JP2003045085A - 多層相変化型情報記録媒体 - Google Patents
多層相変化型情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多重構造の相変化型光記録媒体において、特
にＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を用い保護層、放熱層の厚
さ、熱伝導率を特定の関係になるようにし、各層の材料
厚さを制御し、感度がよく、かつ冷却効果の得られる、
消去比のすぐれた大容量の光記録媒体を提供する。 【解決手段】 相変化型記録層を有する一組一体の情報
記録機能層（情報層）を２組以上有する光情報記録媒体
において、情報搬送光が入射される面側からみて、最も
奥側に形成された情報層以外の情報層が、第１保護層、
記録層、第２保護層、反射層、放熱層の順からなり、第
２保護層、放熱層の厚さをそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝導
率をそれぞれＫ１、Ｋ２とした場合に、下記の式を満た
すことを特徴とする多重相変化型情報記録媒体を主たる
構成にしたこと。 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） Ｋ１≦Ｋ２/
２
にＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を用い保護層、放熱層の厚
さ、熱伝導率を特定の関係になるようにし、各層の材料
厚さを制御し、感度がよく、かつ冷却効果の得られる、
消去比のすぐれた大容量の光記録媒体を提供する。 【解決手段】 相変化型記録層を有する一組一体の情報
記録機能層（情報層）を２組以上有する光情報記録媒体
において、情報搬送光が入射される面側からみて、最も
奥側に形成された情報層以外の情報層が、第１保護層、
記録層、第２保護層、反射層、放熱層の順からなり、第
２保護層、放熱層の厚さをそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝導
率をそれぞれＫ１、Ｋ２とした場合に、下記の式を満た
すことを特徴とする多重相変化型情報記録媒体を主たる
構成にしたこと。 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） Ｋ１≦Ｋ２/
２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザなどの光によ
り情報の記録あるいは再生などを行なう情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、情報記録層多重型の相変化型情
報記録媒体に関する。
り情報の記録あるいは再生などを行なう情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、情報記録層多重型の相変化型情
報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷなどの光ディスク
は、ポリカーボネートなどプラスチックの円形基板の上
に記録層を設け、さらにその上にアルミニウムや金、銀
などの金属を蒸着またはスパッタリングして反射層を形
成したもので、基板面側からレーザー光を入射して、信
号の記録、再生を行なう。近年、コンピューター等で扱
う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ
−ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量の増大、お
よび信号情報の高密度化が進んでいる。ＣＤの記録容量
は６５０ＭＢ程度で、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度である
が、今後、更なる高記録密度化が要求されている。
は、ポリカーボネートなどプラスチックの円形基板の上
に記録層を設け、さらにその上にアルミニウムや金、銀
などの金属を蒸着またはスパッタリングして反射層を形
成したもので、基板面側からレーザー光を入射して、信
号の記録、再生を行なう。近年、コンピューター等で扱
う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ
−ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量の増大、お
よび信号情報の高密度化が進んでいる。ＣＤの記録容量
は６５０ＭＢ程度で、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度である
が、今後、更なる高記録密度化が要求されている。
【０００３】このような高記録密度媒体を実現する手段
として、使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長
化することが提案されている。また、記録・再生用ピッ
クアップに用いられる対物レンズの開口数を大きくする
ことにより、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポ
ットサイズを小さくして、高記録密度が可能となる。ま
た、レーザーの短波長化や対物レンズの開口数の増大な
どにより、スポットサイズを小さくして記録密度を高め
る方法には限界があるため、情報記録層を片面に２層設
けることによって容量を高める技術が、例えば特許公報
第２７０２９０５号などで提案されている。
として、使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長
化することが提案されている。また、記録・再生用ピッ
クアップに用いられる対物レンズの開口数を大きくする
ことにより、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポ
ットサイズを小さくして、高記録密度が可能となる。ま
た、レーザーの短波長化や対物レンズの開口数の増大な
どにより、スポットサイズを小さくして記録密度を高め
る方法には限界があるため、情報記録層を片面に２層設
けることによって容量を高める技術が、例えば特許公報
第２７０２９０５号などで提案されている。
【０００４】しかしながら、２層相変化光ディスクは多
くの課題があり、まだ実用化には至っていない。例え
ば、レーザー光照射側から見て手前に位置する記録層が
レーザー光を十分に透過できなければ、奥側に位置する
記録層の記録・再生はできない。
くの課題があり、まだ実用化には至っていない。例え
ば、レーザー光照射側から見て手前に位置する記録層が
レーザー光を十分に透過できなければ、奥側に位置する
記録層の記録・再生はできない。
【０００５】そこで、レーザー光を十分に透過させるた
めにＡｇやＡｌなどの反射膜をなくすか、極薄にする必
要がある。一般に、相変化型光記録では、記録層にレー
ザー光を照射させて急冷することにより非晶質マークを
形成する。反射層のない情報層では、熱拡散が小さいた
めに、マークを形成することが困難になる。ＣＤ−ＲＷ
などの相変化光ディスクに用いられているＳｂ−Ｔｅ共
晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系とは違い、
繰り返し記録の際、溶融消去するために、消去比が優れ
ていることが知られている。Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物を
