KR20020080423A - 광 정보매체와 그것의 용도 - Google Patents

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KR20020080423A
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쵸우구오-푸
류페르스요하네스씨.엔.
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

레이저광 빔(10)을 이용하여 고속 소거가능한 기록을 위한 광 정보매체(20)가 제공된다. 기판(1)은, 제 1 유전층(5) 및 제 2 유전층(7)과, 제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7) 사이에 있는 기록층(6)과, 반사층(3)을 지닌 복수의 층의 적층체(2)를 갖는다. 기록층(6)은 Ge 및 Te의 화합물을 갖고, 적어도 제 1 유전층(5)은 Ta 및 Si의 산화물, Si 및 Al의 질화물과 Si의 탄화물로 구성되며 기록층(6)과 접촉한다. 기록층(6)은 5 at.%에 이르는 양의 O 또는 N을 추가로 포함한다. 이에 따라, 낮은 CET 값에 대해 폭넓은 사용가능한 조성 범위가 얻어진다. 따라서, 고속 데이터 레이트가 달성된다.

Description

광 정보매체와 그것의 용도{OPTICAL INFORMATION MEDIUM AND ITS USE}
본 발명은, 레이저광 파장을 갖는 레이저광 빔을 이용하여 소거가능한 기록을 하고, 기판과 그 위에 설치된 복수의 층으로 구성된 적층체를 가지며, 이 적층체가, 제 1 유전층 및 제 2 유전층과, 비정질 상태와 결정 상태 사이에서 변화될 수 있으며 제 1 유전층과 제 2 유전층 사이에 배치된 기록층과, 반사층을 구비한 광 정보매체에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 고속 기록을 위한 이와 같은 광 정보매체의 용도에 관한 것이다.
서두에 기재된 형태의 광 정보매체는, Applied Physics Letters 49(1986) 502에 게재된 M. Chen, K.A. Rubin 및 R.W. Barton의 논문에 공지되어 있다.
상변화 원리에 근거한 광학 데이터 저장매체는, 직접 오버라이트(DOW)와 높은 저장밀도의 가능성과 함께 판독전용 광학 데이터 저장 시스템과의 용이한 호환성을 겸비하므로 매력적이다. 상변화 광 기록은, 초점이 맞추어진 비교적 높은 전력의 레이저광 빔을 사용하여 결정성 기록층 내부에 서브마이크로미터 크기의 비정질 기록 마크를 형성하는 과정을 포함한다. 정보를 기록하는 동안, 정보매체는 기록하려는 정보에 따라 변조된 초점이 맞추어진 레이저광 빔에 대해 움직인다. 고전력의 레이저광 빔이 결정성 기록층을 용융시킬 때 복수의 마크들이 형성된다. 레이저 광 빔이 오프되거나 및/또는 그후 기록층에 대해 이동하면, 용융된 마크들의 급속냉각이 기록층에서 일어나, 노출되지 않은 영역에서 결정 상태로 유지되는 기록층의 노출된 영역에 비정질 결정성 마크를 남기게 된다. 기록된 비정질 마크들의 소거는, 기록층을 용융시키지 않으면서, 더 낮은 전력 레벨에서 동일한 레이저를 사영한 가열을 통한 재결정화에 의해 실현된다. 비정질 마크들은, 예를 들면 기판을 거쳐 비교적 낮은 전력의 초점이 맞추어진 레이저광 빔에 의해 판독될 수 있는 데이터 비트들을 표시한다. 결정성 기록층에 대한 비정질 마크들의 반사도 차이는 변조된 레이저광 빔을 발생하여, 이것은 그후 기록된 정보에 따라 검출기에 의해 변조된 광전류로 변환된다.
