JPH11162010A - 相変化記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロスイレーズを低減できる相変化記録媒体
及びその記録再生方法を提供する。 【解決手段】 相変化記録媒体の基本的な構成は、基板
４と、誘電体膜（干渉膜２及び保護膜３）と、誘電体膜
に挟まれた記録膜１とから成り立っている。記録膜１
は、アモルファス状態と結晶状態とからなる。アモルフ
ァス状態と結晶状態とは、第一の波長の光に対して、ア
モルファス状態と結晶状態とを識別可能な反射率差を有
する。そして、第二の波長の光に対して、結晶状態の周
囲のアモルファス状態を結晶化させることなく、当該結
晶状態をアモルファス化可能な吸収率差を有する。
及びその記録再生方法を提供する。 【解決手段】 相変化記録媒体の基本的な構成は、基板
４と、誘電体膜（干渉膜２及び保護膜３）と、誘電体膜
に挟まれた記録膜１とから成り立っている。記録膜１
は、アモルファス状態と結晶状態とからなる。アモルフ
ァス状態と結晶状態とは、第一の波長の光に対して、ア
モルファス状態と結晶状態とを識別可能な反射率差を有
する。そして、第二の波長の光に対して、結晶状態の周
囲のアモルファス状態を結晶化させることなく、当該結
晶状態をアモルファス化可能な吸収率差を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化記録媒体及
びその記録再生方法に関し、特に、高密度記録を目的と
した相変化記録媒体及びその記録再生方法に関する。
びその記録再生方法に関し、特に、高密度記録を目的と
した相変化記録媒体及びその記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化記録媒体は、結晶状態とアモルフ
ァス（非晶質）状態とが可逆的に存在する材料を記録膜
として使用し、結晶状態とアモルファス状態との反射率
差を信号として検出する光記録媒体である。一般的に相
変化記録材料としては、カルコゲナイド系材料であるＧ
ｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ
系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅ
Ｓｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系などが使用される。一般的な相変化記録媒体
は、ディスク形状をしており、基板に凹凸で形成された
案内溝が存在する。基板に形成された突起部はランド、
溝部はグルーブと呼ばれている。
ァス（非晶質）状態とが可逆的に存在する材料を記録膜
として使用し、結晶状態とアモルファス状態との反射率
差を信号として検出する光記録媒体である。一般的に相
変化記録材料としては、カルコゲナイド系材料であるＧ
ｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ
系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅ
Ｓｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系などが使用される。一般的な相変化記録媒体
は、ディスク形状をしており、基板に凹凸で形成された
案内溝が存在する。基板に形成された突起部はランド、
溝部はグルーブと呼ばれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、相変化記録媒体
の高密度化とともにランド及びグルーブの両方に記録を
行うランド・グルーブ記録が行われるようになり、隣接
する記録マーク間の距離が小さくなってきている。それ
とともに、隣接してマークが記録される際に、既に記録
されているマークが消去されてしまうクロスイレーズと
いう問題が生じてきている。
の高密度化とともにランド及びグルーブの両方に記録を
行うランド・グルーブ記録が行われるようになり、隣接
する記録マーク間の距離が小さくなってきている。それ
とともに、隣接してマークが記録される際に、既に記録
されているマークが消去されてしまうクロスイレーズと
いう問題が生じてきている。
【０００４】このクロスイレーズの問題を解決する方法
としては、特開平８−１２４２１１号公報に開示されて
いるものがある。しかしながら、この発明は、ランドと
グルーブとで媒体膜厚を変える必要があるため、実際に
作成する際、非常に手間がかかり、現実的ではない。つ
まり、相変化記録媒体の高密度化とともに、クロスイレ
ーズを低減させる方法の提案が望まれている。
としては、特開平８−１２４２１１号公報に開示されて
いるものがある。しかしながら、この発明は、ランドと
グルーブとで媒体膜厚を変える必要があるため、実際に
作成する際、非常に手間がかかり、現実的ではない。つ
まり、相変化記録媒体の高密度化とともに、クロスイレ
