JP2006256196A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】2層構造の相変化型情報記録媒体において、各層の消去比が優れ、コントラストも改善され、記録信号品質が優れた2層相変化型情報記録媒体を提供する。
【解決手段】第1基板と第2基板との間に、中間層を挟んで下記の組成式で表される第1記録層と第2記録層とを設ける。(第1記録層)Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第2記録層)Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(ただし、M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素である。)
【選択図】図1
【解決手段】第1基板と第2基板との間に、中間層を挟んで下記の組成式で表される第1記録層と第2記録層とを設ける。(第1記録層)Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第2記録層)Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(ただし、M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素である。)
【選択図】図1
Description
本発明はレーザーなどの光により情報の記録、再生などを行なうことができる2層相変化型情報記録媒体に関し、光ディスク(DVD+RW、DVD−RW、HD−DVD(RW)、BD(RW))に応用される。
CD−RWなどの相変化型光ディスク(相変化型情報記録媒体)は、一般的にプラスチック基板の上に相変化型材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録再生を行なう。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。
更に光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層(下部誘電体層ともいう)、及び記録層と反射層の間に上部保護層(上部誘電体層ともいう)を設ける。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。
更に光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層(下部誘電体層ともいう)、及び記録層と反射層の間に上部保護層(上部誘電体層ともいう)を設ける。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、DVD−RAM、DVD+RWのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のCDの記録容量は650MB程度であり、DVDは4.7GB程度であるが、今後、更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。
このような相変化型情報記録媒体を高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数NAを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。
記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法としては、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を2つ重ね、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着した構造の2層相変化型情報記録媒体が、例えば特許文献1〜4等において提案されている。
この情報層間の接着部分である分離層(本発明においては中間層という)は、2つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生用レーザー光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
この2層相変化型情報記録媒体については、例えば非特許文献1にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層(第1情報層)をレーザー光が充分に透過しなければ、奥側にある情報層(第2情報層)の記録層に情報を記録し再生することができないため、第1情報層を構成する反射層をなくすか又は極薄にするか、或いは第1情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。
相変化型情報記録媒体による記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射して急冷し、結晶を非晶質に変化させてマークを形成することにより行なわれるので、反射層を無くすか又は10nm程度と非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなって、非晶質マークを形成することが困難になってしまう。
この情報層間の接着部分である分離層(本発明においては中間層という)は、2つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生用レーザー光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
この2層相変化型情報記録媒体については、例えば非特許文献1にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層(第1情報層)をレーザー光が充分に透過しなければ、奥側にある情報層(第2情報層)の記録層に情報を記録し再生することができないため、第1情報層を構成する反射層をなくすか又は極薄にするか、或いは第1情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。
相変化型情報記録媒体による記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射して急冷し、結晶を非晶質に変化させてマークを形成することにより行なわれるので、反射層を無くすか又は10nm程度と非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなって、非晶質マークを形成することが困難になってしまう。
一方、第2情報層を記録、再生する場合は、レーザー光が第1情報層である程度吸収されてしまうため、第2情報層は、記録感度が高くなければならない。そのために、第1情報層とは違って充分な厚さの反射層を設けなくてはならない。
