JPH05169819A - 光情報記録媒体及び情報の記録再生方法並びに情報記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＣＤプレーヤまたはＶＤプレーヤで再生が可
能な信号を記録するのに好適な耐環境性に優れた信頼性
の高い追記型の光情報記録媒体を提供する。 【構成】 基板１の信号面２に、直接または基板よりも
耐熱性の低い物質からなる熱変形層を介して、少なくと
も膜面方向の一部に〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群
から選択された少なくとも１種類の元素を主成分とする
合金部を有する記録層３を設ける。記録トラックに沿っ
てパルス状の光エネルギを走査し、高レベルの光エネル
ギが走査された部分に、基板または熱変形層の変形を伴
って、または基板または熱変形層の変形を伴わずに、記
録層の一部に原子配列の変化、溶融混合現象、変形、空
洞の発生などの熱的変形を生じさせ、情報の追記を行な
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、パルス状に強度変調さ
れたレーザ光や電子線等の光エネルギを照射することに
よって、例えば映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変
調した信号や、電子計算機のデータ、それにファクシミ
リ信号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情
報をリアルタイムで記録することが可能な光情報記録媒
体、およびそれを用いた情報の記録再生方法、さらには
上記の光情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（ＣＤ）プレーヤや
ビデオディスク（ＶＤ）プレーヤの普及に伴い、ユーザ
が自由にディジタルオーディオ信号またはディジタルビ
デオ信号を追記可能で、ＣＤプレーヤまたはＶＤプレー
ヤにかけて信号を再生することができる光情報記録媒体
が注目されている。

【０００３】従来より、基板上にヒートモード記録材料
よりなる薄膜（記録層）を担持し、記録層の光熱作用に
よって情報の追記を可能にした光情報記録媒体は種々あ
り、代表的なものとしては、Ｔｅ，Ｂｉなどを主成分と
した金属層やシアニンなどの色素層からなる記録薄膜を
変形、昇華、蒸発などさせて記録するもの、Ｔｅ−Ｇｅ
系、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔｅ−Ｏ系などの相転移（相
変化ともいう）を利用したもの、フォトダークニングな
ど原子配列の変化を利用したものなどを挙げることがで
きる。また、Ａｕ，Ａｇなどを含む合金製記録層につい
ては、実開昭５４−１１１１０６号公報、特開昭６２−
１８３０４２号公報などに記述がある。

【０００４】さらに、近年、ＣＤの普及に伴って、高い
反射率を有し、かつ情報の再生に関してはＣＤフォーマ
ットに準拠する出力信号が得られる書き込み可能な光情
報記録媒体、いわゆる追記型ＣＤの開発が盛んに行なわ
れている。従来より提案されている追記型ＣＤは、例え
ば特開平２−１６８４４６号公報に記載されているよう
に、透明基板の信号面に有機色素層と金属反射層と保護
層である紫外線硬化樹脂層とを順次積層してなるもので
あって、有機色素層にレーザ光を吸収させて熱に変換
し、その熱によって有機色素層を構成する有機色素自体
を変質させてその光学的特性を変化させると共に、該部
の下地である透明基板の一部を変形させて情報を記録す
ることを特徴としている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＤプレー
ヤやＶＤプレーヤで信号を再生させるためには、反射率
や信号変調度などについて、各プレーヤが要求する条件
を満たす光情報記録媒体を用いる必要がある。例えばＣ
Ｄプレーヤについていえば、反射率（光情報記録媒体へ
の入射光量に対するディテクタへの戻り光量の比）が７
０％以上、１１Ｔ信号記録時の信号変調度が６０％以
上、３Ｔ信号記録時の信号変調度が３０％〜７０％、な
どの条件を満たさなくてはならない。

【０００６】しかるに、上記した従来の記録可能な光情
報記録媒体に使用される記録材料のうちＴｅ，Ｔｅ−Ｇ
ｅ系、シアニンなどは、高い記録感度を得るため、記録
用光が効率よく吸収されるように反射率が低く設定され
ており、ＣＤプレーヤやＶＤプレーヤでの情報の再生が
不可能である。また、光情報記録媒体を従来のＣＤと同
様に単板構造に形成すると、特に耐環境性に優れること
が要求されるが、従来の追記型の記録材料はいずれも耐
環境性に難点があり、この点からも追記型ＣＤあるいは
追記型ＶＤとして用いることは不適である。

【０００７】また、Ａｕ，Ａｇなどを含む合金製記録材
料は、その熱的な蒸発除去あるいは変形を利用して孔ま
たは凹部を形成するもの（実開昭５４−１１１１０６号
公報など）であるか、記録層の可逆的な原子配列変化の
みを利用したもの（特開昭６２−１８３０４２号公報な
ど）であり、高い反射率と大きい信号変調度の両者を同
時に獲得することが困難である。

【０００８】また、有機色素層を用いた追記型ＣＤには
以下のような問題点がある。すなわち有機色素は一般に
太陽光によって劣化し、光学特性が経時的に変化する。
特に、水分が介在した場合には上記光学特性に変化が顕
著になり、短期間のうちに光学的情報記録媒体としての
機能を喪失する。上記した従来の追記型ＣＤは、有機色
素層の光学的特性の変化と透明基板の変形とによって情
報を記録しているので、有機色素が劣化すると、経時的
に情報が透明基板の変形のみによって記録されるように
なり、ＣＤ規格である３０％以上の信号変調度を維持で
きなくなる。

【０００９】本発明は、上記した従来技術の不備を解決
するためになされたものであって、ＣＤプレーヤもしく
はＶＤプレーヤで再生可能な信号を記録するに好適な光
情報記録媒体、およびこの光情報記録媒体を用いた情報
の記録再生方法、さらにはこの光情報記録媒体に情報を
記録するに好適な情報記録装置を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、基板の信号面に、少なくとも記録層を含
む１層または多層の薄膜を担持してなる光情報記録媒体
において、上記基板の信号面に、直接または上記基板よ
りも耐熱性の低い物質からなる熱変形層を介して、少な
くとも膜面方向の一部に〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素を主成分と
する合金部を有する記録層を設けた。すなわち、基板の
信号面が比較的耐熱性の低いプラスチック材料によって
形成される場合には、上記記録層は基板の信号面に直接
形成され、基板の信号面がガラスなどのセラミック材料
や比較的耐熱性の高いプラスチック材料によって形成さ
れる場合には、上記記録層は基板の信号面に形成された
熱変形層上に積層される。上記基板または熱変形層は、
熱分解温度が８００℃以下の物質にて形成されることが
好ましい。

【００１１】記録層材料の具体例としては、(1) 〔Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくと
も１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素とを主成分とする均一組成の合
金、(2) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択さ
れた少なくとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，
Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群か
ら選択された少なくとも１種類の元素とを主成分とする
合金であって、組成が膜厚方向に変化している材料、
(3) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素を主成分とする薄膜と、〔Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素を主成分とする薄膜とによって構成される２層以上の
積層体にて形成されるもの、(4) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，
Ｃｕ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素
と、〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素、もしくは
〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも１種類
の元素とを含むもの、(5) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕
元素群から選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素とを主成分とし、〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，
Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選択された少なくとも１種類の
元素もしくは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少な
くとも１種類の元素とを含むもの、 (6) (4)、(5)の材
料であって、均一な組成を有するもの、(7) (4)、(5)の
材料であって、膜厚方向に組成が変化しているもの、
(8) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素を主成分とする薄膜と、〔Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素を主成分とする薄膜とによって構成される２層以上の
積層体からなり、該積層体の少なくとも１層に、〔Ｎ，
Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選
択された少なくとも１種類の元素、もしくは〔Ｂ，Ｃ，
Ｐ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素を含
むもの、(9) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選
択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｓｃ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された少
なくとも１種類の元素とを含むもの、(10) 〔Ａｕ，Ａ
ｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくとも１種
類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なく
とも１種類の元素を主成分とし、〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された少なくと
も１種類の元素を含むもの、(11) (9)、(10)の材料であ
って、膜厚方向に均一な組成を有するもの、(12) (9)、
(10)の材料であって、膜厚方向に組成が変化しているも
の、(13) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択
された少なくとも１種類の元素を主成分とする薄膜と、
〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の
元素を主成分とする薄膜とによって形成される２層以上
の積層体からなり、上記記録層の少なくとも１層に、
〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃ
ｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群
から選択された少なくとも１種類の元素とを含むもの、
(14) (1)〜(13)の材料であって、融点が１０００℃以
下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、光吸収率が１５％
以上という３つの条件のうちの少なくとも１つの条件、
より好ましくは上記３条件を全て満たすもの、を挙げる
ことができる。

【００１２】情報の記録方式で分類するならば、基板の
信号面にプリフォーマットされた記録トラックに沿って
パルス状の光エネルギを走査したとき、高レベルの光エ
ネルギが走査された上記基板の信号面または上記熱変形
層の上記記録層と接する面の形状が変形すると共に、
(1) 該変形部に接する記録層の少なくとも一部に、原子
配列の変化を生じるもの、(2) 該変形部に接する記録層
の少なくとも一部に、溶融混合現象または拡散を生じる
もの、(3) 該変形部に接する記録層の少なくとも一部に
も変形を生じるもの、(4) 該変形部に接する上記基板も
しくは上記熱変形層中、基板もしくは熱変形層と記録層
との間、記録層中のうちの少なくとも１ヵ所に空洞が形
成されるもの、を用いることができる。また、基板の変
形を伴わずに、高レベルの光エネルギが走査された部分
の基板と記録層との間、記録層中のうちの少なくとも１
ヵ所に空洞が形成されて、情報の記録が行なわれるもの
も用いることができる。

