JP3653390B2 - 情報記録媒体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、文献１『A. Hirotsune et al. "New phase-change rewritable optical recording film having well suppressed material flow for repeated rewriting " Appl. Phys. Lett. Vol. 66, p.2312(1995)』には、ＣｒＧｅＳｂＴｅ系記録膜について記載されている。ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、記録膜に接する保護層にはＺｎＳ−ＳｉＯ２系等の材料では、情報の書き換えを行なうことができる利点がある。
【０００３】
しかし、この種の保護層では、高密度化を行なうための、マークエッジ記録など行うと１０⁴回を越える多数回の書き換えにより、保護層材料中のＳが記録膜中へ拡散し、再生信号の反射率レベルの変動を引き起こす。例えば、文献２『N. Yamada et al. "Phase-change optical disk for DVD-RAM having an interface layer " Joint Moris/Isom '97 p.294(1997)』『N. Yamada et al. "Phase-change optical disk for DVD-RAM having an interface layer " Joint Moris/Isom '97 p.294(1997)』には、interface layerを、文献３『宮内他４名“酸化物界面層による相変化ディスクの保護層・記録膜間相互拡散の防止”第４５回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(1998.3.東京工科大学)、第１１２７頁、29p-ZK-12』には酸化物層を記録膜と基板の間に設ける事により、反射率変化を抑制する方法が開示されている。また、文献４『音羽他３名“記録膜の両側に窒化物層を有する相変化ディスク”第４５回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(1998.3.東京工科大学)、第１１２８頁、29p-ZK-13』には、ポリカーボネート基板/ZnS-SiO2/GeN/GeSbTe/GeN/Al合金が記載されている。これらは、保護層材料中のＳの拡散をinterface layerやGeNで防止している。
【０００４】
なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射により、記録膜が流動し、保護層や中間層の熱膨張による変形により、記録膜が少しずつ押されて生じる。マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
さて、上記文献２及び３，４における窒化物層や酸化物層は、熱伝導率が高いため記録感度が下がり、製膜速度が遅いため製膜時間が長くなるという欠点がある。
そこで、この発明の目的は、記録感度や製膜性も良好かつ、書き換え、多数回の書き換えを行っても良好な記録・再生特性を保持し、従来より反射率レベルの変動が少ない情報記録用媒体を提供することに有る。さらに、アーカイバルオーバーライト時のジッターやアーカイバルリード時のジッターが低く、長寿命である特性も兼ね備えた情報記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１） 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、光入射側から見て記録膜の奥側に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記中間層が，
Ｚｎ−Ｍ−Ｌ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭが
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなり、
かつＬが
Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つからなることを特徴とする。
【０００７】
（２） 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、光入射側から見て記録膜の奥側に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記中間層が，
Ｚｎ−Ｍ−Ｌ−Ｓ−Ｎからなり、かつＭが
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなり、
かつＬが
Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つからなることを特徴とする。
【０００８】
（３）１に記載の情報記録媒体において、
前記中間層が
Ｚｎ_xＭ_yＬ_zＳ_tＮ_uＯ_v
を満たし、０．２５≦x≦０．４２，かつ０．０１≦ｙ≦０．１８，かつ０．０５≦ｚ≦０．１９，０．２４≦ｔ≦０．４１，かつ０．０３≦ｕ≦０．２０，かつ０．０２≦ｖ≦０．１８，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満たす範囲にあることを特徴とする。
【０００９】
（４）２に記載の情報記録媒体において、
前記中間層が
Ｚｎ_xＭ_yＬ_zＳ_tＮ_u
を満たし、０．２９≦x≦０．４４、０．０１≦ｙ≦０．１８、０．０２≦ｚ≦０．１７，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１を満たす範囲にあることを特徴とする。
【００１０】
（５） 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、光入射側から見て記録膜の奥側に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記保護層が，
Ｚｎ−Ｍ−Ｌ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭが
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなり、
かつＬが
Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎ の少なくとも１つからなることを特徴とする。
【００１１】
（６）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、光入射側から見て記録膜の奥側に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記保護層が，
Ｚｎ−Ｍ−Ｌ−Ｓ−Ｎからなり、かつＭが
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなり、
かつＬが
Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎ の少なくとも１つからなることを特徴とする。
【００１２】
（７）５に記載の情報記録媒体において、
前記保護層が
Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v
を満たし、０．２５≦x≦０．４２，かつ０．０１≦ｙ≦０．１８，かつ０．０５≦ｚ≦０．１９，０．２４≦ｔ≦０．４１，かつ０．０３≦ｕ≦０．２０，かつ０．０２≦ｖ≦０．１８，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満たす範囲にあることを特徴とする。
【００１３】
（８）６に記載の情報記録媒体において、
前記保護層が
Ｚｎ_xＭ_yＬ_zＳ_tＮ_u
を満たし、０．２９≦x≦０．４４、０．０１≦ｙ≦０．１８、０．０２≦ｚ≦０．１７，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１を満たす範囲にあることを特徴とする。
【００１４】
（９）情報記録媒体において、１〜４のいずれか１つに記載の中間層と５〜８のいずれか１つに記載の保護層を有すること特徴とする。
【００１５】
（１０）（１）〜（４）、（５）に記載の情報記録媒体の作製方法は、以下の通りであることを特徴とする。
【００１６】
まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成した。次に、 Ｃｒ₂Ｏ₃膜よりなる第2保護層３を膜厚約１０ｎｍ、Ａｇ₃Ｇｅ₂₀Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅記録膜４を膜厚約１５ｎｍ 、Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀膜よりなる中間層５を膜厚約１８ｎｍ 、Ａｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜からなる第１反射層６を膜厚約３５ｎｍ 、Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７を膜厚約３５ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００１７】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍの基板１’上に順に膜厚約１００ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保護層２’、膜厚約１０ｎｍのＣｒ₂Ｏ₃膜よりなる第2保護層３’ 、膜厚約１８ｎｍのＡｇ₃Ｇｅ₂₀Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅膜よりなる記録膜４’、膜厚約２０ｎｍのＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀膜よりなる中間層５’、膜厚約３５ｎｍのＡｌ₉₄Ｃｒ₆膜よりなる第１反射層６’、膜厚約３５ｎｍのＡｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７’を積層した。
【００１８】
スパッタリング時のターゲット組成およびガス雰囲気は、以下の通りである。
【００１９】

Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀膜については、上記のように膜組成のターゲットを用いて、Ａｒガスでスパッタすると再現性良く製膜できる。それ以外にも、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₅Ｏ₁₀組成、、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₃Ｏ₁₀組成、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｏ₁₀組成、等のように窒素量を減らしたターゲットを用いて、かつＡｒにＮ₂を１〜２０％混合した雰囲気ガスでスパッタリングすることによって膜組成をＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀としてもよい。例えば、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｏ₁₀組成のターゲットを使用した場合は、スパッタパワー密度：３Ｗ／ｃｍ²、 スパッタガス混合比Ｎ₂：２％（Ａｒ：９８％）でスパッタすると上記膜組成となった。膜中のＮ量の調整はスパッタリングのパワー密度とＮ₂混合比を変化させて上記組成になるように制御できた。また、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−ＯターゲットにＡｇチップを貼ったり、上記組成比となるようにＺｎ−Ｓｉ−Ｓ−ＯターゲットとＡｇターゲットの同時スパッタをやってもよい。
【００２０】
Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀と組成比の異なる膜やＡｇの一部または全部を
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに換え、
かつＳｉの一部または全部をＧｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つに変えた場合についても同様な方法で作製できた。
【００２１】
その後、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上にそれぞれ紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布して硬化してオーバーコート層８，８‘を設けた。それぞれのオーバーコート層８、８’同士を接着剤層９を介して貼り合わせ、図１に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００２２】
前記中間層において、Ｚｎ，Ｓ量を増加させると結晶粒径のばらつきが大きくなりノイズが上昇し、 Ｚｎ，Ｓ量を低下させるとスパッタレートが下がり製膜に時間がかかることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｘ、ｔの範囲は０．２５≦x≦０．４２、０．２４≦ｔ≦０．４１、で、より良好な特性を示す範囲は０．３０≦x≦０．３９、０．２９≦ｔ≦０．３７である。
【００２３】
Ｓｉ，Ｎ量を増加させるとアーカイバルオーバーライト時のジッターを小さくできる。一方で、アーカイバルリード時のジッターが悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｚ、ｕの範囲は０．０５≦ｚ≦０．１９、０．０５≦ｕ≦０．１９で、より良好な特性を示す範囲は０．０７≦ｚ≦０．１４、０．０７≦ｕ≦０．１４である。
【００２４】
Ｏ量を増加させると変調度が大きくなり、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｖの範囲は０．０２≦ｖ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０５≦ｖ≦０．１５である。
【００２５】
Ａｇ量を増加させると反射率低下が小さくなるため、１０万回書き換え後の変調度が大きいまま保つことができ、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｙの範囲は０．０１≦ｙ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０２≦ｙ≦０．１２である。
【００２６】
ただし，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。
【００２７】
本実施例で中間層５、５’に用いた中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−ＯのＡｇの一部または全部をＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに変えても、
