JP4006410B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
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Description
通常、これら情報記録媒体は基板上に第1保護層、GeSbTe系等の記録膜、上部保護層、反射層という構成からなる。特開2001−266408号には、第1保護層として、(ZnS)60(SiO2)30C10を用い、その膜厚を50nmから400nmとすることが記載されている。
また、特開2000−215510号には、Geを10%以上40%以下、Sbを8%以上、Teを45%以上65%以下含むGeSbTe系の記録膜が記載されている。なお、記録層の膜厚は、1層で14nm以上、2層の合計で15nm以上35nm以下である。
しかし、第1保護層が100nm以上と厚く、積層膜と基板との間に働く応力によって生ずる変形が、プリフォーマット部とユーザデータ部で異なるため、記録トラックがプリフォーマット部に対して曲がった状態になり、トラッキング用のグルーブに対してプッシュプルトラッキングした場合はプリフォーマット部のアドレスデータが読めず、プリフォーマット部に対して正常な位置になるようにトラッキングオフセットを補正すると,記録領域でオフセットして隣接トラックのデータを一部消去してしまったりする問題点が生ずる。
そこで、本発明の目的は、これら問題点を解決し、材料費、量産性に優れ、さらに多数回書換時にジッタが低い情報記録媒体を提供することに有る。
なお、上記記録膜組成は、Geを多く含んでいるが、Geはその性質上、アモルファスと結晶状態の体積比が大きいことと、融点が937℃と非常に高いため、多数回書換えを行う、書換型の相変化記録膜には向かないと考えられていた。しかし、検討の結果、本願構成では、100回オーバーライトを行っても、性能が劣化することがなかった。
さらに、前記記録膜が4nm以上18nm以下の膜厚からなり、かつ記録膜組成の97原子%以上がGeとBiとTeからなり、かつ前記記録膜中にGeが30原子%以上50原子%以下、Biが2原子%以上22原子%以下、Teが40原子%以上65原子%以下含有されると書換え特性がより向上する効果がある。
本発明の相変化記録媒体を用いる記録装置(光ディスクドライブ)の基本的な技術は下記のとおりである。
相変化記録媒体は、オーバーライト(あらかじめ消去することなく重ね書きによって情報の書換えを行うこと)により書換えを行うのが普通である。図2にその原理を示した。高いレーザパワーで記録膜を融解させれば照射後急冷されて前の状態が結晶でも非晶質でも非晶質状態の記録マークになり、中間のレーザパワーで融点以下の結晶化速度の速い温度まで加熱すれば、前に非晶質状態だったところは結晶状態になる。元々結晶状態だったところはそのまま結晶状態に留まる。DVD−RAMでは動画像を記録することが多いと考えられるので、1度に長い情報を記録することになる。この場合、予め全部消去してから記録するのでは2倍時間がかかり、また、膨大なバッファーメモリーが必要になる可能性もある。従ってオーバーライト可能なことは必須の条件である。
DVD−RAMおよびDVD−RWには高密度記録が実現できるマークエッジ記録方式が採用されている。マークエッジ記録とは、記録膜に形成する記録マークの両端の位置をディジタルデータの1に対応させるもので、これにより、最短記録マークの長さを基準クロック1個でなく2〜3個分に対応させて高密度化することもできる。DVD−RAMでは8−16変調方式を採用しており、基準クロック3個分に対応させている。図3に比較を示したように、円形記録マークの中心位置をディジタルデータの1に対応させるマークポジション記録に比べると、記録マークを極端に小さくしなくても高密度記録できるという長所がある。ただし、記録マークの形状歪みが極めて小さいことが記録媒体に要求される。
図4に各セクターの始めのヘッダー部の配置を示したように、DVD−RAMは1周を24のセクターに分割したフォーマットであるため、ランダムアクセス記録が可能である。これらにより、パソコン内蔵の記憶装置から、DVDビデオカメラ、DVDビデオレコーダーまで、広い用途に用いることができる。
DVD−RAMでは図5に示したようにトラッキング用の溝内と溝と溝の間の凸部の両方に記録するランド・グルーブ記録によってクロストークを小さくしている。ランド・グルーブ記録では、明暗(濃淡)の記録マークに対して溝深さをλ/6n(λはレーザ波長、nは基板の屈折率)付近にした時、ランドでもグルーブでも隣接トラックの記録マークが見えにくくなる現象を利用しているので、4.7GB DVD−RAMの例ではトラックピッチを0.615μmと狭くできている。記録マークとそれ以外の部分の位相差、すなわち再生信号の位相差成分はクロストークが発生しやすくなる方向に働き,十分に小さくなるように設計することが求められる。再生信号の位相差成分はランドとグルーブの濃淡再生信号に逆位相で足し合わされるので,ランドとグルーブの再生信号レベルのアンバランスの原因ともなる。