【００１３】なお、多重干渉効果によって高い反射率を
得るため、基板側から見て記録層の背面側に、当該記録
層よりも再生用光に対する反射率が高い反射層を積層す
ることもできる。この反射率の高い反射層材料として
は、Ａｕ，Ａｌなども有効である。また、より高い多重
干渉効果を得るとともに、熱の拡散を防いで記録感度を
高めるため、基板側から見て記録層の背面側に、無機材
料からなる中間層と、上記記録層よりも再生用光に対す
る反射率が高い反射層とを順次積層することもできる。
さらに、光エネルギの吸収率を高めて高い記録感度及び
記録変調度を得るため、基板または熱変形層と記録層と
の界面に、有機色素層を設けることもできる。

【００１４】情報の記録再生方法については、基板の信
号面に、直接または上記基板よりも耐熱性の低い物質か
らなる熱変形層を介して、少なくとも膜面方向の一部
に、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素を主成分とする合金部を有する
記録層が形成された光情報記録媒体に、パルス状に強度
変調された記録用光エネルギを走査し、その光エネルギ
を上記記録層にて熱エネルギに変換し、その熱エネルギ
によって高レベルの光エネルギが走査された上記基板の
信号面または上記熱変形層の上記記録層と接する面の形
状を変形させると共に、該変形部に接する記録層の少な
くとも一部に原子配列の変化、溶融混合現象、変形、空
洞の生成などの熱的変形を生じさせ、高レベルの光エネ
ルギが走査された部分の反射率を低レベルの光エネルギ
が照射された部分の反射率と異ならせることによって情
報の記録を行ない、また、記録トラックに沿って低レベ
ルかつ一定強度の光エネルギを走査し、上記記録層の熱
的変形および上記基板または熱変形層の変形に伴う反射
率の変化を光学的に読み出すことによって情報の再生を
行うといった方法をとる。

【００１５】さらに、情報記録装置については、光情報
記録媒体を着脱自在に装着してこれを駆動する媒体駆動
部と、上記光情報記録媒体にプリフォーマットされた記
録トラックに沿ってパルス状に強度変調された光エネル
ギを走査する光ヘッドとを備えた情報記録装置におい
て、上記媒体駆動部に、基板の信号面に直接または上記
基板よりも耐熱性の低い物質からなる熱変形層を介し
て、少なくとも膜面方向の一部に〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，
Ｃｕ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素を
主成分とする合金部を有する記録層が形成された光情報
記録媒体を装着し、上記光ヘッドから照射される高レベ
ルの光エネルギ強度を、上記基板の信号面または上記熱
変形層の上記記録層と接する面の形状を変形させると共
に、該変形部に接する記録層の少なくとも一部にも原子
配列の変化、溶融混合現象、変形、空洞の生成などの熱
的変形を生じさせ得る強度に調整し、上記光ヘッドから
照射される低レベルの光エネルギ強度を、上記基板およ
び記録層に何らの熱的変形をも生じさせない強度に調整
するという構成にした。

【００１６】

【作用】少なくとも膜面方向の一部に〔Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素を主成分とする合金部を有する記録層は、記録層を構
成する成分元素の種類、添加率、それに膜構造を適宜調
整することによって、ミラー部すなわち案内溝などのプ
リフォーマットパターンが形成されていない平坦部にお
ける反射率を７０％以上にすることができる。またこれ
と共に、光の吸収率を１５％以上という高率にすること
ができ、レーザ光などの光エネルギを照射したときに高
熱を発して、基板の信号面または熱変形層の記録層と接
する面の形状を変形させると共に、該変形部に接する記
録層の少なくとも一部にも変形を生じさせることができ
る。

【００１７】したがって、基板の信号面にプリフォーマ
ットされた光ヘッドの案内溝上に所定強度の光エネルギ
を照射すると、その熱によって案内溝が変形して平坦な
形状になると共に、該変形部に接する記録層の少なくと
も一部も案内溝の変形にともなって変形する。案内溝に
そって低強度の再生用光エネルギを照射すると、案内溝
および記録層が変形していない部分においては、案内溝
によって生じる光の回折や干渉等によって反射率（ディ
テクタへの戻り量）が低下するが、案内溝及び記録層が
変形して平坦な形状になった部分においては、回折光の
減少や干渉効果の低下等により、７０％以上の反射率を
得ることができる。しかも、案内溝の断面形状、深さ、
幅を適当に形成することによって、１１Ｔ信号記録時の
信号変調度を６０％以上に、３Ｔ信号記録時の信号変調
度を３０％〜７０％にすることができる。よって、情報
の記録と、ＣＤプレーヤやＶＤプレーヤによる情報の再
生とが可能になる。

【００１８】また、基板の信号面にプリフォーマットさ
れた案内溝の間のミラー部に所定強度の光エネルギを照
射しても、その熱によって基板または熱変形層に変形を
生じさせると共に、該変形部に接する記録層の少なくと
も一部を変形させることができる。ミラー部に沿って低
強度の再生用光エネルギを照射すると、上記のように７
０％以上の反射率が得られるが、光エネルギを照射する
ことによってミラー部および記録層が変形した部分にお
いては、変形部で生じる光の回折や干渉等により、反射
率が７０％以下に低下する。しかも、基板または熱変形
層の熱分解温度や光エネルギの強度等を調整し、適度の
大きさの変形部が形成されるようにすることによって、
１１Ｔ信号記録時の信号変調度を６０％以上に、３Ｔ信
号記録時の信号変調度を３０％〜７０％にすることがで
きる。よってこの場合にも、情報の記録とＣＤプレーヤ
やＶＤプレーヤによる情報の再生とが可能になる。

【００１９】なお、信号変調度の大小に最も影響を及ぼ
すのは、案内溝の変形とそれに伴う記録層の変形の程度
であるが、光エネルギの照射部が高温に加熱され、また
急冷されることから、記録層自身に原子配列の変化、溶
融混合現象、変形、空洞の生成などの熱的変形を生じて
記録層の反射率が変化し、信号変調度の大小に影響を及
ぼす場合もありうる。したがって、案内溝に沿って光エ
ネルギを走査するタイプの光情報記録媒体においては、
高レベルの光エネルギが照射された部分の反射率が非照
射部の反射率よりも高くなるように、またミラー部に沿
って光エネルギを走査するタイプの光情報記録媒体にお
いては、高レベルの光エネルギが照射された部分の反射
率が非照射部の反射率よりも低くなるように記録層の組
成等を調整することによって、より大きな信号変調度を
得ることも期待できる。上記の原子配列変化は、結晶状
態と非晶質状態の間の変化のほか、結晶粒径や結晶形の
変化なども考えられる。また、記録層を２層以上の積層
体によって形成する場合には、それぞれの層間での原子
の移動や拡散も考えられる。

【００２０】

【実施例】

〈第１実施例〉まず、本発明に係る光情報記録媒体の第
１実施例を、図１〜図４によって説明する。図１は本例
に係る光情報記録媒体の要部断面図、図２は平面図、図
３は案内溝の形状を例示する断面図、図４は案内溝の溝
深さと溝幅と信号変調度との関係を示すグラフ図であ
る。

【００２１】図１に示すように、本例の光情報記録媒体
は、基板１の信号面２に直接合金製の記録層３を形成
し、該記録層３の表面（基板１側から見て記録層３の背
面側）に保護層４を積層したことを特徴とする。

【００２２】基板１は、例えばポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、ポリオレ
フィン、エポキシなどの透明なプラスチック材料やガラ
スなどの透明セラミック材料をもって、中心部にセンタ
ー孔１ａを有する所望直径の円板形に形成される。この
基板１の信号面２には、光ビームスポットを案内するた
めの案内溝５ａやヘッダー信号などを表すプリピット列
５ｂが微細な凹凸状にプリフォーマットされる。上記案
内溝５ａは、図２に示すように、基板１と同心の渦巻状
もしくは同心円状に形成され、上記プリピット列５ｂは
この案内溝５ａ上に重ねて形成される。上記案内溝５の
断面形状は、図３（ａ）に示すようにＶ字形に形成する
こともできるし、図３（ｂ）に示すようにＵ字形に形成
することもできる。なお、案内溝５ａおよびプリピット
列５ｂなどのプリフォーマットパターンの形成方法につ
いては、公知に属する事項でありかつ本発明の要旨とは
直接関係がないので、説明を省略する。案内溝５の深さ
ｄおよび幅ｓは、図４に示すように信号変調度の大小に
密接に関係する。上記したようにＣＤプレーヤで信号の
再生を行うためには、１１Ｔ信号記録時の信号変調度が
６０％以上で、３Ｔ信号記録時の信号変調度が３０％〜
７０％の範囲になくてはならないから、図４より、ＣＤ
プレーヤに適用される情報記録媒体の案内溝５の深さｄ
は、再生用レーザ光の波長をλ、基板１の屈折率をｎと
したとき、λ／８ｎ〜λ／３ｎに形成されなくてはなら
ない。また同図より、案内溝５の幅ｓは０．２μｍ〜
１．２μｍに形成されなくてはならない。なお、案内溝
５の深さｄおよび幅ｓを上記の値に形成すると、レーザ
ビームスポットを案内溝５に沿ってトラッキングするに
充分なトラッキング変調度を得ることができ、レーザビ
ームスポットの脱輪といった問題を生じることがない。

【００２３】記録層３は、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕
元素群から選択された少なくとも１種類の元素を主成分
とする合金にて形成される。記録層材料の具体例として
は、(1) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択さ
れた少なくとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，
Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群か
ら選択された少なくとも１種類の元素とを主成分とする
均一組成の合金、(2) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素
群から選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，
Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚ
ｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素とを
主成分とする合金であって、組成が膜厚方向に変化して
いる材料、(3) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から
選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，
Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素、もしくは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素
群から選択された少なくとも１種類の元素とを含む均一
組成の合金、(4) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群か
ら選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｎ，Ｏ，
Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選択さ
れた少なくとも１種類の元素、もしくは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕
元素群から選択された少なくとも１種類の元素とを含む
合金であって、組成が膜厚方向に変化している材料、
(5) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素と〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択
された少なくとも１種類の元素とを主成分とし、〔Ｎ，
Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選
択された少なくとも１種類の元素もしくは〔Ｂ，Ｃ，
Ｐ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素とを
含むもの、(6) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から
選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素とを主成分
とし、〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕
元素群から選択された少なくとも１種類の元素もしくは
〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも１種類
の元素とを含む合金であって、組成が膜厚方向に変化し
ている材料、(7) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群か
ら選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｓｃ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選択され
た少なくとも１種類の元素とを含む均一組成の材料、
(8) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素と、〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，
Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された少なくとも１
種類の元素とを含む材料であって、組成が膜厚方向に変
化している材料、(9) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素
群から選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，
Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚ
ｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素を主
成分とし、〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素を含
む均一組成の材料、(10) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕
元素群から選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素を主成分とし、〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素を含む材料であって組成が膜厚方向に変化している材
料、(11) (1)〜(10)の材料であって、融点が１０００℃
以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、光吸収率が１５
％以上という３つの条件のうちの少なくとも１つの条
件、より好ましくは上記３条件を全て満たすもの、を挙
げることができる。

