JPH02175285A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH02175285A JPH02175285A JP63331301A JP33130188A JPH02175285A JP H02175285 A JPH02175285 A JP H02175285A JP 63331301 A JP63331301 A JP 63331301A JP 33130188 A JP33130188 A JP 33130188A JP H02175285 A JPH02175285 A JP H02175285A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報の記録、再生、及び消去が可能
な光記録媒体に関する。
な光記録媒体に関する。
近年来、レーザー光の照９４により光学的特性（屈折率
、消衰係数１反射率等）を変化させて情報の記録、再生
を行なう情報記録媒体（以下単に「媒体Ｊ又は「光ディ
スク」とも記す）の開発が精力的に進められている。中
でも、反射率の低い非晶質の媒体にレーザー光を照射し
て局部的に加熱することにより相変化を生じさせ、反射
率の高い結晶状態にして情報を記録する方式のものが最
近脚光を浴びつつあり、追記型光ディスクとして実用化
され始めている。
、消衰係数１反射率等）を変化させて情報の記録、再生
を行なう情報記録媒体（以下単に「媒体Ｊ又は「光ディ
スク」とも記す）の開発が精力的に進められている。中
でも、反射率の低い非晶質の媒体にレーザー光を照射し
て局部的に加熱することにより相変化を生じさせ、反射
率の高い結晶状態にして情報を記録する方式のものが最
近脚光を浴びつつあり、追記型光ディスクとして実用化
され始めている。
かかる追記型光ディスクは、−度情報を記録したら消去
することはできないが、カルコゲナイド薄膜を用いて非
晶質と結晶間の相転移（相変化）を可逆的に生じさせ、
情報の記録、消去、及び再書き込みを可能とした記録媒
体が開発されつつある。それらの例としては、Ｔｅ−０
−Ｇｅ−３ｎ。
することはできないが、カルコゲナイド薄膜を用いて非
晶質と結晶間の相転移（相変化）を可逆的に生じさせ、
情報の記録、消去、及び再書き込みを可能とした記録媒
体が開発されつつある。それらの例としては、Ｔｅ−０
−Ｇｅ−３ｎ。
５ｎ−Ｔｅ−８ｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂ、及びＩｎ−５ｂ
−Ｔｅ、Ｉｎ−３ｅ等が知られている。
−Ｔｅ、Ｉｎ−３ｅ等が知られている。
上記記録媒体の内、少なくとも１つを開示した公知文献
はいくつか挙げられるが、その中で例えば特開昭６０−
１７９９５２号公報では、ＡｕｚＴｅｌ−ｘ（ｘ ＝
１０．０〜５０．０ａｔＪ）合金薄膜を記録層として、
組成マージンが広く且つ安定性の良い媒体を提供しよう
としており、特開昭６０−７７９９５３号公報ではＡ
ｇ ｘ Ｔ ｅ Ｉ−ｘ （Ｘ ＝ １０．０〜４０
．０ａｔ、Ｘ）合金薄膜を記録層として、組成マージン
が広くて安定性の良い媒体を提供しようとしている。
はいくつか挙げられるが、その中で例えば特開昭６０−
１７９９５２号公報では、ＡｕｚＴｅｌ−ｘ（ｘ ＝
１０．０〜５０．０ａｔＪ）合金薄膜を記録層として、
組成マージンが広く且つ安定性の良い媒体を提供しよう
としており、特開昭６０−７７９９５３号公報ではＡ
ｇ ｘ Ｔ ｅ Ｉ−ｘ （Ｘ ＝ １０．０〜４０
．０ａｔ、Ｘ）合金薄膜を記録層として、組成マージン
が広くて安定性の良い媒体を提供しようとしている。
また、特開昭６２−２０２３４５号公報では、Ｔｅ及び
Ｃｕを主成分とし、これに、Ｓｅ、Ｇｅ、ＡｓＧａ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｓ、Ａｕ、Ｐｂ、及びＰｄ（パラジウム）の
元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む合金膜
で記録層を形成することにより、室温での充分な非晶質
寿喚と充分速い結晶化（消去）速度との両立を図った書
替え型記録媒体を提供している。
Ｃｕを主成分とし、これに、Ｓｅ、Ｇｅ、ＡｓＧａ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｓ、Ａｕ、Ｐｂ、及びＰｄ（パラジウム）の
元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む合金膜
で記録層を形成することにより、室温での充分な非晶質
寿喚と充分速い結晶化（消去）速度との両立を図った書
替え型記録媒体を提供している。
又、特開昭６２−２０８４４２号公報では、Ｔｅ及びＩ
ｎを主成分とし、これにＳｅ、Ｇｅ、Ａ、ｓ、Ｇａ。
ｎを主成分とし、これにＳｅ、Ｇｅ、Ａ、ｓ、Ｇａ。
