JP3664403B2 - 相変化型光記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光を照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせて情報の記録、再生を行い、かつ書換えが可能な相変化型光記録媒体に関するものである。

現在のＤＶＤ系の記録材料に関しては、２．５倍速（約８．５ｍ／ｓ）のスピード記録ができるシステムが開発され、更に高速記録の要求が高まっている。現在、ＤＶＤ＋ＲＷに使用されている相変化記録材料は、ＣＤ−ＲＷに採用されているＡｇＩｎＳｂＴｅ系高速記録材料を改良し、高線速まで記録消去を可能にしたものである。この材料系は、高線速記録領域の記録スピードに対応するためＳｂの含有量をＣＤ−ＲＷ対応の記録材料より多くしたものであるが、高Ｓｂ組成比の材料は結晶化スピードを促進するものの、結晶化温度が低下するという問題がある。結晶化温度の低下は、保存信頼性の悪化につながることが実験により確認されている。ディスクの保存信頼性の問題は、記録材料中のＡｇの増加、或いはＧｅなどの第５元素の添加により、実用上問題にならない程度に抑えられているが、更なる高線速記録を達成するためにＳｂ量を増加すると、分相が生じ記録層は相変化層として機能しなくなってしまう。このときの限界記録スピードは１８ｍ／ｓ程度と推定されている。

本発明者らは、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系に変わる次世代の高速記録用材料としてＧａＳｂ材料系に着目し研究を続けてきた。ＧａＳｂ共晶組成近傍はＳｂ量が多いので結晶化速度が速く、また、ＧａとＳｂの結合力が大きく、アモルファス相を熱的に結晶化させるために共有結合を切ってネットワークを組み替えるのに大きなエネルギーを必要とするので、アモルファスマークの安定性にも優れている。本発明者らは、このＧａＳｂ共晶組成を記録材料に用いた光記録媒体がＤＶＤ８倍速の高線速において繰り返し記録可能であることを第１４回相変化記録研究会シンポジウムにおいて報告した（非特許文献１参照）。
その後、ＧａＳｂ共晶組成近傍よりも初期結晶化が容易で変調度が大きくなる材料として、Ｓｎを含む記録材料が特に良いことが分ったが、Ｓｎを添加すると長期保存後反射率が著しく低下するという問題が起こる。

上記以外の公知技術としては、特許文献１に、ＧａＳｂ又はＩｎＳｂの組成比５０：５０近傍の合金に金属又はカルコゲナイド元素Ｍを添加した記録材料を用いることが開示されており、ＧａＳｂ又はＩｎＳｂだけでは結晶化速度が速すぎてアモルファス化することができないが、これに金属又はカルコゲナイド元素Ｍを添加することにより結晶化速度を遅くすることができ、結晶−アモルファス間の相転移を用いた情報記録が行なえると記載されている。しかしながら、Ｇａ_５０Ｓｂ_５０組成近傍の合金は融点が７１０℃、結晶化温度が３５０℃と高く、現在市販されている初期化装置ではパワーが足りないため、初期結晶化させようとしても周内での均一な結晶状態が得られず反射率が不均一となる。反射率が不均一な状態でマークを記録すると信号のノイズが大きく、特にＤＶＤのように高密度で信号を記録することは困難である。

また、特許文献２には、ＧａＳｂを主成分とする合金を記録材料として用いた相変化型光記録媒体が開示されているが、この光記録媒体は、結晶−結晶間の相変化を用いて情報を記録するものであって、変調度は最良でも２９％であり実用上問題がある。また、「Ｇａが２０％未満の場合には、レーザ光照射部に気泡が生じたのが原因と思われる盛り上がりができるため、反射率の変化するレベルが不安定になり実用上問題がある。」との記載がある。更に、結晶−結晶間の相変化では、結晶粒径の違いによる反射率差を利用するため、微小なマークを記録する必要がある高密度の情報記録には不向きであり、この光記録媒体にＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の密度で情報を記録することは困難である。
また、特許文献３〜４には、組成式がＩｎｘＳｂｙＳｎｚ（５≦ｘ≦２５、４５≦ｙ≦８０、１０≦ｚ≦３８）で表される記録材料を用いた追記型光記録媒体が開示されているが、本発明の書換え型光記録媒体とは異なる。
また、特許文献５には、組成式がＣｕｘＳｂｙＴｅ（１００−ｘ−ｙ）、〔但し、５≦ｘ≦２０、４０≦ｘ≦５５〕で表される記録材料を用いた光記録媒体が開示されているが、低パワーの半導体レーザで記録、消去の多数回繰り返し後も劣化が少なく、比較的低速の光ビーム走査速度でも安定に記録可能である光記録媒体の提供を目的としたものであって、高速記録を目的とする本発明とは異なる。