【００２４】また、情報の記録方式で分類するならば、
基板１の信号面２にプリフォーマットされた案内溝５ａ
に沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、高レベ
ルの光エネルギが走査された上記基板１の信号面２が変
形すると共に、(1) 該変形部に接する記録層３の少なく
とも一部に原子配列の変化を生じ、高レベルの光エネル
ギが走査された部分の反射率が低レベルの光エネルギが
照射された部分の反射率と異なることにより情報の追記
が行なわれるもの、(2) 該変形部に接する記録層３の少
なくとも一部に溶融混合現象または拡散を生じ、高レベ
ルの光エネルギが走査された部分の反射率が低レベルの
光エネルギが照射された部分の反射率と異なることによ
り情報の追記が行なわれるもの、(3) 該変形部に接する
記録層３の少なくとも一部にも変形を生じ、高レベルの
光エネルギが走査された部分の反射率が低レベルの光エ
ネルギが照射された部分の反射率と異なることにより情
報の追記が行なわれるもの、(4) 該変形部に接する上記
基板１中、基板１と記録層３との間、記録層３中のうち
の少なくとも１ヵ所に空洞が形成され、高レベルの光エ
ネルギが走査された部分の反射率が低レベルの光エネル
ギが照射された部分の反射率と異なることにより情報の
追記が行なわれるもの、を用いることができる。さらに
は、基板１の信号面２にプリフォーマットされた案内溝
５ａに沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、上
記基板１の変形を伴わずに、基板１と記録層３との間、
記録層３中のうちの少なくとも１ヵ所に空洞が形成さ
れ、高レベルの光エネルギが走査された部分の反射率が
低レベルの光エネルギが照射された部分の反射率と異な
ることにより情報の追記が行なわれるもの等、を用いる
ことができる。

【００２５】もちろん上記記録層材料には、添加元素と
して、例えばＴｅ，Ｓｅ，Ｓ，Ｈｇ，Ａｓ，Ｐｏ，ハロ
ゲン元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、
アクチニド元素、ランタニド元素などのうちの少なくと
も１元素を含んでも良い。また、各元素群から２元素以
上を選択して加えることもでき、この場合には、選択さ
れた元素中の１つを主成分元素と、他を添加元素と考え
ることができる。

【００２６】〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，
Ｘｅ〕元素群から選択される元素、および〔Ｂ，Ｃ，
Ｐ〕元素群から選択される元素は、結晶粒径を微小化す
る効果や、非晶質状態の安定性を増す効果をもつ。〔Ｓ
ｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選
択される元素は、半導体レーザ光の吸収を容易にして記
録感度を高める効果や、熱伝導率を低減させて記録感度
を高める効果をもつ。〔Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選
択される元素は、非晶質状態の安定性を増し、かつ耐酸
化性を向上させる効果をもつ。ハロゲン元素、アルカリ
金属元素は、結晶化速度を向上させ、かつ非晶質状態の
安定性を増す効果をもつ。また、希土類元素などは、結
晶化温度を高めるなどの役割を果させ得る。

【００２７】上記〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ〕元素群から選択された元素を含む記録層は、
反応性スパッタリングなど容易な方法で成膜できるとい
う点で好ましい。これらのうちＮ，Ｏ，Ｈなどは、Ｎ
₂ ，Ｏ₂ ，Ｈ₂ を含む混合ガス（例えばＡｒ−Ｎ₂ 混合
ガス）雰囲気中でスパッタすることにより、記録層中に
含有させるのが好ましい。〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選
択された元素、及び〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された元素を含む記録層は、
広い組成範囲で組成が制御しやすいという点で好まし
い。ただし、〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択される元素
は、膜中に多く含まれると反射率が低下する。〔Ｔｅ，
Ｓｅ，Ｓ〕元素群から選択された少なくとも１つの元素
を添加すると、記録層の耐酸化性が著しく向上する。た
だし、Ｔｅ，Ｓｅは毒性が強いので、取扱いには注意を
要する。

【００２８】上記記録材料のうち、より好ましいもの
は、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素を含み、融点が９００℃以下、
熱伝導率が３５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、光吸収率が１５％以上
の各条件をすべて満たす合金材料である。特に、〔Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくと
も１種類の元素を含み、融点が８５０℃以下、熱伝導率
が２５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、光吸収率が２０％以上の各条件
をすべて満たす合金材料が好ましい。

【００２９】〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕のうちでは、毒性が低いとい
う点で〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｚｎ〕が好ま
しく、また、低融点の合金となりやすいという点で〔Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｓｎ〕がより好ましい。一方、〔Ａｕ，Ａ
ｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕のうちでは、反射率が高く、耐食性に
優れるという点でＡｕが好ましい。Ａｇ，Ｃｕは反射率
が高く、安価であるという点で好ましい。Ａｌは耐食性
に優れ、かつ安価であるという点で好ましい。

【００３０】〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，
Ｘｅ〕のうちでは、非晶質状態を安定化させる効果や、
結晶粒径を微細化する効果が大きいという点で、〔Ｎ，
Ｏ，Ｈ〕が好ましい。これら３元素のうちでは、膜の形
成がより容易であるという点で、Ｎがより好ましい。
〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃ
ｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕のうち
では、〔Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ〕が好ましい。

【００３１】特に好ましい元素の組合せは、ＳｎとＡｕ
である。このうち、膜厚方向の平均組成が下記の一般式
にて表されるものが最も好ましい。

【００３２】Ａｕ_xＳｎ_yＭＡ_aＭＢ_bＭＣ_cＭＤ_dＭＥ_e ただし、ＭＡは〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ〕元素群から選択された少なくともいずれか１
つの元素、ＭＢは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された
少なくともいずれか１つの元素、ＭＣは〔Ｓｃ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された少
なくともいずれか１つの元素、ＭＤは〔Ｔｅ，Ｓｅ，
Ｓ〕元素群から選択された少なくともいずれか１つの元
素、ＭＥはＡｕ，Ｓｎ，ＭＡ，ＭＢ，ＭＣ，ＭＤで表さ
れる元素以外の元素である。上記ＭＥで表される元素と
しては、例えばＡｓ，Ｐｏ，Ｈｇ，ハロゲン元素、アル
カリ金属元素、アルカリ土類金属元素、アクチニド元
素、ランタニド元素などの各元素を挙げることができ
る。また、ＭＡ，ＭＢ，ＭＣ，ＭＤで表わされる元素の
うち、各群の元素が既に使われている場合には、ＭＥ群
の元素と考えることができる。

【００３３】上記の一般式における添字ｘ，ｙ，ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅは各成分の含有率を示し、下記の範囲に
設定することができる。ただし、単位は原子％である。

【００３４】１０≦ｘ≦９５ ５≦ｙ≦９０ ０≦ａ≦３０ ０≦ｂ≦３０ ０≦ｃ≦３０ ０≦ｄ≦３０ ０≦ｅ≦３０ なお、各成分の含有率を下記の範囲に設定すると、より
好ましい結果を得ることができる。

【００３５】２０≦ｘ≦９０ １０≦ｙ≦８０ ０≦ａ≦２０ ０≦ｂ≦２０ ０≦ｃ≦２０ ０≦ｄ≦２０ ０≦ｅ≦２０ さらに、各成分の含有率を下記の範囲に設定すると、特
に好ましい結果を得ることができる。

【００３６】３０≦ｘ≦８８ １２≦ｙ≦７０ ０≦ａ≦１５ ０≦ｂ≦１５ ０≦ｃ≦１５ ０≦ｄ≦１５ ０≦ｅ≦１５ 上記の各組成において、ｅ≒０であれば成膜が容易であ
る。

【００３７】ただし、基板または熱変形層と記録層との
間に有機色素層を設けた場合は、有機色素層による光吸
収のために反射率がやや低下するので、Ｓｎの含有率を
２０原子％以下とするか、記録層を介して基板と反対側
にＡｕ，Ａｌなどの反射層を設けるのが好ましい。

【００３８】また、記録層３内における各成分の分布
は、均一であっても良いし、膜厚方向に濃度勾配を有し
ていても良い。例えば、Ｓｅ，Ｓについては、記録層３
の表層部により多く分布させた方が耐酸化性に優れると
いう点で好ましい。

【００３９】保護層４は、例えばＡｌＮ，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｓ
ｉＮ，ＳｉＯ₂などの無機材料、または光硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂などの有機材料をもって形成される。有機
物としては、例えばポリエチレン、ポリスチレン、ポリ
４フッ化エチレン（テフロン）、ポリイミド、アクリル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ホットメルト接着
剤、紫外線硬化樹脂、パラフィンなどが用いられる。こ
れらのうち、紫外線硬化樹脂などは耐摺動性に優れると
いう点で好ましい。熱可塑性樹脂は、案内溝の変形およ
びそれに伴う記録層の変形を容易にするという点で好ま
しい。熱可塑性樹脂、パラフィンは案内溝５ａの変形及
びそれに伴う記録層３の変形を容易にするという点で好
ましい。さらに、パラフィンは、分子量を選ぶことによ
って融点を選択できるので、熱設計が容易である。しか
し、パラフィン単独では保護効果が弱いので、この上に
紫外線硬化性樹脂膜などを積層することが好ましい。ま
た、気孔率の大きな有機材料を用いると、記録感度が向
上する効果がある。保護層４は、上記無機材料および有
機材料を用いて、異なる２層以上に形成することもでき
る。例えば、記録層３上にまずホットメルト接着剤など
の熱可塑性樹脂膜を形成し、次いで、ＡｌＮ，Ａｌ
₂Ｏ₃，ＳｉＮ，ＳｉＯ₂などの無機材料、または紫外線
硬化性樹脂などの光硬化性樹脂を形成すると、信号変調
度が大きく、記録感度が良好になり、かつ耐摺動性に優
れた媒体を得られる。

