JP4533276B2 - ２層相変化型情報記録媒体 - Google Patents

Description

本発明はレーザーなどの光により情報の記録、再生などを行うことができる２層相変化型情報記録媒体に関する。

ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク（相変化型情報記録媒体）は、一般にプラスチック基板の上に相変化型材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ且つ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録再生を行なう。

相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。

更に光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）、及び記録層と反射層の間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）を設ける。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。

近年、コンピューター等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度であり、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。

このような相変化型情報記録媒体を高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。

記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法としては、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を２つ重ね、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着した構造の２層相変化型情報記録媒体が、例えば特許文献１〜４等において提案されている。

この情報層間の接着部分である分離層（本発明においては中間層という）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生用レーザー光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。

この２層相変化型情報記録媒体については、例えば非特許文献１にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録し再生することができないため、第１情報層を構成する反射層を無くすか又は極薄にするか、或いは第１情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。

相変化型情報記録媒体における記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射して急冷し、結晶を非晶質に変化させてマークを形成することにより行なわれるので、反射層を無くすか又は厚さ１０ｎｍ程度と非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなって非晶質マークを形成することが困難になってしまう。

一方、第２情報層を記録、再生する場合は、レーザー光が第１情報層においてある程度吸収されてしまうため、第２情報層は、記録感度及び記録感度が高くなければならない。そのために、第１情報層とは違って充分な厚さの反射層を設けなくてはならない。

このように、高密度化の為に記録層を多層化させると、各層の熱特性の違いが生じてしまう。即ち、第１記録層側では、反射層が有る程度光を透過させなければならないため、反射層の性質が限定されてしまう。この反射層は、冷却効果が小さく徐冷してくものである。一方、中間層を挟んで基板とは反対側の第２記録層側では、反射層は、第１記録層側の反射層と異なり、光を透過させる必要はない。そこで、第２記録層側の反射層では、冷却効果が優れ、急冷する。そこで、これらの記録層のオーバーライト特性が良好な領域を１種類の記録層材料で満たそうとすると、非常にマージンが狭くなってしまう。

この問題を解決するために、特許文献５〜６では、それぞれの情報層の記録層に異なる材料、具体的には第１情報層にＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３擬二元系合金、第２情報層にＳｂ_７０Ｔｅ_３０共晶組成近傍のＳｂ−Ｔｅ合金を用いている。また、特許文献７では、Ｇｅを含有したＳｂ_７０Ｔｅ_３０共晶組成近傍のＳｂ−Ｔｅ合金を用いている。しかしながら、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系合金は、特に波長４００ｎｍ付近の青色レーザーを用いた場合に、結晶と非晶質との間での光学的特性の変化（コントラスト）が小さくなる傾向になるという問題があることが判明した。コントラストが小さくなるということは、マーク部と消去部の再生信号での差（ダイナミックレンジ）が小さくなるということであり、これはジッター特性の劣化となる。また、ＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３擬二元系合金は、ＧｅＴｅの割合を多くすれば、コントラストが大きくなることが知られているが、材料の融点も高くなる傾向があるため、記録感度が不足するという不具合が生じてしまうため、第２情報層には適さない。

特許第２７０２９０５号公報 特開２０００−２１５５１６号公報 特開２０００−２２２７７７号公報 特開２００１−２４３６５５号公報 特開２００２−１４４７３６号公報 特開２００２−３６７２２２号公報 特開２００５−１５３４９６号公報 ＯＤＳ２００１ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ２２

本発明は、２層の記録層を有し、且つ記録・消去性能が良好な２層相変化型情報記録媒体の提供を目的とする。

本発明者らは、前記従来技術の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、次のような解決手段を見出した。即ち、上記課題は、次の（１）〜（１４）の発明（以下、本発明１〜１４という）によって解決される。
（１） 第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層が順次設けられ、前記第１基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう２層相変化型情報記録媒体において、前記第１情報層、第２情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第１情報層に形成された第１記録層がＧｅとＳｂとＴｅとを含み、第２情報層に形成された第２記録層がＧｅとＳｂとＳｎとを含み、前記第１記録層が、組成式
Ｇｅ_ａＳｂ_ｂＴｅ_3+ａ
（但し、０＜ａ≦１０、１．５≦ｂ≦４である。）
で表され、かつ前記第２記録層が、組成式
Ｇｅ _α Ｓｂ _β Ｓｎ _γ Ｍ２ _δ
（但し、Ｍ２はＭｎであり、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％、５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０＜δ≦１５である。）
で表されることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。

（２） 第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層が順次設けられ、前記第１基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう２層相変化型情報記録媒体において、前記第１情報層、第２情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第１情報層に形成された第１記録層がＧｅとＳｂとＴｅとを含み、第２情報層に形成された第２記録層がＧｅとＳｂとＳｎとを含み、前記第１記録層が、組成式
（Ｇｅ-Ｍ１）_ａＳｂ_ｂＴｅ_３+ａ
（但し、Ｍ１はＳｎおよびＰｂから選ばれる少なくとも１つの元素であり、０＜ａ≦１０、１．５≦ｂ≦４である。）
で表され、かつ前記第２記録層が、組成式
Ｇｅ _α Ｓｂ _β Ｓｎ _γ Ｍ２ _δ
（但し、Ｍ２はＭｎであり、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％、５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０＜δ≦１５である。）
で表されることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。

（３） 第１記録層の厚さが３〜１０ｎｍであることを特徴とする（１）または（２）に記載の２層相変化型情報記録媒体。

（４） 第２記録層の厚さが３〜２０ｎｍであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（５） 第１情報層が、光の入射側から見て、少なくとも第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を順に備え、第２情報層が、少なくとも第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を順に備えた構成で配置されていることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（６） 第１下部保護層と第１記録層との界面及び／又は第１記録層と第１上部保護層との界面に配置された界面層を有することを特徴とする（５）に記載の２層相変化型情報記録媒体。

（７） 第１熱拡散層が、Ｉｎ_２Ｏ_３（酸化インジウム）を主成分とすることを（５）または（６）に記載の２層相変化型情報記録媒体。

（８） 第１熱拡散層が、ＩＴＯ（酸化インジウム＋酸化スズ）或いはＩＺＯ（酸化インジウム＋酸化亜鉛）の何れかであることを特徴とする（５）〜（７）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（９） 第１熱拡散層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特徴とする（５）〜（８）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（１０） 第１反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする（５）〜（９）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（１１） 第１反射層の厚さが３〜２０ｎｍであることを特徴とする（５）〜（１０）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（１２） 第１上部保護層と第１反射層との間及び／又は第２上部保護層と第２反射層との間にバリア層を有することを特徴とする（５）〜（１１）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（１３） 第１基板と第１下部保護層との間に透明層を有することを特徴とする（５）〜（１２）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

（１４） 第１基板の厚さが１０〜６００μｍであること特徴とする（１）〜（１３）のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