相変化記録媒体では、記録波形を変えない場合、良好な記録再生特性を得るのに結晶化速度に対応した最適線速度で記録するのが望ましい。しかし、ディスク上の半径の異なる記録トラック間をアクセスする時、線速度を同じにするために回転数を変えるのには時間がかかる。そこでDVD−RAMでは、図6に示したように、アクセス速度が小さくならないようにディスクの半径方向を24のゾーンに分け、ゾーン内では一定回転数とし、別のゾーンにアクセスしなければならない時だけ回転数を変えるZCLV(Zoned Constant Linear Velocity)方式を採用している。この方式では、ゾーン内の1番内周のトラックと一番外周のトラックで線速度が少し異なるので記録密度も少し異なるが、ディスク全域にわたってほぼ最大の密度で記録することができる。
記録波形と記録マーク形状との間には下記のような関係がある。例えば4.7GB DVD−RAMでは最短マーク長が0.42μmで線速度が8.2m/sであることにより、1つの記録マークを形成する記録パルスを複数に分割するが、正確に記録マークを形成するために、熱の蓄積防止よりも正確な加熱に重点を置き、図8に示したように、消去パワーレベルから下がる部分が少ないか、全く無い記録波形としている。また、既に述べたように、記録マークを形成する最初のパルスと最後のパルスの幅の適応制御も必要である(適応制御:注目するスペースの長さと前のマークの長さに応じて、前のマークを形成する最後のパルスの終わる位置と後のマークを形成する最初のパルスの開始位置を調節する)。
1. 狭トラックピッチ化に寄与する技術
ランド・グルーブ記録、吸収率調整、第1保護層の薄膜化、反射層薄膜化
2. 狭ビットピッチ化に寄与する技術
マークエッジ記録、ZCLV記録方式、吸収率調整、界面層、適応制御記録波形
3. 高速化に寄与する技術
1ビームオーバーライト、記録膜組成、吸収率調整、界面層
上記のように1つの層が複数の役割を持ち、各層の機能が複雑にからみあっている。第1保護層薄膜化による応力低減もグルーブ変形を防いで狭トラックピッチ化に寄与する。従って、積層膜の組み合わせや膜厚を最適に選ぶことが高性能化のために極めて重要である。
図1は、この発明の第1実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
まず、直径12cm、厚さ0.6mmで表面にトラックピッチが0.615ミクロンでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置、すなわち、ほぼランドとグルーブの境界線の延長線上にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネート基板1上に、(MgF2)50(ZnS)50よりなる第1保護層2を30nmの膜厚に形成した。次にCr2O3膜よりなる下部界面層3を膜厚2nmに形成、続いてGe38.1Sb9.5Te52.4よりなる記録膜4を膜厚8nm,SnO2よりなる第2保護層5を33nm,Cr90(Cr2O3)10よりなる吸収率調整層6を34nm,Al99Ti1よりなる反射層7を60nm、順次形成した。ただし、ここではCrと酸素の比が2:3から多少ずれたもの、Siと酸素の比が1:2から多少ずれたものもCr2O3やSiO2と呼ぶ。多少のずれは、±20%以内を指し、2:3から多少ずれたものは、ここでは2:2.4〜2:3.6の範囲を意味する。
また、全膜厚は160nm以下と量産性に優れている。また、図10及び表1に示したように、第1保護層が薄いため、130nmの従来ディスク(比較例1)に比べて材料コストが低く抑えられる。材料比コストは、膜厚130nmの場合を1とした際の比で示した。
組成比はいずれも原子%(atomic%)か、モル%で記載した。膜の形成はArガスを用いてマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第1のディスク部材を得た。
他方、全く同様の方法により、第1のディスク部材と同じ構成を持つ第2のディスク部材を得た。その後,前記第1のディスク部材および第2のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート22を行い,それぞれの紫外線硬化樹脂層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図1に示すディスク状情報記録媒体を得た。第2のディスク部材の代わりに保護基板を用いてもよい。
前記のようにして製作したディスクの記録膜に次のようにして初期結晶化を行った。ディスクを記録トラック上の点の線速度が6m/sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ(波長約810nm)のレーザ光パワーを600mWにして基板1を通して記録膜4に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の1/4ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は1回でもよいが2回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。