상변화 광 기록에 있어서 가장 중요한 요구사항들 중 한가지는, 데이터가 적어도 30Mbits/s의 속도로 기록매체 상에 기록 및 재기록될 수 있다는 것을 의미하는 고속 데이터 레이트이다. 이와 같은 고속 데이터 레이트는 기록층이 높은 결정화 속도, 즉 짧은 결정화 시간을 갖도록 요구한다. 직접 오버라이트 과정중에 이전에 기록된 비정질 마크들이 재결정화될 수 있도록 확보하기 위해서는, 기록층이 레이저광 빔에 대한 기록매체의 속도에 부합하기 위한 적절한 결정화 속도를 가져야만 한다. 결정화 속도가 충분히 높지 않으면, DOW 과정중에 오래된 데이터를 나타내는 이전의 기록으로부터 얻어진 비정질 마크들이 완전히 소거될 수 없게 되는데, 이것은 재결정화가 될 수 없다는 것을 의미한다. 이것은 높은 노이즈 레벨을 일으킨다. 높은 재결정화 속도는 특히, 디스크 형태의 DVD+RW, DVR-레드 및 블루 등의 고밀도 기록 및 고속 데이터 레이트 광 기록매체에서 요구되는데, 이때 이들 디스크는 차세대 고밀도DigitalVersatileDisc+RW와DigitalVideoRecording 광 저장 디스크의 약자로, RW는 이러한 디스크의 재기록가능성을 나타내고 레드 및 블루는 사용된 레이저 파장을 나타낸다. 이들 디스크에 대해, 완전소거시간(complete erasure time: CET)은 최대 60ns이어야만 한다. CET는 정지상태에서 측정된, 결정성 환경에서 기록된 비정질 마크의 완전 결정화를 위한 소거 펄스의 최소 지속시간으로 정의된다. 120mm 디스크당 4.7GB의 기록밀도를 갖는 DVD+RW에 대해서는, 33Mbits/s의 데이터 비트 레이트가 필요하고, DVD-레드에 대해서 상기한 레이트는 35Mbits/s이다. DVD-블루 등의 재기록가능한 상변화 광 기록 시스템에 대해서는, 50Mbits/s보다 높은 사용자 데이터 레이트가 필요하다.
종래의 상변화형 기록매체는, 연속적으로, 제 1 유전층, 명확한 상변화 화합물 GeTe의 기록층, 제 2 유전층 및 반사층을 갖는 복수의 층의 적층체를 지지하는 기판을 구비한다. 이와 같은 복수의 층의 적층체는, IPIM 구조로 불리는데, 이때 M은 반사 또는 거울층을 나타내고, I는 제 1 또는 제 2 유전층을 나타내며, P는 상변화 기록층을 나타낸다. Ge와 Te의 화합물의 기록층은, 350∼700nm의 범위의 레이저광 파장에서 비정질 상과 결정상 사이에 비교적 높은 반사율 차이를 갖는다. 추가적으로, Ge 및 Te의 화합물의 기록층은 약 180℃의 비교적 높은 결정화 온도로 인해 양호한 열 안정성을 갖는다. 높은 열 안정성은 일반적으로 저장매체의 필요조건인 높은 기록수명을 제공한다.
이 종래의 기록매체의 문제점은, Ge 및 Te의 화합물의 기록층의 CET가 조성비에 대해 매우 민감하다. 50:50의 정확한 비율만이 만족할 정도로 짧은 CET를 제공한다. 이와 같은 민감성으로 인해, 제조 재현가능성이 떨어진다는 문제점이 있었다.
결국, 본 발명의 목적은, DVD-블루와 같은 고속 데이터 레이트 광 기록에 적합하고, 50ns 이하의 CET 값을 가지며, 제조하기가 용이한, 서두에 기재된 종류의 광 정보매체를 제공함에 있다.
이와 같은 목적은,
- 기록층이 화학식 GexTe100-x의 화합물을 포함하고
(이때, x는 at.% 단위를 갖는 Ge의 분율이고, 30<x<70이다),
- 제 1 유전층은, Ta 및 Si의 산화물, Si 및 Al의 질화물과 Si의 탄화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함하며, 기록층과 접촉하여 존재하는 구성으로 달성된다.
제 1 유전층의 이들 산화물, 질화물과 탄화물은 기록층의 Ge 및 Te의 화합물의 사용가능한 조성범위를 대폭적으로 확장시킨다는 것이 밝혀졌다. 사용가능한 조성 범위는 낮은 CET를 갖는 Ge 및 Te의 조성 범위이다. 추가적으로, 이들 산화물, 질화물 및 탄화물을 사용할 때, CET는 놀랍게도 조성 범위 30<x<70에 대해, 예를 들면 약 2배 이상으로, 훨씬 낮아진다. 폭넓은 사용가능한 조성 범위는, Ge 및 Te의 화합물의 조성이 CET를 증가시키지 않으면서 상당히 변화될 수 있으므로, 제조시에 유리하다. 양호한 결과를 얻기 위해 더 이상 정확한 50:50의 비율, x=50이 요구되지 않는다.
