JP2000339764A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】化学的安定性と光反射特性及び熱特性とが共に
優れ、その結果再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特
性、繰り返し記録再生に対する耐久性等が向上したもの
とする。 【解決手段】透明基板１上に、照射する光の出力に応じ
て非晶質又は結晶質に相変化する記録層３と、Ａｌ及び
Ｃｏを主成分としＡｌを８５．０〜９９．５原子％、Ｃ
ｏを０．５〜１５．０原子％含有する反射層５とを順次
積層した。
優れ、その結果再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特
性、繰り返し記録再生に対する耐久性等が向上したもの
とする。 【解決手段】透明基板１上に、照射する光の出力に応じ
て非晶質又は結晶質に相変化する記録層３と、Ａｌ及び
Ｃｏを主成分としＡｌを８５．０〜９９．５原子％、Ｃ
ｏを０．５〜１５．０原子％含有する反射層５とを順次
積層した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射するレーザ光
等の光線の出力に応じて非晶質又は結晶質の２状態に相
変化する記録層を有し、前記２状態における記録ビット
の光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生す
るものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
等の光線の出力に応じて非晶質又は結晶質の２状態に相
変化する記録層を有し、前記２状態における記録ビット
の光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生す
るものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の相転移を利用した書き換え可能な
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
１に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等
から成り非晶質又は結晶質の２状態に相変化可能な記録
層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
１に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等
から成り非晶質又は結晶質の２状態に相変化可能な記録
層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
【０００３】このような書き換え可能な媒体Ｍにおい
て、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射
率が異なっており、一般的に結晶質状態の方が反射率が
高いものが多い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のよ
うなものである。まず、記録層３の全ての記録ビットを
結晶化しておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化し
ておく。情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種
のレーザパワーにパルス変調されたレーザビームを照射
し、高出力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが
照射された記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高
温になり、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出
力（５〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記
録ビットでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで
昇温された後、冷却され結晶質状態になる。
て、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射
率が異なっており、一般的に結晶質状態の方が反射率が
高いものが多い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のよ
うなものである。まず、記録層３の全ての記録ビットを
結晶化しておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化し
ておく。情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種
のレーザパワーにパルス変調されたレーザビームを照射
し、高出力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが
照射された記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高
温になり、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出
力（５〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記
録ビットでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで
昇温された後、冷却され結晶質状態になる。
【０００４】上記の書込動作は、古い情報が残留してい
る上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライト（Over Writeで、以下、ＯＷと略す）が
可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程
度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か
低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報
として読み取る。
る上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライト（Over Writeで、以下、ＯＷと略す）が