このことから、第1情報層と第2情報層は、熱特性が全く異なったものになり、第1情報層は第2情報層に比べて急冷しにくい、つまり非晶質化しにくくなる。この問題を解決するために、特許文献5〜6では、それぞれの情報層に異なる材料の記録層、具体的には第1情報層にGeTe−Sb2Te3擬二元系合金を、第2情報層にSb70Te30共晶組成近傍のSb−Te合金を用いている。しかしながらGeTe−Sb2Te3擬二元系合金は、Sb−Te共晶系合金に比べて再結晶化が小さく、融点も高い。そのため、第1情報層にもSb−Te共晶系合金を用いた方が、消去比、感度の点で最適である。
このことから、第1情報層と第2情報層は、熱特性が全く異なったものになり、第1情報層は第2情報層に比べて急冷しにくい、つまり非晶質化しにくくなる。この問題を解決するために、特許文献5〜6では、それぞれの情報層に異なる材料の記録層、具体的には第1情報層にGeTe−Sb2Te3擬二元系合金を、第2情報層にSb70Te30共晶組成近傍のSb−Te合金を用いている。しかしながらGeTe−Sb2Te3擬二元系合金は、Sb−Te共晶系合金に比べて再結晶化が小さく、融点も高い。そのため、第1情報層にもSb−Te共晶系合金を用いた方が、消去比、感度の点で最適である。
特許文献7では、第1記録層、第2記録層双方に、Sb−Te共晶系合金を用い、第1情報層の記録層のSb,Teの原子比Sb/Teが、第2情報層の記録層よりも小さいことを特徴とする2層相変化型情報記録媒体を提案されている。Sb/Te比を小さくすることによって、結晶化速度が小さくなり、急冷効果の少ない第1情報層でも良好に記録マークを形成することが可能である。しかし、第1情報層の透過率を上げるために記録層の厚さを薄くすると、Sb−Te共晶系合金では特に、結晶と非晶質との間での光学的特性の変化(コントラスト)が小さくなる傾向になるという問題があることが判明した。
青色レーザーを用いた場合は、特にその傾向が見られる。コントラストを大きくできれば、ジッターが小さくなるだけでなく、反射率を多段階に変えて復調する多値記録も可能となり、更なる容量の増大が可能となる。
青色レーザーを用いた場合は、特にその傾向が見られる。コントラストを大きくできれば、ジッターが小さくなるだけでなく、反射率を多段階に変えて復調する多値記録も可能となり、更なる容量の増大が可能となる。
我々は、特許文献8にて、2層相変化情報記録媒体であって、第1記録層と第2記録層の双方にSbTe+Ge系の材料を用い、第1、第2の層でSb,Te,Geの組成比を変えてなる情報記録媒体を提案している。
本発明は、2層構造の相変化型情報記録媒体において、各層の消去比が優れ、コントラストも改善され、記録信号品質が優れた2層相変化型情報記録媒体の提供を目的とする。また、本発明の2層相変化型情報記録媒体は、多値記録が可能であり、通常の2値記録に対してもコントラストが大きくなることによって、記録再生のマージンが従来技術と比して大きく改善される。
上記課題は、以下、本発明の(1)〜(5)によって解決される。
(1)「第1基板と第2基板の間に第1情報層、中間層、第2情報層とが順次設けられ、第1基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう2層相変化型情報記録媒体において、第1情報層、第2情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第1情報層に形成された第1記録層および第2情報層に形成された第2記録層が、組成式Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第1記録層)Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(第2記録層)(M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、0<α1<10、25<β1<40、0<γ1<10、0<=δ1<10、5<α2<25、45<β2<75、10<γ2<30、0<=δ2<15)で表わされることを特徴とする2層相変化型情報記録媒体。(ただし、α1+β1+γ1+δ1=α2+β2+γ2+δ2=100)」
第1記録層に消去比が優れた共晶SbTe系材料と、第2記録層に低融点で且つ高再生光耐性であるGeSbSn系材料を併せて用いることにより、層構成等の記録媒体設計及び製造マージン、また、記録再生マージンが大きい。
(2)「前記第2記録層が、Geα2Sbβ2Snγ2Mnδ2であり、
10<α2<25、45<β2<65、10<γ2<25、3<δ2<15、α2+β2+γ2+δ2=100、であることを特徴とする前記(1)に記載の光情報記録媒体」
上記により、第2記録層の記録に適した熱特性であり、記録ジッターを低くすることができる。
(3)「前記第2記録層にGaが5at%以下添加されていることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の光情報記録媒体」
上記により、記録条件に適した結晶化速度調整が容易となことから記録ジッターを低くすることができる。
(4)「前記第1記録層の膜厚が14nm以上であることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載光情報記録媒体」
上記により、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い。
(5)「前記第1情報層の反射層膜厚が14nm以上であることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載光情報記録媒体」
上記により、急冷構造となり、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い、また、高速記録への対応も可能である。
(1)「第1基板と第2基板の間に第1情報層、中間層、第2情報層とが順次設けられ、第1基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう2層相変化型情報記録媒体において、第1情報層、第2情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第1情報層に形成された第1記録層および第2情報層に形成された第2記録層が、組成式Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第1記録層)Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(第2記録層)(M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、0<α1<10、25<β1<40、0<γ1<10、0<=δ1<10、5<α2<25、45<β2<75、10<γ2<30、0<=δ2<15)で表わされることを特徴とする2層相変化型情報記録媒体。(ただし、α1+β1+γ1+δ1=α2+β2+γ2+δ2=100)」
