JPS62143241A - 光学式情報記録方法及びこの方法に用いる光学式記録素子 - Google Patents
光学式情報記録方法及びこの方法に用いる光学式記録素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、基板及びその」二に設けた記録層をそなえ
る記録米子を記録すべき情報に従って変調したレーデ光
で照射し、記録層の照射された場所に光学的に読み出す
ことのできる構造変化を起こし、該変化を周囲との反射
の差に基づいて基板を介してレーザ光によって読み出す
光学式情報記録方法に関する。
る記録米子を記録すべき情報に従って変調したレーデ光
で照射し、記録層の照射された場所に光学的に読み出す
ことのできる構造変化を起こし、該変化を周囲との反射
の差に基づいて基板を介してレーザ光によって読み出す
光学式情報記録方法に関する。
このような光学式記録に対して種々のシステムが知られ
る。実際の応用に興味のあるシステムは、いわゆるアブ
レーディブシステム（ａｂｌａｔｉｖｅ ｓｙｓ−ｔｅ
ｍ）である。このシステムにおいては、例えば、Ｂ１、
ＴｅＳｅ合金又は染料の記録層が用いられ、該層中に光
照射時に穴又はくぼみが形成される。穴又はくぼみ＋４
、穴又はくぼみとその周囲との間の反射の差に基づいて
弱いレーザ光によって読み出される。
る。実際の応用に興味のあるシステムは、いわゆるアブ
レーディブシステム（ａｂｌａｔｉｖｅ ｓｙｓ−ｔｅ
ｍ）である。このシステムにおいては、例えば、Ｂ１、
ＴｅＳｅ合金又は染料の記録層が用いられ、該層中に光
照射時に穴又はくぼみが形成される。穴又はくぼみ＋４
、穴又はくぼみとその周囲との間の反射の差に基づいて
弱いレーザ光によって読み出される。
実際上の不利益点は、このようなアブレーディブ記録層
」二に空隙が存在しなければならないことである。実際
には、２個のアブレーディブ記録素子を、記録層を互い
に向かい合わせて、スペーサを用いてｉ日丸に連結させ
て記録層間に空気（又はガス）間隙をつくるようにする
。したがって、記録層に保護被覆層、例えば、被覆ラッ
カ一層を設けることはできない。
」二に空隙が存在しなければならないことである。実際
には、２個のアブレーディブ記録素子を、記録層を互い
に向かい合わせて、スペーサを用いてｉ日丸に連結させ
て記録層間に空気（又はガス）間隙をつくるようにする
。したがって、記録層に保護被覆層、例えば、被覆ラッ
カ一層を設けることはできない。
光学式記録の第２のシステムは、［日変化システトであ
る。このシステムに用いられる記録層は、種々の池の元
素、例えば、八５ＳＳｂ、 Ｓを添加しうる半導体＋、
ｔ ：＋：＝＋ 、有名なのはＴｅＳｅ合金、の層であ
る。
る。このシステムに用いられる記録層は、種々の池の元
素、例えば、八５ＳＳｂ、 Ｓを添加しうる半導体＋、
ｔ ：＋：＝＋ 、有名なのはＴｅＳｅ合金、の層であ
る。
レーザ光を照射すると、照射された場所に結晶層中に無
定形の情報ビットが生成されるかその逆が起こって、構
造変化が起こる。このシステムは可逆であり、したがっ
て、例えば、レーザ光の照射により無定形情報ビットが
再び結晶材料に転化される。ト目変化システムは、なか
んずく米国特許第３５３０４４１ 号明細書から知られ
る。このシステムの実際的応用のために、例えば′「ｅ
−５ｅ−３ｂ記録層の場合では、出発材料は結晶層で
あり、この中に無定形ビットが可逆的に形成される。記
録層は支持板（基板）上にスパッタ方法によって設けら
れる。
定形の情報ビットが生成されるかその逆が起こって、構
造変化が起こる。このシステムは可逆であり、したがっ
て、例えば、レーザ光の照射により無定形情報ビットが
再び結晶材料に転化される。ト目変化システムは、なか
んずく米国特許第３５３０４４１ 号明細書から知られ
る。このシステムの実際的応用のために、例えば′「ｅ
−５ｅ−３ｂ記録層の場合では、出発材料は結晶層で
あり、この中に無定形ビットが可逆的に形成される。記
録層は支持板（基板）上にスパッタ方法によって設けら
れる。
最初にｉ！！（定形である記録層は、まず第一に温度処
理により結晶層に転化しなければならない。ここで、合
成樹脂支持阪（基板）を使用する場合、問題が起こる。
理により結晶層に転化しなければならない。ここで、合
成樹脂支持阪（基板）を使用する場合、問題が起こる。
なぜなら、合成樹脂は、例えば、１２０℃で１時間の温
度処理に耐えることができない。
度処理に耐えることができない。
記録層は、比較的高い結晶化温度を有さねばならない。
なげなら、そうでないと該層の安定性がじゅうぶんでな
く、したがって記録素子の安定性が制限される。低い複
屈折のためにそれ自体記録素子に用いるのに極めて適す
る合成樹脂ポリメタクリル酸メチル（ＰＭ貼）は、温度
処理により変形及び劣化される。合成樹脂ポリカーボネ
ートは、温度処理の結果として大き過ぎる複屈折を得る
。この結果、記録層中に記録された情報は、もはや読み
出すことができない。橋かけ結合した合成樹脂、例え）
よ′、光（＝より橋かけ結合されたアクリル酸エステル
椿（脂も上記温度処理に耐えることができない。温度処
理は、極めて臨界的な方法である。
く、したがって記録素子の安定性が制限される。低い複
屈折のためにそれ自体記録素子に用いるのに極めて適す
る合成樹脂ポリメタクリル酸メチル（ＰＭ貼）は、温度
処理により変形及び劣化される。合成樹脂ポリカーボネ
ートは、温度処理の結果として大き過ぎる複屈折を得る
。この結果、記録層中に記録された情報は、もはや読み
