WO2004055791A1

WO2004055791A1 - 光記録方法

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Publication number: WO2004055791A1
Application number: PCT/JP2003/015984
Authority: WO
Inventors: Masaaki Mizuno; Hiroyuki Hoshino; Takashi Ohno; Michikazu Horie
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corporation
Priority date: 2002-12-13
Filing date: 2003-12-12
Publication date: 2004-07-01
Also published as: US20070127344A1; US7443776B2; US20090022028A1; US7532555B2; US20050276169A1; AU2003289078A1

Abstract

例えばＤＶＤ−ＲＷのような大容量の書換型光記録媒体において、高速記録を実現できるようにすべく、書換型光記録媒体の相変化型記録層を結晶状態にして情報を記録する場合に用いる光記録方法を、記録速度が書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを一つのブロックパルスとし、記録速度が書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度の範囲内である場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを複数の短パルスからなるパルス列とする。

Description

明細書光記録方法技術分野

本発明は、例えば D V D— R Wのような大容量の書換型光記録媒体に用いられる、光記録方法及びこの光記録方法を用いる記録再生装置に関する。背景技術

現在実用化されている光記録媒体は、再生専用型、追記型、書換型に大別される。このうち、記録可能な媒体としては、 1回のみ記録可能な追記型と、繰り返し記録消去可能（書換可能）な書換型（書換可能型）とがある。

追記型光記録媒体の代表例としては、近年広く普及している有機色素を記録層とした C D _ Rを挙げることができる。一方、書換型光記録媒体としては、光磁気効果を利用した光磁気記録媒体（光磁気ディスク）や可逆的な結晶状態 ·非晶質状態の変化に伴う反射率差を利用した相変化型光記録媒体（相変化記録ディスク）が実用化されている。

このうち、書換型光記録媒体の一つである C D— R Wは約 1 0 0 0回の書換が可能であり、反射率を除き C Dと互換性がとれることから、近年広く普及している。記録媒体としては書換型の媒体（例えば C D— R W) の方が、逐次、情報を書き換えることができるので、追記型専用の媒体（例えば C D— R ) と比較して、文書ファイル等を作成するユーザにとつては使い勝手が非常によい。

また、例えば映画などの動画データを記録するには C D— Rや C D— RWのような光記録媒体では容量が不十分であったため、光記録媒体においては大容量化が望まれていたが、近年、 6 5 0MB程度の容量を持つ CD— Rや CD— RWに対して約 7倍の 4. 7 GBの大容量を持つ D VD— Rや D VD—RWなどが実用化されるに至っている。この結果、大容量の DVD—Rや DVD— RWを用いることで、 1枚の媒体に例えば映画をまるごと記録できるようになってきている。なお、 DVD— R は色素を記録層とした追記型光記録媒体であり、 D VD— RWは書換型相変化光記録媒体である。

このような書換型光記録媒体の一つである CD— RWや D VD— RW は、 1回のみ記録可能な追記型光記録媒体の一つである C D— Rや DV D— Rと用途に応じて使い分けられている。つまり、例えば書き換える必要がある場合には、書換型光記録媒体である CD— RWや D VD— R Wを使用し、書き換える必要がない場合には追記型光記録媒体である C D— Rや D VD— Rを使用するというように、用途に応じて棲み分けが図られている。このため、例えば書換型の媒体（例えば CD— RW) を敢えて追記型（例えば CD— R) として用いるのは、書換型の媒体のポテンシャルを十分に利用しないばかり力、敢えて書換可能な媒体を用いる必要もないため、通常、そのような使われ方はされていない。

ところで、上述のように、大容量の DVD— R (以下本明細書では、レコーダブル D VDという。）や D VD— RW (以下本明細書では、リライタブル DVDという。）が実用化されるにつれて、今度はいかに高速記録を行なえるようにするかが重要になってきた。つまり、容量が大きくなると、記録させる情報量（データ量）も増え、それだけ記録に要する時間が長くなるため、比較的容量の小さい例えば CD— Rや CD— RW などの CDと比べ、大容量のレコーダブル D VDやリライタブル D VD などの DVDでは髙速記録を実現することが重要な課題となってきた。このような要請に応えるべく、初代レコーダブル DVDの記録線速度は 3. 4 9m// sであったが、その 4倍速のレコーダブル DVDが実用化されつつある。しかし、これでも不十分であるとされ、ユーザからは 8倍速度以上の高速記録を望む声が強い。

しかしながら、レコーダブル DVDでは、高速記録を行なおうとすると記録マーク間で熱干渉が生じる傾向にあり、より高いレベルでの高速記録の実現は困難であるとされている。つまり、有機色素を用いたレコ一ダブル DVDでは、波長 6 60 nm近傍の半導体レーザ光を照射してマークを記録する。このようなレコーダブル DVDでは、記録速度が上がるにつれて（即ち、記録周波数が高くなるにしたがって）、記録に要するレーザパワーがリライタブル DVDに比べて増大する上に、記録マークを形成するために照射したレーザ光によって発生した熱を十分に逃す時間を確保することが困難となる。このため、レコーダブル DVDにおいては、マーク記録で発生した熱が前後のマーク形成に及ぼす影響がより大きくなる傾向にあり、記録マークを正確に形成することが困難となる傾向にある。かかる熱干渉により、有機色素を用いたレコーダブル D VDでは、より高いレベルの記録線速度において記録パワーのマージンが狭くなる傾向がある。このため、レコーダブル DVDでは、 8倍速以上での高速記録を実現するのは難しいと考えられている。

一方、リライタブル DVDでは、記録マーク間の熱干渉は軽微であり実質的に問題とならないものの、情報を記録する（書き込む）際に消去を行なう必要があるため、現在のところ、書換可能な記録線速度は 2. 4倍速程度に留まっている。発明の開示

本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、大容量の光記録媒体において、高速記録を実現できるようにした、光記録方法及びこの光記録方法を用いる記録再生装置を提供することを目的とする。

このため、本発明の光記録方法は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、様々な時間的長さ n T (Τは基準クロック周期、 ηは 2以上の整数）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、

(Μ— 1 ) 記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、

時間的長さ n Tを、

rj ！ Τ, α！ Τ, j3 ！ Τ, a ₂ T、 ]3 ₂ Τ、 · · ·、

(¾ i l、 β i T、 · · · 、 ct _ml、 ]3 _mT、 η 2 T

(mはパルス分割数であり、 iは 1以上 m以下の整数である。 ∑ i

+ β , ) + 7^ + 77 2 = 11である。 _{a i} ( 1 ≤ i ≤m) は 0より大きい実数であり、 β ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) は 0より大きい実数であり、 ]3₁„は0以上の実数であり、 η i及び 7] ₂はそれぞれ— 2以上 2以下の実数である。 ) の順に分割し、少なくとも一^ 3の記録マークの時間的長さは、パルス分割数 mを 2以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、 m≥ 1. 2 5を満たすようにして、

ct i Tの時間内には、記録パワー P W i ( 1 ≤ i ≤m) の記録光を照射し、

β i Tの時間内には、バイアスパワー P b _s ( 1 ≤ i ≤m, P b ； < P W i、 P b ； < P w _{i + 1}) の記録光を照射して、

n Tの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、

複数の記録マーク間には、消去パワー P e (P eは l ≤ i ≤mにおける m個の P b ；それぞれの値以上であり、 1 ≤ i ≤mにおける m個の P W iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射し、

(M- 2) 記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合は、

n Tの時間的長さを有する記録マークを、記録パワー P wHの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することを特徴としている。

好ましくは、バイアスパワー P b ；及び P b Hが、消去パワー P eよりも小さくなるようにする。

また、記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合において、

n T (nは k。以上の自然数、 k。は 2又は 3) の記録マークを、 k。

T、 · ·、 (k o + (k 1 )) Tの時間的長さを有する記録マーク（k i は整数）と、（k。十 T以上の時間的長さを有する記録マークとに分け、

y (γは 0以上 2以下の値）を nによって異なり得るものとし、 k ₀T、 ' ·、 (k 0 + (k 1 )) Tの時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点から T_{d k}T (T_{d k}は一 1から 1 の間の値）の時間だけ遅れた時点から記録パヮー P w Hの記録光の照射を開始し、記録マークの終点から _Ί Τの時間だけ早い時点において記録パワー PwHの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成し、

(k 0 + k T以上の時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点から記録パヮー P w Ηの記録光の照射を開始し、記録マークの終点から γ Τの時間だけ早い時点におレ、て記録パヮー P w Ηの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成するように構成するのが好ましい。さらに、記録速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、

n Tの時間的長さを有する記録マークを形成する際に、

n = 2 m (mはパルス分割数、 1以上の自然数）なる記録マークについては、時間的長さ（n— j ) T ( j は _ 2〜2なる実数）を、

α ι , T、ひ ₂Τ、 ]3 ₂Τ、 · · · ·、 c _mT、 ]3 _mT

からなる m個の a i Tと _; Tとからなる区間（ただし∑ _; (a , + β ； ) = η— j ) に分割し、

n = 2 m+ 1なる記録マークについては、時間的長さ（n— k) T ( kは一 2〜2なる実数）を、

a , ' Τ、 β Τ、 α ₂ ' T、 j3₂' Τ、 · · · · 、 a Τ、 β Τ からなる m個の α Tと ]3 ； ' Tからなる区間（ただし、 ( a _{ ' + i3 ） = n _ k) に分割し、

m 4では、 +ひ；ニ卜 + a i ' = 2 ± 0. 2 ( i = 3〜 m— 1 ) として、

(^丁及びひ Tの時間内には、記録パワー PW i ( 1 は 1以上!11以下の整数）の記録光を照射し、

β 及び β Τの時間内には、バイアスパワー P b i ( i は 1以上 m以下の整数）の記録光を照射するように構成するのが好ましい。

また、記録パワー P W iが、 1≤ i ^！^こぉぃてー定値？でぁり、バイアスパワー P b iが、 l ^ i ≤mにおいて一定値 P b Lであるのが好ましい。

らに、 a i≠ a i 、 ]3！≠ ]3！、 a ₂≠ a ₂ 、 /3 _m— i≠ /3_m— 1 、 a _m ≠ a_m' 及ぴ β _m≠ β _m' のうちの少なくとも一つを満たすようにするのが好ましい。

また、 ]3 _m— ₁≠ /3_m—₁ ' 及び a_ra≠ a_m' を満たすようにするのが好ましい。

本発明の書換型光記録媒体は、上記の光記録方法によって情報を記録される書換型光記録媒体であって、相変化型記録層が S bを主成分とする組成であることを特徴としている。

本発明の記録再生装置は、相変化型記録層を有し、相変化型記録層の結晶状態を未記録 · 消去状態とし、この未記録 ·消去状態に様々な時間的長さ nT (Τは基準クロック周期、 ηは 2以上の整数）の非晶質状態の記録マークを形成することによって、情報を記録する円盤状の書換型光記録媒体を装着し、書換型光記録媒体を回転させた状態で書換型光記録媒体に記録光を照射することによって情報の記録を行う記録再生装置であって、

書換記録モード、ライトワンス記録モード、及び DC消去モードの 3 つの記録光照射モードを有し、

(A- 1 ) 書換記録モードにおいては、

情報の記録を行なう書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように書換型光記録媒体を回転させた状態で、

時間的長さ n Tを、

V ！ Τ, α _χ Τ, β _χ Τ, α ₂Τ、 β ₂τ、 · ·

α i Τ、 i Τ、 · · · 、 a_mT、 H ₂Τ

(mはパルス分割数であり、 i は 1以上 m以下の整数である。 ∑ i ( ct i + i3 + 7^ + 77 2 = 11である。 ct i ( 1≤ i ≤m) は 0より大きい実数であり、 ]3 i ( 1≤ i ≤ m- 1 ) は 0より大きい実数であり、 /3 _mは 0以上の実数であり、 η i及び η ₂はそれぞれ— 2以上 2以下の実数である。 ) の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、パルス分割数 mを 2以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、 m≥ 1. 2 5を満たすようにして、

a i Tの時間内には、記録パワー P w； ( 1≤ i ≤m) の記録光を照射し、

β ； Tの時間内には、バイアスパワー P b i ( 1≤ i ≤m, P b i < P wい P b iく Pw _{i + 1}) の記録光を照射し、

n Tの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、

複数の記録マーク間には、消去パワー P e ( ? 6は 1 ^ 1 ≤ !11にぉける m個の P b iそれぞれの値以上であり、 1≤ i ≤mにおける m個の P W iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射することによつて、書換型光記録媒体に記録を行い、

(A— 2) ライトワンス記録モードにおいては、

情報の記録を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速くなるように書換型光記録媒体を回転させた状態で、

n Tの時間的長さを有する記録マークを、記録パヮ一 PwHの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することによって、書換型光記録媒体に記録を行い、 (A— 3) D C消去モードにおいては、

情報の消去を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように書換型光記録媒体を回転させた状態で、消去パワー P_DCの記録光を照射することによって、書換型光記録媒体に記録されている情報の消去を行い、

(A-4) 書換記録モードを実行した後にライトワンス記録モードを実行する場合、又は、ライトワンス記録モードを実行した後に再度ライトワンス記録モードを実行する場合には、 D C消去モードを行って書換型光記録媒体に記録されている情報を消去するように構成されることを特徴としている。

好ましくは、バイアスパワー P b _;及び P b Hが、消去パワー P e よりも小さくなるように構成する。

また、記録パワー P w _;が、 1≤ i ≤mにおいて一定値 P w Lであり、バイアスパワー P b iが、 1 ≤ i ≤mにおいて一定値 P b Lであるのが好ましい。

さらに、 D C消去モードにおける消去パワー P _{D C}が、書換記録モードにおける消去パワー P e と等しくなるようにするのが好ましい。

本発明の光記録方法は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、記録マークの長さが所定長さ以上のときは、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第 1所定時間だけ早くなるようにし、記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、ブロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第 2所定時間だけ遅れるようにするとともに、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第 1所定時間だけ早くなるようにするとともに、記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いることを特徴としている。特に、第 1所定時間及び第 2 所定時間を、記録マークの長さに応じて変化させるようにするのが好ましい。

好ましくは、パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、 n T ( n ： 3以上の自然数， T ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 nが偶数であるときは、後続パルス列における一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略 2になるようにする。

また、パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パヮ一レベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、 n T ( n ： 3以上の自然数， T ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 nが奇数のときは、後続パルス列を構成する冷却パルスと記録パルスとの対のうち、最先の冷却パルスと記録パルスとの対及び最後の冷却パルスと記録パルスとの対以外の、一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略 2になるようにするのが好ましい。

さらに、パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パヮ一レベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、 n T ( η ： 3以上の自然数， Τ ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、後続パルス列を構成する記録パルスの数を、 η が奇数であるか偶数であるかに関わらず同数にし、 _ηが奇数の場合は、後続パルス列を構成する、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パノレスのパルス幅、最後の冷却パノレスのパルス幅、及び最後の記録パノレスのパルス幅から選ばれる少なくとも 1つを、 ηが偶数の場合の、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、最後の記録パルスのパルス幅のそれぞれに対して変化させるように構成するのが好ましレ、。本発明の光記録方法は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の相変化型記録層の結晶状態を未記録 · 消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブ口ックパルスを用い、記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、記録マークの長さが所定長さ以上のときょりも、プロックパルスの開始時期が所定時間だけ遅れるようにすることを特徴としている。

本発明の記録再生装置は、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いられる記録再生装置であって、記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、記録マークの長さが所定長さ以上のときは、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第 1所定時間だけ早くなるようにし、記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、ブロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第 2所定時間だけ遅れるようにするとともに、プロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第 1所定時間だけ早くなるようにするとともに、記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いるように構成されることを特徴としている。

したがって、本発明の光記録方法及び記録再生装置によれば、例えばリライタブル D V Dのような大容量の書換型光記録媒体を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用い、記録速度に応じた記録パルスとすることで、大容量の光記録媒体における高速記録を実現できるという利点がある。図面の簡単な説明

図 1 ( a ) 〜図 1 ( c ) は、本発明の一実施形態にかかる光記録方法において所定記録線速度以上の線速度で書き込みを行なう場合の記録パルスを説明するための図である。

図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) は、本発明の一実施形態にかかる光記録方法において所定記録線速度よりも低い線速度で書き込みを行なう場合の 2 T分割パルスストラテジーを説明するための図である。

図 3 ( a ) 〜図 3 ( c ) は、本発明の一実施形態にかかる光記録方法において所定記録線速度よりも低い線速度で書き込みを行なう場合の 2 T分割パルスストラテジ一の他の例を説明するための図である。発明を実施するための最良の形態

以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。

[ 1 ] 書換可能な相変化型記録層を有する光記録媒体（書換型光記録媒体）を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用いる意義書換可能な相変化型記録層を有する光記録媒体（単に相変化型光記録媒体又は書換型光記録媒体という場合もある；例えばリライタブル D V Dなど）においては、相変化型記録層（単に記録層という場合もある）に光（例えばレーザ光）を照射して、相変化型記録層の結晶状態を未記録状態又は消去状態とし、非晶質状態（アモルファス状態）を記録状態とすることによって、情報の記録を行なっている。

具体的には、相変化型記録層に、異なる長さを有する複数の非晶質状態の記録マーク（本明細書では、非晶質状態の記録マークを単に記録マーク又はマークという場合がある。）を形成して情報を記録するようになつている。例えば、音楽データ，画像データ，文書データ等の各種情報は、結晶状態の相変化型記録層中に異なる長さを有する複数の記録マーク（非晶質状態）を形成することで情報を記録することになる。そして、非晶質状態の部分（記録マーク；記録部）と結晶状態の部分（記録マーク間；未記録部）とを組み合わせることによって情報が記録されることになる。

ここで、非晶質状態の記録マーク（単に非晶質マークという場合もある）は、光照射により記録層を融点より高い温度まで加熱した後に、急冷することにより形成される。急冷を行う際に十分な冷却速度が得られないと、非晶質マークは再結晶化（即ち消去）してしまうので注意が必要である。

一方、非晶質マークの消去（結晶化）は、光照射により記録層を加熱して、結晶化温度から融点直上又は融点より低い温度範囲における温度で数十から数百ナノ秒間保持することにより行われる。

通常、オーバーライト時（書換時）の線速度（書換線速度）が速いほど、ビーム走査方向（非晶質マークの長さ方向）及びビーム走査方向に直交する方向（垂直方向，非晶質マークの幅方向）におけるそれぞれの温度分布が急峻になる。このため、オーバーライト時の線速度が速くなると、特に非晶質マークの幅全体を上記の温度範囲内の温度で十分な時間保持して結晶化（非晶質マークの消去）するのが困難になる。そして、結晶化（消去）が不十分な場合、非晶質マークの周辺部に消去残りが生じることとなる。したがって、相変化型光記録媒体を書換型光記録媒体として用いる場合には、オーバーライト可能な線速度の上限は、上記消去残りが生じるか否かで決まることになる。

例えば大容量の書換型光記録媒体であるリライタブル D V Dでは、情報を記録する（書き込む）際に消去を行なう必要があるため、書換可能な記録線速度は 2 . 4倍速程度に留まっているのが現状である。

