JP2512087B2 - 光記録媒体および光記録方法 - Google Patents

光記録媒体および光記録方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光，熱を用いて光学的に情報を記録・再生・
消去することが可能な書き換え可能の光記録媒体，該光
記録媒体に情報を記録し再生，消去する装置に関する。
〔従来の技術〕
光情報記録再生装置はレーザパワーを変えて照射しア
モルフアス−結晶間の相変化による光学特性（反射率）
の変化により情報を記録，消去する。これまでに種々の
光情報記録再生方法が提案されている。従来の光デイス
クの反射率は以下の公知例に示すように、記録に相当す
るアモルフアス状態の反射率が消去に相当する結晶状態
の反射率よりも小さい。公知例：化学と工業39巻第３号
（1986）P174。Applied Physics Letter,Vol46（８）
（1985）P.735記載のTe87Ge8Sn5記録材料を用いたデイ
スク。
National Technical Report Vol29,No.5.P731記載のT
eOx・Ge又はTeOx・Sn記録材料を用いたデイスク。Appl
Phys.Letter Vol48（19）（1986）P.1256記載のSb2Se記
録材料を用いたデイスク。Proc.International Symposi
um on Optical Memory（1987）,Japanese Journal of A
pplied Physics,Vol.26（1987）,Supple26−4 P64記載
のGeSbTe記録材料を用いたデイスク。電子情報通信学会
技術研究報告，信学技報Vol.87,No.310CPM87−88（198
7）P26記載のTe44Ge16Se10Sb28記録材料を用いたデイス
ク。電子情報通信学会技術研究報告，信学技報Vol.87,N
o.310 CPM87−90（1987）P.40の図５と図７。Proc.SPIE
529（1985）46記載のSnTe−Se記録材料を用いたデイス
ク。Appl.Phys.Letter Vol50（1987）P.668記載のInSeT
l記録材料を用いたデイスク。J,Appl.Phys60（12）（19
86）.P.4320記載のTeGeSn記録材料を用いたデイスク。
例外として記録状態の反射率が消去状態の反射率より
も高いデイスクとしてはFUJITSU.38,2,（1987）P144記
載のSeInSb記録膜を用いたデイスクがある。これは結晶
Ｉと結晶IIを利用したものである。
上記したアモルフアス状態の反射率が結晶状態の反射
率よりも小さいデイスクの消去方法の公知例を以下に示
す。第35回応用理学関係連合講演会講演予稿集28P−ZQ
−２（1988）P839記載の記録材料がSb−Te−Geの場合は
記録ビツトに消去ビームを照射すると、アモルフアス部
分と接する粗大結晶粒がビツト内部に成長してアモルフ
アス部分を再結晶化させて消去する。すなわち、記録ビ
ツトを融解しない温度に加熱し、再結晶させる（以下、
固相変態と呼ぶ）方式で消去しているけれども消え残り
が多いと指摘されている。第35回応用物理学関係連合講
演会講演予稿集28P−ZQ−12（1988）P.842記載の記録材
料がSbSeteGeの場合はシングルビームオーバライト方式
で、１つは固相状態でアモルフアスを結晶化する場合
で、この場合も消去率が−25dBでやはり消え残りがある
（固相変態）。一方、記録ビツトを融解させて凝固過程
で結晶化させて（以下、液相変態と呼ぶ）消去する方式
では、第２図に示すように消去率−15dBであり、この場
合は固相変態より消え残りが多い。電子情報通信学会技
術研究報告，信学技報Vol.87.No.310 CPM87−90（198
7）P.41記載のSb2（Te−Se）３−GeTeの場合は、固相変
態であるが、第３図に示すようにレーザパワー10mWで消
去率約30dBである。レーザパワー15mW以上では液相変態
となり消去率が高くなつているが、15m以上のレーザパ
ワーの照射は未記録部（結晶部）が融解しアモルフアス
化するためで、記録ビツトが消去されたためではないこ
とが指摘されている。
電子情報通信学会技術研究報告，信学技報Vol.87.No.
310 CPM87−88（1987）P.27記載のTeGeSeSbの場合は高
い消去率が得られているが、これはダブルビームによる
方法であるためである。
すなわち２個のうち１個の円形ビームで記録膜を融解
し、他の１個は消去に用いる。第４図から消去は一旦レ
ーザパワを高くして記録スポットを融解し（Tm以上）、
次に冷却途中で楕円ビームをTx以上でTm以下のパワーに
なるように照射して消去する方法で消去率−40dBが得ら
れている。
以上のように、アモルフアス状態の反射率が結晶状態
の反射率よりも小さいデイスクの消去では固相変態及び
液相変態いずれの場合にも消え残りが生じ消去率が高く
とれず問題になつている。なお、ダブルビーム方式では
高い消去率が得られているが、この方式では装置が複雑
化し問題になる。公知になつている記録膜の光学特性
（屈折率n,消衰係数ｋ）について以下に示す。第１表参
照。
J.Aphys.59.（６）（1896）P1819記載のTe80Se10Sb10の
n,k（アモルフアスのｎ及びｋをnamo,kamoとし、結晶質
のn,kをncry,kcryとする）namo＝4.0,kamo＝1.3,ncry＝
4.6,kcry＝2.3である。Proc.Int.Symp.on Optical Memo
ry1987,P62記載のGeSb2Te4はnamo＝4.7,kamo＝1.3,ncry
＝6.9,kcry＝2.6。Proc.Int.Symp.on Optical Memory
（1987）J.JAP,Vol26（1987）Suppl.26−4,P.57記載のT
eOxはnamo＝3.8,kamo＝0.8,ncry＝5.6,kcry＝1.2。又Ge
Teはnamo＝4.4,kamo＝1.1,ncry＝5.4,kcry＝1.7。第35
回応用物理学関係連合講演会講演予稿集（1988）28P−Z
Q−５（P840）記載のSb2Te3はnamo＝5.0,kamo＝2.7,ncr
y＝5.3,kcry＝5.8である。
以上のように、公知例の屈折率及び消衰係数はすべて
namo＜ncry,kamo＜kcryの関係にあり、特にアモルフア
スの屈折率が結晶状態よりも小さいことが特徴的であ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したように現状のアモルフアス−結晶間相変化を
利用して記録消去する書き換え可能型光記録媒体では記
録信号の消え残りが大きく、それを実用レベルまで低減
することが開発の最大の問題点になつている。また、単
一のレーザビームで前の信号を完全に消去しながら新し
い信号をオーバライト（重ね書き）できればデータの転
送速度が従来の２〜３倍になり、また複数レーザビーム
に較べて大幅に光学ピツクアツプが簡略できるなど実用
化に与える影響は大きい。
本発明の目的は、アモルフアス−結晶間相変化型光記
録媒体の消去時の信号の消え残りを実用レベルまで低減
した光記録媒体ならびに情報記録再生装置を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は光記録媒体の記録時又は光記録媒体を構成
する記録膜のアモルフアス状態の反射率が光記録媒体の
消去特又は光記録媒体を構成する記録膜の結晶状態の反
射率よりも大きく、又は光記録媒体の記録時又は光記録
媒体を構成する記録膜のアモルフアス状態の吸収率が光
記録媒体の消去時又は光記録媒体を構成する記録膜の結
晶状態の吸収率より小さくして、消去時には記録膜のア
モルフアス記録部と必然的に付随する未記録部（結晶）
の両方を溶融することで消え残りの少ない消去を行なう
ことにある。なお、本発明でいう記録状態というのは完
全なアモルフアス状態を言っているが、アモルフアスに
結晶相が混在している状態であつても良い。また、消去
状態というのは完全な結晶状態のみならず、結晶相にア
モルフアス相が混合した状態でもよい。ただ、特許請求
の範囲第１項から第４項の条件が記録状態と消去状態の
間で満足しておればよい。
〔作用〕
本発明による上記解決手段が光記録媒体の記録消去過
程にいかに使用して消去性能を向上させるかの機構を以
下で説明する。既に従来技術において溶融による消去は
行なわれているが、溶融後の記録膜をアニールする楕円
ビームと記録円形ビームの複数ビームによる記録消去方
式が現在のところ高い消去性能を得ている。しかしなが
ら、複数レーザビームの制御システムは複雑であり実用
化の障害になつている。本発明は記録および消去時に同
一のレーザビームを用いた溶融による消去で高い消去性
能を実現することに特徴がある。
記録および消去時いずれにおいても記録膜を溶融した
場合、融点以下での記録膜の冷却速度が凝固相がアモル
フアス相であるか結晶相であるかを速度論的に決定する
ことが知られている。記録とは記録膜の局部を溶融しア
モルフアス相にすることであるから、記録する場合には
融点以下での冷却速度を大きくして、結晶相の析出を阻
止する必要がある。逆に消去とは既に記録されたアモル
フアス相からなる局部を溶融して結晶相に戻すことであ
るから、消去する場合には融点以下での冷却速度を小さ
くして、結晶相の析出・成長を促進する必要がある。し
たがつて、記録及び消去過程における記録膜の冷却速度
がアモルフアス相または結晶相形成の支配因子であると
考えられる。したがって、単一のレーザビームによつて
この冷却速度を十分に制御できれば、高感度のアモルフ
アス化記録と高い消去性の結晶化消去が可能になる。ア
モルフアス形成の速度論によるとアモルフアス形成に必
要な最低の冷却速度、所謂、臨界冷却速度は物質の結晶
加速度に依存している。アモルフアス相の結晶化過程は
核生成と成長の過程である。したがつて、結晶化速度は
温度の上昇ともに加速される成長速度と減速される核生
成速度の競合が決められるために各温度での結晶化時間
を示す曲線はＣ字型したＣ曲線になる。したがつて、結
晶化時間が最短の温度または結晶化速度が最大の温度Tn
が存在する。
第５図に記録膜にレーザを照射したときの記録膜の温
度の時間変化（冷却曲線）とＣ曲線の模式図を示す。い
ま、Tnでの結晶化時間をtnとする。レーザ照射による記
録膜の最高到達温度が高い場合と低い場合について、冷
却曲線及びについて記録膜の温度がTnになる時間
（レーザ投入後からの時間）をt1とt2とすると、t2＞tn
であるので融点以下の冷却において結晶化が進行するこ
とが分かる。またt1＜tnでは冷却速度が大きいために結
晶化が十分に始まる以前に例するので、アモルフアス相
が得られる。このことから、臨界冷却速度とは記録膜の
温度がTnになる時間がtnである冷却速度であると定義で
きる。現実のレーザ照射による記録および消去では記録
膜の冷却速度を直接制御するのではなく、光記録媒体の
積層構造，構成材料の熱伝導，光学的特性，投入するエ
ネルギー密度に冷却速度は依存している。記録膜を熱伝
導の良い誘電体膜で挟んだ媒体構造または記録膜が500
Å以下など非常に薄い場合、記録膜で発生した熱の膜面
方向の熱伝導は小さく、熱抵抗の少ない膜厚方向の熱伝
導が支配的になる。こうした状況では、記録膜が高温で
あるほど温度勾配にもとづく単位時間あたりの熱量流出
が大きいため記録膜の冷却速度は大きくなる。したがつ
て、膜厚方向の熱伝導の能力範囲において記録膜の到達
温度が高い程，冷却速度は大きくなる。ここで、以下の
説明の便宜のために融点以上の温度である特性温度Tcoo
lを導入する。レーザ照射で記録膜の到達温度がTcoolで
あるとき、上記アモルフアス相形成のための臨界冷却速
度が得られる。したがつて、第６図に示すように溶融後
記録膜がTcool以上になるとアモルフアス相つまり記録
され、Tcool以上であれば溶融しても結晶相つまり消去
状態になる。これが、本発明における記録・消去原理で
ある。記録膜の到達温度は投入するレーザパワーの大
小，レーザパルス幅の長短によつて制御できるので上記
の記録膜の溶融による記録および消去の制御およびスイ
ツチングは十分に可能である。
一般の光記録媒体には情報信号を記録するトラツク部
がある。このトラツクは未記録状態では結晶相であり、
この結晶トラツク上の局部をTcool以上に加熱急冷しア
モルフアス部を形成してトラツク上に信号を記録してい
く。本発明の光記録媒体はトラツク上に既に何等かの記
