JP2019128969A - 情報記録媒体とその製造方法、およびターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】記録密度が高い情報記録媒体を提供する。【解決手段】レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体は、３以上の情報層を含み、少なくとも一つの前記情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む。【選択図】図１

Description

本開示は、光学的手段によって情報を記録または再生する大容量な情報記録媒体とその製造方法、およびターゲットに関するものである。

インターネットの普及や放送のデジタル化等により、デジタルデータの利用量が年々増加している。光学的情報記録媒体である光ディスクはデータの長期保存に適した信頼性の高い情報記録媒体として、増大する情報量と共に大容量化という進化を続けてきた。

ＢＤＸＬ規格（ＢＤ：Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ）は２０１０年６月に策定された。この規格に準じた３層ディスク（３つの情報層を備える）は、１情報層あたりの記録容量が３３．４ギガバイト（ＧＢ）であり、片面で１００ＧＢという大容量のデータを保存できる。３層ディスクの３つの情報層については、レーザ光の光源から最も遠いものが「Ｌ０層」と呼ばれ、次に遠いものが「Ｌ１層」と呼ばれ、レーザ光の光源に最も近いものが「Ｌ２層」と呼ばれる。このＢＤ−Ｒ ＸＬディスクを用いて、最大約６３８テラバイト（ＴＢ）の大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献１参照）。

ＢＤＸＬ規格の次の規格として、業務用光ディスク規格「アーカイバル・ディスク（Ａｒｃｈｉｖａｌ Ｄｉｓｃ）」が２０１４年３月に策定された（例えば、非特許文献２参照）。アーカイバル・ディスクは、ＢＤよりも高い信頼性を有し、ランド・アンド・グルーブ記録方式の採用によって、より高い記録密度を有している。さらに、アーカイバル・ディスクは、基板の両面にディスク構造を備えているため、より大容量の記録媒体として提供される。アーカイバル・ディスク規格のロードマップは、ディスク１枚１あたりの記録容量を順次増やすように策定されている。このロードマップによれば、具体的には、第１世代として３００ＧＢのシステムを、第２世代として５００ＧＢのシステムを、第３世代として１ＴＢのシステムを開発する計画である。

第１世代の３００ＧＢのアーカイバル・ディスクは、１５０ＧＢの情報を保存できる３層ディスクが基板の両面に設けられて、１枚あたり３００ＧＢの情報の記録再生を可能にするものである。すなわち、このアーカイバル・ディスクにおいて、１情報層あたりの記録容量は５０ＧＢである。各情報層は、酸化物誘電体膜で酸化物記録膜を挟んだ簡素な構造である（例えば、特許文献１および２参照）。記録膜にレーザ光を照射すると、記録膜が形状変化を生じて信号が記録される。このディスクを用いて、最大１．９ペタバイト（ＰＢ）という大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献３参照）。

国際公開番号ＷＯ２０１３／１８３２７７Ａ１ 公報 特許第４２１０６２０号 公報

パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ−ＤＨ８シリーズカタログ、２０１６年９月 Ａｒｃｈｉｖａｌ Ｄｉｓｃ Ｗｈｉｔｅ Ｐａｐｅｒ：Ａｒｃｈｉｖａｌ Ｄｉｓｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １ｓｔ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｊｕｌｙ ２０１５ パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ−ＤＨ７シリーズカタログ、２０１６年９月

第２世代の５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、片面に設けられる３層ディスクが２５０ＧＢの容量を実現しなければならない。すなわち、１情報層あたりの記録容量を、第１世代の５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増やす必要がある。記録容量を増やす一つの手法として、一つの情報層における記録密度を高くする方法がある。本開示は、第２世代のアーカイバル・ディスクまたはそれよりも大容量の記録媒体を実現できるように、記録密度を高くすることが可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。

本開示に係る情報記録媒体は、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、少なくとも一つの前記情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む、
情報記録媒体である。

本開示に係る情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３以上含み、少なくとも一つの前記情報層を形成する工程が、第１誘電体膜を形成する工程、記録膜を形成する工程、および第２誘電体膜を形成する工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する工程がそれぞれ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄ１の酸化物を含む膜を形成することを含み、
前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む膜を形成することを含む、
情報記録媒体の製造方法である。

本開示に係るターゲットは、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含み、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎおよび前記元素Ｍが下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たすターゲットである。

本開示の情報記録媒体は、高い変調度を有しているため、１情報層あたりの記録容量を、例えば５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増加させても、良好な信号品質を与えることを可能にする。

本開示の実施の形態１に係る情報記録媒体１００の断面図 本開示の実施の形態２に係る情報記録媒体２００の断面図

（本開示に係る一実施形態に至った経緯）
光学的に情報を記録する媒体の記録容量を高くする手段の一つとして、記録密度を高くすることが挙げられる。記録密度を高くする手段の一つとしては、最短マーク長を短くする方法が挙げられる。マーク長が短くなるほど周期信号はより高周波数になり、システムノイズの影響を受けてディスクのＳ／Ｎ（Ｓ：信号、Ｎ：雑音）が低下し、信号品質が悪化するという課題が生じる。良好な信号品質を得るためには、Ｓ／Ｎを向上させる必要がある。

Ｓ／Ｎを向上させるためには、１）Ｓを上げること、２）Ｎを下げること、３）Ｓを上げ、かつＮを下げること、のいずれかが必要となる。この中で、本発明者らは１）のＳを上げることによるＳ／Ｎの向上を検討した。

Ｓを上げるためには変調度を向上させる必要がある。変調度は下記の式で示される。式中、Ｒ_{ｕｎｒｅｃ}は未記録状態での反射率、Ｒ_ｒｅｃは記録状態での反射率を示す。
変調度＝（Ｒ_{ｕｎｒｅｃ}−Ｒ_ｒｅｃ）／Ｒ_{ｕｎｒｅｃ}
したがって変調度を向上させるためには、記録状態での反射率Ｒ_ｒｅｃをより小さくすることが必要となる。

ここで反射率について詳細を説明する。反射率は各情報層の案内溝（ランド部、グルーブ部）の反射率であり、情報層が積層されない状態（即ち、単独層）で測定されるものをいう。実際にディスクを組み立てた状態にて、各情報層で測定される反射率は、実効反射率と呼ばれる。片面３層のアーカイバル・ディスクの場合、例えば、Ｌ０層の実効反射率は、再生レーザ光をディスクに入射させて、Ｌ２層とＬ１層を通過させてＬ０層に至った光が反射し、さらにＬ１層とＬ２層を通過して、光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。すなわち、Ｌ０層の実効反射率は、ピックアップを出た再生レーザパワー（１００％）に対する戻ってきた再生レーザパワーの割合を求めることによって測定される。Ｌ１層の実効反射率は、Ｌ２層を通過した光が反射されて、Ｌ２層を通過して光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。Ｌ２層の実効反射率は、他の情報層を通過せずに入射する光が反射されて、他の層を通過することなく光ピックアップに戻る光の量を求めることにより測定される。

次に、第１世代の３００ＧＢのアーカイバル・ディスクで採用している記録膜について説明する。第１世代のアーカイバル・ディスクでは、記録膜として、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｎ−Ｏ（Ｏ：酸素）の膜を採用している。各元素の機能を説明する。

記録膜中のＷ−Ｏは透明な酸化物で、レーザ光が記録膜に照射された際に、酸素を発生して記録膜を膨張させる機能を有する。また、Ｗを含むターゲットを用いて記録膜をＤＣ（ＤＣ：ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ、直流）スパッタリングで形成する際に、ターゲット中のＷは安定にＤＣスパッタリングを持続させる機能を有する。Ｗが無ければ、記録膜が膨張せず、記録マークの形成が困難になる。Ｗが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｗは、記録膜中ではＷ−Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。

記録膜中のＣｕ−Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、記録膜にレーザ光を吸収させる役割を担う。また、ターゲット中のＣｕはターゲットに導電性を付与し、記録膜をＤＣスパッタリングで形成する際に、安定にＤＣスパッタリングを持続させる機能を有する。Ｃｕが無いターゲットを用いると、ＤＣスパッタリングが非常に困難になる。Ｃｕが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｃｕは、記録膜中ではＣｕ−Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物になる。

記録膜中のＺｎ−Ｏは導電性を有する酸化物であり、これを含むターゲットを用いてＤＣスパッタリングにより記録膜を形成すると、ＤＣスパッタリングの持続性がより安定する。また、Ｚｎ−Ｏの量を調整することで、記録膜の透過率や光吸収率を調整することができる。ただし、ターゲット中にＺｎ−Ｏが含まれていなくてもＤＣスパッタリングは可能である。Ｚｎ−Ｏが含まれるターゲットを用いて、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｚｎ−Ｏは記録膜中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。

記録膜中のＭｎ−Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、レーザ光が記録膜に照射された際に、酸素を発生して記録膜を膨張させる機能を有する。Ｍｎ−Ｏが多いほど変調度は大きくなり、信号品質は向上する。Ｍｎ−Ｏが無ければ、品質のよい記録マークは形成できない。Ｍｎ−Ｏが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタリングにより記録膜を形成すると、Ｍｎ−Ｏは記録膜中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。

Ｒ_ｒｅｃをより小さくする方法として、信号を記録する際に（すなわち、信号マークを形成する際に）、酸素をより多く発生させる方法がある。レーザ光を照射して信号マークを形成すると、信号マークにおいて、酸素が気体（泡)として存在していることは、電子顕微鏡により確認されている。そこで、本発明者らは、酸素の泡をより発生させる手段として、酸化されやすい酸化物を記録膜に添加することを検討した。

酸化されやすい酸化物は、具体的には、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｅの酸化物である。より詳細には、スパッタリング等により形成されるこれらの元素の酸化物の膜には、安定な酸化物とともに、不安定な酸化物が含まれやすく、この不安定な酸化物が酸化されやすい性質を有する。例えば、Ｃｅの酸化物のうち、安定なものはＣｅＯ_２である。ＣｅＯ_２を含む膜をスパッタリングで形成するときには、ＣｅＯ_２以外に、不安定なＣｅ酸化物が含まれやすい。この不安定なＣｅ酸化物は、Ｃｅの酸化数がより大きい酸化物に変化しようとする性質を有する。本発明者らは、そのような酸化されやすい酸化物の性質を利用することを検討した。

これらの元素は酸化物の生成自由エネルギー〔ｋＪ／ｍｏｌ〕が、比較的小さいという特性を持つ。この特性は、これらの元素が不安定な酸化物の状態にあるときに、他の酸化物の酸素を容易に奪えることを意味する。したがって、これらの元素の酸化物のいずれかを記録膜に添加することにより、他の酸化物は酸素が離脱しやすい状態となり、その記録膜にレーザ光を照射して記録を行うと、酸素の泡がより多く発生して記録膜が膨張し、Ｒ_ｒｅｃが小さくなる。その結果、高い変調度を得ることができる。これらの元素は、従前のＷ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｎ−Ｏに添加してもよく、あるいは従前のＷ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｎ−ＯのＺｎの少なくとも一部と置き換えてもよい。

すなわち、本開示の第１の態様は、
レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、少なくとも一つの前記情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む、
情報記録媒体である。

本開示の第２の態様は、前記記録膜において、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、前記元素Ｍとが、下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たす、第１の態様の情報記録媒体である。

本開示の第３の態様は、前記少なくとも一つの前記情報層において、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含む、第１の態様の情報記録媒体である。

本開示の第４の態様は、
前記少なくとも一つの前記情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、
前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、前記第１誘電体膜、前記第３誘電体膜および前記記録膜がこの順に配置されており、
前記第３誘電体膜がＮｂの酸化物を含む、
第３の態様の情報記録媒体である。

本開示の第５の態様は、前記元素ＤがＺｒおよびＩｎである第３の態様または第４の態様の情報記録媒体である。

本開示の第６の態様は、前記記録膜が、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、第１の態様の情報記録媒体である。

本開示の第７の態様は、前記記録膜が、Ｚｎをさらに含む第１の態様または第６の態様の情報記録媒体である。

本開示の第８の態様は、情報層を形成する工程を３以上含む情報記録媒体の製造方法であって、
少なくとも一つの前記情報層を形成する工程が、第１誘電体膜を形成する工程、記録膜を形成する工程、および第２誘電体膜を形成する工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する工程がそれぞれ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄ１の酸化物を含む膜を形成することを含み、
前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む膜を形成することを含む、
情報記録媒体の製造方法である。

本開示の第９の態様は、前記記録膜を形成する工程で用いる前記ターゲットにおいて、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが、下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たす、第８の態様の情報記録媒体の製造方法である。

本開示の第１０の態様は、前記記録膜を形成する工程で用いるターゲットが、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、第８の態様の情報記録媒体の製造方法である。

本開示の第１１の態様は、前記記録膜を形成する工程で用いるターゲットが、Ｚｎをさらに含む、第８の態様または第１０の態様の情報記録媒体の製造方法である。

本開示の第１２の態様は、情報記録媒体の記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たす、スパッタリングターゲットである。

本開示の第１３の態様は、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、第１２の態様のスパッタリングターゲットである。

本開示の第１４の態様は、Ｚｎをさらに含む、第１２の態様または第１３の態様のスパッタリングターゲットである。

以下、本開示の実施の形態を図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
（実施の形態１）
実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれ３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。

情報記録媒体１００は、Ａ面と称する情報記録媒体１０１とＢ面と称する情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。二つの記録媒体１０１および１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）にて貼り合わせ層５により貼り合わされている。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２および３などを介して、順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０を有し、さらに、Ｌ２層３０に接して設けられたカバー層４を有する。Ｌ１層２０およびＬ２層３０は透過型の情報層である。

情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に対応する位置で記録膜に、記録密度を高くして（すなわち、マーク長を短くして）ピットを形成すれば（ランド−グルーブ記録）、１情報層あたりの容量を例えば８３．４ＧＢにすることができる。情報記録媒体１００においては６つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、情報記録媒体１００は５００ＧＢの容量を有するものとして提供できる。案内溝は、後述するとおり、中間分離層２および３にも形成してよい。特に、Ｌ１層２０およびＬ２層３０において、ランド−グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層２０および３０に案内溝を形成することが好ましい。