出すことができない。橋かけ結合した合成樹脂、例え）
よ′、光（＝より橋かけ結合されたアクリル酸エステル
椿（脂も上記温度処理に耐えることができない。温度処
理は、極めて臨界的な方法である。
読み出しは、透明な基（反プレートを介して記ｒ、に層
上に焦点を合わせた読み出しレーザ光の反射の差に基づ
いて行われることに注目すべきである。
上に焦点を合わせた読み出しレーザ光の反射の差に基づ
いて行われることに注目すべきである。
上記不利益点は、温度処理を用いないで無定形層かみ出
発してその中に結晶積重しビットを放射の照射により生
成させることによりおそらく唾けられるであろう。しか
し、この局部的結晶化は、遅い過程である。上記米国特
許第３５３０１１４１ 号明：１ＩＩＩ書の第１ ｔｌ
’＋’ｌ、第６０〜６５行に、１〜１００ミリ秒又ハソ
レより大きいパルス持続期間が！！１℃定形＋Ａ料を局
部的に結晶材料に転化すると述べる。
発してその中に結晶積重しビットを放射の照射により生
成させることによりおそらく唾けられるであろう。しか
し、この局部的結晶化は、遅い過程である。上記米国特
許第３５３０１１４１ 号明：１ＩＩＩ書の第１ ｔｌ
’＋’ｌ、第６０〜６５行に、１〜１００ミリ秒又ハソ
レより大きいパルス持続期間が！！１℃定形＋Ａ料を局
部的に結晶材料に転化すると述べる。
この発明の重要な目的は、多くとも２００ ｎＳ （す
７秒）の記録パルス時間を実現することである。
７秒）の記録パルス時間を実現することである。
この発明の他の重要な目的は、記録層を合成樹脂基板上
に設け、かつ脈動レーザ光を照射した結果として合成樹
脂の損傷又は変形が起こらない方法を提供することであ
る。
に設け、かつ脈動レーザ光を照射した結果として合成樹
脂の損傷又は変形が起こらない方法を提供することであ
る。
ｊＪｊ−：こ池の目的；よ、１把録された２１色［１冒
１１ビ・ｌトが攻マイクロメータの最大寸法をａずろ高
［１冒り密度を（是（共ずろことである。
１１ビ・ｌトが攻マイクロメータの最大寸法をａずろ高
［１冒り密度を（是（共ずろことである。
別の１」的は、１把？７！された情報を極めて長い期間
（ｎ：（７Ｌうる、ずなわぢそれが貯蔵中実化しない方
法を（是（共することて゛ある。
（ｎ：（７Ｌうる、ずなわぢそれが貯蔵中実化しない方
法を（是（共することて゛ある。
更：こ池の目的：ま、記録された情報を高い信冗・対１
１（［音比で光学的に読み出すことである。
１（［音比で光学的に読み出すことである。
この発明に従って、これらの目的は、合成（耐指爪（反
七に１５０ ｎｍの最大１ワさで設けた、組成ＣＲ，Ｓ
ｂ＋−Ｘ ］ ｙ Ｑ＋□ｙ （式１）く式中のＲ
は６ａ及びＩｎより成る群の中から選ばれ、ＱはＳｅ及
びＴｅより成る群の中から選ばれ、ｘ＝０．４６〜０．
５４ ｙ＝０．９４〜１．００である。） 又はそれらの混合物を有する！■定形記録層を記３ｉす
べき２進（ディジタル）情報に従って脈動させた７５０
〜９００ ｎｍの波長を有する赤外レーザ光で多くとも
２００ ｎｓのパルス時間で照射して、無定形層中の照
射された場所に数マイクロメータの最大寸法を有する結
晶領域（ビット）を生成させることを特徴とする冒頭に
述べた型の方法によって達成される。
七に１５０ ｎｍの最大１ワさで設けた、組成ＣＲ，Ｓ
ｂ＋−Ｘ ］ ｙ Ｑ＋□ｙ （式１）く式中のＲ
は６ａ及びＩｎより成る群の中から選ばれ、ＱはＳｅ及
びＴｅより成る群の中から選ばれ、ｘ＝０．４６〜０．
５４ ｙ＝０．９４〜１．００である。） 又はそれらの混合物を有する！■定形記録層を記３ｉす
べき２進（ディジタル）情報に従って脈動させた７５０
〜９００ ｎｍの波長を有する赤外レーザ光で多くとも
２００ ｎｓのパルス時間で照射して、無定形層中の照
射された場所に数マイクロメータの最大寸法を有する結
晶領域（ビット）を生成させることを特徴とする冒頭に
述べた型の方法によって達成される。
上記無定形記録層は、スパック方法又は蒸着方法によっ
て合成１ツ（指爪板上に設けられる。スパッタ又は蒸着
された層は、無定形である。合成１．？ｌｔ脂基指爪は
、例えば、ポリメタクリル酸メチル又はポリカーボネー
トの合成虜脂基板である。京阪は、ほかに、例えば、ガ
ラスで製造し、合成樹脂層で′ｆＪｉ、覆することかで
き、次いでその上に記録層を設ける。このような合成樹
脂層は、例えば、紫外線で硬化される小吊体組成物、例
えば、モノ、ジ、トリ及び／又はテトラ−アクリラート
の混合物の層である。螺旋状溝を合成１討脂基板に設け
ることができる。この結果、薄い記録層も溝を有する。
て合成１ツ（指爪板上に設けられる。スパッタ又は蒸着
された層は、無定形である。合成１．？ｌｔ脂基指爪は
、例えば、ポリメタクリル酸メチル又はポリカーボネー
トの合成虜脂基板である。京阪は、ほかに、例えば、ガ
ラスで製造し、合成樹脂層で′ｆＪｉ、覆することかで
き、次いでその上に記録層を設ける。このような合成樹
脂層は、例えば、紫外線で硬化される小吊体組成物、例
えば、モノ、ジ、トリ及び／又はテトラ−アクリラート
の混合物の層である。螺旋状溝を合成１討脂基板に設け
ることができる。この結果、薄い記録層も溝を有する。
溝は、レーデ光線の制御に役立つ。溝、サーボトラック
ともいう、は交互に高レベルと低レベルに位置し、かつ
光学的に読み出し可能な情報（サーボ）領域の形でサー
ボデータを有することができる。記録層の適当な層厚さ
は、６０〜１５０ ｎｍである。
ともいう、は交互に高レベルと低レベルに位置し、かつ
光学的に読み出し可能な情報（サーボ）領域の形でサー
ボデータを有することができる。記録層の適当な層厚さ
