JPS63187430A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS63187430A JPS63187430A JP62019883A JP1988387A JPS63187430A JP S63187430 A JPS63187430 A JP S63187430A JP 62019883 A JP62019883 A JP 62019883A JP 1988387 A JP1988387 A JP 1988387A JP S63187430 A JPS63187430 A JP S63187430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- phase
- recording layer
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 5bTe Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、例えばレーザビーム等の光ビームを照射す
ることにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録消
去する情報記録媒体に関する。
ることにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録消
去する情報記録媒体に関する。
(従来の技術)
従来、情報の消去が可能な光ディスクとして相変化型の
ものが知られている。この相変化型の光ディスクにおい
ては、記録層にレーザビームを照射することにより、記
録層が例えば結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化す
ることを利用して情報を記録消去する。
ものが知られている。この相変化型の光ディスクにおい
ては、記録層にレーザビームを照射することにより、記
録層が例えば結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化す
ることを利用して情報を記録消去する。
このような相変化する材料としては、例えば、Te、G
e、TeGe、InSe、5bSe。
e、TeGe、InSe、5bSe。
5bTe等の半導体、半導体化合物又は金属間化合物が
ある。これらは、その温度により、結晶質用と非晶質相
との2つの状態を選択的にとり、各状態においてNmn
−i kで現される複素屈折率が相違するので、レーザ
ビームによる熱処理でこれら2つの状態を可逆的に変化
させて情報を記録消去する( S 、 R、Ovshl
nsky M etal IurglcalTran
sactions 2 [i411971) oこの
技術の場合には、結晶質相と非晶質相とで反射率が著し
く異なるため、記録レベルが高い。
ある。これらは、その温度により、結晶質用と非晶質相
との2つの状態を選択的にとり、各状態においてNmn
−i kで現される複素屈折率が相違するので、レーザ
ビームによる熱処理でこれら2つの状態を可逆的に変化
させて情報を記録消去する( S 、 R、Ovshl
nsky M etal IurglcalTran
sactions 2 [i411971) oこの
技術の場合には、結晶質相と非晶質相とで反射率が著し
く異なるため、記録レベルが高い。
一方、上述の方式と異なり、レーザビームの照射により
相異なる結晶質間で可逆的に相変化させて情報を記録消
去する技術もある。このような相変化をする材料として
はIn−5b合金が知られている。
相異なる結晶質間で可逆的に相変化させて情報を記録消
去する技術もある。このような相変化をする材料として
はIn−5b合金が知られている。
In−5b合金薄膜は、比較的パルス幅が大きいレーザ
ビームの照射により微細な結晶部分が短時間に比較的大
きな結晶に成長する。これら2つの結晶構造は異なる複
素屈折率を有し、レーザビームを照射して再生する場合
に、例えば、反射光量の差として結晶状態を区別する。
ビームの照射により微細な結晶部分が短時間に比較的大
きな結晶に成長する。これら2つの結晶構造は異なる複
素屈折率を有し、レーザビームを照射して再生する場合
に、例えば、反射光量の差として結晶状態を区別する。
この技術の場合には、記録部分の安定性が高いという利
点を有する。
点を有する。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、結晶質−非晶質間で相変化させて情報を
記録消去する技術の場合には、記録部分が非晶質を主体
としているため安定性が低いものが多く、材料の結晶化
温度が低い場合に、非晶質の記録ビットが徐々に結晶化
してしまい、記録部分と非記録部分との区別がつかなく
るという欠点を有する。また、記録層をIn−5bで形
成して相異なる結晶質の間で相変化させるタイプの光デ
ィスクの場合には、安定なI 、nso S b5o金
属間化合物の近傍の組成で記録層を形成するが、この場
合には、記録レベルが低いという問題点がある。
記録消去する技術の場合には、記録部分が非晶質を主体
としているため安定性が低いものが多く、材料の結晶化
温度が低い場合に、非晶質の記録ビットが徐々に結晶化
してしまい、記録部分と非記録部分との区別がつかなく
るという欠点を有する。また、記録層をIn−5bで形
成して相異なる結晶質の間で相変化させるタイプの光デ
ィスクの場合には、安定なI 、nso S b5o金
属間化合物の近傍の組成で記録層を形成するが、この場
合には、記録レベルが低いという問題点がある。
従って、このような組成で記録層を形成する場合には、
情報の記録が不十分になる虞がある。これに対し、この
In−5b合金でsbを若干過剰にした組成で記録層を
形成することも試みられている。この場合には、レーザ
ビーム照射によりI n5Q S bso結晶粒とsb
結晶粒との混合相となり、レーザビームの照射条件によ
りsb結晶粒子の大きさが変化するので、ある程度の記
録レベルを得ることができるが、記録レベルが未だ十分
とは言えず、また、このsbは結晶化速度が遅いので、
初期化及び消去の速度が小さく、初期化不良及び消去残