本発明１によれば、透過率および消去率が高い第１の情報層と、反射率および記録感度が高い第２の情報層とを備える情報記録媒体が得られ、特に第１の記録層が極めて薄い場合でも良好な記録再生特性が得られる。また、この光学的情報記録媒体は、青紫色レーザーを用いた高密度記録に好適である。さらに、第２の記録層の融点が低く且つ結晶相と非晶質相との屈折率差が大きいため、記録感度が高く且つ結晶相と非晶質相との反射率差が大きい第２の情報層が得られる。
本発明２によれば、透過率および消去率が高い第１の情報層と、反射率および記録感度が高い第２の情報層とを備える情報記録媒体が得られ、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３元系組成のＧｅの一部を置換したＳｎまたはＰｂが結晶化能を向上させ、第１の記録層が極めて薄い場合でも十分な消去率が得られる。また、この光学的情報記録媒体は、青紫色レーザーを用いた高密度記録に好適である。さらに、第２の記録層の融点が低く且つ結晶相と非晶質相との屈折率差が大きいため、記録感度が高く且つ結晶相と非晶質相との反射率差が大きい第２の情報層が得られる。
本発明３によれば、第１の情報層の透過率を高くして、第２の情報層の記録再生に必要なレーザー光量を第２の情報層に到達させることが容易になる。
本発明４によれば、第２の記録層の記録感度を特に高くできる。厚さを３ｎｍ以上とすることによって、記録層での光吸収量を多くできる。厚さを２０ｎｍ以下とすることによって、記録マークを形成する際に溶融させる部分の体積を小さくできるため、記録感度の低下を防止できる。
本発明５によれば、各層の反射率、記録感度、及び第１情報層の透過率を、記録、再生条件に合わせて最適化することができ、第１及び第２情報層に対して記録再生特性の優れた２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明６によれば、隣接する層間の原子拡散を防止でき、特性および信頼性が特に高い２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明７によれば、第1情報層の急冷を促進させ、容易にアモルファス化が可能となり、記録特性の優れた２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明８によれば、熱拡散層の内部応力を低減することができ、信頼性が特に高い２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明９によれば、繰り返し記録特性、量産性の優れた２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明１０によれば、第1情報層の冷却速度を速め、容易にアモルファス化が可能となり、記録特性の優れた２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明１１によれば、第１の情報層の透過率を高くして、第２の情報層の記録再生に必要なレーザー光量を第２の情報層に到達させることが容易になる。
本発明１２によれば、反射層の劣化を防ぎ、信頼性が特に高い２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明１３によれば、第１基板の厚さが薄い場合でも容易に製造可能な２層相変化型情報記録媒体が得られる。
本発明１４によれば、対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも良好に記録再生を行なうことが可能な２層相変化型情報記録媒体が得られる。

以下、本発明の２層相変化型情報記録媒体について詳細に説明する。
図１は、本発明の２層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第１基板３の上に、第１情報層１、中間層４、第２情報層２、第２基板５を順次積層した構造からなるものである。
第１情報層１は、第１下部保護層１１、第１記録層１２、第１上部保護層１３、第１反射層１４、第１熱拡散層１５からなり、第２情報層２は、第２下部護層２１、第２記録層２２、第２上部保護層２３、第２反射層２４からなる。第１上部保護層１３と第１反射層１４との間及び／又は第２上部保護層２３と第２反射層２４との間にバリア層（図示せず）を設けても構わない。なお、本発明の第１情報層及び第２情報層は、上記層構成に限定されるものではない。

また、図２は、本発明の２層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図であり、前記第１記録層１２に隣接するように第１下部界面層１６と第１上部界面層１７を設けたものである。

また、図３は、本発明の２層相変化型情報記録媒体の更に他の例を示す概略断面図であり、前記第１基板３と第１下部保護層１１との間に透明層６を設けたものである。このような透明層は、第１基板に厚さの薄いシート状物を用い、製法が図１の記録媒体と相違する場合に設けられる。

第１基板３は、記録再生光が十分透過できる材質とする必要があるが、当該技術分野において従来から知られているものを用いればよい。その材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。

樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。

第１基板３の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって、通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成形される。

また、第１基板３の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。より好ましくは、７０〜１２０μｍ又は５５０〜６００μｍの範囲である。

第２基板５には、第１基板３と同じ材料を用いることができるが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第１基板３とは、材質、溝形状が異なっても良い。
また、第２基板５の厚さは特に限定されないが、第１基板３との合計の厚さが１．２ｍｍになるように第２基板５の厚さを選択することが好ましい。
また、第２基板５は、第１基板３と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブや案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。

中間層４、透明層６は、記録再生光の波長における光吸収が小さい方が好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、光ディスク貼り合わせ用の両面粘着テープ（例えば日東電工（株）の粘着シートＤＡ−８３２０）なども用いることができる。

中間層４は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層１と第２情報層２とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２記録層２を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
また、中間層４には、第１基板と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブや案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。

透明層６の厚さは特に限定されないが、図１のような透明層を設けない製法により作製した光情報記録媒体の最適な第１基板３の厚さと、図３のような製法の異なる光情報記録媒体の第１基板３と透明層６の厚さの合計が同程度となるように、第１基板３と透明層６の厚さを調整する必要がある。例えば、ＮＡ＝０．８５の場合であって、図１の光情報媒体の第１基板３の厚さが７５μｍで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図３の光情報媒体の第１基板３の厚さが５０μｍならば、透明層６の厚さを２５μｍとすることが好ましい。

第１記録層１２は、レーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。第１記録層１２は、たとえばＧｅとＳｂとＴｅとを含む材料で形成できる。具体的には、第１記録層１２は、組成式Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_3+aで表される材料で形成できる。

この材料は、ａ＝０の場合には、結晶相が非常に安定であり非晶質相の安定性に欠ける。一方、１０＜ａの場合には、信号振幅は大きくなるが、融点が上がるとともに結晶化速度が低下する。そのため、ａは、０＜ａ≦１０の関係を満たすことが好ましく、１≦ａ≦９の関係を満たすことがより好ましい。また、この材料は、ｂ＜１．５の場合には、結晶相が非常に安定であり非晶質相の安定性に欠ける。一方、４＜ｂの場合には、信号振幅は大きくなるが、結晶化速度が低下する。そのため、ｂは、１．５≦ｂ≦４の関係を満たすことが好ましく、１．５≦ｂ≦３の関係を満たすことがより好ましい。

また、第１記録層１２は、組成式（Ｇｅ−Ｍ１）_aＳｂ_bＴｅ_3+a（ただし、Ｍ１は、ＳｎおよびＰｂから選ばれる少なくとも１つの元素）で表される材料で形成してもよい。この組成式は、Ｇｅと元素Ｍ１とが合計で１００・ａ／（３＋２ａ＋ｂ）原子％だけ含まれることを意味している。この材料の組成は、組成式Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_3+aで表される材料のＧｅの一部を元素Ｍ１で置換した組成である。この材料を用いた場合、Ｇｅを置換した元素Ｍ１が結晶化能を向上させるため、第１記録層１２が極めて薄い場合でも十分な消去率が得られる。元素Ｍ１としては、毒性がない点でＳｎがより好ましい。この材料を用いる場合も、０＜ａ≦１０（より好ましくは、１≦ａ≦９）、且つ１．５≦ｂ≦４（より好ましくは、１．５≦ｂ≦３）であることが好ましい。