上記記録媒体に対して情報記録再生評価機により、情報の記録再生を行った。以下に本情報記録再生評価機の動作を説明する。なお、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるZCAV(Zoned Constant Linear Velocity)方式を採用している。ディスク線速度は約8.2m/sである。
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
記録された情報の再生も上記光ヘッドを用いて行った。1mWのレーザビームを記録トラック上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路により増大させ、8−16復調器で16ビット毎に8ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録された情報の再生が完了する。
実施例1のディスクについて、3T〜11Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、10回オーバーライト後の変調度を調べた。変調度はランドが52%、グルーブが60%と50%以上の良好な値が得られた。10回オーバーライト後のジッタは6.7%と良好な値を示した。ジッタは、ランドとグルーブの平均値をクロックの周期Tで割った値を記載した。
次に、ジッタが13%以下である、オーバーライト回数について調べた。本実施例のディスクについては、図11及び表2に示されるように、第1保護層膜厚を18nm以上の場合にオーバーライト10000回以上と大きく出来る。
実施例1のディスクについて、3T〜11Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、10回オーバーライト後のジッタを調べた。10回オーバーライト後のジッタはランド・グルーブの平均が6.7%と良好な値を示した。ジッタは、ランドとグルーブの平均値をクロックの周期Tで割った値を記載した。
次に、記録膜の組成を変えながら、ジッタを調べた結果を表3に纏めた。
加えて、Geが36.9原子%以上39.1原子%以下、Sbが8.7原子%以上10.5原子%以下、Teが52.2原子%以上52.6原子%以下の場合、ジッタが7%以下と特に良い書換え特性が得られた。
前記第1保護層の材料を、MgF2とZnSのモル比を変えながら、10000回書換え後の反射率変化を調べた。また、MgF2量により、製膜速度が変化するので(ZnS)80(SiO2)20との比を調べ、これらの結果を表4に示した。
また、前記第1保護層中のZnSの一部をSnO2、Ta2O5、In2O3、あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の書換え特性、製膜特性が得られた。
第1保護層構成元素に対する不純物元素が5原子%以上になると、コントラストが低下し、ジッタが1%以上大きくなるため、不純物元素は5原子%未満であることが好ましい。より好ましくは3原子%未満である。
本実施例の記録膜のいずれかの構成元素の含有量が上記の組成から3原子%以上ずれた場合、結晶化速度が速過ぎて記録時の記録膜融解後の冷却中に再結晶化が起こり、記録マーク形状が歪む、あるいは結晶化速度が遅過ぎて消え残りが生ずるなどの問題点が起こった。従って、不純物元素は3原子%未満であることが好ましい。より好ましくは1原子%未満である。
界面層のCr2O3は、保護層材料成分の記録膜中への拡散の防止、結晶化速度の向上という効果がある。これにより、第1保護層とも併せて、書換可能回数を大きくする働きがある。
また、Arのみの雰囲気ガスで製膜できること、他の層との接着性が優れていること、などの長所が有る。Cr2O3に代えて,Ta−O系材料、Ge50Cr10N40などの組成の、GeまたはSiを30原子%以上60原子%以下、Crを5原子%以上20原子%以下含むGe−Cr−N系材料、あるいはSi−Cr−N系材料、あるいはGe−Si−Cr−N系材料、Ti60N40などのTi−N系材料,Ta55N45などのTa−N系材料,Sn70N30などのSn−N系材料などの窒化物を用いると、結晶化速度向上効果が大きいが、書換え可能回数は20〜30%少なくなる。Cr2O3の一部を上記材料で置き換えた場合には、全てを置き換えた場合に比べて、書換可能回数の減少は抑えられるが、結晶化速度向上効果も少なめとなる。
この他、例えばGe−Cr−Nのように吸収率がCr2O3より低い界面層では、もっと厚い膜厚としても問題無かった。しかしながら、界面層材料はスパッタレートが遅いため、20nmとすることが生産性の点から好ましい。
