KR100629227B1 - 광학 정보기록매체와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 광학 정보기록매체에 포함되는 기록층(14)은 저산화물 Te-O-M (M은 금속 원소, 반금속 원소 및 반도체 원소에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.) 또는 저산화물 A-O (A는 Sb, Sn, In, Zn, Mo 및 W에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.)와 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물을 포함하고 있다. 단, 저산화물이란, 산소 원소의 조성비가, 화학량론적 조성의 산소 원소의 조성비보다도 작은 범위 내에 있는 산화물을 말한다.

Description

광학 정보기록매체와 그 제조방법{OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 광학 정보기록매체의 단면도,
도 2는 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 광학 정보기록매체의 단면도,
도 3은 본 발명의 실시 형태 1, 2의 광학 정보기록매체에 대해 신호의 기록 재생을 행하는 장치의 일례를 도시하는 설명도,
도 4는 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 별도의 광학 정보기록매체의 일례를 도시하는 단면도이다.
본 발명은 레이저 광선의 조사 등의 광학적인 수단을 이용하여, 고밀도, 고속도에서의 정보의 기록 재생이 가능한 광학 정보기록매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
대용량, 고속도에서의 정보의 기록 재생이 가능한 매체로서, 광자기 기록매체나 상변화형 기록매체 등의 광학 정보기록매체가 알려져 있다. 이들 광학 정보기록매체는 기록 재료에 레이저광을 국소적으로 조사함으로써 발생하는 기록 재료 의 광학 특성의 차이를 기록 마크로서 이용한 것이다. 이들 광학 정보기록매체는 필요에 따라 임의 접근(random access)이 가능하고, 또한 운반성에도 뛰어나다는 큰 이점을 갖고 있으므로, 최근 점점 그 중요성이 높아지고 있다. 예를 들면 컴퓨터를 통한 개인 데이터나 영상 정보 등의 기록, 보존이나, 의료 분야, 학술 분야, 혹은 가정용 비디오 테입 레코더의 치환 등, 다양한 분야에서의 수요가 높아지고 있다. 현재, 이들 광학 정보기록매체에 대해서, 어플리케이션의 고성능화나 화상 정보의 고성능화에 따라, 더욱 대용량화, 고밀도화 및 고속화를 달성하는 것이 요구되고 있다.
종래부터 제안되어 있는 광학 정보기록매체의 종류로는, 다수회의 개서가 가능한 개서형 기록매체나, 1회만 기입 가능한 소위 라이트 원스(write once)형 기록매체를 들 수 있다. 라이트 원스형 기록매체는 일반적으로, 개서형 기록매체와 비교해 층수를 적게 할 수 있는 경우가 많으므로, 제조가 용이하고 저 비용화가 가능하다. 또한, 라이트 원스형 기록매체는 개서할 수 없으므로 사용자가 파괴하고 싶지 않은 데이터를 기입하기 위해 적당하고, 또한, 보존 수명이 길어 신뢰성도 높으므로, 기록보전(archival) 용도로서 큰 수요가 있을 것으로 예상된다. 이 때문에, 고밀도의 개서형 기록매체의 보급에 따라, 고밀도의 라이트 원스형 기록매체의 수요도 점점 더 높아질 것으로 생각할 수 있다.
종래, 라이트 원스형 기록매체의 기록 재료로서, 다양한 재료가 제안되어 있다. 예를 들면, 산화물 모재 중에 Te 입자를 분산시킨 기록 재료는 고감도로 큰 신호 진폭이 얻어지는 것이 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 특개소 58-054338호 공보 참조). 또한, 예를 들면, Te-O-Pd(Te, O 및 Pd를 함유하는 재료)를 주성분으로 하는 기록 재료는 큰 신호 진폭이 얻어지고, 신뢰성도 대단히 높은 것이 제안되어 있다(예를 들면, T.Ohta, K.Kotera, K. Kimura, N.Akahira and M.Takenaga, “New write-once media based on Te-TeO2 for optical disks”, Proceedings of SPIE, Vol.695(1986), pp, 2-9 참조). 이러한 Te-O-M(M은 금속 원소, 반(半)금속 원소 및 반도체 원소중 적어도 어느 하나를 포함하는 원소이다.)계 기록 재료의 기록 메카니즘은 다음과 같이 생각할 수 있다. 성막 후의 Te-O-M 막은 TeO2 중에 Te-M, Te 및 M이 미립자로서 일정하게 분산되어 있는 복합 재료이다. 레이저광의 조사후는 Te, Te-M 및 M이 용융하여, 보다 큰 결정 입자로 되어 석출되므로, 광학 상태가 변화한다. 이 광학 상태의 차이를 신호로서 검출할 수 있다. 또한, Te-O-M은 저산화물이므로, Te-O-M을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 막은 투과율을 크게 하는 것이 용이하고, 다층의 정보층을 갖는 다층 광학 정보 매체에 적용할 수 있다는 이점도 있다(예를 들면, K.Nishiuchi, H. Kitaura, N.Yamada, and N.Akahira, “Dual-Layer Optical Disk with Te-O-Pd Phase-Change Films”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.37(1998), pp.2163-2167 참조). 또, 본 명세서에서, 저산화물이란, 산소 원소의 조성비가, 화학량론적 조성의 산소 원소의 조성비보다도 작은 범위 내에 있는 산화물을 말한다.
현재, 개서형의 기록매체에 있어서는, 보다 고밀도화를 달성하기 위해서, 예를 들면 청자색 파장이라는 보다 단파장의 파장역의 레이저광을 이용하고, 또한 대물 렌즈의 NA를 높여, 매우 고밀도의 조건으로 기록을 행하는 기술이 검토되어 있 다.
그러나, 상기 종래의 기록매체에서는, 예를 들면 레이저 광의 파장이 보다 단파장의 청자색 파장역이고, 대물 렌즈의 NA가 예를 들면 0.80이상이라는, 기록막면 내의 기록 밀도를 더 높인 조건에 대해, 보다 높은 신호 품질을 얻기 위한 기록 재료의 연구는 이루어져 있지 않다.
즉, 이미 기술한 Te-O-M계 기록 재료를 이용하여, 이상과 같은, 지금까지 없는 매우 고밀도의 조건으로 기록을 행한 경우, 높은 신호 품질 (양호한 C/N비나 지터값)을 얻는 것이 곤란해진다. 이 이유는, 기록 재료가 레이저광의 조사에 의해서 용융되어 결정화할 때에, 기록막면 내에서의 열확산의 영향에 의해 기록 마크의 주변부에서 부분적으로 결정화가 발생해, 마크 에지가 희미해져 버리기 때문이다.
본 발명의 제1 광학 정보기록매체는 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체로서, 상기 기록층이, 저산화물 Te-O-M (M은 금속 원소, 반금속 원소 및 반도체 원소로부터 선택되는 적어도 하나의 원소이다.)과 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물(Te 산화물을 제외한다.)에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다. 또, 여기서의 저산화물이란, 상술한 대로, 산소 원소의 조성비가, 화학량론적 조성의 산소 원소의 조성비보다도 작은 범위 내에 있는 산화물이다.
본 발명의 제2 광학 정보기록매체는 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체로서, 상기 기록층이, 저산화물 A-O (A는 Sb, Sn, In, Zn, Mo 및 W에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.)와 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다. 여기서의 저산화물도 상기와 동일하다.
본 발명의 제1 광학 정보기록매체의 제조방법은 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체를 제조하는 방법으로서, Te-M(M은 금속 원소, 반금속 원소 및 반도체 원소에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.) 및 재료 X(X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물(Te 산화물을 제외한다.)에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)를 포함하는 타겟 재료를 이용하고, 스퍼터링법을 이용하여 상기 기록층을 제작하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 광학 정보기록매체의 제조방법은 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체를 제조하는 방법으로서, 원소 A(A는 Sb, Sn, In, Zn, Mo 및 W에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.) 및 재료 X(X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)를 포함하는 타겟 재료를 이용하여, 스퍼터링법을 이용하여 상기 기록층을 제작하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체에 의하면, 기록층의 열전도율을 충 분히 낮게 유지하는 것이 가능해지고, 레이저광에 의해서 신호의 기입을 행할 때 기록막면 내에서의 열확산을 억제할 수 있다. 이에 따라, 한층 더 고밀도 기록을 행해도 높은 신호 품질을 얻을 수 있는 라이트 원스형의 매체를 제공할 수 있다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체에서, 상기 혼합물에 포함되는 재료 X는 30mol% 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 큰 신호 진폭을 얻는 것이 용이해진다.
본 발명의 제1 광학 정보기록매체에 있어서, 상기 Te-O-M에서의 상기 M의 원자 농도를 x원자%로 하고, 상기 Te의 원자 농도를 y원자%로 한 경우, 상기 x 및 상기 y가 0.05y≤x≤y의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 큰 신호 진폭을 얻을 수 있다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체에 있어서, 상기 재료 X가 La-F, Mg-F, Ca-F, 희토류 원소의 플루오르화물, Si-O, Cr-O, Ge-O, Hf-O, Mo-O, Ti-O, W-O, Zn-O 및 Zr-O에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 기록층의 열전도율을 낮추는 것이 용이하게 가능해져, 지터 저감 효과가 용이하게 얻어지기 때문이다.
