JP2007128647A - 光学情報媒体及びその使用 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザー光のビームによる消去可能な記録用の光学情報媒体を提供する。
【解決手段】基板1は、第一の誘電体の層4と第二の誘電体の層6との間に相変化記録層5をもつ層のスタック2を保持する。AcとAaが、350−450nmの範囲より選択されたレーザー光の波長で結晶の状態及び非晶質の状態における記録層5において吸収されたレーザー光のそれぞれの量であるとして、0.8<Ac/Aa<1.50を達成するために、光吸収性の層7は、記録層5のすぐ近くに存在し、式QRxの化合物で作られ、ここで、Qは、元素Si、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb又はTaであり、Rは、元素O又はNであり、0<x=2.5である。このようにして高いデータ転送速度及び低いデータのジッタは、光学情報媒体の製造中にxを最適値に調整することによって、この短い波長範囲で達成される。
【選択図】図1
【解決手段】基板1は、第一の誘電体の層4と第二の誘電体の層6との間に相変化記録層5をもつ層のスタック2を保持する。AcとAaが、350−450nmの範囲より選択されたレーザー光の波長で結晶の状態及び非晶質の状態における記録層5において吸収されたレーザー光のそれぞれの量であるとして、0.8<Ac/Aa<1.50を達成するために、光吸収性の層7は、記録層5のすぐ近くに存在し、式QRxの化合物で作られ、ここで、Qは、元素Si、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb又はTaであり、Rは、元素O又はNであり、0<x=2.5である。このようにして高いデータ転送速度及び低いデータのジッタは、光学情報媒体の製造中にxを最適値に調整することによって、この短い波長範囲で達成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザー光の波長を有するレーザー光のビームによる消去可能な記録のための光学情報媒体に関し、前記媒体は、基板及びそれに提供された層のスタックを有し、そのスタックは、
− 非晶質の状態と結晶の状態との間で変化することができる記録層
を含み、前記記録層は、第一の誘電体の層と第二の誘電体の層との間に挿入され、且つ、
そのスタックは、
− その記録層のすぐ近くに光吸収性の層
を含む。
− 非晶質の状態と結晶の状態との間で変化することができる記録層
を含み、前記記録層は、第一の誘電体の層と第二の誘電体の層との間に挿入され、且つ、
そのスタックは、
− その記録層のすぐ近くに光吸収性の層
を含む。
また、本発明は、このような高速記録用の光学情報媒体の使用にも関する。
冒頭の段落に記載するタイプの光学情報媒体は、米国特許第5,652,036号明細書(特許文献1)から知られている。既知の媒体は、冒頭の段落に記載する層及び追加の層を含む、層のスタックを所持する基板を有する。
相変化の原理に基づく光データ記憶媒体は、それが、ダイレクトオーバーライト(DOW)及び高い記憶密度の可能性を、読み取り専用光データ記憶システムとの容易な互換性と組み合わせるので、魅力的である。相変化光記録は、集束した比較的高いパワーのレーザー光のビームを使用する、結晶の記録層におけるサブミクロンメートルの大きさにある非晶質の記録マークの形成を伴う。情報の記録中に、媒体を、記録される情報に従って変調される集束したレーザー光のビームに対して移動させる。高いパワーのレーザー光のビームが、結晶の記録層を融解させるとき、記録マークを形成する。レーザー光のビームが、スイッチを切られる及び/又は引き続き記録層に対して移動するとき、融解したマークの消失は、記録層で起こり、露出してないエリアに結晶を残す記録層の露出したエリアに非晶質の情報マークを残す。書き込まれた非晶質のマークの消去は、記録層を融解させることなく、より低いパワーレベルにおける同じレーザーでの加熱を通じて、再結晶によって実現される。非晶質のマークは、比較的低いパワーの集束したレーザー光のビームによって例えば基板を介して読み取ることができる、データビットを表す。結晶の記録層に対する非晶質のマークの反射の差は、記録された情報に従って検出器によって変調された光電流に引き続き変換される、変調されたレーザー光のビームを引き起こす。