米国特許第４８１８６６６号明細書 特開昭６１−１６８１４５号公報 特開平９−２８６１７４号公報 特開平９−２８６１７５号公報 特第第２８６７３９０号公報 第１４回相変化記録研究会シンポジウム予稿集 ｐ１１、"Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＧａＳｂ Ｐｈａｓｅ−Ｃｈａｎｇｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ ｏｆ Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ Ｍｅｄｉａ"）

本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が１０倍速（３５ｍ／ｓ）でも変調度が大きくオーバーライト記録が可能であり、かつ長期保存後も反射率変動が少なくオーバーライト記録が可能な相変化型光記録媒体の提供を目的とする。

前記シンポジウムで発表した光記録媒体の問題点を考慮しつつ、高速記録可能な光記録媒体の実用化に向けて更なる検討を重ねた結果、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｕで構成される特定組成の記録材料を用いれば、上記課題を解決できることが分った。
即ち、上記課題は、次の１）〜５）の発明（以下、本発明１〜５という）によって解決される。
１） 基板上に、少なくとも第一中間層、記録層、第二中間層、反射層をこの順に有し、該記録層が、ＧａαＳｎβＩｎγＣｕδＳｂε（但し、５≦α≦２０、２≦β≦２０、２≦γ≦２０、２≦δ≦２０、４０≦ε≦８０、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％）で示される組成の合金からなり、記録層の非晶質（アモルファス）相と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録・消去可能であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２） ８≦α≦１６、５≦β≦１５、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５、５５≦ε≦７５（α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％）であることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３） 反射層が、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする１）又は２）記載の相変化型光記録媒体。
４） 反射層の膜厚が６０〜３００ｎｍであることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５） 反射層の膜厚が１２０〜２５０ｎｍであることを特徴とする４）記載の相変化型光記録媒体。

以下、上記本発明について詳細に説明する。
書換え可能な相変化型光記録媒体は、レーザ光を照射することにより記録層を加熱し、記録層を結晶相とアモルファス相の間で相変化させることにより信号を記録・消去するものである。結晶相とアモルファス相では反射率が異なるが、通常は未記録状態を高反射率の結晶相とし、この結晶相に高パワーのレーザパルスを照射して加熱し次いで急冷することにより低反射率であるアモルファスマークを信号として記録する。
ＧａＳｂ共晶組成近傍の材料は高速結晶化が可能であり、且つ、ＧａとＳｂの結合力が大きく、アモルファス相を熱的に結晶化させるため共有結合を切ってネットワークを組み替えるのに大きなエネルギーを必要とするので、アモルファスマークの安定性に優れている。しかしその反面、ＧａＳｂは結晶化温度が高いため、製膜時に記録層をアモルファス相から未記録状態の結晶にするための初期化工程における初期結晶化が難しいという欠点がある。

本発明者らは、このＧａＳｂの２元素を母相とし、更にＳｎを添加することにより、結晶化温度が高く初期結晶化が困難なＧａＳｂの欠点を解消すると共に、更なる高速結晶化及び十分な変調度を得ることに成功した。しかし、前述したようにＧａＳｂにＳｎを添加するとＧａＳｂの欠点は解消されるが、新たな問題として、Ｓｎ量が多くなるほど未記録状態の結晶相が高反射率の結晶相より反射率の低い低反射率結晶相への相転移が起こり易くなり、長期保存後に著しく結晶の反射率が低下するという問題が生じることが分った。
未記録状態の結晶の反射率が変化すると光学特性が大きく変わり、同じ記録条件で信号を記録することが困難となってしまう。実際に市販されている書換え型ドライブでは、作製してすぐの光記録媒体に合わせて記録条件を決めており、長期保存後に反射率が大きく変化してしまう光記録媒体には信号を記録できなくなってしまうため、このような光記録媒体を製品として市販することはできない。