第1記録層に消去比が優れた共晶SbTe系材料と、第2記録層に低融点で且つ高再生光耐性であるGeSbSn系材料を併せて用いることにより、層構成等の記録媒体設計及び製造マージン、また、記録再生マージンが大きい。
(2)「前記第2記録層が、Geα2Sbβ2Snγ2Mnδ2であり、
10<α2<25、45<β2<65、10<γ2<25、3<δ2<15、α2+β2+γ2+δ2=100、であることを特徴とする前記(1)に記載の光情報記録媒体」
上記により、第2記録層の記録に適した熱特性であり、記録ジッターを低くすることができる。
(3)「前記第2記録層にGaが5at%以下添加されていることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の光情報記録媒体」
上記により、記録条件に適した結晶化速度調整が容易となことから記録ジッターを低くすることができる。
(4)「前記第1記録層の膜厚が14nm以上であることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載光情報記録媒体」
上記により、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い。
(5)「前記第1情報層の反射層膜厚が14nm以上であることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載光情報記録媒体」
上記により、急冷構造となり、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い、また、高速記録への対応も可能である。
本発明の前記第(1)項記載の光情報記録媒体により、第1記録層に消去比が優れた共晶SbTe系材料と、第2記録層に低融点で且つ高再生光耐性であるGeSbSn系材料を併せて用いることにより、層構成等の記録媒体設計及び製造マージン、また、記録再生マージンが大きい。
また、前記第(2)項記載の光情報記録媒体により、第2記録層の記録に適した熱特性であり、記録ジッターを低くすることができる。
また、前記第(3)項記載の光情報記録媒体により、記録条件に適した結晶化速度調整が容易となることから記録ジッターを低くすることができる。
また、前記第(4)項記載の光情報記録媒体により、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い。
また、前記第(5)項記載の光情報記録媒体により、急冷構造となり、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い、また、高速記録への対応も可能である。
また、前記第(2)項記載の光情報記録媒体により、第2記録層の記録に適した熱特性であり、記録ジッターを低くすることができる。
また、前記第(3)項記載の光情報記録媒体により、記録条件に適した結晶化速度調整が容易となることから記録ジッターを低くすることができる。
また、前記第(4)項記載の光情報記録媒体により、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い。
また、前記第(5)項記載の光情報記録媒体により、急冷構造となり、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い、また、高速記録への対応も可能である。
以下、本発明の光記録媒体の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の2層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第1基板(3)の上に、第1情報層(1)、中間層(4)、第2情報層(2)、第2基板(5)を順次蓄積した構造からなるものである。
第1情報層(1)は、第1下部保護層(11)、第1記録層(12)、第1上部保護層(13)、第1反射層(14)、第1熱拡散層(15)からなり、第2情報層(2)は、第2下部護層(21)、第2記録層(22)、第2上部保護層(23)、第2反射層(24)からなる。
第1上部保護層(13)と第1反射層(14)との間及び/又は第2上部保護層(23)と第2反射層(24)との間にバリア層(図示せず)を設けても構わない。なお、本発明の第1情報層(1)及び第2情報層(2)は、上記層構成に限定されるものではない。
図1は、本発明の2層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第1基板(3)の上に、第1情報層(1)、中間層(4)、第2情報層(2)、第2基板(5)を順次蓄積した構造からなるものである。
第1情報層(1)は、第1下部保護層(11)、第1記録層(12)、第1上部保護層(13)、第1反射層(14)、第1熱拡散層(15)からなり、第2情報層(2)は、第2下部護層(21)、第2記録層(22)、第2上部保護層(23)、第2反射層(24)からなる。
第1上部保護層(13)と第1反射層(14)との間及び/又は第2上部保護層(23)と第2反射層(24)との間にバリア層(図示せず)を設けても構わない。なお、本発明の第1情報層(1)及び第2情報層(2)は、上記層構成に限定されるものではない。
また、図2は、本発明の2層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図であり、第1記録層(12)に隣接するように第1下部界面層(16)と第1上部界面層(17)を設けたものである。
また図3は、本発明の2層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図であり、第1基板(3)と第1下部保護層(11)との間に透明層(6)を設けたものである。このような透明層は、第1基板(3)に厚さの薄いシート状物を用い、製法が図1の記録媒体と相違する場合に設けられる。
第1基板(3)は、記録再生光が充分透過できる材質とする必要があるが、当該技術分野において従来から知られているものを用いればよい。
その材料としては、通常ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート(PMMA)などのアクリル系樹脂が好ましい。
その材料としては、通常ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート(PMMA)などのアクリル系樹脂が好ましい。
第1基板(3)の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成型される。
また、第1基板(3)の厚さは、10〜600μm程度が好ましい。より好ましくは、70〜120μm又は550〜600μmの範囲である。
また、第1基板(3)の厚さは、10〜600μm程度が好ましい。より好ましくは、70〜120μm又は550〜600μmの範囲である。