は、６０〜１５０ ｎｍである。
適当なパルス時間ニーよ、例えば、２０〜１００ ｎｓ
てＪ５る。
てＪ５る。
記録時ｉ尋られる結晶情報゛δ〔ｌ域（ビット）は、円
形で、例えば１μｍの直径を有しうる。ほかに、約０．
５〜３μｍで変化する縦の寸法を有する細長いビットを
形成することもできる。この結果、２進、［ＥＦＭ変調
情報の光学式記録が可能である。
形で、例えば１μｍの直径を有しうる。ほかに、約０．
５〜３μｍで変化する縦の寸法を有する細長いビットを
形成することもできる。この結果、２進、［ＥＦＭ変調
情報の光学式記録が可能である。
記録層は、この世の表面上に直接閉１穫層、例えばアク
リル酸エステルの、投射硬化、例えば紫外線硬化、ラッ
カーの保護層を設けることにより成域的及び／又は化学
的攻撃から簡単な仕方で保護することができる。
リル酸エステルの、投射硬化、例えば紫外線硬化、ラッ
カーの保護層を設けることにより成域的及び／又は化学
的攻撃から簡単な仕方で保護することができる。
上記式ｌにおいて、Ｘの偵は、特に重要なパラメータで
ある。
ある。
五の異なるイ直、１列えば、いっそう１氏い１直を選ぶ
場合、レーザ光を照射する場合役割を演する他の現象が
始まる。説明のために、特開昭６０−１７７４４６号公
報を参考としてあげる。この文献では、一般式（Ｉｎｌ
−Ｋ Ｓｂｘ ）＋−ｙ町の記録材料群が記載される。
場合、レーザ光を照射する場合役割を演する他の現象が
始まる。説明のために、特開昭６０−１７７４４６号公
報を参考としてあげる。この文献では、一般式（Ｉｎｌ
−Ｋ Ｓｂｘ ）＋−ｙ町の記録材料群が記載される。
式中で
Ｍ＝八へ、Δｇ、 Ｃｕ、 Ｐｂ、 Ｐｔ、
Ａ Ｅ 、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ。
Ａ Ｅ 、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ。
Ｔｃ、 Ｓｅ、 ＤＩ
ｘ−５５〜８０市量％
ｙ＝ｏ〜２０千量％である。
このト１１．４の照射後、準安定ト目、πト目という、
かＩ ｎＳｂ及びｓｂの混合トｌ］かのいずれかが放射
場所に冷却速度に応じて生成される。１ｒｔ口は、加熱
により混合り目に変えることができる。混合Ｆ目とπ−
ト目との間に変換される光学式記録のこの型は、その不
利益点として混合［目の変換に２成分が含まれるという
ことがある。この結果、上記公開公報によれば、繰り返
し記録及び消去が可能であるけれども、消去及び記録回
数が制限される。これは安定性の問題であって、この問
題は実際の使用に対し許容しろるものでなく、また魅力
的でもない。他の不利益点は、混合相のπ−相への変化
の速度が制限されるということである。なぜかといえば
、転化が起こる前に２成分［ｎＳｂ及びｓｂが互いに良
い割合で存在しなければならないからである。別の不利
益点は、比較的低い信号対雑音比であり、これはビデオ
記録を可能にしない。
かＩ ｎＳｂ及びｓｂの混合トｌ］かのいずれかが放射
場所に冷却速度に応じて生成される。１ｒｔ口は、加熱
により混合り目に変えることができる。混合Ｆ目とπ−
ト目との間に変換される光学式記録のこの型は、その不
利益点として混合［目の変換に２成分が含まれるという
ことがある。この結果、上記公開公報によれば、繰り返
し記録及び消去が可能であるけれども、消去及び記録回
数が制限される。これは安定性の問題であって、この問
題は実際の使用に対し許容しろるものでなく、また魅力
的でもない。他の不利益点は、混合相のπ−相への変化
の速度が制限されるということである。なぜかといえば
、転化が起こる前に２成分［ｎＳｂ及びｓｂが互いに良
い割合で存在しなければならないからである。別の不利
益点は、比較的低い信号対雑音比であり、これはビデオ
記録を可能にしない。
この発明！こ従う方法の好まし−）例：こお５）で、Ｒ
梳び■が上記意味を有し、Ｑが元素デルルてあり、かつ
λ−〇、・１８〜０．５２である式ｌの川（定形記録層
が用いられる。
梳び■が上記意味を有し、Ｑが元素デルルてあり、かつ
λ−〇、・１８〜０．５２である式ｌの川（定形記録層
が用いられる。
特に、式Ｇａｘ Ｓｂ、−、、式中Ｘ ＝ ０．４８〜
０．５２ テ表される記録層で極めて良好な結果が得ら
れる。
０．５２ テ表される記録層で極めて良好な結果が得ら
れる。
特に、これらの有利な例においては、極めて高い信号対
雑音比が達成される。例えば、式％式％ は、１．２５ ｍ ／ Ｓの線形速度で測定して６０ｄ
ＢのＣＮ１ｔ （ＣＮ比） 、７００ｋｌｌｚのパルス
周波数及び１Ｑｋｌｌｚの帯域幅を生ずる。Ｘ 〜０．
４８〜０．５２であるＧａ、 ５ｂｌ−１１の記録層で
６２ ｄＢのＣＮＲさえ到達された。これらの高いＣＮ
Ｒ値は、極めて高品質のビデオ情１［３を記録し読み出
すことを可能にする。
雑音比が達成される。例えば、式％式％ は、１．２５ ｍ ／ Ｓの線形速度で測定して６０ｄ
ＢのＣＮ１ｔ （ＣＮ比） 、７００ｋｌｌｚのパルス
周波数及び１Ｑｋｌｌｚの帯域幅を生ずる。Ｘ 〜０．
４８〜０．５２であるＧａ、 ５ｂｌ−１１の記録層で
６２ ｄＢのＣＮＲさえ到達された。これらの高いＣＮ
Ｒ値は、極めて高品質のビデオ情１［３を記録し読み出
すことを可能にする。
この発明に従って、Ｒ／Ｓｂ比は、式ｌに示すように５
０−５０％に近く、すなわち４６と５４％の間になけれ
ばならない。上記の小さな限界内でのこの５０−５０比
からの小さな差は、利点を与える。０，４６より低いか
０．５４より高いＸ値では、結晶化速度が著しく ｉ＋