【００４０】上記記録層３および保護層４は、例えば真
空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸
着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、射出成
形、キャスティング、回転塗布、プラズマ重合など、公
知に属する任意の成膜方法から選択された適宜の方法を
用いて形成することができる。記録層など無機材料から
なる層は、すべてスパッタリングにより形成するのが最
も好ましい。また、保護層４に有機材料を用いる場合に
は、その材料に応じて、回転塗布やロールコータによる
成膜法が適用される。

【００４１】〈第２実施例〉本発明に係る光情報記録媒
体の第２実施例を、図５によって説明する。図５は本例
に係る光情報記録媒体の要部断面図である。本例の光情
報記録媒体は、第１実施例における記録層３を、それぞ
れ組成が異なる複数の薄膜の積層体にて形成したことを
特徴とする。なお、図５の例では、基板１の信号面２
に、第１の薄膜３ａと第２の薄膜３ｂとの積層体からな
る記録層３が設けられているが、記録層３の膜構成が２
層に限定されるものではなく、２層以上任意の数の薄膜
を積層して記録層３を形成することもできる。記録層３
の具体例としては、(1) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素を主成分と
する薄膜と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なく
とも１種類の元素を主成分とする薄膜とによって構成さ
れる２層以上の積層体にて形成されるもの、(2) 〔Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少なくと
も１種類の元素を主成分とする薄膜と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，
Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素を主成分と
する薄膜とによって構成される２層以上の積層体からな
り、該積層体の少なくとも１層に、〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈ
ｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選択された少
なくとも１種類の元素、もしくは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群
から選択された少なくとも１種類の元素を含むもの、
(3) 〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
少なくとも１種類の元素を主成分とする薄膜と、〔Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素を主成分とする薄膜とによって構成される２層以上の
積層体からなり、該積層体の少なくとも1層に、〔Ｓ
ｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選
択された少なくとも１種類の元素を含むもの、(4) 上記
(1)〜(3)の材料であって、融点が１０００℃以下、熱伝
導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、光吸収率が１５％以上とい
う３つの条件のうちの少なくとも１つの条件、より好ま
しくは上記３条件を全て満たすもの、を挙げることがで
きる。情報の記録方式で分類するならば、上記第１実施
例のものと同様に、基板の信号面にプリフォーマットさ
れた記録トラックに沿ってパルス状の光エネルギを走査
したとき、高レベルの光エネルギが走査された上記基板
の信号面または上記熱変形層の上記記録層と接する面の
形状が変形すると共に、(1) 該変形部に接する記録層の
少なくとも一部に、原子配列の変化を生じるもの、(2)
該変形部に接する記録層の少なくとも一部に、溶融混合
現象または拡散を生じるもの、(3) 該変形部に接する記
録層の少なくとも一部にも変形を生じるもの、(4) 該変
形部に接する上記基板もしくは上記熱変形層中、基板も
しくは熱変形層と記録層との間、記録層中のうちの少な
くとも１ヵ所に空洞が形成されるもの、を用いることが
できる。その他、記録層３以外の部分については、上記
第１実施例と同じであるので、重複を避けるため、説明
を省略する。

【００４２】〈第３実施例〉本発明に係る光情報記録媒
体の第３実施例を、図６によって説明する。図６は本例
に係る光情報記録媒体の要部断面図であって、前出の図
１と対応する部分に同一の符号が表示されている。図６
に示すように、本例の光情報記録媒体は、基板１と記録
層３との界面に、基板１よりも耐熱性の低い物質からな
る熱変形層１１を設けたことを特徴とする。熱変形層１
１を形成する物質としては、熱可塑性樹脂が特に好適で
ある。本例の光情報記録媒体は、基板１として、案内溝
２ａなどのプリフォーマットパターンが直接カッティン
グされた高耐熱性基板、例えばガラス基板や熱硬化性樹
脂などを用いた場合に特に効果があるが、低耐熱性の熱
可塑性樹脂基板やガラス板あるいは熱硬化性樹脂板など
の片面に光硬化性樹脂からなるレプリカ層が形成された
基板を用いることもできる。なお、図６においては、記
録層３が単層にて表されているが、第２実施例の光情報
記録媒体のように、複数の薄膜の積層体から記録層３を
形成することもできる。その他については、上記第１、
第２実施例と同じであり、重複を避けるため、説明を省
略する。

【００４３】〈第４実施例〉本発明に係る光情報記録媒
体の第４実施例を、図７によって説明する。図７は本例
に係る光情報記録媒体の要部断面図であって、前出の図
１と対応する部分に同一の符号が表示されている。図７
に示すように、本例の光情報記録媒体は、基板１と記録
層３との界面に、有機色素層１２を設けたことを特徴と
する。有機色素層１２を形成する有機色素材料として
は、例えばポリメチン系色素、アントラキノン系色素、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、キサンテン系
色素、トリフェニルメタン系色素、ピリリウム系色素、
アズレン系色素、含金属アゾ染料等の難水溶性の有機色
素材料を用いることができる。有機色素層１２は、上記
有機色素群から選択された１または２種類以上の混合体
の溶媒溶液を上記透明基板１の信号面２にスピンコート
することによって形成できる。なお、図７においては、
有機色素層１２が基板１上に直接形成されているが、第
３実施例の光情報記録媒体のように基板１の信号面２に
熱変形層１１を設け、この熱変形層１１上に有機色素層
１２を積層することもできる。また、図７においても記
録層３が単層にて表されているが、第２実施例の光情報
記録媒体のように、複数の薄膜の積層体から記録層３を
形成することもできる。その他については、上記第１、
第２、第３実施例と同じであるので、重複を避けるた
め、説明を省略する。

【００４４】〈第５実施例〉本発明に係る光情報記録媒
体の第５実施例を、図８によって説明する。図８は本例
に係る光情報記録媒体の要部断面図であって、前出の図
１と対応する部分に同一の符号が表示されている。図８
に示すように、本例の光情報記録媒体は、記録層３と保
護層４との界面に、反射層１３が設けられている。反射
層１３を形成する物質としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなど
の金属材料が特に好適である。なお、図８においても記
録層３が単層にて表されているが、第２実施例の光情報
記録媒体のように、複数の薄膜の積層体から記録層３を
形成することもできる。また図８においては記録層３が
基板１上に直接形成されているが、第３実施例の光情報
記録媒体のように基板１の信号面２に熱変形層１１を設
け、この熱変形層１１上に記録層３を積層することもで
きるし、また第４実施例の光情報記録媒体のように基板
１の信号面２に熱変形層１１および／または有機色素層
１２を設け、これらの薄膜上に記録層３を積層すること
もできる。その他については、上記第１〜第４実施例と
同じであるので、重複を避けるため説明を省略する。

【００４５】〈第６実施例〉本発明に係る光情報記録媒
体の第６実施例を、図９によって説明する。図９は本例
に係る光情報記録媒体の要部断面図であって、前出の図
１と対応する部分に同一の符号が表示されている。図９
に示すように、本例の光情報記録媒体は、基板１側から
見て記録層３の背面側に、中間層１４と反射層１３とを
順次積層したことを特徴とする。中間層１４の例を挙げ
ると、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓ
ｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｃｒ，Ｗよりなる群より選ばれた少なくとも１元素
の酸化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｂｉよりなる群より選ばれた少なくとも１元
素の硫化物またはセレン化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどの
弗化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂなどの窒化物、Ｂ，Ｓｉ
などの炭化物、Ｔｉなどのホウ化物、ホウ素、炭素より
なるものであって、例えば主成分がＣｅＯ₂，Ｌａ
₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｇｅ
Ｏ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｔ
ｅＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ
₂，Ｖ₂Ｏ₅，Ｎｂ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｃｄ
Ｓ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂Ｓ
ｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，
ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳ，ＳｎＳ₂，Ｓｎ
Ｓｅ，ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，Ｂ
ｉ₂Ｓ₃，ＭｇＦ₂，ＣｅＦ₃，ＣａＦ₂，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ
₄，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，ＳｉＣ，
Ｂ，Ｃのうちの一者に近い組成を持ったもの、およびこ
れらの混合物である。これらのうち、硫化物では、Ｚｎ
Ｓに近いものが、屈折率が適当な大きさで膜が安定であ
る点で好ましい。窒化物では、表面反射率があまり高く
なく、膜が安定かつ強固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ
₃Ｎ₄，ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、またはＡｌＳｉＮ
₂に近い組成のものが好ましい。酸化物では、Ｙ₂Ｏ₃，
Ｓｃ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＳｉＯ，Ｔａ₂
Ｏ₅,Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｎＯ₂，ＳｉＯ₂に近い組成
のものが好ましい。Ｓｉの水素を含む非晶質も好まし
い。反射層１３を形成する物質としては、上記第５実施
例と同様に、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属材料が用いら
れる。なお、図９においても記録層３が単層にて表され
ているが、第２実施例の光情報記録媒体のように、複数
の薄膜の積層体から記録層３を形成することもできる。
また図９においては記録層３が基板１上に直接形成され
ているが、第３実施例の光情報記録媒体のように基板１
の信号面２に熱変形層１１を設け、この熱変形層１１上
に記録層３を積層することもできるし、また第４実施例
の光情報記録媒体のように基板１の信号面２に熱変形層
１１および／または有機色素層１２を設け、これらの薄
膜上に記録層３を積層することもできる。その他につい
ては、上記第１〜第４実施例と同じであるので、重複を
避けるため説明を省略する。