ーズを低減させる方法の提案が望まれている。
【０００５】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、クロスイレー
ズを低減できる相変化記録媒体及びその記録再生方法を
提供することにある。
ズを低減できる相変化記録媒体及びその記録再生方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る相変化記録
媒体は、アモルファス状態と結晶状態とからなるもので
ある。そして、前記アモルファス状態と前記結晶状態と
は、第一の波長の光に対して、前記アモルファス状態と
前記結晶状態とを識別可能な反射率差を有するととも
に、第二の波長の光に対して、前記結晶状態の周囲の前
記アモルファス状態を結晶化させることなく当該結晶状
態をアモルファス化可能な吸収率差を有する。例えば、
前記反射率差は２０％以上であり、前記吸収率差は５％
以下である。より具体的には、前記第一の波長が６４０
ｎｍ、前記第二の波長が７８０ｎｍであり、前記アモル
ファス状態と前記結晶状態とがＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から
なる記録膜に形成されるものである。
媒体は、アモルファス状態と結晶状態とからなるもので
ある。そして、前記アモルファス状態と前記結晶状態と
は、第一の波長の光に対して、前記アモルファス状態と
前記結晶状態とを識別可能な反射率差を有するととも
に、第二の波長の光に対して、前記結晶状態の周囲の前
記アモルファス状態を結晶化させることなく当該結晶状
態をアモルファス化可能な吸収率差を有する。例えば、
前記反射率差は２０％以上であり、前記吸収率差は５％
以下である。より具体的には、前記第一の波長が６４０
ｎｍ、前記第二の波長が７８０ｎｍであり、前記アモル
ファス状態と前記結晶状態とがＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から
なる記録膜に形成されるものである。
【０００７】本発明に係る記録再生方法は、本発明に係
る相変化記録媒体に対して、前記第二の波長のレーザ光
を用いて情報を記録し、その記録された情報を前記第一
の波長のレーザ光を用いて再生するものである。
る相変化記録媒体に対して、前記第二の波長のレーザ光
を用いて情報を記録し、その記録された情報を前記第一
の波長のレーザ光を用いて再生するものである。
【０００８】隣接する記録マークを消去してしまうクロ
スイレーズという現象は、記録マークであるアモルファ
ス部と非記録マークである結晶部との光吸収率の差に起
因する。一般的に、アモルファス部は光吸収率が高く、
結晶部はそれに比べて低い。一方、記録パワーは、吸収
率の低い結晶部を溶融することができるように設定され
るため、吸収率の高いアモルファス部にとっては必要以
上に大きいものとなる。したがって、両者の光吸収率差
が大きいと、記録マークを記録する際、隣接する既記録
マークと重なる光ビームスポットによって、吸収率の高
いアモルファスの部分ではより多くの光が吸収されるの
で、温度がかなり上昇してしまう。これによって、既記
録マークが消去されるのである。
スイレーズという現象は、記録マークであるアモルファ
ス部と非記録マークである結晶部との光吸収率の差に起
因する。一般的に、アモルファス部は光吸収率が高く、
結晶部はそれに比べて低い。一方、記録パワーは、吸収
率の低い結晶部を溶融することができるように設定され
るため、吸収率の高いアモルファス部にとっては必要以
上に大きいものとなる。したがって、両者の光吸収率差
が大きいと、記録マークを記録する際、隣接する既記録
マークと重なる光ビームスポットによって、吸収率の高
いアモルファスの部分ではより多くの光が吸収されるの
で、温度がかなり上昇してしまう。これによって、既記
録マークが消去されるのである。
【０００９】このことから考えると、クロスイレーズを
減少させるには、結晶部とアモルファス部との光吸収率
差を小さくしてやれば良いことになる。しかしながら、
そのようにすることは、結晶部とアモルファス部との光
反射率差を少なくすることとなり、そもそも充分な出力
が得られない相変化記録媒体となってしまう。
減少させるには、結晶部とアモルファス部との光吸収率
差を小さくしてやれば良いことになる。しかしながら、
そのようにすることは、結晶部とアモルファス部との光
反射率差を少なくすることとなり、そもそも充分な出力
が得られない相変化記録媒体となってしまう。
【００１０】そこで、本発明は、記録と再生とを別々に
行うことで、この相反する上記の問題を解決した。
行うことで、この相反する上記の問題を解決した。
【００１１】すなわち、本発明の相変化記録媒体は、あ
る波長λ１において結晶状態とアモルファス状態との光
反射率差が例えば２０％以上存在し、かつある波長λ２
において結晶状態とアモルファス状態との光吸収率差が
例えば５％以下になっている。つまり、波長λ２で記録