３つの情報層の実効反射率は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０の反射率と、Ｌ１層２０およびＬ２層３０の透過率を各々調整することにより制御できる。
本明細書中では、上記のとおり、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、Ｒ_ｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、Ｒ_ｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。

本実施の形態では、一例として、Ｌ０層１０の実効Ｒ_ｇが２．９％、実効Ｒ_ｌが３．１％、Ｌ１層２０の実効Ｒ_ｇが４．４％、実効Ｒ_ｌが４．８％、Ｌ２層３０の実効Ｒ_ｇが５．７％、実効Ｒ_ｌが６．３％となるように設計した構成を説明する。

Ｌ２層３０の透過率が７２％、Ｌ１層２０の透過率が７１％である場合、Ｌ０層１０はＲ_ｇが７．５％、Ｒ_ｌが８．０％、Ｌ１層２０はＲ_ｇが７．０％、Ｒ_ｌが７．７％、Ｌ２層３０はＲ_ｇが５．７％、Ｒ_ｌが６．３％となるように設計すれば、前述の反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。

以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚さについて説明する。
基板１の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１の記録膜１２側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。基板１は透明であることが好ましいが、半透明であってもよく、特に透明性は限定されない。また、基板１の形状は特に限定されず、円盤状であってもよい。基板１は、例えば、厚さが約０．５ｍｍであり、直径が約１２０ｍｍである円盤状のものである。

基板１のＬ０層１０側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板１に形成した場合、前述したとおり、レーザ光１０に近い側の溝（面）を「グルーブ」と呼び、レーザ光１０から遠い側の溝（面）を「ランド」と呼ぶ。溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。ランド・グルーブ記録方式を採用し、かつ高い記録密度でする場合、クロストークの影響を低減するために、溝深さはより深く設計してよい。但し、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。クロストークを低減するとともに、反射率を維持できるよう、溝深さは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。実施の形態１ではグルーブ−ランド間の距離（グルーブの幅方向の中心と、当該グルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離）は、約０．２２５μｍであるが、これに限定されるものではない。

中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂等からなり、例えばアクリル系樹脂からなる。中間分離層２および３は、記録および再生に用いる波長λのレーザ光に対して光吸収が小さいものであると、レーザ光６を効率よくＬ０層１０およびＬ１層２０に到達させることができる。中間分離層２および３は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０のフォーカス位置を区別するために設けられるものである。したがって、中間分離層２および３の厚さは、例えば、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上としてよい。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）^２｝で近似できる。また、Ｌ１層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の厚さは異なる値としてよい。

中間分離層２および３において、レーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層２および３に設ける案内溝の段差、およびグルーブ−ランド間の距離は、基板１に設けられる案内溝に関して説明したとおりである。実施の形態１では、溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は３０ｎｍ、グルーブ−ランド間の距離は、約０．２２５μｍとしているが、これらに限定されるものではない。

カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。カバー層４は、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいものであってよい。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いて形成してよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４は、シート状や薄板状であってよい。シート状や薄板状のカバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を接着剤として、Ｌ２層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成してよい。カバー層４の厚さは、例えば、ＮＡ＝０．８５で良好な記録および再生が可能な厚さである４０μｍ〜８０μｍ程度としてよく、特に、５０μｍ〜６５μｍ程度としてよい。

貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。貼り合わせ層５の透明性は特に限定されず、透明であっても、半透明であってもよい。貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚さは５μｍ〜８０μｍ程度であってよく、特に２０μｍ〜５０μｍ程度であってよい。

情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格の媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層２および３ならびにカバー層４の厚さの総和は１００μｍに設定してよい。例えば、中間分離層２を約２５μｍ厚、中間分離層３を約１８μｍ厚、カバー層４を約５７μｍ厚に設定してよい。

次に、Ｌ０層１０の構成について説明する。Ｌ０層１０は基板１の表面上に、少なくとも第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３がこの順に積層されることにより形成されている。

第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。

レーザ光６が入射する面（カバー層４の表面）から最も遠い位置にあるＬ０層１０は、その再生光量が最も小さくなる傾向にある。また、本発明者らの知見によれば、記録膜１２の両側に位置する二つの誘電体膜１１、１３のうち、レーザ光６の入射面からより遠い側に位置する第１誘電体膜１１が、再生光量により影響を及ぼすことがわかった。ここで、再生光量とは、実効反射率と再生パワーの積で決まる値である。再生光量が大きいほど、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

そこで、本実施形態においては、第１誘電体膜１１を、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含む膜としている。元素Ｄの酸化物は透明な膜を形成できる。Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉの酸化物は、基板１および記録膜１２との密着性が良い。第１誘電体膜１１と記録膜１２との密着性が良好であると、再生パワーを大きくしても、二つの膜の間で剥離（すなわち、劣化）が生じにくいので、再生パワーを大きくすることができる。

第１誘電体膜１１は、元素Ｄの酸化物を一つ含んでよく（一元系であってよく）、その場合、例えば、ＺｒＯ_ｘ、ＩｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、およびＳｉＯ_ｘ（ｘは任意の数字）のいずれか一つを選んでよい。また、これらの酸化物は、各々ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、およびＳｉＯ_２であると、良好な保存信頼性を情報記録媒体に付与することができる。

第１誘電体膜１１は、例えばスパッタリングにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第１誘電体膜１１に含まれる酸化物は、スパッタリング中の酸素および／または金属の欠損もしくは過剰、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施形態および他の実施形態において、第１誘電体膜１１に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損もしくは過剰、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。

第１誘電体膜１１は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。
第１誘電体膜１１が元素Ｄとして２つの金属元素を含む場合（二元系である場合）、その組成は、例えば、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２等であってよい。ここで、「−」は「混合」を意味する。したがって、例えば、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３はＺｒＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３の２つの酸化物が混合されていることを意味する。Ｉｎ_２Ｏ_３を含む二元系酸化物は導電性が高いために、当該二元系酸化物の膜は、直流（ＤＣ）スパッタリングにより形成することが可能であり、したがって高い成膜速度で形成できる。二元系の第１誘電体膜１１は、例えば、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２であってよい。二元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。

第１誘電体膜１１が元素Ｄとして３つの金属元素を含む場合（三元系である場合）、その組成は、例えば、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２等であってよい。Ｉｎ_２Ｏ_３を含む三元系酸化物は導電性が高いために、当該三元系酸化物の膜は、直流（ＤＣ）スパッタリングにより形成することが可能であり、したがって高い成膜速度で形成できる。三元系の第１誘電体膜１１は、例えば、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２であってよい。三元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。

第１誘電体膜１１が元素Ｄとして４つの金属元素を含む場合（四元系である場合）、その組成は、例えば、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２等であってよい。四元系の組成において、酸化物の混合比は特に限定されない。

含まれる全酸化物を１００ｍｏｌ％としたとき、例えば、ＺｒＯ_２を含む膜は、ＺｒＯ_２を２５ｍｏｌ％以上含んでよく、特に３０ｍｏｌ％以上含んでよい。それにより再生光によるマークの記録劣化を抑えることができる。ＺｒＯ_２は７０ｍｏｌ％以下含まれることが好ましい。ＺｒＯ_２が７０ｍｏｌ％を越えると、導電性が低下して、ＤＣスパッタリングにより膜を形成することが困難になる。

また、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３の系において、Ｉｎ_２Ｏ_３は系の導電性に寄与する。Ｉｎ_２Ｏ_３が多く含まれると系の導電性が高くなり、当該系をスパッタリングターゲットとするＤＣスパッタリングがより容易になる。Ｉｎ_２Ｏ_３の含有量は、例えば３０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下であってよく、特に３５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であってよい。ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３の系では、ＺｒＯ_２濃度（ｍｏｌ％）＞ＳｉＯ_２濃度（ｍｏｌ％）であってよく、その場合、繰り返しの再生特性が向上する。

第１誘電体膜１１が、例えば、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３の系のものである場合、その組成は、例えば、（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、（ＺｒＯ_２）_３５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、（ＺｒＯ_２）_４０（ＳｉＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、（ＺｒＯ_２）_４５（ＳｉＯ_２）_１５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、（ＺｒＯ_２）_５０（ＳｉＯ_２）_１０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、（ＺｒＯ_２）_５５（ＳｉＯ_２）_５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０、（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_２０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０、（ＺｒＯ_２）_３５（ＳｉＯ_２）_１５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０、（ＺｒＯ_２）_４０（ＳｉＯ_２）_１０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０、（ＺｒＯ_２）_４５（ＳｉＯ_２）_５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０等であってよい。これは、後述する第１誘電体膜２１、３１についても同様である。

第１誘電体膜１１は、元素Ｄの酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、元素Ｄの酸化物から実質的に成っていてよい。ここで「実質的に」という用語は、第１誘電体膜１１が例えばスパッタリングにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第１誘電体膜１１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、後述するその他の誘電体膜に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。

第１誘電体膜１１は、元素Ｄの酸化物以外の化合物を含んでいてよい。例えば、第１誘電体膜１１は、ＺｎＳ、ＷＯ_３、ＴｉＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＭｏＯ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、およびＣｅＯ_２から選択される少なくとも一つの化合物を含んでよい。

第１誘電体膜１１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜１２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。

第１誘電体膜１１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。後述するその他の誘電体膜も同様にこれらの手法でその組成を分析することができる。

記録膜１２は、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素（Ｏ）とを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む。記録膜１２はＷとＣｕとＭｎと酸素とを含むので、例えば、レーザ光６の照射によってＯが分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜１２を備えたＬ０層は追記型のものとなる。

元素Ｍは、酸化物の生成自由エネルギー〔ｋＪ／ｍｏｌ〕が小さいという特性を持つ。この特性は、他の酸化物の酸素を容易に奪えることを意味する。したがって、元素Ｍを記録膜に添加することにより、他の酸化物は酸素が離脱しやすい状態となり、その記録膜にレーザ光を照射して記録を行うと、酸素の泡がより多く発生して記録膜が膨張し、高い変調度を得ることができる。

ＣａおよびＣｅは、記録膜１２において酸化物の形態で存在していてよい。ＣａおよびＣｅはそれぞれ、酸化数の異なる複数の酸化物を形成し得る。一般に酸素の多い酸化物は透明である。例えば、ＣａＯ（カルシウム２価）は無色である。Ｃｅ_２Ｏ_３（セリウム３価）は黄緑色であるが、ＣｅＯ_２（セリウム４価）は無色である。

記録膜１２に含まれる、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍを合わせて１００原子％としたとき、各元素の割合は、下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
で表されてよい。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍが上記式を満たす記録膜１２は、Ｌ０層１０の記録再生特性を良好にする。

式中、ｘ（Ｗの割合）は、１５以上６０以下であることが好ましい。ｘがこの範囲内にあれば記録膜１２を安定なＤＣスパッタリングにより形成でき、良好な記録再生特性を有するＬ０層が得られる。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの各単体ターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリングを実施する場合、ｘ≧１５であると、ＤＣスパッタリングを良好に実施できる。Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭを混合した合金ターゲットを用いる場合、２０≦ｘ≦５０であると、ＤＣスパッタリングを良好に実施できる。

ｘが１５未満であると、ＤＣスパッタリングを実施する場合に、スパッタリングが不安定となることがあり、異常放電が生じやすくなる。ｘが６０を超えると、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。

ｙおよびｚは０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０を満たす。ｙおよびｚを４０以下とすることにより、記録膜１２の光吸収率を最適化し、再生光による信号劣化を防ぐことができる。
ｚが大きいほど、Ｌ０層の反射率はより高くなる傾向にある。例えば、２０≦ｚ≦４０を満たす記録膜１２は、Ｌ０層１０の反射率をより向上させる。ｙ＝０および／またはｚ＝０になると、大きな記録パワーが必要になる。

ｘ＋ｙ＋ｚは６０以上９５未満である。６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５であると、Ｌ０層１０の記録再生特性が良好なものとなる。また、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５であると、記録の際に酸素の泡がより多く発生して、記録膜１２がより膨張し、変調度をより高くすることができる。ｘ＋ｙ＋ｚが６０未満であると、元素Ｍの割合が多くなりすぎて、記録膜１２の消衰係数が小さくなり、透過率が過度に高くなり、吸収率が小さくなることがある。その結果、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要になることがあり、また、高速記録も困難になることがある。また、ｘ＋ｙ＋ｚが９５以上になると、Ｍの割合が少なくなって、記録膜１２の変調度を高くすることができない。

記録膜１２の元素Ｍは、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素であってよい。本実施形態においては、特に、酸化物の生成エネルギー〔ｋＪ／ｍｏｌ〕が小さいＣｅを用いてよい。これらの元素のいずれかが元素Ｍとして記録膜１２に含まれると、記録膜１２の変調度をより高くすることができる。

記録膜１２はさらにＡｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍを含んでもよい。元素ｍもまた、その酸化物の生成エネルギー〔ｋＪ／ｍｏｌ〕が比較的小さいものである。したがって、元素ｍを含ませることにより、記録の際に、酸素の泡の形成が促進され、より高い変調度を得ることができる。元素ｍの含有量は、記録膜１２の屈折率および消衰係数を考慮して、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍおよび元素ｍの原子数を合わせて１００としたときに、３０原子％以下であってよい。

元素ｍは、記録膜１２において酸化物の形態で存在していてよい。Ａｌ、ＭｇおよびＴａはそれぞれ、酸化数の異なる複数の酸化物を形成し得る。一般に酸素の多い酸化物は透明である。Ａｌ_２Ｏ_３（アルミニウム３価）、ＭｇＯ（マグネシウム２価）、Ｔａ_２Ｏ_５（タンタル５価）はいずれも透明である。

記録膜１２は、元素Ｍに加えて、または元素Ｍと元素ｍに加えて、ＮｂおよびＭｏから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよい。これらの元素は透明な酸化物を形成する。これらの元素は、記録膜１２の屈折率および消衰係数を調整することができ、Ｌ０層１０の反射率および透過率を調整することができる。ＮｂおよびＭｏから選ばれる少なくとも一つの元素の含有量は、記録膜１２の屈折率および消衰係数を考慮して、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ、含まれる場合には元素ｍ、ならびにＮｂおよびＭｏから選ばれる少なくとも一つの元素の原子数を合わせて１００としたときに、３０原子％以下であってよい。

