JPH0540961A

JPH0540961A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0540961A
Application number: JP3199630A
Authority: JP
Inventors: Kusato Hirota; 草人廣田; Gentaro Obayashi; 元太郎大林; Osamu Watanabe; 渡邊　　修
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1991-08-08
Filing date: 1991-08-08
Publication date: 1993-02-19

Abstract

(57)【要約】【構成】反射層が、ＡｌもしくはＡｌ合金と金属の酸
化物、窒化物、窒酸化物、炭化物、硫化物などとの混合
物からなる相変化光記録媒体である。【効果】多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定
しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。耐
湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。消去率、ｃ／
ｎが高く、かつ高感度である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。

【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。

【０００４】これらの光記録媒体は、テルルを主成分と
する記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に集束
したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部分的
に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷され、固
化し、アモルファス状態の記録マークが形成される。こ
の記録マークの光線反射率は、結晶状態より低く、光学
的に記録信号として再生可能である。

【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００６】この光記録媒体では、通常、記録層の両面
に耐熱性と透光性を有する誘電体層を設け、記録時に記
録層に変形、開口が発生することを防いでいる。さら
に、光ビーム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性
のＡｕなどの金属反射層を設け、光学的な干渉効果によ
り、再生時の信号コントラストを改善すると共に、冷却
効果により、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、
かつ消去特性、繰り返し特性を改善する技術が知られて
いる（M.Terao et al,SPIE Vol.1078 p2-10 (1989)）。

【０００７】一方、従来の追記型の相変化型光ディスク
の反射層の例としては、ＡｌにＴａ，Ｔｉなどの添加元
素を加えた合金を反射層とするものがある（特開昭６２
−１３７７４３号、特開平１−１６９７５１号、特開平
２−１２８３３２号公報）。前述のような書換可能相変
化型光記録媒体における課題は、記録、消去動作の繰り
返しに伴う加熱、冷却の繰り返しによって記録、消去感
度、消去率などの記録消去特性やｃ／ｎなどの再生信号
品質に劣化、変動が発生することである。この原因とし
ては、Ａｌなどの反射層が、加熱、冷却サイクルによっ
て、結晶粒形の粗大化などの結晶状態の変化が生じ、そ
れに伴い、反射層の熱伝導率などが変化すること、反射
層に変形が生じること、あるいは、誘電体層との接着性
が悪くなり剥離が生じることなどがあげられる。また、
長時間の保存中に、同様にＡｌの結晶状態などが変化
し、変形を生じたり、誘電体層からはがれたりするため
欠陥が生じる問題もある。これらの問題点を改善するた
め、通常Ａｌなどに少量のＴｉ、Ｃｒなどを添加するこ
とが行われているが、結晶状態を安定化する効果は不十
分なものであり、また、耐酸化性などの化学的安定性と
の両立も困難であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
ような記録、消去繰り返しによる熱的な劣化が低減され
た反射層を有し、多数回の記録、消去あるいは書換動作
を行っても、記録特性の劣化の少ない光記録媒体を提供
することである。

【０００９】本発明の別の目的は、耐酸化性、耐湿熱性
に優れ長期の保存においても欠陥の生じない長寿命の光
記録媒体を提供することである。

【００１０】本発明のさらに、別の目的は、記録感度が
高く、かつキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性
に優れた光記録媒体を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
少なくとも記録層と誘電体層と反射層とを有し、記録層
に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生
が可能であり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶
相の間の相変化により行われる光記録媒体において、上
記反射層が、少なくともアルミニウムまたはアルミニウ
ムを主成分とする合金と、金属酸化物、金属窒化物、金
属酸窒化物、金属炭化物、金属硫化物からなる群から選
ばれた少なくとも一種以上の化合物との混合物からな
り、かつ上記反射層中に含まれるアルミニウムが反射層
を構成する全元素の５０原子％以上、９９原子％以下で
あり、上記反射層中に含まれる非金属元素が反射層を構
成する全元素の０．５原子％以上、３０原子％以下であ
ることを特徴とする光記録媒体に関する。

【００１２】本発明の光記録媒体の層構成としては、例
えば透明基板、第一の誘電体層、記録層、第二の誘電体
層および反射層をこの順に積層してなるものがあげられ
るがこれに限定されない。ただし、記録再生光は、透明
基板を通して照射するものとする。反射層上には、本発
明の効果を損なわない範囲で紫外線硬化樹脂などの樹脂
層や、他の基板と張り合わせるための接着剤層などを設
けてもよい。

【００１３】本発明の反射層は、Ａｌと金属酸化物、金
属窒化物、金属酸窒化物、金属炭化物、金属硫化物など
の化合物との混合物からなるもの、またはＡｌと他の金
属元素とからなり、かつＡｌを主成分とする合金と前述
の化合物との混合物からなるものである。

