KR20010080202A - 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체 - Google Patents

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Abstract

기판(1), 제 1 유전층(3), AgaInbSbcTed또는 GeaInbSbcTed에 의거한 위상 변화 기록층(3), 제 2 유전층(4), 금속 거울층(5)을 포함하고, 2<a<8, 0<b<6, 55<c<80, 15<d<30, a+b+c+d=100이고, 상기 기록층(3)의 층 두께가 5와 15nm 사이의 범위인 다시쓰기 가능한 광학 정보매체가 개시되어 있다. 이러한 매체는, 고밀도 및 고 통신속도 위상 변화 광학 기록장치와 DVD+RW, DVR-레드 및 -블루와 같은 미디어의 사용에 적합하다.

Description

다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체{REWRITABLE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM}
본 발명은 레이저 광 빔에 의해 다시 쓰기 가능한 고속 기록용 광학 정보 기록매체에 관한 것으로, 상기 매체는, 순차로 제 1 유전층, Sb 및 Te를 함유한 위상-변화 기록물질을 포함하는 기록층, 제 2 유전층 및 금속 거울층을 적층하여 포함하는 다수의 층을 지지하는 기판을 포함한다.
또한, 본 발명은, 고 기억 밀도와 고 통신속도 응용에서 그러한 광학 기록매체의 사용법에 관한 것이다.
위상 변화 원리에 의거한 광학 정보 또는 데이터 기억은, 판독 전용 시스템과 쉽게 호환되는 직접 덮어쓰기(direct overwrite, DOW)의 가능성과 고 기억 밀도를 조합시키기 때문에 흥미있는 것이다. 위상 변화 광 기록은, 초점이 맞춰진 레이저 광 빔을 사용하여 얇은 결정막에 서브마이크로미터 크기의 비정질 기록 마크의 형성을 포함한다. 정보를 기록하는 동안, 기록매체는, 기록하려는 정보에 따라 변조된 초점이 맞춰진 레이저 광 빔에 대하여 이동된다. 이로 인해, ??칭(quenching)이 위상 변화 기록층에서 발생하여 그 노출되지 않은 영역에서 결정성이 남아 있는 기록층의 노출 영역에서의 비정질 정보비트를 형성시킨다. 기록된 비정질 마크의 삭제부분은, 동일한 레이저의 가열을 통해 재결정화하여서 실현된다. 이 비정질 마크는, 저전력 초점 레이저 광 빔에 의해 기판을 통해 재생될 수 있는 데이터 비트를 나타낸다. 결정성 기록층에 대한 비정질 마크의 반사차는, 변조 레이저 광 빔을 일으키고서 그 코딩되고 기록된 디지털 정보에 따라 검출기에 의해 변조된 광전류로 변환된다.
위상 변화 광학 기록에 있어서 가장 중요한 요구사항중 하나는, 고 통신속도이다. 고 통신속도는 기록층이 고 결정화 속도, 즉 짧은 결정화 시간을 갖는 것을 필요로 한다. 직접 덮어쓰기 동안에 이전에 기록된 비정질 마크를 재결정화하는 것을 확실하게 하기 위해서, 이 기록층은 레이저 광 빔에 관련한 매체의 선형속도를 일치시킬 적절한 결정화 시간을 가져야 한다. 결정화 속도가 그 레이저 광 빔에 관련한 매체의 선형속도를 일치시킬 만큼 충분히 높지 않은 경우, 이전 기록으로부터 구 데이터(비정질 마크)를 DOW 동안 완전히 소거(재결정화)할 수 없다. 이로 인해, 높은 잡음 레벨을 일으킬 것이다. 특히, 고 결정화 속도는, 디스크형 DVD+RW, DVR-레드(red) 및 블루(blue) 및 CD-RW와 같은 고밀도 기록 및 고 통신속도에서 요구되고, 여기서, 완전한 소거 시간은 약 60ns보다 짧아야 한다. 120mm 디스크 당 4.7GB 기록밀도를 갖는 DVD+RW의 경우, 33Mbits/s의 사용자 데이터 비트 전송속도가 필요하고, DVD-레드의 경우 35Mbits/s의 사용자 데이터 비트 전송속도가 필요하다. DVR-블루(블루 레이저 광 빔으로 동작하는 디지털 비디오 기록)와 같은 다시 쓰기 가능한 위상 변화 광학 기록 시스템의 경우, 50Mbits/s보다 높은 사용자 데이터 비트 전송속도가 요구된다.
