JP2003022570A

JP2003022570A - 光記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JP2003022570A
Application number: JP2001209640A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Onaki; 伸晃小名木; Kazunori Ito; 和典伊藤; Hajime Yuzurihara; 肇譲原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-07-10
Filing date: 2001-07-10
Publication date: 2003-01-24

Abstract

(57)【要約】【課題】記録感度が良く記録パワーマージンも広い、
特にＣＡＶ記録に最適な光記録媒体及びその製造方法を
提供する。【解決手段】基板、下部保護層、Ｓｂ₃ Ｔｅ準安定相
を主成分とする相変化型記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ から
なる上部保護層、ＳｉＣとＡｌＮを主成分とする耐硫化
バリヤ層及び銀系反射放熱層からなる光記録媒体。反射
放熱層の結晶粒径が１００ｎｍ以上、結晶が（１１１）
面に優先的に配向していることが好ましい。耐硫化バリ
ヤ層はＳｉ−Ａｌをターゲットとし、アルゴン、窒素及
びメタンの混合ガスをスパッタガスとして用いてスパッ
タリングを行うことにより形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から相変化型光記録媒体がCD-RW
（シーディーリライタブル）などとして広く使われてい
る。近年ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）にも書き換
え可能型の相変化型ディスクが使われ始めている。

【０００３】これらは、基本的にポリカーボネート基板
にＺｎＳ−ＳｉＯ₂ からなる下部保護層、相変化型記録
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ からなる上部保護層、Ａｌ合金反
射放熱層が形成されており、レーザー光を集光させ記録
層を溶融させて記録を行うものである。

【０００４】ここで、光ディスクの使い勝手をよくする
ためには、通常のＣＬＶよりもＣＡＶ記録ができる方
が、記録速度が速くて好ましい。しかしＣＡＶ化する
と、消去動作をさせるための結晶化速度がひとつの速度
で決まらず、幅広い速度域で結晶化しなければならな
い。

【０００５】このため、グルーブ記録の書き換え型ＤＶ
Ｄの一つは、記録層などの改良と反射放熱層を熱伝導の
良い銀および銀合金の使用によってＣＡＶ記録可能なデ
ィスクとした。

【０００６】また、特開平１１−５８９７６号公報に
は、ＳｉＣとＡｌＮの混合膜を相変化型記録層と反射放
熱層の間に設けることが示されている。これは膜の熱伝
導率を上げ、対衝撃性を上げるためであって、主成分は
ＡｌＮとなっている。この時点におけるディスクの記録
目標としては、ＤＶＤ密度は比較的低く、また記録線速
度も３．５m/s程度と比較的低速であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明では、線速度
３．５m/s以上、１０m/s程度まではＣＡＶで記録するこ
とを狙っており、熱設計の設計目標は広い記録マージン
を要求される。したがって、従来とは基本的な設計が異
なることになる。

【０００８】上記のような従来のＡｌＮ主体の上部保護
層では、３．５〜１０m/s までのＣＡＶ記録には耐えら
れない。また、高線速で感度が悪化し、かつ記録ジッタ
ーも悪化する問題がある。

【０００９】銀および銀合金は高い熱伝導率を持つた
め、反射放熱層として用いることにより良好な記録特性
が得られるが、ＣＡＶ記録のためには、さらに記録パワ
ーマージンを広げなければより使いやすいディスクにな
らない。また、ドライブの最大パワーはレーザーダイオ
ードに制限されるため、ディスク側で記録感度を改善で
きればより広いパワーマージンが得られる。

【００１０】そこで、本発明の目的は、記録感度が良
く、記録パワーマージンも広い、特にＣＡＶ記録にも最
適な光記録媒体およびその製造方法を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
基板と、該基板上に積層される、下部誘電体保護層、相
変化型記録層、上部誘電体保護層、耐硫化バリヤ層およ
び銀系反射放熱層からなる光記録媒体であって、耐硫化
バリヤ層の主たる構成成分がＳｉＣとＡｌＮであること
を特徴とする。