録信号がある場合、記録部の反射率が未記録あるいは消
去時のトラツク部の反射率よりも大きい又は記録部の吸
収率が未記録あるいは消去時のトラツク部の吸収率より
も小さいことが特徴であるので、溶融後の各部の到達温
度は各部分の反射率および吸収率の違いに依存する。以
下では、この光学特性の違いが記録部の消去にいかに作
用するかを説明する。光記録媒体の透過率がないとき、
投入されたレーザエネルギーは反射される以外は全て媒
体内部に吸収されるためエネルギー効率は最大であり、
光記録感度が良くなるため最も実用に適した光学条件で
ある。この場合を参考に説明する。
第７図は本発明の光記録媒体のトラツク上に既にアモ
ルフアス記録部があるときの吸収率とトラツクに一定パ
ワーP1のdc消去レーザを照射したときのトラツクの温度
分布を示す。この消去パワーP1はいずれの部分の到達温
度もTm以上Tcool以下になるパワーである。第８図は従
来の光学特性を有する光記録媒体のトラツク上に既にア
モルフアス記録部があるときの吸収率とトラツクに一定
パワーP1のdc消去レーザを照射したときのトラツク温度
を分布を示す。この消去パワーP1はいずれの部分の到達
温度もTm以上Tcool以下になるパワーである。本発明の
光記録媒体の温度分布は消去する部分である既存の記録
部の吸収率が小さいため未記録部トラツクよりも到達温
度が低い分布が融点以上でできる。これとは対照的に従
来の光記録媒体では既存記録部の吸収率が大きいために
未記録部トラツクよりも到達温度が高い分布ができる。
したがつて、トラツク上にできる熱伝導による熱流は
本発明では消去しようとする記録部に周辺から集中す
る、つまり記録部への傍熱効果を生じる。この傍熱のた
めに融点以下でも徐冷されるため融点近くでの結晶核の
発生が既存記録部の内部から起こり、またその数が多い
ため凝集後成長した結晶の粒径は微細になることで、既
存記録部を完全に結晶化、つまり消去される。一方、従
来の光記録媒体では熱流は、消去媒体では熱流は消去し
ようとする記録部から未記録部へと拡散するため上記の
徐冷効果は生じない、むしろ急冷される傾向にあるため
融点近くでの結晶核生成が起こりにくく、起こつても核
生成は温度の低い未記録トラツク部で起こるため、既存
記録部内での結晶核の発生数が非常に少なく結晶核を中
心に起こる結晶成長も十分に進行しないまま室温に冷却
される。したがつて、既存の記録部の結晶化率が低く、
十分に消去できないので消え残りが大きくなると考えら
れる。本発明の作用は上述したような傍熱効果を生じる
トラツク上の温度分布を媒体自身が形成する光学特性を
有することを特徴としている。
次に現在最も消去が難しい単一ビームオーバライトに
おける本特許の作用と消去性の向上の機構を説明する。
単一ビームオーバライトとは１つの円形レーザビームを
用いるだけでトラツク上の既存の記録信号を消去しなが
ら同一トラツク上に新しい信号を記録する記録消去方式
である。上述した直流光による消去と基本的に異なる点
は既存記録部上またはその一部上に新しい信号を重ね書
きする場合だけであり、消去過程そのものは直流光消去
と本質的に同等である。
第９図（ａ），第９図（ｂ）にオーバライトに用いら
れるレーザのパワー変調の模式図を示す。記録パワーP2
は記録膜をTcool温度以上に加熱するパワーであり、オ
ーバライト時は直流のバイアスパワーP1に重畳してい
る。このバイアスパワーは未記録トラツクを十分に溶融
できるパワーである。第９図（ａ），第９図（ｂ）に示
すように信号のオーバライトはレーザーのパルス幅twと
teを変化させて行なう。オーバライトのトラツク上の既
存記録部と新たにオーバライトする記録部との位置関係
を考慮すると４つの場合が記録消去パターンとして生じ
る。本発明はオーバライト時に高い消去性を実現する。
この４つのパターンについて本発明の作用を説明する。
第10図に消去すべき既存記録部（以下で前記録と略称
する）とオーバライトする新しい記録部（以下で新記録
部と略称する）が隣接している場合、第11図に前記録と
新記録が全く離れている場合、第12図と第13図に前記録
と新記録が部分的に重なつている場合、第14図に前記録
と新記録が完全に重なる場合の各々についてオーバライ
ト時のトラツク各部の到達温度分布を示した。第10図か
ら第14図中に示された矢印が示すようにいずれの場合に
おいても、前記録部はそれよりは到達温度の高い未記録
トラツク部および新記録部から熱流が流れ込み傍熱効果
が生じていることが分かる。第12図の場合は重なつた部
分の吸収率が小さいためレーザパワーP2が小さいと部分
的にアモルフアス化しない領域が生まれる。しかしなが
ら、第13図に示したようにP2の選択には自由度があり適
切なパワーにして書き損じのないオーバライトが可能で
ある。以上、示したように単一ビームオーバライトにお
いても本発明は高い消去性を傍熱効果によつて実現でき
ることが分かる。事実、本発明の実施例の項目で記載さ
れるように直流光照射および単一ビームオーバライト時
においても従来にない高い消去性能を示すことができ
た。尚、本発明は光記録媒体の透過率が０でない場合に
ついても上記説明と同様の効果があることが分かつてい
る。
次に本発明の光記録媒体において記録状態の反射率を
消去状態の反射率よりも大きく、もしくは記録状態の吸
収率を消去状態の反射率より小さくする記録膜の光学特
性について詳しく説明する。上述の該光学特性を得るに
は光記録媒体を構成する記録膜，誘電体膜，金属反射膜
などの光学特性と膜厚などを基礎にして設計することが
可能であるが、各種媒体構成については実施例に示す。
ここでは、本発明を可能にする記録膜の屈折率の条件に
ついて説明する。第１図に透過率がほぼ０％であり、ア
モルフアス状態の屈折率が結晶状態の屈折率よりも大き
い、従来の記録膜材料とは異なつた記録膜（具体的材料
については実施例を参照されたい）を具備した光記録媒
体における、静止状態での記録消去の繰り返し時の反射
率変化を示す。これは特許請求の範囲第１項から第２項
に記載の光記録媒体の実際的な記録状態と消去状態の反
射率の変化を示したものであり、従来公表されている反
射率変化とは全く逆の関係を示している。したがつて、
少なくともアモルフアス状態の屈折率が結晶状態の屈折
率よりも大きい記録膜であれば本発明の効果は発現す
る。ここで規定される記録膜の屈折率の条件は光記録媒
体の実用上の制限を考慮して限定したものである。光記
録媒体の実用上の制限とは、記録，再生及び消去に用い
るレーザ光源の実用的パワーの限界である。本発明にお
け記録及び消去では記録膜を溶融するため、実用レーザ
パワー範囲である膜面でのパワー15mW以下で記録膜が十
分に溶融することが好ましい。そのためには、融点の低
い記録膜を使用するか記録膜の熱容量を低下させるため
膜厚を減少させればよい。前者は記録膜を熱的に不安定
性にし、融点の低下と同時にアモルフアス記録部の結晶
化温度が低下するため記録保持寿命が著しく短くなる恐
れがあるので好ましくない。後者はあらゆる記録膜に成
膜可能な膜厚までの範囲で適用できるので好ましい。そ
こで本発明では上述の実用上の制限内で十分に記録膜を
高速に溶融できる記録膜の膜厚範囲において本発明の反
射率および吸収率の関係が成立する記録膜の屈折率およ
び消衰係数の関係、投入するレーザパワーと記録膜の特
性（吸収率および融点から決まる定数）及び使用するレ
ーザの波長を特許請求の範囲第14項目から第16項に規定
した。
使用するレーザの波長をλ，記録膜の屈折率と消衰係
数をn,k、記録膜厚をｄとすると垂直入射での干渉は ２πNd/λ＝ｍ ここで、Ｎ＝（n2＋k2）、ｍは整数1,2,3…である。
Ｎが４、λが800nm付近であると第１干渉ｍ＝１でｄが
約80nm以下になる。したがつて、本発明では実用のレー
ザパワーの範囲においても記録膜を十分に溶融できる80
nm以下の第１干渉で記録状態の反射率が消去状態の反射
率よりも大きくなる記録膜の屈折率および消衰係数の条
件を規定した。ただし、本発明に規定する記録膜の屈折
率および消衰係数の条件以外でも、第２干渉においては
本発明の反射率および吸収率の関係を満たす場合がある
が、通常の物質の屈折率（ｎ＜５）では第２干渉に対応
する記録膜厚は160nmと非常に厚いため現状の実用レー
ザパワーでは記録膜を十分に溶融できない。しかしなが
ら、実用のレザーパワーが将来より大きなものが可能に
なると、本発明の機構に基づいた効果を得ることが可能
である。
〔実施例〕
本発明の記録媒体としての機能を確認するために、ス
パツタ法により5.25インチ光デイスクを作成した。基板
としては厚さ1.2mmの石英ガラス、硬質ガラス及びポリ
カーボネイト（PC）、ポリメチルメタアクリル（PMMA）
樹脂円板を用いた。誘電体膜としてはSiN,AlN,SiO2,ZrO
2,ZrS,Ta2O5,TiN,Cr2O3,SiC,GeN,TiO2,SiCなどを用い
た。（本実施例では誘電体膜を化学量論組成比率を有し
た化学式で表現するが、実際の使用例では組成の変化が
あり、正確な組成は不明である。）金属反射膜は金，ク
ロム,Ni−20％Cr合金及びアルミニウムを用い、RFスパ
ツタ法により成膜した。スパツタ条件は初期真空度8.5
×10-5Paで、誘電体膜はRF出力400W,Arガス分圧1mTor
r、記録膜はRF出力200W,Arガス分圧1mTorr及び金属反射
膜はDC出力20WのArガス20mTorrで成膜した。
特許請求の範囲第１項から第４項及び第16項を満足す
る記録材料としてIn22Te37Sb41（at％）がある。この記
録材料を用いて、特許請求の範囲第18項の光記録媒体の
構成の膜を作製し、その光学特性を調べた。なお、本記
録膜組成のアモルフアス状態の屈折率ｎは4.952,消衰係
数ｋは0.857で、結晶状態の屈折率ｎは4.678,消衰係数
ｋは1.743である。すなわち、アモルフアス状態の屈折
率が結晶状態よりも大きいことが本発明の特徴である。
第１表は従来技術の項で紹介した組成の屈折率ｎと消衰
係数ｋをまとめたものである。いずれの組成でもアモル
フアスの屈折率ｎは結晶状態よりも小さく、本発明は逆
になつている。
第15図は基板／記録膜／誘電体膜の膜構成で、1.2mm
のガラス基板８に記録膜９を最大200nm,誘電体膜10とし
てSiO2を70nm成膜した光記録媒体の膜構成を示す。レー
ザビーム11は基板側より入射させた。
第16図（ａ）はこの光記録媒体の光学特性で、記録状
態（アモルフアス）及び消去状態（結晶状態）の反射率
を示す。
第16図（ｂ）は吸収率を示す。実質的に反射率差が検
出できる記録膜の厚さは約40nmまで及び90nm〜130nmで
アモルフアス状態が結晶状態よりも高く、特許請求の範
囲の第１項を満足する。また、吸収率は記録膜の厚さ20
0nm全域で結晶状態がアモルフアス状態よりも高く、特
許請求の範囲の第３項を満足する。したがつて、記録膜
の厚さとしては上記した範囲を選択すればよい。しか
し、膜厚が大になると熱容量が大きくなり、レーザ照射
による記録及び消去感度が悪くなるので高出力のレーザ
パワーを必要とする。
第17図はガラス基板／記録膜／金属反射膜の膜構造で
金属反射膜12の厚さは100nm一定とし記録膜９の厚さを
最大200nmに変化させた。第18図（ａ）は金属反射膜12
として金を用いた場合でアモルフアス状態及び結晶状態
の反射率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足し、実
質的に反射率差が検出できる記録膜の厚さは約30nm〜90
nm及び約130nm〜170nmの範囲にある。また、吸収率は第
18図（ｂ）に示すように、記録膜の厚さが約30nm〜80nm
及び約130nm〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき特許
請求の範囲の第３項を満足する。第19図（ａ），（ｂ）
は金属反射膜12にクロムを用いた場合である。特許請求
の範囲の第１項を満足する反射率は記録膜の厚さが約40
nm〜80nm及び約140nm〜155nmの範囲で実質的に反射率差
が検出できる。また、吸収率は第19図（ｂ）に示すよう
に、記録膜９の厚さが約40nm〜80nm及び約150nmで実質
的に吸収率差が検出でき特許請求の範囲の第３項を満足
する。第20図（ａ），（ｂ）は金属反射膜12にアルミニ
ウムを用いた場合である。特許請求の範囲の第１項を満
足する反射率は記録膜９の厚さが約40nm〜90nm及び約13
