JP2003228881A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JP2003228881A JP2003228881A JP2002026238A JP2002026238A JP2003228881A JP 2003228881 A JP2003228881 A JP 2003228881A JP 2002026238 A JP2002026238 A JP 2002026238A JP 2002026238 A JP2002026238 A JP 2002026238A JP 2003228881 A JP2003228881 A JP 2003228881A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度の記録・再生において積層膜−基板間
の応力によるトラッキング溝の変形が無くて良好な記録
・再生特性を保持し、プロセスマージンが大きくて、低
価格の製造装置を使用でき、材料費、量産性に優れ、応
力の小さい情報記録用媒体を提供することに有る。 【解決手段】 光の照射により原子配列が変化すること
によって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体
であって、光照射側から、0.7ｍｍ以下の厚さの基板
と、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、
記録膜と、第２保護層と、反射層とを備え、トラックの
間隔が0.6２μｍ以下とする。 【効果】 高密度の記録・再生において積層膜−基板間
の応力によるトラッキング溝の変形が無くて良好な記録
・再生特性を保持した媒体を得ることができる。
の応力によるトラッキング溝の変形が無くて良好な記録
・再生特性を保持し、プロセスマージンが大きくて、低
価格の製造装置を使用でき、材料費、量産性に優れ、応
力の小さい情報記録用媒体を提供することに有る。 【解決手段】 光の照射により原子配列が変化すること
によって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体
であって、光照射側から、0.7ｍｍ以下の厚さの基板
と、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、
記録膜と、第２保護層と、反射層とを備え、トラックの
間隔が0.6２μｍ以下とする。 【効果】 高密度の記録・再生において積層膜−基板間
の応力によるトラッキング溝の変形が無くて良好な記録
・再生特性を保持した媒体を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに用い
られる情報記録媒体に関する。
られる情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜(記録膜)に情報
を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材
料の相変化（相転移、相変態とも呼ばれる)など、レー
ザ光の照射による原子配列変化を利用するものは・薄膜
の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を
直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得
られるという長所を持つ。
を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材
料の相変化（相転移、相変態とも呼ばれる)など、レー
ザ光の照射による原子配列変化を利用するものは・薄膜
の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を
直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得
られるという長所を持つ。
【０００３】通常、これら情報記録媒体は基板上に保護
層、GeSbTe系等の記録膜、保護層、反射層という構成か
らなる。
層、GeSbTe系等の記録膜、保護層、反射層という構成か
らなる。
【０００４】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく、融解(液相への変化)と再結晶化、結
晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。
変化ばかりでなく、融解(液相への変化)と再結晶化、結
晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。
【０００５】また、マークエッジ記録とは、記録マーク
のエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク
内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。
本明細書において光ディスクとは、光の照射によって再
生できる情報が記載された円板（ディスク）、及び／ま
たは光の照射によって情報の再生を行う装置をいう。
のエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク
内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。
本明細書において光ディスクとは、光の照射によって再
生できる情報が記載された円板（ディスク）、及び／ま
たは光の照射によって情報の再生を行う装置をいう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＤＶＤ−ＲＡＭなどの
書換え可能光ディスクでは、記録トラックはアドレスピ
ットなどを設けたプリフォーマット部とトラッキング用
の溝（グルーブ）を持ち、記録を行うユーザデータ部と
よりなり、アドレスを確認し，クロックや同期の信号を
検出してから情報の記録や読出しを行う。
書換え可能光ディスクでは、記録トラックはアドレスピ
ットなどを設けたプリフォーマット部とトラッキング用
の溝（グルーブ）を持ち、記録を行うユーザデータ部と
よりなり、アドレスを確認し，クロックや同期の信号を
検出してから情報の記録や読出しを行う。
【０００７】しかし、第１保護層が１００ｎｍ以上と厚
く、積層膜と基板との間に働く応力によって生ずる変形
が、プリフォーマット部とユーザデータ部で異なるた
め、記録トラックがプリフォーマット部に対して曲がっ
た状態になり、トラッキング用のグルーブに対してプッ
シュプルトラッキングした場合はプリフォーマット部の
アドレスデータが読めず、プリフォーマット部に対して
正常な位置になるようにトラッキングオフセットを補正
すると，記録領域でオフセットして隣接トラックのデー
タを一部消去してしまったりする問題点が生ずる。
く、積層膜と基板との間に働く応力によって生ずる変形
が、プリフォーマット部とユーザデータ部で異なるた
め、記録トラックがプリフォーマット部に対して曲がっ
た状態になり、トラッキング用のグルーブに対してプッ
シュプルトラッキングした場合はプリフォーマット部の
アドレスデータが読めず、プリフォーマット部に対して
正常な位置になるようにトラッキングオフセットを補正
すると，記録領域でオフセットして隣接トラックのデー
タを一部消去してしまったりする問題点が生ずる。
【０００８】さらに、第１保護層が厚いと製膜に時間が
かかるためスパッタリングのタクトタイムが遅く、量産
性が悪いという問題が生じる。そこで第１保護層を薄く
することが考えられるが、第１保護層が薄いと多数回書
換時に記録膜で発生する熱が基板に伝わり、基板が劣化
しやすいという問題がある。そこで、本発明の目的は、
これら問題点を解決し、積層膜と基板の間の応力が小さ
く、材料費、量産性に優れ、さらに多数回書換時に基板
が劣化しにくい情報記録媒体を提供することに有る。
かかるためスパッタリングのタクトタイムが遅く、量産
性が悪いという問題が生じる。そこで第１保護層を薄く
することが考えられるが、第１保護層が薄いと多数回書
換時に記録膜で発生する熱が基板に伝わり、基板が劣化
しやすいという問題がある。そこで、本発明の目的は、
これら問題点を解決し、積層膜と基板の間の応力が小さ
く、材料費、量産性に優れ、さらに多数回書換時に基板
が劣化しにくい情報記録媒体を提供することに有る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために本発明の情報記録用媒体では，次の解決策を用い
る。すなわち，第１保護層が薄く量産性が良い情報記録
媒体において、多数回書換時に記録膜で発生した熱が基
板に伝わり、基板が劣化することを防止するために、Ｃ
とＨを含むガス、ＣＯ２，ＣＳ２，Ａｒ，Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを含む第１保護層を有する。上記
第１保護層は、保護層内にガスを含む又はガスが抜けた
空間を有することにより熱伝導率が低く、基板へ熱を伝
えにくく基板温度が上がらないようにする働きがある。
本発明では基板温度が上昇しないようにして応力発生を
防止する。
ために本発明の情報記録用媒体では，次の解決策を用い
る。すなわち，第１保護層が薄く量産性が良い情報記録
媒体において、多数回書換時に記録膜で発生した熱が基
板に伝わり、基板が劣化することを防止するために、Ｃ
とＨを含むガス、ＣＯ２，ＣＳ２，Ａｒ，Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを含む第１保護層を有する。上記
第１保護層は、保護層内にガスを含む又はガスが抜けた
空間を有することにより熱伝導率が低く、基板へ熱を伝
えにくく基板温度が上がらないようにする働きがある。
本発明では基板温度が上昇しないようにして応力発生を
防止する。
【００１０】具体的には，（１）光の照射により原子配
列が変化することによって記録を行う、多数回書換え可
能な情報記録媒体であって、光照射側から、基板上に、
１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録
膜と、第２保護層と、反射層とを備え、かつ、前記第１
保護層が酸化物，窒化物、硫化物のいずれかまたはこれ
らの混合物からなり、かつ前記第１保護層中はＣ（炭
素）及びＨ（水素）を含有することを特徴とする情報記
録媒体とする。 （２）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，窒化
物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からなり、
かつ前記第１保護層中はＣＯ２、ＣＳ２のいずれかを含
有することを特徴とする情報記録媒体とする。 （３）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，窒化
物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からなり、
かつ前記第１保護層中はＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ
を含有することを特徴とする情報記録媒体とする。 （４）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、前記第１保護層の材料の９０原子％以上が、ＺｎＳ
−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ
５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＳ−
ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ZnO、あるい
は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｎ
Ｏ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、
Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ｉｎ２Ｏ３、
Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＳｎＯ
２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｓｉ
Ｏ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−
ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ
３、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、
ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２
Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３の何れかの酸化物、上記
材料の混合物、上記材料の一部または全部を窒化物で置
き換えたものいずれかよりなることを特徴とする１〜３
のいずれに記載の情報記録媒体。とする。 （５）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、前記第２保護層の材料の９０原子％以上
が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−
Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｚｎ
Ｏ、あるいは、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２
Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉ
ｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３
−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ
２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、Ｓｎ
Ｏ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、
ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ
２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−
Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ
２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３のいずれかの酸化物、上記材料の混
合物、上記材料の一部または全部を窒化物で置き換えた
ものいずれかよりなることを特徴とする１〜３のいずれ
に記載の情報記録媒体とする。 （６）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、前記記録膜の材料の９５原子％以上がGe
-Sb-Teよりなることを特徴とする１〜３のいずれに記載
の情報記録媒体とする。 （７）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層と少なくとも１層の界面層を備え、前記界面層の少
なくとも１層の材料の９５原子％以上がCr2O3, Cr−N,
Ge−N,Ｓｎ−Ｎ，Ge−O,またはこれらの材料の混合物、
SiO2, Aｌ2O3、Ta2O5, Ta2O5とCr2O3またはCr−N, Ge−
N, Ge−Oの混合物、ZrO2, Y2O3, Cr2O3またはCr−N, Ge
−N, Ta2O５との混合物、CoO, Cr2O, NiO、AｌN, BN, C
rN, Cr2N, GeN, HfN, Si3N4, Aｌ-Si-N系材料、Si-N系
材料, Si-O-N系材料, TaN, TiN, ZrN,などの窒化物の
いずれかよりなることを特徴とする１〜３のいずれに記
載の情報記録媒体 （８）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層と、少なくとも１層の界面層を備え、前記界面層の
少なくとも１層の材料の９５原子％以上がＣｒ２Ｏ３よ
りなることを特徴とする１〜３のいずれに記載の情報記
録媒体とする。 （９）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、前記各層を含む全積層膜の膜厚の合計が
１５０nm以下であることを特徴とする１〜３のいずれに
記載の情報記録媒体、とする。 （１０）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、組成の９５原子％以上がＳｎＯ２または
Ｓｎ−Ｏ−Ｎからなる第２保護層と、反射層とを備えた
ことを特徴とする１〜３のいずれに記載の情報記録媒
体。 （１１）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを含む積層膜と、接着層を備え、前記反射層は、
８０原子％以上の金属からなる２層以上の反射層であっ
て、前記基板表面から前記接着層までの距離が１５０ｎ
ｍ以下、かつ前記積層膜のそれぞれの膜厚がそれぞれ４
０ｎｍ以下であることを特徴とする１〜３のいずれに記
載の情報記録媒体。 （１２）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを含む積層膜を備え、前記基板表面から接着層ま
での距離が９０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特
徴とする１〜３のいずれに記載の情報記録媒体とする。 （１３）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，窒化
物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からなり、
かつ前記第１保護層中に隙間があることを特徴とする情
報記録媒体。積層膜のトータル膜厚を150ｎｍ以下にす
ることも応力発生防止のために重要である。
列が変化することによって記録を行う、多数回書換え可
能な情報記録媒体であって、光照射側から、基板上に、
１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録
膜と、第２保護層と、反射層とを備え、かつ、前記第１
保護層が酸化物，窒化物、硫化物のいずれかまたはこれ
らの混合物からなり、かつ前記第１保護層中はＣ（炭
素）及びＨ（水素）を含有することを特徴とする情報記
録媒体とする。 （２）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，窒化
物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からなり、
かつ前記第１保護層中はＣＯ２、ＣＳ２のいずれかを含
有することを特徴とする情報記録媒体とする。 （３）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，窒化
物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からなり、
かつ前記第１保護層中はＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ
を含有することを特徴とする情報記録媒体とする。 （４）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、前記第１保護層の材料の９０原子％以上が、ＺｎＳ
−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ
５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＳ−
ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ZnO、あるい
は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｎ
Ｏ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、
Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ｉｎ２Ｏ３、
Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＳｎＯ
２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−Ｓｉ
Ｏ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−
ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ
３、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、
ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２
Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３の何れかの酸化物、上記
材料の混合物、上記材料の一部または全部を窒化物で置
き換えたものいずれかよりなることを特徴とする１〜３
のいずれに記載の情報記録媒体。とする。 （５）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、前記第２保護層の材料の９０原子％以上
が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−
Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｚｎ
Ｏ、あるいは、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２
Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉ
ｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３
−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ
２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２、Ｓｎ
Ｏ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、
ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ
２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−
Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ
２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３のいずれかの酸化物、上記材料の混
合物、上記材料の一部または全部を窒化物で置き換えた
ものいずれかよりなることを特徴とする１〜３のいずれ
に記載の情報記録媒体とする。 （６）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、前記記録膜の材料の９５原子％以上がGe
-Sb-Teよりなることを特徴とする１〜３のいずれに記載
の情報記録媒体とする。 （７）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層と少なくとも１層の界面層を備え、前記界面層の少
なくとも１層の材料の９５原子％以上がCr2O3, Cr−N,
Ge−N,Ｓｎ−Ｎ，Ge−O,またはこれらの材料の混合物、
SiO2, Aｌ2O3、Ta2O5, Ta2O5とCr2O3またはCr−N, Ge−
N, Ge−Oの混合物、ZrO2, Y2O3, Cr2O3またはCr−N, Ge
−N, Ta2O５との混合物、CoO, Cr2O, NiO、AｌN, BN, C
rN, Cr2N, GeN, HfN, Si3N4, Aｌ-Si-N系材料、Si-N系
材料, Si-O-N系材料, TaN, TiN, ZrN,などの窒化物の
いずれかよりなることを特徴とする１〜３のいずれに記
載の情報記録媒体 （８）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層と、少なくとも１層の界面層を備え、前記界面層の
少なくとも１層の材料の９５原子％以上がＣｒ２Ｏ３よ
りなることを特徴とする１〜３のいずれに記載の情報記
録媒体とする。 （９）光の照射により原子配列が変化することによって
記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、前記各層を含む全積層膜の膜厚の合計が