を行えば、結晶とアモルファスとの光吸収率の差が少な
いので、クロスイレーズが起こりにくくなる。そして、
波長λ２で記録を行った後、波長λ１で再生を行えば、
波長λ１では再生信号出力に比例する結晶とアモルファ
スとの光反射率差が大きいので、良好な再生信号を得る
ことができる。
る波長λ１において結晶状態とアモルファス状態との光
反射率差が例えば２０％以上存在し、かつある波長λ２
において結晶状態とアモルファス状態との光吸収率差が
例えば５％以下になっている。つまり、波長λ２で記録
を行えば、結晶とアモルファスとの光吸収率の差が少な
いので、クロスイレーズが起こりにくくなる。そして、
波長λ２で記録を行った後、波長λ１で再生を行えば、
波長λ１では再生信号出力に比例する結晶とアモルファ
スとの光反射率差が大きいので、良好な再生信号を得る
ことができる。
【００１２】なお、二つの波長を使用して、相変化記録
媒体の記録再生を行おうとする発明は、特開平５−６２
２４８号公報及び特開平６−３３８０７７号公報に見ら
れる。しかし、これらの公報の発明は、クロスイレーズ
を減少させることが目的ではなく、高出力の得られない
短波長レーザを再生だけにでも使用することにより分解
能を少しでも上げようという発想のもとでなされている
ので、記録時にクロスイレーズを減少させることができ
ない。つまり、本願発明とは、まったく異なる発明と言
うことができる。
媒体の記録再生を行おうとする発明は、特開平５−６２
２４８号公報及び特開平６−３３８０７７号公報に見ら
れる。しかし、これらの公報の発明は、クロスイレーズ
を減少させることが目的ではなく、高出力の得られない
短波長レーザを再生だけにでも使用することにより分解
能を少しでも上げようという発想のもとでなされている
ので、記録時にクロスイレーズを減少させることができ
ない。つまり、本願発明とは、まったく異なる発明と言
うことができる。
【００１３】
【発明の実施形態】図１は、本発明に係る相変化記録媒
体の一実施形態を示す概略断面図である。
体の一実施形態を示す概略断面図である。
【００１４】本実施形態の相変化記録媒体の基本的な構
成は、基板４と、誘電体膜（干渉膜２及び保護膜３）
と、これらの誘電体膜に挟まれた記録膜１とから成り立
っている。図１では、基板４の上に、二つの誘電体膜
（干渉膜２及び保護膜３）と記録膜１しか示されていな
いが、記録膜１の上の誘電体膜（基板４から最も遠い誘
電体膜）のうえに反射膜等を形成してもよい。
成は、基板４と、誘電体膜（干渉膜２及び保護膜３）
と、これらの誘電体膜に挟まれた記録膜１とから成り立
っている。図１では、基板４の上に、二つの誘電体膜
（干渉膜２及び保護膜３）と記録膜１しか示されていな
いが、記録膜１の上の誘電体膜（基板４から最も遠い誘
電体膜）のうえに反射膜等を形成してもよい。
【００１５】記録膜としては、カルコゲナイド系材料で
あるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、Ｉ
ｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、Ｔ
ｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ系の相変化材料が使用される。また、反射
膜としては、Ａｌ、ＡｌＴｉ等が望ましい。基板の材質
としては、ポリカーボネイト、アクリル等の合成樹脂、
ガラスなどが使用でき、これらには樹脂等が被覆されて
いるものを用いてもよい。基板の形状としては、ディス
ク状やカード状を用いる。
あるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、Ｉ
ｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、Ｔ
ｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ系の相変化材料が使用される。また、反射
膜としては、Ａｌ、ＡｌＴｉ等が望ましい。基板の材質
としては、ポリカーボネイト、アクリル等の合成樹脂、
ガラスなどが使用でき、これらには樹脂等が被覆されて
いるものを用いてもよい。基板の形状としては、ディス
ク状やカード状を用いる。
【００１６】
【実施例】基板４として、直径１２０ｍｍ、トラックピ
ッチ０．５６μｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト
基板を用いた。その基板４上に、干渉膜２としてＺｎＳ
−ＳｉＯ2 膜を１７０ｎｍ、記録膜１としてＧｅ2 Ｓｂ
2 Ｔｅ5 膜を１２ｎｍ、保護膜３としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 膜を３０ｎｍを順次成膜した。また、保護膜３の上
に、図示しないが、ＡｌＴｉ膜を８０ｎｍ成膜してい
る。
ッチ０．５６μｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト
基板を用いた。その基板４上に、干渉膜２としてＺｎＳ
−ＳｉＯ2 膜を１７０ｎｍ、記録膜１としてＧｅ2 Ｓｂ
2 Ｔｅ5 膜を１２ｎｍ、保護膜３としてＺｎＳ−ＳｉＯ
2 膜を３０ｎｍを順次成膜した。また、保護膜３の上
に、図示しないが、ＡｌＴｉ膜を８０ｎｍ成膜してい
る。
【００１７】そして、光波長λ１として６４０ｎｍ、光
波長λ２として７８０ｎｍを使用した。図２に、作成し
た相変化記録媒体における、各波長に対する結晶及びア
モルファスの光反射率及び光吸収率を示す。波長６４０
ｎｍでは光反射率差が２０％以上となっており、また、
波長７８０ｎｍでは光吸収率差が５％以下となってい
る。
波長λ２として７８０ｎｍを使用した。図２に、作成し
た相変化記録媒体における、各波長に対する結晶及びア
モルファスの光反射率及び光吸収率を示す。波長６４０
ｎｍでは光反射率差が２０％以上となっており、また、
波長７８０ｎｍでは光吸収率差が５％以下となってい
る。
【００１８】この相変化記録媒体を波長７８０ｎｍで記
録し、波長６４０ｎｍで再生した。このとき、線速５．
８ｍ／ｓで記録周波数２ＭＨｚの信号を、デューティー
比５０％になる記録／消去パワー（最適記録パワー）
で、グルーブ部に記録した。それを再生したところ、５
８ｄＢの良好なＣ／Ｎ比が得られた。ちなみに、この記
録信号を光波長７８０ｎｍて再生しても、光反射率差が
ないので、信号出力は得られなかった。また、ランドで
も同様の結果が得られた。
録し、波長６４０ｎｍで再生した。このとき、線速５．
８ｍ／ｓで記録周波数２ＭＨｚの信号を、デューティー
比５０％になる記録／消去パワー（最適記録パワー）
で、グルーブ部に記録した。それを再生したところ、５
８ｄＢの良好なＣ／Ｎ比が得られた。ちなみに、この記
録信号を光波長７８０ｎｍて再生しても、光反射率差が
ないので、信号出力は得られなかった。また、ランドで
も同様の結果が得られた。
【００１９】次に、隣接ランドトラックに３ＭＨｚの信
号を、ランドの最適記録パワーで記録したときの、グル
ーブ部に記録した２ＭＨｚの信号のキャリアレベル減少
について、隣接ランド部の記録回数を横軸として測定し
た。つまり、クロスイレーズを測定した。その結果を図
３に示す。いうまでもなく、記録は７８０ｎｍで、再生
は６４０ｎｍで行っている。隣接ランド部の記録回数が
５０回に及んでも、キャリアの減少は１ｄＢ以内に収ま
っている。同様な実験をランド部について行っても、図
３に示すように同様の結果が得られた。つまり、本発明
の相変化記録媒体を用い、本発明の記録再生方法を用い
れば、クロスイレーズを１ｄＢ以内に抑えることができ
る。
号を、ランドの最適記録パワーで記録したときの、グル
ーブ部に記録した２ＭＨｚの信号のキャリアレベル減少
について、隣接ランド部の記録回数を横軸として測定し
た。つまり、クロスイレーズを測定した。その結果を図
３に示す。いうまでもなく、記録は７８０ｎｍで、再生
は６４０ｎｍで行っている。隣接ランド部の記録回数が
５０回に及んでも、キャリアの減少は１ｄＢ以内に収ま
っている。同様な実験をランド部について行っても、図
３に示すように同様の結果が得られた。つまり、本発明
の相変化記録媒体を用い、本発明の記録再生方法を用い
れば、クロスイレーズを１ｄＢ以内に抑えることができ
る。
【００２０】
【比較例】図１と同様な構成で、従来の相変化記録媒体
を作成し、従来の記録再生と本発明の記録再生とを行っ
た。従来の記録再生方法とは、６４０ｎｍで記録と再生
とを両方行うということである。使用した従来の相変化
記録媒体は、干渉膜２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１８
０ｎｍ、記録膜１としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜を２５ｎ
ｍ、保護膜３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を３０ｎｍを順
次成膜したものである。また、保護膜３の上にＡｌＴｉ
膜を８０ｎｍさらに成膜している。
を作成し、従来の記録再生と本発明の記録再生とを行っ
た。従来の記録再生方法とは、６４０ｎｍで記録と再生
とを両方行うということである。使用した従来の相変化
記録媒体は、干渉膜２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１８
０ｎｍ、記録膜１としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜を２５ｎ
ｍ、保護膜３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を３０ｎｍを順
次成膜したものである。また、保護膜３の上にＡｌＴｉ
膜を８０ｎｍさらに成膜している。
【００２１】従来の相変化記録媒体の特性を図４に示