본 발명의 제1 광학 정보기록매체에 있어서, 상기 M은 Pd, Au, Pt, Ag, Cu, Sb, Bi, Ge 및 Sn에서 선택되는 적어도 1개의 원소인 것이 바람직하다. 이에 따라, 결정화 속도가 빠른 기록 재료가 용이하게 얻어지므로, 고선속도에서의 기록에 알맞은 광학 정보기록매체를 용이하게 실현할 수 있다.
본 발명의 제1 광학 정보기록매체에서, 상기 기록층이, 적어도 상기 Te-O-M 을 포함하는 제1 막과, 적어도 상기 재료 X를 포함하는 제2 막을 포함하고 있어도 된다. 이에 따라, 재료 X의 혼합비를 용이하게 변화시킬 수 있기 때문이다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체에는 다수의 정보층이 형성되어 있어도 되고, 이 경우는, 다수의 정보층 중 적어도 하나가 상기 기록층을 포함하고 있으면 된다. 이에 따라, 보다 대용량의 다층 광학 정보 매체를 얻을 수 있다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체에 있어서, 상기 기록층의 두께가 20㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 기록층막면 내에서의 열확산을 억제하기 쉬워지므로, 본 발명에 의한 열전도율 저감 효과를 보다 효과적으로 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 기록층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 기록층을 층형상으로 형성하기 쉽다는 이유에서 3㎚ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체의 제조방법에 의하면, 한층더 고밀도 기록을 행해도 양호한 C/N비나 지터값을 얻는 것이 가능한 광학 정보기록매체를 제작할 수 있다.
본 발명의 제1 광학 정보기록매체의 제조방법에 있어서, 상기 타겟 재료는 Te-M 및 재료 X의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 타겟 재료를, 상기 Te-M을 포함하는 타겟 재료 A와 상기 재료 X를 포함하는 타겟 재료 B로 하여, 상기 타겟 재료 A와 상기 타겟 재료 B로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 상기 기록층을 제작하는 것도 가능하다. 또한, 적어도 Te-O-M을 포함하는 제1 막과, 적어도 상기 재료 X를 포함하는 제2 막으로 기록층을 형성하는 경우, 상기 타겟 재료 A를 이용하여 스퍼터링법에 의해 저산화물 Te-O-M막(제1 막)을 제작하고, 상기 타 겟 재료 B를 이용하여 스퍼터링법에 의해 재료 X를 포함하는 막(제2 막)을 형성해도 된다.
본 발명의 제2 광학 정보기록매체의 제조방법에 있어서, 상기 타겟 재료는 원소 A 및 재료 X의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 타겟 재료를, 상기 A를 포함하는 타겟 재료 C와 상기 재료 X를 포함하는 타겟 재료 B로 하여, 상기 타겟 재료 C와 상기 타겟 재료 B로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 상기 기록층을 제작하는 것도 가능하다.
본 발명의 제1 및 제2 광학 정보기록매체의 제조방법에서는 상기 기록층을 제작하는 공정에서, 희 가스와 산소 가스와의 혼합 가스를 포함하는 성막 가스를 이용하여 반응성 스퍼터링에 의해 상기 기록층을 제작하는 것도 가능하다. 이에 따라, 제작한 기록층의 막질을 양호하게 유지하는 것이 용이해진다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
(실시형태 1)
도 1은 본 발명의 광학 정보기록매체의 일실시 형태를 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 광학 정보기록매체(1)는 기판(11)상에 반사층(12), 보호층(13), 기록층(14), 보호층(15) 및 광 투명층(16)이 이 순서대로 적층되어 형성되어 있다. 광학 정보기록매체(1)는 광 투명층(16)이 레이저 광입사측이 된다.
기판(11) 및 광 투명층(16)은 광학 정보기록매체(1)를 흠집이나 산화로부터 보호하는 역할을 담당하는 보호재이다. 광 투명층(16)은 레이저 광을 기록층(14) 까지 도달시켜 기록 재생을 행할 필요가 있으므로, 레이저 광에 대해 투명한 재료, 혹은 광 흡수가 발생했다고 해도 무시할 수 있을 정도로 작은 (예를 들면, 흡수율 10% 이하) 재료를 사용한다. 광 투명층(16)의 재료의 예로는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크레이트, 폴리올레핀계 수지 등의 각종 수지 또는 유리 등을 들 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 레이저 광을 광 투명층(16)의 측으로부터 입사시키는 구성을 나타내고 있는데, 기판(11)의 측에서 레이저 광을 입사시키는 구성이어도 된다. 이 경우는, 기판(11)을 레이저 광에 대해 투명한 재료에 의해 형성할 필요가 있고, 또한, 반사층(12), 보호층(13), 기록층(14) 및 보호층(15)을 도 1에 도시한 경우와는 반대의 순서로 적층한다.
광 투명층(16)으로는 성형 등에 의해 소정의 형상으로 제작한 기판을 이용해도 되고, 시트 형상의 것을 소정의 형상이 되도록 가공한 것을 이용해도 되고, 기록 재생에 이용하는 레이저 광에 대해 투명한 자외선 경화 수지를 이용해도 되고, 그 막 두께가 편차없이 소정의 막 두께 범위내가 되도록 제작할 수 있으면 된다. 여기서 말하는 광 투명층(16)이란, 후에 기술하는 보호층(15)에서 봐서 레이저 입사측에 제작되어 있는 투명한 층 전체를 가리키는 것으로 한다. 예를 들면, 투명한 시트를 투명한 자외선 경화 수지에 의해서 맞붙인 경우, 이들 전체를 광 투명층(16)으로 칭하는 것으로 한다.
또한, 보호층(15)과 광 투명층(16)과의 사이에 보호 코트를 더 형성해도 된다. 보호층(15)과 광 투명층(16)과의 사이에 보호 코트를 형성하는 공정에 관해서 간단히 설명한다. 예를 들면, 도 1에 도시하는 바와 같이 기판(11)상에 반사층(12)으로부터 보호층(15)까지의 다층막(정보층(17))을 제작한 후, 이 정보층(17)이 제작된 기판(11)을 스퍼터링 장치로부터 꺼낸다. 다음에, 보호층(15)의 표면에, 예를 들면 스핀 코팅법에 의해, 보호 코트로서 자외선 경화 수지를 도포한다. 자외선 경화 수지가 도포된 면측에서 자외선을 조사하여, 이 수지를 경화시킨다. 이에 따라 보호 코트가 형성되고, 보호 코트를 형성하는 공정이 종료한다. 또, 이 공정에서의 자외선의 조사에는 DC 램프 또는 플래시 램프중 어느 것을 이용해도 된다.
또한, 광 투명층(16) 또는 기판(11)의 적어도 어느 한쪽 표면에는 레이저 광선을 이끌기 위한 안내홈 혹은 피트가, 기록층(14)이 위치하는 측에 형성되는 것이 바람직하다.
보호층(13) 및 보호층(15)은 기록 재료의 보호와 기록층(14)에서의 효과적인 광 흡수를 가능하게 하는 광학 특성의 조절을 주된 목적으로 형성된다. 보호층(13, 15)에 이용되는 재료예로는 ZnS 등의 황화물, ZnSe 등의 셀렌화물, Si-O, Al-O, Ti-O, Ta-O, Zr-O, Cr-O 등의 산화물, Ge-N, Cr-N, Si-N, Al-N, Nb-N, Mo-N, Ti-N, Zr-N, Ta-N 등의 질화물, Ge-O-N, Cr-O-N, Si-O-N, Al-O-N, Nb-O-N, Mo-O-N, Ti-O-N, Zr-O-N, Ta-O-N 등의 질산화물, Ge-C, Cr-C, Si-C, Al-C, Ti-C, Zr-C, Ta-C 등의 탄화물, Si-F, Al-F, Mg-F, Ca-F, La-F 등의 플루오르화물, 그 밖의 유전체, 혹은 이들 적당한 조합(예를 들면 ZnS-SiO2 등) 등을 들 수 있다.
반사층(12)은 Au, Ag, Cu, A1, Ni, Cr 또는 Ti 등의 금속, 혹은 적절하게 선택된 금속 합금에 의해 형성한다. 반사층(12)은 방열 효과나 기록층(14)에서의 효 과적인 광 흡수 등의 광학적 효과를 얻기 위해서 형성된다. 그 막 두께는 1㎚ 이상인 것이 바람직하다. 이는 반사층(12)을 1㎚ 이상으로 함으로써, 막을 균일한 층형상으로 할 수 있으므로, 열적 및 광학적인 효과의 저하를 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 반사층(12)의 막 두께의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 200㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이는 양호한 기록 감도를 얻을 수 있기 때문이다.