一方、相変化型光記録媒体を例えばレコーダブル D V Dのような追記型光記録媒体として用いる場合（即ち、初期化状態或いは結晶状態とされた相変化型記録層に一回だけ記録を行なう媒体として用いる場合）には、記録されている情報を消去しなくても良いため、記録を行なう線速度（書込線速度）をオーバーライト可能な線速度よりも速くする（高速にする）ことができる。

例えば、相変化型光記録媒体の製造後は、相変化型記録層の全面が初期化されており、結晶状態（消去状態）とされているため、初回の記録はオーバーライト可能な線速度よりも高速の線速度で記録を行なうことが可能となる。また、例えば、相変化型光記録媒体に既に情報（データ ) が記録されている場合であっても、 D C光を照射して情報を消去してから（相変化型記録層を結晶状態に戻してから）、記録を行なうようにすれば、オーバーライト可能な線速度よりも高速の線速度で記録を行なうことが可能となる。

また、有機色素を記録層に用いる大容量のレコーダブル D V Dでは、記録マーク間の熱干渉の影響が大きくなる傾向があるため、線速度を例えば 8倍速以上とすることは難しいとされている。これに対し、相変化型記録層を用いる大容量のリライタブル D V Dでは、有機色素を記録層に用いるレコーダブル D V Dとは記録層の材料や層構成等が異なる。このため、相変化型記録層を用いる大容量のリライタブル D V Dでは、有機色素を記録層に用いるレコーダブル D V Dほどは熱干渉の影響が大きくなる傾向がなく、より高速の線速度での記録を容易に行なうことが可能となる。

さらに、有機色素を記録層に用いるレコーダブル D V Dの記録可能回数は一回限りである。その特性に適した用途としては、記録データの改竄が出来ないことから公文書等の記録に用いることが挙げられる。しかし、一般的な用途においては、書き換えが可能である方が望ましい場合が多い。更に、書換可能すなわち繰り返し記録が出来るということは、資源と環境への負担を低減することができるという点からも重要である _t 従って、相変化型記録層を有するリライタブル D V Dのような書換型光記録媒体を、敢えて積極的にレコーダブル D V Dのような追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用いるようにすれば、情報を記録する際に消去を行なう必要がなくなるため、 D V Dという大容量の光記録媒体において、有機色素を記録層に用いるレコーダブル D V Dでは実現が難しいとされる、より高速の記録線速度（記録速度）での記録（高速記録）が可能となる。このため、 D V Dという大容量の光記録媒体において、例えば大容量データなどを高速でダビングできるようになる。また、相変化型記録層を有するリライタブル D V Dのような書換型光記録媒体を、敢えて積極的にレコーダブル D V Dのような追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用いるようにすれば、資源と環境への負担も軽減することができる。

そこで、本実施形態では、例えば 4 G B以上の大容量のリライタブル D V D (書換型光記録媒体）に情報の記録（書き込み）を行なう際には、相変化型記録層を予め結晶状態（消去状態）としておき、記録時に消去を行なわなくても書き込みを行なえるようにする。このような実施形態を採用することによって、より高速な記録線速度での書き込み（高速記録）を行なえるようにしている。なお、このような書込モードをライトワンス記録モードという。

これにより、記録可能な（書込可能な）線速度の上限を上げることができ、この結果、記録可能な線速度の範囲を広範なものとすることがでさる。なお、例えばリライタブル D V Dのような書換型光記録媒体の相変化型記録層は、例えば出荷時や販売時などには初期状態として結晶状態（消去状態）となっているため、この状態でライトワンスメディアとして用いることができる。但し、既に相変化型記録層に情報が書き込まれている場合（相変化型記録層に非晶質の記録マークが形成されている状態 ) であっても、ライトワンス記録モードでの書き込みを行なう前に D C 光を照射することで相変化型記録層を結晶状態（消去状態）にすれば、ライトワンスメディアとして用いることができる。

ところで、最高記録線速度が高くても、記録可能な線速度の範囲が狭いと限定的な使用方法にとどまることがある。

リライタブル D V Dにおける記録は、通常、回転速度一定の C A V (Constant Angular Velocity記録、 P C A V (Partial Constant Angular Velocity)記録、又は線速度一定の C L V (Constant Linear Velocity)記録、 Z C L V (Zoned Constant Linear Velocity)記録で行われる。

C L V記録では、頻繁に回転速度を変更するため、モータの加速 ·減速のために多大な電力を消費するが、 C A V記録ではその必要が無く、ドライブの消費電力を大幅に改善できる利点がある。特にノート型パーソナルコンピュータ（P C ) に内蔵されるような薄型のドライブでは消費電力を抑える必要があり、薄型ドライブで高速 C A V記録するという使用方法を採ることが望まれる。

しかし、リライタブル D V Dにおいて記録時間短縮等のために、回転速度を一定とする C A V記録を実施すると、最外周での記録線速度は最内周での記録線速度の約 2 . 5倍に達することとなる。例えば、最内周での記録線速度が 2 . 4倍速である場合、最外周での記録線速度は 6倍速となる。従って、 C A V又は P C A V記録を良好に行うためには、広範囲な記録線速度で光記録媒体に記録を行う必要がある。 , „

004/055791 ここで、広範な記録線速度に対応するために、記録マーク形成時のレ一ザのオン · オフを制御する記録ストラテジ一を、記録線速度に応じて変化させる記録方法を採用することが考えられる。

しかしながらここで留意しなければならないのは、記録線速度に応じて記録ストラテジーを複雑に変化させると、記録装置（ドライブ、記録再生装置）への負担が重くなつてしまうことである。従って、記録線速度に応じて記録ストラテジーを変化させなければならない場合も、その変化は単純且つ規則性が高くすることが望まれる。

そこで、本発明者らが、広範囲な記録線速度で良好な記録を行なえるようにするとともに、広範囲な記録線速度における記録ストラテジーの制御を容易にすべく鋭意検討した結果、書換型光記録媒体（例えば大容量のリライタブル D V Dなど）の相変化型記録層を予め結晶状態（消去状態）としておき、記録時（書き込み時）に消去を伴わずに書き込みを行なう場合（ライトワンス記録モード時）に、記録線速度が所定記録線速度以上であるか否か（例えば記録線速度が書換可能な最大記録線速度以上であるか否か、即ち、記録線速度が所定記録線速度よりも速いか否か；例えば記録線速度が書換可能な最大記録線速度よりも速いか否か）によって、後述するように記録方法を変えることが望ましいことを見出した。

なお、ライトワンス記録モードで書き込みを行なって情報（データ）を記録させた場合であっても、書換可能な線速度の範囲内で書き換え（オーバーライト）を行なうことは可能である。

[ 2 ] 光記録方法

上述のように、相変化型記録層を有するリライタブル D V Dのような書換可能型光記録媒体を、敢えて積極的に追記型光記録媒体として用いる場合、広範な線速度での記録が可能となるように記録方法（光記録方法）を工夫する必要がある。

このため、本実施形態にかかる光記録方法では、相変化型記録層（特にアンチモン S bを主成分とする組成のもの）を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する。そして、この光記録方法において、記録速度が所定記録速度以上である場合（例えば記録線速度が書換可能な最大記録線速度以上である場合、即ち、記録速度が所定記録速度よりも速い場合；例えば、書換型光記録媒体の書換可能な最大記録線速度よりも速い場合）は、一つの記録マークを形成するためにの記録パルスとして一つのブロックパルスを用レ、、記録速度が所定記録速度よりも低い場合（例えば記録線速度が書換可能な記録線速度よりも低い場合、即ち、記録速度が所定記録速度以下の場合；例えば、書換型光記録媒体の書換可能な最大記録線速度以下の場合）は、一つの記録マークを形成するために複数の記録パルスからなるパルス列を用いるようにしている。

つまり、本実施形態では、例えばリライタブル D V Dのような書換型光記録媒体を敢えてライトワンスディスクとして用いるため、記録マークの形成を行なう際には相変化型記録層は結晶状態（消去状態）になつている。

まず、例えば情報を記録する際に、ユーザが記録速度（書込速度；例えば X倍速）を指定すると、ドライブ（記録再生装置）側に指定された記録速度が入力され（これを入力記録速度という）、これに応じてドライブ（記録再生装置）側で記録線速度が設定される（これを入力記録線速度という）。

次に、ドライブは、入力記録速度（入力記録線速度）力ドライブに挿入された書換型光記録媒体における所定記録速度（所定記録線速度；例えば書換可能な線速度）であるか否かを判定する。

例えば、書換型光記録媒体（光ディスク）を一定の線速度で回転させる場合（C L V方式）、入力記録線速度が所定記録線速度（例えば、挿入された書換型光記録媒体における書換可能な線速度）以上であるか（即ち、所定記録線速度よりも速いか）否かを判定する。

一方、例えば書換型光記録媒体を一定の回転速度で回転させる場合（ C A V方式）、線速度は内周側よりも外周側の方が速くなるように所定の範囲を有するものとして設定されることになる。このため、例えば、上記所定範囲の入力記録線速度の全てが所定記録線速度以上であるか否か (例えば書換可能な線速度以上であるか否か、即ち、所定記録線速度よりも速いか否か；例えば、挿入された書換型光記録媒体における書換可能な線速度よりも速いか否か）を判定する。また、例えば最内周の線速度（最も遅い線速度）が所定記録線速度以上であるか否か（例えば書換可能な線速度以上であるか否か、即ち、所定記録線速度よりも速いか否か；例えば、揷入された書換型光記録媒体における書換可能な線速度よりも速いか否か）を判定するようにしても良い。

そして、記録速度が所定記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを一つのブロックパルスとする。一方、記録速度が所定記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスを複数の短パルスからなるパルス列とする。この場合の記録方法の詳細は後述する。

以下、本実施形態にかかる光記録方法について、相変化型光記録媒体としてリライタブル D V Dを例にとって、より具体的に説明する。

[ 2 A ] 所定記録速度（所定記録線速度；例えば書換可能な線速度）よりも速い記録速度（線速度）での記録方法

[ 2 A - 1 ] 記録線速度範囲と記録方法現状の光ディスクドライブ（光記録媒体の記録再生装置）では、光記録媒体（以下、光ディスク又はディスクという場合もある）を回転させるスピンドルモータの回転数は、 1 0 0 0 0 r p m程度が上限となる。これは、光ディスクの基板として通常用いられる分子量 1 2000〜2 00 00のポリカーボネート樹脂が、これ以上の回転数では遠心力により破壊してしまうおそれがあるためである。

リライタブル D VDは、通常、直径 1 2 c mの円盤形状をしており、少なくとも半径 2 3 mn！〜 5 8 mm (好ましくは 2 2〜 5 8 mm) の範囲にわたって記録領域を有する。一方、リライタブル DVDにおける基準線速度は 3. 4 9 m/ sである。従って、約 1 00 00 r p mでディスクを回転（CAV回転）させると、記録領域の最内周（半径 2 2mm 位置）における線速度は、基準線速度の約 7倍速となり、記録領域の最外周（半径 5 8mm位置）における線速度は、基準線速度の約 1 7倍速となる。従って、基準線速度の約 1 7倍速程度が、現時点におけるリライタブル DVDにおける記録速度（書込速度）の物理的な限界となる。現在、リライタブル DVDは、基準線速度の 1倍速〜 2. 4倍速で書換可能なものが実用化されている。この場合、書換可能な線速度の範囲 (消去しながら書き込みを行なうことができる線速度範囲）は基準線速度の 1倍速〜 2. 4倍速の範囲となる。従って、現在実用化されているリライタブル DVDにおいては、 2. 4倍速よりも大きく、約 1 7倍速以下が書換可能な記録線速度よりも速い記録線速度範囲となる。尚、リライタブル DVDにおける書換可能な記録線速度の上限は、いずれ 4倍速から 5倍速程度となるであろう。従って、書換可能な記録線速度よりも速い記録線速度範囲は、いずれ 4倍速から 5倍速程度よりも大きく、約 1 7倍速以下となるであろう。

そこで、本発明者らは、大容量のリライタブル DVDにおいて、書換可能な線速度よりも速い線速度（書換可能な記録速度よりも速い記録速度）において、未記録又は消去状態（結晶状態）の相変化記録層への非晶質マークの良好な記録を行なえるようにするための記録方法を鋭意検討した。

本発明者らが記録方法を検討する際に留意した点は、以下の 2つである。

( 1 ) まず、書換可能な線速度よりも速い記録線速度のように高速で記録を行なう場合、低速での記録の場合と比較して、相変化型記録層を溶融するのに、より大きいレーザパワーが必要となる。しかしながら、レ一ザパワーは、半導体レーザの最大出力パワーよりも大きくすることができない。このため、レーザパワー不足となる場合は、後述するように、レーザのオンオフを上手く制御することが（非晶質の記録マークを形成するためのレーザのオンオフを、記録ストラテジ一という。）重要である。

( 2 ) また、上記記録ストラテジーを単純化することが重要である。ここで、 C A V記録では、記録領域の最内周と最外周とで 2 . 5倍程度の線速度差がある。従って、リライタブル D V Dの記録領域の内周から外周に向かって記録を行なう場合には、記録線速度が逐次変化することになるが、この記録線速度の変化に伴って記録ストラテジーを変化させることが必要となる。レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計上、この記録ストラテジーの変化は、極力単純で制御しやすいものとすることが要求される。

一般に、相変化型光記録媒体においては、一つの記録マークを複数の短いパルス（分割パルス）で記録する記録ストラテジーが採用されている。しかしながら、この記録ストラテジーは、書換可能な最大記録線速度よりも速い記録線速度では用いることができないことが分かった。これは、書換可能な最大記録線速度よりも速い記録線速度の範囲では、複数の短パルスで記録ストラテジーを形成すると、記録マークの形成に用いる全体のレーザパワーが不足してしまうためである。また、高周波でレーザをパワー変調（レーザのオンオフ）しなければならないため、レ一ザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計も難しい。

例えば、リライタブル D V Dの基準線速度（3 . 4 9 m/ s ) におけるクロック周期： T (本明細書においては、クロック周期を Tで表す場合がある。）は約 3 8 . 2 n s e cである。各線速度における線速度： V とクロック周期： Tとの積： V Tが一定であるため、 8倍速ではク口ック周期： Tは約 4 . 8 n s e c、すなわち 1周期の時間長（ 1 T ) は 5 n s e c以下となる。レーザパルスは、立ち上がり立ち下がりに通常少なくとも 1 n s e c程度を要する。従って、複数の短パルスで記録ストラテジ一を形成した場合に記録層を融点以上に加熱することは、基準線速度の 8倍速以上においては極めて困難となる。むしろ、従来、分割パルスストラテジーが使用されていたのは、一つのパルス（ブロックパルス）で記録した場合にマーク形状が歪んだり、十分な冷却速度が得られずに非晶質マークが再結晶化してしまうことを防ぐため（非晶質状態の記録マークを形成する際の冷却速度を確保するため）であった。

上述のような点に留意して本発明者らが検討した結果、結晶状態の相変化型記録層に情報を記録する場合であって、所定記録線速度よりも速い記録線速度（例えば、書換可能な最大記録線速度よりも速い記録線速度）で記録（書き込み）を行なう場合には、複数の短パルスで記録ストラテジ一を形成する必要はなく、単純に一つのパルス（ブロックパルス ) で記録しても非晶質マークを形成できる程度の十分な冷却速度が得られることがわかった。さらに検討を加えた結果、ブロックパルスによる記録ストラテジーによって記録可能な（書込可能な）線速度の下限は、書換可能な線速度範囲の上限程度であることを見出した。つまり、結晶状態の相変化型記録層に非晶質マークを IB録する場合であって、所定記録線速度よりも速い（書換可能な最大記録線速度よりも速い）線速度（書換可能な線速度の上限からディスク回転数の物理的限界で決まる速度までの線速度）で記録（書き込み）を行なう場合には、 1つのパルスによる記録ストラテジーを使用するのが好ましいことがわかった。

このような、 1つのパルスによる記録ストラテジーとして、本発明においては以下の記録方法を用いる。

すなわち、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な時間的長さ n T ( Τは基準クロック周期、 ηは 2以上の整数）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、記録線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度よりも速い場合においては、 η Τの時間的長さを有する記録マークを、記録パワー P w Hの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成するのである。なお、本発明においては、「基準クロック周期」を単に「クロック周期」と言う場合がある。また、本発明において「ブロックパルス」とは、記録パワー P w Hの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とからなる 1つのパルスによる記録ストラテジーのことをいう。例えば、図 1 ( a ) 〜図 1 ( c ) のような記録ストラテジーをブロックノノレスとレ、う。逆に、結晶状態の相変化型記録層に情報を記録する場合に、記録線速度を所定記録線速度以下の線速度（所定記録速度以下の記録速度；例えば書換可能な最大記録線速度以下の線速度、書換可能な記録線速度範囲の線速度）にすると、 1つのパルス（ブロックパルス）で記録するには冷却速度が不十分となり非晶質マークの形成が困難になることが判明した。従って、結晶状態の相変化型記録層に情報を記録する場合に、記録線速度を所定記録線速度以下の線速度（所定記録速度以下の記録速度；例えば書換可能な最大記録線速度以下の線速度）にするときは、分割記録パルスを用いた記録ストラテジーを採用するのが好ましいことがわかつた。この点については下記 [2 B] で詳細に説明する。

[2 A- 2] 具体例

以下、所定記録線速度よりも速い（例えば書換可能な最大記録線速度よりも速い）線速度（記録速度）で用いる 1つのパルス（ブロックパルス）による記録ストラテジ一の具体例について説明する。

本発明においてブロックパルスによる記録ストラテジ一として好ましいのは、以下の記録ストラテジーである。

すなわち、記録線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度よりも速い場合において、

n T (nは k。以上の自然数で、 k。は 2又は 3) の記録マークを、 k 。Τ、 · ·、（k。十 (k 1 )) Tの時間的長さを有する記録マーク（ここで、は整数である。）と、（k。十 T以上の時間的長さを有する記録マークとに分け、

y (γは 0以上 2以下の値）を ηによって異なり得るものとし、 k。T、 ' ·、（k。十 (k 1 )) Tの時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点から T_{d k}T (T_{d k}は— 1から 1 の間の値）の時間だけ遅れた時点から記録パヮー P w Hの記録光の照射を開始し、記録マークの終点から γ Τの時間だけ早い時点において記録パワー P wHの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成し、

(k。十 T以上の時間的長さを有する記録マークを形成する場合には、記録マークの始点から記録パヮー P w Hの記録光の照射を開始し、記録マークの終点から γ Τの時間だけ早い時点において記録パワー P w Hの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成するものである。

以下、上記記録ストラテジ一において k。 = 3、 k != 3の場合を例にとって、図 1 (a ) 〜図 1 ( c ) を参照しながら説明する。

ここで、図 1 (a ) 〜図 1 (c) は、所定記録線速度よりも速い（書換可能な最大記録線速度よりも速い）線速度で用いる 1つのパルスによる記録ストラテジ一の一例を示したものであり、（ a ) は、 n T (n = 3 〜 1 4、 Tはクロック周期）の時間的長さを有する非晶質状態の記録マークを形成する場合の記録データ信号（nT信号）、 (b) は nが 6以上における n Tマークを形成する場合の記録ストラテジ一の記録パワー波形、（c ) は nが 3, 4, 5の場合における記録ストラテジーの記録パヮ一波形をそれぞれ示している。

