JPH07134838A - 光学的情報記録媒体および記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光，熱等を用いて高速かつ高密度に情報を記
録再生する光ディスクに関するもので、特にグルーブと
ランドの双方に信号を記録した場合の両者における記録
特性差を低減し、装置構成を複雑にすることなく記録密
度を向上(従来の約２倍)する。 【構成】 基板１上に、第１の誘電体層２，記録層３，
第２の誘電体層４，反射層５の順に積層した所定周波数
の再生レーザー光線を用いる再生装置に使用する光学的
情報記録媒体であって、前記基板１は信号記録用のグル
ーブ７およびランド８を備えてなり、かつグルーブの幅
とランドの幅が略同一で、さらに前記グルーブの深さＤ
が、 λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ) (ただし、λは再生光の波長、ｎは基板の屈折率)を満た
し、かつ前記記録層はレーザー光等の照射によって光学
的に識別が可能な状態間で可逆的に変化する場合に、反
射層と第２の誘電体層の膜厚を限定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光，熱等を用いて高速
かつ高密度に情報を記録再生する光学的情報記録媒体
(特に光ディスク)および記録方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光をレンズ系によって収束させ
ると、直径がその光の波長のオーダーの小さな光スポッ
トを作ることができる。そのために小さい出力の光源か
らでも単位面積あたりのエネルギー密度の高い光スポッ
トを作ることが可能である。したがって、物質の微少な
領域を変化させることが可能であり、またその微少領域
の変化を読み出すことも可能である。これを情報の記録
・再生に利用したものが光学的情報記録媒体である(以
下、「光記録媒体」あるいは単に「媒体」と記述す
る)。

【０００３】光記録媒体の一つに、レーザー光照射によ
って記録膜材料の状態を変化させ光学定数を変化させ
て、それに伴う反射率の変化を検出して信号を記録再生
する、いわゆる相変化記録媒体がある。相変化記録媒体
は、記録膜を変形させることなく信号が記録でき、また
記録膜材料の状態を可逆的に変化させることにより信号
の書き換えも可能であるため、近年、勢力的に研究が進
められている。相変化記録材料としては、カルコゲン合
金がよく知られており、例えばＧeＳbＴe系，ＩnＳbＴe
系，ＧeＳnＴe系，ＩnＳe系，ＳbＴe系等がある。これ
らの材料は比較的強いパワーのレーザー照射によって溶
融後冷却することでアモルファス状態になり、比較的弱
いパワーのレーザー照射によって、アモルファス領域は
結晶化温度以上に達して結晶状態となる。アモルファス
状態と結晶状態では光学定数が異なるため、レーザー照
射による反射光量変化として記録信号を再生できる。

【０００４】一方、高密度記録を目指した開発も進めら
れており、例えば光ディスクの信号記録用の案内溝上の
みならず、案内溝(以下、グルーブという)と案内溝の間
(以下、ランドという)にも信号を記録して記録密度を高
める方法が提案されている(特公昭63−57859号公報)。
さらに、この場合、溝深さ，溝幅等の溝形状を限定すれ
ば隣接トラック(信号はグルーブ，ランドの双方に記録
するため、両者ともに記録トラックである。以下、単に
トラックとも記す)からのクロストークを非常に小さく
できる(特願平４−79483号)。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】基板上に、第１の誘電
体層，記録層，第２の誘電体層，反射層の順に積層した
光ディスクにおいては、グルーブに記録する場合とラン
ドに記録する場合において、記録特性が異なる場合があ
ることがわかった。これは信号記録時における記録層か
らの放熱条件がグルーブとランドでは異なるためと考え
られる。すなわち、一方はレーザー光の入射側に凸、他
方はレーザー光の入射側に凹となっているため、記録層
から反射層への放熱が、特にそのエッジ部分において異
なることに因るものと考えられる。

