JP2003242687A - 多層相変化型情報記録媒体 - Google Patents
多層相変化型情報記録媒体Info
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24035—Recording layers
- G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層構造の相変化型光記録媒体において反射
層が薄い場合でも冷却効果が得られ、オーバーライト特
性の優れた大容量の多層相変化型情報記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 光の入射により結晶状態と非晶質状態と
の相変化を生じて情報を記録し得る記録層１２、２２を
情報層１、２に備え、且つ情報層１、２を２層以上有す
る多層相変化型情報記録媒体において、光が入射される
側からみて、最も奥側に形成された情報層２以外の、少
なくとも１層の情報層１が、第１保護層１１、記録層１
２、第２保護層１３、反射層１４、放熱層１５の順から
なり、放熱層１５が立方晶窒化ホウ素からなる。
層が薄い場合でも冷却効果が得られ、オーバーライト特
性の優れた大容量の多層相変化型情報記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 光の入射により結晶状態と非晶質状態と
の相変化を生じて情報を記録し得る記録層１２、２２を
情報層１、２に備え、且つ情報層１、２を２層以上有す
る多層相変化型情報記録媒体において、光が入射される
側からみて、最も奥側に形成された情報層２以外の、少
なくとも１層の情報層１が、第１保護層１１、記録層１
２、第２保護層１３、反射層１４、放熱層１５の順から
なり、放熱層１５が立方晶窒化ホウ素からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーなどの光
により情報の記録あるいは再生などを行なう情報記録媒
体に関し、特に多層相変化型情報記録媒体に関するもの
である。
により情報の記録あるいは再生などを行なう情報記録媒
体に関し、特に多層相変化型情報記録媒体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷなどの光ディスク
は、ポリカーボネートなどプラスチックの円形基板の上
に記録層を設け、さらにその上にアルミニウムや金、銀
などの金属を蒸着またはスパッタリングして反射層を形
成したものであり、基板面側からレーザー光を入射し
て、信号の記録、再生を行なう。近年、コンピューター
等で扱う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡＭ、
ＤＶＤ−ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量の増
大、および信号情報の高密度化が進んでおり、記録容量
が６５０ＭＢ程度のＣＤや、４．７ＧＢ程度のＤＶＤに
対し、今後、更なる高記録密度化が要求されている。こ
のような高記録密度媒体を実現するために、使用するレ
ーザー波長を青色光領域まで短波長化することが提案さ
れており、また、記録再生を行なうピックアップに用い
られる対物レンズの開口数を大きくすることで、光記録
媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さく
して高記録密度が可能になる。しかしながら、レーザー
の短波長化や対物レンズの開口数の増大などにより、ス
ポットサイズを小さくして記録密度を高める方法には限
界があり、情報記録層を片面に２層設けることによって
容量を高める技術が、例えば特許公報第２７０２９０５
号などで提案されている。
は、ポリカーボネートなどプラスチックの円形基板の上
に記録層を設け、さらにその上にアルミニウムや金、銀
などの金属を蒸着またはスパッタリングして反射層を形
成したものであり、基板面側からレーザー光を入射し
て、信号の記録、再生を行なう。近年、コンピューター
等で扱う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡＭ、
ＤＶＤ−ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量の増
大、および信号情報の高密度化が進んでおり、記録容量
が６５０ＭＢ程度のＣＤや、４．７ＧＢ程度のＤＶＤに
対し、今後、更なる高記録密度化が要求されている。こ
のような高記録密度媒体を実現するために、使用するレ
ーザー波長を青色光領域まで短波長化することが提案さ
れており、また、記録再生を行なうピックアップに用い
られる対物レンズの開口数を大きくすることで、光記録
媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さく
して高記録密度が可能になる。しかしながら、レーザー
の短波長化や対物レンズの開口数の増大などにより、ス
ポットサイズを小さくして記録密度を高める方法には限
界があり、情報記録層を片面に２層設けることによって
容量を高める技術が、例えば特許公報第２７０２９０５
号などで提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２層相
変化光ディスクは、レーザー光照射側から見て手前にあ
る記録層をレーザー光が透過しなければ、奥側にある記
録層を記録、再生できないため、ＡｇやＡｌなどの反射
層をなくすか、極薄にしなければならないという問題が
ある。また、相変化記録は、記録層にレーザー光を照射
させて急冷することにより非晶質マークを形成するが、
反射層が薄い情報層では、熱拡散が小さいため、マーク
を形成することが困難になる。さらに、ＣＤ−ＲＷなど
の相変化光ディスクに用いられているＳｂ−Ｔｅ共晶系
記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系とは違い、繰り
返し記録の際、溶融消去するために、消去比が優れてい
ることが知られているが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物を多
層光ディスクに用いた場合、手前側の記録層は、アマル
ファスマークか結晶部かによって光吸収率が違うため、
繰り返し記録するたびにアモルファスマークが歪むとい
った問題がある。さらに又、Ｓｂ−Ｔｅ系記録材を用い
て、溶融消去で繰り返し記録を行なえば、そういった問
題は生じないが、マークを形成する際、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ化合物に比べて急冷構造をとることが必要で、反射層
の薄い構造では、先ほど述べたようにマーク形成が困難
になる。
変化光ディスクは、レーザー光照射側から見て手前にあ
る記録層をレーザー光が透過しなければ、奥側にある記
録層を記録、再生できないため、ＡｇやＡｌなどの反射
層をなくすか、極薄にしなければならないという問題が