記録膜１２はさらにＺｎを含んでもよい。Ｚｎを含ませることにより、記録膜１２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げたり、Ａｒガスを少なくしたりしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。また、スパッタリング速度をより速くして、良好な生産性で記録膜１２を形成することができる。Ｚｎの含有量は、記録膜１２の屈折率や消衰係数に影響しないよう、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ、含まれる場合には元素ｍ、ＮｂおよびＭｏから選ばれる少なくとも一つの元素、ならびにおよびＺｎの原子数を合わせて１００としたときに、２０原子％以下であってよい。

記録膜１２の組成は、例えば、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｏ（Ｏ：酸素）、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ、
等であってよい。

あるいは、記録膜１２の組成は、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｏ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｍｏ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｎｂ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｍｏ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｎｂ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｏ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｏ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｎｂ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｍｏ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｎｂ−Ｚｎ−Ｏ、
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｍｏ−Ｚｎ−Ｏ、
等をであってよい。

記録膜１２中のＷは、透明性の高いＷＯ_３の形態で存在していてよい。記録膜１２には、金属Ｗ、ＷＯ_２、ＷＯ_２とＷＯ_３の中間の酸化物（Ｗ_１８Ｏ_４９、Ｗ_２０Ｏ_５８、Ｗ_５０Ｏ_１４８、Ｗ_４０Ｏ_１１９など）、またはマグネリ相（Ｗ_ｎＯ_３ｎー１）が含まれていてもよい。

記録膜１２中のＣｕは、ＣｕＯまたはＣｕ_２Ｏの形態で存在していてよい。記録膜１２には、金属Ｃｕが含まれていてもよい。

記録膜１２の膜中のＭｎは、ＭｎＯ、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｍｎ_２Ｏ_３、およびＭｎＯ_２から選ばれる少なくとも一つの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜１２には、金属Ｍｎが含まれていてもよい。

記録膜１２中のＣａは、無色のＣａＯの形態で存在していてよい。記録膜１２には、ＣａＯ_２が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｃａが含まれていてもよい。特に、ＣａＯは透明であるので、ＣａＯは記録膜１２の透明性が求められる場合に有利である。

記録膜１２中のＣｅは、無色のＣｅＯ_２の形態で存在していてよい。記録膜１２には、Ｃｅ_２Ｏ_３が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｃｅが含まれていてもよい。特に、ＣｅＯ_２は透明であるので、ＣｅＯ_２は記録膜１２の透明性が求められる場合に有利である。

記録膜１２中のＡｌは、無色のＡｌ_２Ｏ_３の形態で存在していてよい。記録膜１２には、ＡｌＯ、またはＡｌ_２Ｏが含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ａｌが含まれていてもよい。特に、Ａｌ_２Ｏ_３は透明であるので、Ａｌ_２Ｏ_３は記録膜１２の透明性が求められる場合に有利である。

記録膜１２中のＭｇは、無色のＭｇＯの形態で存在していてよい。記録膜１２には、Ｍｇ_２Ｏ_３、またはＭｇＯ_２が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｍｇが含まれていてもよい。特に、ＭｇＯは透明であるので、ＭｇＯは記録膜１２の透明性が求められる場合に有利である。

記録膜１２中のＴａは、無色のＴａ_２Ｏ_５の形態で存在していてよい。記録膜１２には、ＴａＯ_２が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｔａが含まれていてもよい。特に、Ｔａ_２Ｏ_５は透明であるので、Ｔａ_２Ｏ_５は記録膜１２の透明性が求められる場合に有利である。

記録膜１２中のＺｎは、無色のＺｎＯの形態で存在していてよい。金属Ｚｎが含まれていてもよい。

記録膜１２中のＮｂは、無色のＮｂ_２Ｏ_５またはＮｂＯ_ｘの形態で存在していてよい。Ｎｂ_２Ｏ_５とＮｂＯ_ｘが混在していてもよい。記録膜１２には、ＮｂＯ、ＮｂＯ_２、またはマグネリ相（Ｎｂ_３ｎ＋１Ｏ_８ｎ−２）が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｎｂが含まれていてもよい。

記録膜１２中のＭｏは、無色のＭｏＯ_３の形態で存在していてよい。記録膜１２には、ＭｏＯ_２、ＭｏＯ_２とＭｏＯ_３の中間の酸化物（Ｍｏ_３Ｏ_８、Ｍｏ_４Ｏ_１１、Ｍｏ_５Ｏ_１４、Ｍｏ_８Ｏ_２３、Ｍｏ_９Ｏ_２６、Ｍｏ_１７Ｏ_４７など）、またはマグネリ相（Ｍｏ_ｎＯ_３ｎ−２）が含まれていてもよい。記録膜１２には、金属Ｍｏが含まれていてもよい。

記録膜１２中には、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）、元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）、およびＺｎから選択される２以上の金属を含む複合酸化物が存在してもよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣａＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣａＯのいずれかである可能性が高い。これらの系は、ＣａＯよりも不安定であって酸化されやすい、Ｃａの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２のいずれかである可能性が高い。これらの系は、ＣｅＯ_２よりも不安定であって酸化されやすい、Ｃｅの酸化物をさらに含んでよい。

上記したいずれの系も、さらにＡｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素を含んでよく、その場合、ＡｌはＡｌ_２Ｏ_３、ＭｇはＭｇＯ、ＴａはＴａ_２Ｏ_５の形態で含まれてよい。さらにＺｎを含んでもよく、その場合、ＺｎはＺｎＯの形態で含まれてよい。

具体的には、記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかであってよい。これらの系は、ＣａＯおよびＡｌ_２Ｏ_３よりも不安定であって酸化されやすい、ＣａおよびＡｌの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−ＭｇＯのいずれかであってよい。これらの系は、ＣｅＯ_２およびＭｇＯよりも不安定であって酸化されやすい、ＣｅおよびＭｇの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｔａ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ｔａ_２Ｏ_５、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣａＯ_２−Ｔａ_２Ｏ_５のいずれかであってよい。これらの系は、ＣａＯおよびＴａ_２Ｏ_５よりも不安定であって酸化されやすい、ＣａおよびＴａの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｎＯのいずれかであってよい。これらの系は、ＣｅＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３よりも不安定であって酸化されやすい、ＣｅおよびＡｌの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｚｎ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−ＺｎＯのいずれかであってよい。これらの系は、ＣｅＯ_２よりも不安定であって酸化されやすい、Ｃｅの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｎｂ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−Ｎｂ_２Ｏ_５のいずれかであってよい。これらの系は、ＣｅＯ_２よりも不安定であって酸化されやすい、Ｃｅの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｏ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣｅＯ_２−ＭｏＯ_３のいずれかであってよい。これらの系は、ＣｅＯ_２よりも不安定であって酸化されやすい、Ｃｅの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２の組成が、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｎｂ−Ｏである場合、記録膜１２の系は、例えば、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ_２−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、ＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５、およびＷＯ_３−Ｃｕ_２Ｏ−ＭｎＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_５のいずれかであってよい。Ｎｂの酸化物が記録膜１２に含まれると、Ｌ０層の反射率を高めることができる。これらの系は、ＣｅＯ_２およびＭｇＯよりも不安定であって酸化されやすい、Ｃｅの酸化物およびＭｇの酸化物をさらに含んでよい。

記録膜１２に含まれる上記の酸化物は、必ずしも化学量論組成になっていなくてもよく、酸素が一部欠損していてもよく、あるいは過剰になっていてもよい。あるいはまた、それらの酸化物が混合している系であってよい。

このように、記録膜１２が複数の酸化物を含み、酸素以外の元素であるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）で表され、式中、ｘ、ｙおよびｚが、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５を満たせば、大容量（例えば、１ディスクあたり５００ＧＢ）の情報の記録再生に必要なＳ／Ｎを確保できる変調度が得られる。

記録膜１２に含まれる酸素の割合は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ、および酸素、ならびに含まれる場合には元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＺｎの原子数の合計を１００％としたときに、例えば、６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６６原子％以上７６原子％以下であってよい。酸素の割合が６０原子％未満であると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。前述のとおり、再生光量とは、実効反射率と再生パワーの積で決まる値である。酸素の割合が８０原子％を超えると、記録感度が悪くなりすぎて、記録に大きなパワーが必要になり、高速記録も困難になる。

記録膜１２は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素Ｍ、および酸素、ならびに含まれる場合には元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｎｂ、ＭｏおよびＺｎから選択される少なくとも一つの元素から実質的になっていてよい。ここで、「実質的に」という用語は、記録膜１２が例えばスパッタリングにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびスパッタリングターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は記録膜１２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、後述する他の記録膜に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。

記録膜１２の厚さは、例えば、１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。記録膜１２の厚さが１５ｎｍ未満であると、記録膜１２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないことがあり、その結果、チャンネルビットエラーレートが悪化する。チャンネルビットエラーレートとは、記録した全部のピット又はマークの数に対する、再生されないピット又はマークの数の割合を指す。記録膜１２の厚さが６０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜１２の厚さが６０ｎｍを超えると、記録膜１２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。

記録膜１２の厚さは、例えば、段差計、エリプソメータ、および電子顕微鏡などで、ナノメートル単位で厳密に計測することができる。

記録膜１２の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。

第２誘電体膜１３は第１誘電体膜１１と同様に、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を制御する働きを有する。また、第２誘電体膜１３は、中間分離層２側からの記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第２誘電体膜１３はまた、中間分離層２から記録膜１２への有機物の混入を抑制したり、Ｌ０層１０と中間分離層２との密着性を確保したりする機能も併せ持つ。

第２誘電体膜１３は、第１誘電体膜１１と同様に元素Ｄの酸化物を含むものであってよく、他の組成のものであってよい。前述のとおり、第２誘電体膜１３の組成がＬ０層１０の再生光量に及ぼす影響は、第１誘電体膜１１のそれよりも小さいため、第２誘電体膜１３の組成は特に限定されない。

第２誘電体膜１３は、元素Ｄの酸化物を一つ含んでよく（一元系であってよく）、その場合、例えば、ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、およびＳｉＯ_２のいずれかを含んでよい。これらは透明な酸化物であり、また、中間分離層２と良好に密着する。

第２誘電体膜１３は、例えばスパッタリングにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第２誘電体膜１３に含まれる酸化物は、スパッタリング中の酸素および／または金属の欠損もしくは過剰、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施形態および他の実施形態において、第２誘電体膜１３に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、前述のとおり、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損もしくは過剰、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。

第２誘電体膜１３は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。
第２誘電体膜１３が元素Ｄとして２つの金属元素を含む場合（二元系である場合）の組成例、元素Ｄとして３つの金属元素を含む場合（三元系である場合）の組成例、元素Ｄとして４つの金属元素を含む場合（四元系である場合）の組成例は、先に第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりである。

第２誘電体膜１３の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。厚さが５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜１２への水分の侵入を抑制できないことがある。厚さが４０ｎｍより大きいと、Ｌ０層１０の反射率が下がる。

第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体１３の具体的な厚さはマトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜１２が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部−未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。

次にＬ１層２０の構成について説明する。Ｌ１層２０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜２１、記録膜２２、および第２誘電体膜２３がこの順に積層されることにより形成されている。

第１誘電体膜２１の機能は、前述したＬ０層１０の第１誘電体膜１１のそれと同様である。また、第１誘電体膜２１は、中間分離層２とＬ１層２０とを密着させる役割も有する。Ｌ１層２０は、Ｌ０層１０よりもレーザ光６の入射面に近い側にあるため、Ｌ０層１０よりも高い実効反射率を確保しやすい。したがって、第１誘電体膜２１は、反射率以外の特性を考慮した上で、第１誘電体膜１１または第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成してよい。あるいは、第１誘電体膜２１は、他の材料、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料を用いて形成してよい。

第１誘電体膜２１の組成は、例えば、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２等であってよい。ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、およびＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２の膜は、ＤＣスパッタリングにより形成可能である。

第１誘電体膜２１の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層２との密着性が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜２１の厚さが５０ｎｍを超えると、第１誘電体膜２１の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。

記録膜２２の機能は、前述したＬ０層１０の記録膜１２のそれと同様である。上記のとおり、Ｌ１層２０はＬ０層１０よりも概して高い実効反射率を与えやすいので、記録膜２２の組成は、反射率以外の特性を考慮して限定してよい。記録膜２２は、記録膜１２に関連して例示した材料と同様の材料を用いて形成してよい。記録膜２２は、元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）およびＺｎの少なくとも一つをさらに含んでよい。記録膜２２は、ＮｂまたはＭｏをさらに含んでよい。

より具体的には、記録膜２２は、記録膜１２と同様に、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、元素Ｍ（元素ＭはＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素とを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、例えば、Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）で表される材料で形成してよい。その場合、Ｌ１層２０の変調度を向上させることができる。

Ｌ１層２０はＬ０層１０よりもレーザ光６に近い位置にあるので、その実効反射率を高くしやすい。そのため、記録膜２２は、高い透過率を確保することを優先して、Ｌ０層１０の記録膜１２よりもｚの値（Ｍｎ量）が小さい材料で形成してよい。上記式において、ｚは例えば１０≦ｚ≦３５を満たしてよい。

記録膜２２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６７原子％以上７７原子％以下であってよい。
記録膜２２の膜厚は、１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜２２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。６０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜２２の厚さが６０ｎｍを超えると、記録膜２２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。

第２誘電体膜２３の機能は、前述したＬ０層１０の第２誘電体膜１３のそれと同様である。第２誘電体膜２３の組成は、特に限定されない。これは、Ｌ１層２０は、Ｌ０層１０よりもレーザ光６の入射面に近い側にあるため、第２誘電体膜２１の組成を特定のものとしなくても、その実効反射率を確保しやすいことによる。第１誘電体２１と同じ組成の材料を用いてもよい。第２誘電体膜２３は、第１誘電体膜１１または第２誘電体膜１３に関連して例示した材料を用いて形成することができる。あるいは、第２誘電体膜２３は、他の材料、例えば第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料を用いて形成してよい。

第２誘電体膜２３の組成は、例えば、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２等であってよい。ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、およびＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２の膜は、ＤＣスパッタリングにより形成可能である。

