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ４１Ｍ 5/26
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光が照射されて昇温、冷却の熱履
歴の違いにより記録膜の結晶と非晶質間の可逆的な相状
態変化により情報の記録再生消去を行う相変化型光学的
情報記録媒体において、 透明基板と、 該透明基板上に形成された第一保護膜と、 該第一保護膜上に形成されたカルコゲナイド系の材料か
らなる前記記録膜と、 該記録膜上に形成された第二保護膜と、 該第二保護膜上に形成された、前記透明基板の屈折率よ
りも低屈折率の誘電体膜と、 該誘電体膜上に形成された、前記透明基板の屈折率より
も高屈折率の誘電体反射膜とを有することを特徴とする
光学的情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記低屈折率誘電体膜は、ＭｇＦ2 、Ｃ
ａＦ2 、ＮａＦ2 、ＬｉＦ2 及びＮａ3 ＡｌＦ6 のうち
の一の材料又は、これらの材料の多層膜からなることを
特徴とする請求項１記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記高屈折率の誘電体反射膜は、Ｓｉ又
はＧｅからなることを特徴とする請求項１記載の光学的
情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記第一保護膜及び第二保護膜はＺｎＳ
−ＳｉＯ2 から構成されており、前記情報記録膜は、Ｇ
ｅＳｂＴｅから構成されていることを特徴とする請求項
１乃至３のうちいずれか一項記載の光学的情報記録媒
体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6251980A JP2737666B2 (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 光学的情報記録媒体 |
| US08/544,452 US5631895A (en) | 1994-10-18 | 1995-10-18 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6251980A JP2737666B2 (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115534A true JPH08115534A (ja) | 1996-05-07 |
| JP2737666B2 JP2737666B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17230869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6251980A Expired - Fee Related JP2737666B2 (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5631895A (ja) |
| JP (1) | JP2737666B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959961A (en) * | 1997-02-19 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Optical recording medium having multiple recording layers and method for recording and reproducing thereof |
| KR100556452B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2006-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록 매체 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW421790B (en) * | 1998-04-20 | 2001-02-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rewritable optical information medium |
| TW484126B (en) * | 1999-03-26 | 2002-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing and recording regeneration method for information record medium |
| JP2002298440A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及び光学的情報記録再生方法 |
| JPWO2003036632A1 (ja) * | 2001-10-19 | 2005-02-17 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
| JP2006099905A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| US7499206B1 (en) * | 2005-12-09 | 2009-03-03 | Brian Edward Richardson | TIR light valve |
| KR100856326B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 |
| US8152352B2 (en) | 2009-01-02 | 2012-04-10 | Rambus International Ltd. | Optic system for light guide with controlled output |
| US8272770B2 (en) | 2009-01-02 | 2012-09-25 | Rambus International Ltd. | TIR switched flat panel display |
| US8152318B2 (en) * | 2009-06-11 | 2012-04-10 | Rambus International Ltd. | Optical system for a light emitting diode with collection, conduction, phosphor directing, and output means |
| US20100315836A1 (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Brian Edward Richardson | Flat panel optical display system with highly controlled output |
| US8297818B2 (en) | 2009-06-11 | 2012-10-30 | Rambus International Ltd. | Optical system with reflectors and light pipes |
| JP2013511811A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | ランバス・インターナショナル・リミテッド | Ｌｅｄ用の内部集光反射器光学部品 |
| TW201300702A (zh) | 2011-05-13 | 2013-01-01 | Rambus Inc | 照明組件 |
| US9291340B2 (en) | 2013-10-23 | 2016-03-22 | Rambus Delaware Llc | Lighting assembly having n-fold rotational symmetry |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4649451A (en) * | 1982-09-27 | 1987-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having alternately-layered high and low refractive index layers |
| JP2712207B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1998-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 光学式情報記録媒体 |
| CA2000597C (en) * | 1988-10-21 | 1995-07-11 | Toshio Ishikawa | Optical recording element |
| JPH02128330A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0413251A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製造方法 |
| JP3180813B2 (ja) * | 1990-08-20 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| JP2800431B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| JP2921224B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1999-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の狭ピッチリードの計測方法 |
| SG52438A1 (en) * | 1993-02-18 | 1998-09-28 | Philips Electronics Nv | Optical information carrier |
| JP2850754B2 (ja) * | 1994-05-20 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 相変化型光ディスク |
-
1994
- 1994-10-18 JP JP6251980A patent/JP2737666B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-18 US US08/544,452 patent/US5631895A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959961A (en) * | 1997-02-19 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Optical recording medium having multiple recording layers and method for recording and reproducing thereof |
| KR100556452B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2006-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록 매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5631895A (en) | 1997-05-20 |
| JP2737666B2 (ja) | 1998-04-08 |
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Legal Events
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