JP4271051B2 - 相変化型情報記録媒体及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
本発明は、レーザー光を照射することにより記録層を構成する材料に光学的な変化を生じさせて情報の記録、再生を行い、かつ書換えが可能な相変化型情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットに関するものである。
現在、ＤＶＤ系の記録層材料に関しては、２．５倍速（約８．５ｍ／ｓ）のスピード記録ができるシステムが開発され、更に、高速記録の要求が高まっている。また、ＤＶＤ＋ＲＷに使用されている相変化記録材料は、ＣＤ−ＲＷに採用されているＡｇＩｎＳｂＴｅ系高速記録材料を改良し、高線速まで記録消去を可能にしたものである。この材料系は、高線速記録領域の記録スピードに対応するためＳｂの含有量をＣＤ−ＲＷ対応の記録材料よりも多くしたものが用いられているが、高Ｓｂ組成比の材料は結晶化スピードが速くなるものの、結晶化温度が低下するという問題がある。結晶化温度の低下は、保存信頼性の悪化につながることが実験により確認されている。情報記録媒体の保存信頼性の問題は、記録材料中のＡｇの増加、或いはＧｅなどの第５元素の添加により、ＤＶＤ４倍速媒体までは実用上問題にならない程度に抑えられているが、更なる高線速記録を達成するためにＳｂ量を増加させると、結晶化温度が急激に下がりアモルファスマークの安定性が非常に悪くなる。このことから、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系を用いた高速記録媒体の実用化はＤＶＤ４倍速が限界と推定される。
４倍速以上の高速記録用材料としてＧａＳｂ材料系も検討されている。ＧａＳｂ材料系は高速記録が可能であり同時に保存信頼性にも優れているが、融点が６００℃と高いため記録感度が低く、高速で記録するには高パワーを必要とするのが欠点である。また、ＧａＳｂ系で高速化を進めるには、Ｓｂ量を増やすことにより結晶化速度を速くする必要があるが、Ｓｂ量が９０原子％以上になると、Ｓｂが分相してしまうため、初期結晶化を均一に行なうことができなくなってしまうという問題が生じる。初期結晶化が均一に行えないと、初回記録から繰返し１０回位までの初期記録特性が著しく悪くなるため実用化できない。
なお、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系高速記録材料については特許文献１に、ＧｅＧａＳｂＴｅ系材料については特許文献２に、ＧｅＩｎＳｂＴｅ系材料については特許文献３に、ＩｎＳｂＳｎ系材料については特許文献４及び５にそれぞれ記載されている。
なお、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系高速記録材料については特許文献１に、ＧｅＧａＳｂＴｅ系材料については特許文献２に、ＧｅＩｎＳｂＴｅ系材料については特許文献３に、ＩｎＳｂＳｎ系材料については特許文献４及び５にそれぞれ記載されている。
本発明は、初期結晶化が容易であり、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が１０倍速以上の高線速度においても記録感度が良好であり、繰返し記録が可能であると共に保存信頼性にも優れた相変化型情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットの提供を目的とする。
また、ＣＡＶ（回転速度一定方式）で記録媒体に情報を記録したい場合、記録線速が半径位置により異なるため、幅広い記録線速領域で繰返し記録特性に優れた記録媒体が必要となる。そこで本発明では、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で幅広い記録線速領域で繰返し記録特性が良好である情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットの提供も目的とする。
また、ＣＡＶ（回転速度一定方式）で記録媒体に情報を記録したい場合、記録線速が半径位置により異なるため、幅広い記録線速領域で繰返し記録特性に優れた記録媒体が必要となる。そこで本発明では、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で幅広い記録線速領域で繰返し記録特性が良好である情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットの提供も目的とする。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、記録層を構成する材料として、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａ及びＧｅを主成分とする合金を用いることにより、良好な感度が得られ（ＧａＳｂ系よりも融点が低い）、例えば波長６６０ｎｍ、レンズＮＡ＝０．６５のＤＶＤ系の記録システムを用いた場合、約３５ｍ／ｓ以上の記録スピードにおいて充分な記録感度、良好なオーバーライト特性及び保存信頼性を獲得でき、またＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で幅広い記録線速領域で繰返し記録特性が良好な情報記録媒体を提供できることを見出した。
即ち、上記課題は、次の１）〜１２）の発明（以下、本発明１〜１２という）によって解決される。
１） 透明基板上に、少なくとも第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層がこの順に形成され、情報の記録が、レーザー光の照射により相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものであると共に、相変化記録層を構成する材料の主成分である合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ〔但し、α、β、γ、δはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００〕として、α、β、γ、δが以下の関係を満たすことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
５≦α≦２５
４０≦β≦９１
２≦γ≦２０
２≦δ≦２０
２） ５≦α≦２０、４０≦β≦８５、５≦γ≦２０、５≦δ≦２０であることを特徴とする１）記載の相変化型情報記録媒体。
３） １０≦α≦２０、５０≦β≦８０、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５であることを特徴とする２）の相変化型情報記録媒体。
４） 相変化記録層が、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１つの元素を、前記合金に対して１〜１０原子％含むことを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
５） 相変化記録層が、Ｔｅを、前記合金に対して１〜１０原子％含むことを特徴とする１）〜４）記載の相変化型情報記録媒体。
６） 第1保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層の各膜厚をｔ１〜ｔ４（ｎｍ）とし、レーザー光の波長をλ（ｎｍ）としたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
ｔ１ ： ０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６０
ｔ２ ： ０．０１５≦ｔ２／λ≦０．０３２
ｔ３ ： ０．００５≦ｔ３／λ≦０．０４０
ｔ４ ： ０．１００≦ｔ４／λ
７） 相変化記録層と第1保護層との間に、厚さが２〜１０ｎｍのＳｉＯ２からなる界面層を有することを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
８） 各層を積層した相変化型情報記録媒体を１０〜２１ｍ／ｓの範囲内の一定線速度で回転させ、パワー密度１５〜４０ｍＷ／μｍ２で初期結晶化を行なうことにより得られたものであることを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
９） ＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ（但し、５≦α≦２５、４０≦β≦９１、２≦γ≦２０、２≦δ≦２０、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００）で示される組成の合金からなる相変化型情報記録媒体製造用スパッタリングターゲット。
１０） ５≦α≦２０、４０≦β≦８５、５≦γ≦２０、５≦δ≦２０である９）記載のスパッタリングターゲット。
１１） １０≦α≦２０、５０≦β≦８０、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５である１０）記載のスパッタリングターゲット。
１２） 前記合金を主成分とし、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｔｅから選ばれる少なくとも１種の元素を前記合金に対して１〜１０原子％含有することを特徴とする９）〜１１）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体製造用スパッタリングターゲット。
即ち、上記課題は、次の１）〜１２）の発明（以下、本発明１〜１２という）によって解決される。
１） 透明基板上に、少なくとも第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層がこの順に形成され、情報の記録が、レーザー光の照射により相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものであると共に、相変化記録層を構成する材料の主成分である合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ〔但し、α、β、γ、δはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００〕として、α、β、γ、δが以下の関係を満たすことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
５≦α≦２５
４０≦β≦９１
２≦γ≦２０
２≦δ≦２０
２） ５≦α≦２０、４０≦β≦８５、５≦γ≦２０、５≦δ≦２０であることを特徴とする１）記載の相変化型情報記録媒体。
３） １０≦α≦２０、５０≦β≦８０、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５であることを特徴とする２）の相変化型情報記録媒体。
４） 相変化記録層が、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１つの元素を、前記合金に対して１〜１０原子％含むことを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
５） 相変化記録層が、Ｔｅを、前記合金に対して１〜１０原子％含むことを特徴とする１）〜４）記載の相変化型情報記録媒体。
６） 第1保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層の各膜厚をｔ１〜ｔ４（ｎｍ）とし、レーザー光の波長をλ（ｎｍ）としたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
ｔ１ ： ０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６０
ｔ２ ： ０．０１５≦ｔ２／λ≦０．０３２
ｔ３ ： ０．００５≦ｔ３／λ≦０．０４０
ｔ４ ： ０．１００≦ｔ４／λ
７） 相変化記録層と第1保護層との間に、厚さが２〜１０ｎｍのＳｉＯ２からなる界面層を有することを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
８） 各層を積層した相変化型情報記録媒体を１０〜２１ｍ／ｓの範囲内の一定線速度で回転させ、パワー密度１５〜４０ｍＷ／μｍ２で初期結晶化を行なうことにより得られたものであることを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
９） ＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ（但し、５≦α≦２５、４０≦β≦９１、２≦γ≦２０、２≦δ≦２０、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００）で示される組成の合金からなる相変化型情報記録媒体製造用スパッタリングターゲット。
１０） ５≦α≦２０、４０≦β≦８５、５≦γ≦２０、５≦δ≦２０である９）記載のスパッタリングターゲット。
１１） １０≦α≦２０、５０≦β≦８０、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５である１０）記載のスパッタリングターゲット。
１２） 前記合金を主成分とし、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｔｅから選ばれる少なくとも１種の元素を前記合金に対して１〜１０原子％含有することを特徴とする９）〜１１）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体製造用スパッタリングターゲット。
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明は、１０倍速までの高線速記録を達成するため、相変化記録層を構成する材料の主成分として上記本発明１で規定する組成式の合金を用いる。ここで主成分とは、記録層材料全体の９０原子％以上を占めることを意味する。
Ｓｎ５０Ｓｂ５０化合物は融点が４２５℃と低く、かつ結晶化速度が非常に速いため、記録感度が良好な高速記録媒体を実現する可能性を持っていると考えられる。しかし、Ｓｎ５０Ｓｂ５０化合物は室温で結晶化するほど結晶化速度が速く、現在のＤＶＤ＋ＲＷ用評価装置ではアモルファス化させることができないので、Ｓｎ５０Ｓｂ５０単独ではＤＶＤ＋ＲＷの相変化記録層として使用することはできない。そこで、Ｓｎ５０Ｓｂ５０を母相として組成を改良することにより、繰返し記録が可能でありかつ保存安定性に優れた材料を探索した。
その結果、結晶化を容易にしアモルファス化し易くする効果があるＧａ及び保存安定性に効果があるＧｅの２種類を同時に添加することにより、繰返し記録が可能でありかつ保存安定性の優れた光記録媒体が提供できることを見出した。Ｇａのみを添加した場合には、長期保存後に結晶相の反射率低下が起こり、保存安定性の評価項目の一つであるシェルフ特性（長期間放置した後の記録再生特性）が悪化してしまう。Ｇｅのみを添加した場合には、アモルファスマーク長にばらつきが生じ、ジッタ特性が良くならない。
本発明は、１０倍速までの高線速記録を達成するため、相変化記録層を構成する材料の主成分として上記本発明１で規定する組成式の合金を用いる。ここで主成分とは、記録層材料全体の９０原子％以上を占めることを意味する。
Ｓｎ５０Ｓｂ５０化合物は融点が４２５℃と低く、かつ結晶化速度が非常に速いため、記録感度が良好な高速記録媒体を実現する可能性を持っていると考えられる。しかし、Ｓｎ５０Ｓｂ５０化合物は室温で結晶化するほど結晶化速度が速く、現在のＤＶＤ＋ＲＷ用評価装置ではアモルファス化させることができないので、Ｓｎ５０Ｓｂ５０単独ではＤＶＤ＋ＲＷの相変化記録層として使用することはできない。そこで、Ｓｎ５０Ｓｂ５０を母相として組成を改良することにより、繰返し記録が可能でありかつ保存安定性に優れた材料を探索した。
その結果、結晶化を容易にしアモルファス化し易くする効果があるＧａ及び保存安定性に効果があるＧｅの２種類を同時に添加することにより、繰返し記録が可能でありかつ保存安定性の優れた光記録媒体が提供できることを見出した。Ｇａのみを添加した場合には、長期保存後に結晶相の反射率低下が起こり、保存安定性の評価項目の一つであるシェルフ特性（長期間放置した後の記録再生特性）が悪化してしまう。Ｇｅのみを添加した場合には、アモルファスマーク長にばらつきが生じ、ジッタ特性が良くならない。