【００４６】以下、情報記録装置と、上記情報記録媒体
における情報の記録原理と、ＣＤプレーヤやＶＤプレー
ヤにおける再生原理について説明する。

【００４７】図１０は、本発明に係る光情報記録装置の
説明図であって、上記各実施例に係る光情報記録媒体２
１のいずれかを着脱自在に装着して回転駆動するスピン
ドルモータ２２と、情報記録媒体２１の基板１と対向に
配置された対物レンズ２３と、レーザ光源２４と、レー
ザ駆動回路２５と、信号源２６と、信号源２６から入力
された信号を加工して情報記録媒体２１に記録すべき信
号を生成する記録信号発生回路２７とを備えている。

【００４８】媒体駆動部２２、対物レンズ２３、レーザ
光源２４は、公知に属する追記形の光情報記録媒体駆動
装置に搭載されるものと同じものを用いることができ
る。

【００４９】信号源２６としては、ＣＤプレーヤ、レコ
ードプレーヤ、オーディオテープデッキ、ラジオ、ＶＤ
プレーヤ、ビデオテープデッキ、テレビジョンなどを用
いることができる。これらの信号源２６は、本発明の情
報記録装置自体に搭載することもできるし、外部の機器
を接続することもできる。

【００５０】記録信号発生回路２７は、信号源２６から
入力されたアナログ信号をディジタル信号に変換すると
共に、このディジタル信号｛図１１（ａ）｝をＣＤやＶ
Ｄで採用されている変調方式（例えば、ＣＤではＥＦＭ
変調）で信号変調して、ＣＤプレーヤやＶＤプレーヤか
ら読み出される信号強度に対応する強度のパルス状の記
録信号{図１１(ｂ)}を出力する。

【００５１】レーザ駆動回路２５は、図１１（ｃ）に示
すように、記録信号の高レベルの信号に対応して高レベ
ルのレーザビームを光情報記録媒体２１に照射し、また
記録信号の低レベルの信号に対応して低レベルのレーザ
ビームを光情報記録媒体２１に照射するようにレーザ光
源２４を駆動し、レーザビーム２９を強度変調する。

【００５２】ここで、上記低レベルのレーザビームの強
度は、当該レベルのレーザビームが走査された部分の光
情報記録媒体２１の反射率が変化しないような値に調整
される。これに対して、上記高レベルのレーザビームの
強度は、光情報記録媒体２１に設けられた記録層３の種
類に応じて、以下のように調整される。すなわち、 基板１の信号面２または熱変形層６の記録層３と接す
る面の形状を変形すると共に、該変形部に接する記録層
３の少なくとも一部に原子配列の変化を生じて情報の追
記を行なう光情報記録媒体については、基板１または熱
変形層６それに記録層３にかかる熱的変形を生じさせ得
る強度に調整される。

【００５３】基板１の信号面２または熱変形層６の記
録層３と接する面の形状を変形すると共に、該変形部に
接する記録層の少なくとも一部に溶融混合現象または拡
散を生じて情報の追記を行なう光情報記録媒体について
は、基板１または熱変形層６それに記録層３にかかる熱
的変形を生じさせ得る強度に調整される。

【００５４】基板１の信号面２または熱変形層６の記
録層３と接する面の形状を変形すると共に、該変形部に
接する記録層の少なくとも一部にも変形を生じて情報の
追記を行なう光情報記録媒体については、基板１または
熱変形層６それに記録層３にかかる熱的変形を生じさせ
得る強度に調整される。

【００５５】基板１の信号面２または熱変形層６の記
録層３と接する面の形状を変形すると共に、該変形部に
接する上記基板もしくは上記熱変形層中、基板もしくは
熱変形層と記録層との間、記録層中のうちの少なくとも
１ヵ所に空洞が形成されて情報の追記を行なう光情報記
録媒体については、基板１または熱変形層６それに記録
層３にかかる熱的変形を生じさせ得る強度に調整され
る。

【００５６】基板１の変形を伴わずに、基板と記録層
との間、記録層中のうちの少なくとも１ヵ所に空洞が形
成されて情報の追記を行なう光情報記録媒体について
は、記録層３にかかる熱的変形を生じさせ得る強度に調
整される。

【００５７】次に、上記装置を用いた光情報記録媒体の
記録原理とＣＤプレーヤ等における方法の再生原理を、
基板１にプリフォーマットされた案内溝５ａ上に情報を
追記する場合を例に取って説明する。

【００５８】〈記録再生原理の第１例〉上記のように強
度変調されたレーザビーム６を上記案内溝５ａ上に走査
すると、高レベルのレーザビームが照射された部分で
は、その光エネルギーが上記記録層３によって熱エネル
ギーに変換され、その熱によって図１２に示すように上
記案内溝５ａが熱変形されて扁平な形になる。また、こ
れと共に、その変形部８に接した上記記録層３の一部
（ハッチング部）に原子配列の変化７、例えば結晶粒径
や結晶系の変化、非晶質状態と結晶状態の変化、拡散な
どを生じ、該部に再生用レーザ光を照射したときの反射
率が増加する。一方、低レベルのレーザビームが照射さ
れた部分では、高い熱が発生しないので、案内溝５ａの
形状や記録層３の状態が原状のまま保存され、反射率が
増加しない。

【００５９】図１１（ｄ）に、光情報記録媒体２１に記
録された高反射率部３１と低反射率部３２の配列を示
す。ここで、高反射率部３１が記録ピッチに対応する。
上記したように、本装置は、信号源２６から読み出され
る信号強度に対応する記録信号の高レベルの信号に対応
して高レベルのレーザビームを照射し、記録信号の低レ
ベルの信号に対応して低レベルのレーザビームを照射し
たので、該記録信号の低レベルの開始位置および終了位
置、すなわち低反射率部３２の前端と後端とに１の情報
が、その他の部分に０の情報が割り当てられる。これに
より、所望の情報が、反射率の変化として光情報記録媒
体２１に記録される。

【００６０】このようにして情報が追記された情報記録
媒体２１をＣＤプレーヤまたはＶＤプレーヤにかける
と、図１１（ｅ）に示すように、通常のＣＤまたはＶＤ
と同様に、信号部が低レベルの反射信号として読み出さ
れ、情報の再生が行われる。ここで、信号源２６として
ＣＤプレーヤを用い、信号源の媒体としてＣＤ−ＲＯＭ
を用いた場合、ＣＤ−ＲＯＭのピット列は、図１１
（ｆ）に示すようになる。３３が記録ビットである。か
ように、本例においては、ピット列が信号源の媒体と反
転した形で形成される。なお、図１２においては、熱変
形層を有しない場合について図示されているが、熱変形
層を有する場合には基板１に代えてこの熱変形層が変形
し、上記と同様の原理で情報の記録が行なわれる。

【００６１】〈記録再生原理の第２例〉記録層３が多層
に形成された光情報記録媒体にあっては、図１３に示す
ように、高レベルのレーザビーム６が照射された部分の
案内溝５ａが熱変形されて扁平な形に変形すると共に、
その変形部８に接した上記記録層３の一部（ハッチング
部）に溶融混合現象７を生じ、該部に再生用レーザ光を
照射したときの反射率が増加する。一方、低レベルのレ
ーザビームが照射された部分では、高い熱が発生しない
ので、案内溝５ａの形状や記録層３の状態が原状のまま
保存され、反射率が増加しない。これによって、光情報
記録媒体２１に記録信号に対応する高反射率部と低反射
率部とが形成され、情報の記録が行なわれる。信号すな
わち高反射率部と低反射率部の配列、およびＣＤプレー
ヤまたはＶＤプレーヤにおける再生原理については、第
１例と同じであるので説明を省略する。なお、図１３に
おいては、熱変形層を有しない場合について図示されて
いるが、熱変形層を有する場合には基板１に代えてこの
熱変形層が変形し、上記と同様の原理で情報の記録が行
なわれる。

【００６２】〈記録再生原理の第３例〉第３例は、記録
層３に原子配列の変化や溶融混合現象を生じることなく
情報の記録が行なわれる場合の例である。記録層３に原
子配列の変化や溶融混合現象を生じるか否かは、記録層
３の組成や膜構造などによって決まる。この場合には、
図１４に示すように、高レベルのレーザビームが照射さ
れた部分の案内溝５ａが熱変形されて扁平な形に変形す
ると共に、その変形部に接した上記記録層３の一部が案
内溝５ａの変形にともなって変形し、該部に再生用レー
ザ光を照射したときの反射率が増加する。一方、低レベ
ルのレーザビームが照射された部分では、高い熱が発生
しないので、案内溝５ａの形状や記録層３の状態が原状
のまま保存され、反射率が増加しない。これによって、
光情報記録媒体２１に記録信号に対応する高反射率部と
低反射率部とが形成され、情報の記録が行なわれる。信
号すなわち高反射率部と低反射率部の配列、およびＣＤ
プレーヤまたはＶＤプレーヤにおける再生原理について
は、第１例と同じであるので説明を省略する。

【００６３】なお、変形後の案内溝５ａの形状は、必ず
しも図１４に示すような形状となる必要はなく、回折光
を減少させるか、干渉効果を低減させるような形状とな
ればよい。例えば、図１５に示すように、案内溝５ａの
底面が波形になってもよい。また、記録層３の基板１と
接しない側は、変形してもよいし、変形しなくてもよ
い。さらに、図１４においては、熱変形層を有しない場
合について図示されているが、熱変形層を有する場合に
は基板１に代えてこの熱変形層が変形し、上記と同様の
原理で情報の記録が行なわれる。

