JPH05124353A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH05124353A JPH05124353A JP3291494A JP29149491A JPH05124353A JP H05124353 A JPH05124353 A JP H05124353A JP 3291494 A JP3291494 A JP 3291494A JP 29149491 A JP29149491 A JP 29149491A JP H05124353 A JPH05124353 A JP H05124353A
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- JP
- Japan
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- recording
- layer
- recording layer
- recording medium
- atomic
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 この発明は記録層として、実質的に単一の結
晶相からなるテルルを主成分とする記録材料に、記録材
料と実質的に非反応な化合物からなる添加材を混合した
ものを用いた相変化型光記録媒体である。 【効果】この発明によれば(1) 高感度で、かつ消去率、
Ｃ／Ｎが高い、(2) 多数回の記録消去を繰り返しても、
動作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとん
どない、(3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命であ
る、(4) スパッタ法により容易に作製できる等の利点が
ある。
晶相からなるテルルを主成分とする記録材料に、記録材
料と実質的に非反応な化合物からなる添加材を混合した
ものを用いた相変化型光記録媒体である。 【効果】この発明によれば(1) 高感度で、かつ消去率、
Ｃ／Ｎが高い、(2) 多数回の記録消去を繰り返しても、
動作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとん
どない、(3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命であ
る、(4) スパッタ法により容易に作製できる等の利点が
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。
【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。
術は、以下のごときものである。
【０００４】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００６】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｔｅを主成分とし少量のＧｅ、Ｓｎな
どの架橋元素を加えたもの（特開昭６１−２８７０５８
号公報）、Ｔｅを主成分とする記録材料をＳｉＯ2 など
の耐火物材料で微細なセル状態にしたもの（特開昭６１
−１３７７８４号公報）、あるいは、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 などのＴｅ系化合物（N.Yamada et al, Proc.Int.Sym
p.on OpticalMemory1987 p61-66 ）などが知られてい
る。
の材料としては、Ｔｅを主成分とし少量のＧｅ、Ｓｎな
どの架橋元素を加えたもの（特開昭６１−２８７０５８
号公報）、Ｔｅを主成分とする記録材料をＳｉＯ2 など
の耐火物材料で微細なセル状態にしたもの（特開昭６１
−１３７７８４号公報）、あるいは、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 などのＴｅ系化合物（N.Yamada et al, Proc.Int.Sym
p.on OpticalMemory1987 p61-66 ）などが知られてい
る。
【０００７】Ｔｅを主成分とし少量のＧｅ、Ｓｎなどの
架橋元素を加えたもの、Ｔｅを主成分とする記録材料を
ＳｉＯ2 などの誘電体で微細なセル状態にしたもので記
録層を構成したものでは、記録材料が結晶化時に複数の
相に分離するため結晶化速度が遅く、記録の消去に要す
る時間が長くなり、高速で記録を書換えるには、記録、
再生ビームの他に長円の消去ビームを必要とする欠点が
あった。
架橋元素を加えたもの、Ｔｅを主成分とする記録材料を
ＳｉＯ2 などの誘電体で微細なセル状態にしたもので記
録層を構成したものでは、記録材料が結晶化時に複数の
相に分離するため結晶化速度が遅く、記録の消去に要す
る時間が長くなり、高速で記録を書換えるには、記録、
再生ビームの他に長円の消去ビームを必要とする欠点が
あった。
【０００８】一方、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などのＴｅ系化
合物を記録層とした光記録媒体では、結晶化速度が速
く、照射パワーを変調するだけで、円形の１ビームによ
る高速のオーバーライトが可能である。この記録層を使
用した光記録媒体では、通常、記録層の両面に耐熱性と
透光性を有する誘電体層を設け、記録時に記録層に変
形、開口が発生することを防いでいる。さらに、光ビー
ム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなど
の金属反射層を設け、光学的な干渉効果により、再生時
の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果によ
り、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去
特性、繰り返し特性を改善する技術が知られている。特
に、記録層及び記録層と反射層の間の誘電体層を各々２
０ｎｍ程度に薄く構成した「急冷構造」では、誘電体層
を２００ｎｍ程度に厚くした「徐冷構造」に比べ、書換
の繰返しによる記録特性の劣化が少なく、また消去パワ
ーのパワー・マージンが広い点で優れている （T.Ohot
a et al,Japanese Jounal of Applied Physics, Vol 28
(1989) Suppl. 28-3 pp123 - 128）。
合物を記録層とした光記録媒体では、結晶化速度が速
く、照射パワーを変調するだけで、円形の１ビームによ
る高速のオーバーライトが可能である。この記録層を使
用した光記録媒体では、通常、記録層の両面に耐熱性と
透光性を有する誘電体層を設け、記録時に記録層に変
形、開口が発生することを防いでいる。さらに、光ビー
ム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなど
の金属反射層を設け、光学的な干渉効果により、再生時
の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果によ
り、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去
特性、繰り返し特性を改善する技術が知られている。特
に、記録層及び記録層と反射層の間の誘電体層を各々２
０ｎｍ程度に薄く構成した「急冷構造」では、誘電体層
を２００ｎｍ程度に厚くした「徐冷構造」に比べ、書換
の繰返しによる記録特性の劣化が少なく、また消去パワ