反射層は吸収率比調整かつコントラストを高く保つためにはCrやAl、In,Ni,Mo,Pt,Pd,Ti,W,Ge,Sb,Biおよびこれらのいずれかを含む合金または化合物を用いる。合金あるいは化合物中における、これらの元素の含有量は50原子%以上が好ましい。この層は適度に光吸収し、適度に光透過することにより、反射率の低い記録マーク部分で記録膜を透過した光が反射層で反射されて再び記録膜に吸収され、温度が上がり過ぎないようにし、Ac/Aaを1以上にすることができる。熱拡散を調節するためにAu,Ag,Cu、Alのうちの少なくとも1元素との合金にするのも再生信号品質向上に効果が有った。
Al等以外の元素の含有量は、3原子%以上20原子%以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、5原子%以上15原子%以下の範囲ではより良くなった。
Ag−Pd,Ag−Cr,Ag−Ti,Ag−Pt,Ag−Cu,Ag−Pd−Cu等Ag合金を主成分とするもの、次いでAu−Cr,Au−Ti,Au−Ag,Au−Cu,Au−Nd等Au合金を主成分とするもの,Cu合金を主成分とするものも、反射率が高く、再生特性が良好であるが、Pt,Auは貴金属のため高価であり、Cr,Al、Co,Ni,Mo,Ag,W,Ge,Sb,Biに比ベコストが上がる場合がある。
これより、反射層の膜厚は、10nm以上70nm以下が好ましい。膜厚が薄過ぎると変調度が小さくなるうえ、熱冷却も十分に行なわれないため多数回書換時のジッタ増加が生じる。また厚すぎると吸収率比が小さくオーバーライト時のジッタ増加が生じる上に、基板の応力グルーブ変形の原因にもなる。
第2保護層には、SnO2などのSn−OあるいはSn−O−N材料、SnO2−SiO2,SnO2−Si3N4,SnO2−SiO2−Si3N4,などのSn−Si−O、Sn−Si−NあるいはSn−Si−O−N材料,SnO2−Al2O3,SnO2−AlN,SnO2−Al2O3−AlNなどのSn−Al−O、Sn−Al−NまたはSn−Al−O−N材料,SnO2−Cr2O3,SnO2−CrN,SnO2−Cr2O3−CrNなどのSn−Cr−O、Sn−Cr−NまたはSn−Cr−O−N材料、SnO2−Mn3O4,SnO2−Mn5N2,SnO2−Mn3O4−Mn5N2などのSn−Mn−O、Sn−Mn−NまたはSn−Mn−O−N材料,SnO2−Ta2O5,SnO2−Ta2N,SnO2−Ta2O5−Ta2NなどのSn−Ta−O、Sn−Ta−NまたはSn−Ta−O−N材料,SnO2−GeO2,SnO2−Ge3N4,SnO2−GeO2−Ge3N4,などのSn−Ge−O、Sn−Ge−NあるいはSn−Ge−O−N材料,SnO2−TiO2,SnO2−Ti2N,SnO2−TiO2−Ti2N,などのSn−Ti−O、Sn−Ti−NあるいはSn−Ti−O−N材料,SnO2−MoO3,SnO2−Mo2N−MoN,SnO2−MoO2−Mo2N−MoN,などのSn−Mo−O、Sn−Mo−NあるいはSn−Mo−O−N材料,SnO2−ZrO2,SnO2−ZrN,SnO2−ZrO2−ZrN,などのSn−Zr−O、Sn−Zr−NあるいはSn−Zr−O−N材料,SnO2−Co2O3,SnO2−Co2N,SnO2−Co2O3−Co2NなどのSn−Co−O、Sn−Co−NまたはSn−Co−O−N材料,SnO2−In2O3,SnO2−In−N,SnO2−In2O3−NなどのSn−In−O、Sn−In−NまたはSn−In−O−N材料,SnO2−ZnO,SnO2−Zn−N,SnO2−ZnO−Zn−NなどのSn−Zn−O、Sn−Zn−NまたはSn−Zn−O−N材料,SnO2−Gd2O3,SnO2−Gd2N,SnO2−Gd2O3−Gd2NなどのSn−Gd−O、Sn−Gd−NまたはSn−Gd−O−N材料,SnO2−Bi2O3,SnO2−Bi―N,SnO2−Bi2O3−Bi―NなどのSn−Bi−O、Sn−Bi−NまたはSn−Bi−O−N材料,SnO2−Ni2O3,SnO2−Ni―N,SnO2−Ni2O3−Ni―NなどのSn−Ni−O、Sn−Ni−NまたはSn−Ni−O−N材料,SnO2−Nb2O3,SnO2−NbN,SnO2−Nb2O3−NbNなどのSn−Nb−O、Sn−Nb−NまたはSn−Nb−O−N材料,SnO2−Nd2O3,SnO2−NdN,SnO2−Nd2O3−NdNなどのSn−Nd−O、Sn−Nd−NまたはSn−Nd−O−N材料,SnO2−V2O3,SnO2−VN,SnO2−V2O3−VNなどのSn−V−O、Sn−V−NまたはSn−V−O−N材料,あるいは、Sn−Cr−Si−O−N材料やSn−Al−Si−O−N材料,Sn−Cr−Co−O−N材料など上記材料を混合したものが、第2保護層として使用可能であった。
Ge50Cr10N40などの組成の、GeまたはSiを30原子%以上60原子%以下、Crを5原子%以上20原子%以下含むGe−Cr−N系材料、あるいはSi−Cr−N系材料、あるいはGe−Si−Cr−N系材料、あるいはZnとOを主成分とする(合計70原子%以上)材料では熱拡散率が低くできるので、記録感度の低下も少ない。