일 실시예에 있어서는, 제 1 유전층 뿐만 아니라 제 2 유전층도, Ta 및 Si의산화물, Si 및 Al의 질화물과 Si의 탄화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함하며, 기록층과 접촉하여 존재한다. 이와 같은 구성은, 기록층의 양면이 Ta 및 Si의 산화물, Si 및 Al의 질화물과 Si의 탄화물의 유전층들과 접촉하여, 예를 들면 약 3배 정도의 더 낮은 CET와, 기록층의 화합물의 더 넓은 조성 범위를 제공한다는 이점을 갖는다.
바람직하게는, 제 1 유전층과 제 2 유전층은 Ta2O5와 Si3N4로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함한다. 이들 물질들은, 용이하게 제조될 수 있다는 이점을 갖고, 사용가능한 조성 범위를 넓히고 CET를 낮추는데 매우 적합한 것으로 밝혀졌다.
바람직한 실시예에 있어서, 제 1 유전층과 제 2 유전층은 최대 15nm의 두께를 갖는다. Ta2O5및 Si3N4의 열 전도율이 유전층으로 빈번하게 사용되는 물질인 (ZnS)80(SiO2)20보다 우수하기 때문에, Ta2O5또는 Si3N4층과 접촉하는 기록층의 전력 감도(power sensitivity)가 더 낮아진다. 그러나, 15nm보다 얇은 Ta2O5또는 Si3N4층을 사용할 때, 기록전력 감도에 미치는 효과가 존재하지 않거나 거의 존재하지 않는다.
더욱 바람직한 실시예에 있어서, 제 1 유전층과 제 2 유전층은 2∼10nm 범위의 두께를 갖는다. 2∼10nm의 범위를 갖는 층은 기록전력 감도에 뚜렷한 영향을 미치지 않는다. 2nm보다 얇은 층은, 이와 같은 얇은 층의 두께 조절이 곤란하고, 이와 같은 얇은 층에서 핀홀의 발생가능성이 더 높기 때문에, 신뢰성있게 제조하기가곤란하다.
40<x<60인 것이 바람직한데, 이때 x는 화합물 GexTe100-x의 화학식에 있는 값이다. 이와 같은 x의 값의 범위는 고속 데이터 기록을 위해 필요한 낮은 CET를 얻는데 매우 적합하다. 광 기록매체 상의 마크 크기가 주어진 레이저광 파장과 기록용 렌즈의 개구수에 대해 비교적 고정된 기록 스폿 크기에 의해 대체로 결정되기 때문에, 고속 데이터 레이트 기록은 고속 기록을 필요로 한다. 고속 기록이란, 본 명세서에서는, 레이저광 빔에 대해 적어도 7.2m/s의 기록매체의 선속도를 의미하는 것으로 이해되어야 하며, 이 속도는 콤팩트 디스크 표준에 따른 속도의 6배이다. 바람직하게는, CET 값은, CD 속도의 8배에 해당하는 9.6m/s의 선속도에 필요한 값인 45ns보다 작거나, 심지어는 CD 속도의 12배에 해당하는 14.4m/s의 선속도에 필요한 값인 35ms보다 작아야만 한다. 기록매체의 지터는 낮은 일정한 레벨에 존재해야만 한다. 더구나, 기록매체는 양호한 열적 안정성을 가져야만 한다.
기록층의 화합물은 추가적으로 5 at.%에 이르는 양의 O 또는 N을 포함할 수 있다. O와 N의 추가는 1.5배에 이르는 더 짧은 CET를 제공한다. 산소 또는 질소가 화합물에 0.01 내지 5 at.%, 바람직하게는 1.5 내지 2.0 at.%의 적은 양으로 존재할 때, CET 값이 상당히 줄어들 수 있다. 0.01 at.%보다 낮은 산소 및 질소 값들은, 기록층이 얻어지는 공정 조건으로 인해, 예를 들면 산소 또는 질소 배경 압력이 불가피하게 존재하는 불활성 가스 분위기에서 스퍼터링하는 것으로는, 거의 얻어질 수 없다. 5 at.%보다 큰 산소 또는 질소 농도에서는, 기록층의 CET 값이 50ns보다 높게 상승하고, 지터와 DOW 순환성(cyclability)이 악영향을 받는다. 또한,DOW 과정 동안 비정질 및 결정 반사율의 최대 변화가 허용할 수 없게 작아진다. 더구나, 산소 또는 질소 함량이 너무 높을 때에는 산화물 또는 질화물이 형성되기 쉽기 때문에, 기록된 비정질 마크들에 불안정하게 될 수 있다.