【００６４】〈記録再生原理の第４例〉第４例は、基板
もしくは熱変形層中、基板もしくは熱変形層と記録層と
の間、記録層中のうちの少なくとも１ヵ所に空洞が形成
されて、情報の記録が行なわれる場合の例である。上記
部分に空洞を生じるか否かは、記録層３の組成や膜構
造、基板１の熱分解温度などによって決まる。

【００６５】図１１（ａ），（ｂ），（ｃ）のようにし
て強度変調されたレーザビームを上記案内溝５ａ上に走
査すると、高レベルのレーザビームが照射された部分で
は、その光エネルギーが上記記録層３によって熱エネル
ギーに変換され、その熱によって基板１が熱分解する。
このとき発生したガスによって、図１６に示すような空
洞Ａが生じ、案内溝５ａが変形すると共に、それに接し
た上記記録層３の一部も変形し、この変形部に再生用レ
ーザ光を照射したときの反射率が増加する。一方、低レ
ベルのレーザビームが照射された部分では、高い熱が発
生しないので、案内溝５ａの形状や記録層３の状態が原
状のまま保存され、反射率が増加しない。これによっ
て、光情報記録媒体２１に記録信号に対応する高反射率
部と低反射率部とが形成され、情報の記録が行なわれ
る。

【００６６】なお、変形後の案内溝５の形状は、必ずし
も図１６に示すような形状となる必要はなく、回折光を
減少させるか、干渉効果によって反射率が増加するよう
な空洞Ａが形成されればよい。例えば、図１７に示すよ
うに、基板１と記録層３の間に空洞Ａが形成されてもよ
いし、記録層３中に空洞Ａが形成されてもよい。もちろ
ん、基板１中、基板１と記録層３の間または記録層３中
のうちの２ヵ所以上に空洞Ａが形成されてもよい、ま
た、記録層３の基板１と接しない側は、記録層３が比較
的薄い場合には変形した方が反射率が大きくなるが、記
録層３が比較的厚い場合には変形してもよいし、また変
形しなくてもよい。

【００６７】また、図１８（ａ），（ｂ）に示すよう
に、基板１の表面、記録層３の基板１側の表面、記録層
３の基板１と反対側の表面のうち、変形しない部分があ
ってもよい。さらに、空洞Ａは必ずしも１つである必要
はなく、図１８（ｃ）に示すように、２つ以上の空洞か
らなってもよい。

【００６８】空洞Ａは、基板または熱変形層、記録層の
温度が上がり、これらに含まれる物質またはその分解物
がガスになることによって形成される。基板１がプラス
チックからなるときは、離型剤や熱安定剤などの場合も
ある。ガスの種類は、炭化水素、水素、酸素、窒素、Ｈ
₂Ｏ，Ａｒ，ＣＯ，Ｃｏ₂などである。基板または熱変形
層中、基板または熱変形層と記録層との間に空洞が形成
される場合、これらの熱分解温度が低いと、光エネルギ
が小さくてもガスが発生しやすいので空洞が形成されや
すく、記録感度が良好となる。基板または熱変形層が低
分子量成分を多く含む場合も、上記と同様の効果があ
る。しかし、低分子量成分の含有率が多すぎると、記録
層が腐食されやすくなる。基板または熱変形層と記録層
との間、あるいは記録層中に空洞が形成される場合、記
録層中に窒素、酸素、Ａｒなどの元素を含めば、これら
がガス状となり空洞が形成されやすいが、多く含みすぎ
るとこれらの元素が記録層から抜け出し、記録感度の経
時変化を引き起こしやすくなるので好ましくない。

【００６９】一般に、光情報記録媒体に、レーザ光など
の光エネルギを案内溝上に照射すると、光の回折や干渉
によって反射率（ディテクタへの戻り量）が低下するが
（図１９）、案内溝に所定の大きさの光エネルギを照射
すると、基板または熱変形層中、基板または熱変形層と
記録層との間、記録層中のうちの少なくとも１ヵ所に空
洞Ａが形成されて多重干渉効果が生じ、反射率が向上す
る効果がある〔図２０（ａ），（ｂ），（ｃ）〕。した
がって、ミラー部の反射率が７０％以下の媒体において
も高い反射率を得ることができる。例えば、反射率５５
％の媒体の基板１と記録層３の間に空洞Ａが形成された
場合の反射率の空洞の厚さ依存性を図２１に示す。図に
示すとおり、空洞Ａの厚さが約１００ｎｍ〜２５０ｎｍ
のとき、反射率が７０％以上となる。このように、空洞
Ａの形成を伴う変形部の反射率を７０％以上とすること
が可能である。しかも、案内溝の断面形状、深さ、幅を
適当に選定することによって、１１Ｔ信号記録時の信号
変調度を６０％以上に、３Ｔ信号記録時の信号変調度を
３０％〜７０％にすることができる。

【００７０】以下に、本発明の他の実施例を列挙する。 （１）上例では、案内溝５ａ上に情報を記録する場合を
例に取って説明したが、相隣接する案内溝の間のミラー
部に沿って強度変調された光エネルギを走査し、ミラー
部に熱的変形を生じることによって情報を記録すること
もできる。

【００７１】（２）上例では、低レベルの光エネルギが
走査された部分の反射率が変化しないように光エネルギ
の強度を調整したが、必要な信号変調度が得られる場合
には、低レベルの光エネルギが走査された部分の反射率
がある程度変化するような値に光エネルギの強度を調整
することもできる。

【００７２】（３）上例では、案内溝５ａの変形と記録
層の熱的変形の双方によって情報を記録するようにした
が、必要な信号変調度が得られる場合には、記録層の熱
的変形のみで情報を記録することもできる。

【００７３】（４）上例においては、情報記録媒体２１
に情報を記録するためのエネルギ源としてレーザ光源を
用いたが、電子線源など他の放射線エネルギ源を用いる
こともできる。

【００７４】（５）上例では、ＣＤプレーヤもしくはＶ
Ｄプレーヤで再生可能な情報を情報記録媒体２１に記録
するため、低反射率部３２の前端と後端とに１の情報
を、その他の部分に０の情報を割り当てる、いわゆるピ
ットエッジ記録方式にて情報の記録を行ったが、ピット
ポジション記録方式など他の記録方式で情報が記録され
た情報記録媒体を装着して情報の再生を行うタイプのプ
レーヤで再生可能な情報を情報記録媒体２１に記録する
場合には、記録信号発生回路２７を適宜変更することに
よって、各プレーヤに合致した所望の記録方式で情報の
記録を行うこともできる。

【００７５】（６）上例では、ディスク状記録媒体に好
適な装置を例にとって説明したが、媒体駆動部２２など
を変更することによってカード状記録媒体に好適な装置
とすることもできる。

【００７６】（７）上例では、記録専用の装置を例にと
って説明したが、ＣＤプレーヤやＶＤプレーヤに組み込
んで、記録再生装置とすることもできる。

【００７７】（８）上例では、基板１のほぼ全域にわた
って信号パターン５ａ，５ｂを形成し、情報の追記がで
きるようにしたが、図２２に示すように、基板１の記録
領域をＲＯＭ領域４１と追記領域４２とに分け、ＲＯＭ
領域４１にはＲＯＭ情報をＣＤフォーマットに適合した
プリピットの形で記録し、追記領域４２には上記の信号
パターンを形成して情報の追記ができるようにすること
もできる。

【００７８】以下に、より具体的な実験例を示し、本発
明の効果を明らかにする。 〈実験例１〉直径１２ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカー
ボネート基板を、複数のターゲットを持ち、膜厚の均一
性および再現性の良いマグネトロンスパッタリング装置
に入れ、基板上に記録層である厚さが約８０ｎｍのＡｕ
₇₀Ｇｅ₃₀の組成の薄膜を形成し、次いでこの薄膜上に紫
外線硬化樹脂による保護層を１００μｍの厚さに形成し
た。

【００７９】上記のように作成した光ディスクを用い
て、下記の条件で情報の記録・再生を行った。まず、光
ディスクの線速を１．２ｍ／ｓとし、半導体レーザ（波
長７８０ｎｍ）の光を記録が行われないレベル（約１ｍ
Ｗ）に保った。この光を記録ヘッド中のレンズで集光し
て基板を通して記録層に照射し、反射光を検出すること
によって、トラッキング用の案内溝上に光スポットの中
心が一致するように記録ヘッドを駆動した。このように
してトラッキングを行いながら、さらに記録層上に焦点
が来るように自動焦点合わせを行い、レーザ光を照射し
てピットを形成した。続いて、記録時と同じようにトラ
ッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録が行われ
た低パワーの半導体レーザ光で反射光の強弱を検出し、
情報を再生した。

【００８０】本実験例では、再生光パワーを１ｍＷとし
たときに、ディスクのミラー部で約４５０ｍＶの信号強
度が得られた。これは市販のＣＤとほぼ同じレベルであ
る。また、記録パワーを７ｍＷとし、周波数１９６ＫＨ
ｚの信号（１１Ｔ信号）を記録したときに、約７０％の
信号変調度が得られた。

【００８１】ディスクから上記の方法で記録を行ったト
ラックを含む小片を切り出し、これをテトラヒドロフラ
ンに浸してポリカーボネートを溶かし、記録層のみを取
り出した。これを透過電子顕微鏡により観察した結果、
未記録部分は結晶状態、記録部分は非晶質状態であっ
た。また、記録済みのトラックを含む小片から記録層の
みを除去して走査電子顕微鏡により観察した。その結
果、記録部分の基板の変形を確認した。このように、記
録層の原子配列変化および基板変形の両方を起すことに
よって記録を行い、大きな信号変調度を得ることは、本
発明の特徴の１つである。

【００８２】案内溝上に行ったのと同様の方法で相隣接
する溝間に記録を行ったところ、良く似た特性が得られ
た。ただし、信号変調度は、溝上記録に比べて少し小さ
くなった。

【００８３】本実験例の媒体は、耐環境性にも優れてお
り、気温８０℃相対湿度９０％の環境下に１０００時間
置いた後でも、反射率および透過率はほとんど変化しな
かった。