Ｓｂ、Ｓ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、及びＰｄの元素群から選
ばれる少なくと＃Ｊ１種の元素を含む合金膜で記録層を
形成して、室温での充分な非晶質寿命と充分速い結晶化
速度との両立を図った書替え型記録媒体を提供している
。
ばれる少なくと＃Ｊ１種の元素を含む合金膜で記録層を
形成して、室温での充分な非晶質寿命と充分速い結晶化
速度との両立を図った書替え型記録媒体を提供している
。
更に、特開昭６２−２２２４４２号公報はＮ１−ＸＴｅ
ｘで表わされる書替え型記録媒体を従洪している。
ｘで表わされる書替え型記録媒体を従洪している。
なお、Ｎは周期率表Ｖ族、■族、又は■族の元素のうち
いずれか１種の元素であり、Ｖ族又は■族の元素の場合
には、Ｘは５５ａｔ、Ｘ≦Ｘ≦６５ａｔ．％の範囲にあ
り、ＩＶ族の元素の場合には、Ｘは４５ａｔ、％≦Ｘ≦
５５ａｔ．％の範囲にある。このＮ ＋−ｘ Ｔ ｅ
Ｘに、更にＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ
。
いずれか１種の元素であり、Ｖ族又は■族の元素の場合
には、Ｘは５５ａｔ、Ｘ≦Ｘ≦６５ａｔ．％の範囲にあ
り、ＩＶ族の元素の場合には、Ｘは４５ａｔ、％≦Ｘ≦
５５ａｔ．％の範囲にある。このＮ ＋−ｘ Ｔ ｅ
Ｘに、更にＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ
。
Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｅ。
Ｓｉ、、Ｓｎ、Ｚｎの群から選ばれた少なくとも１種の
元素を２Ｑａｔ％以下添加しても良く、高速消去が容易
で且つ記録状態の安定性が高い書替え型記録媒体を提供
している。
元素を２Ｑａｔ％以下添加しても良く、高速消去が容易
で且つ記録状態の安定性が高い書替え型記録媒体を提供
している。
更にまた特開昭６３−７６１２０号公報は、ＴｅとＡｕ
を主成分として、これにＡｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ。
を主成分として、これにＡｓ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ。
Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくともｉｎの元素を
含む合金膜からなる記録媒体で、短パルスレーザ−光で
の消去と、長い記録寿命を両立させようとしている。
含む合金膜からなる記録媒体で、短パルスレーザ−光で
の消去と、長い記録寿命を両立させようとしている。
従来技術では３元系の組合せの例が多数あり、その中か
ら光ディスクとして使用し得る元素の組合せ及び組成を
決定することは困難であった。金属間化合物を生成し得
る、ある２元系に第３の元素を添加すると結晶化温度が
高くなり、非晶質の安定性が向上し、結晶化速度も大き
くなるので高速消去も実現できる。しかるに、母体とな
る２元系の金属間化合物を生成する前に第３の元素か２
元系を構成する各元素と化合物を作るため、記録。
ら光ディスクとして使用し得る元素の組合せ及び組成を
決定することは困難であった。金属間化合物を生成し得
る、ある２元系に第３の元素を添加すると結晶化温度が
高くなり、非晶質の安定性が向上し、結晶化速度も大き
くなるので高速消去も実現できる。しかるに、母体とな
る２元系の金属間化合物を生成する前に第３の元素か２
元系を構成する各元素と化合物を作るため、記録。
再生、消去を繰返すと、金属間化合物の組成比率が次第
にずれてゆき、単相の結晶化が実現できなくなり、消去
特性が低下してしまうという欠点があった。
にずれてゆき、単相の結晶化が実現できなくなり、消去
特性が低下してしまうという欠点があった。
本発明は、光学的エネルギーの印加によって、光学的特
性が変化する記録層を基板に形成し、この記録層をＸ、
Ｙ、Ｚ （但し、Ｘは周期率表Ｉ族のＣｕ、Ａｇ、Ａｕ
、Ｙは同■族のＧａ、Ｚは同■族のＴ ｅ ）の３元素
からなる１組成比ＸＹＺ２化合物組成近傍のもの、又は
、Ｙを同Ｖ族のＢｔ、Ｚを同■族のＴｅに換えた３元素
で、その組成比がＸ３ ＹＺ＆化合物組成近傍のもの、
もしくは記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅの３元素からなる組
成比２０ａｔＪ＜ Ａ ｇ ＜ ３０ａｔ．％、 ｔ
ｏａｔ、Ｘ＜ Ｉ ｎ ＜ ３０ａｔ．％、４５ａｔ、
％＜ Ｔ ｅ ＜ ｆ３０ａｔＪ の範囲にある化合
！ＯＩＪ組成とした光記録媒体を提供することにより、
上記問題点を解決した。
性が変化する記録層を基板に形成し、この記録層をＸ、
Ｙ、Ｚ （但し、Ｘは周期率表Ｉ族のＣｕ、Ａｇ、Ａｕ