可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程
度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か
低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報
として読み取る。
【０００５】上記記録層３の材料としては、Ｔｅ，Ｓ
ｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適
しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという
特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴ
ｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材
料等がある。
ｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適
しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという
特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴ
ｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材
料等がある。
【０００６】そして、従来このような相変化型の媒体Ｍ
において、有機高分子から成る盤状又はテープ状の基体
と、基体のピットないし溝を形成した面に設けられＮ
ｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ等の少なくとも一種及びＡｌ，Ｓ
ｎ，Ｃｕ等の少なくとも一種よりなる合金の被膜とを備
えたことにより、境界面における反応が少なく安定でか
つＳ／Ｎ比の良好な情報記録担体が提案されている（従
来例１：特開昭５７−２０９３３号公報参照）。
において、有機高分子から成る盤状又はテープ状の基体
と、基体のピットないし溝を形成した面に設けられＮ
ｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ等の少なくとも一種及びＡｌ，Ｓ
ｎ，Ｃｕ等の少なくとも一種よりなる合金の被膜とを備
えたことにより、境界面における反応が少なく安定でか
つＳ／Ｎ比の良好な情報記録担体が提案されている（従
来例１：特開昭５７−２０９３３号公報参照）。
【０００７】また、従来例２として、基板と、相変化記
録層と、基板と相変化記録層の間に設けられた第１の誘
電体保護層と、相変化記録層上に設けられた第２の誘電
体保護層と、第２の誘電体保護層上に設けられた金属反
射層と、更に金属反射層上に設けられた樹脂保護層とを
有し、金属反射層は、Ａｌからなる第１の金属層と、Ｎ
ｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉから選択された少なくとも
１種からなる第２の金属層と、第１及び第２の金属層の
境界部分に形成された第１の金属層及び第２の金属層の
構成元素が拡散して形成された拡散合金層とを有するこ
とにより、耐酸化性が良好な反射層を備え、かつ特性が
安定した相変化型情報記録媒体が公知である（従来例
２：特開平８−９６４１３号公報参照）。
録層と、基板と相変化記録層の間に設けられた第１の誘
電体保護層と、相変化記録層上に設けられた第２の誘電
体保護層と、第２の誘電体保護層上に設けられた金属反
射層と、更に金属反射層上に設けられた樹脂保護層とを
有し、金属反射層は、Ａｌからなる第１の金属層と、Ｎ
ｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉから選択された少なくとも
１種からなる第２の金属層と、第１及び第２の金属層の
境界部分に形成された第１の金属層及び第２の金属層の
構成元素が拡散して形成された拡散合金層とを有するこ
とにより、耐酸化性が良好な反射層を備え、かつ特性が
安定した相変化型情報記録媒体が公知である（従来例
２：特開平８−９６４１３号公報参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例２のように反射層をＡｌ単体から構成する場合は良
好な光反射特性及び耐熱性等の熱特性を有しているが、
従来例１の如く酸化防止を目的としてＡｌに添加物を含
有させると、光反射特性及び熱特性が劣化し易いという
問題点があった。また、酸化防止性等の化学的安定性と
光反射特性及び熱特性とを両立させるような、Ａｌと添
加物の組成比については、従来例１には全く開示されて
いない。
来例２のように反射層をＡｌ単体から構成する場合は良
好な光反射特性及び耐熱性等の熱特性を有しているが、
従来例１の如く酸化防止を目的としてＡｌに添加物を含
有させると、光反射特性及び熱特性が劣化し易いという
問題点があった。また、酸化防止性等の化学的安定性と
光反射特性及び熱特性とを両立させるような、Ａｌと添
加物の組成比については、従来例１には全く開示されて
いない。
【０００９】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、酸化防止性等の化学的安
定性と光反射特性及び熱特性に優れ、その結果再生時の
Ｃ／Ｎ比、ビットエラーレート（Bit Error Rate：ＢＥ
Ｒ）、記録ビット端部のジッター特性を向上させること
にある。
れたものであり、その目的は、酸化防止性等の化学的安
定性と光反射特性及び熱特性に優れ、その結果再生時の
Ｃ／Ｎ比、ビットエラーレート（Bit Error Rate：ＢＥ
Ｒ）、記録ビット端部のジッター特性を向上させること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
透明基板上に、照射する光の出力に応じて非晶質又は結
晶質に相変化する記録層と、Ａｌ及びＣｏを主成分とし
Ａｌを８５．０〜９９．５原子％、Ｃｏを０．５〜１
５．０原子％含有する反射層とを順次積層したことを特
徴とする。
透明基板上に、照射する光の出力に応じて非晶質又は結
晶質に相変化する記録層と、Ａｌ及びＣｏを主成分とし
Ａｌを８５．０〜９９．５原子％、Ｃｏを０．５〜１
５．０原子％含有する反射層とを順次積層したことを特
徴とする。
【００１１】本発明は、上記構成により、Ａｌ及びＣｏ
の組成比範囲を特定することで、酸化防止性等の化学的
安定性と光反射特性及び熱特性とが共に優れ、その結果