【００１２】この光記録媒体において、ＳｉＣとＡｌＮ
との比率は、ＳｉＣとＡｌＮとの合計量に対するＡｌＮ
の量として５〜４０重量％であることが好ましい。

【００１３】本発明の光記録媒体において、上記相変化
型記録層はＳｂ₃ Ｔｅ準安定相を主成分とし、かつ上部
誘電体保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ₂ を主成分とすることが
好ましい。

【００１４】また、本発明の光記録媒体において、銀系
反射放熱層が形成された直後から光記録媒体の初期化後
に至るまで、銀系反射放熱層の結晶粒径が１００ｎｍ以
上であり、しかもその結晶が（１１１）面に優先的に配
向し続けることが好ましい。

【００１５】本発明の光記録媒体は、ＣＡＶ記録可能な
書き換え型ＤＶＤとして好適に用いることができる。

【００１６】本発明の光記録媒体の製造方法は、耐硫化
バリヤ層を形成するに際し、Ｓｉ−Ａｌをターゲットと
し、アルゴン、窒素およびメタンの混合ガスからなるス
パッタガスを用いて、マグネトロンスパッタリングによ
りＳｉＣとＡｌＮとからなる耐硫化バリヤ層を形成する
ことを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体においては、
反射放熱層を、銀および／または銀合金のような銀系の
反射放熱層とし、しかもその結晶粒径が１００ｎｍ以上
であり、かつその結晶の方位が（１１１）面に優先的に
配向していることが好ましい。

【００１８】このため、下地に主たる成分が炭化物のＳ
ｉＣをおき、しかもこれをＳｉＣ−ＡｌＮの混合誘電体
とし、相変化型記録層は、Ｓｂ₃ Ｔｅ基を主体とする準
安定相とすることが好ましい。

【００１９】銀系反射放熱層を形成するとき、８インチ
ターゲットに対して DC３ｋW以上、ガス圧力５mbar以下
とすることにより、アルゴンイオン速度が上がり銀をた
たき出す時のエネルギーが大きくなり、銀も高エネルギ
ーでターゲットから飛び出し基板に付着する。この基板
に付着した時の銀原子のエネルギーが大きいために、結
晶粒は大きく成長するとともに、（１１１）面に優先的
に配向する。

【００２０】反射放熱層の銀の粒径が大きいと、粒界の
面積が大きいために結晶の方位が安定し方位変化が起き
にくくなる。このためディスク反射膜としての熱伝導の
経時変化が抑えられる。この結果、ディスク記録感度の
変化が小さくなる。特に、優先的に（１１１）面に配向
した銀または銀合金の反射膜が効果的である。

【００２１】なお、銀および銀合金と接する保護層がＳ
ｉＣである場合、銀、銀合金の硫化劣化を防ぐのみなら
ず、ＳｉＣのスパッタ膜は非晶質であるために、その上
に成膜される銀および銀合金は、より結晶粒が大きくな
る。また優先方位の配列の度合いも強くなり、記録感度
が向上し、かつ経時変化が小さくなる。ＳｉＣは膜応力
が小さく、繰り返し書き換えの熱ストレスにも強い。こ
れは膜形成初期の核形成、核成長、核の凝集が促進され
ることによると考えられる。

【００２２】本発明では、ＳｉＣのこのような長所を維
持しつつ熱伝導率を下げてディスクの記録感度を改善す
ることを意図し、耐硫化バリヤ層の誘電体としてＳｉＣ
とＡｌＮを混合して用いる。これら成分を混合すること
で、ＳｉＣ単体よりも熱伝導性が低下して記録感度を向
上させることができる。かつ光学吸収が小さくなり、デ
ィスクの反射率が向上する。

【００２３】記録層がＳｂ₃ Ｔｅ基を基本とする相変化
型記録の場合、記録時の非晶質化および消去時の結晶化
がともに一旦溶融モードに入る。したがって、記録膜を
一旦溶けやすくするため、熱をため、その後急冷するこ
とが求められる。このことから、上部誘電体保護層は、
ある一定時間熱を遮断し、その後、急激に冷やすことが
求められる。上部誘電体保護層は低熱伝導性、反射放熱
層は高熱伝導性であることが求められる。