また、第１記録層１２は、組成式（Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_3+a）_100-cＭ３_c（ただし、Ｍ３は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素）で表される材料で形成してもよい。この材料の組成は、組成式Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_3+aで表される材料に元素Ｍ３を添加した組成である。この場合、添加された元素Ｍ３が記録層の融点および結晶化温度を上昇させるため、記録層の熱的安定性を向上でき、その結果、第１の情報層１１の記録再生性能を向上できる。この材料は、２０＜ｃの場合には結晶化速度が不十分となるため、０＜ｃ≦２０であることが好ましく、２≦ｃ≦１０であることがより好ましい。また、０＜ａ≦１０（より好ましくは、１≦ａ≦９）、且つ１．５≦ｂ≦４（より好ましくは、１．５≦ｂ≦３）であることが好ましい。

第２記録層２２は、レーザビームの照射によって結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。第２記録層２２は、第１記録層１２の材料とは異なる材料で形成される。第２記録層２２は、第１記録層１２の材料よりも融点が低い材料からなることが好ましい。

第２記録層２２は、ＧｅとＳｂとＳｎとを含む材料で形成できる。具体的には、組成式Ｇｅ_αＳｂ_βＳｎ_γＭ２_δ（ただし、Ｍ２はＭｎ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｇａから選ばれる少なくとも１つの元素）で表される材料で形成できる。α＋β＋γ＋δ＝１００原子％であり、α、β、γおよびδが、それぞれ、５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０および０≦δ≦１５を満たす場合には、この材料は、融点が低く且つ結晶とアモルファスとの屈折率変化Δｎが大きい。このため、この範囲の組成の材料を用いて第２記録層２２を形成することによって、記録感度が高く且つ反射率変化（コントラスト）も高い第２情報層２２が得られる。

ここで、５≦αの場合には、再生光に対する安定性を向上させることができる。α≦２５の場合には、複数の相が現れることを抑制できるため、繰り返し記録による特性劣化を抑制できる。また、４５≦βの場合には、結晶化速度が特に速く、特に良好な消去率が得られる。さらに、１０≦γの場合には、結晶化速度が速く、且つ屈折率変化Δｎが大きい。また、β≦７５、γ≦３０の場合には、複数の相が現れることを抑制できるため、繰り返し記録による特性劣化を抑制できる。したがって、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０であることがより好ましい。また、良好な記録再生性能を得るためには結晶化速度を調整するための元素Ｍ２を添加することが好ましい。δは、０≦δ≦１５であることがより好ましい。δ≦１５の場合には、複数の相が現れることを抑制できるため、繰り返し記録による特性劣化を抑制できる。

これらの記録層１２，２２は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

ここで、（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁、および（Ｓｂ_0.7Ｔｅ_0.3）₉₅Ｇｅ₅、Ｇｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ8の波長４０５ｎｍでの屈折率、消衰係数、および融点を調べた結果を表１に示す。屈折率および消衰係数は、上記材料からなる厚さ２０ｎｍの層を石英基板上に形成したサンプルをエリプソメータで測定することによって得た。また、融点は、示差走査熱量測定法（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ：ＤＳＣ法）によって測定した。

表１において、ｎcは、サンプルの層が結晶相である場合の屈折率を示す。ｎaは、サンプルの層がアモルファス相である場合の屈折率を示す。Δｎは、Δｎ＝ｎc−ｎaで表され、層が結晶相である場合と層がアモルファス相である場合との屈折率の変化を示す。また、ｋcは、サンプルの層が結晶相である場合の消衰係数を示す。ｋaは、サンプルの層がアモルファス相である場合の消衰係数を示す。Δｋは、Δｋ＝ｋc−ｋaで表され、層が結晶相である場合と層がアモルファス相である場合との消衰係数の変化を示す。

表１に示すように、（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁の消衰係数は、（Ｓｂ_0.7Ｔｅ_0.3）₉₅Ｇｅ₅およびＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈の消衰係数よりも、特にアモルファス相において小さかった。また、Ｇｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈は、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶組成近傍のＳｂ−Ｔｅ合金に元素Ｍ１を加えた組成である（Ｓｂ_0.7Ｔｅ_0.3）₉₅Ｇｅ₅およびＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３元系組成のＧｅをＳｎで置換した（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁と比較して、融点が低く、また、屈折率の変化Δｎの絶対値が大きかった。

以上の結果から、第１記録層１２の材料には、消衰係数が小さいために透過率を大きくできるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３元系組成またはそれをベースとする組成を用いることが好ましい。また、第２記録層２２の材料には、融点が低いため記録感度を高くでき、且つ屈折率変化Δｎが大きいため反射率変化を大きくできるＧｅ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｍ２系組成を用いることが好ましい。

第１の記録層１２／第２の記録層２２の具体的な組み合わせとしては、たとえば、Ｇｅ₆Ｓｂ₂Ｔｅ₉／Ｇｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈、Ｇｅ₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁／Ｇｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈、Ｇｅ₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁／Ｇｅ₁₅Ｓｂ₆₅Ｓｎ₂₀などが挙げられる。

第１記録層１２の厚さは特に限定されないが、３〜１０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは３〜８ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、１０ｎｍを超えると透過率が低下し、第２情報層２の記録再生に必要なレーザー光量を第２情報層２に到達させることが困難となる。

第２記録層２２の厚さも特に限定されないが、３〜２０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは３〜１５ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは、８〜１５ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、２０ｎｍを超えると記録感度が低下してしまう傾向がある。

第１上部界面層１７、第１下部界面層１６は、それぞれ第１上部保護層１３と第１記録層１２との間、第１下部保護層１１と第１記録層１２との間で物質が移動するのを防止するために設ける。これらの界面層１６，１７は、繰り返し記録によって生じる物質移動を防止したり、記録層１２の結晶化を促進させたりする効果があるため、界面層を設けることで繰り返し記録特性が極めて良好となる。

これらの界面層１６，１７は、たとえばＳｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ，Ｔｉ−Ｎ，Ｔａ−Ｎ，Ｚｒ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎなどの窒化物、これらを含む窒化酸化物、またはＳｉＣなどの炭化物によって形成できる。これらの中でも、Ｇｅ−Ｎが特に好ましい。Ｇｅ−Ｎは、反応性スパッタリングで形成しやすく、機械的特性および耐湿性に優れる。界面層１６，１７が厚いと、情報層１の反射率や吸収率が大きく変化して記録・消去性能に影響を与える。したがって、界面層１６，１７の厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが望ましく、２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

また、第２上部保護層２３と第２記録層２２との界面及び／又は第２記録層２２と第２下部保護層２１との界面に、上記と同様の材料からなる界面層を設けても構わない。

第１反射層１４、第２反射層２４は、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化し易くするなどの機能を有するものであり、そのために、通常、熱伝導率の高い金属が用いられる。具体例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ又はそれらの合金などが挙げられる。また、これらの元素の少なくとも１種を主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどから選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料を用いてもよい。ここで主成分とは、反射層材料全体の９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上を占めることを意味する。

中でもＡｇ系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さく、ｎが０．５以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような２層情報記録媒体の、特に第１情報層１の反射層に用いる材料として好ましいものである。