ある。また、相変化記録は、記録層にレーザー光を照射
させて急冷することにより非晶質マークを形成するが、
反射層が薄い情報層では、熱拡散が小さいため、マーク
を形成することが困難になる。さらに、ＣＤ−ＲＷなど
の相変化光ディスクに用いられているＳｂ−Ｔｅ共晶系
記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系とは違い、繰り
返し記録の際、溶融消去するために、消去比が優れてい
ることが知られているが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物を多
層光ディスクに用いた場合、手前側の記録層は、アマル
ファスマークか結晶部かによって光吸収率が違うため、
繰り返し記録するたびにアモルファスマークが歪むとい
った問題がある。さらに又、Ｓｂ−Ｔｅ系記録材を用い
て、溶融消去で繰り返し記録を行なえば、そういった問
題は生じないが、マークを形成する際、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ化合物に比べて急冷構造をとることが必要で、反射層
の薄い構造では、先ほど述べたようにマーク形成が困難
になる。
【０００４】ここで、反射層を薄くした場合、反射層が
担っていた熱拡散を補助する層を反射層の上に設けるこ
とが、例えば特開平８−５０７３９号公報、特開２００
０−２２２７７７号公報に開示されている。これらの公
報には、熱拡散補助層として、比較的熱伝導率の大き
く、光吸収率の小さな窒化物、炭化物を用いる技術が開
示されているが、これらの物質は応力が大きく、成膜し
た際クラックが生じ、また、これらを用いた光ディクは
オーバーライト特性という点で問題があった。
担っていた熱拡散を補助する層を反射層の上に設けるこ
とが、例えば特開平８−５０７３９号公報、特開２００
０−２２２７７７号公報に開示されている。これらの公
報には、熱拡散補助層として、比較的熱伝導率の大き
く、光吸収率の小さな窒化物、炭化物を用いる技術が開
示されているが、これらの物質は応力が大きく、成膜し
た際クラックが生じ、また、これらを用いた光ディクは
オーバーライト特性という点で問題があった。
【０００５】そこで本発明は上記の問題点を解決するた
めになされたもので、多層構造の相変化型光記録媒体に
おいて反射層が薄い場合でも冷却効果が得られ、オーバ
ーライト特性の優れた大容量の多層相変化型情報記録媒
体を提供することを目的とする。
めになされたもので、多層構造の相変化型光記録媒体に
おいて反射層が薄い場合でも冷却効果が得られ、オーバ
ーライト特性の優れた大容量の多層相変化型情報記録媒
体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項１記載の発明では、光の入射により結晶状
態と非晶質状態との相変化を生じて情報を記録し得る記
録層を情報層に備え、且つ該情報層を２層以上有する多
層相変化型情報記録媒体において、光が入射される側か
らみて、最も奥側に形成された情報層以外の、少なくと
も１層の情報層が、第１保護層、記録層、第２保護層、
反射層、放熱層の順からなり、前記放熱層が立方晶窒化
ホウ素からなる多層相変化型情報記録媒体を最も主要な
特徴とする。
めに、請求項１記載の発明では、光の入射により結晶状
態と非晶質状態との相変化を生じて情報を記録し得る記
録層を情報層に備え、且つ該情報層を２層以上有する多
層相変化型情報記録媒体において、光が入射される側か
らみて、最も奥側に形成された情報層以外の、少なくと
も１層の情報層が、第１保護層、記録層、第２保護層、
反射層、放熱層の順からなり、前記放熱層が立方晶窒化
ホウ素からなる多層相変化型情報記録媒体を最も主要な
特徴とする。
【０００７】請求項２記載の発明では、前記放熱層の界
面部分が六方晶窒化ホウ素である請求項１記載の多層相
変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
面部分が六方晶窒化ホウ素である請求項１記載の多層相
変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
【０００８】請求項３記載の発明では、前記放熱層の厚
さが２０〜２００ｎｍである請求項１又は２記載の多層
相変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
さが２０〜２００ｎｍである請求項１又は２記載の多層
相変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
【０００９】請求項４記載の発明では、前記放熱層界面
の六方晶窒化ホウ素の厚さが１０ｎｍ以下である請求項
１、２又は３記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な
特徴とする。
の六方晶窒化ホウ素の厚さが１０ｎｍ以下である請求項
１、２又は３記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な
特徴とする。
【００１０】請求項５記載の発明では、前記記録層が、
Ｓｂ、Ｔｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ
ｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少な
くとも１種を含む請求項１、２、３又は４記載の多層相
変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
Ｓｂ、Ｔｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ
ｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少な
くとも１種を含む請求項１、２、３又は４記載の多層相
変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
【００１１】請求項６記載の発明では、前記記録層の厚
さが、３〜１５ｎｍである請求項１、２、３、４又は５
記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
さが、３〜１５ｎｍである請求項１、２、３、４又は５
記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
【００１２】請求項７記載の発明では、前記反射層が、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を
主成分とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の多
層相変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を
主成分とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の多