多重光ディスクに用いた場合、手前側の記録層が、アモ
ルファスマークか結晶部かによって光吸収率が違うため
に、繰り返し記録するたびにアモルファスマークが歪む
といった問題がある。Ｓｂ−Ｔｅ系記録材を用いて、溶
融消去で繰り返し記録を行なえば、そういった問題は生
じないが、マークを形成する際、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合
物に比べて急冷構造をとることが必要で、反射層のない
構造では、先ほど述べたようにマーク形成が困難にな
る。
めにＡｇやＡｌなどの反射膜をなくすか、極薄にする必
要がある。一般に、相変化型光記録では、記録層にレー
ザー光を照射させて急冷することにより非晶質マークを
形成する。反射層のない情報層では、熱拡散が小さいた
めに、マークを形成することが困難になる。ＣＤ−ＲＷ
などの相変化光ディスクに用いられているＳｂ−Ｔｅ共
晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系とは違い、
繰り返し記録の際、溶融消去するために、消去比が優れ
ていることが知られている。Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物を
多重光ディスクに用いた場合、手前側の記録層が、アモ
ルファスマークか結晶部かによって光吸収率が違うため
に、繰り返し記録するたびにアモルファスマークが歪む
といった問題がある。Ｓｂ−Ｔｅ系記録材を用いて、溶
融消去で繰り返し記録を行なえば、そういった問題は生
じないが、マークを形成する際、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合
物に比べて急冷構造をとることが必要で、反射層のない
構造では、先ほど述べたようにマーク形成が困難にな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多重
構造の相変化型光記録媒体において、特にＳｂ−Ｔｅ共
晶系記録材料を用いた場合、感度がよく、かつ冷却効果
の得られる、消去比のすぐれた大容量の光記録媒体を提
供することである。
構造の相変化型光記録媒体において、特にＳｂ−Ｔｅ共
晶系記録材料を用いた場合、感度がよく、かつ冷却効果
の得られる、消去比のすぐれた大容量の光記録媒体を提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段によって達成される。本発明によれば、請求項
１では光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相
変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層が
２層以上有する光情報記録媒体において、情報搬送光が
入射される面側からみて、最も奥側に形成された情報層
以外の、少なくとも１層の情報層が、第１保護層、記録
層、第２保護層、反射層、放熱層の順からなり、第２保
護層、放熱層の厚さをそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝導率を
それぞれＫ１、Ｋ２とした場合に、 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１）、Ｋ１≦Ｋ２/
２ を満たすことを最も主要な特徴とする。
記の手段によって達成される。本発明によれば、請求項
１では光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相
変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層が
２層以上有する光情報記録媒体において、情報搬送光が
入射される面側からみて、最も奥側に形成された情報層
以外の、少なくとも１層の情報層が、第１保護層、記録
層、第２保護層、反射層、放熱層の順からなり、第２保
護層、放熱層の厚さをそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝導率を
それぞれＫ１、Ｋ２とした場合に、 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１）、Ｋ１≦Ｋ２/
２ を満たすことを最も主要な特徴とする。
【０００８】第二に、請求項１記載の上記記録層が、Ｓ
ｂｘ−Ｔｅ１−ｘ（x ：0.6 〜0.8等）共晶系を主成分
とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少なくとも１種を添
加したことを主要な特徴とする。
ｂｘ−Ｔｅ１−ｘ（x ：0.6 〜0.8等）共晶系を主成分
とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少なくとも１種を添
加したことを主要な特徴とする。
【０００９】第三に、請求項１又は２のいずれかに記載
の上記記録層の厚さが、５〜２０ｎｍであることを主要
な特徴とする。
の上記記録層の厚さが、５〜２０ｎｍであることを主要
な特徴とする。
【００１０】第四に、請求項１乃至３のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の記録再生に用いる光の波長におけ
る上記放熱層の吸収係数が、１．０以下であることを主
要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の記録再生に用いる光の波長におけ
る上記放熱層の吸収係数が、１．０以下であることを主
要な特徴とする。
【００１１】第五に、請求項１乃至４のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の上記放熱層に、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ
４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、酸化インジウム／酸化
スズ複合酸化物、酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化
物、ダイヤモンドライクカーボンの少なくとも１種を使
用することを主要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の上記放熱層に、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ
４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、酸化インジウム／酸化
スズ複合酸化物、酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化
物、ダイヤモンドライクカーボンの少なくとも１種を使
用することを主要な特徴とする。
【００１２】第六に、請求項１乃至５のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の上記放熱層の厚さが２０〜２００
ｎｍであることを主要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の上記放熱層の厚さが２０〜２００
ｎｍであることを主要な特徴とする。