、Ｙは同■族のＧａ、Ｚは同■族のＴ ｅ ）の３元素
からなる１組成比ＸＹＺ２化合物組成近傍のもの、又は
、Ｙを同Ｖ族のＢｔ、Ｚを同■族のＴｅに換えた３元素
で、その組成比がＸ３ ＹＺ＆化合物組成近傍のもの、
もしくは記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅの３元素からなる組
成比２０ａｔＪ＜ Ａ ｇ ＜ ３０ａｔ．％、 ｔ
ｏａｔ、Ｘ＜ Ｉ ｎ ＜ ３０ａｔ．％、４５ａｔ、
％＜ Ｔ ｅ ＜ ｆ３０ａｔＪ の範囲にある化合
！ＯＩＪ組成とした光記録媒体を提供することにより、
上記問題点を解決した。
本発明の光ディスクの第１実施例について説明する。こ
こでは、光ディスクの結晶−非晶質間の相変化を安定に
行なうために、記録媒体を構成する元素の単相化を図り
、記録媒体である周期率表■族元素Ｘ （Ｃｕ、Ａｇ、
スはＡｕ）と、同■族のＧａ及び同ＶＩ族のＴｅとの組
成比をＸＹＺ２化合物組成近傍としている。
こでは、光ディスクの結晶−非晶質間の相変化を安定に
行なうために、記録媒体を構成する元素の単相化を図り
、記録媒体である周期率表■族元素Ｘ （Ｃｕ、Ａｇ、
スはＡｕ）と、同■族のＧａ及び同ＶＩ族のＴｅとの組
成比をＸＹＺ２化合物組成近傍としている。
組成比がＸＧａＴｅ２ （即ち１：１：２）近傍からず
れると、ＸとＧａ、ＸとＴｅ等の化合物を生成し易くな
るので、記録層として用いるには、各元素が原子百分率
で、夫ｑ ２０ａｔ、Ｘ＜ Ｘ ＜ ３０ａｔ．％、１
０ａｔ、Ｘ＜ Ｇ ａ ＜ ３０ａｔ、”Ａ、 ４５ａ
ｔ、Ｘ＜ Ｔ ｅ ＜ ６０ａｔ．％の範囲が好ましい
ことが、種々の実験、評価の結果、判明した。
れると、ＸとＧａ、ＸとＴｅ等の化合物を生成し易くな
るので、記録層として用いるには、各元素が原子百分率
で、夫ｑ ２０ａｔ、Ｘ＜ Ｘ ＜ ３０ａｔ．％、１
０ａｔ、Ｘ＜ Ｇ ａ ＜ ３０ａｔ、”Ａ、 ４５ａ
ｔ、Ｘ＜ Ｔ ｅ ＜ ６０ａｔ．％の範囲が好ましい
ことが、種々の実験、評価の結果、判明した。
上記Ｘ、Ｇａ、Ｔｅから成る非晶質薄膜に、レーザー光
を照射して加熱することにより、ＸＧａＴ ｅ ２化合
物を生成し、結晶化させる。一方、生成した化合物の融
点く例えばＡｇＧａＴｅ２では７２０°Ｃ）以上に媒体
を加熱した後、急冷することにより非晶質化できる。こ
れらに伴う光学的特性の変化、例えば反射率変化を利用
して、信号の記録及び消去を実現することができる。
を照射して加熱することにより、ＸＧａＴ ｅ ２化合
物を生成し、結晶化させる。一方、生成した化合物の融
点く例えばＡｇＧａＴｅ２では７２０°Ｃ）以上に媒体
を加熱した後、急冷することにより非晶質化できる。こ
れらに伴う光学的特性の変化、例えば反射率変化を利用
して、信号の記録及び消去を実現することができる。
以下、本発明第１実施例の光記録媒体の具（ホ）Ｐｌに
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
〈実施例１−１〉
第１図は本発明の第１実施例媒体の拡大韻分断面図であ
る。１はトラッキング用のグループが予め例えばスパイ
ラル状に形成されたポリカーボネート樹脂基板（以下単
に「基板」とも記載する）であり、この基板ｊ上に第１
の保Ｎ層２として、ＺｎＳ （硫化亜鉛）を約１０Ｏｒ
ｉｎの厚さに真空蒸着する。続いてＡｇ、Ｇａ、Ｔｅを
夫々個別のタングステン製のボートから蒸発させて、記
録層３を３元共蒸着で８０ｎｎ形成（成膜）する、記録
Ｎ３はＡｇ、Ｇａ、Ｔｅの混合膜であり、ＸＭＡ （Ｘ
線マイクロアナリシス）装置で分析したところ、その組
成比は、Ａｇ：Ｇａ：’Ｉ’ｅ＝２３：２２＋５５であ
った。この記録層３の上に更に第２の保護層４としてＺ
ｎＳを約ＩＱＯｎｌの厚さに真空蒸着した後、紫外線硬
化樹脂層５をスピンコードして、光ディスク６を完成す
る。
る。１はトラッキング用のグループが予め例えばスパイ
ラル状に形成されたポリカーボネート樹脂基板（以下単
に「基板」とも記載する）であり、この基板ｊ上に第１
の保Ｎ層２として、ＺｎＳ （硫化亜鉛）を約１０Ｏｒ
ｉｎの厚さに真空蒸着する。続いてＡｇ、Ｇａ、Ｔｅを
夫々個別のタングステン製のボートから蒸発させて、記
録層３を３元共蒸着で８０ｎｎ形成（成膜）する、記録
Ｎ３はＡｇ、Ｇａ、Ｔｅの混合膜であり、ＸＭＡ （Ｘ
線マイクロアナリシス）装置で分析したところ、その組
成比は、Ａｇ：Ｇａ：’Ｉ’ｅ＝２３：２２＋５５であ
った。この記録層３の上に更に第２の保護層４としてＺ
ｎＳを約ＩＱＯｎｌの厚さに真空蒸着した後、紫外線硬
化樹脂層５をスピンコードして、光ディスク６を完成す
る。
この光ディスク６を線速度３．０ｍ１５で回転させ、１
トラツクにＤＣ出力（記録パワー）５ｍＷの半導体レー
ザー光（波長岬７８０ｎｎ）をディスク表面（記録層３
）に照射する。これによって記録層３が結晶化し、この