このような反射層１４，２４は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

第１情報層１は高い透過率が必要とされるため、第１反射層１４の材料として、屈折率が低く熱伝導率の高いＡｇ又はその合金を用いることが好ましい。また、その厚さは、３〜２０ｎｍ程度であることが好ましい。より好ましくは５〜１０ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満にすると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し第２情報層２の記録再生が困難になる。

また、第２情報層２を構成する第２反射層２４の厚さは、５０〜２００ｎｍ、より好ましくは８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎｍ未満になると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる傾向があるので好ましくない。

第１及び第２下部保護層１１，２１並びに第１及び第２上部保護層１３，２３の機能と材質は、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様であり、第１記録層１２と第２記録層２２の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有し、従来公知の材料が適用可能である。

材料の具体例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンドライクカーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。

これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。また、保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物である。

このような保護層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

第１及び第２下部保護層１１，２１の厚さは、３０〜２００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍ未満では、記録時の熱によって第１基板３又は中間層４が変形してしまう恐れがある。また、２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じる傾向がある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように膜厚の設計を行なう。

また、第１及び第２上部保護層１３，２３の厚さは、３〜４０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは６〜２０ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満になると記録感度が低下し、４０ｎｍより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。

本発明の２層相変化型情報記録媒体は、上部保護層と反射層との間（第１上部保護層１３と第１反射層１４との間、及び／又は第２上部保護層２３と第２反射層２４との間）にバリア層を設けても構わない。前述のように、反射層としてはＡｇ合金、保護層としてはＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物が最も好ましいが、この２層が隣接した場合、保護層中の硫黄が反射層のＡｇを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下する恐れがある。この不具合を無くすために、反射層にＡｇ系材料を用いた場合にはバリア層を設けることが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点が記録層よりも高い必要があり、また、レーザー波長での吸収率が小さいことが望ましい。具体的にはＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；或いはそれらの混合物が挙げられる。中でもＳｉＣが好ましい。

バリア層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

バリア層の厚さは、２〜１０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは２〜５ｎｍの範囲である。２ｎｍ未満になると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなり保存信頼性が低下する。１０ｎｍより厚くなると、放熱効果が得られなくなったり、透過率が低下したりする傾向がある。

第１熱拡散層１５としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層２を記録再生できるように、記録再生用レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が０．５以下であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。０．５より大きいと第１情報層１での吸収率が増大し、第２情報層２の記録再生が困難になる。また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は１．６以上であることが好ましい。これより小さいと、第１情報層１の透過率を大きくするのが困難になる。

以上のことから、第１熱拡散層１５は、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含むことが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＡＴＯ（酸化スズ−アンチモン）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。中でもＩｎ_２Ｏ_３（酸化インジウム）を主成分とする材料が好ましく、より好ましくはＩＴＯ又はＩＺＯである。ここで、主成分とは材料全体の５０モル％以上を占めることを意味する。

第１熱拡散層１５は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

第１熱拡散層１５の膜厚は１０〜２００ｎｍが好ましい。より好ましくは２０〜１００ｎｍの範囲である。１０ｎｍより薄いと放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく量産性にも問題が生じる。

なお、熱拡散層を第１下部保護層１１と第１基板３との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。

また、第１情報層１は、記録再生用レーザー光波長３５０〜７００ｎｍでの光透過率が、４０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは、４０〜６０％である。
初期化後に記録を行なった２層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。

（２層相変化型情報記録媒体の製造方法）
次に、本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図４に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板３、第２基板５にグルーブが形成されている。

成膜工程としては、第１基板３のグルーブが設けられた面に第１情報層１を形成したものと、第２基板５のグルーブが設けられた面に第２情報層２を形成したものを別途作成する。
第１情報層１、第２情報層２のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。

初期化工程としては、第１情報層１、第２情報層２に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層１及び第２情報層２の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板３側から、第１情報層１、第２情報層２を初期化しても構わない。

次に、以上のようにして初期化した、第１基板３面上に第１情報層１を形成したものと、第２基板５面上に第２情報層２を形成したものとを、第１情報層１と第２情報層２を向かい合わせながら、中間層４を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層４となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で紫外線を照射して樹脂を硬化させる。

また、図３に示すような本発明の２層相変化型情報記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程及び初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。図５に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、中間層４、第２基板５にグルーブが形成されている。

第一成膜工程としては、第２基板５上の案内溝の設けられた面に第２情報層２を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。

中間層形成工程としては、第２情報層２上に案内溝を有する中間層４を形成する。例えば、第２情報層２上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。

第二成膜工程としては、中間層４上に第１情報層１を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。

基板貼り合わせ工程としては、第１情報層１と第１基板３を、透明層６を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層１上又は第１基板３上に、透明層６の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層１と第１基板３とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。また、透明層６を形成せずに、第１基板３の材料である樹脂を第１情報層１上に塗布し、硬化させることによって、第１基板３を形成してもよい。

初期化工程として、第１基板３側から、第１情報層１、第２情報層２に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。第２情報層２に対しては、中間層形成工程直後に初期化を行なっても何ら問題はない。

（２層相変化型情報記録媒体の記録再生方法）
本発明の２層相変化型情報記録媒体の記録再生方法は、本発明の前記２層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１基板３側から波長３５０〜７００ｎｍのレーザー光線を入射させて情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。

具体的には、２層相変化型情報記録媒体を所定の線速度、又は、所定の定角速度にて回転させながら、第１基板３側から対物レンズを介して半導体レーザ（例えば、４０５ｎｍの発振波長）等の記録用の光を照射する。この照射光により、第１記録層１２及び第２記録層２２がその光を吸収して局所的に相変化して、アモルファス相が生成してその光学特性の変化により情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、２層相変化型情報記録媒体を所定の線速度で回転させながらレーザー光線を第１基板３側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

情報を記録する際の前記情報記録媒体の線速度は、３ｍ／秒以上３０ｍ／秒以下（より好ましくは、４ｍ／秒以上２１ｍ／秒以下）であることが好ましい。
なお、記録再生の対象となる２層相変化型情報記録媒体の第１基板３、中間層４および第２基板５いずれかが溝（グルーブ）を備える場合には、情報は、溝に記録しても、ランドに記録してもよい。また、溝およびランドの両方に情報を記録してもよい。第１情報層１と第２情報層２とは、ともに同一の部分（溝、ランド、または、溝およびランド）に情報を記録してもよいし、異なる部分に情報を記録してもよい。

（光記録再生装置）
本発明の光記録再生装置は、光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報を記録及び再生する光記録再生装置において、光記録媒体として本発明の前記２層相変化型光記録媒体を用いたものである。

前記光記録再生装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、レーザー光線を出射する半導体レーザー等の光源であるレーザー光源と、レーザー光源から出射されたレーザー光線をスピンドルに装着された光記録媒体に集光する対物レンズ、レーザー光源から出射されたレーザー光線の一部を検出するレーザー光検出器、レーザー光源から出射されたレーザー光線を対物レンズとレーザー光検出器とに導く光学素子を備えてなり、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。

対物レンズの開口数ＮＡは、０．５以上１．１以下（より好ましくは、０．６以上１．０以下）であることが好ましい。半導体レーザーの波長は、３５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下（より好ましくは、３９０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下）であることが好ましい。