りが生じてしまう。
情報の記録が不十分になる虞がある。これに対し、この
In−5b合金でsbを若干過剰にした組成で記録層を
形成することも試みられている。この場合には、レーザ
ビーム照射によりI n5Q S bso結晶粒とsb
結晶粒との混合相となり、レーザビームの照射条件によ
りsb結晶粒子の大きさが変化するので、ある程度の記
録レベルを得ることができるが、記録レベルが未だ十分
とは言えず、また、このsbは結晶化速度が遅いので、
初期化及び消去の速度が小さく、初期化不良及び消去残
りが生じてしまう。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
記録の安定性及び記録レベルが高く、初期化不良及び消
去残りが発生しない情報記録媒体を提供することを目的
とする。
記録の安定性及び記録レベルが高く、初期化不良及び消
去残りが発生しない情報記録媒体を提供することを目的
とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームが照
射されることにより相変化して情報が記録消去される記
録層とを有する情報記録媒体において、前記記録層は、
一般式 I n50−xM X S b5oで現される組成の合
金で形成されており、このMはTe及びSeから選択さ
れた一方の元素であり、Xは0より大きく20原子%よ
り小さいことを特徴とする。
射されることにより相変化して情報が記録消去される記
録層とを有する情報記録媒体において、前記記録層は、
一般式 I n50−xM X S b5oで現される組成の合
金で形成されており、このMはTe及びSeから選択さ
れた一方の元素であり、Xは0より大きく20原子%よ
り小さいことを特徴とする。
(作用)
この発明においては、記録層に光ビームを照射すること
により上述の組成の合金が I n50−y S b50−1と5b)(Tex又は
Sb)<5e)(とに分離し、5b)(Te)(又は5
bXSeXが安定な結晶質の■n50−X S b50
−1中に分散した状態で存在し、且つ、このS b X
T e X又は5b)(Se)(は非晶質状態で安定
であるため記録の安定性が高い。また、相分離により生
じた5b)(Te)(又はS b y、 T e y、
は光ビームの照射により結晶質相と非晶質相との間で相
変化するので、高記録レベルを得ることができる。更に
、この5b)(TeX又は5bXSeXは相変化の速度
が大きいので、初期化及び消去を高速化することができ
、初期化不良及び消去残りを抑制することができる。
により上述の組成の合金が I n50−y S b50−1と5b)(Tex又は
Sb)<5e)(とに分離し、5b)(Te)(又は5
bXSeXが安定な結晶質の■n50−X S b50
−1中に分散した状態で存在し、且つ、このS b X
T e X又は5b)(Se)(は非晶質状態で安定
であるため記録の安定性が高い。また、相分離により生
じた5b)(Te)(又はS b y、 T e y、
は光ビームの照射により結晶質相と非晶質相との間で相
変化するので、高記録レベルを得ることができる。更に
、この5b)(TeX又は5bXSeXは相変化の速度
が大きいので、初期化及び消去を高速化することができ
、初期化不良及び消去残りを抑制することができる。
(実施例)
以下、この発明の実施例について具体的に説明する。
I n50 S b50で記録層を形成した場合には、
I n50 S bsoは金属間化合物であるから安定
性が高く、また、レーザビーム照射による原子同士の近
距離でのオーダリング(規則化)が極めて速いので、初
期化及び消去における結晶化が極めて速い。しかしなが
ら、このI n50 S b5゜はレーザビ−ム照射条
件を変化させても、結晶粒径の変化量が少なく、記録レ
ベルが低い。また、 I n50 S b50よりも若干SbQが多い組成の
合金の場合には、レーザビーム照射により In5oSb5o結晶粒とsb結晶粒との混合相となり
、レーザビームの照射条件によりsb結晶粒子の大きさ
が変化するのである程度の記録レベルを得ることができ
るが、記録レベルが未だ十分とは言えず、また、結晶化
速度も小さい。一方、I n5゜s b5oよりも若干
InQが多い組成の合金で記録層を形成する場合には、
レーザビームの照射条件によるInの結晶粒の大きさの
変化が小さいので、記録レベルが極めて低い。これに対
し、記録層を一般式I n502M)(Sbxで現され
る組成の合金で形成し、MとしてSe及びTeから選択
された一方の元素を用い、Xを0より大きく20原子%
より小さくすることにより記録レベルを高めることがで
きる。つまり、上述の組成は、光ビームの照射によりI
n50−+4 S t)50−1と5bXSeX又は
5bXTeXとに相分離するが、二の中で5b)(Se
)(及び5b)(Te)Hはレーザビームの照射条件に
より結晶質と非晶質との間で相変化するので、これらの
相の反射率の相違により高記録レベルを得ることができ
る。また、このS b X T e X及びSb>(S
e)(は相変化速度が大きいので、初期化及び消去を高
速化することができる。更に、S b X T e X
及び、5b)(Se)(は非晶質状態であっても安定で
あり、しかもこの5bxTeX及び5b)(Se)(は
極めて安定なI nso−g S b5g−g結晶の間
に分散した状態で存在しているので、記録の安定性が高
い。この場合に、Xが20原子%以上になると、光ビー
ムの照射により他の結晶が現出するので、Xを20%未
満に規定する。
I n50 S bsoは金属間化合物であるから安定
性が高く、また、レーザビーム照射による原子同士の近
距離でのオーダリング(規則化)が極めて速いので、初
期化及び消去における結晶化が極めて速い。しかしなが
ら、このI n50 S b5゜はレーザビ−ム照射条
件を変化させても、結晶粒径の変化量が少なく、記録レ
ベルが低い。また、 I n50 S b50よりも若干SbQが多い組成の
合金の場合には、レーザビーム照射により In5oSb5o結晶粒とsb結晶粒との混合相となり
、レーザビームの照射条件によりsb結晶粒子の大きさ