相変化光記録において最も重要な要求の一つは、データを少なくとも30メガビット/秒の速度で媒体に書き込む及び再書き込みすることができることを意味する、高いデータ転送速度である。このような高いデータ転送速度は、記録層が高い結晶化速度、即ち短い結晶化時間を有することを要求する。以前に記録された非晶質のマークをダイレクトオーバーライト中に再結晶させることができることを保証するために、記録層は、レーザー光のビームに対して媒体の速度を調和させるために、適切な結晶化速度を有さなければならない。結晶化速度が十分高くはないとすれば、DOW中に、古いデータを表す、以前の記録からの非晶質のマークを完全に消去する(再結晶することを意味する)ことができない。これは、高い雑音レベルを引き起こす。高い結晶化速度は、新世代の高い密度のデジタル・バーサタイル・ディスク+RWの略語である、円盤状のDVD+RW、DVR−赤及び青のような、高密度記録媒体及び高いデータ転送速度の光学記録媒体で特に要求され、ここでRWは、このようなディスク、及びディジタル・ビデオ・レコーディング光記憶ディスクの再書き込み可能性(rewritability)を参照し、ここで赤及び青は、使用するレーザー波長を参照する。これらのディスクに対して、完全消去時間(CET)は、高々60nsでなければならない。CETは、静的に測定される、結晶環境における書き込まれた非晶質のマークの完全な結晶化に関する消去パルスの最小の持続時間として定義される。120mmのディスク毎に4.7GBの記録密度を有するDVD+RWに対して、33メガビット/秒のデータビット速度が必要とされ、DVR−赤に対しては、前記速度は、35メガビット/秒である。DVR−青のような再書き込み可能な相変化光記録システムに対しては、50メガビット/秒より高いユーザデータ転送速度が要求される。
相変化光学記録媒体における付加的な重要な項目は、このような媒体が高密度記録、例えば120mmのディスク直径で3ギガバイト以上の記憶容量、に適するように、高い記憶容量を得ることである。相変化光学情報媒体の記憶密度は、マークの半径方向の密度、及び接線方向の密度の両方によって決定される。トラックのピッチは、半径方向の密度、即ち隣接するトラックの中心線間の距離、を決定する。トラックのピッチは、熱的なクロストークによって制限される。これは、トラックに記録されたデータの質は、隣接するトラックによって影響されることを意味する。次に、記録されるマークの形状は、歪む場合もあり、大きなジッタに帰着する。接線方向の密度は、チャンネルビット長によって決定され、それは、標準的なIPIMスタックを使用するとき、非晶質の状態の光吸収が結晶の状態のものよりも高いという事実によって制限される。このスタックにおいて、Iは、誘電体の層を表し、Pは、相変化記録層を表し、Mは、反射又は鏡層を表す。それによって、記録層がレーザー光で照射されるとき、非晶質の部分は、結晶の部分よりも高い温度まで加熱される。その結果、結晶のエリアに書き込まれたマークは、非晶質のエリアで上書きされたものよりも小さい。このような現象は、チャンネルビット長の逆数に比例する、ジッタの増加を引き起こす。問題を克服するために、記録層の結晶のエリアのみで吸収されるレーザー光の量は、好ましくは、記録層の非晶質のエリアのみで吸収されるレーザー光の量に実質的に等しいか又はそれ以上であるべきである。これらの吸収される量は、それぞれ、Ac及びAaとして短縮される。
前記の米国特許第5,652,036号明細書から、可能なスタックの多くの交換、例えばIAIPIMスタックが、知られており、ここでI、P、及びMは、上述の意味を有し、Aは、光吸収性の層を表す。光吸収性の層は、誘電体の材料及び金属又は半導体材料の混合物からなる。光吸収性の層Aの追加の結果は、AcとAaとの間の差は、より小さく、このようにしてマークの歪みを減少させるということである。
既知の記録媒体の欠点は、それは、約680nmの比較的長いレーザー光の波長で記録することに適するのみであるということである。高密度記録に対しては、レーザー記録スポットの直径が、使用するレーザー光の波長に正比例するので、好ましくは、より小さな、例えば450nmよりも小さな波長を使用する。より小さなレーザー記録スポットは、より小さな非晶質のマークに、従ってより高い可能な記録密度に、帰着する。400nmの波長では、誘電体の材料及び金属又は半導体材料を含む前記既知の光吸収性の層は、金属あるいは半導体材料の光学的な分散特性によって、一般には、680nmの波長におけるよりもはるかに高い吸収を有する。これは、光学記録媒体を設計する及び製造する余白部を望ましくないが小さくさせる。吸収層における短い波長レーザー光の吸収は、その層の構成及び厚さにおけるわずかな変動に対して非常に敏感である。さらに、その厚さは、製造可能性の観点からは望ましくないが、その高い吸収のために、非常に小さくなければならないかもしれない。