【０００６】本発明は上記の記録特性を改善するもの
で、グルーブとランドの双方に信号を記録した場合の両
者の記録特性差を低減し、装置構成を複雑にすることな
く記録密度を向上させる光学的情報記録媒体および記録
方法を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基板上に、第１の誘電体層，記録層，第２
の誘電体層，反射層の順に積層した所定周波数の再生レ
ーザー光線を用いる再生装置に使用する光学的情報記録
媒体であって、前記基板は信号記録用のグルーブおよび
ランドを備えてなり、かつグルーブの幅とランドの幅が
略同一で、さらに前記グルーブの深さＤが(数１)を満た
し、かつ前記記録層はレーザー光等の照射によって光学
的に識別が可能な状態間で可逆的に変化する場合に、反
射層と第２の誘電体層の膜厚を限定するものである。

【０００８】

【数１】λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ) λ：再生光の波長、 ｎ：基板の屈折率

【０００９】

【作用】上記のように、特に反射層と第２の誘電体層の
膜厚を限定することにより、ランドおよびグルーブから
の放熱条件を制御でき、ランドとグルーブの記録特性を
ほぼ等しくできる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の光学的情報記録媒体および記
録再生方法について、図面を参照しつつ詳細に説明す
る。光ディスクの高密度化のために様々な提案がなされ
ているが、その一つに上述のグルーブとランドの両方に
信号を記録する方法がある。さらに、この場合、溝深
さ，溝幅等の溝形状を限定すれば隣接トラックからのク
ロストークを非常に小さくできる。特願平４−78483号
において、クロストーク量を−20dB以下にするために
は、溝深さＤを、λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ)(ただ
し、λは再生光の波長、ｎは基板の屈折率)を満たすよ
うに設定すればよく、さらに、略λ／(５ｎ)または略３
λ／(10ｎ)にすればクロストークは極小になることが示
されている。

【００１１】さらに、ランドとグルーブの幅をほぼ同じ
に保ちながら溝深さを種々変えて基板上にアモルファス
相と結晶相の間で可逆的に状態変化を起こす相変化媒体
を作製して、記録再生特性について検討を重ねた結果、
ランドとグルーブにおいて記録特性が異なる場合がある
ことがわかった。つまり、媒体の構造によってはランド
とグルーブで最適な記録パワーの範囲が異なり、したが
ってランドとグルーブで記録パワーを変える必要がある
場合があることが明らかになった。ランドとグルーブで
記録パワーを変化させることは記録再生装置を複雑にす
るものであり好ましくない。そこでランドとグルーブで
記録特性の差が生じる要因について種々検討した結果、
これは媒体構造に大きく依存し、媒体構造を限定するこ
とで差を小さくできることがわかった。

【００１２】図１に本発明の一実施例における光ディス
クの断面図を示す。図１において、１は基板であり、そ
の表面には信号記録用トラックとしてグルーブ７および
ランド８が設けてある。なお、本明細書におけるランド
とグルーブの区別は、レーザー光投入側に対して凸にな
っている方をグルーブ、反対側に凸になっている方をラ
ンドと定義する。本発明はランドとグルーブの両方に信
号を記録する光ディスクに関するものであり、したがっ
てランドとグルーブからの再生信号振幅が同じになるよ
うにランドの幅Ｗlとグルーブの幅Ｗgは略同一にするの
が望ましい。基板の材質としては一般的に、透明なガラ
ス，石英，ポリカーボネート，ポリメチルメタクリレー
ト等が用いられる。基板上には第１の誘電体層２，記録
層３，第２の誘電体層４，反射層５の順に積層されてい
る。さらに必要に応じて薄膜層を保護するために保護カ
バー９を設けてもよい。