前記光記録再生装置は、レーザー光源から出射されたレーザー光線を光学素子により対物レンズに導き、該対物レンズによりレーザー光線を光記録媒体に集光照射して光記録媒体に記録及び再生を行う。このとき、光記録再生装置は、レーザー光源から出射されたレーザー光線の一部をレーザー光検出器に導き、レーザー光検出器のレーザー光線の検出量に基づきレーザー光源の光量を制御する。

前記レーザー光検出器は、検出したレーザー光線の検出量を電圧又は電流に変換し検出量信号として出力する。

前記その他の手段としては、制御手段等が挙げられる。前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。

本発明の光記録再生装置は、良好な記録信号特性が得られる本発明の前記２層相変化型光記録媒体を搭載しているため、高感度で、高変調度の記録が可能となる。

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではない。

（実施例１）
実施例１では、図２の情報記録媒体の第１情報層１の特性と第1熱拡散層１５との関係について調べた。具体的には第１熱拡散層１５の厚さを変化させて第１情報層１を作製し、中間層４を介して第１情報層１と第２基板５とを貼り合わせたサンプルを作製し、形成したサンプルについて、第１情報層１の消去率、振幅対雑音比（Ｃａｒｒｉｅｒｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ：ＣＮＲ）、および透過率を測定した。一方、比較例として、第1熱拡散層がない場合のサンプルも作製した。

（１）サンプルの作製
サンプルは以下のようにして製造した。
まず、第１基板３として、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１下部保護層１１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：３５ｎｍ、ＳｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第１下部界面層１６としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１２として（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁層（厚さ：６ｎｍ）、第１上部界面層１７としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１上部保護層１３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：６ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第１バリア層としてＴｉＣ−ＴｉＯ₂層（厚さ：４ｎｍ、ＴｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、および、第１反射層１４としてＡｇ合金層（厚さ：１０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。このようにして比較例のサンプルを製造した。

第１熱拡散層を備えるサンプルを形成する場合には、前記第１反射層１４上に、さらに第１熱拡散層１５としてＩＺＯ（（Ｉｎ_２Ｏ_３）_９０・（ＺｎＯ）_１０）層を順次スパッタリング法により積層し、その後、第１記録層１２の全面を結晶化させる初期化工程を行った。ついで、第２基板５に、中間層４の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、該樹脂の上に第１情報層１を密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させた。本実施例では、以上のようにして、第１熱拡散層の厚さが異なる複数のサンプルを作製した。

（２）サンプルの評価
作製したサンプルについて、第１情報層１の透過率、消去率、ＣＮＲを調査した。
透過率の測定には分光器を用い、波長４０５ｎｍにおける透過率の値を調べた。
また、第１情報層の消去率およびＣＮＲの測定のとき、レーザーの波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は８．６ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２９４μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。

ＣＮＲは、（８−１６）変調の３Ｔ信号を１０回記録したのち、スペクトラムアナライザーで測定した。消去性能は、３Ｔ信号を１０回記録して振幅を測定し、その上から１１Ｔ信号を１回重ね書きして再度３Ｔ信号の振幅を測定し、３Ｔ信号の減衰率を計算することによって評価した。以下、この３Ｔ信号の減衰率を消去率という。

なお、測定された透過率、ＣＮＲおよび消去率の値に応じて、透過率、ＣＮＲおよび消去率それぞれの評価を行った。具体的には、透過率について、Ｄ＜３０％、３０％≦Ｃ＜４０％、４０％≦Ｂ＜５０％、５０％≦Ａとした。ＣＮＲについては、Ｄ＜４０（ｄＢ）、４０（ｄＢ）≦Ｃ＜５０（ｄＢ）、５０（ｄＢ）≦Ｂとした。消去率については、２０（ｄＢ）≦Ｃ＜３０（ｄＢ）、３０（ｄＢ）≦Ｂとした。ここで、第１情報層１の特性としては、透過率が３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。また、ＣＮＲは、４０ｄＢ以上であることが好ましく、５０ｄＢ以上であることがより好ましい。また、消去率は、２０ｄＢ以上であることが好ましく、３０ｄＢ以上であることがより好ましい。

表２に、本実施例の第１情報層の透過率、ＣＮＲ、消去率の評価結果を示す。

表２に示すように、サンプル１−１（第１熱拡散層なし）は、サンプル１−２〜１−５に比べて、ＣＮＲおよび消去率が不十分であった。サンプル１−２（第１熱拡散層の厚さ：５ｎｍ）では、サンプル１−１に比べてＣＮＲが改善されるものの、消去率は不十分であった。第1熱拡散層の厚さが１０ｎｍ以上のサンプルは、透過率が５０％以上で、ＣＮＲが５０ｄＢ、消去率が３０ｄＢという良好な結果が得られた。なお、実施例１と同様の作製方法で、第１熱拡散層の厚さが２００ｎｍを超えるサンプルを作製したが、基板の反りが大きく、ＣＮＲ，消去率の測定が不可能であった。
以上の結果から、第１熱拡散層の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。

（実施例２）
実施例２では、第１情報層１の特性と第１反射層１４の厚さとの関係を調べた。具体的には、第１反射層１４の厚さを変化させて第１情報層１を作製し、中間層４を介して第１情報層１と第２基板５とを貼り合わせたサンプルを作製した。形成したサンプルについて、第１情報層１の消去率、ＣＮＲおよび透過率を測定した。

サンプルは以下のようにして製造した。
まず、第１基板３としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を準備した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１下部保護層１１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約４０ｎｍ、ＳｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第１下部界面層１６としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１２として（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁層（厚さ：６ｎｍ）、第１上部界面層１７としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１上部保護層１３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約５ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第１バリア層としてＴｉＣ−ＴｉＯ₂層（厚さ：４ｎｍ、ＴｉＯ₂：３０mol％）、第１反射層１４としてＡｇＢｉ（厚さ：２〜２５ｎｍ、Ｂｉ：２wt％）および、第1熱拡散層としてＩＺＯ（（Ｉｎ_２Ｏ_３）_９０・（ＺｎＯ）_１０）層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。その後、第１記録層の全面を結晶化させる初期化工程を行った。このようにして、第１情報層１を形成した。

次に、中間層４の材料である紫外線硬化性樹脂を第２基板５上にスピンコートした。そしてこの樹脂上に前記第１情報層１を密着させ、紫外線を照射することによって樹脂を硬化させた。以上のようにして、第１記録層の厚さが異なる複数のサンプルを作製した。

作製したサンプルについて、実施例１と同様の条件で第１情報層１の透過率、消去率およびＣＮＲを測定した。

表３に、本実施例の第１情報層の透過率、ＣＮＲ、消去率の評価結果を示す。

表３に示すように、サンプル２−１（第１反射層の厚さ：２ｎｍ）では、透過率は十分であるが、ＣＮＲおよび消去率が不十分であった。サンプル２−６（第１反射層の厚さ：２５ｎｍ）では、ＣＮＲおよび消去率が高いが、透過率が３０％未満であった。第１反射層の厚さが３〜２０ｎｍのサンプル（サンプル２−２〜２−５）は、透過率が３５％〜５０％で、ＣＮＲが５０ｄＢ、消去率が３０ｄＢという良好な結果が得られた。
以上の結果から、第１反射層の膜厚は、３〜２０ｎｍであることが好ましい。