0nm〜160nmで実質的に反射率差が検出できる。また、吸
収率は第20図（ｂ）に示すように、記録膜の厚さが約40
nm〜80nm及び154nmで実質的に吸収率差が検出でき特許
請求の範囲の第３項を満足する。第21図（ａ），（ｂ）
は金属反射膜12にNi−20Cr（wt％）を用いた場合であ
る。特許請求の範囲の第１項を満足する反射率は記録膜
９の厚さが約50nm〜80nmの範囲で実質的に反射率差が検
出できる。また、吸収率は第21図（ｂ）に示すように、
約50nm〜80nmの範囲で実質的に吸収率差が検出でき特許
請求の範囲の第３項を満足する。
第22図はPC基板／記録膜／金属反射膜／誘電体膜の膜
構成で金属反射膜12として厚さ100nmの金を用い、誘電
体膜10として、厚さ80nmのSiNを用い、記録膜９の厚さ
は最大200nmまで変化させた。
第23図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶の反射率変
化で、特許請求の範囲第１項を満足する記録膜の厚さは
約30nm〜90nm及び、約30nm〜160nmで実質的に反射率差
が検出できる。また、吸収率は第23図（ｂ）に示すよう
に、記録膜９の厚さが約30nm〜80nm及び約130nm〜160nm
で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲第３項
を満足する。
第24図（ａ）及び第24図（ｂ）はPMMA基板／記録膜／
金属反射膜／誘電体膜の膜構成で金属反射膜12として厚
さ100nmのクロムを用い、誘電体膜10として、厚さ80nm
のSiNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させ
た。
第24図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲第１項を満足する記録膜９の
厚さは約40nm〜80nm及び、約130nm〜170nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第24図（ｂ）に示
すように、記録膜９の厚さが約40nm〜80nmおよび約150n
m付近で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲
の第３項を満足する。
第25図（ａ）及び第25図（ｂ）はPMMA基板／記録膜／
金属反射膜／誘電体膜の膜構成で金属反射膜12として厚
さ100nmのアルミニウムを用い、誘電体膜10として、厚
さ80nmのSiNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変
化させた。
第25図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲第１項を満足する記録膜９の
厚さは約40nm〜90nm及び、約150nm付近で実質的に反射
率差が検出できる。また、吸収率は第25図（ｂ）に示す
ように、記録膜９の厚さが約40nm〜90nmおよび約150nm
付近で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の
第３項を満足する。
第26図はガラス基板／記録膜／誘電体膜／金属反射膜
の膜構成で金属反射膜12として厚さ60nmの金を用い、誘
電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚
さは最大200nmまで変化させた。
第27図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜65nm及び、約105nm〜140nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第27図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜60nm及び約100n
m〜140nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第28図はガラス基板／記録膜／誘電体膜／金属反射膜
／誘電体膜の膜構成で金属反射膜12として厚さ60nmの金
を用い、誘電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記
録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第29図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜60nm及び、約100nm〜140nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第29図（ｂ）に示
すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約100nm
〜140nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲第３項を満足する。
第30図はPC基板／誘電体膜／記録膜／誘電体膜の膜構
成で誘電体膜10として厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９
の厚さは最大200nmまで変化させた。
第31図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲第１項を満足する記録膜９の
厚さは約10nm〜30nm及び、約90nm〜120nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第31図（ｂ）に示
すように、記録膜９の厚さ全域で実質的に吸収率差が検
出でき、特許請求の範囲第３項を満足する。
第32図はPMMA基板／誘電体膜／記録膜／金属反射膜の
膜構成で金属反射膜12として、厚さ100nmのアルミニウ
ムを用い、誘電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、
記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第33図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約20nm〜80nm及び、約130nm〜160nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第33図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約20nm〜80nm及び約130n
m〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第34図（ａ）及び第34図（ｂ）はPC基板／誘電体膜／
記録膜／金属反射膜の膜構成で金属反射膜12として厚さ
100nmの金を用い、誘電体膜10として、厚さ70nmのAlNを
用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第34図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜80nm及び、約120nm〜160nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第34図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜80nm及び約120n
m〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第35図はガラス基板／誘電体膜／記録膜／金属反射膜
／誘電体膜の膜構成で金属反射膜12として、厚さ100nm
の金を用い、誘電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用
い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第36図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜80nm及び、約120nm〜160nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第36図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜80nm及び約120n
m〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第37図（ａ）及び第37図（ｂ）はPc基板／誘電体膜／
記録膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構成で金属反射膜12
として、厚さ100nmのアルミニウムを用い、誘電体膜10
として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは最大2
00nmまで変化させた。
第37図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約20nm〜80nm及び、約130nm〜160nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第37図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約20nm〜85nm及び約130n
m〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第38図はPc基板／誘電体膜／記録膜／誘電体膜／金属
反射膜の膜構成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金
を用い、誘電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記
録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第39図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜150nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第39図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約90nm
〜150nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第40図（ａ）及び第40図（ｂ）はガラス基板／誘電体
膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜の膜構成で金属反射
膜12として、厚さ100nmのアルミニウムを用い、誘電体
膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは
最大200nmまで変化させた。
第40図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜150nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第40図（ｂ）に示
すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約70nm〜
150nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲
の第３項を満足する。
第41図はPc基板／誘電体膜／記録膜／誘電体膜／金属
反射膜／誘電体膜の膜構成で金属反射膜12として、厚さ
100nmの金を用い、誘電体膜10として、厚さ70nmのAlNを
用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第42図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜150nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第42図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約90nm