출원인이 출원한 미국특허 US 5, 876, 822에는, 서두에서 설명한 형태의 광학 정보매체가 기재되어 있다. 종래의 위상 변화형 매체는, 연속적으로 제 1 유전층, Ge-Sb-Te 기록물질로 구성된 기록층, 제 2 유전층 및 금속 반사층을 포함하는 다수의 층을 지지하는 디스크형 기판을 포함한다. 이러한 다수의 층은, IPIM 구조로서 언급할 수 있고, 여기서, M은 반사 또는 거울층을 나타내고, I는 유전층을 나타내며, P는 위상 변화 기록층을 나타낸다. 상기 특허에는, 기록물질의 합성에 의해 최적화하여서 CET 값을 짧게 할 수 있다는 것이 개시되어 있다. 이러한 기록물질을 함유한 기록층의 CET 값은, 기록층의 두께가 증가하기 때문에 감소한다. 가장 짧은 CET 값을 25와 35nm 사이의 두께에서 얻는다. 산소가 기록물질에 추가되고 SiC 캡층이 그 스택에 첨가될 경우 그러한 기록층에 의해 40Mbits/s의 사용자 데이터 비트 전송속도를 달성할 수 있다는 실험을 보여주고 있다.
본 발명의 목적은, 특히 DVD+RW, DVD-레드 및 DVD-블루와 같은 고속 광학 기록의 경우와 DOW의 경우에 적합한 다시 쓰기 가능한 광학 정보매체를 제공하는데 있다. 이때, 기록층의 CET 값은, 60ns 또는 그 보다 낮아야 한다. 특히, 그 매체는 적어도 50Mbits/s의 사용자 데이터 비트 전송속도를 가져야 한다. 고속 기록은, 이 문맥에서, 콤팩트디스크 표준에 따른 4배의 속도인 적어도 4.8m/s의 레이저 광 빔에 관련한 매체의 선형속도를 의미한다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 이들 목적은, 기록물질이 식 QaInbSbcTed(원자 퍼센트로)로 정의된 합성물로 구성되되, 여기서 Q는 Ag와 Ge를 포함하는 군으로부터 선택되고,
2<a<8
0<b<6
55<c<80
15<d<30, a+b+c+d=100, 및 기록층은 5 내지 15nm의 두께인 것을 특징으로 하는 서두에서 기재된 것과 같은 광학 정보매체에 의해 달성하는데 있다.
Ge-Sb-Te에 의거한 기록층과 비교하여, Ag-In-Sb-Te 또는 Ge-In-Sb-Te에 의거한 기록층은 그것의 두께가 감소하기 때문에 CET 값이 감소하는 것을 나타낸다. 그 가장 짧은 CET 값은, 15nm보다 작은 두께에서 발견되는데, 그 값은 60ns보다 아래 또는 40ns 더욱 아래이다. 청구된 범위 외의 a-, b-, c- 또는 d-값을 갖는 합성물의 CET 값은, 8nm의 두께에서도 60ns 보다 짧아지지 않는다. 최적 결과는 7과 14nm 사이의 기록층 두께로 달성된다.
주목해야 할 것은, 유럽특허 EP-B-569664에는, 광학 정보 기록매체는, Ag15.7In20.9Sb31.9Te31.5로서 재기록될 수 있는 기록물질 (AgSbTe2)0.43(InSb0.77)0.57을 갖는 기록층이 개시되어 있다는 것이다. 그 특허 명세서에는 CET 값 또는 사용자 데이터 비트 전송속도가 기재되어 있지 않다.
바람직하게, 기록물질은, Ge-In-Sb-Te 합금(상기 식에서 Q=Ge)인데, 그 이유는, 이 물질이 Ag-In-Sb-Te 물질보다 열적으로 더욱 안정한 작용을 보이기 때문이다.
매체의 순환능력(cyclability)은, 50000 사이클과 0 사이클 후 광 콘트라스트 M의 상대적인 변화인 50000 사이클이 요구되는 경우 M50000/M0값으로 나타낼 수 있다. 이때의 M은, (RH-RL)/RH로서 정의되고, 여기서 RH및 RL은, 결정성 및 비결정기록물질의 반사이다. 매 사이클마다 그 기록된 비정질 마크는, 새로운 비정질 마크가 기록되어 있는 동안 레이저 광 빔에 의한 가열을 통해 재결정화하여 소거된다. 이상적인 M50000/M0의 값은, 1.0, 즉, 사이클 후에 변화하지 않고 있는 광 콘트라스트이다.