【００１３】記録層３はレーザー光等の照射によって光
学的に識別が可能な状態間で可逆的に変化する材料から
なり、例えば相変化物質として一般的に知られているも
のが使用できる。相変化物質はアモルファスと結晶間、
あるいは結晶とさらに異なる結晶間で状態変化を起こす
Ｔe，Ｓe，Ｓb，Ｉn，Ｇe等の合金であり、これらの合
金はアモルファス状態と結晶状態では光学定数が変化し
反射率が異なるために、レーザー光等の照射により、そ
の状態が光学的に識別できる。具体的にはＧeＳbＴe，
ＩnＳbＴe，ＩnＳbＴeＡg，ＧaＳb，ＩnＧaＳb，ＧeＳn
Ｔe，ＡgＳbＴe等の合金である。また、第１の誘電体層
２および第２の誘電体層４は透明で、かつ熱的に安定な
物質がよく、例えば、半金属の酸化物，窒化物，カルコ
ゲン化物，フッ化物，炭化物等およびこれらの混合物で
あり、具体的にはＳiＯ₂，ＳiＯ，Ａl₂Ｏ₃，ＧeＯ₂，Ｉ
n₂Ｏ₃，Ｔa₂Ｏ₅，ＴeＯ₂，ＴiＯ₂，ＭoＯ₃，ＷＯ₃，Ｚr
Ｏ₂，Ｓi₃Ｎ₄，ＡlＮ，ＢＮ，ＴiＮ，ＺnＳ，ＣdＳ，Ｃ
dＳe，ＺnＳe，ＺnＴe，ＡgＦ，ＰbＦ₂，ＭnＦ₂，ＮiＦ
₂，ＳiＣの単体あるいはこれらの混合物等である。さら
に、反射層５は金属膜で構成され、材料としては例えば
Ａu，Ａl，Ｔi，Ｎi，Ｃu，Ｃr等の単体、あるいはこれ
らの合金を用いることができる。

【００１４】本発明の特徴は、グルーブの深さＤ(ラン
ドの深さに等しい)をλ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ)(た
だし、λは再生光の波長、ｎは基板の屈折率)に限定
し、かつ第２の誘電体層と反射層の膜厚を限定したこと
にある。グルーブの深さＤを限定することでランドとグ
ルーブの両者に信号を記録したときのクロストークを低
減でき、かつ第２の誘電体層と反射層の膜厚を限定する
ことでランドとグルーブの両者に記録した場合に生じた
新たな課題であるランドとグルーブの記録特性の差を解
消することができる。

【００１５】ここで、図２を用いてランドとグルーブで
記録特性の差が生じる原因について説明する。相変化光
ディスクの場合、信号を記録する場合はレーザー光を信
号に応じて強度変調して照射し、レーザーのエネルギー
の大半を記録層12で吸収させ、記録層を昇温し溶融し
て、その後、急冷することでアモルファス状態で記録す
る。すなわち、記録層の昇温，冷却過程によって記録特
性は変化する。

【００１６】図２においてグルーブ16に信号を記録する
場合を考える。レーザー光18で照射されたグルーブ16上
の記録層12は時間とともに昇温し、やがて融点を越え溶
融する。その後、レーザー光18の照射が終わると溶融さ
れた部分は冷却され、アモルファスとなる。このとき記
録層からの放熱は金属からなる反射層14の熱伝達率が記
録層に比べて非常に大きいために、記録層12の膜面に拡
散するよりも第２の誘電体13を介して反射層14へ熱流20
として拡散するものと考えられる。次に、ランド17に信
号を記録する場合は、記録再生装置のトラッキングの極
性を反転してレーザー光19のようにランド17上を照射す
る。ランドにおける信号の記録過程はグルーブと同じで
あるが、記録層12と反射層14の幾何学的関係がグルーブ
とは異なるために、その昇温・冷却条件も異なる。ラン
ド17はレーザー光18投入側に対して反対側に凸になって
いるため、ランド17の両端からの反射層14への熱拡散は
図２において上方向だでけでなく、熱流21のように斜め
上方へも行われる。すなわち、ランドではグルーブより
も熱拡散が起きやすいために、記録層が昇温しにくく、
また溶融後の冷却速度は大きいものと考えられる。この
記録層の昇温，冷却過程の差が光ディスクの記録特性の
差の原因と考えられる。