また、Ｇａ及びＧｅはＳｎ５０Ｓｂ５０の結晶化速度を遅くする効果があるので、Ｇａ＋Ｇｅ原子％を調整することにより結晶化速度を変えることができる。例えば、Ｇａ＋Ｇｅ＝２０原子％以上では、低速での記録特性が特に良好なのに対し、Ｇａ＋Ｇｅ＝１０〜１５原子％の範囲では、８倍速以上の高速記録特性が特に良好である。
前記本発明１の組成式において、Ｓｎが５原子％未満では融点が高くなってしまい感度が悪くなり、Ｓｎが２５原子％超では結晶化速度が速くなりすぎて、アモルファス化させることができず好ましくない。また、Ｓｂが４０原子％未満では融点が高くなってしまい感度が悪くなり、Ｓｂが９１原子％超ではアモルファスマークの保存信頼性が悪くなり好ましくない。Ｇａ及びＧｅが２原子％未満では保存信頼性が悪くなり、Ｇａ及びＧｅが２０原子％超では結晶化温度が高くなりすぎて初期結晶化が困難になり好ましくない。上記関係式を全て満たしたとき、保存安定性に優れ、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速がＤＶＤの３倍速以上の記録線速で繰返し記録が可能な情報記録媒体が得られる。
前記本発明１の組成式において、Ｓｎが５原子％未満では融点が高くなってしまい感度が悪くなり、Ｓｎが２５原子％超では結晶化速度が速くなりすぎて、アモルファス化させることができず好ましくない。また、Ｓｂが４０原子％未満では融点が高くなってしまい感度が悪くなり、Ｓｂが９１原子％超ではアモルファスマークの保存信頼性が悪くなり好ましくない。Ｇａ及びＧｅが２原子％未満では保存信頼性が悪くなり、Ｇａ及びＧｅが２０原子％超では結晶化温度が高くなりすぎて初期結晶化が困難になり好ましくない。上記関係式を全て満たしたとき、保存安定性に優れ、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速がＤＶＤの３倍速以上の記録線速で繰返し記録が可能な情報記録媒体が得られる。
更に、前記本発明２で規定する組成の合金を用いれば、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速がＤＶＤの１０倍速以上の記録線速で繰返し記録が良好な情報記録媒体が得られる。
更に、前記本発明３で規定する組成の合金を用いれば、ＤＶＤの３倍速から８倍速の間の線速で繰返し記録が良好な情報記録媒体が得られる。本発明３では、幅広い記録線速領域で繰返し記録が良好であるので半径位置で記録線速が異なるＣＡＶ（回転速度一定方式）で記録媒体に情報を記録することができる。
更に、前記合金に対して、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１つの元素を添加することもできる。これにより、更に保存信頼性を良好にすることができる。これらの元素の添加量は、前記合金に対して、１原子％未満では効果がなく、１０原子％を超えると結晶化温度が高くなりすぎて初期結晶化が困難になる。
更に、前記合金に対して、Ｔｅを添加することもできる。Ｔｅを１〜１０原子％添加することにより、初期結晶化が容易になり均一な結晶状態を得やすくなる。その結果、初回から１０回程度までの繰返し記録によるジッタの上昇を低減できる。
更に、本発明６は、第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層の適切な膜厚範囲をレーザー波長λ（ｎｍ）との関係で規定したものである。相変化型情報記録媒体の記録再生に用いるレーザー光波長が決まれば、これらの式に従って適切な膜厚範囲を選定し媒体設計を行うことができる。好ましい波長範囲はλ＝６６０±１０ｎｍである。詳しくは後述する。
更に、本発明９〜１２は、上記相変化記録層の製造に用いるスパッタリングターゲットである。
更に、前記本発明３で規定する組成の合金を用いれば、ＤＶＤの３倍速から８倍速の間の線速で繰返し記録が良好な情報記録媒体が得られる。本発明３では、幅広い記録線速領域で繰返し記録が良好であるので半径位置で記録線速が異なるＣＡＶ（回転速度一定方式）で記録媒体に情報を記録することができる。
更に、前記合金に対して、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１つの元素を添加することもできる。これにより、更に保存信頼性を良好にすることができる。これらの元素の添加量は、前記合金に対して、１原子％未満では効果がなく、１０原子％を超えると結晶化温度が高くなりすぎて初期結晶化が困難になる。
更に、前記合金に対して、Ｔｅを添加することもできる。Ｔｅを１〜１０原子％添加することにより、初期結晶化が容易になり均一な結晶状態を得やすくなる。その結果、初回から１０回程度までの繰返し記録によるジッタの上昇を低減できる。
更に、本発明６は、第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層の適切な膜厚範囲をレーザー波長λ（ｎｍ）との関係で規定したものである。相変化型情報記録媒体の記録再生に用いるレーザー光波長が決まれば、これらの式に従って適切な膜厚範囲を選定し媒体設計を行うことができる。好ましい波長範囲はλ＝６６０±１０ｎｍである。詳しくは後述する。
更に、本発明９〜１２は、上記相変化記録層の製造に用いるスパッタリングターゲットである。
次に、本発明の相変化型情報記録媒体の各層構成について説明する。
図１は、本発明の相変化型情報記録媒体の一実施形態を説明するための断面図であり、透明基板上に例えばスパッタ法により第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層がこの順に形成され、更に反射層上にスピンコートにより紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなる保護層が形成されている。なお、必要に応じて保護層上に、記録媒体の更なる補強或いは保護のために、別の基板を貼り合わせてもよい。
透明基板としては、例えば表面にトラッキング用の案内溝を有し、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのディスク状で、加工性、光学特性に優れたポリカーボネート基板が好適である。トラッキング用の案内溝は、ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍ範囲内の蛇行溝であることが好ましい。特に溝を深くすることにより、記録媒体の反射率が下がり変調度を大きくすることができる。
図１は、本発明の相変化型情報記録媒体の一実施形態を説明するための断面図であり、透明基板上に例えばスパッタ法により第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層がこの順に形成され、更に反射層上にスピンコートにより紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなる保護層が形成されている。なお、必要に応じて保護層上に、記録媒体の更なる補強或いは保護のために、別の基板を貼り合わせてもよい。
透明基板としては、例えば表面にトラッキング用の案内溝を有し、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのディスク状で、加工性、光学特性に優れたポリカーボネート基板が好適である。トラッキング用の案内溝は、ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍ範囲内の蛇行溝であることが好ましい。特に溝を深くすることにより、記録媒体の反射率が下がり変調度を大きくすることができる。
第1保護層としては、透明基板及び相変化記録層との密着性が良いこと、耐熱性が高いことなどが要求される。また、第1保護層は、相変化記録層の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、高線速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが望ましい。好ましい材料としては（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が挙げられる。