１５０nm以下であることを特徴とする１〜３のいずれに
記載の情報記録媒体、とする。 （１０）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、組成の９５原子％以上がＳｎＯ２または
Ｓｎ−Ｏ−Ｎからなる第２保護層と、反射層とを備えた
ことを特徴とする１〜３のいずれに記載の情報記録媒
体。 （１１）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを含む積層膜と、接着層を備え、前記反射層は、
８０原子％以上の金属からなる２層以上の反射層であっ
て、前記基板表面から前記接着層までの距離が１５０ｎ
ｍ以下、かつ前記積層膜のそれぞれの膜厚がそれぞれ４
０ｎｍ以下であることを特徴とする１〜３のいずれに記
載の情報記録媒体。 （１２）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを含む積層膜を備え、前記基板表面から接着層ま
での距離が９０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特
徴とする１〜３のいずれに記載の情報記録媒体とする。 （１３）光の照射により原子配列が変化することによっ
て記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であっ
て、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以
下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層と、反
射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，窒化
物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からなり、
かつ前記第１保護層中に隙間があることを特徴とする情
報記録媒体。積層膜のトータル膜厚を150ｎｍ以下にす
ることも応力発生防止のために重要である。
【００１１】第１保護層や他の層を薄くすると、光学的
に再生信号や反射率や吸収率を最適範囲に確保する対策
と、熱的に基板表面の温度上昇による膨張の悪影響を防
止し、熱拡散の変化による記録マーク周囲の再結晶化や
隣接トラック消去、読出し光による消去などを防止する
対策が必要になる。
に再生信号や反射率や吸収率を最適範囲に確保する対策
と、熱的に基板表面の温度上昇による膨張の悪影響を防
止し、熱拡散の変化による記録マーク周囲の再結晶化や
隣接トラック消去、読出し光による消去などを防止する
対策が必要になる。
【００１２】本発明の相変化記録媒体を用いる記録装置
（光ディスクドライブ）の基本的な技術は下記のとおり
である。 (１ビームオーバーライト)相変化記録媒体は、オーバー
ライト（あらかじめ消去することなく重ね書きによって
情報の書換えを行うこと）により書換えを行うのが普通
である。図２にその原理を示した。高いレーザーパワー
で記録膜を融解させれば照射後急冷されて前の状態が結
晶でも非晶質でも非晶質状態の記録マークになり、中間
のレーザーパワーで融点以下の結晶化速度の速い温度ま
で加熱すれば、前に非晶質状態だったところは結晶状態
になる。元々結晶状態だったところはそのまま結晶状態
に留まる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは動画像を記録することが
多いと考えられるので、１度に長い情報を記録すること
になる。この場合、予め全部消去してから記録するので
は２倍時間がかかり、また、膨大なバッファーメモリー
が必要になる可能性もある。従ってオーバーライト可能
なことは必須の条件である。 (マークエッジ記録)ＤＶＤ−ＲＡＭおよびＤＶＤ−ＲＷ
には高密度記録が実現できるマークエッジ記録方式が採
用されている。マークエッジ記録とは、記録膜に形成す
る記録マークの両端の位置をディジタルデータの１に対
応させるもので、これにより、最短記録マークの長さを
基準クロック１個でなく２〜３個分に対応させて高密度
化することもできる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは8-16変調方式
を採用しており、基準クロック３個分に対応させてい
る。図３に比較を示したように、円形記録マークの中心
位置をディジタルデータの１に対応させるマークポジシ
ョン記録に比べると、記録マークを極端に小さくしなく
ても高密度記録できるという長所がある。ただし、記録
マークの形状歪みが極めて小さいことが記録媒体に要求
される。 (フォーマット)図４に各セクターの始めのヘッダー部の
配置を示したように、ＤＶＤ−ＲＡＭは１周を２４のセ
クターに分割したフォーマットであるため、ランダムア
クセス記録が可能である。これらにより、パソコン内蔵
の記憶装置から、ＤＶＤビデオカメラ、DVDビデオレコ
ーダーまで、広い用途に用いることができる。 (ランド・グルーブ記録)DVD-RAMでは図５に示したよう
にトラッキング用の溝内と溝と溝の間の凸部の両方に記
録するランド・グルーブ記録によってクロストークを小
さくしている。ランド・グルーブ記録では、明暗(濃淡)
の記録マークに対して溝深さをλ／6n（λはレーザ波
長、nは基板の屈折率）付近にした時、ランドでもグル
ーブでも隣接トラックの記録マークが見えにくくなる現
象を利用しているので、4.7GB DVD-RAMの例ではトラッ
クピッチを0.615μmと狭くできている。記録マークとそ
れ以外の部分の位相差、すなわち再生信号の位相差成分
はクロストークが発生しやすくなる方向に働き，十分に
小さくなるように設計することが求められる。再生信号
の位相差成分はランドとグルーブの濃淡再生信号に逆位
相で足し合わされるので，ランドとグルーブの再生信号
レベルのアンバランスの原因ともなる。 (ＺＣＬＶ記録方式)相変化記録媒体では、記録波形を変
えない場合、良好な記録再生特性を得るのに結晶化速度
に対応した最適線速度で記録するのが望ましい。しか
し、ディスク上の半径の異なる記録トラック間をアクセ
スする時、線速度を同じにするために回転数を変えるの
には時間がかかる。そこでＤＶＤ−ＲＡＭでは、図６に
示したように、アクセス速度が小さくならないようにデ
ィスクの半径方向を２４のゾーンに分け、ゾーン内では
一定回転数とし、別のゾーンにアクセスしなければなら
ない時だけ回転数を変えるＺＣＬＶ（Zoned Constant L
inear Velocity）方式を採用している。この方式では、
ゾーン内の１番内周のトラックと一番外周のトラックで
線速度が少し異なるので記録密度も少し異なるが、ディ
スク全域にわたってほぼ最大の密度で記録することがで
きる。本発明の記録媒体の技術は下記のとおりである。 （吸収率調整）4.7GB／面 媒体のような高線速度(8.2m/
s)媒体ではDVD-RAMの2.6GB／面(6m/s)のような低線速度
媒体では期待できる先行消去(光スポット照射により記
録膜が融解する領域より前方の300℃〜550℃の温度範囲
の帯状領域で記録マークが予め消去される現象)が十分
には期待できないため、記録マーク内外の吸収率比Ac／
Aaを0.8以上に保つことが必須である。吸収率調整を行
なうことにより、マークのエッジ位置を正確に記録する
ことが出来る。吸収率調整には反射層を薄くして低反射
率の記録マーク部分で記録膜の光吸収が多くならないよ
うに透過させてしまう方法が有る（山田 昇、赤平信
夫、西内健一、古川恵昭：高速オーバーライト相変化光
ディスク：電子情報通信学会 技術研究報告 MR92-7
1，CPM92-148 (1992) 37）。反射層は吸収率比調整かつ
コントラストを高く保つためにはＣｒやＡｌおよびこれ
らのいずれかを含む合金を用いる。この層は適度に光吸
収し、適度に光透過することにより、反射率の低い記録
マーク部分で記録膜を透過した光が反射層で反射されて
再び記録膜に吸収され、温度が上がり過ぎないように
し、Ac／Aaを１以上にすることができる。
（光ディスクドライブ）の基本的な技術は下記のとおり
である。 (１ビームオーバーライト)相変化記録媒体は、オーバー
ライト（あらかじめ消去することなく重ね書きによって
情報の書換えを行うこと）により書換えを行うのが普通
である。図２にその原理を示した。高いレーザーパワー
で記録膜を融解させれば照射後急冷されて前の状態が結
晶でも非晶質でも非晶質状態の記録マークになり、中間
のレーザーパワーで融点以下の結晶化速度の速い温度ま
で加熱すれば、前に非晶質状態だったところは結晶状態
になる。元々結晶状態だったところはそのまま結晶状態
に留まる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは動画像を記録することが
多いと考えられるので、１度に長い情報を記録すること
になる。この場合、予め全部消去してから記録するので
は２倍時間がかかり、また、膨大なバッファーメモリー
が必要になる可能性もある。従ってオーバーライト可能
なことは必須の条件である。 (マークエッジ記録)ＤＶＤ−ＲＡＭおよびＤＶＤ−ＲＷ
には高密度記録が実現できるマークエッジ記録方式が採
用されている。マークエッジ記録とは、記録膜に形成す
る記録マークの両端の位置をディジタルデータの１に対
応させるもので、これにより、最短記録マークの長さを
基準クロック１個でなく２〜３個分に対応させて高密度
化することもできる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは8-16変調方式
を採用しており、基準クロック３個分に対応させてい
る。図３に比較を示したように、円形記録マークの中心
位置をディジタルデータの１に対応させるマークポジシ
ョン記録に比べると、記録マークを極端に小さくしなく
ても高密度記録できるという長所がある。ただし、記録
マークの形状歪みが極めて小さいことが記録媒体に要求
される。 (フォーマット)図４に各セクターの始めのヘッダー部の
配置を示したように、ＤＶＤ−ＲＡＭは１周を２４のセ
クターに分割したフォーマットであるため、ランダムア
クセス記録が可能である。これらにより、パソコン内蔵
の記憶装置から、ＤＶＤビデオカメラ、DVDビデオレコ
ーダーまで、広い用途に用いることができる。 (ランド・グルーブ記録)DVD-RAMでは図５に示したよう
にトラッキング用の溝内と溝と溝の間の凸部の両方に記
録するランド・グルーブ記録によってクロストークを小
さくしている。ランド・グルーブ記録では、明暗(濃淡)
の記録マークに対して溝深さをλ／6n（λはレーザ波
長、nは基板の屈折率）付近にした時、ランドでもグル
ーブでも隣接トラックの記録マークが見えにくくなる現
象を利用しているので、4.7GB DVD-RAMの例ではトラッ
クピッチを0.615μmと狭くできている。記録マークとそ
れ以外の部分の位相差、すなわち再生信号の位相差成分
はクロストークが発生しやすくなる方向に働き，十分に
小さくなるように設計することが求められる。再生信号
の位相差成分はランドとグルーブの濃淡再生信号に逆位
相で足し合わされるので，ランドとグルーブの再生信号
レベルのアンバランスの原因ともなる。 (ＺＣＬＶ記録方式)相変化記録媒体では、記録波形を変
えない場合、良好な記録再生特性を得るのに結晶化速度
に対応した最適線速度で記録するのが望ましい。しか
し、ディスク上の半径の異なる記録トラック間をアクセ
スする時、線速度を同じにするために回転数を変えるの
には時間がかかる。そこでＤＶＤ−ＲＡＭでは、図６に
示したように、アクセス速度が小さくならないようにデ
ィスクの半径方向を２４のゾーンに分け、ゾーン内では
一定回転数とし、別のゾーンにアクセスしなければなら
ない時だけ回転数を変えるＺＣＬＶ（Zoned Constant L
inear Velocity）方式を採用している。この方式では、
ゾーン内の１番内周のトラックと一番外周のトラックで
線速度が少し異なるので記録密度も少し異なるが、ディ
スク全域にわたってほぼ最大の密度で記録することがで
きる。本発明の記録媒体の技術は下記のとおりである。 （吸収率調整）4.7GB／面 媒体のような高線速度(8.2m/
s)媒体ではDVD-RAMの2.6GB／面(6m/s)のような低線速度
媒体では期待できる先行消去(光スポット照射により記
録膜が融解する領域より前方の300℃〜550℃の温度範囲
の帯状領域で記録マークが予め消去される現象)が十分
には期待できないため、記録マーク内外の吸収率比Ac／
Aaを0.8以上に保つことが必須である。吸収率調整を行
なうことにより、マークのエッジ位置を正確に記録する
ことが出来る。吸収率調整には反射層を薄くして低反射
率の記録マーク部分で記録膜の光吸収が多くならないよ
うに透過させてしまう方法が有る（山田 昇、赤平信
夫、西内健一、古川恵昭：高速オーバーライト相変化光
ディスク：電子情報通信学会 技術研究報告 MR92-7
1，CPM92-148 (1992) 37）。反射層は吸収率比調整かつ
コントラストを高く保つためにはＣｒやＡｌおよびこれ
らのいずれかを含む合金を用いる。この層は適度に光吸
収し、適度に光透過することにより、反射率の低い記録
マーク部分で記録膜を透過した光が反射層で反射されて
再び記録膜に吸収され、温度が上がり過ぎないように
し、Ac／Aaを１以上にすることができる。
【００１３】高密度相変化光ディスクではトラックピッ
チが狭いことにより、隣接トラックにすでに書かれてい
る記録マークの一部が消去されるクロスイレーズと呼ば
れる現象に対する配慮が必要になるが、このクロスイレ
ーズを防止するには、上記の熱の縦方向拡散が重要であ
る。縦方向拡散により熱が隣接トラック方向に行きにく
くなることが１つの理由である。Ａｃ／Ａａが１より大
きければ隣接トラックの記録マーク部分の温度上昇が少
なくなり、クロスイレーズ防止の面でも良い方向に働
く。
チが狭いことにより、隣接トラックにすでに書かれてい
る記録マークの一部が消去されるクロスイレーズと呼ば
れる現象に対する配慮が必要になるが、このクロスイレ
ーズを防止するには、上記の熱の縦方向拡散が重要であ
る。縦方向拡散により熱が隣接トラック方向に行きにく
くなることが１つの理由である。Ａｃ／Ａａが１より大
きければ隣接トラックの記録マーク部分の温度上昇が少
なくなり、クロスイレーズ防止の面でも良い方向に働
く。
【００１４】クロスイレーズを防止するには再結晶化の
防止も重要である。図７に示したように、記録時の記録
膜融解後の周辺部からの再結晶化で非晶質記録マークと
して残る部分が狭まる場合は所定の大きさの記録マーク
を形成するのにより広い領域を融解させる必要が有り、
隣接トラックの温度が上昇しやすくなるからである。熱
が縦方向に拡散すれば再結晶化も防止できる。記録マー
ク形成時に中央部の熱が横方向に拡散して融解領域周辺
部の冷却が遅くなり、結晶化しやすくなるのを防げるか
らである。 （第１保護層）第１保護層とは、記録膜を保護するため
に基板と記録膜の間に設けられ、厚さが１０ｎｍ以上の
積層膜である。多数回書換時における基板の劣化防止の
ためには、第１保護層にＣとＨを含むガス、ＣＯ２，Ｃ
Ｓ２，Ａｒ，Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを含
み、保護層内にガスを含む又はガスが抜けた空間を有す
ることにより熱伝導率が低くし、基板へ熱を伝えにくく
基板温度が上がらないようにする必要がある。
防止も重要である。図７に示したように、記録時の記録
膜融解後の周辺部からの再結晶化で非晶質記録マークと
して残る部分が狭まる場合は所定の大きさの記録マーク
を形成するのにより広い領域を融解させる必要が有り、
隣接トラックの温度が上昇しやすくなるからである。熱
が縦方向に拡散すれば再結晶化も防止できる。記録マー
ク形成時に中央部の熱が横方向に拡散して融解領域周辺
部の冷却が遅くなり、結晶化しやすくなるのを防げるか
らである。 （第１保護層）第１保護層とは、記録膜を保護するため
に基板と記録膜の間に設けられ、厚さが１０ｎｍ以上の
積層膜である。多数回書換時における基板の劣化防止の
ためには、第１保護層にＣとＨを含むガス、ＣＯ２，Ｃ
Ｓ２，Ａｒ，Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを含
み、保護層内にガスを含む又はガスが抜けた空間を有す
ることにより熱伝導率が低くし、基板へ熱を伝えにくく
基板温度が上がらないようにする必要がある。
【００１５】また、量産性を良くするためにスパッタリ
ングを１チャンバで行なうためには６０ｎｍ以下が好ま
しい。６０ｎｍより厚くなると、２チャンバ以上でスパ
ッタリングする必要があるため、量産スパッタリング装
置として普及している６チャンパの生産装置を使用する
ことができず、生産装置を２つ以上必要とするか、７チ
ャンバ以上の高価な生産装置が必要となり、生産コスト
が上昇するため好ましくない。第１保護層の屈折率は、
光学的にコントラストを大きくするために、屈折率ｎは
１．４以上１．９以下が好ましい。しかし屈折率が小さ
い材料は一般にスパッタレートが遅いため量産性の点か
らは１．６以上１．９以下が好ましい。消衰係数ｋは出
来るだけ０に近いことが好ましい。この層は１０ｎｍ未
満だと基板と界面層の接着性が悪くなり、１００回以上
の多数回書換時に膜剥がれが生じるため、これを防止す
るため１０ｎｍ以上とすることが好ましい。
ングを１チャンバで行なうためには６０ｎｍ以下が好ま
しい。６０ｎｍより厚くなると、２チャンバ以上でスパ
ッタリングする必要があるため、量産スパッタリング装
置として普及している６チャンパの生産装置を使用する
ことができず、生産装置を２つ以上必要とするか、７チ
ャンバ以上の高価な生産装置が必要となり、生産コスト
が上昇するため好ましくない。第１保護層の屈折率は、
光学的にコントラストを大きくするために、屈折率ｎは
１．４以上１．９以下が好ましい。しかし屈折率が小さ
い材料は一般にスパッタレートが遅いため量産性の点か
らは１．６以上１．９以下が好ましい。消衰係数ｋは出
来るだけ０に近いことが好ましい。この層は１０ｎｍ未
満だと基板と界面層の接着性が悪くなり、１００回以上
の多数回書換時に膜剥がれが生じるため、これを防止す
るため１０ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００１６】（界面層）4.7GB DVD-RAMでは記録膜の両
側に酸化物や窒化物の界面層を設けている（宮内 靖、
寺尾元康、広常朱美、宮本 真、徳宿伸弘：酸化物界面
層による相変化光ディスクの保護層・記録膜間相互拡散
の防止：応用物理学会講演予稿集 第3分冊、29p-ZK-1
2、(1998春) 1127）。（ZnS）80・(SiO2)20 保護層が両
側にある場合に比べて結晶核形成速度も結晶成長速度も
増大し、これにより結晶化速度が速くなる。4.7GB DVD-
RAM の例では消去パワーレベルよりパワーを下げない記
録波形を用いていることと、高密度化により前後に隣接
する記録パルスの記録トラック上での位置の差が小さく
なっていることにより、１つの記録パルスの照射後固化
しないうちに次の記録パルスが来ることから、記録膜の
物質移動(流動)が起こりやすい状況にある。この点を改
善するには記録膜を薄くして、両側の層への付着力の影
響を相対的に強めるのが有効であるが、そうすると結晶
核生成速度、結晶成長速度ともに低下して、非晶質記録マ
ークの部分的消え残りが生じるおそれがある。しかし、
例えば酸化物の両界面層を用いることにより、消え残り
発生のおそれが無くなる。窒化物も使用可能である（音
羽真由美、山田 昇、太田啓之、河原克巳：記録膜の両
側に窒化物層を有する相変化光ディスク： 応用物理学
会講演予稿集 第３分冊、29p-ZK-13（1998春）1128、お
よび N. Yamada, M. Otoba, K. Kawahara, N. Myagawa,
H. Ohta, N. Akahira and T. Matsunaga: Phase-chang
e optical disk having a nitride interface layer: J
pn. J. Appl. Phys.Part 1, 37 (1998) 2104）。
側に酸化物や窒化物の界面層を設けている（宮内 靖、
寺尾元康、広常朱美、宮本 真、徳宿伸弘：酸化物界面
層による相変化光ディスクの保護層・記録膜間相互拡散
の防止：応用物理学会講演予稿集 第3分冊、29p-ZK-1
2、(1998春) 1127）。（ZnS）80・(SiO2)20 保護層が両
側にある場合に比べて結晶核形成速度も結晶成長速度も
増大し、これにより結晶化速度が速くなる。4.7GB DVD-
RAM の例では消去パワーレベルよりパワーを下げない記
録波形を用いていることと、高密度化により前後に隣接
する記録パルスの記録トラック上での位置の差が小さく
なっていることにより、１つの記録パルスの照射後固化
しないうちに次の記録パルスが来ることから、記録膜の
物質移動(流動)が起こりやすい状況にある。この点を改
善するには記録膜を薄くして、両側の層への付着力の影
響を相対的に強めるのが有効であるが、そうすると結晶
核生成速度、結晶成長速度ともに低下して、非晶質記録マ
ークの部分的消え残りが生じるおそれがある。しかし、
例えば酸化物の両界面層を用いることにより、消え残り
発生のおそれが無くなる。窒化物も使用可能である（音
羽真由美、山田 昇、太田啓之、河原克巳：記録膜の両
側に窒化物層を有する相変化光ディスク： 応用物理学
会講演予稿集 第３分冊、29p-ZK-13（1998春）1128、お
よび N. Yamada, M. Otoba, K. Kawahara, N. Myagawa,
H. Ohta, N. Akahira and T. Matsunaga: Phase-chang
e optical disk having a nitride interface layer: J
pn. J. Appl. Phys.Part 1, 37 (1998) 2104）。
【００１７】多数回書換えを実現するためには、上下の
ZnS・SiO2保護層からのZn,Sなどの記録膜中への拡散を
防止しなければならない。これにも界面層が効果があ
る。記録媒体は、最初の書換えで記録マークのエッジ位
置のゆらぎであるジッターが約１％上昇し、１０００回
書き換えまで少しずつジッターが上がったり下がったり
するが、データエラーに全く問題が無い。また、加速寿
命試験の結果、記録されたデータの保存寿命は少なく見
積もっても１０年以上であることがわかった。 （記録波形）記録波形と記録マーク形状との間には下記
のような関係がある。例えば4.7ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭで
は最短マーク長が0.42μmで線速度が8.2m／sであること
により、１つの記録マークを形成する記録パルスを複数
に分割するが、正確に記録マークを形成するために、熱
の蓄積防止よりも正確な加熱に重点を置き、図８に示し
たように、消去パワーレベルから下がる部分が少ない
か、全く無い記録波形としている。また、既に述べたよ
うに、記録マークを形成する最初のパルスと最後のパル
スの幅の適応制御も必要である（適応制御：注目するス
ペースの長さと前のマークの長さに応じて、前のマーク
を形成する最後のパルスの終わる位置と後のマークを形
成する最初のパルスの開始位置を調節する）。
ZnS・SiO2保護層からのZn,Sなどの記録膜中への拡散を
防止しなければならない。これにも界面層が効果があ
る。記録媒体は、最初の書換えで記録マークのエッジ位
置のゆらぎであるジッターが約１％上昇し、１０００回
書き換えまで少しずつジッターが上がったり下がったり
するが、データエラーに全く問題が無い。また、加速寿
命試験の結果、記録されたデータの保存寿命は少なく見
積もっても１０年以上であることがわかった。 （記録波形）記録波形と記録マーク形状との間には下記
のような関係がある。例えば4.7ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭで
は最短マーク長が0.42μmで線速度が8.2m／sであること
により、１つの記録マークを形成する記録パルスを複数
に分割するが、正確に記録マークを形成するために、熱
の蓄積防止よりも正確な加熱に重点を置き、図８に示し
たように、消去パワーレベルから下がる部分が少ない
か、全く無い記録波形としている。また、既に述べたよ
うに、記録マークを形成する最初のパルスと最後のパル
スの幅の適応制御も必要である（適応制御：注目するス
ペースの長さと前のマークの長さに応じて、前のマーク
を形成する最後のパルスの終わる位置と後のマークを形
成する最初のパルスの開始位置を調節する）。
【００１８】高性能化技術をまとめると下記のようにな
る。 １． 狭トラックピッチ化に寄与する技術 ランド・グルーブ記録、吸収率調整、第１保護層の薄膜
化、反射層薄膜化 ２． 狭ビットピッチ化に寄与する技術 マークエッジ記録、ＺＣＬＶ記録方式、吸収率調整、界
面層、適応制御記録波形 ３． 高速化に寄与する技術 １ビームオーバーライト、記録膜組成、吸収率調整、界
面層 上記のように１つの層が複数の役割を持ち、各層の機能
が複雑にからみあっている。第１保護層薄膜化による応
力低減もグルーブ変形を防いで狭トラックピッチ化に寄