제 1 유전층, 즉 서보트랙에 인접한 층의 두께의 영향을 관찰할 수 없으므로, CET와 순환능력값 M50000/M0에 관해 기판과 위상 변화 기록층 사이가 일반적이다. 그래서, 그 스택의 열적 특성에 영향을 미치지 않고서, 예를 들면 다른 광학적 이유의 경우 이 층의 두께를 변화시키는 것이 가능하다. 이 층은, 습도에 대한 기록층과 열적 손상에 대한 기판을 보호하고, 광 콘트라스트 M을 최적화한다. 지터의 관점에서 보면, 제 1 유전층의 두께는, 바람직하게는 적어도 70nm이다. 예를 들어, 콘트라스트의 관점에서, 이 층의 두께는 바람직하게 500nm로 제한된다.
제 2 유전층, 즉 기록층과 금속 거울층 사이의 층에 대한 최적 두께 범위는, 15와 50nm 사이이고, 바람직하게는 20과 40nm 사이이다. 이 층이 매우 얇은 경우, 기록층과 금속 거울층 사이의 열적 절연은 역으로 작용한다. 결과적으로, 기촉층의 냉각속도가 증가하여, 결정화 처리가 늦어지고 순환능력이 떨어지게 된다. 이때의 냉각속도는 제 2 유전층의 두께를 증가시켜서 감소될 것이다.
이 CET 값은, 20 내지 300nm의 범위에 있는 금속층의 두께에 민감하지 않다. 하지만, 순환능력은, 금속층이 60nm보다 얇을 경우, 냉각속도가 그러한 두께에서 매우 느리기 때문에 역으로 작용한다. 금속 거울층이 200nm 또는 그 보다 두꺼울경우, 순환능력은 더욱 저하하고, 기록과 소거전력은 그 증가된 열전도 때문에 높아야 한다. 금속 거울층의 두께는, 80과 150nm 사이이다.
제 1 및 제 2 유전층은, ZnS와 SiO2, 예를 들어 (ZnS)80(SiO2)20의 혼합물로 제조된다. 또 다른 것은, 예를 들면 SiO2, TiO2, ZnS, Si3N4, AlN 및 Ta2O5이다. 바람직하게, 카바이드(carbide)는, SiC, WC, TaC, ZrC 또는 TiC와 같은 것이 사용된다. 이들 물질은, 보다 높은 결정화 속도 및 ZnS-SiO2혼합물 보다 낳은 순환능력이다.
금속 거울층의 경우, Al, Ti, Au, Ni, Cu, Ag, Rh, Pt, Pd, Cr, Mn, Mo, W 및 Ta와 이들 물질의 합금과 같은 금속을 사용할 수 있다. 적합한 합금의 예는, AlTi, AlCr 및 AlTa이다.
반사층과 유전층은, 기상 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성된다.
정보매체의 기판은, 적어도 레이저 파장에 대해 투명하고, 예를 들면 폴리카보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 비정질 폴리올레핀 또는 유리로 제조된다. 전형적인 예에서는, 기판이 디스크형이고, 직경 120mm, 두께 0.1, 0.6 또는 1.2mm이다. 0.6mm 또는 1.2mm의 기판을 사용하는 경우, 그 층들을 제 1 유전층, 기록층 등에서 시작하는 이 기판에 첨가할 수 있다. 레이저 광 빔은, 기판의 입사면을 통해 스택에 들어간다. 또한, 스택의 층들은, 즉, 금속 거울층, 제 2 유전층, 위상 변화층 등에서 시작하는 역순으로(반대의 박막 위상 변화 스택) 기판 위에 첨가될 수 있다. 그래서, 마지막 유전층(지금은 제 1 유전층임)이, 두께 0.1mm(100㎛)인 광학 품질 투명층 또는 상기 물질중 하나의 시트로 구성된다. 이 레이저 광 빔은, 이 투명층의 입사면을 통해 스택에 들어간다.
또한, 기판은, 예를 들어 폴리에스테르막으로 이루어진 합성 수지 플렉시블 테이프의 형태이다. 이러한 구성에서 광 테이프는, 예를 들어 빠른 회전 다각형에 의거한 광 테이프 리코더에서 사용하기 위해 얻어질 것이다. 이러한 장치에서는, 반사된 레이저 광 빔이 테이프 표면을 가로질러 횡으로 주사한다.