ＧａＳｂＳｎに反射率低下が見られる理由としては、レーザ光照射後の結晶には空孔が多数存在し結晶に歪みがある状態であり、この歪みが時間と共に緩和されレーザ光照射後の結晶よりも低い反射率を示す低反射率結晶相へ変化することが考えられる。そこで、この問題を解決するため鋭意検討した結果、ＧａＳｂＳｎにＣｕ及びＩｎを添加すれば長期保存後の反射率低下を抑えられることが分った。これは、Ｃｕ及びＩｎを添加すると、ＧａＳｂＳｎに見られた空孔をＣｕ及びＩｎが埋めるので歪みの少ない結晶になり、反射率低下が起り難くなるためと思われる。Ｃｕのみの添加では、反射率低下は抑えられても結晶化速度が遅くなるため記録線速１０倍速（３５ｍ／ｓ）で繰り返し記録を行なうのは難しいが、ＣｕとＩｎを組み合わせて用いることにより、速い結晶化速度と小さい反射率変動を両立させることができる。

ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速１０倍速（３５ｍ／ｓ）でオーバーライト記録するには、本発明１で規定する組成の記録材料を用いる必要がある。Ｇａが５原子％未満ではアモルファス相の安定性が悪くなり、２０原子％を超えると結晶化速度が遅くなり過ぎてＤＶＤ１０倍速での繰り返し記録ができなくなる。またＳｎが２原子％未満では均一な初期結晶化を行なうことができず、２０原子％を超えると結晶化速度が速くなり過ぎてアモルファス化が困難になる。またＣｕが２原子％未満では長期保存後の反射率変動が大きくなり、２０原子％を超えると結晶化速度が遅くなり過ぎて、ＤＶＤ１０倍速での繰り返し記録ができなくなる。Ｉｎが２原子％未満ではＤＶＤ１０倍速での繰り返し記録特性が悪くなり、２０原子％を超えると結晶化速度が速くなり過ぎてアモルファス化が困難になる。Ｓｂが４０％未満ではアモルファス化が困難であり、Ｓｂが８０％を越えると初期化後の周内均一性が悪くなる。
更に、本発明２で規定する組成の記録材料を用いれば、ＤＶＤ１０倍速でより良い繰り返し特性を得ることができる。
記録層の膜厚は通常１０〜３０ｎｍ程度とする。１０ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能を失う。また、３０ｎｍを超えると記録感度が悪くなる。好ましくは１０〜２０ｎｍである。

図１に本発明の光記録媒体の基本的な層構成を示す。
基板上にスパッタ法によって第一中間層、相変化記録層、第二中間層、反射層がこの順に設けられ、更にスピンコート法により塗布されたＵＶ硬化樹脂からなる保護層が積層されている。更に、その上に光記録媒体の補強又は保護のために、別の基板を貼り合わせてもよい。
基板材料としては一般にガラス、セラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性、コストの点から樹脂製基板が望ましい。樹脂の例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カード状、シート状などの何れであってもよい。基板の厚さは、１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．１ｍｍ等任意のものが使用できる。

第一中間層及び第二中間層の材料としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２等の金属酸化物；ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ等の窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_３等の硫化物；ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物；或いはそれらの混合物が挙げられる。
第一中間層は、基板から水分等の不純物が記録層に混入しないように記録層を保護する役目、基板に熱的ダメージを与えないようにする役目、光学的特性を調整する役目等を担うので、水分を透過し難く、耐熱性がよく、吸収率ｋが小さく、屈折率ｎが大きい材料がよい。更に、記録層の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、高線速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが望ましい。これらの物性を満足する好ましい材料としては（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０が挙げられる。
第一中間層の膜厚は、通常４０〜５００ｎｍとする。好ましくは６０〜２００ｎｍである。４０ｎｍ未満では、記録層が加熱されたときに、同時に基板も加熱されてしまうため基板が変形してしまう。５００ｎｍを超えると基板と第一中間層の界面で剥離が生じ易くなるので好ましくない。
第二中間層は、記録層の熱的な特性を調整する役目を担う。第二中間層の膜厚を薄くすると熱は逃げ易くなり、膜厚を厚くすると熱が逃げ難くなる。また記録層及び反射層との密着性が良いこと、耐熱性が高いことなどが要求される。更に、記録層の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、高線速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが望ましい。これらの物性を満足する好ましい材料としては、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０が挙げられる。
第二中間層の膜厚は、通常５〜１００ｎｍとする。好ましくは、５〜２０ｎｍである。１００ｎｍを超えると熱が篭りすぎてアモルファス相を形成し難くなり、５ｎｍ未満では記録感度が悪くなる。