第1保護層の膜厚ｔ１（ｎｍ）は、レーザー光の波長λ（ｎｍ）として、０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６０が適しており、この範囲より薄いと耐熱保護層としての機能が失われ、厚いと界面剥離が生じ易くなる。スパッタ条件は、投入電力３ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒ（２×１０―３Ｔｏｒｒ）が例示される。
第1保護層の膜厚ｔ１（ｎｍ）は、レーザー光の波長λ（ｎｍ）として、０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６０が適しており、この範囲より薄いと耐熱保護層としての機能が失われ、厚いと界面剥離が生じ易くなる。スパッタ条件は、投入電力３ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒ（２×１０―３Ｔｏｒｒ）が例示される。
相変化記録層の膜厚ｔ２（ｎｍ）はレーザー光の波長をλ（ｎｍ）として、０．０１５≦ｔ２／λ≦０．０３２が適しており、この範囲より薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能を失うことがある。また、厚いと記録感度が悪くなる。
記録層の形成は、スパッタリング法により行なうのが好ましい。スパッタリングターゲットの作製方法の一例を挙げると、予め仕込み量を秤量し、ガラスアンプル中で加熱溶融し、その後これを取り出して粉砕機により粉砕し、得られた粉末を加熱焼結することによって円盤状のターゲットを得ることができる。スパッタ条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒが例示される。
記録層の形成は、スパッタリング法により行なうのが好ましい。スパッタリングターゲットの作製方法の一例を挙げると、予め仕込み量を秤量し、ガラスアンプル中で加熱溶融し、その後これを取り出して粉砕機により粉砕し、得られた粉末を加熱焼結することによって円盤状のターゲットを得ることができる。スパッタ条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒが例示される。
第２保護層としては、相変化記録層及び反射層との密着性が良いこと、耐熱性が高いことなどが要求される。また、相変化記録層の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、高線速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが望ましい。好ましい材料としては、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が挙げられる。第２保護層の膜厚ｔ３（ｎｍ）は波長をλ（ｎｍ）として、０．００５≦ｔ３／λ≦０．０４０が適しており、この範囲より薄いと記録感度が悪くなり、厚いと熱が篭りすぎてしまう。スパッタ条件は、投入電力３ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒが例示される。
反射層は、熱伝導率が高いＡｇ或いはＡｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｔｉ等が適している。反射層の膜厚ｔ４（ｎｍ）は波長をλとして、０．１００≦ｔ４／λが適しており、この範囲より薄いと放熱効果が得られない。スパッタ条件は、投入電力５ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒが例示される。
反射層は、熱伝導率が高いＡｇ或いはＡｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｔｉ等が適している。反射層の膜厚ｔ４（ｎｍ）は波長をλとして、０．１００≦ｔ４／λが適しており、この範囲より薄いと放熱効果が得られない。スパッタ条件は、投入電力５ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２Ｅ−３Ｔｏｒｒが例示される。
また、第２保護層と反射層との間に第３保護層を設けてもよい。この層は第２保護層材料がＳ（硫黄）を含む場合に、このＳと反射層に含まれているＡｇの反応によるＡｇ２Ｓの生成を防ぐ機能を備えている。好ましい材料としては、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴｉＯ２、ＴｉＣ−ＴｉＯ２、ＮｂＣ、ＮｂＯ２、ＮｂＣ−ＮｂＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＩＴＯ等が挙げられる。
また、第1保護層と相変化記録層との間にＳｉＯ２からなる界面層を設けることが好ましい。ＳｉＯ２を界面層として厚さ２〜１０ｎｍ設けることにより、高パワーで記録したときに基板が受けるダメージを減らすことができるため、高パワー記録での繰返し記録特性が良好となり、記録パワーマージンを広くすることができる。２ｎｍ未満では均一なＳｉＯ２膜を形成することが困難であり、１０ｎｍを超えると、膜剥離が生じ易くなる。
また、第1保護層と相変化記録層との間にＳｉＯ２からなる界面層を設けることが好ましい。ＳｉＯ２を界面層として厚さ２〜１０ｎｍ設けることにより、高パワーで記録したときに基板が受けるダメージを減らすことができるため、高パワー記録での繰返し記録特性が良好となり、記録パワーマージンを広くすることができる。２ｎｍ未満では均一なＳｉＯ２膜を形成することが困難であり、１０ｎｍを超えると、膜剥離が生じ易くなる。
初期結晶化は、相変化型情報記録媒体を１０〜２１ｍ／ｓ範囲内の一定線速度で回転させ、パワー密度が１５〜４０ｍＷ／μｍ２で行うのが好ましい。初期結晶化の条件により繰返し記録初期特性が決まるが、高速結晶化の材料ほど、初期結晶化も高速で行なうのが良い。１０ｍ／ｓ未満の線速で初期結晶化を行うと、大きな結晶粒が成長してしまうため、アモルファスマークエッジが不均一になり易くジッタ特性が悪化する。また、２１ｍ／ｓを超えると、ディスクの追従性が悪化するため、反射率に分布が生じ易い。また、パワー密度１５ｍＷ／μｍ２未満では、パワー不足により均一な結晶が得られず、４０ｍＷ／μｍ２を超えると、パワーが強すぎて繰返し記録特性が悪化する。
本発明によれば、初期結晶化が容易であり、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が１０倍速以上の高線速度においても記録感度が良好であり、繰返し記録が可能であると共に保存信頼性にも優れた相変化型情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットを提供できる。
また、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で幅広い記録線速領域で繰返し記録特性が良好な情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットを提供できる。
また、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で幅広い記録線速領域で繰返し記録特性が良好な情報記録媒体及びその製造のためのスパッタリングターゲットを提供できる。
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。
（実施例１〜８）
情報記録媒体（ディスク）を次のようにして作製した。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第1保護層、相変化記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順に製膜した。
第1保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を８０ｎｍとした。
相変化記録層は、下記表１に示す材料組成に対応する組成（原子％）のスパッタリングターゲットを用い、膜厚は２０ｎｍとした。
第２保護層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を１４ｎｍとした。