米国特許第5,652,036号明細書
本発明の目的は、350−450nmの範囲におけるレーザー光の波長で高いデータ転送速度及び高密度記録に適すると共に製造することが容易である、冒頭の段落に記載したタイプの消去可能な記録用の光学情報媒体を提供することである。
この目的は、光吸収性の層が、0.8<Ac/Aa<1.50であることを達成するために、式QRxの化合物を含み、ここでQは、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb及びTaからなる群より選択された元素であり、Rは、O及びNからなる群より選択された元素であり、且つ、
上述した高いデータ転送速度の記録という用語は、この文書においては、コンパクト・ディスクの規格による速度の六倍である、少なくとも7.2m/sのレーザー光のビームに対する媒体の線速度を意味することを理解することができる。重要なパラメーターは、上に定義するCETである。CETは、その回転において最大のデータ転送速度を決定する、結晶化速度に反比例する。好ましくは、CETの値は、CDの速度の八倍に相当する9.6m/sの線速度に必要な45ns以下、又はさらにCDの速度の十二倍に相当する14.4m/sの線速度に必要な35ns以下で、あるべきである。媒体のジッタは、低い一定のレベルにあるべきである。従って、結晶化速度が、非晶質のマークの直径における変動によりジッタを増加させることなく、少なくともこの記録速度を許容するのに十分に速いので、本発明による光学記録媒体の使用は有利である。
化合物QRxの光吸収性の層の存在は、Acが、350−450nmの範囲から選択された波長でAaに実質的に等しいか又はそれよりも高いことを保証する。これを、xを変動させることによって正確に調整することができる。例えば、400nmの波長における化合物SiOxの複素屈折率
Ac>Aaであるとき、より高いデータ転送速度を得ることができる。この場合には、記録層を、与えられたパルス持続時間又は停止時間を有するレーザー光で照射するとき、記録層の結晶の部分を、非晶質のマークより高い温度まで加熱してもよい。非晶質のマークの消去するために、温度を、しばらく、少なくともCET値である結晶化温度Tx以上に維持しなければならない。結晶のバックグラウンドが、消去される非晶質のマークよりも高い温度を得るので、熱は、マークへ拡散することになり、その結果としてマークは、より低い速度で冷めて、より長い時間Tx以上のままであることになる。遅い冷却速度のために、非晶質のマークは、同じ停止時間を使用して、CETに等しいか又はそれより長い時間、Tx以上の温度にとどまり得る。本発明による光吸収性の層を有する媒体の構造で、CETを低下させることなく、より高いデータ転送速度を達成する。これとは対照的に、AcがAaよりも実質的に低いスタックは、速い冷却構造に帰着するかもしれない、即ち結晶のバックグラウンドは、非晶質のマークよりも低い温度を有するかもしれない。次に、熱は、マークから結晶のバックグラウンドへ拡散する。同じ停止時間及びパワーで、マークがTx以上である時間は、CETよりも短いかもしず、その場合には非晶質のマークは、完全には消去されない。
実施例において、Qは、Si又はGeであり、Rは、Oである。Siは、それが半導体産業におけるその頻繁な使用により非常に容易に得られるので、好ましい。
第三の誘電体の層は、記録層から遠い側で光吸収性の層の近くに存在してもよい。第三の誘電体の層は、もしあれば、光吸収性の層と光吸収性の層の側と対向する第三の誘電体の層の側に存在する材料との間における移動を防止する。さらに、それは、スタックの冷却速度を、従って書き込み感度を調整する。加えて、第三の誘電体の層は、特に第三の誘電体の層が基板から遠い側に存在するとき、環境の影響に対して保護障壁として作用する。レーザー光のビームは、第一の誘電体の層又は第三の誘電体の層を通じてスタックに入射してもよい。
第三の誘電体の層の厚さは、保護力と製造可能性の間において適切なバランスを有するために、好ましくは2及び200nmの間に、より好ましくは10及び100nmの間にある。厚さが2nmよりも小さいとき、その断熱は、低くなる場合もある。例えば、金属反射層又は基板は、第三の誘電体の層に隣接して存在してもよい。その結果、スタックの冷却速度、結果として書き込みのパワーは、増加する。200nm以上の厚さで、スタックの冷却速度は、低くなりすぎる場合もある。
記録層は、Ge及びTeの化合物、例えばGeTeを含む。この相変化材料は、比較的高い光学的なコントラストCを有するという利点を有する。