【００１７】図３にランドとグルーブの記録特性に差が
ある場合の一例を示す。相変化光ディスクでは古い信号
を消去しながら新しい信号を記録する、いわゆるオーバ
ーライトが可能であり、その場合はレーザー光を記録信
号に応じて、記録ピークパワーとバイアスパワーの間で
変調しながら照射することで行う(例えば、JJAP，Vol.2
6(1987)Ｓupplement 26−4，P61参照)。図３はランドと
グルーブにおけるオーバーライトのときの記録ピークパ
ワーと信号対雑音比(以下、ＣＮＲと記す)の関係を示
す。記録ピークパワーを高めていくことによってＣＮＲ
は上昇し、やがて飽和する傾向はランド，グルーブとも
に同じであるが、記録開始のパワーおよび飽和ＣＮＲの
−３dBに達する記録パワーＰ_G，Ｐ_Lが異なっている。な
お、Ｐ_G，Ｐ_Lより記録パワーが小さくなるとＣＮＲが急
激に小さくなってしまう。つまり、実用的な記録ピーク
パワーはグルーブではＰ_G以上、ランドではＰ_L以上が好
ましい。図３からわかるように、この光ディスクではＰ
_GとＰ_Lの値が異なるために、場合によってはランドとグ
ルーブで記録パワーを変えなければならいことになり、
これは記録再生装置を複雑にする原因となる。本発明は
このＰ_GとＰ_Lを同じ大きさにすることを目的としてなさ
れたものである。

【００１８】ここでグルーブよりランドの方が大きな記
録パワーが必要な理由は、前述したようにグルーブより
ランドの方が放熱効果が大きく、記録層が昇温しにくい
ためと考えられる。光ディスクにおける放熱条件は反射
層の材質とその膜厚および第２の誘電体層の膜厚によっ
て大きく左右されると考えられるため、記録特性とそれ
らの関係について詳しく調べた。その結果、反射層が熱
伝導率が大きいＡu、もしくはＡuを主成分とする合金の
場合には、反射層の膜厚ａ(nm)と第２の誘電体層の膜厚
ｂ(nm)が(数２)を満たすとき、ランドとグルーブの記録
感度差は10％以下となることがわかった。

【００１９】

【数２】５≦ａ＜100のとき ｂ≧0.15ａ＋35 ａ≧100 のとき ｂ≧50 同様に反射層がＡｕより小さいＡl、もしくはＡlを主成
分とする合金の場合には、反射層の膜厚ａ(nm)と第２の
誘電体層の膜厚ｂ(nm)が(数３)を満たすとき、ランドと
グルーブの記録感度差は10％以下となることがわかっ
た。

【００２０】

【数３】５≦ａ＜150のとき ｂ≧0.133ａ＋30 ａ＞150 のとき ｂ≧50 また、前記反射層がＮiとＣrを主成分とする合金の場合
には、反射層の膜厚ａ(nm)と第２の誘電体層の膜厚ｂ(n
m)が(数４)を満たすとき、ランドとグルーブの記録感度
差は10％以下となることがわかった。

【００２１】

【数４】５≦ａ＜200のとき ｂ≧0.125ａ＋２５ ａ≧２００ のとき ｂ≧50 さらには、Ａu，Ａl，ＮiＣr、あるいはその他の反射層
材質に関わらず第２の誘電体層の膜厚がグルーブの深さ
より大きくなった場合において、ランドとグルーブの記
録感度差は５％以下と非常に良好になることがわかっ
た。

【００２２】次に、反射層の膜厚と第２の誘電体層の膜
厚を上記範囲に限定した具体的実施例について詳細に記
す。最初に反射層材料としてＡuを用いた場合の実施例
(実施例１)について示す。光ディスクの構造は図１と同
じである。基板はポリカーボネイト製であり、その表面
に深さ約83nmのグルーブが設けてある。記録再生に使用
したレーザー波長はλ＝780nmであり、またポリカーボ
ネイトの屈折率がｎ＝1.58であるから、検討に用いた基
板のグルーブ深さは約λ／６ｎである。グルーブ幅およ
びランド幅はほぼ等しくそれぞれ0.8μmである。この基
板上に、ＺnＳとＳiＯ₂の混合物からなる第１の誘電体
層，ＧeＳbＴe₃元合金の相変化材料からなる記録層，Ｚ
nＳとＳiＯ₂の混合物からなる第２の誘電体層，Ａu反射
層の順に積層し、さらに基板と同じポリカーボネイト製
の保護カバーを張り合わせて光ディスクを作製した。Ｇ
eＳbＴe₃相変化材料はレーザー光の照射条件によってア
モルファスと結晶間で可逆的に状態変化を起こすもので
あり、したがって本光ディスクは書き換え可能型であ
る。光ディスクはレーザー光照射によって全面結晶化し
て初期化した。各層の膜厚は第１の誘電体層を130nm，
記録層を30nmとし、第２の誘電体層およびＡu反射層の
膜厚を種々変化させた。