第３保護層はＳｉＣターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層はＡｇターゲットを用い、膜厚を１８０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピナーによってアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を接着剤を用いて貼り合せ、波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行なった。
記録再生の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて行なった。記録線速は１０．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ３倍速相当）、２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）として、記録パワーは線速に応じて変えた。バイアスパワーは０．２ｍＷ、消去パワーは２〜１５ｍＷで、それぞれ最適化した。
これらの情報媒体に対して、３Ｔを１０回繰返し記録したときのＣ／Ｎ比の測定結果［スペクトルアナライザを用いてノイズ（Ｎ）レベルと信号強度（Ｃ：キャリア）との比を測定］を表３に示す。書換え型の光ディスクシステムを実現する場合、そのＣ／Ｎ比は、少なくとも４５ｄＢ必要である。実施例１〜８の記録媒体では、ＤＶＤ３倍速相当である１０．５ｍ／ｓで繰返し記録したときも、ＤＶＤ８倍速相当である２８ｍ／ｓで繰返し記録したときも全て４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を得ることができた。
情報記録媒体（ディスク）を次のようにして作製した。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第1保護層、相変化記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順に製膜した。
第1保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を８０ｎｍとした。
相変化記録層は、下記表１に示す材料組成に対応する組成（原子％）のスパッタリングターゲットを用い、膜厚は２０ｎｍとした。
第２保護層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を１４ｎｍとした。
第３保護層はＳｉＣターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層はＡｇターゲットを用い、膜厚を１８０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピナーによってアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を接着剤を用いて貼り合せ、波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行なった。
記録再生の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて行なった。記録線速は１０．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ３倍速相当）、２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）として、記録パワーは線速に応じて変えた。バイアスパワーは０．２ｍＷ、消去パワーは２〜１５ｍＷで、それぞれ最適化した。
これらの情報媒体に対して、３Ｔを１０回繰返し記録したときのＣ／Ｎ比の測定結果［スペクトルアナライザを用いてノイズ（Ｎ）レベルと信号強度（Ｃ：キャリア）との比を測定］を表３に示す。書換え型の光ディスクシステムを実現する場合、そのＣ／Ｎ比は、少なくとも４５ｄＢ必要である。実施例１〜８の記録媒体では、ＤＶＤ３倍速相当である１０．５ｍ／ｓで繰返し記録したときも、ＤＶＤ８倍速相当である２８ｍ／ｓで繰返し記録したときも全て４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を得ることができた。
（比較例１〜７）
相変化記録層を、下記表２に示す材料組成に対応する組成（原子％）のスパッタリングターゲットを用いて製膜した点以外は、実施例１と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製し、実施例１と同様にして評価を行なった。
結果を表４に示すが、１０．５ｍ／ｓ及び２８ｍ／ｓで繰返し記録したときのＣ／Ｎ比は、比較例１の１０．５ｍ／ｓの場合を除き、４５ｄＢ以下であった。
相変化記録層を、下記表２に示す材料組成に対応する組成（原子％）のスパッタリングターゲットを用いて製膜した点以外は、実施例１と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製し、実施例１と同様にして評価を行なった。
結果を表４に示すが、１０．５ｍ／ｓ及び２８ｍ／ｓで繰返し記録したときのＣ／Ｎ比は、比較例１の１０．５ｍ／ｓの場合を除き、４５ｄＢ以下であった。
（実施例９〜１５）
情報記録媒体（ディスク）を次のようにして作製した。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第1保護層、相変化記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順に製膜した。
第1保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を７０ｎｍとした。
相変化記録層は、下記表５に示す材料組成に対応する組成（原子％）のスパッタリングターゲットを用い、膜厚は１８ｎｍとした。
第２保護層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を１０ｎｍとした。
第３保護層はＳｉＣターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層はＡｇターゲットを用い、膜厚を１４０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピナーによってアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を、接着シートを用いて貼り合せ、波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行なった。
記録再生の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて行なった。記録線速は１７．５、２４．５、３５．０ｍ／ｓとし、記録パワーは線速に応じて変えた。バイアスパワーは０．２ｍＷ、消去パワーは２〜１５ｍＷで、それぞれ最適化した。記録ストラテジはそれぞれ最適化した。再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
それぞれの評価結果を表６に示す。
ジッターは、ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ ｊｉｔｔｅｒ σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値である。
保存安定性は、サンプルに記録マークを書き込み、８０℃８５％ＲＨの恒温槽に３００時間保持した後、ジッターの上昇が１％未満の場合を○、１％以上３％未満の場合を△、３％以上の場合を×とした。
再生光安定性は、サンプルに記録マークを書き込み、線速３．５ｍ／ｓ、パワー１．０ｍＷで１０分間、再生光を照射した後、ジッターの上昇が１％未満の場合を○、１％以上３％未満の場合を△、３％以上の場合を×とした。