層相変化型情報記録媒体を主要な特徴とする。
【００１３】請求項８記載の発明では、前記反射層の厚
さが、３〜２０ｎｍである請求項１、２、３、４、５、
６又は７記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な特徴
とする。
さが、３〜２０ｎｍである請求項１、２、３、４、５、
６又は７記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な特徴
とする。
【００１４】請求項９記載の発明では、前記第２保護層
が、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化
物の少なくとも１種を含む請求項１、２、３、４、５、
６、７又は８記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な
特徴とする。
が、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化
物の少なくとも１種を含む請求項１、２、３、４、５、
６、７又は８記載の多層相変化型情報記録媒体を主要な
特徴とする。
【００１５】請求項１０記載の発明では、前記第２保護
層の厚さが、３〜４０ｎｍである請求項１、２、３、
４、５、６、７、８又は９記載の多層相変化型情報記録
媒体を主要な特徴とする。
層の厚さが、３〜４０ｎｍである請求項１、２、３、
４、５、６、７、８又は９記載の多層相変化型情報記録
媒体を主要な特徴とする。
【００１６】請求項１１記載の発明では、前記第１保護
層の厚さが、６０〜２００ｎｍである請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９又は１０記載の多層相変化
型情報記録媒体を主要な特徴とする。
層の厚さが、６０〜２００ｎｍである請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９又は１０記載の多層相変化
型情報記録媒体を主要な特徴とする。
【００１７】請求項１２記載の発明では、光が入射され
る側からみて、最も奥側に形成された情報層以外の情報
層の、記録再生を行なう波長に対する透過率が４０〜７
０％である請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０又は１１記載の多層相変化型情報記録媒体を主
要な特徴とする。
る側からみて、最も奥側に形成された情報層以外の情報
層の、記録再生を行なう波長に対する透過率が４０〜７
０％である請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０又は１１記載の多層相変化型情報記録媒体を主
要な特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の多層相
変化型情報記録媒体の実施の形態を詳細に説明する。図
１は、本発明の一実施形態に係わる２層情報記録媒体の
概略断面図である。
変化型情報記録媒体の実施の形態を詳細に説明する。図
１は、本発明の一実施形態に係わる２層情報記録媒体の
概略断面図である。
【００１９】図１において光透過層３の上に、第１情報
層１、透明層４、第２情報層２、保護基板５を順次蓄積
した構造からなるものである。第１情報層１は、光透過
層３から順に第１保護層１１、記録層１２、第２保護層
１３、反射層１４、放熱層１５からなり、第２情報層２
は、透明層４から順に第１保護層２１、記録層２２、第
２保護層２３、反射層２４からなる。尚、本発明は、上
記構成になんら限定されるものではない。
層１、透明層４、第２情報層２、保護基板５を順次蓄積
した構造からなるものである。第１情報層１は、光透過
層３から順に第１保護層１１、記録層１２、第２保護層
１３、反射層１４、放熱層１５からなり、第２情報層２
は、透明層４から順に第１保護層２１、記録層２２、第
２保護層２３、反射層２４からなる。尚、本発明は、上
記構成になんら限定されるものではない。
【００２０】光透過層３、透明層４の材料は通常ガラ
ス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形
性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコー
ン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂な
どが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優
れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。光透過
層３あるいは透明層４には案内溝などの凹凸パターンが
形成されており、射出成形または、フォトポリマー法に
よって成形される。透明層４は、記録再生を行なう際
に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別
し、光学的に分離可能とする厚さであり、２０〜５０μ
ｍが好ましい。２０μｍより薄いと、層間クロストーク
が生じてしまう。５０μｍより厚いと、第２情報記録層
を記録再生する際に、球面収差が発生し、記録再生が困
難になってしまう。
ス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形
性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコー
ン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂な
どが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優
れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。光透過
層３あるいは透明層４には案内溝などの凹凸パターンが
形成されており、射出成形または、フォトポリマー法に
よって成形される。透明層４は、記録再生を行なう際
に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別
し、光学的に分離可能とする厚さであり、２０〜５０μ
ｍが好ましい。２０μｍより薄いと、層間クロストーク
が生じてしまう。５０μｍより厚いと、第２情報記録層
を記録再生する際に、球面収差が発生し、記録再生が困
難になってしまう。
【００２１】記録層１２、２２の材料としては、Ｇｅ−
Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系など
のカルコゲン系合金薄膜を用いることが多いが、Ｓｂ−
Ｔｅ共晶系薄膜が、記録（アモルファス化）感度・速
度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料とし