기록층(14)은 저산화물 Te-O-M과 재료 X와의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 재료로 형성되어 있다. 여기서, M은 상기에 표시한 원소와 같고, 재료 X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물(Te 산화물을 제외한다.)중 어느 것을 적어도 포함하는 재료이다. 또한, 본 명세서에서, 주 성분이란, 90mo1% 이상을 차지하는 성분을 말한다. 본 실시 형태에 있어서의 기록층(14)에 의하면, 기록층(14)의 열 전도율을 충분히 낮게 유지하는 것이 가능해지므로, 레이저 광에 의해서 신호의 기입을 행할 시에 기록막면 내에서의 열 확산을 억제할 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 청자색이라는 단파장의 레이저 광을 이용하여, 고 NA로 기록을 행하는 한층더 고밀도 기록 조건하에서도, 높은 신호 품질을 얻을 수 있어, 1회만 기입이 가능하고, 장기 보존 특성이 우수한 기록매체의 실현이 가능해진다.
Te-O-M은 성막 직후에는 TeO2중에 Te, Te-M 및 M의 미립자가 일정하게 분산된 복합 재료이고, 레이저 광의 조사에 의해서 Te 및 Te-M의 결정 입자 직경이 커진다. 이 때의 광학 상태의 차이를 신호로서 검출할 수 있으므로, 이에 따라 1회만 기입이 가능한, 소위 라이트 원스형 기록매체를 실현할 수 있다.
원소 M는 Te의 결정화를 촉진시키기 위해서 첨가하는 것으로, Te와 결합을 만들 수 있는 원소이면 이 효과를 얻을 수 있다. Te의 결정은 공유 결합(8)에 의해서 Te 원자가 나선상으로 연속된 쇄상 구조 끼리, 약한 반데르발스의 힘에 의해서 서로 연결되어 있는 구조를 갖고 있다. Te를 용융하기 위해서는 약한 반데르발스 결합을 절단하면 되므로, Te의 융점은 약 452℃로 비교적 낮다. 그러나, 이 때, 나선상으로 연속해 있는 구조가 남아 있으므로 결정화 속도는 느리다. 본 실시 형태의 기록 재료에 있어서는, Te와 결합을 만들 수 있는 원소 M이 첨가되어 있으므로, 원소 M과 Te가 가교 구조를 만들어, 전술의 Te 원자의 쇄상 구조가 거의 나타나지 않으므로, 결정화 속도를 빠르게 할 수 있다.
원소 M의 구체예로는 Pd, Au, Pt, Ag, Cu, Sb, Bi, Ge, Sn, In, Ti, Zr, Hf, Cr, Mo, W, Co, Ni 및 Zn 등에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 들 수 있고, 다수의 원소가 포함되어 있어도 된다. 특히, 원소 M이 Pd, Au, Pt, Ag, Cu, Sb, Bi, Ge, Sn 및 In에서 선택되는 적어도 1개를 포함하는 경우, Te 원자와의 가교 구조를 보다 효과적으로 만들 수 있으므로, 보다 빠른 결정화 속도를 용이하게 얻을 수 있다. 그 중에서도 특히, Au, Pd 등의 귀금속을 사용한 경우, 특히 용이하게 빠른 결정화 속도를 얻을 수 있다.
원소 M은 Te-O-M에서, 원소 M의 함유량을 x원자%, Te의 함유량을 y원자%로 하면, x와 y가 0.05y≤x≤y의 관계를 만족하도록 첨가되는 것이 바람직하다. x≤y로 함으로써, 광학 특성의 충분한 변화량을 얻을 수 있고, 0.05y≤x로 함으로써, 결정화 속도 향상 효과를 효과적으로 얻을 수 있기때문이다.
재료 X는 기록층(14)의 열전도율을 저하시키는 것을 주된 목적으로 하여 첨 가되는 재료이고, 풀루오르화물, 탄화물, 질화물, Te 산화물 이외의 산화물중 어느 것을 적어도 포함하는 재료로 한다. 먼저 기술한 바와같이, 라이트 원스형 기록 재료 Te-O-M은 성막 직후에는 TeO2중에 Te, Te-M 및 M의 미립자가 일정하게 분산된 복합 재료이지만, 본 발명자 등의 실험에 의해, 이에 재료 X를 첨가함으로써 성막 직후에서의 기록층(14)의 열전도율을 낮게 하는 것이 가능해 지는 것을 알았다. 이는 성막 직후에 TeO2와 재료 X와의 양쪽이 분산매로 되므로, 분산매가 보다 복잡한 구조를 가지고 포논(phonon) 산란이 발생하기 쉬워지기 때문으로 추정된다.
재료 X로는 특히 La-F, Mg-F, Ca-F, 희토류 원소의 플루오르화물, Si-O, Cr-O, Ge-O, Hf-O, Mo-O, Ti-O, W-O, Zn-O 및 Zr-O에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 재료는 비교적 열전도율이 낮으므로, 기록층에 첨가하였을 때에 보다 효과적으로 열전도율을 저하시킬 수 있기 때문이다.
Te-O-M과 재료 X와의 혼합물에 있어서, 재료 X의 함유량은 30mo1% 이하인 것이 바람직하다. 혼합물에 있어서의 재료 X의 함유량이 30mo1%를 넘으면, 기록 전후의 광학 특성의 변화량이 약간 저감되기 때문이다.
기록층(14)의 막 두께는 3㎚ 이상 20㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다. 막 두께를 3㎚ 이상으로 함으로써 기록 재료가 층 형상으로 되기 쉽고, 양호한 신호를 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 막 두께를 20㎚ 이하로 함으로써, 기록층면 내에서의 열 확산을 억제할 수 있으므로, 재료 X의 첨가에 의한 열확산 억제 효과를 보다 효과적으로 얻을 수 있기 때문이다.
또한, 기록층(14)은 Te-O-M을 주성분으로 하는 제1 막과, 재료 X를 주성분으로 하는 제2 막으로 구성하는 것도 가능하다. 이 경우, 2층을 제작하므로 공정수가 증가하지만, 각 막 두께를 미세 조정함으로써, Te-O-M과 재료 X와의 혼합비를 용이하게 조정할 수 있으므로, 경우에 따라 적절하게 이용하는 것이 바람직하다.
기록층(14)의 재료로는 Te-O계 이외의 저산화물을 이용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 저산화물 Sb-O, Sn-O, In-O, Zn-O, Mo-O 또는 W-O를 포함하는 재료는 레이저 광의 조사에 의해서 Te-O계와 동일한 비가역 변화를 표시한다. 각각의 재료에 대한 기록 메카니즘은 완전히 명확하지 않지만, Sb-O, In-O, Sn-O에 대해서는 레이저 광 조사후에 Te-O와 동일한 결정 입자 직경의 증대가 일어나는 것으로 생각된다. 상기의 재료에 대해서도, 재료 X를 첨가함으로써, Te-O계와 동일한 열 전도율의 저감 효과를 얻을 수 있다. 이에 따라, 한층더 고밀도 조건으로 기록을 행한 경우라도 높은 신호 품질을 얻을 수 있다.
또, 본 발명은 도 1에 도시한 광학 정보기록매체(1)에 한정되지 않고, 다양한 구성에 적용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 반사층(12)을 형성하지 않은 구성이나, 보호층(13), 혹은 보호층(15)을 필요에 따라 설치하지 않는 구성으로 해도 된다.
다음에, 광학 정보기록매체(1)의 기록 재생 방법의 일례에 대해서 기술한다. 도 3에, 광학 정보기록매체(1)가 광 디스크(31)인 경우에, 정보의 기록, 재생 및 소거에 이용하는 장치의 일례의 개략을 도시한다. 이 장치는 레이저 광원(32)과, 대물 렌즈(34)를 탑재한 광 헤드와, 레이저 광을 조사하는 위치를 소정의 위치로 인도하기 위한 구동 장치(33), 트랙 방향 및 막면에 수직인 방향의 위치를 제어하기 위한 트랙킹 제어 장치 및 포커싱 제어 장치(도시하지 않음)와, 레이저 파워를 변조하기 위한 레이저 구동 장치(도시하지 않음), 광 디스크(31)를 회전시키기 위한 회전 제어 장치(35)를 구비하고 있다.
정보의 기록, 재생 및 소거는 우선 광 디스크(31)를 회전 제어 장치(35)에 의해 회전시키고, 광학계(대물 렌즈(34))에 의해 레이저 광을 미소 스폿으로 좁히고, 광 디스크(31)의 소정의 영역에 레이저 광을 조사함으로써 행한다. 정보의 재생 시에는 정보의 기록 혹은 소거를 행하는 파워 레벨보다 낮고, 그 파워 레벨에서의 레이저 조사에 의해서 기록 마크의 광학적인 상태가 영향을 받지 않고, 또한 그 조사에 의해서 광 디스크(31)로부터 기록 마크의 재생을 위해 충분한 광량이 얻어지는 파워 레이저 빔을 조사하고, 얻어지는 신호를 검출기로 읽어내어 행한다.