記録層として適切な他の既知の材料は、例えばGe−Sb−Te、In−Se、In−Se−Sb、In−Sb−Te、Te−Ge、Te−Se−Sb、Te−Ge−Se、又はAg−In−Sb−Teの合金である。特に有用なのは、出願人が出願した米国特許5,876,822に記載する化合物である。これらの化合物は、短い完全消去時間(CET)を示し、式Ge50xSb40−40xTe60−10xによって原子百分率で定義される組成を有し、ここで
他の有用な化合物は、出願人が出願した米国特許6,127,049に記載してある。これらの化合物は、三元相図Ge−Sb−Teにおけるエリアによって定義される組成を有し、前記エリアは、次の頂点P、Q、R、S及びT、
Ge14.2Sb25.8Te60.0 (P)
Ge12.7Sb27.3Te60.0 (Q)
Ge13.4Sb29.2Te57.4 (R)
Ge15.1Sb27.8Te57.1 (S)、
Ge13.2Sb26.4Te60.4 (T)、
を有する五角形の形状である。
Ge14.2Sb25.8Te60.0 (P)
Ge12.7Sb27.3Te60.0 (Q)
Ge13.4Sb29.2Te57.4 (R)
Ge15.1Sb27.8Te57.1 (S)、
Ge13.2Sb26.4Te60.4 (T)、
を有する五角形の形状である。
これらの化合物で、50ns以下のCET−値を達成することができる。
他の有用な化合物は、組成
(GeSb2Te4)1−xTex
を有し、ここでxは、
(GeSb2Te4)1−xTex
を有し、ここでxは、
これらの化合物は、三元相図において、五角形のエリアPQRST内であるが、GeSb2Te4及びTeを接続する対応線に位置する。これらの化合物で、45nsより低いCET−値が得られる。
3.5アト%(at.%)まで酸素を、上述のGe−Sb−Te化合物のどれか一つに加えるとき、さらにより低いCET−値が得られる。
述べたGe−Sb−Te化合物の結晶化速度又はCET−値は、記録層の層の厚さに依存する。CETは、層の厚さが増加すると、急速に減少する。記録層が25nmよりも厚いとき、CETは、本質的にその厚さと無関係である。35nmより大きいと、媒体の繰り返し使用可能性(cyclability)は、悪影響を及ぼされる。媒体の繰り返し使用可能性は、多数、例えば105回のDOW−サイクルの後に、光学的なコントラストCの相対的な変化によって測定される。サイクル毎に、レーザー光のビームでの加熱を通じた再結晶は、新しい非晶質のマークが書き込まれる一方で、古い非晶質のマークを消去する。理想的な場合において、光学的なコントラストCは、サイクリングの後に変化しないままである。繰り返し使用可能性は、実際には、35nmの記録層における層の厚さまで一定である。CET及び繰り返し使用可能性に関する組み合わせの要求の結果として、記録層の厚さは、好ましくは5及び35nmの間、より好ましくは10及び30nmの間の範囲にある。10及び30nmの間の厚さをもつ記録層を有する媒体は、第一の105回のDOW−サイクル中に一定の低いジッタを有する。
反射層は、Al、Ti、Au、Ag、Cu、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn、Cr、Mo、W、Hf及びTaからなる群より選択される金属(その合金を含む)の少なくとも一つを含む、スタックに存在してもよい。一般的に、この反射層は、もしあれば、レーザー光のビームが入射するスタックの側と反対のスタックの側に存在する。レーザー光のビームが最初に記録層を通過するとき、吸収層は、反射層として作用してもよく、その場合には反射金属層は、要求されない。しかし光学情報媒体の種類に依存して、反射金属層は、その仕様書を満たすための十分な絶対反射を得るために、要求される場合もある。
第一、第二及び第三の誘電体の層は、ZnS及びSiO2の混合物、例えば(ZnS)80(SiO2)20からなってもよい。また、それらの層は、SiO2、TiO2、ZnS、Si3N4、AlN又はTa2O5からなってもよい。好ましくは、SiC、WC、TaC、ZrC又はTiCのような炭化物を使用する。これらの材料は、ZnS−SiO2の混合物よりも高い結晶化速度及びより良好な繰り返し使用可能性を与える。
既に前述したように、第二の誘電体の層は、光吸収性の層と記録層との間における移動又は拡散による合金化を防止する。さらに、その厚さは、干渉効果により、Ac及びAaの比を微調整する場合もある。その厚さは、好ましくは2及び75nmの間に、より好ましくは15及び60nmの間に達する。2nmよりも小さな厚さは、ひび割れの形成を引き起こす場合もあり、繰り返し使用可能性を減少させる。75nmよりも大きな厚さは、記録層の冷却速度を減少させ、光吸収性の層の効果を減少させる。