【００１４】本発明の反射層の全構成元素中に占めるＡ
ｌの量は５０原子％以上９９原子％以下とすることが重
要である。本発明の反射層の主成分のＡｌ、もしくはＡ
ｌ合金は、光の反射率が高く光学的な干渉を利用して、
再生信号のコントラストを改善するのに有効である。ま
た熱伝導率が高く、冷却効果により、非晶状態の記録マ
ークの形成を容易にし、かつ消去時の熱分布を平坦化す
ることにより消去特性を改善することができる。また、
ＡｌもしくはＡｌ合金は、金などの貴金属に比べ安価で
あり、製造コストを低減することができる。

【００１５】反射層を構成する全元素中に占めるＡｌの
量が９９原子％より多い場合には、添加した化合物の量
が少ないため、本発明で得られる諸効果が発現せず、５
０原子％未満では、反射層の反射率が低下するため好ま
しくない。

【００１６】Ａｌ合金の形成に使用される他の金属元素
としては、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｆｅおよび
Ｒｈの群から選ばれる少なくとも１種以上の金属元素が
あげられる。他の金属元素の添加量としては特に限定さ
れないが、合金の機械的強度、結晶状態の熱安定性、耐
湿熱性、反射層の熱伝導性などの低下を防止し、安定し
た消去特性や繰返し可能回数を確保し易い点からは、反
射層を構成する全元素に対して合計で２０原子％以下、
０．５原子％以上の範囲で添加することが好ましい。

【００１７】本発明の反射層中に含まれる化合物として
は、Ｓｉなどの金属酸化物、Ｓｉ，Ａｌなどの金属窒化
物、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのような金属酸窒化物、Ｔｉ，
Ｚｒなどの金属炭化物、ＺｎＳなどの金属硫化物などが
あげられるが、これらに限定されない。これらは単独で
使用してもよいが２種以上併用することもできる。

【００１８】これらの化合物は、ＡｌもしくはＡｌ合金
に混合することにより、Ａｌの再結晶化温度を高め反射
層の結晶状態の熱的安定性が改善できる。また、結晶粒
径の粗大化などを低減できるため記録消去繰り返しによ
る記録特性、再生信号品質の変動、低下を抑制する効果
もある。また、熱伝導度を下げ、記録感度を向上させる
効果、耐酸化性など化学的耐食性改善する効果もある。

【００１９】これらの化合物に含まれる酸素、窒素、炭
素、硫黄などの非金属元素の含有量が、反射層を構成す
る全元素の３０原子％を越えると反射率が低下し好まし
くない。また０．５原子％未満では、前述の添加した化
合物の量が少なすぎて本発明の効果が発現しない。

【００２０】すなわち、反射層中に含まれる非金属元素
の量は反射層を構成する全元素の０．５原子％以上、３
０原子％以下となすことが重要であり、これらの条件を
満足するように所要量の化合物がＡｌまたはＡｌ合金に
添加される。

【００２１】本発明の反射層中に添加される好ましい化
合物をより具体的に説明すると、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ、Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒなどの酸化物、Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉ、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂの窒化物、および窒
素、酸素原子を含むＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ａｌもしくは
Ｓｉの酸窒化物、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの炭化物、Ｚｎの硫
化物などの高融点の化合物である。

【００２２】特に、前述の結晶状態の熱的安定性の改善
効果、および耐湿熱性が高いことから、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔ
ｉ、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａの群から選ばれる少なくとも一種
の酸化物、Ｓｉ，Ａｌの群から選ばれる少なくとも一種
の酸窒化物、およびＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ、およびこれら
の混合物が好ましい。

【００２３】また、Ａｌの再結晶化温度が高まり、Ａｌ
反射層の結晶状態の熱的安定性が改善され、記録消去繰
り返しによる記録特性、再生信号品質の変動、低下を抑
制する効果があることから、反射層の主成分をＡｌ単体
ではなくＡｌ合金とすることが好ましい。Ａｌ合金中の
添加した金属元素量が反射層を構成する全元素に対して
０．５原子％以上、１０原子％以下が好ましい。

【００２４】とりわけ、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｍｎ、Ｓｉから選ばれる少なくとも１種以上をＡｌ
合金に含有させることが、耐湿熱性に優れ、長寿命の光
記録媒体を構成できることから好ましい。これら本発明
の添加元素はＡｌに添加することにより反射層の熱伝導
率を若干低下させ、その結果、光記録媒体の記録、消去
感度を向上させる効果、および記録時に記録マークを大
きくし、再生信号コントラスト、ｃ／ｎを向上する効果
もある。特に、記録、消去の繰り返しによる劣化を防止
する効果が高いことから、添加量が、反射層を構成する
元素の全元素に対して、０．５原子％以上５原子％未満
であることがより好ましい。