第２誘電体膜２３の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、４０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が下がることがある。

次にＬ２層３０の構成について説明する。Ｌ２層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３がこの順に積層されることにより形成されている。

Ｌ２層３０の構成は基本的にはＬ１層２０と同様である。
第１誘電体膜３１は、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１と同様の機能を有し、したがって、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１と同様の機能を有する。また、第１誘電体膜３１は、中間分離層３とＬ２層３０とを密着させる役割をも有する。また、第１誘電体膜３１は、第１誘電体膜２１と同様、その組成は特に限定されない。Ｌ２層３０は最も外側に位置するため、第１誘電体膜３１の組成を特定のものとしなくても、Ｌ２層３０の実効反射率を確保しやすいことによる。したがって、第１誘電体膜３１は、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１２に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料を用いて形成してよい。第１誘電体膜３１は、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料で形成してよい。

第１誘電体膜３１の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。１０ｎｍ未満であると、中間分離層３との密着性が低下して、記録膜３２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。５０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜３１の厚さが５０ｎｍを超えると、第１誘電体膜３１の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。

記録膜３２の機能は、Ｌ１層２０の記録膜２２のそれと同様であり、したがって、Ｌ０層１０の記録膜１２のそれと同様である。したがって、記録膜３２は、記録膜２２と同様、Ｌ０層１０の記録膜１２に関連して例示した材料を用いて形成することができる。より具体的には、記録膜３２は、記録膜１２と同様に、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、元素Ｍと、酸素とを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、例えば、Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ、６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）で表される材料で形成してよい。記録膜３２は元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）およびＺｎの少なくとも一つをさらに含んでよい。記録膜３２はさらにＮｂまたはＭｏを含んでよい。その場合、Ｌ２層３０の透過率を高めることができ、Ｌ０層１０の実効反射率を向上させる、すなわちＬ０層１０の再生光量を大きくすることができる。

Ｌ２層３０はレーザ光６に最も近い位置にあるので、その実効反射率を大きくしやすい。よって、記録膜３２は、高い透過率を確保することを優先して、Ｌ０層１０の記録膜１２およびＬ１層２０の記録膜２２よりもｚの値（Ｍｎ量）が小さい材料で形成してよい。上記式において、ｚは例えば５≦ｚ≦３５を満たしてよい。

記録膜３２に含まれる酸素の割合は、記録膜２２のそれと同様、金属元素と酸素の原子数の合計を１００％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよく、特に６５原子％以上７５下原子％以下であってよい。

記録膜３２の膜厚は、１５ｎｍ以上６０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜３２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、チャンネルビットエラーレートが悪化する。６０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜３２の厚さが６０ｎｍを超えると、記録膜３２の成膜に要する時間（スパッタリング時間）が長くなり生産性が低下することがある。

第２誘電体膜３３は、Ｌ１層２０の第２誘電体膜２３と同様の機能を有し、したがって、Ｌ０層１０の第２誘電体膜１３と同様の機能を有する。また、第２誘電体膜３３は、第２誘電体膜２３と同様、その組成は特に限定されない。Ｌ２層３０は最も外側に位置するため、第２誘電体膜３３の組成を特定のものとしなくても、その実効反射率を確保しやすいからである。したがって、第２誘電体膜３３は、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１２に関連して例示した材料を用いて形成することができ、あるいは他の材料を用いて形成してよい。第２誘電体膜３３は、例えば、第１誘電体膜１１で用いる材料よりも屈折率の小さい材料で形成してよい。

第２誘電体膜３３の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜３２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。

ここで情報記録媒体１００の実効反射率について説明する。実施の形態１ではＬ０層１０の実効Ｒ_ｇが２．９％、実効Ｒ_ｌが３．１％、Ｌ１層２０の実効Ｒ_ｇが４．４％、実効Ｒ_ｌが４．８％、Ｌ２層３０の実効Ｒ_ｇが５．７％、実効Ｒ_ｌが６．３％とした。Ｌ０層１０の性能をさらに向上させるためには、Ｌ０層１０の反射率をより高くするか、あるいはＬ１層２０およびＬ２層３０の反射率をより低くしてよい。このような設計とすることによって、記録または再生時における迷光の影響を低減することができる。迷光とは、記録または再生時において、再生の対象でない情報層で反射した光のことを指し、迷光が光検出器に入射すると、外乱成分となり、安定した信号を得られなくなる。

第１誘電体膜１１、２１、３１、記録膜１２、２２、３２、および第２誘電体膜１３、２３，３３は、これらを構成する酸化物を混合したスパッタリングターゲットを用いて、ＲＦ（ＲＦ：ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタリングまたはＤＣスパッタリングにより形成してよい。あるいは、これらの膜は、酸素を含まない合金スパッタリングターゲットを用いて、酸素導入下でのＲＦスパッタリング、または酸素導入下でのＤＣスパッタリングにより形成してよい。あるいはまた、各酸化物のスパッタリングターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、同時にＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタリングに付す方法で、これらの膜を形成してよい（マルチスパッタリング法）。ＲＦスパッタリングとＤＣスパッタリングは同時に実施してもよい。さらに別の膜形成方法としては、金属の単体もしくは合金からなるスパッタリングターゲット、または酸化物のスパッタリングターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、必要に応じて酸素を導入しながら同時にＲＦスパッタリングする方法や、同時にＤＣスパッタリングする方法が挙げられる。あるいは、金属と酸化物を混合してなるスパッタリングターゲットを用い、酸素を導入しながら、ＲＦスパッタリングまたはＤＣスパッタリングする方法で、これらの膜を形成してよい。

実施の形態１の変形例においては、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、いずれかの情報層の記録膜が、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄまたはＧｅ−Ｂｉ−Ｏ等の他の記録膜、すなわちＷ−Ｏ系記録膜以外の記録膜であってもよい。あるいは、他の変形例においては、必要に応じて、反射膜および上記において例示していない材料から成る誘電体膜を設けてもよい。本開示に係る技術の効果は、これらの変形例においても達成される。

さらに別の変形例においては、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせが、Ｌ０層１０に加えて又はＬ０層１０に代えて、別の情報層で実現されていてよい。特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせは、再生光量が低下しやすいＬ０層１０の再生光量を向上させるのに効果的であるが、他の情報層で用いられる場合には当該他の情報層の再生光量を向上させることができる。

また、特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜との組み合わせをＬ１層２０またはＬ２層３０に用いると、Ｌ１層２０またはＬ２層３０の透過率を上げることができるので、Ｌ０層１０に到達するレーザ光６の量が増え、Ｌ０層１０の実効反射率を向上させることができ、ひいてはＬ０層１０の再生光量を向上させることができる。すなわち、Ｌ１層２０およびＬ２層３０に特定組成の第１誘電体膜と特定組成の記録膜を適用することによっても、Ｌ０層１０に記録した短いマークのＳ／Ｎ比を高くすることができる。

情報記録媒体１００の記録方式は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔＬｉｎｅａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔＡｎｇｕｌａｒＶｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、ＺｏｎｅｄＣＬＶおよびＺｏｎｅｄＣＡＶのいずれであってよい。使用できるデータビット長は５１．３ｎｍである。

本実施の形態の情報記録媒体１００への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数ＮＡが０．９１である光学系で実施してよく、あるいはＮＡ＞１の光学系で実施してよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）、またはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用してもよい。この場合、中間分離層２および３、ならびにカバー層４は５μｍ以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。

（実施の形態２）
実施の形態２として、本開示の情報記録媒体の別の一例を説明する。実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録及び再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体２００は、以下の３点において実施の形態１と異なる。第１の相違点は、Ｌ０層１０において、第３誘電体膜１４が、第１誘電体膜１１と記録膜１２との間に設けられていることである。第２の相違点は、Ｌ１層２０において、第３誘電体膜２４が、第１誘電体膜２１と記録膜２２との間に設けられていることである。第３の相違点は、Ｌ２層３０において、第３誘電体膜３４が、第１誘電体膜３１と記録膜３２との間に設けられていることである。

Ｌ０層１０は、レーザ光６照射側から見て遠い方から、第１誘電体膜１１、第３誘電体膜１４、記録膜１２、および第２誘電体膜１３をこの順に含んでよい。

第３誘電体膜１４は、Ｌ０層１０の反射率向上に寄与し、再生光量を増加させることができる。第３誘電体膜１４の屈折率は高いことが好ましく、２．２以上であることが好ましい。第３誘電体膜１４は、Ｎｂの酸化物を含んでよい。第３誘電体膜１４において、Ｎｂは、特にＮｂ_２Ｏ_５の形態で存在してよい。Ｎｂの酸化物は透明な酸化物であって、波長４０５ｎｍにおける屈折率が高い。より具体的には、分光エリプソメータを用いて実測したＮｂ_２Ｏ_５の屈折率値は、波長４０５ｎｍにおいて、２．４２である。また、Ｎｂの酸化物を含むことにより、高い成膜レートで、第３誘電体膜１４を形成することができる。

第３誘電体膜１４の導電性がより高くなるよう、ＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を用いてよい。
また、第３誘電体膜１４は、その比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第３誘電体膜２４、３４についても同様である。

第３誘電体膜１４は、Ｎｂの酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、Ｎｂの酸化物から実質的に成っていてよい。「実質的に」という用語の意味は、実施の形態１において第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりである。

第３誘電体膜１４は、さらにＺｒの酸化物を含んでよい。Ｚｒの酸化物は、例えばＺｒＯ_２であるが、必ずしも化学量論組成のものでなくてよい。Ｚｒの酸化物は、第３誘電体膜１４の硬さや第１誘電体膜１１との密着性等を調整することができる。Ｚｒの酸化物が含まれる場合にも、第３誘電体膜１４は、Ｎｂの酸化物は５０ｍｏｌ％以上含んでよい。Ｎｂの酸化物の割合が小さすぎると、屈折率が下がり、Ｌ０層１０の反射率を高めることができないことがある。

第３誘電体膜１４がＺｒＯ_２を含む場合、当該ＺｒＯ_２として安定化ジルコニアを用いてもよい。これは後述する第３誘電体膜２４、３４についても同様である。

第１誘電体膜１１／第３誘電体膜１４の組み合わせは、例えば、ＺｒＯ_２（第１誘電体膜１１）／ＮｂＯ_ｘ（第３誘電体膜１４）、ＺｒＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＳｉＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｉｎ_２Ｏ_３／ＮｂＯ_ｘ、Ｉｎ_２Ｏ_３／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＳｎＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−ＳｎＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２／ＮｂＯ_ｘ、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５であってよい。

特に、第１誘電体膜１１／第３誘電体膜１４の組み合わせは、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／Ｎｂ_２Ｏ_５であってよい。これらの組み合わせは、第１誘電体膜１１と第３誘電体膜１４がともにＤＣスパッタリングにより形成可能である組み合わせである。よって、これらの組み合わせを用いれば、ＤＣスパッタリングによって、良好な生産性で情報記録媒体２００を製造することが可能となる。第１誘電体膜１１が、実施の形態１において例示した、他の二元系、三元系、または四元系の組成である場合でも、第３誘電体膜１４を設けてよい。

あるいは、第３誘電体膜１４は、波長４０５ｎｍにおける屈折率が高い（例えば、２．２以上である）限りにおいて、他の金属の酸化物を含んでいてよく、他の金属の酸化物から実質的になっていてよい。他の金属の酸化物は、例えば、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２である。

第１誘電体膜１１の厚さは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってよい。第１誘電体膜１１の厚さがこの範囲内にあれば、第１誘電体膜１１と基板１との密着性、および第１誘電体膜１１と第３誘電体膜１４との密着性が良好となる。第１誘電体膜１１の厚さが３ｎｍ未満であると、基板１との密着性、および第３誘電体膜１４との密着性が不十分となることがある。第１誘電体膜１１の厚さが１５ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。

第３誘電体膜１４の厚さは、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下であってよい。第３誘電体膜１４の厚さがこの範囲内にあれば、第３誘電体膜１４と第１誘電体膜１１との密着性、および第３誘電体膜１４と記録膜１２との密着性が良好となる。第３誘電体膜１４の厚さが３ｎｍ未満であると、第１誘電体膜１１との密着性、および記録膜１２との密着性が不十分となることがある。第３誘電体膜１４の厚さが３５ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。

Ｌ０層１０に関して、第１誘電体膜１１および第３誘電体膜１４以外の膜の構成は実施の形態１で説明したものと同一であるから、ここではその説明を省略する。

Ｌ１層２０は、レーザ光６照射側から見て遠い方から、第１誘電体膜２１、第３誘電体膜２４、記録膜２２、および第２誘電体膜２３をこの順に含んでよい。

第３誘電体膜２４は、Ｌ１層２０の反射率向上に寄与し、再生光量を増加させることができる。第３誘電体膜２４の屈折率は高いことが好ましく、２．２以上であることが好ましい。第３誘電体膜２４はＮｂの酸化物を含んでよい。第３誘電体膜２４において、Ｎｂは、特にＮｂ_２Ｏ_５の形態で存在してよい。Ｎｂの酸化物は透明な酸化物であって波長４０５ｎｍにおける屈折率が高い。より具体的には、分光エリプソメータを用いて実測したＮｂ_２Ｏ_５の屈折率値は、波長４０５ｎｍにおいて、２．４２である。また、Ｎｂの酸化物を含むことにより、高い成膜レートで、第３誘電体膜２４を形成することができる。

第３誘電体膜２４の導電性がより高くなるよう、ＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を用いてよい。

第３誘電体膜２４は、Ｎｂの酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、Ｎｂの酸化物から実質的に成っていてよい。「実質的に」という用語の意味は、実施の形態１において第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりである。

第３誘電体膜２４は、さらにＺｒの酸化物を含んでよい。Ｚｒの酸化物は、例えばＺｒＯ_２であるが、必ずしも化学量論組成のものでなくてよい。Ｚｒの酸化物は、第３誘電体膜２４の硬さや第１誘電体膜２１との密着性等を調整することができる。Ｚｒの酸化物が含まれる場合にも、第３誘電体膜２４は、Ｎｂの酸化物は５０ｍｏｌ％以上含んでよい。Ｎｂの酸化物の割合が小さすぎると、屈折率が下がり、Ｌ１層２０の反射率を高めることができないことがある。