【００２４】したがって、Ｓｂ₃ Ｔｅ基の相変化記録層
と銀系反射放熱層との間の上部誘電体保護層と耐硫化バ
リヤ層はあわせて低熱伝導性であることが、記録感度を
よくし、信号のジッターを減らすには重要である。

【００２５】本発明の銀および銀合金は、熱伝導が従来
のスパッタ銀膜より大きいため、さらにディスクの記録
感度が良好である。結晶粒が大きく、優先方位が垂直方
向に熱伝導の大きい状態になるからである。

【００２６】相変化型記録層がＧｅ₂Ｓｂ₂ Ｔｅ₅をベー
スとする化合物組成の場合、消去するための結晶化過程
は固相で行われるため、平均記録温度はやや低くなる。
反射放熱層の熱伝導が単純に大きければいいわけではな
い。本発明の熱設計の指針はＳｂ₃Ｔｅ基の記録層に好
適である。

【００２７】ＳｉＣとＡｌＮを形成するにあたり、これ
らは難焼結体であって、スパッタリングターゲットを作
成する時に割れてしまいやすい。本発明者は、ＳｉＣ＋
ＡｌターゲットとＡｒ＋Ｎ₂ ガスを用いるスパッタリン
グと、本発明のＳｉ＋ＡｌターゲットとＡｒ＋Ｎ₂＋Ｃ
Ｈ₄ガスを用いるスパッタリングを試したところ、Ｓｉ
＋ＡｌターゲットとＡｒ＋Ｎ₂ ガスを用いるスパッタリ
ングの方がスパッタレートや膜質に優れることを見出し
た。

【００２８】そこで、本発明の光記録媒体を製造する方
法において、耐硫化バリヤ層は、Ｓｉ＋Ａｌターゲット
とアルゴン、窒素およびメタンの混合ガスによる反応性
スパッタリングにより形成することが好ましく、この方
法によって良質な耐硫化バリヤ層としてのＳｉＣ−Ａｌ
Ｎ膜を得ることができる。

【００２９】本発明の光記録媒体は、基板と、この基板
上に積層される、下部誘電体保護層、相変化型記録層、
上部誘電体保護層、耐硫化バリヤ層および反射放熱層を
有するものであり、これに他の層を設けることができ、
また基板に積層される順はその使用目的に応じて、たと
えば、光照射のやり方等によって選定される。

【００３０】図１は、本発明の光記録媒体の一例である
相変化型書き換え可能光ディスクの構造を示す断面図で
ある。

【００３１】基板１に、下部誘電体保護層２、相変化型
記録層３、上部誘電体保護層４、耐硫化バリヤ層５、反
射放熱層６をこの順に形成し、次いで、樹脂接着層７を
介してダミー基板（貼り合わせ基板）８が貼り合わされ
た構造である。

【００３２】下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部
誘電体保護層および反射放熱層は、スパッタリング法に
より真空中で連続成膜される。成膜方法はイオンプレー
ティング、真空蒸着なども考えられるが、コスト、成膜
の制御性の良さなどから、マグネトロンスパッタリング
法による作成が望ましい。

【００３３】基板１は、記録再生用の光が透過する透明
な物質であり、一般的には、ポリカーボネート樹脂やガ
ラスが用いられる。基板の厚さは、ＣＤ（コンパクトデ
ィスク）は１．２mm、ＤＶＤでは０．６mmである。特殊
なディスクの場合これに限らない。また基板はトラッキ
ングサーボのために、グルーブが形成されている。アド
レス情報の記録のため、書き換え型ＤＶＤディスクで
は、このグルーブが蛇行している。

【００３４】下部誘電体保護層２は、通常スパッタリン
グ法で形成され、相変化型ディスクの場合は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ₂ が望ましい。光学的に透明で、記録膜を水分や
ガスから遮断する能力が求められる。膜厚は、４０〜２
５０nmが好適であり、さらに望ましくは、５０〜１２０
nmである。書き換え型DVD では、５０〜１００nmが望ま
しい。光学的な光閉じ込めと、基板への熱遮断および記
録膜へのガスや水分の遮断の３要素から膜厚は決定され
る。したがって記録再生の光波長が変われば、膜厚は調
整される。また、下部誘電体保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ
₂ 単層で構成されるが、２回あるいは３回の製膜で形成
することがハイタクトな生産に好適である。