結晶化によりその部分の反射率が増大した。この結晶化
したトラック上に、情報信号等によって強度変調された
レーザー光の光スボ・ｙトを照射すると非晶質化し、そ
の個所の反射率が低下した状態として情報信号の記録を
行なうことができる。実際に、単一周波数の信号（ＩＭ
ｌｌｚ）をレーザー出カフｍＷで記録した場合のＣ／Ｎ
は約５０ｄＢであった。このときの再生レーザー出力は
１ｍＷである。
トラツクにＤＣ出力（記録パワー）５ｍＷの半導体レー
ザー光（波長岬７８０ｎｎ）をディスク表面（記録層３
）に照射する。これによって記録層３が結晶化し、この
結晶化によりその部分の反射率が増大した。この結晶化
したトラック上に、情報信号等によって強度変調された
レーザー光の光スボ・ｙトを照射すると非晶質化し、そ
の個所の反射率が低下した状態として情報信号の記録を
行なうことができる。実際に、単一周波数の信号（ＩＭ
ｌｌｚ）をレーザー出カフｍＷで記録した場合のＣ／Ｎ
は約５０ｄＢであった。このときの再生レーザー出力は
１ｍＷである。
この記録トラックの上に、ＤＣ出力５ｍＷの半導体レー
ザー光を３回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／Ｎは２５ｄＢに低下し、良好な結果が得られた
。
ザー光を３回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／Ｎは２５ｄＢに低下し、良好な結果が得られた
。
〈実施例１−２〉
記録層３のＡｇをＣｕに換え、Ｃｕ、Ｇａ。
Ｔｅを夫々個別のタングステン製のボートから蒸発させ
て、記録層３を３元共蒸着で８ Ｏｎ Ｉｇ影形成、そ
の他は実施例１−１と同様にして光記録媒体を伴製した
。記録層の組成は、Ｃｕ ２６ Ｇ ａ ７２Ｔ ｅ
５２であった。
て、記録層３を３元共蒸着で８ Ｏｎ Ｉｇ影形成、そ
の他は実施例１−１と同様にして光記録媒体を伴製した
。記録層の組成は、Ｃｕ ２６ Ｇ ａ ７２Ｔ ｅ
５２であった。
この媒体を、線速度３．０ｉ、／、で回転させ、１トラ
ツクにＤＣ出力４．５ｒｇＷの半導体レーザー光＜ａ長
ニア８０ｎｌ）を照射して、記録層３を結晶化させた。
ツクにＤＣ出力４．５ｒｇＷの半導体レーザー光＜ａ長
ニア８０ｎｌ）を照射して、記録層３を結晶化させた。
この結晶化により記録層の反射率は増大した。この結晶
化したトラック上に強度変か１されたレーザー光の光ス
ポットを照射すると非晶質化し、反射率が低下した状態
として情報信号の記録を行なうことができる。実際に単
一周波数の信号（ＩＭＨｚ）をレーザー出カフ ｍ、
”ｖＶで記録した場合のＣ／Ｎは４０ｄＢであった。な
お、再生レーザー出力は１ｍＷである。
化したトラック上に強度変か１されたレーザー光の光ス
ポットを照射すると非晶質化し、反射率が低下した状態
として情報信号の記録を行なうことができる。実際に単
一周波数の信号（ＩＭＨｚ）をレーザー出カフ ｍ、
”ｖＶで記録した場合のＣ／Ｎは４０ｄＢであった。な
お、再生レーザー出力は１ｍＷである。
この記録トラックの上に、ＤＣ出力７ｍＷの半導体レー
ザー光を２回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／ Ｎは１８ｄＢに低下し、良好な結果が得られ
た。
ザー光を２回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／ Ｎは１８ｄＢに低下し、良好な結果が得られ
た。
このようにして記録、消去を繰返したところ、１００回
以上可能であった。又、Ａｇ、Ｃｕの代りにＡｕを使用
しても、同様に良好な結果が得られた。
以上可能であった。又、Ａｇ、Ｃｕの代りにＡｕを使用
しても、同様に良好な結果が得られた。
次に、本発明の光ディスクの第２実施例について説明す
る。この例では、光ディスクの結晶−非晶質間の相変化
を安定に行なうために、記録媒体を構成する元素の単相
化を図り、記録媒体である周期率表■族元素Ｘ、（Ｃｕ
、Ａｇ、又はＡｕ）と、同Ｖ族のＢ［及び同ｖＩ族のＴ
ｅとの組成比をＸ３ＹＺ、化合物組成近傍としている。
る。この例では、光ディスクの結晶−非晶質間の相変化
を安定に行なうために、記録媒体を構成する元素の単相
化を図り、記録媒体である周期率表■族元素Ｘ、（Ｃｕ
、Ａｇ、又はＡｕ）と、同Ｖ族のＢ［及び同ｖＩ族のＴ
ｅとの組成比をＸ３ＹＺ、化合物組成近傍としている。
組成比がＸ３ＢＩＴｅＡ （即ち３：１：４）近傍から
ずれると、ＸとＢｉ、ＸとＴｅ等の化合物を生成し易く
なるので、記録層として用いるには、各元素が、夫ｔｚ
３０ａｔ、Ｘ＜ Ｘ ＜ ５０ａｔＪ、 ５ａｔ、
％＜ Ｙ＜２０ａｔ、％、 ４０ａｔ、Ｘ＜Ｚ＜６０ａ
ｔ、％の範囲が好ましいことが、実験、評価の結果判明
した。
ずれると、ＸとＢｉ、ＸとＴｅ等の化合物を生成し易く
なるので、記録層として用いるには、各元素が、夫ｔｚ