ーのパワー・マージンが広い点で優れている （T.Ohot
a et al,Japanese Jounal of Applied Physics, Vol 28
(1989) Suppl. 28-3 pp123 - 128）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述のようなＧｅ2 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ5 などのＴｅ化合物を記録層とする急冷構造の
書換可能相変化型光記録媒体における課題は、反射層に
よる冷却効果が大きいため記録感度が低いことである。
すなわち記録、消去に要する光の照射パワーが大きく、
光ヘッドの半導体レーザーに高出力のものが必要になり
装置コストが高くなる、また、ディスクの場合、光の照
射パワーが不足し高速回転では記録が困難になるなどの
問題があった。
ｂ2 Ｔｅ5 などのＴｅ化合物を記録層とする急冷構造の
書換可能相変化型光記録媒体における課題は、反射層に
よる冷却効果が大きいため記録感度が低いことである。
すなわち記録、消去に要する光の照射パワーが大きく、
光ヘッドの半導体レーザーに高出力のものが必要になり
装置コストが高くなる、また、ディスクの場合、光の照
射パワーが不足し高速回転では記録が困難になるなどの
問題があった。
【００１０】また、記録、消去あるいは書換の繰返しに
より、記録膜に微細な開口が生じ易く、信頼性の点でも
十分ではなかった。
より、記録膜に微細な開口が生じ易く、信頼性の点でも
十分ではなかった。
【００１１】本発明の目的は、記録感度が高く、かつ多
数回の記録、消去あるいは書換動作を行っても、記録特
性の劣化が少なく、記録特性、消去特性にも優れた光記
録媒体を提供することである。
数回の記録、消去あるいは書換動作を行っても、記録特
性の劣化が少なく、記録特性、消去特性にも優れた光記
録媒体を提供することである。
【００１２】本発明の別の目的は、耐酸化性、耐湿熱性
に優れ長期の保存においても欠陥の生じない長寿命の光
記録媒体を提供することである。
に優れ長期の保存においても欠陥の生じない長寿命の光
記録媒体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
において、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体
層を有し、記録層が、結晶状態が実質的に単一の結晶相
からなるテルルを主成分とする記録材料と、該記録材料
と実質的に非反応な化合物からなる添加材を混合したも
のであり、かつ記録層中の記録材料が実質的に連続した
状態にある光記録媒体に関する。
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
において、前記光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体
層を有し、記録層が、結晶状態が実質的に単一の結晶相
からなるテルルを主成分とする記録材料と、該記録材料
と実質的に非反応な化合物からなる添加材を混合したも
のであり、かつ記録層中の記録材料が実質的に連続した
状態にある光記録媒体に関する。
【００１４】本発明の記録層の主成分である記録材料
は、結晶状態と非晶状態の少なくとも２つの状態をとり
得るＴｅを主成分とするカルコゲン化合物であり、かつ
結晶状態において、Ｘ線回折学的に実質的に単一の結晶
相となるものである。結晶状態が単一相であるため、結
晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能であ
る。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏析な
どによる記録特性の劣化が起き難い。
は、結晶状態と非晶状態の少なくとも２つの状態をとり
得るＴｅを主成分とするカルコゲン化合物であり、かつ
結晶状態において、Ｘ線回折学的に実質的に単一の結晶
相となるものである。結晶状態が単一相であるため、結
晶化速度が極めて速く、高速で記録の書換が可能であ
る。また結晶状態が実質的に単相であるため組成偏析な
どによる記録特性の劣化が起き難い。
【００１５】この記録層中の記録材料は、非晶状態、結
晶状態のいずれの状態においても連続した状態にあり、
混合した添加材の化合物によって、セル状に分離されて
いるものではない。
晶状態のいずれの状態においても連続した状態にあり、
混合した添加材の化合物によって、セル状に分離されて
いるものではない。
【００１６】記録層に添加される添加材は、ＺｎＳ、Ｓ
ｉＯ2 など記録材料と実質的に非反応な化合物からなる
化合物である。
ｉＯ2 など記録材料と実質的に非反応な化合物からなる
化合物である。
【００１７】この添加材は、記録層中に混合状態で含ま
れることにより、記録層の記録感度を向上させる効果が
ある。この感度向上のメカニズムは、詳細には解明でき
ていないが、これら添加材の添加により記録層の熱伝導
度が、低くなるため、あるいは、記録層の反射率が低く
なり光吸収量が増すためと推定できる。
れることにより、記録層の記録感度を向上させる効果が
ある。この感度向上のメカニズムは、詳細には解明でき
ていないが、これら添加材の添加により記録層の熱伝導
度が、低くなるため、あるいは、記録層の反射率が低く
なり光吸収量が増すためと推定できる。
【００１８】また、本発明の記録層は記録材料と前述の
添加材が混合されているため、記録、消去、あるいは、
オーバーライトによる書換を繰り返しても、記録層に、
変形や開口が生じ難く、従来の記録層に比べ優れた繰返
耐久性が得られる。
添加材が混合されているため、記録、消去、あるいは、
オーバーライトによる書換を繰り返しても、記録層に、
変形や開口が生じ難く、従来の記録層に比べ優れた繰返
耐久性が得られる。
【００１９】記録材料として記録感度が高くできること
からテルルを主成分とし、副成分としてＧｅ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣｏの群から選ばれる少
なくとも１種以上の元素を合計で３０原子％以上６０原
子％未満含有する合金が好ましい。また、記録特性が良
好であることから、添加材が、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＳｉＯ2 、ＧｅＯ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＣ、ＺｒＣおよびＨｆＣの群から選ばれる少なくとも
一種以上の材料であることが好ましい。
からテルルを主成分とし、副成分としてＧｅ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣｏの群から選ばれる少
なくとも１種以上の元素を合計で３０原子％以上６０原
子％未満含有する合金が好ましい。また、記録特性が良
好であることから、添加材が、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＳｉＯ2 、ＧｅＯ2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＣ、ＺｒＣおよびＨｆＣの群から選ばれる少なくとも
一種以上の材料であることが好ましい。
【００２０】記録した非晶マークの熱安定性が高く、記
録、消去動作、あるいは書換動作を多数回行っても記
録、再生特性の劣化が少ないことから、記録材料がＧ
ｅ、Ｔｅ、Ｓｂの三元素を構成元素とする合金、もしく