【００３５】相変化型記録層３は、記録時の熱によって
光学定数が変化して記録マークを形成する物質で、前述
のように、溶融消去型相変化材料のうち、融点が低く、
記録感度の良い、Ｓｂ₃ Ｔｅベースの材料を用いる。グ
ルーブ記録の書き換え型ＤＶＤでは、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
Ｇｅが好適である。これらのカルコゲナイド化合物の場
合は、結晶と非晶質状態で記録、未記録の光学定数の違
いを作り再生する。

【００３６】膜厚は、５〜１００nm程度を用いるが、１
０〜３０nm位が好ましい。膜厚が１００nm程度よりあま
り厚くなり過ぎると、記録時の熱干渉が大きくなり、小
さなマークの大きさのばらつきが大きくなって、信号の
時間軸揺らぎを大きくし、エラー率が高まる。また１０
nｍ程度より薄いと、再生光での弱い熱でも記録マーク
が熱揺らぎを引き起こして消去されやすくなるので好ま
しくない。

【００３７】上部誘電体保護層４は、熱を遮断するた
め、膜厚は５〜１００nm程度である。記録時の熱を記録
層から速やかに反射放熱層へ流すため、１０〜３０nm付
近の厚さにするのが好ましい。材質は、下部誘電体保護
層と同様、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂が好適である。

【００３８】本発明の記録媒体は、反射放熱層が銀系材
料であるので、上部誘電体保護層の次に耐硫化バリヤ層
５を形成する。特に、反射放熱層に、純度９９．９％以
上の純銀を用いる場合に効果的である。

【００３９】耐硫化バリヤ層５の材料は、硫黄を含まな
いＳｉＣのような炭化物が好ましい。これは繰り返し書
き換えでの劣化が小さく、また記録感度の経時劣化も小
さい。ＳｉＯ₂、ＴａＯ_xなどの酸化物の適用も検討して
みたが、これらでは繰り返し書き換えでの劣化が速く、
あまり良いディスクが得られなかった。

【００４０】本発明では、ＳｉＣとＡｌＮを混合するこ
とにより、ＳｉＣの短所である、光の吸収が大きいこ
と、熱伝導率がＺｎＳ−ＳｉＯ₂ に比べ１０倍程度大き
いという短所を改善することができる。

【００４１】図２に、ＳｉＣとＡｌＮを混合した時の熱
伝導の変化について示した。

【００４２】ＳｉＣとＡｌＮは、誘電体同士で固溶する
系であって、そのために熱伝導の低下が生ずると考えら
れる。ＳｉＣとＡｌＮとの比率としては、ＳｉＣとＡｌ
Ｎとの合計量に対するＡｌＮの量として５〜４０重量％
が好ましい。

【００４３】反射放熱層６は、通常スパッタリング法で
形成され、純銀や銀にパラジウム、金、亜鉛、銅などを
０．５〜１０原子％含有した銀合金よりなる。

【００４４】膜厚は、反射率の面では、５０nm程度あれ
ば十分であるが、放熱の面からは、これより厚い方が良
く、８０〜２５０nm程度が好適である。２５０nm程度よ
りあまり厚すぎるのは、生産上タクトが長くなり好まし
くない。

【００４５】反射率、放熱の面からは９９．９％以上、
より好ましくは９９．９９％以上の純度の銀が好適であ
る。銅は、銀の次に熱伝導の大きな材料であり、銀に加
えてもあまり熱伝導率が下がらないため好適な添加元素
である。

【００４６】銀の耐蝕性を向上するためには、ＡｌやＩ
ｎなど、他に効果のある材料は多い。しかし、反射放熱
層の熱伝導率は、ディスクの記録感度および繰り返し書
き換え回数と密接に関係しており、熱伝導が小さくなる
と、記録感度が悪化し、正比例して繰り返し書き換え回
数も小さくなっていくことが、本発明の検討過程で判明
した。また、記録感度が悪くなるだけでなく、パワーマ
ージンも小さくなってくる。このことはＣＡＶ記録には
不都合である。