(실시형태 2)
도 2는 본 발명의 광학 정보기록매체의 별도의 일실시 형태를 도시하는 단면도이다. 본 실시 형태의 광학 정보기록매체(2)는 레이저 광 입사측으로부터 제1 정보층(23) 및 제2 정보층(25)이 중간층(24)을 통해 적층된 다층 광학 정보기록매체이다. 또한, 21은 기판이고, 22는 광 투명층이다. 제1 정보층(23)은 레이저 광 입사측으로부터, 보호층(231), 기록층(232) 및 보호층(233)이 적층되어 형성되어 있다. 제2 정보층(25)은 레이저 광 입사측으로부터, 보호층(251), 기록층(252), 보호층(253) 및 반사층(254)이 적층되어 형성되어 있다.
본 실시 형태의 광학 정보기록매체(2)는 한방향으로부터의 레이저 광 입사에 의해서 제1 정보층(23), 제2 정보층(25) 양쪽에의 기록, 재생을 가능하게 하는 구성이다. 이를 위해, 제1 정보층(23)은 광 투과성을 가질 필요가 있다. 이는 제2 정보층(25)에 대한 정보의 기록 재생은 제1 정보층(23)을 투과한 광으로 기록을 행하므로, 기록 감도를 높게 설계하는 것이 바람직하기 때문이다.
또한, 제1 정보층(23)은 신호의 기록 전후에서의 투과율의 변화량이 작은 것이 바람직하다. 예를 들면, 투과율의 변화량이 10% 이하인 것이 바람직하다. 투과율의 변화량을 이와 같이 설정함으로써, 제1 정보층(23)에의 기록 유무에 의하지 않고, 제2 정보층(25)의 재생 신호 진폭을 안정되게 얻는 것이 가능해지므로, 안정된 트랙킹을 얻는 것이 가능해진다. 본 실시 형태에 있어서는, 기록 재료의 재료 M의 조성비, 혹은 재료 X의 조성비를 조절함으로써, 이 투과율의 변화량을 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
제1 정보층(23) 및 제2 정보층(25)에 포함되는 기록층(232, 252)은 실시 형태 1에서 설명한 광학 정보기록매체(1)의 기록층(14)과 동일한 재료를 이용하여 형성가능하고, 동일한 기능을 갖도록 형성되어 있다. 또한, 기록층(232, 252)(특히 제1 정보층(23)에 포함되는 기록층(232))의 막 두께는 3㎚ 이상 20㎚ 이하인 것이 바람직하다. 그 이유는 실시 형태 1의 광학 정보기록매체(1)의 기록층(14)에서 설명한 이유에 추가하여, 기록층을 20㎚ 이하로 함으로써 충분히 높은 투과율을 얻는 것이 가능해지고, 정보층을 다수 적층하는 경우에 특히 적합하기 때문이다.
또한, 보호층(231, 233, 251, 253)은 실시 형태 1에서 설명한 광학 정보기록매체(1)의 보호층(13, 15)과 동일한 재료를 이용하여 형성 가능하고, 동일한 기능 을 갖도록 형성되어 있다. 또한, 반사층(254)은 실시 형태 1에서 설명한 광학 정보기록매체(1)의 반사층(12)과 동일한 재료를 이용하여 형성가능하고, 동일한 기능을 갖도록 형성되어 있다.
중간층(24)은 제1 정보층(23)과 제2 정보층(25)을 광학적으로 분리하기 위해서 설치하는 층으로, 자외선 경화 수지 등의 레이저 광에 대해 투명한 재료로 이루어진다. 그 막 두께는 각 정보층을 분리가능할 정도로 두껍고, 또한 2개의 정보층이 대물 렌즈의 집광가능한 범위내가 되는 막 두께로 하면 된다.
또, 본 실시 형태에 있어서는 제1 정보층(23)이 반사층을 갖지 않는 구성을 나타냈는데, 제1 정보층(23)이 반사층을 갖는 구성이나, 보호층(233)을 2층으로 하는 구성 등, 다양한 구성을 취할 수 있다. 이상과 같이, 본 발명은 기타 다양한 구성에 적용하는 것이 가능하다.
또한, 광학 정보기록매체(2)에 대해서도, 실시 형태 1의 광학 정보기록매체(1)의 경우와 동일한 방법으로 정보의 기록 재생을 행할 수 있다.
이상으로 정보층이 2층인 경우의 광학 정보기록매체에 관해서 설명했는데, 이에 한정되지 않고, m층(m은 2이상의 정수) 적층한 구성이어도 된다. 이 때, 다수의 정보층 중 적어도 1층 이상으로, 개서 가능한 정보층이나 재생 전용의 정보층을 이용하는 것도 가능하다. 이 경우, 1회만 기록하여 소거하고 싶지 않은 정보와, 다시 쓰고 싶은 정보나 재생 전용의 정보를, 1매의 매체에 공존시킬 수 있으므로, 편리성이 높고, 다양한 어플리케이션에의 응용이 가능한 광학 정보기록매체를 제공할 수 있다. 이하에, 4개의 정보층이 형성된 광학 정보기록매체의 예에 대해 서, 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4에는 4개의 정보층이 적층된 광학 정보기록매체(3)의 단면도가 도시되어 있다. 이 광학 정보기록매체(3)는 기판(21)과 광 투명층(22)과의 사이에, 레이저광 입사측으로부터 순서대로 제1 정보층(100), 제2 정보층(200), 제3 정보층(300) 및 제4 정보층(400)이 설치되어 형성되어 있다. 각 정보층간에는 중간층(24)이 배치되어 있다. 도 4에 도시하는 구성예에서는 제1 정보층(100) 및 제2 정보층(200)은 각각 레이저 광 입사측으로부터 순서대로 배치된 보호층(101, 201), 기록층(102, 202) 및 보호층(103, 203)으로 형성되어 있다. 제3 정보층(300) 및 제4 정보층(400)은 각각 레이저 광 입사측으로부터 순서대로 배치된 보호층(301, 401), 기록층(302, 402), 보호층(303, 403) 및 반사층(304, 404)으로 형성되어 있다.
기록층(102, 202, 302, 402)의 적어도 어느 1개가, 실시 형태 1에서 설명한 광학 정보기록매체(1)의 기록층(14)과 동일한 재료를 이용하여 형성가능하고, 동일한 기능을 갖도록 형성되어 있다. 또한, 이들 각 기록층의 막 두께 등도 기록층(14)과 동일한 범위로 하는 것이 바람직하다.
보호층(101, 103, 201, 203, 301, 303, 401, 403)은 실시 형태 1에서 설명한 광학 정보기록매체(1)의 보호층(13, 15)과 동일한 재료를 이용하여 형성 가능하고, 동일한 기능을 갖도록 형성되어 있다. 또한, 반사층(304, 404)은 실시 형태 1에서 설명한 광학 정보기록매체(1)의 반사층(12)과 동일한 재료를 이용하여 형성 가능하고, 동일한 기능을 갖도록 형성되어 있다.
이 구성예에 있어서도, 한 방향으로부터 레이저 광을 조사함으로써, 제1∼제4 정보층(100, 200, 300, 400)에의 기록 및 재생을 가능하게 한다. 이 때문에, 적어도 가장 레이저 광 입사측에 가깝게 배치되어 있는 제1 정보층(100)은 광 투과성을 가질 필요가 있다. 한편, 가장 레이저광 입사측에서 멀리 배치되는 제4 정보층(400)은 제1∼제3 정보층(100, 200, 300)을 투과한 광으로 기록이 행해지므로, 기록 감도를 높게 설계하는 것이 바람직하다.
(실시형태 3)
본 발명의 광학 정보기록매체의 제조방법의 일실시 형태에 대해서 설명한다.
실시 형태 1 및 2에서 설명한 광학 정보기록매체(1∼3)를 구성하는 다층막을 제작하는 방법으로는 스퍼터링법, 진공 증착, CVD 등의 방법이 가능하다. 성막 가스는 Ar, Kr 등의 희 가스 등, 성막 가능한 가스를 이용하면 좋다. 예를 들면 스퍼터링법을 이용한 경우, 경우에 따라 희 가스에 미량의 질소, 혹은 산소 등을 혼합한 가스를 이용하는 반응성 스퍼터링을 행하는 것도 가능하다.
광학 정보기록매체(1∼3)의 기록층을 제작할 때는 성막 가스를 희 가스와 산소의 혼합 가스를 주성분으로 하는 가스로 하여, 반응성 스퍼터링을 행하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 막질이 양호한 기록층을 용이하게 제작하는 것이 가능해진다. 이 때, 희 가스와 산소의 유량비를 적절히 변화시킴으로써 기록층 중의 산소의 조성비를 변화시켜, 양호한 특성이 얻어지는 각 가스 유량의 조건을 결정하면 좋다.
또한, 기록층을 스퍼터링법에 의해 제작할 때는, Te-M (M은 상기에 표시한 원소와 동일하다.)과 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물, 산화물(Te 산화물을 제외한다.)에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물을 주성분으로 하는 타겟 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이 때, 기록층 제작 공정에서 이용하는 타겟이 1개로 되므로, 보다 간편하게 제작할 수 있다.