（実施例３）
実施例３では、第１情報層１の特性と第１記録層１２の厚さとの関係を調べた。具体的には、第１記録層１２の厚さを変化させて第１情報層１を作製し、中間層４を介して第１情報層１と第２基板５とを貼り合わせたサンプルを作製した。形成したサンプルについて、第１情報層１の消去率、ＣＮＲおよび透過率を測定した。

サンプルは以下のようにして製造した。
まず、第１基板３としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を準備した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１下部保護層１１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約４０ｎｍ、ＳｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第１下部界面層１６としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１２として（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁層（厚さ：２ｎｍ〜１１ｎｍ）、第１上部界面層１７としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１上部保護層１３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約５ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第１バリア層としてＴｉＣ−ＴｉＯ₂層（厚さ：４ｎｍ、ＴｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第１反射層１４としてＡｇ合金層（厚さ：１０ｎｍ）および、第１熱拡散層としてＩＺＯ（（Ｉｎ_２Ｏ_３）_９０・（ＺｎＯ）_１０）層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。その後、第１記録層の全面を結晶化させる初期化工程を行った。このようにして、第１情報層１を形成した。

次に、中間層４の材料である紫外線硬化性樹脂を第２基板５上にスピンコートした。そしてこの樹脂上に第１情報層１を密着させ、紫外線を照射することによって樹脂を硬化させた。以上のようにして、第１記録層１の厚さが異なる複数のサンプルを作製した。

作製したサンプルについて、実施例１と同様の条件で第１情報層１の透過率、消去率およびＣＮＲを測定した。

表４に、本実施例の第１情報層の透過率、ＣＮＲ、消去率の評価結果を示す。

表４に示すように、サンプル３−１（第１記録層の厚さ：２ｎｍ）では、透過率は十分であるが、ＣＮＲおよび消去率が不十分であった。サンプル３−６（第１記録層の厚さ：１１ｎｍ）では、ＣＮＲおよび消去率が高いが、透過率が３０％未満であった。第１記録層の厚さが３〜１０ｎｍのサンプル（サンプル３−２〜３−５）は、透過率が３５％〜５３％で、ＣＮＲが５０ｄＢ、消去率が３０ｄＢという良好な結果が得られた。
以上の結果から、第１記録層１２の膜厚は、３〜１０ｎｍであることが好ましい。

（実施例４）
実施例４では、第１情報層１の特性と第１記録層１２の材料との関係を調べた。具体的には、第１記録層１２の組成を変化させて第１情報層１を作製し、中間層４を介して第１情報層１と第２基板５とを貼り合わせたサンプルを作製した。形成したサンプルについて、第１情報層１のＣＮＲ、消去率および透過率を測定した。

サンプルは以下のようにして製造した。
まず、第１基板３としてポリカーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を準備した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１下部保護層１１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：３８ｎｍ、ＳｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第１下部界面層１６としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１２（厚さ：６ｎｍ）、第１上部界面層１７としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１上部保護層１３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約５ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第１バリア層としてＴｉＣ−ＴｉＯ₂層（厚さ：４ｎｍ、ＴｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第１反射層１４としてＡｇ合金層（厚さ：１０ｎｍ）、第１の最上界面層としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、および、第1熱拡散層１５としてＩＺＯ（（Ｉｎ_２Ｏ_３）_９０・（ＺｎＯ）_１０）層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法により積層した。ここで、第１記録層１２の材料としては、（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁、（Ｓｂ_0.7Ｔｅ_0.3）₉₅Ｇｅ₅、Ｇｅ₁₅Ｓｂ₆₅Ｓｎ₂₀およびＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈を用いた。ついで、第１熱拡散層１５を形成したのち、第１記録層１２の全面を結晶化させる初期化工程を行った。このようにして、第１記録層１２の組成が異なる４種類の第１情報層１を作製した。

次に、中間層４の材料である硬化前の紫外線硬化性樹脂を第２基板５上にスピンコートした。そしてこの樹脂上に第１情報層１を密着させ、紫外線を照射することによって樹脂を硬化させた。以上のようにして、第１記録層１２の組成が異なる複数のサンプルを作製した。

作製したサンプルについて、実施例１と同様の条件で第１情報層１の透過率、消去率およびＣＮＲを測定した。

表５に、本実施例の第１情報層１の透過率、ＣＮＲ、消去率の評価結果を示す。

表５に示すように、サンプル４−２、４−３および４−４は、透過率、ＣＮＲ、および消去率がともに不十分であった。一方、サンプル４−１では、透過率が４５％、ＣＮＲが５０ｄＢ、消去率が３０ｄＢという良好な結果が得られた。
以上の結果から、上記サンプルの中では、組成式（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁で表される材料が、第１記録層１２の材料として好ましい。

（実施例５）
実施例５では、第２情報層２の特性と第２記録層２２の材料との関係を調べた。具体的には、第２記録層２２の材料を変化させて第２情報層２を形成し、中間層４を介して第１基板３と第２情報層２とを貼りあわせたサンプルを作製した。形成したサンプルについて、第２情報層２の記録感度、ＣＮＲ、および反射率を測定した。

サンプルは以下のようにして製造した。
まず、第２基板５としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を準備した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層２４としてＡｌ合金層（厚さ：８０ｎｍ）、第２上部保護層２３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：１０ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第２上部界面層としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第２記録層２２（厚さ：１０ｎｍ）、第２下部界面層としてＳｉＯ₂層（厚さ：５ｎｍ）、および、第２下部保護層２１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：５５〜６０ｎｍ、ＳｉＯ_２：２０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法によって積層した。ここで、第２記録層２２としては、（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁、（Ｓｂ_0.7Ｔｅ_0.3）₉₅Ｇｅ₅、Ｇｅ₁₅Ｓｂ₆₅Ｓｎ₂₀およびＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈を用いた。

第２下部保護層２１の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、波長４０５ｎｍにおいて、第２記録層２２が結晶相のときの反射光量が第２記録層２２がアモルファス相のときの反射光量よりも大きく、且つ第２記録層２２が結晶相のときと非晶質相のときとで反射光量の変化がより大きく、且つ第２記録層２２の光吸収効率が大きくなるように各サンプルに対して厳密に決定した。

次に、第２記録層２２の全面を結晶化させる初期化工程を行った。また、中間層４の材料である紫外線硬化性樹脂を第１基板３上にスピンコートした。そして、この樹脂上に第２情報層２を密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させた。以上のようにして、第２記録層２２の組成が異なる複数のサンプルを形成した。

形成したサンプルについて、基板の鏡面部における反射率を測定した。また、これらのサンプルについて、第２情報層２の記録感度およびＣＮＲを測定した。このとき、レーザビームの波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は８．６ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２９４μｍとした。また、情報はグルーブに記録した。