반사층은, Al, Ti, Au, Ag, Cu, Rh, Pt, Pd, Ni, Co, Mn, Cr, Mo, W, Hf 및 Ta과 그들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속들 중에서 적어도 1종을 포함한다.
습기로부터 기록층을 보호하고, 기판 및/또는 반사층으로부터 기록층을 단열하며, 광학 콘트라스트를 최적화하기 위해, 제 1 및/또는 제 2 유전층에 인접하여 추가적인 유전층이 존재할 수 있다. 일반적으로, 레이저광은 기록층에 도달하기 전에 먼저 제 2 유전층을 통과한다.
특히, 제 3 유전층으로부터 멀리 떨어진 측에, 제 1 유전층에 인접하여 제 1 유전층과 반사층 사이에 존재할 수 있다. 두께는 일반적으로 10 내지 50nm, 바람직하게는 15 내지 35nm이다. 이 층이 너무 얇으면, 기록층/제 1 유전층과 추가적인 층, 즉 반사층 사이의 단열이 악영향을 받는다. 그 결과, 기록층의 냉각 속도가 증가되며, 이것은 느린 재결정화 또는 소거 과정과 열악한 순환성을 발생한다. 제 3 유전층의 두께를 증가시키면, 냉각 속도가 줄어든다.
제 4 유전층은, 기록층으로부터 멀리 떨어진 측에, 제 2 유전층에 인접하여 존재할 수 있다.
지터의 관점에서 보면, 레이저광이 먼저 입사되는 유전층과 인접한 유전층들의 전체 두께는 바람직하게는 적어도 70nm이다. 결정 환경에 있는 비정질 기록 마크들을 판독하기 위한 최적의 광학 콘트라스트의 관점에서 보면, 사용된 레이저광 파장과 유전층 또는 유전층들의 굴절률에 의존하여, 이 층 또는 이들 층의 두께는 70nm보다 큰 최적값으로 설정된다. 선택적으로, 기판의 반대쪽에 있는 적층체의 최외층은, 예를 들면 UV광 경화된 폴리아크릴산(메타크릴산)의 보호 커버층을 사용하여 외부로부터 보호된다. 기판과 커버층은 교체될 수 있는데, 이 경우에는 레이저광이 적층체에 입사되기 전에 먼저 기판을 통과하게 된다.
CET 값은 20 내지 200nm의 반사층의 두께에 거의 영향을 받지 않는다. 그러나, 반사층이 60nm보다 두꺼울 때에는, 냉각 속도가 너무 낮으므로, 순환성이 악영향을 받는다. 반사층이 160nm 이상일 때에는, 순환성이 더욱 열화되며, 증가된 열 전도로 인해 기록 및 소거 전력이 높아져야만 한다. 바람직하게는, 반사층의 두께는 80 내지 120nm이다.
추가적인 유전층들, 즉 제 3 및 제 4 유전층은 ZnS와 SiO2의 혼합물, 예를 들면 (ZnS)80(SiO2)20의 혼합물로 구성된다.
반사층들과 유전층들은 증착 또는 스퍼터링에 의해 설치될 수 있다.
레이저광 빔이 먼저 정보매체의 기판을 통해 입사될 때, 이 기판은 적어도 레이저 파장에 투명하며, 예를 들면 폴리카보네이트, 폴리메탈 메타크릴산(PMMA), 비정질 폴리올레핀 또는 유리로 제조된다. 통상적인 예에서, 기판은 디스크 형태를 가지며, 120mm의 직경과 0.1, 0.6 또는 1.2mm의 두께를 갖는다.
기록 적층체의 면에 있는 광 정보매체의 기판의 표면에는, 바람직하게는, 광학적으로 주사될 수 있는 서보트랙이 설치된다. 이 서보트랙은 종종 나선형 그루브로 구성되고, 주입성형 또는 프레싱 중에 몰드를 사용하여 기판 내부에 형성된다. 이와 달리, 이들 그루브는, 기판 상에 별도 설치된 예를 들면 UV 광경화된 아크릴산의 투명 스페이서층의 합성수지에 복제공정으로 형성될 수도 있다. 고밀도 기록에서, 이와 같은 그루브는 예를 들면 0.6∼0.8㎛의 피치를 갖고, 0.5㎛의 폭을 갖는다.
고밀도 기록 및 소거는, 예를 들면 670nm 이하의 파장의 갖는 단파장 레이저를 사용하여 달성될 수 있다.