相変化記録層を、電子ビーム蒸着、化学気相蒸着、イオンプレーティング又はスパッタリングのような真空蒸着によって基板に塗布してもよい。蒸着されたような層は、非晶質のものであり、低い反射を示す。高い反射を有する適切な記録層を構成するために、この層を最初に完全に結晶化させなければならず、通常初期化と呼ばれる。この目的のために、記録層を、Ge−Te、Ge−Te−O又はGe−Te−Nの化合物の結晶化温度、例えば190℃、以上の温度まで燃焼室で加熱することができる。代わりに、ポリカーボネートのような合成樹脂基板を十分なパワーのレーザー光のビームによって加熱することができる。これを、例えば記録計において実現することができ、その場合には、レーザー光のビームは、移動する記録層を走査する。次に、非晶質の層を、基板が不都合な熱負荷を受けることなく、その層を結晶化させるために必要とされる温度まで局所的に加熱する。
光吸収性の層をスパッタリングによって基板に塗布してもよい。所望の量の酸素又は窒素を有するSi、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb又はTaのスパッタターゲットを適用することができるか、又は前記元素の純粋なターゲットを使用することができ、それによってスパッタガスにおける酸素又は窒素の量を制御する。実際には、スパッタガスにおける酸素又は窒素の濃度は、ほとんど零とおおよそ30体積%との間で典型的でなることになる。
情報媒体の基板は、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、非晶質のポリオレフィン又はガラスからなる。典型的な例において、基板は、円盤状であり、120mmの直径及び0.1、0.6又は1.2mmの厚さを有する。0.6又は1.2mmの基板を使用するとき、それらの層を、第一の誘電体の層で開始してこの基板に塗布することができる。レーザー光が基板を介してスタックに入射するとすれば、前記基板は、少なくともレーザー光の波長に対して透明でなければならない。また基板におけるスタックの層を、逆の順序で、即ち第三の誘電体の層で開始して、塗布してもよく、その場合にはレーザー光のビームは、基板を通じてスタックに入射しないことになる。自由選択で、最も外側の透明な層が、環境から下にある層を保護するカバー層としてスタックに存在してもよい。この層は、上述の基板材料、又は透明な樹脂、例えば0.1mmの厚さをもつ例えばUV光で硬化するポリメタクリレート、の一つからなってもよい。レーザー光のビームが、この透明層の入射面を介してスタックに入射するとすれば、基板は、不透明であってもよい。
記録層の側における光学情報媒体の基板の表面には、好ましくは、レーザー光のビームで光学的に走査してもよいサーボトラックが提供される。このサーボトラックは、しばしば、螺旋形状の溝によって構成され、射出成型又はプレス成形中に型によって基板に形成される。代わりに、この溝を、基板に個別に提供される、例えばアクリレートのUV光で硬化する層の、合成樹脂層に複製の工程で形成してもよい。高密度記録において、そのような溝は、例えば0.5−0.8μmのピッチ、及びピッチの約半分の幅を有する、
本発明による光学情報媒体は、典型的な実施例によって、及び添付する図面を参照して、より詳細に解明されると思われる。
本発明による光学情報媒体は、典型的な実施例によって、及び添付する図面を参照して、より詳細に解明されると思われる。
[実施例]
図1において、レーザー光のビーム(10)によって消去可能な記録のための光学情報媒体(20)は、基板(1)及びそれに提供される層のスタック(2)を有する。スタック(2)は、非晶質の状態と結晶の状態との間で変化することができる記録層(5)を有する。記録層(5)は、第一の誘電体の層(4)と第二の誘電体の層(6)との間に挿入される。
図1において、レーザー光のビーム(10)によって消去可能な記録のための光学情報媒体(20)は、基板(1)及びそれに提供される層のスタック(2)を有する。スタック(2)は、非晶質の状態と結晶の状態との間で変化することができる記録層(5)を有する。記録層(5)は、第一の誘電体の層(4)と第二の誘電体の層(6)との間に挿入される。
第一及び第二の誘電体の層(4、6)は、(ZnS)80(SiO2)20で作られ、それぞれ20nm及び49nmの厚さを有する。
光吸収性の層(7)は、記録層(5)の近くに存在し、20nmの厚さを有する。光吸収性の層(7)は、式SiO0.7の化合物を含む。405nmのレーザー光の波長でAc/Aa=0.85であることは達成される。この光吸収性の層(7)の存在なしでは、Ac/Aa=0.71であり、かなりより多くの記録マークの歪みをもたらす。
