NL8503235A - Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. - Google Patents

Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. Download PDF

Info

Publication number
NL8503235A
NL8503235A NL8503235A NL8503235A NL8503235A NL 8503235 A NL8503235 A NL 8503235A NL 8503235 A NL8503235 A NL 8503235A NL 8503235 A NL8503235 A NL 8503235A NL 8503235 A NL8503235 A NL 8503235A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
recording
layer
recording layer
amorphous
substrate
Prior art date
Application number
NL8503235A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8503235A priority Critical patent/NL8503235A/nl
Priority to US06/831,781 priority patent/US4647944A/en
Priority to CA000523448A priority patent/CA1270949A/en
Priority to AU65558/86A priority patent/AU590025B2/en
Priority to DE8686202080T priority patent/DE3683831D1/de
Priority to EP86202080A priority patent/EP0224313B1/en
Priority to JP61278891A priority patent/JPS62143241A/ja
Priority to US06/942,659 priority patent/US4808514A/en
Publication of NL8503235A publication Critical patent/NL8503235A/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/165—Thermal imaging composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

PHN 11.570 1 JJF«I'"icppp' * T.n.v. N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken "Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element". ‘
De uitvinding heeft betrekking op een methode voor de optische registratie van informatie waarbij een registratie element dat voorzien is van en substraat en een daarop aangebrachte registratielaag, wordt belicht met laserlicht dat conform de te registreren informatie is 5 gemoduleerd waarbij in de registratielaag op de belichte plaatsen een optisch uitleesbare structuurverandering ontstaat,welke met behulp van laserlicht via het substraat op basis van reflectieverschillen met de omgeving wordt uitgelezen.
Er zijn verschillende systemen voor een zodanige optische 10 registratie bekend. Een voor praktische toepassing interessant systeem is het zogenaamd ablatieve systeem. Hierbij wordt een registratielaag van bijvoorbeeld Bi, een TeSe legering of een kleurstof toegepast waarin bij belichting gaten of uithollingen worden gevormd. De gaten of uithollingen worden uitgelezen met zwak laserlicht op basis van 15 reflectieverschillen tussen een gat of holte en de omgeving ervan.
Een praktisch nadeel is dat boven een zodanige ablatieve registratielaag een luchtspleet aanwezig moet zijn. In de praktijk worden twee ablatieve registratie elementen met elkaar verbonden, waarbij de registratielagen naar elkaar toe zijn gericht en waarbij 20 afstandhouders worden toegepast teneinde tussen de registratielagen een lucht-(c.q. gas-)spleet aan te brengen. De registratielaag kan dus niet voorzien worden van een afdekkende beschermlaag zoals een afdekkende laklaag.
Een tweede systeem van optische registratie is het 25 fasewisseling (Eng.: phase change) systeem. De hierbij toegepaste registratielaag is een laag van halfgeleidende materialen zoals met name een TeSe legering waaraan diverse andere elementen zoals As, Sb, S toegevoegd kunnen zijn. Bij belichting met laserlicht vindt op de belichte plaatsen een structuurverandering plaats waarbij in een kristal-30 lijne laag, amorfe informatiebits worden gevormd of omgekeerd. Het systeem is reversibel zodat door bijvoorbeeld bestraling met laserlicht de amorfe informatiebits weer omgezet worden tot kristallijn materiaal.
1 i» V _**. 1 * ,-¾ PHN 11.570 2
Het fasewisseling systeem is onder meer bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 3.530.441. Bij praktische toepassing van dit systeem, bijvoorbeeld in het geval van een Te-Se-Sb registratielaag, wordt uitgegaan van een kristallijne laag waarin op reversibele wijze amorfe 5 bits worden gevormd. De registratielaag wordt door middel van een sputterproces op een steunplaat (substraat) aangebracht. De aanvankelijk amorfe registratielaag moet allereerst door een temperatuurbehandeling omgezet worden in een kristallijne laag. Bij toepassing van een kunststof steunplaat (substraat) geeft dit problemen omdat de 10 kunststoffen niet bestand zijn tegen een temperatuurbehandeling van bijvoorbeeld 120°C gedurende één uur. De registratielaag moet een relatief hoge kristallisatietemperatuur hebben omdat anders de laag een onvoldoende stabiliteit bezit en daamede de houdbaarheid van het registratie element beperkt is. De kunststof polymethylmethacrylaat 15 (PMMA) die vanwege de geringe dubbele breking als zodanig zeer geschikt is voor toepassing in een registratie element, vervormt en degradeert door de temperatuurbehandeling. De kunststof polycarbonaat krijgt door de temperatuurbehandeling een te grote dubbele breking. Hierdoor kan de in de registratielaag ingeschreven informatie niet meer worden 20 uitgelezen. Ook verknoopte (Eng.: cross-linked) kunststoffen zoals de met licht verknoopte acrylaat kunststoffen zijn niet bestand tegen de voornoemde temperatuurbehandeling. De temperatuurbehandeling is een uiterst kritisch proces.