기록층의 측면의 디스크형 기판의 표면은, 바람직하게는 광학적으로 주사될 수 있는 서보트랙으로 구성된다. 이때의 서보트랙은, 종종 나선형 홈으로 구성되고, 주입 몰딩 또는 프레싱 동안에 몰드에 의해 기판에 형성된다. 또한, 이 홈을, 반복처리에서, 합성 수지층, 예를 들면 기판 위에 별도로 형성된 UV 광 처리된 아크릴레이트층으로 형성할 수 있다. 고밀도 기록에서, 이러한 홈은, 예를 들면 피치 0.7-0.8㎛ 및 폭 0.5㎛이다.
선택사항으로, 스택의 최외각층은, 보호층, 예를 들면 UV 광 처리된 폴리(메트)아크릴레이트(poly(meth)acrylate)와 같은 층으로 주위 환경으로부터 구분된다.
짧은 파장의 레이저, 예를 들면 675nm 또는 그 보다 짧은(레드 내지 블루) 파장을 사용하여 고밀도 기록 및 소거를 달성할 수 있다.
위상 변화 기록층을, 적절한 타겟의 기상 증착 또는 스퍼터링에 의해 기판에 첨가할 수 있다. 이때의 증착된 층은, 비정질이이고 낮은 반사를 나타낸다. 높은 반사의 적절한 기록층을 구성하기 위해서, 먼저 이 층을 완전히 결정화해야 하는데, 이를 보통 초기화로서 언급한다. 이 목적을 위해, 기록물질의 결정화 온도, 예를 들면 180℃보다 위의 온도까지 난방로에서 그 기록층을 가열할 수 있다. 또한,폴리카보네이트와 같은 합성 수지 기판을 사용할 경우, 충분한 전력을 갖는 레이저 광 빔에 의해 그 기록층을 가열할 수 있다. 이는, 예를 들면 레코더에서 실현할 수 있고, 이 경우에 레이저 광 빔은 기록층을 이동하며 주사한다. 그래서, 비정질 층은, 기판이 불리한 가열 부하가 되지 않고서 기록층의 결정화 온도까지 국부적으로 가열된다.
원하는 경우, 추가한 얇은 금속층 M'을 기판과 제 1 유전층 사이에 삽입할 수 있어서, 소위 M'IPIM 구조를 형성한다. 이러한 구조는 더욱 복잡하지만, 그 추가한 금속층은 광 콘트라스트 M과 기록층의 냉각속도를 증가시킨다.
더욱 짧은 CET 값은 II+PI+IM 스택에서 얻어지고, 여기서, I, P 및 M은 상술한 의미이고, 여기서 I+는 카바이드층이다. 이 스택에서, 기록층 P는, 2개의 카바이드층 I+사이에 삽입된다. 제 1 및 제 2 카바이드층의 카바이드는, 바람직하게 짧은 CET와 우수한 순환능력을 조합시키는 SiC, ZrC, TaC, TiC 및 WC 군의 일 요소이다. SiC는, 그것의 광학, 기계적 및 열적 특성 때문에 바람직한 물질이고, 더욱이 그것의 가격은 상대적으로 낮다.
제 1 및 제 2 카바이드층의 두께는, 2와 8nm 사이가 바람직하다. 그 카바이드의 상대적으로 높은 열적 도전성은, 이 두께가 작을 경우 스택에 관해 작은 영향만을 가져서, 스택의 열적 설계를 용이하게 한다.
특히, 고밀도용으로 특히 유용한 랜드(land)-홈 기록은, 스택에 광 흡수층의추가이다. 이 광 흡수층 A의 추가 결과는, 비정질 상태(Aa)와 결정 상태(Ac) 사이의 광흡수의 차이가 최소화되어, 이들 상태간의 광학 위상차를 감소시키는 것이다. Ac와 Aa사이의 차이는, 제로에 가깝거나 바람직하게 Ac≥Aa이어야 한다.
광 흡수층 A의 물질은, 0.5와 20 사이, 바람직하게는 0.6과 16 사이의 범위에서 n/k비를 갖는다. 이들 값은, 광 흡수와 전송 사이에 적절한 균형을 맞춘다. 이들 조건을 만족시키는 물질의 예는, Mo, W, Pd, Pt, Co, Ni, Mn, Ta, Cr, Ti 및 Hf로 구성되는 군에서 선택된 물질과, PbS, Ge, InP 및 Si로 구성되는 군에서 선택된 반도전성 물질이다. 바람직한 예는 Si 및 Ge인데, 그 이유는 싸고 첨가하기 쉽기 때문이다.