与する。従って、積層膜の組み合わせや膜厚を最適に選
ぶことが高性能化のために極めて重要である。
る。 １． 狭トラックピッチ化に寄与する技術 ランド・グルーブ記録、吸収率調整、第１保護層の薄膜
化、反射層薄膜化 ２． 狭ビットピッチ化に寄与する技術 マークエッジ記録、ＺＣＬＶ記録方式、吸収率調整、界
面層、適応制御記録波形 ３． 高速化に寄与する技術 １ビームオーバーライト、記録膜組成、吸収率調整、界
面層 上記のように１つの層が複数の役割を持ち、各層の機能
が複雑にからみあっている。第１保護層薄膜化による応
力低減もグルーブ変形を防いで狭トラックピッチ化に寄
与する。従って、積層膜の組み合わせや膜厚を最適に選
ぶことが高性能化のために極めて重要である。
【００１９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）図１は、この発
明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図
を示す。この媒体は次のようにして製作された。
明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図
を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【００２０】まず、直径12cm、厚さ０.６mmで表面にト
ラックピッチが０．６15ミクロンでランド・グルーブ記
録のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターから
ずれた位置、すなわち、ほぼランドとグルーブの境界線
の延長線上にアドレス情報などを表すピット列を有する
ポリカーボネイト基板１上に、ＣＨ４を含有する（Ｓｉ
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。次にＣｒ２
Ｏ３膜よりなる下部界面層３を膜厚２ｎｍに形成、続い
てＧｅ４Ｓｂ２Ｔｅ７よりなる記録膜４を膜厚８ｎｍ，
ＳｎＯ２よりなる第２保護層５を３２ｎｍ，Ｃｒ
９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０よよりなる吸収率調整層６を３
３ｎｍ，Ａｌよりなる反射層７を４０ｎｍ、順次形成し
た。ただし、ここではＣｒと酸素の比が２：３から多少
ずれたもの、Ｓｉと酸素の比が１：２から多少ずれたも
のもＣｒ２Ｏ３やＳｉＯ２と呼ぶ。多少のずれは、±２
０％以内を指し、２：３から多少ずれたものは、ここで
は２：２．４〜２：３．６の範囲を意味する。
ラックピッチが０．６15ミクロンでランド・グルーブ記
録のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターから
ずれた位置、すなわち、ほぼランドとグルーブの境界線
の延長線上にアドレス情報などを表すピット列を有する
ポリカーボネイト基板１上に、ＣＨ４を含有する（Ｓｉ
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。次にＣｒ２
Ｏ３膜よりなる下部界面層３を膜厚２ｎｍに形成、続い
てＧｅ４Ｓｂ２Ｔｅ７よりなる記録膜４を膜厚８ｎｍ，
ＳｎＯ２よりなる第２保護層５を３２ｎｍ，Ｃｒ
９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０よよりなる吸収率調整層６を３
３ｎｍ，Ａｌよりなる反射層７を４０ｎｍ、順次形成し
た。ただし、ここではＣｒと酸素の比が２：３から多少
ずれたもの、Ｓｉと酸素の比が１：２から多少ずれたも
のもＣｒ２Ｏ３やＳｉＯ２と呼ぶ。多少のずれは、±２
０％以内を指し、２：３から多少ずれたものは、ここで
は２：２．４〜２：３．６の範囲を意味する。
【００２１】このように本発明の情報記録媒体は６層以
下の積層膜から形成され、スパッタ装置のチャンバーが
６室以下の量産装置にて製膜を行なうことが出来る。
下の積層膜から形成され、スパッタ装置のチャンバーが
６室以下の量産装置にて製膜を行なうことが出来る。
【００２２】また、全膜厚は１５０ｎｍ以下と従来ディ
スクに比べて非常に量産性に優れている。
スクに比べて非常に量産性に優れている。
【００２３】組成比はいずれも原子％（ａｔｏｍｉｃ
％）である。膜の形成はＡｒガスを用いてマグネトロン
・スパッタリング装置により行った。第１保護層につい
ては、ＣＨ４が１０％含有されるＡｒガスにてスパッタ
リングを行なった。こうして第1のディスク部材を得
た。
％）である。膜の形成はＡｒガスを用いてマグネトロン
・スパッタリング装置により行った。第１保護層につい
ては、ＣＨ４が１０％含有されるＡｒガスにてスパッタ
リングを行なった。こうして第1のディスク部材を得
た。
【００２４】基板の反りは上記ディスクでは、上記積層
膜の製膜前後でほとんど変化しておらず，応力が発生し
ていない事を示した。
膜の製膜前後でほとんど変化しておらず，応力が発生し
ていない事を示した。
【００２５】他方、全く同様の方法により、第1のディ
スク部材と同じ構成を持つ第2のディスク部材を得た。
その後,前記第1のディスク部材および第2のディスク部
材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート２２を行
い，それぞれの紫外線硬化樹脂層同士を接着剤層を介し
て貼り合わせ、図１に示すディスク状情報記録媒体を得
た。第２のディスク部材の代わりに保護基板を用いても
よい。 (初期結晶化方法)前記のようにして製作したディスクの
記録膜に次のようにして初期結晶化を行った。ディスク
を記録トラック上の点の線速度が６m/sであるように回
転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の
半導体レーザ(波長約810nm)のレーザ光パワーを６００m
Wにして基板1を通して記録膜4に照射した。スポットの
移動は、媒体の半径方向のスポット長の1/4ずつずらし
た。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は
1回でもよいが2回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上
昇を少し低減できた。 (記録・消去・再生方法)上記記録媒体に対して情報記録
再生評価機により、情報の記録再生を行った。以下に本
情報記録再生評価機の動作を説明する。なお、記録再生
を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行う
ゾーン毎にディスクの回転数を変化させるZCAV(Zoned C
onstant Linear Velocity)方式を採用している。ディス
ク線速度は約8.2m/sである。
スク部材と同じ構成を持つ第2のディスク部材を得た。
その後,前記第1のディスク部材および第2のディスク部
材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート２２を行
い，それぞれの紫外線硬化樹脂層同士を接着剤層を介し
て貼り合わせ、図１に示すディスク状情報記録媒体を得
た。第２のディスク部材の代わりに保護基板を用いても
よい。 (初期結晶化方法)前記のようにして製作したディスクの
記録膜に次のようにして初期結晶化を行った。ディスク
を記録トラック上の点の線速度が６m/sであるように回
転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の
半導体レーザ(波長約810nm)のレーザ光パワーを６００m
Wにして基板1を通して記録膜4に照射した。スポットの
移動は、媒体の半径方向のスポット長の1/4ずつずらし
た。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は
1回でもよいが2回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上
昇を少し低減できた。 (記録・消去・再生方法)上記記録媒体に対して情報記録
再生評価機により、情報の記録再生を行った。以下に本
情報記録再生評価機の動作を説明する。なお、記録再生
を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行う
ゾーン毎にディスクの回転数を変化させるZCAV(Zoned C
onstant Linear Velocity)方式を採用している。ディス
ク線速度は約8.2m/sである。
【００２６】ディスクに情報を記録する際には、情報8
ビットを16ビットに変換する記録方式、いわゆる8-16変
調方式を用い記録が行われた。記録装置外部からの情報
は8ビットを1単位として、8-16変調器に伝送される。こ
の変調方式では媒体上に、8ビットの情報に対応させた3
T〜14Tの記録マーク長での情報の記録を行っている。な
お、ここでTとは情報記録時のクロックの周期を表して
おり、ここでは17.1nsとした。8-16変調器により変換さ
れた3T〜14Tのデジタル信号は記録波形発生回路に転送
される。上記記録波形発生回路内において、3T〜14Tの
信号を時系列的に交互に「０」と「1」に対応させ、
「０」の場合には中間パワーレベルのレーザパワーを照
射し、「1」の場合には高パワーパルス、またはパルス
列を照射するようにしている。高パワーパルスの幅を約
3T／２〜Ｔ／2とし、4T以上の記録マークを形成する際
は、複数の高パワーレベルのパルスより成るパルス列を
用い、パルス列のパルス間では幅が約Ｔ/2の低パワーレ
ベルのレーザー照射を行い、上記パルス列とパルス列の
間の記録マークを形成しない部分では中間パワーレベル
のレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成
される。この際、記録マークを形成するための高パワー
レベルを10mW、記録マークの消去が可能な中間パワーレ
ベルを4mW、中間パワーレベルより低い低パワーレベル
を4mWとした。このように低パワーレベルを中間パワー
レベルと同じにしても良いし、別のレベルにしてもよ
い。また、この際、光ディスク上の中間パワーレベルレ
ーザービームが照射された領域は結晶となり(スペース
部)、高パワーレベルのパルス列を照射された領域は非
晶質の記録マークに変化する。また、上記記録波形発生
回路内は、マーク部を形成するための一連の高パワーパ
ルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の
長さに応じてマルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾
のパルス幅を変化する方式(適応型記録波形制御)に対応
したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによ
りマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除
できるマルチパルス記録波形を発生している。また、こ
の記録媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非
晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。記録
波形発生回路により生成された記録波形は、レーザ駆動
回路に転送され、レーザ駆動回路はこの波形をもとに、
光ヘッド内の半導体レーザの出力パワーを変化させる。
本記録装置に搭載された光ヘッドには、情報記録用のエ
ネルギービームとして波長660ｎｍのレーザビームを照
射することにより、情報の記録を行った。
ビットを16ビットに変換する記録方式、いわゆる8-16変
調方式を用い記録が行われた。記録装置外部からの情報
は8ビットを1単位として、8-16変調器に伝送される。こ
の変調方式では媒体上に、8ビットの情報に対応させた3
T〜14Tの記録マーク長での情報の記録を行っている。な
お、ここでTとは情報記録時のクロックの周期を表して
おり、ここでは17.1nsとした。8-16変調器により変換さ
れた3T〜14Tのデジタル信号は記録波形発生回路に転送
される。上記記録波形発生回路内において、3T〜14Tの
信号を時系列的に交互に「０」と「1」に対応させ、
「０」の場合には中間パワーレベルのレーザパワーを照
射し、「1」の場合には高パワーパルス、またはパルス
列を照射するようにしている。高パワーパルスの幅を約
3T／２〜Ｔ／2とし、4T以上の記録マークを形成する際
は、複数の高パワーレベルのパルスより成るパルス列を
用い、パルス列のパルス間では幅が約Ｔ/2の低パワーレ
ベルのレーザー照射を行い、上記パルス列とパルス列の
間の記録マークを形成しない部分では中間パワーレベル
のレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成
される。この際、記録マークを形成するための高パワー
レベルを10mW、記録マークの消去が可能な中間パワーレ
ベルを4mW、中間パワーレベルより低い低パワーレベル
を4mWとした。このように低パワーレベルを中間パワー
レベルと同じにしても良いし、別のレベルにしてもよ
い。また、この際、光ディスク上の中間パワーレベルレ
ーザービームが照射された領域は結晶となり(スペース
部)、高パワーレベルのパルス列を照射された領域は非
晶質の記録マークに変化する。また、上記記録波形発生
回路内は、マーク部を形成するための一連の高パワーパ
ルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の
長さに応じてマルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾
のパルス幅を変化する方式(適応型記録波形制御)に対応
したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによ
りマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除
できるマルチパルス記録波形を発生している。また、こ
の記録媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非
晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。記録
波形発生回路により生成された記録波形は、レーザ駆動
回路に転送され、レーザ駆動回路はこの波形をもとに、
光ヘッド内の半導体レーザの出力パワーを変化させる。
本記録装置に搭載された光ヘッドには、情報記録用のエ
ネルギービームとして波長660ｎｍのレーザビームを照
射することにより、情報の記録を行った。
【００２７】以上の条件でマークエッジ記録を行った場
合、最短マークである3Tマークのマーク長は約０.42μ
m、最長マークである14Tマークのマーク長は約1.96μm
となる。記録信号には、情報信号の始端部、終端部に4T
マークと4Tスペースの繰り返しのダミーデータが含まれ
ている。始端部にはVFOも含まれている。
合、最短マークである3Tマークのマーク長は約０.42μ
m、最長マークである14Tマークのマーク長は約1.96μm
となる。記録信号には、情報信号の始端部、終端部に4T
マークと4Tスペースの繰り返しのダミーデータが含まれ
ている。始端部にはVFOも含まれている。
【００２８】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して消去することなく、重ね書きに
よって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換え
られる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによる
オーバーライトが可能である。
されている部分に対して消去することなく、重ね書きに
よって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換え
られる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによる
オーバーライトが可能である。
【００２９】また、本記録装置はグルーブとランド(グ
ルーブ間の領域)の両方に情報を記録する方式(いわゆる
ランドグルーブ(L/G)記録方式)に対応している。本記録
装置ではL/Gサーボ回路により、ランドとグルーブに対
するトラッキングを任意に選択することができる。
ルーブ間の領域)の両方に情報を記録する方式(いわゆる
ランドグルーブ(L/G)記録方式)に対応している。本記録
装置ではL/Gサーボ回路により、ランドとグルーブに対
するトラッキングを任意に選択することができる。
【００３０】記録された情報の再生も上記光ヘッドを用
いて行った。1mWのレーザービームを記録トラック上に
照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出
することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅
をプリアンプ回路により増大させ、8-16復調器で16ビッ
ト毎に8ビットの情報に変換する。以上の動作により、
記録された情報の再生が完了する。 （書換特性の評価）実施例１のディスクについて、３Ｔ
〜１１Ｔがランダムに含まれる記録パターン（ランダム
パターン）を記録し、オーバーライト回数とジッターの
関係を調べたところ表１及び図９に示される結果が得ら
れた。
いて行った。1mWのレーザービームを記録トラック上に
照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出
することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅
をプリアンプ回路により増大させ、8-16復調器で16ビッ
ト毎に8ビットの情報に変換する。以上の動作により、
記録された情報の再生が完了する。 （書換特性の評価）実施例１のディスクについて、３Ｔ
〜１１Ｔがランダムに含まれる記録パターン（ランダム
パターン）を記録し、オーバーライト回数とジッターの
関係を調べたところ表１及び図９に示される結果が得ら
れた。
【００３１】
【表１】
ジッターは、ランドとグルーブの平均値をクロックの周
期Ｔで割った値を記載した。比較例はオーバーライト３
００回でジッターが１３％より増加するが、本実施例の
ディスクについてはオーバーライト１０００回後もジッ
ターが１３％以下であり、本実施例に記載の第１保護層
が基板劣化を防ぎ、書換可能回数向上に大きな効果があ
ることがわかる。 （記録膜の組成と膜厚）本実施例の記録膜の代わりに、
Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３，Ｇｅ４Ｓ
ｂ２Ｔｅ７，Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８，などのＧｅＴｅとＳ
ｂ２Ｔｅ３の混合組成、Ｇｅ20Ｓｂ24Ｔｅ56などの、上
記混合組成に近い組成の記録膜、Ａｇ２Ｇｅ2１Ｓｂ2１
Ｔｅ56，Ｓｎ1.3Ｇｅ2.7Ｓｂ2Ｔｅ7 などの、上記混合組
成に添加元素を加えた記録膜、およびそれに近い組成の
主成分がGe-Sb-Te系の記録膜を用いても同様の特性が得
られる。記録膜のいずれかの構成元素の含有量が上記の
組成から５原子％以上ズレた場合、結晶化速度が速過ぎ
て記録時の記録膜融解後の冷却中に再結晶化が起こり、
記録マーク形状が歪む、あるいは結晶化速度が遅過ぎて
消え残りが生ずるなどの問題点が起こった．従って、不
純物元素は５原子％未満であることが好ましい。より好
ましくは２原子％未満である。
期Ｔで割った値を記載した。比較例はオーバーライト３
００回でジッターが１３％より増加するが、本実施例の
ディスクについてはオーバーライト１０００回後もジッ
ターが１３％以下であり、本実施例に記載の第１保護層
が基板劣化を防ぎ、書換可能回数向上に大きな効果があ
ることがわかる。 （記録膜の組成と膜厚）本実施例の記録膜の代わりに、
Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３，Ｇｅ４Ｓ
ｂ２Ｔｅ７，Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８，などのＧｅＴｅとＳ
ｂ２Ｔｅ３の混合組成、Ｇｅ20Ｓｂ24Ｔｅ56などの、上
記混合組成に近い組成の記録膜、Ａｇ２Ｇｅ2１Ｓｂ2１
Ｔｅ56，Ｓｎ1.3Ｇｅ2.7Ｓｂ2Ｔｅ7 などの、上記混合組
成に添加元素を加えた記録膜、およびそれに近い組成の
主成分がGe-Sb-Te系の記録膜を用いても同様の特性が得
られる。記録膜のいずれかの構成元素の含有量が上記の
組成から５原子％以上ズレた場合、結晶化速度が速過ぎ
て記録時の記録膜融解後の冷却中に再結晶化が起こり、
記録マーク形状が歪む、あるいは結晶化速度が遅過ぎて
消え残りが生ずるなどの問題点が起こった．従って、不
純物元素は５原子％未満であることが好ましい。より好
ましくは２原子％未満である。
【００３２】膜厚が薄過ぎると消去時の結晶核形成が不
足し、また第１保護層の薄いディスクではコントラスト
が低くなり、再生信号強度も低下するので再生信号ジッ
ターが許容範囲を越えてしまう．記録膜膜厚が１５ｎｍ
以上と厚過ぎると再結晶化領域が広くなりすぎるために
１０回オーバーライトでジッターが12％を越えてしま
う。 (界面層の組成と膜厚)界面層のＣｒ２Ｏ３は、ＺｎＳの
記録膜中への拡散の防止、結晶化速度の向上という効果
がある。また、Ａｒのみの雰囲気ガスで製膜できるこ
と、他の層との接着性が優れていること、などの長所が
有る．Ｃｒ２Ｏ３に代えて，あるいはＣｒ２Ｏ３層との
２層にしてＧｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などの組成の、Ｇｅまた
はＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原子
％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、ある
いはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃｒ
−Ｎ系材料、Ｔｉ60Ｎ40などのＴｉ−Ｎ系材料，Ｔａ55
Ｎ45などのＴａ−Ｎ系材料，Ｓｎ７０Ｎ３0などのＳｎ
−Ｎ系材料などの窒化物を用いると、結晶化速度向上効
果が大きいが、書換え可能回数は10〜20％少なくなる。
線速度が10ｍ／ｓ以下では、ＳｎＯ2などのＳｎ酸化物
でも記録膜の結晶化速度の面で問題無い。Ｓｎ−Ｏ−Ｎ
でもよい。これらＳｎを含む材料の熱伝導率は比較的低
いため、界面層と保護層を兼ねさせ、単層化することも
可能であった。特にCrとGeの酸化物あるいは窒化物が60
mo1%以上含まれていると保存寿命が向上し、高温高湿の
環境に置かれても高性能を維持できる。また、GeN, GeO
などのGe含有組成は製膜時のスパッタレートが他に比べ
速いため、製造時のタクトタイムを短縮することができ
好ましい。ただし、材料費は比較的高価である。
足し、また第１保護層の薄いディスクではコントラスト
が低くなり、再生信号強度も低下するので再生信号ジッ
ターが許容範囲を越えてしまう．記録膜膜厚が１５ｎｍ
以上と厚過ぎると再結晶化領域が広くなりすぎるために
１０回オーバーライトでジッターが12％を越えてしま
う。 (界面層の組成と膜厚)界面層のＣｒ２Ｏ３は、ＺｎＳの
記録膜中への拡散の防止、結晶化速度の向上という効果
がある。また、Ａｒのみの雰囲気ガスで製膜できるこ
と、他の層との接着性が優れていること、などの長所が
有る．Ｃｒ２Ｏ３に代えて，あるいはＣｒ２Ｏ３層との
２層にしてＧｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などの組成の、Ｇｅまた
はＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原子
％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、ある
いはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃｒ
−Ｎ系材料、Ｔｉ60Ｎ40などのＴｉ−Ｎ系材料，Ｔａ55
Ｎ45などのＴａ−Ｎ系材料，Ｓｎ７０Ｎ３0などのＳｎ
−Ｎ系材料などの窒化物を用いると、結晶化速度向上効
果が大きいが、書換え可能回数は10〜20％少なくなる。
線速度が10ｍ／ｓ以下では、ＳｎＯ2などのＳｎ酸化物
でも記録膜の結晶化速度の面で問題無い。Ｓｎ−Ｏ−Ｎ
でもよい。これらＳｎを含む材料の熱伝導率は比較的低
いため、界面層と保護層を兼ねさせ、単層化することも
可能であった。特にCrとGeの酸化物あるいは窒化物が60
mo1%以上含まれていると保存寿命が向上し、高温高湿の
環境に置かれても高性能を維持できる。また、GeN, GeO
などのGe含有組成は製膜時のスパッタレートが他に比べ
速いため、製造時のタクトタイムを短縮することができ
好ましい。ただし、材料費は比較的高価である。
【００３３】記録膜と保護層との間に設ける界面層の材
料としては,Cr2O3, Cr−N, Ge−N,Ｓｎ−Ｎ，Ge−O,ま
たはこれらの材料の混合物、が好ましい。この中で、Cr