再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特性等が向上す
る。即ち、比較的融点の低いＡｌに、Ａｌよりも高融点
のＣｏを所定量添加することで、高出力のレーザを照射
しても耐熱性にきわめて優れており、また耐食性も向上
する。その結果、高反射特性を維持して熱特性が向上し
かつ高い酸化防止性を有し、化学的に安定な反射層とな
る為、繰り返し記録再生に対する耐久性も大幅に向上す
る。
の組成比範囲を特定することで、酸化防止性等の化学的
安定性と光反射特性及び熱特性とが共に優れ、その結果
再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特性等が向上す
る。即ち、比較的融点の低いＡｌに、Ａｌよりも高融点
のＣｏを所定量添加することで、高出力のレーザを照射
しても耐熱性にきわめて優れており、また耐食性も向上
する。その結果、高反射特性を維持して熱特性が向上し
かつ高い酸化防止性を有し、化学的に安定な反射層とな
る為、繰り返し記録再生に対する耐久性も大幅に向上す
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の媒体の基本的な層構成は
図１と同様であり、同図において、１はポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガ
ラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラ
ミック等から成るディスク状の透明基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第一透明誘電体層、３は相変化型の
記録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第二透明誘電
体層、５はＡｌ及びＣｏを主成分とする反射層である。
図１と同様であり、同図において、１はポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガ
ラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラ
ミック等から成るディスク状の透明基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第一透明誘電体層、３は相変化型の
記録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第二透明誘電
体層、５はＡｌ及びＣｏを主成分とする反射層である。
【００１３】本発明において、記録層４はＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等のカル
コゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する際
に短時間で結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性も
高いという点で好ましい。
ｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等のカル
コゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する際
に短時間で結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性も
高いという点で好ましい。
【００１４】また、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅc （ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００原子％）とした場合、５ａｔ（原子）％≦ａ≦７
０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では結晶化速度が遅く、
７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定になる。０ａｔ
％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％＜ｂでは非晶質
状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦７０ａｔ％がよ
く、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高くなりすぎ、７
０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高くなりすぎる。ま
た、記録層３の厚さは５〜５００ｎｍがよく、５ｎｍ未
満では結晶質状態と非晶質状態間の反射率差が小さくな
り、５００ｎｍを超えると繰り返し記録再生によるＢＥ
Ｒ等の特性劣化が大きくなる。より好ましくは１０〜４
００ｎｍである。
１００原子％）とした場合、５ａｔ（原子）％≦ａ≦７
０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では結晶化速度が遅く、
７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定になる。０ａｔ
％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％＜ｂでは非晶質
状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦７０ａｔ％がよ
く、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高くなりすぎ、７
０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高くなりすぎる。ま
た、記録層３の厚さは５〜５００ｎｍがよく、５ｎｍ未
満では結晶質状態と非晶質状態間の反射率差が小さくな
り、５００ｎｍを超えると繰り返し記録再生によるＢＥ
Ｒ等の特性劣化が大きくなる。より好ましくは１０〜４
００ｎｍである。
【００１５】上記第一，第二透明誘電体層２，４は、記
録層３の保護層として機能するものであり、その材質
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材
料，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳ
ｅ2 ，Ｓｂ2 Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルァスＳｉ（以