第2基板(5)の材料としては、第1基板(3)と同じ材料を用いることができるが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第1基板(3)とは、材質、溝形状が異なっても良い。
第2基板(5)の厚さは特に限定されないが、第1基板(3)との合計の厚さが1.2mmになるように第2基板(5)の厚さを選択することが好ましい。
第2基板(5)は、第1基板(3)と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
第2基板(5)の厚さは特に限定されないが、第1基板(3)との合計の厚さが1.2mmになるように第2基板(5)の厚さを選択することが好ましい。
第2基板(5)は、第1基板(3)と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
中間層(4)、透明層(6)は、記録再生光の波長における光吸収が小さい方が好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、光ディスク貼り合わせ用の両面粘着テープ(例えば日東電工(株)の粘着シートDA−8320)なども用いることができる。
中間層(4)には、第1基板(3)と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
中間層(4)は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第1情報層(1)と第2情報層(2)とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは10〜70μmが好ましい。10μmより薄いと層間クロストークが生じ、また70μmより厚いと、第2記録層(22)を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
中間層(4)は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第1情報層(1)と第2情報層(2)とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは10〜70μmが好ましい。10μmより薄いと層間クロストークが生じ、また70μmより厚いと、第2記録層(22)を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
透明層(6)の厚さは特に限定されないが、図1のような透明層(6)を設けない製法により作製した光情報記録媒体の最適な第1基板(3)の厚さと、図3のような製法の異なる光情報記録媒体の第1基板(3)と透明層(6)の厚さの合計が同程度となるように、第1基板(3)と透明層(6)の厚さを調整する必要がある。
例えば、NA=0.85の場合であって、図1の光情報媒体の第1基板(3)の厚さが75μmで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図3の光情報媒体の第1基板(3)の厚さが50μmならば、透明層(6)の厚さを25μmとすることが好ましい。
例えば、NA=0.85の場合であって、図1の光情報媒体の第1基板(3)の厚さが75μmで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図3の光情報媒体の第1基板(3)の厚さが50μmならば、透明層(6)の厚さを25μmとすることが好ましい。
本発明において、第1記録層(12)および第2記録層(22)の材料は、組成式
Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第1記録層)
Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(第2記録層)
で表わされる。
M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、組成比は0<α1<10、25<β1<40、0<γ1<10、0≦δ1<10、5<α2<25、45<β2<75、10<γ2<30、0≦δ2<15、α1+β1+γ1+δ1=α2+β2+γ2+δ2=100、で表わされる。また、本発明においては,第2記録層(22)の材料は、10<α2<25、45<β2<65、10<γ2<25、0≦δ2<15であることが好ましい。
α1、α2を上記範囲とすることで再生光に対する安定性が向上する。α2を10以上にした場合は特に再生光に対する安定性が高いため、再生光強度を大きくすることができ、第1記録層(12)の透過率が低い場合でも再生信号のコントラストを確保することが可能である。β1、β2、γ1、γ2を上記範囲とすることで繰り返し記録特性を良好にすることができる。δ1、δ2を上記範囲とすることで、ジッターや保存信頼性を向上させることができる。
Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第1記録層)
Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(第2記録層)
で表わされる。
M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、組成比は0<α1<10、25<β1<40、0<γ1<10、0≦δ1<10、5<α2<25、45<β2<75、10<γ2<30、0≦δ2<15、α1+β1+γ1+δ1=α2+β2+γ2+δ2=100、で表わされる。また、本発明においては,第2記録層(22)の材料は、10<α2<25、45<β2<65、10<γ2<25、0≦δ2<15であることが好ましい。
α1、α2を上記範囲とすることで再生光に対する安定性が向上する。α2を10以上にした場合は特に再生光に対する安定性が高いため、再生光強度を大きくすることができ、第1記録層(12)の透過率が低い場合でも再生信号のコントラストを確保することが可能である。β1、β2、γ1、γ2を上記範囲とすることで繰り返し記録特性を良好にすることができる。δ1、δ2を上記範囲とすることで、ジッターや保存信頼性を向上させることができる。
これらの記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第1記録層(12)の厚さは特に限定されないが、8nm〜16nmの範囲が好ましい。より好ましくは14nm+−2の範囲である。8nm未満では再生信号コントラストが小さくなる傾向があり、16nmを越えると透過率が10%未満となるため第2記録層(22)への記録再生が困難となる。
第2記録層(22)の厚さも特に限定されないが、8〜20nmであることが好ましい。より好ましくは3〜15nmの範囲である。3nm未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、20nmを超えると記録感度が低下してしまう傾向があるので、好ましくない。