2O3とCr−Nは多数回書き換え時の反射率レベルの変動を
5%以下に押さえられ、ジッターを減少でき、より好まし
い。Cr2O3はさらに材料コストが安いという利点があ
る。Ｓｎ−Ｎは、さらに線速依存性が少ないという利点
があり、線速度8ｍ／ｓから１６ｍ／ｓの範囲で消去比2
5ｄＢ以上が得られ、１２ｍ／ｓ以上１６ｍ／ｓ以下で
のオーバーライト後のジッタ上昇を４％以下にすること
が可能であるため、より好ましい。また、Sn-NなどのＳ
ｎ化合物は、結晶化特性が良好でＳｎに対するＮ比が
０．１以上０．４以下がより好ましく、４０原子％以下
であればＯ、Ｓｅ，Ｔｅが混在していても結晶化特性の
劣化は見られなかった。Ｓが混合した場合は、結晶化特
性が劣化した。 これら元素の混在量が４０原子％を越
えても７０原子％以下であれば、結晶化速度はやや低下
するが、１０ｍ／ｓ以上の高線速度の記録を行うのでな
ければ、問題は生じなかった。Ｏ，Ｓｅ，Ｔｅのうちで
はＯが最も好ましく、多数回書き換え時のＳｎの記録膜
中への拡散による反射率の変化や結晶化速度の低下を防
止する効果が有る。拡散防止効果は２０原子％以上で見
られた。
料としては,Cr2O3, Cr−N, Ge−N,Ｓｎ−Ｎ，Ge−O,ま
たはこれらの材料の混合物、が好ましい。この中で、Cr
2O3とCr−Nは多数回書き換え時の反射率レベルの変動を
5%以下に押さえられ、ジッターを減少でき、より好まし
い。Cr2O3はさらに材料コストが安いという利点があ
る。Ｓｎ−Ｎは、さらに線速依存性が少ないという利点
があり、線速度8ｍ／ｓから１６ｍ／ｓの範囲で消去比2
5ｄＢ以上が得られ、１２ｍ／ｓ以上１６ｍ／ｓ以下で
のオーバーライト後のジッタ上昇を４％以下にすること
が可能であるため、より好ましい。また、Sn-NなどのＳ
ｎ化合物は、結晶化特性が良好でＳｎに対するＮ比が
０．１以上０．４以下がより好ましく、４０原子％以下
であればＯ、Ｓｅ，Ｔｅが混在していても結晶化特性の
劣化は見られなかった。Ｓが混合した場合は、結晶化特
性が劣化した。 これら元素の混在量が４０原子％を越
えても７０原子％以下であれば、結晶化速度はやや低下
するが、１０ｍ／ｓ以上の高線速度の記録を行うのでな
ければ、問題は生じなかった。Ｏ，Ｓｅ，Ｔｅのうちで
はＯが最も好ましく、多数回書き換え時のＳｎの記録膜
中への拡散による反射率の変化や結晶化速度の低下を防
止する効果が有る。拡散防止効果は２０原子％以上で見
られた。
【００３４】次いで、SiO2, Al2O3、Ta2O5, Ta2O5とCr2
O3またはCr−N, Ge−N, Ge−Oの混合物、その次にZrO2,
Y2O3, Cr2O3またはCr−N, Ge−N, Ta2O５との混合物が
好ましい。CoO, Cr2O, NiOは初期結晶化時の結晶粒径が
均一になり、書き換え初期のジッター上昇が小さくより
好ましい。また,AｌN, BN, CrN, Cr2N, GeN, HfN,Si3N
4, Aｌ-Si-N系材料(例えばAｌSiN2)、Si-N系材料, Si-
O-N系材料, TaN, TiN, ZrN,などの窒化物も接着カが大
きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小さ
く、より好ましい。
O3またはCr−N, Ge−N, Ge−Oの混合物、その次にZrO2,
Y2O3, Cr2O3またはCr−N, Ge−N, Ta2O５との混合物が
好ましい。CoO, Cr2O, NiOは初期結晶化時の結晶粒径が
均一になり、書き換え初期のジッター上昇が小さくより
好ましい。また,AｌN, BN, CrN, Cr2N, GeN, HfN,Si3N
4, Aｌ-Si-N系材料(例えばAｌSiN2)、Si-N系材料, Si-
O-N系材料, TaN, TiN, ZrN,などの窒化物も接着カが大
きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小さ
く、より好ましい。
【００３５】界面層は、膜厚１ｎｍ以上で多数回オーバ
ーライトでＺｎＳが記録膜中へ拡散する悪影響が現れる
のを避ける効果及び接着性向上効果が有る。結晶化速度
向上効果を十分に得るには、膜厚３ｎｍ以上であるのが
望ましい．ただし、光入射側の界面層の場合、Ｃｒ２Ｏ
３では膜厚が２ｎｍを越えると、この層の光吸収のため
に反射率が低下するなどの問題点が生じるために５ｎｍ
以下が望ましいが、上下の熱拡散のバランスをとるため
にやや厚め、例えば７ｎｍとしてもよい。例えばＧｅ−
Ｃｒ−Ｎのように吸収率がＣｒ２Ｏ３より低い界面層で
は、もっと厚い膜厚としても問題無かった．しかしなが
ら、界面層材料はスパッタレートが遅いため、２０ｎｍ
とすることが生産性の点から好ましく、１０ｎｍ以下で
あるとより好ましい。
ーライトでＺｎＳが記録膜中へ拡散する悪影響が現れる
のを避ける効果及び接着性向上効果が有る。結晶化速度
向上効果を十分に得るには、膜厚３ｎｍ以上であるのが
望ましい．ただし、光入射側の界面層の場合、Ｃｒ２Ｏ
３では膜厚が２ｎｍを越えると、この層の光吸収のため
に反射率が低下するなどの問題点が生じるために５ｎｍ
以下が望ましいが、上下の熱拡散のバランスをとるため
にやや厚め、例えば７ｎｍとしてもよい。例えばＧｅ−
Ｃｒ−Ｎのように吸収率がＣｒ２Ｏ３より低い界面層で
は、もっと厚い膜厚としても問題無かった．しかしなが
ら、界面層材料はスパッタレートが遅いため、２０ｎｍ
とすることが生産性の点から好ましく、１０ｎｍ以下で
あるとより好ましい。
【００３６】以上より、光入射側の界面層膜厚は１ｎｍ
以上８ｎｍ以下が好ましい。
以上８ｎｍ以下が好ましい。
【００３７】また、界面層に接する保護層が酸化物また
は窒化物の場合には、保護層が結晶化速度向上効果を持
つので界面層は接着性向上の意味で用いられる。
は窒化物の場合には、保護層が結晶化速度向上効果を持
つので界面層は接着性向上の意味で用いられる。
【００３８】これより、第１保護層が酸化物または酸化
・窒化物、窒化物の場合には、下部界面層膜厚は１ｎｍ
以上２ｎｍ以下が好ましい。この他、上部界面層、下部
界面層のCr203に代わる材料としては,Ｔｉおよびその酸
化物も好ましい。
・窒化物、窒化物の場合には、下部界面層膜厚は１ｎｍ
以上２ｎｍ以下が好ましい。この他、上部界面層、下部
界面層のCr203に代わる材料としては,Ｔｉおよびその酸
化物も好ましい。
【００３９】これらの中でＳｎ−ＯあるいはＳｎ−Ｏ−
Ｎ材料は、製膜速度が従来材料である（ＺｎＳ）８０
（ＳｉＯ２）２０の約２倍と非常に早く、量産に適して
いる点でより好ましかった。また、混合材料中のＳｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料が全体の７０ｍｏｌ％以上
であり、混合材料中のＣｒ−Ｏ，Ｃｒ−Ｏ−Ｎ材料が全
体の７０ｍｏｌ％以上であると、製膜速度が（ＺｎＳ）
８０（ＳｉＯ２）２０の約１．５倍と速く、またＳｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料に比べて熱安定性が良く書
換え時の消去比の劣化が生じにくい。Ｃｒ−Ｏ，Ｃｒ−
Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｍｎ−Ｏ，Ｍｎ−Ｏ−Ｎを使用
しても同様の効果が見られた。Ｓｎ−Ｇｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｇｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｂｉ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−ＮまたはＳｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎ−Ｚｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｒ−ＮまたはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−
Ｎ材料も安定性が高いが、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｒ
−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎに比べ
ると約１割スパッタレートが低い。また、Ｓｎ−Ｇｅ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−ＮあるいはＳｎ−Ｇｅ−Ｏ−Ｎ材料を
用いると、記録膜との接着力が大きくなり、保存寿命が
向上した。Ｓｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｇ
ｅ−Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍ
ｏ−Ｏ−Ｎ材料を用いても同様の効果が得られた。
Ｎ材料は、製膜速度が従来材料である（ＺｎＳ）８０
（ＳｉＯ２）２０の約２倍と非常に早く、量産に適して
いる点でより好ましかった。また、混合材料中のＳｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料が全体の７０ｍｏｌ％以上
であり、混合材料中のＣｒ−Ｏ，Ｃｒ−Ｏ−Ｎ材料が全
体の７０ｍｏｌ％以上であると、製膜速度が（ＺｎＳ）
８０（ＳｉＯ２）２０の約１．５倍と速く、またＳｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料に比べて熱安定性が良く書
換え時の消去比の劣化が生じにくい。Ｃｒ−Ｏ，Ｃｒ−
Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｍｎ−Ｏ，Ｍｎ−Ｏ−Ｎを使用
しても同様の効果が見られた。Ｓｎ−Ｇｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｇｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｂｉ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−ＮまたはＳｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎ−Ｚｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｒ−ＮまたはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−
Ｎ材料も安定性が高いが、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｒ
−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎに比べ
ると約１割スパッタレートが低い。また、Ｓｎ−Ｇｅ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−ＮあるいはＳｎ−Ｇｅ−Ｏ−Ｎ材料を
用いると、記録膜との接着力が大きくなり、保存寿命が
向上した。Ｓｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｇ
ｅ−Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍ
ｏ−Ｏ−Ｎ材料を用いても同様の効果が得られた。
【００４０】一方、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｎま
たはＳｎ−Ｉｎ−Ｏ−Ｎ材料，は電気抵抗が低く、DCス
パッタリングが可能という利点がある。ＩｎがＳｎより
多いとスパッタレートを２倍以上に上げることが可能で
あるが、５００回以上書き換えると反射率変化が生じ
る。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ
−Ｏ−Ｎ材料もDCスパッタリングが可能であった。
たはＳｎ−Ｉｎ−Ｏ−Ｎ材料，は電気抵抗が低く、DCス
パッタリングが可能という利点がある。ＩｎがＳｎより
多いとスパッタレートを２倍以上に上げることが可能で
あるが、５００回以上書き換えると反射率変化が生じ
る。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ
−Ｏ−Ｎ材料もDCスパッタリングが可能であった。
【００４１】Ｇｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などの組成の、Ｇｅま
たはＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原
子％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あ
るいはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｒ−Ｎ系材料、あるいはＺｎとOを主成分とする（合計
７０原子％以上）材料では熱拡散率が低くできるので、
記録感度の低下も少ない．界面層構成元素に対する不純
物元素が５原子％以上になると、結晶化速度が低下し、
オーバーライト時のジッタ上昇が大きくなるため、不純
物元素は５原子％未満であることが好ましい。より好ま
しくは２原子％未満である。
たはＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原
子％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あ
るいはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｒ−Ｎ系材料、あるいはＺｎとOを主成分とする（合計
７０原子％以上）材料では熱拡散率が低くできるので、
記録感度の低下も少ない．界面層構成元素に対する不純
物元素が５原子％以上になると、結晶化速度が低下し、
オーバーライト時のジッタ上昇が大きくなるため、不純
物元素は５原子％未満であることが好ましい。より好ま
しくは２原子％未満である。
【００４２】これらの界面層材料、ＳｎＯ２などのＳｎ
−ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２，
ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４，ＳｎＯ２−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ
４，などのＳｎ−Ｓｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｓｉ−ＮあるいはＳ
ｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ
２−ＡｌＮ，ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＡｌＮなどのＳｎ
−Ａｌ−Ｏ、Ｓｎ−Ａｌ−ＮまたはＳｎ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ
材料，ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＣｒＮ，Ｓｎ
Ｏ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｒＮなどのＳｎ−Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ
−Ｃｒ−ＮまたはＳｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−
Ｍｎ３Ｏ４，ＳｎＯ２−Ｍｎ５Ｎ２，ＳｎＯ２−Ｍｎ３
Ｏ４−Ｍｎ５Ｎ２などのＳｎ−Ｍｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｎ−
ＮまたはＳｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ
５，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５−Ｔａ
２ＮなどのＳｎ−Ｔａ−Ｏ、Ｓｎ−Ｔａ−ＮまたはＳｎ
−Ｔａ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＧｅＯ２，ＳｎＯ２−
Ｇｅ３Ｎ４，ＳｎＯ２−ＧｅＯ２−Ｇｅ３Ｎ４，などの
Ｓｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−ＮあるいはＳｎ−Ｇｅ−
Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２，ＳｎＯ２−Ｔｉ２
Ｎ，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２−Ｔｉ２Ｎ，などのＳｎ−Ｔｉ
−Ｏ、Ｓｎ−Ｔｉ−ＮあるいはＳｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｎ材
料，ＳｎＯ２−ＭｏＯ３，ＳｎＯ２−Ｍｏ２Ｎ−Ｍｏ
Ｎ，ＳｎＯ２−ＭｏＯ２−Ｍｏ２Ｎ−ＭｏＮ，などのＳ
ｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｏ−ＮあるいはＳｎ−Ｍｏ−Ｏ
−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｒＯ２，ＳｎＯ２−ＺｒＮ，Ｓ
ｎＯ２−ＺｒＯ２−ＺｒＮ，などのＳｎ−Ｚｒ−Ｏ、Ｓ
ｎ−Ｚｒ−ＮあるいはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ
２−Ｃｏ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｃｏ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｃｏ
２Ｏ３−Ｃｏ２ＮなどのＳｎ−Ｃｏ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｏ−
ＮまたはＳｎ−Ｃｏ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ
３，ＳｎＯ２−Ｉｎ−Ｎ，ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｎな
どのＳｎ−Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｉｎ−ＮまたはＳｎ−Ｉｎ
−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｎＯ，ＳｎＯ２−Ｚｎ−
Ｎ，ＳｎＯ２−ＺｎＯ−Ｚｎ−ＮなどのＳｎ−Ｚｎ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎＯ２−Ｇｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｇｄ２Ｎ，ＳｎＯ２−
Ｇｄ２Ｏ３−Ｇｄ２ＮなどのＳｎ−Ｇｄ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇ
ｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｂｉ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｂｉ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−
Ｂｉ２ＮなどのＳｎ−Ｂｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｎまたは
Ｓｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ３，Ｓｎ
Ｏ２−Ｎｉ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ３−Ｎｉ２Ｎなど
のＳｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｉ−ＮまたはＳｎ−Ｎｉ−
Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｎｂ２
Ｎ，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３−Ｎｂ２ＮなどのＳｎ−Ｎｂ
−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｂ−ＮまたはＳｎ−Ｎｂ−Ｏ−Ｎ材料，
ＳｎＯ２−Ｎｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｎｄ２Ｎ，ＳｎＯ２
−Ｎｄ２Ｏ３−Ｎｄ２ＮなどのＳｎ−Ｎｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｎｄ−ＮまたはＳｎ−Ｎｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｖ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｖ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｖ２Ｏ３−Ｖ２
ＮなどのＳｎ−Ｖ−Ｏ、Ｓｎ−Ｖ−ＮまたはＳｎ−Ｖ−
Ｏ−Ｎ材料，あるいは、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料
やＳｎ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｃｒ−Ｃｏ−
Ｏ−Ｎ材料など上記材料を混合したもの、すなわちＳｎ
と酸素または窒素を少なくとも含む材料はターゲットの
電気抵抗が低くてＤＣスパッタリング可能なので短いタ
クトタイムを実現することができ、本発明の膜構成ばか
りでなく、第１保護層厚さが６０ｎｍを越える記録媒体
における保護層や界面層、記録膜組成の異なる記録媒体
の保護層や界面層あるいは界面層兼保護層、膜構成の異
なる記録媒体の保護層や界面層あるいは界面層兼保護層
として用いても良好な相変化特性や多数回書換え特性が
得られる効果が有った。特に層数が７層以下の構成の、
および／または線速度10ｍ／ｓ以上で使用される記録媒
体で効果が大きかった。 (反射層の組成および膜厚)反射層は吸収率比調整かつコ
ントラストを高く保つためにはＣｒやＡｌ、Ｉｎ，Ｎ
ｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｂｉお
よびこれらのいずれかを含む合金または化合物を用い
る。合金あるいは化合物中のこれらの元素の含有量は50
原子％以上が好ましい。この層は適度に光吸収し、適度
に光透過することにより、反射率の低い記録マーク部分
で記録膜を透過した光が反射層で反射されて再び記録膜
に吸収され、温度が上がり過ぎないようにし、Ac／Aaを
１以上にすることができる。熱拡散を調節するためにＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ、Ａｌのうちの少なくとも1元素との合
金にするのも再生信号品質向上に効果が有った。
−ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２，
ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４，ＳｎＯ２−ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ
４，などのＳｎ−Ｓｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｓｉ−ＮあるいはＳ
ｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ
２−ＡｌＮ，ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＡｌＮなどのＳｎ
−Ａｌ−Ｏ、Ｓｎ−Ａｌ−ＮまたはＳｎ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ
材料，ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＣｒＮ，Ｓｎ
Ｏ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｒＮなどのＳｎ−Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ
−Ｃｒ−ＮまたはＳｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−
Ｍｎ３Ｏ４，ＳｎＯ２−Ｍｎ５Ｎ２，ＳｎＯ２−Ｍｎ３
Ｏ４−Ｍｎ５Ｎ２などのＳｎ−Ｍｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｎ−
ＮまたはＳｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ
５，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５−Ｔａ