Ｓｉの一部または全部をＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つに変えても同様の効果が得られた。
【００２８】
これらのなかで、ＭがＡｇ，Ｃｏ，Ｓｉの場合はジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。また、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【００２９】
また、中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）（Ｓｉ−Ｎ）−（ Ｓｉ−Ｏ）、すなわち、（（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｍ−Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ｌ−Ｎ）−（ Ｍ−Ｏ）−（Ｌ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｏ））のように硫化物、酸化物、窒化物の混合物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【００３０】
前記中間層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ），等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【００３１】
次いで、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ）−（ Ｓｉ−Ｏ ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｏ ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ａｌ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｈｆ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｔｉ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｖ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｗ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｙ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｚｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｎｂ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【００３２】
また、Ｌ，Ｍの融点が高い場合は、Ｌ，Ｍが過剰に入っていてもよく、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
前記中間層において、中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎに変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、Ｏを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約２％良くなった。しかし、Ｏを含む場合はＯを含まない場合に比べて感度が約１割良かった。
【００３３】
この場合、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ膜と同様にノイズ、製膜速度、アーカイバルオーバーライト時のジッター、アーカイバルリード時のジッター、変調度、記録感度を測定したところ、
これらが良好な特性を示すｘ、ｙ，ｚ，ｔ、ｕの範囲は
２９≦x≦０．４４、０．０１≦ｙ≦０．１８、０．０２≦ｚ≦０．１７，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６で、
より良好な特性を示す範囲は０．３４≦x≦０．４３、０．０２≦ｙ≦０．１２、０．０５≦ｚ≦０．１２，０．３１≦ｔ≦０．３９、０．０７≦ｕ≦０．２０である。
【００３４】
ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【００３５】
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｎ）―（Ａｇ-Ｓ）のように硫化物、窒化物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【００３６】
前記中間層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ），
等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【００３７】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【００３８】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
【００３９】
前記中間層において、中間層５、５’に用いた中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、前記Ｍを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが低下しにくく、寿命が約２倍長くなった。しかし、Ｍを含む場合はＭを含まない場合に比べて約２％変調度が低下した。
【００４０】
Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変わりの材料としては、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【００４１】
これらの中で、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【００４２】
このように、中間組成がＺｎ_xＬ_zＳ_tＮ_uＯ_v，で表される場合の良い特性が得られる範囲は、 Ｍが減った分だけＬ量を増加した組成範囲となった。従って、０．２５≦x≦０．４２，かつ０．０６≦ｚ≦０．３４，０．２４≦ｔ≦０．４１，かつ０．０３≦ｕ≦０．２０，かつ０．０２≦ｖ≦０．１８，ｘ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。
【００４３】
また、中間組成がＺｎ_xＬ_zＳ_tＮ_u，で表される場合の良い特性が得られる範囲は、
０．２９≦x≦０．４４、０．０３≦ｚ≦０．３５，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６，ｘ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【００４４】
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
【００４５】
中間層の膜厚が１０ｎｍより薄いと記録感度が１０％以上、１５ｎｍの時に比べて低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜４０ｎｍとすると記録・再生特性が良くなり，好ましく、３０ｎｍ以下だとより好ましい。
【００４６】
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ／Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｏ， Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ／Ｚｎ−Ｓ，等のように中間層を２層にしても、同様の特性が得られた。この場合、記録膜に接する方の膜をＺｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ膜、またはＺｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ膜、または上記記載のこれらに変わる膜組成とすることが必要であった。それぞれの膜厚は５ｎｍ以上だと均一な膜となるため好ましく、中間層総膜厚は前記記載のように１０〜４０ｎｍとすると記録・再生特性が良くなり，好ましく、３０ｎｍ以下だとより好ましかった。
【００４７】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが化学的に安定で好ましいが，少しであれば、その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、酸化物および硫化物については、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。このように、金属元素が多くなる方向にずれた方が特性の劣化が少ない。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、 Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【００４８】
窒化物については、上記ずれは大きくても変調度低下は小さい。例えば、Ｚｎ₃Ｎ₂のような窒化物の場合、金属元素が多くなる方向には３０原子％以下、窒素元素が多くなる方向には５原子％以下のずれであれば、変調度低下が５％以下に押さえられ好ましい。
【００４９】
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，その他にの相変化ディスクにおいても，中間層材料を本実施例に記載した中間層材料に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果が見られる。
【００５０】
前記記録膜において、
Ｇｅを増加すると前エッジのジッターが低下する。しかし、Ｇｅ量を増加させるにつれて、後エッジジッターが増加することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すａの範囲は０．１６≦ａ≦０．２２で、より良好な特性を示す範囲は０．１８≦ａ≦０．２１である。
【００５１】
Ｓｂを増加すると前エッジのジッターが増加する。しかし、Ｓｂ量を増加させるにつれて、後エッジジッターが低減できることがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｂの範囲は０．１７≦ｂ≦０．３０で、より良好な特性を示す範囲は０．２０≦ｂ≦０．２８である。
【００５２】
Ｔｅを増加しても減少させても、後エッジジッターが増加することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｃの範囲は０．５２≦ｃ≦０．５９で、より良好な特性を示す範囲は０．５３≦ｃ≦０．５７である。
【００５３】
ＡｇとＧｅを増加させると、リード光耐性が向上する。しかし、Ａｇ，Ｇｅ量を増加させるにつれて、ジッターが増加することがわかった。従って，これらの特性が良好な特性を示すａ，ｗの範囲は０．２３≦ａ＋２ｗ≦０．３０で、より良好な特性を示す範囲は０．２５≦ａ＋２ｗ≦０．２８である。
【００５４】
Ａｇを増加させると、前エッジジッターが悪くなる。しかし、Ａｇ量を増加させるにつれて、書き換え可能回数が増加することがわかった。従って，これらの特性が良好な特性を示すｗの範囲はｗ≦０．０６で、より良好な特性を示す範囲はｗ≦０．０４である。
【００５５】
本実施例の記録膜以外に組成比の異なるＡｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜においても、また、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜においても同様の効果が得られた。その他の記録膜に対しても本中間層の反射率レベル変化の抑制は有効である。
【００５６】
ＡｇをＣｒ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｃｏ，Ｐｔに換えても同様な特性が得られ、ジッターも低かった。
【００５７】
この他、 Ｓｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉも次いでジッターが低かった。
【００５８】
前記記録膜において、記録膜膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１０万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜膜厚は１０ｎｍ以上、２６ｎｍ以下が好ましく、１２ｎｍ以上、１８ｎｍ以下であればより好ましい。
【００５９】
前記保護層において、第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ₂）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。また，また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、第１保護層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
【００６０】
第１保護層２の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，ＢｅＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｔａ₂Ｏ₅，ＺｒＯ₂，Ｃｕ₂Ｏ，ＭｇＯ などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄， Ｇｅ₃Ｎ₄，Ｇｅ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセレン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【００６１】
第２保護層３のＣｒ−Ｏに代わる材料としては， Ｃｒ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂ またはＣｒ₂Ｏ₃とＡｌ₂Ｏ_3、等の混合物が好ましい。ＳｉＯ₂ またはＡｌ₂Ｏ₃が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。第２保護層３に代わる材料としては，次いで、Ｔａ₂Ｏ₅，その次にＺｒＯ₂−Ｙ₂Ｏ₃，が好ましい。反射率レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方がよい。また、Ｃｏ₂Ｏ₃、 ＣｏＯ、などのＣｏ−Ｏ系材料，あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ系材料、あるいはこれらの混合材料でもよい。
【００６２】