て適している。これらの記録層材料にはさらなる性能向
上、信頼性向上などを目的にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅなど他の
元素や不純物を添加することができる。無機材料を用い
た記録膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。記録層１２の厚さは、３〜１５ｎｍ
であることが好ましい。３ｎｍ以下だと、均一な膜にす
るのが困難となる。１５ｎｍ以上だと、透過率が低下し
てしまう。
Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系など
のカルコゲン系合金薄膜を用いることが多いが、Ｓｂ−
Ｔｅ共晶系薄膜が、記録（アモルファス化）感度・速
度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材料とし
て適している。これらの記録層材料にはさらなる性能向
上、信頼性向上などを目的にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅなど他の
元素や不純物を添加することができる。無機材料を用い
た記録膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。記録層１２の厚さは、３〜１５ｎｍ
であることが好ましい。３ｎｍ以下だと、均一な膜にす
るのが困難となる。１５ｎｍ以上だと、透過率が低下し
てしまう。
【００２２】反射層１４、２４としては、Ａｌ、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属材料、またはそれらの
合金などを用いることができる。また、添加元素として
は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。
このような反射層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量
産性、膜質等に優れている。反射層２４は、５０〜２０
０ｎｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５
０ｎｍより薄くなると繰り返し記録特性が低下し、２０
０ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる。反射層１４
の厚さは、３〜２０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ
より薄いと、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難に
なる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報
層の記録再生が困難になる。
Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属材料、またはそれらの
合金などを用いることができる。また、添加元素として
は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。
このような反射層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量
産性、膜質等に優れている。反射層２４は、５０〜２０
０ｎｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５
０ｎｍより薄くなると繰り返し記録特性が低下し、２０
０ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる。反射層１４
の厚さは、３〜２０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ
より薄いと、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難に
なる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報
層の記録再生が困難になる。
【００２３】保護層１１、１３、２１、２３は記録層１
２、２２の劣化変質を防ぎ、記録層１２、２２の接着強
度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するも
ので、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属酸化
物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔ
ａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダ
イヤモンドライクカーボンあるいは、それらの混合物が
挙げられる。これらの材料は、単体で保護膜とすること
もできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に
応じて不純物を含んでもよい。保護膜の融点は記録層よ
りも高いことが必要である。このような保護膜は、各種
気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかで
も、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れてい
る。第１保護層１１の厚さは、６０〜２００ｎｍである
ことが好ましい。６０ｎｍ以下であると、記録時の熱に
よって、基板を破壊してしまう恐れがある。２００ｎｍ
より厚いと、量産性に問題が生じてくる。これらの範囲
で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を行なう。
２、２２の劣化変質を防ぎ、記録層１２、２２の接着強
度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するも
ので、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属酸化
物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、
ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔ
ａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダ
イヤモンドライクカーボンあるいは、それらの混合物が
挙げられる。これらの材料は、単体で保護膜とすること
もできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に
応じて不純物を含んでもよい。保護膜の融点は記録層よ
りも高いことが必要である。このような保護膜は、各種
気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかで
も、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れてい
る。第１保護層１１の厚さは、６０〜２００ｎｍである
ことが好ましい。６０ｎｍ以下であると、記録時の熱に
よって、基板を破壊してしまう恐れがある。２００ｎｍ
より厚いと、量産性に問題が生じてくる。これらの範囲
で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を行なう。
【００２４】第２保護層１３の膜厚は、３〜４０ｎｍで
あることが好ましい。３ｎｍより薄いと、記録感度が低
下してしまう。４０ｎｍより厚いと、放熱効果が得られ
なくなってしまう。
あることが好ましい。３ｎｍより薄いと、記録感度が低
下してしまう。４０ｎｍより厚いと、放熱効果が得られ
なくなってしまう。
【００２５】次に、本発明の特徴をなす部分である放熱
層について説明する。放熱層としては、レーザー照射さ
れた記録膜を急冷させるために、熱伝導率が大きいこと
が望まれる。また、奥側の情報層が記録再生できるよ
う、記録再生を行なう波長での吸収率が小さいことが望
まれる。これらの特性を満たし、放熱層として優れた特
性を持つ材料を検討した結果、立方晶窒化ホウ素が最適
であることを本発明者らは見出した。また、反射層１４
および透明層４との界面部分としては、六方晶窒化ホウ
素であることが好ましい。界面部分が六方晶窒化ホウ素
であれば、放熱層内部の応力が低減され、オーバーライ
ト特性が良好となる。放熱層１５の膜厚は、２０〜２０
０ｎｍが好ましい。２０ｎｍより薄いと、放熱効果が得
られなくなる。２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が
生じる。また、六方晶窒化ホウ素の厚さとしては、１０
ｎｍ以下であることが好ましい。六方晶窒化ホウ素は、
立法晶窒化ホウ素に比べて熱伝導率が小さいので、１０
ｎｍより厚いと、放熱層としての機能が劣化してしま
う。立方晶窒化ホウ素の好ましい成膜法としては、大き
な制約はないが、ホウ素の電子ビーム蒸着と窒素のイオ
ンビームを組み合わせたｉｏｎ ｂｅａｍ ａｎｄ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ（ＩＶ
Ｄ ｍｅｔｈｏｄ）を用いるのが良い。
層について説明する。放熱層としては、レーザー照射さ
れた記録膜を急冷させるために、熱伝導率が大きいこと
が望まれる。また、奥側の情報層が記録再生できるよ
う、記録再生を行なう波長での吸収率が小さいことが望
まれる。これらの特性を満たし、放熱層として優れた特
性を持つ材料を検討した結果、立方晶窒化ホウ素が最適
であることを本発明者らは見出した。また、反射層１４
および透明層４との界面部分としては、六方晶窒化ホウ
素であることが好ましい。界面部分が六方晶窒化ホウ素
であれば、放熱層内部の応力が低減され、オーバーライ
ト特性が良好となる。放熱層１５の膜厚は、２０〜２０
０ｎｍが好ましい。２０ｎｍより薄いと、放熱効果が得
られなくなる。２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が
生じる。また、六方晶窒化ホウ素の厚さとしては、１０
ｎｍ以下であることが好ましい。六方晶窒化ホウ素は、
立法晶窒化ホウ素に比べて熱伝導率が小さいので、１０
ｎｍより厚いと、放熱層としての機能が劣化してしま
う。立方晶窒化ホウ素の好ましい成膜法としては、大き
な制約はないが、ホウ素の電子ビーム蒸着と窒素のイオ
ンビームを組み合わせたｉｏｎ ｂｅａｍ ａｎｄ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ（ＩＶ
Ｄ ｍｅｔｈｏｄ）を用いるのが良い。
【００２６】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるもの
ではない。
るが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるもの
ではない。
【００２７】［実施例］直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ
で表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ
ポリカーボネート基板上に第１保護層、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ
70Ｔｅ22からなる６ｎｍの記録層、第２保護層、ＡｇＰ
ｄＣｕからなる１０ｎｍの反射層、六方晶窒化ホウ素、
立法晶窒化ホウ素からなる１００ｎｍの放熱層の順に製
膜し、第１情報層を形成した。この第１記録層上に、２
Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍａｒｉｚａｔｉｏｎ）法に
よって、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ
透明層を形成した。透明層の厚さは４０μｍである。さ
らにその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる６０ｎｍの第
１保護膜、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ70Ｔｅ22からなる１２ｎｍの
記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１５ｎｍの第２保護
層、ＡｌＴｉからなる１５０ｎｍの反射層の順に製膜
し、第２情報層を形成した。製膜方法は、窒化ホウ素膜
以外はＡｒガス雰囲気中のスパッタ法であり、窒化ホウ
素はＩＶＤ法である。その上に、スピンコーターを用い
てオーバーコート層を設けて２層相変化型情報記録媒体
を作成した。ついで、大口径の半導体レーザーを有する
初期化装置によって、ディスクの記録層の初期化処理を
行なった。
で表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ
ポリカーボネート基板上に第１保護層、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ
70Ｔｅ22からなる６ｎｍの記録層、第２保護層、ＡｇＰ
ｄＣｕからなる１０ｎｍの反射層、六方晶窒化ホウ素、
立法晶窒化ホウ素からなる１００ｎｍの放熱層の順に製
膜し、第１情報層を形成した。この第１記録層上に、２
Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍａｒｉｚａｔｉｏｎ）法に
よって、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ
透明層を形成した。透明層の厚さは４０μｍである。さ
らにその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる６０ｎｍの第