反射層には、熱伝導率が高いＡｇ又はＡｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｔｉ等のＡｇを主成分とする合金を用いることが好ましい。純Ａｇが最も放熱効果が高いが、第二中間層にＳが含まれている場合、Ｓが拡散してＡｇ_２Ｓを生成しＡｇ反射層を劣化させるため、第二中間層と反射層の間にＳの拡散を防止する層（硫化防止層）を形成する必要がある。硫化防止層に用いられる好ましい材料としては、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＳｉＯ_２等が挙げられる。生産性向上のため層数を減らしたい場合には、純ＡｇでなくＣｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ａｌなどを添加したＡｇ合金を用いることにより、硫化防止層を用いることなくＡｇ反射層の劣化を抑えることができる。なお、Ａｇを主成分とするとは、Ａｇを少なくとも９５原子％、好ましくは９９原子％以上含有することを意味する。
反射層の膜厚は、６０〜３００ｎｍが好ましい。６０ｎｍ未満では放熱効果が得られずアモルファスが形成し難くなり、３００ｎｍを超えると界面剥離が生じ易くなる。特に十分な変調度を得るには１２０〜２５０ｎｍとすることが好ましい。

本発明１〜２によれば、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速がＤＶＤ１０倍速（３５ｍ／ｓ）でのオーバーライト記録が可能であり、かつ長期保存後も反射率変動が少ない相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明３〜５によれば、更に、変調度が大きく、オーバーライト記録特性が良好な相変化型光記録媒体を提供できる。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものでない。

実施例１〜６、比較例１〜１０
実施例及び比較例の各光記録媒体（ディスク）を次のようにして作製した。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ４００Åの案内溝を有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第一中間層、相変化記録層、第二中間層、硫化防止層、反射層を順に製膜した。
第一中間層は、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０をターゲットに用い膜厚７０ｎｍ、記録層は表１（実施例）、表２（比較例）に示す材料組成に対応する組成（原子％）の合金ターゲットを用い膜厚１６ｎｍ、第二中間層は、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０をターゲットに用い膜厚１０ｎｍ、硫化防止層は、ＳｉＣをターゲットに用い膜厚４ｎｍ、反射層は、Ａｇをターゲットに用い膜厚１４０ｎｍとした。
記録層の合金ターゲットは、予め仕込み量を秤量し、ガラスアンプル中で加熱溶融し、その後これを取り出して粉砕機により粉砕し、得られた粉末を加温焼結することによって円盤状のターゲット形状とした。製膜後の記録層の組成比を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法により測定したところ、ターゲット仕込み量と同じ組成比であった。ＩＣＰ発光分光分析法には、セイコーインスツルメンツ製：シーケンシャル型ＩＣＰ発光分光分析装置ＳＰＳ４０００を使用した。なお、後述する実施例及び比較例においても、記録層の合金組成とスパッタリングターゲットの合金組成とは同一である。
次に、反射層上にスピンコート法によりアクリル系硬化樹脂（大日本インキ社製：ＳＤ３１８）を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させて有機保護膜を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を紫外線硬化樹脂（日本化学社製：ＤＶＤ００３）により接着して本実施例の光記録媒体を作製した。
次いで、日立コンピュータ機器製の初期化装置ＰＯＰ１２０−７ＡＨを使用し、各光記録媒体を一定線速１２ｍ／ｓで回転させ、パワー密度が２０ｍＷ／μｍ^２のレーザ光を、半径方向に送り３６μｍ／ｒで移動させながら照射して初期結晶化した。

上記各光記録媒体に対し、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを用いて記録再生を行なった。記録線速３５ｍ／ｓ、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の記録線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、記録パワーＰｗ＝３２ｍＷ、消去パワーＰｅ＝６．５ｍＷという記録条件で、ＤＶＤの変調方式であるＥＦＭ＋変調方式により、ランダムパターンを記録した。記録ストラテジはそれぞれ最適化した。再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
表１の記録層材料を用いた各光記録媒体について、初期結晶化後の周内分布均一性、記録線速３５ｍ／ｓでの変調度、初回記録とオーバーライト１００回後のジッタ及び保存安定性について評価を行なった。ジッタは、データ・トゥー・クロック・ジッタ（ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ ｊｉｔｔｅｒ）σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値である。
評価基準は次の通りである。
・初期結晶化後の周内分布均一性は、上記初期化条件で初期結晶化後、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有するパルステック社製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用いて周内の反射率分布を確認し、周内反射率分布＝（最大反射率−最小反射率）÷最大反射率×１００としたとき、周内反射率分布が１０％以内の場合を○、１０％を超える場合を×とした。
・記録線速３５ｍ／ｓでの変調度は、ＤＶＤの規格値である６０％以上の場合を○、更に安定したシステムを得ることができる６５％以上の場合を◎、６０％未満の場合を×とした。
・記録線速３５ｍ／ｓでの初回記録とオーバーライト１００回後のジッタは、９％以下の場合を○、９％を超える場合を×とした。
更に、長期保存後の結晶相の反射率変動を調べるため、８０℃８５％ＲＨ環境下での加速試験を行なった。各光記録媒体を８０℃８５％ＲＨの恒温槽に３００時間保持した後、結晶相の反射率を測定し、反射率低下が３％以下の場合を○、３％を超える場合を×とした。
評価結果を表３（実施例）、表４（比較例）に示す。