광흡수층의 두께는, 2와 200nm 사이가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 광흡수와 전송간의 적절한 균형을 이루도록 10과 100nm사이이고, 그 선택된 물질의 n/k비에 의존한다. Si의 경우 두께가 약 75nm이고, Mo의 경우 두께가 약 35nm이며, Ge의 경우 두께가 약 55nm이다.
광흡수층 A의 추가는, 스택 구조 IPIAIM, II+PI+AM, II+PI+IAM 또는 II+PI+AIM이 되고, 그 I, I+, P 및 M은, 명세서에서 상술한 의미를 갖는다. 제 3 유전층이 광흡수층과 제 2 카바이드층 사이에 정렬된 스택이 바람직하다. 이러한 제 3 유전층 I3을 사용하여, 스택의 열적 특성을 최적화하고, 제 2 카바이드층과 광흡수층 사이에서의 합금을 막는다. 이러한 스택은, II+PI+I3AIM 구조이다.
본 발명은, 첨부도면들을 참조하여 실시예를 설명하겠다.
도 1은 본 발명에 따른 광학 정보매체의 개략적인 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 CET(ns로)와 Ag-In-Sb-Te 기록물질을 가진 기록층의 두께 d(nm로)간의 관계를 나타내고,
도 3은 본 발명에 따른 2개의 다른 Ag-In-Sb-Te(곡선 A 및 B)와 2개의 다른 Ge-In-Sb-Te(곡선 C 및 D) 기록물질을 가진 기록층의 두께 d(nm로) 간의 관계를 나타내고,
도 4는 본 발명에 따르지 않는 CET(ns로)와 Ag-In-Sb-Te 기록물질을 가진 기록층의 두께 d(nm로)간의 관계를 나타낸다.
실시예 1.
도 1은 본 발명에 따른 광학 정보 디스크의 단면의 일부분을 개략적으로 나타낸 것이다. 참조번호 1은, 120mm의 직경과 1.2mm의 두께를 갖는 유리 디스크형 기판을 나타낸다. 이때의 기판(1)은, 이하의 구조:
- 두께 70nm을 가진 (ZnS)80(SiO2)20의 유전층(2),
- 두께 d를 가진 Ag5.0In5.5Sb65.0Te24.5의 기록층(3),
- 두께 25nm을 가진 (ZnS)80(SiO2)20의 유전층(4),
- 두께 100nm를 가진 Al의 금속 거울층(5)인 IPIM 스택으로 구성된다.
모든 층은 스퍼터링에 의해 형성된다. 기록층(3)의 초기 결정상태는, 레코더에 증착된 비정질 합금으로 어닐링하여서 얻어지되, 그 기록층은 그 결정화 온도보다 위의 연속적인 레이저 광 빔에 의해 가열된다.
정보의 기록, 재생 및 소거를 위한 레이저 광 빔은, 기판(1)을 통해 기록층(3)에 들어간다. 이 빔은, 개략적으로 화살표(6)로 나타낸다. 그 비정질 마크는, 전력 Pw=1.25Pm(Pm=용해 임계전력) 및 지속기간 100ns의 단일 레이저 펄스로 기록된다. 이 소거 전력은 Pw/2이다.
기록물질용 위상 변화 기록층의 두께 d(nm로)에 의존하는 CET(ns로)(즉, 기록된 비정질 마크의 결정화가 완료된 시간)는, 도 2에 도시되어 있다. 도 2에서, 명백한 것은, CET가 d 감소에 따라 감소한다는 것이다. 이때의 CET 값은, 기록층이 15nm 보다 얇을 경우 60ns보다 짧아진다.
동일 도면에서, CET 값(▲로 나타낸)은, 두께 12nm이고, II+PI+IM 구조에 동일 기록물질을 포함하는 기록층의 것으로, I+는 두께 5nm의 SiC층이다. 이 스택에서, 기록층 P는 2개의 카바이드층 I+사이에 삽입된다. 다른 층 두께와 물질은 상술한 것과 같은 것이다. 명백한 것은, CET 값이 상술한 것처럼 IPIM 스택에서의 값보다 더욱 짧다는 것이다.
실시예 2.