第1上部界面層(17)、第1下部界面層(16)は、それぞれ第1上部保護層(13)と第1記録層(12)との間、第1下部保護層(11)と第1記録層(12)との間で物質が移動するのを防止する。これらの界面層は、繰り返し記録によって生じる物質移動を防止したり、記録層の結晶化を促進させる効果があるため、界面層を設けることで、繰り返し記録特性が極めて良好となる。
材料の具体例としては、SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2などの金属酸化物;Si3N4、AlN、TiN、ZrN、TaN、GeNなどの窒化物SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrCなどの炭化物;あるいはそれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、GeNが特に好ましい。
材料の具体例としては、SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2などの金属酸化物;Si3N4、AlN、TiN、ZrN、TaN、GeNなどの窒化物SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrCなどの炭化物;あるいはそれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、GeNが特に好ましい。
界面層の厚さは、1〜10nmであることが好ましく、より好ましくは2〜5nmである。1nm未満では、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。10nmより厚いと、透過率が減少し第2情報層(2)の記録再生が困難になる。
また、第2上部保護層(23)と第2記録層(22)との界面および/又は第2記録層(22)と第2下部保護層(21)との界面に、上記の材料からなる界面層を設けても構わない。
また、第2上部保護層(23)と第2記録層(22)との界面および/又は第2記録層(22)と第2下部保護層(21)との界面に、上記の材料からなる界面層を設けても構わない。
第1反射層(14)、第2反射層(24)は、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化し易くするなどの機能を有するものであり、そのために通常、熱伝導率の高い金属が用いられ、例えば、Au、Ag、Cu、W、Al、Ta又はそれらの合金などを用いることができる。また、これらの元素の少なくとも1種を主成分とし、Cr、Ti、Si、Pd、Ta、Nd、Znなどから選ばれた少なくとも1種の元素を添加した材料を用いてもよい。ここで主成分とは、反射層材料全体の90原子%以上、好ましくは95原子%以上を占めることを意味する。
中でもAg系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さく、nが0.5以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような2層情報記録媒体の、特に第1情報層(1)の反射層(14)に用いる材料として好ましいものである。
中でもAg系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さく、nが0.5以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような2層情報記録媒体の、特に第1情報層(1)の反射層(14)に用いる材料として好ましいものである。
このような反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第1情報層(1)は高い透過率が必要とされるため、第1反射層(14)の材料として、屈折率が低く熱伝導率の高いAg又はその合金を用いることが好ましい。また、その厚さは、3〜20nm程度であることが好ましい。より好ましくは14nm〜16nmの範囲である。3nm未満にすると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。20nmより厚いと、透過率が減少し第2情報層の記録再生が困難になる。
また、第2情報層(2)を構成する第2反射層(24)の厚さは、50〜200nm、より好ましくは80〜150nmとするのがよい。50nm未満になると繰り返し記録特性が低下し、200nmより厚くなると感度の低下を生じる傾向があるので好ましくない。
第1下部保護層(11)と第2下部保護層(21)及び第1上部保護層(13)と第2上部保護層(23)の機能と材質は、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様であり、第1記録層(12)と第2記録層(22)の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有し、従来公知の材料が適用可能である。
材料の具体例としては、SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2などの金属酸化物;Si3N4、AlN、TiN、ZrNなどの窒化物;ZnS、In2S3、TaS4などの硫化物;SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrCなどの炭化物;ダイヤモンドライクカーボン;或いはそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ZnSとSiO2の混合物である。
材料の具体例としては、SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2などの金属酸化物;Si3N4、AlN、TiN、ZrNなどの窒化物;ZnS、In2S3、TaS4などの硫化物;SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrCなどの炭化物;ダイヤモンドライクカーボン;或いはそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ZnSとSiO2の混合物である。
このような保護層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第1下部保護層(11)と第2下部保護層(21)の厚さは、30〜200nmであることが好ましい。30nm未満では、記録時の熱によって、第1基板又は中間層が変形してしまう恐れがあるし、200nmより厚いと、量産性に問題が生じる傾向がある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように膜厚の設計を行なう。
第1下部保護層(11)と第2下部保護層(21)の厚さは、30〜200nmであることが好ましい。30nm未満では、記録時の熱によって、第1基板又は中間層が変形してしまう恐れがあるし、200nmより厚いと、量産性に問題が生じる傾向がある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように膜厚の設計を行なう。