下、ａ−Ｓｉと表記する），ＴｉＢ2 ，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ
等が好ましい。
録層３の保護層として機能するものであり、その材質
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材
料，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳ
ｅ2 ，Ｓｂ2 Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルァスＳｉ（以
下、ａ−Ｓｉと表記する），ＴｉＢ2 ，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ
等が好ましい。
【００１６】特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 がよく、この材料
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０モル％≦ｘ≦９５モル％
が好適であり、ｘ＜６０モル％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５モル％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣
化させる。
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０モル％≦ｘ≦９５モル％
が好適であり、ｘ＜６０モル％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５モル％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣
化させる。
【００１７】また、本発明の反射層５はＡｌを８５．０
〜９９．５ａｔ％、Ｃｏを０．５〜１５．０ａｔ％含有
する。Ａｌの組成比が９９．５ａｔ％を超える場合、即
ちＣｏの組成比が０．５ａｔ％未満では、Ａｌが酸化し
易くなり、その結果ＢＥＲが劣化する。Ａｌの組成比が
８５．０ａｔ％未満の場合、即ちＣｏの組成比が１５．
０ａｔ％を超えると、再生時のＣ／Ｎ比及びジッター特
性の低下、また繰り返し記録再生特性が劣化する。
〜９９．５ａｔ％、Ｃｏを０．５〜１５．０ａｔ％含有
する。Ａｌの組成比が９９．５ａｔ％を超える場合、即
ちＣｏの組成比が０．５ａｔ％未満では、Ａｌが酸化し
易くなり、その結果ＢＥＲが劣化する。Ａｌの組成比が
８５．０ａｔ％未満の場合、即ちＣｏの組成比が１５．
０ａｔ％を超えると、再生時のＣ／Ｎ比及びジッター特
性の低下、また繰り返し記録再生特性が劣化する。
【００１８】更に、反射層５に他の添加成分として、Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ等を５ａｔ％以下程度含有させて
も良く、その場合本発明の上記効果が向上するか又は維
持される。５ａｔ％を超えると、反射層５の熱伝導率が
小さくなる。反射層５の厚さは、１００Å〜２０００Å
が好ましく、１００Å未満では記録感度が高くなり過
ぎ、２０００Åを超えると記録感度が低下し過ぎる。
ｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ等を５ａｔ％以下程度含有させて
も良く、その場合本発明の上記効果が向上するか又は維
持される。５ａｔ％を超えると、反射層５の熱伝導率が
小さくなる。反射層５の厚さは、１００Å〜２０００Å
が好ましく、１００Å未満では記録感度が高くなり過
ぎ、２０００Åを超えると記録感度が低下し過ぎる。
【００１９】また本発明において、記録層４と反射層５
との間に、熱伝導率の高いＳｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ等の元素を主成分として含有する中間層（冷却速度制
御層）を設けることで、放熱性を更に改善することがで
き、再生時のジッター特性を改善することができる。前
記中間層の厚さは１０〜５００Åが良く、１０Å未満で
は均一な成膜が困難であり、５００Åを超えるとジッタ
ー特性を改善させる効果がなくなる。
との間に、熱伝導率の高いＳｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ等の元素を主成分として含有する中間層（冷却速度制
御層）を設けることで、放熱性を更に改善することがで
き、再生時のジッター特性を改善することができる。前
記中間層の厚さは１０〜５００Åが良く、１０Å未満で
は均一な成膜が困難であり、５００Åを超えるとジッタ
ー特性を改善させる効果がなくなる。
【００２０】かくして、本発明の光記録媒体は、酸化防
止性等の化学的安定性と光反射特性及び熱特性とが共に
優れ、その結果再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特
性、繰り返し記録再生に対する耐久性等が大幅に向上す
る、という作用効果を有する。
止性等の化学的安定性と光反射特性及び熱特性とが共に
優れ、その結果再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特
性、繰り返し記録再生に対する耐久性等が大幅に向上す
る、という作用効果を有する。
【００２１】本発明において、上記各層を透明基板１の
両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２枚
の透明基板１を貼り付けることにより、２倍の記録容量
としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパルス
変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子ビー
ム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用可能
である。本発明の媒体Ｍは相変化型の書き換え可能な光
ディスクであり、ＣＤ−ＲＷ（Compact Disc ReWritabl
e ）、ＤＶＤ−ＲＷ（Digital Versatile DiscReWritab
le ）等の光ディスクに適用できる。
両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２枚
の透明基板１を貼り付けることにより、２倍の記録容量
としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパルス
変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子ビー
ム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用可能
である。本発明の媒体Ｍは相変化型の書き換え可能な光
ディスクであり、ＣＤ−ＲＷ（Compact Disc ReWritabl
e ）、ＤＶＤ−ＲＷ（Digital Versatile DiscReWritab
le ）等の光ディスクに適用できる。
【００２２】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００２３】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００２４】（実施例１）図１の媒体Ｍ（光ディスク）
を以下のようにして構成した。ポリカーボネートから成
る３．５インチ径のディスク状の透明基板１の主面上
に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法により
順次成膜した。
を以下のようにして構成した。ポリカーボネートから成
る３．５インチ径のディスク状の透明基板１の主面上
に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法により
順次成膜した。
【００２５】膜厚約１５００Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2 ）20から成る第一透明誘電体層２、膜厚約２００Å，
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成る記録層３、膜厚約２００
Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20から成る第二透明誘電
体層４、膜厚約１０００Å、ＡｌとＣｏを主成分とする
反射層５である。
2 ）20から成る第一透明誘電体層２、膜厚約２００Å，
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成る記録層３、膜厚約２００
Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20から成る第二透明誘電
体層４、膜厚約１０００Å、ＡｌとＣｏを主成分とする
反射層５である。
【００２６】また、比較例として、ＡｌにＴｉ等のＣｏ
以外の各種元素を添加した材料からなる反射層５を成膜
したものを作製した。
以外の各種元素を添加した材料からなる反射層５を成膜
したものを作製した。
【００２７】そして、これらについて、光ディスクを再
生した場合のＣ／Ｎ比（ｄＢ）、ＢＥＲ、記録ビット端
部のジッター特性（％）、酸化防止性を測定した結果を
表１に示す。尚、Ｃ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特性の測
定は、光ディスクのトラックの線速度を６．１８ｍ／ｓ
ｅｃとし、光波長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に
対応）と５ｍＷ（結晶質状態に対応）にパルス変調され
たレーザビームを照射し、４．９１ＭＨｚで記録を行い
再生した際の再生信号を計測することで行った。また、
酸化防止性の測定は、８５℃，９５％ＲＨ（相対湿度）
の空気中の環境下で１０００時間放置後、外観観察によ
り酸化のため変色、泡、剥離等が生じていないものを丸
印で示し、変色、泡、剥離等が生じたものを×印で示し
た。
生した場合のＣ／Ｎ比（ｄＢ）、ＢＥＲ、記録ビット端
部のジッター特性（％）、酸化防止性を測定した結果を
表１に示す。尚、Ｃ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特性の測
定は、光ディスクのトラックの線速度を６．１８ｍ／ｓ
ｅｃとし、光波長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に
対応）と５ｍＷ（結晶質状態に対応）にパルス変調され
たレーザビームを照射し、４．９１ＭＨｚで記録を行い
再生した際の再生信号を計測することで行った。また、
酸化防止性の測定は、８５℃，９５％ＲＨ（相対湿度）
の空気中の環境下で１０００時間放置後、外観観察によ
り酸化のため変色、泡、剥離等が生じていないものを丸
印で示し、変色、泡、剥離等が生じたものを×印で示し
た。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示すように、本発明のＮＯ．３〜１
１，１３〜１６では、Ｃ／Ｎ比が４８．０ｄＢ以上、Ｂ
ＥＲが４．５×１０-4以下、ジッターが８．２％以下、
酸化防止性は良好と優れた特性を示した。
１，１３〜１６では、Ｃ／Ｎ比が４８．０ｄＢ以上、Ｂ
ＥＲが４．５×１０-4以下、ジッターが８．２％以下、
酸化防止性は良好と優れた特性を示した。
【００３０】これに対し、Ｃｏが０．５ａｔ％未満のＮ
Ｏ．１，２では、ＢＥＲ及び酸化防止性が劣化した。Ｃ
ｏが１５．０ａｔ％を超えるＮＯ．１２では、Ｃ／Ｎ比
が４２．３ｄＢ、ジッターが２５．３％と劣化した。ま
た、Ｔｉを含有するＮＯ．１７，１８ではＢＥＲとジッ
ターが劣化した。更に、Ｃｒを含有するＮＯ．１９，２
０、Ｔａを含有するＮＯ．２１，２２、及びＭｏを含有
するＮＯ．２３，２４では、Ｃ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッタ
ー共本発明よりも劣化し、しかもＮＯ．２３，２４は酸
化防止性も不良であった。
Ｏ．１，２では、ＢＥＲ及び酸化防止性が劣化した。Ｃ
ｏが１５．０ａｔ％を超えるＮＯ．１２では、Ｃ／Ｎ比
が４２．３ｄＢ、ジッターが２５．３％と劣化した。ま
た、Ｔｉを含有するＮＯ．１７，１８ではＢＥＲとジッ
ターが劣化した。更に、Ｃｒを含有するＮＯ．１９，２
０、Ｔａを含有するＮＯ．２１，２２、及びＭｏを含有
するＮＯ．２３，２４では、Ｃ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッタ
ー共本発明よりも劣化し、しかもＮＯ．２３，２４は酸
化防止性も不良であった。
【００３１】（実施例２）実施例１の上記第二透明誘電
体層４と反射層５（Ａｌ96Ｏ4 ）との間に、下記表２の
各種中間層（厚さ２００Å）を設けた以外は上記実施例
１と同様に構成し、それらのＣ／Ｎ比（ｄＢ）、ＢＥ
Ｒ、記録ビット端部のジッター特性（％）、酸化防止性