第2保護層膜厚とクロスイレーズによるジッタ上昇及び初期化後の反射率の関係を調べたところ、以下のようになった(表5)。
前記吸収率制御層Cr90(Cr2O3)10膜中のCrに代わる材料としては,Mo,W,Fe,Sb,Mn,Ti,Co,Ge,Pt,Ni,Nb,Pd,Be,Taを用いると同様の結果が得られた。また、Pd,Ptは他の層との反応性が低く、書き換え可能回数がさらに大きくなり、より好ましかった。Ni,Coを用いると、他に比べ安価なターゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げることができる。 Cr,Moは耐食性が強く、寿命試験の結果が他に比べて良好だった。Tiも次いで耐食性が強く良好な特性が得られた。また、Tb,Gd,Sm,Cu,Au,Ag,Ca,Al,Zr,Ir,Hf等も使用可であった。
金属元素および/または誘電体とも融点が記録膜の融点(約600℃)より高いと、1万回書き換え時のジッタ上昇が小さくできる。両者の融点が600℃以上の場合,3%以下に抑制できよりこのましい。
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板1を用いている。また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面または一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ/10n^(n^は基板材料の屈折率)以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ/6nの時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。内周ほど狭いと、多数回書換えで問題が起きにくい。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。貼り合わせ前に前記第1および第2のディスク部材の反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約10μm塗布し,硬化後に貼り合わせを行うと,エラーレートがより低くできる。本実施例では、2つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第1および第2のディスク部材の反射層側7同士をはり合わせている。基板材料をポリカーボネートからポリオレフィンが主成分の材料に変えると、基板表面の固さが増し、熱による基板変形量が1割低減され好ましい。しかし、材料費は2倍以上高くなった。
実施例2における第1保護層では、(MgO)60(SnO2)50よりなる第1保護層2を30nmの膜厚に形成した。
前記第1保護層の材料を、MgOとSnO2のモル比を変えながら、10000回書換え後の反射率変化を調べた。また、MgF2量により、製膜速度が変化するので(ZnS)80(SiO2)20との比を調べ、これらの結果を表6に示した。
また、前記第1保護層中のMgOを別のMg化合物、例えばMgF2に置き換えても同様の書換え特性、製膜特性が得られた。MgOは、MgF2に比べて材料コストが60%と低く押さえられる点が好ましい。一方、MgF2は、MgOに比べて屈折率nが小さく、コントラストを1.05倍大きく出来、好ましい。
また、前記第1保護層中のSnO2の一部をZnS、Ta2O5、In2O3、あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の書換え特性、製膜特性が得られた。
射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1と同様である。
実施例1のディスクと第1保護層と記録膜のみ変えたディスク(比較例1)を作製した。第1保護層は、(ZnS)80(SiO2)20膜を130nm、記録膜はGe22Sb22Te56膜を8nm形成した。実施例1と同様の方法で第1保護層の材料コストを比較したところ、図10に示されるように、実施例1に比べて2倍以上となることがわかった。
実施例3における記録膜では、Ge41.4Bi6.9Te51.7よりなる記録膜を8nmの膜厚に形成した。
実施例3のディスクについて、3T〜11Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、10回オーバーライト後のジッタを調べた。10回オーバーライト後のジッタはランド・グルーブの平均が6.8%と良好な値を示した。ジッタは、ランドとグルーブの平均値をクロックの周期Tで割った値を記載した。
次に、記録膜の組成を変えながら、ジッタを調べた結果を表7に纏めた。
加えて、Geが40.0原子%以上42.4原子%以下、Biが6.1原子%以上8.0原子%以下、Teが51.5原子%以上52.0原子%以下の場合、ジッタが7%以下と特に良い書換え特性が得られた。