は、前述の３元素に加えて添加元素として、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣｏの
群から選ばれる少なくとも１種以上の元素を原子数の比
で０．５原子％以上、１０原子％以下含有する合金を記
録材料とし、かつ添加材がＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物、
ＺｎＳおよびＳｉＯ2 の群から選ばれる少なくとも一種
の誘電体であることが、より好ましい。
録、消去動作、あるいは書換動作を多数回行っても記
録、再生特性の劣化が少ないことから、記録材料がＧ
ｅ、Ｔｅ、Ｓｂの三元素を構成元素とする合金、もしく
は、前述の３元素に加えて添加元素として、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣｏの
群から選ばれる少なくとも１種以上の元素を原子数の比
で０．５原子％以上、１０原子％以下含有する合金を記
録材料とし、かつ添加材がＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物、
ＺｎＳおよびＳｉＯ2 の群から選ばれる少なくとも一種
の誘電体であることが、より好ましい。
【００２１】とりわけ、前述の特性に優れていることか
ら、記録層の膜厚方向の平均組成が下記の組成式で表さ
れる組成であることが好ましい。
ら、記録層の膜厚方向の平均組成が下記の組成式で表さ
れる組成であることが好ましい。
【００２２】組成式 ｛Ｐｄz （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5
）y ｝1-p-q （ＺｎαＳ 1- α）p （ＳｉβＯ1-β）q ここでＰｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテ
ルル、Ｇｅはゲルマニウム、Ｚｎは亜鉛、Ｓは硫黄、Ｓ
ｉはシリコン、Ｏは酸素を表し、ｘ，ｙ，ｐ，ｑ，α，
β及び数字は、各元素の原子の数の比（各元素のモル
比）を表す。
）y ｝1-p-q （ＺｎαＳ 1- α）p （ＳｉβＯ1-β）q ここでＰｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテ
ルル、Ｇｅはゲルマニウム、Ｚｎは亜鉛、Ｓは硫黄、Ｓ
ｉはシリコン、Ｏは酸素を表し、ｘ，ｙ，ｐ，ｑ，α，
β及び数字は、各元素の原子の数の比（各元素のモル
比）を表す。
【００２３】かつ ０．３≦ｘ≦０．７ ０．２≦ｙ≦０．５ ０≦Ｚ≦０．１ ０≦ｐ≦０．５ ０≦ｑ≦０．５ ０．０５≦ｐ＋ｑ≦０．５ ０．４≦α≦０．６ １／３≦β≦１／２ この組成では、記録材料をＳｂ−Ｔｅ合金もしくは、Ｐ
ｄ−Ｓｂ−Ｔｅ合金に化合物のＧｅＴｅを加えた合金で
あり、その結晶状態は実質的に単一の結晶相からなり結
晶化速度が著しく速い。そのため本発明の記録媒体の記
録層は、記録の書換に要する時間が短くできる。また結
晶化温度も高いため記録した非晶マークの熱安定性にも
優れている。加えて、Ｓｂを成分に含むＴｅ系合金であ
るため、耐酸化性にも優れている。
ｄ−Ｓｂ−Ｔｅ合金に化合物のＧｅＴｅを加えた合金で
あり、その結晶状態は実質的に単一の結晶相からなり結
晶化速度が著しく速い。そのため本発明の記録媒体の記
録層は、記録の書換に要する時間が短くできる。また結
晶化温度も高いため記録した非晶マークの熱安定性にも
優れている。加えて、Ｓｂを成分に含むＴｅ系合金であ
るため、耐酸化性にも優れている。
【００２４】この記録層の添加材は、Ｚｎの硫化物、Ｓ
ｉの酸化物、およびこれらの混合物からなる誘電体が好
ましい。これらは、記録層中に含まれることにより、記
録層の記録感度を向上させる効果が著しい。これらＺｎ
の硫化物およびＳｉの酸化物は、必ずしもＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2 などの定比の化合物である必要はなく、前記の組成
式のように定比から多少ずれた化合物であってもよい。
ｉの酸化物、およびこれらの混合物からなる誘電体が好
ましい。これらは、記録層中に含まれることにより、記
録層の記録感度を向上させる効果が著しい。これらＺｎ
の硫化物およびＳｉの酸化物は、必ずしもＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2 などの定比の化合物である必要はなく、前記の組成
式のように定比から多少ずれた化合物であってもよい。
【００２５】本発明の記録層の厚さとしては、特に限定
するものではないが１０〜１００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。
するものではないが１０〜１００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であるこ
とから１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることが好まし
い。
【００２６】本発明の光記録媒体の代表的な層構成は、
（ア）透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層
の積層体あるいは、（イ）透明基板／第１誘電体層／記
録層／第２誘電体層／反射層の積層体からなる（ここで
光は基板側から入射する）。但しこれに限定するもので
はなく、反射層上に本発明の効果を損なわない範囲でＳ
ｉ０2 やＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの保護層や紫外
線硬化樹脂などの樹脂層、他の基板と張り合わせるため
の接着剤層などを設けてもよい。記録感度を重視する用
途には、反射層を設けない（ア）の構成が好ましく、高
記録密度で記録する場合、あるいは、記録の繰返し耐久
性を重視する用途では（イ）の反射層を設けた構成が好
ましい。
（ア）透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層
の積層体あるいは、（イ）透明基板／第１誘電体層／記
録層／第２誘電体層／反射層の積層体からなる（ここで
光は基板側から入射する）。但しこれに限定するもので
はなく、反射層上に本発明の効果を損なわない範囲でＳ
ｉ０2 やＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの保護層や紫外
線硬化樹脂などの樹脂層、他の基板と張り合わせるため
の接着剤層などを設けてもよい。記録感度を重視する用
途には、反射層を設けない（ア）の構成が好ましく、高
記録密度で記録する場合、あるいは、記録の繰返し耐久
性を重視する用途では（イ）の反射層を設けた構成が好
ましい。
【００２７】本発明の誘電体層は、記録時に基板、記録
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ，Ｓｉ
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｔａ，などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌな
どの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄
膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこ
とから好ましい。また、これらにＭｇＦ2 などのフッ化
物を混合したものも、膜の残留応力が小さいことから好
ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、記録、消去
の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率など
の劣化が起きにくいことから好ましい。第１および第２
誘電体層の厚さは、およそ１０〜５００ｎｍである。第
１誘電体層は、基板や記録層から剥離し難く、クラック
などの欠陥が生じ難いことから、１００〜４００ｎｍが
好ましい。また第２誘電体層は、Ｃ／Ｎ、消去率などの
記録特性、安定に多数回の書換が可能なことから１０〜
３０ｎｍが好ましい。
層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防
止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学
的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善
する効果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ，Ｓｉ
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｔａ，などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌな
どの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄
膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いこ
とから好ましい。また、これらにＭｇＦ2 などのフッ化
物を混合したものも、膜の残留応力が小さいことから好
ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、記録、消去
の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率など
の劣化が起きにくいことから好ましい。第１および第２
誘電体層の厚さは、およそ１０〜５００ｎｍである。第
１誘電体層は、基板や記録層から剥離し難く、クラック
などの欠陥が生じ難いことから、１００〜４００ｎｍが
好ましい。また第２誘電体層は、Ｃ／Ｎ、消去率などの
記録特性、安定に多数回の書換が可能なことから１０〜
３０ｎｍが好ましい。
【００２８】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔｉ
などの添加元素を含む合金及びＡｌ，Ａｕなどの金属に
Ａｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコ
ゲン化物などの金属化合物を混合したものなどがあげら
れる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とす
る合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできる
ことから好ましい。前述の合金の例として、ＡｌにＳ
ｉ、Ｍｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎ
ｂ、Ｍｎ，Ｐｄなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加え
たものなどがある。
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔｉ
などの添加元素を含む合金及びＡｌ，Ａｕなどの金属に
Ａｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコ
ゲン化物などの金属化合物を混合したものなどがあげら
れる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とす
る合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできる
ことから好ましい。前述の合金の例として、ＡｌにＳ
ｉ、Ｍｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎ
ｂ、Ｍｎ，Ｐｄなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加え
たものなどがある。
【００２９】特に、材料の価格が安くできることから、
Ａｌを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食
性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ，Ｔａ，Ｈｆ，
Ｚｒ，Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金
属を合計で５原子％以下０．５原子％以上添加した合金
が好ましい。
Ａｌを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食
性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ，Ｔａ，Ｈｆ，
Ｚｒ，Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金
属を合計で５原子％以下０．５原子％以上添加した合金
が好ましい。
【００３０】とりわけ、耐腐食性が良好でかつヒロック
などの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素
を合計で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｔ
ｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ
−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを
主成分とする合金で構成することが好ましい。
などの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素
を合計で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｔ
ｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ
−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを
主成分とする合金で構成することが好ましい。
【００３１】反射層の厚さとしては、おおむね１０ｎｍ
以上２００ｎｍ以下である。
以上２００ｎｍ以下である。
【００３２】特に、記録感度が高く、高速でシングルビ
ーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大き
く消去特性が良好であることから、次のごとく、光記録
媒体の主要部を構成することが好ましい。
ーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大き
く消去特性が良好であることから、次のごとく、光記録
媒体の主要部を構成することが好ましい。
【００３３】すなわち、第１誘電体層の厚さが１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍであり、第２誘電体層の厚さが１０ｎｍ
〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜３０