【００２３】次に、この光ディスクを線速度(レーザー
スポットと光ディスクの相対速度)６m／sで回転させ、7
80nmの半導体レーザ光を開口数0.55のレンズで記録層上
に絞り込み信号の記録，再生を行った。最初にレーザー
スポットをグルーブ上にトラッキングさせ、信号の記録
は３MHzと２MHzを交互にオーバーライトして行った。そ
して、３MHzを記録したときの記録ピークパワー対ＣＮ
Ｒの関係を測定し、前述の飽和ＣＮＲの−３dBに達する
記録パワーＰ_Gを求めた。次にトラッキングの極性を切
り替えてレーザースポットをランド上にトラッキングさ
せ、同様のオーバーライトを行った。そしてランドにお
ける飽和ＣＮＲの−３dBに達する記録パワーＰ_Lを求め
た。

【００２４】ここでランドとグルーブにおける記録感度
の差をＰ_LのＰ_Gに対する比率で定義し、第２の誘電体層
およびＡu反射層の膜厚との関係を詳細に調べた。結果
を図４に示す。図４において、領域１は記録感度差が10
％以上、領域２は記録感度差が５〜10％、領域３は記録
感度差が５％以下を示す。なお、反射層は５nmより薄く
するとレーザー光の透過率が高くなって反射層の役割を
果たさなくなり、第２の誘電体層も３nmより薄くすると
記録層と反射層の分離が不完全になってしまう。ランド
とグルーブにおける記録感度差は記録再生装置の設計上
からは小さい方がよく、その差が10％以下であればラン
ドとグルーブにおいて記録パワーを変えることなく設計
することが可能であり、特に５％以下が望ましい。図４
から反射層がＡuの場合、記録感度差が10％以下となる
領域は、反射層の膜厚をａ(nm)、第２の誘電体層の膜厚
をｂ(nm)とするとき、前述の(数２)で表されることがわ
かった。

【００２５】以上のようなランドとグルーブにおいて、
その記録感度差が生じる原因は、媒体の放熱能が大きい
ほどその感度差が大きい点から、上述したランドとグル
ーブの放熱条件の差によるものと考えられるが、詳細は
不明である。また、第２の誘電体層の膜厚が約80〜85nm
を超えた場合、反射層厚に関わらず記録感度差が５％以
下の非常に良好な値になることがわかった。この膜厚は
基板のグルーブ深さと略同一である。原因は図２におい
て第２の誘電体層の膜厚がグルーブ深さよりも厚くなる
ことで、ランドの記録層の上面がグルーブの反射層の下
面よりも下になるため、ランドの両端からの反射層14へ
の熱流21のうちの斜め上方への成分が少なくなるためと
考えられる。なお、本実施例では反射層としてＡuを用
いたが、Ａuを主成分とする合金でもよいことは言うま
でもない。

【００２６】次に反射層材料としてＡlを用いた場合の
実施例(実施例２)について示す。光ディスクの基板，構
造等は反射層材料以外はすべて実施例１と同じであり、
また光ディスクの評価装置，ランドとグルーブの記録感
度差の測定方法も実施例１と同じである。図５にランド
とグルーブにおける記録感度差と、第２の誘電体層およ
びＡl反射層の膜厚との関係を示す。図５において、領
域１は記録感度差が10％以上、領域２は記録感度差が５
〜10％、領域３は記録感度差が５％以下を示す。図５か
ら反射層がＡlの場合、記録感度差が10％以下となる領
域は、反射層の膜厚をａ(nm)、第２の誘電体層の膜厚を
ｂ(nm)とするとき、前述の(数３)で表されることがわか
った。また、反射層がＡlの場合においても、Ａuの場合
と同様に第２の誘電体層の膜厚が約80〜85nmを超えた場
合、反射層厚に関わらず記録感度差が５％以下の非常に
良好な値になることがわかった。なお、本実施例では反
射層としてＡlを用いたが、Ａlを主成分とする合金でも
よいことは言うまでもない。