す。光波長６４０ｎｍでは本発明の相変化記録媒体と同
じ特性をもっているが、光波長７８０ｎｍでは、本発明
の相変化記録媒体と異なり、結晶とアモルファスとの光
吸収率差が大きい。
す。光波長６４０ｎｍでは本発明の相変化記録媒体と同
じ特性をもっているが、光波長７８０ｎｍでは、本発明
の相変化記録媒体と異なり、結晶とアモルファスとの光
吸収率差が大きい。
【００２２】この従来の相変化記録媒体に対して実施例
１で記述したものと同じ実験を行った。つまり、本発明
の記録再生方法でクロスイレーズを測定した。その結果
を図３に示す。ランド、グルーブともに、２ｄＢ近くの
クロスイレーズが存在することがわかる。つまり、従来
の相変化記録媒体は本発明の相変化記録媒体よりもクロ
スイレーズが大きい。また、従来の相変化記録媒体を従
来の方法で記録再生した。この場合も隣接トラックを５
０回記録した場合、キャリアが２ｄＢ程度減少した。つ
まり、従来の相変化記録媒体と従来の記録再生方法で
は、クロスイレーズを抑え込むことか難しい。これは、
相変化記録媒体の高密度化を著しく妨げるものである。
１で記述したものと同じ実験を行った。つまり、本発明
の記録再生方法でクロスイレーズを測定した。その結果
を図３に示す。ランド、グルーブともに、２ｄＢ近くの
クロスイレーズが存在することがわかる。つまり、従来
の相変化記録媒体は本発明の相変化記録媒体よりもクロ
スイレーズが大きい。また、従来の相変化記録媒体を従
来の方法で記録再生した。この場合も隣接トラックを５
０回記録した場合、キャリアが２ｄＢ程度減少した。つ
まり、従来の相変化記録媒体と従来の記録再生方法で
は、クロスイレーズを抑え込むことか難しい。これは、
相変化記録媒体の高密度化を著しく妨げるものである。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、アモルファス状態と結
晶状態とを第一の波長の光で識別でき、周囲のアモルフ
ァス状態を結晶化させることなく結晶状態を第二の波長
の光でアモルファス化できることにより、クロスイレー
ズの少ない相変化記録媒体及びその記録再生方法が実現
されるので、相変化記録媒体の高密度化を著しく進める
ことができる。
晶状態とを第一の波長の光で識別でき、周囲のアモルフ
ァス状態を結晶化させることなく結晶状態を第二の波長
の光でアモルファス化できることにより、クロスイレー
ズの少ない相変化記録媒体及びその記録再生方法が実現
されるので、相変化記録媒体の高密度化を著しく進める
ことができる。
【図１】本発明の相変化記録媒体の一実施形態を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明の相変化記録媒体の特性を示す図表であ
る。
る。
【図３】本発明の相変化記録媒体と従来の相変化記録媒
体とのクロスイレーズ測定結果を示すグラフである。
体とのクロスイレーズ測定結果を示すグラフである。
【図４】従来の相変化記録媒体の特性を示す図表であ
る。
る。
１ 記録膜 ２ 干渉膜 ３ 保護膜 ４ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 アモルファス状態と結晶状態とからなる
相変化記録媒体において、 前記アモルファス状態と前記結晶状態とは、 第一の波長の光に対して、前記アモルファス状態と前記
結晶状態とを識別可能な反射率差を有するとともに、 第二の波長の光に対して、前記結晶状態の周囲の前記ア
モルファス状態を結晶化させることなく当該結晶状態を
アモルファス化可能な吸収率差を有する、 ことを特徴とする相変化記録媒体。 - 【請求項２】 前記反射率差が２０％以上であり、前記
吸収率差が５％以下である、請求項１記載の相変化記録
媒体。 - 【請求項３】 前記第一の波長が６４０ｎｍ、前記第二
の波長が７８０ｎｍであり、前記アモルファス状態と前
記結晶状態とがＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる記録膜に形
成される、請求項１又は２記載の相変化記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３記載の相変化記録媒
体に対して、前記第二の波長のレーザ光を用いて情報を
記録し、その記録された情報を前記第一の波長のレーザ
光を用いて再生する、相変化記録媒体の記録再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328807A JPH11162010A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 相変化記録媒体及びその記録再生方法 |