、、ｌｉ少される。また、記録された情報の品質も劣る
よう：こなる。Ｑの含有量も明らかに重要である。Ｑ含
を蚤が６％を超えると（Ｖ＜０．９４）、結晶化速度が
ト目当減少される。更に、この結果、照射された無定形
領域では完全な結晶化が起こらず、これはいわゆるビッ
トの定義及び信号対雑音比に対し有害である。
０−５０％に近く、すなわち４６と５４％の間になけれ
ばならない。上記の小さな限界内でのこの５０−５０比
からの小さな差は、利点を与える。０，４６より低いか
０．５４より高いＸ値では、結晶化速度が著しく ｉ＋
、、ｌｉ少される。また、記録された情報の品質も劣る
よう：こなる。Ｑの含有量も明らかに重要である。Ｑ含
を蚤が６％を超えると（Ｖ＜０．９４）、結晶化速度が
ト目当減少される。更に、この結果、照射された無定形
領域では完全な結晶化が起こらず、これはいわゆるビッ
トの定義及び信号対雑音比に対し有害である。
式１ｎ、 ｓｂ、−、又はＧａ、 Ｓｂ＋−＋＋ （７
）記録ｉ才科は、分子の原子間に共有結合を有する化合
物である。この物質は、大きな融解熱及び比較的高い融
点を有する。前記物質を使用する場合、結晶領域（ビッ
ト）を無定形記録層中に１５ｎｓより小さいパルス時間
を有する脈動レーザ光によって形成することができる。
）記録ｉ才科は、分子の原子間に共有結合を有する化合
物である。この物質は、大きな融解熱及び比較的高い融
点を有する。前記物質を使用する場合、結晶領域（ビッ
ト）を無定形記録層中に１５ｎｓより小さいパルス時間
を有する脈動レーザ光によって形成することができる。
無定形記録層及びその中に形成された結晶領域（ビット
）は、極めて安定である。例えば、この発明に従う方法
に用いられる記録素子を６５℃の温度及び９０％の相対
湿度で１０００時間貯蔵した耐候試験において、記録層
の無定形部でも結晶領域（ビット）でも変化が起こらな
いことを確かめた。この発明に従う方γ、１ミて用いら
れる記２．％素子の安定性は、溌れていると認定するこ
とができる。少なくとも１０年の寿命を保証することが
できる。
）は、極めて安定である。例えば、この発明に従う方法
に用いられる記録素子を６５℃の温度及び９０％の相対
湿度で１０００時間貯蔵した耐候試験において、記録層
の無定形部でも結晶領域（ビット）でも変化が起こらな
いことを確かめた。この発明に従う方γ、１ミて用いら
れる記２．％素子の安定性は、溌れていると認定するこ
とができる。少なくとも１０年の寿命を保証することが
できる。
画像を無定形フィルム上に記録する方法が米国特許第３
７１８８１１４号明細吉に開示されていることが注目さ
れる。この方法において、ｊ！■定形フィルムは、記録
すべき画像又はパターンに従って制御されたエネルギー
ビーム、例えば電子ビーム又：よレーザビームによって
加熱される。記録祠科は、例えば、０．３〜２．０μｍ
の層厚さを有するＳｌ、Ｇｅ又はＳｉＣである。結晶材
料が加熱場所に生成される。
７１８８１１４号明細吉に開示されていることが注目さ
れる。この方法において、ｊ！■定形フィルムは、記録
すべき画像又はパターンに従って制御されたエネルギー
ビーム、例えば電子ビーム又：よレーザビームによって
加熱される。記録祠科は、例えば、０．３〜２．０μｍ
の層厚さを有するＳｌ、Ｇｅ又はＳｉＣである。結晶材
料が加熱場所に生成される。
加熱場所に結晶及び無定形（４料の混合物を生成させる
ことにより、灰色の色合い（ｇｒｅｙ ５ｈａｄｅ）が
可能である。このような画像記録におけるｊＩ定形材料
の加熱時間又は処理時間は、比較的長く、少なくともミ
リ秒の大きさである。前記加熱の結果、合成［聞（指爪
板は劣化し、変形し又は大きさ複屈折を得る。これは、
この画像記録において、例えば、比較的極めて大きな寸
法を用いる透明写真画像の形の場合、重要な役割を演じ
ない。更に、第３）閏第４〜１７行の例に従ってザファ
イア基（ワが用いろれる。前記米１−Ｑ Ｔ、’？許明
細書に記・代される方法と対照的に、この発明の方法に
従えば、２進（ディジタル）記ｒｋが実現される。これ
は、極めて短いパルス時間の脈動レーザ光によって式１
の組成を有する比較的薄い層に与えられた極めて小さい
情報ビットの生成に関係する。情報ビア）の生成の間の
温度は、比較的高い。ビットはレーザ光を用いて読み出
すことができ、高い信号対ｊＩ音比が達成される。
ことにより、灰色の色合い（ｇｒｅｙ ５ｈａｄｅ）が
可能である。このような画像記録におけるｊＩ定形材料
の加熱時間又は処理時間は、比較的長く、少なくともミ
リ秒の大きさである。前記加熱の結果、合成［聞（指爪
板は劣化し、変形し又は大きさ複屈折を得る。これは、
この画像記録において、例えば、比較的極めて大きな寸
法を用いる透明写真画像の形の場合、重要な役割を演じ
ない。更に、第３）閏第４〜１７行の例に従ってザファ
イア基（ワが用いろれる。前記米１−Ｑ Ｔ、’？許明
細書に記・代される方法と対照的に、この発明の方法に
従えば、２進（ディジタル）記ｒｋが実現される。これ
は、極めて短いパルス時間の脈動レーザ光によって式１
の組成を有する比較的薄い層に与えられた極めて小さい
情報ビットの生成に関係する。情報ビア）の生成の間の
温度は、比較的高い。ビットはレーザ光を用いて読み出
すことができ、高い信号対ｊＩ音比が達成される。
好ましくは、この発明に従う方法で用いるレーザ光パル
スはｌｎＪの最大エネルギー含量を有し、照射場所の温
度は、結晶記録材料の動的結晶化温度と融点の間にある
。
スはｌｎＪの最大エネルギー含量を有し、照射場所の温