３０ａｔ、Ｘ＜ Ｘ ＜ ５０ａｔＪ、 ５ａｔ、
％＜ Ｙ＜２０ａｔ、％、 ４０ａｔ、Ｘ＜Ｚ＜６０ａ
ｔ、％の範囲が好ましいことが、実験、評価の結果判明
した。
上記Ｘ、Ｂｔ、及びＴｅから成る非晶質薄膜に、レーザ
ー光を照射して加熱することにより、Ｘ３Ｂ ｉ Ｔ
ｅ ４化合物を生成し、結晶化させる。一方、生成した
化合物の融点以上に媒体を加熱した後、急冷することに
より非晶質化できる。これらに伴う光学的特性の変化、
例えば反射！＄変化を利用して、信号の記録及び消去を
実現することができる。
ー光を照射して加熱することにより、Ｘ３Ｂ ｉ Ｔ
ｅ ４化合物を生成し、結晶化させる。一方、生成した
化合物の融点以上に媒体を加熱した後、急冷することに
より非晶質化できる。これらに伴う光学的特性の変化、
例えば反射！＄変化を利用して、信号の記録及び消去を
実現することができる。
かかる本発明第２実施例の光記録媒体は、前記第１実施
例とは化学的組成は少し異なるが、物理的構造は同じな
ので、その具体例について、前記第１図を参照して説明
する。
例とは化学的組成は少し異なるが、物理的構造は同じな
ので、その具体例について、前記第１図を参照して説明
する。
〈実施例２−１〉
トラッキング用のグループが予め例えばスパイラル状に
形成されたポリカーボネート樹脂基板１の上に、第１の
保護層２としてＺｎＳ （硫化亜鉛）を、約１０Ｏｎ１
１の）１さに真空蒸着する。続いてＢｉ２Ｏ”Ｔ’ ｅ
ａｏとＡｕの２つのターゲットを用いてＲＦスパッタ
リングを行ない、記録層３を８ＯｎＩＮ形成（成ＩＩり
する。記録層３はＡｕ、Ｂｉ、Ｔｅの混合膜であり、Ｘ
ＭＡ装置で分析したところ、その紹成比は、Ａｕ：Ｂｉ
＋Ｔｅ＝４０：１２：４８であった。この記録７１３の
上に更に第２の保護層４としてＺｎＳを約１００ｎ１の
厚さに真空蒸着した後、紫外線硬化樹脂層５をスピンコ
ードして、光ディスク６を完成する。
形成されたポリカーボネート樹脂基板１の上に、第１の
保護層２としてＺｎＳ （硫化亜鉛）を、約１０Ｏｎ１
１の）１さに真空蒸着する。続いてＢｉ２Ｏ”Ｔ’ ｅ
ａｏとＡｕの２つのターゲットを用いてＲＦスパッタ
リングを行ない、記録層３を８ＯｎＩＮ形成（成ＩＩり
する。記録層３はＡｕ、Ｂｉ、Ｔｅの混合膜であり、Ｘ
ＭＡ装置で分析したところ、その紹成比は、Ａｕ：Ｂｉ
＋Ｔｅ＝４０：１２：４８であった。この記録７１３の
上に更に第２の保護層４としてＺｎＳを約１００ｎ１の
厚さに真空蒸着した後、紫外線硬化樹脂層５をスピンコ
ードして、光ディスク６を完成する。
この光ディスク６を線速度５．０ｎ１５で回転させ、１
トラツクにＤＣ出力４ｍＷの半導体レーザー光（波長：
７８０ｎｌ）を照射する。これによって記録層３が結
晶化し、この結晶化によりその部分の反射率が増大した
。この結晶化したトラック上に、情報信号によって強度
変調されたレーザー光の光スポットを照射すると非晶質
化し、その個所の反射率が低下した状態として情報信号
の記録を行なうことができる。実際に、単一周波数の信
号＜ＩＭｌｌｚ）をレーザー出力３ｍＷで記録した場合
のＣ／Ｎは４５ｄＢであった。このときの再生レーザー
出力は０．５ｎＷである。
トラツクにＤＣ出力４ｍＷの半導体レーザー光（波長：
７８０ｎｌ）を照射する。これによって記録層３が結
晶化し、この結晶化によりその部分の反射率が増大した
。この結晶化したトラック上に、情報信号によって強度
変調されたレーザー光の光スポットを照射すると非晶質
化し、その個所の反射率が低下した状態として情報信号
の記録を行なうことができる。実際に、単一周波数の信
号＜ＩＭｌｌｚ）をレーザー出力３ｍＷで記録した場合
のＣ／Ｎは４５ｄＢであった。このときの再生レーザー
出力は０．５ｎＷである。
この記録トラックの上に、ＤＣ出力４ｍＷの半導体レー
ザー光を３回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／Ｎは１０ｄＢに低下し、良好な結果が得られた
。このようにして記録、消去をｆｉ返したところ、１０
０回以上可能であった。
ザー光を３回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／Ｎは１０ｄＢに低下し、良好な結果が得られた
。このようにして記録、消去をｆｉ返したところ、１０
０回以上可能であった。
〈実施例２−２〉
記８４Ｎ３のＡｕをＡｇに交換し、ＡｇとＢ ｆ ２０
Ｔ ｅ Ｂｏの２つのターゲットを用いてＲＦスパッタ
リングを行なって、記録層３を８０ｎｌ形成し、その他
は実施例２−１と同様にして光記録媒体を作製した。記
録ＮＪ３の組成は、Ａ ｇ １５ Ｂ ｉ １３ Ｔ
ｅ ５２であった。
Ｔ ｅ Ｂｏの２つのターゲットを用いてＲＦスパッタ
リングを行なって、記録層３を８０ｎｌ形成し、その他
は実施例２−１と同様にして光記録媒体を作製した。記