第１誘電体膜２１／第３誘電体膜２４の組み合わせの例は、前述のＬ０層１０の第１誘電体膜１１／第３誘電体膜１４の組み合わせの例と同様である。

特に、第１誘電体膜２１／第３誘電体膜２４の組み合わせは、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／Ｎｂ_２Ｏ_５であってよい。これらの組み合わせは、第１誘電体膜２１と第３誘電体膜２４がともにＤＣスパッタリングにより形成可能である組み合わせである。よって、これらの組み合わせを用いれば、ＤＣスパッタリングによって、良好な生産性で情報記録媒体２００を製造することが可能となる。第１誘電体膜２１が、実施の形態１において例示した、他の二元系、三元系、または四元系の組成である場合でも、第３誘電体膜２４を設けてよい。

Ｌ１層２０において、第３誘電体膜２４は、必要に応じて設けてよい。第１誘電体膜２１と第２誘電体膜２３を形成することによって要求される反射率を確保できる場合は、第３誘電体膜２４を必ずしも設ける必要はない。

第１誘電体膜２１の厚さは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってよい。第１誘電体膜２１の厚さがこの範囲内にあれば、第１誘電体膜２１と中間分離層２との密着性、および第１誘電体膜２１と第３誘電体膜２４との密着性が良好となる。第１誘電体膜２１の厚さが３ｎｍ未満であると、中間分離層２との密着性、および第３誘電体膜２４との密着性が不十分となることがある。第１誘電体膜２１の厚さが１５ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。

第３誘電体膜２４の厚さは、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下であってよい。第３誘電体膜２４の厚さがこの範囲内にあれば、第３誘電体膜２４と第１誘電体膜２１との密着性、および第３誘電体膜２４と記録膜２２との密着性が良好となる。第３誘電体膜２４の厚さが３ｎｍ未満であると、第１誘電体膜２１との密着性、および記録膜２２との密着性が不十分となることがある。第３誘電体膜２４の厚さが３５ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。

Ｌ１層２０に関して、第１誘電体膜２１および第３誘電体膜２４以外の膜の構成は実施の形態１で説明したものと同一であるから、ここではその説明を省略する。

Ｌ２層３０は、レーザ光６照射側から見て遠い方から、第１誘電体膜３１、第３誘電体膜３４、記録膜３２、および第２誘電体膜３３をこの順に含んでよい。

第３誘電体膜３４は、Ｌ２層３０の反射率向上に寄与し、再生光量を増加させることができる。第３誘電体膜３４の屈折率は高いことが好ましく、２．２以上であることが好ましい。第３誘電体膜３４はＮｂの酸化物を含んでよい。第３誘電体膜３４において、Ｎｂは、特にＮｂ_２Ｏ_５の形態で存在してよい。Ｎｂの酸化物は透明な酸化物であって波長４０５ｎｍにおける屈折率が高い。より具体的には、分光エリプソメータを用いて実測したＮｂ_２Ｏ_５の屈折率値は、波長４０５ｎｍにおいて、２．４２である。また、Ｎｂの酸化物を含むことにより、高い成膜レートで、第３誘電体膜３４を形成することができる。

第３誘電体膜３４の導電性がより高くなるよう、ＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を用いてよい。

第３誘電体膜３４は、Ｎｂの酸化物を例えば、５０ｍｏｌ％以上含んでよく、Ｎｂの酸化物から実質的に成っていてよい。「実質的に」という用語の意味は、実施の形態１において第１誘電体膜１１に関連して説明したとおりである。

第３誘電体膜３４は、さらにＺｒの酸化物を含んでよい。Ｚｒの酸化物は、例えばＺｒＯ_２であるが、必ずしも化学量論組成のものでなくてよい。Ｚｒの酸化物は、第３誘電体膜３４の硬さや第１誘電体膜３１との密着性等を調整することができる。Ｚｒの酸化物が含まれる場合にも、第３誘電体膜３４は、Ｎｂの酸化物は５０ｍｏｌ％以上含んでよい。Ｎｂの酸化物の割合が小さすぎると、屈折率が下がり、Ｌ２層３０の反射率を高めることができないことがある。

第１誘電体膜３１／第３誘電体膜３４の組み合わせは、前述のＬ０層１０の第１誘電体膜１１／第３誘電体膜１４の組み合わせと同様である。

特に、第１誘電体膜３１／第３誘電体膜３４の組み合わせは、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／ＮｂＯ_ｘ、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３／Ｎｂ_２Ｏ_５であってよい。これらの組み合わせは、第１誘電体膜３１と第３誘電体膜３４がともにＤＣスパッタリングにより形成可能である組み合わせである。よって、これらの組み合わせを用いれば、ＤＣスパッタリングによって、良好な生産性で情報記録媒体２００を製造することが可能となる。第１誘電体膜３１が、実施の形態１において例示した、他の二元系、三元系、または四元系の組成である場合でも、第３誘電体膜３４を設けてよい。

Ｌ２層３０においては、第３誘電体膜３４は、必要に応じて設けてよい。第１誘電体膜３１と第２誘電体膜３３を形成することによって要求される反射率を確保できる場合は、第３誘電体膜３４を必ずしも設ける必要はない。

第１誘電体膜３１の厚さは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であってよい。第１誘電体膜３１の厚さがこの範囲内にあれば、第１誘電体膜３１と中間分離層３との密着性、および第１誘電体膜３１と第３誘電体膜３４との密着性が良好となる。第１誘電体膜３１の厚さが３ｎｍ未満であると、中間分離層３との密着性、および第３誘電体膜３４との密着性が不十分となることがある。第１誘電体膜３１の厚さが１５ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。

第３誘電体膜３４の厚さは、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下であってよい。第３誘電体膜３４の厚さがこの範囲内にあれば、第３誘電体膜３４と第１誘電体膜３１との密着性、および第３誘電体膜３４と記録膜３２との密着性が良好となる。第３誘電体膜３４の厚さが３ｎｍ未満であると、第１誘電体膜３１との密着性、および記録膜３２との密着性が不十分となることがある。第３誘電体膜３４の厚さが３５ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。

Ｌ２層３０に関して、第１誘電体膜３１および第３誘電体膜３４以外の膜の構成は実施の形態１で説明したものと同一であるから、ここではその説明を省略する。

（実施の形態３）
次に、実施の形態１で説明した情報記録媒体１００の製造方法を、実施の形態３として説明する。
Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。

まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、第１誘電体膜１１を形成する工程において、基板１上に第１誘電体膜１１を成膜する。このとき、基板１に螺旋状の案内溝が形成されているときは、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。第１誘電体膜１１は、得ようとする組成に応じて、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。希ガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタリングの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタリングについてもあてはまる。

スパッタリングターゲットは、元素Ｄを酸化物の形態で含んでよく、あるいは金属の形態で含んでよい。金属からなるターゲットを使用する場合には、酸素ガスを含む雰囲気中で実施する反応性スパッタリングにより酸化物を形成してよい。

導電性を有する（比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である）スパッタリングターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを実施すると、ＲＦスパッタリングを実施する場合と比較して、より高い成膜レートを達成できる。

具体的には、スパッタリングターゲットの組成は、ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２等であってよい。これらのスパッタリングターゲットを用いると、スパッタリングターゲットと同じ組成の薄膜を形成することができる。また、Ｉｎ_２Ｏ_３および／またはＳｎＯ_２を含む組成のスパッタリングターゲットは、導電性が高く、ＤＣスパッタリングによって安定的に第１誘電体膜１１を形成することを可能とする。よって、Ｉｎ_２Ｏ_３および／またはＳｎＯ_２を含む組成のスパッタリングターゲットを用いると、第１誘電体膜１１の形成時に高い成膜レートを期待できる。

また、第１誘電体膜１１を複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、複数のカソードから誘電体材料を同時に堆積させるマルチスパッタリングを実施してよい。マルチスパッタリングにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜において所望の組成比を得ることができる。

例えば、第１誘電体膜１１として、ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３からなる薄膜を形成する場合、スパッタリングターゲットの組み合わせとして、（ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３）を用いることができる。同様にして、以下に挙げる二元系、三元系、四元系の薄膜を、それぞれ以下に示すスパッタリングターゲットの組み合わせ（括弧内に記載された複数の酸化物がターゲットの組み合わせに相当する）で形成することができる。
・ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２）
・ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２（ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２）
・Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２）
・Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２）
・ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２（ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２）
・ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２（ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２）
・ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２（ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２）
・ＺｒＯ_２−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２（ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２）
・Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２（Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２）
・ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＳｉＯ_２（ＺｒＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＳｉＯ_２）

続いて、記録膜１２を形成する工程において、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。記録膜１２は、その組成に応じて、金属合金または金属−酸化物の混合物からなるスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングを実施することにより形成できる。記録膜１２の厚さが第１誘電体膜１１などの誘電体膜より厚いので、生産性を考慮し、記録膜１２は、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いて成膜することが好ましい。記録膜１２中に多くの酸素を含有させるため、雰囲気ガス中に多量の酸素ガスを混合することが好ましい。

スパッタリングターゲットは、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍを含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍが下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たすものであってよい。

スパッタリングターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍを合わせた原子数を１００％としたときに、Ｗの含有量が１５原子％よりも少ないと、ＤＣスパッタリングが不安定になる場合がある。その場合、パルスＤＣスパッタリングで成膜してよい。形成しようとする記録膜１２に含まれるＷの含有量が２０原子％よりも少ない場合には、記録膜１２を構成する各金属の単体またはその酸化物からなるターゲットを同時にスパッタリングするマルチスパッタリングを実施してよい。マルチスパッタリングにおいては、各カソードのスパッタパワーを調整することで、薄膜において所望の組成比を得ることができる。

記録膜１２を形成する工程では、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含むターゲットを用いてよい。元素ｍを含むターゲットを用いることにより、得られる記録膜１２において、記録の際に、酸素の泡の形成が促進され、より高い変調度を得ることができる。

記録膜１２を形成する工程では、さらにＺｎを含むターゲットを用いてよい。Ｚｎを含むターゲットは、元素ｍを含んでよく、あるいは含んでいなくてもよい。Ｚｎを含むターゲットを用いることにより、記録膜１２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。

具体的には、記録膜１２の成膜に際して合金ターゲットまたは混合物ターゲットを用いる場合、ターゲットの組成は、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃａ−Ａｌ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ａｌ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃａ−Ｍｇ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ｍｇ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−ＭｇＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃａ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｚｎ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃａ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣａＯ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｅ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｅ−Ａｌ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ａｌ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｅ−Ｍｇ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ｍｇ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＭｇＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｅ−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−Ｔａ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｚｎ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｅ−ＺｎＯ、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ_３Ｏ_４−ＣｅＯ_２−ＺｎＯ等であってよい。

また、マルチスパッタリングにより、例えば、Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｏからなる薄膜を記録膜１２として形成する場合、スパッタリングターゲットの組み合わせとして、（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ）または（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａＯ）等を用いることができる。同様にして、以下に挙げる組成の薄膜を、それぞれ以下に示すスパッタリングターゲットの組み合わせ（括弧内に記載された複数の金属がターゲットの組み合わせに相当する）で形成することができる。
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｅ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ａｌ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｍｇ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｔａ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｔａ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ａｌ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ａｌ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｍｇ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｍｇ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｔａ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｔａ）
・Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃｅ−Ｚｎ−Ｏ：（Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｚｎ）

続いて、第２誘電体膜１３を形成する工程において、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３の組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。また、第２誘電体膜１３を複数の誘電体材料で形成する場合、誘電体材料それぞれのスパッタリングターゲットを用いて、マルチスパッタリングを実施してよい。

第２誘電体膜１３の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、前述した第１誘電体膜１１を形成するスパッタリングターゲットを用いてよい。

続いて、中間分離層２を形成する工程において、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、例えばアクリル系樹脂をＬ０層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。また、中間分離層２は二段階で形成してよく、具体的には、厚みの大部分を占める部分を先にスピンコート法で形成し、次に案内溝を有する部分を、スピンコート法と転写用基板による転写との組み合わせにより形成してよい。

続いて、Ｌ１層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を形成する工程において、中間分離層２上に第１誘電体膜２１を形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。

続いて、記録膜２２を形成する工程において、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。

続いて、第２誘電体膜２３を形成する工程において、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。

続いて、中間分離層３を形成する工程において、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。

続いて、Ｌ２層３０を形成する。Ｌ２層３０は、基本的には前述したＬ１層２０と同様の方法で形成できる。
まず、第１誘電体膜３１を形成する工程において、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。

続いて、記録膜３２を形成する工程において、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。

続いて、第２誘電体膜３３を形成する工程において、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて形成できる。

いずれの誘電体膜および記録膜も、スパッタリング時の供給電力を１０Ｗ〜１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ〜１０Ｐａとして形成してよい。

続いて、カバー層４を形成する工程において、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、必要に応じて、スピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層４を形成できる。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板を貼り合わせる方法で形成してよい。

なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。

また必要に応じ、基板１およびＬ０層１０に、ディスクの識別コード（例えば、ＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ Ｃｕｔｔｉｎｇ Ａｒｅａ））が含まれるようにしてもよい。例えば、ポリカーボネート製の基板１に識別コードを付ける場合、基板１を成形した後に、ＣＯ_２レーザなどを用いて、ポリカーボネートを溶解・気化することにより、識別コードを付けることができる。また、Ｌ０層１０に識別コードを付ける場合、半導体レーザなどを用いて、記録膜１２に記録して識別コードを付けることができる。Ｌ０層１０に識別コードを付ける工程は、第２誘電体膜１３の形成後、あるいは中間分離層２の形成後、あるいはＬ２層３０形成後にカバー層４を形成した後、あるいは後述する貼り合わせ層５の形成後に実施してよい。

同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。
Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１に案内溝を設ける場合、螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝のそれと逆向きでもよいし、または同じ向きでもよい。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層５を形成する。あるいは、遅効性硬化型の光硬化型樹脂をＡ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層５を形成してもよい。

このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。また、本実施形態によれば、いずれの貼り合わせ工法を用いても、高変調度を有する情報記録媒体１００を製造することができる。