が変化するのである程度の記録レベルを得ることができ
るが、記録レベルが未だ十分とは言えず、また、結晶化
速度も小さい。一方、I n5゜s b5oよりも若干
InQが多い組成の合金で記録層を形成する場合には、
レーザビームの照射条件によるInの結晶粒の大きさの
変化が小さいので、記録レベルが極めて低い。これに対
し、記録層を一般式I n502M)(Sbxで現され
る組成の合金で形成し、MとしてSe及びTeから選択
された一方の元素を用い、Xを0より大きく20原子%
より小さくすることにより記録レベルを高めることがで
きる。つまり、上述の組成は、光ビームの照射によりI
n50−+4 S t)50−1と5bXSeX又は
5bXTeXとに相分離するが、二の中で5b)(Se
)(及び5b)(Te)Hはレーザビームの照射条件に
より結晶質と非晶質との間で相変化するので、これらの
相の反射率の相違により高記録レベルを得ることができ
る。また、このS b X T e X及びSb>(S
e)(は相変化速度が大きいので、初期化及び消去を高
速化することができる。更に、S b X T e X
及び、5b)(Se)(は非晶質状態であっても安定で
あり、しかもこの5bxTeX及び5b)(Se)(は
極めて安定なI nso−g S b5g−g結晶の間
に分散した状態で存在しているので、記録の安定性が高
い。この場合に、Xが20原子%以上になると、光ビー
ムの照射により他の結晶が現出するので、Xを20%未
満に規定する。
この実施例に係る情報記録媒体は、例えば第1図に示す
ように構成されている。基板11は透明で材質上の経時
変化が少ない材料、例えば、ガラス又はポリカーボネー
ト樹脂等の材料でつくられている。基板11には、保護
層12、記録層13及び保護層14がこの順に形成され
ている。保護層12は5i02で形成されており、記録
層13が溶融することを防止している。保護層14は、
5i02製の主層15と紫外線硬化樹脂製の補助層16
により構成されており、記録層13の上に主層15が形
成され、主層15の上に補助層16か形成されている。
ように構成されている。基板11は透明で材質上の経時
変化が少ない材料、例えば、ガラス又はポリカーボネー
ト樹脂等の材料でつくられている。基板11には、保護
層12、記録層13及び保護層14がこの順に形成され
ている。保護層12は5i02で形成されており、記録
層13が溶融することを防止している。保護層14は、
5i02製の主層15と紫外線硬化樹脂製の補助層16
により構成されており、記録層13の上に主層15が形
成され、主層15の上に補助層16か形成されている。
そして、主層15は保護層13と同様に記録層13が溶
融することを防止する機能を存しており、補助層16は
ディスクの取扱い上表面に傷等が発生することを防止す
る機能を宵している。記録層13は、前述した組成の合
金で形成されており、レーザビームの照射条件の相違に
より相変化する。
融することを防止する機能を存しており、補助層16は
ディスクの取扱い上表面に傷等が発生することを防止す
る機能を宵している。記録層13は、前述した組成の合
金で形成されており、レーザビームの照射条件の相違に
より相変化する。
このような光ディスクは以下のように製造される。先ず
、基板11をスパッタ装置内に設置し、S i O”2
ターゲツトを使用してアルゴン雰囲気下でスパッタリン
グし、SiO2製の保護層12を形成する。次いで、同
じ雰囲気を維持したまま、記録層の各構成元素でつくら
れたターゲットによる3元同時スパッタ又は、予め得よ
うとする記録層組成に調整されたターゲットによるスパ
ッタにより、I n50−g T e X S b50
又はI n50−x S e x S bso製の記録
層13を形成する。
、基板11をスパッタ装置内に設置し、S i O”2
ターゲツトを使用してアルゴン雰囲気下でスパッタリン
グし、SiO2製の保護層12を形成する。次いで、同
じ雰囲気を維持したまま、記録層の各構成元素でつくら
れたターゲットによる3元同時スパッタ又は、予め得よ
うとする記録層組成に調整されたターゲットによるスパ
ッタにより、I n50−g T e X S b50
又はI n50−x S e x S bso製の記録
層13を形成する。
その後、再度5i02ターゲツトのスパッタにより5i
02製の主層15を形成し、その後、基板をスパッタ装
置から外して、スピンコード法により主層15の上に紫
外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射して補助層
16を形成する。
02製の主層15を形成し、その後、基板をスパッタ装
置から外して、スピンコード法により主層15の上に紫
外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射して補助層
16を形成する。
次に、このような光ディスクの動作について説明する。
初期化
記録層13は成膜直後に非晶質であるため、この記録層
13に比較的弱い出力でパルス幅が長いレーザビームを
連続光照射して、記録層13を溶融徐冷して凝固させ、
I n50−4 S b5oつの微細結晶粒と5bXT
eX又は5b)(Se)(の微細結晶粒とで形成された
結晶相に相変化させる。
13に比較的弱い出力でパルス幅が長いレーザビームを
連続光照射して、記録層13を溶融徐冷して凝固させ、
I n50−4 S b5oつの微細結晶粒と5bXT
eX又は5b)(Se)(の微細結晶粒とで形成された
結晶相に相変化させる。
記録
初期化された記録層13の上に比較的強い出力でパルス
幅が短いレーザビーム18を照射して5bXTex又は
5bXSexの微細結晶を非晶質に相変化させ、I n
5O−8s bso−、の微細結晶粒とS b X T
e X又はSb)(SeXM)(Sb)Hの非晶質と
の混合相で記録ビット19を形成する。
幅が短いレーザビーム18を照射して5bXTex又は
5bXSexの微細結晶を非晶質に相変化させ、I n
5O−8s bso−、の微細結晶粒とS b X T
e X又はSb)(SeXM)(Sb)Hの非晶質と
の混合相で記録ビット19を形成する。
再生
記録層13に比較的弱い出力のレーザビームを照射し、