また、第1上部保護層(13)と第2上部保護層(23)の厚さは、3〜40nmであることが好ましい。より好ましくは6〜20nmの範囲である。3nm未満になると記録感度が低下し、40nmより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。
本発明の2層相変化型情報記録媒体は、上部保護層と反射層との間にバリア層を設けても構わない。前述のように、反射層としては、Ag合金、保護層としては、ZnSとSiO2の混合物が最も好ましいが、この2層が隣接した場合、保護層中の硫黄が反射層のAgを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下する恐れがある。この不具合をなくすために、反射層にAg系材料を用いた場合にはバリア層を設けることが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点が記録層よりも高い必要があり、また、レーザー波長での吸収率が小さいことが望ましい。具体的にはSiO、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2などの金属酸化物;Si3N4、AlN、TiN、ZrNなどの窒化物;SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrCなどの炭化物;或いはそれらの混合物が挙げられる。中でもSiCが好ましい。
バリア層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
バリア層の厚さは、2〜10nmであることが好ましい。より好ましくは2〜5nmの範囲である。2nm未満になると、Agの腐食を防止する効果が得られなくなり保存信頼性が低下する。10nmより厚くなると、放熱効果が得られなくなったり透過率が低下する傾向がある。
第1熱拡散層(15)としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層を記録再生できるよう、記録再生用レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が0.5以下であることが好ましく、より好ましくは0.3以下である。0.5より大きいと第1情報層(1)での吸収率が増大し、第2情報層(2)の記録再生が困難になる。
また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は1.6以上であることが好ましい。これより小さいと、第1情報層(1)の透過率を大きくするのが困難になる。
また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は1.6以上であることが好ましい。これより小さいと、第1情報層(1)の透過率を大きくするのが困難になる。
以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも1種を含むことが好ましい。例えば、AlN、Al2O3、SiC、SiN、TiO2、SnO2、In2O3、ZnO、ITO(酸化インジウム−酸化スズ)、IZO(酸化インジウム−酸化亜鉛)、ATO(酸化スズ−アンチモン)、DLC(ダイアモンドライクカーボン)、BNなどが挙げられる。中でもIn2O3を主成分とする材料が好ましく、より好ましくはITOあるいはIZOである。
第1熱拡散層(15)は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第1熱拡散層(15)の膜厚は、10〜200nmが好ましい。より好ましくは20〜100nmの範囲である。10nmより薄いと、放熱効果が得られなくなる。200nmより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
なお、熱拡散層を第1下部保護層(11)と第1基板(3)との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。
なお、熱拡散層を第1下部保護層(11)と第1基板(3)との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。
また、第1情報層(1)は、記録再生用レーザー光波長350〜700nmでの光透過率が30〜60%であることが好ましく、より好ましくは、40〜50%である。
初期化後に記録を行なった2層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。
初期化後に記録を行なった2層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。
次に、本発明の2層相変化型情報記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の2層相変化型情報記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図3は、この方法により製造した2層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示すものでもあり、第1基板(3)、第2基板(5)にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第1基板(3)のグルーブが設けられた面に第1情報層(1)を形成したものと、第2基板(5)のグルーブが設けられた面に第2情報層(2)を形成したものを別途作成する。
第1情報層(1)、第2情報層(2)のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
初期化工程としては、第1情報層(1)、第2情報層(2)に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化(結晶化)する。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第1情報層(1)及び第2情報層(2)の上にUV樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第1基板側(3)から、第1情報層(1)、第2情報層(2)を初期化しても構わない。
次に、以上のようにして初期化した、第1基板(3)面上に第1情報層(1)を形成したものと、第2基板(5)面上に第2情報層(2)を形成したものとを、第1情報層(1)と第2情報層(2)を向かい合わせながら、中間層(4)を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