〜150nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第43図（ａ）及び第43図（ｂ）はPC基板／誘電体膜／
記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構成で金
属反射膜12として、厚さ70nmのアルミニウムを用い、誘
電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚
さは最大200nmまで変化させた。
第43図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜150nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第43図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約70nm
〜150nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第44図はガラス基板／記録膜／ガラス基板の膜構成で
記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第45図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜60nm及び、約100nm〜150nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第45図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜170nm及び約180
nm〜800nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の
範囲の第３項を満足する。
第46図はガラス基板／記録膜／金属反射膜／ガラス基
板の膜構成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用
い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第47図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約30nm〜90nm及び、約140nm〜170nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第47図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約30nm〜90nm及び約130n
m〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第48図はPC基板/SiN/記録膜/Au/PC基板の膜構成で金
属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電体膜10
として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜９の厚さは最大2
00nmまで変化させた。
第49図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜80nm及び、約120nm〜160nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第49図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜80nm及び約120n
m〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第50図はPC基板/SiN/記録膜/Au/SiN/PC基板の膜構成
で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電体
膜10として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜９の厚さは
最大200nmまで変化させた。
第51図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜80nm及び、約120nm〜160nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第51図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜80nm及び約20nm
〜160nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第52図はガラス基板/SiN/記録膜／ガラス基板の膜構
成で誘電体膜10として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜
９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第53図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜60nm及び、約100nm〜140nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第53図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜200nmで実質的に吸
収率差が検出でき、特許請求の範囲の第３項を満足す
る。
第54図はPC基板/SiN/記録膜//SiN膜/PC基板の膜構成
で誘電体膜10として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜９
の厚さは最大200nmまで変化させた。
第55図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜50nm及び、約80nm〜140nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第55図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜200nmで実質的に吸
収率差が検出でき、特許請求の範囲の第３項を満足す
る。
第56図はガラス基板/SiN/記録膜/Au/ガラス基板の膜
構成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘
電体膜10として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜９の厚
さは最大200nmまで変化させた。
第57図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜80nm及び、約120nm〜160nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第57図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜80nm及び約120nm〜1
60nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の
第３項を満足する。
第58図はPMMA基板/SiN/記録膜/Au/SiN/PMMA基板の膜
構成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘
電体膜10として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜９の厚
さは最大200nmまで変化させた。
第59図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜90nm及び、約120nm〜160nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第59図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜80nm及び約120nm〜1
60nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の
第３項を満足する。
第60図はPC基板/AlN/記録膜/AlN/Au/PC基板の膜構成
で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電体
膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは
最大200nmまで変化させた。
第61図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜140nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第61図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約90nm
〜150nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第62図（ａ）及び第62図（ｂ）はガラス基板/AlN/記
録膜/AlN/Ni−20Cr/ガラス基板の膜構成で金属反射膜12
として、厚さ100nmの金を用い、誘電体膜10として、厚
さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変
化させた。
第62図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜150nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第62図（ｂ）に示
すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約90nm〜
150nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲
の第３項を満足する。
第63図（ａ）及び第63図（ｂ）はガラス基板/AlN/記
録膜/AlN/Al/ガラス基板の膜構成で金属反射膜12とし
て、厚さ100nmのAlを用い、誘電体膜10として、厚さ70n
mのAlNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化さ
せた。
第63図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜140nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第63図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜70nm及び約90nm〜15
0nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の
第３項を満足する。
第64図はPC基板/AlN/記録膜/AlN/Au/AlN/PC基板の膜
構成で金属反射膜12として、厚さ100nmのAuを用い、誘
電体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚
さは最大200nmまで変化させた。
第65図（ａ）アモルフアス状態及び結晶状態の反射率
変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の厚
さは約10nm〜60nm及び、約90nm〜140nmで実質的に反射
率差が検出できる。また、吸収率は第65図（ｂ）に示す
ように、記録膜の厚さが約10nm〜70nm及び約100nm〜140
nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の第
３項を満足する。
第66図（ａ）及び第66図（ｂ）はガラス基板/AlN/記
録膜/AlN/Cr/AlN/ガラス基板の膜構成で金属反射膜12と
して、厚さ100nmのCrを用い、誘電体膜10として、厚さ7
0nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化
させた。