度は、結晶記録材料の動的結晶化温度と融点の間にある
。
適当なパルスエネルギーは、例えば、０．３ｎＪである
。動的結晶化温度とは、完全な結晶化が多くとも２００
ｎＳの時間内に起こる、無定形記録材料の温度である
。被照射領域は、例えば、１０００〜１２００℃の温度
にパルスあたり０．３ｎＪで到達することを確かめた。
。動的結晶化温度とは、完全な結晶化が多くとも２００
ｎＳの時間内に起こる、無定形記録材料の温度である
。被照射領域は、例えば、１０００〜１２００℃の温度
にパルスあたり０．３ｎＪで到達することを確かめた。
この局部的に極めて高い温度で合成樹脂の劣化又：よ変
形が起、−らないことが注［」されろ。
形が起、−らないことが注［」されろ。
また、この発明は、上記方法に用いるのに好適な光学式
記録素子に関し、該光学式記録素子は、記３１累子が合
成路（指爪（反又は合成樹脂の彼覆層をｆ＋ｉｉ７える
基（反をそなえ、記録層が合成樹脂基板」二に１５０
ｎｍの最大厚さで設けられ、該記録層が式０式％） （式中のＲはＧａ及びＩｎより成る群の中から選ばれ、
ＱはＳｅ及びＴｅより成る群の中から選ばれ、Ｘ＝０．
４６〜０．５４ ｙ＝０．９４〜１．００である。） を満足する記録材料又はそれらの混合物を含んで成るこ
とを特徴とする。
記録素子に関し、該光学式記録素子は、記３１累子が合
成路（指爪（反又は合成樹脂の彼覆層をｆ＋ｉｉ７える
基（反をそなえ、記録層が合成樹脂基板」二に１５０
ｎｍの最大厚さで設けられ、該記録層が式０式％） （式中のＲはＧａ及びＩｎより成る群の中から選ばれ、
ＱはＳｅ及びＴｅより成る群の中から選ばれ、Ｘ＝０．
４６〜０．５４ ｙ＝０．９４〜１．００である。） を満足する記録材料又はそれらの混合物を含んで成るこ
とを特徴とする。
次に、第１図に示す例によってこの発明を説明する。
週
３０ｃｍの直径を有するガラスの基板１（第１図参照）
の一方の側にアクリル酸エステルに基づく紫外線硬化単
量体の層２を設ける。溝３（サーボトラック）を前記合
成樹脂層に設けた。ＩＩ；ａ、 ５ｂｌ−１１（ｘ ＝
０． ・１８〜０．５２ ）の１２Ｑ ｎｍ享さの記録
層４を合成樹脂層−Ｌにスパッタ方法によって設ける。
の一方の側にアクリル酸エステルに基づく紫外線硬化単
量体の層２を設ける。溝３（サーボトラック）を前記合
成樹脂層に設けた。ＩＩ；ａ、 ５ｂｌ−１１（ｘ ＝
０． ・１８〜０．５２ ）の１２Ｑ ｎｍ享さの記録
層４を合成樹脂層−Ｌにスパッタ方法によって設ける。
この無定形記録層を合成値（脂被覆う・／カー５で１０
μｍの厚さに被覆する。情報の光学記ｒ、にはディスク
を４１１２の周波数で回転させ、７９ｍｍの半径でディ
スクを支持阪を介して記録層上に焦点を合わせた脈動レ
ーザ光で照射することにより行う。パルス周波をには、
８００ｋｌｌｚである。、パルス時間は、６０ｎｓであ
る。
μｍの厚さに被覆する。情報の光学記ｒ、にはディスク
を４１１２の周波数で回転させ、７９ｍｍの半径でディ
スクを支持阪を介して記録層上に焦点を合わせた脈動レ
ーザ光で照射することにより行う。パルス周波をには、
８００ｋｌｌｚである。、パルス時間は、６０ｎｓであ
る。
レーザの電ツノは、２ｍｌ’ｌから１５ｍ１νまで変え
てパルスエネルギーが約０．１から０．９ｎＪまで変わ
るようにする。約Ｉ１．１ｍの直径を有する結晶ビット
６が照射場所につくられる。ビットは、結晶ビットと無
定形の周囲との間の反射の差に基づいて弱い連続レーザ
光によって読み出される。信号対雑音比は、１Ｑｋｌｌ
ｚ帯域幅で測定された。
てパルスエネルギーが約０．１から０．９ｎＪまで変わ
るようにする。約Ｉ１．１ｍの直径を有する結晶ビット
６が照射場所につくられる。ビットは、結晶ビットと無
定形の周囲との間の反射の差に基づいて弱い連続レーザ
光によって読み出される。信号対雑音比は、１Ｑｋｌｌ
ｚ帯域幅で測定された。
記録層に無定形部分及びその中に生成された結晶ビット
の両方が極めて安定である。これは、光学式記録素子が
少なくとも１０年の寿命を有することを意味する。前述
の方法は、いわゆる「１回書込み」光学式記録である。
の両方が極めて安定である。これは、光学式記録素子が
少なくとも１０年の寿命を有することを意味する。前述
の方法は、いわゆる「１回書込み」光学式記録である。
原則として、結晶ビットを再び川（定形ＦＡ科に転化し
て記録された情報を消去する可逆的方法が可能であるけ
れども、この発明に従う方法は、極めて安定な結晶ビッ
トを提供するので、無定形出発材料への戻しが有意義で
あるとは考えられない。
て記録された情報を消去する可逆的方法が可能であるけ
れども、この発明に従う方法は、極めて安定な結晶ビッ
トを提供するので、無定形出発材料への戻しが有意義で
あるとは考えられない。
第１図は、この発明に従う光学式記録素子の断面図であ
る。 ■・・・基板 ２・・・紫外線硬化単量体層 ３・・・溝 ４・・・記録層５・・・
合成樹脂被覆ラッカー ６・・・結晶ビット
る。 ■・・・基板 ２・・・紫外線硬化単量体層 ３・・・溝 ４・・・記録層５・・・
合成樹脂被覆ラッカー ６・・・結晶ビット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板及びその上に設けた記録層をそなえる記録素子
を記録すべき情報に従って変調したレーザ光で照射し、
記録層の照射された場所に光学的に読み出すことのでき
る構造変化を起こし、該変化を周囲との反射の差に基づ
いて基板を介してレーザ光によって読み出す光学式情報
記録方法において、合成樹脂基板上に１５０ｎｍの最大