【００１３】第七に、請求項１乃至６のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の上記反射層に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を使用することを
主要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の上記反射層に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を使用することを
主要な特徴とする。
【００１４】第八に、請求項１乃至７のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の上記反射層の厚さが、３〜２０ｎ
ｍであることを主要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の上記反射層の厚さが、３〜２０ｎ
ｍであることを主要な特徴とする。
【００１５】第九に、請求項１乃至８のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の上記第２保護層に、窒化物、酸化
物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１
種を使用することを主要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の上記第２保護層に、窒化物、酸化
物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１
種を使用することを主要な特徴とする。
【００１６】第十に、請求項１乃至９のいずれか１項に
記載の上記記録媒体の上記第２保護層の厚さが、３〜４
０ｎｍであることを主要な特徴とする。
記載の上記記録媒体の上記第２保護層の厚さが、３〜４
０ｎｍであることを主要な特徴とする。
【００１７】第十一に、請求項１乃至１０のいずれか１
項に記載の上記記録媒体の上記第１保護層の厚さが、６
０〜２００ｎｍであることを主要な特徴とする。
項に記載の上記記録媒体の上記第１保護層の厚さが、６
０〜２００ｎｍであることを主要な特徴とする。
【００１８】第十二に、請求項１乃至１１のいずれか１
項に記載の上記記録媒体の情報搬送光が入射される側面
からみて、最も奥側に形成された情報層以外の他の情報
層の、記録再生を行なう波長に対する透過率が４０〜７
０％であることを特徴とする。
項に記載の上記記録媒体の情報搬送光が入射される側面
からみて、最も奥側に形成された情報層以外の他の情報
層の、記録再生を行なう波長に対する透過率が４０〜７
０％であることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光記録媒体に
ついて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に
係わる２重の情報層を持つ情報記録媒体の概略断面図で
ある。光透過層３の上に、第１情報層１、透明層４、第
２情報層２、保護基板５を順次積層した構造からなるも
のである。第１情報層１は、第１保護層１１、記録層１
２、第２保護層１３、反射層１４、放熱層１５からな
り、第２情報層２は、第１保護層２１、記録層２２、第
２保護層２３、反射層２４からなる。尚、本発明は、上
記構成になんら限定されるものではない。
ついて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に
係わる２重の情報層を持つ情報記録媒体の概略断面図で
ある。光透過層３の上に、第１情報層１、透明層４、第
２情報層２、保護基板５を順次積層した構造からなるも
のである。第１情報層１は、第１保護層１１、記録層１
２、第２保護層１３、反射層１４、放熱層１５からな
り、第２情報層２は、第１保護層２１、記録層２２、第
２保護層２３、反射層２４からなる。尚、本発明は、上
記構成になんら限定されるものではない。
【００２０】光透過層３、透明層４の材料は通常ガラ
ス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形
性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコー
ン系樹脂、フッ素系樹脂、ABS 樹脂、ウレタン樹脂など
があげられるが、成形性、光透過特性、コストの点で優
れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
ス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形
性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコー
ン系樹脂、フッ素系樹脂、ABS 樹脂、ウレタン樹脂など
があげられるが、成形性、光透過特性、コストの点で優
れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
【００２１】光透過層３あるいは透明層４には案内溝な
どの凹凸パターンが形成されており、射出成形または、
フォトポリマー法によって成形される。透明層４は、記
録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層と第２
情報層とを識別し、光学的に分離できる２０〜５０μｍ
とすることが好ましい。２０μｍより薄いと、層間クロ
ストークが生じてしまう。５０μｍより厚いと、第２情
報記録層を記録・再生する際に、球面収差が発生し、記
録・再生が困難になってしまう。
どの凹凸パターンが形成されており、射出成形または、
フォトポリマー法によって成形される。透明層４は、記
録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層と第２
情報層とを識別し、光学的に分離できる２０〜５０μｍ
とすることが好ましい。２０μｍより薄いと、層間クロ
ストークが生じてしまう。５０μｍより厚いと、第２情
報記録層を記録・再生する際に、球面収差が発生し、記
録・再生が困難になってしまう。
【００２２】記録層１２、２２の材料としては、Ｇｅ−
Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系など
のカルコゲン系合金薄膜を用いることが多いが、Ｓｂ−
Ｔｅ共晶系薄膜が、記録（アモルファス化）感度・速
度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料とし
て適している。これらの記録層材料にはさらなる性能向
上、信頼性向上などを目的にＡｇ, Ｉｎ, Ｇｅなど他の
元素や不純物を添加することができる。無機材料を用い
た記録膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。記録層１２の厚さは、５〜２０ｎｍ
であることが好ましい。５ｎｍ以下だと、繰り返し記録
特性が低下する。２０ｎｍ以上だと、透過率が低下して
しまう。
Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系など
のカルコゲン系合金薄膜を用いることが多いが、Ｓｂ−
Ｔｅ共晶系薄膜が、記録（アモルファス化）感度・速
度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料とし
て適している。これらの記録層材料にはさらなる性能向
上、信頼性向上などを目的にＡｇ, Ｉｎ, Ｇｅなど他の
元素や不純物を添加することができる。無機材料を用い