記録ビットの反射光の強度を検出することにより情報を
読取る。
記録ビットの反射光の強度を検出することにより情報を
読取る。
消去
レーザビームの照射条件を、基本的に初期化の場合の条
件と同様にして、記録ビット19に照射する。記録ビッ
ト19は初期化の場合と同様に溶融徐冷されて凝固し、
その中のS b X T e X又はSb>(Se)(
M)(Sb)(の非晶質が微細結晶化し、情報が消去さ
れる。
件と同様にして、記録ビット19に照射する。記録ビッ
ト19は初期化の場合と同様に溶融徐冷されて凝固し、
その中のS b X T e X又はSb>(Se)(
M)(Sb)(の非晶質が微細結晶化し、情報が消去さ
れる。
以上のように、レーザビームの照射条件による5b)(
Te)(又は5bxSeXの結晶質相と非晶質相との間
の相変化により情報を記録消去することができる。
Te)(又は5bxSeXの結晶質相と非晶質相との間
の相変化により情報を記録消去することができる。
次に、この実施例に係る情報記録媒体を製造して特性を
試験した試験例について説明する。
試験した試験例について説明する。
試験例1
アルゴンスパッタにより、グループ付のポリカーボネー
ト基板の上にS i 02層を1000人成膜し、次い
で、その上にI n47 T e3 S b533元合
金を3元同時スパッタにより組成を厳密に制御しながら
750人成膜して記録層を形成し、この記録層の上に、
更に5i02層を1000人成膜した。その後、この5
i02層の上に紫外線硬化樹脂層を10μm形成して光
ディスクを製造した。
ト基板の上にS i 02層を1000人成膜し、次い
で、その上にI n47 T e3 S b533元合
金を3元同時スパッタにより組成を厳密に制御しながら
750人成膜して記録層を形成し、この記録層の上に、
更に5i02層を1000人成膜した。その後、この5
i02層の上に紫外線硬化樹脂層を10μm形成して光
ディスクを製造した。
次いで、同様の層構成及び製造方法により、記録層の組
成が夫々I n45 T e5 S b5g、I n4
o T eto S bso z I n35 T e
15 S bso及びI n30 T e2o S b
soの光デイスクサンプルを作成した。これら5個の光
デイスクサンプルを動特性評価装置により特性評価した
。ディスクの回転数を900 rpa+とじて波長が8
30nmの半導体レーザを使用し、初期化に際しては、
出力8mWで連続光照射し、記録に際しては、出力が1
1mWでパルス幅が150n s、デユーティ比が50
%のレーザビームをパルス照射し、消去に際しては初期
化と同様の出力で連続照射した。
成が夫々I n45 T e5 S b5g、I n4
o T eto S bso z I n35 T e
15 S bso及びI n30 T e2o S b
soの光デイスクサンプルを作成した。これら5個の光
デイスクサンプルを動特性評価装置により特性評価した
。ディスクの回転数を900 rpa+とじて波長が8
30nmの半導体レーザを使用し、初期化に際しては、
出力8mWで連続光照射し、記録に際しては、出力が1
1mWでパルス幅が150n s、デユーティ比が50
%のレーザビームをパルス照射し、消去に際しては初期
化と同様の出力で連続照射した。
その結果、先ず、初期化に際しては、いずれのサンプル
も2回のレーザビームの照射で初期化することができた
。sbが過剰のIn−8b合金の場合には、初期化に際
して6乃至8回のレーザビーム照射が必要なことより、
Te)(SbXが高速で結晶化することがわかった。
も2回のレーザビームの照射で初期化することができた
。sbが過剰のIn−8b合金の場合には、初期化に際
して6乃至8回のレーザビーム照射が必要なことより、
Te)(SbXが高速で結晶化することがわかった。
次に、記録の結果について説明する。第2図は、横軸に
I n50−x T e X S b5gのXの値をと
り、縦軸に再生信号の大きさをとって、情報を記録した
後、0.4mWのレーザビームによって再生した場合の
Xと再生信号の大きさとの関係を示すグラフ図である。
I n50−x T e X S b5gのXの値をと
り、縦軸に再生信号の大きさをとって、情報を記録した
後、0.4mWのレーザビームによって再生した場合の
Xと再生信号の大きさとの関係を示すグラフ図である。
これによれば、I n50 S bsoの場合には、極
めて再生信号が低いが、Xの増加により再生信号が増加
することがわかる。また、Xが15原子%より増加する
と、再生信号レベルが低下することがわかる。Xが20
原子%より大きい場合については試験していないが、こ
の場合には他の結晶相が現出して信号レベルが著しく低
下することが予想される。
めて再生信号が低いが、Xの増加により再生信号が増加
することがわかる。また、Xが15原子%より増加する
と、再生信号レベルが低下することがわかる。Xが20
原子%より大きい場合については試験していないが、こ
の場合には他の結晶相が現出して信号レベルが著しく低
下することが予想される。
消去に際しては、Xが15原子%までは記録ビットにレ
ーザビームパルスを1回照射することにより再生信号を
0にすることができたが、Xが20原子%の場合には、
再生信号が40mVとなり消去残りが確認された。
ーザビームパルスを1回照射することにより再生信号を
0にすることができたが、Xが20原子%の場合には、
再生信号が40mVとなり消去残りが確認された。
試験例2
記録層をI n5O−xS e X S b50で形成
して、0くX≦20原子%の間でXを変化させ、試験例
1と同様な層構成の光デイスクサンプルを作成した。
して、0くX≦20原子%の間でXを変化させ、試験例
1と同様な層構成の光デイスクサンプルを作成した。
試験例1と同様に動的特性評価装置により特性を評価し
た結果、試験例1の I n5゜−X T e X S bs。の場合と同様
の特性を得ることができた。
た結果、試験例1の I n5゜−X T e X S bs。の場合と同様
の特性を得ることができた。
[発明の効果]
この発明によれば、S b X T e X又は5b)
(Se)(が非晶質状態で安定であり、且つ、安定な結