실시예 1을 합성물 Ag4.3In4.3Sb67.4Te24.0을 갖는 기록층(3)을 사용하여 반복한다. 도 3에서 곡선 A는, 기록층의 두께 d에 의존하는 CET를 나타낸다. 이 도 3에서, 명백한 것은, CET는 두께 d가 15nm 또는 그 보다 낮을 경우 60ns보다 아래로 떨어진다는 것이다.
실시예 3.
실시예 1을 합성물 Ag3.6In3.1Sb75.1Te18.2을 갖는 기록층(3)을 사용하여 반복한다. 도 3에서 곡선 B는, 기록층의 두께 d에 의존하는 CET를 나타낸다. 이 도 3에서 명배한 것은, CET는 두께 d가 15nm 또는 그 보다 낮을 경우 42ns 보다 아래로 떨어진다는 것이다.
실시예 4.
실시예 1을 합성물 Ge5.6In2.2Sb71.2Te21.0을 갖는 기록층(3)을 사용하여 반복한다. 도 3에서 곡선 C는, 기록층의 두께 d에 의존하는 CET를 나타낸다. 이 도 3에서, 명백한 것은, CET는 두께 d가 15nm 또는 그 보다 낮을 경우 55ns 보다 아래로 떨어진다는 것이다.
두께 12nm(CET는 44ns임)를 갖는 기록층을 구비한 기록매체는, 이 기록물질로 제조된다. 405nm 파장의 블루 레이저 다이오드를 사용함으로써, 120mm 디스크 당 22GB의 기록밀도와 66Mbit/s의 사용자 데이터 비트 전송속도를 얻는다.
실시예 5.
실시예 1을 합성물 Ge5.1In2.6Sb73.2Te19.1을 갖는 기록층(3)을 사용하여 반복한다. 도 3에서 곡선 D는 기록층의 두께 d에 의존하는 CET를 나타낸다. 도 3에서, 명백한 것은, CET는 두께 d가 15nm 또는 그 보다 낮을 경우 45ns 보다 아래로 떨어진다는 것이다.
비교예(본 발명에 따른 것이 아닌).
실시예 1을 합성물 Ag3.0In12.0Sb51.7Te33.3을 갖는 기록층(3)을 사용하여 반복한다. 이 합성물에서, In 및 Te의 농도는, 청구된 범위 밖에 있다. 도 4는 기록층의 두께 d에 의존하는 CET를 나타낸다. 도 4에서, 명백한 것은, 이 기록층의 CET는 두께 8nm에서도 60ns보다 짧아지지 않는다.
본 발명에 따르면 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체는, 직접 덮어쓰기 및 고속 기록에 적합한, DVD+RW, DVR-레드 및 DVR-블루 등이 있다.

Claims (7)

  1. 순차로 제 1 유전층, Sb 및 Te를 함유한 위상-변화 기록물질을 포함하는 기록층, 제 2 유전층 및 금속 거울층을 적층하여 포함하는 다수의 층을 지지하는 기판을 포함하는, 레이저 광 빔에 의해 다시쓰기 가능한 고속 기록용 광학 정보 기록매체에 있어서,
    상기 기록물질이 식 QaInbSbcTed(원자 퍼센트로)로 정의된 합성물로 구성되되, 여기서 Q는 Ag와 Ge를 포함하는 군으로부터 선택되고,
    2<a<8
    0<b<6
    55<c<80
    15<d<30, a+b+c+d=100, 및 기록층은 5 내지 15nm의 두께인 것을 특징으로 하는 광학 정보매체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    Q는 Ge인 것을 특징으로 하는 광학 정보매체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    기록층은 7 내지 14nm의 두께인 것을 특징으로 하는 광학 정보매체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    2<a<6
    2<b<6
    60<c<80
    15<d<25, a+b+c+d=100인 것을 특징으로 하는 광학 정보매체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기록층은, 2와 8nm 사이의 두께를 갖는 2개의 카바이드층 사이에 삽입된 것을 특징으로 하는 광학 정보매체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스택은, 0.5 내지 20의 n/k 비를 갖되, 여기서 n이 굴절률이고, k가 소광계수를 갖는 물질로 이루어지고, 2와 200nm 사이의 두께를 갖는 광 흡수층을 포함한 것을 특징으로 하는 광학 정보매체.
  7. 선행하는 청구항중 어느 한 항에 있어서, 레이저 광 빔과 광학 정보매체 사이의 상대 속도가 적어도 4.8m/s인 것에서 고속 기록을 하는 광학 정보매체의 사용법.
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