録ＮＪ３の組成は、Ａ ｇ １５ Ｂ ｉ １３ Ｔ
ｅ ５２であった。
この媒体を、線速度５．０１１／ｓで回転させ、１トラ
／りにＤＣ出力８ｍＷの半導体レーザー光（波長： ７
８０ｎｌを照射して、記録層３を結晶化させたところ、
記録層の反射率は増大した。この結晶化したトラック上
に強度変調されたレーザー光の光スポットを照射すると
非晶質化し、反射率が低下した状態として情報信号の記
録を行なうことができた。実際に単一周波数の信号（Ｉ
ＭＨｚ）をレーザー出力１６ｍＷで記録した場合のＣ
／Ｎは４０ｄＢであった。なお、再生レーザー出力は０
．５ＩＩＷである。
／りにＤＣ出力８ｍＷの半導体レーザー光（波長： ７
８０ｎｌを照射して、記録層３を結晶化させたところ、
記録層の反射率は増大した。この結晶化したトラック上
に強度変調されたレーザー光の光スポットを照射すると
非晶質化し、反射率が低下した状態として情報信号の記
録を行なうことができた。実際に単一周波数の信号（Ｉ
ＭＨｚ）をレーザー出力１６ｍＷで記録した場合のＣ
／Ｎは４０ｄＢであった。なお、再生レーザー出力は０
．５ＩＩＷである。
この記録トラックの上に、ＤＣ出力８ ｍ Ｗの半導体
レーザー光を３回照射すると反射率が初期の結晶化状態
に戻り、Ｃ／Ｎは１５ｄＢに低下し、良好な結果が得ら
れた。なお、Ａｇ、Ａｕの代りにＣｕを使用しても、同
様に良好な結果が得られた。
レーザー光を３回照射すると反射率が初期の結晶化状態
に戻り、Ｃ／Ｎは１５ｄＢに低下し、良好な結果が得ら
れた。なお、Ａｇ、Ａｕの代りにＣｕを使用しても、同
様に良好な結果が得られた。
次に、本発明の光ディスクの第３実施例について説明す
る。この例では、光ディスクの結晶−非晶質間の相変化
を安定に行なうために、記録媒体を構成する元素の単相
化を図り、記録媒体であるＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅの組成比を
、Ａｇ Ｉ ｎＴｅ２化合物組成近傍としている。
る。この例では、光ディスクの結晶−非晶質間の相変化
を安定に行なうために、記録媒体を構成する元素の単相
化を図り、記録媒体であるＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅの組成比を
、Ａｇ Ｉ ｎＴｅ２化合物組成近傍としている。
組成比がＡｇＩｎＴｅ２ （即ち１：１：２）近傍から
ずれると、Ｔｅ又はＡｇとＴｎ、ＡｇとＴｅ等の化合物
を生成し易くなるので、記録層として用いるには、各元
素が、夫々 ２Ｑａｔ、Ｘ＜ Ａ ｇ ＜３０ａｔｙ％
、 １０ａｔ、Ｘ＜ Ｉ ｎ＜３０ａｔ、Ｘ ４５
ａｔ、％＜Ｔｅ＜６０ａｔ．％のｉｉｔｍが好ましい。
ずれると、Ｔｅ又はＡｇとＴｎ、ＡｇとＴｅ等の化合物
を生成し易くなるので、記録層として用いるには、各元
素が、夫々 ２Ｑａｔ、Ｘ＜ Ａ ｇ ＜３０ａｔｙ％
、 １０ａｔ、Ｘ＜ Ｉ ｎ＜３０ａｔ、Ｘ ４５
ａｔ、％＜Ｔｅ＜６０ａｔ．％のｉｉｔｍが好ましい。
上記Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅから成る非晶質薄膜に、レーザー
光を照射して加熱することにより、ＡｇＩ ｎＴｅ２化
合物を生成して結晶化させる。一方、生成した化合物の
触点（６８０’Ｃ）以上に媒体を加熱した後、急冷する
ことにより非晶質化できる。これらに伴う光学的特性の
変化、例えば反射率変化を利用し”て、信号の記録及び
消去を実現することができる。
光を照射して加熱することにより、ＡｇＩ ｎＴｅ２化
合物を生成して結晶化させる。一方、生成した化合物の
触点（６８０’Ｃ）以上に媒体を加熱した後、急冷する
ことにより非晶質化できる。これらに伴う光学的特性の
変化、例えば反射率変化を利用し”て、信号の記録及び
消去を実現することができる。
かかる本発明第３実施ρＩの光記録媒体は、前記第１．
第２実施例とは化学的組成はやへ異なるが、物理的構造
は同じなので、具体例については、前記第１図を参照し
て説明する。
第２実施例とは化学的組成はやへ異なるが、物理的構造
は同じなので、具体例については、前記第１図を参照し
て説明する。
〈実施例３−１〉
ポリカーボネート（支）脂基板１の上に、予めトラッキ
ング用のグループをスパイラル状に形成しておき、その
表面に第１の保護層２としてＺｎＳを約１００ｎｌの厚
さに真空蒸着する。続いて、Ａ、 ｇＩｎ、Ｔｅを夫々
個別のタングステン製のボートから蒸発させて、記録層
３を３元共蒸着で８０ｎＩ１１形成する。記録層３はＡ
ｇ、ｉｎ、Ｔｅの混合１１便であり、ＸＭＡ装置で分析
したところ、その組成比は、Ａｇ： Ｉｎ：Ｔｅ＝２８
：２２：５０であつた。この記録層３の上に更に第２の
保護層・１としてＺｎＳを約１００ｎＩｌの厚さに真空
蒸着した後、紫外線硬化樹脂層５をスピンコードして、