まず、 nが 6以上の場合、即ち時間的長さが比較的長い記録マーク（非晶質マーク）を形成する場合、図 1 (b) に示すように、 n Tのパルス長から 0/ Τのパルス長を減じたパルス長だけ記録パワー PwHのレーザを照射する記録パルスストラテジーを用いるのが好ましい。これは、例えば、 n T (η ： 3以上の自然数， Τ ·· クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 ηが 6以上のとき（記録マークの長さが所定長さ以上の場合）は、ブロックパルスの終了時期が、 n T のパルス幅を有するデータ信号パルス（n T信号）の終了時期よりも γ Τ (第 1所定時間）だけ早くなるようにすることを意味する。

ここで、 _Ί Τは再生時に正確に η Τマークが読み出されるように記録時のマーク長を補正するための補正時間である。 _γ Τは、記録マークの先端側，後端側のいずれに付与してもよいが、後端側に付与するのが好ましい。後端側に付与することにより記録マークの後端形状が安定して再生時のジッター特性が良好となる。なお、は、通常 0以上 2以下の値とする。

なお、より正確にマーク長を制御するためには、 γが ηの関数として設定されるようにする（即ち、 ηに応じて独立に設定されるようにする ) のが望ましい。つまり、 γ Τが ηに応じて変化するように設定するのが好ましい。但し、 ηによらず γを一定とすれば、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計が簡便となる利点はある。

次に、 ηが 3 , 4 , 5の場合、即ち、時間的長さが比較的短い記録マーク（非晶質マーク）を形成する場合、上記 y Τを後端側に付与することに加え、記録パルス波形の開始時期を調整した記録ストラテジーを採用するのが好ましい。このように、マーク先端部を形成する記録パワー

P w Hの記録光の照射開始時期を調整することにより、時間的長さの長い長マーク（例えば nが 6以上のマーク； 6 Tマーク〜 1 1 T , 1 4 T ) の長さと、時間的長さの短い短マーク（例えば nが 6よりも小さいマーク； 3 T , 4 T , 5 T ) の長さのバランスを良好に補正することができるようになる。つまり、長マークよりも短マークの方が、記録光を照射して形成される非晶質マークの前端が目標位置よりもずれる傾向が著しいため、このように、短マークの場合にだけ、記録光の照射開始時期を調整することで、記録光を照射して形成される長マークの長さと短マークの長さとのバランスを良好なものとすることができ、よりジッターの値が良くなり、良好な記録特性が得られることになる。

具体的には、図 1 ( c ) に示すように、 3 T , 4 T , 5 Tマークを形成する記録パルスの開始時期は、 6 T以上の時間的長さの記録マークを形成する記録パルスの開始時間よりも、 T _dk T (所定時間）だけ遅らせる。つまり、 n = 6以上の記録マークの場合と比較して T _dk Tだけ遅れた時点から、 n Tから γ Τだけ減じた時点までレーザパワーを記録パヮ一 P wHとする記録パルスストラテジーを採用する。

これは、例えば、 n T ( n ： 3以上の自然数， T ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 nが 3〜5のとき（記録マークの長さが所定長さよりも短い場合）は、ブロックパルスの開始時期（記録パワー P wHの記録光の照射開始時期）力 S、データ信号パルス（n T信号）の開始時期よりも T_dkT (第 2所定時間）だけ遅れるようにするとともに、ブロックパルスの終了時期がデータ信号パルス（ n T信号）の終了時期よりも γ Τ (第 1所定時間）だけ早くなるようにすることを意味する。

ここで、 T_dkTは、 n = 3， 4， 5の場合でそれぞれ独立に一 1 T〜

+ 1 Τの範囲で調節することが好ましい。つまり、 T_dkを ηの関数として設定されるようにする（即ち、 ηに応じて独立に設定されるようにする）のが望ましい。言い換えると、 T _{d k} Tが ηに応じて変化するように設定するのが好ましい。但し、 ηが 3〜5のいずれであっても T _{d k} Tを一定とすれば、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計が簡便となる利点がある。

ここで、 T _{d k} Tは、 n Tの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。従って、例えば、 T _{d k} T = _ Tとした場合は、 n Tの記録マークの先頭位置よりも 1 T分だけ速い時期で記録パワー P w Hの記録光（レーザ光）の照射を開始することになる。通常、 T _{d k}は、 - 1以上、 1以下の値とする。

なお、ここでは、 nが 6 ( k 0 = 3 , k！ = 3 , n = k ₀ + k _x) 以上の場合を記録マークの長さが所定長さ以上の場合とし、 nが 3 ( k。= 3 , n = k ₀), 4 [ k。= 3 , k J = 3 , η = k ₀ + ( k , - 2 )], 5 [ k。 = 3 , k J = 3 , n = k。十 ( k J - 1 )] の場合を記録マークの長さが所定長さよりも短い場合としているが、これに限られるものではなく、記録マークの長さが所定長さ以上であるかを判定するのに用いられる nの値は任意に設定することができる。 nは、通常は、 4、 5、 6のいずれかの値をとる。これは、時間的長さが短いマークほど、形成される非晶質マークの前端が所定の位置よりずれる傾向が著しいためである。

上記 1つのパルスによる記録ストラテジーは、レーザパワーを記録パヮー PwHで維持する時間を原則としてク口ック周期 Tに比例させる。このため、 C AV記録のように記録半径位置によって記録線速度が変化した場合においても、上記比例関係が維持される（比例係数が固定されている）ため、容易に記録パルスを形成することが可能であり、広範囲な線速度での記録が可能となる。

なお、図 1 (b), 図 1 (c ) に於ける PwHは記録パワーレベルであり、記録層を融点以上に昇温し、非晶質マークを形成するに足るパワーである。一方、 P b Hは非晶質マーク間に照射するバイアスパワーレべルである。

P wHと P b Hとの関係は以下のように設定することが好ましい。まず、 0く P b Hく P eく P wHとすることが好ましい。つまり、 P b H を P eよりも小さくすることが好ましい。ここで、 P eは消去パワーである。消去パワー P eについての説明は後述する。また、通常、 P bH /P wH≤ 0. 5とする。また、 P b Hと P e との関係は、 P b H/P e≤ 0. 8とすることが好ましく、 P b HZP e≤ 0. 7 5とすることがより好ましく、 P bH/P e≤ 0. 7とすることが特に好ましい。なお、上述ょうに、相変化型記録層を結晶状態（未記録又は消去状態）として記録（書き込み）を行なうようにすれば、所定記録線速度（例えば書換可能な最大記録線速度）よりも速い線速度（高速の線速度）での記録（例えばライトワンス）が可能であるが、このようにして記録した非晶質マークは、書換可能（消去可能）な線速度（低速の線速度）で記録（書き換え）を行なうことで、オーバーライトが可能である。また、書き換え可能な線速度において、消去パワーレベル P_DCの D C光を照射することにより消去することもできる。

[2 B] 所定記録線速度（所定記録速度）以下の線速度（書換可能な線速度範囲；記録速度）での記録方法（パルス分割法）

[ 2 B— 1 ] 記録線速度範囲と記録方法

上記 [2A— 1] で説明したように、上記ブロックパルスを用いる記録ストラテジ一は、所定記録線速度（所定記録速度；例えば書換可能な最大記録線速度）以下の記録線速度では、冷却速度が不十分となり、非晶質マークの形成が困難になる。このため、所定記録線速度以下の線速度（例えば書換可能な最大記録線速度以下の記録線速度領域）においては、記録層を融点以上に昇温する記録パワーを有する記録光（レーザ光 ) と、溶融した記録層を冷却する所定のバイアス（冷却）パワーを有する記録光（レーザ光）とを繰り返し照射する（分割記録パルスを用いる ) ことにより、溶融領域の冷却を確保して非晶質の記録マークを形成する記録ストラテジーを採用するのが好ましい。

分割記録パルスを用いた記録ストラテジーとは、具体的には、一つの記録マークを形成するために複数（例えばパルス分割数 m個）の記録パルスからなるパルス列を用い、これらの複数の記録パルスにおいては、記録層を溶融するに足る一定の記録パワー Pw _; ( 1 は 1≤ 1 ≤ 111を満たす。）のレーザ光を記録層に照射し、記録パルス間（本明細書においては、記録パルス間を冷却パルスという場合がある。）においては、バイァス（冷却）ノヮ一 P b i ( i は l≤ i ≤mであり、 P b iく Pwい P b , < P w i _{+ 1}) のレーザ光を記録層に照射する記録ストラテジーをいう。このような記録ストラテジーとしては、複数の記録パルスからなるパルス列を、概ねクロック周期の 1倍（1 T) の周期で繰り返し発生させる方法が従来から用いられている。これは、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さが、ク口ック周期の略 1 倍（ I T) となるように構成する方法である。

ここで、リライタブル DVDの基準線速度におけるク口ック周期は 3 8. 3 n s e cであるため、 2倍速におけるクロック周期は 1 9. I n s e c となる。つまり、リライタブル DVDの記録においては、 2倍速記録の時点でク口ック周期が 2 5 n s e cを下回ることになる。クロック周期が 2 5 n s e c以下となると、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さが概ね 1 Tとなる上記従来の記録方法では、記録層の溶融時間（記録パルスの時間的長さ）及び冷却時間（冷却パルスの時間的長さ）を十分に確保できなくなる。従って、基準ク口ック周期丁が 2 5 n s e c以下となるような記録線速度における記録においては、本発明の nZm (詳細は後述する）を 1. 2 5以上とする記録方法を用いる意義が特に高い。

以上の理由から、本発明においては、上記一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを、ク口ック周期の略 1 . 2 5倍（ 1. 25 T) 以上となるように構成する記録方法を用いる。つまり、上記従来からの方法に対して、より記録線速度の速い記録にも対応するために、複数の記録パルスからなるパルス列の発生間隔を 1 Tよりも大きくする記録ストラテジーを用いる。この記録ストラテジーは、具体的には、複数の記録パルスからなるパルス列の発生間隔を概ねクロック周期の 1. 2 5倍（ 1. 2 5 T) 以上とするものである。これは、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを、クロック周期の略 1. 2 5倍（ 1. 2 5 T) 以上（具体的には、 1. 5 Τ、 2 Τ、 2. 5 Τ、 3 Τ · · ) となるように構成する方法である。なお、本発明においては、例えば、記録パルスが概ねクロック周期（

1 T) で繰り返すようにする記録ストラテジーを 1 T分割パルス（ 1 T 分割パルス記録ストラテジー）という。同様に、例えば、記録パルスが概ねクロック周期の 2倍（2 T) で繰り返すようにする記録ストラテジ一を 2 T分割パルス（ 2 T分割パルス記録ストラテジー）という。

以下の説明では、複数の記録パルスからなるパルス列を概ねクロック周期の 1. 2 5倍以上とする記録ストラテジーについて説明する。そして、このような記録ストラテジ一のより具体的な方法の一つとして 2 T 分割パルス記録ストラテジーについて説明する。なお、以下では、特にクロック周期の 1. 2 5倍以上とする場合について説明するが、本発明は、 1 T分割パルス記録ストラテジ一に適用できるのは言うまでもなレ、。但し、本発明においては 2 T分割パルス記録ストラテジ一に限られるものではなく、例えばクロック周期の 1. 5倍（ 1. 5 T)、 2. 5倍（ 2. 5 Τ)、 3倍（3 Τ) 等で繰り返すような記録ストラテジ一としても良い。この場合にも、後述する本実施形態における特徴的な点を適用することができる。

[2 Β— 2] —般説明

従来から用いられている 1 Τパルス分割は、パルス分割数 mを η— k 個（kは 1又は 2) とするものである。例えば、 1 1 Tマーク（n= l 1 ) を形成する場合にパルス分割数 mを 1 0とすると、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものは 1. I T (m= 1 0、 k = 1 ) となる。つまり、記録パルスが 1. 1 Tの間隔で繰り返し発生されることとなる。

これに対して、本発明で用いる光記録方法は、パルス分割方式による分割数 mを少なくして記録パルスの発生間隔を長くする方法である。この方法を採用することにより、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを長くすることができる。このため、各記録パルスが発生される時間的長さを長くすることができるようになり、書換型光記録媒体の光照射部分の加熱時間を記録パルス（レーザパルス）の応答速度（記録パルスのオン .オフ時の応答速度）に対して十分長くとることが可能となる。加えて、冷却パルスが発生される時間的長さを長くすることができるようになり、非晶質の記録マーク形成時の冷却時間を十分長くとることができるようになる。その結果、 2 5 n s e c以下という短いク口ック周期においても良好なマーク長記録が行なえる。本発明で用いる光記録方法は、リライタブル DVDにおいて記録線速度を 2倍速以上とした場合に特に有効となる。

本発明において採用する分割記録パルスストラテジ一は以下の通りでめる。

すなわち、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な時間的長さ n T (Tは基準クロック周期で、 nは 2以上の整数である。）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、

記録線速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度の範囲内である場合は、

時間的長さ n Tを、

η ！ Τ_Ν α！ Τ, β ひ ₂ τ、 β ₂ τ、 · · · 、

« i /3 ； Τ, · · ·、 a_mT、 β _m丁、 η ₂ Τ

(mはパルス分割数であり、 iは 1以上 m以下の整数である。 ∑ i (_{a i} + j3 _i ) + 7_{7 l} + 77 ₂ = _nである。 _{α ;} ( l≤ i ≤m) は 0より大きい実数であり、 3 ; ( 1≤ i ≤m- 1 ) は 0より大きい実数であり、 ^^^。以上の実数であり、 η 及び 77 ₂はそれぞれ一 2以上 2以下の実数である。 ) の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、上記パルス分割数 mを 2以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、 n/m≥ 1 . 2 5を満たすようにして、

a ； Tの時間内には、記録パワー P w _; ( 1 ≤ i ≤m) の記録光を照射し、

i3 i Tの時間内には、バイアスパワー P b i ( 1 ≤ i ≤m, P b i < P W i、 P b iく P w _{i + 1}) の記録光を照射し、

n Tの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、

複数の記録マーク間には、消去パワー P e ( ? 6は 1 ≤ 1 ^ !!1にぉける m個の P b iそれぞれの値以上であり、 1 ≤ i ≤mにおける m個の P w iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射する。

なお、 2つ以上の異なる時間的長さ n Tを有する記録マークを同一の分割数 mで形成する記録方法を用いる場合、上記 2つ以上の異なる時間的長さ n Tを有する記録マークのぞれぞれにおける _α i及び Ζ又は ]3 i を異なる値とすることが好ましい。つまり、同一の分割数 mにおける、 2つ以上の異なる時間的長さ n Tを有する記録マークにおいて、 1 ≤ i ≤mのいずれかの i における α _; Τ、 β _; Τの時間幅をそれぞれ調整して. 上記 2つ以上の異なる時間的長さ η Τを有する記録マークを形成しわけるのである。

従来の 1 Τパルス分割によればパルス分割数 mを η— k個（kは 1または 2 ) としたが、本発明では mを別の観点から規定する。

本発明においては、少なくとも一つの記録マークの時間的長さについては上記パルス分割数 mを 2以上とする。つまり、必ずしも全ての n T の記録マークについて、 mを 2以上とするパルス分割を行う必要はない。特に 2 T、 3 Τや 4 Τなどの短いマークにおいては熱の蓄積の問題が比較的小さく、パルスの応答速度が追いつかない場合があるため、記録パヮー Pw i ( 1≤ i ≤m) の記録光を 1パルス照射するだけ、或いは記録パワー Pw i ( 1≤ i ≤m) の記録光を 1パルスとバイアスパワー P b i ( 1≤ i ≤m) の記録光を 1パルス照射する方が好ましい。

上記記録方法の特徴は、全ての記録マークの時間的長さについて n / m≥ 1. 2 5とすることである。

仮に 77い 7? ₂を共に 0とすると、 ∑ i (a i + J3 _s) ノ！！！ニ！！ノ!!!であるから、 nZmは（_{a i} + /3 i) の平均的な長さに対応する値であり、（ n/m) Tは、一の冷却パノレスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足して得られる平均周期（分割パルスの平均的周期）に対応する値となる。

従来の 1 Tパルス分割では、 m= n _ kであって kは 1または 2に固定されているから、 n/m= n (n - 1 ) 又は nZm= n/ (n - 2 ) である。この値は、 nが大きいほど小さいから、最長のマーク時間長を n_{ma x}Tとすると n_{m a x}において nZmは最小となる。即ち、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足して得られる平均周期（分割パルスの平均的周期）は最短マークで最も長く最長マークで最も短いから、 a i T、 i3 ； Tは最長マークで最も短い。

例えば、 CDで採用されている E FM変調方式では、 n = 3〜 l l、 k = 2であるから、（r ma xZm) は、 1 1ノ（ 1 1 _ 2) = 1. 2 2 となる。また、 D VDで採用されている E FM +変調方式では、 n = 3〜 1 4、 k = 2であるから、（n_{m a x}Zm) は、 1 4 （ 1 4— 2) = 1. 1 6 となる。同様に、（ 1， 7) — R L L— NRZ I変調方式では、 n = 2〜8、 k = lであるから、（n_{ma x}/m) は、 8ノ（8— 1 ) = 1. 1 4となる。

上記から明らかなように、従来の 1 Tパルス分割では、一の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足して得られる平均周期（分割パルスの平均的周期）を示す nZmの最小値は、 1. 2 2、 1. 1 6、 1. 1 4程度となっており、全ての記録マークの時間的長さについて、 n/m≥ 1. 2 5とならない。ここで、 1 Tパルス分割では、基準クロック周期 Tがおよそ 2 5ナノ秒より短くなると、上記最長の時間的長さを有する記録マークにおいて分割パルスの平均的周期が 2 5ナノ秒程度となるといえる。これは、記録パルス区間 α _; Tの平均値又はオフパルス区間 /3 _; Tの平均値が 1 2. 5ナノ秒程度となることを意味する。これは、少なくとも一つの iに対して、 c ； Tもしくは j3 _; Tのいずれかが 1 2. 5ナノ秒程度になることを示す。さらに、基準クロック周期丁が約 2 0ナノ秒以下となると、 α； Tもしくは _; Tのいずれかがさらに小さくなる。

なお、上記の説明において、どれか特定のひ iもしくは /3 _;が平均値より長くなつたとしても、それは他方別のひ iもしくは ]3 ；がさらに短くなることを意味しているから、やはり a i Tもしくは j3 i Tのいずれかが小さくなることに変わりはない。

また正確には、 1 Tパルス分割では∑ (a i + ]3；) は必らずしも nと等しくなく、 η _ ( = 0〜 2 ) となっていてもよいが、この場合は α _;や；の平均値はさらに短くなるので、むしろ問題は一層深刻となる。上記問題に対して、本発明で用いる光記録方法においては、全ての記録マークの時間的長さについて（全ての nについて）、 nZm 1. 2 5 を満たすように mを設定する。その結果、 α _; Tと j3 i Tの長さを十分なものとすることができる。 1 Tパルス分割においては、記録パルス区間 a i T及びオフパルス区間 j3 i Tが概ね 0. 5 T程度となるが、 nZm^ 1. 2 5とすることにより、記録パルス区間 ct i T及びオフパルス区間 j3 i Tを概ね 0. 5 Tより長めに取ることができ、記録層の加熱を十分に行う一方、後続パルスによる熱の供給を抑えて十分な冷却効果を得ることができる。