１保護膜、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ70Ｔｅ22からなる１２ｎｍの
記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１５ｎｍの第２保護
層、ＡｌＴｉからなる１５０ｎｍの反射層の順に製膜
し、第２情報層を形成した。製膜方法は、窒化ホウ素膜
以外はＡｒガス雰囲気中のスパッタ法であり、窒化ホウ
素はＩＶＤ法である。その上に、スピンコーターを用い
てオーバーコート層を設けて２層相変化型情報記録媒体
を作成した。ついで、大口径の半導体レーザーを有する
初期化装置によって、ディスクの記録層の初期化処理を
行なった。
【００２８】作成されたメディアについて下記条件で記
録した。 レーザー波長 ４０７ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速 ６．５ｍ／ｓ トラックピッチ ０．４０μｍ 線密度０．２０μｍ／ｂｉｔ
録した。 レーザー波長 ４０７ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速 ６．５ｍ／ｓ トラックピッチ ０．４０μｍ 線密度０．２０μｍ／ｂｉｔ
【００２９】ライトパワーを７〜１２ｍＷまで１ｍＷず
つ変化させ、記録性能を評価した。リードパワーは０．
６ｍＷとした。その結果、１０〜１２ｍＷでＣ／Ｎ４５
ｄＢ以上の信号が得られた。また、３Ｔマークを書きこ
んだ上に１１Ｔマークをオーバーライトし、消去比を評
価したところ、イレースパワー５．５ｍＷ以上で消去比
３５ｄＢ以上が得られた。１０００回以上のオーバーラ
イトを繰り返しても、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上を得ることが
出来、特性劣化は認められなかった。各層の膜厚を請求
項の範囲内で変化させても、上記特性を得ることができ
た。
つ変化させ、記録性能を評価した。リードパワーは０．
６ｍＷとした。その結果、１０〜１２ｍＷでＣ／Ｎ４５
ｄＢ以上の信号が得られた。また、３Ｔマークを書きこ
んだ上に１１Ｔマークをオーバーライトし、消去比を評
価したところ、イレースパワー５．５ｍＷ以上で消去比
３５ｄＢ以上が得られた。１０００回以上のオーバーラ
イトを繰り返しても、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上を得ることが
出来、特性劣化は認められなかった。各層の膜厚を請求
項の範囲内で変化させても、上記特性を得ることができ
た。
【００３０】［比較例１］直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍ
ｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持
つポリカーボネート基板上に第１保護層、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓ
ｂ70Ｔｅ22からなる６ｎｍの記録層、第２保護層、Ａｇ
ＰｄＣｕからなる１０ｎｍの反射層、ＡｌＮからなる１
００ｎｍの放熱層の順にマグネトロンスパッタ方で製膜
し、第１情報層を形成した。この第１記録層上に、２Ｐ
（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍａｒｉｚａｔｉｏｎ）法によ
って、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ透
明層を形成した。透明層の厚さは４０μｍである。さら
にその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ 2からなる６０ｎｍの第１
保護膜、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ70Ｔｅ22からなる１２ｎｍの記
録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１５ｎｍの第２保護
層、ＡｌＴｉからなる１５０ｎｍの反射層の順に製膜
し、第２情報層を形成した。製膜方法はＡｒガス雰囲気
中のスパッタ法である。その上に、スピンコーターを用
いてオーバーコート層を設けて２層相変化型情報記録媒
体を作成した。ついで、大口径の半導体レーザーを有す
る初期化装置によって、ディスクの記録層の初期化処理
を行なった。
ｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持
つポリカーボネート基板上に第１保護層、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓ
ｂ70Ｔｅ22からなる６ｎｍの記録層、第２保護層、Ａｇ
ＰｄＣｕからなる１０ｎｍの反射層、ＡｌＮからなる１
００ｎｍの放熱層の順にマグネトロンスパッタ方で製膜
し、第１情報層を形成した。この第１記録層上に、２Ｐ
（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍａｒｉｚａｔｉｏｎ）法によ
って、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ透
明層を形成した。透明層の厚さは４０μｍである。さら
にその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ 2からなる６０ｎｍの第１
保護膜、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ70Ｔｅ22からなる１２ｎｍの記
録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１５ｎｍの第２保護
層、ＡｌＴｉからなる１５０ｎｍの反射層の順に製膜
し、第２情報層を形成した。製膜方法はＡｒガス雰囲気
中のスパッタ法である。その上に、スピンコーターを用
いてオーバーコート層を設けて２層相変化型情報記録媒
体を作成した。ついで、大口径の半導体レーザーを有す
る初期化装置によって、ディスクの記録層の初期化処理
を行なった。
【００３１】作成されたメディアについて下記条件で記
録した。 レーザー波長 ４０７ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速 ６．５ｍ／ｓ トラックピッチ ０．４０μｍ 線密度０．２０μｍ／ｂｉｔ
録した。 レーザー波長 ４０７ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速 ６．５ｍ／ｓ トラックピッチ ０．４０μｍ 線密度０．２０μｍ／ｂｉｔ
【００３２】ライトパワーを７〜１２ｍＷまで１ｍＷず
つ変化させ、記録性能を評価した。リードパワーは０．
６ｍＷとした。その結果、１０〜１２ｍＷでＣ／Ｎ４５
ｄＢ以上の信号が得られた。また、３Ｔマークを書きこ