光記録媒体６を完成する。
ング用のグループをスパイラル状に形成しておき、その
表面に第１の保護層２としてＺｎＳを約１００ｎｌの厚
さに真空蒸着する。続いて、Ａ、 ｇＩｎ、Ｔｅを夫々
個別のタングステン製のボートから蒸発させて、記録層
３を３元共蒸着で８０ｎＩ１１形成する。記録層３はＡ
ｇ、ｉｎ、Ｔｅの混合１１便であり、ＸＭＡ装置で分析
したところ、その組成比は、Ａｇ： Ｉｎ：Ｔｅ＝２８
：２２：５０であつた。この記録層３の上に更に第２の
保護層・１としてＺｎＳを約１００ｎＩｌの厚さに真空
蒸着した後、紫外線硬化樹脂層５をスピンコードして、
光記録媒体６を完成する。
この光記録ａ体６を線速度２．０ｍ１５で回転させ、１
トラックにＤＣ出力４ｍＷの半導体レーザー光（波長：
７８０ｎｌ）を照射して、記録層３を結晶化し、この
結晶化により記録層３の反射率が増大した。この結晶化
したトラック上に、情報信号によって強度変調されたレ
ーザー光の光スポットを照射すると非晶質化し、その個
所の反射率が低下した状態として情報信号の記録を行な
うことができる。実際に、単一周波数の信号（ＩＭＩＩ
Ｚ）をレーザー出カフｍＷで記録した場合のＣ／Ｎは、
５３ ｄＢ”Ｃあった。このときの再生レーザー出力は
０、５ＩＩＷである。
トラックにＤＣ出力４ｍＷの半導体レーザー光（波長：
７８０ｎｌ）を照射して、記録層３を結晶化し、この
結晶化により記録層３の反射率が増大した。この結晶化
したトラック上に、情報信号によって強度変調されたレ
ーザー光の光スポットを照射すると非晶質化し、その個
所の反射率が低下した状態として情報信号の記録を行な
うことができる。実際に、単一周波数の信号（ＩＭＩＩ
Ｚ）をレーザー出カフｍＷで記録した場合のＣ／Ｎは、
５３ ｄＢ”Ｃあった。このときの再生レーザー出力は
０、５ＩＩＷである。
この記録トラックの上に、ＤＣ出力４ｍＷの半導体レー
ザー光を４回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／Ｎは４３ｄＢも低下して１ＯｄＢとなり、良好
な結果が得られた。このようにして記録、消去を繰返し
たところ、１００回以上可能であった。
ザー光を４回照射すると反射率が初期の結晶化状態に戻
り、Ｃ／Ｎは４３ｄＢも低下して１ＯｄＢとなり、良好
な結果が得られた。このようにして記録、消去を繰返し
たところ、１００回以上可能であった。
く比教例〉
上記実施例３−１の記録Ｎｉ３のＡｇの組成比率を低下
させ、Ａｇ１ＯＩ ｎ２ａ’ｒ’ｅｅ４なる記録層（記
録膜）を形成し、その他は実施例３−１と同様にして光
記録媒体を作製して測定、評価したところ、５２ｄＢも
のＣ／Ｎが得られたが、消去動作をしてもＣ、／ Ｎは
約１０ｄＢの低下に留まった。
させ、Ａｇ１ＯＩ ｎ２ａ’ｒ’ｅｅ４なる記録層（記
録膜）を形成し、その他は実施例３−１と同様にして光
記録媒体を作製して測定、評価したところ、５２ｄＢも
のＣ／Ｎが得られたが、消去動作をしてもＣ、／ Ｎは
約１０ｄＢの低下に留まった。
以上説明したように、本発明の光記録媒体によれば、次
のような潰れた特長を有する。
のような潰れた特長を有する。
０３元系の金属間化合物組成近傍の記録層を形成し、光
学的エネルギーの印加によって、情報の記録、再生、消
去を行なうのに適した光記録媒体を提供できる。
学的エネルギーの印加によって、情報の記録、再生、消
去を行なうのに適した光記録媒体を提供できる。
■記録媒体であるＴｅとＧａと周期率表■族の元素Ｘの
組成比をＸＧａＴｅ２化合物組成近傍とすることにより
、結晶化した場合に単一相を生成し易く、結晶−非晶質
間の相変化を安定に行なうことができる。
組成比をＸＧａＴｅ２化合物組成近傍とすることにより
、結晶化した場合に単一相を生成し易く、結晶−非晶質
間の相変化を安定に行なうことができる。
■記録媒体である′Ｉ″ｅとＢｉと周期率表■族の元素
Ｘの組成比をＸ３ＢｉＴｅ４化合物組成近傍とすること
により、結晶化した場合に単一相を生成し易く、結晶−
非晶質間の相変化を安定に行なうことができる。このた
め、消し残りの少ない媒体を、特にＡｕを用いた場合に
は情報の消去率の大きな光記録媒体を、提供できる。
Ｘの組成比をＸ３ＢｉＴｅ４化合物組成近傍とすること
により、結晶化した場合に単一相を生成し易く、結晶−
非晶質間の相変化を安定に行なうことができる。このた
め、消し残りの少ない媒体を、特にＡｕを用いた場合に
は情報の消去率の大きな光記録媒体を、提供できる。
■記録媒体であるＴｅ、ＩｎとＡｇの組成比を、Ａｇ１
ｎＴｅ２化合物組成近傍とすることにより、結晶化した
場合に単一相を生成し易く、結晶−非晶質間の相変化を
安定に行なえる。
ｎＴｅ２化合物組成近傍とすることにより、結晶化した
場合に単一相を生成し易く、結晶−非晶質間の相変化を
安定に行なえる。
第１図は本発明の光記録媒体の拡大部分断面図である。