（実施の形態４）
実施の形態２で説明した情報記録媒体２００の製造方法を、実施の形態４として説明する。

情報記録媒体２００の製造方法は、以下の３点において、実施の形態３で説明した製造方法と異なる。第１の相違点は、Ｌ０層１０において、第３誘電体膜１４を、第１誘電体膜１１と記録膜１２との間に形成することである。第２の相違点は、Ｌ１層２０において、第３誘電体膜２４を、第１誘電体膜２１と記録膜２２との間に形成することである。第３の相違点は、Ｌ２層３０において、第３誘電体膜３４を、第１誘電体膜３１と記録膜３２との間に形成することである。以下、これらの相違点について説明する。

まず、第３誘電体膜１４の形成方法を説明する。第３誘電体膜１４を形成する工程においては、第１誘電体膜１１上に第３誘電体膜１４を形成する。第１誘電体膜１１までの形成方法は、実施の形態３で説明したとおりである。第３誘電体膜１４は、得ようとする組成に応じて、Ｎｂを含むターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。第３誘電体膜１４の導電性がより高くなるよう、スパッタリングターゲットとしてＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を用いてよい。そのとき、微量の酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、成膜してもよい。あるいはＮｂ_２Ｏ_５のターゲットを用いてもよい。あるいは金属Ｎｂのターゲットを用いて、酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ＮｂＯ_ｘまたはＮｂ_２Ｏ_５を含む膜を形成してよい。

スパッタリングターゲットがＮｂの酸化物を含む場合、ＤＣスパッタリングまたはパルスＤＣスパッタリングで成膜できるため、高い成膜レートで、第３誘電体膜１４を形成することができる。

第３誘電体膜１４を形成した後、記録膜１２等を、実施の形態３で説明した方法により形成して、実施の形態２に係る情報記録媒体２００のＬ０層１０を形成することができる。

次に、第３誘電体膜２４の形成方法を説明する。
第３誘電体膜２４を形成する工程においては、第１誘電体膜２１上に第３誘電体膜２４を形成する。第１誘電体膜２１までの形成方法は、実施の形態３で説明したとおりである。第３誘電体膜２４は、得ようとする組成に応じて、Ｎｂを含むターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。第３誘電体膜２４の導電性がより高くなるよう、スパッタリングターゲットとしてＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を用いてよい。そのとき、微量の酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、成膜してもよい。あるいはＮｂ_２Ｏ_５のターゲットを用いてもよい。あるいは金属Ｎｂのターゲットを用いて、酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ＮｂＯ_ｘまたはＮｂ_２Ｏ_５を形成してよい。

スパッタリングターゲットがＮｂの酸化物を含む場合、ＤＣスパッタリングまたはパルスＤＣスパッタリングで成膜できるため、高い成膜レートで、第３誘電体膜２４を形成することができる。

第３誘電体膜２４を形成した後、記録膜２２等を、実施の形態３で説明した方法により形成して、実施の形態２に係る情報記録媒体２００のＬ１層２０を製造することができる。但し、Ｌ１層２０の形成において、第３誘電体膜２４を形成する工程は、必要に応じて設けてよい。第１誘電体膜２１と第２誘電体膜２３によって、要求される反射率を確保できる場合は、第３誘電体膜２４を形成する工程は、必ずしも設ける必要はない。

次に、第３誘電体膜３４の形成方法を説明する。
第３誘電体膜３４を形成する工程においては、第１誘電体膜３１上に第３誘電体膜３４を形成する。第１誘電体膜３１までの形成方法は、実施の形態３で説明したとおりである。第３誘電体膜３４は、得ようとする組成に応じて、Ｎｂを含むターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。第３誘電体膜３４の導電性がより高くなるよう、スパッタリングターゲットとしてＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を用いてよい。そのとき、微量の酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、成膜してもよい。あるいはＮｂ_２Ｏ_５のターゲットを用いてもよい。あるいは金属Ｎｂのターゲットを用いて、酸素ガスを導入した反応性スパッタリングにより、ＮｂＯ_ｘまたはＮｂ_２Ｏ_５を形成してよい。

スパッタリングターゲットがＮｂの酸化物を含む場合、ＤＣスパッタリングまたはパルスＤＣスパッタリングで成膜できるため、高い成膜レートで、第３誘電体膜３４を形成することができる。

第３誘電体膜３４を形成した後、記録膜３２等を、実施の形態３で説明した方法により形成して、実施の形態２に係る情報記録媒体２００のＬ２層３０を製造することができる。Ｌ２層３０を形成した後、カバー層４等を、実施の形態３で説明した方法により形成して、実施の形態２に係る情報記録媒体２００を製造することができる。但し、Ｌ２層３０の形成においては、第３誘電体膜３４を形成する工程は、必要に応じて設けてよい。第１誘電体膜３１と第２誘電体膜３３によって、要求される反射率を確保できる場合は、第３誘電体膜３４を形成する工程は、必ずしも設ける必要はない。

（実施の形態５）
実施の形態５として、実施の形態１で説明した記録膜１２を形成するためのスパッタリングターゲットを説明する。本実施形態のスパッタリングターゲットは、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍが、下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たすスパッタリングターゲット（単に「ターゲット」とも呼ぶ）である。

本実施形態のターゲットは、粉末を、高温および高圧下で焼結させた焼結体であってよい。その充填率（密度）は９０％以上であってよく、特に９５％以上であってよい。

元素ＭとしてＣａを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。

このターゲットにおいて、Ｗは、金属Ｗ粉末、ＷＯ_３粉末、ＷＯ_２粉末、ＷＯ_２とＷＯ_３の中間の酸化物の粉末、およびマグネリ相（Ｗ_ｎＯ_３ｎー１）の粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｗは、特に、金属Ｗ粉末およびＷＯ_３粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末の形態で含まれてよい。金属Ｗの融点は３４００℃、ＷＯ_３の融点は１４７３℃であるので（岩波理化学辞典第五版等参照、以下に同じ）、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。

このターゲットにおいて、Ｃｕは、金属Ｃｕ粉末、ＣｕＯ粉末、およびＣｕ_２Ｏ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｃｕは、特に、金属Ｃｕ粉末およびＣｕ_２Ｏ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末の形態で含まれてよい。金属Ｃｕの融点は１０８３℃、Ｃｕ_２Ｏの融点は１２３０℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。

このターゲットにおいて、Ｍｎは、金属Ｍｎ粉末、ＭｎＯ粉末、Ｍｎ_３Ｏ_４粉末、Ｍｎ_２Ｏ_３粉末、およびＭｎＯ_２粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｍｎは、特に、金属Ｍｎ粉末、ＭｎＯ粉末、およびＭｎ_３Ｏ_４粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末の形態で含まれてよい。金属Ｍｎの融点は１２４０℃、ＭｎＯの融点は１８４０℃、Ｍｎ_３Ｏ_４の融点は１７００℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。

このターゲットにおいて、Ｃａは、金属Ｃａ粉末およびＣａＯ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ｃａ粉末の融点が８４０℃であるのに対し、ＣａＯ粉末の融点は２５７０℃である。そのため、Ｃａは特にＣａＯ粉末の形態で含まれてよい。ＣａＯ粉末は高温で焼結させることが可能である。

元素ＭとしてＣｅを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣｅおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。

このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、およびＭｎの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ｃｅは、金属Ｃｅ粉末およびＣｅＯ_２粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ｃｅ粉末は１６０℃で発火する性質があるため、Ｃｅは特にＣｅＯ_２粉末の形態で含まれてよい。ＣｅＯ_２の融点は２４００℃であるので、ＣｅＯ_２粉末は高温で焼結させることが可能である。

本実施形態のターゲットは、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含んでよい。

元素ｍとしてＡｌを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｅ、ＡｌおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。

このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＣｅの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ａｌは、金属Ａｌ粉末およびＡｌ_２Ｏ_３粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ａｌ粉末の融点が６６０℃であるのに対し、Ａｌ_２Ｏ_３粉末の融点は２０７０℃である。そのため、Ａｌは特にＡｌ_２Ｏ_３粉末の形態で含まれてよい。Ａｌ_２Ｏ_３粉末は高温で焼結させることが可能である。

元素ｍとしてＭｇを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｅ、ＭｇおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。

このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＣｅの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ｍｇは、金属Ｍｇ粉末およびＭｇＯ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ｍｇ粉末の融点が６５０℃であるのに対し、ＭｇＯ粉末の融点は２８５０℃である。そのため、Ｍｇは、特にＭｇＯ粉末の形態で含まれてよい。ＭｇＯ粉末は高温で焼結させることが可能である。

元素ｍとしてＴａを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｅ、ＴａおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。

このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＣｅの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ｔａは、金属Ｔａ粉末およびＴａ_２Ｏ_５粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｔａの融点は２９９０℃、Ｔａ_２Ｏ_５の融点は１８７０℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。

本実施形態のターゲットは、Ｚｎをさらに含んでよい。Ｚｎを含むターゲットは、前記元素ｍを含んでいてよく、あるいは含んでいなくてよい。Ｚｎを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｅ、ＺｎおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。
このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＣｅの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ｚｎは、金属Ｚｎ粉末およびＺｎＯ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ｚｎ粉末の融点が４２０℃であるのに対し、ＺｎＯ粉末の融点は１９８０℃である。そのため、Ｚｎは、特にＺｎＯ粉末の形態で含まれてよい。ＺｎＯ粉末は高温で焼結させることが可能である。

本実施形態のターゲットは、Ｎｂをさらに含んでよい。Ｎｂを含むターゲットは、前記元素ｍを含んでいてよく、あるいは含んでいなくてよい。Ｎｂを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｅ、ＮｂおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。
このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＣｅの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ｎｂは、金属Ｎｂ粉末、Ｎｂ_２Ｏ_５粉末、およびＮｂＯ_ｘ粉末より選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。金属Ｎｂの融点は２４７０℃、Ｎｂ_２Ｏ_５の融点は１４８５℃であるので、これらの材料の粉末は高温で焼結させることが可能である。

本実施形態のターゲットは、Ｍｏをさらに含んでよい。Ｍｏを含むターゲットは、前記元素ｍを含んでいてよく、あるいは含んでいなくてよい。Ｍｏを含むターゲットは、金属および／または酸化物の焼結体であってよい。具体的には、ターゲットは、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｃｅ、ＭｏおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットであってよい。
このターゲットに含まれるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＣａおよびＣｅの形態は、前述したとおりであるので、説明を省略する。

このターゲットにおいて、Ｍｏは、金属Ｍｏ粉末、ＭｏＯ_３粉末、および粉末ＭｏＯ_ｘより選ばれる少なくとも一つの粉末（より正確には焼結された粉末）の形態で含まれてよい。Ｍｏは、特に、金属Ｍｏ粉末の形態で含まれてよい。金属Ｍｏの融点は２６２０℃であるので、その粉末は高温で焼結させることが可能である。

いずれも、単体金属の粉末および／または酸化物の粉末を厳密に秤量して、焼結に付して、所望の組成比のターゲットが得られるようにする。

上記した組成のターゲットはいずれも、製造が可能であれば、溶融ターゲットであってもよい。

ターゲットの形状は特に限定されず、例えば、円盤形、矩形、または円筒形であってよい。ターゲットは、例えば、直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円盤状のターゲットであってよい。また、ターゲットは、バッキングプレートと呼ばれる銅を主成分とした板に、ＩｎやＩｎ−Ｓｎによって貼り付けて用いてよい。バッキングプレートに貼り付けた状態のターゲットを用いたスパッタリングは、スパッタリング装置内でバッキングプレートを直接的または間接的に水冷しながら実施してよい。

本実施形態のターゲットは、ＤＣスパッタリングを可能とするものであってよい。そのようなターゲットは、例えば、１×１０^−２Ω・ｃｍ未満の比抵抗値を有し、特に５×１０^−３Ω・ｃｍ以下の比抵抗値を有する。

以上のように、本開示に係る技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必要な必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面または詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。

（実施例１−１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）、記録膜１２として表１に示す組成の膜、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。記録膜１２は、Ｌ０層１０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。

第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の膜厚は、Ｌ０層１０において所定の反射率が得られるように、マトリクス法に基づく計算により決定した。本実施例および以下の実施例において、各情報層の第１誘電体膜および第２誘電体膜の膜厚はいずれも、当該情報層において所定の反射率が得られるように、マトリクス法に基づく計算により決定した。

ここで記録膜の組成は、元素比としては酸素を除いた金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記し、以降についても同様に表記する。例えば、Ｗ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｚｎ_２９（原子％）の酸化物であればＷ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｚｎ_２９−Ｏと表記する。但し、表中では理解の容易のため、酸素を除いた金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記している。

波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、未記録状態でＲｇ≒９．０％、Ｒｌ≒９．６％であった。

第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜は、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む混合ターゲットを使用し、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３の成膜時のＡｒ流量は１２ｓｃｃｍとし、スパッタパワーは３ｋＷとした。また、記録膜１２の成膜は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、元素ＭおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットを使用し、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜１２の成膜時のＡｒ流量は１２ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量は３０ｓｃｃｍとし、スパッタパワーは５ｋＷとした。スパッタリングターゲットは、いずれも直径２００ｍｍのサイズのものを使用した。以降、スパッタリングターゲットは、いずれも直径が２００ｍｍのものを使用した。

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成した。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成した。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成した。中間分離層２の厚さは約２５μｍとした。

中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ２３ｎｍの（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｚｎ_３４−Ｏを、第２誘電体膜２３として厚さ１５ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の膜厚は、波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒７．２％、Ｒｌ≒７．６％となり、透過率が約７２％となるように決定した。

第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３の成膜条件は、前述したＬ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３それと同様とした。また、記録膜２２の成膜は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、ＺｎおよびＯ（酸素）を含む合金ターゲットを使用し、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス雰囲気でパルスＤＣ電源を用いて行った。記録膜２２の成膜時のＡｒ流量は１２ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量は３２ｓｃｃｍとし、スパッタパワーは５ｋＷとした。