ここで、記録感度とは、振幅（ｄＢｍ）の飽和値から３ｄＢｍだけ低い振幅を与えるピークパワーＰｐ（ｍＷ）の１．３倍のピークパワーＰｐ（ｍＷ）で定義される値である（以下の実施例においても同様である）。記録感度の値が小さいほど、より低いレーザパワーで記録が可能であることを示す。

なお、測定された記録感度、ＣＮＲおよび反射率の値に応じて、記録感度、ＣＮＲおよび反射率それぞれの評価を行った。具体的には、記録感度について、６（ｍＷ）＜Ｄ、５（ｍＷ）＜Ｃ≦６（ｍＷ）、Ｂ≦５ｍＷとした。ＣＮＲについては、４０（ｄＢ）≦Ｃ＜５０（ｄＢ）、５０（ｄＢ）≦Ｂとした。反射率については、１０％≦Ｃ＜２０％、２０％≦Ｂ＜３０％とした。第１情報層１の透過率が４０％程度であり、第１基板３に入射する半導体レーザーの最大パワーは約１２ｍＷ程度であるので、第２情報層２に到達するレーザパワーは約５ｍＷである。このため、第２情報層２の記録感度は５ｍＷ以下であることが好ましい。第２情報層２では、ＣＮＲが４０ｄＢ以上であることが好ましく、５０ｄＢ以上であることがより好ましい。また、反射率が１０％以上であることが好ましく、反射率が２０％以上であることがより好ましい。

表６に、本実施例の第２情報層２の記録感度、ＣＮＲおよび第２記録層２２が結晶相である場合の反射率の評価結果を示す。

表６に示すように、サンプル５−１では、５ｍＷ以下の記録レーザパワーでＣＮＲが飽和せず記録感度が十分でないこと、および反射率が不十分であることがわかった。また、低融点材料であるＧｅ₁₅Ｓｂ₆₅Ｓｎ₂₀およびＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈を用いたサンプル５−３およびサンプル５−４では、５ｍＷ以下の記録感度と高いＣＮＲとを両立できることがわかった。

（実施例６）
実施例６では、実施例４および実施例５の結果に基づき、図２の情報記録媒体を製造した。そして、製造した情報記録媒体について、第１情報層１の透過率、ＣＮＲおよび消去率と、第２情報層２の記録感度、反射率およびＣＮＲとを測定した。ここで、第１記録層１２および第２記録層２２の組成は、（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁またはＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈とした。すなわち、サンプル６−１では、第１記録層１２および第２記録層２２の組成を、ともに（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁とした。サンプル６−２では、第１記録層１２の組成を（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁とし、第２記録層２２の組成をＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈とした。サンプル６−３では、第１記録層１２および第２記録層２２の組成をともにＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈とした。
また、第１記録層１２の厚さを６ｎｍ、第２記録層２２の厚さを１０ｎｍとした。

サンプルの作製に際し、第１情報層１について各層を成膜した後に、初期化工程を行った。また、第１情報層の初期化工程の前後で透過率を測定した。第２情報層２も、成膜後に初期化工程を行った。その後、中間層４の材料である硬化前の紫外線硬化性樹脂を第２下部保護層２１の上にスピンコートし、第１情報層１と第２情報層２とを密着させた。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、第１情報層１と第２情報層２とを備えるサンプルを製造した。なお、記録層１２，２２および中間層４以外の構成および製造条件は、実施例４および５と同様とした。

このようにして得られたサンプルについて、第１情報層１のＣＮＲおよび消去率を測定した。また、第２情報層２の記録感度、反射率およびＣＮＲを測定した。具体的には、記録感度について、１２（ｍＷ）＜Ｄ、１０（ｍＷ）＜Ｃ≦１２（ｍＷ）、Ｂ≦１０ｍＷとした。反射率については、Ｃ＜４％、４％≦Ｂ＜８％とした。それ以外の測定は、上記実施例で説明した方法と同様の方法で行った。評価結果を表７に示す。

表７に示すように、サンプル６−１では、実施例５の結果と同様に、第２情報層２の記録感度および反射率が十分でなかった。また、サンプル６−３では、実施例４の結果と同様に、第１情報層１の透過率、ＣＮＲおよび消去率が不十分であり、且つ第１情報層１の透過率が十分でないために第２情報層２の記録感度、反射率およびＣＮＲが低下した。これに対して、サンプル６−２では、第１情報層１および第２情報層２がともに、ＣＮＲが５０ｄＢ以上で、消去率が３０ｄＢ以上であるという良好な結果が得られた。
以上、情報をグルーブに記録した場合について説明した。さらに、本実施例サンプルについて、ランドに情報を記録した場合と、ランドとグルーブの両方に情報を記録した場合とで同様の測定を行ったところ、同様の結果が得られた。

（実施例７）
実施例７では、図３の情報記録媒体を製造し、製造した情報記録媒体について、第１情報層１のＣＮＲおよび消去率、ならびに第２情報層２の消去率およびＣＮＲを測定した。

サンプルは以下のようにして製造した。
まず、第２基板５としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を準備した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層２４としてＡｇ-Ｂｉ層（厚さ：１４０ｎｍ、Ｂｉ：２ｗｔ％）、第２バリア層としてＴｉＣ−ＴｉＯ₂層（厚さ：４ｎｍ、ＴｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）、第２上部保護層２３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約６ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第２記録層２２としてＧｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈層（厚さ：１２ｎｍ）、第２下部界面層としてＳｉＯ_２層（厚さ：３ｎｍ）、および、第２下部保護層２１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約６０ｎｍ、ＳｉＯ₂：３０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法によって積層した。その後、第２記録層２２の全面を結晶化させる初期化工程を行った。

続いて、第２下部保護層２１上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その上に案内溝を形成した基板をかぶせ、樹脂を硬化させた後に基板をはがした。この工程によって、レーザビームを導く案内溝が第１情報層１側に形成された中間層４を形成した。

その後、中間層４の上に、第1熱拡散層１５としてＩｎ_２Ｏ_３層（厚さ：４０ｎｍ）、第１反射層１４としてＡｇ-Ｂｉ（厚さ：１０ｎｍ、Ｂｉ：２ｗｔ％）、第１上部界面層としてＧｅＮ層（厚さ：４ｎｍ）、第１上部保護層１３としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約５ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、第１上部界面層としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層１２として（Ｇｅ_0.74Ｓｎ_0.26）₈Ｓｂ₂Ｔｅ₁₁層（厚さ：６ｎｍ）、第１下部界面層としてＧｅＮ層（厚さ：５ｎｍ）、および、第１下部保護層１１としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂層（厚さ：約４０ｎｍ、ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）を、順次スパッタリング法により積層した。その後、第１記録層１２の全面を結晶化させる初期化工程を行った。

次に、第１基板３としてポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．０８ｍｍ）を準備した。そして、透明層の材料である紫外線硬化性樹脂を、第１基板３上にスピンコートした。その後、その樹脂上に第１下部保護層１１を密着させ、紫外線を照射して樹脂を硬化させた。以上のようにして、サンプルを製造した。