実施例９〜１５の相変化型情報記録媒体の初期結晶化は容易に行なうことができ、反射率は周内で均一であった。融点は４００〜６００℃の間にあり、記録線速が１７．５、２４．５、３５．０ｍ／ｓのそれぞれにおいて、オーバーライト１０００回後もジッターが１０％以下を示し、記録感度が良好で保存安定性が良好な媒体を得ることができた。また、それぞれのサンプルの変調度はオーバーライト１０００回後も６０％以上を示し、保存安定性試験後も殆ど変化が無かった。特に実施例１２、１３の記録媒体は８０℃８５％ＲＨの恒温槽に６００時間保持した後でも変化は無かった。反射率はオーバーライト１０００回後も２０％以上を示し、保存安定性試験後も殆ど変化が無かった。
情報記録媒体（ディスク）を次のようにして作製した。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第1保護層、相変化記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順に製膜した。
第1保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を７０ｎｍとした。
相変化記録層は、下記表５に示す材料組成に対応する組成（原子％）のスパッタリングターゲットを用い、膜厚は１８ｎｍとした。
第２保護層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を１０ｎｍとした。
第３保護層はＳｉＣターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層はＡｇターゲットを用い、膜厚を１４０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピナーによってアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を、接着シートを用いて貼り合せ、波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行なった。
記録再生の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて行なった。記録線速は１７．５、２４．５、３５．０ｍ／ｓとし、記録パワーは線速に応じて変えた。バイアスパワーは０．２ｍＷ、消去パワーは２〜１５ｍＷで、それぞれ最適化した。記録ストラテジはそれぞれ最適化した。再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
それぞれの評価結果を表６に示す。
ジッターは、ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ ｊｉｔｔｅｒ σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値である。
保存安定性は、サンプルに記録マークを書き込み、８０℃８５％ＲＨの恒温槽に３００時間保持した後、ジッターの上昇が１％未満の場合を○、１％以上３％未満の場合を△、３％以上の場合を×とした。
再生光安定性は、サンプルに記録マークを書き込み、線速３．５ｍ／ｓ、パワー１．０ｍＷで１０分間、再生光を照射した後、ジッターの上昇が１％未満の場合を○、１％以上３％未満の場合を△、３％以上の場合を×とした。
実施例９〜１５の相変化型情報記録媒体の初期結晶化は容易に行なうことができ、反射率は周内で均一であった。融点は４００〜６００℃の間にあり、記録線速が１７．５、２４．５、３５．０ｍ／ｓのそれぞれにおいて、オーバーライト１０００回後もジッターが１０％以下を示し、記録感度が良好で保存安定性が良好な媒体を得ることができた。また、それぞれのサンプルの変調度はオーバーライト１０００回後も６０％以上を示し、保存安定性試験後も殆ど変化が無かった。特に実施例１２、１３の記録媒体は８０℃８５％ＲＨの恒温槽に６００時間保持した後でも変化は無かった。反射率はオーバーライト１０００回後も２０％以上を示し、保存安定性試験後も殆ど変化が無かった。
（比較例８）
相変化記録層材料をＡｇ３Ｉｎ４Ｓｂ７５Ｔｅ１８に変えた点以外は、実施例９と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製し、実施例９と同様にして評価を行なった。
記録層材料の組成を表５に、評価結果を表６にそれぞれ示すが、それぞれの記録線速において、実施例９〜１５の場合よりも高い記録パワーを必要とした。線速３５．０ｍ／ｓのときは、使用したＬＤの限界である３８ｍＷで書きこみを行なっても、初回のジッターが１３．４％と高く、モジュレーションも５０％と低かった。線速が１７．５、２４．５ｍ／ｓのときは保存安定性は良好であるが、３５．０ｍ／ｓのときは、十分にアモルファスマークが形成されなかったので、劣化が速かったと考えられる。
相変化記録層材料をＡｇ３Ｉｎ４Ｓｂ７５Ｔｅ１８に変えた点以外は、実施例９と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製し、実施例９と同様にして評価を行なった。
記録層材料の組成を表５に、評価結果を表６にそれぞれ示すが、それぞれの記録線速において、実施例９〜１５の場合よりも高い記録パワーを必要とした。線速３５．０ｍ／ｓのときは、使用したＬＤの限界である３８ｍＷで書きこみを行なっても、初回のジッターが１３．４％と高く、モジュレーションも５０％と低かった。線速が１７．５、２４．５ｍ／ｓのときは保存安定性は良好であるが、３５．０ｍ／ｓのときは、十分にアモルファスマークが形成されなかったので、劣化が速かったと考えられる。
（比較例９）
相変化記録層材料をＧｅ５Ｇａ４Ｓｂ８０Ｔｅ１１に変えた点以外は、実施例９と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製し、実施例９と同様にして評価を行なった。
記録層材料の組成を表５に、評価結果を表６にそれぞれ示すが、記録線速１７．５ｍ／ｓの場合、オーバーライト１００回まではジッターが１０％以下であるが、１０００回で１５．３％に上昇した。保存安定性は、ジッターの上昇が３％未満であった。反射率は保存試験前に２３％であったのが、保存試験後は１６％まで低下しており、保存安定性に問題がある。再生光安定性は良好であった。記録線速が３５．０ｍ／ｓのときは、初回ジッターが１８．８％と高いが、これは結晶化スピードが遅いので、この線速では十分なマーク書き込みが行なえなかったと考えられる。
相変化記録層材料をＧｅ５Ｇａ４Ｓｂ８０Ｔｅ１１に変えた点以外は、実施例９と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製し、実施例９と同様にして評価を行なった。
記録層材料の組成を表５に、評価結果を表６にそれぞれ示すが、記録線速１７．５ｍ／ｓの場合、オーバーライト１００回まではジッターが１０％以下であるが、１０００回で１５．３％に上昇した。保存安定性は、ジッターの上昇が３％未満であった。反射率は保存試験前に２３％であったのが、保存試験後は１６％まで低下しており、保存安定性に問題がある。再生光安定性は良好であった。記録線速が３５．０ｍ／ｓのときは、初回ジッターが１８．８％と高いが、これは結晶化スピードが遅いので、この線速では十分なマーク書き込みが行なえなかったと考えられる。
（実施例１６）
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第1保護層、相変化記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順に製膜した。
第1保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を６０ｎｍとした。
相変化記録層は、Ｓｎ１８Ｓｂ６９Ｇａ６Ｇｅ７のスパッタリングターゲットを用い、膜厚は１６ｎｍとした。
第２保護層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を８ｎｍとした。
第３保護層はＳｉＣターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層はＡｇターゲットを用い、膜厚を１４０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピナーによってアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を接着剤を用いて貼り合せた。