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成した。中間分離層３の厚さは約１８μｍとした。

中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として厚さ２４ｎｍの（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｚｎ_３４−Ｏを、第２誘電体膜３３として厚さ２２ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒５．７％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７９％となるように決定した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の成膜条件は、前述したＬ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３のそれと同様とした。また、記録膜３２の成膜条件は、前述したＬ１層２０の記録膜２２のそれと同様とした。

その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成した。これにより、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成する案内溝のそれとは逆の方向とした。

その基板１上に、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成した。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成した。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用した方法と同じ方法で形成した。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成した。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成とし、同じ方法で形成した。

但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設けた螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆にした。また、波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、Ａ面情報記録媒体１０１のそれと同様、未記録状態でＲｇ≒９．０％、Ｒｌ≒９．６％であった。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付けた。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成した。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した（ディスクＮｏ．１−１０１〜１０２）。

（比較例１−１）
Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の記録膜１２を、厚さ３２ｎｍのＷ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｚｎ_２９−Ｏとしたこと以外は、実施例１−１と同じ構成の情報記録媒体を作製した（ディスクＮｏ．１−００１）。
実施例および比較例（ディスクＮｏ．１−００１）の情報記録媒体１００のＬ０層１０の変調度および信号品質の評価を行った。その結果を表１に示す。

片面三層構造のディスクについて、変調度は以下の方法で評価した。
評価装置（パルステック製、商品名ＯＤＵ−１０００）のレーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１３．５４ｍ／ｓ（５００ＧＢ−６倍速）および再生の線速度は９．０３ｍ／ｓ（５００ＧＢ−４倍速）とした。データビット長を５１．３ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢの情報を記録した。また再生時のパワーはＬ０層１０およびＬ１層２０に対しては１．６ｍＷ、Ｌ２層３０に対しては１．２ｍＷとした。再生光として、２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ〜１２Ｔ）による記録を行い、変調度を評価した（以下においても同じ）。

信号品質は、記録直後のｃ−ｂＥＲ（ｃｈａｎｎｅｌ ｂｉｔ ｅｒｒｏｒ ｒａｔｅ）を測定し、本実施例においては参考値として２Ｅ−３を信号品質の良否の基準とした。ｃ−ｂＥＲが２Ｅ−３以下であれば信号品質は良好であると判断した（以下においても同じ）。

ディスクＮｏ．１−１０１〜１０２とディスクＮｏ．１−００１との比較より、記録膜１２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む情報記録媒体において、変調度が向上することがわかる。ディスクＮｏ．１−１０１〜１０２のｃ−ｂＥＲはいずれも、Ｅ−４台を示しており、良好な信号品質が得られている。良好な信号品質を得るためには、６０％以上の変調度を確保することが好ましい。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に、記録膜１２の変調度が向上し、良好な信号品質が得られている。

（実施例１−２）
記録膜１２として表２に示す組成の膜を形成したこと以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．１−１０３〜１１５）を作製した。記録膜１２は、Ｌ０層１０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。

本実施例において、記録膜１２の形成に際しては、以下のターゲットを使用した。
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｍｇ系の場合：Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｍｇ、およびＯ（酸素）を含む合金ターゲット；
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ａｌ系の場合：Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ａｌ、およびＯ（酸素）を含む合金ターゲット；
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｔａ系の場合：Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｔａ、およびＯ（酸素）を含む合金ターゲット；
Ｗ−Ｃｕ−Ｍｎ−Ｃａ−Ｚｎ系の場合：Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、およびＯ（酸素）を含む合金ターゲット。

実施例および比較例（ディスクＮｏ．１−００１）の情報記録媒体１００のＬ０層１０の変調度および信号品質の評価を行った。その結果を表２に示す。

ディスクＮｏ．１−１０３とディスクＮｏ．１−００１との比較より、記録膜１２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことにより、変調度が向上することがわかる。また、Ｎｏ．１−１０４〜１１５とディスクＮｏ．１−００１との比較より、記録膜１２が元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）およびＺｎから選択される一つの元素をさらに含むことにより、変調度が向上することがわかる。また、記録膜１２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）をさらに含む情報記録媒体１０１（ディスクＮｏ．１−１０４〜１０６、１０８〜１１０、１１２〜１１４）は、元素ｍを含まないもの（ディスクＮｏ．１−１０３）と比較して、より向上した変調度を示す。信号品質は、記録膜１２がいずれの組成であっても、良好な値を示している。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に記録膜１２の変調度の向上が見られ、良好な信号品質が得られている。

記録膜１２がＺｎを含むことにより、記録膜１２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げても、および／またはＡｒガスの流量を低くしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。

（実施例１−３）
第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍの表３に示す組成の膜を形成し、記録膜１２として厚さ３２ｎｍのＷ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｃａ_２９−Ｏの組成の膜を形成したこと以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．１−１１６〜１２３）を作製した。

第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。本実施例において、第１誘電体膜１１の成膜に際しては、以下のターゲットを使用した。
ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３系の場合：ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む混合ターゲット
ＺｒＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３系の場合：ＺｒＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む混合ターゲット；
ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３系の場合：ＳｉＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む混合ターゲット；
ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３系の場合：ＳｎＯ_２およびＩｎ_２Ｏ_３を含む混合ターゲット；
ＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２系の場合：ＺｒＯ_２およびＳｉＯ_２を含む混合ターゲット；
ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系の場合：ＺｎＳおよびＳｉＯ_２を含む混合ターゲット；
ＺｒＯ_２の場合：ＺｒＯ_２を含むターゲット；
ＳｉＯ_２の場合：ＳｉＯ_２を含むターゲット。

実施例の情報記録媒体１００のＬ０層１０の変調度および繰り返し再生回数を評価した。繰り返し再生回数とは、記録部を繰り返し再生し、ｃ−ｂＥＲが２Ｅ−３を上回ったときの再生回数を指す。繰り返し再生回数が多いほど、情報記録媒体１００の繰り返し再生特性がより良好であることを示す。繰り返し再生時の再生パワーは、Ｌ０層１０に対しては４．４ｍＷ、Ｌ１層２０に対しては３．３ｍＷ、Ｌ２層３０に対しては２．７ｍＷとした（以下においても同じ）。その結果を表３に示す。

ディスクＮｏ．１−１１６〜１２３は、第１誘電体膜１１に含まれる元素Ｄの酸化物を変化させたものである。いずれの第１誘電体膜１１を適用した場合でも、変調度は７０％以上の高い値である。また、第１誘電体膜１１をＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含むものとすることにより、基板１との密着性および記録膜１２との密着性をよくすることができ、良好な繰り返し再生回数を得ることができる。第１誘電体膜１１に（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を適用した場合には、繰り返し再生回数が多少悪化するものの、実用上の問題はない。

第１誘電体膜１１にＩｎ_２Ｏ_３またはＳｎＯ_２が含まれている場合、ＤＣスパッタリングが可能である。表３に示す成膜レートは、ディスクＮｏ．１−１１６の第１誘電体膜１１のレートを基準値として規格化した値であり、ＤＣスパッタリングが可能な材料は、ＤＣスパッタリング不可の材料よりも高い成膜レート値を示している。したがって、Ｉｎ_２Ｏ_３またはＳｎＯ_２を含む第１誘電体膜１１は、良好な生産性で形成することができる。

（実施例１−４）
記録膜１２として表４に示す組成の膜を形成したこと以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．１−１２４〜１３８）を作製した。記録膜１２は、Ｌ０層１０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。

実施例および比較例（ディスクＮｏ．１−００１）の情報記録媒体１００のＬ０層１０の変調度、信号品質および繰り返し再生回数を評価し、下記の基準により、各ディスクを総合的に評価した。
◎：変調度が６０％以上、且つ記録直後のｃ−ｂＥＲが１．０Ｅ−３未満、且つ繰り返し再生回数が比較例のディスクのそれと同じか、またはそれを上回る。
○：変調度が６０％以上、且つ記録直後のｃ−ｂＥＲが１．０Ｅ−３以上２．０Ｅ−３以下、且つ繰り返し再生回数が比較例のディスクのそれと同じか、またはそれを上回る。
×：変調度が６０％以下、または記録直後のｃ−ｂＥＲが２．０Ｅ−３よりも大きい、または繰り返し再生回数が比較例のディスクのそれを下回る。
本実施例で、総合評価において比較対象としたディスクはＮｏ．１−００１である。

記録膜１２の金属元素の組成が、Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）の式で表される場合に、ｘが１５未満である媒体（ディスクＮｏ．１−１２７）、又は６０を超える媒体（ディスクＮｏ．１−１３１）においては、信号品質の低下が見られるが、実用上の問題はない。また、ｙおよびｚが４０を超える媒体（ディスクＮｏ．１−１３４、１−１３６）においては、繰り返し再生回数の低下が見られるが、実用上の問題はない。ｘ＋ｙ＋ｚが９５以上である媒体（ディスクＮｏ．１−１３８）においては、変調度の低下が見られるが、変調度の値が６０％であるため、実用上の問題はない。Ｂ面情報記録媒体１０２のＬ０層１０についても同様の傾向が見られる。

（実施例１−５）
本実施例では図２に示す情報記録媒体２００の一例を説明する。
本実施例では、第１誘電体膜１１として厚さ５ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、第３誘電体膜１４として厚さ１２ｎｍの表５に示す組成の膜、記録膜１２として厚さ３２ｎｍのＷ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｃａ_２９−Ｏの膜を形成したこと以外は、実施例１−１と同様にして情報記録媒体２００（ディスクＮｏ．１−１３９〜１４４）を作製した。この実施例においては、図２に示す情報記録媒体２００とは異なり、Ｌ１層２０およびＬ２層３０において、第３誘電体膜２４、３４は形成しなかった。

第３誘電体膜１４の成膜は、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣ電源またはＲＦ電源を用いて行った。本実施例において、第３誘電体膜１４の成膜に際しては、以下のターゲットを使用した。
Ｎｂ_２Ｏ_５の場合：ＮｂＯ_ｘ（ｘ＜２．５、酸素を欠損させたＮｂ_２Ｏ_５に相当）を含むターゲット；
ＭｏＯ_３の場合：ＭｏＯ_３を含むターゲット；
ＷＯ_３の場合：ＷＯ_３を含むターゲット；
Ｂｉ_２Ｏ_３の場合：Ｂｉ_２Ｏ_３を含むターゲット；
ＴｉＯ_２の場合：ＴｉＯ_２を含むターゲット。
本実施例では、情報記録媒体２００のＬ０層１０の実効Ｒ_ｇおよび変調度を評価した。その結果を表５に示す。

第３誘電体膜１４を設けていないディスクＮｏ．１−１４４と比較して、ディスクＮｏ．１−１３９〜１４３のように、屈折率が、例えば２．２以上の材料を第３誘電体膜１４に設けることにより、実効Ｒ_ｇが増加する。成膜レートは、ディスクＮｏ．１−１３９の第３誘電体膜１４の成膜レートを基準値として規格化した値である。ＤＣスパッタリングが可能な材料は、ＤＣスパッタリング不可の材料よりも高い成膜レート値を示している。したがって、ＤＣスパッタリングが可能な材料を用いると、良好な生産性で第３誘電体膜１４を形成することができる。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に、第３誘電体膜１４を適用することで、記録膜１２の実効Ｒ_ｇの増加が見られる。

（実施例２−１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）、記録膜１２として厚さ３２ｎｍのＷ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｚｎ_２９−Ｏ、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ２）_２５（ＳｉＯ２）_２５（Ｉｎ２Ｏ３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、未記録状態でＲｇ≒９．０％、Ｒｌ≒９．６％であった。

第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３の成膜条件は、実施例１−１で説明した第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３のそれと同様とした。

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成した。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成した。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成した。中間分離層２の厚さは約２５μｍであった。

中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ２３ｎｍの（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）、記録膜２２として表６に示す組成の膜、第２誘電体膜２３として厚さ１５ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。記録膜２２は、Ｌ１層２０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。

波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率は、未記録状態でＲｇ≒７．２％、Ｒｌ≒７．６％であり、透過率は約７２％であった。

第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３の成膜条件は、実施例１−１で説明した第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３のそれと同様であるとした。

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成した。中間分離層３の厚さは約１８μｍであった。

中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として厚さ２４ｎｍの（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）を、記録膜３２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｚｎ_３４−Ｏを、第２誘電体膜３３として厚さ２２ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒５．７％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７９％となるように決定した。

第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３の成膜条件は、実施例１−１で説明した第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３のそれと同様とした。
その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成した。これにより、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成した案内溝のそれとは逆の方向とした。

その基板１上に、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成した。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成した。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用した方法と同じ方法で形成した。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成した。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成とした。但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設けた螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆にした。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付けた。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成した。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した（ディスクＮｏ．２−１０１〜１０２）。

（比較例２−１）
Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の記録膜２２を、厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｚｎ_３４−Ｏとしたこと以外は、実施例２−１と同じ構成の情報記録媒体を作製した（ディスクＮｏ．２−００１）。

実施例および比較例（ディスクＮｏ．２−００１）の情報記録媒体１００のＬ１層２０の変調度および信号品質の評価を行った。その結果を表６に示す。

ディスクＮｏ．２−１０１〜１０２とディスクＮｏ．２−００１との比較より、記録膜２２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む情報記録媒体において、変調度が向上することがわかる。ディスクＮｏ．２−１０１〜１０２のｃ−ｂＥＲはいずれも、Ｅ−４台を示しており、良好な信号品質が得られている。すなわち、特定組成の記録膜をＬ１層２０に適用した場合に、Ｌ１層２０に記録した信号品質を向上させ得ることが確認される。良好な信号品質を得るためには、６０％以上の変調度を確保することが好ましい。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に、記録膜２２の変調度が向上し、良好な信号品質が得られている。

（実施例２−２）
記録膜２２として表７に示す組成の膜を形成したこと以外は、実施例２−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．２−１０３〜１１５）を作製した。記録膜２２は、Ｌ１層２０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。
実施例および比較例（ディスクＮｏ．２−００１）の情報記録媒体１００のＬ１層２０の変調度および信号品質の評価を行った。その結果を表７に示す。