厚さで設けた、組成 〔Ｒ＿ｘ−Ｓｂ＿１＿−＿ｘ〕＿ｙＱ＿１＿−＿ｙ（式
１）（式中のＲはＧａ及びＩｎより成る群の中から選ば
れ、 ＱはＳｅ及びＴｅより成る群の中から選ばれ、ｘ＝０．
４６〜０．５４ ｙ＝０．９４〜１．００である。） 又はそれらの混合物を有する無定形記録層を記録すべき
２進（ディジタル）情報に従って脈動させた７５０〜９
００ｎｍの波長を有する赤外レーザ光で多くとも２００
ｎｓのパルス時間で照射して、無定形層中の照射された
場所に数マイクロメータの最大寸法を有する結晶領域 （ビット）を生成させることを特徴とする光学式情報記
録方法。 ２、式１においてＲ及び￥ｙ￥が特許請求の範囲第１項
記載の意味を有し、Ｑが元素テルルであり、ｘ＝０．４
８〜０．５２である式１の無定形記録層を用いる特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３、式 Ｇａ＿ｘＳｂ＿１＿−＿ｘ （式中ｘ＝０．４８〜０．５２） の無定形層を用いる特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、基板及びその上に設けた記録層をそなえる記録素子
を記録すべき情報に従って変調したレーザ光で照射し、
記録層の照射された場所に光学的に読み出すことのでき
る構造変化を起こし、該変化を周囲との反射の差に基づ
いて基板を介してレーザ光によって読み出す光学式情報
記録方法に用いるのに適する光学式記録素子において、
該記録素子が合成樹脂基板又は合成樹脂の被覆層をそな
える基板をそなえ、記録層が合成樹脂基板上に１５０ｎ
ｍの最大厚さで設けられ、該記録層が式 〔Ｒ＿ｘ−Ｓｂ＿１＿−＿ｘ〕＿ｙＱ＿１＿−＿ｙ（式
中のＲはＧａ及びＩｎより成る群の中から選ばれ、 ＱはＳｅ及びＴｅより成る群の中から選ばれ、ｘ＝０．
４６〜０．５４ ｙ＝０．９４〜１．００である。） を満足する記録材料又はそれらの混合物を含んで成るこ
とを特徴とする光学式情報記録方法に用いる光学記録素
子。 ５、式においてＲ及び￥ｙ￥が特許請求の範囲第４項記
載の意味を有し、Ｑが元素テルルであり、ｘ＝０．４８
〜０．５２である式の無定形記録層を用いる特許請求の
範囲第４項記載の光学式記録素子。 ６、式 Ｇａ＿ｘＳｂ＿１＿−＿ｘ （式中ｘ＝０．４８〜０．５２） の無定形層を用いる特許請求の範囲第４項記載の光学式
記録素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8503235A NL8503235A (nl) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
| NL8503235 | 1985-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143241A true JPS62143241A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0355893B2 JPH0355893B2 (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=19846911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278891A Granted JPS62143241A (ja) | 1985-11-25 | 1986-11-25 | 光学式情報記録方法及びこの方法に用いる光学式記録素子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4647944A (ja) |
| EP (1) | EP0224313B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62143241A (ja) |
| AU (1) | AU590025B2 (ja) |
| CA (1) | CA1270949A (ja) |
| DE (1) | DE3683831D1 (ja) |
| NL (1) | NL8503235A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647346A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPS6411257A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Phase transition type optical recording medium |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4825408A (en) * | 1984-04-25 | 1989-04-25 | The Johns Hopkins University | Multistate optical switching and memory apparatus using an amphoteric organic charge transfer material |
| US4787077A (en) * | 1985-08-15 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Process for optically storing information using materials having a single phase in both the crystalline state and the amorphous state |