Opgemerkt wordt dat uitlezing plaatsvindt op basis van 25 reflectieverschillen van het uitleeslaserlicht dat via de transparante substraatplaat op de registratielaag is gefokusseerd. Het bovengenoemde bezwaar zou mogelijk ondervangen kunnen worden door geen temperatuurbehandeling toe te passen en uit te gaan van een amorfe laag waarin door bestraling kristallijne informatiebits worden gevormd. Deze 30 plaatselijke kristallisatie is evenwel een langdurig proces. In het voornoemde Amerikaanse octrooischrift 3.530.441 wordt in kolom 1 regels 60-65 een pulsduur van 1-100 milliseconden of meer genoemd om amorf materiaal plaatselijk in kristallijn materiaal om te zetten.
Een belangrijke doelstelling van de onderhavige 35 uitvinding is om een registratie pulstijd van maximaal 200 ns (nanoseconden) te realiseren.
Een andere belangrijke doelstelling volgens de uitvinding
** . J
PHN 11.570 3 is een methode te verschaffen waarbij de registratielaag op een kunststof ondergrond wordt aangebracht en waarbij als gevolg van de belichting met gepulseerd laserlicht, geen beschadiging of vervorming van de kunststof optreedt.
5 Nog een andere doelstelling is een hoge informatiedichtheid te verschaffen waarbij de ingeschreven binaire informatiebits maximale afmetingen van enkele micrometers hebben.
Een verdere doelstelling is een methode te verschaffen waarbij de ingeschreven informatie zeer lange tijd houdbaar is, dat wil 10 zeggen niet degradeert.
Nog een doelstelling is dat de geregistreerde informatie met een hoge signaal-ruisverhouding optisch kan worden uitgelezen,
Deze doelstelling worden volgens de uitvinding bereikt met een methode van het in de aanhef genoemde type die hierdoor is 15 gekenmerkt, dat een op een kunststof ondergrond aangebrachte amorfe registratielaag van InxSb1_x, GaxSb.j_x, (InSb)ySe.,_y, waarin 0,4 x 0,6 en 0,7 y 1,0 of mengsels ervan, met een maximale dikte van 150 nm, wordt belicht met 20 infrarood laserlicht met een golflengte van 750-900 nm, dat conform de te registreren binaire (digitale) informatie is gepulseerd met een pulstijd van maximaal 200 ns, waarbij in de amorfe laag op de belichte plaatsen een kristallijn gebiedje (bit) wordt gevormd met maximale afmetingen van enkele micrometers.
25 De boven vermelde amorfe registratielaag wordt door middel van een sputterproces of opdampproces aangebracht op de kunststof ondergrond. Het gesputterde of opgedampte laagje is amorf. De kunststof ondergrond is bijvoorbeeld een kunststof substraat van polymethylmethacrylaat of polycarbonaat. Het substraat kan ook van 30 bijvoorbeeld glas zijn vervaardigd en afgedekt zijn met een kunststof laag waarop dan de registratielaag is aangebracht. Een dergelijke kunststoflaag is bijvoorbeeld een laag van een met U.V. licht geharde, monomeersamenstelling zoals een mengsel van mono-, di-, tri- en of tetra-acrylaten. In de kunststofondergrond kan een spiraalvormige 35 groef zijn aangebracht. Hierdoor heeft ook de dunne registratielaag een groef. De groef dient voor de sturing van de laserlichtbundel. De groef, die ook wel servospoor wordt genoemd, kan servogegevens bevatten PHN 11.570 4 in de vorm van afwisselend op hoger en lager niveau gelegen informatie (servo) gebiedjes die optisch kunnen worden uitgelezen. Een geschikte laagdikte van de registratielaag is 60-150 nm. Een geschikte pulstijd is bijvoorbeeld 20-100 ns. De bij inschrijving verkregen kristallijne 5 informatiegebiedjes (bits) kunnen cirkelvormig zijn met bijvoorbeeld een diameter van 1/um. Ook kunnen langwerpige bits worden gevormd met een lengte-afmeting die varieert van omstreeks 0,5 tot 3 ^um. Hierdoor is optische registratie van binaire, EFM gemoduleerde informatie mogelijk.
10 In een gunstige uitvoeringsvorm van de methode volgens de uitvinding wordt een amorfe registratielaag van InSb, GaSb of mengsels ervan toegepast.
De stoffen InSb en GaSb zijn chemische verbindingen, dus geen legeringen, met een covalente binding tussen de atomen van het 15 molecuul. De stoffen hebben een grote smeltwarmte en een relatief hoge smelttemperatuur. Bij toepassing van deze stoffen kan met behulp van gepulseerd laserlicht met een pulstijd kleiner dan 15 ns een kristallijn gebiedje (bit) in de amorfe registratielaag worden gevormd.
De amorfe registratielaag en de daarin gevormde 20 kristallijne gebiedjes (bits) zijn zeer stabiel. Zo is in een klimaatproef waarbij het in de methode volgens de uitvinding toegepaste registratie element gedurende 1000 uren werd bewaard bij een temperatuur van 65°C en een relatieve vochtigheid van 90%, vastgesteld dat zowel in de amorfe delen als de kristallijne gebiedjes (bits) van de 25 registratielaag, geen veranderingen waren opgetreden. De houdbaarheid van het in de methode volgens de uitvinding toegepaste registratie element is als uitstekend te kwalificeren. Er kan op een levensduur van minimaal 10 jaren worden gerekend.