ｎｍ、反射層の厚さを３０ｎｍ〜２００ｎｍとし、誘電
体層がＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜であり、ＳｉＯ2 の混
合比が１５〜３５モル％であり、かつ記録層の組成が次
式で表される範囲にあることが好ましい。
ｍ〜４００ｎｍであり、第２誘電体層の厚さが１０ｎｍ
〜３０ｎｍであり、かつ記録層の厚さを１０ｎｍ〜３０
ｎｍ、反射層の厚さを３０ｎｍ〜２００ｎｍとし、誘電
体層がＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜であり、ＳｉＯ2 の混
合比が１５〜３５モル％であり、かつ記録層の組成が次
式で表される範囲にあることが好ましい。
【００３４】組成式 ｛Ｐｄz （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5
）y ｝1-p-q （Ｚｎα Ｓ1- α）p （ＳｉβＯ1-β）
q ここでＰｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテ
ルル、Ｇｅはゲルマニウム、Ｚｎは亜鉛、Ｓは硫黄、Ｓ
ｉはシリコン、Ｏは酸素を表し、ｘ，ｙ，ｐ，ｑ，α，
β及び数字は、各元素の原子の数の比を表す。
）y ｝1-p-q （Ｚｎα Ｓ1- α）p （ＳｉβＯ1-β）
q ここでＰｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテ
ルル、Ｇｅはゲルマニウム、Ｚｎは亜鉛、Ｓは硫黄、Ｓ
ｉはシリコン、Ｏは酸素を表し、ｘ，ｙ，ｐ，ｑ，α，
β及び数字は、各元素の原子の数の比を表す。
【００３５】かつ ０．３≦ｘ≦０．７ ０．２≦ｙ≦０．５ ０≦Ｚ≦０．１ ０≦ｐ≦０．３ ０≦ｑ≦０．３ ０．０５≦ｐ＋ｑ≦０．３ ０．４≦α≦０．６ １／３≦β≦１／２ 本発明の基板の材料としては、透明な各種の合成樹脂、
透明ガラスなどが使用できる。
透明ガラスなどが使用できる。
【００３６】ほこり、基板の傷などの影響をさけるため
に、透明基板を用い、集束した光ビームで基板側から記
録を行なうことが好ましく、この様な透明基板材料とし
ては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタク
リレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂などがあげられる。
に、透明基板を用い、集束した光ビームで基板側から記
録を行なうことが好ましく、この様な透明基板材料とし
ては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタク
リレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂などがあげられる。
【００３７】特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小
さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹
脂、エポキシ樹脂が好ましい。特に耐熱性が要求される
場合には、エポキシ樹脂が好ましい。
さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹
脂、エポキシ樹脂が好ましい。特に耐熱性が要求される
場合には、エポキシ樹脂が好ましい。
【００３８】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。
【００３９】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。
【００４０】記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
【００４１】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
【００４２】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。スパッ
タ法では、例えば、記録材料と添加材を各々のターゲッ
トを同時にスパッタすることにより容易に混合状態の記
録層を形成することができる。
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。スパッ
タ法では、例えば、記録材料と添加材を各々のターゲッ
トを同時にスパッタすることにより容易に混合状態の記
録層を形成することができる。
【００４３】また、記録材料と誘電体を混合して作製し
たターゲットをスパッタして、記録層を形成する方法も
工程が簡単になることから好ましい。
たターゲットをスパッタして、記録層を形成する方法も
工程が簡単になることから好ましい。
【００４４】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
【００４５】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
【００４６】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
【００４７】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておく事が好ましい。
【００４８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後
の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナラ
イザにより測定した。
【００４９】記録層、誘電体層及び反射層の膜厚は、そ
れぞれ水晶振動子膜厚計によりモニターした。
れぞれ水晶振動子膜厚計によりモニターした。
【００５０】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波スパッタ法により、記
録層、誘電体層及び反射層をそれぞれ形成した。
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波スパッタ法により、記
録層、誘電体層及び反射層をそれぞれ形成した。
【００５１】まず、真空容器内を１×１０-5Ｐａまで排
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚３７０ｎｍの第１誘電体層を形成した。続いて、
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる合金ターゲットとＳｉＯ2
を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを同時スパッタして、記
録層部の平均組成Ｇｅ16Ｓｂ17Ｔｅ41Ｚｎ11Ｓ10Ｓｉ2
Ｏ3 （原子％）の膜厚２５ｎｍの記録層を形成した。さ
らに前述の第２誘電体層を２０ｎｍ形成し、この上に、
Ｍｎ0.01Ｓｉ0.04Ａｌ0.95合金をスパッタして膜厚８０
ｎｍの反射層を形成した。さらにこのデイスクを真空容
器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線
硬化樹脂をスピンコートし、紫外線照射により硬化させ
て膜厚１０μｍの樹脂層を形成し本発明の光記録媒体を
得た。
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ
2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚３７０ｎｍの第１誘電体層を形成した。続いて、
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる合金ターゲットとＳｉＯ2
を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳを同時スパッタして、記
録層部の平均組成Ｇｅ16Ｓｂ17Ｔｅ41Ｚｎ11Ｓ10Ｓｉ2
Ｏ3 （原子％）の膜厚２５ｎｍの記録層を形成した。さ
らに前述の第２誘電体層を２０ｎｍ形成し、この上に、
Ｍｎ0.01Ｓｉ0.04Ａｌ0.95合金をスパッタして膜厚８０
ｎｍの反射層を形成した。さらにこのデイスクを真空容
器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線
硬化樹脂をスピンコートし、紫外線照射により硬化させ
て膜厚１０μｍの樹脂層を形成し本発明の光記録媒体を
得た。
【００５２】この光記録媒体を線速度３．０ｍ／秒で回
転させ、基板側から２２×６６μｍの長円に集光した波
長８２０ｎｍの半導体レーザー光を膜面強度１．１Ｗの
条件で照射して、記録層を結晶化し初期化した。その
後、線速度６ｍ／秒の条件で、対物レンズの開口数０．
５、半導体レーザーの波長７８０ｎｍの光学ヘッドを使
用して、周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅５０ｎｓｅｃ、
ピークパワー９〜１７ｍＷ、ボトムパワー４〜９ｍＷの
各条件に変調した半導体レーザー光で１００回オーバー
ライト記録した後、再生パワー１．３ｍＷの半導体レー
ザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測
定した。
転させ、基板側から２２×６６μｍの長円に集光した波
長８２０ｎｍの半導体レーザー光を膜面強度１．１Ｗの
条件で照射して、記録層を結晶化し初期化した。その
後、線速度６ｍ／秒の条件で、対物レンズの開口数０．
５、半導体レーザーの波長７８０ｎｍの光学ヘッドを使
用して、周波数３．７ＭＨｚ、パルス幅５０ｎｓｅｃ、
ピークパワー９〜１７ｍＷ、ボトムパワー４〜９ｍＷの
各条件に変調した半導体レーザー光で１００回オーバー
ライト記録した後、再生パワー１．３ｍＷの半導体レー
ザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測
定した。
【００５３】さらにこの部分を１．４ＭＨｚで、先と同
様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワンビーム・オ
ーバーライトし、この時の３．７ＭＨｚの消去率を測定
した図２に示すようにピークパワー１２ｍＷ以上で実用
上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつ図４に示
すようにボトムパワー５〜８ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上、最大３０ｄＢの消去率が得られた。
様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワンビーム・オ
ーバーライトし、この時の３．７ＭＨｚの消去率を測定
した図２に示すようにピークパワー１２ｍＷ以上で実用
上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつ図４に示
すようにボトムパワー５〜８ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上、最大３０ｄＢの消去率が得られた。
【００５４】さらにピーク・パワー１５ｍＷ、ボトムパ
ワー７ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
ワー７ｍＷ、周波数３．７ＭＨｚの条件で、ワンビーム
・オーバーライトの繰り返しを１０００回及び２０万回
行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変
化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められな
かった。
【００５５】また、この光記録媒体を，８０℃、相対湿
度８０％の環境に６００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。
度８０％の環境に６００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。
【００５６】実施例２ 実施例１の記録層をＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる合金タ
ーゲットとＳｉＯ2 を同時スパッタして、記録層部の平
均組成Ｇｅ17Ｓｂ17Ｔｅ42Ｓｉ8 Ｏ16（原子％）の膜厚
２５ｎｍの記録層とした他は、実施例１と同じ構成の光
記録媒体を作製した。この光記録媒体を実施例１と同様
にＣ／Ｎと消去率を測定したところ、ピークパワー１４
ｍＷ以上で実用上十分な５０以上のＣ／Ｎが得られ、ボ
トムパワー５〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最
大２８ｄＢの消去率が得られた。 実施例３ 実施例１の記録層をＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる合金タ
ーゲットとＺｎＳを同時スパッタして、記録層部の平均
組成Ｇｅ17Ｓｂ18Ｔｅ44Ｚｎ11Ｓ10（原子％）の膜厚２
５ｎｍの記録層とした他は、実施例１と同じ構成の光記
録媒体を作製した。この光記録媒体を実施例１と同様に
Ｃ／Ｎと消去率を測定したところ、ピークパワー１４ｍ
Ｗ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、
ボトムパワー５〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上最
大２８ｄＢの消去率が得られた。 実施例４ 実施例１の記録層をＰｄ1 Ｇｅ17Ｓｂ26Ｔｅ56からなる
合金ターゲットとＳｉＯ2 を同時スパッタして、記録層
部の平均組成Ｐｄ0.8 Ｇｅ13Ｓｂ19.5Ｔｅ42.5Ｓｉ8 Ｏ
16（原子％）の膜厚２５ｎｍの記録層とした他は、実施
例１と同じ構成の光記録媒体を作製した。この光記録媒
体を実施例１と同様にＣ／Ｎと消去率を測定したとこ
ろ、ピークパワー１４ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ
以上のＣ／Ｎが得られ、ボトムパワー５〜９ｍＷで実用
上十分な２０ｄＢ以上、最大２８ｄＢの消去率が得られ
た。
ーゲットとＳｉＯ2 を同時スパッタして、記録層部の平
均組成Ｇｅ17Ｓｂ17Ｔｅ42Ｓｉ8 Ｏ16（原子％）の膜厚
２５ｎｍの記録層とした他は、実施例１と同じ構成の光
記録媒体を作製した。この光記録媒体を実施例１と同様
にＣ／Ｎと消去率を測定したところ、ピークパワー１４
ｍＷ以上で実用上十分な５０以上のＣ／Ｎが得られ、ボ
トムパワー５〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最
大２８ｄＢの消去率が得られた。 実施例３ 実施例１の記録層をＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる合金タ
ーゲットとＺｎＳを同時スパッタして、記録層部の平均
組成Ｇｅ17Ｓｂ18Ｔｅ44Ｚｎ11Ｓ10（原子％）の膜厚２