んだ上に１１Ｔマークをオーバーライトし、消去比を評
価したところ、イレースパワー６ｍＷ以上で消去比３５
ｄＢ以上が得られた。しかしながら、１０００回以上の
オーバーライトを繰り返したところ、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以
上を得ることは出来なかった。
つ変化させ、記録性能を評価した。リードパワーは０．
６ｍＷとした。その結果、１０〜１２ｍＷでＣ／Ｎ４５
ｄＢ以上の信号が得られた。また、３Ｔマークを書きこ
んだ上に１１Ｔマークをオーバーライトし、消去比を評
価したところ、イレースパワー６ｍＷ以上で消去比３５
ｄＢ以上が得られた。しかしながら、１０００回以上の
オーバーライトを繰り返したところ、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以
上を得ることは出来なかった。
【００３３】［比較例２］直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍ
ｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持
つポリカーボネート基板上に第１保護層、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓ
ｂ70Ｔｅ22からなる６ｎｍの記録層、第２保護層、Ａｇ
ＰｄＣｕからなる１０ｎｍの反射層の順にマグネトロン
スパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。この第１
記録層上に、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍａｒｉｚａ
ｔｉｏｎ）法によって、連続溝によるトラッキングガイ
ドの凹凸を持つ透明層を形成した。透明層の厚さは４０
μｍである。さらにその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からな
る６０ｎｍの第１保護膜、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ70Ｔｅ22から
なる１２ｎｍの記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１５
ｎｍの第２保護層、ＡｌＴｉからなる１５０ｎｍの反射
層の順に製膜し、第２情報層を形成した。製膜方法はＡ
ｒガス雰囲気中のスパッタ法である。その上に、スピン
コーターを用いてオーバーコート層を設けて２層相変化
型情報記録媒体を作成した。ついで、大口径の半導体レ
ーザーを有する初期化装置によって、ディスクの記録層
の初期化処理を行なった。
ｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持
つポリカーボネート基板上に第１保護層、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓ
ｂ70Ｔｅ22からなる６ｎｍの記録層、第２保護層、Ａｇ
ＰｄＣｕからなる１０ｎｍの反射層の順にマグネトロン
スパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。この第１
記録層上に、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍａｒｉｚａ
ｔｉｏｎ）法によって、連続溝によるトラッキングガイ
ドの凹凸を持つ透明層を形成した。透明層の厚さは４０
μｍである。さらにその上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からな
る６０ｎｍの第１保護膜、Ａｇ1Ｉｎ7Ｓｂ70Ｔｅ22から
なる１２ｎｍの記録層、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１５
ｎｍの第２保護層、ＡｌＴｉからなる１５０ｎｍの反射
層の順に製膜し、第２情報層を形成した。製膜方法はＡ
ｒガス雰囲気中のスパッタ法である。その上に、スピン
コーターを用いてオーバーコート層を設けて２層相変化
型情報記録媒体を作成した。ついで、大口径の半導体レ
ーザーを有する初期化装置によって、ディスクの記録層
の初期化処理を行なった。
【００３４】作成されたメディアについて下記条件で記
録した。 レーザー波長 ４０７ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速 ６．５ｍ／ｓ トラックピッチ ０．４０μｍ 線密度０．２０μｍ／ｂｉｔ
録した。 レーザー波長 ４０７ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速 ６．５ｍ／ｓ トラックピッチ ０．４０μｍ 線密度０．２０μｍ／ｂｉｔ
【００３５】ライトパワーを７〜１２ｍＷまで１ｍＷず
つ変化させ、記録性能を評価した。リードパワーは０．
６ｍＷとした。その結果、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上を得るこ
とは出来なかった。
つ変化させ、記録性能を評価した。リードパワーは０．
６ｍＷとした。その結果、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上を得るこ
とは出来なかった。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、放熱層
に立方晶窒化ホウ素を用いることにより、反射層を薄く
した場合でも記録層を急冷し得るので、記録信号のＣ／
Ｎ比を向上させることできると共に、繰り返し記録特性
を向上させることができる。
に立方晶窒化ホウ素を用いることにより、反射層を薄く
した場合でも記録層を急冷し得るので、記録信号のＣ／
Ｎ比を向上させることできると共に、繰り返し記録特性
を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係わる２層情報記録媒体
の概略断面図である。
の概略断面図である。
１ 第１情報層（情報層）
２ 第２情報層（情報層）
１１ 第１保護層
１２ 記録層
１３ 第２保護層
１４ 反射層
１５ 放熱層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｌ
５３４Ｍ
５３５ ５３５Ｇ
５３８ ５３８Ｅ
５３８Ｆ
Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB13 JB18 JC04 LA14
LA15 LA16 LB07 MA13 MA14
MA27
Claims (12)
- 【請求項１】 光の入射により結晶状態と非晶質状態と
の相変化を生じて情報を記録し得る記録層を情報層に備
え、且つ該情報層を２層以上有する多層相変化型情報記
録媒体において、光が入射される側からみて、最も奥側
に形成された情報層以外の、少なくとも１層の情報層