Opgemerkt wordt dat in het Amerikaanse octrooischrift 30 3.718.844 een methode is beschreven voor het registreren van beelden op een amorfe film. Hierbij wordt de amorfe film conform het te registreren beeld of patroon verhit met behulp van een gestuurde energiebundel zoals een electronenbundel of laserbundel. Het registratiemateriaal is bijvoorbeeld Si, Ge of SiC met een laagdikte van 0,3 tot 2,0^um. Op de 35 verhitte plaatsen wordt kristallijn materiaal gevormd. Door een mengsel van kristallijn en amorf materiaal te laten ontstaan op de verhitte plaatsen, zijn grijstinten mogelijk. De verhittingstijden of PHN 11.570 5 behandeltijden van het amorfe materiaal bij een dergelijke beeldregistratie zijn relatief groot, tenminste in de orde van grootte van milliseconden. Als gevolg van deze verhitting zal een kunststof substraat degraderen, vervormen of een grote dubbele breking krijgen.
5 Dit speelt bij deze beeldregistratie bijvoorbeeld in de vorm van een fotografisch beeld of transparant, waarbij sprake is van relatief zeer » grote afmetingen, geen belangrijke rol. Bovendien wordt volgens het uitvoeringsvoorbeeld in kolom 3 regels 31-47 een saffier substraat toegepast. In tegenstelling tot het proces beschreven in dit Amerikaanse 10 octrooischrift, wordt volgens het proces van de uitvinding binaire (digitale) registratie verwezenlijkt. Het gaat om de vorming van zeer kleine informatiebits die met gepulseerd laserlicht met een uiterst kleine pulstijd in een relatief dunne laag van InxSb^_x,
GaxSb.j_x, (InSb)ySe.j_y of mengsels ervan worden aangebracht. De 15 temperatuur bij de vorming van de informatiebits is relatief hoog. De bits kunnen met laserlicht worden uitgelezen.
Bij voorkeur heeft de in de methode volgens de uitvinding toegepaste laserlichtpuls een maximale energie-inhoud van 1 nJ waarbij de temperatuur op de belichte plaatsen ligt tussen de 20 dynamische kristallisatietemperatuur en het smeltpunt van het kristallijne registratie materiaal.
Een geschikte pulsenergie is bijvoorbeeld 0,3 nJ. De dynamische kristallisatietemperatuur is de temperatuur van het amorfe registratie materiaal waarbij in een tijdsbestek van maximaal 25 200 ns volledige kristallisatie plaatsvindt. Gebleken is dat in het belichte gebiedje een temperatuur van bijvoorbeeld 1000-1200 °C wordt bereikt bij 0,3 nJ per puls. Frappant is dat bij deze plaatselijk zeer hoge temperatuur geen degradatie of vervorming van de kunststof optreedt.
30 De uitvinding heeft tevens betrekking op een optisch registratie element dat geschikt is om in de hierboven beschreven methode te worden toegepast en daardoor gekenmerkt is dat het registratie element een kunststof substraat bevat of een substraat voorzien van een afdeklaag van kunststof, dat op de kunststof ondergrond 35 een registratielaag is aangebracht met een maximale dikte van 150 nm, waarbij de registratielaag een registratie materiaal bevat dat beantwoordt aan de formule „ 1 -3¾ PHN 11.570 6 Ιηχ Sb1_x/ GaxSb,|_x of (InSb)y Se^y waarin 0,4 x 0,6 , 0,7 y 1,0 of mengsels ervan.
De uitvinding wordt met behulp van het 5 uitvoeringsvoorbeeld en de tekening nader toegelicht, waarbij figuur 1 een dwarsdoorsnede is van een optisch registratie element, en figuur 2 een grafisch beeld weergeeft van de verhouding tussen de pulsenergie en de signaal-ruisverhouding.
10 Uitvoeringsvoorbeeld
Een substraat 1 (zie figuur 1) van glas met een diameter van 30 cm wordt eenzijdig voorzien van een laag 2 van met U.V. licht geharde monomeren op basis van acrylaten. In deze kunststoflaag is een groef 3(servospoor) aangebracht. Op de kunststoflaag wordt door middel 15 van een sputterproces een 120 nm dikke registratielaag 4 van GaSb aangebracht. De amorfe registratielaag is afgedekt met een kunststof deklak 5 met een dikte van 10 ^um. De optische registratie van informatie wordt uitgevoerd door de plaat te roteren met een frequentie van 4 Hz en op een straal van 70 mm de plaat te belichten met gepulseerd 20 laserlicht dat via de steunplaat op de registratielaag is gefokusseerd. De pulsfrequentie bedraagt 800 kHz. De pulstijd is 60 ns. Het vermogen van de laser wordt gevarieerd van 2 mW tot 15 mW zodat de pulsenergie varieert van omstreeks 0,1 tot 0,9 nJ. Op de bëlichte plaatsen worden kristallijne bits 6 gevormd met een diameter van ongeveer 1yum. De 25 bits worden uitgelezen met zwak kontinu laserlicht op basis van reflektieverschillen tussen de kristallijne bits en de amorfe omgeving. De signaal-ruisverhouding werd bepaald in een 10 kHz bandbreedte. In figuur 2 is de signaal-ruisverhouding aangegeven in dB uitgezet tegen de pulsenergie aangegeven in nJ. Bij een pulsenergie van 0,3 nJ wordt een 30 signaal-ruisverhouding van 52 dB bereikt.
Zowel de amorfe delen van de registratielaag als de daarin gevormde kristallijne bits zijn zeer stabiel. Dit betekent dat het optisch registratie element een levensduur van minimaal 10 jaren bezit. De hierboven beschreven methode is een zogenaamde "write once" 35 optische registratie. Alhoewel in principe een reversibel proces mogelijk is waarbij de kristallijne bits weer omgezet worden in amorf materiaal en daarbij de ingeschreven informatie wordt gewist, levert de PHN 11.570 7 methode volgens de uitvinding zodanig stabiele kristallijne bits dat een terugvorming tot het amorfe uitgangsmateriaal niet zinvol wordt geacht.
_\