特にマークが長い場合には熱蓄積によるマーク形状が歪みやすいため、好ましくは時間的長さ 7 T以上のマークに対しては nZmは 1. 5以上とする。勿論、 6 T以下の短マークについても nZmは 1. 5以上とするのが好ましい。より好ましくは、 nZmを 1. 8以上とすることである。

ただし、 nZmの値が大きすぎると熱蓄積が大きくなるため、 n/m は通常 4以下とし、好ましくは 3. 5以下とし、より好ましくは 3以下とする。

本発明で用いる上記光記録方法は、基準クロック周期 Tが短いほど効果が大きレ、。このためク口ック周期 Tは、好ましくは 2 5 n s e c以下、より好ましくは 20 n s e c以下、さらに好ましくは 1 5 n s e c以下とする。ただし、あまりに短いクロック周期は実用上得にくいので通常 0. 1 n s e c以上、好ましくは 1 n s e c以上、さらに好ましくは 3 n s e c以上とする。クロック周期 Tが小さレ、ほど、 nZmの最小値を大きくするのが好ましい。

本発明において、 0；ぃ β い η い η ₂ 、 P W i、 P b i等の分割パルスに関するパラメータは、マーク長や i に応じて適宜変化させることができる。

また、本発明においては、 m個の記録パルス区間 α _; T ( 1≤ i ≤m

) の平均値及び（m— 1 ) 個のオフパルス区間 ]3 i T ( 1≤ i ≤m- 1 ) の平均値を、ともに通常 3ナノ秒以上、好ましくは 5ナノ秒以上、さらに好ましくは 1 0ナノ秒以上とする。この範囲とすれば、照射する光の追従性を確保することができるようになる。一方、個々の ο^ Τ ( 1 ≤ i ≤m) および個々の ]3 _;丁 ( 1≤ i ≤m- 1 ) を、好ましくは 3ナノ秒以上、より好ましくは 5ナノ秒以上、さらに好ましくは 1 0ナノ秒以上とする。なお、記録の際に通常使用するレーザー光のパワーの立ち上がり時間や立ち下がり時間は、最小の _{tt i} T ( 1 ≤ i ≤m) の時間的長さ、及び最小の 3 i T ( 1 ≤ i ≤m) の時間的長さにおける 5 0 %以下の時間的長さ以内に抑えることが好ましい。

本発明においては、 /3 _mを 0として最後のオフパルス区間である _mT に光を照射しなくてもよいが、マーク後端部の熱蓄積の問題が大きい場合は _mTを設けるのが好ましい。その場合は ]3 _mTも通常 3ナノ秒以上、好ましくは 5ナノ秒以上とし、より好ましくは 1 0ナノ秒以上とする。記録パルス区間 a i T ( 1 ≤ i ≤ m) が 3ナノ秒以上、特に 5ナノ秒以上あれば、記録光の立ち上がり Z立ち下がりの問題はあるものの、記録パワー P w；を上げることで記録に必要な照射エネルギーを確保できる。

一方、オフパルス区間 ]3 i T ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) も、 3ナノ秒以上、特に 5ナノ秒以上あれば、バイアスパワー P bを再生光パワー P r と同程度、あるいはトラッキングサーボなど他に支障の無い限り 0まで下げることで冷却効果が確保できる。

さらに大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについて、 ∑ i ( a i) を、通常 0. 6 nよりも小さくする、好ましくは 0. 5 nよりも小さくする、より好ましくは 0. 4 n以下とする。すなわち、記録パルス区間の総和∑ i ( α； T) とオフパルス区間の総和∑ i ( /3 i T) とを同等、又は、記録パルス区間の総和∑ i ( α； T) をオフパルス区間の総和∑ i ( β _t . T) よりも短くして、各マーク内でオフパルス区間が長くなるようにする。特に好ましくは、 i = 2〜m_ lの全ての i に対して α； T≤ ]3 ； Tとし、少なくとも 2番目以降の記録パルス列において ]3 i Tのほうを長くする。

本発明の記録方法において、ひ i ( 1 ^ 1 ^111) 及び]3 ₁ ( 1 ≤ i ≤m 一 1 ) の値は、記録パルス区間 ct i T ( 1 ≤ i ≤m) やオフパルス区間 β i T ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) 等の値によって適宜設定される。通常、 α _; ( 1 ≤ i ≤ m) は 0より大きい実数とする。 β i ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) は 0 より大きい実数とする。また、 ]3 _mは 0以上の実数とする。具体的には、 a i ( 1 ≤ i ≤m) 及び ]3 , ( 1 ≤ i ≤ m - 1 ) は、それぞれ通常 0. 0 1以上、好ましくは 0. 0 5以上であり、一方、通常 5以下、好ましくは 3以下である。

特に、 J3 ； ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) については、あまりに小さいと冷却効果が不十分になることがあるので、より好ましくは 0. 5以上、特に好ましくは 1以上とする。一方、 β i ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) があまりに大きいと冷却されすぎて記録マークが光学的に分離されてしまうことがあるので、より好ましくは 2. 5以下、特に好ましくは 2以下とする。 β i ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) を上記範囲とする効果は、マーク先端の形状に大きな影響を与える最初のオフパルス区間 β Τにおいて特に大きい。

マーク後端の形状に大きな影響を与える最後のオフパルス区間 β _mT についても、上記同様のことがいえる。このため、 /3 _mは、通常 0以上、好ましくは◦. 0 5以上、より好ましくは 0. 1以上、さらに好ましくは 0. 3以上とし、最も好ましくは 0. 7以上とする。一方、好ましくは 2. 5以下、特に好ましくは 2以下とする。

分割パルスの発生制御回路の設計を簡略化するために、先頭パルス区間ひと最後尾パルス区間 ct _mTとの間の中間パルス区間（群） _{a i} T ( 2 ≤ i ≤m- 1 ) の切り替え周期を一定値とすることが好ましい。具体的には、（c ； + ]3 J T (ただし 2 ≤ i ≤m— 1 ) または ( β

a T (ただし 2 ≤ i ^m— 1 ) は、 1 . 5 T、 2 T又は 2. 5 Tとするのが好ましい。

本発明においては、オフパルス区間 /3 i T ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) に照射する記録光のパワー P b iは、記録パルス区間ひ i T及びひ _{i + 1}Tに照射する記録光のパワー P w i及び P w； _{+ 1}よりも小さくする。大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについて P b ；く P w；とするのが好ましい。より好ましくは 1≤ i ≤mにおいて P b i/P w i≤ 0. 5とすること、さらに好ましくは 1≤ i ≤mにおいて P b

P w；≤ 0. 2とすることである。また、バイアスパワー P b iは再生時に照射する光のパワー P r と等しくすることができる。その結果、パルス分割に必要な分割パルスの発生制御回路の設定を簡便にできるようになる。

一つの記録マークの時間的長さに対して、 iに応じて P b i及び/又は PW iを変化させてもよい。具体的には、一つの記録マークの時間的長さに対して、 iに応じて P b i及び又は P w iを異なる 2以上の値としてもよい。特に、先頭の記録パルス区間 α Tにおける記録パワー P _{W l}と、最後尾の記録パルス区間 a_mTにおける記録パワー Pw_mとを、中間の記録パルス区間 a i T ( 2≤ i ≤m- 1 ) における記録パワー P w _; ( 2≤ i ≤m- 1 ) とは異なる値とすることで、マークの始端部 ' 終端部のマーク形状を正確に制御することができる。ここで、分割パルスの発生制御回路の設定が簡便とする点から、中間の記録パルス区間 α i Τ ( 2≤ i ≤m- 1 ) における、 m_ 2個の記録パワー P w _s ( 2≤ i ≤m- 1 ) を、できるだけ全て同じパワー値にすることが好ましい。オフパルス区間 ]3 ( 1≤ i ≤m- 1 ) におけるバイアスパワー P b iについても同様に、特に理由がない限りできるだけ全て同じパワー値にするのが好ましい。また、異なる nを有する少なくとも 2つの記録マークの間で、同じ iに対して異なる P w i及び/又は P b ；の値としてもよレヽ。

本発明においては、記録マークを形成しないマーク間にどのようなパヮ一の光を照射するか限定されないが、好ましくは P b i≤ P e < PWi ( 1≤ i ≤m) なるパワー P eの光を照射する。 P eは記録済みマークを消去するための消去パワーとなる。

より好ましくは、 P b； < P e とする。特に低線速でオーバーライトする場合は、光記録媒体の記録層における溶融後の再結晶化が著しくなる（非晶質マークの形成が困難となる）ため、 P b iをできる限り小さくすることが望ましい。

η_ι Τ、 η ₂Τ区間には、バイアスパワー P b _;以上、消去パワー P e 以下の光を照射するのが好ましい。但し、分割パルスの発生制御回路の設定を簡便にするために、 r^ iT ₂T区間に照射する記録光のパワーは、バイアスパワー P b iと同等にする、又は消去パワー P e と同等にすることが好ましい。

なお、 77 Tなる区間においてバイアスパワー P b iの光を照射する場合、先頭の記録パルス区間 α Τに先行してバイアスパワー P b ；の光を照射することとなるので、先行する記録マークからの余熱の影響を小さくすることができる。

記録パワー P w i及びバイアスパワー P b i、または消去パワー P eについては、使用される光記録媒体のタイプによって、それぞれの物理的機能は異なってくる。

相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の場合、非晶質化よる記録を行う場合には、 P W iは、少なくとも記録層をその融点より高い温度まで昇温することができるパワーである。非晶質化記録、結晶化消去によってオーバーライトを行う場合には、 P eは記録層を少なくとも結晶化温度以上に昇温せしめるパワーである。

使用する書換型光記録媒体の種類によって、記録パワー Ρ ΛΛ^及びバィァスパワー P b iの値は異なるが、例えば、相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の場合、通常記録パワー P w iは：！〜 1 0 O mW程度、バイアスパヮ一 P b ；は 0. 0 1〜 1 0 mW程度である。

いずれの媒体を使用した場合でも、記録パワー P w；は記録層になんらかの光学的変化を誘起するに必要な温度まで記録層を昇温し、場合によってはその温度を保持するに必要なレーザー光パワーである。一方、バイアスパワー P b ；は少なくとも記録パヮ一 P w _;より低いパワーである。通常は、バイアスパワー P b iは、記録パワー P w _;及び消去パヮ一 P eよりも低く、記録層になんら物理的変化を誘発しないような低いパワーである。

本発明で用いる記録方法においては、時間的長さ n Tにおいて nの異なる少なくとも 2つの記録マークに対して、同一のパルス分割数 mを用いてよい。通常は、 3 Tマークと 4 Tマークなど隣合う時間的長さをもつ n Tマークに対して mを同一にする。 mを同一にしたうえで、 _{a i} ( 1 ≤ i ≤m), j3 i ( 1 ≤ i ≤m), 77い η P w ( l ≤ i ≤m) 及ぴ P b i ( 1 ≤ i ≤m) の少なくとも 1つを相互に異ならせることによつて同じ分割数であっても異なるマーク時間長のマークを形成し分けることができる。

分割数 mは nの値の大小とは無関係に並んでいても良いが、好ましくは長いマークほど、つまり nが大きいほど mを単調に大きく（等しい場合も含む）する。

η ₂は、通常、一 2以上 2以下とする。この範囲とすれば、時間的長さ η Τの記録マーク長が正確に得られるようになる。

以下に、本発明のパルス分割方式の具体例を示す。この具体例は、 η Zmを概ね 2とする 2 T分割パルスストラテジ一の一例である。

[ 2 B - 3 ] 2 T分割パルスストラテジーの具体例

2 T分割パルスストラテジ一の具体例としては以下の記録方法を挙げることができる。すなわち、記録線速度が、書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度の範囲内である場合においては、

n Tの時間的長さを有する記録マークを形成する際に、

n = 2 m (mはパルス分割数であり、 1以上の自然数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（n— j ) T ( j は一 2〜 2なる実数）を、

α_ι Τ、 H ひ ₂Τ、 13 ₂Τ、 · · · · 、ひ _mT、 i3 _mT、

からなる m個の α； Tと； Tからなる区間（ただし∑ i (α； + ]3 = n - j ) に分割し、

n = 2 m+ 1なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（n

— k) T (kはー 2〜 2なる実数）を、

« ι ' Τ、 β Τ、 α ₂' Τ、 β ₂' Τ、 · · · · 、 a Τ、 β Τ、からなる m個のひ Tと；3 i ' Tからなる区間（ただし、 ∑ _; ( a - ' + ]3； ') = n - k) に分割し、

m≥ 4では、ぃ +ひ；ニ ^ + a _; ' = 2 ± 0. 2 ( i = 3〜 m— 1 ) として、

a i Tおよびひ Tの時間内には、記録パワー P _{W i} ( 1は 1以上111 以下の整数）の記録光を照射し、

]3 _|丁ぉょぴ]3 Tの時間内には、バイアスパワー P b i ( 1 は 1以上 m以下の整数）の記録光を照射するようにする。

本実施形態においては、パルス分割の発生制御回路をより簡略化するために、記録パワー P w iを 1 ≤ i ≤mにおいて一定値 P w Lとし、バィァスパワー P b iを 1 ≤ i ≤mにおいて一定値 P b Lとすることが好ましい。

本実施形態のより好ましい実施形態を図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) を用いて説明する。図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) に示すように、記録線速度（書込線速度；記録速度）が所定記録線速度（所定記録速度）以下の低い線速度（例えば書換可能な最大記録線速度以下の線速度）の場合、 n Tマークの記録時に、 m個の記録パワー P w Lの記録パルスを分割パルスとして照射するようにする。

そして、 nが偶数のときには（n = 2 m)、記録パルスのパルス幅の期間と冷却パルスのパルス幅の期間とを足したものが略 2 Tになるようにする。

一方、 nが奇数のときには（n = 2 m+ l )、 2番目の記録パルスのパルス幅の期間 α ₂ ' Τと、その直前のバイアス（冷却）パワー P b Lのビームを照射する冷却パルスのパルス幅の期間 i ' Tとを足した期間を + Tとし、最後の記録パルスのパルス幅の期間 a _m' Tとその直前のバイアス（冷却）パワー P b Lのビームを照射する冷却パルスのパルス幅の期間 0 _m— Tとを足した期間を（2 + A_mm) Tとし、その他の記録パルスの期間とその直前のバイアス（冷却）パワー P b Lのビームを照射する冷却パルスのパルス幅の期間とを足した期間を略 2 T としている。

つまり、本実施形態では、図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) に示すように、記録速度が所定記録速度（書換可能な最大記録線速度）以下の場合は、一つの記録マークを形成するために複数の記録パルスからなるパルス列を用い、このパルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、バイアス（冷却）パワーレベルの冷却パルス及び記録パワーレベルの記録パルスの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるようにする。

そして、 n T (η ： 3以上の自然数， Τ ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 ηが偶数であるときは（_η = 2 m)、上記後続パルス列における、一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略 2になるようにする。

一方、 nが奇数のときは（n = 2 m+ l )、上記後続パルス列を構成する冷却パルス及び記録パルスのうち、最先の冷却パルス ( β Τ) とその冷却パルスに続く記録パルス（ひ ₂ ' Τ) の対、及び最後の記録パルス（ a _m， T) とその前の冷却パルス（ 13 m— T) との対を除いた、冷却パルスと記録パルスの対において冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足した時間的長さを略 2になるようにする。

以上をまとめて、本実施形態における nが偶数 ·奇数の場合において共通する事項を説明すると以下の通りとなる。すなわち、略 2とする記録パルスの期間とその直前の冷却パルスとのパルスの期間とを足した期間は、分割数 mが 4以上となる場合において、 iが 3〜m— 1である _; _ ! + a i及び i _ ! ' + a ' となる。

また、本実施形態では、 ηが奇数のとき（n = 2 m+ l ) 及び nが偶数のとき（n = 2 m) のそれぞれの記録パルスと冷却パルスの対の数を mで同数とする。

これは、パルス列のうちの後続パルス列を構成する記録パルスの数を、 nが奇数であるか偶数であるかに関わらず同数にすることを意味する。そして、 nが奇数の場合は、前記後続パルス列を構成する、最先の冷却ノノレスのパルス幅、最先の記録パルスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、及び最後の記録パルスのパルス幅から選ばれる少なくとも 1 つを、 nが偶数の場合の、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パノレスのパルス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、最後の記録パルスのパルス幅のそれぞれに对して変化させる。

つまり、本実施形態では、 nが奇数のとき（n = 2 m+ l ) のパルス分割数 m及び nが偶数のとき（n = 2 m) のパルス分割数 mを同数とすることを特徴の一つとする。

そして、 nが奇数の場合は、先頭パルス《、上記後続パルス列を構成する最先の冷却パルスにおける ]3 '、この冷却パルスに続く記録パルスにおけるひ ₂'、最後の記録パルスにおける a _m'、その前の冷却パルスにおける ]3 '、及び最後尾の冷却パルスにおける /3 のうちの少なくとも 1つを、同一のパルス分割数 mにおける nが偶数の場合の、 _αい β い c ₂、 P _m_ い ct_m及び /3 _mのそれぞれに対して適宜調整するようにしている。すなわち、 α ₁≠ α ₁，、 β ,≠ β , a ₂≠ a ₂ β _m→≠ β _m- ₁ a _m≠ a _m' 及び j3 _m≠ i3 _m，のうちの少なくとも一つが満たされるようにすることが好ましい。

尚、後続パルス列の最後の記録パルスの後に続くバイアス（冷却）パヮー P b Lのビームを照射する期間、つまり、最後の期間 ]3 _mT、 β J Tの終了時期は、 η Τ又は（η + 1 ) Τの記録マークを形成するためのデータ信号パルスの終了時期とは必ずしも同期しない。

上記 2 Τパルス分割ストラテジーをリライタブル D VDに用いるより好ましい記録方法として、以下の記録方法を挙げることができる。すなわち、記録線速度が所定記録線速度（書換可能な最大記録線速度 ) 以下の線速度の場合に、

η Τ ( η ： 3以上の自然数）の時間的長さを有する記録マークを形成する際に、

η = 2 m (m ： 2以上の自然数）なる記録マーク（偶数長マーク）を形成するときは、その時間的長さ（n— j ) T ( j は一 2〜 2なる実数 ) を、

« χ , β , Τ, α ₂ Τ, β ₂τ, , · · · ， a _mT, _mT

からなる m個の a _; Tと i Tからなる区間（ただし∑ i (a , + β

= η - j ) に分割し、 n = 2 m+ 1 (m ： 1以上の自然数）なる記録マーク（奇数長マーク ) を形成するときは、その時間的長さ（n— k ) T ( kは一 2〜2なる実数）を、