実施例１〜６の光記録媒体は、初期化後の周内分布均一性が良好で、ＤＶＤ１０倍速での初回記録及び１００回記録後のジッタも良好であった。また、変調度に関しては、実施例２、３、４の組成範囲の場合に、安定したシステムが得られる変調度６５％以上と特に良好であった。保存安定性に関しても反射率低下が少なく、実施例１〜６の光記録媒体を８０℃８５％ＲＨの恒温槽に３００時間保持した後、記録線速３５ｍ／ｓで記録したところジッタが９％以下であった。
これに対し、比較例１の光記録媒体は、初期結晶化後の周内分布均一性は良好であったが、結晶化速度が速すぎるためＤＶＤ１０倍速でアモルファスを形成することが困難であり、小さいアモルファスマークしか記録することができず、モジュレーションが小さかった。比較例２及び３の光記録媒体は、結晶化速度が遅くなり過ぎるためＤＶＤ１０倍速での繰返し記録ができなかった。比較例４の光記録媒体は、比較例１と同様に、アモルファスを形成することが困難でありモジュレーションが小さかった。比較例５の光記録媒体は初期結晶化後の周内分布均一性が悪く記録ジッタが悪かった。比較例６の光記録媒体は、ＤＶＤ１０倍速での繰返し記録特性が悪かった。比較例７の光記録媒体は、記録ジッタは良かったものの、長期保存後の反射率変動が大きかった。比較例８の光記録媒体は、記録ジッタも悪く、また８０℃８５％ＲＨ環境下での加速試験後にアモルファスマークが消滅してしまった。比較例９の光記録媒体は、初期結晶化後の周内分布均一性が悪く記録ジッタも悪かった。比較例１０の光記録媒体は、アモルファス化が困難であった。

実施例７
反射層の膜厚を４０ｎｍ、６０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍと変化させた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録線速３５ｍ／ｓでの変調度を調べた。結果を図２に示す。
図２から分るように、膜厚が６０〜３００ｎｍの間で変調度が６０％以上となり、特に１２０〜２５０ｎｍの間では変調度が６５％以上となり、安定なシステムを得るのに十分な変調度が得られた。

比較例１１
反射層材料をＡｌＴｉ（Ｔｉ：１重量％）に変えた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録線速３５ｍ／ｓでの変調度を調べたところ、変調度が４５％と小さかった。
また、実施例１〜６と同様にして評価した比較例１１の記録線速３５ｍ／ｓでの繰り返し記録特性を、実施例２の結果と共に図３に示す。

本発明の光記録媒体の基本的な層構成を示す図。 実施例７の各光記録媒体の変調度を示す図。 実施例２と比較例１１の記録線速３５ｍ／ｓでの繰り返し記録特性を示す図。

Claims (5)

1. 基板上に、少なくとも第一中間層、記録層、第二中間層、反射層をこの順に有し、該記録層が、ＧａαＳｎβＩｎγＣｕδＳｂε（但し、５≦α≦２０、２≦β≦２０、２≦γ≦２０、２≦δ≦２０、４０≦ε≦８０、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％）で示される組成の合金からなり、記録層の非晶質（アモルファス）相と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録・消去可能であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
2. ８≦α≦１６、５≦β≦１５、５≦γ≦１５、５≦δ≦１５、５５≦ε≦７５（α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
3. 反射層が、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１又は２記載の相変化型光記録媒体。
4. 反射層の膜厚が６０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
5. 反射層の膜厚が１２０〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項４記載の相変化型光記録媒体。
   

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