晶質のI n5゜s b’io中に分散した状態で存在
するので記録の安定性が高い。また、記録層中の5b)
(Te)(又は5bXSexか光ビームの照射条件によ
り結晶質相と非晶質相との間でトロ変化するので、記録
レベルを高くすることができ、確実に情報を記録するこ
とができる。更に、5b)(Te)(又は5b)(Se
)(相変化が速いので、初期化及び消去を高速化するこ
とができ、初期化不良及び消去残りを抑制することがで
きる。
(Se)(が非晶質状態で安定であり、且つ、安定な結
晶質のI n5゜s b’io中に分散した状態で存在
するので記録の安定性が高い。また、記録層中の5b)
(Te)(又は5bXSexか光ビームの照射条件によ
り結晶質相と非晶質相との間でトロ変化するので、記録
レベルを高くすることができ、確実に情報を記録するこ
とができる。更に、5b)(Te)(又は5b)(Se
)(相変化が速いので、初期化及び消去を高速化するこ
とができ、初期化不良及び消去残りを抑制することがで
きる。
第1図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体を示す断
面図、第2図はXと再生信号の大きさとの関係を示すグ
ラフ図である。 11;基板、12,14.保護層、13;記録層、18
;レーザビーム、19;記録ピット。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 Xht (A−J−%) 第2図 手続補正書 昭有1 枦2.η、180 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1.1件の表示 特願昭62−19883号 2、発明の名称 情報記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 株式会社 東芝 4、代理人 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号 UBEビル7、
補正の内容 (1)明細書中箱7頁第14行目に [I n 50−XMX S b x Jとあるのを「
I n 50−XMX S b 5(、Jに訂正する。 (2) 明細書中東11頁第2行目及び第13行目に
rsbx Sex M、5bxJとあるのをrSbXS
eXJに訂正する。 (3) 明細書中箱12頁第4行目にrln47Te
i Sb、sJとあるのをr I n 47T e 3
S b solに訂正する。
面図、第2図はXと再生信号の大きさとの関係を示すグ
ラフ図である。 11;基板、12,14.保護層、13;記録層、18
;レーザビーム、19;記録ピット。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 Xht (A−J−%) 第2図 手続補正書 昭有1 枦2.η、180 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1.1件の表示 特願昭62−19883号 2、発明の名称 情報記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 株式会社 東芝 4、代理人 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号 UBEビル7、
補正の内容 (1)明細書中箱7頁第14行目に [I n 50−XMX S b x Jとあるのを「
I n 50−XMX S b 5(、Jに訂正する。 (2) 明細書中東11頁第2行目及び第13行目に
rsbx Sex M、5bxJとあるのをrSbXS
eXJに訂正する。 (3) 明細書中箱12頁第4行目にrln47Te
i Sb、sJとあるのをr I n 47T e 3
S b solに訂正する。
Claims (3)
- (1)基板と、光ビームが照射されることにより相変化
して情報が記録消去される記録層とを有する情報記録媒
体において、前記記録層は、一般式In_5_0_−_
xM_xSb_5_0で表される組成の合金で形成され
ており、このMはTe及びSeから選択された一方の元
素であり、xは0より大きく20原子%より小さいこと
を特徴とする情報記録媒体。 - (2)前記記録層の基板側の面及び基板と反対側の面に
夫々第1の保護層及び第2の保護層を形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の情報記録媒体。 - (3)前記第2の保護層は主層の上に有機樹脂でつくら
れた補助層が形成された2層体であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載の情報記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62019883A JPS63187430A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 情報記録媒体 |
DE3802679A DE3802679A1 (de) | 1987-01-30 | 1988-01-29 | Informationsspeichermedium |
US07/373,648 US4975355A (en) | 1987-01-30 | 1989-06-28 | Information storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62019883A JPS63187430A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63187430A true JPS63187430A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=12011604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62019883A Pending JPS63187430A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 情報記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4975355A (ja) |