た記録膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。記録層１２の厚さは、５〜２０ｎｍ
であることが好ましい。５ｎｍ以下だと、繰り返し記録
特性が低下する。２０ｎｍ以上だと、透過率が低下して
しまう。
【００２３】反射層１４、２４としては、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属材料、またはそれらの
合金などを用いることができる。また、添加元素として
は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄなどが使用される。このよ
うな反射層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって
形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、
膜質等に優れている。反射層２４は、５０〜２００ｎ
ｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎ
ｍより薄くなると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎ
ｍより厚くなると感度の低下を生じる。反射層１４の厚
さは、３〜２０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍより
薄いと、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難にな
る。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報層
の記録再生が困難になる。
Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属材料、またはそれらの
合金などを用いることができる。また、添加元素として
は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄなどが使用される。このよ
うな反射層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、
スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イ
オンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって
形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、
膜質等に優れている。反射層２４は、５０〜２００ｎ
ｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎ
ｍより薄くなると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎ
ｍより厚くなると感度の低下を生じる。反射層１４の厚
さは、３〜２０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍより
薄いと、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難にな
る。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報層
の記録再生が困難になる。
【００２４】保護層１１、２１、２３は記録層１２、２
２の劣化変質を防ぎ、記録層１２、２２の接着強度を高
め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、
ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔ
ｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化
物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、
ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの
炭化物やダイヤモンドライクカーボンあるいは、それら
の混合物があげられる。これらの材料は、単体で保護膜
とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。ま
た、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護膜の融点
は記録層よりも高いことが必要である。このような保護
膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。第１保護層１１の厚さは、６０〜２００ｎ
ｍであることが好ましい。６０ｎｍ以下であると、記録
時の熱によって、基板を破壊してしまう恐れがある。２
００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じてくる。これ
らの範囲で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を
行なう。
２の劣化変質を防ぎ、記録層１２、２２の接着強度を高
め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、
ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔ
ｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化
物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、
ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの
炭化物やダイヤモンドライクカーボンあるいは、それら
の混合物があげられる。これらの材料は、単体で保護膜
とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。ま
た、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護膜の融点
は記録層よりも高いことが必要である。このような保護
膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。第１保護層１１の厚さは、６０〜２００ｎ
ｍであることが好ましい。６０ｎｍ以下であると、記録
時の熱によって、基板を破壊してしまう恐れがある。２
００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じてくる。これ
らの範囲で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を
行なう。
【００２５】第２保護層１３は、保護層１１、２１、２
３に求められる作用に加え、記録感度を向上させるため
に、熱伝導率の低い材料が適している。逆に、放熱層１
５としては、反射層が薄くなった分の放熱効果を補うた
めに、熱伝導度の大きな材料を用いる。また、放熱層１
５としては、第１情報層の透過率を考えると、記録再生
に用いる光における吸収係数が１．０以下であることが
好ましい。保護層１３の熱伝導率をＫ１、放熱層１５の
熱伝導率をＫ２とすると、Ｋ１≦Ｋ２/ ２であることが