２ＮなどのＳｎ−Ｔａ−Ｏ、Ｓｎ−Ｔａ−ＮまたはＳｎ
−Ｔａ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＧｅＯ２，ＳｎＯ２−
Ｇｅ３Ｎ４，ＳｎＯ２−ＧｅＯ２−Ｇｅ３Ｎ４，などの
Ｓｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−ＮあるいはＳｎ−Ｇｅ−
Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２，ＳｎＯ２−Ｔｉ２
Ｎ，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２−Ｔｉ２Ｎ，などのＳｎ−Ｔｉ
−Ｏ、Ｓｎ−Ｔｉ−ＮあるいはＳｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｎ材
料，ＳｎＯ２−ＭｏＯ３，ＳｎＯ２−Ｍｏ２Ｎ−Ｍｏ
Ｎ，ＳｎＯ２−ＭｏＯ２−Ｍｏ２Ｎ−ＭｏＮ，などのＳ
ｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｏ−ＮあるいはＳｎ−Ｍｏ−Ｏ
−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｒＯ２，ＳｎＯ２−ＺｒＮ，Ｓ
ｎＯ２−ＺｒＯ２−ＺｒＮ，などのＳｎ−Ｚｒ−Ｏ、Ｓ
ｎ−Ｚｒ−ＮあるいはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ
２−Ｃｏ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｃｏ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｃｏ
２Ｏ３−Ｃｏ２ＮなどのＳｎ−Ｃｏ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｏ−
ＮまたはＳｎ−Ｃｏ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ
３，ＳｎＯ２−Ｉｎ−Ｎ，ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ｎな
どのＳｎ−Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｉｎ−ＮまたはＳｎ−Ｉｎ
−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｎＯ，ＳｎＯ２−Ｚｎ−
Ｎ，ＳｎＯ２−ＺｎＯ−Ｚｎ−ＮなどのＳｎ−Ｚｎ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎＯ２−Ｇｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｇｄ２Ｎ，ＳｎＯ２−
Ｇｄ２Ｏ３−Ｇｄ２ＮなどのＳｎ−Ｇｄ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇ
ｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｂｉ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｂｉ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−
Ｂｉ２ＮなどのＳｎ−Ｂｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｎまたは
Ｓｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ３，Ｓｎ
Ｏ２−Ｎｉ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ３−Ｎｉ２Ｎなど
のＳｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｉ−ＮまたはＳｎ−Ｎｉ−
Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｎｂ２
Ｎ，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３−Ｎｂ２ＮなどのＳｎ−Ｎｂ
−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｂ−ＮまたはＳｎ−Ｎｂ−Ｏ−Ｎ材料，
ＳｎＯ２−Ｎｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｎｄ２Ｎ，ＳｎＯ２
−Ｎｄ２Ｏ３−Ｎｄ２ＮなどのＳｎ−Ｎｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｎｄ−ＮまたはＳｎ−Ｎｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｖ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｖ２Ｎ，ＳｎＯ２−Ｖ２Ｏ３−Ｖ２
ＮなどのＳｎ−Ｖ−Ｏ、Ｓｎ−Ｖ−ＮまたはＳｎ−Ｖ−
Ｏ−Ｎ材料，あるいは、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料
やＳｎ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｃｒ−Ｃｏ−
Ｏ−Ｎ材料など上記材料を混合したもの、すなわちＳｎ
と酸素または窒素を少なくとも含む材料はターゲットの
電気抵抗が低くてＤＣスパッタリング可能なので短いタ
クトタイムを実現することができ、本発明の膜構成ばか
りでなく、第１保護層厚さが６０ｎｍを越える記録媒体
における保護層や界面層、記録膜組成の異なる記録媒体
の保護層や界面層あるいは界面層兼保護層、膜構成の異
なる記録媒体の保護層や界面層あるいは界面層兼保護層
として用いても良好な相変化特性や多数回書換え特性が
得られる効果が有った。特に層数が７層以下の構成の、
および／または線速度10ｍ／ｓ以上で使用される記録媒
体で効果が大きかった。 (反射層の組成および膜厚)反射層は吸収率比調整かつコ
ントラストを高く保つためにはＣｒやＡｌ、Ｉｎ，Ｎ
ｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｂｉお
よびこれらのいずれかを含む合金または化合物を用い
る。合金あるいは化合物中のこれらの元素の含有量は50
原子％以上が好ましい。この層は適度に光吸収し、適度
に光透過することにより、反射率の低い記録マーク部分
で記録膜を透過した光が反射層で反射されて再び記録膜
に吸収され、温度が上がり過ぎないようにし、Ac／Aaを
１以上にすることができる。熱拡散を調節するためにＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ、Ａｌのうちの少なくとも1元素との合
金にするのも再生信号品質向上に効果が有った。
【００４３】高密度相変化光ディスクではトラックピッ
チが狭いことにより、隣接トラックにすでに書かれてい
る記録マークの一部が消去されるクロスイレーズと呼ば
れる現象に対する配慮が必要になるが、このクロスイレ
ーズを防止するには、上記の熱の縦方向拡散が重要であ
る。縦方向拡散により熱が隣接トラック方向に行きにく
くなることが１つの理由である。Ａｃ／Ａａが１より大
きければ隣接トラックの記録マーク部分の温度上昇が少
なくなり、クロスイレーズ防止の面でも良い方向に働
く。
チが狭いことにより、隣接トラックにすでに書かれてい
る記録マークの一部が消去されるクロスイレーズと呼ば
れる現象に対する配慮が必要になるが、このクロスイレ
ーズを防止するには、上記の熱の縦方向拡散が重要であ
る。縦方向拡散により熱が隣接トラック方向に行きにく
くなることが１つの理由である。Ａｃ／Ａａが１より大
きければ隣接トラックの記録マーク部分の温度上昇が少
なくなり、クロスイレーズ防止の面でも良い方向に働
く。
【００４４】クロスイレーズを防止するには再結晶化の
防止も重要である。図８に示したように、記録時の記録
膜融解後の周辺部からの再結晶化で非晶質記録マークと
して残る部分が狭まる場合は所定の大きさの記録マーク
を形成するのにより広い領域を融解させる必要が有り、
隣接トラックの温度が上昇しやすくなるからである。熱
が縦方向に拡散すれば再結晶化も防止できる。記録マー
ク形成時に中央部の熱が横方向に拡散して融解領域周辺
部の冷却が遅くなり、結晶化しやすくなるのを防げるか
らである。
防止も重要である。図８に示したように、記録時の記録
膜融解後の周辺部からの再結晶化で非晶質記録マークと
して残る部分が狭まる場合は所定の大きさの記録マーク
を形成するのにより広い領域を融解させる必要が有り、
隣接トラックの温度が上昇しやすくなるからである。熱
が縦方向に拡散すれば再結晶化も防止できる。記録マー
ク形成時に中央部の熱が横方向に拡散して融解領域周辺
部の冷却が遅くなり、結晶化しやすくなるのを防げるか
らである。
【００４５】反射層の材料としては、Ｃｒ，Ｃｒ−Ａ
ｌ，Ｃｒ−Ａｇ，Ｃｒ−Ａｕ、Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｔ
ｉ，ＣｒまたはＣｒ合金を主成分とするもの、ついでＡ
ｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｉｎ等Ａｌ合金を主成分
とするもの、Ｇｅ−Ｃｒ，Ｇｅ−Ｓｉ，Ｇｅ−Ｎが好ま
しい。この他、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕを主成分とするものも使用
可能である。
ｌ，Ｃｒ−Ａｇ，Ｃｒ−Ａｕ、Ｃｒ−Ｇｅ，Ｃｒ−Ｔ
ｉ，ＣｒまたはＣｒ合金を主成分とするもの、ついでＡ
ｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｉｎ等Ａｌ合金を主成分
とするもの、Ｇｅ−Ｃｒ，Ｇｅ−Ｓｉ，Ｇｅ−Ｎが好ま
しい。この他、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕを主成分とするものも使用
可能である。
【００４６】Ｃｒ等以外の元素の含有量は、O.5原子%以
上２０原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の
特性およびビットエラーレートが良くなり、1原子%以上
１０原子%以下の範囲ではより良くなった。Cr中に２０
原子％以下の酸素（O）を添加すると、膜剥がれが生じ
にくくなり好ましかった。Tiを添加しても同様の効果が
あった。
上２０原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の
特性およびビットエラーレートが良くなり、1原子%以上
１０原子%以下の範囲ではより良くなった。Cr中に２０
原子％以下の酸素（O）を添加すると、膜剥がれが生じ
にくくなり好ましかった。Tiを添加しても同様の効果が
あった。
【００４７】Aｌ等以外の元素の含有量は、３原子%以上
２０原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特
性およびビットエラーレートが良くなり、５原子%以上
１５原子%以下の範囲ではより良くなった。
２０原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特
性およびビットエラーレートが良くなり、５原子%以上
１５原子%以下の範囲ではより良くなった。
【００４８】Ｇｅ等以外の元素の含有量は、０原子%以
上８０原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の
特性およびビットエラーレートが良くなり、２原子%以
上５０原子%以下の範囲ではより良くなった。
上８０原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の
特性およびビットエラーレートが良くなり、２原子%以
上５０原子%以下の範囲ではより良くなった。
【００４９】また、ｎ，ｋが２．０以上、５．０以下、
ｋが−３．０以下、−５．５以上の範囲にある材料が第
２保護層膜厚が適当な膜厚でコントラスト比が大きくと
れかつ、記録膜における結晶状態の吸収率Ａｃと非晶質
状態の吸収率Ａａの吸収率比Ａｃ／Ａａを１以上に出
来、とても好ましい。また、ターゲットが安価でありか
つ熱伝導率が適度であり書き換え特性も良好である。
ｋが−３．０以下、−５．５以上の範囲にある材料が第
２保護層膜厚が適当な膜厚でコントラスト比が大きくと
れかつ、記録膜における結晶状態の吸収率Ａｃと非晶質
状態の吸収率Ａａの吸収率比Ａｃ／Ａａを１以上に出
来、とても好ましい。また、ターゲットが安価でありか
つ熱伝導率が適度であり書き換え特性も良好である。
【００５０】Ag-Pd, Ag-Cr, Ag-Ti, Ag-Pt, Ag-Cu , Ag
-Pd-Cu等Ag合金を主成分とするもの、次いでAu-Cr, Au-
Ti, Au-Ag, Au-Cu, Au-Nd等Au合金を主成分とするも
の，Ｃu合金を主成分とするものも、反射率が高く、再
生特性が良好であるが、Ｐｔ, Auは貴金属のため高価で
あり、Ｃｒ，Aｌ、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｗ，Ｇ
ｅ，Ｓｂ，Ｂｉに比ベコストが上がる場合がある。
-Pd-Cu等Ag合金を主成分とするもの、次いでAu-Cr, Au-
Ti, Au-Ag, Au-Cu, Au-Nd等Au合金を主成分とするも
の，Ｃu合金を主成分とするものも、反射率が高く、再
生特性が良好であるが、Ｐｔ, Auは貴金属のため高価で
あり、Ｃｒ，Aｌ、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｗ，Ｇ
ｅ，Ｓｂ，Ｂｉに比ベコストが上がる場合がある。
【００５１】反射層構成元素に対する不純物元素が１０
原子％以上になると、熱伝導率の低下し、多数回書き換
え時のジッタ上昇が大きくなるため、不純物元素は１０
原子％未満であることが好ましい。より好ましくは５原
子％未満である。
原子％以上になると、熱伝導率の低下し、多数回書き換
え時のジッタ上昇が大きくなるため、不純物元素は１０
原子％未満であることが好ましい。より好ましくは５原
子％未満である。
【００５２】これより、反射層の膜厚は、１０ｎｍ以上
６０ｎｍ以下が好ましい．膜厚が薄過ぎると変調度が小
さくなるうえ、熱冷却も十分に行なわれないため多数回
書換時のジッター増加が生じる。また厚すぎると吸収率
比が小さくオーバライト時のジッタ増加が生じる上に、
基板の応力グルーブ変形の原因にもなる。 （第１保護層の組成および膜厚）第１保護層に添加物
は、ＣとＨを含むガスが好ましい。添加方法としては、
ＡｒガスにＣＨ４を含む混合ガスを用いてスパッタリン
グすることによって、ＣＨ４または、ＣＨ４からＨ（水
素）が抜けた状態のＣＨ３，ＣＨ２，ＣＨなど、ＣとＨ
が添加されることにより多数回書換時の基板劣化を防止
できる。ＣＨ４の代わりに、Ａｒガス中にＣ２Ｈ６、ま
たはＣ２Ｈ４などＣとＨからなるガスを含む混合ガス用
いてスパッタリングすることにより、第１保護層中にＣ
とＨが添加されても同様な効果が得られた。第１保護層
材料に対して少なくとも０．１原子％以上添加されると
書換可能回数を向上する効果が得られた。
６０ｎｍ以下が好ましい．膜厚が薄過ぎると変調度が小
さくなるうえ、熱冷却も十分に行なわれないため多数回
書換時のジッター増加が生じる。また厚すぎると吸収率
比が小さくオーバライト時のジッタ増加が生じる上に、
基板の応力グルーブ変形の原因にもなる。 （第１保護層の組成および膜厚）第１保護層に添加物
は、ＣとＨを含むガスが好ましい。添加方法としては、
ＡｒガスにＣＨ４を含む混合ガスを用いてスパッタリン
グすることによって、ＣＨ４または、ＣＨ４からＨ（水
素）が抜けた状態のＣＨ３，ＣＨ２，ＣＨなど、ＣとＨ
が添加されることにより多数回書換時の基板劣化を防止
できる。ＣＨ４の代わりに、Ａｒガス中にＣ２Ｈ６、ま
たはＣ２Ｈ４などＣとＨからなるガスを含む混合ガス用
いてスパッタリングすることにより、第１保護層中にＣ
とＨが添加されても同様な効果が得られた。第１保護層
材料に対して少なくとも０．１原子％以上添加されると
書換可能回数を向上する効果が得られた。
【００５３】第１保護層には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｚｎ
Ｓ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ
２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−
Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ZnO、あるいは、ＺｎＯ、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、
ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ
−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｓｉ
Ｏ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔ
ｉＯ２−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、
Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ
５−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−
Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２
Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３等の酸化物
上記材料の混合物、上記材料の一部または全部を窒化物
で置き換えたものが使用可能であった。また、この層の
熱伝導率を第２保護層より高くすると、記録膜から上下
方向への熱拡散の対称性が増すのでランドとグルーブの
特性の対称性が増し、特にグルーブで起きやすいクロス
イレーズを防止する効果を有する。そのため、第１保護
層材料が酸化物、窒化物、酸窒化物含有量が５０ｍｏｌ
％以上からなることが好ましい。
Ｓ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ
２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−
Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ZnO、あるいは、ＺｎＯ、ＳｉＯ
２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、
ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ
−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−Ｓｉ
Ｏ２、ＳｎＯ２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔ
ｉＯ２−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、
Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ
５−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−
Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２
Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３等の酸化物
上記材料の混合物、上記材料の一部または全部を窒化物
で置き換えたものが使用可能であった。また、この層の
熱伝導率を第２保護層より高くすると、記録膜から上下
方向への熱拡散の対称性が増すのでランドとグルーブの
特性の対称性が増し、特にグルーブで起きやすいクロス
イレーズを防止する効果を有する。そのため、第１保護
層材料が酸化物、窒化物、酸窒化物含有量が５０ｍｏｌ
％以上からなることが好ましい。
【００５４】上記のうち、Ｉｎ２Ｏ３またはＳｎＯ２を
含む材料では、ターゲットの電気抵抗が低いためにＤＣ
スパッタリングが可能で、短いタクトタイムを実現でき
るので特に好ましい。ＺｎＯを含む材料でもＺｎＯの含
有量が５０ｍｏｌ％以下であればＤＣスパッタリングが
可能である。これら導電性第１保護層材料は、第１保護
層の膜厚が６０ｎｍを越える場合、たとえば１００ｎｍ
とした場合に用いても従来のＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも好
ましい。
含む材料では、ターゲットの電気抵抗が低いためにＤＣ
スパッタリングが可能で、短いタクトタイムを実現でき
るので特に好ましい。ＺｎＯを含む材料でもＺｎＯの含
有量が５０ｍｏｌ％以下であればＤＣスパッタリングが
可能である。これら導電性第１保護層材料は、第１保護
層の膜厚が６０ｎｍを越える場合、たとえば１００ｎｍ
とした場合に用いても従来のＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも好
ましい。
【００５５】第１保護層が５ｎｍなど極端に薄い時は、
100トラック以上の多数トラック、例えば１ゾーン全体
を多数回オーバーライトした時にアドレス信号の読出し
エラーや反射光量の低下として表れるグルーブ変形につ
いては，記録パワーレベルのレーザー光照射で温度上昇
することにより基板表面の膨張と分子間隔の広がりが起
こるためと考えられる。従って，第１保護層材料中、酸
化物を全体の５０ｍｏｌ％以上とすると、熱伝導率が上
がり熱が基板側に行かないようになり，また硬さが増し
グルーブ変形を抑制することが出来好ましい。
100トラック以上の多数トラック、例えば１ゾーン全体
を多数回オーバーライトした時にアドレス信号の読出し
エラーや反射光量の低下として表れるグルーブ変形につ
いては，記録パワーレベルのレーザー光照射で温度上昇
することにより基板表面の膨張と分子間隔の広がりが起
こるためと考えられる。従って，第１保護層材料中、酸
化物を全体の５０ｍｏｌ％以上とすると、熱伝導率が上
がり熱が基板側に行かないようになり，また硬さが増し
グルーブ変形を抑制することが出来好ましい。
【００５６】また、この中ではＺｎＯやＩｎ２Ｏ３、Ｓ
ｎＯ２，ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３等、がスパッタレートを
速くすることが出来、量産性の点から好ましかった。Ｚ
ｎＯ−ＳｉＯ２、やＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、
はスパッタレートが上記に比べてやや遅いが、コントラ
ストは上記に比べて３％向上できた。ついでＳｉＯ２、
ＴｉＯ２、もスパッタレートが速くでき、好ましかっ
た。Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２は（Ｉｎ２Ｏ３）８３（Ｓｎ
Ｏ２）１７及びこれに近い組成が、ターゲット価格が安
価でスパッタレートが大きく好ましい。
ｎＯ２，ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３等、がスパッタレートを
速くすることが出来、量産性の点から好ましかった。Ｚ
ｎＯ−ＳｉＯ２、やＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、
はスパッタレートが上記に比べてやや遅いが、コントラ
ストは上記に比べて３％向上できた。ついでＳｉＯ２、
ＴｉＯ２、もスパッタレートが速くでき、好ましかっ
た。Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２は（Ｉｎ２Ｏ３）８３（Ｓｎ
Ｏ２）１７及びこれに近い組成が、ターゲット価格が安
価でスパッタレートが大きく好ましい。
【００５７】また、Ｇｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などのＧｅ−Ｃ
ｒ−Ｎ系材料や、Ｓｉ50Ｃｒ10Ｎ40などのＳｉ−Ｃｒ−
Ｎ系材料を用いることもできるが、スパッタレートがや
や低いために生産性はやや悪くなる。
ｒ−Ｎ系材料や、Ｓｉ50Ｃｒ10Ｎ40などのＳｉ−Ｃｒ−
Ｎ系材料を用いることもできるが、スパッタレートがや
や低いために生産性はやや悪くなる。
【００５８】第１保護層構成元素に対する不純物元素が
１０原子％以上になると、コントラストが低下し、ジッ
タが大きくなるため、不純物元素は１０原子％未満であ
ることが好ましい。より好ましくは５原子％未満であ
る。
１０原子％以上になると、コントラストが低下し、ジッ
タが大きくなるため、不純物元素は１０原子％未満であ
ることが好ましい。より好ましくは５原子％未満であ