この記録媒体を一定線速２０ｍ／ｓで回転させ、ビーム幅７５μｍの光ヘッドを用い、パワー密度が２５ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り５０μｍ／ｒで移動させながら照射することにより初期結晶化を行なった。
記録再生の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて行なった。記録線速は１０．５ｍ／ｓ（３倍速）、１４ｍ／ｓ（４倍速）、２１ｍ／ｓ（６倍速），２８ｍ／ｓ（８倍速）とし、記録パワーは線速に応じて変えた。バイアスパワーは０．２ｍＷ、消去パワーは５〜１０ｍＷで、それぞれ最適化した。
初回から繰返し記録１０００回までのジッターを図２に示すが、全ての記録線速でジッター１０％以下であった。書換え型の光ディスクシステムを実現するには、少なくともジッター１０％以下を必要とする。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第1保護層、相変化記録層、第２保護層、第３保護層、反射層を順に製膜した。
第1保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を６０ｎｍとした。
相変化記録層は、Ｓｎ１８Ｓｂ６９Ｇａ６Ｇｅ７のスパッタリングターゲットを用い、膜厚は１６ｎｍとした。
第２保護層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い、膜厚を８ｎｍとした。
第３保護層はＳｉＣターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層はＡｇターゲットを用い、膜厚を１４０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピナーによってアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を接着剤を用いて貼り合せた。
この記録媒体を一定線速２０ｍ／ｓで回転させ、ビーム幅７５μｍの光ヘッドを用い、パワー密度が２５ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り５０μｍ／ｒで移動させながら照射することにより初期結晶化を行なった。
記録再生の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用いて行なった。記録線速は１０．５ｍ／ｓ（３倍速）、１４ｍ／ｓ（４倍速）、２１ｍ／ｓ（６倍速），２８ｍ／ｓ（８倍速）とし、記録パワーは線速に応じて変えた。バイアスパワーは０．２ｍＷ、消去パワーは５〜１０ｍＷで、それぞれ最適化した。
初回から繰返し記録１０００回までのジッターを図２に示すが、全ての記録線速でジッター１０％以下であった。書換え型の光ディスクシステムを実現するには、少なくともジッター１０％以下を必要とする。
（実施例１７）
相変化記録層材料をＧａ６Ｓｂ６７Ｓｎ１８Ｇｅ６Ｔｅ３に変えた点以外は、実施例１６と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製した。
この情報記録媒体を一定線速１５ｍ／ｓで回転させ、ビーム幅７５μｍの光ヘッドを用い、パワー密度が２０ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り５０μｍ／ｒで移動させながら照射することにより初期結晶化を行なった。実施例１６と同様の評価を行なったところ、図３に示すように、特に初回から繰返し記録１０回までのジッタが良好になり、ＤＶＤの規格値であるジッタ９％以内になった。
相変化記録層材料をＧａ６Ｓｂ６７Ｓｎ１８Ｇｅ６Ｔｅ３に変えた点以外は、実施例１６と同様にして情報記録媒体（ディスク）を作製した。
この情報記録媒体を一定線速１５ｍ／ｓで回転させ、ビーム幅７５μｍの光ヘッドを用い、パワー密度が２０ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り５０μｍ／ｒで移動させながら照射することにより初期結晶化を行なった。実施例１６と同様の評価を行なったところ、図３に示すように、特に初回から繰返し記録１０回までのジッタが良好になり、ＤＶＤの規格値であるジッタ９％以内になった。
（実施例１８）
実施例１６の情報記録媒体の第1保護層と相変化記録層の間にＳｉＯ２からなる界面層を２ｎｍ設けたものを作製した。この情報記録媒体と実施例１６の情報記録媒体を一定線速２０ｍ／ｓで回転させ、ビーム幅７５μｍの光ヘッドを用い、パワー密度が２５ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り５０μｍ／ｒで移動させながら照射することにより初期結晶化を行なった。記録線速２８ｍ／ｓ（８倍速相当）で、記録パワーが２８、３０、３２、３４、３６、３８ｍＷのときの繰返し記録特性を評価した。
実施例１６の場合の結果を図４、実施例１８の場合の結果を図５に示す。実施例１６、１８共に最適パワーではジッタ９％以内であった。特に実施例１８は、３６ｍＷ以上の高パワーでも繰返し記録１０００回目のジッタが９％以内であった。ＳｉＯ２界面層を設けることにより高パワー記録での繰返し記録特性が良好となり、記録パワーマージンを広くすることができた。
実施例１６の情報記録媒体の第1保護層と相変化記録層の間にＳｉＯ２からなる界面層を２ｎｍ設けたものを作製した。この情報記録媒体と実施例１６の情報記録媒体を一定線速２０ｍ／ｓで回転させ、ビーム幅７５μｍの光ヘッドを用い、パワー密度が２５ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り５０μｍ／ｒで移動させながら照射することにより初期結晶化を行なった。記録線速２８ｍ／ｓ（８倍速相当）で、記録パワーが２８、３０、３２、３４、３６、３８ｍＷのときの繰返し記録特性を評価した。
実施例１６の場合の結果を図４、実施例１８の場合の結果を図５に示す。実施例１６、１８共に最適パワーではジッタ９％以内であった。特に実施例１８は、３６ｍＷ以上の高パワーでも繰返し記録１０００回目のジッタが９％以内であった。ＳｉＯ２界面層を設けることにより高パワー記録での繰返し記録特性が良好となり、記録パワーマージンを広くすることができた。
Claims (12)
- 透明基板上に、少なくとも第1保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層がこの順に形成され、情報の記録が、レーザー光の照射により相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものであると共に、相変化記録層を構成する材料の主成分である合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ〔但し、α、β、γ、δはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００〕として、α、β、γ、δが以下の関係を満たすことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
５≦α≦２５
４０≦β≦９１
２≦γ≦２０
２≦δ≦２０ - ５≦α≦２０、４０≦β≦８５、５≦γ≦２０、５≦δ≦２０であることを特徴とする請求項１記載の相変化型情報記録媒体。
- １０≦α≦２０、５０≦β≦８０、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５であることを特徴とする請求項２記載の相変化型情報記録媒体。
- 相変化記録層が、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１つの元素を、前記合金に対して１〜１０原子％含むことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
- 相変化記録層が、Ｔｅを、前記合金に対して１〜１０原子％含むことを特徴とする請求項１〜４記載の相変化型情報記録媒体。
- 第1保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層の各膜厚をｔ１〜ｔ４（ｎｍ）とし、レーザー光の波長をλ（ｎｍ）としたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