【００４７】この傾向は、記録層に化合物組成Ｇｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅ の材料を用いたディスクでは顕著ではない。
Ｓｂ₃Ｔｅ基の記録層を用いたディスクに固有の現象で
ある。

【００４８】樹脂接着層７は、ＤＶＤ系では、保護のた
めと２枚貼り合せるための接着層としての働きを兼ねて
いる。一般的に有機系の紫外線硬化型樹脂などが用いら
れる。厚さは１〜１００μm 程度が望ましく、スピンコ
ート法で形成することが望ましい。

【００４９】この相変化型光ディスクでは、基板１側か
ら記録用の光を照射して、相変化型記録層３を相変化さ
せて、光学定数を変えて情報信号を記録する。そして、
記録時より弱い再生光をあてて、記録層の光学定数変化
を光の反射率変化として再生する。

【００５０】上記のように、本発明においては、ＳｉＣ
とＡｌＮの混合体がＡｇに対する耐硫化バリヤとして特
に好適であり、また、Ｓｂ₃ Ｔｅ系の相変化型記録層の
記録特性に悪影響を与えない。

【００５１】本発明では、このような特性を利用する構
成であれば、図１に示した構成に限らず、他の構成も採
用することができる。たとえば、基板上に、反射放熱
層、誘電体保護層１、相変化型記録層、誘電体保護層２
の順に成膜し、膜側から記録再生するタイプの光記録媒
体に対しても有効に適用することができる。

【００５２】この場合、誘電体保護層１を２層化し、反
射放熱層側にＳｉＣ−ＡｌＮ混合膜を用いれば良い。そ
して、相変化型記録層側に用いられる誘電体保護層１と
しては、熱を遮断し、また記録時の熱を相変化型記録層
から速やかに反射放熱層へ流す働きをする前記上部誘電
体保護層であり、誘電体保護層２としては、光学的な光
閉じ込めと熱遮断などの役目を果たす前記下部誘電体保
護層が用いられる。

【００５３】本発明における条件で銀を成膜したディス
クは、ふつうの高レートの銀反射膜のディスクに比べ
て、銀の結晶粒径が大きいため記録感度劣化が改善され
ており、また、高温高湿下にあっても感度の劣化が抑え
られる。

【００５４】［実施例］以下、実施例に基づいて本発明
をさらに詳述する。

【００５５】（実施例１）直径１２０mm、板厚０．６m
m、ピッチ０．７４μｍの螺旋状のグルーブが形成され
たポリカーボネート基板を用い、相変化型光ディスクを
試作した。成膜は、すべてバルザース製枚葉式スパッタ
リング装置を用いてスパッタリング法で行った。

【００５６】なお、スパッタリングにおけるスパッタガ
スは、耐硫化バリヤ層以外の層形成においてはアルゴン
を用い、またそれぞれの層は所望の膜組成となるような
合金ターゲットを用いてスパッタした。

【００５７】ガス圧２mbar、電力ＲＦ４．５kWにて、基
板上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂含有量２０mol％）か
らなる膜厚７５nmの下部誘電体保護層を形成し、ガス圧
２mbar、電力ＤＣ０．５kWにて、下部誘電体保護層上に
Ａｇ₁Ｉｎ₃Ｓｂ₇₀Ｔｅ₂₃Ｇｅ₃（原子％）からなる膜厚
１５nmの相変化型記録層を形成し、ガス圧２mbar 、電
力ＲＦ１．５kW にて、相変化型記録層上にＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂（ＳｉＯ₂含有量２０mol%）からなる膜厚１１nmの
上部誘電体保護層を形成した。

【００５８】続いて、ターゲットとしてＳｉＡｌを、ス
パッタガスとしてアルゴン、窒素およびメタンの混合ガ
スを用い、ガス圧８mbar、電力ＲＦ２．５kWの条件で反
応性スパッタリングにて、上部誘電体保護層上にＳｉＣ
−ＡｌＮ（ＡｌＮ含有量２０重量％）からなる膜厚４nm
の耐硫化バリヤ層を成膜した。分圧比はＡｒ：Ｎ₂：Ｃ
Ｈ₄＝６０：１０：３０である。次いで、ガス圧３mba
r、電力ＤＣ７kWにて、耐硫化バリヤ層上に純Ａｇから
なる膜厚１５０nmの反射放熱層を成膜した。