を測定した結果を表２に示す。
体層４と反射層５（Ａｌ96Ｏ4 ）との間に、下記表２の
各種中間層（厚さ２００Å）を設けた以外は上記実施例
１と同様に構成し、それらのＣ／Ｎ比（ｄＢ）、ＢＥ
Ｒ、記録ビット端部のジッター特性（％）、酸化防止性
を測定した結果を表２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】表２に示すように、いずれのものもＣ／Ｎ
比、ＢＥＲ、ジッター特性（％）、酸化防止性共良好な
特性であり、特にジッターが低減された。
比、ＢＥＲ、ジッター特性（％）、酸化防止性共良好な
特性であり、特にジッターが低減された。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、非晶質又は結晶質に相変化す
る記録層と、Ａｌ及びＣｏを主成分としＡｌを８５．０
〜９９．５原子％、Ｃｏを０．５〜１５．０原子％含有
する反射層とを有することにより、酸化防止性等の化学
的安定性と光反射特性及び熱特性とが共に優れ、その結
果再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特性、繰り返し
記録再生に対する耐久性等が大幅に向上するという作用
効果を有する。
る記録層と、Ａｌ及びＣｏを主成分としＡｌを８５．０
〜９９．５原子％、Ｃｏを０．５〜１５．０原子％含有
する反射層とを有することにより、酸化防止性等の化学
的安定性と光反射特性及び熱特性とが共に優れ、その結
果再生時のＣ／Ｎ比、ＢＥＲ、ジッター特性、繰り返し
記録再生に対する耐久性等が大幅に向上するという作用
効果を有する。
【図１】本発明の光記録媒体Ｍの部分断面図である。
１：透明基板 ２：第一透明誘電体層 ３：記録層 ４：第二透明誘電体層 ５：反射層
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に、照射する光の出力に応じて
非晶質又は結晶質に相変化する記録層と、Ａｌ及びＣｏ
を主成分としＡｌを８５．０〜９９．５原子％、Ｃｏを
０．５〜１５．０原子％含有する反射層とを順次積層し
たことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11152995A JP2000339764A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11152995A JP2000339764A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339764A true JP2000339764A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15552662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11152995A Pending JP2000339764A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000339764A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049025A1 (en) | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium and its use |
| WO2002058061A1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-07-25 | Dataplay, Inc. | Optical data storage media with enhanced contrast |
| KR100399021B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | 한국과학기술연구원 | 비정질 반사막을 이용한 고밀도 광 디스크 |
| US6908725B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-06-21 | Dphi Acquisitions, Inc. | Double-sided hybrid optical disk with surface topology |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP11152995A patent/JP2000339764A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049025A1 (en) | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium and its use |
| EA005347B1 (ru) * | 2000-12-15 | 2005-02-24 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Оптический носитель информации и его использование |
| WO2002058061A1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-07-25 | Dataplay, Inc. | Optical data storage media with enhanced contrast |
| US6908725B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-06-21 | Dphi Acquisitions, Inc. | Double-sided hybrid optical disk with surface topology |
| US7368222B2 (en) | 2001-01-16 | 2008-05-06 | Dphi Acquisitions, Inc. | Optical data storage media with enhanced contrast |
| KR100399021B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2003-09-19 | 한국과학기술연구원 | 비정질 반사막을 이용한 고밀도 광 디스크 |
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