Claims (3)

1. Methode voor de optische registratie van informatie waarbij een registratie element dat voorzien is van een substraat en een daarop aangebrachte registratielaag, wordt belicht met laserlicht dat conform de te registreren informatie is gemoduleerd waarbij in de 5 registratielaag op de belichte plaatsen een optisch uitleesbare structuurverandering ontstaat welke met behulp van laserlicht via het substraat op basis van reflektieverschillen met de omgeving wordt uitgelezen, met het kenmerk, dat een op een kunststof ondergrond aangebrachte amorfe registratielaag van InxSb.|_x, GaxSb.j_x, 10 (InSb)y Se^y, waarin 0,4 x 0,6 en 0,7 y 1,0 of mengsels ervan, met een maxikmale dikte van 150 nm wordt belicht met infrarood laserlicht met een golflengte van 750-900 nm, dat conform de 15 te registreren binaire (digitale) informatie is gepulseerd met een pulstijd van maximaal 200 ns, waarbij in de amorfe laag op de belichte plaatsen een kristallijn gebiedje (bit) wordt gevormd met maximale afmetingen van enkele micrometers.
2. Methode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een 20 amorfe registratielaag van InSb, GaSb of mengsels ervan wordt toegepast.
3. Optisch registratie element geschikt om in de methode volgens conclusie 1 of 2 te worden toegepast, met het kenmerk, dat het registratie element een kunststof substraat bevat of een substraat voorzien van een afdeklaag van kunststof, dat op de kunststof ondergrond 25 een registratielaag is aangebracht met een maximale dikte van 150 nm waarbij de registratielaag een registratiemateriaal bevat dat beantwoordt aan de formule InxSb.,_x , GaxSb.|_x of (InSb)y Se^y waarin 0,4x0,6,0,7y1,0 30 of mengsels ervan. ^ · - - "J * v
NL8503235A 1985-11-05 1985-11-25 Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. NL8503235A (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8503235A NL8503235A (nl) 1985-11-25 1985-11-25 Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.
US06/831,781 US4647944A (en) 1985-11-25 1986-02-21 Method for the optical recording of information and an optical recording element used in the method
CA000523448A CA1270949A (en) 1985-11-25 1986-11-20 Method for the optical recording of information and an optical recording element used in the method
AU65558/86A AU590025B2 (en) 1985-11-25 1986-11-21 Method for the optical recording of information and an optical recording element used in the method
DE8686202080T DE3683831D1 (de) 1985-11-25 1986-11-24 Verfahren zur optischen aufzeichnung von information und ein optisches aufzeichnungselement, das in diesem verfahren benutzt wird.
EP86202080A EP0224313B1 (en) 1985-11-25 1986-11-24 Method for the optical recording of information and an optical recording element used in the method
JP61278891A JPS62143241A (ja) 1985-11-25 1986-11-25 光学式情報記録方法及びこの方法に用いる光学式記録素子
US06/942,659 US4808514A (en) 1985-11-05 1986-12-17 Method for the optical recording of information and an optical recording element used in the method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8503235A NL8503235A (nl) 1985-11-25 1985-11-25 Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.
NL8503235 1985-11-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8503235A true NL8503235A (nl) 1987-06-16