第66図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜70nm及び、約90nm〜150nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第66図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜70nm及び約90nm〜14
0nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の
第３項を満足する。
第67図（ａ）及び第６図（ｂ）はガラス基板/AlN/記
録膜/AlN/Al/AlN/ガラス基板の膜構成で金属反射膜12と
して、厚さ100nmのCrを用い、誘電体膜10として、厚さ7
0nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで変化
させた。
第67図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜70nm及び、約100nm〜140nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第67図（ｂ）に示
すように、記録膜の厚さが約10nm〜70nm及び約100nm〜1
40nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の
第３項を満足する。
第68図（ａ）及び第68図（ｂ）はPC基板/AlN/記録膜/
AlN/Ni−20Cr/AlN/PC基板の膜構成で金属反射膜12とし
て、厚さ100nmのNi−20Crを用い、誘電体膜10として、
厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは最大200nmまで
変化させた。
第68図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜の
厚さは約10nm〜60nm及び、約100nm〜140nmで実質的に反
射率差が検出できる。また、吸収率は第68図（ｂ）に示
すように、記録膜９の厚さが約10nm〜70nm及び約100nm
〜140nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第69図はガラス基板／記録膜/Au/ガラス基板の膜構成
で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、記録膜
９の厚さは最大200nmまで変化させた。
第70図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約80nm〜70nm及び、約120nm〜150nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第70図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜160nmで実質的
に吸収率差が検出でき、特許請求の範囲の第３項を満足
する。
第71図（ａ）及び第71図（ｂ）は本発明のIn22Sb37Te
41（at％）を用い、ガラス基板／誘電体膜／記録膜／誘
電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構成でガラス基板か
ら数えて、第４層の誘電体膜10を200nmに変化させた場
合の反射率と吸収率である。金属反射膜12の厚さは100n
mの金を用い、他の誘電体膜10として、厚さ70nmのSiO2
を用いた。
第71図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは全域で実質的に反射道差が検出できる。また、
吸収率は第71図（ｂ）に示すように、上記同様記録膜の
厚さ全域で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第72図（ａ）及び第72図（ｂ）は本発明のIn22Sb37Te
41（at％）を用い、ガラス基板／誘電体膜／記録膜／誘
電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構成でガラス基板か
ら数えて、第２層の誘電体膜10を200nmに変化させた場
合の反射率と吸収率である。金属反射膜12の厚さは100n
mの金を用い、その他の誘電体膜10として、厚さ70nmのA
lNを用いた。
第72図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは全域で実質的に反射率差が検出できる。また、
吸収率は第72図（ｂ）に示すように、上記同様記録膜の
厚さ全域で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第73図（ａ）及び第73図（ｂ）は本発明の特許請求範
囲の第１項から第４項を満足する記録材料として、Se52
Ge27Sn21（at％）を用いた場合である。PMMA基板／誘電
体膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構
成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電
体膜10として、厚さ70nmのZrO2を用い、記録膜９の厚さ
は最大200nmまで変化させた。
第73図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜80nm及び、約100nm〜180nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第73図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜80nm及び約100n
m〜180nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第74図（ａ）及び第74図（ｂ）は本発明の特許請求範
囲の第１項から第４項を満足する記録材料として、Se52
Ge27Sn21（at％）を用いた場合である。PC基板／誘電体
膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構成
で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電体
膜10として、厚さ70nmのZrO2を用い、記録膜９の厚さは
最大200nmまで変化させた。
第74図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは約10nm〜80nm及び、約110nm〜120nmで実質的に
反射率差が検出できる。また、吸収率は第74図（ｂ）に
示すように、記録膜９の厚さが約10nm〜80nm及び約100n
m〜180nmで実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第75図（ａ）及び第75図（ｂ）は本発明の特許請求範
囲の第１項から第４項を満足する記録材料として、Sb34
Se58Sn8（at％）を用いた場合である。PC基板／誘電体
膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構成
で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電体
膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さは
最大200nmまで変化させた。
第75図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは全域で実質的に反射率差が検出できる。また、
吸収率は第75図（ｂ）に示すように、上記同様記録膜の
厚さ全域で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第76図（ａ）及び第76図（ｂ）は本発明の特許請求範
囲の第１項から第４項を満足する記録材料として、Sb64
Se29Sn27（at％）を用いた場合である。PMMA基板／誘電
体膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構
成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電
体膜10として、厚さ70nmのSiNを用い、記録膜９の厚さ
は最大200nmまで変化させた。
第76図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは全域で実質的に反射率差が検出できる。また、
吸収率は第76図（ｂ）に示すように、上記同様記録膜の
厚さ全域で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第77図（ａ）及び第77図（ｂ）は本発明の特許請求範
囲の第１項から第４項を満足する記録材料として、Te64
Sb6Sn30（at％）を用いた場合である。PMMA基板／誘電
体膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体膜の膜構
成で金属反射膜12として、厚さ100nmの金を用い、誘電
体膜10として、厚さ70nmのAlNを用い、記録膜９の厚さ
は最大200nmまで変化させた。
第77図（ａ）はアモルフアス状態及び結晶状態の反射
率変化で、特許請求の範囲の第１項を満足する記録膜９
の厚さは全域で実質的に反射率差が検出できる。また、
吸収率は第77図（ｂ）に示すように、上記同様記録膜の
厚さ全域で実質的に吸収率差が検出でき、特許請求の範
囲の第３項を満足する。
第78図（ａ），第78図（ｂ）に特許請求の範囲第１項
目から第４項および第10項に記載の光記録媒体を用いた
書き換え可能なデイスクの記録消去の実施例を示す。デ
イスクはレーザビームのトラツキングを連続サーボ方式
で行なうレーザ案内溝（グルーブ）を有した5.25インチ
のガラス基板上に光干渉膜としてAlNを70nmから80nm、
その上にIn22Sb37Te41記録膜を30nmから50nm、その上に
AlNを70nmから80nm、その上に光反射膜としてAuを100n
m、その上に保護膜としてAlNを100nm、高周波スパツタ
リング法を用いて積層したものである。本デイスクを回
転数1800〜2400回転／分で回転させ膜面パワー15mWの直
流レーザ光を連続照射してデイスク反射率を約50％から
約20％まで低下させて記録トラツク部を形成した。まず
13mWの周波数2MHzに変調したレーザパルスを上記トラツ
ク上に照射して記録した。このとき記録信号の2MHz搬送
波信号強度と雑音強度の比（C/N）は第78図（ａ）に示
すスペクトルアナライザー上で52dBであつた。次に上記
記録トラツクに記録と同一パワーの13mWの直流光を照射
したところ第78図（ｂ）に示すスペクトルアナライザー
上で記録信号は5dB相当にまで消去されていた。このと
きの消去比は−45dBであり、同一パワーの照射にもかか
わらず実用レベル以上の消去比が得られた。このように
本発明では従来の光記録媒体では考えられない記録およ
び消去方式でも高い消去性能が得られることが実証され
た。また、基板にPMMAやPCなど樹脂基板を用いた場合に
も上記の実施例と全く同じ効果を得ることができた。更
に、もう一つのトラツキング方式であるサンプルサーボ
方式の基板を用いた場合についても上記の実施例と全く
同じ効果を得ることができた。
第79図（ａ），第79図（ｂ）に本発明の光記録媒体を
用いた書き換え可能光デイスクの単一ビームオーバライ
トの実施例を市得す。デイスクの構成は上述の実施例と
同等である。第79図（ａ）中にオーバライトに用いた円
形レーザビーム（スポツト径：約1.5μｍ）のパワーの
変調の様子を示す。記録パワーP2はTcool温度以上、バ
イアスパワーP2は融点Tm以上にTcool以下に記録膜を加
熱できるパワーとしてP2/P1＝12.5mW/9.5mWおよび16mW/
12mWを選んだ。デイスクを1800〜2400回転／分で回転さ
せ、先ず15mWの直流光を連続照射してデイスク反射率を
約50％から約20％まで低下させて記録トラツク部を形成
した。次に変調周波数が2MHzの正弦波信号を上記パワー
のレーザを照射して記録した後、2MHz信号上に3MHzの正
弦波信号を重ね書きした。第79図（ａ）〜第79図（ｂ）