ｔ１ ： ０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６０
ｔ２ ： ０．０１５≦ｔ２／λ≦０．０３２
ｔ３ ： ０．００５≦ｔ３／λ≦０．０４０
ｔ４ ： ０．１００≦ｔ４／λ - 相変化記録層と第1保護層との間に、厚さが２〜１０ｎｍのＳｉＯ２からなる界面層を有することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
- 各層を積層した相変化型情報記録媒体を１０〜２１ｍ／ｓの範囲内の一定線速度で回転させ、パワー密度１５〜４０ｍＷ／μｍ２で初期結晶化を行なうことにより得られたものであることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。
- ＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ（但し、５≦α≦２５、４０≦β≦９１、２≦γ≦２０、２≦δ≦２０、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００）で示される組成の合金からなる相変化型情報記録媒体製造用スパッタリングターゲット。
- ５≦α≦２０、４０≦β≦８５、５≦γ≦２０、５≦δ≦２０である請求項９記載のスパッタリングターゲット。
- １０≦α≦２０、５０≦β≦８０、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５である請求項１０記載のスパッタリングターゲット。
- 前記合金を主成分とし、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｔｅから選ばれる少なくとも１種の元素を前記合金に対して１〜１０原子％含有することを特徴とする請求項９〜１１の何れかに記載の相変化型情報記録媒体製造用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004029923A JP4271051B2 (ja) | 2003-02-06 | 2004-02-05 | 相変化型情報記録媒体及びスパッタリングターゲット |
| KR1020057018955A KR100730978B1 (ko) | 2004-02-05 | 2004-08-04 | 상변화형 정보 기록 매체 및 그 제조 방법, 스퍼터링 타겟 및 상변화형 정보 기록 매체의 기록 재생 방법 및 광기록 장치 |
| PCT/JP2004/011148 WO2005075212A1 (ja) | 2004-02-05 | 2004-08-04 | 相変化型情報記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに相変化型情報記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| EP04771189A EP1712367B1 (en) | 2004-02-05 | 2004-08-04 | Phase-change information recording medium, process for producing the same and sputtering target. |
| CNB2004800091946A CN100513193C (zh) | 2004-02-05 | 2004-08-04 | 相变型信息记录媒体及其制法、溅射靶以及相变型信息记录媒体的使用方法及光记录装置 |
| DE602004031775T DE602004031775D1 (de) | 2004-02-05 | 2004-08-04 | Phasenänderungsinformationsaufzeichnungsmedium, verfahren zu dessen herstellung und sputtertarget. |
| TW093123518A TW200527421A (en) | 2004-02-05 | 2004-08-05 | Phase-change information recording medium and process for producing the same, sputtering target, method for using phase-change information recording medium and optical recorder |
| US11/244,346 US7438965B2 (en) | 2004-02-05 | 2005-10-04 | Phase-change information recording medium, manufacturing method for the same, sputtering target, method for using the phase-change information recording medium and optical recording apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003029119 | 2003-02-06 | ||
| JP2004029923A JP4271051B2 (ja) | 2003-02-06 | 2004-02-05 | 相変化型情報記録媒体及びスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004322630A JP2004322630A (ja) | 2004-11-18 |
| JP4271051B2 true JP4271051B2 (ja) | 2009-06-03 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100846691B1 (ko) | 2004-09-09 | 2008-07-16 | 가부시키가이샤 리코 | 광기록 매체 |
| JP4248486B2 (ja) | 2004-12-15 | 2009-04-02 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体 |
| JP2006212880A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光記録媒体 |
| JP4546851B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2010-09-22 | 株式会社リコー | 情報記録方法と光記録媒体 |
| JP4533276B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2010-09-01 | 株式会社リコー | ２層相変化型情報記録媒体 |
| JP2007196523A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Sony Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
| CN109904311B (zh) * | 2017-12-08 | 2022-12-23 | 江苏理工学院 | 一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法 |
-
2004
- 2004-02-05 JP JP2004029923A patent/JP4271051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004322630A (ja) | 2004-11-18 |
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| JP2004249603A (ja) | 相変化型光記録媒体 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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