또한, 기록층을 스퍼터링법에 의해 제작할 때, Te-M을 포함하는 타겟 재료 A와, 재료 X를 포함하는 타겟 재료 B를 이용하여, 별도의 타겟 재료로부터 동시에 스퍼터링을 행하는 방법을 취하는 것도 가능하다. 이 경우, 2개의 타겟 재료를 이용할 필요가 있지만, 각각의 타겟 재료의 스퍼터 파워를 변화시킴으로써 재료 X의 혼합 비율을 용이하게 적절히 조절하는 것이 가능하다. 이 때문에, 예를 들면 다층의 정보층에서 재료 X의 혼합 비율을 변화시키고 싶은 경우나, 1층의 기록층이라도 깊이 방향에서의 재료 X의 혼합 비율을 변화시키고 싶은 경우 등에는, 이 방법을 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 기록층을, 적어도 Te-O-M을 포함하는 막과, 적어도 재료 X를 포함하는 막의 2개의 막으로 구성하는 경우, 각각의 막을 별도로 제작한다. 이 경우, 기록층 제작 공정이 2회의 성막 공정을 필요로 하는데, 각 막 두께를 변화시킴으로써, 기록층 전체에 대한 재료 X의 혼합 비율을 변화시키는 것이 용이하게 가능해지므로, 필요에 따라 채용하는 것이 바람직하다.
기록층을, 저산화물 Sb-O, Sn-O, In-O, Zn-O, Mo-O 또는 W-O와 재료 X를 포함하는 재료로 형성하는 경우도, 마찬가지로 스퍼터링법을 이용할 수 있고, 반응성 스퍼터링을 행하는 것도 가능하다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또, 이하의 실시예는 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
(실시예 1)
본 실시예의 광학 정보기록매체로서, 도 1에 도시한 광학 정보기록매체(1)를 제작했다. 기판(11)으로서, 두께 1.l㎜, 직경 120㎜의 디스크상 폴리카보네이트판으로, 표면에 나선상의 폭 0.25㎛, 홈의 피치가 0.32㎛, 깊이 20㎚의 홈이 형성되는 것을 이용했다. 보호층(13, 15)은 모두 ZnS에 SiO2를 20mo1% 혼합한 재료로 형성했다. 반사층(12)은 Al-Cr를 이용하여 형성했다. 기록층(14)에는 Te-O-Pd와 LaF3와의 혼합물을 이용하여, 그 조성비를 변화시켰다. 각 층의 막 두께는 보호층(13, 15)을 각각 6㎚, 17㎚, 반사층(12)을 40㎚, 기록층(14)을 20㎚으로 했다. 성막은 기판(11) 상에 반사층(12)으로부터 순서대로 보호층(15)까지 제작했다. 광 투명층(16)은 두께 90㎛의 폴리카보네이트 수지로 이루어지는 시트를 자외선 경화 수지에 의해서 맞붙여 형성했다.
보호층(13, 15)의 성막은 Ar 가스를 전체 압력이 0.13Pa가 되도록 공급하고, 음극에 고주파(RF) 전원을 이용하여, 5.10W/㎠의 파워를 투입하여 행했다. 반사층(12)의 성막은 Ar 가스를 전체 압력 0.13Pa가 되도록 공급하고, 직류(DC)전원을 이용하여, 4.45W/㎠의 파워를 투입하여 행했다. 기록층(14)의 성막은 Ar과 산소의 혼합 가스를 전체 압력이 0.13Pa가 되도록 공급하고, 음극에 DC 전원을 이 용하여, 1.27W/㎠의 파워를 투입하여 행했다. 기록층(14)을 성막할 때의 타겟 재료에는 Te-Pd와 LaF3와의 혼합물을 이용했다. 기록층(14)은 Ar 가스와 산소 가스의 유량비를 조정함으로써, 원하는 막중 산소 조성비를 얻을 수 있도록 형성했다. 구체적으로는 Ar 가스 유량을 4.17×10-7㎥/s(25sccm), 산소 가스 유량을 3.67×10-7㎥/S(22sccm)으로 했다.
정보의 기록 재생을 행할 때는, 파장 405㎚, 대물 렌즈의 개구수가 0.85인 레이저 광을 이용했다. 신호의 변조 방식은 1-7PP 변조를 이용하고, 2T 마크 길이를 0.160㎛, 디스크 회전 속도를 선속 5.28m/s로 했다. 디스크의 특성 평가는 2T 마크의 단일 신호를 적정한 레이저 파워로 홈부에 기록하고, 얻어진 신호의 C/N비를 측정함으로써 행했다. 단, 여기서 홈부란 기판(11)에 형성된 요철상의 트랙 중, 레이저 입사광측에 가까운 측의 트랙으로 정의한다.
기록층(14)의 조성은 Te-O-Pd의 조성비를 Te36O54Pd10로 일정하게 하고, LaF3량을 전체의 5mol%, 10mo1%, 30mo1%, 40mo1%, 50mo1%로 변화시킨 매체를 제작했다. 이들을 각각 매체 (1)∼매체 (5)로 한다. 비교예로서, 기록층(14)에 LaF3를 포함하지 않는 Te36O54Pd10 조성을 이용한 이외는 매체 (1)∼매체 (5)와 동일하게 한 매체를 매체(0)로 한다. 표 1에, 매체 (0)∼(5)를 평가한 결과를 표시한다.
Figure 112004025405767-pat00001
여기서, C/N비에 대해서는 50dB 이상 얻어진 경우를 O, 50dB 미만 45dB 이상인 것을 △, 45dB 미만이던 것을 ×로서 표시했다.
표 1에 의하면, 매체 (1)∼(5)에서는 비교예가 되는 매체(0)에 비해 2T 마크의 C/N비가 개선되어 있다. 이는 매체 (1)∼(5)에서는, 기록층(14)중에 LaF3를 포함하므로, 기록막의 열 전도율이 저하하여, 레이저 조사시의 기록막면 내에서의 열 확산을 억제할 수 있고, 미기록부와의 경계가 분명한 마크가 형성되었기 때문으로 생각된다. LaF3의 첨가량이 30mo1%보다 많은 매체 (4), (5)인 경우, 약간 C/N비의 저하를 볼 수 있지만, 이는 상변화를 일으키는 베이스 재료인 Te-O의 비율이 비교적 적어졌기 때문인 것으로 생각된다. 또한, C/N비가 양호한 매체 (1) ~ (3)에, 2T ~ 9T의 랜덤신호를 기록하여 지터값을 측정한 바, 모두 6.5％이하의 양호한 값이 얻어져 규격값을 만족하였다. 이 점에서, LaF3의 첨가량은 30mo1% 이하로 하는 것이 바람직하다.
또, 기록층(14)으로서 LaF3 대신에 Mg-F, Ca-F, Li-F, Y-F로 각각 치환한 재료를 이용한 매체를 동일하게 제작했는데, 이들에 대해서도 표 1과 동일한 C/N비 향상 효과가 얻어졌다.
또한, 마찬가지로 LaF3 대신에 Si-C, Al-C, Si-N, Cr-N, Ti-N, Mo-N, W-N, Ge-N, Si-O, Cr-O, Sb-O, Ge-O, In-O, Sn-O, Mo-O, W-O를 이용한 경우라도, 동일한 C/N비 향상 효과가 얻어졌다.
또한, 매체 (2)에 있어서 LaF3량을 10mo1%로 일정하게 하고, Te-O-Pd의 조성비를 Te40O59Pd1, Te40O58Pd2, Te40 O56Pd4, Te34O56Pd10, Te30O55 Pd15, Te28O52Pd20, Te25O52Pd 23, Te25O50Pd25, Te25O48Pd27, Te24 O46Pd30로 변화시킨 이외는 매체(2)와 동일하게 한 매체를 제작하고, 이를 각각 매체 (6)∼(15)로 하였다. 표 2에, 매체 (6)∼(15)를 매체 (1)∼(5)일 때와 마찬가지로 평가한 결과를 표시한다.
Figure 112004025405767-pat00002
표 2에 의하면, 매체 (6)∼(15)도 비교예로 되는 매체 (0)에 비교해 2T 마크의 C/N비가 개선되어 있다. 매체 (14), (15)에 대해서는 비교예인 매체 (0)에 대해 C/N비 향상 효과가 약간 작게 되어 있다. 이는 Pd량이 Te량보다도 많으므로, 매체 (5)와 마찬가지로 Te-O의 비율이 비교적 적어지고, 신호 진폭이 저하했기 때문으로 생각된다. 또한, 매체 (6)은 결정화 속도가 약간 느리고, 출력 범위 내의 레이저 파워로 얻어진 C/N비는 46dB였다. 이들에 대해, x가 0.05y∼y의 범위인 매체 (7)∼(13)에 있어서는, 50dB 이상의 양호한 C/N비가 얻어졌다. 또한, 이들 매체 (7) ~ (13)에 2T ~ 9T의 랜덤신호를 기록하여 지터값을 측정한 바, 모두 6.5％이하의 양호한 값이 얻어져, 규격값을 만족하였다. 이 점에서, Pd의 첨가량 x는 Te량 y에 대해 0.05y≤x≤y인 것이 바람직한 것도 확인되었다.