Family

ID=19846911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8503235A NL8503235A (nl) 1985-11-05 1985-11-25 Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.

Country Status (7)

Country Link
US (2) US4647944A (nl)
EP (1) EP0224313B1 (nl)
JP (1) JPS62143241A (nl)
AU (1) AU590025B2 (nl)
CA (1) CA1270949A (nl)
DE (1) DE3683831D1 (nl)
NL (1) NL8503235A (nl)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4825408A (en) * 1984-04-25 1989-04-25 The Johns Hopkins University Multistate optical switching and memory apparatus using an amphoteric organic charge transfer material
US4787077A (en) * 1985-08-15 1988-11-22 International Business Machines Corporation Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state
NL8503235A (nl) * 1985-11-25 1987-06-16 Philips Nv Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.
US4818666A (en) * 1986-03-28 1989-04-04 U.S. Philips Corporation Erasable optical recording element and method of optically recording and erasing information
JPS63187430A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 Toshiba Corp 情報記録媒体
JPH02502412A (ja) * 1987-02-13 1990-08-02 ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー 光学式記録用媒体
US4960680A (en) * 1987-02-13 1990-10-02 Eastman Kodak Company Recording elements comprising write-once thin film alloy layers
JPS63251290A (ja) * 1987-04-08 1988-10-18 Hitachi Ltd 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用
JP2685754B2 (ja) * 1987-06-30 1997-12-03 株式会社東芝 情報記録媒体
JPS6411257A (en) * 1987-07-03 1989-01-13 Nippon Telegraph & Telephone Phase transition type optical recording medium
EP0307750B2 (en) 1987-09-14 1995-11-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Use of a storage meedium in a method of recording information
US4900598A (en) * 1987-09-22 1990-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Information storage medium
JPH01258243A (ja) * 1988-04-08 1989-10-16 Fujitsu Ltd 互換型書き換え可能光ディスク
EP0337553B1 (en) * 1988-04-13 1993-12-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laminated product, compound used in the laminated product and optical information carrier provided with the laminated product
US5294523A (en) * 1988-08-01 1994-03-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
US5077181A (en) * 1988-08-09 1991-12-31 Eastman Kodak Company Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element
US4981772A (en) * 1988-08-09 1991-01-01 Eastman Kodak Company Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element
US5202881A (en) * 1989-06-30 1993-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Information storage medium
WO1991005342A1 (en) * 1989-09-28 1991-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical data recording medium and method of producing the same
JPH03169683A (ja) * 1989-11-30 1991-07-23 Toshiba Corp 情報の記録及び消去方法
JPH03224790A (ja) * 1990-01-31 1991-10-03 Toshiba Corp 情報記録媒体
JPH03224791A (ja) * 1990-01-31 1991-10-03 Toshiba Corp 情報記録媒体
US5196284A (en) * 1990-10-09 1993-03-23 Eastman Kodak Company Erasable phase change optical recording elements and methods
US5210664A (en) * 1991-05-28 1993-05-11 Iomega Corporation Low profile tape drive for driving a mini-data cartridge
US6580683B1 (en) 1999-06-23 2003-06-17 Dataplay, Inc. Optical recording medium having a master data area and a writeable data area
US7227817B1 (en) 1999-12-07 2007-06-05 Dphi Acquisitions, Inc. Low profile optical head
US6631359B1 (en) 1999-09-10 2003-10-07 Dphi Acquisitions, Inc. Writeable medium access control using a medium writeable area
US7191153B1 (en) 1999-09-10 2007-03-13 Dphi Acquisitions, Inc. Content distribution method and apparatus
JP4373779B2 (ja) * 2001-06-14 2009-11-25 シスコ テクノロジー インコーポレイテッド ステイトフル分散型イベント処理及び適応保全