α ι ' Τ, β , ' Τ' α ₂ ' Τ, β ₂' Τ， · · · · ， α _m， Τ， β Τ からなる m個のひ Tと j3 ；， Tからなる区間（ただし、 ( " i

' + ]3に） = n - k ) に分割し、

₍^丁ぉょびひ Tの記録パルスの時間（ iは 1から mまでの整数）内には、記録パワー P w Lのレーザ光を照射し、

]3 ₁丁ぉょび Tの冷却パルス間の時間（ iは 1から mまでの整数 ) 内には、バイアス（冷却）パワー P b Lのレーザ光を照射することによって、時間的長さ n Tの記録マークを形成する書換型光記録媒体への記録方法であって、

i = 2〜mにおいて、；3 i + α；及び /3 卜 + を概ね 2 (但し、 i = 2及び又は i =mにおいてはこの限りでない）とする。

ここで、 ]3 i + ct i及び /3 i ' + α ； ' ( i = 2〜m) は概ね 2とするが、これは、レーザ駆動回路（分割パルスの発生制御回路）の設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤差は含みうるものであり、具体的には 0. 1 T程度（好ましくは 0. 2 T程度）の差は、実質的に等しいとみなされる。すなわち、 jS i - i + a i ^ jS i - + a i ' = 2 ± 0 · 1 (好ましくは 2 ± 0. 2 ) ( i = 2〜m) とする。

また、偶数長マークにおける i = 2及びノ又は i =m、すなわち ]3 , + α ₂及び/又は a _mに関しては、積極的に ± 0. 3程度の範囲で 2からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッター制御が可能となる場合もある。この場合は、 ]3 ₁ +ひ ₂及び 3„₁ +ひ„₁の間に存在する ]3 j _! + α _;を概ね 2とすればよレ、。

さらに、奇数長マークにおける i = 2及びノ又は i ==m、すなわち β + α ₂ ' 及び又は β + a _m' も少なくとも 0. 5〜 2程度 2 からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッター制御が可能となる。従って、この場合は、 β + α ₂ ' 及び β _m→ ， + a_m' の間に存在する ]3 卜 + a i ' を概ね 2とすればよレ、。

以下、上記 2 Tパルス分割ストラテジーについて、図 2 ( a ) 〜図 2

( c ) 及び図 3 ( a ) 〜図 3 ( c ) を参照しながら、より具体的に説明する。

図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) は、 n = 2 m又は 2 m+ 1の n T記録マークを形成するための 2 Tパルス分割ストラテジ一による記録ストラテジーにおける各記録パルスの関係の一例を示した図である。なお、図 2 ( b ) におけるマーク長 2 mTを形成するための記録パルス及ぴ冷却パルスの時間幅は、本来は、 c^ T, β , Ύ, a c T, ·'·, ct_mT， j3 _mTと表されるが、図を見やすくする観点から、図 2 ( b ) においては、単に _{α ι} ， β い a c , …， a _m, /3„₁と記載し、クロック周期 Tの表示を省略してある。これは図 2 ( c ) においても同様である。

図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) に示すように、上記 2 Tパルス分割ストラテジ一においては、 n Tマークの nのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数 mが同じ偶数長マークと奇数長マークのマ —ク長差 1 Tの補正を、先頭の記録パルスに続くオフパルス区間 , T 及び最後尾から 2番目の記録パルス周期（]3 _m— i + a j Tに分散して割り当てる。つまり、 β β iS n ^^ m― 、及び a _m≠ a _m，として、マーク長 1 Tの補正をオフパルス長 ]3 i T及び T、さらには最後尾の記録パルス区間パルス ct _mTの調整にて行なう。

図 2 ( a ) 〜図 2 ( c ) において、 3 0 0は周期 Tの基準クロックをあらわす。

図 2 ( a ) は、長さ n T= 2 mT、もしくは n T = ( 2 m+ l ) Ύの記録マークに対応したパルス波形であり、符号 30 1が長さ 2 mTの記録マークの長さに、符号 3 0 2が長さ（2m+ l ) Tの記録マークの長さに対応する。図 2 (a ) においては、 m= 5の場合が示してある。図 2 ( b ) の 3 0 3は、 n = 2m (= 1 0) の場合の分割記録パルスの波形であり、図 2 ( c ) の 30 7は、 n = 2m+ l (= 1 1 ) の場合の分割記録パルスの波形である。

T_d Tをかけた値は、 c^T及びひ Tの n Tマークの前端 T₀に対する遅延時間であり、通常は nによらず一定とする。遅延時間は、 n Tの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。通常は、記録パルス発生回路（分割パルスの発生制御回路）の同期の取り易さから、（T_{d l} +ひ J T= (T_{d l} + ct T= 2 Tとする。但し、（T_{d l} + _{a i}) T、（T_{d l} + a ） Tは、それぞれ ± 0. 5 Τ程度の微調整をしてもよい。特に、 3 Τ， 4 Τ, 5 Τマークにおいては、 T_{d l} Tの微調整を行なうことが好ましい。記録パルス区間 _{a i} T ( i = l〜 m) における記録パワーレベルは P w Lで一定であり、オフパルス区間 β _; T ( i = l〜m) におけるバイアス（冷却）ノワーレベルは P b L で一定であり、記録マークと記録マークの間、すなわち _{a i} T ( i = 1 〜m) 及び j3 i T ( i = l〜m) 以外の記録マーク間の区間における光照射のパワーは消去パワー P eで一定とする。

nが偶数の場合は、先頭の記録パルスと最後尾のオフパルスを除く区間 3 04 (つまり図 2 ( b ) の 3 0 5、 3 0 6を除く区間）では、 ( β ' _! + a i ) T= 2 T ( i = 2〜m) で一定とする。ここで、「2 Tで一定」とはいっても、前述の通り、 ±0. 2 Τ程度の誤差は許容するものとする。ただし、（ +ひ Τ、及び（]3 _m— ! + c m) Tについてのみ、 ± 0. 3 Τの範囲で微調整可能とする。

一方、 ηが奇数の場合は、図 2 ( c ) の区間 3 08で表される区間、すなわち（ + α ） Τ = 2 T ( i = 3〜m— l ) で一定とする。そして、同一分割数で n = 2 m及び 2 m+ 1の 2種類のマーク長を記録するために、 n = 2 mの記録マークにおける区間（jS i + c^ ) T、及び区間（jSm—i + a J Tをそれぞれ約 0. 5 Tずつ増減して長さを調整して、 n = 2 m+ 1の記録マークを形成する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に 0. 5 Tとなるとは限らないが、概ね 0. 3 T〜 0. 6 Τの範囲にある。

図 2 ( c ) において、偶数長マーク η Τ = 1 0 Τと奇数長マーク η Τ = 1 1 Τのマーク長の差 1 Τ分の記録は、以下の操作 1、 2によって行われる。

操作 1 ：図 2 ( c ) の区間 3 0 9のように、区間 ( β + α ₂ ') Τ の β のみにを付加し、 β = 3！ + Δ _{1 (} α ₂' 二 a c とする。操作 2 ：図 2 ( c ) の区間 3 1 0のように、区間 + a _m') Tに A_mmTを付加する。

ここで、 A_mm=A_m— i + Amとして、 A_mmを A_m— iと A_mとに分けて、 J3 _m— には A _m— を付加し、 a _mには A_mを付加してもよレ、。尚、 i 又は A_mの片方がゼロであってもよい。

好ましいのは A_mを 0よりも大きくすること、つまり、 _{a m}≠ o: _m' とすることである。 A _mを 0よりも大きくすることにより、同一分割数 m のうちの nが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッター特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、 iと A_mとをほぼ等しい値とすることである。 iと A_mとをほぼ等しくすれば、ジッター特性を良好に保ちつつも、パルス光の発生を制御する電子回路（集積回路、分割パルスの発生制御回路）の設計を簡便にすることができるようになる。

以上の操作は 3以上の mにおいて行われ、い A_mmは、通常 0. 3 〜 0 · 6の値をとるものとする。 A_m— i及び A _mは、 A _mmをどのように配分するかによって、それぞれ 0〜 0. 6の値をとり得る。 A _m_ ！, A_mそして A _mmは、前述のように必ずしも 0 · 5とはならない。 _λ ，厶 m— ぃ A_mは、 0. 5より小さめの値が好ましい。

また、特に、 mが 3以上では、 _{α ι} ' = α ₁； β = /3 _mとし、 _{tt i}及びは、 i = 2〜m_ 1に対しては、 c cで i によらず一定とすることが好ましい。また、《„₁及びひ„₁' も mによらず一定値とすることが好ましレヽ。さらに ( α！ ') は、 0. 7〜： I . 4、 a cは 0. 7〜 1 . 2、 a _mは 0. 7〜 1. 2とすることが好ましい。

さらに、 mが 3以上の場合には、 _{α ι} (= α _χ '), a c , β _m (= β _m

), β 厶ぃ β _m 厶^ぃ A_mは mによらず一定とすることが好ましい。

ここでひ cの設定の一例を説明する。まず、 a c = a i ( i = 2〜m — 1 ) は、 1 として、その後 ± 0. 2の範囲で微調整を行なう。そして、ひ i及び a _mは、まず a c と同じ値を採用し、そして ct cより最大 0. 3 程度大きい範囲で微調整を行なうものとする。

このようにして、偶数長マークに対して、図 2 ( b ) の点線で示される記録パルス列 3 0 3が得られ、奇数長マークに対して、図 2 ( c ) の点線で示される記録パルス列 3 0 7が得られる。

なお、 m= l ( n = 3 ) の場合には、一対の記録パワー照射区間ひ j

' Tとバイアスパワー照射区間 0 Tからなる記録光の照射を行なう。この場合、は、 2以上の mにおけるより 0. 1から 1 . 5程度大きくし、 β は 2以上の mにおける ' より小さく、かつ、 /3 _m , β _m' と同じか、それらより大きくするのが好ましい。

図 3 ( a ) 〜図 3 ( c ) は、本発明に用いる 2 T分割パルスによる記録ストラテジ一における各記録パルス関係の好ましい他の例である。図 3 ( a ) 〜図 3 ( c ) には、 n = 2 m又は 2 m+ 1の n T記録マークを形成する場合のパルス分割方法が示されている。なお、図 3 ( b ) におけるマーク長 2 mTを形成するための記録パルス及び冷却パルスの時間幅は、本来は、 _{α ι} Τ， j3！ T, a c Τ, ···, a _mT, ]3 _mTと表されるが、図を見やすくする観点から、図 3 ( b ) においては、単にひい β a c , ···, c _m, /3 _mと記載し、クロック周期 Tの表示を省略してある。これは図 3 ( c ) においても同様である。

図 3 ( b ) に示すように、 n Tマークの nのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数 mが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差 1 Tの補正を、最後尾から 2番目の記録パルス周期 ( _m_₁ + o _m) T及び最後尾のオフパルス ]3 _mTに分散して割り当てる _c つまり、マーク長 1 Tの補正をオフパルス長 jS m—i T及び j3 _mT、さらには最後尾の記録パルス区間パルス c _mTの調整にて行なう。

図 3 ( a ) において、 4 0 0は周期 Tの基準クロックをあらわす。図 3 ( a ) は、長さ n T = 2 mT、もしくは n T = ( 2 m + 1 ) 丁の記録マークに対応したパルス波形であり、符号 4 0 1が長さ 2 mTの記録マークの長さに、符号 4 0 2が長さ（2 m+ l ) Tの記録マークの長さに対応する。図 3 ( a ) においては、 m= 5の場合が示してある。図 3 ( b ) の 4 0 3は、 n = 2 m (= 1 0 ) における分割記録パルスの波形であり、図 3 ( c ) の 4 0 6は、 n = 2 m+ l (= 1 1 ) における分割記録パルスの波形である。

T _d Tをかけた値は、 _{tt l} T及び Τの η Τマークの前端 Τ。に対する遅延時間であり、通常は ηによらず一定とする。遅延時間は、 η Τの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。通常は、記録パルス発生回路（分割パルスの発生制御回路）の同期の取り易さから、（T _{d l} + _{a i}) T = (T _{d l} + α _χ ') Τ = 2 Τとする。伹し、（T _{d l} + _{a i}) T、（T _{d l} + _a ) Tは、それぞれ ± 0. 5 Τ程度の微調整は許容する。特に、 3 Τ, 4 Τ, 5 Τマークにおいては、 T _{d l} T の微調整を行なうことが好ましい。記録パルス区間 _{a i} T ( i = l〜m ) における記録パワーレベルは P w Lで一定であり、オフパルス区間 _; T ( i = l〜m) におけるバイアスパワーレベルは P b Lで一定であり、記録マークと記録マークの間、すなわち c^ T ( i = l〜m) 及び ]3 ； T ( i = l〜m) 以外の区間における光照射のパワーは消去パワー P eで一定とする。

nが偶数である場合には、区間 4 0 4では、（丄十ひ J T = 2 T ( i = 2〜m) で一定とする。ここで、「 2 Tで一定」とはいっても、前述の通り、 ± 0. 2 T程度の誤差は許容するものとする。ただし、 ( β i + a ₂) T、及び（/3 _m— i + a j Tについてのみ、 ± 0. 3 Τの範囲で微調整可能とする。

一方、 ηが奇数の場合は、図 3 ( c ) の区間 4 0 7では、 i— + a i ') T = 2 T ( i = 2〜m— l ) で一定とする。ただし、 ( β + a ₂，） Tは（iS i + c^) Tと等しくする。ここで、「 2 Tで一定」とはいつても、前述の通り、 ± 0. 2 Τ程度の誤差は許容するものとする。そして、同一分割数で n = 2 m及び 2 m+ 1の 2種類のマーク長を記録するために、区間（_J3 _m_ ₁ + a _m) Tを約 1 T増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に 1 Tとなるとは限らないが、概ね 0. 5 T〜 1. 2 Τの範囲とする。つまり、上記パルス分割ストラテジ一において、まずは、 13 β — 及び Ct _m≠ _{a m}，が満たされるようにするとすることが好ましい。

]3 _mは ]3 _m，と 0〜 2の範囲でほぼ同じ値としていもよいが、マーク後端ジッターへの影響を補正するために、 β _m, β _m，も個別に微調整してもよい。図 3 ( c ) において、偶数長マーク n T= 1 0 Tと奇数長マーク n T = 1 1 Τとのマーク長の差 1 Τ分の記録は、以下の操作 3によって行われる。

操作 3 ：図 3 ( c ) の区間 408のように、区間 + a_m) 丁に A_mmTを付加して、（ ^ + a_m') Tとする。ここで、 A_mm=A_m― として、 A_mmをと A_mとに分けて、 ]3_m—丄には A_m— iを付加し、 a _mには A_mを付加する。また、マーク後端のジッターへの影響を補正するため、 β _mにを付加して 3_m，とする。

以上の操作は 3以上の mにおいて行われ、 A_mmは、通常、 0. 5〜 1 . 2の値をとるものとする。 Am— 及び A_mは、 A_mmをどのように配分するかによつて、それぞれ 0〜0. 9の値をとり得る。

厶又は A_mの片方がゼロであってもよいが、好ましいのは A_mを 0 よりも大きくすること、つまり、 a_m≠ a_m' とすることである。 A_mを 0よりも大きくすることにより、同一分割数 mのうちの nが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッター特性が飛躍的に改善される _c △ _mは、通常 1以上、一方、通常 9以下、好ましくは 0. 5以下とする。 A_mの値は、記録線速度に応じて適宜設定する。記録線速度が高くなるほど溶融時間を確保することが重要になるため、高線速度になるにつれて A_mを大きくすることが好ましい。

A_m_! 通常 1以上、好ましくは 0. 3以上、一方、通常 0.

9以下、好ましくは 0. 8以下とする。の値は、記録線速度に応じて適宜設定する。記録線速度が低くなるほど冷却速度を確保することが重要になるため、低線速度になるにつれてを大きくすることが好ましい。

さらに好ましレヽのは、 A_m— iと厶_∞とをほぼ等しい値とすることである。厶ととをほぼ等しくすれば、ジッター特性を良好に保ちつつも、パルス分割の発生制御回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。厶は、通常 0 1の値をとり、より好ましくは 0 0. 6の値をとる。特に低線速度では厶は大きくするのが好ましい。一方、高線速度では、 A_m' = 0とするのが好ましい。但し、全ての線速度において A_m' = 0とすれば、パルス発生制御回路の設計を簡便にすることができる。

また、特に、 mが 3以上では、 = α β , ' とし、及ぴ 0；は、 i = 2 m— 1に対しては、 a cで i によらず一定とすることが好ましい。また、 _{α ι} (= α _α ') は、通常、 0. 3 I . 7の範囲の値をとり、好ましくは、 0. 3 1. 0の範囲の値をとる。い a c , ]3 _m— 及び c _mは、通常、 0. 3 1. 7の範囲の値とすることが好ましい。より好ましくは、 β a c及び a_mは 0. 3 1. 6の範囲とする。一方、 /^ m—iの値は、より好ましくは、 0. 7 以上、さらに好ましくは 1以上、一方、より好ましくは 1. 6以下とする。

さらに、 mが 3以上の場合には、 a i (= a！ '), β a c , β _m_, , 厶 m ct_m, A_m, J3 _m, A_m' は mによらず一定とすることが好ましい。

ここで、 a cの設定について説明する。まず、 _{a c} = a i ( i = 2 m) は 1 として、その後さらに ± 0. 2の範囲で微調整を行なうのが好ましい。そして、 _{α ι}及び o:_mは、まず a c と同じ値を採用し、そして cより最大 0. 3程度大きい範囲で微調整を行なう。

△ _m , A m— は約 0 . 4を初期値とし、所定のマーク長が得られるように微調整を行なう。

また、区間 4 1 0の ]3 _m' はまず、区間 4 0 5の ]3 _mと等しくし、その後、微調整を行なう。このようにして、偶数長マークに対して、図 3 (b) の点線で示される記録パルス列 40 3が得られ、奇数長マークに対して、図 3 ( c ) の点線で示される記録パルス列 4 06が得られる。

なお、 m= l (n = 3 ) の場合には、一対の記録パワー照射区間 α ' Tとバイアスパワー照射区間 /3 J ' Τからなる記録光の照射を行なう。この場合、 ct は、 2以上の mにおける a i ' より 0. 1から 1. 5程度大きくするのが好ましい。

[2 C] 全ての記録線速度において共通して用いることが好ましい事項上記 [2A] の「所定記録速度（所定記録線速度；例えば書換可能な最大記録線速度）より速い記録速度（線速度）での記録方法」、及び、上記 [2 B] の「所定記録線速度（所定記録速度）以下の線速度（書換可能な線速度範囲；記録速度）での記録方法（パルス分割法）」、に共通して用いることが好ましい事項について説明する。

分割パルスの発生制御回路を簡便化するために、分割記録パルスを用いて記録を行う際の記録パワー PwLと、ブロックパルスを用いて記録を行う際の記録パワー PwHとを等しくすることが好ましい。

また、分割記録パルスにおける冷却パルス期間に照射するバイアスパヮー P b Lと、ブロックパルスを用いて記録を行う際に用いるバイアス。ヮー P b Hとを等しくすることが好ましい。