Pd 대신에, 원소 M으로서 Au, Pt, Ag, Cu, Sb, Bi, Ge, Sn을 이용해도, 표 2와 동일한 결과가 얻어졌다. 이들 재료를 이용한 경우에도, 재료 M의 혼합비를 Te량보다 많아지지 않는 범위로 함으로써, 높은 C/N비 향상 효과를 얻을 수 있었다.
이상에서, 기록층(14)의 주성분을 Te-O-M (M은 상기에 표시한 원소와 동일하다.)과 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물(Te-O를 제외한다.)로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물로 함으로써, 기록막면 내에서의 열 확산을 억제할 수 있고, 매우 고밀도 조건에서의 기록을 행한 경우라도 큰 C/N비가 얻어지게 되는 것이 확인되었다.
(실시예 2)
본 실시예의 광학 정보기록매체로서, 도 2에 도시한 광학 정보기록매체(2)를 제작했다. 기판(11)은 실시예 1의 경우와 동일하게 하고, 보호층(231, 233, 251, 253)은 모두 ZnS에 SiO2를 20mo1% 혼합한 재료로 형성했다. 반사층(254)은 Al-Cr로 형성했다. 기록층(232)으로서 Te-O-Pd, 기록층(252)으로서 후에 기술하는 조성을 갖는 Te-O-Pd와 SiO2와의 혼합물을 이용했다. 각 층의 막 두께는 2개의 정보층으로부터의 반사율과 신호 진폭이 동등하게 되는 조건의 범위를 광학 설계에 의해서 이끌어 내고, 이 범위 중에서, 제1 정보층(23)의 충분한 투과율과, 제2 정보층(25)의 높은 기록 감도가 얻어지는 막 두께로 결정했다. 구체적으로는, 보호층(231, 233, 251, 253)을 각각 33㎚, 17㎚, 9㎚, 17㎚, 반사층(254)을 40㎚, 기록층(232, 252)은 각각 10㎚, 20㎚으로 했다. 광 투명층(22), 중간층(24)은 모든 매체에 대해 각 각 20㎛, 75㎛이 되도록 제작했다.
매체의 제작 순서는 다음과 같다. 우선, 기판(21)의 홈이 형성된 표면상에 제2 정보층(25)을 반사층(254)측으로부터 순차 성막하고, 다음에 중간층(24)으로서 자외선 경화 수지를 도포하고, 기판(21)과 동일한 홈을 표면에 전사했다. 다음에, 제1 정보층(23)을 보호층(233)으로부터 순서대로 보호층(231)까지 형성하고, 마지막에 광 투명층(22)으로서 폴리카보네이트로 이루어지는 시트를 자외선 경화 수지를 이용하여 접착했다.
기록층(232)의 조성은 Te36O54Pd10에서 공통으로 하고, 기록층(252)의 조성은 Te-O-Pd의 조성비를 Te42O50Pd8로 일정하게 하고, 이에 SiO2량을 각각 전체의 10mo1%, 20mo1%, 30mo1%, 40mo1%만큼 혼합시켰다. 이들 매체를 각각 매체 (21)∼(24)로 한다. 비교예로서, 기록층(252)에 SiO2를 포함하지 않는 Te42O50Pd8 조성을 이용한 이외는 매체 (21)과 동일하게 한 매체를 매체 (20)로 한다. 디스크의 평가는 제2 정보층(25)에 2T 마크를 적정한 레이저 파워로 기록하고, 그 C/N비를 측정함으로써 행했다. 표 3에, 이들 매체에 대해서, 매체 (1)과 동일한 평가 조건으로 평가를 행한 결과를 표시한다.
Figure 112004025405767-pat00003
여기서, C/N비에 대해서는 45dB 이상 얻어진 경우를 O, 45dB 미만 40dB 이상인 것을 △, 40dB 미만인 것을 ×로서 표시했다. 표 3에 의하면, 매체 (21)∼(24)에서는 비교예가 되는 매체 (20)에 비교해 2T 마크의 C/N비가 개선되어 있다. 매체 (21) 및 (22)에서는, 보다 큰 신호 진폭이 얻어졌다. 이들 매체에 대해서도, SiO2를 첨가하는 것에 의한 기록층(252)의 열 전도율의 저하에 의해, 열 확산을 억제할 수 있고, 선명한 마크가 형성되었기 때문으로 생각된다. 또한, C/N비가 양호한 매체 (21) ~ (23)에 2T ~ 9T의 랜덤신호를 기록하여 지터값을 측정한 바, 모두 6.5％이하의 양호한 값이 얻어져, 규격값을 만족하였다. 본 실시예의 결과로부터, 재료 X는 30mo1% 이하가 바람직하고, 10∼20mo1%의 범위 내인 것이 보다 바람직한 것이 확인되었다.
(실시예 3)
별도의 실시예로서, 실시예 1의 매체 (1)에서 기록층(14)을 각각 저산화물 A-O로서 Sb-O를 포함하고, 재료 X로서 Cr2O3를 포함하는, (Sb-O)90(Cr2 O3)10, (Sb- O)80(Cr2O3)20 및 (Sb-O)70(Cr2O3 )30, 저산화물 A-O로서 Sb-O를 포함하고, 재료 X로서 SiO2 및 Cr2O3를 포함하는, (Sb-O)90(SiO2)5 (Cr2O3)5, (Sb-O)80(SiO2)10(Cr 2O3)10 및 (Sb-O)70(SiO2)15(Cr2O3)15, 저산화물 A-O로서 Sb-O를 포함하고, 재료 X로서 Ge-O 및 SiO2를 포함하는, (Sb-O)90(Ge-O)5(SiO2)5, (Sb-O)80 (Ge-O)10(SiO2)10 및 (Sb-O)70(Ge-O)15(SiO2)15로 한 이외는 모두 동일하게 한 매체를 제작했다. 이들 매체를 각각 매체 (31)∼(39)로 한다. 비교예로서, 기록층(14)으로서 Sb-O를 이용한 이외는 매체 (31)과 동일하게 한 매체를 매체 (30)로 한다.
기록층(14)을 Sb-O 및 Cr2O3의 혼합물로 형성하는 매체 (31)∼(33)에서는 기록층(14)은 Ar과 산소의 혼합 가스를 전체 압력이 0.13Pa가 되도록 공급하고, Sb 타겟과 Cr2O3 타겟으로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 형성했다. 각각의 스퍼터링 파워를 변화시킴으로써, 혼합비가 다른 기록층(14)을 제작했다. 이 때, Sb-O에 대해 원하는 막중 산소 조성비가 얻어지도록, Ar 가스와 산소 가스의 유량비를 조정했다. 구체적으로는, Ar 가스 유량을 4.17×10-7㎥/s(25sccm), 산소 가스 유량을 3.67×10-7㎥/s(22sccm)으로 했다. 또한, 기록층(14)을 Sb-O, SiO2 및 Cr2 O3의 혼합물로 형성하는 매체 (34)∼(36)에서는, 마찬가지로, Sb 타겟과, SiO2 및 Cr2O3의 혼합물 타겟으로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 기록층(14)을 형성했다. 또한, 기록층(14)을 Sb-O, Ge-O 및 SiO2의 혼합물로 형성하는 매체 (37)∼(39)에서는, 마찬가지로, Sb 타겟과, Ge-O 및 SiO2의 혼합물 타겟으로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 기록층(14)을 형성했다.
표 4에, 이들 매체에 대해 매체 (1)와 완전히 동일한 평가를 행한 결과를 표시한다.
Figure 112004025405767-pat00004
여기서, C/N비에 대해서는 40dB 이상 얻어진 경우를 O, 40dB 미만 35dB 이상인 것을 △, 35dB 미만인 것을 ×로서 표시했다.
표 4에 의하면, 매체 (31)∼(39)에서는 비교예로 되는 매체 (30)에 비해 2T 마크의 C/N비가 개선되어 있다. 또한, 이들 매체 (31) ~ (39)에 2T ~ 9T의 랜덤신호를 기록하여 지터값을 측정한 바, 모두 6.5％이하의 양호한 값이 얻어져, 규격값 을 만족하였다.
또한, Sb-O 대신에, Sn-O, In-O, Zn-O, Mo-O, W-O를 이용한 경우도, 표 4와 동일한 결과가 얻어졌다. 이들 베이스 재료를 이용한 경우라도, 본 발명에 있어서의 C/N비 향상 효과가 얻어지는 것이 확인되었다.
(실시예 4)
다음에, 별도의 실시예로서, 도 4에 도시하는 것과 같은, 4개의 정보층을 갖는 광학 정보기록매체(3)를 제작했다.