５ｎｍの記録層とした他は、実施例１と同じ構成の光記
録媒体を作製した。この光記録媒体を実施例１と同様に
Ｃ／Ｎと消去率を測定したところ、ピークパワー１４ｍ
Ｗ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、
ボトムパワー５〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上最
大２８ｄＢの消去率が得られた。 実施例４ 実施例１の記録層をＰｄ1 Ｇｅ17Ｓｂ26Ｔｅ56からなる
合金ターゲットとＳｉＯ2 を同時スパッタして、記録層
部の平均組成Ｐｄ0.8 Ｇｅ13Ｓｂ19.5Ｔｅ42.5Ｓｉ8 Ｏ
16（原子％）の膜厚２５ｎｍの記録層とした他は、実施
例１と同じ構成の光記録媒体を作製した。この光記録媒
体を実施例１と同様にＣ／Ｎと消去率を測定したとこ
ろ、ピークパワー１４ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ
以上のＣ／Ｎが得られ、ボトムパワー５〜９ｍＷで実用
上十分な２０ｄＢ以上、最大２８ｄＢの消去率が得られ
た。
【００５７】比較例１ 実施例１の記録層をＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 からなる合金タ
ーゲットのみからスパッタして、記録層を平均組成Ｇｅ
22Ｓｂ23Ｔｅ55の膜厚２２ｎｍとした他は、実施例１と
同じ構成の光記録媒体を作製した。この光記録媒体を初
期化した後、実施例１と同様に測定したところ、ピーク
パワー１６ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／
Ｎが得られ、かつボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分
な２０ｄＢ以上最大２７ｄＢの消去率が得られた。実施
例１、２、３に比べ、Ｃ／Ｎ５０ｄＢ以上の得られる記
録時のピークパワーが２〜４ｍＷも高く、本発明の実施
例１，２，３が本比較例の従来の光記録媒体よりも遥か
に高感度であることがわかった。
ーゲットのみからスパッタして、記録層を平均組成Ｇｅ
22Ｓｂ23Ｔｅ55の膜厚２２ｎｍとした他は、実施例１と
同じ構成の光記録媒体を作製した。この光記録媒体を初
期化した後、実施例１と同様に測定したところ、ピーク
パワー１６ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／
Ｎが得られ、かつボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分
な２０ｄＢ以上最大２７ｄＢの消去率が得られた。実施
例１、２、３に比べ、Ｃ／Ｎ５０ｄＢ以上の得られる記
録時のピークパワーが２〜４ｍＷも高く、本発明の実施
例１，２，３が本比較例の従来の光記録媒体よりも遥か
に高感度であることがわかった。
【００５８】実施例５ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．６μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きＩＳＯ準拠フォーマット付きポリ
カーボネート基板上に高周波スパッタ法により、実施例
１と同様の記録層、誘電体層、反射層を形成し、さら
に、反射層上に紫外線硬化樹脂層を形成した。
パイラルグルーブ付きＩＳＯ準拠フォーマット付きポリ
カーボネート基板上に高周波スパッタ法により、実施例
１と同様の記録層、誘電体層、反射層を形成し、さら
に、反射層上に紫外線硬化樹脂層を形成した。
【００５９】この光記録媒体を実施例１と同様に初期化
した。その後、ディスク半径位置３０ｍｍ、回転数１８
００ｒｐｍの条件で、対物レンズの開口数０．５、半導
体レーザーの波長８３０ｎｍの光学ヘッドを使用して、
ピーク・パワー２０ｍＷ、ボトム・パワー９ｍＷ、パル
ス幅５０ｎｓｅｃの条件で、ＩＳＯフォーマットの２−
７変調コードの１．５Ｔと４Ｔ信号を同一トラック上で
交互に１００回オーバーライトし、さらに２−７変調コ
ードのランダムパターン信号で１度オーバーライトした
後、エラー・レートを測定したところ、エラーは皆無で
あった。さらに同一トラック上で、同様に１．５Ｔと４
Ｔの交互オーバーライトを２０万回行った後、ランダム
パターン信号でオーバーライトし同様にエラーレートを
測定したところ、エラーは皆無であり、本発明の光記録
媒体が、良好な繰返記録耐久性を有していることが明ら
かになった。
した。その後、ディスク半径位置３０ｍｍ、回転数１８
００ｒｐｍの条件で、対物レンズの開口数０．５、半導
体レーザーの波長８３０ｎｍの光学ヘッドを使用して、
ピーク・パワー２０ｍＷ、ボトム・パワー９ｍＷ、パル
ス幅５０ｎｓｅｃの条件で、ＩＳＯフォーマットの２−
７変調コードの１．５Ｔと４Ｔ信号を同一トラック上で
交互に１００回オーバーライトし、さらに２−７変調コ
ードのランダムパターン信号で１度オーバーライトした
後、エラー・レートを測定したところ、エラーは皆無で
あった。さらに同一トラック上で、同様に１．５Ｔと４
Ｔの交互オーバーライトを２０万回行った後、ランダム
パターン信号でオーバーライトし同様にエラーレートを
測定したところ、エラーは皆無であり、本発明の光記録
媒体が、良好な繰返記録耐久性を有していることが明ら
かになった。
【００６０】実施例６ 記録層を膜厚８０ｎｍのＧｅ14Ｓｂ21Ｔｅ39Ｚｎ10Ｓ10
Ｓｉ2 Ｏ4 （原子％）の膜、また、第１誘電体層および
第２誘電体層を膜厚１５０ｎｍの実施例１と同様の材質
の誘電体層とし、反射層を設けず、第２誘電体層上に実
施例１と同様の紫外線硬化樹脂の保護コートを施した光
記録媒体を作製した。実施例１と同様の装置で初期化を
施した後、この光記録媒体を実施例１と同様の装置を用
いて線速度７．５ｍ／ｓｅｃの条件でＣ／Ｎと消去率を
測定したところ、ピークパワー１１ｍＷ以上で実用上十
分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、ボトムパワー４〜
６ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最大２８ｄＢの消
去率が得られた。
Ｓｉ2 Ｏ4 （原子％）の膜、また、第１誘電体層および
第２誘電体層を膜厚１５０ｎｍの実施例１と同様の材質
の誘電体層とし、反射層を設けず、第２誘電体層上に実
施例１と同様の紫外線硬化樹脂の保護コートを施した光
記録媒体を作製した。実施例１と同様の装置で初期化を
施した後、この光記録媒体を実施例１と同様の装置を用
いて線速度７．５ｍ／ｓｅｃの条件でＣ／Ｎと消去率を
測定したところ、ピークパワー１１ｍＷ以上で実用上十
分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、ボトムパワー４〜
６ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上、最大２８ｄＢの消
去率が得られた。
【００６１】比較例２ 基板を実施例５と同様のＩＳＯ準拠フォーマット付きポ
リカーボネート基板とした他は、比較例１と同様の構成
の光記録媒体を作製し、実施例１と同様の装置で初期化
した。
リカーボネート基板とした他は、比較例１と同様の構成
の光記録媒体を作製し、実施例１と同様の装置で初期化
した。
【００６２】この光記録媒体を実施例５と同様の装置を
使用して、同様のディスク上の半径位置に、ピーク・パ
ワー、ボトム・パワーを２２ｍＷ以下の範囲で、繰返記