る。
【００５９】第１保護層の好ましい膜厚は、光の干渉に
よる記録感度向上や結晶状態と非晶質状態とのコントラ
スト比を十分に得るため及び基板のグルーブ変形量を抑
えるために２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲である。こ
の膜厚範囲では、５００回以上の多数回書換時の基板変
形を抑制することが出来好ましい。
よる記録感度向上や結晶状態と非晶質状態とのコントラ
スト比を十分に得るため及び基板のグルーブ変形量を抑
えるために２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲である。こ
の膜厚範囲では、５００回以上の多数回書換時の基板変
形を抑制することが出来好ましい。
【００６０】基板のグルーブ変形抑制のためには、第１
保護層の膜厚を制限し、製膜時に基板温度上昇が起こら
ないようにする必要がある。そこで、２０ｎｍ以上、６
０ｎｍ以下の第１保護層を設ける。屈折率ｎは、光学的
にコントラストを大きくするために、１．６以上１．９
以下が好ましい。消衰係数ｋは出来るだけ０に近いこと
が好ましい。ｋが大きいと、コントラストが低下するた
めである。また、この層の熱伝導率が記録膜より１桁以
上高いことから、記録膜から上下方向への熱拡散の対称
性が増すのでランドとグルーブの特性の対称性が増し、
特にグルーブで起きやすいクロスイレーズを防止する効
果も有する。このような材料の例は（ＳｉＯ２）70（Ｉ
ｎ２Ｏ３）30などのＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３混合材料、
（ＳｉＯ２）50（ＳｎＯ２）50などのＳｉＯ２−ＳｎＯ
２混合材料、（ＳｉＯ２）50（ＺｎＯ）50などのＳｉＯ
２−ＺｎＯ混合材料、あるいは、さらにこれらの2者以
上を混合したもの、これらを部分的に窒化したものなど
である。ただし、この層の熱伝導率が高過ぎるとランド
のクロスイレーズが増大する。
保護層の膜厚を制限し、製膜時に基板温度上昇が起こら
ないようにする必要がある。そこで、２０ｎｍ以上、６
０ｎｍ以下の第１保護層を設ける。屈折率ｎは、光学的
にコントラストを大きくするために、１．６以上１．９
以下が好ましい。消衰係数ｋは出来るだけ０に近いこと
が好ましい。ｋが大きいと、コントラストが低下するた
めである。また、この層の熱伝導率が記録膜より１桁以
上高いことから、記録膜から上下方向への熱拡散の対称
性が増すのでランドとグルーブの特性の対称性が増し、
特にグルーブで起きやすいクロスイレーズを防止する効
果も有する。このような材料の例は（ＳｉＯ２）70（Ｉ
ｎ２Ｏ３）30などのＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３混合材料、
（ＳｉＯ２）50（ＳｎＯ２）50などのＳｉＯ２−ＳｎＯ
２混合材料、（ＳｉＯ２）50（ＺｎＯ）50などのＳｉＯ
２−ＺｎＯ混合材料、あるいは、さらにこれらの2者以
上を混合したもの、これらを部分的に窒化したものなど
である。ただし、この層の熱伝導率が高過ぎるとランド
のクロスイレーズが増大する。
【００６１】記録膜を薄くすると反射率も低下するが、
反射率向上層によって救うことができる。しかしさらに
薄くすると結晶―非晶質の反射率差、従って再生信号強
度自体が小さくなるため、それ以上薄くすることはでき
ない。
反射率向上層によって救うことができる。しかしさらに
薄くすると結晶―非晶質の反射率差、従って再生信号強
度自体が小さくなるため、それ以上薄くすることはでき
ない。
【００６２】この層は２０ｎｍ未満だと５００回以上の
多数回書換時に基板変形が生じるため、これを防止っす
るため２０ｎｍ以上とすることが好ましい。 （第２保護層の組成および膜厚）第２保護層には、Ｓｎ
Ｏ２などのＳｎ−ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料、ＳｎＯ
２−ＳｉＯ２，ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４，ＳｎＯ２−Ｓｉ
Ｏ２−Ｓｉ３Ｎ４，などのＳｎ−Ｓｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｓｉ
−ＮあるいはＳｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ａｌ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＡｌＮ，ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ａ
ｌＮなどのＳｎ−Ａｌ−Ｏ、Ｓｎ−Ａｌ−ＮまたはＳｎ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３，ＳｎＯ２
−ＣｒＮ，ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｒＮなどのＳｎ−
Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｒ−ＮまたはＳｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｎ材
料、ＳｎＯ２−Ｍｎ３Ｏ４，ＳｎＯ２−Ｍｎ５Ｎ２，Ｓ
ｎＯ２−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｎ５Ｎ２などのＳｎ−Ｍｎ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｍｎ−ＮまたはＳｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｎ，ＳｎＯ２−
Ｔａ２Ｏ５−Ｔａ２ＮなどのＳｎ−Ｔａ−Ｏ、Ｓｎ−Ｔ
ａ−ＮまたはＳｎ−Ｔａ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｇｅ
Ｏ２，ＳｎＯ２−Ｇｅ３Ｎ４，ＳｎＯ２−ＧｅＯ２−Ｇ
ｅ３Ｎ４，などのＳｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−Ｎある
いはＳｎ−Ｇｅ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２，Ｓ
ｎＯ２−Ｔｉ２Ｎ，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２−Ｔｉ２Ｎ，な
どのＳｎ−Ｔｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｔｉ−ＮあるいはＳｎ−Ｔ
ｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＭｏＯ３，ＳｎＯ２−Ｍｏ
２Ｎ−ＭｏＮ，ＳｎＯ２−ＭｏＯ２−Ｍｏ２Ｎ−Ｍｏ
Ｎ，などのＳｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｏ−ＮあるいはＳ
ｎ−Ｍｏ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｒＯ２，ＳｎＯ２
−ＺｒＮ，ＳｎＯ２−ＺｒＯ２−ＺｒＮ，などのＳｎ−
Ｚｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｒ−ＮあるいはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ
材料，ＳｎＯ２−Ｃｏ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｃｏ２Ｎ，Ｓ
ｎＯ２−Ｃｏ２Ｏ３−Ｃｏ２ＮなどのＳｎ−Ｃｏ−Ｏ、
Ｓｎ−Ｃｏ−ＮまたはＳｎ−Ｃｏ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ
２−Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｉｎ−Ｎ，ＳｎＯ２−Ｉｎ
２Ｏ３−ＮなどのＳｎ−Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｎまた
はＳｎ−Ｉｎ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｎＯ，ＳｎＯ
２−Ｚｎ−Ｎ，ＳｎＯ２−ＺｎＯ−Ｚｎ−ＮなどのＳｎ
−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ
材料，ＳｎＯ２−Ｇｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｇｄ２Ｎ，Ｓ
ｎＯ２−Ｇｄ２Ｏ３−Ｇｄ２ＮなどのＳｎ−Ｇｄ−Ｏ、
Ｓｎ−Ｇｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ
２−Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｂｉ―Ｎ，ＳｎＯ２−Ｂｉ
２Ｏ３−Ｂｉ―ＮなどのＳｎ−Ｂｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−
ＮまたはＳｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ
３，ＳｎＯ２−Ｎｉ―Ｎ，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ３−Ｎｉ
―ＮなどのＳｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｉ−ＮまたはＳｎ
−Ｎｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３，ＳｎＯ２
−ＮｂＮ，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３−ＮｂＮなどのＳｎ−
Ｎｂ−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｂ−ＮまたはＳｎ−Ｎｂ−Ｏ−Ｎ材
料，ＳｎＯ２−Ｎｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＮｄＮ，ＳｎＯ
２−Ｎｄ２Ｏ３−ＮｄＮなどのＳｎ−Ｎｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｎｄ−ＮまたはＳｎ−Ｎｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｖ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＶＮ，ＳｎＯ２−Ｖ２Ｏ３−ＶＮな
どのＳｎ−Ｖ−Ｏ、Ｓｎ−Ｖ−ＮまたはＳｎ−Ｖ−Ｏ−
Ｎ材料，あるいは、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料やＳ
ｎ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｃｒ−Ｃｏ−Ｏ−
Ｎ材料など上記材料を混合したものが、第２保護層とし
て使用可能であった。
多数回書換時に基板変形が生じるため、これを防止っす
るため２０ｎｍ以上とすることが好ましい。 （第２保護層の組成および膜厚）第２保護層には、Ｓｎ
Ｏ２などのＳｎ−ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料、ＳｎＯ
２−ＳｉＯ２，ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４，ＳｎＯ２−Ｓｉ
Ｏ２−Ｓｉ３Ｎ４，などのＳｎ−Ｓｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｓｉ
−ＮあるいはＳｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ａｌ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＡｌＮ，ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ａ
ｌＮなどのＳｎ−Ａｌ−Ｏ、Ｓｎ−Ａｌ−ＮまたはＳｎ
−Ａｌ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３，ＳｎＯ２
−ＣｒＮ，ＳｎＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｒＮなどのＳｎ−
Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｒ−ＮまたはＳｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｎ材
料、ＳｎＯ２−Ｍｎ３Ｏ４，ＳｎＯ２−Ｍｎ５Ｎ２，Ｓ
ｎＯ２−Ｍｎ３Ｏ４−Ｍｎ５Ｎ２などのＳｎ−Ｍｎ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｍｎ−ＮまたはＳｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５，ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｎ，ＳｎＯ２−
Ｔａ２Ｏ５−Ｔａ２ＮなどのＳｎ−Ｔａ−Ｏ、Ｓｎ−Ｔ
ａ−ＮまたはＳｎ−Ｔａ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｇｅ
Ｏ２，ＳｎＯ２−Ｇｅ３Ｎ４，ＳｎＯ２−ＧｅＯ２−Ｇ
ｅ３Ｎ４，などのＳｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−Ｎある
いはＳｎ−Ｇｅ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２，Ｓ
ｎＯ２−Ｔｉ２Ｎ，ＳｎＯ２−ＴｉＯ２−Ｔｉ２Ｎ，な
どのＳｎ−Ｔｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｔｉ−ＮあるいはＳｎ−Ｔ
ｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＭｏＯ３，ＳｎＯ２−Ｍｏ
２Ｎ−ＭｏＮ，ＳｎＯ２−ＭｏＯ２−Ｍｏ２Ｎ−Ｍｏ
Ｎ，などのＳｎ−Ｍｏ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｏ−ＮあるいはＳ
ｎ−Ｍｏ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｒＯ２，ＳｎＯ２
−ＺｒＮ，ＳｎＯ２−ＺｒＯ２−ＺｒＮ，などのＳｎ−
Ｚｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｒ−ＮあるいはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ
材料，ＳｎＯ２−Ｃｏ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｃｏ２Ｎ，Ｓ
ｎＯ２−Ｃｏ２Ｏ３−Ｃｏ２ＮなどのＳｎ−Ｃｏ−Ｏ、
Ｓｎ−Ｃｏ−ＮまたはＳｎ−Ｃｏ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ
２−Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｉｎ−Ｎ，ＳｎＯ２−Ｉｎ
２Ｏ３−ＮなどのＳｎ−Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｎまた
はＳｎ−Ｉｎ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−ＺｎＯ，ＳｎＯ
２−Ｚｎ−Ｎ，ＳｎＯ２−ＺｎＯ−Ｚｎ−ＮなどのＳｎ
−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ
材料，ＳｎＯ２−Ｇｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｇｄ２Ｎ，Ｓ
ｎＯ２−Ｇｄ２Ｏ３−Ｇｄ２ＮなどのＳｎ−Ｇｄ−Ｏ、
Ｓｎ−Ｇｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ
２−Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２−Ｂｉ―Ｎ，ＳｎＯ２−Ｂｉ
２Ｏ３−Ｂｉ―ＮなどのＳｎ−Ｂｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−
ＮまたはＳｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ
３，ＳｎＯ２−Ｎｉ―Ｎ，ＳｎＯ２−Ｎｉ２Ｏ３−Ｎｉ
―ＮなどのＳｎ−Ｎｉ−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｉ−ＮまたはＳｎ
−Ｎｉ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３，ＳｎＯ２
−ＮｂＮ，ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３−ＮｂＮなどのＳｎ−
Ｎｂ−Ｏ、Ｓｎ−Ｎｂ−ＮまたはＳｎ−Ｎｂ−Ｏ−Ｎ材
料，ＳｎＯ２−Ｎｄ２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＮｄＮ，ＳｎＯ
２−Ｎｄ２Ｏ３−ＮｄＮなどのＳｎ−Ｎｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｎｄ−ＮまたはＳｎ−Ｎｄ−Ｏ−Ｎ材料，ＳｎＯ２−Ｖ
２Ｏ３，ＳｎＯ２−ＶＮ，ＳｎＯ２−Ｖ２Ｏ３−ＶＮな
どのＳｎ−Ｖ−Ｏ、Ｓｎ−Ｖ−ＮまたはＳｎ−Ｖ−Ｏ−
Ｎ材料，あるいは、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料やＳ
ｎ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｃｒ−Ｃｏ−Ｏ−
Ｎ材料など上記材料を混合したものが、第２保護層とし
て使用可能であった。
【００６３】これらの中でＳｎ−ＯあるいはＳｎ−Ｏ−
Ｎ材料は、製膜速度が従来材料である（ＺｎＳ）８０
（ＳｉＯ２）２０の約２倍と非常に早く、量産に適して
いる点でより好ましかった。また、混合材料中のＳｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料が全体の７０ｍｏｌ％以上
であると、製膜速度が（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０
の約１．５倍と速く、混合材料中のＣｒ−Ｏ，Ｃｒ−Ｏ
−Ｎ材料が全全体の７０ｍｏｌ％以上であると、Ｓｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料に比べて熱安定性が良く書
換え時の消去比の劣化が生じにくい。Ｃｒ−Ｏ，Ｃｒ−
Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｍｎ−Ｏ，Ｍｎ−Ｏ−Ｎを使用
しても同様の効果が見られた。Ｓｎ−Ｇｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｇｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｂｉ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−ＮまたはＳｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎ−Ｚｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｒ−ＮまたはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−
Ｎ材料も安定性が高いが、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｒ
−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎに比べ
ると約１割スパッタレートが低い。また、Ｓｎ−Ｇｅ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−ＮあるいはＳｎ−Ｇｅ−Ｏ−Ｎ材料を
用いると、記録膜との接着力が大きくなり、保存寿命が
向上した。Ｓｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｇ
ｅ−Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍ
ｏ−Ｏ−Ｎ材料を用いても同様の効果が得られた。
Ｎ材料は、製膜速度が従来材料である（ＺｎＳ）８０
（ＳｉＯ２）２０の約２倍と非常に早く、量産に適して
いる点でより好ましかった。また、混合材料中のＳｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料が全体の７０ｍｏｌ％以上
であると、製膜速度が（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０
の約１．５倍と速く、混合材料中のＣｒ−Ｏ，Ｃｒ−Ｏ
−Ｎ材料が全全体の７０ｍｏｌ％以上であると、Ｓｎ−
ＯあるいはＳｎ−Ｏ−Ｎ材料に比べて熱安定性が良く書
換え時の消去比の劣化が生じにくい。Ｃｒ−Ｏ，Ｃｒ−
Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｍｎ−Ｏ，Ｍｎ−Ｏ−Ｎを使用
しても同様の効果が見られた。Ｓｎ−Ｇｄ−Ｏ、Ｓｎ−
Ｇｄ−ＮまたはＳｎ−Ｇｄ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓｎ−Ｂｉ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｂｉ−ＮまたはＳｎ−Ｂｉ−Ｏ−Ｎ材料，Ｓ
ｎ−Ｚｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｒ−ＮまたはＳｎ−Ｚｒ−Ｏ−
Ｎ材料も安定性が高いが、Ｓｎ−Ｃｒ−Ｏ、Ｓｎ−Ｃｒ
−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍｎ−Ｏ−Ｎに比べ
ると約１割スパッタレートが低い。また、Ｓｎ−Ｇｅ−
Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−ＮあるいはＳｎ−Ｇｅ−Ｏ−Ｎ材料を
用いると、記録膜との接着力が大きくなり、保存寿命が
向上した。Ｓｎ−Ｇｅ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｇ
ｅ−Ｏ−Ｎ材料の代わりに、Ｓｎ−Ｍｏ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍ
ｏ−Ｏ−Ｎ材料を用いても同様の効果が得られた。
【００６４】一方、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｎま
たはＳｎ−Ｉｎ−Ｏ−Ｎ材料，は電気抵抗が低く、DCス
パッタリングが可能という利点がある。ＩｎがＳｎより
多いとスパッタレートを２倍以上に上げることが可能で
あるが、５００回以上書き換えると反射率変化が生じ
る。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ
−Ｏ−Ｎ材料もDCスパッタリングが可能であった。
たはＳｎ−Ｉｎ−Ｏ−Ｎ材料，は電気抵抗が低く、DCス
パッタリングが可能という利点がある。ＩｎがＳｎより
多いとスパッタレートを２倍以上に上げることが可能で
あるが、５００回以上書き換えると反射率変化が生じ
る。Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−ＮまたはＳｎ−Ｚｎ
−Ｏ−Ｎ材料もDCスパッタリングが可能であった。
【００６５】Ｇｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などの組成の、Ｇｅま
たはＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原
子％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あ
るいはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｒ−Ｎ系材料、あるいはＺｎとOを主成分とする（合計
７０原子％以上）材料では熱拡散率が低くできるので、
記録感度の低下も少ない．第２保護層の熱伝導率が大き
すぎると、記録時に熱が横に広がりクロスイレーズが発
生しやすくなるため、ＺｎＳ及び熱伝導率の大きい材料
（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５）の
混合材料の組成比はＺｎＳが６０ｍｏｌ％以上９０ｍｏ
ｌ以下が好ましい。ＳｉＯ２より熱伝導率の小さい材料
（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２，Ｚｎ
Ｏ，ＳｎＯ２）と、ＺｎＳを混合させた場合について
は、ＺｎＳは５０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ以下が好まし
かった。これらの範囲を外れ、熱伝導率が大きすぎると
クロスイレーズによるジッタ上昇が３％以上となる。ま
た、Ｇｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などのＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料
や、Ｓｉ50Ｃｒ10Ｎ40などのＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料をＳ
ｉＯ２等熱伝導率の大きい酸化物の代わりに用いること
も出来るが、スパッタレートがやや低いために生産性は
やや悪くなる。
たはＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原
子％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あ
るいはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃ
ｒ−Ｎ系材料、あるいはＺｎとOを主成分とする（合計
７０原子％以上）材料では熱拡散率が低くできるので、
記録感度の低下も少ない．第２保護層の熱伝導率が大き
すぎると、記録時に熱が横に広がりクロスイレーズが発
生しやすくなるため、ＺｎＳ及び熱伝導率の大きい材料
（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５）の
混合材料の組成比はＺｎＳが６０ｍｏｌ％以上９０ｍｏ
ｌ以下が好ましい。ＳｉＯ２より熱伝導率の小さい材料
（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２，Ｚｎ
Ｏ，ＳｎＯ２）と、ＺｎＳを混合させた場合について
は、ＺｎＳは５０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ以下が好まし
かった。これらの範囲を外れ、熱伝導率が大きすぎると
クロスイレーズによるジッタ上昇が３％以上となる。ま
た、Ｇｅ50Ｃｒ10Ｎ４０などのＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料
や、Ｓｉ50Ｃｒ10Ｎ40などのＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料をＳ
ｉＯ２等熱伝導率の大きい酸化物の代わりに用いること
も出来るが、スパッタレートがやや低いために生産性は
やや悪くなる。
【００６６】第２保護層構成元素に対する不純物元素が
１０原子％以上になると、コントラストが低下し、ジッ
タが大きくなるため、不純物元素は１０原子％未満であ
ることが好ましい。より好ましくは５原子％未満であ
る。
１０原子％以上になると、コントラストが低下し、ジッ
タが大きくなるため、不純物元素は１０原子％未満であ
ることが好ましい。より好ましくは５原子％未満であ
る。
【００６７】第２保護層膜厚とクロスイレーズによるジ
ッタ上昇及び初期化後の反射率の関係を調べたところ、
以下のようになった。
ッタ上昇及び初期化後の反射率の関係を調べたところ、
以下のようになった。
【００６８】
第２保護層膜厚（ｎｍ） クロスイレーズによる 初期化後の反射率
ジッタ上昇（％） （％）
２０ ５ ２５
２５ ２ ２２
２８ １．０ ２１
３０ １．０ ２０
３５ ０．８ １９
４０ ０．５ １７
４５ ０．５ １５
５０ ０．４ １３
これより、オーバーライト特性が実用レベルになるには
クロスイレーズによるジッタ上昇が３％未満、かつ反射
率が１５％以上必要なため、第２保護層の好ましい膜厚
は、２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲、より好ましい範
囲は２８ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲であった．光学的
には波長を屈折率で割った値の１／２の周期で、厚いと
ころでも同じ条件になるが、膜の応力による基板の変形
やクラックが発生するようになり、製膜時間も長くなる
ので不利である。なお、媒体の反射率が１５％より低い
と、記録再生信号の変調度が低い、ＡＦやトラッキング
が不安定となり、記録出来ない、再生出来ないなどの問
題が生じるため、１５％以上が好ましい。こういった理
由等からＤＶＤ−ＲＡＭ規格においても、反射率は１５
％以上と決められている。（吸収率制御層） 前記吸収率制御層Ｃｒ９０（Ｃｒ2Ｏ３）１０膜中のＣ
ｒに代わる材料としては，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｂ，Ｍ
ｎ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｇｅ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｂ
ｅ，Ｔａを用いると同様の結果が得られた。また、Ｐ
ｄ，Ｐｔは他の層との反応性が低く、書き換え可能回数
がさらに大きくなり、より好ましかった。Ｎｉ，Ｃｏを
用いると、他に比べ安価なターゲットを使用できるた
め、全体の製作費用を下げることができる。 Ｃｒ，Ｍ
ｏは耐食性が強く、寿命試験の結果が他に比べて良好だ
った。Ｔｉも次いで耐食性が強く良好な特性が得られ
た。また、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｈｆ等も使用可であった。
クロスイレーズによるジッタ上昇が３％未満、かつ反射
率が１５％以上必要なため、第２保護層の好ましい膜厚
は、２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲、より好ましい範
囲は２８ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲であった．光学的
には波長を屈折率で割った値の１／２の周期で、厚いと
ころでも同じ条件になるが、膜の応力による基板の変形
やクラックが発生するようになり、製膜時間も長くなる
ので不利である。なお、媒体の反射率が１５％より低い
と、記録再生信号の変調度が低い、ＡＦやトラッキング
が不安定となり、記録出来ない、再生出来ないなどの問
題が生じるため、１５％以上が好ましい。こういった理
由等からＤＶＤ−ＲＡＭ規格においても、反射率は１５
％以上と決められている。（吸収率制御層） 前記吸収率制御層Ｃｒ９０（Ｃｒ2Ｏ３）１０膜中のＣ
ｒに代わる材料としては，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｂ，Ｍ
ｎ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｇｅ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｂ
ｅ，Ｔａを用いると同様の結果が得られた。また、Ｐ
ｄ，Ｐｔは他の層との反応性が低く、書き換え可能回数
がさらに大きくなり、より好ましかった。Ｎｉ，Ｃｏを
用いると、他に比べ安価なターゲットを使用できるた
め、全体の製作費用を下げることができる。 Ｃｒ，Ｍ
ｏは耐食性が強く、寿命試験の結果が他に比べて良好だ
った。Ｔｉも次いで耐食性が強く良好な特性が得られ
た。また、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｈｆ等も使用可であった。
【００６９】前記吸収率制御層Ｃｒ９０（Ｃｒ2Ｏ３）
１０膜中のＣｒ2Ｏ３に代わる材料としては，ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＣｏＯ，Ｃａ
Ｏ，ＣｅＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ2Ｏ3，Ｆ
ｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，Ｈｆ
Ｏ2，Ｉｎ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ2，
ＭｏＯ3，ＮｂＯ，ＮｂＯ2，ＮｉＯ，ＰｂＯ，ＰｄＯ，
ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｓｃ2Ｏ 3，ＳｒＯ，ＴｈＯ2，ＴｉＯ
2，Ｔｉ2Ｏ3，ＴｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｅＯ2，ＶＯ，Ｖ2
Ｏ3，ＶＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｙ2Ｏ3，ＺｒＯ2，などの
酸化物，ＺｎＳ，Ｓｂ 2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2
Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，ＳｒＳ，Ｍ
ｇＳ，ＣｒＳ，ＣｅＳ，ＴａＳ4，などの硫化物、Ｓｎ
Ｓｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓ
ｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，Ｐ
ｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，Ｍｇ
Ｆ2，ＣａＦ2，ＴｉＦ3，ＮｉＦ3，ＦｅＦ2，ＦｅＦ3な
どの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，
Ｂ， ＣｒＢ， ＨｆＢ2， ＴｉＢ2，ＷＢ，などのホウ
素化物，Ｃ，Ｃｒ3Ｃ2， Ｃｒ23Ｃ6， Ｃｒ7Ｃ3，Ｆｅ3
Ｃ，Ｍｏ 2Ｃ， ＷＣ，Ｗ2Ｃ， ＨｆＣ， ＴａＣ，Ｃａ
Ｃ2，などの炭化物、Ｔａ−Ｎ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｃｒ
Ｎ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ
−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｓｉ−Ｎ系材料，
Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物ま
たは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。ま
た、これらの混合材料でもよい。
１０膜中のＣｒ2Ｏ３に代わる材料としては，ＳｉＯ2，
ＳｉＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＣｏＯ，Ｃａ
Ｏ，ＣｅＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ2Ｏ3，Ｆ
ｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，Ｈｆ
Ｏ2，Ｉｎ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ2，
ＭｏＯ3，ＮｂＯ，ＮｂＯ2，ＮｉＯ，ＰｂＯ，ＰｄＯ，
ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｓｃ2Ｏ 3，ＳｒＯ，ＴｈＯ2，ＴｉＯ
2，Ｔｉ2Ｏ3，ＴｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｅＯ2，ＶＯ，Ｖ2
Ｏ3，ＶＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｙ2Ｏ3，ＺｒＯ2，などの
酸化物，ＺｎＳ，Ｓｂ 2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2
Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，ＳｒＳ，Ｍ
ｇＳ，ＣｒＳ，ＣｅＳ，ＴａＳ4，などの硫化物、Ｓｎ
Ｓｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓ
ｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，Ｐ
ｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，Ｍｇ
Ｆ2，ＣａＦ2，ＴｉＦ3，ＮｉＦ3，ＦｅＦ2，ＦｅＦ3な
どの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，
Ｂ， ＣｒＢ， ＨｆＢ2， ＴｉＢ2，ＷＢ，などのホウ
素化物，Ｃ，Ｃｒ3Ｃ2， Ｃｒ23Ｃ6， Ｃｒ7Ｃ3，Ｆｅ3
Ｃ，Ｍｏ 2Ｃ， ＷＣ，Ｗ2Ｃ， ＨｆＣ， ＴａＣ，Ｃａ
Ｃ2，などの炭化物、Ｔａ−Ｎ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｃｒ
Ｎ，Ｃｒ2Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ−Ｓｉ
−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｓｉ−Ｎ系材料，
Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物ま
たは、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。ま
た、これらの混合材料でもよい。
【００７０】これらの中では、酸化物を用いると他に比
べ安価なターゲットを使用できるため、全体の製作費用
を下げることができる。酸化物の中でも、 ＳｉＯ2，Ｔ
ａ2Ｏ5は反応性が低く、書き換え可能回数がさらに大き
くなり、好ましかった。Ａｌ2Ｏ3は熱伝導率が高いた
め、反射層および／または反射層がない構造のディスク
にした場合、他に比べて書き換え特性の劣化が少ない。
Ｃｒ2Ｏ3は融点が高い上、熱伝導率も高く好ましかっ
た。
べ安価なターゲットを使用できるため、全体の製作費用
を下げることができる。酸化物の中でも、 ＳｉＯ2，Ｔ
ａ2Ｏ5は反応性が低く、書き換え可能回数がさらに大き
くなり、好ましかった。Ａｌ2Ｏ3は熱伝導率が高いた
め、反射層および／または反射層がない構造のディスク
にした場合、他に比べて書き換え特性の劣化が少ない。
Ｃｒ2Ｏ3は融点が高い上、熱伝導率も高く好ましかっ
た。
【００７１】また、硫化物を用いるとスパッタレートが
大きくでき、製膜時間が短縮できる。炭化物を用いる
と、吸収率制御層の硬度が増し、多数回書き換え時の記
録膜流動を抑制する働きも持つ。
大きくでき、製膜時間が短縮できる。炭化物を用いる
と、吸収率制御層の硬度が増し、多数回書き換え時の記
録膜流動を抑制する働きも持つ。
【００７２】金属元素および／または誘電体とも融点が
記録膜の融点（約６００℃）より高いと、１万回書き換
え時のジッター上昇が小さくできる。両者の融点が６０
０℃以上の場合，３％以下に抑制できよりこのましい。 (基板)本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝
を有するポリカーボネート基板1を用いている。また、
トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面ま
たは一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ/10n`
(n'は基板材料の屈折率)以上の深さの溝を持つ基板であ
る。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割さ
れていてもよい。溝深さが約λ/6nの時、クロストーク
が小さくなり好ましいことが分かった。また、その溝幅
は場所により異なっていてもよい。内周ほど狭いと、多
数回書換えで問題が起きにくい。溝部とランド部の両方
に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、
どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良
い。貼り合わせ前に前記第1および第2のディスク部材の
反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約10μm塗布し,硬化後
に貼り合わせを行うと,エラーレートがより低くでき
る。本実施例では、2つのディスク部材を作製し、接着
剤層を介して、前記第1および第2のディスク部材の反射
層側７同士をはり合わせている。基板材料をポリカーボ
ネートからポリオレフィンが主成分の材料に変えると、
基板表面の固さが増し、熱による基板変形量が１割低減
され好ましい。しかし、材料費は２倍以上高くなった。 （生産タクト）実施例１の情報記録媒体について、積層
のタクトは、各膜のスパッタレートと積層膜厚で決定さ
れ、次のようになった。下記表では第１保護層中の添加
物については記載を省略した。 チャンバ 構成材料 膜厚（ｎｍ） 積層時間（ｓ） 第１保護層 （ＳｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５ １２ ４ 界面層 Ｃｒ２Ｏ３ ２ ３ 記録膜 Ｇｅ７Ｓｂ２Ｔｅ４ １０ ６ 第２保護層 ＳｎＯ２ ３２ ６ 吸収率制御層 Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０ ３３ ９ 反射層 Ａｌ ４０ １２ これらの中で時間のかかっている層である、反射層を積
層時間１２秒までに抑えるには、各層が４０ｎｍ以下と
薄い必要がある。
記録膜の融点（約６００℃）より高いと、１万回書き換
え時のジッター上昇が小さくできる。両者の融点が６０
０℃以上の場合，３％以下に抑制できよりこのましい。 (基板)本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝
を有するポリカーボネート基板1を用いている。また、
トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面ま
たは一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ/10n`
(n'は基板材料の屈折率)以上の深さの溝を持つ基板であ
る。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割さ
れていてもよい。溝深さが約λ/6nの時、クロストーク
が小さくなり好ましいことが分かった。また、その溝幅
は場所により異なっていてもよい。内周ほど狭いと、多
数回書換えで問題が起きにくい。溝部とランド部の両方
に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、
どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良
い。貼り合わせ前に前記第1および第2のディスク部材の
反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約10μm塗布し,硬化後
に貼り合わせを行うと,エラーレートがより低くでき
る。本実施例では、2つのディスク部材を作製し、接着
剤層を介して、前記第1および第2のディスク部材の反射
層側７同士をはり合わせている。基板材料をポリカーボ
ネートからポリオレフィンが主成分の材料に変えると、
基板表面の固さが増し、熱による基板変形量が１割低減
され好ましい。しかし、材料費は２倍以上高くなった。 （生産タクト）実施例１の情報記録媒体について、積層
のタクトは、各膜のスパッタレートと積層膜厚で決定さ
れ、次のようになった。下記表では第１保護層中の添加
物については記載を省略した。 チャンバ 構成材料 膜厚（ｎｍ） 積層時間（ｓ） 第１保護層 （ＳｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５ １２ ４ 界面層 Ｃｒ２Ｏ３ ２ ３ 記録膜 Ｇｅ７Ｓｂ２Ｔｅ４ １０ ６ 第２保護層 ＳｎＯ２ ３２ ６ 吸収率制御層 Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０ ３３ ９ 反射層 Ａｌ ４０ １２ これらの中で時間のかかっている層である、反射層を積
層時間１２秒までに抑えるには、各層が４０ｎｍ以下と
薄い必要がある。
【００７３】このように本発明の情報記録媒体は各積層
膜の膜厚が４０ｎｍ以下と薄いため、１層あたりの積層
タクトが短く、従来ディスクに比べて非常に量産性に優
れている。 ［実施例２］（比較例１） 実施例１のディスクと第１保護層のみ変えたディスク
（比較例１）を作製し、実施例１と同様の方法で多数回
書換時のジッターを測定したところ、表１に示されるよ
うにオーバーライト３００回でジッターが１３％以上に
増加した。
膜の膜厚が４０ｎｍ以下と薄いため、１層あたりの積層
タクトが短く、従来ディスクに比べて非常に量産性に優
れている。 ［実施例２］（比較例１） 実施例１のディスクと第１保護層のみ変えたディスク
（比較例１）を作製し、実施例１と同様の方法で多数回
書換時のジッターを測定したところ、表１に示されるよ
うにオーバーライト３００回でジッターが１３％以上に
増加した。
【００７４】比較例１における第１保護層では、（Ｓｉ
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス雰囲気中でのスパッタリングを行なった。 ［実施例３］実施例１のディスクと第１保護層のみ変え
たディスク（実施例３）を作製し、実施例１と同様の方
法で多数回書換時のジッターを測定したところ、実施例
１と同様に、１０００回オーバーライト後のランダムパ
ターン記録時のジッターが１３％以下に出来る効果が得
られた。
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス雰囲気中でのスパッタリングを行なった。 ［実施例３］実施例１のディスクと第１保護層のみ変え
たディスク（実施例３）を作製し、実施例１と同様の方
法で多数回書換時のジッターを測定したところ、実施例
１と同様に、１０００回オーバーライト後のランダムパ
ターン記録時のジッターが１３％以下に出来る効果が得
られた。
【００７５】実施例３における第１保護層では、（Ｓｉ
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス中にＣＯ２またはＣＳ２を含む混合ガスを
用いてスパッタリングすることにより、第１保護層中に
ＣＯ２または、ＣＳ２が添加され、書換可能回数を向上
する効果が得られた。第１保護層材料に対して少なくと
も０．１原子％以上添加されると書換可能回数を向上す
る効果が得られた。ＣＯ２の添加の方が、生産に用いる
混合ガスが安価なため、全体の生産コストが押さえら
れ、より好ましかった。 ［実施例４］実施例４における第１保護層では、（Ｓｉ
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス中にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを
含む混合ガスを用いる、またはＡｒガス及び／または混
合ガスの流量を通常の２倍以上、例えば２００ｓｃｃｍ
以上にしてスパッタリングすることにより、第１保護層
中にＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかが添加さ
れ、書換可能回数を向上する効果が得られた。第１保護
層材料に対して少なくとも０．１原子％以上添加される
と書換可能回数を向上する効果が得られた。Ａｒの添加
が、生産に用いるガスが安価なため、全体の生産コスト
が押さえられ、より好ましかった。 ［実施例５］実施例５における第１保護層では、（（Ｓ
ｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりな
る第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス中にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを
含む混合ガスを用いる、またはＡｒガス及び／または混
合ガスの流量を通常の２倍以上、例えば２００ｓｃｃｍ
以上にしてスパッタリングすることにより、第１保護層
中にＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかが添加さ
れた後に、加熱または減圧により添加したガスを抜き空
隙を形成した。スパッタリングに使用するガスは上記ガ
ス以外に、実施例１，３，４に記載のＣ，Ｈを含む混合
ガス、ＣＯ２またはＣＳ２を含む混合ガス等を用いても
よい。空隙の頻度としては、１００００原子中に少なく
とも数〜１０原子程度の空隙が１個以上形成されれば書
換可能回数向上の効果を発生する。
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス中にＣＯ２またはＣＳ２を含む混合ガスを