ディスクＮｏ．２−１０３とディスクＮｏ．２−００１との比較より、記録膜２２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことにより、変調度が向上することがわかる。また、Ｎｏ．２−１０４〜１１５とディスクＮｏ．２−００１との比較より、記録膜２２が元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）、およびＺｎから選択される一つの元素をさらに含むことにより、変調度が向上することがわかる。また、記録膜２２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）をさらに含む情報記録媒体１０１（ディスクＮｏ．２−１０４〜１０６、１０８−１１０、１１２〜１１４）は、元素ｍを含まないもの（ディスクＮｏ．２−１０３）と比較して、より向上した変調度を示す。信号品質は、記録膜２２がいずれの組成であっても、良好な値を示している。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に記録膜２２の変調度の向上が見られ、良好な信号品質が得られている。

記録膜２２がＺｎを含むことにより、記録膜２２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げても、および／またはＡｒガスの流量を低くしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。

（実施例２−３）
第１誘電体膜２１として厚さ２３ｎｍの表８に示す組成の膜を形成し、記録膜２２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｃａ_３４−Ｏの組成の膜を形成したこと以外は、実施例２−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．２−１１６〜１２３）を作製した。

実施例の情報記録媒体１００のＬ１層２０の変調度および繰り返し再生回数を評価した。その結果を表８に示す。

ディスクＮｏ．２−１１６〜１２３は、第１誘電体膜２１に含まれる元素Ｄの酸化物を変化させたものである。いずれの第１誘電体膜２１を適用した場合でも、変調度は６６％以上の高い値である。また、第１誘電体膜２１をＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含むものとすることにより、中間分離層２との密着性および記録膜２２との密着性をよくすることができ、良好な繰り返し再生回数を得ることができる。第１誘電体膜２１に（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を適用した場合には、繰り返し再生回数が多少悪化するものの、実用上の問題はない。

第１誘電体膜２１にＩｎ_２Ｏ_３またはＳｎＯ_２が含まれている場合、ＤＣスパッタリングが可能である。表８に示す成膜レートは、ディスクＮｏ．２−１１６の第１誘電体膜２１のレートを基準値として規格化した値であり、ＤＣスパッタリングが可能な材料は、ＤＣスパッタリング不可の材料よりも高い成膜レート値を示している。したがって、Ｉｎ_２Ｏ_３またはＳｎＯ_２を含む第１誘電体膜２１は、良好な生産性で形成することができる。

（実施例２−４）
第１誘電体膜２１として厚さ２３ｎｍの表９に示す組成の膜、記録膜２２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｃａ_３４−Ｏの組成の膜を形成したこと以外は、実施例２−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．２−１２４〜１２６）を作製した。
実施例の情報記録媒体１００のＬ１層２０の変調度および繰り返し再生回数を評価した。その結果を表９に示す。

ディスクＮｏ．２−１２４〜１２６においては、第１誘電体膜２１にＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３系を適用し、三つの酸化物の割合を変化させている。第１誘電体膜２１に含まれるＺｒＯ_２量が増加すると、繰り返し再生回数がさらに増加し、より良好な繰り返し再生特性を得られることが分かる。

（実施例３−１）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、第１誘電体膜１１として厚さ１２ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）、記録膜１２として厚さ３２ｎｍのＷ_２７Ｃｕ_１８Ｍｎ_２６Ｚｎ_２９−Ｏ、第２誘電体膜１３として厚さ９ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率は、未記録状態でＲｇ≒９．０、Ｒｌ≒９．６％であった。

第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３の成膜条件は、実施例１−１で説明した第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３のそれと同様とした。

続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層２を形成した。具体的には、まず、中間分離層２の厚さのほとんどを占めるメイン部分を、紫外線硬化型樹脂のスピンコートと紫外線照射による硬化によって形成した。次いで、メイン部分の表面に紫外線硬化型樹脂をスピンコートし、これの上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなる転写用基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、転写用基板を剥離して、案内溝が形成された中間分離層２を形成した。中間分離層２の厚さは約２５μｍとした。

中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。具体的には、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として厚さ２３ｎｍの（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０（ｍｏｌ％）を、記録膜２２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｚｎ_３４−Ｏを、第２誘電体膜２３として厚さ１５ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。

波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率は、未記録状態でＲｇ≒７．２％、Ｒｌ≒７．６％であり、透過率は約７２％であった。

第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３の成膜条件は、実施例１−１で説明した第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３のそれと同様とした。

続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３は、中間分離層２と同様の方法で形成した。中間分離層３の厚さは約１８μｍとした。

中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。具体的には、Ｌ２層３０の第１誘電体膜３１として厚さ２４ｎｍの（ＺｒＯ_２）_３０（ＳｉＯ_２）_３０（Ｉｎ_２Ｏ_３）_４０、記録膜３２として表１０に示す組成の膜、第２誘電体膜３３として厚さ２２ｎｍの（ＺｒＯ_２）_２５（ＳｉＯ_２）_２５（Ｉｎ_２Ｏ_３）_５０（ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により成膜した。記録膜３２は、Ｌ２層３０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。

第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、波長４０５ｎｍのレーザ光６を照射したときに、Ｌ２層３０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒５．７％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７９％となるように決定した。

第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３の成膜条件は、実施例１−１で説明した第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３のそれと同様とした。

その後、紫外線硬化型樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させて、厚さ約５７μｍのカバー層４を形成した。これにより、Ａ面情報記録媒体１０１の作製を完了した。

次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ３０ｎｍ、トラックピッチ（ランド−グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は、前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１に形成した案内溝のそれとは逆の方向とした。

その基板１上に、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０およびカバー層４を形成した。Ｂ面情報記録媒体１０２は、各情報層の構成（各膜の組成、厚さ、各情報層の反射率および透過率等）が、Ａ面情報記録媒体１０１の各情報層の構成と同じとなるように、各情報層を構成する膜（第１誘電体膜、記録膜、第２誘電体膜）を形成した。各膜は、Ａ面情報記録媒体１０１の形成で採用した方法と同じ方法で形成した。カバー層４も、Ａ面情報記録媒体１０１のカバー層４と同じ構成とし、同じ方法で形成した。中間分離層２および３も、Ａ面情報記録媒体１０１のそれらと同じ構成とした。但し、Ｂ面情報記録媒体１０２において、中間分離層２および３に設けた螺旋状の案内溝の回転方向は、Ａ面情報記録媒体１０１の中間分離層２および３に設けた案内溝の螺旋の回転方向とは逆にした。

最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面に紫外線硬化型樹脂を均一に塗布し、塗布した樹脂にＢ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が形成された面とは反対の面を貼り付けた。それから、紫外線により樹脂を硬化させて、貼り合わせ層５を形成した。このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した（ディスクＮｏ．３−１０１〜１０２）。

（比較例３−１）
Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２を、厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｚｎ_３４−Ｏとしたこと以外は、実施例３−１と同じ構成の情報記録媒体を作製した（ディスクＮｏ．３−００１）。

実施例および比較例（ディスクＮｏ．３−００１）の情報記録媒体１００のＬ２層３０の変調度および信号品質の評価を行った。その結果を表１０に示す。

ディスクＮｏ．３−１０１〜１０２とディスクＮｏ．３−００１との比較より、記録膜３２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む情報記録媒体において、変調度が向上することがわかる。ディスクＮｏ．３−１０１〜１０２のｃ−ｂＥＲはいずれも、Ｅ−４台を示しており、良好な信号品質が得られている。すなわち、特定組成の記録膜をＬ２層３０に適用した場合に、Ｌ２層３０に記録した信号品質を向上させ得ることが確認される。良好な信号品質を得るためには、６０％以上の変調度を確保することが好ましい。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に、記録膜３２の変調度が向上し、良好な信号品質が得られている。

（実施例３−２）
記録膜３２として表１１に示す組成の膜を形成したこと以外は、実施例３−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．３−１０３〜１１５）を作製した。記録膜３２は、Ｌ２層３０の反射率がいずれのサンプルでも同じになるように、厚さ３１ｎｍ〜３４ｎｍの範囲で調整した。
実施例および比較例（ディスクＮｏ．３−００１）の情報記録媒体１００のＬ２層３０の変調度および信号品質の評価を行った。その結果を表１１に示す。

ディスクＮｏ．３−１０３とディスクＮｏ．３−００１との比較より、記録膜３２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）を含むことにより、変調度が向上することがわかる。また、Ｎｏ．３−１０４〜１１５とディスクＮｏ．３−００１との比較より、記録膜３２が元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）、およびＺｎから選択される一つの元素をさらに含むことにより、変調度が向上することがわかる。また、記録膜３２がＷ、Ｃｕ、Ｍｎおよび元素Ｍ（ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素）を含み、元素ｍ（Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素）をさらに含む情報記録媒体１０１（ディスクＮｏ．３−１０４〜１０６、１０８〜１１０、１１２〜１１４）は、元素ｍを含まないもの（ディスクＮｏ．３−１０３）と比較して、より向上した変調度を示す。信号品質は、記録膜３２がいずれの組成であっても、良好な値を示している。Ｂ面情報記録媒体１０２についても同様に記録膜３２の変調度の向上が見られ、良好な信号品質が得られている。

記録膜３２がＺｎを含むことにより、記録膜３２をＤＣスパッタリングで形成する際にスパッタリングの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げても、および／またはＡｒガスの流量を低くしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。

（実施例３−３）
第１誘電体膜３１として厚さ２４ｎｍの表１２に示す組成の膜を形成し、記録膜３２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｃａ_３４−Ｏの組成の膜を形成したこと以外は、実施例３−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．３−１１６〜１２３）を作製した。

実施例の情報記録媒体１００のＬ２層３０の変調度および繰り返し再生回数を評価した。その結果を表１２に示す。

ディスクＮｏ．３−１１６〜１２３は、第１誘電体膜３１に含まれる元素Ｄの酸化物を変化させたものである。いずれの第１誘電体膜３１を適用した場合でも、変調度は６７％以上の高い値である。また、第１誘電体膜３１をＺｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含むものとすることにより、中間分離層３との密着性および記録膜３２との密着性をよくすることができ、良好な繰り返し再生回数を得ることができる。第１誘電体膜３１に（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０（ｍｏｌ％）を適用した場合には、繰り返し再生回数が多少悪化するものの、実用上の問題はない。

第１誘電体膜３１にＩｎ_２Ｏ_３またはＳｎＯ_２が含まれている場合、ＤＣスパッタリングが可能である。表１２に示す成膜レートは、ディスクＮｏ．３−１１６の第１誘電体膜３１のレートを基準値として規格化した値であり、ＤＣスパッタリングが可能な材料は、ＤＣスパッタリング不可の材料よりも高い成膜レート値を示している。したがって、Ｉｎ_２Ｏ_３またはＳｎＯ_２を含む第１誘電体膜３１は、良好な生産性で形成することができる。

（実施例３−４）
第１誘電体膜３１として厚さ２４ｎｍの表１３に示す組成の膜、記録膜３２として厚さ３４ｎｍのＷ_３３Ｃｕ_１６Ｍｎ_１７Ｃａ_３４−Ｏの組成の膜を形成したこと以外は、実施例３−１と同様にして情報記録媒体１００（ディスクＮｏ．３−１２４〜１２６）を作製した。
実施例の情報記録媒体１００のＬ２層３０の変調度および繰り返し再生回数を評価した。その結果を表１３に示す。

ディスクＮｏ．３−１２４〜１２６においては、第１誘電体膜３１にＺｒＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３系を適用し、三つの酸化物の割合を変化させている。第１誘電体膜３１に含まれるＺｒＯ_２量が増加すると、繰り返し再生回数がさらに増加し、より良好な繰り返し再生特性を得られることが分かる。

本開示の情報記録媒体とその製造方法は、より高い変調度を与える情報層を有するように構成されるので、高記録密度で情報を記録するのに適しており、大容量のコンテンツを記録する光ディスクに有用である。具体的にはアーカイバル・ディスク規格に準じて両面に３以上の情報層を備える、次世代の光ディスク（例えば、記録容量５００ＧＢ）に有用である。

１００、２００ 情報記録媒体
１０１ Ａ面情報記録媒体
１０２ Ｂ面情報記録媒体
１０ Ｌ０層
２０ Ｌ１層
３０ Ｌ２層
１２、２２、３２ 記録膜
１１、２１、３１ 第１誘電体膜
１３、２３、３３ 第２誘電体膜
１４、２４、３４ 第３誘電体膜
１ 基板
２、３ 中間分離層
４ カバー層
５ 貼り合わせ層
６ レーザ光

Claims (14)

1. レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
   ３以上の情報層を含み、少なくとも一つの前記情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
   前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む、
   情報記録媒体。
2. 前記記録膜において、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、前記元素Ｍとが、下記の式：
   Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
   （式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
   を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 前記少なくとも一つの前記情報層において、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 前記少なくとも一つの前記情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、
   前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、前記第１誘電体膜、前記第３誘電体膜および前記記録膜がこの順に配置されており、
   前記第３誘電体膜がＮｂの酸化物を含む、
   請求項３に記載の情報記録媒体。
5. 前記元素ＤがＺｒおよびＩｎである請求項３または４に記載の情報記録媒体。
6. 前記記録膜が、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
7. 前記記録膜が、Ｚｎをさらに含む請求項１または６に記載の情報記録媒体。
8. 情報層を形成する工程を３以上含む情報記録媒体の製造方法であって、
   少なくとも一つの前記情報層を形成する工程が、第１誘電体膜を形成する工程、記録膜を形成する工程、および第２誘電体膜を形成する工程を含み、
   前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する工程がそれぞれ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄ１の酸化物を含む膜を形成することを含み、
   前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、少なくとも一つの前記元素Ｍをさらに含む膜を形成することを含む、
   情報記録媒体の製造方法。
9. 前記記録膜を形成する工程で用いる前記ターゲットにおいて、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが、下記の式：
   Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
   （式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
   を満たす、請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法。
10. 前記記録膜を形成する工程で用いるターゲットが、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法。
11. 前記記録膜を形成する工程で用いるターゲットが、Ｚｎをさらに含む、請求項８または１０に記載の情報記録媒体の製造方法。
12. 情報記録媒体の記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが下記の式：
    Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
    （式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
    を満たす、スパッタリングターゲット。
13. Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、請求項１２に記載のスパッタリングターゲット。
14. Ｚｎをさらに含む、請求項１２または１３に記載のスパッタリングターゲット。

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