好ましい。
３に求められる作用に加え、記録感度を向上させるため
に、熱伝導率の低い材料が適している。逆に、放熱層１
５としては、反射層が薄くなった分の放熱効果を補うた
めに、熱伝導度の大きな材料を用いる。また、放熱層１
５としては、第１情報層の透過率を考えると、記録再生
に用いる光における吸収係数が１．０以下であることが
好ましい。保護層１３の熱伝導率をＫ１、放熱層１５の
熱伝導率をＫ２とすると、Ｋ１≦Ｋ２/ ２であることが
好ましい。
【００２６】このような材料としては、第２保護層１３
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ
３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２などの金属酸化物、ＴｉＮ、Ｚ
ｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４など
の硫化物、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物が挙げられる。これら単体としてもよいし、これらの
混合物を用いてもよい。放熱層１５としては、ＡｌＮ、
Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、酸化インジウ
ム／酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ／酸化ア
ンチモン複合酸化物（ATO ）、ダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）などが挙げられる。これら単体としても
よいし、これらの混合物をもちいてもよい。熱伝導率が
下がらない範囲で、必要に応じて不純物を含んでいても
よい。
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ
３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２などの金属酸化物、ＴｉＮ、Ｚ
ｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４など
の硫化物、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物が挙げられる。これら単体としてもよいし、これらの
混合物を用いてもよい。放熱層１５としては、ＡｌＮ、
Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、酸化インジウ
ム／酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ／酸化ア
ンチモン複合酸化物（ATO ）、ダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）などが挙げられる。これら単体としても
よいし、これらの混合物をもちいてもよい。熱伝導率が
下がらない範囲で、必要に応じて不純物を含んでいても
よい。
【００２７】第２保護層１３と放熱層１５との関係とし
て、本発明者は、第２保護層１３の熱伝導率、膜厚をそ
れぞれＫ１、ｄ１、放熱層１５の熱伝導率、膜厚をそれ
ぞれＫ２、ｄ２とすると、 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） を満たすものであれば、感度がよく、消去比の優れた多
重光ディスクを提供できることを見出した。第２保護層
１３の膜厚は、３〜４０ｎｍであることが好ましい。３
ｎｍより薄いと、記録感度が低下してしまう。４０ｎｍ
より厚いと、放熱効果が得られなくなってしまう。放熱
層１５の膜厚は、２０〜２００ｎｍが好ましい。２０ｎ
ｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍ
より厚いと、量産性に問題が生じる。
て、本発明者は、第２保護層１３の熱伝導率、膜厚をそ
れぞれＫ１、ｄ１、放熱層１５の熱伝導率、膜厚をそれ
ぞれＫ２、ｄ２とすると、 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） を満たすものであれば、感度がよく、消去比の優れた多
重光ディスクを提供できることを見出した。第２保護層
１３の膜厚は、３〜４０ｎｍであることが好ましい。３
ｎｍより薄いと、記録感度が低下してしまう。４０ｎｍ
より厚いと、放熱効果が得られなくなってしまう。放熱
層１５の膜厚は、２０〜２００ｎｍが好ましい。２０ｎ
ｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍ
より厚いと、量産性に問題が生じる。
【００２８】（実施例）実施例を挙げて本発明を詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例になんら限定され
るものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例になんら限定され
るものではない。
【００２９】実施例１〜７、比較例１〜４
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるト
ラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板上
に第１保護層、Ａｇ１Ｉｎ７Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる
記録層６ｎｍ、第２保護層、ＡｌＴｉからなる反射層１
０ｎｍ、放熱層の順にマグネトロンスパッタ方で製膜
し、第１情報層を形成した。各実施例及び比較例におけ
る第２保護層、放熱層の組成及び膜厚は下記の表１に示
す通りである。この第１記録層上に、２Ｐ(photo polym
arization)法によって、連続溝によるトラッキングガイ
ドの凹凸を持つ透明層を形成した。透明層の厚さは４０
μｍである。さらにその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 からな
る第１保護膜６０ｎｍ、Ａｇ１Ｉｎ７Ｓｂ７０Ｔｅ２２
からなる記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 からなる第
２保護層１５ｎｍ、ＡｌＴｉからなる反射層１５０ｎｍ
の順に製膜し、第２情報層を形成した。製膜方法はＡｒ
ガス雰囲気中のスパッタ法である。その上に、スピンコ
ーターを用いてオーバーコート層を設けて２層相変化型
光ディスクを作成した。ついで、大口径の半導体レーザ
ーを有する初期化装置によって、光ディスクの記録層の
初期化処理を行なった。
ラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板上
に第１保護層、Ａｇ１Ｉｎ７Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる
記録層６ｎｍ、第２保護層、ＡｌＴｉからなる反射層１
０ｎｍ、放熱層の順にマグネトロンスパッタ方で製膜
し、第１情報層を形成した。各実施例及び比較例におけ
る第２保護層、放熱層の組成及び膜厚は下記の表１に示
す通りである。この第１記録層上に、２Ｐ(photo polym
arization)法によって、連続溝によるトラッキングガイ
ドの凹凸を持つ透明層を形成した。透明層の厚さは４０