第三の誘電体の層(8)は、記録層(5)から遠い側における光吸収性の層(7)の近くに存在する。第三の誘電体の層(8)の厚さは、55nmである。記録層(5)は、GeTeである。
Alの反射層(3)は、スタックに存在し、100nmの厚さを有する。このようなスタックにおいて、405nmのレーザー光の波長で、非晶質の反射Ra=4%であり、結晶の反射は、Rc=14%である。
基板1は、120mmの直径及び0.6mmの厚さを有するポリカーボネートの円盤状の基板である。
自由選択のカバー層(9)は、100μmの厚さでUVで硬化する樹脂Daicure SD 415で作られ、第三の誘電体の層に隣接して存在する。
本発明によれば、DVR−青のような、高密度の消去可能な記録のための光学情報媒体に、相変化材料の記録層のすぐ近くに光吸収性の層が提供される。光吸収性の層のレーザー光の吸収は、製造中にそのO又はNの含量を変動させることによって容易に調整可能である。これは、0.8<Ac/Aa<1.50であることを達成するためであり、ここでAc及びAaは、350−450nmの範囲より選択されたレーザー光の波長で結晶の状態及び非晶質の状態における記録層において吸収されたレーザー光のそれぞれの量である。このようにして、高いデータ転送速度及び高い記録速度は、前記波長範囲で達成される。
Claims (10)
- レーザー光の波長を有するレーザー光のビームによる消去可能な記録用の光学情報媒体であって、
当該媒体は、基板及びそれに提供された層のスタックを有し、
前記スタックは、
非晶質の状態と結晶の状態との間で変化することができる記録層
を含み、前記記録層は、第一の誘電体の層と第二の誘電体の層との間に挿入され、且つ、
前記スタックは、
前記記録層のすぐ近くの光吸収性の層
を含む光学情報媒体において、
前記光吸収性の層は、0.8<Ac/Aa<1.50であることを達成するために、式QRxの化合物を含み、
Qは、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb、及びTaからなる群より選択された元素であり、
Rは、O及びNからなる群より選択された元素であり、且つ、
0<x<2.5であり、
Ac及びAaは、350nm−450nmの範囲より選択されたレーザー光の波長で前記結晶の状態及び前記非晶質の状態における前記記録層において吸収されたレーザー光のそれぞれの量であることを特徴とする光学情報媒体。 - Qは、Si及びGeからなる群より選択された元素であることを特徴とする請求項1に記載の光学情報媒体。
- Rは、元素Oであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学情報媒体。
- 前記レーザー光の波長は、375nm−425nmの範囲より選択されることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の光学情報媒体。
- 第三の誘電体の層は、前記記録層から遠方の側で前記光吸収性の層のすぐ近くに存在することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光学情報媒体。
- 前記第三の誘電体の層の厚さは、2nmと200nmとの間にあることを特徴とする請求項5に記載の光学情報媒体。
- 前記記録層は、Ge及びTeの化合物を含むことを特徴とする請求項1又は5に記載の光学情報媒体。
- 前記記録層は、Ge、Sb、及びTeの化合物を含むことを特徴とする請求項1又は5に記載の光学情報媒体。
- 反射層は、前記スタックに存在すると共に、Al、Ti、Au、Ag、Cu、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn、Cr、Mo、W、Hf、及びTaからなる群より選択された金属、並びに、それらの合金を含むものの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1又は5に記載の光学情報媒体。
- 高速記録用の光学情報媒体の使用であって、
前記レーザー光のビームと前記媒体との間の相対的な速度は、少なくとも7.2m/sである、使用において、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光学情報媒体が使用されることを特徴とする使用。
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