【００２５】また、前述の諸効果が高いことから好まし
いＡｌ合金と化合物の具体的な組み合わせとしては、Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｎ、Ｓｉから選ばれる
少なくとも１種以上を含有するＡｌ合金と、酸化アルミ
ニウム、酸化シリコン、およびＳｉもしくはＡｌの酸窒
化物、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかの化合物との組合
せ、Ａｌ−Ｔｉ合金と、窒化アルミニウム、およびＳｉ
もしくはＡｌの酸窒化物、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれ
かの化合物との組合せがある。

【００２６】また、反射層の機械的強度が高く、かつ反
射率も高いことから、アルミニウムの量を６０原子％以
上、９５原子％以下、非金属元素の量を２０原子％以下
１原子％以上とすることが好ましい。

【００２７】反射層の厚さとしては、特に限定するもの
ではないが、３０ｎｍから３００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、かつ消去率などの消去特性に優れ
ることから５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００２８】本発明の記録層としては、特に限定するも
のではないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓ
ｅ合金などがある。

【００２９】Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消
去の繰り返しが可能であることから好ましく、特にＰｄ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優れることか
ら好ましい。

【００３０】本発明の記録層の厚さとしては、特に限定
するものではないが１０〜１５０ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好まし
い。

【００３１】本発明の誘電体層は、記録時に基板、記録
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するためのものである。この誘電体層としては、Ｚｎ
Ｓ，ＳｉＯ₂などの無機薄膜がある。特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｚｒなどの金属の酸化物薄膜、
およびこれらの混合物の膜が、耐熱性が高いことから好
ましい。

【００３２】膜の残留応力が小さくディスクのそりなど
が発生しにくいことから、ＺｎＳとＳｉＯ₂もしくはＭ
ｇＦ₂の混合物の膜が好ましい。

【００３３】特にＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物の膜は、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、ｃ／ｎ、消
去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。誘電体
層の厚さは、およそ１０〜５００ｎｍである。変形防止
層が、基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠
陥が生じ難いことから、１０〜４００ｎｍが好ましい。

【００３４】特に、高速でワンビーム・オーバーライト
が可能であり、かつ消去率が大きく消去特性が良好であ
ることから、次のごとく、光記録媒体の主要部を構成す
ることが好ましい。

【００３５】すなわち、第１の誘電体層の厚さを１００
ｎｍ〜４００ｎｍであり、第２の誘電体層の厚さを１０
ｎｍ〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜
３０ｎｍ、反射層の厚さを５０ｎｍ〜１５０ｎｍとし
た、記録、消去動作時に記録層が急冷される構造であ
り、誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜であり、かつ
記録層の組成が次式で表される範囲にあることが好まし
い。

【００３６】（Ｐｄx Ｓｂy Ｔｅ1-x-y ）1-z （Ｔｅ0.5 Ｇｅ0.5 ）
z ０．０１≦ｘ≦０．１０．３５≦ｙ≦０．６５０．２≦ｚ≦ ０．５但し式中のｘ，ｙ，ｚ、０．５は各元素の原子数比をあ
らわす。

【００３７】本発明の基板としては、プラスチック、ガ
ラス、アルミニウムなど従来の記録媒体の基板と同様な
ものでよい。ほこり、基板の傷などの影響をさける目的
で、集束した光ビームを用いて、基板側から記録を行な
う場合には、基板として透明材料を用いることが好まし
い。この様な材料としては、ガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。

【００３８】特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小
さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹
脂、エポキシ樹脂が好ましい。特に耐熱性が要求される
場合には、エポキシ樹脂が好ましい。

【００３９】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。

【００４０】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。

【００４１】記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。

【００４２】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。

【００４３】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。

【００４４】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。

【００４５】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。

【００４６】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、記録層、誘電体層などを形成した後、傷、
変形の防止などのため、公知の紫外線硬化樹脂などの樹
脂保護層などを必要に応じて設けてもよい。また、記録
層、誘電体層などを形成した後、あるいはさらに前述の
樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対向して、公知
の接着材で張り合わせてもよい。

【００４７】

【実施例】以下、本発明を実施例の基づいて説明する。（分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
酸素原子の量はＸＰＳにより求めた。またキャリア対ノ
イズ比および消去率（記録後と消去後の再生キャリア信
号強度の差）は、スペクトラムアナライザにより測定し
た。

【００４８】記録層、誘電体層、反射層の膜厚は、水晶
振動子膜厚計によりモニターした。実施例１厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波スパッタ法により、記
録層、誘電体層、反射層を形成した。