μｍである。さらにその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 からな
る第１保護膜６０ｎｍ、Ａｇ１Ｉｎ７Ｓｂ７０Ｔｅ２２
からなる記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 からなる第
２保護層１５ｎｍ、ＡｌＴｉからなる反射層１５０ｎｍ
の順に製膜し、第２情報層を形成した。製膜方法はＡｒ
ガス雰囲気中のスパッタ法である。その上に、スピンコ
ーターを用いてオーバーコート層を設けて２層相変化型
光ディスクを作成した。ついで、大口径の半導体レーザ
ーを有する初期化装置によって、光ディスクの記録層の
初期化処理を行なった。
【００３０】作成された各光ディスクについて下記条件
で記録した後、第１情報層の線密度０．２０μｍ/bitで
の３ＴのＣ/ Ｎ比を測定した。結果を表１に示す。 レーザー波長 ４０７ｎｍ、NA= ０．６５、線速 ６．
５ｍ/ ｓ、トラックピッチ ０．４０μｍ 評価基準は次の通りである。 ○…Ｃ/ Ｎ比50ｄＢ以上、感度12ｍＷ未満 ×…Ｃ/ Ｎ比50ｄＢ未満、感度12ｍＷ以上
で記録した後、第１情報層の線密度０．２０μｍ/bitで
の３ＴのＣ/ Ｎ比を測定した。結果を表１に示す。 レーザー波長 ４０７ｎｍ、NA= ０．６５、線速 ６．
５ｍ/ ｓ、トラックピッチ ０．４０μｍ 評価基準は次の通りである。 ○…Ｃ/ Ｎ比50ｄＢ以上、感度12ｍＷ未満 ×…Ｃ/ Ｎ比50ｄＢ未満、感度12ｍＷ以上
【００３１】表１からわかるように、５０≦（ｄ２* Ｋ
２）/ （ｄ１* Ｋ１）、Ｋ１≦Ｋ２/ ２かつ、３≦ｄ１
≦４０、２０≦ｄ２≦２００を満たすメディアは、Ｃ/
Ｎ比、記録感度ともに優れた２層光ディスクであった。
２）/ （ｄ１* Ｋ１）、Ｋ１≦Ｋ２/ ２かつ、３≦ｄ１
≦４０、２０≦ｄ２≦２００を満たすメディアは、Ｃ/
Ｎ比、記録感度ともに優れた２層光ディスクであった。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】請求項１の、結晶、非晶質間の相変化に
よって情報を記録しうる記録層を有する一組一体の情報
記録機能層（以下情報層という）を２組以上有する光情
報記録媒体において、情報搬送光が入射される面側から
みて、最も奥側に形成された情報層以外の、少なくとも
１層の情報層が、第１保護層、記録層、第２保護層、反
射層、放熱層の順からなり、第２保護層、放熱層の厚さ
をそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２
とした場合に、下記の式を満たすことを特徴とする多重
相変化型情報記録媒体によれば、下記式を満たすもので
あれば、感度がよく、冷却効果が得られ、Ｃ/ Ｎ比の優
れた多重光ディスクを提供できる。 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） Ｋ１≦Ｋ２/ ２
よって情報を記録しうる記録層を有する一組一体の情報
記録機能層（以下情報層という）を２組以上有する光情
報記録媒体において、情報搬送光が入射される面側から
みて、最も奥側に形成された情報層以外の、少なくとも
１層の情報層が、第１保護層、記録層、第２保護層、反
射層、放熱層の順からなり、第２保護層、放熱層の厚さ
をそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２
とした場合に、下記の式を満たすことを特徴とする多重
相変化型情報記録媒体によれば、下記式を満たすもので
あれば、感度がよく、冷却効果が得られ、Ｃ/ Ｎ比の優
れた多重光ディスクを提供できる。 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） Ｋ１≦Ｋ２/ ２
【００３４】請求項２の、上記記録層は、Ｓｂｘ−Ｔｅ
１−ｘ（x ：0.6 〜0.8 等）共晶系を主成分とし、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少なくとも１つを添加したことを
特徴とする請求項１記載の多重相変化型情報記録媒体に
よれば、特にＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を用いた場合、
感度がよく、かつ冷却効果の得られる、消去比のすぐれ
た大容量の光記録媒体を提供できる。
１−ｘ（x ：0.6 〜0.8 等）共晶系を主成分とし、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少なくとも１つを添加したことを
特徴とする請求項１記載の多重相変化型情報記録媒体に
よれば、特にＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料を用いた場合、
感度がよく、かつ冷却効果の得られる、消去比のすぐれ
た大容量の光記録媒体を提供できる。
【００３５】請求項３の上記記録層の厚さが、５〜２０
ｎｍであることを特徴とする請求項１、請求項２のいず
れかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれば、５ｎ
ｍ以下だと、繰り返し記録特性が低下し、２０ｎｍ以上
だと、透過率が低下してしまうので５〜２０ｎｍが必要
である。
ｎｍであることを特徴とする請求項１、請求項２のいず
れかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれば、５ｎ
ｍ以下だと、繰り返し記録特性が低下し、２０ｎｍ以上
だと、透過率が低下してしまうので５〜２０ｎｍが必要
である。
【００３６】請求項４の、記録再生に用いる光の波長に
おいて、上記放熱層の吸収係数が、１．０以下であるこ
とを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載
の多重相変化型情報記録媒体によれば、透過率が低下せ
ずに、奥側に位置する記録層の記録・再生特性が優れ
る。
おいて、上記放熱層の吸収係数が、１．０以下であるこ
とを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載
の多重相変化型情報記録媒体によれば、透過率が低下せ
ずに、奥側に位置する記録層の記録・再生特性が優れ
る。
【００３７】請求項５の、上記放熱層が、ＡｌＮ、Ｓｉ
３Ｎ４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、酸化インジウム／
酸化スズ複合酸化物（ITO ）、酸化スズ／酸化アンチモ
ン複合酸化物（ATO ）、ダイヤモンドライクカーボン
（ＤＬＣ）の少なくとも１種を主成分とする請求項１か
ら請求項４のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒
体によれば、熱伝導率が大きく反射層が薄くなった分の
放熱効果を補うことができる。
３Ｎ４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、酸化インジウム／
酸化スズ複合酸化物（ITO ）、酸化スズ／酸化アンチモ
ン複合酸化物（ATO ）、ダイヤモンドライクカーボン
（ＤＬＣ）の少なくとも１種を主成分とする請求項１か
ら請求項４のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒
体によれば、熱伝導率が大きく反射層が薄くなった分の
放熱効果を補うことができる。
【００３８】請求項６の、上記放熱層の厚さが２０〜２
００ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項５
のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれ
ば、充分な放熱効果が得られ、かつ量産性にも問題がな
い。
００ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項５
のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれ
ば、充分な放熱効果が得られ、かつ量産性にも問題がな
い。
【００３９】請求項７の、上記反射層が、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とする
請求項１から請求項６のいずれかに記載の多重相変化型
情報記録媒体によれば、良好な記録再生ができ量産性に
も優れている。
Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とする
請求項１から請求項６のいずれかに記載の多重相変化型
情報記録媒体によれば、良好な記録再生ができ量産性に
も優れている。
【００４０】請求項８の、上記反射層の厚さが、３〜２
０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項７の
いずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれば、
厚さが均一で緻密な膜を作ることができ、透過率が良好
で記録・再生に好適になる。
０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項７の
いずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれば、
厚さが均一で緻密な膜を作ることができ、透過率が良好
で記録・再生に好適になる。
【００４１】請求項９の、上記第２保護層が、窒化物、
酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくと
も１種を含むことを特徴とする請求項１から請求項１０
のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれ
ば、熱伝導が低く記録感度を向上することができる。
酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくと
も１種を含むことを特徴とする請求項１から請求項１０
のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によれ
ば、熱伝導が低く記録感度を向上することができる。
【００４２】請求項１０の、上記第２保護層の厚さが、
３〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求
項９のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によ
れば、記録感度が低下することなく放熱効果が得られ
る。
３〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求
項９のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒体によ
れば、記録感度が低下することなく放熱効果が得られ
る。
【００４３】請求項１１の、上記第１保護層の厚さが、
６０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１から
請求項１０のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒
体によれば、記録時の熱で基板が破壊されることなく、
量産が可能になる。
６０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１から
請求項１０のいずれかに記載の多重相変化型情報記録媒
体によれば、記録時の熱で基板が破壊されることなく、
量産が可能になる。
【００４４】請求項１２の、光が入射される側からみ
て、最も奥側に形成された情報層以外の情報層の、記録
再生を行なう波長に対する透過率が４０〜７０％である
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれかに
記載の多重相変化型情報記録媒体によれば、この範囲で
良好な記録再生が可能になる。
て、最も奥側に形成された情報層以外の情報層の、記録
再生を行なう波長に対する透過率が４０〜７０％である
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれかに
記載の多重相変化型情報記録媒体によれば、この範囲で
良好な記録再生が可能になる。
【００４５】以上のように、本発明によれば、感度がよ
く、かつ冷却効果の得られる、消去比のすぐれた多重相
変化型情報記録媒体を提供することができる。
く、かつ冷却効果の得られる、消去比のすぐれた多重相
変化型情報記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係わる２重の情報記録媒
体の概略断面図である。
体の概略断面図である。
【図２】保存前と保存後のジッターの変化を示したグラ
フである。
フである。
１ 第１情報層
２ 第２情報層
４ 透明層
１１ 第１保護層
１２ 記録層第１
１３ 第２保護層
１４ 反射層
１５ 放熱層
２１ 保護層
２２ 記録層
２３ 第２保護層
２４ 反射層
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｈ
５３５ ５３５Ｄ
５３５Ｇ
５３８ ５３８Ｅ
５３８Ｆ
Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA33 EA36
FA12 FA14 FA18 FA23 FA24
FA25 FA26 FA28 FA29 FB05
FB06 FB09 FB12 FB15 FB16
FB17 FB19 FB21 FB22 FB23
FB28 FB29 FB30
5D029 JA01 JB35 JC04 LA12 LB07
LC17 MA13 MA14 MA27
Claims (12)
- 【請求項１】 結晶、非晶質間の相変化によって情報を
記録しうる記録層を有する一組一体の情報記録機能層を
２組以上有する光情報記録媒体において、 情報搬送光が入射される面側からみて、 最も奥側に形成された情報層以外の少なくとも１層の情
報層が、 第１保護層、記録層、第２保護層、反射層、放熱層の順
からなり、 第２保護層、放熱層の厚さをそれぞれｄ１、ｄ２、熱伝
導率をそれぞれＫ１、Ｋ２とした場合に、下記の式を満
たすことを特徴とする多重相変化型情報記録媒体。 ５０≦（ｄ２* Ｋ２）/ （ｄ１* Ｋ１） Ｋ１≦Ｋ２/ ２ - 【請求項２】 上記記録層は、Ｓｂｘ−Ｔｅ１−ｘ（x
：0.6 〜0.8 ）共晶系を主成分とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、
Ｃ、Ｐの少なくとも１つを添加したことを特徴とする請
求項１記載の多重相変化型情報記録媒体。 - 【請求項３】 上記記録層の厚さが、５〜２０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の