本発明の2層相変化型情報記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図3は、この方法により製造した2層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示すものでもあり、第1基板(3)、第2基板(5)にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第1基板(3)のグルーブが設けられた面に第1情報層(1)を形成したものと、第2基板(5)のグルーブが設けられた面に第2情報層(2)を形成したものを別途作成する。
第1情報層(1)、第2情報層(2)のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
初期化工程としては、第1情報層(1)、第2情報層(2)に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化(結晶化)する。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第1情報層(1)及び第2情報層(2)の上にUV樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第1基板側(3)から、第1情報層(1)、第2情報層(2)を初期化しても構わない。
次に、以上のようにして初期化した、第1基板(3)面上に第1情報層(1)を形成したものと、第2基板(5)面上に第2情報層(2)を形成したものとを、第1情報層(1)と第2情報層(2)を向かい合わせながら、中間層(4)を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
また、図3に示すような本発明に係る2層相変化型情報記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程及び初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。
図3は、この方法により製造した2層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示すものでもあり、中間層(4)、第2基板(5)にグルーブが形成されている。
第一成膜工程としては、第2基板(5)上の案内溝の設けられた面に第2情報層(2)を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層(4)形成工程としては、第2情報層(2)上に案内溝を有する中間層(4)を形成する。例えば、第2情報層(2)上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
第二成膜工程としては、中間層(4)上に第1情報層(1)を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
基板貼り合わせ工程としては、第1情報層(1)と第1基板(3)を、透明層(6)を介して貼り合わせる。例えば、第1情報層(1)上又は第1基板上(3)に、透明層(6)の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第1情報層(1)と第1基板(3)とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。また、透明層(6)を形成せずに、第1基板(3)の材料である樹脂を第1情報層(1)上に塗布し、硬化させることによって、第1基板(3)を形成してもよい。
初期化工程として、第1基板(3)側から、第1情報層(1)、第2情報層(2)に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化(結晶化)する。第2情報層(2)に対しては、中間層(4)形成工程直後に初期化を行なっても何ら問題はない。
図3は、この方法により製造した2層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示すものでもあり、中間層(4)、第2基板(5)にグルーブが形成されている。
第一成膜工程としては、第2基板(5)上の案内溝の設けられた面に第2情報層(2)を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層(4)形成工程としては、第2情報層(2)上に案内溝を有する中間層(4)を形成する。例えば、第2情報層(2)上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
第二成膜工程としては、中間層(4)上に第1情報層(1)を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
基板貼り合わせ工程としては、第1情報層(1)と第1基板(3)を、透明層(6)を介して貼り合わせる。例えば、第1情報層(1)上又は第1基板上(3)に、透明層(6)の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第1情報層(1)と第1基板(3)とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。また、透明層(6)を形成せずに、第1基板(3)の材料である樹脂を第1情報層(1)上に塗布し、硬化させることによって、第1基板(3)を形成してもよい。
初期化工程として、第1基板(3)側から、第1情報層(1)、第2情報層(2)に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化(結晶化)する。第2情報層(2)に対しては、中間層(4)形成工程直後に初期化を行なっても何ら問題はない。
(実施例1〜5)、(比較例1)
直径12cm、厚さ0.6mmで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第1基板(3)上に(ZnS)70・(SiO2)30からなる第1下部保護層(11)(厚さ120nm)、GeNからなる第1下部界面層(16)(厚さ3nm)、組成式Sbα1Teβ1Geγ1M1δ1からなる第1記録層(12)(材料及び厚さを表1に記載)、GeNからなる第1上部界面層(17)(厚さ3nm)、(ZnS)70・(SiO2)30からなる第1上部保護層(13)(厚さ15nm)、SiCからなる第1バリア層(3nm)、Agからなる第1反射層(14)(厚さは表1に記載)、IZO((In2O3)90・(ZnO)10)からなる第1熱拡散層(15)(厚さ40nm)の順にBalzers社製枚葉スパッタ装置を用いてArガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した(各実施例および比較例の第1記録層材料組成は表1参照)。