상기한 상변화 기록층은, 진공 증착, 전자빔 진공증착, 화학기상증착, 이온 도금 또는 스퍼터링에 의해 기판에 가해질 수 있다. 스퍼터링이 사용될 때, 원하는 양의 산소 또는 질소를 갖는 Ge-Te 스퍼터 타겟이 사용되거나, Ge-Te 타겟이 사용되어, 스퍼터링 가스 내부의 산소 또는 질소의 양을 조절할 수 있다. 실제적으로, 스퍼터링 가스 내부의 산호 또는 질소의 농도는 거의 제로값과 10 부피% 사이의 값을 갖는다. 적층된 층은 비정질로 낮은 반사율을 나타낸다. 높은 반사율을 갖는 적절한 기록층을 구성하기 위해, 이 층은 먼저 완전히 결정화되어야만 하는데, 이것은 일반적으로 초기화로 불린다. 이를 위해, 기록층은 Ge-Te, Ge-Te-O 또는 Ge-Te-N 화합물의 결정화 온도, 예를 들면 190℃보다 높은 온도로 가열로에서 가열될 수 있다. 이와 달리, 폴리카보네이트 등의 합성수지 기판이 충분한 전력의 레이저광 빔에 의해 가열될 수도 있다. 이것은, 예를 들면 레코더에서 구현될 수 있는데, 이 경우에 레이저광 빔은 움직이는 기록층을 주사한다. 그후, 기판이 바람직하지 않은열 부하를 겪지 않으면서, 비정질층이 이 층을 결정화하는데 필요한 온도로 국부적으로 가열된다.
본 발명에 따른 광 정보매체를 예시적인 실시예를 사용하여 다음의 첨부도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다:
도 1은 본 발명에 따른 광 정보매체의 개략적 단면도로서, 치수가 축적에 맞추어 도시되지 않았고,
도 2는 종래의 기록매체의 CET를 본 발명에 따른 기록매체의 CET와 비교하여 도시한, GexTe100-x기록층의 x의 값에 대한 완전소거시간(CET, 단위 ns)의 의존성을 나타낸 그래프이며,
도 3은 본 발명에 따른 기록매체의 Ge49.5Te50.5의 산소의 함량에 대한 완전소거시간(CET, 단위 ns)의 의존성을 나타낸 그래프이다.
실시예:
도 1에서, 레이저광 빔(10)을 사용하여 소거가능한 기록을 위한 정보매체(20)는 기판(1)을 갖는다. 이 위에 복수의 층의 적층체(2)가 설치된다. 적층체(2)는, 제 1 유전층(5) 및 제 2 유전층(7)과, 비정질 상태와 결정 상태 사이에서 변화될 수 있는 기록층(6)을 갖는다. 기록층은 제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7) 사이에 배치된다. 더구나, 반사층(3)이 존재한다. 기록층은 화학식Ge49.5Te50.5의 화합물을 포함한다. 기록층(6)의 화합물은 추가적으로 5 at.%에 이르는 양의 O 또는 N을 포함할 수 있다. 기록층은, 670nm의 레이저광 파장에 최적화된 28nm의 두께를 갖는다.
제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7)은 Si3N4로 구성되며, 기록층(6)과 접촉하여 존재한다. Si3N4에 대한 양호한 대체물은 Ta2O5이다. 제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7)은 5nm의 두께를 갖는다.
반사층(3)은 100nm의 두께를 갖는 Al을 포함한다.
예를 들면, (ZnS)80(SiO2)20의 제 3 유전층(4)과 제 4 유전층(8)이 제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7)에 인접하여 각각 존재한다. 제 3 유전층의 두께는 20nm이고 제 4 유전층의 두께는 90nm이다. 이와 같은 적층체에 있어서는, 670nm의 레이저광 파장에서, 비정질 반사율 Ra는 3.8%이고 결정 반사율 Rc는 36.5%이다.
기판(1)은 120nm의 직경과 0.6mm의 두께를 갖는 폴리카보네이트제의 디스크 형태의 기판이다.
100㎛의 두께를 갖는 UV 경화된 수지 다이큐어(Daicure) SD645로 제조된 커버층이 제 4 유전층(8)에 인접하여 존재한다.
405nm의 레이저광 파장이 사용될 때, 기록층(6)의 최적의 두께는 15nm이고, 제 3 및 제 4 유전층(4, 8)은 각각 20 및 135nm의 두께를 갖는다. 적층체(2)의 나머지 층들과 기판(1)은 변화되지 않은 상태로 유지된다. 이와 같은 적층체(2)에 있어서는, 405nm의 레이저광 파장에서, 비정질 반사율 Ra는 0.8%이고 결정 반사율 Rc는 22.9%이다.