多重相変化型情報記録媒体。 - 【請求項４】 記録再生に用いる光の波長における上記
放熱層の吸収係数が、１．０以下であることを特徴とす
る請求項１乃至項３の多重相変化型情報記録媒体。 - 【請求項５】 上記放熱層に、ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｓ
ｉＣ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢＮ、酸化インジウム／酸化スズ複
合酸化物、酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化物、ダイ
ヤモンドライクカーボンの少なくとも１種が使用された
ことを特徴とする請求項１乃至４の多層相変化型情報記
録媒体。 - 【請求項６】 上記放熱層の厚さは２０〜２００ｎｍで
あることを特徴とする請求項１乃至５の多層相変化型情
報記録媒体。 - 【請求項７】 上記反射層として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を使用されたことを特
徴とする請求項１乃至６の多重相変化型情報記録媒体。 - 【請求項８】 上記反射層の厚さは３〜２０ｎｍである
ことを特徴とする請求項１乃至７の多重相変化型情報記
録媒体。 - 【請求項９】 上記第２保護層は、窒化物、酸化物、硫
化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を用
いて形成されたことを特徴とする請求項１乃至８の多重
相変化型情報記録媒体。 - 【請求項１０】 上記第２保護層の厚さは３〜４０ｎｍ
であることを特徴とする請求項１乃至９の多重相変化型
情報記録媒体。 - 【請求項１１】 上記第１保護層の厚さは６０〜２００
ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１０の多重相
変化型情報記録媒体。 - 【請求項１２】 情報搬送光が入射される面側からみ
て、最も奥側に形成された情報層に至るまでの他の情報
層の、奥側情報層の記録再生を行なう波長に対する透過
率が４０〜７０％であることを特徴とする請求項１乃至
１１の多重相変化型情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001232456A JP2003045085A (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 多層相変化型情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001232456A JP2003045085A (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 多層相変化型情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045085A true JP2003045085A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19064382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001232456A Pending JP2003045085A (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 多層相変化型情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003045085A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098619A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-11-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| JP2007045106A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Ricoh Co Ltd | ２層相変化型情報記録媒体 |
| EP1922728A1 (en) * | 2005-09-05 | 2008-05-21 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer optical recording medium and optical recording method |
| KR100903575B1 (ko) * | 2006-10-05 | 2009-06-23 | 닛뽕빅터 가부시키가이샤 | 다층형 상변화 광기록 매체 |
| US7566523B2 (en) | 2003-02-21 | 2009-07-28 | Nec Corporation | Optical information-recording media and optical information-recording/reproduction apparatus |
| KR101051242B1 (ko) | 2003-05-20 | 2011-07-21 | 파나소닉 주식회사 | 광학적 정보 기록 매체 및 그 제조 방법 |
| US8072863B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-12-06 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
-
2001
- 2001-07-31 JP JP2001232456A patent/JP2003045085A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| WO2003098619A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-11-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
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| JP2007045106A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Ricoh Co Ltd | ２層相変化型情報記録媒体 |
| JP4533276B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2010-09-01 | 株式会社リコー | ２層相変化型情報記録媒体 |
| EP1922728A1 (en) * | 2005-09-05 | 2008-05-21 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer optical recording medium and optical recording method |
| EP1922728A4 (en) * | 2005-09-05 | 2009-09-09 | Ricoh Kk | MULTILAYER OPTICAL RECORDING MEDIUM AND OPTICAL RECORDING METHOD |
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