に示すようにこのときスペクトルアナライザー上ではC/
Nが50dB相当で記録された2MHz信号が3MHz信号の重ね書
きによつて2dB相当に消去されると同時に3MHz信号がC/N
が50dB相当で記録されていた。この逆の過程でも同様の
結果が得られた。本実施例では単一ビームオーバライト
においても消去比が−45dB以上の従来例にない消去性能
が得られることが実証できた。更に、上記オーバライト
の繰り返し可能回数を検討した。第80図（ａ）及び第80
図（ｂ）に示すようにいずれのレーザパワーにおいても
2MHzと3MHzの正弦波信号のオーバライトの繰り返しを消
去比が−35dB以上で105回以上繰り返すことができた。
第81図（ａ）と第81図（ｂ）にオシロスコープ画面上で
の2MHzと3MHzの正弦波信号を示す。いずれの波形にも消
え残りによる波形の崩れや周波数の変化が認められず、
それぞれの信号がオーバライト時に完全に消去されてい
る。本発明の光記録媒体は実用レーザパワー15mW以下で
も、消え残りのない単一ビームオーバライトが可能であ
ることが実証できた。また、基板にPMMAやPCなど樹脂基
板を用いた場合にも上記の実施例と全く同じ効果を得る
ことができた。更に、もう一つのトラツキング方式であ
るサンプルサーボ方式基板を用いた場合についても上記
の実施例と全く同じ効果を得ることができた。
第２表に記載されている記録膜はアモルフアス状態の
屈折率ｎが結晶状態のｎよりも大きく、実際に特許請求
の範囲第１項から第４項を満足する光記録媒体を構成す
る記録膜であり、第１表の従来の材料の変化とは異なる
ものである。特許請求の範囲第19項及び第20項に記載さ
れているように記録膜はアンチモン，亜鉛，錫，ゲルマ
ニウムなど元素単体とセレンやテルルの化合物から構成
させており、単体元素としてはインジウム，鉛，銀，
銅，金なども記録膜の屈折率を制御するには有効であ
る。
第３表に第２表に記載した記録膜を具備した光デイス
クの記録および消去特性を示す。デイスクはレーザビー
ムのトラツキングを連続サーボ方式で行なうレーザ案内
溝（グルーブ）を有した5.25インチのガラス基板上に光
干渉膜としてAlNを70nmから80nm、その上に第２表に記
載の記録膜を30nmから50nm、その上にAlNを70nmから80n
m、その上に光反射膜としてAuを100nm、その上に保護膜
としてAlNを100nm、高周波スパツタリング法を用いて積
層したものである。記録および消去パワーは15mW以下で
ある。いずれの光デイスクにおいても50dB近くのC/Nが
得られ高感度であると同時に直流（dc）光消去およびオ
ーバライト消去においても−35dB以上の高い消去性能を
得ることができた。
以上では本発明の光記録媒体の記録，再生および消去
に半導体レーザを用いた場合について、その有効性を示
してきたが、特許請求の範囲第15項に記載の使用するレ
ーザの波長の限定は半導体レーザを光源として使用する
場合に限られる。第82図（ａ），第82図（ｂ）に示した
ようにIn22Sb37Te41記録膜を具備した光記録媒体では波
長300nmから1500nmまでアモルフアス状態の反射率が結
晶状態の反射率よりも大きく、同時にアモルフアス状態
の吸収率が結晶状態の吸収率よりも小さいので特許請求
の範囲第１項から第４項目を満足する。実際、波長500n
mのアルゴンイオンレーザを用いた項デイスクの記録及
び消去では高感度記録および高い消去性能を示してお
り、使用波長については時に制限がない。
以上で本発明の有効性を示したが、更に本発明の光記
録媒体において初めて得ることができるクロストーク軽
減効果を示す実施例を示す。特許請求の範囲第２項およ
び第３項に記載の成膜状態の反射率および吸収率、記録
及び消去状態の反射率および吸収率が満足された光記録
媒体では成膜状態よりも反射率の低い（多くの場合、消
去状態の反射率に相当）トラツクを先ず形成し、そのト
ラツク上に信号を記録する。したがつて媒体上には反射
率の低い（吸収率の最も高い）トラツク部と反射率の最
も高い（吸収率のもつとも低い）成膜状態のまま残つて
いる部分（トラツク外部、連続サーボ用のデイスクのグ
ルーブ部に対応する）の２つの反射率および吸収率の部
分ができる。さて光記録では高密度記録のためになるべ
くトラツク間隔を詰めて信号を記録するのが好ましい。
しかし、極度にトラツク間隔を詰めると記録信号が隣接
するトラツクにオーバラツプするクロストーク現象が生
じる。このクロストークはノイズの原因になるためトラ
ク間隔に対してのクロストークの増加量が事実上の光記
録媒体の記録密度を決める。本発明の光記録媒体では上
述したようにトラツク部に吸収率の小さい成膜状態のト
ラツク外部が隣接している。トラツク部上での記録およ
び消去に用いられるレーザパワーではトラツク外部は到
達温度が低いため熱的影響を受けにくい。特に隣のトラ
ツクへのストロークはこの熱的ブロツクによつて軽減さ
れた。この光記録媒体ではトラツク間隔が0.5μｍでク
ロストークは−40dB以下と従来に較べて非常に小さいこ
とが分かつた。従来の光記録媒体では本発明と反射率お
よび吸収率が逆の関係であるため、トラツク部よりトラ
ツク外部の方が熱影響を受けやすくなつている。したが
つて、上述の効果は本発明の光記録媒体によつて初めて
生じるものであり従来よりも高密度記録が可能である。
また、連続サーボ用のディスクのグループ部に対応する
とは、サンプルサーボ用のディスクではサーボ信号が記
録されている領域をいう。
第83図は本発明の一実施例の光情報記録再生方法を示
した装置の構成図である。
光ピツクアツプ13,光ピツクアツプ位置制御回路14,受
光信号処理回路15,半導体レーザ駆動回路16,デイスク回
路モータ17,ターンテーブル18,トラツキングガイドを有
した光デイスク19,光デイスク記録膜の融点識別処理部2
0,システム制御回路21,外部入出力端子群22とからなつ
ている。
光デイスクの構成はガラス基板上にAlN膜を70nmの厚
さでスパツタリング形成し、その上に記録膜としてIn−
Sb−Te系の薄膜を50nmの厚さでスパツタリング形成し、
その上に再びAlN膜を70nmの厚さでスパツタリング形成
し、さらに、Au膜を100nmの厚さでスパツタリング形成
し、その上に保護膜としてAlN膜を100nm、最後に紫外線
硬化樹脂保護膜を10μｍの厚さでスピンコートして作成
したものである。
前記光デイスク19はターンテーブル18上に載せられ、
ターンテーブル18はモータ17により回転し、光デイスク
19を回転させる構成となつている。回転のオン・オフは
外部入出力端子22よりシステム制御回路21を介して行な
われる。
前記光デイスク19には光ピツクアツプ13よりレーザビ
ーム23が照射されている。レーザビーム23の反射光は光
ピツクアツプ13に戻り、受光信号処理回路15を介して光
ピツクアツプの高さ信号、トラツク上の偏差信号を注出
し、これら信号により光ピツクアツプ位置制御回路14を
介することにより光ピツクアツプ13をデイスク19に対し
てフオーカシング、トラツキングが得られるよう構成し
ている。フオーカシング、トラツキングのオン・オフは
外部入出力端子22よりシステム制御回路21を介して行な
われる。
また、光ピツクアツプ13は半導体レーザ駆動回路16を
介してシステム制御回路21により任意のレーザ照射パワ
に時々刻々設定することができ、ひとつのビームでオー
バライトができる構成になつている。
光デイスク19の内周あるいは外周に設けたコントロー
ルトラツク中に、光デイスク19の記録膜の融点あるいは
融点以上に加熱するために必要なレーザ照射パワの記載
があり、光デイスク記録膜の融点識別処理部20により、
１ビームオーバライト時の記録点照射パワ、消去点照射
パワを融点への加熱に必要なパワ以上に設定する構成に
なつている。
融点識別処理部20は上記の記載を解読して融点以上の
温度でオーバライトすることもできるし、また次のよう
にダミトラツクを用いて実際にレーザ照射しながら反射
率変化を求め、反射率変化から融点に加熱するパワPMを
求めても良い。
〔発明の効果〕
本発明によれば、記録状態の反射率を消去状態の反射
率よりも大きく、または記録状態の吸収率を消去状態の
吸収率よりも小さくした光記録媒体の記録膜を溶融して
消去する過程において記録部の傍熱効果、結晶核成長促
進効果およびクロストーク軽減効果などの作用によつ
て、従来にない高い消去性能を有し、高密度記録の可能
な光記録媒体と情報記録再生装置を提供する効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は記録消去の反射率変化を示す特性図、第２図は
オーバライトの従来例を示す特性図、第３図は固相及液
相消去の従来例を示す特性図、第４図はダブルビームの
従来例を示す説明図、第５図は冷却曲線と結晶化曲線を
示す曲線図、第６図は記録消去原理を示す曲線図、第７
図及び第８図は直流消去原理を示す説明図、第９図
（ａ）及び第９図（ｂ）は単一ビームオーバライトの原
理図、第10図〜第14図は単一オーバライトの消去原理
図、第15図〜第77図は光記録媒体の構成と反射率，吸収
率の膜厚による変化を示す説明図、第78図（ａ）と第78
図（ｂ）は記録信号のスペクトルを示す曲線図、第79図
（ａ）と第79図（ｂ）はオーバライト時のスペクトルを
示す特性図、第80図はオーバライト繰返し結果を示す特
性図、第81図（ａ）と第81図（ｂ）はオーバライト信号
波形を示す特性図、第82図（ａ）と第82図（ｂ）はIn22
Sb37Te41の分光特性図、第83図は光情報記録再生装置の
概略構成図である。 １……熱流入、２……熱流出、３……記録ビツト、４…
…結晶相トラツク、５……アモルフアス記録ビツト、６
……重ね書き記録ビツト、７……ビツト消去部、８……
基板、９……記録膜、10……誘電体膜、11……レーザ入
射側、12……金属反射膜、13……光ピツクアツプ、14…
…光ピツクアツプ位置制御回路、15……受光信号処理回
路、16……半導体レーザ駆動回路、17……デイスク回転
モータ、18……ターンテーブル、19……トラツキングガ
イドを有した光デイスク、20……光デイスク記録膜の融
点識別処理部、21……システム制御回路、22……外部入
力端子群、23……レーザビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永井 正一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 加藤 義美 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 美雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 坪井 信義 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 峯邑 浩行 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−210538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−188836（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−165043（ＪＰ，Ａ)

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】アモルファス−結晶間の相変化を利用して
    記録および消去する光記録媒体において、上記光記録媒
    体の記録マークを構成する記録膜のアモルファス状態領
    域における反射率が上記光記録媒体の消去領域を構成す
    る記録膜の結晶状態領域における反射率よりも大きいこ
    とを特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項２】アモルファス−結晶間の相変化を利用して
    記録および消去する光記録媒体において、上記記録媒体
    を構成する記録膜の成膜状態における反射率をRas−dep
    o.とし、上記光記録媒体の消去状態である上記記録媒体
    を構成する記録膜の結晶状態における反射率をRxとし、
    上記光記録媒体の記録状態である上記記録媒体を構成す
    る記録膜のアモルファス状態における反射率をRaとした
    とき、Ras−depo.＞Ra＞Rxであることを特徴とする光記
    録媒体。