JP (1) | JPS63187430A (ja) |
DE (1) | DE3802679A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02151481A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2512087B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1996-07-03 | 株式会社日立製作所 | 光記録媒体および光記録方法 |
DE69030845T2 (de) * | 1989-01-11 | 1997-11-20 | Seiko Epson Corp | Optische platte und verfahren zur herstellung |
WO1991005342A1 (en) * | 1989-09-28 | 1991-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium and method of producing the same |
SG47741A1 (en) * | 1990-03-22 | 1998-04-17 | Seagate Technology | A rotary actuator head positioning apparatus and dual pivot apparatus for a disk drive |
DE4019301A1 (de) * | 1990-06-16 | 1991-12-19 | Basf Ag | Reversibler optischer aufzeichnungstraeger vom phasenwechsel-typ |
JP2599513B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | アブレーション・マスク |
JPH04167237A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Sony Corp | 光ディスク |
MY140917A (en) * | 1991-06-04 | 2010-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | Multiple data surface data storage system and method |
US5294518A (en) * | 1992-05-01 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Amorphous write-read optical storage memory |
DE4302118A1 (de) * | 1993-01-27 | 1994-07-28 | Jenoptik Jena Gmbh | Anordnung zum Aufzeichnen, Speichern und Auslesen von Mikrostruktur-Informationen |
US5392272A (en) * | 1993-03-29 | 1995-02-21 | Sri International | Single erasable optical recording layer having both retention and expansion characteristics |
US5796708A (en) * | 1993-06-11 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium and recording system |
US6022605A (en) * | 1997-02-28 | 2000-02-08 | Kao Corporation | Optical recording medium and recording/erasing method therefor |
JP2001148175A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-05-29 | Sony Corp | ディスクカートリッジ |
US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
JP4284836B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2009-06-24 | ソニー株式会社 | 記録媒体、記録再生方法、および記録再生装置 |
DE10146274A1 (de) * | 2001-09-19 | 2003-04-10 | Bosch Gmbh Robert | Metallische Oberfläche eines Körpers, Verfahren zur Herstellung einer strukturierten metallischen Oberfläche eines Körpers und dessen Verwendung |
US6899938B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-05-31 | Energy Conversion Devices, Inc. | Phase change data storage device for multi-level recording |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4460636A (en) * | 1981-03-27 | 1984-07-17 | Sony Corporation | Optical information record member |