【００８４】なお、Ａｕの一部または全部を置換してＡ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌのうちの少なくとも１元素を添加して
も、良く似た特性が得られた。また、Ｇｅの一部または
全部を置換してＳｉおよびＳｎのうちの少なくとも１元
素を添加しても、良く似た特性が得られた。

【００８５】また、上記の光情報記録媒体において、基
板側から見て記録層の背面側に反射層を設けると、再生
出力信号が向上した。また、記録層と上記反射層との間
に中間層を設けると、記録感度が向上した。中間層とし
ては、ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｉｎ
₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｙ
₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，Ｖ₂Ｏ₅，Ｎｂ₂Ｏ₅，Ｃｒ
₂Ｏ₃，ＷＯ₂，ＷＯ₃，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，
Ｇａ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ₂，ＳｎＳ，ＳｎＳ₂，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ₂，Ｐｂ
Ｓ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，Ｂｉ₂Ｓ₃，ＭｇＦ₂，Ｃｅ
Ｆ₃，ＣａＦ₂，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓ
ｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの一者に近
い組成を持ったもの、およびこれらの混合物を用いたと
きに、特に効果があった。

【００８６】さらに、基板として、ポリカーボネートの
代りに、表面に直接案内溝などの信号パターンが形成さ
れたポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂を用いた
場合にも、上記とほぼ同様の結果が得られた。

【００８７】〈実験例２〉直径１２ｃｍ、厚さ１．２ｍ
ｍのポリカーボネート基板を、膜厚の均一性および再現
性の良いマグネトロンスパッタリング装置にセットし、
基板上に記録層である厚さが約３０ｎｍのＡｕ₇₀Ｓｎ₃₀
の組成の薄膜を形成した。

【００８８】上記のように作製した光ディスクを用い
て、下記の条件で情報の記録・再生を行った。まず、光
ディスクの線速を１．２ｍ／ｓとし、半導体レーザ（波
長７８０ｎｍ）の光を記録が行われないレベル（約１ｍ
Ｗ）に保った。この光を記録ヘッド中のレンズで集光し
て基板を通して記録層に照射し、反射光を検出すること
によって、記録層上に焦点が来るように自動焦点合わせ
を行った。このようにして自動焦点合わせを行ないなが
ら、さらにトラッキング用の案内溝上に光スポットの中
心が一致するようにヘッドを駆動してトラッキングを行
ない、レーザ光を照射して高反射率部を形成させた。続
いて、記録時と同じように自動焦点合わせとトラッキン
グを行いながら、低パワーの半導体レーザ光で反射光の
強弱を検出し、情報を再生した。

【００８９】本実験例では、再生光パワーを１ｍＷとし
たときに、約１２０ｍＶの信号強度が得られた。次に、
記録パワーを７ｍＷとし、周波数１９６ＫＨｚの信号
（１１Ｔ信号）を記録したところ、記録部の再生強度は
約４５０ｍＶとなった。これは市販のＣＤとほぼ同じレ
ベルである。このディスクのミラー部の再生強度は約４
００ｍＶであった。

【００９０】また、７２０ＫＨｚ（３Ｔ信号）を記録し
たところ、信号振幅は１５０ｍＶとなった。このとき記
録パルス幅を短くすると、再生信号波形はより対称的に
なり、信号振幅も向上した。

【００９１】ディスクから３Ｔ信号を記録したトラック
を含む小片を切り出し、これをテトラヒドロフランに浸
してポリカーボネートを溶かし、記録層のみを取り出し
た。これを透過電子顕微鏡により観察した結果、未記録
部分は粒径の小さな結晶状態で、記録部分は粒径の大き
な結晶状態を示した。記録部分は、記録層が一旦溶解
し、冷却過程で結晶化したため、結晶が放射状に成長し
たものであった。

【００９２】大きさは、長さ、幅ともに約１．５μｍで
あった。また、記録済みのトラックを含む小片を王水に
浸して記録層のみを除去した。これを走査電子顕微鏡に
より観察した結果、記録部分の案内溝が扁平な形状に変
形していることを確認した。大きさは、長さが約０．８
μｍ、幅が約０．７μｍであった。王水に浸す時間を長
くした資料を、同じく走査顕微鏡で観察すると、長さが
約０．８μｍ、幅が約０．７μｍの孔が観察された。こ
れは、記録の過程で基板中に形成された空洞である。こ
のように、案内溝の変形のみならず、記録層の原子配列
変化を起こせば、より大きな信号変調度を得ることがで
きる。

【００９３】上記の記録層において、Ａｕ含有量（原子
％）を変化させたとき、記録部の再生出力信号レベル
（ｍＶ）および記録パワー（ｍＷ）は、図２３に示すよ
うに変化した。また、上記のディスクにおいて、分解温
度（℃）の異なる基板を用いたとき、記録パワー（ｍ
Ｗ）は、図２４に示すように変化した。さらに、上記の
記録層において、ＡｕとＳｎの含有率の比を一定に保っ
てＴｉを添加したとき、記録部の再生出力信号レベル
（ｍＶ）およびノイズレベル（ｄＢｍ）は、図２５に示
すように変化した。

【００９４】本実験例で例示した媒体は、耐環境性にも
優れており、気温８０℃相対湿度９０％の環境下に１０
００時間置いた後でも、反射率および透過率はほとんど
変化しなかった。

【００９５】なお、Ａｕの一部または全部を置換してＡ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌのうちの少なくとも１元素を添加して
も、良く似た特性が得られた。また、Ｓｎの一部または
全部を置換してＧｅおよびＳｉのうちの少なくとも１元
素を添加しても、良く似た特性が得られた。Ｓｎの一部
または全部を置換してＰｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，
Ｂｉ，Ｚｎのうちの少なくとも１元素を添加しても、良
く似た特性が得られた。しかし、このときの反射率ある
いは記録感度はやや低下した。

【００９６】また、上記の光情報記録媒体において、記
録層の上にロールコータによってホットメルト接着剤層
を形成し、その後回転塗布法によって、紫外線硬化樹脂
による保護膜を約１００μｍの厚さに形成したものは、
記録感度はやや低下したが、よく似た特性が得られた。
ホットメルト接着剤の代りに他の熱可塑性樹脂やパラフ
ィンを用いても、ホットメルト接着剤を用いた場合と同
様の特性が得られた。

【００９７】また、上記の光情報記録媒体において、基
板側から見て記録層の背面側に反射層を設けると、再生
出力信号が向上した。また、記録層と上記反射層との間
に中間層を設けると、記録感度が向上した。中間層とし
ては、ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｉｎ
₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｙ
₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，Ｖ₂Ｏ₅，Ｎｂ₂Ｏ₅，Ｃｒ
₂Ｏ₃，ＷＯ₂，ＷＯ₃，ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，Ｚｎ
Ｓｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，
Ｇａ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ
ｅ₂，ＳｎＳ，ＳｎＳ₂，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ₂，Ｐｂ
Ｓ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，Ｂｉ₂Ｓ₃，ＭｇＦ₂，Ｃｅ
Ｆ₃，ＣａＦ₂，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓ
ｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ，Ｃのうちの一者に近
い組成を持ったもの、およびこれらの混合物を用いたと
きに、特に効果があった。

【００９８】さらに、基板として、ポリカーボネートの
代りに、表面に直接案内溝などの信号パターンが形成さ
れたポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂を用いた
場合にも、上記とほぼ同様の結果が得られた。

【００９９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ＣＤプレーヤやＶＤプレーヤで再生可能な信号を記録で
き、かつ耐候性に優れた信頼性の高い光情報記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。

【図２】第１実施例に係る光情報記録媒体の平面図であ
る。

【図３】案内溝の形状を例示する断面図である。

【図４】案内溝の溝深さと溝幅と信号変調度との関係を
示すグラフ図である。

【図５】第２実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。

【図６】第３実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。

【図７】第４実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。

【図８】第５実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。

【図９】第６実施例に係る光情報記録媒体の要部断面図
である。

【図１０】本発明に係る光情報記録装置の説明図であ
る。

【図１１】光情報記録媒体に対する信号の記録方式を示
すタイミング図である。

【図１２】記録時の案内溝及び記録層の形状の第１例を
示す要部断面図である。

【図１３】記録時の案内溝及び記録層の形状の第２例を
示す要部断面図である。

【図１４】記録時の案内溝及び記録層の形状の第３例を
示す要部断面図である。

【図１５】記録時の案内溝及び記録層の形状の第４例を
示す要部断面図である。

【図１６】記録時の案内溝及び記録層の形状の第５例を
示す要部断面図である。

【図１７】記録時の案内溝及び記録層の形状の第６例を
示す要部断面図である。

【図１８】空洞形成部の他の例を示す断面図である。

【図１９】光情報記録媒体の情報再生方式を示す説明図
である。

【図２０】空洞の効果を示す説明図である。

【図２１】光情報記録媒体の反射率と空洞との関係を示
すグラフ図である。

【図２２】光情報記録媒体の他の例を示す平面図であ
る。

【図２３】Ａｕ−Ｓｎ合金系記録層におけるＡｕ含有量
と記録部の再生出力信号レベルおよび記録パワーとの関
係を示す説明図である。

【図２４】Ａｕ−Ｓｎ合金系記録層を担持した基板の分
解温度と記録パワーとの関係を示す説明図である。

【図２５】Ａｕ−Ｓｎ合金系記録層におけるＴｉ添加率
と記録部の再生出力信号レベルおよびノイズレベルとの
関係を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 信号面 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ａ 案内溝 ５ｂ プリピット列 １１ 熱変形層 Ａ 空洞

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−298805 (32)優先日 平２(1990)11月６日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−78792 (32)優先日 平３(1991)４月11日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−113707 (32)優先日 平３(1991)４月19日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−188239 (32)優先日 平３(1991)７月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 遊佐 敦 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 亀崎 久光 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の信号面に、少なくとも記録層を含
   む１層または多層の薄膜を担持してなる光情報記録媒体
   において、上記基板の信号面に、直接または上記基板よ
   りも耐熱性の低い物質からなる熱変形層を介して、少な
   くとも膜面方向の一部に〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元
   素群から選択された少なくとも１種類の元素を主成分と
   する合金部を有する記録層を設けたことを特徴とする光
   情報記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１記載において、上記記録層が、
   〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少な
   くとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇ
   ａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択さ
   れた少なくとも１種類の元素とを主成分とする均一組成
   の合金にて形成されていることを特徴とする光情報記録
   媒体。
3. 【請求項３】 請求項１記載において、上記記録層が、
   〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少な
   くとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇ
   ａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択さ
   れた少なくとも１種類の元素とを主成分とする合金製で
   あって、組成が膜厚方向に変化している材料にて形成さ
   れていることを特徴とする光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１記載において、上記記録層が、
   〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少な
   くとも１種類の元素を主成分とする薄膜と、〔Ｇｅ，Ｓ
   ｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚ
   ｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素を主
   成分とする薄膜とによって構成される２層以上の積層体
   にて形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１記載において、上記記録層が、
   〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少な
   くとも１種類の元素と、〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａ
   ｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選択された少なくとも１種
   類の元素、もしくは〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択され
   た少なくとも１種類の元素とを含む材料にて形成されて
   いることを特徴とする光情報記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項１記載において、上記記録層が、
   〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少な
   くとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇ
   ａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択さ
   れた少なくとも１種類の元素とを主成分とし、〔Ｎ，
   Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群から選
   択された少なくとも１種類の元素、もしくは〔Ｂ，Ｃ，
   Ｐ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素とを
   含む材料にて形成されていることを特徴とする光情報記
   録媒体。
7. 【請求項７】 請求項５または６記載において、上記記
   録層が、均一組成の材料にて形成されていることを特徴
   とする光情報記録媒体。
8. 【請求項８】 請求項５または６記載において、上記記
   録層が、膜厚方向に組成が変化している材料にて形成さ
   れていることを特徴とする光情報記録媒体。
9. 【請求項９】 請求項５または６記載において、上記記
   録層が、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択さ
   れた少なくとも１種類の元素を主成分とする薄膜と、
   〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，
   Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種類の
   元素を主成分とする薄膜とによって構成される２層以上
   の積層体からなり、該積層体の少なくとも１層に、
   〔Ｎ，Ｏ，Ｈ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ〕元素群
   から選択された少なくとも１種類の元素、もしくは
   〔Ｂ，Ｃ，Ｐ〕元素群から選択された少なくとも１種類
   の元素を含む材料にて形成されていることを特徴とする
   光情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 請求項１記載において、上記記録層
    が、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
    少なくとも１種類の元素と、〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
    Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
    ｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，
    Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選択された少なくとも１
    種類の元素とを含む材料にて形成されていることを特徴
    とする光情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 請求項１記載において、上記記録層
    が、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された
    少なくとも１種類の元素と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐ
    ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から
    選択された少なくとも１種類の元素を主成分とし、〔Ｓ
    ｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚ
    ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｃｄ，Ｈ
    ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素群から選
    択された少なくとも１種類の元素を含む材料にて形成さ
    れていることを特徴とする光情報記録媒体。
12. 【請求項１２】 請求項１０または１１記載において、
    上記記録層が、膜厚方向に均一組成の材料にて形成され
    ていることを特徴とする光情報記録媒体。
13. 【請求項１３】 請求項１０または１１記載において、
    上記記録層が、膜厚方向に組成が変化している材料にて
    形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
14. 【請求項１４】 請求項１０または１１記載において、
    上記記録層が、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から
    選択された少なくとも１種類の元素を主成分とする薄膜
    と、〔Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓ
    ｂ，Ｂｉ，Ｚｎ〕元素群から選択された少なくとも１種
    類の元素を主成分とする薄膜とによって形成される２層
    以上の積層体からなり、上記記録層の少なくとも１層
    に、〔Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
    ｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
    Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ〕元素
    群から選択された少なくとも１種類の元素とを含む材料
    にて形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
15. 【請求項１５】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板の信号面にプリフォーマットされた記録ト
    ラックに沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、
    高レベルの光エネルギが走査された上記基板の信号面ま
    たは上記熱変形層の上記記録層と接する面の形状が変形
    すると共に、該変形部に接する記録層の少なくとも一部
    に原子配列の変化を生じ、高レベルの光エネルギが走査
    された部分の反射率が低レベルの光エネルギが照射され
    た部分の反射率と異なることにより情報の追記が行なわ
    れることを特徴とする光情報記録媒体。
16. 【請求項１６】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板の信号面にプリフォーマットされた記録ト
    ラックに沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、
    高レベルの光エネルギが走査された上記基板の信号面ま
    たは上記熱変形層の上記記録層と接する面の形状が変形
    すると共に、該変形部に接する記録層の少なくとも一部
    に溶融混合現象または拡散を生じ、高レベルの光エネル
    ギが走査された部分の反射率が低レベルの光エネルギが
    照射された部分の反射率と異なることにより情報の追記
    が行なわれることを特徴とする光情報記録媒体。
17. 【請求項１７】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板の信号面にプリフォーマットされた記録ト
    ラックに沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、
    高レベルの光エネルギが走査された上記基板の信号面ま
    たは上記熱変形層の上記記録層と接する面の形状が変形
    すると共に、該変形部に接する記録層の少なくとも一部
    にも変形を生じ、高レベルの光エネルギが走査された部
    分の反射率が低レベルの光エネルギが照射された部分の
    反射率と異なることにより情報の追記が行なわれること
    を特徴とする光情報記録媒体。
18. 【請求項１８】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板の信号面にプリフォーマットされた記録ト
    ラックに沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、
    高レベルの光エネルギが走査された上記基板の信号面ま
    たは上記熱変形層の上記記録層と接する面の形状が変形
    すると共に、該変形部に接する上記基板もしくは上記熱
    変形層中、基板もしくは熱変形層と記録層との間、記録
    層中のうちの少なくとも１ヵ所に空洞が形成され、高レ
    ベルの光エネルギが走査された部分の反射率が低レベル
    の光エネルギが照射された部分の反射率と異なることに
    より情報の追記が行なわれることを特徴とする光情報記
    録媒体。
19. 【請求項１９】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板の信号面にプリフォーマットされた記録ト
    ラックに沿ってパルス状の光エネルギを走査したとき、
    基板の変形を伴わずに、高レベルの光エネルギが走査さ
    れた部分の基板と記録層との間、記録層中のうちの少な
    くとも１ヵ所に空洞が形成され、高レベルの光エネルギ
    が走査された部分の反射率が低レベルの光エネルギが照
    射された部分の反射率と異なることにより情報の追記が
    行なわれることを特徴とする光情報記録媒体。
20. 【請求項２０】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記記録層として、融点が１０００℃以下、熱伝導
    率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、光吸収率が１５％以上という
    ３つの条件のうちの少なくとも１つの条件を満たすもの
    を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
21. 【請求項２１】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板側から見て上記記録層の背面側に、当該記
    録層よりも再生用光に対する反射率が高い反射層を積層
    したことを特徴とする光情報記録媒体。
22. 【請求項２２】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板側から見て上記記録層の背面側に、無機材
    料からなる中間層と、上記記録層よりも再生用光に対す
    る反射率が高い反射層とを順次積層したことを特徴とす
    る光情報記録媒体。
23. 【請求項２３】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板または熱変形層を、熱分解温度が８００℃
    以下の物質にて形成したことを特徴とする光情報記録媒
    体。
24. 【請求項２４】 請求項１〜１４記載のいずれかにおい
    て、上記基板または熱変形層と上記記録層との界面に、
    有機色素層を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
25. 【請求項２５】 基板の信号面に、直接または上記基板
    よりも耐熱性の低い物質からなる熱変形層を介して、少
    なくとも膜面方向の一部に、〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃ
    ｕ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元素を主
    成分とする合金部を有する記録層が形成された光情報記
    録媒体に、パルス状に強度変調された記録用光エネルギ
    を走査し、その光エネルギを上記記録層にて熱エネルギ
    に変換し、その熱エネルギによって高レベルの光エネル
    ギが走査された上記基板の信号面または上記熱変形層の
    上記記録層と接する面の形状を変形させると共に、該変
    形部に接する記録層の少なくとも一部に原子配列の変
    化、溶融混合現象、変形、空洞の生成などの熱的変形を
    生じさせ、高レベルの光エネルギが走査された部分の反
    射率を低レベルの光エネルギが照射された部分の反射率
    と異ならせることによって情報の記録を行ない、また、
    記録トラックに沿って低レベルかつ一定強度の光エネル
    ギを走査し、上記記録層の熱的変形および上記基板また
    は熱変形層の変形に伴う反射率の変化を光学的に読み出
    すことによって情報の再生を行うことを特徴とする情報
    の記録再生方法。
26. 【請求項２６】 光情報記録媒体を着脱自在に装着して
    これを駆動する媒体駆動部と、上記光情報記録媒体にプ
    リフォーマットされた記録トラックに沿ってパルス状に
    強度変調された光エネルギを走査する光ヘッドとを備え
    た情報記録装置において、上記媒体駆動部に、基板の信
    号面に直接または上記基板よりも耐熱性の低い物質から
    なる熱変形層を介して、少なくとも膜面方向の一部に
    〔Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ〕元素群から選択された少な
    くとも１種類の元素を主成分とする合金部を有する記録
    層が形成された光情報記録媒体を装着し、上記光ヘッド
    から照射される高レベルの光エネルギ強度を、上記基板
    の信号面または上記熱変形層の上記記録層と接する面の
    形状を変形させると共に、該変形部に接する記録層の少
    なくとも一部にも原子配列の変化、溶融混合現象、変
    形、空洞の生成などの熱的変形を生じさせ得る強度に調
    整し、上記光ヘッドから照射される低レベルの光エネル
    ギ強度を、上記基板および記録層に何らの熱的変形をも
    生じさせない強度に調整したことを特徴とする情報記録
    装置。