  3. 【請求項３】アモルファス−結晶間の相変化を利用して
    記録および消去する光記録媒体において、上記光記録媒
    体の記録マークを構成する記録膜のアモルファス状態領
    域における吸収率が上記光記録媒体の消去領域を構成す
    る記録膜の結晶状態領域における吸収率よりも小さいこ
    とを特徴とする光記録媒体。
  4. 【請求項４】アモルファス−結晶間の相変化を利用して
    記録および消去する光記録媒体において、上記記録媒体
    を構成する記録膜の成膜状態における吸収率をAas−dep
    o.とし、上記光記録媒体の消去状態である上記記録媒体
    を構成する記録膜の結晶状態における吸収率をAxとし、
    上記光記録媒体の記録状態である上記記録媒体を構成す
    る記録膜のフモルファス状態における吸収率をAaとした
    とき、Aas−depo.＜Aa＜Axであることを特徴とする光記
    録媒体。
  5. 【請求項５】特許請求の範囲第１項から第４項のいずれ
    か１項において、光記録媒体を構成する記録膜の成膜状
    態に部分的にレーザ照射し反射率を低下させた部分が反
    射率の高い部分に隣接していることを特徴とする光記録
    媒体。
  6. 【請求項６】特許請求の範囲第１項から第４項のいずれ
    か１項の光記録媒体において、成膜時の吸収率をＡ
    （％）、照射するレーザパワーをＰ（mW）とし、前記光
    記録媒体を構成する記録膜の融点，比熱および熱伝導率
    から決めうる特性定数をαとしたときにPA/100＝αの関
    係においてα＝７〜８を満足することを特徴とする光記
    録媒体。
  7. 【請求項７】特許請求の範囲第１項から第４項のいずれ
    か１項において、光記録媒体を構成する記録膜のアモル
    ファス状態の屈折率が結晶状態の屈折率よりも大きく、
    かつアモルファス状態の消衰係数が結晶状態の消衰係数
    よりも小さいことを特徴とする光記録媒体。
  8. 【請求項８】特許請求の範囲第１項から第４項のいずれ
    か１項において、光記録媒体は保持性のある透光性基板
    または可塑性のあるシートやテープなとの上に直接ある
    いは間接的に記録膜を形成し、誘電体膜および金属反射
    膜の少なくとも１つを用いて、光干渉効果および保護効
    果が発現する構造を有することを特徴とする光記録媒
    体。
  9. 【請求項９】特許請求の範囲第１項から第４項のいずれ
    か１項に記録の光記録媒体は、透光性基板およびシー
    ト，テープをＳとしたとき、S/記録膜／誘電体膜,S/記
    録膜／金属反射膜,S/記録膜／金属反射膜／誘電体膜,S/
    記録膜／誘電体膜／金属反射膜,S/記録膜／誘電体膜／
    金属反射膜／誘電体膜,S/誘電体膜／記録膜／誘電体膜,
    S/誘電体膜／記録膜／金属反射膜,S/誘電体膜／記録膜
    ／金属反射膜／誘電体膜,S/誘電体膜／記録膜／誘電体
    膜／金属反射膜,S/誘電体膜／記録膜／誘電体膜／金属
    反射膜／誘電体膜,S/記録膜/S,S/記録膜／金属反射膜/
    S,S/記録膜／誘電体膜／金属反射膜/S,S/記録膜／誘電
    体膜／金属反射膜／誘電体膜/S,S/誘電体膜／記録膜/S,
    S/誘電体膜／記録膜／誘電体膜/S,S/誘電体膜／記録膜
    ／金属反射膜/S,S/誘電体膜／記録膜／金属反射膜／誘
    電体膜/S,S/誘電体膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜/
    S,S/誘電体膜／記録膜／誘電体膜／金属反射膜／誘電体
    膜/S,のいずれか１つの構造を有することを特徴とする
    光記録媒体。
  10. 【請求項１０】特許請求の範囲第１項から第４項のいず
    れか１項に記載の光記録媒体を構成する記録膜が、少な
    くとも１種類の元素単体と１種類以上のカルコゲナイド
    化合物から成ることを特徴とする光記録媒体。
  11. 【請求項１１】特許請求の範囲第１項から第４項のいず
    れか１項に記載の光記録媒体を構成する記録膜が、少な
    くともアンチモン，亜鉛，錫，鉛，銅，銀，金，インジ
    ウム，ゲルマニウムのいずれか１種類の元素と１種類以
    上のカルコゲナイド化合物から成ることを特徴とする光
    記録媒体。
  12. 【請求項１２】特許請求の範囲第１項から第４項のいず
    れか１項に記載の光記録媒体を構成する記録膜が、少な
    くともアンチモン，亜鉛，錫，鉛，銅，銀，金，インジ
    ウム，ゲルマニウムのいずれか１種類の元素と１種類以
    上の上記元素とカルコゲン元素との二元化合物から成る
    ことを特徴とする光記録媒体。
  13. 【請求項１３】特許請求の範囲第１項から第４項のいず
    れか１項に記載の光記録媒体を構成する記録膜が、イン
    ジウムとテルル間に生成する化合物及びアンチモンとテ
    ルル間に生成する化合物及びアンチモン単体から成るこ
    とを特徴とする光記録媒体。
  14. 【請求項１４】特許請求の範囲第１項から第４項のいず
    れか１項に記載の光記録媒体を構成する記録膜が、イン
    ジウム15原子％から35原子％，テルル25原子％から50原
    子％及びアンチモン25原子％から50原子％の組成から成
    ることを特徴とする光記録媒体。
  15. 【請求項１５】非晶質−結晶間の相変化を利用して記録
    マークの記録および消去を行なう光記録方法において、
    略非晶質状態の領域である未記録領域にレーザビームを
    照射し、未記録領域の一部を結晶質状態の領域として記
    録マークを形成し、上記非晶質状態の領域における反射
    率を、上記結晶質状態の領域における反射率よりも大き
    くすることを特徴とする光記録方法。
  16. 【請求項１６】非晶質−結晶間の相変化を利用して記録
    マークの記録および消去を行なう光記録方法において、
    略非晶質状態の領域である未記録領域にレーザビームを
    照射し、未記録領域の一部を結晶質状態の領域として記
    録マークを形成し、上記非晶質状態の領域における吸収
    率を、上記結晶質状態の領域における吸収率よりも小さ
    くすることを特徴とする光記録方法。
  17. 【請求項１７】特許請求の範囲第15項または第16項にお
    いて、レーザビーム照射によって光記録媒体を構成する
    記録膜を融点以上に昇温し溶融することで記録および消
    去を行い、かつ記録時の照射レーザパワーが消去時の照
    射レーザパワーよりも大きいことを特徴とする光記録方
    法。
  18. 【請求項１８】特許請求の範囲第15項または第16項にお
    いて、レーザビーム照射によって光記録媒体を構成する
    記録膜を融点以上に昇温し溶融することで記録および消
    去を行い、かつ記録時の照射レーザパルス幅が消去時の
    照射レーザパルス幅よりも短いことを特徴とする光記録
    方法。
  19. 【請求項１９】特許請求の範囲第15項または第16項にお
    いて、レーサビーム照射によって光記録媒体を構成する
    記録膜を融点以上に昇温し溶融することで記録および消
    去を行い、かつ記録および消去の照射レーザパワーが同
    一で記録時には記録周波数に相当するパルス幅を有した
    レーザパルスを照射し、消去時には直流レーザ光を照射
    することを特徴とする光記録方法。
  20. 【請求項２０】特許請求の範囲第15項または第16項にお
    いて、光記録媒体を構成する記録膜の成膜状態に部分的
    にレーザ照射し反射率を変化させた部分に情報信号を記
    録することを特徴とする光記録方法。
  21. 【請求項２１】特許請求の範囲第15項または第16項にお
    いて、光記録媒体を構成する記録膜の成膜状態に部分的
    にレーザビーム照射し反射率を低下させた部分に情報信
    号を記録することを特徴とする光記録方法。
  22. 【請求項２２】特許請求の範囲第15項または第16項にお
    いて、記録および消去は発振波長が600〜860nmの半導体
    レーザで行うことを特徴とする光記録方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7505392B2 (en) 2003-11-18 2009-03-17 Hitachi Maxell, Ltd. Optical disk with a plurality of radially extending marks for recording reflectance data of the optical disk
US7663986B2 (en) 2005-10-20 2010-02-16 Hitachi, Ltd. Servo control signal generation device and an optical disk device using the same

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291470A (en) * 1988-03-28 1994-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording method
JP2538647B2 (ja) * 1988-07-22 1996-09-25 富士通株式会社 光ディスク媒体
JPH02249136A (ja) * 1989-03-23 1990-10-04 Asahi Chem Ind Co Ltd 光学的記録再生装置
DE4019301A1 (de) * 1990-06-16 1991-12-19 Basf Ag Reversibler optischer aufzeichnungstraeger vom phasenwechsel-typ
US5242784A (en) * 1990-07-13 1993-09-07 International Business Machines Corporation System and method for optical phase change recording
JP2750018B2 (ja) * 1990-07-13 1998-05-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 光学記録媒体及び光学データ記録ディスクドライブシステム
JP2556183B2 (ja) * 1990-09-11 1996-11-20 富士ゼロックス株式会社 光学的記録方法とこの方法を用いる光記録媒体
JP2987223B2 (ja) * 1991-02-20 1999-12-06 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体
JP3076412B2 (ja) * 1991-07-24 2000-08-14 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法
DE69317459T2 (de) * 1992-04-17 1998-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optisches Informationsaufzeichnungsmedium und Verfahren zum Entwurf seiner Struktur
JPH0778354A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Toshiba Corp 情報記録媒体およびそれを用いた記録方法
JP2806274B2 (ja) * 1994-10-19 1998-09-30 日本電気株式会社 光学情報記録媒体
CN1054227C (zh) * 1994-10-31 2000-07-05 北京航空航天大学 记录媒体及其记录和擦除方法
US6821707B2 (en) 1996-03-11 2004-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US5889756A (en) * 1996-07-25 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase change optical recording medium