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530441A (en) * 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
US3716844A (en) * 1970-07-29 1973-02-13 Ibm Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films
US4307408A (en) * 1976-04-28 1981-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Recording apparatus using coherent light
JPS5331106A (en) * 1976-09-03 1978-03-24 Hitachi Ltd Information recording member
US4460636A (en) * 1981-03-27 1984-07-17 Sony Corporation Optical information record member
JPS60177446A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デイスク記録媒体
CN1008845B (zh) * 1984-12-05 1990-07-18 富士通株式会社 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法
NL8503235A (nl) * 1985-11-25 1987-06-16 Philips Nv Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.

Also Published As

Publication number Publication date
EP0224313A2 (en) 1987-06-03
US4647944A (en) 1987-03-03
CA1270949A (en) 1990-06-26
DE3683831D1 (de) 1992-03-19
JPH0355893B2 (nl) 1991-08-26
US4808514A (en) 1989-02-28
AU590025B2 (en) 1989-10-26
EP0224313B1 (en) 1992-02-05
EP0224313A3 (en) 1989-05-03
AU6555886A (en) 1987-05-28
JPS62143241A (ja) 1987-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8503235A (nl) Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.
SU1313361A3 (ru) Носитель дл записи информации сфокусированным лазерным лучом
US5491003A (en) Method for manufacturing an optical recording film composed of a metal and an oxide which can undergo an oxidation-reduction reaction upon exposure to a laser beam
JP2713989B2 (ja) １回書込非晶質薄フィルム光学記録層を含む記録要素、及び記録方法
CA1127945A (en) Optical disc
JP2003515232A (ja) 相変化記録媒体を初期化するシステムおよび方法
JPS6376121A (ja) 記録要素
JPS63201927A (ja) １回書込非晶質薄フィルム光学記録層を含む記録要素
US4857427A (en) Recording medium
JPS63132090A (ja) 光学記録要素上での書込−消去方法
JPH0522592B2 (nl)
JPS63298726A (ja) １回書込非晶質薄フィルム光学記録層を含む記録要素
JPH0453195B2 (nl)
JPH0157680B2 (nl)
JPS63153728A (ja) 情報記録装置
NL8403817A (nl) Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie.
JPH0441916B2 (nl)
JP2538915B2 (ja) 情報の記録及び消去方法
RU2174715C1 (ru) Носитель информации оптического запоминающего устройства и способ записи оптической информации на него
JP2811603B2 (ja) 光情報記録媒体
JP2592239B2 (ja) 情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法
KR100204350B1 (ko) 유기광기록 테이프
JPH02178086A (ja) 光記録媒体
JPS61134925A (ja) 光学的情報の記憶および再生方法
JPH04102228A (ja) 光ディスクの初期化方法

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed