JP2008273167A - 光記録媒体、スパッタリングターゲット、及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】青色波長領域のレーザ光による記録再生が可能で、高感度かつ低線速から高線速までの広い線速範囲の記録にも適した光記録媒体とその製造方法、及び、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。
【解決手段】（１）基板上に、少なくとも青色波長領域のレーザ光で記録再生可能な記録層を有し、該記録層がＢｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）及び／又はＮ（窒素）を含み、Ｆｅを含まない光記録媒体。
（２）記録層が、更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含む（１）記載の光記録媒体。
【選択図】図１

Description

本発明は、追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ）光記録媒体に係り、青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光でも高密度の記録を行なうことが可能な光記録媒体、特に、高い記録感度をもつ光記録媒体、２層以上の記録層をもつ光記録媒体、及び低速から高速まで広い範囲の線速に対応可能な高記録感度を必要とする光記録媒体とその製造方法、並びに、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとその製造方法に関する。

本発明者らは、青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光で高密度の記録が可能な追記型光記録媒体として、特許文献１〜４などにおいて、金属又は半金属の酸化物、とりわけＢｉ酸化物を主成分とする記録層の有用性を提案している。また、本出願人の出願に係る特許文献５などで、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ（酸素）からなる記録層を用いた追記型光記録媒体が更に良好な特性を示すことを開示している（以下、これらの出願に係る技術を自社先行技術と呼ぶ）。これらの自社先行技術は、非常に優れた記録再生特性を示すことが確認できている。
上記の他に、特許文献６にも、Ｂｉ酸化物を主成分とする記録層を有する追記型光記録媒体が開示されているが、炭素、窒素を加えた系については検討されていない。
また、特許文献７〜８などには、金属窒化物、金属炭化物を含む記録層を用いた情報記録媒体が開示されているが、金属窒化物を主成分としており、金属窒化物の分解を記録原理とするものであって、ＢｉとＯ（酸素）を主成分とする本発明の参考にはならない。

一方、光ディスクには、高密度化、高速化という流れがあり、従来のＤＶＤにおいても二層化による高密度化が行われ、また、高速化では、１６倍速記録が可能なものまで登場している。青色ＬＤを用いる光ディスクにおいても、この流れは変わらず、高速記録の方向へ向かうと考えられており、高速記録用の光記録媒体の開発が始まりつつある。
しかし、前記自社先行技術では高速記録について全く検討していない。また、特許文献６の発明も、記録再生特性と信頼性（再生安定性や保存安定性等）の改善を目的とするものであって、高速記録については検討していない。更に、酸化ビスマスに種々の元素Ｘを添加した材料については検討しているが、Ｘの中にＣ、Ｎは含まれておらず、酸化ビスマスに２種類以上の元素を添加した具体例も示されていない。

別に、本発明者らは、青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光で高密度の記録が可能な追記型光記録媒体のＢｉ酸化物を主成分とする記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとして、先願（特許文献９参照）でＢｉ、Ｆｅを含むターゲットについて、また、特願２００６−０５５１２０では、Ｂｉ、Ｂを含むターゲット又は、Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むターゲットについて開示した。
スパッタリング法は薄膜の気相形成法の１つとして広く知られており、工業的な薄膜製造にも利用されてきた。スパッタリング法では、目的とする膜の成分と同じ成分のターゲット材を用意し、通常は、このターゲット材にグロー放電で発生させたＡｒ（アルゴン）ガスイオンを衝突させてターゲット材の構成原子を叩き出し、基板上に原子を堆積させることにより成膜が行われる。特に酸化物は一般に融点が高いため、蒸着法などの方法は好ましくなく、高周波を印加する高周波スパッタリングがよく用いられる。

スパッタリングは製造プロセスで多くの実績がありスループットの点でも有利である。しかし、２種類以上の元素の混合材料からなる膜を製膜する場合、ターゲットの組成と膜の組成が同じにならないことが多いため、ターゲットの組成について検討が必要になる。またターゲットを構成する化合物の形態により、膜の構造、性質が異なることが多いため、この点についても検討が必要である。また、生産コストの面から、更なる製膜速度の向上も必要となっている。製膜速度の向上のためには、より大きな電力を投入する必要があり、その場合にもターゲットが破壊されないようにターゲット強度の向上が必要となる。
上記の他に、特許文献１０には、Ｂｉなどの低融点金属ターゲットを用い、ＣＨ_４などとＡｒとの混合ガス中でスパッタすることにより、炭素とＢｉを含有する記録層を製膜する方法が開示されているが、Ｂｉと酸素を主成分とする本発明とは異なる。

特開２００３−４８３７５号公報 特開２００５−１６１８３１号公報 特開２００５−１０８３９６号公報 特開２００６−１１６９４８号公報 特開２００６−２４７８９７号公報 特許第３８０２０４０号公報 特開２００６−１８２０３０号公報 特許第３８１００７６号公報 特開２００７−１６９７７９号公報 特許第１４８０９４５号公報

光記録媒体においては、レーザー光の出力の限界、耐久性、省電力性能等の観点から、低い記録パワーで記録が可能な高感度な記録特性が求められる。また、高密度記録と共に情報転送速度の向上のため高線速記録が求められるが、その場合、高線速記録では低線速記録に比べて更に記録感度の向上が必要となる。また、互換性の関係で、低線速から高線速まで全ての記録線速範囲に対応する必要がある。
そこで、本発明は、青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光による記録再生が可能で、高感度かつ低線速から高線速までの広い線速範囲の記録にも適した光記録媒体とその製造方法、及び、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとその製造方法の提供を目的とする。

上記課題は、次の１）〜２７の発明（以下、本発明１〜２７という）によって解決される。
１） 基板上に、少なくとも青色波長領域のレーザ光で記録再生可能な記録層を有し、該記録層がＢｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）及び／又はＮ（窒素）を含み、Ｆｅを含まないことを特徴とする光記録媒体。
２） 記録層が、更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含むことを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３） 記録層が、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＣからなることを特徴とする２）記載の光記録媒体。
４） 記録層が、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＮからなることを特徴とする２）記載の光記録媒体。
５） Ｃの含有量が記録層全体の１．５〜４９原子％であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
６） Ｎの含有量が記録層全体の１．５〜２１原子％であることを特徴とする４）記載の光記録媒体。
７） 記録層に隣接して上部保護層及び／又は下部保護層を有することを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の光記録媒体。
８） 上部保護層及び／又は下部保護層が硫化物、酸化物、窒化物、炭化物の何れか、又はそれらの複合体からなることを特徴とする７）記載の光記録媒体。
９） 上部保護層と下部保護層の少なくとも一方が硫化物を含むことを特徴とする８）記載の光記録媒体。
１０） 上部保護層と下部保護層の少なくとも一方がＺｎＳ・ＳｉＯ_２からなることを特徴とする９）記載の光記録媒体。
１１） 基板上に、少なくとも、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層が順次積層されたことを特徴とする７）〜１０）の何れかに記載の光記録媒体。
１２） 基板上に、少なくとも、反射層、上部保護層、記録層、下部保護層、カバー層が順次積層されたことを特徴とする７）〜１０）の何れかに記載の光記録媒体。
１３） Ｂｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）を含み、Ｆｅは含まないことを特徴とするスパッタリングターゲット。
１４） 更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含むことを特徴とする１３）記載のスパッタリングターゲット。
１５） Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＣからなることを特徴とする１４）記載のスパッタリングターゲット。
１６） Ｃの含有量が全体の１．５〜４９原子％であることを特徴とする１３）〜１５）の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
１７） Ｂｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＮ（窒素）を含み、Ｆｅを含まないことを特徴とするスパッタリングターゲット。
１８） 更に、Ｂ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖから選択される少なくとも一種の元素Ｚを含むことを特徴とする１７）記載のスパッタリングターゲット。
１９） Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＮからなることを特徴とする１８）記載のスパッタリングターゲット。
２０） Ｎの含有量が全体の１．５〜２１原子％であることを特徴とする１７）〜１９）の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
２１） 直流スパッタリングが可能であることを特徴とする１３）〜１６）の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
２２） 充填密度が９０％以上であることを特徴とする１３）〜２１）の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
２３） 酸化ビスマス粉末と炭素粉末を混合し焼結することを特徴とする１３）記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
２４） 酸化ビスマス粉末と、Ａｌ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒの中から選択される少なくとも１種類の元素の炭化物の粉末を混合し焼結することを特徴とする１４）記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
２５） 酸素を遮断した状態、不活性雰囲気中、又は真空中で焼結することを特徴とする２３）又は２４）記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
２６） Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むスパッタリングターゲットを用い、Ｃ（炭素）を含むガスとＡｒ（アルゴン）の混合ガス中で記録層を製膜することを特徴とする３）記載の光記録媒体の製造方法。
２７） Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むスパッタリングターゲットを用い、Ｎ（窒素）とＡｒ（アルゴン）の混合ガス中で記録層を製膜することを特徴とする４）記載の光記録媒体の製造方法。

以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明１の光記録媒体は、基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がＢｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）及び／又はＮ（窒素）を含み、Ｆｅを含まない。ここで主成分とは、Ｂｉと酸素を併せた含有量（原子％）が、記録層中で最も多いことを意味する。また、Ｂｉと酸素を含むという表現にしたのは、最も多いのはＢｉ酸化物であるが、記録層中にはＢｉ酸化物以外に金属Ｂｉが含まれる場合があることによる。
Ｆｅを含む記録層を用いた場合、記録層の光学特性などが不安定になることが分かっている。その原因は明らかではないが、Ｆｅが複数の価数を取り得るため酸化状態が不安定になりやすく、その結果、ターゲットが不安定になったり、記録層の組成のばらつきが比較的大きくなるなどの原因が考えられる。組成がばらつくこと、特に酸素の含有量の安定性が比較的低いことから、光学特性のばらつきを生じる。そのため、光記録媒体の特性もばらつきが比較的大きくなってしまうなどの悪影響がある。
一方、Ｆｅを含まない記録層では、記録層の光学特性が比較的安定しており、光記録媒体の特性も安定する等の効果が大きい。実際に、後述する実施例１６に示したように、記録層の光学特性の一つである光の吸収率を調べたところ、Ｆｅを含む場合には、ばらつきが大きく、Ｆｅを含まない場合には、ばらつきが小さいことが明らかとなった。

記録層の形態は、Ｂｉ、Ｏ、Ｃを含む形態、Ｂｉ、Ｏ、Ｎを含む形態、Ｂｉ、Ｏ、Ｃ、Ｎを含む形態の３通りがある。
記録層中の酸素の割合は３０〜６５原子％程度であり、好ましくは４５〜６２原子％、更に好ましくは４７〜５９原子％程度である。酸素量が多いと安定性が向上し、記録特性も向上するが、感度が悪くなる。酸素量が少ないと感度がよいが、保存安定性などの信頼性が劣化する。
Ｂｉの割合は２０〜３８原子％の範囲が特に好ましい。Ｂｉの量に関しては、Ｂｉ及びＢｉ酸化物が記録の本質を担っているため、Ｂｉが少なくなると記録マークの形成が難しくなり、記録特性が悪化する。また、Ｂｉが多くなると、感度は向上するが、保存特性などの信頼性が悪化する。
後述するように、Ｃ（炭素）の割合は、１．５〜４９原子％程度、Ｎ（窒素）の割合は、１．５〜２１原子％程度が好ましい。
このようにＢｉと酸素（実質はＢｉ酸化物）を主成分とし、少量の炭素及び／又は窒素を含むことにより、好ましい特性の光記録媒体が得られる。

本発明の記録原理は、レーザ光の照射によりＢｉ酸化物のＢｉと酸素が分離し、Ｂｉが析出することにより光学的な特性が変化して記録が行われると考えられるが、その際に、炭素及び／又は窒素を含ませることにより、酸素の結合状態の変化、光の吸収率の変化などを制御することができ、感度の向上を図ることが可能となる。また、融点も変化するので、感度の向上を図ることが可能となる。
炭素は、炭素単体又は化合物の形、或いはそれらの混合の形で記録層中に含有させる。記録層中に含有させる方法としては、炭素単体又は炭化物としてターゲット中に混合し、そのターゲットを用いて製膜を行うことにより、記録層中に炭素を導入することができる。また、ＣＯ_２、ＣＨ_４など炭素を含むガスをＡｒガスに混合し、スパッタにより製膜を行うことにより記録膜中に炭素を導入することも可能である。また、炭素を有機化合物として記録層中に含む形態でもよい。
窒素は、窒素単体又は化合物の形、或いはそれらの混合の形で記録層中に含有させる。記録層中に含有させる方法としては、窒化物としてターゲット中に混合し、そのターゲットを用いて製膜を行うことにより、記録層中に窒素を導入することができる。また、窒素ガスをＡｒガスに混合し、スパッタにより製膜を行うことにより記録膜中に窒素を導入することも可能である。

本発明２では、記録層が更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有する。
これらの元素が１．５〜１８原子％程度含まれていると効果が大きい。Ｂｉ窒化物は、少ない方が好ましく、ほぼ検出できない程度に少ない方が更に好ましい。
記録層の好ましい形態は、Ｂｉ酸化物、Ｘ酸化物、Ｘ窒化物からなる形態、Ｂｉ酸化物、Ｘ酸化物、Ｘ炭化物からなる形態である。
原理などは明らかでないが、記録に元素の酸化状態が大きく関わっているため、酸化物の生成し易さと大きく関係があると考えている。

酸化物の生成し易さを示す生成エンタルピーがＢｉと同等な場合、酸化物が酸素を離し単体元素になり易いため、光の吸収率が向上する。また、融点も変化するため感度の向上を図ることが可能となる。Ｇｅ、Ｓｎ、Ｌｉなどがこれに該当する元素である。
また、Ｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｐなどの元素は、酸化ビスマスと共存することにより、ガラス化し易くなる性質を有する。メカニズムは明らかでないが、ガラス化し易さが感度向上と関係している可能性がある。
また、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの比較的酸化しにくい元素の場合は、それ自身はあまり酸化しないため、Ｂｉ酸化物の方から酸素が奪われ易くなっており、Ｂｉが単体金属として存在する確率が高くなる。その結果、ＢｉとＣｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの元素が単体金属として存在することにより感度が向上すると考えられる。
Ｌａ系列の元素は、Ｂｉと比較すると酸化し易いため、Ｂｉが単体金属として存在し易くなり、感度向上に寄与していると考えられる。
また、スパッタリング法などの製膜方法では、膜中に酸素が過剰な状態を作り出すことも可能であるが、この場合、酸素は、格子間に入り込むなど不安定な形で膜中に存在することが考えられる。この場合においても、元素Ｘを添加することで感度向上が可能となり効果が大きい。

本発明３は、記録層が、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＣからなる。各元素の好ましい割合は、上記本発明２の場合と同じである。炭化物は、光の吸収が大きいため、記録層中に存在することにより記録光を吸収し易くなり、より感度が向上する。また、Ｂを添加することにより、Ｂｉが酸素と結合したり、記録により酸素を離したりする現象がより確実に起きるようになっている。記録層の好ましい形態は、Ｂｉ酸化物、Ｂ酸化物、Ｂ炭化物の３種類の化合物からなる形態である。
本発明４は、記録層が、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＮからなる。各元素の好ましい割合は、上記本発明２の場合と同じである。また、Ｂを添加することにより、Ｂｉが酸素と結合したり、記録により酸素を離したりする現象がより確実に起きるようになっている。
記録層の好ましい形態は、Ｂｉ酸化物、Ｂ酸化物、Ｂ窒化物からなる形態である。

炭素を添加することによる効果は、以下の（１）から（３）が考えられる。
（１）低ジッタを実現でき、記録特性が向上する。（２）感度が向上する。（３）保存安定性、再生光安定性などの信頼性が向上する。
これらの効果をもたらす炭素の役割は、記録マーク中の結晶相が微細化しやすくする、光の吸収を大きくする、記録膜の安定性を向上するなどであると考えられる。
記録層において、記録により酸化ビスマスがＢｉと酸化ビスマスに相分離したとき、Ｂｉや酸化ビスマスが凝集せずに微細化すると考えられる。即ち、炭素添加により記録マーク中の結晶の微細化が起き、良好な記録特性を示すと考えられる。また、炭素は光の吸収が大きいため、記録層の光吸収が大きくなり、記録感度が向上する。また、湿度、熱、光により記録マーク部の結晶構造が変化するのを抑制し、保存安定性、再生光安定性などの信頼性が向上する。

含有される炭素が少ないと、上述の効果が得られず、記録マーク中に大きなＢｉの結晶が析出して良好な記録特性が得られない場合があったり、光吸収が不十分のため、記録感度が悪かったり、記録マーク中に大きな結晶が生じるとその結晶が変質するときなどの影響も大きくなり、信頼性が低下しやすくなる。
逆に、炭素が多すぎると、記録マーク中に炭素が多くなり、記録部と未記録部のコントラストを生じさせている酸化ビスマスが相対的に少なくなるため、コントラストが得にくくなり、記録特性が劣化する。また、光を吸収しやすくなり過ぎ、未記録部も変化しやすくなるため、保存安定性、再生光安定性が劣化する。また、スパッタリングターゲットを作製するときに炭素が凝集し、均一に分散したものが得にくくなるため、炭素が凝集した黒い斑点状のものが見られるようになる。このようなスパッタリングターゲットは、充填密度や強度を向上させることが難しくなり、また、このターゲットを用いて製膜した記録層の組成を安定させることが困難となる。
これらの観点から、炭素含有量の好ましい範囲は、記録層全体の１．５〜４９原子％程度である。

一例として、Ｂｉ_２Ｏ_３とＣ（炭素）からなる複合ターゲットを用い、Ｃ量（記録層全体に対する原子％）を、表１に示すように変化させて記録層を製膜した点以外は、後述する実施例２と同様にして追記型光記録媒体を作成し、再生光安定性を調べた。
結果を表１に示す。再生光安定性の評価は、実施例２と同様にして記録した部分に、再生光パワー０．６ｍＷで、高周波重畳を印加し、１００万回の再生を行った後、ジッタ値の低下率が２０％以上の場合を「△」、２０％未満の場合を「○」とした。
表１から分かるように、炭素が少ないと、記録マーク部の安定性が悪く、記録層の再生光による安定性が劣化する。また、炭素が多すぎると、未記録部の安定性が悪く、再生光安定性が劣化する。
また、スパッタリングターゲットの密度を調べるため、同じ条件で３枚作製し、ターゲットの充填密度の平均が９０％以上となった場合を「○」、９０％未満の場合を「△」とした。結果を表２に示す。９０％未満の場合、比較的ターゲット強度が弱い。

また、別の例として、Ｂｉ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３のモル比８：１の混合物にＣ（炭素）を加えた複合ターゲットを用いて記録層を製膜した点以外は、後述する実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。炭素は表２に示すＣ量（記録層全体に対する原子％）となるように変化させて加えた。
これらの追記型光記録媒体について、実施例１と同様にして最適記録パワーを調べた。最適記録パワーは、温度８０℃、湿度８５％の環境下で５００時間の保存試験前後での値を調べた。
その結果を表２に示す。評価基準は、最適記録パワーを規格値の上限記録パワーで割った値を１から引いた値が、０．１以上である場合に「○」、０．１より小さい場合に「△」とした。０．１より小さい場合は、比較的感度がよくないことを示している。

窒素は、記録により酸化ビスマスがＢｉと酸化ビスマスに相分離したとき、Ｂｉや酸化ビスマスが凝集せずに微細化する役割も担っていると考えられる。即ち、窒素添加により記録マーク中の結晶の微細化が起き、良好な記録特性を示すと考えられる。
窒素含有量の好ましい範囲は、下記表３の結果から分かるように、記録層全体の１．５〜２１原子％程度である。窒素が多くなりすぎると感度が低下するため好ましくない。
一例として、Ｂｉ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３のモル比１３：５の混合物にＢＮを加えた複合ターゲットを用いて記録層を製膜した点以外は、後述する実施例３と同様にして追記型光記録媒体を作成した。ＢＮは、表３に示すＮ量（記録層材料全体に対する原子％）となるように変化させて加えた。
これらの追記型光記録媒体について、実施例３と同様にして最適記録パワーを調べた。最適記録パワーは、温度８０℃、湿度８５％の環境下で５００時間の保存試験前後での値を調べた。
その結果を表３に示す。評価基準は、最適記録パワーを規格値の上限記録パワーで割った値を１から引いた値が、０．１以上である場合に「○」、０．１より小さい場合に「△」とした。０．１より小さい場合は、比較的感度がよくないことを示している。

記録層の膜厚は、５〜３０ｎｍの範囲に設定することが好ましく、５〜２０ｎｍが更に好ましい。膜厚が５ｎｍを下回ると、上記本発明の構成により、記録再生波長での光吸収機能を高めた記録層であっても、十分な記録感度を確保しにくくなるし、膜厚が３０ｎｍを超えると、追記型光記録媒体としての反射率が急激に低下し、記録再生特性が劣化するので好ましくない。

本発明７は、記録層に隣接して上部保護層及び／又は下部保護層を有する。
本発明８は、保護層が硫化物、酸化物、窒化物、炭化物の何れか、又はそれらの複合体からなる。
本発明９は、上部保護層と下部保護層の少なくとも一方が硫化物を含む。
本発明１０は、上部保護層と下部保護層の少なくとも一方がＺｎＳ・ＳｉＯ_２からなる。
記録層の上下には、上部保護層や下部保護層を設けることが好ましい。これらの保護層は、記録層の変形・破壊を抑制し、記録層の溶融、組成変化、拡散を受容する機能を有する。また、これらの保護層は、通常は反射率を高めるために記録再生波長に対して透明であることが好ましいが、記録感度を調整するために、記録再生波長に対する光吸収機能をある程度付与することも可能である。このような保護層を設けることにより、記録マークにおける変形の寄与を従来に比べて非常に小さくすることができ、また、高線速記録における記録パワーの増加による変形の寄与の激増を防ぐことができるため、高線速記録特性の向上に効果がある。また、保存安定性の向上にも効果がある。

保護層材料としては硫化物が好ましい。理由は明らかでないが、硫化物と記録層材料が混合又は反応したり相互拡散することにより、記録マークの形成が容易かつ良好となり更に高速化されるため、記録感度が向上すると考えられる。また、硫化物は比較的軟らかいものが多いため、記録時に起こる記録層の変形による応力が緩和され易いと考えられる。
具体例としては、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢｉＳ、ＧｅＳ、又はこれらの混合物が挙げられるが、更に、酸化物、窒化物などを混合してもよい。
特に、記録再生光に対する透明性や生産性の観点から、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２を主成分とする材料が好ましい例として挙げられる。また、断熱効果を十分得るためには、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２を主成分とすることが好ましい。

また、保護層材料として酸化物、窒化物、炭化物などの比較的硬くて反応性の低い材料を用いることもでき、記録マークが形成された後、その変形、組成変化が起きにくくなるし、記録層の熱によって分解、昇華、空洞化等を起こさないので好ましい。
具体例としては、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３などの単純酸化物系の酸化物、或いはこれらの酸化物の複合酸化物；２ＭｇＯ・ＳｉＯ_２、ＭｇＯ・ＳｉＯ_２、ＣａＯ・ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２・ＳｉＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２、２ＭｇＯ・２Ａｌ_２Ｏ_３・５ＳｉＯ_２、Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・４ＳｉＯ_２などのケイ酸塩系の酸化物；窒化シリコン、窒化アルミニウム、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系材料；ＳｉＣ、Ｂ_４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣ、アモルファス炭素などの炭化物系材料；ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＯＣ、ＳｉＯＣなどの複合化合物が挙げられる。
上記の他に、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２などのフッ化物を用いることもできるし、硬さや熱伝導率の高さを生かして硼化物などを用いることもできる。

更に、保護層材料として色素や樹脂などの有機材料を使用することも可能である。
色素としては、ポリメチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系、アゾ系、ホルマザン系各色素、及び、これらの金属錯体化合物などが挙げられる。
樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等を用いることができ、これらを単独で、又は２種以上混合して用いることができる。
有機材料層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、塗布などの通常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる場合には、上記有機材料などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法で塗布すればよい。

塗布法に用いる有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。

上部保護層は、記録層と反射層の間に設けられる層であって、主に記録感度、反射層の制御を行う機能を担う。上部保護層の膜厚が薄くなり過ぎると、記録層で発生した熱が必要以上に放熱されるため、１０ｎｍ以上の膜厚に設定することが好ましい。また、上部保護層の膜厚が厚くなると、記録層で発生した熱が放熱されにくく、記録マーク間の熱干渉が大きくなるため、１００ｎｍ以下の膜厚に設定することが好ましい。
下部保護層は、記録層の保存信頼性を確保するために設けられる。即ち下部保護層は、基板やカバー層を透過してくる酸素、水分、その他のガスから記録層を守る働きをする。よって、記録層を十分に守るためには、膜厚を１０ｎｍ以上とすることが好ましい。しかし、生産性の観点から、１００ｎｍ以下の膜厚に設定することが好ましい。

本発明１１は、基板上に、少なくとも、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層が順次積層された層構成を有する。これにより、感度が良好で高線速記録が可能な、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒに規格準拠した光記録媒体を実現できる。
また、高密度化を図るため高ＮＡのレンズを用いる場合には、本発明１２のように、基板上に、少なくとも、反射層、上部保護層、記録層、下部保護層、カバー層を順次積層した層構成とする。これにより、感度が良好で高線速記録が可能な、ＢＤ−Ｒ規格に準拠した光記録媒体を実現できる。
上記層構成において、上部保護層と下部保護層は、同じ材料を用いても異なる材料を用いても良く、また、各保護層を２層以上の層からなる積層構成としてもよい。
例えば上部保護層を２層構成とし、記録層と隣接する層には硫化物を含む材料を用い、反射層に隣接する層には、硫化物を含まない層を用いる組み合わせが、感度、保存特性の観点から好ましい。
本発明の追記型光記録媒体は、青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光により記録再生が可能であるが、好ましいのは、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光である。なお、５００ｎｍを超える波長領域のレーザ光でも記録再生は可能である。

基板やカバー層の素材は、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録再生が行われる場合には光透過特性にも優れたものであれば特別な制限はない。
具体例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられるが、ポリカーボネートや非晶質ポリオレフィンが好ましい。
基板の厚さは用途により異なり、特に制限はない。
高密度化を図るため高ＮＡのレンズを用いる場合には、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。従って、通常の基板よりも薄いカバー層を設け、カバー層側から記録再生を行なうことにより、チルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする。これにより、ＢＤ−Ｒ規格を超えた高記録密度化を図ることができる。
更に近接場光を用いて記録する場合には、カバー層として、数ｎｍから数十ｎｍ程度の薄い層を用いる。この層は、高屈折率であると光が広がらず、小さいスポットのまま記録層に達するため、高密度記録にとって好ましい。また、薄くなるため、硬く、耐磨耗性、摺動特性が良い材料を用いることが好ましく、窒化シリコン、ダイヤモンドライクカーボンなどが好ましい例として挙げられる。

反射層には、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｉｎ、Ａｌ−Ｎｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、半金属及びそれらの合金を用いることができる。これらの物質は単独で用いても二種以上を組合せて用いてもよい。熱伝導率、反射率の観点からはＡｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの単体金属やこれらの合金を用いることが好ましい。
これらの材料を用いて反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
合金により反射層を形成する場合は、合金をターゲット材料としたスパッタ法で作成することができるが、その他に、チップオンターゲット方式（例えば、Ａｇターゲット上にＣｕチップをのせて製膜）、共スパッタ法（例えば、ＡｇターゲットとＣｕターゲットを使用）でも作成することができる。
金属以外の材料を用いて低屈折率層と高屈折率層を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。

反射層の膜厚は、２０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜１６０ｎｍの範囲が特に好ましい。但し、本発明の反射層が多層型光記録媒体に適用される場合は、反射層膜厚の下限は、この限りではない。膜厚が、２０ｎｍより薄い場合、所望の反射率が得られない問題や保存時に反射率が低下する問題、更に、記録振幅が十分にとれない問題を生じることがある。膜厚が、２００ｎｍより厚い場合、成膜面が粗れ、反射率が低下することがある。また、生産性の観点からも好ましくない。
また、反射層がＡｇを含み、保護層にＳを含む材料を用いる場合には、反射層と保護層の間にＡｇとＳの反応を防止するための硫化防止層を設ける必要がある。その材料としては光吸収の小さい酸化物、窒化物、炭化物などが好ましく、例えばＳｉＮを主成分とする窒化物、ＴｉＯ_２などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化物が挙げられる。
硫化防止層の膜厚は、２〜７ｎｍ程度とすることが好ましい。２ｎｍより薄いと、膜の不均一性により防止効果がなく、７ｎｍより厚いと、反射率や記録感度が低下する。

反射層の上には厚い環境保護層を形成することが好ましい。その材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定されない。有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。また、無機材料としては、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。
環境保護層の形成方法としては、スピンコート法やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法等が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合は、通常、適当な溶剤に溶解し、塗布乾燥して層を形成する。
紫外線硬化性樹脂を用いる場合は、通常、そのまま又は適当な溶剤に溶解して塗布し、紫外線を照射して硬化させることにより層を形成する。
紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独で用いても混合して用いても良く、一層でなく多層膜にして用いても良い。
環境保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍの範囲とするが、本発明においては、３〜３０μｍが好ましい。

本発明１３のスパッタリングターゲットは、Ｂｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）を含み、Ｆｅを含まない。
また、本発明１７のスパッタリングターゲットは、Ｂｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）を含み、Ｆｅを含まない。
ここで主成分とは、Ｂｉと酸素を併せた含有量（原子％）が最も多いことを意味する。また、Ｂｉと酸素を含むという表現にしたのは、最も多いのはＢｉ酸化物であるが、Ｂｉ酸化物以外に金属Ｂｉが含まれる場合があることによる。
Ｆｅを含まないようにするのは、Ｆｅを含むスパッタリングターゲットは比較的強度が低く、製膜中に破壊される可能性があるためである。その原因は、比較的酸化されやすいＦｅは、簡単にＦｅ_２Ｏ_３などの酸化物を形成するが、それらの酸化物の熱膨張係数が、１０（１０^−６／℃）と比較的大きいことによると考えられる。
一方、炭素、ＳｉＣ、ＢＮの熱膨張係数は、それぞれ、１．５×１０^−６／℃、４．３×１０^−６／℃、３．６×１０^−６／℃であり、炭素や窒素を含むものは、熱膨張係数が比較的小さく、製膜時における温度変化に対して耐久性が高いと考えられる。
実際に、実施例７で用いたＢｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏターゲットや、実施例８で用いたＢｉ−Ｂ−Ｎ−Ｏターゲットは、製膜時にターゲットの破損は起きないが、同様の焼結条件で作製したＢｉ−Ｂ−Ｆｅ−Ｏターゲットは、同じ製膜条件ではターゲットが破損することがあり、製膜時の印加電力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに下げて製膜を行う必要がある。このように、Ｆｅを含む場合には、生産性に悪影響を及ぼす。

スパッタリングターゲット中の酸素の割合は３０〜６５原子％程度であり、好ましくは４５〜６２原子％、更に好ましくは４７〜５９原子％程度である。酸素量が多いと製膜される記録層の組成が比較的安定性良く、記録特性も向上するが、記録感度が悪くなる。酸素量が少ないと記録感度のよい光記録媒体を作製可能であるが、ターゲット強度は比較的弱くなる傾向がある。
Ｂｉの割合は２０〜３８原子％の範囲が特に好ましい。Ｂｉの量に関しては、Ｂｉ及びＢｉ酸化物が記録の本質を担っているため、Ｂｉが少なくなると記録マークの形成が難しくなり、記録特性が悪化する。また、Ｂｉが多くなると、感度は向上するが、保存特性などの信頼性が悪化する。
Ｃ（炭素）の割合は、１．５〜４９原子％程度、Ｎ（窒素）の割合は、１．５〜２１原子％程度が好ましい。
このようにＢｉと酸素（実質はＢｉ酸化物）を主成分とし、少量の炭素又は窒素を含むことにより、好ましい特性の光記録媒体が得られる。
炭素は、炭素単体又は化合物の形、或いはそれらの混合の形でスパッタリングターゲット中に含有させる。炭化物で含有させることにより、ターゲットを焼結する際の安定性が高くなり、スパッタリングターゲットの生産性が向上する。
窒素は、化合物の形でスパッタリングターゲット中に含有させる。窒化物が、ターゲット強度を高めるための添加剤としての機能を持たせることも可能である。

本発明１４のスパッタリングターゲットは、本発明１３において、更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有する。
本発明１８のスパッタリングターゲットは、本発明１７において、更に、Ｂ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖから選択される少なくとも一種の元素Ｚを含有する。
これらの元素Ｘ又はＺが１．５〜１８原子％程度含まれていると効果が大きい。Ｂｉ炭化物、Ｂｉ窒化物は、不安定であり、焼結の際に分解してほぼ検出できない程度に少なくなることが多い。ターゲット強度の向上のためには少ない方が好ましく、ほぼ検出できない程度に少ない方が更に好ましい。好ましい形態は、Ｂｉ酸化物、Ｘ酸化物、Ｘ窒化物からなる形態、Ｂｉ酸化物、Ｘ酸化物、Ｘ炭化物からなる形態、Ｂｉ酸化物、Ｘ炭化物からなる形態である。
原理などは明らかでないが、炭化物、窒化物は、焼結助剤、強度向上のための添加剤として使用されることが多く、ターゲット強度と大きく関係があると考えている。
特に、Ｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂなどは、ターゲット強度の向上に効果が大きい。

酸化物の生成し易さを示す生成エンタルピーがＢｉと同等な場合、酸化物が酸素を離し単体元素になり易いため、光の吸収率が向上する。また、融点も変化するため感度の向上を図ることが可能となる。Ｇｅ、Ｓｎ、Ｌｉなどがこれに該当する元素である。
また、Ｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｐなどの元素は、酸化ビスマスと共存することにより、ガラス化し易くなる性質を有する。メカニズムは明らかでないが、ガラス化し易さが感度向上と関係している可能性がある。
また、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの比較的酸化しにくい元素の場合は、それ自身はあまり酸化しないため、Ｂｉ酸化物の方から酸素が奪われ易くなっており、Ｂｉが単体金属として存在する確率が高くなる。その結果、ＢｉとＣｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの元素が単体金属として存在することにより感度が向上すると考えられる。
Ｌａ系列の元素は、Ｂｉと比較すると酸化し易いため、Ｂｉが単体金属として存在し易くなり、感度向上に寄与していると考えられる。

本発明１５のスパッタリングターゲットはＢｉ、Ｂ、Ｏ及びＣからなる。各元素の好ましい割合は、上記本発明１４の場合と同じである。Ｂ_４Ｃは安定性が高いため、Ｂ_４Ｃの状態で含まれるとターゲット強度が向上し、効果が大きい。このターゲットを用いて製膜した記録層は、光の吸収が大きい炭化物が記録層中に存在することにより記録光を吸収し易くなり、より感度が向上する。また、Ｂを添加することにより、Ｂｉが酸素と結合したり、記録により酸素を離したりする現象がより確実に起きるようになっている。
本発明１５のターゲットの好ましい形態は、Ｂｉ酸化物、Ｂ酸化物、Ｂ炭化物の３種類の化合物からなる形態である。
本発明１９のスパッタリングターゲットはＢｉ、Ｂ、Ｏ及びＮからなる。各元素の好ましい割合は、上記本発明１７の場合と同じである。ＢとＮがＢＮの状態で含まれると、ターゲット強度が高くなるので効果がある。本発明１９のターゲットの好ましい形態は、Ｂｉ酸化物、Ｂ酸化物、Ｂ窒化物からなる形態である。

本発明１６のスパッタリングターゲットでは、Ｃの含有量を全体の１．５〜４９原子％とする。Ｃが１．５％より多い場合、製膜された記録層は、炭素が光を吸収するため感度の向上に効果がある。また、炭素が４９％より多くなると、記録に関与する酸化ビスマスの割合が少なくなり、記録部と、未記録部とのコントラストが得られにくくなり、記録特性が劣化する。また、炭素が多くなりすぎると、ターゲットが作製し難くなり、ターゲットの充填密度が向上しにくいため、生産性のよい強度の高いターゲットを実現できなくなる。

本発明２１のスパッタリングターゲットは、直流スパッタリングが可能であることを特徴とする。特に炭素、炭化物を含有すると抵抗率が小さくなるため、直流スパッタが可能となる。直流スパッタが可能となることにより製膜コストが低下するので好ましい。
本発明２２のスパッタリングターゲットは、充填密度（相対密度）が９０％以上である。充填密度が９５％程度までは、充填密度の向上とともに製膜速度、ターゲットの強度が向上する。しかし、９５％程度以上になると徐々にターゲットの強度が低下する。ここで充填密度とは、混合した原料が所定の比率で混合されているとしたときの理論密度に対する実際に測定した密度の割合（％）をいう。
本発明２３は、酸化ビスマス粉末と炭素粉末を混合し焼結するスパッタリングターゲットの製造方法である。
本発明２４は、酸化ビスマス粉末と、Ａｌ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒの中から選択される少なくとも１種類の元素の炭化物の粉末を混合し焼結するスパッタリングターゲットの製造方法である。炭化物を用いることにより安定性良く炭素を混合することができる。また、炭素は導電性は高いが還元性も高いため、焼結時に酸化Ｂｉが還元されてしまう可能性があるが、安定な炭化物を混合することにより、再現性の良い製造が可能となる。

本発明２５のように、酸素を遮断した状態、不活性雰囲気中、又は真空中で焼結することにより、炭素が遊離してターゲット外に逃げてしまうのを防ぐことが可能となる。ホットプレス法のような焼結方法では、ターゲットを成型する型が炭素からできているため、炭素が平衡状態になり、逃げにくくなるので効果がある。
本発明２６のように、Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むスパッタリングターゲットを用いて、炭化水素のような炭素を含むガスをＡｒと混合し製膜すると効果的である。酸素を含有しないターゲットを用いると、Ｂｉと酸素を主成分とする記録層が得られない。また、酸素を補うために酸素を混合したガスを用いて製膜を行うと、混合した炭化水素が酸化され、二酸化炭素と水になってしまうため、酸素を混合することはできない。
本発明２７のように、Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むスパッタリングターゲットを用いて、窒素とＡｒの混合ガス中で製膜すると効果的である。酸素を含有しないターゲットを用いると、Ｂｉと酸素を主成分とする記録層が得られない。そこで、酸素を補うために酸素を混合したガスを用いて製膜することは可能であるが、Ｂｉの窒化物ができると好ましくないため、窒化物ができない条件とすることが好ましい。また、窒素とＡｒの混合ガス中で製膜することにより、Ｂｉと酸素の分離が起きやすくなり、記録時に記録マークの形成が起きやすく、記録感度の向上に効果があると考えられる。

本発明によれば、青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光による記録再生が可能で、高感度かつ低線速から高線速までの広い線速範囲の記録にも適した光記録媒体とその製造方法、及び、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとその製造方法を提供できる。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。また、実施例として、波長が４０５ｎｍのレーザ光を用いた例を示したが、本発明の記録層は、３５０〜５００ｎｍの範囲では複素屈折率が正常分散を示し、複素屈折率に急激な変化が起きないため、同様に記録再生が可能である。即ち、３５０〜５００ｎｍの範囲で記録再生波長が変化すると、追記型光記録媒体としての反射率や記録感度は変化するが、記録原理が変化することはないため、同様の記録再生が可能である。

実施例１
案内溝（溝深さ２１ｎｍ、平均溝幅１５５ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を有する厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）上に、スパッタ法で、膜厚６０ｎｍのＡｇＢｉ合金（Ｂｉ：０．５原子％）層、膜厚４ｎｍのＳｉＮ膜、膜厚１５ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）層、膜厚１６ｎｍのＢｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層、膜厚７５ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）層を順に設け、更に、その上に、紫外線硬化樹脂（日本化薬ＤＶＤ００３）を用いて厚さ７５μｍポリカーボネートシート（帝人化成ピュアエース）を貼り合わせてカバー層（光透過層）とし、厚さ約１．２ｍｍの追記型光記録媒体を作成した。
Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層は、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３−Ｃ（モル比、８：１：１）の複合ターゲットを用いて製膜した。スパッタリングはＡｒガス中で行った。
この追記型光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＯＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて記録を行った。
追記型Ｂｌｕ−ｒａｙディスクの規格（ＢＤ−Ｒ Ｖｅｒｓｉｏｎ １．１）に準拠し線速１ｘ（１倍速）で記録したところ、最適記録パワー４．３ｍＷでジッター値４．４％が得られた。
同様にして、記録密度は変えず、４ｘ（１ｘの４倍の線速）で記録を行い、ジッター値を評価したところ、最適記録パワー６．７ｍＷでジッター値５．５％が得られた。
これらの値は、後述する比較例１、比較例２の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。

実施例２
Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層をＢｉ−Ｃ−Ｏ層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｃ（モル比、１：１）とした点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．０ｍＷでジッター値５．０％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー５．３ｍＷでジッター値５．８％が得られた。
これらの値は、後述する比較例１、比較例２の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。

比較例１
Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層をＢｉ−Ｏ層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Ｂｉ_２Ｏ_３とした点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘ及び４ｘで記録したところ、どちらの場合も、記録パワーを変化させても最適な条件が得られず、ジッター値が高いままで、低いジッター値は得られなかった。

比較例２
Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層をＢｉ−Ｂ−Ｏ層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３（モル比、６：４）とした点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．７ｍＷでジッター値５．２％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー９．８ｍＷでジッター値６．７％が得られた。

実施例３
Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層をＢｉ−Ｂ−Ｎ−Ｏ層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３−ＢＮ（モル比、１３：５：２）とした点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．５ｍＷでジッター値４．９％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー８．７ｍＷでジッター値５．６％が得られた。
これらの値は、比較例１、比較例２の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。

実施例４
Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｃ（モル比、１：１）からなる製膜用複合ターゲットを用い、Ａｒと窒素の混合ガス中（Ａｒと窒素の流量比が４０：１０）で記録層（Ｂｉ−Ｃ−Ｎ−Ｏ層）を製膜した点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．４ｍＷでジッター値４．８％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー６．５ｍＷでジッター値５．２％が得られた。
これらの値は、比較例１、比較例２の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。

実施例５
Ｂｉ_２Ｏ_３からなるターゲットを用い、Ａｒと窒素の混合ガス中（Ａｒと窒素の流量比が４０：１０）で記録層（Ｂｉ−Ｎ−Ｏ層）を製膜した点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．６ｍＷでジッター値４．８％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー６．９ｍＷでジッター値５．８％が得られた。
これらの値は、比較例１、比較例２の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。

実施例６
案内溝（溝深さ２６ｎｍ、平均溝幅２００ｎｍ、トラックピッチ０．４μｍ）を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタ法を用いて、膜厚６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ_２層（８０：２０モル％）、膜厚１５ｎｍのＢｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層、膜厚２０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ_２層（８０：２０モル％）、膜厚８０ｎｍのＡｇＢｉ合金層（Ｂｉ：０．５原子％）を順次積層した。Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層は、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３−Ｃ（モル比、８：１：１）の複合ターゲットを用いて製膜した。スパッタリングはＡｒガス中で行った。
次いで、ＡｇＢｉ合金層の上に、スピンコート法で紫外線硬化型樹脂（サンノプコ株式会社製：ノプコキュア１３４）からなる膜厚約５μｍの有機保護層を設け、その上に厚さ０．６ｍｍのダミー基板を紫外線硬化型樹脂で貼り合わせて追記型光記録媒体を得た。
この追記型光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＯＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格〔ＤＶＤ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ Ｄｉｓｃ（ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ） Ｖｅｒｓｉｏｎ １．０〕に準拠した記録密度で、１ｘ（１倍速）の線速で記録を行った。
その結果、最適記録パワー７．６ｍＷでＰＲＳＮＲの値が２９．１であった。
更に、記録密度は変えず、記録時の線速を４ｘ（４倍速）にして記録を行ったところ、最適記録パワー１３．４ｍＷでＰＲＳＮＲの値が２０．４であった。

比較例３
Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層をＢｉ−Ｂ−Ｏ層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３（モル比、６：４）とした点以外は、実施例６と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例６と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー８．８ｍＷでＰＲＳＮＲの値が２４であった。
更に、実施例６と同様にして、記録時の線速を４ｘ（４倍速）にして記録を行ったところ、最適記録パワー１７．６ｍＷでＰＲＳＮＲの値が１９．８であった。

実施例７
Ｂｉ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３とＢ_４Ｃの粉末を、水分吸着がないような状態で、モル比が７６．４：１１．８：１１．８となるように秤量して混合し、更に、ボールミルで１時間乾式混合した後、５００℃で１時間焼成した。
その後、ボールミルで１時間乾式混合し、この混合粉末を１５０ＭＰａで加圧成型し、大気中６５０℃で５時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は８４％であった。

実施例８
Ｂｉ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３とＢＮの粉末を、水分吸着がないような状態で、モル比が６５：２５：１０となるように秤量して混合し、更にボールミルで１時間乾式混合した後、５００℃で１時間焼成した。
その後、ボールミルで１時間乾式混合し、この混合粉末を１５０ＭＰａで加圧成型し、大気中６５０℃で５時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は８８％であった。

実施例９
Ｂｉ_２Ｏ_３とＳｉＣの粉末を水分吸着がないような状態で秤量し、Ｂｉ_２Ｏ_３とＳｉＣがモル比で２：１になるように混合し、次いで、ボールミルで１時間乾式混合した後、７００℃で１時間焼成した。
その後、ボールミルで１時間乾式混合し、この混合粉末を１５０ＭＰａで加圧成型し、大気中７５０℃で５時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は９７％であった。

実施例１０
Ｂｉ_２Ｏ_３とＴｉＣの粉末を水分吸着がないような状態で秤量し、Ｂｉ_２Ｏ_３とＴｉＣがモル比で２：１になるように混合し、次いで、ボールミルで１時間乾式混合した後、７００℃で１時間焼成した。
その後、ボールミルで１時間乾式混合し、この混合粉末を１５０ＭＰａで加圧成型し、大気中７５０℃で５時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は９４％であった。

実施例１１
Ｂｉ_２Ｏ_３とＮｂＣの粉末を水分吸着がないような状態で秤量し、Ｂｉ_２Ｏ_３とＮｂＣがモル比で２：１になるように混合し、次いで、ボールミルで１時間乾式混合した後、７００℃で１時間焼成した。
その後、ボールミルで１時間乾式混合し、この混合粉末を１５０ＭＰａで加圧成型し、大気中７５０℃で５時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は８６％であった。

実施例１２
実施例７で作成したスパッタリングターゲットを用いてＢｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ層を製膜した点以外は、実施例１と同様にして、厚さ約１．２ｍｍの本発明の追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．５ｍＷでジッター値４．２％が得られた。
また、実施例１と同様にして、線速４ｘで記録を行い、ジッター値を評価したところ、最適記録パワー７．１ｍＷでジッター値５．３％が得られた。

実施例１３
実施例９で作成したスパッタリングターゲットを用いてＢｉ−Ｓｉ−Ｃ−Ｏ層を製膜した点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー５．０ｍＷでジッター値５．２％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー７．３ｍＷでジッター値５．８％が得られた。

実施例１４
実施例１０で作成したスパッタリングターゲットを用いてＢｉ−Ｔｉ−Ｃ−Ｏ層を製膜した点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー５．１ｍＷでジッター値４．８％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー６．３ｍＷでジッター値６．３％が得られた。

実施例１５
実施例１１で作成したスパッタリングターゲットを用いてＢｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｏ層を製膜した点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様にして線速１ｘで記録したところ、最適記録パワー４．１ｍＷでジッター値４．５％が得られた。
また、実施例１と同様にして線速４ｘで記録したところ、最適記録パワー５．９ｍＷでジッター値６．４％が得られた。

実施例１６
組成が、Ｂｉ−Ｃ−Ｏ、Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏ、Ｂｉ−Ｂ−Ｎ−Ｏ、Ｂｉ−Ｓｉ−Ｃ−Ｏ、Ｂｉ−Ｂ−Ｆｅ−Ｏ（対照）の、各スパッタリングターゲットを用い、Ａｒガス中で製膜した記録層について、光の吸収率のばらつきを比較した。光の波長は４０５ｎｍで、測定した試料は、溝の無いポリカーボネート基板上に記録層を１３ｎｍ、その上にＺｎＳＳｉＯ_２膜を２０ｎｍ製膜したものを用いた。製膜用の真空チャンバー内に入れてから記録層の製膜を始めるまでの時間を０から６０秒までランダムに選択し設定した点以外は、同じ条件で製膜を行った。そして、各ターゲットについて実験番号１〜１０の１０種類の試料を作製した。
膜の表面側から光を入射して光度計により光の吸収率を測定した。更に、吸収率のばらつきを調べるため、複数の日時にそれぞれ測定した吸収率を最も低い吸収率で規格化し、それぞれのばらつきを調べた。吸収率のばらつき（％）は次の式により求めた。
ばらつき（％）＝｛（得られた吸収率）−（最も小さい吸収率）｝×１００／（最も
小さい吸収率）
結果を図１に示すが、ばらつきの数字が大きいものは、吸収率のばらつきが大きいことを示しており、Ｆｅを含む試料と含まない試料で差が有り、Ｆｅを含まない試料の方が、ばらつきが小さいことが分かる。
なお、Ｂｉ−Ｂ−Ｃ−Ｏターゲットは実施例７で用いたもの、Ｂｉ−Ｂ−Ｎ−Ｏターゲットは実施例８で用いたもの、Ｂｉ−Ｓｉ−Ｃ−Ｏターゲットは実施例９で用いたものであり、Ｂｉ−Ｃ−ＯターゲットとＢｉ−Ｂ−Ｆｅ−Ｏターゲットは、以下のようにして作製したものを用いた。
＜Ｂｉ−Ｃ−Ｏターゲット＞
Ｂｉ_２Ｏ_３とＣ（炭素）の粉末を、水分吸着がないような状態で、モル比が１：１となるように秤量して混合し、更に、ボールミルで１時間乾式混合した後、７５０℃で１時間焼成した。
その後、ボールミルで１時間乾式混合し、この混合粉末を１５０ＭＰａで加圧成型し、大気中７８０℃で５時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍとした。このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。
＜Ｂｉ−Ｂ−Ｆｅ−Ｏターゲット＞
Ｂｉ_２Ｏ_３とＢ_２Ｏ_３とＦｅ_２Ｏ_３の粉末を６５：３０：５のモル比で用いた点以外は、実施例７と同様にしてスパッタリングターゲットを得た。

実施例１６の評価結果を示す図。

Claims (27)

1. 基板上に、少なくとも青色波長領域のレーザ光で記録再生可能な記録層を有し、該記録層がＢｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）及び／又はＮ（窒素）を含み、Ｆｅを含まないことを特徴とする光記録媒体。
2. 記録層が、更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含むことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
3. 記録層が、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＣからなることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
4. 記録層が、Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＮからなることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
5. Ｃの含有量が記録層全体の１．５〜４９原子％であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
6. Ｎの含有量が記録層全体の１．５〜２１原子％であることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
7. 記録層に隣接して上部保護層及び／又は下部保護層を有することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光記録媒体。
8. 上部保護層及び／又は下部保護層が硫化物、酸化物、窒化物、炭化物の何れか、又はそれらの複合体からなることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。
9. 上部保護層と下部保護層の少なくとも一方が硫化物を含むことを特徴とする請求項８記載の光記録媒体。
10. 上部保護層と下部保護層の少なくとも一方がＺｎＳ・ＳｉＯ_２からなることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体。
11. 基板上に、少なくとも、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層が順次積層されたことを特徴とする請求項７〜１０の何れかに記載の光記録媒体。
12. 基板上に、少なくとも、反射層、上部保護層、記録層、下部保護層、カバー層が順次積層されたことを特徴とする請求項７〜１０の何れかに記載の光記録媒体。
13. Ｂｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＣ（炭素）を含み、Ｆｅを含まないことを特徴とするスパッタリングターゲット。
14. 更にＢ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｋ、Ｎａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ系列元素から選択される少なくとも一種の元素Ｘを含むことを特徴とする請求項１３記載のスパッタリングターゲット。
15. Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＣからなることを特徴とする請求項１４記載のスパッタリングターゲット。
16. Ｃの含有量が全体の１．５〜４９原子％であることを特徴とする請求項１３〜１５の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
17. Ｂｉ（ビスマス）とＯ（酸素）を主成分として含み、更にＮ（窒素）を含み、Ｆｅを含まないことを特徴とするスパッタリングターゲット。
18. 更に、Ｂ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｙ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖから選択される少なくとも一種の元素Ｚを含むことを特徴とする請求項１７記載のスパッタリングターゲット。
19. Ｂｉ、Ｂ、Ｏ及びＮからなることを特徴とする請求項１８記載のスパッタリングターゲット。
20. Ｎの含有量が全体の１．５〜２１原子％であることを特徴とする請求項１７〜１９の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
21. 直流スパッタリングが可能であることを特徴とする請求項１３〜１６の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
22. 充填密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１３〜２１の何れかに記載のスパッタリングターゲット。
23. 酸化ビスマス粉末と炭素粉末を混合し焼結することを特徴とする請求項１３記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
24. 酸化ビスマス粉末と、Ａｌ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒの中から選択される少なくとも１種類の元素の炭化物の粉末を混合し焼結することを特徴とする請求項１４記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
25. 酸素を遮断した状態、不活性雰囲気中、又は真空中で焼結することを特徴とする請求項２３又は２４記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
26. Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むスパッタリングターゲットを用い、Ｃ（炭素）を含むガスとＡｒ（アルゴン）の混合ガス中で記録層を製膜することを特徴とする請求項３記載の光記録媒体の製造方法。
27. Ｂｉ、Ｂ、Ｏを含むスパッタリングターゲットを用い、Ｎ（窒素）とＡｒ（アルゴン）の混合ガス中で記録層を製膜することを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の製造方法。

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