また、この他にＴａ−Ｎ系材料等窒化物を用いると、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約１割低減でき、より好ましかった。Ｇｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎは結晶化速度が大きくなり、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
【００６３】
第１保護層が無い場合、記録時に基板の表面温度が高くなり基板の変形による、消去不可能な信号成分の発生とノイズの上昇が起きる。
【００６４】
第２保護層は記録膜中に第１保護層の材料が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書き換えによる反射率レベル低下を３％以下に抑制できた。一方、第２保護層が無い場合の１０万回書き換えによる反射率レベル低下は２５％生じた。
【００６５】
このように保護層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
【００６６】
第１保護層２および第２保護層３の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＣｒ₂Ｏ₃は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＳｉＯ₂はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃ ，Ｔａ₂Ｏ₅，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＴａ−Ｎは，アーカイバルオーバーライト時のジッターが小さく、寿命が長く好ましい。
【００６７】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物、窒化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、金属元素と窒素元素については，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【００６８】
第１保護層２および第１保護層の代わりの材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
【００６９】
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
【００７０】
前記保護層において、保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚は７０〜１３０ｎｍが記録時の変調度を４３％以上と大きくすることができかつ流動による記録膜始端終端部の劣化が２０Ｂｙｔｅ以下と好ましく、９０〜１２０ｎｍがより好ましい。
【００７１】
前記反射層において、Ａｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。
【００７２】
第１反射層中の、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
【００７３】
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【００７４】
この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。
【００７５】
本実施例で第２反射層７に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
【００７６】
第２反射層中の、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
【００７７】
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ， Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【００７８】
この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいものは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
【００７９】
また、第１反射層材料と第２反射層材料の屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、どちらかが異なる材料からなる組み合わせの場合、１０回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制できた。さらに、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。
【００８０】
第１反射層および第２反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【００８１】
前記反射層において、第１反射層または第２反射層膜厚が薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％より大きくなる。また、第１反射層または第２反射層膜厚が厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。
【００８２】
これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。
【００８３】
第２反射層の膜厚は１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下が好ましい。
【００８４】
また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に強度と形成時間の点から、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない場合については残っている層の膜厚をいう。
【００８５】
前記反射層において、第１反射層材料、第２反射層材料については上記に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜 および第２反射層がＡｌ₉₉Ｔｉ₁，第１反射層がＡｌ₉₀Ｔｉ₁₀ 膜 および第２反射層がＡｌ₉₈Ｔｉ₂，第１反射層がＡｌ₇₅Ｔｉ₂₅膜 および第２反射層がＡｌ₉₉Ｔｉ₁，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。 Ａｌ-ＴｉとＡｌ-Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ-Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
【００８６】
前記基板等において、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカ−ボネ−ト基板１の代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【００８７】
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
【００８８】
前記貼り合わせにおいて、 まったく同様の方法により、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材のオーバーコート層８，８’同士を貼り合わせるのに代わり、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
【００８９】
上記では、オーバーコート層を設けているが、この層なしに直接貼り合わせを行うと，エラーレートがより高くなるが、作製時間およびコストを低減できる。
【００９０】
前記各層において、各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
【００９１】
（１１）（５）〜（９）に記載の情報記録媒体は（１０）と同様に作製した。
【００９２】
前記第２保護層において、
Ｚｎ，Ｓ量を増加させると結晶粒径のばらつきが大きくなりノイズが上昇し、 Ｚｎ，Ｓ量を低下させるとスパッタレートが下がり製膜に時間がかかることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｘ、ｔの範囲は０．２５≦x≦０．４２、０．２４≦ｔ≦０．４１、で、より良好な特性を示す範囲は０．３０≦x≦０．３９、０．２９≦ｔ≦０．３７である。
【００９３】
Ｓｉ，Ｎ量を増加させるとアーカイバルオーバーライト時のジッターを小さくできる。一方で、アーカイバルリード時のジッターが悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｚ、ｕの範囲は０．０５≦ｚ≦０．１９、０．０３≦ｕ≦０．２０で、より良好な特性を示す範囲は０．０７≦ｚ≦０．１４、０．０３≦ｕ≦０．２０である。
【００９４】
Ｏ量を増加させると変調度が大きくなり、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｖの範囲は０．０２≦ｖ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０５≦ｖ≦０．１５である。
【００９５】
Ａｇ量を増加させると反射率低下が小さくなるため、１０万回書き換え後の変調度が大きいまま保て、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｙの範囲は０．０１≦ｙ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０２≦ｙ≦０．１２である。
【００９６】
ただし，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。
【００９７】
前記第２保護層において、第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−ＯのＡｇの一部または全部をＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに変えても、Ｓｉの一部または全部をＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つに変えても同様の効果が得られた。
【００９８】
これらのなかで、ＭがＡｇ，Ｃｏ，Ｓｉの場合はジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。また、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【００９９】
また、第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）（Ｓｉ−Ｎ）−（ Ｓｉ−Ｏ）、すなわち、（（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｍ−Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ｌ−Ｎ）−（ Ｍ−Ｏ）−（Ｌ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｏ））のように硫化物、酸化物、窒化物の混合物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【０１００】
前記第２保護層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ），等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０１０１】
次いで、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【０１０２】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
また、本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎに変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、Ｏを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約２％良くなった。しかし、Ｏを含む場合はＯを含まない場合に比べて感度が約１割良かった。
【０１０３】
この場合、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ膜と同様にノイズ、製膜速度、アーカイバルオーバーライト時のジッター、アーカイバルリード時のジッター、変調度、記録感度を測定したところ、これらが良好な特性を示すｘ、ｙ，ｚ，ｔ、ｕの範囲は
２９≦x≦０．４４、０．０１≦ｙ≦０．１８、０．０２≦ｚ≦０．１７，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６で、
より良好な特性を示す範囲は０．３４≦x≦０．４３、０．０２≦ｙ≦０．１２、０．０５≦ｚ≦０．１２，０．３１≦ｔ≦０．３９、０．０７≦ｕ≦０．２０である。
【０１０４】
ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【０１０５】
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）のように硫化物、窒化物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【０１０６】
前記第２保護層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ），等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０１０７】
次いで、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【０１０８】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
【０１０９】
前記第２保護層において、第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、前記Ｍを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが低下しにくく、寿命が約２倍長くなった。しかし、Ｍを含む場合はＭを含まない場合に比べて約２％変調度が低下した。
【０１１０】
Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変わりの材料としては、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０１１１】
これらの中で、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【０１１２】