US6503690B1 (en) 1997-08-12 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information
JPH11134720A (ja) 1997-08-28 1999-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学的情報記録媒体及びその記録再生方法
US6343062B1 (en) 1997-09-26 2002-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals
TW448443B (en) 1998-08-05 2001-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical information storage media and production method as well as the storage reproducing method and device
CN100437773C (zh) * 2000-11-06 2008-11-26 松下电器产业株式会社 光记录媒体制造方法和光记录媒体制造装置
US6846611B2 (en) * 2001-02-28 2005-01-25 Ricoh Company, Ltd. Phase-change optical recording medium
JP2003162821A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Tdk Corp 光記録媒体および光記録方法
US6798711B2 (en) * 2002-03-19 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Memory with address management
USRE47382E1 (en) * 2005-07-18 2019-05-07 Xenogenic Development Limited Liability Company Back-to-back metal/semiconductor/metal (MSM) Schottky diode
KR100856326B1 (ko) * 2006-07-19 2008-09-03 삼성전기주식회사 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판
TWI402829B (zh) * 2010-10-29 2013-07-21 Nat Univ Tsing Hua 多階記錄方法及其系統
KR102383501B1 (ko) * 2015-01-08 2022-04-07 삼성전자주식회사 다층 박막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 제품

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716844A (en) * 1970-07-29 1973-02-13 Ibm Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films
US3971874A (en) * 1973-08-29 1976-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information storage material and method of making it
US4330833A (en) * 1978-05-26 1982-05-18 Vicom Systems, Inc. Method and apparatus for improved digital image processing
US4264986A (en) * 1979-03-12 1981-04-28 Willis Craig I Information-recording process & apparatus
DE3118058A1 (de) * 1980-05-14 1982-03-11 RCA Corp., 10020 New York, N.Y. Aufzeichnungstraeger und verfahren zum schreiben einer informationsspur sowie zum loeschen einer in dem traeger gespeicherten information
US4460636A (en) * 1981-03-27 1984-07-17 Sony Corporation Optical information record member
JPS59185048A (ja) * 1983-04-01 1984-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材及び記録方法
KR860002121B1 (ko) * 1984-03-28 1986-11-26 마쓰시다덴기산교 가부시기가이샤 광학정보 기록부재
JPS60231928A (ja) * 1984-04-27 1985-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録消去方法
KR890004230B1 (ko) * 1984-08-24 1989-10-27 가부시끼가이샤 도오시바 광(光) 디스크 메모리
JPS6196541A (ja) * 1984-10-18 1986-05-15 Nec Corp 光磁気記録媒体
JPH0619856B2 (ja) * 1984-11-09 1994-03-16 株式会社日立製作所 情報記録媒体
US4651172A (en) * 1984-11-29 1987-03-17 Hitachi, Ltd. Information recording medium
JPS61156545A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Tdk Corp 情報記録媒体および記録方法
CA1236693A (en) * 1985-02-22 1988-05-17 Isao Morimoto Information recording medium
JPS61210538A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 Victor Co Of Japan Ltd 記録媒体用インジウム−ニオビウム合金
JPH0734267B2 (ja) * 1985-05-24 1995-04-12 松下電器産業株式会社 可逆的光学情報記録媒体および記録再生方法
US4710899A (en) * 1985-06-10 1987-12-01 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage medium incorporating a transition metal for increased switching speed
US4787077A (en) * 1985-08-15 1988-11-22 International Business Machines Corporation Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state
JPS6286553A (ja) * 1985-10-11 1987-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材
US4818666A (en) * 1986-03-28 1989-04-04 U.S. Philips Corporation Erasable optical recording element and method of optically recording and erasing information
EP0243976B1 (en) * 1986-05-02 1996-09-04 Hitachi, Ltd. Method for recording, reproducing and erasing information and thin film for recording information
JPS63188836A (ja) * 1987-01-30 1988-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 光学記録媒体
JPS63187430A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 Toshiba Corp 情報記録媒体
DE3705389A1 (de) * 1987-02-20 1988-09-01 Basf Ag Substituierte crotonsaeureester und diese enthaltende fungizide
JPS63251290A (ja) * 1987-04-08 1988-10-18 Hitachi Ltd 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用
JPH081707B2 (ja) * 1987-12-04 1996-01-10 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体
JPH01165043A (ja) * 1987-12-21 1989-06-29 Fuji Electric Co Ltd 光記録媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7505392B2 (en) 2003-11-18 2009-03-17 Hitachi Maxell, Ltd. Optical disk with a plurality of radially extending marks for recording reflectance data of the optical disk
US8009547B2 (en) 2003-11-18 2011-08-30 Hitachi Maxell, Ltd. Optical recording and reproducing apparatus capable of identifying the type of optical disc based on reflectance, and reproducing method for optical disc
US7663986B2 (en) 2005-10-20 2010-02-16 Hitachi, Ltd. Servo control signal generation device and an optical disk device using the same
US8427913B2 (en) 2005-10-20 2013-04-23 Hitachi, Ltd. Servo control signal generation device and an optical disk device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH025238A (ja) 1990-01-10
CA1332467C (en) 1994-10-11
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DE68928337D1 (de) 1997-10-30
EP0784316A3 (en) 1998-09-23
EP0784316B1 (en) 2002-11-27
EP0784316A2 (en) 1997-07-16
CN1018303B (zh) 1992-09-16
DE68929438T2 (de) 2003-06-12
DE68929438D1 (de) 2003-01-09
KR910001677A (ko) 1991-01-31
EP0347801A3 (en) 1991-12-11
EP0347801B1 (en) 1997-09-24

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