が、第１保護層、記録層、第２保護層、反射層、放熱層
の順からなり、前記放熱層が立方晶窒化ホウ素からなる
ことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記放熱層の界面部分が六方晶窒化ホウ
素であることを特徴とする請求項１記載の多層相変化型
情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記放熱層の厚さが２０〜２００ｎｍで
あることを特徴とする請求項１又は２記載の多層相変化
型情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記放熱層界面の六方晶窒化ホウ素の厚
さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１、２
又は３記載の多層相変化型情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録層が、Ｓｂ、Ｔｅを主体とし、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐの少なくとも１種を含むこと
を特徴とする請求項１、２、３又は４記載の多層相変化
型情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記記録層の厚さが、３〜１５ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の
多層相変化型情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、
Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とすることを特徴
とする請求項１、２、３、４、５又は６記載の多層相変
化型情報記録媒体。 - 【請求項８】 前記反射層の厚さが、３〜２０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は
７記載の多層相変化型情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記第２保護層が、窒化物、酸化物、硫
化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含
むことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７
又は８記載の多層相変化型情報記録媒体。 - 【請求項１０】 前記第２保護層の厚さが、３〜４０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、
６、７、８又は９記載の多層相変化型情報記録媒体。 - 【請求項１１】 前記第１保護層の厚さが、６０〜２０
０ｎｍであることを特徴とする請求項１、２、３、４、
５、６、７、８、９又は１０記載の多層相変化型情報記
録媒体。 - 【請求項１２】 光が入射される側からみて、最も奥側
に形成された情報層以外の情報層の、記録再生を行なう
波長に対する透過率が４０〜７０％であることを特徴と
する請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０
又は１１記載の多層相変化型情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035377A JP2003242687A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 多層相変化型情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035377A JP2003242687A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 多層相変化型情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003242687A true JP2003242687A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27777580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002035377A Pending JP2003242687A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 多層相変化型情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003242687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601481B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-10-13 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer phase-change information recording medium, and method for recording and reproducing using the same |
| US8072863B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-12-06 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
-
2002
- 2002-02-13 JP JP2002035377A patent/JP2003242687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601481B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-10-13 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer phase-change information recording medium, and method for recording and reproducing using the same |
| US8072863B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-12-06 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
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|---|---|---|---|
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