우선, 본 실시예에 있어서의 광학 정보기록매체의 제작 순서에 대해 설명한다. 기판(21)에 있어서 홈이 형성된 표면상에, 제4 정보층(400)을 반사층(404)측에서 순서대로 보호층(401)까지 형성하고, 다음에, 중간층(24)으로서 자외선 경화 수지를 도포하여, 그 표면에 기판(21)과 동일한 홈을 전사하여 형성했다. 다음에, 이 중간층(24)의 홈이 형성된 표면상에, 제3 정보층(300)을 반사층(304)측에서 순서대로 보호층(301)까지 형성하고, 다음에, 중간층(24)으로서 자외선 경화 수지를 도포하고, 그 표면에 기판(21)과 동일한 홈을 전사하여 형성했다. 다음에, 이 중간층(24)의 홈이 형성된 표면상에, 제2 정보층(200)을 보호층(203)측에서 순서대로 보호층(201)까지 형성하고, 다음에, 중간층(24)으로서 자외선 경화 수지를 도포하고, 그 표면에 기판(21)과 동일한 홈을 전사하여 형성했다. 다음에, 이 중간층(24)의 홈이 형성된 표면상에, 제1 정보층(100)을 보호층(103)측에서 순서대로 보호층(101)까지 형성하고, 자외선 경화 수지로 이루어지는 보호 코트를 설치하고, 마지막에 광 투명층(22)으로서, 폴리카보네이트로 이루어지는 시트를 자외선 경화 수지를 이용하여 접착하여 형성했다.
이하, 제4 정보층(400)∼제1 정보층(100)까지의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
기판(21)으로서, 직경 120㎜, 두께 1.1㎜의 디스크 형상 폴리카보네이트판으로, 반사층(404)이 형성되는 측의 표면에, 깊이 20㎚, 트랙 피치(홈부로부터 홈부까지의 거리)가 0.32㎛인 요철상의 트랙이 형성되어 있는 것을 이용했다. 반사층(404)으로서, 두께 80㎚의 Al98Cr2(원자 %)막을 Ar 가스 분위기 중에서 직류 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 보호층(403)으로서, (ZnS)80(SiO2)20(mol%)막을 두께 11㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 기록층(402)으로서, (Te42O50Pd8)90(SiO2 )10(mo1%)막을 두께 20㎚이 되도록 직류 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이 때, Te-Pd와 SiO2와의 혼합물 타겟을 Ar 가스와 산소 가스와의 혼합 가스를 전체 압력 0.13Pa로 유지한 분위기 중에서 스퍼터링했다. 타겟의 조성과, Ar 가스와 산소 가스의 유량비를 조정함으로써, 소정의 조성을 갖는 기록층(402)이 얻어졌다(이하에 설명하는 기록층(302, 202) 및 (102)도 동일한 방법으로 얻어졌다). 이어서, 보호층(401)으로서, (ZnS)80(SiO2)20 (mo1%)로 이루어지는 막을, 두께 17㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이상의 방법에 의해, 제4 정보층(400)이 제작되었다. 또, 기록층(402)은 원소 M로서 Pd를 포함하고, 재료 X로서 SiO2를 포함하고, 0.05y≤x≤y, 재료 X의 함유량이 30mol% 이하로 되는 조건을 만족하고 있다.
이어서, 중간층(24)을 17㎛의 두께로 형성했다. 중간층(24)의 홈이 형성된 표면상에, 반사층(304)으로서 Ag-Pd-Cu막을 두께 10㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 직류 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 보호층(303)으로서 (ZnS)20(SiO2)80(mo1%)를, 두께 22㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 기록층(302)으로서, (Te40O52Pd8)90 (SiO2)10(mol%)막을 두께 8㎚이 되도록 직류 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 보호층(301)으로서, (ZnS)80(SiO2)20(mol%)로 이루어지는 막을, 두께 30㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이상의 방법에 의해, 제3 정보층(300)이 제작되었다. 또, 기록층(302)은 원소 M으로서 Pd를 포함하고, 재료 X로서 SiO2를 포함하고, 0.05y≤x≤y, 재료 X의 함유량이 30mo1% 이하로 되는 조건을 만족하고 있다.
이어서, 중간층(24)을 15㎛의 두께로 형성했다. 중간층(24)의 홈이 형성된 표면상에, 보호층(203)으로서 (ZrSiO4)30(Cr2O3)40(LaF 3)30(mol%)를, 두께 6㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 기록층(202)으로서, 직류 스퍼터링법에 의해, (Te36O54Pd10)90(SiO 2)10 막을 두께 10㎚으로 형성했다. 이어서, 보호층(201)으로서, (SnO2)80(Ga2O3) 20(mol%)로 이루어지는 막을, 두께 32㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성 했다. 이상의 방법에 의해, 제2 정보층(200)이 제작되었다. 또한, 기록층(202)은 원소 M으로서 Pd를 포함하고, 재료 X로서 SiO2를 포함하고, 0.05y≤x≤y, 재료 X의 함유량이 30mol% 이하로 되는 조건을 만족하고 있다.
이어서, 중간층(24)을 18㎛의 두께로 형성했다. 중간층(24)의 홈이 형성된 표면상에, 보호층(103)으로서 (ZnS)80(SiO2)20(mol%)를, 두께 11㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이어서, 기록층(102)으로서, (Te34O56Pd10)90(SiO2)10 막을, 직류 스퍼터링법에 의해 두께 8㎚으로 형성했다. 이어서, 보호층(101)으로서, (ZnS)80(SiO2)20(mol%)로 이루어지는 막을, 두께 39㎚이 되도록, Ar 가스 분위기 중에서 고주파 스퍼터링법에 의해 형성했다. 이상의 방법에 의해, 제1 정보층(100)이 제작되었다. 또한, 기록층(102)은 원소 M으로서 Pd를 포함하고, 재료 X로서 SiO2를 포함하고, 0.05y≤x≤y, 재료 X의 함유량이 30mol% 이하로 되는 조건을 만족하고 있다.
이어서, 보호 코트와 광 투명층(22)을 포함해 60㎛의 두께가 되도록 형성하고, 본 실시예에 있어서의 광학 정보기록매체(매체(41))를 제작했다.
각 정보층 사이에 형성되는 중간층(24)에 대해서는 상호 같은 두께로 하면, 각 정보층간에서의 미광 간섭이 우려되므로, 상기와 같이 상호 다른 두께로 했다.
각 기록층의 광학 정수의 측정은 석영 기판상에, 기록층을 성막하는 공정과 완전히 동일한 성막 조건으로 제작한 샘플을 이용하여, 분광기에 의해 행했다. 결정 상태에서의 광학 정수의 측정은 이 샘플을 기록층이 결정 상태로 되는 소정의 온도까지 어닐한 후, 동일한 방법에 의해 행했다. 얻어진 값은 모든 기록층(402, 302, 202, 102)에 있어서, na= 2.3, ka= 0.2, nc= 2.3, kc= 1.0으로, 거의 같았다.(단, na 및 ka는 기록층이 as.depo 상태(성막 직후의 상태)에서의 굴절율 및 소퇴 계수이고, nc 및 kc는 기록층이 결정 상태에서의 굴절율 및 소퇴 계수이다).
본 실시예에 있어서의 각 보호층의 막 두께 d(㎚)는 d=aλ/n(n : 보호층의 굴절율, a : 양의 수, λ : 광의 파장(여기서는 405㎚))으로 표시된다. 보호층의 막 두께는 모든 정보층으로부터의 신호와 반사율 레벨이 거의 동등하게 되도록 조정하고, 이 조정이 가능한 범위 내에서 가능한한 정보층의 투과율을 크고, 또한 기록 상태·미기록 상태간에서의 투과율 차가 작아지도록 a의 값을 최적화하여 설계했다. 또한, 기록층(402, 302, 202, 102)의 재료만이 다른 매체 (42), (43)도 마찬가지로 제작했다. 각 기록층의 재료에 대해서는 표 5에 표시하는 대로이다.
상기의 방법으로 제조한 매체 (41)의 제1 정보층(100), 제2 정보층(200), 제3 정보층(300) 및 제4 정보층(400)에, 2T 마크를 적정한 레이저 파워로 기록하고, 그 C/N비를 측정했다. 신호의 기록 재생을 행할 때는 파장 405㎚의 레이저 광을 이용하고, 개구수 0.85의 대물 렌즈를 이용했다. 신호의 기록은 기록 밀도는 23GB 용량 상당 및 25GB 용량 상당으로 행했다. 23GB 용량 상당의 측정 조건은 실시예 1과 마찬가지로, 2T 마크 길이를 0.160㎛, 디스크 회전 속도를 선속 5.28m/s로 했다. 25GB 용량 상당의 측정 조건은 2T 마크 길이를 0.149㎛, 디스크 회전 속도를 선속 4.92m/s로 했다.
표 5에, 매체 샘플 (41)∼(43)의 각 기록층의 재료와, x와 y의 관계와, C/N비 판정 결과와, 각 정보층 단독에서의 광학 특성과, 4개의 정보층을 적층한 상태에서의 광학 특성을 표시한다. 또한, 표 5에, 비교예로서, 재료 X를 포함하지 않는 재료로 기록층을 제작한 매체 (40)의 평가 결과도 표시한다.