１・・・基板、２．４・・・第１．第２の保護層、３・
・・記録層、５・・・紫外線硬化樹脂層、６・・・光記
録媒体。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 垣木 邦人 メ１図
・・記録層、５・・・紫外線硬化樹脂層、６・・・光記
録媒体。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 垣木 邦人 メ１図
Claims (3)
- （１）光学的エネルギーの印加によって、光学的特性が
変化する記録層を基板に形成した光記録媒体であつて、
該記録層がＸ、Ｙ、Ｚ（但し、Ｘは周期率表 I 族のＣ
ｕ、Ａｇ、又はＡｕ、Ｙは同III族のＧａ、Ｚは同VI族
のＴｅ）の３元素からなり、その組成比がＸＹＺ＿２化
合物組成近傍、即ち、２０ａｔ．％＜Ｘ＜３０ａｔ．％
、１０ａｔ．％＜Ｙ＜３０ａｔ．％、４５ａｔ．％＜Ｚ
＜６０ａｔ．％の範囲にあることを特徴とする光記録媒
体。 - （２）光学的エネルギーの印加によつて、光学的特性が
変化する記録層を基板に形成した光記録媒体であつて、
該記録層がＸ、Ｙ、Ｚ（但し、Ｘは周期率表 I 族のＣ
ｕ、Ａｇ、又はＡｕ、Ｙは同Ｖ族のＢｉ、Ｚは同VI族の
Ｔｅ）の３元素からなり、その組成比がＸ＿３ＹＺ＿４
化合物組成近傍、即ち、３０ａｔ．％＜Ｘ＜５０ａｔ．
％、５ａｔ．％＜Ｙ＜２０ａｔ．％、４０ａｔ．％＜Ｚ
＜６０ａｔ．％の範囲にあることを特徴とする光記録媒
体。 - （３）光学的エネルギーの印加によって、光学的特性が
変化する記録層を基板に形成した光記録媒体であって、
該記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅの３元素からなり、その組
成比が、 ２０ａｔ．％＜Ａｇ＜３０ａｔ．％、１０ａｔ．％＜Ｉ
ｎ＜３０ａｔ．％、４５ａｔ．％＜Ｔｅ＜６０ａｔ．％
の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331301A JPH02175285A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331301A JPH02175285A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02175285A true JPH02175285A (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=18242155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63331301A Pending JPH02175285A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02175285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005023553A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Nec Corporation | 光学的情報記録媒体及び光学的情報記録再生装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202345A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS6376120A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 消去可能型光記録媒体 |
| JPH0194545A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63331301A patent/JPH02175285A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202345A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS6376120A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 消去可能型光記録媒体 |
| JPH0194545A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005023553A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Nec Corporation | 光学的情報記録媒体及び光学的情報記録再生装置 |
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