用いてスパッタリングすることにより、第１保護層中に
ＣＯ２または、ＣＳ２が添加され、書換可能回数を向上
する効果が得られた。第１保護層材料に対して少なくと
も０．１原子％以上添加されると書換可能回数を向上す
る効果が得られた。ＣＯ２の添加の方が、生産に用いる
混合ガスが安価なため、全体の生産コストが押さえら
れ、より好ましかった。 ［実施例４］実施例４における第１保護層では、（Ｓｉ
Ｏ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりなる
第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス中にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを
含む混合ガスを用いる、またはＡｒガス及び／または混
合ガスの流量を通常の２倍以上、例えば２００ｓｃｃｍ
以上にしてスパッタリングすることにより、第１保護層
中にＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかが添加さ
れ、書換可能回数を向上する効果が得られた。第１保護
層材料に対して少なくとも０．１原子％以上添加される
と書換可能回数を向上する効果が得られた。Ａｒの添加
が、生産に用いるガスが安価なため、全体の生産コスト
が押さえられ、より好ましかった。 ［実施例５］実施例５における第１保護層では、（（Ｓ
ｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５よりな
る第１保護層２を１２ｎｍの膜厚に形成した。製膜方法
は、Ａｒガス中にＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを
含む混合ガスを用いる、またはＡｒガス及び／または混
合ガスの流量を通常の２倍以上、例えば２００ｓｃｃｍ
以上にしてスパッタリングすることにより、第１保護層
中にＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅのいずれかが添加さ
れた後に、加熱または減圧により添加したガスを抜き空
隙を形成した。スパッタリングに使用するガスは上記ガ
ス以外に、実施例１，３，４に記載のＣ，Ｈを含む混合
ガス、ＣＯ２またはＣＳ２を含む混合ガス等を用いても
よい。空隙の頻度としては、１００００原子中に少なく
とも数〜１０原子程度の空隙が１個以上形成されれば書
換可能回数向上の効果を発生する。
【００７６】ＡｒガスにＣＨ４を含む混合ガスを用いて
スパッタリングすることによって、ＣＨ４または、ＣＨ
４からＨ（水素）が抜けた状態のＣＨ３，ＣＨ２，ＣＨ
など、ＣとＨが添加されることにより多数回書換時の基
板劣化を防止できる。ＣＨ４の代わりに、Ａｒガス中に
Ｃ２Ｈ６、またはＣ２Ｈ４などＣとＨからなるガスを含
む混合ガスを用いてスパッタリングすることにより、第
１保護層中にＣとＨが添加されても同様な効果が得られ
た。
スパッタリングすることによって、ＣＨ４または、ＣＨ
４からＨ（水素）が抜けた状態のＣＨ３，ＣＨ２，ＣＨ
など、ＣとＨが添加されることにより多数回書換時の基
板劣化を防止できる。ＣＨ４の代わりに、Ａｒガス中に
Ｃ２Ｈ６、またはＣ２Ｈ４などＣとＨからなるガスを含
む混合ガスを用いてスパッタリングすることにより、第
１保護層中にＣとＨが添加されても同様な効果が得られ
た。
【００７７】第１保護層とは、記録膜を保護するために
基板と記録膜の間に設けられ、厚さが１０ｎｍ以上の積
層膜である。多数回書換時における基板の劣化防止のた
めには、第１保護層にＣとＨを含むガス、ＣＯ２，ＣＳ
２，Ａｒ，Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを含み、
保護層内にガスを含む又はガスが抜けた空間を有するこ
とにより熱伝導率が低くし、基板へ熱を伝えにくく基板
温度が上がらないようにする必要がある。
基板と記録膜の間に設けられ、厚さが１０ｎｍ以上の積
層膜である。多数回書換時における基板の劣化防止のた
めには、第１保護層にＣとＨを含むガス、ＣＯ２，ＣＳ
２，Ａｒ，Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ，Ｘｅのいずれかを含み、
保護層内にガスを含む又はガスが抜けた空間を有するこ
とにより熱伝導率が低くし、基板へ熱を伝えにくく基板
温度が上がらないようにする必要がある。
【００７８】第１保護層に添加物は、ＣとＨを含むガス
が好ましい。添加方法としては、ＡｒガスにＣＨ４を含
む混合ガスを用いてスパッタリングすることによって、
ＣＨ４または、ＣＨ４からＨ（水素）が抜けた状態のＣ
Ｈ３，ＣＨ２，ＣＨなど、ＣとＨが添加されることによ
り多数回書換時の基板劣化を防止できる。ＣＨ４の代わ
りに、Ａｒガス中にＣ２Ｈ６、またはＣ２Ｈ４などＣと
Ｈからなるガスを含む混合ガス用いてスパッタリングす
ることにより、第１保護層中にＣとＨが添加されても同
様な効果が得られた。 [実施例５]（比較例２）実施例１のディスクと第１保護
層膜厚のみ変え、従来ディスクの膜厚としたディスク
（比較例２）を作製し、生産時間の比較を行なった。 （生産タクト）比較例２の情報記録媒体について、積層
のタクトは、各膜のスパッタレートと積層膜厚で決定さ
れ、次のようになった。下記表では第１保護層中の添加
物については記載を省略した。 チャンバ 構成材料 膜厚（ｎｍ） 積層時間（ｓ） 第１保護層−１ （ＳｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５ ６１ ２１ 第１保護層−２ （ＳｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５ ６１ ２１ 界面層 Ｃｒ２Ｏ３ ２ ３ 記録膜 Ｇｅ７Ｓｂ２Ｔｅ４ １０ ６ 第２保護層 ＳｎＯ２ ３２ ６ 吸収率制御層 Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０ ３３ ９ 反射層 Ａｌ ４０ １２ 積層時間が２０秒を越える場合、第１保護層材料を２つ
以上のチャンバにて製膜するためチャンバ数が７つ以上
必要になり、生産設備が高くなり生産コストが急激に上
昇する。これらの中で時間のかかっている層である、第
１保護層を積層時間２０秒までに抑えるには、第１保護
層が６０ｎｍ以下と薄い必要がある。さらに１２秒まで
に抑えるには各層が４０ｎｍ以下と薄い必要がある。
が好ましい。添加方法としては、ＡｒガスにＣＨ４を含
む混合ガスを用いてスパッタリングすることによって、
ＣＨ４または、ＣＨ４からＨ（水素）が抜けた状態のＣ
Ｈ３，ＣＨ２，ＣＨなど、ＣとＨが添加されることによ
り多数回書換時の基板劣化を防止できる。ＣＨ４の代わ
りに、Ａｒガス中にＣ２Ｈ６、またはＣ２Ｈ４などＣと
Ｈからなるガスを含む混合ガス用いてスパッタリングす
ることにより、第１保護層中にＣとＨが添加されても同
様な効果が得られた。 [実施例５]（比較例２）実施例１のディスクと第１保護
層膜厚のみ変え、従来ディスクの膜厚としたディスク
（比較例２）を作製し、生産時間の比較を行なった。 （生産タクト）比較例２の情報記録媒体について、積層
のタクトは、各膜のスパッタレートと積層膜厚で決定さ
れ、次のようになった。下記表では第１保護層中の添加
物については記載を省略した。 チャンバ 構成材料 膜厚（ｎｍ） 積層時間（ｓ） 第１保護層−１ （ＳｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５ ６１ ２１ 第１保護層−２ （ＳｉＯ２）６０（Ｉｎ２Ｏ３）３５（ＳｎＯ２）５ ６１ ２１ 界面層 Ｃｒ２Ｏ３ ２ ３ 記録膜 Ｇｅ７Ｓｂ２Ｔｅ４ １０ ６ 第２保護層 ＳｎＯ２ ３２ ６ 吸収率制御層 Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０ ３３ ９ 反射層 Ａｌ ４０ １２ 積層時間が２０秒を越える場合、第１保護層材料を２つ
以上のチャンバにて製膜するためチャンバ数が７つ以上
必要になり、生産設備が高くなり生産コストが急激に上
昇する。これらの中で時間のかかっている層である、第
１保護層を積層時間２０秒までに抑えるには、第１保護
層が６０ｎｍ以下と薄い必要がある。さらに１２秒まで
に抑えるには各層が４０ｎｍ以下と薄い必要がある。
【００７９】このように本発明の情報記録媒体は各積層
膜の膜厚が４０ｎｍ以下と薄いため、１層あたりの積層
タクトが短く、従来ディスクに比べて非常に量産性に優
れている。
膜の膜厚が４０ｎｍ以下と薄いため、１層あたりの積層
タクトが短く、従来ディスクに比べて非常に量産性に優
れている。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると高
密度の記録・再生において良好な記録・再生特性を保持
し、プロセスマージンが大きくて、低価格の製造装置を
使用でき、材料費、量産性に優れ、応力が小さく、多数
回書換においても良好な記録・再生特性を有する情報記
録用媒体が得られる。
密度の記録・再生において良好な記録・再生特性を保持
し、プロセスマージンが大きくて、低価格の製造装置を
使用でき、材料費、量産性に優れ、応力が小さく、多数
回書換においても良好な記録・再生特性を有する情報記
録用媒体が得られる。
【図１】本発明による情報記録媒体の一例の断面模式
図。
図。
【図２】オーバーライト原理説明図。
【図３】マークポジション記録とマークエッジ記録の説
明図。
明図。
【図４】基板のフォーマットのヘッダー部概略図。
【図５】基板のフォーマット概略図。
【図６】基板のフォーマットのゾーン配置概略図。
【図７】記録膜再結晶化領域概略図。
【図８】記録波形の適応制御とマーク長の関係の概略
図。
図。
【図９】比較例による情報記録媒体の一例の断面模式
図。
図。
【図１０】本発明及び比較例のオーバーライト特性の比
較。
較。
１， １′…基板、２，２′…第１保護層、３，３′…
界面層、４，４′…記録膜、５，５′…第２保護層、
６，６′…吸収率調整層、７、７‘…反射層、８…接着
層、９，９′…保護基板。
界面層、４，４′…記録膜、５，５′…第２保護層、
６，６′…吸収率調整層、７、７‘…反射層、８…接着
層、９，９′…保護基板。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｎ
５３５ ５３５Ｇ
５３５Ｈ
(72)発明者 西 佳子
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 安藤 圭吉
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 安齋 由美子
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
Ｆターム(参考） 5D029 LA01 LA12 LA14 LA15 LA16
LA17 LB01 LB02 LB07 LB11
MA28
Claims (13)
- 【請求項１】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，
窒化物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からな
り、かつ前記第１保護層中はＣ（炭素）及びＨ（水素）
を含有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，
窒化物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からな
り、かつ前記第１保護層中はＣＯ２、ＣＳ２のいずれか
を含有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項３】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，
窒化物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からな
り、かつ前記第１保護層中はＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，
Ｘｅを含有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項４】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、前記第１保護層の材料の９０原子％以上が、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ−Ｔａ２
Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＳ
−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ−ZnO、ある
いは、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｓ
ｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ
３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ｉｎ２Ｏ
３、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、Ｓ
ｎＯ２−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−
ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ
３−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ
２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ
３、ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３の何れかの酸化物、
上記材料の混合物、上記材料の一部または全部を窒化物
で置き換えたものいずれかよりなることを特徴とする請
求項１〜３のいずれに記載の情報記録媒体。 - 【請求項５】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、前記第２保護層の材料の９０原子
％以上が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−Ａｌ２Ｏ３、Ｚ
ｎＳ−Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ−ＳｎＯ２、ＺｎＳ−Ｉｎ２
Ｏ３、ＺｎＳ−ＴｉＯ２、ＺｎＳ−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＳ
−ＺｎＯ、あるいは、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、
Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ
２−Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、Ａｌ
２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２−
ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−ＳｉＯ
２、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−Ｓ
ｉＯ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ
３、ＳｎＯ２−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３、
ＴｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ２
Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３のいずれかの酸化物、上
記材料の混合物、上記材料の一部または全部を窒化物で
置き換えたものいずれかよりなることを特徴とする請求
項１〜３のいずれに記載の情報記録媒体。 - 【請求項６】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、前記記録膜の材料の９５原子％以
上がGe-Sb-Teよりなることを特徴とする請求項１〜３の
いずれに記載の情報記録媒体。 - 【請求項７】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層と少なくとも１層の界面層を備え、前記界面
層の少なくとも１層の材料の９５原子％以上がCr2O3, C
r−N, Ge−N,Ｓｎ−Ｎ，Ge−O,またはこれらの材料の混
合物、SiO2, Aｌ2O3、Ta2O5, Ta2O5とCr2O3またはCr−
N, Ge−N, Ge−Oの混合物、ZrO2, Y2O3, Cr2O3またはCr
−N, Ge−N, Ta2O５との混合物、CoO, Cr2O, NiO、Aｌ
N, BN, CrN, Cr2N, GeN, HfN, Si3N4, Aｌ-Si-N系材
料、Si-N系材料, Si-O-N系材料, TaN, TiN, ZrN,など
の窒化物のいずれかよりなることを特徴とする請求項１
〜３のいずれに記載の情報記録媒体。 - 【請求項８】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層と、少なくとも１層の界面層を備え、前記界
面層の少なくとも１層の材料の９５原子％以上がＣｒ２
Ｏ３よりなることを特徴とする請求項１〜３のいずれに
記載の情報記録媒体。 - 【請求項９】光の照射により原子配列が変化することに
よって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体で
あって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０ｎ
ｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、前記各層を含む全積層膜の膜厚の
合計が１５０nm以下であることを特徴とする請求項１〜
３のいずれに記載の情報記録媒体。 - 【請求項１０】光の照射により原子配列が変化すること
によって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体
であって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０
ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、組成の９５原子％以上がＳｎＯ２
またはＳｎ−Ｏ−Ｎからなる第２保護層と、反射層とを
備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれに記載の
情報記録媒体。 - 【請求項１１】光の照射により原子配列が変化すること
によって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体
であって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０
ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを含む積層膜と、 接着層を備え、 前記反射層は、８０原子％以上の金属からなる２層以上
の反射層であって、 前記基板表面から前記接着層までの距離が１５０ｎｍ以
下、かつ前記積層膜のそれぞれの膜厚がそれぞれ４０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれに
記載の情報記録媒体。 - 【請求項１２】光の照射により原子配列が変化すること
によって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体
であって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０
ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを含む積層膜を備え、 前記基板表面から接着層までの距離が９０ｎｍ以上１５
０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れに記載の情報記録媒体。 - 【請求項１３】光の照射により原子配列が変化すること
によって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体
であって、光照射側から、基板上に、１０ｎｍ以上６０
ｎｍ以下の膜厚の第１保護層と、記録膜と、第２保護層
と、反射層とを備え、かつ、前記第１保護層が酸化物，
窒化物、硫化物のいずれかまたはこれらの混合物からな
り、かつ前記第１保護層中に隙間があることを特徴とす
る情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026238A JP2003228881A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026238A JP2003228881A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003228881A true JP2003228881A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27748135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002026238A Pending JP2003228881A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003228881A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007029759A1 (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer optical recording medium and optical recording method |
| US7255906B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| EP1927984A1 (en) | 2004-03-10 | 2008-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| CN113348510B (zh) * | 2019-02-01 | 2023-09-15 | 索尼集团公司 | 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶 |
-
2002
- 2002-02-04 JP JP2002026238A patent/JP2003228881A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7255906B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| EP1927984A1 (en) | 2004-03-10 | 2008-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7407697B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7897231B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-03-01 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium and method for manufacturing the same |
| WO2007029759A1 (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer optical recording medium and optical recording method |
| US8449965B2 (en) | 2005-09-05 | 2013-05-28 | Ricoh Company, Ltd. | Multilayer optical recording medium and optical recording method |
| CN113348510B (zh) * | 2019-02-01 | 2023-09-15 | 索尼集团公司 | 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶 |
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