Figure 112004025405767-pat00005
C/N비의 판정에 대해서는, 23GB 용량 상당의 기록 밀도에 있어서 45dB 이상 얻어진 경우를 O, 40dB 이상 45dB 미만인 것을 △, 40dB 미만인 것을 ×로서 표시했다. 25GB 용량 상당에서는, 42dB 이상 얻어진 경우를 O, 37dB 이상 42dB 미만인 것을 △로 하고, 37dB 미만인 것을 ×로 표시했다.
표 5로부터 명백한 바와같이, 매체 (41), (42)는 모든 정보층에 있어서, 23GB 및 25GB 용량 상당의 기록 밀도로 양호한 C/N비가 얻어졌다. 또한, y<x인 매체 (43)에 대해서는, 매체 (41), (42)보다는 약간 떨어지지만, 양호한 C/N비가 얻어졌다. 이들 매체 (41) 및 (42)의 제1 정보층(100), 제2 정보층(200), 제3 정보층(300) 및 제4 정보층(400)에 2T ~ 9T의 랜덤신호를 25GB 용량 상당밀도로 기록하여 지터값을 측정한 바, 제1 ~ 제3 정보층은 약 10％, 제4 정보층은 약 8％의 양호한 값이 얻어졌다.
비교예인 매체 (40)에서는, 제1 정보층(100)만 조금 양호한 C/N비가 얻어졌다. 그러나, 재료 X를 포함하지 않으므로 기록막면 내의 열 확산이 크기 때문에, 제1 정보층(100)에 있어서 42dB(23GB 용량 상당)와 39dB(25GB 용량 상당)의 C/N비를 얻기 위해서는, 거의 상한의 기록 파워를 조사하지 않으면 안되었다. 또한, 제2 정보층(200)에서는 23GB 용량 상당이라도 C/N비는 40dB에 도달하지 않았다. 제3 정보층(300) 및 제4 정보층(400)에서도, 마찬가지로 C/N비는 35dB에 도달하지 않았다.
표 중, Ra, Rc는 기록층이 as.depo 상태, 결정 상태일 때의 각 정보층 단독에서의 반사율이다. △R은 Ra-Rc의 값이다. 기록층이 as.depo 상태, 결정 상태 알 때의 각 정보층 단독에서의 투과율의 평균을 T로 했다. Ra, Rc의 측정은 각 정보층을 기판상에 단독으로 성막한 것을 이용하여 평가 드라이브에 의해 행했다. 투과율의 측정은 마찬가지로 각 정보층을 기판상에 단독으로 성막한 것을 이용하여 분광기에 의해 행했다. 기록층의 결정 상태의 제작은 초기화 장치를 이용하여 적정한 조건으로 레이저 광을 조사함으로써 행했다.
또한, 표 중, eff. Ra 및 eff. △R은 4개의 정보층을 적층한 상태에서 소정의 정보층에 레이저 광을 조사했을 때의, 평가 드라이브로 측정한 as.depo 상태에서의 반사율 및 as.depo 상태·결정 상태간의 반사율차이다. 표 5에 표시하는 바와 같이, 매체 (41), (42)는 4층의 정보층을 적층한 상태에서, 4개의 정보층으로부터 거의 동등 레벨의 반사율 및 반사율차가 얻어지는 것을 알았다. 또한, 매체 (43)는 약간 eff. △R가 작은 것을 알았다. 비교예인 매체 (40)은 eff. Ra 및 eff. △R의 값이 양호함에도 불구하고, C/N비가 매체 (41)∼(43)보다 뒤떨어져 있다. 이로부터, 재료 X를 첨가하여 열 전도율을 저하시키는 것이, 양호한 C/N비의 값에 크게 기여하는 것을 알았다.
이상의 결과로부터, 저산화물 Te-O-M과 재료 X와의 혼합물을 포함하는 기록층을 이용함으로써, 25GB 용량 상당 밀도로 4개의 정보층을 적층하고, 전체로 100GB 용량의 광학 정보기록매체를 실현할 수 있는 것이 확인되었다.
이상과 같이, 본 발명의 광학 정보기록매체 및 그 제조방법에 의하면, 기록막면 내에서의 열 확산을 억제할 수 있고, 한층 더 고밀도 기록을 행한 경우라도 양호한 신호 품질을 얻는 것이 가능한 광학 기록매체를 실현할 수 있다. 이에 따라, 한층더 대용량의 기록매체를 제공할 수 있다.
또한, 발명의 상세한 설명의 항에 있어서 이룬 구체적인 실시 형태 또는 실시예는 어디까지나 본 발명의 기술 내용을 명확하게 하는 것으로, 그와 같은 구체예에만 한정하여 협의로 해석되는 것이 아니라, 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 특허 청구의 범위 내에서, 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (17)

  1. 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체에 있어서,
    상기 기록층이, Te-O-M (M은 금속 원소, 반(半)금속 원소 및 반도체 원소에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.)과 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물 (Te 산화물을 제외한다)에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물을 포함하며,
    상기 Te-O-M을 TeOz-M 으로 표시하면, 0 < z < 2 인 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Te-O-M에서의 상기 M의 원자 농도를 x원자%로 하고, 상기 Te의 원자 농도를 y원자%로 한 경우, 상기 x 및 상기 y가 0.05 y ≤ x ≤y의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 M은 Pd, Au, Pt, Ag, Cu, Sb, Bi, Ge 및 Sn에서 선택되는 적어도 1개의 원소인 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기록층이, 적어도 상기 Te-O-M을 포함하는 제1 막과, 적어도 상기 재료 X를 포함하는 제2 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보 기록매체.
  5. 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체에 있어서,
    상기 기록층이, A-O (A는 Sb, Sn, In, Zn, Mo 및 W에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.)와 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)와의 혼합물을 포함하며,
    상기 A-O를, AOz 로 표시하면,
    SbOz, InOz 의 경우, 0 < z < 1.5,
    SnOz 의 경우, 0 < z < 2,
    ZnOz 의 경우, 0 < z < 1,
    MoOz, WOz 의 경우, O < z < 3 인 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 혼합물에 포함되는 재료 X는 30 mol% 이하인 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  7. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 재료 X가 La-F, Mg-F, Ca-F, 희토류 원소의 플루오르화물, Si-O, Cr-O, Ge-O, Hf-O, Mo-O, Ti-O, W-O, Zn-O 및 Zr-O에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  8. 제1항 또는 제5항에 있어서, 다수의 정보층이 포함되어 있고, 상기 다수의 정보층의 적어도 하나가 상기 기록층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기 록매체.
  9. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 기록층의 두께가 20 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체.
  10. 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체를 제조하는 방법에 있어서,
    Te-M (M은 금속 원소, 반금속 원소 및 반도체 원소에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.) 및 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물(Te-O를 제외한다.)에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)를 포함하는 타겟 재료를 이용하고, 스퍼터링법을 이용하여 상기 기록층을 제작하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 타겟 재료는 Te-M 및 재료 X의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 타겟 재료는, 상기 Te-M을 포함하는 타겟 재료 A와 상기 재료 X를 포함하는 타겟 재료 B로 이루어지고, 상기 타겟 재료 A와 상기 타겟 재료 B로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 상기 기록층을 제작하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 타겟 재료는 상기 Te-M을 포함하는 타겟 재료 A와 상기 재료 X를 포함하는 타겟 재료 B로 이루어지고,
    상기 타겟 재료 A를 이용하여 스퍼터링법에 의해, TeOz-M으로 표시하면 0 < z < 2 인, Te-O-M막을 제작하고,
    상기 타겟 재료 B를 이용하여 스퍼터링법에 의해 재료 X를 포함하는 막을 제작하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  14. 기록층을 포함하고, 상기 기록층에 레이저광이 조사되어 정보의 기록 및 재생이 행해지는 광학 정보기록매체를 제조하는 방법에 있어서,
    원소 A (A는 Sb, Sn, In, Zn, Mo 및 W에서 선택되는 적어도 하나의 원소이다.) 및 재료 X (X는 플루오르화물, 탄화물, 질화물 및 산화물에서 선택되는 적어도 하나의 화합물이다.)를 포함하는 타겟 재료를 이용하여, 스퍼터링법을 이용하여 상기 기록층을 제작하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 타겟 재료는 원소 A 및 재료 X의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 타겟 재료는 상기 A를 포함하는 타겟 재료 C와 상기 재료 X를 포함하는 타겟 재료 B로 이루어지고, 상기 타겟 재료 C와 상기 타겟 재료 B로부터 동시에 스퍼터링을 행함으로써 상기 기록층을 제작하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
  17. 제10항 또는 제14항에 있어서, 상기 기록층을 제작하는 공정에서, 성막 가스가 희 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 포함하고, 반응성 스퍼터링에 의해 상기 기록층을 제작하는 것을 특징으로 하는 광학 정보기록매체의 제조방법.
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