[ 2 D] 本発明に用いる記録再生装置

本発明においては、上記記録方法を行うべく分割パルスの発生制御回路の設計を行い、この分割パルスの発生制御回路を公知の記録再生装置 (ドライブ）に組み込むことによって、記録再生装置を得ることができる。そして、この記録再生装置（ドライブ）に円盤状の書换型光記録媒体（例えば D VDは直径約 1 2 c mの円盤形状となる）を装着して、スピンドルモータ等を駆動して書換型光記録媒体を回転させる。さらに、書換型光記録媒体に対して記録を行う所望の半径位置において、下記「書換記録モード」、「ライトワンス記録モード」、「DC消去モード」に従つて記録光を照射することによって、相変化記録層に様々な時間的長さを有する非晶質状態の記録マークを形成して、情報の記録'消去を行う。なお、本発明に用いる記録方法を実行する記録再生装置には、市販のパーソナルコンピュータや DVD記録再生装置に搭載されているドライブのように、記録のみならず再生機能を付加してもよいことはいうまでもない。

本発明に用いる記録再生装置の詳細は、以下の通りである。

すなわち、相変化型記録層を有し、前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、この未記録 ·消去状態に様々な時間的長さ n T (Tは基準クロック周期、 nは 2以上の整数である。）の非晶質状態の記録マークを形成することによって、情報を記録する円盤状の書換型光記録媒体を装着し、前記書換型光記録媒体を回転させた状態で前記書換型光記録媒体に記録光を照射することによつて前記情報の記録を行う記録再生装置であって、

前記記録再生装置が、書換記録モード、ライトワンス記録モード、及び D C消去モードの 3つの記録光照射モードを有し、

(A- 1 ) 書換記録モードにおいては、

情報の記録を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、

時間的長さ nTを、

7? J Τ, a J Τ, /3！ Τ, α ₂Τ、 3₂Τ、 · ·

a i Τ、）3 i Τ、 · · ·、 a_mT、 ]3_mT、 η ₂T

(mはパルス分割数であり、 i は 1以上 m以下の整数である。 ∑ i (a ; + i3 _;) + 7^ + 75 2 = 11である。 _{a i} ( 1 ≤ i ≤m) は 0より大きい実数であり、 j3 i ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) は 0より大きい実数であり、 ]3 _mは 0以上の実数であり、 η i及び η ₂はそれぞれ— 2以上 2以下の実数である。 ) の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、上記パルス分割数 πιを 2以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、 n/m≥ 1. 2 5を満たすようにして、

t_{t i} Tの時間内には、記録パワー P W i ( 1 ≤ i ≤m) の記録光を照射し、

β i Tの時間内には、バイアスパワー P b ； ( 1 ≤ i ≤m, P b ； < P W i、 P b ； < P w _{i + 1}) の記録光を照射し、

n Tの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、

複数の記録マーク間は、消去パワー P e ( P eは、 l ^ i ≤mにおける m個の P b ；それぞれの値以上であり、 1 ≤ i における m個の P W iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射することによつて、前記書換型光記録媒体に記録を行い、

(A- 2 ) ライトワンス記録モードにおいては、

情報の記録を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度よりも速くなるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、

n Tの時間的長さを有する記録マークを、記録パワー P wHの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、 (A— 3 ) D C消去モードにおいては、

情報の消去を行う書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体の書換可能な記録線速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、消去パワー P _DCの記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体の情報の消去を行い、

(A-4) 前記書換記録モードを実行した後に前記ライトワンス記録モードを実行する場合、又は、前記ライトワンス記録モードを実行した後に再度前記ライトワンス記録モードを実行する場合には、前記 DC消去モードを行って前記書換型光記録媒体に記録されている情報を消去する, ことを特徴とする。

本発明の記録再生装置は、書換記録モード、ライトワンス記録モード、及び D C消去モードの 3つの記録モードを有する。ライトヮンス記録モードにおいては、上記 [2A] で説明したブロックパルスを用いる記録方法によって書換型光記録媒体に情報の記録を行う。また、書換記録モードにおいては、上記 [2 B] で説明した分割パルスを用いる記録方法によつて書換型光記録媒体に情報の記録を行う。

ここで、前記バイアスパワー P b _;及び P b Hが、前記消去パワー P eよりも小さいことが好ましいことは、上記 [2 A]、 [ 2 B] で説明した通りである。

また、書換記録モードにおいて、記録パワー P w；を 1≤ i ≤mにおいて一定値 P w Lとし、前記バイアスパワー P b ；を 1 i において一定値 P b Lとすることが好ましいことは、上記 [2 B] で説明した通りである。

さらに、書換記録モードの記録パワー PwLを、ライトワンス記録モードの記録パワー PwHと等しくすることが好ましいことは、上記 [2 C] で説明した通りである。

同様に、書換記録モードのバイアスパワー P b Lを、ライトワンス記録モードのバイアスパワー P b Hと等しくすることが好ましいことも、上記 [2 C] で説明した通りである。

さらに、書換記録モードのバイアスパワー P b L、ライトワンス記録モードのバイアスパワー P b Hが、ともに消去パワー P eよりも小さいことが好ましいことも上記 [ 2 B ]、 [ 2 C ] で説明した通りである。上述したように、リライタブル D V Dのような書換型光記録媒体の相変化型記録層は、例えば出荷時や販売時などには初期状態として結晶状態（消去状態）となっているため、この状態でライトワンスメディアとして用いることができる。このため、このような初期状態の書換型光記録媒体に対しては、本発明の記録再生装置にこの書換型光記録媒体を挿入後、ライトワンス記録モードで記録を実行することによって、書換可能な最大記録線速度より速い記録線速度での記録が可能となる。

一方、上記ライトワンス記録モードの実行又は書換記録モードの実行によって、既に書換型光記録層に情報が書き込まれている場合（相変化型記録層に非晶質の記録マークが形成されている状態）に、再度ライトワンス記録モードを実行する場合には以下の操作を行う。すなわち、ライトヮンス記録モードでの書き込みを行なう前に D C光を照射することで相変化型記録層を結晶状態（消去状態）に戻すのである（D C消去モードを行う）。 D C消去モードは、具体的には、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録線速度において消去パワー P _D cの記録光を照射することによって行う。

ここで、分割パルスの発生制御回路を簡便化する点から好ましいのは、 D C消去モードにおける消去パワー P _{D C}を、消去パワー P e と等しくすることである。

本発明の記録再生装置に用いる、レーザ露光装置や書換型光記録媒体の駆動装置等は、従来公知のものを用いることができる。

[ 3 ] 本発明に用いる好適な相変化型記録層を有する光記録媒体以下、本発明に用いる光記録媒体の具体的な態様について、リライタブル D V Dを例にいくつか説明する。本発明の記録方法は、結晶状態と非晶質状態とで情報の記録を行い、情報の書き換えが可能な相変化型記録層を有する光記録媒体に適用する _c 相変化型記録層を有する光記録媒体の具体例としては、基板上に、第一保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第二保護層（上部保護層）、反射層、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、基板を通してレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行う光記録媒体（基板面入射型の光記録媒体）を挙げることができる。

また、相変化型記録層を有する光記録媒体の他の具体例としては、基板上に、反射層、第一保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第二保護層（上部保護層）、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、上部保護層を通じてレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行う光記録媒体（膜面入射型の光記録媒体）を挙げることができる。この膜面入射型の光記録媒体では、基板を通さずに上部保護層側からレ一ザ光を照射することにより信号の記録再生を行うため、記録層と光へッドの距離を数百ミクロン以下に接近させることが可能となり、開口数が 0 . 7以上の対物レンズを使用することで媒体の記録密度を向上させることが出来る。

尚、上記基板面入射型の光記録媒体及び膜面入射型の光記録媒体それぞれの層構成は例示である。例えば、基板面入射型の光記録媒体及び膜面入射型の光記録媒体のいずれにおいても、保護層と反射層との間に界面層を設けることができるし、膜面入射型の光記録媒体において、基板と反射層との間に下地層を設けてもよい。

本発明において好ましいのは、高データ転送レートが可能な書き換え型相変化型の光記録媒体である。このような光記録媒体は、通常、結晶化速度の速い記録材料を記録層に用いることによって実現できる。

以下、記録層、基板、保護層、反射層、保護コート層の各層について説明する。

[3 A] 記録層

記録層としては、例えば、 G e S b T e、 I n S b T e、 A g S b T e、及び A g I n S b T eといった系列の化合物が繰り返し記録可能な材料として選ばれる。これらの中で、 S b ₂T e ₃と G e T eの疑似 2元合金を主成分とする組成、より具体的には、 { (S b ₂T e ₃) !__Q (G e T e ) 卜 ₀ S b _e組成（ただし、 0. 2≤ α ^ 0. 9、 0≤ β ≤ 0 . 1 )、あるいは、 S bを 5 0原子％以上含む S bを主成分とする組成のいずれかであることが多い。

本実施の形態が適用される光記録媒体においては、結晶化速度を高めるために、前記記録層に S bを主成分とする組成を用いることがより好ましい。なお、本発明において、「S bを主成分とする」とは、記録層全体のうち、 S bの含有量が 5 0原子％以上であることを意味する。 S b を主成分とする理由は、 S bの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、 S bの含有量は 6 0原子％以上であることが好ましく、 7 0原子％以上であることがより好ましい。しかし、一方で、 S b単独で用いるよりも、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素を S bと共に併用することが好ましい。記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量を、通常 1原子％以上、好ましくは 5原子％以上、より好ましくは 1 0 原子％以上とし、一方、通常 3 0原子％以下とする。

非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、 G e、 T e、 I n、 G a、 S n、 P b、 S i 、 A g、 C u、 A u、希土類元素、 T a、 N b、 V、 H f 、 Z r、 W、 M o 、 C u、 C r、 C o、窒素、酸素、及び S e等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのは G e、 T e、 I n、 G a、及び S nからなる群から選ばれる少なくとも 1つとすることであり、特に好ましいのは、 G e及び/又は T eを用いる力、 I n、 G a、及び S nの少なくとも 1つを用いることである。

上述の通り、本実施の形態が適用される光記録媒体においては、記録層の材料として、 S bと G e及び又は T e とを併用することが特に好ましい。 G e及び又は T eを S bに添加する際に、記録層中における G e又は T eそれぞれの含有量を、 1原子％以上 3 0原子％以下とすることが好ましい。つまり、 0 6及び丁 6は、それぞれ単独で 1原子％以上 3 0原子％以下ずつ含有されていることが好ましい。但し、記録層の主成分を S bとした場合に S bの含有量は 5 0原子％以上となるため、 S b と共に G e及び T eを記録層に含有させる場合、 G e及び T eの合計量は 5 0原子％よりは少なくなる。

記録層中における G e又は T eのそれぞれの含有量は、より好ましくは 3原子。 /₀以上、さらに好ましくは 5原子％以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。 —方、記録層中における G e又は T eのそれぞれの含有量は、より好ましくは 2 0原子％以下、さらに好ましくは 1 5原子％以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。

上記 S bを主成分とする組成は、記録層中に含有される T eの量によつて、 2種類に分類することができる。一つは、丁 6を 1 0原子％以上含有する組成であり、もう一つは T eを 1 0原子。 /₀未満含有する組成（ T eを含有しない場合を含む）である。

そのひとつは、記録層材料を、 T eを概ね 1 0原子％以上含みつつ、 S b ₇。T e 3。共晶組成よりも過剰の S bを含有する合金が主成分である組成範囲とすることである。この記録層材料を、以下において、 S b T e共晶系と呼ぶ。ここで、 S b Z T eは 3以上とすることが好ましく、 4以上とすることがより好ましい。

記録層中に含有される T eの量によって分類することができる、上記 S bを主成分とするもう一つの組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、記録層の組成を、 S bを主成分としつつ、 T eを 1 0原子％未満とし、さらに G eを必須成分として含有するようにするのである。上記記録層の組成の具体例としては、 S b ₉。G e i。近傍組成の共晶合金を主成分とし、 T eを 1 0原子％未満含有する合金（本明細書においては、この合金を S b G e共晶系と呼ぶ。）を好ましく挙げることができる。

T e添加量が 1 0原子％未満の組成は、 S b T e共晶系ではなく、 S b G e共晶系としての性質を有するようになる。この S b G e共晶系の合金は、 G e含有量が 1 0原子％程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。 S b G e共晶系の合金においては、 T eは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。

S b G e共晶系合金では、 S b / G e比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。

記録層に S bを主成分とする組成を用い、結晶状態を未記録 ·消去状態とし、非晶質マークを形成して記録を行う場合、冷却効率を良くすることが非常に重要となる。これは以下の理由による。

すなわち、上記 S b T e共晶系又は S b G e共晶系等の S bを主成分とする記録層は、高速記録に対応するために、 S b ₇。T e ₃₀共晶点あるいは S b ₉。G e ₁₀共晶点近傍よりもさらに S bを過剰に添加して、結晶核生成速度ではなく結晶成長速度を高めることにより結晶化速度を高めている。このため、これら記録層においては、記録層の冷却速度を速くして、再結晶化による非晶質マークの変化（非晶質マークが所望のサイズよりも小さくなること）を抑制することが好ましい。従って、記録層を溶融した後に非晶質マークを確実に形成するために記録層を急冷することが重要となり、記録層の冷却効率を良くすることが非常に重要となるのである。そのため、上記記録層組成においては、反射層に放熱性の高い A g又は A g合金を用いることが特に好ましい。そして、このような記録時の冷却効率を上げる必要がある記録層を有する光記録媒体に対して、本発明の光記録方法を用いる意義が大きい。

本実施の形態が適用される光記録媒体では、上記、 S b T e共晶系又は S b G e共晶系等の S bを主成分とする組成を用いる記録層において, さらに、 I n、 G a、及び S nの少なくとも 1つを含有し、前記記録層中における I n、 G a、及ぴ S nのそれぞれの含有量が 1原子。 /₀以上 3 0原子％以下であることが特に好ましい。

以下、 S bを主成分とする組成の具体例についてさらに説明する。

S bを主成分とする組成としては、まず、（S b xT e ^ _x) !__yM_y (ただし、 0. 6≤ x≤ 0. 9、 0≤ y≤ 0. 3、 Mは G e、 A g、 I n、 G a、 Z n、 S n、 S i、 C u、 Au、 P d、 P t、 P b、 C r、 C o、 0、 S、 S e、 V、 N b、及び T aより選ばれる少なくとも 1種 ) 合金を主成分とする S b T e共晶系の組成を好ましく挙げることができる。なお、上記組成式は、原子数比で組成を表している。従って、例えば x = 0. 6は、 6 0原子％を意味する。

上記（S b _xT _{e i x}) _yM_y組成においては、 Mとしては、 G e、 G a、 A g又は I nを単独又は併用して用いることが、オーバーライト特性等の記録特性の観点から特に好ましい。

上記（S b _xT _{e i x}) _yM_y組成においては、 Xは、通常 0. 6以上、好ましくは 0. 7以上、より好ましくは 0. 7 5以上であり、一方、通常 0. 9以下とする。また、 yは、通常 0以上、好ましくは 0. 0 1 以上、より好ましくは 0. 0 3以上であり、一方、通常 0. 3以下、好ましくは 0. 2以下、より好ましくは 0. 1以下である。 x、 yを上記範囲とすれば、高速記録に対応可能な記録層を得ることができるようになる。

上記（S b _xT _{e i}__x) い _yM_y組成において Mとして G eを用いる組成について更に説明する。この組成としては、 S b ₇。T e ₃。共晶点組成を基本として大幅に過剰の S bを含む S b ₇。T e ₃。合金を母体とし、さらに G eを含む、 G e _y (S b _XT e _{1 --x}) _x__y (ただし、 0. 0 1≤ y ≤ 0. 0 6、 0. 8 2≤ x≤ 0. 9) であらわされる組成を用いることが好ましい。 G e量は、 G e _y (S b _xT _{e i x}) い _yにおける yの値として 0. 0 1以上、特に、 0. 0 2以上であることが好ましい。一方、このように S b含有量が多い S b T e共晶組成では、 G e量が多すぎると、 G e T eや G e S b T e系の金属間化合物が析出するとともに、 S b G e合金も析出しうるために、記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノィズが上昇しジッタが増加することがある。また、 G eをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和する。このため、通常 G e量は、 G e _y (S b _xT _{e i}— _x) i __yにおける yの値として、 0.