【００４９】まず、真空容器内を１×１０^-5Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚２３０ｎｍの誘電体層を形成した。続いて、Ｐ
ｄ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットをスパッ
タして、組成Ｐｄ1 Ｇｅ17Ｓｂ26Ｔｅ56（原子％）の膜
厚２０ｎｍの記録層を形成した。さらに前述の誘電体層
を２２ｎｍ形成し、この上に、Ｍｎ0.01Ｓｉ0.04Ａｌ0.
95合金とＳｉＯ₂を同時スパッタして、膜厚１５０ｎｍ
の組成Ａｌ80Ｍｎ1 Ｓｉ9 Ｏ10の反射層を形成した。さ
らにこのディスクを真空容器より取り出した後、この反
射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂をスピンコートし、
紫外線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形
成し、さらに同じ構成のディスクを接着剤で張り合わ
せ、本発明の光記録媒体を得た。

【００５０】この光記録媒体を線速度５．５ｍ／秒で回
転させ、基板側から２２×６６μｍの長円に集光した波
長８２０ｎｍの半導体レーザー光を膜面強度１．１Ｗの
条件で照射して、記録層を結晶化し初期化した。その
後、線速度７．５ｍ／秒の条件で、対物レンズの開口数
０．５、半導体レーザーの波長７９０ｎｍの光学ヘッド
を使用して、周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅５０ｎｓｅ
ｃ、ピークパワー１５ｍＷ、ボトムパワー６．５ｍＷに
変調した半導体レーザー光を１トラック照射し非晶マ−
クを形成して記録した。このトラックを再生パワー１．
３ｍＷの半導体レーザ光を照射して再生したところ、バ
ンド幅３０ｋＨｚの条件で、ｃ／ｎ比５３ｄＢと良好
な、デジタル記録に十分な値が得られ、欠陥もほとんど
見られなかった。

【００５１】さらにこの部分を１．４ＭＨｚで、先と同
様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワンビーム・オ
ーバーライトした。この部分を再度再生したところ３．
７ＭＨｚの記録は１．４ＭＨｚに完全書換られていた。
この時の３．７ＭＨｚの消去率を測定したところ消去率
は２７ｄＢであり、必要とされる２０ｄＢを上回る値が
得られた。さらにワンビーム・オーバーライトの繰り返
しを１０００回及び１０万回行った後、同様の測定を行
ったが、ｃ／ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内
でほとんど劣化が認められず、かつ記録の欠陥の増加も
ほとんど見られなかった。

【００５２】また、この光記録媒体を、８０℃、相対湿
度８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部
分を再生したが、ｃ／ｎ比の変化は２ｄＢ未満でほとん
ど変化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いｃ／
ｎ比、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が
なく、かつ欠陥の増加もほとんど見られなかった。

【００５３】実施例２実施例１の反射層をＡｌ93Ｔｉ2 Ｎ5 の膜厚１５０ｎｍ
の膜とした他は、実施例１と同じ構成の光記録媒体を作
製した。この光記録媒体を実施例１と同様に記録、書
換、再生を行ったところ、１０万回の書換の繰り返しの
後も１００回目に比べｃ／ｎ、消去率の変化は２ｄＢ未
満と、ほとんど見られず、ｃ／ｎ５３ｄＢ、消去率２６
ｄＢの良好な値が得られ、かつ記録部の欠陥の発生もほ
とんどなかった。

【００５４】比較例１実施例１の反射層を純度９９．９９％のＡｌの膜厚７０
ｎｍの膜とした他は、実施例１と同じ構成の光記録媒体
を作製した。実施例１と同様の条件で記録、書換を５万
回行ったところ、欠陥部分の増加が見られた。

【００５５】比較例２実施例１の反射層を純度９９．９９％のＡｌの膜厚１５
０ｎｍの膜とした他は、実施例１と同じ構成の光記録媒
体を作製した。実施例１と同様の条件で記録、書換を試
みたところ、記録感度が低く記録が困難であった。

【００５６】

【発明の効果】本発明は、光記録媒体の構成を特定の材
質の反射層を有する構成としたので、以下の効果が得ら
れた。 (1) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定し
ており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (2) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (3) 消去率、ｃ／ｎが高く、かつ高感度である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。 (5) 低コストの光記録媒体にできる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に少なくとも記録層と誘電体
層と反射層とを有し、記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録
および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行わ
れる光記録媒体において、上記反射層が、少なくともア
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金と、
金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属炭化物、
金属硫化物からなる群から選ばれた少なくとも一種以上
の化合物との混合物からなり、かつ上記反射層中に含ま
れるアルミニウムが反射層を構成する全元素の５０原子
％以上、９９原子％以下であり、上記反射層中に含まれ
る非金属元素が反射層を構成する全元素の０．５原子％
以上、３０原子％以下であることを特徴とする光記録媒
体。