| NL8503235A (nl) * | 1985-11-25 | 1987-06-16 | Philips Nv | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
| US4818666A (en) * | 1986-03-28 | 1989-04-04 | U.S. Philips Corporation | Erasable optical recording element and method of optically recording and erasing information |
| JPS63187430A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| US4960680A (en) * | 1987-02-13 | 1990-10-02 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| DE3855045T2 (de) * | 1987-02-13 | 1996-06-13 | Dow Chemical Co | Medium für optische aufzeichnung |
| JPS63251290A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
| DE3866322D1 (de) | 1987-09-14 | 1992-01-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung. |
| US4900598A (en) * | 1987-09-22 | 1990-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
| JPH01258243A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Fujitsu Ltd | 互換型書き換え可能光ディスク |
| EP0337553B1 (en) * | 1988-04-13 | 1993-12-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Laminated product, compound used in the laminated product and optical information carrier provided with the laminated product |
| US5294523A (en) * | 1988-08-01 | 1994-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5077181A (en) * | 1988-08-09 | 1991-12-31 | Eastman Kodak Company | Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element |
| US4981772A (en) * | 1988-08-09 | 1991-01-01 | Eastman Kodak Company | Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element |
| US5202881A (en) * | 1989-06-30 | 1993-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium |
| WO1991005342A1 (en) * | 1989-09-28 | 1991-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium and method of producing the same |
| JPH03169683A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-23 | Toshiba Corp | 情報の記録及び消去方法 |
| JPH03224791A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH03224790A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| US5196284A (en) * | 1990-10-09 | 1993-03-23 | Eastman Kodak Company | Erasable phase change optical recording elements and methods |
| US5210664A (en) * | 1991-05-28 | 1993-05-11 | Iomega Corporation | Low profile tape drive for driving a mini-data cartridge |
| US7227817B1 (en) | 1999-12-07 | 2007-06-05 | Dphi Acquisitions, Inc. | Low profile optical head |