【００２７】次に反射層材料としてＮiＣr合金を用いた
場合の実施例(実施例３)について示す。光ディスクの基
板，構造等は反射層材料以外はすべて実施例１と同じで
あり、また光ディスクの評価装置，ランドとグルーブの
記録感度差の測定方法も実施例１と同じである。図６に
ランドとグルーブにおける記録感度差と、第２の誘電体
層およびＮiＣr反射層の膜厚との関係を示す。図６にお
いて、領域１は記録感度差が10％以上、領域２は記録感
度差が５〜10％、領域３は記録感度差が５％以下を示
す。図６から反射層がＮiＣrの場合、記録感度差が10％
以下となる領域は、反射層の膜厚をａ(nm)、第２の誘電
体層の膜厚をｂ(nm)とするとき、前述の(数４)で表され
ることがわかった。また、反射層がＮiＣrの場合におい
ても、Ａuの場合と同様に第２の誘電体層の膜厚が約80
〜85nmを超えた場合、反射層厚に関わらず記録感度差が
５％以下の非常に良好な値になることがわかった。な
お、本実施例では反射層としてＮiＣrを用いたが、さら
に他の元素を小量添加した合金でもよいことは言うまで
もない。

【００２８】さらに、記録層膜厚，第１の誘電体層の膜
厚，誘電体層の材質をそれぞれ変化させて記録感度を測
定したが、それぞれを変化させることによって記録感度
の絶対値は変化したものの、ランドとグルーブの記録感
度の比はほとんど変わらなかった。また、グルーブ深さ
が異なる基板を用いてランドとグルーブの記録感度差を
調べた。その結果、すべての場合において第２の誘電体
層の膜厚がグルーブ深さを超えたとき、反射層厚および
反射層材料に関わらず記録感度差が非常に小さくなるこ
とがわかった。

【００２９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による光学
的情報記録媒体および記録再生方法によれば、ランドと
グルーブで記録パワーをほぼ等しくすることができる。
このため、ランドとグルーブで記録パワーを変える必要
がなく、記録再生装置をほとんど複雑にすることなしに
記録密度を従来の約２倍にできる記録媒体を提供するこ
とが可能になるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による記録媒体を説明するための断面図
である。