直径12cm、厚さ0.6mmで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第1基板(3)上に(ZnS)70・(SiO2)30からなる第1下部保護層(11)(厚さ120nm)、GeNからなる第1下部界面層(16)(厚さ3nm)、組成式Sbα1Teβ1Geγ1M1δ1からなる第1記録層(12)(材料及び厚さを表1に記載)、GeNからなる第1上部界面層(17)(厚さ3nm)、(ZnS)70・(SiO2)30からなる第1上部保護層(13)(厚さ15nm)、SiCからなる第1バリア層(3nm)、Agからなる第1反射層(14)(厚さは表1に記載)、IZO((In2O3)90・(ZnO)10)からなる第1熱拡散層(15)(厚さ40nm)の順にBalzers社製枚葉スパッタ装置を用いてArガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した(各実施例および比較例の第1記録層材料組成は表1参照)。
次に、第1基板(3)と同じ構成の第2基板(5)上にAg98Pd1Cu1からなる第2反射層(24)(厚さ120nm)、SiCからなる第1バリア層(3nm)、(ZnS)70・(SiO2)30からなる第2上部保護層(23)(厚さ20nm)、組成式Sbα2Teβ2Geγ2M2δ2からなる第2記録層(22)(厚さ12nm)、(ZnS)70・(SiO2)30からなる第2下部保護層(21)(厚さ130nm)の順にArガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した(各実施例および比較例の第2記録層材料組成は表2参照)。
次に、第1情報層(1)、第2情報層(2)に対して、それぞれ第1基板(3)側、第2情報層(2)膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行なった。
次に、第1情報層(1)の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第2基板(5)の第2情報層(2)面側と貼り合わせてスピンコートし、第1基板(3)側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層(4)とし、2つの情報層を有する2層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層(4)の厚さは35μmとした。
次に、第1情報層(1)、第2情報層(2)に対して、それぞれ第1基板(3)側、第2情報層(2)膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行なった。
次に、第1情報層(1)の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第2基板(5)の第2情報層(2)面側と貼り合わせてスピンコートし、第1基板(3)側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層(4)とし、2つの情報層を有する2層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層(4)の厚さは35μmとした。
上記のようにして作成した各記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長:407nm
・NA=0.65
・線速:6.0m/s
・トラックピッチ0.43μm
線密度0.18μm/bitでEFM信号を記録したときの第1情報層(1)、第2情報層(2)の3Tマークのジッター、及び、100回オーバーライト後の第1情報層(1)、第2情報層(2)の3Tマークのジッター及びモジュレーションを測定した。各記録媒体の測定結果を表1、表2に示す。
・レーザー波長:407nm
・NA=0.65
・線速:6.0m/s
・トラックピッチ0.43μm
線密度0.18μm/bitでEFM信号を記録したときの第1情報層(1)、第2情報層(2)の3Tマークのジッター、及び、100回オーバーライト後の第1情報層(1)、第2情報層(2)の3Tマークのジッター及びモジュレーションを測定した。各記録媒体の測定結果を表1、表2に示す。
1 第1情報層
2 第2情報層
3 第1基板
4 中間層
5 第2基板
6 透明層
11 第1下部保護層
12 第1記録層
13 第1上部保護層
14 第1反射層
15 第1熱拡散層
16 第1下部界面層
17 第1上部界面層
21 第2下部保護層
22 第2記録層
23 第2上部保護層
24 第2反射層
2 第2情報層
3 第1基板
4 中間層
5 第2基板
6 透明層
11 第1下部保護層
12 第1記録層
13 第1上部保護層
14 第1反射層
15 第1熱拡散層
16 第1下部界面層
17 第1上部界面層
21 第2下部保護層
22 第2記録層
23 第2上部保護層
24 第2反射層
Claims (5)
- 第1基板と第2基板の間に第1情報層、中間層、第2情報層とが順次設けられ、第1基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう2層相変化型情報記録媒体において、第1情報層、第2情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第1情報層に形成された第1記録層および第2情報層に形成された第2記録層が、組成式
Geα1Sbβ1Teγ1M1δ1(第1記録層)
Geα2Sbβ2Snγ2M2δ2(第2記録層)
(ただし、M1はAg、In、Sn、V、Mn、Zn、Ga、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、M2はIn、Bi、Te、Ag、V、Mn、Al、Zn、Co、Ni、Cu、Dy、Auから選ばれる少なくとも1つの元素であり、
0<α1<10、25<β1<40、0<γ1<10、0≦δ1<10、
5<α2<25、45<β2<75、10<γ2<30、0≦δ2<15)
で表わされることを特徴とする2層相変化型情報記録媒体。
(ただし、α1+β1+γ1+δ1=α2+β2+γ2+δ2=100) - 前記第2記録層がGeα2Sbβ2Snγ2Mnδ2であり、
10<α2<25、45<β2<65、10<γ2<25、3<δ2<15、α2+β2+γ2+δ2=100、
であることを特徴とする請求項1に記載の2層相変化型情報記録媒体。 - 前記第2記録層にGaが5at%以下添加されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の2層相変化型情報記録媒体。
- 前記第1記録層の膜厚が14nm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の2層相変化型情報記録媒体。
- 前記第1情報層の反射層膜厚が14nm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の2層相変化型情報記録媒体。
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