| US6580683B1 (en) | 1999-06-23 | 2003-06-17 | Dataplay, Inc. | Optical recording medium having a master data area and a writeable data area |
| US6631359B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-10-07 | Dphi Acquisitions, Inc. | Writeable medium access control using a medium writeable area |
| US7191153B1 (en) | 1999-09-10 | 2007-03-13 | Dphi Acquisitions, Inc. | Content distribution method and apparatus |
| WO2002103960A2 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Okena, Inc. | Stateful distributed event processing and adaptive security |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530441A (en) * | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and retrieving information |
| US3716844A (en) * | 1970-07-29 | 1973-02-13 | Ibm | Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films |
| US4307408A (en) * | 1976-04-28 | 1981-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus using coherent light |
| JPS5331106A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-24 | Hitachi Ltd | Information recording member |
| US4460636A (en) * | 1981-03-27 | 1984-07-17 | Sony Corporation | Optical information record member |
| JPS60177446A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デイスク記録媒体 |
| CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| NL8503235A (nl) * | 1985-11-25 | 1987-06-16 | Philips Nv | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
-
1985
- 1985-11-25 NL NL8503235A patent/NL8503235A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-02-21 US US06/831,781 patent/US4647944A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-20 CA CA000523448A patent/CA1270949A/en not_active Expired
- 1986-11-21 AU AU65558/86A patent/AU590025B2/en not_active Ceased
- 1986-11-24 EP EP86202080A patent/EP0224313B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-24 DE DE8686202080T patent/DE3683831D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-25 JP JP61278891A patent/JPS62143241A/ja active Granted
- 1986-12-17 US US06/942,659 patent/US4808514A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647346A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPS6411257A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Phase transition type optical recording medium |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1270949A (en) | 1990-06-26 |
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| NL8503235A (nl) | 1987-06-16 |
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