| US09/201,244 US6129968A (en) | 1997-11-28 | 1998-11-30 | Phase change recording medium and method for recording therein and reproduction therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9328807A JPH11162010A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 相変化記録媒体及びその記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162010A true JPH11162010A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18214327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9328807A Pending JPH11162010A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 相変化記録媒体及びその記録再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6129968A (ja) |
| JP (1) | JPH11162010A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3139479B2 (ja) * | 1998-06-08 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | 情報記録媒体、情報記録媒体の製造方法、情報の記録・再生方法、及び、情報の消去方法 |
| US6537721B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| US7572517B2 (en) * | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| AU2003248890A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-01-23 | Academy Corporation | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| JP2006519458A (ja) * | 2003-03-04 | 2006-08-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光ディスク上のマークサイズの２次元制御方法、該方法のための書込みストラテジ、記録媒体及び記録装置 |
| TW200506926A (en) * | 2003-06-13 | 2005-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7728860B2 (en) * | 2005-08-12 | 2010-06-01 | Ricoh Company, Ltd. | Method for image processing and image processing apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3138661B2 (ja) * | 1996-10-24 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | 相変化型光ディスク |
| TW376517B (en) * | 1997-08-15 | 1999-12-11 | Ricoh Kk | Optical recording medium and recording and reproducing method using the same |
| JPH1196579A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Tdk Corp | 光記録媒体の記録再生方法および光記録媒体 |
| CN1143288C (zh) * | 1997-12-11 | 2004-03-24 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 可改写的光学信息介质 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP9328807A patent/JPH11162010A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-30 US US09/201,244 patent/US6129968A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6129968A (en) | 2000-10-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990922 |