도 2는 도 1에 따른 II'PI'IM에서 Si3N4의 제 1 및 제 2 유전층과 접촉하지만, 기록층(6)에 산소를 추가하지 않은, GexTe100-x기록층의 x의 값에 대한 완전소거시간(CET)의 의존성을 나타낸 그래프(21)를 나타낸 것이다. 비교를 위해, 제 1 및 제 2 유전층이 표준 물질 (ZnS)80(SiO2)20으로 교체되었을 때의 다른 그래프(22)를 도시하였다. 본 발명에 따른 제 1 및 제 2 유전층을 사용하는 본 발명에 따른 기록매체에서는, 대략 3배의 CET의 감소가 얻어진다는 결론이 얻어졌다.
도 3은 도 1에 따른 적층체에서 3.5 at.%에 이르는 양으로 기록층(6)의 화합물 Ge49.5Te50.5에 O가 존재할 때의 CET(단위 ns)의 영향을 나타낸 그래프(23)이다. 질소의 추가로 유사한 효과가 얻어진다. 따라서, 최적의 실시예에 있어서, 기록층(6)은 1.87 at.%의 산소가 존재하는 화학식 Ge49.5Te50.5로 구성된다.
본 발명에 따르면, Ta 및 Si의 산화물, Si 및 Al의 질화물 또는 Si의 탄화물의 화합물을 포함하는 적어도 한 개의 유전층과 접촉하는 Ge-Te 화합물의 기록층을 갖고, 폭넓은 사용가능한 조성 범위를 가져, 제조하기가 용이하며, 낮은 완전소거시간(CET) 값을 갖고, 직접 오버라이트와 고속 데이터 레이트 기록에 적합하며, 7.2m/s 이상의 선속도에서 양호한 순환성과 낮은 지터를 나타내는, DVR-블루 등의 재기록가능한 광 정보매체가 제공된다. 기록층 내부의 산소 또는 질소의 존재는45ns 이하의 값에 이르는 CET의 추가적인 감소를 제공한다.

Claims (10)

  1. 레이저광 파장을 갖는 레이저광 빔(10)을 이용하여 소거가능한 기록을 하고, 기판(1)과 그 위에 설치된 복수의 층으로 구성된 적층체(2)를 가지며, 이 적층체(2)가, 제 1 유전층(5) 및 제 2 유전층(7)과, 비정질 상태와 결정 상태 사이에서 변화될 수 있으며 제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7) 사이에 배치된 기록층(6)과, 반사층(3)을 구비한 광 정보매체에 있어서,
    - 상기 기록층(6)이 화학식 GexTe100-x의 화합물을 포함하고
    (이때, x는 at.% 단위를 갖는 Ge의 분율이고, 30<x<70이다),
    - 상기 제 1 유전층(5)은, Ta 및 Si의 산화물, Si 및 Al의 질화물과 Si의 탄화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함하며, 기록층(6)과 접촉하여 존재하는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  2. 제 1항에 있어서,
    제 2 유전층(7)은, Ta 및 Si의 산화물, Si 및 Al의 질화물과 Si의 탄화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함하며, 기록층(6)과 접촉하여 존재하는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  3. 제 2항에 있어서,
    제 1 유전층(5)은 Ta2O5와 Si3N4로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함하고, 제 2 유전층(7)은 Ta2O5와 Si3N4로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  4. 제 3항에 있어서,
    제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7)은 최대 15nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  5. 제 4항에 있어서,
    제 1 유전층(5)과 제 2 유전층(7)은 2∼10nm 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  6. 제 1항에 있어서,
    40<x<60인 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    기록층(6)의 화합물은 5 at.%에 이르는 양의 O를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  8. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    기록층(6)의 화합물은 5 at.%에 이르는 양의 N을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  9. 제 1항에 있어서,
    반사층(3)은, Al, Ti, Au, Ag, Cu, Rh, Pt, Pd, Ni, Co, Mn, Cr, Mo, W, Hf 및 Ta과 그들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속들 중에서 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보매체(20).
  10. 레이저광 빔과 기록매체 사이의 상대 속도가 최소한 7.2m/s인, 고속 기록을 위한 광 정보매체(20)의 용도에 있어서,
    선행하는 청구항 중에서 어느 한 항에 기재된 광 정보매체(20)가 사용되는것을 특징으로 하는 용도.
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