US4449138A (en) * | 1981-04-15 | 1984-05-15 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
JPS60177446A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デイスク記録媒体 |
CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
US4635076A (en) * | 1985-03-14 | 1987-01-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Two-sided optical recording medium |
NL8503235A (nl) * | 1985-11-25 | 1987-06-16 | Philips Nv | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
US4818666A (en) * | 1986-03-28 | 1989-04-04 | U.S. Philips Corporation | Erasable optical recording element and method of optically recording and erasing information |
US4731755A (en) * | 1986-04-10 | 1988-03-15 | International Business Machines Corporation | Thermal design for reversible phase change optical storage media |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62019883A patent/JPS63187430A/ja active Pending
-
1988
- 1988-01-29 DE DE3802679A patent/DE3802679A1/de active Granted
-
1989
- 1989-06-28 US US07/373,648 patent/US4975355A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02151481A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4975355A (en) | 1990-12-04 |
DE3802679A1 (de) | 1988-08-11 |
DE3802679C2 (ja) | 1991-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63187430A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH07169094A (ja) | 光記録媒体 | |
JPWO2002043058A1 (ja) | 光記録媒体の検査方法及び光記録媒体の製造方法 | |
JP2577349B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0194545A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JPS63187429A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63187431A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63155437A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2557407B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63209038A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63206923A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63209037A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63206924A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2903969B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
JPS63187432A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS62226438A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS63206922A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2002123977A (ja) | 追記型光学記録媒体 | |
JPS63234420A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH01105339A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPS63155439A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH01112538A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JPH11126366A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
JP2903970B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
JPS6230084A (ja) | 光学情報記録部材 |