【００５９】スパッタの後、紫外線硬化樹脂（大日本
インキ製SD301）をスピンコートし、紫外線で硬化させ
た。この後、膜のないクリヤ盤と粘着シートで貼り合せ
た。紫外線硬化樹脂と貼り合せシートの合計厚さは約５
０μｍであった。

【００６０】このディスクをレーザー光で溶融結晶化さ
せて初期化した。レーザー波長６６０nm、NA０．６５の
光ピックアップをもつドライブで記録再生した。記録線
速度は８．５m/s 、ランダムなデジタル信号をEFM+変調
し、０．２６７μｍ/bitの記録密度で記録した。記録ピ
ークパワー１３．５mW、消去パワー６．９mW、ボトムパ
ワー０．１mW、再生パワー０．７mWを用いた。

【００６１】記録パルスはＣＤ−ＲＷ規格で規定されて
いるものと類似のパルス形を用いた。このディスクの特
性として、初回記録後のジッター（σ/Ｔｗ）は７％で
あった。繰り返し書き換えでジッターが９％を越えたの
は５０００回後であり、繰り返し書き換えできる回数が
多かった。またジッターが９％以下となる記録ピークパ
ワーの範囲は１１．５〜１６．５mWであった。

【００６２】このディスクを８０℃８５％ＲＨの環境に
３００時間放置して、再度ジッターを測定した。ジッタ
ーが９％以下となる記録ピークパワーの範囲は１１．５
〜１６．５mWであって、保存試験の前後で変化がなかっ
た。

【００６３】なお、このディスクは記録感度が良く、パ
ワーマージンも広いためにＣＡＶ記録を行った場合、線
速３．５〜８．５m/s の範囲において、すべて１５mW以
下のピークパワーによりジッター７％以下で記録ができ
た。感度が良いために良好なＣＡＶ記録用ディスクとす
ることができた。

【００６４】（実施例２）実施例１において、紫外線硬
化樹脂をコートせず、溶融初期化をしない以外は、実施
例１と同様にして成膜してディスクのサンプルを用意し
た。このディスクサンプルの基板と膜を剥離して、膜を
透過型電子顕微鏡で観察した。結晶質なのはＡｇ反射放
熱層のみなので、見える結晶はすべて銀のものである。
その結果、反射放熱層であるＡｇの結晶のサイズは１０
０nm以上であった。Ｘ線回折によればＡｇは（１１１）
面に配向していた。

【００６５】また、実施例１のＳｉＣ−ＡｌＮ膜の形成
と同一条件で、ＳｉＣ−ＡｌＮ膜を単層でＳｉチップに
成膜してエリプソメーターで評価した。その結果、Ｓｉ
Ｃ−ＡｌＮ膜は、ＳｉチップにＳｉＣを単層で成膜した
ものに比べて、６６０nmでの光吸収が３０％以上減少し
た。

【００６６】また、熱伝導を評価したところ、ＳｉＣ−
ＡｌＮ膜の熱伝導は、ＳｉＣ膜の１／３以下になってい
た。

【００６７】（比較例１）実施例１において、ターゲッ
トとしてＳｉＣを、スパッタガスとしてアルゴンを用
い、ガス圧５mbar、電力ＤＣ１．０kWの条件でスパッタ
リングにて、上部誘電体保護層上にＳｉＣからなる膜厚
４nmの耐硫化バリヤ層を成膜し、ガス圧８mbar、電力Ｄ
Ｃ３kWにて、耐硫化バリヤ層上に純Ａｇからなる膜厚１
５０nmの反射放熱層を成膜した以外は、実施例１と同様
にして相変化型光ディスクを試作した。続いて、実施例
１と同様にして、このディスクを初期化し、記録再生し
た。その結果、このディスクの初回記録後のジッター
（σ/Ｔｗ）は７％であった。繰り返し書き換えでジッ
ターが９％を越えたのは２０００回後であり、繰り返し
書き換えの回数がやや少なかった。