06以下、好ましくは 0. 0 5以下、より好ましくは 0. 04以下である。

上記 G e S b T e共晶系の組成においては、さらに I n、 G a、 S n を含有させることが特に好ましレ、。すなわち、 Ml _zG e _y (S b _XT e！ __x) !__y__z (0. 0 1≤ z≤ 0. 4、 0. 0 1≤ y≤ 0. 0 6、 0. 8 2≤ x≤ 0. 9であり、 Mlは、 I n、 G a及び S nからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を用いることが特に好ましい。上記 Mlを I n、 G a及び S nで示される一群の元素のうち少なくとも 1種を添加することによりさらに特性が改善される。 I n、 G a、 S nの元素は、結晶状態と非晶質状態の光学的コントラストを大きくでき、ジッタを低減する効果もある。 Mlの含有量を示す zは、通常 0. 0 1以上、好ましくは 0. 0 2以上、より好ましくは 0. 0 5 以上、一方、通常 0. 4以下、好ましくは 0. 3以下、より好ましくは 0. 2以下、特に好ましくは 0. 1以下とする。この範囲とすれば、上記特性改善の効果が良好に発揮されるようになる。

上記 G e S b T e共晶系の組成において I n、 G a、 S n以外に含みうる元素としては、窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、 S b、 T e及び G eの合計量に対して 5原子％以下であることがより好ましい。また、 S n、 C u、 Z r、 H f 、 V、 N b、 T a、 C r、 C oを上記

G e S b T e共晶系の組成に含有させることもできる。これらの元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析ゃ繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、添加量は 5原子％以下、特に 3 原子％以下とするのが好ましい。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。

一方、 S bを主成分とする組成である S b G e共晶系組成としては、 S b G e共晶系に T eを添加する T e G e S b系を主成分とする組成、 S b G e共晶系に I n、 G a又は S nを添加した、 I n G e S b系、 G a G e S b系、又は S n G e S b系 3元合金を主成分とする組成を挙げることができる。 S b G e共晶系の合金に、 T e、 I n、 G a、又は S nを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができるが、特に S nを添加することが好ましい。

このような S b G e共晶系合金の好ましい組成としては、 T e _γΜ2 s (G e _f S b ,_₆_ (ただし、 0. 0 1≤ ε ≤ 0. 3、 0≤ δ≤

0. 3、 0≤ < 0. 1、 2≤ δ / y , 0 < δ + γ≤ 0. 4であり、 Μ 2は I η、 G a、及び S nからなる群から選ばれる一つである。）を挙げることができる。 S b G e共晶系合金に、 I n、 G a、又は S nを添加することにより、結晶状態と非晶質状態との光学的特性差を大きくできる効果を顕著とすることができる。

元素 M2として I n、 G aを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、 I n及び Z又は G aの含有量を示す δは、通常 0以上、好ましくは 0. 0 1以上、より好ましくは 0. 0 5以上とする。ただし、 I η又は G aが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率の I n— S b系、又は G a— S b系の他の結晶相が形成される場合がある。従って、 δは、通常 0. 3以下、好ましくは、 0. 2以下とする。尚、 I ηと G aとを比較すると、 I nの方がより低ジッタを実現できるため、上記 M2は I nとすることが好ましい。一方、元素 M 2として S nを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト（結晶状態と非晶質状態の反射率差）が大きくとれるようになる。このため、 S nの含有量を示す δは、通常 0以上、好ましくは 0. 0 1以上、より好ましくは 0. 05以上とする。ただし、 S nが過度に多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化する場合がある。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出して消去性能が低下する傾向がある。従って、 δは、通常 0. 3以下、好ましくは 0. 2以下とする。

元素 Μ2として、 I n、 G a、及ぴ S nのうち複数の元素を用いることもできるが、特に、 I n及び S nを含有させることが好ましい。 I n 及ぴ S nを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常 1原子％以上、好ましくは 5原子％以上とし、通常 4 0原子％以下、好ましくは 30原子％以下、より好ましくは 2 5原子％以下とする。

上記 T e M 2 G e S b系の組成においては、 T eを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、 T eの含有量を示す γは、通常 0以上とするが、好ましくは 0. 0 1以上、特に好ましくは 0. 0 5以上とする。ただし、 T e が過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、 γは、通常 0. 1 より小とする。

尚、上記 T e Μ 2 G e S b系の組成において、 T e と元素 M2とを含有させる場合は.、これらの合計含有量を制御することが有効である。従つて、 T e及び元素 M2の含有量を示す δ + γは、通常 0より大きくするが、好ましくは 0. 0 1以上、より好ましくは 0. 0 5以上とすることである。 δ + yを上記範囲とすることで、 T e及び元素 Μ 2を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、 G e S b系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、 δ + γは、通常 0 . 4以下、好ましくは 0. 3 5以下、より好ましくは 0. 3以下とする。一方、元素 M2と T e との原子数比を表す δ は 2以上とするのが好ましい。 T eを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、 T eを含有させた場合には、元素 M 2の含有量を若干多くする（ δを若干大きくする）ことが好ましい。

上記 T e Μ 2 G e S b系の組成に添加しうる元素としては、 Au、 A g、 P d、 P t、 S i、 P b、 B i、 T a、 N b、 V、 Mo、希土類元素、 N、 O等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で 1 0原子％程度である。

以上において最も好ましい組成の一つは、 I n _p S n_qT e _rG e _s S b _t ( 0≤ p≤ 0. 3、 0≤ q≤ 0. 3、 0 < p + q≤ 0. 3、 0≤ r < 0. 1、 0 < s≤ 0. 2、 0. 5≤ t≤ 0. 9、 p + q + r + s + t = 1 ) なる合金系を主成分とする組成である。 T eと I n及び又は S n とを併用する場合は、（P + q) r≥ 2とするのが好ましい。

記録層の膜厚は、十分な光学的コントラストを得、また結晶化速度を速くし短時間での記録消去を達成するためには 5 n m以上あるのが好ましい。また反射率を十分に高くするために、より好ましくは 1 0 nm以上とする。

一方、クラックを生じにくく、かつ十分な光学的コントラストを得るためには、記録層膜厚は 1 00 n m以下とするのが好ましいが、より好ましくは 50 nm以下とする。これは、熱容量を小さくし記録感度を上げるためである。また、上記範囲とすれば相変化に伴う体積変化を小さくできるため、上下の保護層に対する、繰り返しオーバーライトによる繰り返し体積変化の影響を小さくすることもできる。ひいては、不可逆な微視的変形の蓄積が抑えられノイズが低減され、繰り返しオーバーラィト耐久性が向上する。書き換え可能型 D V Dのような高密度記録用媒体では、ノイズに対する要求が一層厳しいため、より好ましくは記録層膜厚を 3 0 n m以下とする。

上記記録層は、通常、所定の合金ターゲットを不活性ガス、特に A r ガス中で D Cまたは R Fスパッタリングして得ることができる。

また、記録層の密度は、バルタ密度の通常 8 0 %以上、好ましくは 9 0 %以上とする。ここでいうバルク密度 p とは、通常下記（ 1 ) 式による近似値を用いるが、記録層を構成する合金組成の塊を作成して実測することもできる。

^ = ∑ 111 ^ ； ' · · 1 )

(ここで、 Hi は各元素 iのモル濃度であり、 in ; p iは元素 iの原子量である。）

スパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス（通常、 A r等の希ガス。以下、 A rの場合を例に説明する。）の圧力を低くしたり、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして、記録層に照射される高エネルギー A r量を多くすることによって、記録層の密度を上げることができる。高エネルギー A rは、通常スパッタのためにターゲットに照射される A rイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するものか、ブラズマ中の A rイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかのいずれかである。

このような高エネノレギ一の希ガスの照射効果を Atomic peening効果というが、一般的に使用される A r ガスでのスパッタでは Atomic peening効果により、 A rがスパッタ膜に混入される。膜中の A r量により、 Atomic peening効果を見積もることができる。すなわち、 A r量が少なければ、高エネルギー A r照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやすい。一方、 A r量が多ければ、高エネルギー A rの照射が激しくなり、膜の密度は高くなるものの、膜中に取り込まれた A rが繰り返しオーバーライト時に V o i dとなって析出し、繰り返しの耐久性を劣化させやすレ、。従って、適度な圧力、通常は 1 0— ²〜 1 0— ¹ P aのオーダーの範囲で放電を行う。

[ 3 B ] 基板

基板には、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフインなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂は C D— R O M等において最も広く用いられている実績もあり安価でもあるので最も好ましい。基板の厚さは、通常 0 . 1 m m以上、好ましくは 0 . 3 m m以上であり、一方、通常 2 0 m m以下、好ましくは 1 5 m m以下である。一般的には 0 . 6 m n！〜 1 . 2 m m程度とされる。基板面入射型の光記録媒体においては、基板はレーザ光を透過する必要があるため、レーザ光に対して透明である必要がある。一方、膜面入射型の光記録媒体においては、基板は必ずしも透明である必要はない。

[ 3 C ] 保護層

記録層の相変化に伴う蒸発 ·変形を防止し、その際の熱拡散を制御するため、通常記録層の上下一方または両方、好ましくは両方に保護層が形成される。保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物や C a、 M g、 L i等のフッ化物等の誘電体を用いることができる。

この場合、これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、 Z n S.や希土類硫化物等のカルコゲン化合物と酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられる。例えば、 Z n Sを主成分とする耐熱化合物の混合物や、希土類の硫酸化物、特に Y ₂0₂ Sを主成分とする耐熱化合物の混合物は好ましい保護層組成の一例である。

保護層の材料としては、通常、誘電体材料を挙げることができる。誘電体材料としては、例えば、 S c、 Y、 C e、 L a、 T i、 Z r、 H f 、 V、 Nb、 T a、 Z n、 A l、 C r、 I n、 S i、 G e、 S n、 S b、及び T e等の酸化物、 T i、 Z r、 H f 、 V、 N b、 T a、 C r、 Mo、 W、 Z n、 B、 A l 、 G a、 I n、 S i、 G e、 S n、 S b、及び P b 等の窒化物、 T i、 Z r、 H f 、 V、 N b、 T a、 C r、 Mo、 W、 Z n、 B、 A l、 G a、 I n、及び S i等の炭化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。また、誘電体材料としては、 Z n、 Y、 C d、 G a、 I n、 S i、 G e、 S n、 P b、 S b、及び B i等の硫化物、セレン化物もしくはテルル化物、 Mg、 C a、 L i等のフッ化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。

さらに誘電体材料の具体例としては、 Z n S— S i 〇 ₂、 S i N、 S i〇₂、 T i 0₂、 C r N、 T a S ₂、 Y₂〇₂ S等を挙げることができる。これら材料の中でも、 Z n S _ S i 0₂は、成膜速度の速さ、膜応力の小ささ、温度変化による体積変化率の小ささ、及び優れた耐候性から広く利用される。 Z n S— S i 0₂を用いる場合、 Z n Sと S i 0₂との組成比 Z n S ： S i 0₂は、通常 0 ： 1〜： 1 ： 0、好ましくは 0. 5 : 0 . 5〜0. 9 5 : 0. 05、より好ましくは 0. 7 : 0. 3〜0. 9 : 0. 1 とする。最も好ましいのは Z n S ： S i 0₂を 0. 8 : 0. 2とすることである。

より具体的には、 L a， C e， N d , Y等の希土類の硫化物、硫酸化物を 5 Omo 1 %以上 9 Omo 1 %以下含む複合誘電体や、 Z n S, T a S ₂を 7 O m o 1 %以上 9 0 m o 1 %以下含有する複合誘電体が望ましい。

繰り返し記録特性を考慮すると、保護層の膜密度はバルク状態の 8 0 %以上であることが機械的強度の面から望ましい。誘電体の混合物を用いる場合には、バルク密度として上述の一般式（ 1 ) の理論密度を用いる。

保護層の厚さは、一般的に通常 1 n m以上 5 0 0 n m以下である。 1 n m以上とすることで、基板や記録層の変形防止効果を十分確保することができ、保護層としての役目を十分果たすことができる。また、 5 0 O n m以下とすれば、保護層としての役目を十分果たしつつ、保護層自体の内部応力や基板との弾性特性の差等が顕著になって、クラックが発生するということを防止することができる。

特に、基板と記録層の間に保護層（下部保護層と称することがある）を設ける場合、下部保護層は、熱による基板変形を抑制する必要があるため、その厚さは通常 1 n m以上、好ましくは 5 n m以上、より好ましくは 1 0 n m以上、さらに好ましくは 2 0 n m以上、特に好ましくは 4 O n m以上である。このようにすれば、繰り返し記録中の微視的な基板変形の蓄積が抑制され、再生光が散乱されてノイズ上昇が著しくなるということがなくなる。

—方、下部保護層の厚みは、成膜に要する時間の関係から、通常 4 0

O n m以下、好ましくは 3 0 0 n m以下、より好ましくは 2 0 0 n m以下、さらに好ましくは 1 5 0 n m以下、特に好ましくは 1 0 0 n m以下である。このようにすれば、記録層平面で見た基板の溝形状が変わるということがなくなる。すなわち、溝の深さや幅が、基板表面で意図した形状より小さくなったりする現象が起こりにくくなる。

一方、記録層の基板とは反対側に保護層（上部保護層と称することがある）を設ける場合、上部保護層は、記録層の変形抑制のために、通常その厚さは 1 n m以上、好ましくは 5 n m以上、より好ましくは 1 O n m以上、さらに好ましくは 1 5 n m以上である。また、繰り返し記録に伴って発生する上部保護層内部の微視的な塑性変形の蓄積を防止し、再生光の散乱によるノイズ上昇を抑制するため、好ましくは 2 0 0 n m以下、より好ましくは 1 5 0 n m以下、より好ましくは 1 0 0 n m以下、さらに好ましくは 6 0 n m以下、特に好ましくは 5 0 n m以下、最も好ましくは 3 0 n m以下である。

なお、記録層及び保護層の厚みは、機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率がよく、記録信号の振幅が大きく、すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。

保護層は通常スパッタ法で形成されるが、ターゲットそのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を 2原子％未満とするのが好ましい。このために保護層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は 1 X 1 0—³ P a未満とすることが望ましい。

[ 3 D ] 反射層

光記録媒体においては、さらに反射層を設けることができる。反射層の設けられる位置は、通常再生光の入射方向に依存し、入射側に対して記録層の反対側に設けられる。すなわち、基板側から再生光を入射する場合は、基板に対して記録層の反対側に反射層を設けるのが通常であり、記録層側から再生光を入射する場合は記録層と基板との間に反射層を設けるのが通常である。

反射層に使用する材料は、反射率の大きい物質が好ましく、特に放熱効果も期待できる A u、 A gまたは A 1等の金属が好ましい。その放熱性は膜厚と熱伝導率で決まるが、熱伝導率は、これら金属ではほぼ体積抵抗率に比例するため、放熱性能を面積抵抗率で表すことができる。面積抵抗率は、通常 0. 0 5 Ω /口以上、好ましくは 0. 1 ΩΖ口以上、一方、通常 0. 6 ΩΖ口以下、好ましくは 0. 5 Ω ロ以下とする。これは、特に放熱性が高いことを保証するものであり、光記録媒体に用いる記録層のように、非晶質マーク形成において、非晶質化と再結晶化の競合が顕著である場合に、再結晶化をある程度抑制するために必要なことである。反射層自体の熱伝導度制御や、耐腐蝕性の改善のため上記の金属に T a、 T i、 C r、 Mo、 Mg、 V、 N b、 Z r、 S i等を少量加えてもよい。添加量は通常 0. 0 1原子％以上 2 0原子％以下である。

本発明に適した反射層の材料をより具体的に述べると、 A 1 に T a , T i , C o , C r， S i， S c , H f , P d , P t , M g， Z r， Mo 及び Mnからなる群から選ばれた少なくとも 1種の元素を含む A 1合金を挙げることができる。これらの合金は、耐ヒロック性が改善されることが知られているので、耐久性，体積抵抗率，成膜速度等を考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常 0. 1原子％以上、好ましくは 0. 2原子％以上、一方、通常 2原子％以下、好ましくは 1原子 %以下である。 A 1合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、多すぎると十分な放熱効果が得られにくレ、。

アルミニウム合金の具体例としては、 T a及び T iの少なくとも一方を 1 5原子％以下含有するアルミニウム合金、特に、 A 1 _α T a ι-_α (0 ≤ a≤ 0. 1 5 ) なる合金は、耐腐蝕性に優れており、光記録媒体の信頼性を向上させる上で特に好ましい反射層材料である。

反射層材料の好ましい例としては、純 A gまたは A gに T i , V， T a , N b , W, C o , C r , S i , G e， S n， S c , H f , P d， R h , A u , P t , M g , Z r， Mo、 C u、 Z n、 Mn、及び希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも 1種の元素を含む A g合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としては T i , Mg又は P dが好ましい。上記元素の含有量は、通常 0. 0 1原子％以上、好ましくは 0. 2原子％以上、一方、通常 1 0原子％以下、好ましくは 5原子％以下である。

特に、 A gにMg、 T i、 Au、 C u、 P d、 P t、 Z n、 C r、 S i、 G e、希土類元素のいずれか一種を 0. 0 1原子％以上 1 0原子％以下含む A g合金は、反射率、熱伝導率が高く、耐熱性も優れていて好ましい。

なお、上部保護層の膜厚を 4 0 nm以上 5 0 nm以下とする場合には特に、反射層を高熱伝導率にするため、含まれる添加元素を 2原子％以下とするのが好ましい。

反射層の材料として特に好ましいのは、 A gを主成分とすることであり、最も好ましいのは純 A gとすることである。 A gを主成分とすることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわち、長期保存した記録マークを再度記録すると、保存直後の第一回目の記録だけ、相変化記録層の再結晶化速度が速くなる現象が発生する場合がある。このような現象が発生する理由は不明であるが、この保存直後における記録層の再結晶化速度の増加により、保存直後の第一回目の記録で形成した非晶質マークの大きさが所望するマークの大きさよりも小さくなるのではないかと推測される。したがって、このような現象が発生する場合には、反射層に放熱性が非常に高い A gを用いて記録層の冷却速度を上げることにより、保存直後における第一回目の記録時の記録層の再結晶化を抑制して非晶質マークの大きさを所望の大きさに保つことができるようになる。反射層の膜厚としては、透過光がなく完全に入射光を反射させるために通常 1 0 nm以上とするが、 20 nm以上とすることが好ましく、 4 0 nm以上とすることがより好ましく、 5 0 nm以上とすることがさらに好ましい。また、あまりに厚すぎても、放熱効果に変化はなくいたずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすくなるので、通常は 5 00 nm以下とするが、 4 0 0 n m以下とすることが好ましく、 3 0 0 nm以下とすることがより好ましく、 200 nm以下とすることがさらに好ましい。

なお、反射層は通常スパッタ法ゃ真空蒸着法で形成されるが、ターゲットゃ蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を 2原子％未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は 1 X 1 0_³P a未満とすることが望ましい。

また、 1 0— ⁴ P aより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを l nm/秒以上、好ましくは 1 0 n 秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を 1原子％より多く含む場合は、成膜レートを 1 0 nm,秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。

さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも 1層は全反射層膜厚の 5 0%以上の膜厚を有する上記の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。

特に、純 A gまたは A gを主成分とする反射層を、硫黄を含む Z n S 等を含む保護層と接して設ける場合には、 A gの硫黄との反応による腐食を防ぐために、通常、硫黄を含まない界面層を設けるが、界面層が、反射層として機能するような金属であることが好ましい。界面層の材料としては、 T a、 N bを挙げることができる。この場合、基板上に、第一保護層、相変化型記録層、第二保護層、界面層、反射層（ここで、界面層と反射層とが多層の反射層を構成していると考えることもできる。 ) をこの順に有する層構成をとることになる。

記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバ一内に設置したィンライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からも優れている。

[ 3 E ] 保護コート層

光記録媒体の最表面側には、空気との直接接触を防いだり、異物との接触による傷を防ぐため、紫外線硬化樹脂や熱硬化型樹脂からなる保護コート層を設けるのが好ましい。保護コート層は通常 1 μ mから数百 μ mの厚さである。また、硬度の高い誘電体保護層をさらに設けたり、その上にさらに樹脂層を設けることもできる。

[ 3 F ] その他

なお、ここでは、リライタブル D V Dとして 1層構造のものを例に説明したが、これに限られるものではなく、他の構造のもの（例えば 2層構造のものやそれ以上の多層構造のもの、 2層構造で片面入射型のものや両面入射型のものなど）にも本発明を適用することができる。

したがって、本実施形態にかかる光記録方法によれば、例えばリライタブル D V Dのような大容量の書換型光記録媒体を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用い、記録速度に応じた記録パルスとすることで、大容量の光記録媒体における高速記録を実現できるという利点がある。

[実施例] 次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。

基板のトラックピッチが 0. 7 4 111、溝幅0. 3 2 /1 m、溝深さ 3 2 n m、厚み 0. 6 mmのポリカーボネート基板上に、 A rガスを用いたスパッタリング法により、（Z n S ) ₈。 ( S i 0₂) ₂₀保護層を 8 0 n m、 I n ₃ G e ₃ S b _{7 0} T e _{2 0}目 C録眉を 1 4 n m、 (Z n S) _{8 0} S i 0₂) ₂₀保護層を 2 2 n m、 T a拡散防止層を 2 n m、 A g反射膜を 1 0 0 n m、この順に形成した。

各層の成膜は到達真空度 4 X 1 0 -⁴ P a以下になつてから実施した。第 1保護層は、 A rガスを導入し成膜圧力を 2. 6 X 1 0— とし、成膜パワー 2 k Wの R Fスパッタリングで形成した。