録後のエラー・レートが最良となる記録条件であるピー
ク・パワー２０ｍＷ、ボトム・パワー９ｍＷの記録条件
で、同様のエラー・レート測定を行った。
使用して、同様のディスク上の半径位置に、ピーク・パ
ワー、ボトム・パワーを２２ｍＷ以下の範囲で、繰返記
録後のエラー・レートが最良となる記録条件であるピー
ク・パワー２０ｍＷ、ボトム・パワー９ｍＷの記録条件
で、同様のエラー・レート測定を行った。
【００６３】１００回オーバーライト後のエラーは、皆
無であったが、１０万回記録後のエラー・レートは１×
１０-4台以上と大幅に劣化した。
無であったが、１０万回記録後のエラー・レートは１×
１０-4台以上と大幅に劣化した。
【００６４】
【発明の効果】本発明は、光記録媒体の記録層の組成を
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、Ｃ／Ｎが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定し
ており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。
特定の組成としたので、以下の効果が得られた。 (1) 高感度で、かつ消去率、Ｃ／Ｎが高い。 (2) 多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定し
ており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体
が少なくとも記録層と誘電体層を有し、記録層が、結晶
状態が実質的に単一の結晶相からなるテルルを主成分と
する記録材料と、該記録材料と実質的に非反応な化合物
からなる添加材を混合したものであり、かつ記録層中の
記録材料が実質的に連続した状態にあることを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項２】 記録材料が、テルルを主成分とし、副成
分としてＧｅ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ及びＣ
ｏの群から選ばれる少なくとも１種以上の元素を合計で
３０原子％以上６０原子％未満含有する合金であり、か
つ添加材が、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＳｉＯ2 、
ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＣ、ＺｒＣ及びＨｆＣの群
から選ばれる少なくとも一種以上の材料である請求項１
の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録材料が、Ｇｅ、ＴｅおよびＳｂの三
元素を必須の構成元素とし、かつ添加元素として、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ及びＣ
ｏの群から選ばれる少なくとも１種以上の元素を原子数
の比で０．５原子％以上、１０原子％以下含有する合金
であり、かつ添加材がＺｎＳとＳｉＯ2の混合物、Ｚｎ
Ｓ及びＳｉＯ2 の群から選ばれる少なくとも一種である
請求項２の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録層の膜厚方向の平均組成が下記の組
成式で表されることを特徴とする請求項１の光記録媒
体。 組成式 ｛Ｐｄz （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5
）y ｝1-p-q （ＺｎαＳ 1- α）p （ＳｉβＯ1-β）q ここでＰｄはパラジウム、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテ
ルル、Ｇｅはゲルマニウム、Ｚｎは亜鉛、Ｓは硫黄、Ｓ
ｉはシリコン、Ｏは酸素を表し、ｘ，ｙ，ｐ，ｑ，α，
β及び数字は、各元素の原子の数の比（各元素のモル
比）を表す。 かつ ０．３≦ｘ≦０．７ ０．２≦ｙ≦０．５ ０≦Ｚ≦０．１ ０≦ｐ≦０．５ ０≦ｑ≦０．５ ０．０５≦ｐ＋ｑ≦０．５ ０．４≦α≦０．６ １／３≦β≦１／２ - 【請求項５】 記録層が、記録材料と記録材料と実質的
に非反応な化合物の混合物からなるターゲットを使用し
てスパッタ法により堆積されてなる請求項１記載の光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3291494A JPH05124353A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3291494A JPH05124353A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05124353A true JPH05124353A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=17769601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3291494A Pending JPH05124353A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05124353A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006391A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support et procede d'enregistrement d'informations |
| WO2008129895A1 (ja) | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Sony Corporation | 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP3291494A patent/JPH05124353A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006391A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support et procede d'enregistrement d'informations |
| WO2008129895A1 (ja) | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Sony Corporation | 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法 |
| JP2008265015A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Sony Corp | 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法 |
| US8758980B2 (en) | 2007-04-16 | 2014-06-24 | Sony Corporation | Optical information recording medium and method of recording and/or reproducing therein |
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