【図２】本発明の効果を説明するための断面図である。

【図３】記録媒体の記録ピークパワーとＣＮＲの関係を
示す図である。

【図４】Ａu反射層の場合におけるランドとグルーブの
記録感度差と反射層厚および第２の誘電体厚との関係を
示す図である。

【図５】Ａl反射層の場合におけるランドとグルーブの
記録感度差と反射層厚および第２の誘電体厚との関係を
示す図である。

【図６】ＮiＣr反射層の場合におけるランドとグルーブ
の記録感度差と反射層厚および第２の誘電体厚との関係
を示す図である。

【符号の説明】

１，10…基板、 ２，11…第１の誘電体層、 ３，12…
記録層、 ４，13…第２の誘電体層、 ５，14…反射
層、 ６，18，19…レーザー光、 ７，16…グルーブ、
８，17…ランド、 ９，15…保護カバー。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長田 憲一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 赤平 信夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、第１の誘電体層，記録層，第
   ２の誘電体層，反射層の順に積層した所定周波数の再生
   レーザー光線を用いる記録再生装置に使用する光学的情
   報記録媒体であって、 前記基板は信号記録用のグルーブおよびランドを備えて
   なり、かつグルーブの幅とランドの幅が略同一で、さら
   に前記グルーブの深さＤが、 λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ) (ただし、λは再生光の波長，ｎは基板の屈折率)を満た
   し、かつ前記記録層はレーザー光等の照射によって光学
   的に識別が可能な状態間で可逆的に変化し、さらに、前
   記反射層がＡu、もしくはＡuを主成分とする合金からな
   り、前記反射層の膜厚ａ(nm)と前記第２の誘電体層の膜
   厚ｂ(nm)が、 ５≦ａ＜100のとき ｂ≧0.15ａ
   ＋35 ａ≧100 のとき ｂ≧50 を満たすことを特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に、第１の誘電体層，記録層，第
   ２の誘電体層，反射層の順に積層した所定周波数の再生
   レーザー光線を用いる記録再生装置に使用する光学的情
   報記録媒体であって、 前記基板は信号記録用のグルーブおよびランドを備えて
   なり、かつグルーブの幅とランドの幅が略同一で、さら
   に前記グルーブの深さＤが、 λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ) (ただし、λは再生光の波長，ｎは基板の屈折率)を満た
   し、かつ前記記録層はレーザー光等の照射によって光学
   的に識別が可能な状態間で可逆的に変化し、さらに、前
   記反射層がＡl、もしくはＡlを主成分とする合金からな
   り、前記反射層の膜厚ａ(nm)と前記第２の誘電体層の膜
   厚ｂ(nm)が、 ５≦ａ＜150のとき ｂ≧0.133ａ
   ＋30 ａ≧150 のとき ｂ≧50 を満たすことを特徴とする光学的情報記録媒体。
3. 【請求項３】 基板上に、第１の誘電体層，記録層，第
   ２の誘電体層，反射層の順に積層した所定周波数の再生
   レーザー光線を用いる記録再生装置に使用する光学的情
   報記録媒体であって、 前記基板は信号記録用のグルーブおよびランドを備えて
   なり、かつグルーブの幅とランドの幅が略同一で、さら
   に前記グルーブの深さＤが、 λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ) (ただし、λは再生光の波長，ｎは基板の屈折率)を満た
   し、かつ前記記録層はレーザー光等の照射によって光学
   的に識別が可能な状態間で可逆的に変化し、さらに、前
   記反射層がＮiとＣrを主成分とする合金からなり、前記
   反射層の膜厚ａ(nm)と前記第２の誘電体層の膜厚ｂ(nm)
   が、 ５≦ａ＜200のとき ｂ≧0.125ａ＋25 ａ≧200 のとき ｂ≧50 を満たすことを特徴とする光学的情報記録媒体。
4. 【請求項４】 基板上に、第１の誘電体層，記録層，第
   ２の誘電体層，反射層の順に積層した所定周波数の再生
   レーザー光線を用いる記録再生装置に使用する光学的情
   報記録媒体であって、 前記基板は信号記録用のグルーブおよびランドを備えて
   なり、かつグルーブの幅とランドの幅が略同一で、さら
   に前記グルーブの深さＤが、 λ／(７ｎ)≦Ｄ≦５λ／(14ｎ) (ただし、λは再生光の波長，ｎは基板の屈折率)を満た
   し、かつ前記記録層はレーザー光等の照射によって光学
   的に識別が可能な状態間で可逆的に変化し、さらに前記
   第２の誘電体層の膜厚が前記グルーブの深さより大きい
   ことを特徴とする光学的情報記録媒体。
5. 【請求項５】 前記溝の深さＤが、略λ／(５ｎ)である
   ことを特徴とする請求項１，２，３または４記載の光学
   的情報記録媒体。
6. 【請求項６】 前記溝の深さＤが、略３λ／(10ｎ)であ
   ることを特徴とする請求項１，２，３または４記載の光
   学的情報記録媒体。
7. 【請求項７】 前記記録層がレーザー光照射によって、
   反射光量変化を起こす媒体からなることを特徴とする請
   求項１，２，３または４記載の光学的情報記録媒体。
8. 【請求項８】 前記記録層がレーザー光照射によって、
   アモルファス相と結晶相の間で可逆的に状態変化を起こ
   す相変化媒体からなることを特徴とする請求項７記載の
   光学的情報記録媒体。
9. 【請求項９】 前記相変化媒体がＧe，Ｓb，Ｔeの３元
   合金を主成分とすることを特徴とする請求項８記載の光
   学的情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記第１および第２の誘電体層がＺn
    ＳとＳiＯ₂の混合物からなることを特徴とする請求項
    １，２，３または４記載の光学的情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 請求項１，２，３または４記載の光学
    的情報記録媒体に光学的に信号を記録する方法であっ
    て、信号記録時には記録装置のトラッキングの極性を切
    り替えることでグルーブとランドの両方に信号を記録す
    る光学的な情報の記録方法。