【００６８】また、ジッターが９％以下となる記録ピー
クパワーの範囲は、１３．０〜１６．５mWであった。

【００６９】このディスクを８０℃８５％ＲＨの環境に
３００時間放置して、再度ジッターを測定したところ、
ジッターが９％以下となる記録ピークパワーの範囲は１
３．５〜１６mWであって、保存試験の前後で感度が悪く
なった。

【００７０】（比較例２）比較例１において、紫外線硬
化樹脂をコートせず、溶融初期化をしない以外は、比較
例１と同様にして成膜してディスクのサンプルを用意し
た。このディスクサンプルの基板と膜を剥離して、膜を
透過型電子顕微鏡で観察した。結晶質なのはＡｇ反射放
熱層のみなので、見える結晶はすべて銀のものである。
その結果、反射放熱層であるＡｇの結晶のサイズは１０
０nm以下のものが半分程度を占めた。Ｘ線回折によれば
Agは（１１１）面だけでなく、（２２２）面のピークも
大きく観察された。

【００７１】

【発明の効果】本発明の光記録媒体では、耐硫化バリヤ
層としてＳｉＣ−ＡｌＮ膜を用いることにより、ディス
クの記録感度や書き換え回数が改善される。

【００７２】本発明によれば、パワーマージンが広がっ
たことで、ＣＡＶ記録への対応もより容易になる。

【００７３】本発明の光記録媒体の製造方法によれば、
ＳｉＣ−ＡｌＮ膜を良好に形成することができ、上記の
ような優れた光記録媒体を得ることができる。

【００７４】本発明では、ＳｉＣとＡｌＮの混合体がＡ
ｇに対する耐硫化バリヤとして特に好適であり、またＳ
ｂ₃ Ｔｅ系の相変化型記録層の記録特性に悪影響を与え
ることがないので、好適な光記録媒体を提供できる。

【００７５】本発明は、基板側から記録再生するタイプ
と膜側から記録再生するタイプのいずれの光記録媒体に
も適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す断面図であ
る。

【図２】ＳｉＣとＡｌＮの混合体薄膜の熱伝導率を示す
グラフである。

【符号の説明】

１基板２下部誘電体保護層３相変化型記録層４上部誘電体保護層５耐硫化バリヤ層６反射放熱層７樹脂接着層８貼り合わせ基板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｅ５３８Ｆ 7/26 ５３１ 7/26 ５３１Ｆターム(参考） 5D029 LA13 LA16 LA17 LA19 LB03 LB11 LC21 MA13 MA14 5D121 AA04 EE03 EE09 EE13 EE17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に積層される、下部誘
電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護層、耐硫
化バリヤ層および銀系反射放熱層からなる光記録媒体で
あって、耐硫化バリヤ層の主たる構成成分がＳｉＣとＡ
ｌＮであることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記ＳｉＣとＡｌＮとの比率が、ＳｉＣ
とＡｌＮとの合計量に対するＡｌＮの量として５〜４０
重量％である請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】前記相変化型記録層がＳｂ₃ Ｔｅ準安定
相を主成分とし、かつ上部誘電体保護層がＺｎＳＳ−ｉ
Ｏ₂ を主成分とする請求項１または２に記載の光記録媒
体。
【請求項４】銀系反射放熱層が形成された直後から光
記録媒体の初期化後に至るまで、銀系反射放熱層の結晶
粒径が１００ｎｍ以上であり、しかもその結晶が（１１
１）面に優先的に配向し続ける請求項３に記載の光記録
媒体。
【請求項５】光記録媒体が、ＣＡＶ記録可能な書き換
え型ＤＶＤである請求項１〜４のいずれかに記載の光記
録媒体。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の光記録
媒体の製造方法であって、耐硫化バリヤ層を形成するに
際し、Ｓｉ−Ａｌをターゲットとし、アルゴン、窒素お
よびメタンの混合ガスからなるスパッタガスを用いて、
マグネトロンスパッタリングによりＳｉＣとＡｌＮとか
らなる耐硫化バリヤ層を形成することを特徴とする光記
録媒体の製造方法。