記録層は、成膜圧力 2. l X l O—i P a とし、成膜パワー 3 0 0 Wの R Fスパッタリングで形成した。

第 2保護層は成膜圧力 3. 9 X 1 0— ¹ P a とし、成膜パワー 1 . 2 k Wの R Fスパッタリングで形成した。

拡散防止層は、成膜圧力 1 . T X l O P a とし、成膜パワー 5 0 0 Wの D Cスパッタリングで形成した。

反射層は、成膜圧力 6. 4 X 1 0— とし、成膜パワー 7 5 0 Wの D Cスパッタリングで形成した。

その上に紫外線硬化樹脂からなる保護コートをしたのち、 0. 6 mm 厚ポリカーボネート基板と貼り合わせて 1 . 2 mm厚のディスク（光記録媒体）とした。

このディスクを線速度 5 mZ sにおいて高出力半導体レーザを用いて初期化を行った。ここで、初期化レーザパワーは 1 4 0 0 Wとした。記録及び記録信号の特性評価には、波長 6 5 0 n m, N A= 0. 6 5 のパルステック社製光デイスクテスタ D DU 1 0 0 0を用いた。基準線速度を DVDの基準線速度である 3. 4 9m/ s とし、基準クロック周波数を 2 6. 2 H z (クロック周期 T _s = 3 8. 2 n s ) とし、 E FM +変調信号を各線速度で記録した後、基準線速度に於いてクロックジッターを測定した。

ここで、クロックジッターとは、再生信号をイコライザと L P Fを通過させた後に、スライサにより 2値化信号とし、該 2値化信号のリーディングェッジとトレーリングェッジの P L Lクロックに対す.る時間のずれの標準偏差（ジッター）をクロック周期： Tで規格化したものである。詳細な測定方法は、 DVD— ROM規格書ゃリライタブル D VD規格書に規定されている。

下記表 1は、記録線速度を基準線速度の 1倍， 2. 4倍， 4倍とする場合に実際に使用した記録ストラテジー（ 1 Tパルス分割ストラテジー ) を示している。表 1にあるストラテジーは、各線速度において ct i ( i = 2〜mの自然数）は一定値をとり、 β _k (k = 2〜m_ lの自然数 ) も一定値をとつており、上述の実施形態において説明した分割パルス 1 Tストラテジーのより規則性を上げたものとしている。また、 β i—丄 + (¾ ;は 1 ( i = 3〜m_ l ) となっている。

下記表 2は、このような分割パルス 1 Tストラテジーを用いる場合のレーザパワー及びそのレーザパワーで記録した信号のク口ックジッターを示している。表 2

いずれの線速度においてもク口ックジッターが 9 %以下であり良好であることがわかる。

次に、記録線速度を基準線速度の 1倍， 2. 4倍， 4倍とする場合に実際に使用した記録ストラテジー（ 2 Tパルス分割ストラテジー）をそれぞれ表 3 , 表 4，表 5に示す。

尚、表 3 , 4 , 5において奇数マーク（n Tマークにおいて nが奇数の場合）のストラテジーを規定する記録パルス長の係数 α _; ' と冷却パルス長の係数 ]3 は、表を見やすくするためにそれぞれひ ,と /3 ；の欄に ti載した。表 3

表 4

CD 表 5

さらに、下記表 6に各線速度でのレーザパワーと該記録条件で記録された信号のクロックジッターとを示す。

表 6

棘クロックジ PwL Pbし

線迷度ッタ一(%) (mW) (mW)

1倍速 6.1 14 5.9 0.5

2. 4倍速 6.0 14 6 0.5

4倍速 5.8 15 4.7 0.5 いずれの線速度においてもクロックジッターが 9 %以下であり良好であること力 ^sわ力ゝる。

さて、書換記録可能範囲を確認するために、上記表 1に示されるような記録ストラテジーを用いて 1 0回オーバーライトした記録信号のクロックジッターを測定した。その結果を下記表 7に示す。 4倍速まではクロックジッターが 9 %以下であり良好な結果が得られている。表 7

そこで、更に、表 8のような記録ストラテジー（ 1 Tパルス分割ストラテジ一）を用レヽ、レーザパワーとして、記録パワー P w L ： 2 1 mW、消去パワー P e ： 4 mW、バイアスパワー P b L ： 0 . 5 mWを印加して 5倍速で 1 0回オーバーライトを試みた。その結果は表 7に示されているようにクロックジッターが 1 1 . 0 %であった。表 8

一般に、 D V Dではクロックジッターが 1 0 %以下であればリードエラーが起こることがないとされている。従って、本実施例においては、上記表 7に示された 1 0回オーバ一ライト後のクロックジッターの測定結果より 4倍速を書換可能範囲の上限と定めるのが妥当である。

そこで、書換可能範囲を超える 5倍速以上の線速度では、上述の実施形態で説明した 1つのパルス（ブロックパルス）で記録するストラテジ一（ブロックパルスストラテジー）を用いて追記型記録を実施した。実際に使用した、ストラテジーを下記表 9に示す。表 9

本実施例で使用したストラテジ一は γが nによらず 0 . 5と一定値であり、上述の実施形態で説明したブロックパルスストラテジーを更に限定したものである。即ち、 C A V記録のように光ディスクの記録半径位置によって線速度が変化する場合であってもクロック周期： Tの係数は固定であることから、記録再生装置にとっては記録パルス制御がより簡易であるとすることができる。

上記表 9に示したストラテジ一で基準線速度の 5倍速から 1 6倍速で追記型記録をしたときのクロックジッターと記録に要したレーザパワー P w Hと P b Hを下記表 1 0に示す。表 1 0

これによると、 5倍速から 1 6倍速までジッターが 9 %以下であり良好な記録特性になっていることが分かる。

次に、 8倍速で追記型記録をした信号の上に、 D C消去をすることなく直接 2 . 4倍速で信号を一回上書きする実験を行った。ストラテジーは上記表 1にある通り（ 1 Tパルス分割ストラテジー）とした。重ね書きした信号のクロックジッターは 7 . 2 %であった。更にその上に 2 . 4倍速でもう一度重ね書きを行ったところクロックジッターは 7 . 1 % であった。すなわち、これは追記型記録をしてもユーザが書換型記録モ一ドを選択すれば D C消去を経ることなく直接上書きができるということを示している。

次に、 8倍速で追記型記録をした信号を、 1倍速で 1 3 mWの D C光を 1回照射して消去し、その上に 8倍速で追記型記録を実施した。ストラテジ一は上記表 9にある通りとした。その信号のクロックジッターを測定したところ 7 %であることが確認できた。これは、追記型で記録した信号もユーザが選択すれば、 D C消去を行った後に、再度高速度で追記型記録が可能であることを示すものである。産業上の利用可能性以上詳述したように、本発明の光記録方法及び記録再生装置によれば、例えばリライタブル DVDのような大容量の書換型光記録媒体を追記型光記録媒体（ライトワンスメディア）として用い、記録速度に応じた記録パルスとすることで、大容量の光記録媒体における高速記録を実現できるという利点がある。

本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更及び変形が可能であることは、当業者にとつて明らかである。

尚、本出願は、 2 00 2年 1 2月 1 3 日付けで出願された日本出願（特願 20 0 2— 36 3 1 45) に基づいており、その全体が引用により援用される。

Claims

請求の範囲

1. 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 · 消去状態とし、様々な時間的長さ n T (Τは基準クロック周期、 ηは 2以上の整数）を有する非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、

(Μ— 1 ) 記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、

時間的長さ n Tを、

rj i T, a i T, α ₂Τ, /3₂ Τ , · - α i Τ , β i Τ、 - · · 、ひ _mT、 ]3 _mT、 7? 2 T

+ j3 i) 十ェ+；^ニ！！である。 _{a i} ( 1 ≤ i ≤m) は 0より大きい実数であり、 β i ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) は 0より大きい実数であり、 ]3 _mは 0以上の実数であり、 η i及び η ₂はそれぞれ一 2以上 2以下の実数である。 ) の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、前記パルス分割数 mを 2以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、 n/m≥ 1. 2 5を満たすようにして、

ひ i Tの時間内には、記録パワー P w i ( 1 ≤ i ≤m) の記録光を照射し、

i3 _; Tの時間内には、バイアスパワー P b _; ( 1 ≤ i ≤m, P b i < P

W i 、 P b i < P w i _{+ 1} ) の記録光を照射して、

n Tの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、

前記複数の記録マーク間には、消去パワー P e ( ? 6は 1 ^ 1 ^ 111における m個の P b ,それぞれの値以上であり、 l ^ i mにおける m個の P W iそれぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射し、 (M— 2) 前記記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合は、

n Tの時間的長さを有する記録マークを、記録パワー P wHの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成する

ことを特徴とする、光記録方法。

2. 前記バイアスパワー P b _;及び P b Hが、前記消去パワー P eよりも小さいことを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載の光記録方法。

3. 前記記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速い場合において、

前記 n T (ηは k。以上の自然数、 k。は 2又は 3 ) の記録マークを、 k ₀T、 ' ·、（k。+ (k _x- 1)) Tの時間的長さを有する記録マーク（ k は整数）と、（k。十 k J T以上の時間的長さを有する記録マークとに分け、

7 (γは 0以上 2以下の値）を ηによって異なり得るものとし、 k。T、 ' ·、（k。十 (k _x- 1 )) Tの時間的長さを有する前記記録マークを形成する場合には、前記記録マークの始点から T_{d k}T (T_{d k}は— 1から 1の間の値）の時間だけ遅れた時点から前記記録パワー P wHの記録光の照射を開始し、前記記録マークの終点から γ Τの時間だけ早い時点において前記記録パワー PwHの記録光の照射を終了することによつて記録マークを形成し、

(k。十 k T以上の時間的長さを有する前記記録マークを形成する場合には、前記記録マークの始点から前記記録パワー PwHの記録光の照射を開始し、前記記録マークの終点から γ Τの時間だけ早い時点において前記記録パワー P wHの記録光の照射を終了することによって記録マークを形成することを特徴とする、請求の範囲第 1項又は第 2項に記載の光記録方法。

4. 前記記録速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度の範囲内である場合は、

n Tの時間的長さを有する記録マークを形成する際に、

n = 2 m (mはパルス分割数、 1以上の自然数）なる記録マークについては、時間的長さ（n _ j ) T ( j は _ 2〜 2なる実数）を、

a j T, T、ひ ₂ Τ、 ₂ Τ、 · · · · 、 a_mT、 _mT

からなる m個の c Tと ]3 _; Tとからなる区間（ただし∑ ( a i + ]3 ；

) = n - j ) に分割し、

n = 2 m+ 1なる記録マークについては、時間的長さ（n _ k ) T ( kは一 2〜 2なる実数）を、

α ι ' Τ、 β Τ、 α ₂ ' Τ、 β ₂ ' Τ、 · · · · 、 a Τ、 β Τ からなる m個の Tと /3 _; ' Tからなる区間（ただし、 ∑ i ( a _;

' + i3 ； ') = n - k ) に分割し、

m 4では、 ]3 卜丄 + ひ；：卜 + = 2 ± 0 · 2 ( i = 3〜 m— 1 ) として、

前記 ct i T及び前記《 Tの時間内には、前記記録パワー P W i ( i は 1以上 m以下の整数）の記録光を照射し、

前記 /3 i T及び前記 ;3 i ' Tの時間内には、前記バイアスパワー P b i ( iは 1以上 m以下の整数）の記録光を照射することを特徴とする、請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれか 1項に記載の光記録方法。

5.前記記録パワー P _{W i}が、 1 ≤ i において一定値 P w Lであり、前記バイアスパワー P b i力 1 ≤ i ≤mにおいて一定値 P b Lであることを特徴とする、請求の範囲第 1項〜第 4項のいずれか 1項に記載の光記録方法。

6 . a _τ≠ a ₁ 、 ,≠ β , a ₂≠ a _{2 m} _ i≠ j3 _m— 、 a _m≠ _m

' 及ぴ β _m≠ ' のうちの少なくとも一つを満たすようにすることを特徴とする、請求の範囲第 4項又は第 5項に記載の光記録方法。

7 . /3 ≠ β 及び a _m≠ a _m，を満たすようにすることを特徴とする、請求の範囲第 4項又は第 5項に記載の光記録方法。

8 . 請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれか 1項に記載の光記録方法によつて情報を記録されうる書換型光記録媒体であって、前記相変化型記録層が S bを主成分とする組成であることを特徴とする、書換型光記録媒体。

9 . 相変化型記録層を有し、前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 · 消去状態とし、この未記録 · 消去状態に様々な時間的長さ n T ( Τは基準クロック周期、 ηは 2以上の整数）の非晶質状態の記録マークを形成することによって、情報を記録する円盤状の書換型光記録媒体を装着し、前記書換型光記録媒体を回転させた状態で前記書換型光記録媒体に記録光を照射することによって前記情報の記録を行う記録再生装置であって、書換記録モード、ライトワンス記録モード、及び D C消去モードの 3 つの記録光照射モードを有し、

( A— 1 ) 書換記録モードにおいては、

情報の記録を行なう前記書換型光記録媒体の半径位置における線速度力前記書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、

時間的長さ n Tを、

η_ι Τ、 a , T j3 ！ Τ, α ₂Τ、 ]3 ₂Τ、 · ·

α i T、、 · · · 、 a_mT、 H 77 ₂T

(mはパルス分割数であり、 i は 1以上 m以下の整数である。 ∑ i ( a ; + j3 i) + 7^ + 77 2 = 11である。 _{tt i} ( l ≤ i ^m) は 0より大きい実数であり、 P i ( 1 ≤ i ≤m- 1 ) は 0より大きい実数であり、 jS JiO以上の実数であり、 77 及び 7? ₂はそれぞれ一 2以上 2以下の実数である。 ) の順に分割し、少なくとも一つの記録マークの時間的長さは、前記パルス分割数 mを 2以上とし、かつ、全ての記録マークの時間的長さは、 n/m≥ 1. 2 5を満たすようにして、

の時間内には、記録パワー ( 1 ≤ i ≤m) の記録光を照射し、

β ； Tの時間内には、バイアスパワー P b i ( 1 ≤ i ≤m, P b iく P

W i、 P b iく Pw _{i + 1}) の記録光を照射し、

n Tの時間的長さを有する複数の記録マークを形成し、

前記複数の記録マーク間には、消去パワー P e ( ? 6は 1 ≤ 1 ≤ 111における m個の P b _;それぞれの値以上であり、 1 ≤ i ≤mにおける m個の P w _;それぞれの値よりも小さい値である。）の記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、

(A— 2 ) ライトワンス記録モードにおいては、

情報の記録を行う前記書換型光記録媒体の半径位置における線速度が、前記書換型光記録媒体に記録された情報が書換可能な記録速度よりも速くなるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、

n Tの時間的長さを有する記録マークを、記録パワー P wHの記録光とバイアスパワー P b Hの記録光とを照射しうる一つのブロックパルスを用いて形成することによって、前記書換型光記録媒体に記録を行い、 (A— 3) D C消去モードにおいては、

情報の消去を行う前記書換型光記録媒体の半径位置における線速度が. 前記書換型光記録媒体の書換可能な記録速度の範囲内となるように前記書換型光記録媒体を回転させた状態で、消去パワー P_DCの記録光を照射することによって、前記書換型光記録媒体に記録されている情報の消去を行い、

(A— 4) 前記書換記録モードを実行した後に前記ライトワンス記録モードを実行する場合、又は、前記ライトワンス記録モードを実行した後に再度前記ライトワンス記録モードを実行する場合には、前記 DC消去モードを行って前記書換型光記録媒体に記録されている情報を消去するように構成されることを特徴とする、記録再生装置。

1 0. 前記バイアスパワー P b i及び P b Hが、前記消去パワー P e よりも小さくなるように構成されることを特徴とする、請求の範囲第 9項に記載の記録再生装置。

1 1. 前記記録パワー PWiが、 1≤ i ≤mにおいて一定値 P w Lであ Ό、

前記バイアスパワー P b ；力 S、 1≤ i ≤mにおいて一定値 P b Lであることを特徴とする、請求の範囲第 9項又は第 1 0項に記載の記録再生

1 2. 前記 DC消去モードにおける消去パワー P_DCが、前記書換記録モ一ドにおける消去パワー P e と等しいことを特徴とする、請求の範囲第 9項〜第 1 1項のいずれか 1項に記載の記録再生装置。

1 3 . 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、

記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、前記記録マークの長さが所定長さ以上のときは、前記プロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第 1所定時間だけ早くなるようにし、前記記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、前記プロックパルスの開始時期がデータ信号パルスの開始時期よりも第 2所定時間だけ遅れるようにするとともに、前記プロックパルスの終了時期がデータ信号パルスの終了時期よりも第 1所定時間だけ早くなるようにするとともに、

記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いることを特徴とする、光記録方法。

1 4 . 前記パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、 n T ( η ： 3以上の自然数， Τ ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 ηが偶数であるときは、前記後続パルス列における一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略 2になるようにすることを特徴とする、請求の範囲第 1 3項に記載の光記録方法。

1 5 . 前記パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの対が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、 n T ( η ： 3以上の自然数， Τ ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、 ηが奇数のときは、前記後続パルス列を構成する冷却パルスと記録パルスとの対のうち、最先の冷却パルスと記録パルスとの対及び最後の冷却パルスと記録パルスとの対以外の、一対の冷却パルスのパルス幅と記録パルスのパルス幅とを足したものが略 2になるようにすることを特徴とする、請求の範囲第 1 3項又は第 1 4項に記載の光記録方法。

1 6 . 前記パルス列が、記録パワーレベルの先頭パルスと、冷却パワーレベルの冷却パルスと記録パワーレベルの記録パルスとの对が繰り返される後続パルス列と、最後尾の冷却パルスとからなるものとし、 n T ( η ： 3以上の自然数， Τ ：クロック周期）の長さを有する記録マークを形成する場合であって、

前記後続パルス列を構成する記録パルスの数を、 ηが奇数であるか偶数であるかに関わらず同数にし、

ηが奇数の場合は、前記後続パルス列を構成する、最先の冷却パルスのパノレス幅、最先の記録パルスのパノレス幅、最後の冷却パルスのパルス幅、及び最後の記録パルスのパルス幅から選ばれる少なくとも 1つを、 ηが偶数の場合の、最先の冷却パルスのパルス幅、最先の記録パルスのパノレス幅、最後の冷却パルスのパノレス幅、最後の記録パルスのパノレス幅のそれぞれに対して変化させることを特徴とする、請求の範囲第 1 3 項〜第 1 5項のいずれか 1項に記載の光記録方法。

1 7 . 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いる光記録方法であって、

記録速度が書換可能な記録速度よりも速い場合は、一つの記録マークを形成するための記録パルスとして一つのブロックパルスを用い、前記記録マークの長さが所定長さよりも短いときは、前記記録マークの長さが所定長さ以上のときよりも、前記ブロックパルスの開始時期が所定時間だけ遅れるようにすることを特徴とする、光記録方法。

1 8 . 相変化型記録層を有する書換型光記録媒体の前記相変化型記録層の結晶状態を未記録 ·消去状態とし、これに様々な長さの非晶質状態の記録マークを形成することにより情報を記録する場合に用いられる記録再生装置であって、

記録速度が書換可能な記録速度以下の場合は、一^ 3の記録マークを形成するための記録パルスとして複数の記録パルスからなるパルス列を用いるように構成されることを特徴とする、記録再生装置。