製造したサンプルについて、第１情報層１および第２情報層２のＣＮＲおよび消去率を測定した。このとき、レーザビームの波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．８５、測定時の情報記録媒体の線速度は５．０ｍ／ｓ、最短マーク長は０．２０６μｍとした。また、情報は、グルーブに記録した。その結果、第１情報層１および第２情報層２は共に、ＣＮＲが５０ｄＢ以上で消去率が３０ｄＢ以上という良好な結果が得られた。

（実施例８）
実施例５のサンプル５−４、実施例６のサンプル６−２、実施例７において、第２記録層２２の材料として、組成式（Ｇｅ₁₂Ｓｂ₆₀Ｓｎ₂₀Ｍｎ₈）中のＭｎに代えてＴｅ、Ｉｎ、Ａｇ、ＢｉまたはＧａのいずれかとし、それ以外はそれぞれ実施例５，６，７と同じ条件でサンプルを作製した。その結果、それぞれ実施例５，６，７と同様の効果が得られた。

（実施例９）
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板３上に、（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０からなる第１下部保護層１１（厚さ５０ｎｍ）、Ｃｒ_２Ｏ_３からなる第1下部界面層１６（厚さ２ｎｍ）、Ｇｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５からなる第１記録層１２（厚さ６ｎｍ）、Ｃｒ_２Ｏ_３からなる第1上部界面層１７（厚さ２ｎｍ）、（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０からなる第１上部保護層１３（厚さ３０ｎｍ）、ＳｉＣからなるバリア層（厚さ３ｎｍ）、Ａｇ_９８Ｚｎ_１Ａｌ_１からなる第１反射層１４（厚さ１０ｎｍ）、ＩＺＯ〔（Ｉｎ_２Ｏ_３）_９０・（ＺｎＯ）_１０〕からなる第１熱拡散層１５（厚さ６０ｎｍ）の順に、スパッタリング法で成膜し、第１情報層を形成した。

次に、第１基板３と同じ構成の第２基板５上に、Ａｌ_９８Ｔｉ_２からなる第２反射層２４（厚さ８０ｎｍ）、（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０からなる第２上部保護層２３（厚さ２２ｎｍ）、Ｇｅ₁₅Ｓｂ₆₆Ｓｎ₁₅Ｍｎ₄からなる第２記録層２２（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）_８０・（ＳｉＯ_２）_２０からなる第２下部保護層２１（厚さ８０ｎｍ）の順に成膜し、第２情報層２を形成した。ここで、第１情報層１の波長６６０ｎｍでの透過率を第１基板３側から測定した。

次に、第１情報層１、第２情報層２に対して、それぞれ第１基板３側、第２情報層２膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行なった。ここでまた、第１情報層１の波長６６０ｎｍでの透過率を測定した。

次に、第１情報層１の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板５の第２情報層２面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板３側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層４とし、２つの情報層１，２を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層４の厚さは５０μｍとした。
本実施例の第１情報層は、初期化前の波長６６０ｎｍでの透過率が５５％、初期化後の透過率が５１％であった。

上記のようにして作成した記録媒体に対し、下記の条件で記録を行った。
・レーザー波長：６６０ｎｍ
・ＮＡ：０．６５
・線速：３．４９ｍ／ｓ
・トラックピッチ：０．７４μｍ

線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでＥＦＭ信号を記録したときの第１情報層１、第２情報層２の３Ｔマークのジッター、及び１００回オーバーライト後の第１情報層１、第２情報層２の３Ｔマークのジッターを測定したところ、第１情報層１、第２情報層２共に良好に記録再生を行なうことができた。

本発明に係る２層相変化型情報記録媒体の一例を示す断面図である。 本発明に係る２層相変化型情報記録媒体のその他の例を示す断面図である。 本発明に係る２層相変化型情報記録媒体の更にその他の例を示す断面図である。 第１基板、第２基板にグルーブが形成された２層相変化型情報記録媒体の構成を示す断面図である。 中間層、第２基板にグルーブが形成された２層相変化型情報記録媒体の構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 第１情報層
２ 第２情報層
３ 第１基板
４ 中間層
５ 第２基板
６ 透明層
１１ 第１下部保護層
１２ 第１記録層
１３ 第１上部保護層
１４ 第１反射層
１５ 第１熱拡散層
１６ 第１下部界面層
１７ 第１上部界面層
２１ 第２下部保護層
２２ 第２記録層
２３ 第２上部保護層
２４ 第２反射層

Claims (14)

1. 第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層が順次設けられ、前記第１基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう２層相変化型情報記録媒体において、
   前記第１情報層、第２情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第１情報層に形成された第１記録層がＧｅとＳｂとＴｅとを含み、第２情報層に形成された第２記録層がＧｅとＳｂとＳｎとを含み、前記第１記録層が、組成式
   Ｇｅ_ａＳｂ_ｂＴｅ_3+ａ
   （但し、０＜ａ≦１０、１．５≦ｂ≦４である。）
   で表され、かつ前記第２記録層が、組成式
   Ｇｅ _α Ｓｂ _β Ｓｎ _γ Ｍ２ _δ
   （但し、Ｍ２はＭｎであり、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％、５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０＜δ≦１５である。）
   で表されることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。
2. 第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層が順次設けられ、前記第１基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう２層相変化型情報記録媒体において、
   前記第１情報層、第２情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第１情報層に形成された第１記録層がＧｅとＳｂとＴｅとを含み、第２情報層に形成された第２記録層がＧｅとＳｂとＳｎとを含み、前記第１記録層が、組成式
   （Ｇｅ-Ｍ１）_ａＳｂ_ｂＴｅ_３+ａ
   （但し、Ｍ１はＳｎおよびＰｂから選ばれる少なくとも１つの元素であり、０＜ａ≦１０、１．５≦ｂ≦４である。）
   で表され、かつ前記第２記録層が、組成式
   Ｇｅ _α Ｓｂ _β Ｓｎ _γ Ｍ２ _δ
   （但し、Ｍ２はＭｎであり、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％、５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０＜δ≦１５である。）
   で表されることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。
3. 前記第１記録層の厚さが３〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の２層相変化型情報記録媒体。
4. 前記第２記録層の厚さが３〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
5. 前記第１情報層が、光の入射側から見て、少なくとも第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を順に備え、前記第２情報層が、少なくとも第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を順に備えた構成で配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
6. 前記第１下部保護層と第１記録層との界面及び／又は前記第１記録層と第１上部保護層との界面に配置された界面層を有することを特徴とする請求項５に記載の２層相変化型情報記録媒体。
7. 前記第１熱拡散層が、Ｉｎ_２Ｏ_３（酸化インジウム）を主成分とすることを請求項５または６に記載の２層相変化型情報記録媒体。
8. 前記第１熱拡散層が、ＩＴＯ（酸化インジウム＋酸化スズ）或いはＩＺＯ（酸化インジウム＋酸化亜鉛）の何れかであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
9. 前記第１熱拡散層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
10. 前記第１反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする請求項５乃至９のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
11. 前記第１反射層の厚さが３〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項５乃至１０のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
12. 前記第１上部保護層と第１反射層との間及び／又は前記第２上部保護層と第２反射層との間にバリア層を有することを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
13. 前記第１基板と第１下部保護層との間に透明層を有することを特徴とする請求項５乃至１２のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
14. 前記第１基板の厚さが１０〜６００μｍであること特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。

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