第２保護層３および第２保護層３の代わりの材料は，各第２保護層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１１３】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが化学的に安定で好ましいが，少しであれば、その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、酸化物および硫化物については、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。このように、金属元素が多くなる方向にずれた方が特性の劣化が少ない。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、 Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【０１１４】
窒化物については、上記ずれは大きくても変調度低下は小さい。例えば、Ｚｎ₃Ｎ₂のような窒化物の場合、金属元素が多くなる方向には３０原子％以下、窒素元素が多くなる方向には５原子％以下のずれであれば、変調度低下が５％以下に押さえられ好ましい。
【０１１５】
また，（１１）に記載した、構造のディスクだけでなく，その他にの相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記載した第２保護層材料に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果が見られる前記中間層において、中間層５、５‘を（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀により形成している。
【０１１６】
中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ₂）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。また，また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
【０１１７】
中間層５の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，ＢｅＯ，Ｂ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｔａ₂Ｏ₅，ＺｒＯ₂，Ｃｕ₂Ｏ，ＭｇＯ などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｇｅ₃Ｎ₄，Ｇｅ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセレン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【０１１８】
この他、中間層５の材料としては， Ｃｒ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂ またはＣｒ₂Ｏ₃とＡｌ₂Ｏ₃との混合物_、 Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂の混合物、が好ましい。ＳｉＯ₂ またはＡｌ₂Ｏ₃が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。次いで、Ｔａ₂Ｏ₅，その次にＺｒＯ₂−Ｙ₂Ｏ₃，が好ましい。反射率レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方がよい。また、Ｃｏ₂Ｏ₃、 ＣｏＯ、などのＣｏ−Ｏ系材料，あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ系材料、あるいはこれらの混合材料でもよい。
【０１１９】
また、この他にＴａ−Ｎ系材料等窒化物を用いると、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約１割低減でき、より好ましかった。Ｇｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎは結晶化速度が大きくなり、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
【０１２０】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物、窒化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、金属元素と窒素元素については，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【０１２１】
中間層５および中間層の代わりの材料は，中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１２２】
（１０）に記載の中間層と（１１）の第２保護層を組み合わせることにより、反射率レベル変化の抑制効果はより大きくなり、反射率レベルの変化は５％以下になった。
【０１２３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
【０１２４】
（１）実施例１
（構成、製法）
図１は、この発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【０１２５】
まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成した。次に、 Ｃｒ₂Ｏ₃膜よりなる第2保護層３を膜厚約１０ｎｍ、Ａｇ₃Ｇｅ₂₀Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅記録膜４を膜厚約１５ｎｍ 、Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀膜よりなる中間層５を膜厚約１８ｎｍ 、Ａｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜からなる第１反射層６を膜厚約３５ｎｍ 、Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７を膜厚約３５ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【０１２６】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍの基板１’上に順に膜厚約１００ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保護層２’、膜厚約１０ｎｍのＣｒ₂Ｏ₃膜よりなる第2保護層３’ 、膜厚約１８ｎｍのＡｇ₃Ｇｅ₂₀Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅膜よりなる記録膜４’、膜厚約２０ｎｍのＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀膜よりなる中間層５’、膜厚約３５ｎｍのＡｌ₉₄Ｃｒ₆膜よりなる第１反射層６’、膜厚約３５ｎｍのＡｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７’を積層した。
【０１２７】
スパッタリング時のターゲット組成およびガス雰囲気は、以下の通りである。
【０１２８】

Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀膜については、上記のように膜組成のターゲットを用いて、Ａｒガスでスパッタすると再現性良く製膜できる。それ以外にも、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₅Ｏ₁₀組成、、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₃Ｏ₁₀組成、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｏ₁₀組成、等のように窒素量を減らしたターゲットを用いて、かつＡｒにＮ₂を１〜２０％混合した雰囲気ガスでスパッタリングすることによって膜組成をＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀としてもよい。例えば、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｏ₁₀組成のターゲットを使用した場合は、スパッタパワー密度：３Ｗ／ｃｍ²、 スパッタガス混合比Ｎ₂：２％（Ａｒ：９８％）でスパッタすると上記膜組成となった。膜中のＮ量の調整はスパッタリングのパワー密度とＮ₂混合比を変化させて上記組成になるように制御できた。また、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−ＯターゲットにＡｇチップを貼ったり、上記組成比となるようにＺｎ−Ｓｉ−Ｓ−ＯターゲットとＡｇターゲットの同時スパッタをやってもよい。
【０１２９】
Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀と組成比の異なる膜やＡｇの一部または全部を
Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに換え、
かつＳｉの一部または全部をＧｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つに変えた場合についても同様な方法で作製できた。
【０１３０】
その後、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上にそれぞれ紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布して硬化してオーバーコート層８，８‘を設けた。それぞれのオーバーコート層８、８’同士を接着剤層９を介して貼り合わせ、図１に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０１３１】
本発明の中間層では、中間層製膜時のスパッタレートが比較例構造ディスクに比べて大きくなったので、製膜時間は約１/５となった。
【０１３２】
（初期結晶化）
前記のようにして製作した媒体の記録膜４、４’に次のようにして初期結晶化を行った。なお、記録膜４’についてもまったく同様であるから、以下の説明では記録膜４についてのみ述べることとする。
【０１３３】
媒体を記録トラック上の点の線速度が８m/sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを８５０ｍＷにして基板１を通して記録膜４に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の１／4ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
【０１３４】
（記録・消去・再生）
次に、以上のようにして初期結晶化が完了した記録膜４の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｍ（５ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（１１ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は６m/s、半導体レーザ波長は６６０ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０.６である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。
【０１３５】
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルとのパワ−比は１：０.３〜１：０.６の範囲が特に好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように，１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルより低いレベルまでパワーを繰り返し下げ，かつ、記録マーク形成の最後にパワーを下げるクーリングパルスの時間幅Ｔｃを１Ｔｗとした記録波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと，再生信号波形の特に低いジッター値およびエラーレートが得られた。この図では３Ｔｗ，４Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが，５Ｔｗ〜１０Ｔｗは４Ｔｗの波形のＴｃの前に，高いパワーレベルと低いパワーレベルにそれぞれＴｗ／２ずつ保つ組み合わせの波形が１組ずつ追加されていく。７組追加されたものが１１Ｔｗである。３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．６２μmとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。記録信号には、情報信号の始端部に５５Ｂｙｔｅ 、終端部に５５Ｂｙｔｅの４Ｔマークと４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれている。始端部の５５Ｂｙｔｅには３５ＢｙｔｅのＶＦＯが含まれている。
【０１３６】
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
【０１３７】
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（５ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転で低パワーレベル（１ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（５ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
【０１３８】
記録感度の測定方法は、以下の通りである。まず、適当な中間パワーレベル（Ｐｆ１）を
決定し、ジッターの高パワーレベル依存性を測定して前エッジと後エッジの二乗平均値が１３％をよこ切る低い方のパワー値の１．２倍のパワーを求め、高パワーレベル（Ｐｆ２）とする。ジッターは、特に記載のない場合は前エッジと後エッジの二乗平均値のことをいう。次に、Ｐｆ２一定で、ジッターの中間パワーレベル依存性を求める。そして、ジッターが１３％をよこ切る低い方のパワーと高い方のパワーをの平均値を求め、Ｐｆ３とする。Ｐｆ３は最適中間パワーレベルである。最後に、Ｐｆ３一定で、ジッターの高パワーレベル依存性を求め、１３％をよこ切る低い方のパワーを求める。これが、最適高パワーレベルＰｆ４である。記録感度は、Ｐｆ４で比較される。Ｐｆ４が大きいと記録に必要なレーザパワーが高いため、感度が悪く、Ｐｆ４が小さいと記録に必要なレーザパワーが低くてすむため感度がよい。
【０１３９】
本実施例の情報記録媒体では、Ｐｆ１＝５ｍＷ，Ｐｆ２＝１０．５ｍＷ，Ｐｆ３＝４．５ｍＷ，Ｐｆ４＝１０．５ｍＷであり比較例構造の情報記録媒体に比べて２割以上感度が良かった。
【０１４０】
これらの方法は、この発明の媒体に用いられる記録膜ばかりでなく他の媒体の記録膜にも有効である。
【０１４１】
本実施例の情報記録媒体では、記録・消去を繰り返した時に、図４に示すように，書き換え１０万回で、１１Ｔ−Ｈｉｇｈ（１１Ｔ信号の結晶化レベル）の反射光量低下は７％未満である。
【０１４２】
また、本実施例の情報記録媒体では、記録・消去を繰り返した時に、図２に示すように，初回から１０万回までの書き換え時のジッター（σ／Ｔｗ）も１０％以下と小さく良好な特性を示した。ジッターとは記録マークのエッジ部の位置を再生した際、再生信号がウインドウ幅（Ｔｗ）に対してどの程度ゆらいでいるかを示す指標である。ジッターの値が約１５％になると、エッジ部の検出位置がウインドウ幅をほぼ占めるため、ジッター値が大きくなると記録信号を正確に再生できなくなる。装置によるジッター増加分のマージンをとるため、情報記録媒体ではジッターを１２％以下に押さえることが好ましい。さらにジッターを小さく１０％以下にできれば装置によるジッター増加分のジッターマージンが大きくなり、より好ましい。情報記録媒体に情報を記録する場合、一般に１つの情報記録媒体において１箇所あたりへの記録回数は約１０万回程度必要と言われている。そのため、本実施例においても初回記録から１０万回書き換え後までの記録・再生特性を調べた。
【０１４３】
ジッター測定におけるウインド幅（Ｔｗ）は３４ｎｓ、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録信号は１１Ｔｗでこれらをランダムに記録している。これらの測定には再生等化回路を使用した。また、記録膜が流動して記録始端部で膜材料が不足し、終端部で蓄積することによる再生信号波形の大きなひずみが起こる領域の幅（流動幅）を、始端部で１５Ｂｙｔｅ相当以下、終端部で５Ｂｙｔｅ相当以下にすることができた。
【０１４４】
本実施例に記載の情報記録媒体では、記録感度はいずれも比較例構造の情報記録媒体に比べて良く、また製膜時間も短縮できているが、このなかでもより良いところを調べたところ以下のようになった。
【０１４５】
（中間層）
本実施例で中間層５、５’に用いた中間層の組成をＺｎ−Ｎ量と、Ａｇ−ＳとＺｎ−Ｎ比を一定にし、Ｚｎ−ＳとＳｉ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎの比を変化させ、ノイズ上昇と製膜時のスパッタレートより製膜時間比を測定したところ次のようになった。 製膜時間比はＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀の場合を１として示した。
【０１４６】
中間層組成 ノイズ上昇（ｄＢ） 製膜時間比
Ｚｎ₄₇Ａｇ₂Ｓｉ₁Ｓ₄₇Ｎ₃ ５ −
Ｚｎ₄₂Ａｇ₂Ｓｉ₅Ｓ₄₁Ｎ₅Ｏ₅ ２ −
Ｚｎ₃₉Ａｇ₂Ｓｉ₇Ｓ₃₇Ｎ₅Ｏ₁₀ ０ １
Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ ０ １
Ｚｎ₃₀Ａｇ₂Ｓｉ₁₄Ｓ₂₉Ｎ₁₁Ｏ₁₄ − １
Ｚｎ₂₅Ａｇ₂Ｓｉ₁₈Ｓ₂₄Ｎ₁₃Ｏ₁₈ − ２
Ｚｎ₁₉Ａｇ₂Ｓｉ₂₂Ｓ₁₉Ｎ₁₆Ｏ₂₂ − ３
これより、Ｚｎ，Ｓ量を増加させると結晶粒径のばらつきが大きくなりノイズが上昇し、 Ｚｎ，Ｓ量を低下させるとスパッタレートが下がり製膜に時間がかかることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｘ、ｔの範囲は０．２５≦x≦０．４２、０．２４≦ｔ≦０．４１、で、より良好な特性を示す範囲は０．３０≦x≦０．３９、０．２９≦ｔ≦０．３７である。
【０１４７】
本実施例で中間層５、５’に用いた中間層の組成をＺｎ−Ｎ、Ａｇ−Ｓ 量を一定にし，Ｓｉ−Ｎ量を増加させ、アーカイバルオーバーライト（Ａ−ＯＷ）時のジッターとアーカイバルリード（Ａ−Ｒ）時のジッターを測定したところ次のようになった。本実施例におけるアーカイバルオーバーライト時のジッターとは、記録を行った後、温度８０℃、湿度９０％の恒温恒湿状態に１００時間保ち、前回記録した場所にオーバーライトした際に測定したジッターのことをいう。アーカイバルリード時のジッターとは、記録を行った後、温度８０℃、湿度９０％の恒温恒湿状態に１００時間保ち、前回記録した場所をリードした際に測定したジッターのことをいう。
【０１４８】

これより、Ｓｉ，Ｎ量を増加させるとアーカイバルオーバーライト時のジッターを小さくできる。一方で、アーカイバルリード時のジッターが悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｚ、ｕの範囲は０．０５≦ｚ≦０．１９、０．０５≦ｕ≦０．１９で、より良好な特性を示す範囲は０．０７≦ｚ≦０．１４、０．０７≦ｕ≦０．１４である。
【０１４９】
本実施例で中間層５、５’に用いた中間層の組成をその他の元素の比を一定にし，Ｏ量を変化させ、変調度と記録感度を測定したところ次のようになった。
【０１５０】
記録感度は、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ の場合を０として、それに対しての感度の低下割合を示した。
【０１５１】
Ｏ量（原子％） 変調度（％） 記録感度（％）
１ ４０ −
２ ４３ −
５ ４７ ０
４８ −３
１４ ４８ −５
１８ − −１０
２２ − −１５
これより、Ｏ量を増加させると変調度が大きくなり、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｖの範囲は０．０２≦ｖ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０５≦ｖ≦０．１５である。
【０１５２】
本実施例で中間層５、５’に用いた中間層の組成をその他の元素の比を一定にし，Ａｇ量を変化させ、１０万回書き換え後の変調度と記録感度を測定したところ次のようになった。記録感度は、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ の場合を０として、それに対しての感度の低下割合を示した。
【０１５３】
Ａｇ量（原子％） 変調度（％） 記録感度（％）
０ ３５ −
１ ４３ −
２ ４７ ０
１２ ４８ −３
１８ ４８ −５
２２ − −１５
これより、Ａｇ量を増加させると反射率低下が小さくなるため、１０万回書き換え後の変調度が大きいまま保つことができ、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｙの範囲は０．０１≦ｙ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０２≦ｙ≦０．１２である。
【０１５４】
ただし，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。
【０１５５】
本実施例で中間層５、５’に用いた中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏの
Ａｇの一部または全部をＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに変えても、Ｓｉの一部または全部をＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つに変えても同様の効果が得られた。
【０１５６】
これらのなかで、ＭがＡｇ，Ｃｏ，Ｓｉの場合はジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。また、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【０１５７】
また、中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）（Ｓｉ−Ｎ）−（ Ｓｉ−Ｏ）、すなわち、（（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｍ−Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ｌ−Ｎ）−（ Ｍ−Ｏ）−（Ｌ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｏ））のように硫化物、酸化物、窒化物の混合物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【０１５８】
前記中間層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ），等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０１５９】
次いで、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ）−（ Ｓｉ−Ｏ ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｏ ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｏ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ａｌ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｈｆ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｔｉ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｖ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｗ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｙ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｚｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｎｂ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【０１６０】
また、Ｌ，Ｍの融点が高い場合は、Ｌ，Ｍが過剰に入っていてもよく、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
また、本実施例で中間層５、５’に用いた中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎに変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、Ｏを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約２％良くなった。しかし、Ｏを含む場合はＯを含まない場合に比べて感度が約１割良かった。
【０１６１】
この場合、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ膜と同様にノイズ、製膜速度、アーカイバルオーバーライト時のジッター、アーカイバルリード時のジッター、変調度、記録感度を測定したところ、これらが良好な特性を示すｘ、ｙ，ｚ，ｔ、ｕの範囲は２９≦x≦０．４４、０．０１≦ｙ≦０．１８、０．０２≦ｚ≦０．１７，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６で、より良好な特性を示す範囲は０．３４≦x≦０．４３、０．０２≦ｙ≦０．１２、０．０５≦ｚ≦０．１２，０．３１≦ｔ≦０．３９、０．０７≦ｕ≦０．２０である。ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【０１６２】
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｎ）―（Ａｇ-Ｓ）のように硫化物、窒化物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【０１６３】
前記中間層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ），等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０１６４】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【０１６５】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
【０１６６】
また、本実施例で中間層５、５’に用いた中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、前記Ｍを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが低下しにくく、寿命が約２倍長くなった。しかし、Ｍを含む場合はＭを含まない場合に比べて約２％変調度が低下した。
【０１６７】
Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変わりの材料としては、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０１６８】
これらの中で、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【０１６９】
このように、中間組成がＺｎ_xＬ_zＳ_tＮ_uＯ_v，で表される場合の良い特性が得られる範囲は、 Ｍが減った分だけＬ量を増加した組成範囲となった。従って、０．２５≦x≦０．４２，かつ０．０６≦ｚ≦０．３４，０．２４≦ｔ≦０．４１，かつ０．０３≦ｕ≦０．２０，かつ０．０２≦ｖ≦０．１８，ｘ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。
【０１７０】
また、中間組成がＺｎ_xＬ_zＳ_tＮ_u，で表される場合の良い特性が得られる範囲は、
０．２９≦x≦０．４４、０．０３≦ｚ≦０．３５，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６，ｘ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【０１７１】
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
【０１７２】
中間層の膜厚が１０ｎｍより薄いと記録感度が１０％以上、１５ｎｍの時に比べて低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜４０ｎｍとすると記録・再生特性が良くなり，好ましく、３０ｎｍ以下だとより好ましい。
【０１７３】
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ／Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｏ， Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ／Ｚｎ−Ｓ，等のように中間層を２層にしても、同様の特性が得られた。この場合、記録膜に接する方の膜をＺｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ膜、またはＺｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ膜、または上記記載のこれらに変わる膜組成とすることが必要であった。それぞれの膜厚は５ｎｍ以上だと均一な膜となるため好ましく、中間層総膜厚は前記記載のように１０〜４０ｎｍとすると記録・再生特性が良くなり，好ましく、３０ｎｍ以下だとより好ましかった。
【０１７４】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが化学的に安定で好ましいが，少しであれば、その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、酸化物および硫化物については、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。このように、金属元素が多くなる方向にずれた方が特性の劣化が少ない。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、 Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【０１７５】
窒化物については、上記ずれは大きくても変調度低下は小さい。例えば、Ｚｎ₃Ｎ₂のような窒化物の場合、金属元素が多くなる方向には３０原子％以下、窒素元素が多くなる方向には５原子％以下のずれであれば、変調度低下が５％以下に押さえられ好ましい。
【０１７６】
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，その他にの相変化ディスクにおいても，中間層材料を本実施例に記載した中間層材料に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果が見られる。
【０１７７】
（記録膜）
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＴｅ，Ａｇ量を一定にし、ＧｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後の前エッジおよび後エッジのジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
【０１７８】
記録膜の組成はＡｇ_wＧｅ_aＳｂ_bＴｅ_cで示した。
【０１７９】

これより、Ｇｅを増加すると前エッジのジッターが低下する。しかし、Ｇｅ量を増加させるにつれて、後エッジジッターが増加することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すａの範囲は０．１６≦ａ≦０．２２で、より良好な特性を示す範囲は０．１８≦ａ≦０．２１である。
【０１８０】
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＡｇ量は一定で、Ａｇ₃Ｇｅ₃₂Ｔｅ₆₅とＡｇ₃Ｇｅ₂Ｓｂ₅₅Ｔｅ₄₀ を結ぶ線上で変化させ、１０回書き換え後の前エッジおよび後エッジのジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
【０１８１】

これより、Ｓｂを増加すると前エッジのジッターが増加する。しかし、Ｓｂ量を増加させるにつれて、後エッジジッターが低減できることがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｂの範囲は０．１７≦ｂ≦０．３０で、より良好な特性を示す範囲は０．２０≦ｂ≦０．２８である。
【０１８２】
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＧｅ，Ａｇ量を一定にし、ＴｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後の後エッジのジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
【０１８３】

これより、Ｔｅを増加しても減少させても、後エッジジッターが増加することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｃの範囲は０．５２≦ｃ≦０．５９で、より良好な特性を示す範囲は０．５３≦ｃ≦０．５７である。
【０１８４】
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＡｇ量を一定にし、ＳｂとＴｅ量の比を一定にし、Ｇｅ量を変化させ、１回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）およびリード光耐性を測定したところ次のようになった。リード光耐性とは、１．６ｍＷのリード光を照射した際に、ジッターが１３％を超える時間を調べた。
【０１８５】

これより、ＡｇとＧｅを増加させると、リード光耐性が向上する。しかし、Ａｇ，Ｇｅ量を増加させるにつれて、ジッターが増加することがわかった。従って，これらの特性が良好な特性を示すａ，ｗの範囲は０．２３≦ａ＋２ｗ≦０．３０で、より良好な特性を示す範囲は０．２５≦ａ＋２ｗ≦０．２８である。
【０１８６】
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＴｅ量を一定にし、Ａｇ量を変化させ、５回書き換え後の前エッジジッター（σ／Ｔｗ）および書き換え回数を測定したところ次のようになった。書き換え回数とは、ジッターが１３％以上になる書き換え回数の
ことをいう。
【０１８７】

これより、Ａｇを増加させると、前エッジジッターが悪くなる。しかし、Ａｇ量を増加させるにつれて、書き換え可能回数が増加することがわかった。従って，これらの特性が良好な特性を示すｗの範囲はｗ≦０．０６で、より良好な特性を示す範囲はｗ≦０．０４である。
【０１８８】
本実施例の記録膜以外に組成比の異なるＡｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜においても、また、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜においても同様の効果が得られた。その他の記録膜に対しても本中間層の反射率レベル変化の抑制は有効である。
【０１８９】
ＡｇをＣｒ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｃｏ，Ｐｔに換えても同様な特性が得られ、ジッターも低かった。
【０１９０】
この他、 Ｓｉ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉも次いでジッターが低かった。
【０１９１】
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。記録膜膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１０万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
【０１９２】
記録膜膜厚 １０回書き換え後のジッター １０万回書き換え後のジッター
８ １６ −
１０ １２ −
１２ １０ １０
１５ ９ １０
１８ １０ １０
２６ − １３
４０ − ２０
これより、記録膜膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１０万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜膜厚は１０ｎｍ以上、２６ｎｍ以下が好ましく、１２ｎｍ以上、１８ｎｍ以下であればより好ましい。
【０１９３】
（保護層）
本実施例では、第１保護層２を（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀および第２保護層３をＣｒ₂Ｏ₃により形成している。
【０１９４】
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ₂）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。また，また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、第１保護層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
【０１９５】
第１保護層２の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，ＢｅＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｔａ₂Ｏ₅，ＺｒＯ₂，Ｃｕ₂Ｏ，ＭｇＯ などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄， Ｇｅ₃Ｎ₄，Ｇｅ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセレン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【０１９６】
第２保護層３のＣｒ−Ｏに代わる材料としては， Ｃｒ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂ またはＣｒ₂Ｏ₃とＡｌ₂Ｏ_3、等の混合物が好ましい。ＳｉＯ₂ またはＡｌ₂Ｏ₃が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。第２保護層３に代わる材料としては，次いで、Ｔａ₂Ｏ₅，その次にＺｒＯ₂−Ｙ₂Ｏ₃，が好ましい。反射率レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方がよい。また、Ｃｏ₂Ｏ₃、 ＣｏＯ、などのＣｏ−Ｏ系材料，あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ系材料、あるいはこれらの混合材料でもよい。
【０１９７】
また、この他にＴａ−Ｎ系材料等窒化物を用いると、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約１割低減でき、より好ましかった。Ｇｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎは結晶化速度が大きくなり、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
【０１９８】
第１保護層が無い場合、記録時に基板の表面温度が高くなり基板の変形による、消去不可能な信号成分の発生とノイズの上昇が起きる。
【０１９９】
第２保護層は記録膜中に第１保護層の材料が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書き換えによる反射率レベル低下を３％以下に抑制できた。一方、第２保護層が無い場合の１０万回書き換えによる反射率レベル低下は２５％生じた。
【０２００】
このように保護層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
【０２０１】
第１保護層２および第２保護層３の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＣｒ₂Ｏ₃は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＳｉＯ₂はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃ ，Ｔａ₂Ｏ₅，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＴａ−Ｎは，アーカイバルオーバーライト時のジッターが小さく、寿命が長く好ましい。
【０２０２】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物、窒化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、金属元素と窒素元素については，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【０２０３】
第１保護層２および第１保護層の代わりの材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
【０２０４】
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
【０２０５】
本実施例で用いた保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚を変化させ、変調度を測定したところ次のようになった。
【０２０６】
変調度（Ｍｏｄ）の計算式は以下の通りである。
【０２０７】
Ｍｏｄ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉｃ
Ｉｃ：１１Ｔ信号記録時の結晶（消去）状態の反射率レベル（１１Ｔ−Ｈｉｇｈ）
Ｉａ：１１Ｔ信号記録時の非晶質（記録）状態の反射率レベル（１１Ｔ−Ｌｏｗ）
また、記録膜の流動による始端部および終端部の劣化幅（流動幅）で測定し、両者の大きい方の値と保護層膜厚の関係を調べた。
【０２０８】

保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚は７０〜１３０ｎｍが記録時の変調度を４３％以上と大きくすることができかつ流動による記録膜始端終端部の劣化が２０Ｂｙｔｅ以下と好ましく、９０〜１２０ｎｍがより好ましい。
【０２０９】
（反射層）
本実施例で第１反射層６に用いたＡｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。
【０２１０】
第１反射層６に用いた第１反射層の組成を変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
【０２１１】
第１反射層組成 前エッジのジッター（％） 後エッジのジッター（％）
Ａｌ₉₉Ｃｒ₁ １８ −
Ａｌ₉₇Ｃｒ₃ １２ −
Ａｌ₉₅Ｃｒ₅ １０ −
Ａｌ₉₄Ｃｒ₆ １０ １０
Ａｌ₈₅Ｃｒ₁₅ １０ １０
Ａｌ₇₀Ｃｒ₃₀ １０ １０
Ａｌ₆₀Ｃｒ₄₀ １３ １３
Ａｌ₅₀Ｃｒ₅₀ １８ １９
これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
【０２１２】
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【０２１３】
この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。
【０２１４】
本実施例で第２反射層７に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
【０２１５】
第２反射層７に用いた第２反射層の組成を変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）および加速試験による寿命を測定したところ次のようになった。１０万回書き換え後のジッターは前エッジの値と後エッジの値の増加した方の値を示した。また、加速試験は各ディスクを８０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に１０００時間入れた前後のビットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を調べた。
【０２１６】
第２反射層組成 １０万回書き換え後のジッター（％） ＢＥＲ
Ａｌ − ５倍
Ａｌ_99.5Ｔｉ_0.5 １２ ３倍
Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ １０ ２倍
Ａｌ_98.5Ｔｉ_1.5 １０ １．５倍
Ａｌ₉₈Ｔｉ₂ １０ １．５倍
Ａｌ₉₆Ｔｉ₄ １３ １．２倍
Ａｌ₉₄Ｔｉ₆ １７ −
これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
【０２１７】
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ， Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
【０２１８】
この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいものは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
【０２１９】
また、第１反射層材料と第２反射層材料の屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、どちらかが異なる材料からなる組み合わせの場合、１０回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制できた。さらに、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。
【０２２０】
第１反射層および第２反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
【０２２１】
（第１反射層と第２反射層の膜厚）
第１反射層または第２反射層膜厚が薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％より大きくなる。また、第１反射層または第２反射層膜厚が厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。
【０２２２】
これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。
【０２２３】
第２反射層の膜厚は１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下が好ましい。
【０２２４】
また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に強度と形成時間の点から、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない場合については残っている層の膜厚をいう。
【０２２５】
（第１反射層材料と第２反射層材料の組み合わせ）
第１反射層材料、第２反射層材料については本実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、
書き換え特性が向上することがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜 および第２反射層がＡｌ₉₉Ｔｉ₁，第１反射層がＡｌ₉₀Ｔｉ₁₀ 膜 および第２反射層がＡｌ₉₈Ｔｉ₂，第１反射層がＡｌ₇₅Ｔｉ₂₅膜 および第２反射層がＡｌ₉₉Ｔｉ₁，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。 Ａｌ-ＴｉとＡｌ-Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ-Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
【０２２６】
（基板材料等）
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカ−ボネ−ト基板１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
【０２２７】
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
【０２２８】
本実施例では、まったく同様の方法により、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材のオーバーコート層８，８’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
【０２２９】
本実施例では、オーバーコート層を設けているが、この層なしに直接貼り合わせを行うと，エラーレートがより高くなるが、作製時間およびコストを低減できる。
【０２３０】
（各層の膜厚，材料）
各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
【０２３１】
（２）比較例
（構成、製法）
中間層および保護層が（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜とＧｅ₃Ｎ₄膜からなる、比較例ディスク状情報記録媒体を作製した。この媒体は作製方法は実施例１と同様で、ポリカーボネイト基板１上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成した。次に、Ｇｅ₃Ｎ₄膜よりなる第2保護層３を膜厚約１０ｎｍ、Ｇｅ₂₂Ｓｂ₂₄Ｔｅ₅₄記録膜４を膜厚約１５ｎｍ 、１０ｎｍのＧｅ−Ｎ膜と８ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層５を膜厚を積層し 、次にＡｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜からなる第１反射層６を膜厚３５ｎｍ 、Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７を膜厚約３５ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。
【０２３２】
スパッタリング時のターゲット組成およびガス雰囲気は、以下の通りである。
【０２３３】

その後、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上にそれぞれ紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布して硬化してオーバーコート層８，８‘を設けた。それぞれのオーバーコート層８、８’同士を接着剤層９を介して貼り合わせ、比較例の保護層および中間層を有する情報記録媒体を得た。
【０２３４】
（記録・再生特性）
初期結晶化、記録・消去・再生等については、実施例１と同様の方法で行った。
【０２３５】
（２）に記載の比較用構造の情報記録媒体では、記録・消去を繰り返した時に、記録感度が実施例１の情報記録媒体に比べて約２割以上悪かった。また、中間層の製膜速度が遅く、実施例１の情報記録媒体の中間層に比べて約５倍以上の製膜時間が必要だった。
【０２３６】
（３）実施例２
（構成、製法）
実施例１の第2保護層３、において Ｃｒ₂Ｏ₃をＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ 膜に変え、中間層５を（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜に変えた以外は実施例１と同様にして、情報記録媒体を作成した。
【０２３７】
作製方法については、実施例１と同様である。本実施例に記載した情報記録媒体においても、第２保護層製膜時のスパッタレートが実施例２情報記録媒体に比べ、大きくなったため、製膜時間は約１／５以下に短縮された。
【０２３８】
（記録・再生特性）
記録・再生特性を実施例１と同様の方法で調べたところ，本実施例に記載した情報記録媒体では、比較例に記載のディスク構造に比べて記録感度を２０％以上良く出来た。また、５万回書き換え後の反射率レベルの変化は７％以下になった。反射率レベル変化抑制効果は、実施例１のディスク構造の方が、本実施例のディスク構造より大きかった。その他の特性は同様である。
【０２３９】
本実施例に記載の情報記録媒体では、記録感度はいずれも比較例構造の情報記録媒体に比べて良く、また製膜時間も短縮できているが、このなかでもより良いところを調べたところ以下のようになった。
【０２４０】
（第２保護層）
本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層の組成をＺｎ−Ｎ量と、Ａｇ−ＳとＺｎ−Ｎ比を一定にし、Ｚｎ−ＳとＳｉ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎの比を変化させ、ノイズ上昇と製膜時のスパッタレートより製膜時間比を測定したところ次のようになった。 製膜時間比はＺｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀の場合を１として示した。
【０２４１】
第２保護層組成 ノイズ上昇（ｄＢ） 製膜時間比
Ｚｎ₄₇Ａｇ₂Ｓｉ₁Ｓ₄₇Ｎ₃ ５ −
Ｚｎ₄₂Ａｇ₂Ｓｉ₅Ｓ₄₁Ｎ₅Ｏ₅ ２ −
Ｚｎ₃₉Ａｇ₂Ｓｉ₇Ｓ₃₇Ｎ₅Ｏ₁₀ ０ １
Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ ０ １
Ｚｎ₃₀Ａｇ₂Ｓｉ₁₄Ｓ₂₉Ｎ₁₁Ｏ₁₄ − １
Ｚｎ₂₅Ａｇ₂Ｓｉ₁₈Ｓ₂₄Ｎ₁₃Ｏ₁₈ − ２
Ｚｎ₁₉Ａｇ₂Ｓｉ₂₂Ｓ₁₉Ｎ₁₆Ｏ₂₂ − ３
これより、Ｚｎ，Ｓ量を増加させると結晶粒径のばらつきが大きくなりノイズが上昇し、 Ｚｎ，Ｓ量を低下させるとスパッタレートが下がり製膜に時間がかかることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｘ、ｔの範囲は０．２５≦x≦０．４２、０．２４≦ｔ≦０．４１、で、より良好な特性を示す範囲は０．３０≦x≦０．３９、０．２９≦ｔ≦０．３７である。
【０２４２】
本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層の組成をＺｎ−Ｎ、Ａｇ−Ｓ量を一定にし，Ｓｉ−Ｎ量を増加させ、アーカイバルオーバーライト（Ａ−ＯＷ）時のジッターとアーカイバルリード（Ａ−Ｒ）時のジッターを測定したところ次のようになった。実施施例３におけるアーカイバルオーバーライト時のジッターとは、記録を行った後、温度８０℃、湿度９０％の恒温恒湿状態に５０時間保ち、前回記録した
ーのことをいう。
【０２４３】

これより、Ｓｉ，Ｎ量を増加させるとアーカイバルオーバーライト時のジッターを小さくできる。一方で、アーカイバルリード時のジッターが悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｚ、ｕの範囲は０．０５≦ｚ≦０．１９、０．０３≦ｕ≦０．２０で、より良好な特性を示す範囲は０．０７≦ｚ≦０．１４、０．０３≦ｕ≦０．２０である。
【０２４４】
本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層の組成をその他の元素の比を一定にし，Ｏ量を変化させ、変調度と記録感度を測定したところ次のようになった。
【０２４５】
記録感度は、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ の場合を０として、それに対しての感度の低下割合を示した。
【０２４６】
Ｏ量（原子％） 変調度（％） 記録感度（％）
１ ４０ −
２ ４３ −
５ ４７ ０
４８ −３
１４ ４８ −５
１８ − −１０
２２ − −１５
これより、Ｏ量を増加させると変調度が大きくなり、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｖの範囲は０．０２≦ｖ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０５≦ｖ≦０．１５である。
【０２４７】
本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層の組成をその他の元素の比を一定にし，Ａｇ量を変化させ、１０万回書き換え後の変調度と記録感度を測定したところ次のようになった。記録感度は、 Ｚｎ₃₆Ａｇ₂Ｓｉ₁₀Ｓ₃₄Ｎ₈Ｏ₁₀ の場合を０として、それに対しての感度の低下割合を示した。
【０２４８】
Ａｇ量（原子％） 変調度（％） 記録感度（％）
０ ３５ −
１ ４３ −
２ ４７ ０
１２ ４８ −３
１８ ４８ −５
２２ − −１５
これより、Ａｇ量を増加させると反射率低下が小さくなるため、１０万回書き換え後の変調度が大きいまま保て、一方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、これらが良好な特性を示すｙの範囲は０．０１≦ｙ≦０．１８、で、より良好な特性を示す範囲は０．０２≦ｙ≦０．１２である。
【０２４９】
ただし，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。
【０２５０】
本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−ＯのＡｇの一部または全部をＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに変えても、Ｓｉの一部または全部をＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｎの少なくとも１つに変えても同様の効果が得られた。
【０２５１】
これらのなかで、ＭがＡｇ，Ｃｏ，Ｓｉの場合はジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。また、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【０２５２】
また、第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）（Ｓｉ−Ｎ）−（ Ｓｉ−Ｏ）、すなわち、（（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｍ−Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ｌ−Ｎ）−（ Ｍ−Ｏ）−（Ｌ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｏ））のように硫化物、酸化物、窒化物の混合物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【０２５３】
前記第２保護層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｏ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ），
等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０２５４】
次いで、（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（ Ｓｉ−Ｏ ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【０２５５】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
また、本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎに変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、Ｏを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約２％良くなった。しかし、Ｏを含む場合はＯを含まない場合に比べて感度が約１割良かった。
【０２５６】
この場合、 Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ膜と同様にノイズ、製膜速度、アーカイバルオーバーライト時のジッター、アーカイバルリード時のジッター、変調度、記録感度を測定したところ、これらが良好な特性を示すｘ、ｙ，ｚ，ｔ、ｕの範囲は２９≦x≦０．４４、０．０１≦ｙ≦０．１８、０．０２≦ｚ≦０．１７，０．２６≦ｔ≦０．４２、０．０５≦ｕ≦０．２６で、より良好な特性を示す範囲は０．３４≦x≦０．４３、０．０２≦ｙ≦０．１２、０．０５≦ｚ≦０．１２，０．３１≦ｔ≦０．３９、０．０７≦ｕ≦０．２０である。ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【０２５７】
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎが、（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）のように硫化物、窒化物からなると熱に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが１０％以下となりより好ましかった。
【０２５８】
前記第２保護層の代わりの材料としては、
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ），
（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｓ）−（Ｓｉ−Ｎ）−（Ａｇ−Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ−Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）−（Ｚｎ−Ｎ），等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０２５９】
次いで、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）−（Ｓｉ-Ｎ）、等およびこれらの混合物が多数回書き換え時のジッターが低く好ましかった。
【０２６０】
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ）
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、より好ましかった。
【０２６１】
また、本実施例で第２保護層３、３’に用いた第２保護層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏを、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変えても比較例構造ディスクより記録感度および製膜時間の短縮が可能となった。このように、前記Ｍを含まない場合は、含む場合に比べて、アーカイバルオーバーライト時のジッターが低下しにくく、寿命が約２倍長くなった。しかし、Ｍを含む場合はＭを含まない場合に比べて約２％変調度が低下した。
【０２６２】
Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏ、 Ｚｎ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ、に変わりの材料としては、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｏ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｇｅ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔａ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｃｒ-Ｎ）,,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｍｏ-Ｎ）,
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ａｌ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｈｆ-Ｎ）、
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｔｉ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｖ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｗ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｙ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｒ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｎｂ-Ｎ），
（Ｚｎ−Ｓ）−（Ｚｎ−Ｎ）等、およびこれらの混合物が１０万回以上の書き換えを行ってもジッターが１３％以下に押さえられ、好ましかった。
【０２６３】
これらの中で、ＬがＳｉの場合は、ジッターが他に比べて小さく、より好ましかった。ＬがＴａの場合熱安定性が良く、Ａ−ＯＷ特性が他よりよかった。次いで、Ｈｆ，ＭｏもＡ−ＯＷ特性がよかった。ＬがＧｅの場合、ジッターは他に比べて良かったが、ターゲットの作製が難しく、プロセス安定性が低かった。ＬがＡｌの場合は、ジッターは低いが、記録感度が他に比べて悪かった。
【０２６４】
第２保護層３および第２保護層３の代わりの材料は，各第２保護層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
【０２６５】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが化学的に安定で好ましいが，少しであれば、その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、酸化物および硫化物については、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。このように、金属元素が多くなる方向にずれた方が特性の劣化が少ない。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、 Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【０２６６】
窒化物については、上記ずれは大きくても変調度低下は小さい。例えば、Ｚｎ₃Ｎ₂のような窒化物の場合、金属元素が多くなる方向には３０原子％以下、窒素元素が多くなる方向には５原子％以下のずれであれば、変調度低下が５％以下に押さえられ好ましい。
【０２６７】
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，その他にの相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記載した第２保護層材料に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果が見られる。
【０２６８】
（中間層）
本実施例では、中間層５、５‘を（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀により形成している。
【０２６９】
中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ₂）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。また，また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
【０２７０】
中間層５の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，ＢｅＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｔａ₂Ｏ₅，ＺｒＯ₂，Ｃｕ₂Ｏ，ＭｇＯ などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｇｅ₃Ｎ₄，Ｇｅ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセレン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
【０２７１】
この他、中間層５の材料としては， Ｃｒ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂ またはＣｒ₂Ｏ₃とＡｌ₂Ｏ₃との混合物_、 Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂の混合物、が好ましい。ＳｉＯ₂ またはＡｌ₂Ｏ₃が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。次いで、Ｔａ₂Ｏ₅，その次にＺｒＯ₂−Ｙ₂Ｏ₃，が好ましい。反射率レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方がよい。また、Ｃｏ₂Ｏ₃、 ＣｏＯ、などのＣｏ−Ｏ系材料，あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ系材料、あるいはこれらの混合材料でもよい。
【０２７２】
また、この他にＴａ−Ｎ系材料等窒化物を用いると、アーカイバルオーバーライト時のジッターが約１割低減でき、より好ましかった。Ｇｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎは結晶化速度が大きくなり、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
【０２７３】
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物、窒化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、金属元素と窒素元素については，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から外れている場合、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。これ以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下した。ずれが、Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。
【０２７４】
中間層５および中間層の代わりの材料は，中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
【０２７５】
また、実施例１の中間層と本実施例の第２保護層を組み合わせることにより、反射率レベル変化の抑制効果はより大きくなり、反射率レベルの変化は５％以下になった。
【０２７６】
本実施例に記載していない事項は実施例１と同様である。
【０２７７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の情報記録媒体によれば、良好な記録・再生・書き換え特性を保持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の情報記録媒体の構造断面図を示した。
【図２】本発明の実施例１の情報記録媒体の書き換え特性を示した。
【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示した。
【図４】本発明の実施例１における情報記録媒体の書き換え時の反射光量の変化を示した。
【符号の説明】
１，１’： ポリカーボネイト基板
２，２’： 第１保護層
３，３’： 第２保護層
４，４’： 記録膜
５，５’： 中間層
６，６’： 第１反射層
７，７’： 第２反射層
８，８‘：オーバーコート層
９： 接着剤層
Ｔ： ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｒ： 低パワーレベル
Ｐｍ： 中間パワーレベル
Ｐｈ： 高パワーレベル
Ｔｃ： 記録パルスの最後に下げる時間

Claims (3)

1. 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ前記保護層は前記記録層より光入射側に有り、光入射側から見て前記記録層の奥側に少なくとも１層の前記中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記中間層が、Ｚｎ−Ｍ−Ｌ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭがＡｇ、Ｃｏ、Ｓｉの少なくとも１つからなり、かつＬがＡｌからなることを特徴とする情報記録媒体。
2. 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ前記保護層は前記記録層より光入射側に有り、光入射側から見て前記記録層の奥側に少なくとも１層の前記中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記中間層が、Ｚｎ−Ｍ−Ｌ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭがＡｇ、Ｃｏのいずれか１つからなり、かつＬがＳｉからなることを特徴とする情報記録媒体。
3. 前記記録層は、Ａｇ_ｗＧｅ_ａＳｂ_ｂＴｅ_ｃを満たし、０．１６≦ａ≦０．２２、かつ０．１７≦ｂ≦０．３０、かつ０．５２≦ｃ≦０．５９、０．２５≦ａ＋２ｗ≦０．２８、かつｗ≦０．０６、かつｗ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１を満たす範囲にあることを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。

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