界面層のCr2O3は、保護層材料成分の記録膜中への拡散の防止、結晶化速度の向上という効果がある。これにより、保護層とも併せて、書換可能回数を大きくする働きがある。
記録膜にBiが4原子%未満の場合には、実施例1に記載の材料が界面層として使用可能である。また、記録膜と第2保護層の間に界面層を設ける必要がない。しかし、Biが5原子%以上になると、第2保護層中のSnとBiが反応して反射率、結晶化速度を変化させてしまうため、界面層が必要となる。
この他、Ta−O、Ta−NなどのTa化合物、Ti−O、Ti−NなどのTi化合物なども使用可能である。
界面層構成元素に対する不純物元素が5原子%以上になると、結晶化速度が低下し、オーバーライト時のジッタ上昇が1%以上になるため、不純物元素は5原子%未満であることが好ましい。より好ましくは3原子%未満である。
本実施例に記載されていない、例えば第1保護層、界面層、第2保護層、吸収率制御層,反射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1、2と同様である。
実施例4における記録膜では、Ge40.0Bi4.0Sb4.0Te52.0よりなる記録膜を8nmの膜厚に形成した。
実施例4のディスクについて、3T〜11Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、10回オーバーライト後のジッタを調べた。10回オーバーライト後のジッタはランド・グルーブの平均が7.3%と良好な値を示した。ジッタは、ランドとグルーブの平均値をクロックの周期Tで割った値を記載した。
次に、記録膜の組成を変えながら、ジッタを調べた結果を表8に纏めた。
本実施例に記載されていない、例えば第1保護層、界面層、第2保護層、吸収率制御層,反射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1、3と同様である。
実施例1のディスクと第1保護層のみ変えたディスク(比較例2)を作製した。第1保護層としては、(ZnS)65(SiO2)35を30nm形成した。
また、全膜厚は160nm以下と量産性に優れている。また、表9に示したように、第1保護層が薄いため、130nmの従来ディスク(比較例1)に比べて材料コストが低く抑えられる。材料比コストは、膜厚130nmの場合を1とした際の比で示した。
比較例2のディスクについて、3T〜11Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、10回オーバーライト後の変調度を調べた。変調度はランドが52%、グルーブが60%と50%以上の良好な値が得られた。10回オーバーライト後のジッタは6.7%と良好な値を示した。ジッタは、ランドとグルーブの平均値をクロックの周期Tで割った値を記載した。
次に、ジッタが13%以下である、オーバーライト回数について調べた。本実施例のディスクについては、図11及び表10に示されるように、第1保護層膜厚を34nm以上の場合にオーバーライト10000回以上と大きく出来る。
(ZnS)65(SiO2)35を、ZnS、SiO2の比を変えても使用可能であるが、ZnS量が20モル%以上、75モル%以下が、屈折率が適当でコントラストが大きくなり、変調度が50%以上となるため好ましい。
次いで、SiO2及び/またはSiO2の一部または全部を、In−N,Sn−N,Al−N、Ta−N、Ti−N、Cr−N、Si−Nあるいは上記材料の混合物などの窒化物のいずれか1つで置き換えても、使用可能であった。窒化物量が多くなると膜剥がれが生じやすくなるため、膜中の含有量は20モル%未満が好ましい。また、次いで第2保護層材料も使用可能であった。
本実施例に記載されていない、例えば第1保護層、界面層、第2保護層、吸収率制御層,反射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1、3、4と同様である。
ここで、不純物元素とは、構成元素に含まれない元素をいい、例えば、Se、Sn,As、In,Oなどがあげられる。また、Sbも不純物元素の一つである。10回程度のオーバーライト特性については問題が、Sbが入ることにより結晶化速度が変化するため、再結晶化領域が影響する隣接トラックに記録時のクロスイレーズオーバーライト特性は10%を超えるためである。
次に、実用条件に近い、より厳しい条件での書換え特性を調べた。3T〜11Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、100回オーバーライト後に、隣接トラックに10回オーバーライトを行い、クロスイレーズオーバーライトジッタを測定した。ジッタはランドとグルーブの平均値をクロックの周期Tで割った値を示した(以後、クロスイレーズオーバーライトジッタと呼ぶ)。記録膜の組成、記録膜膜厚を変えながら、ジッタを調べた結果を以下に纏めた。
前記記録膜の膜厚と、記録膜の組成を、Te量を48原子%に一定に保ち、記録膜の組成を図12に示した組成図中の[B1]の線上に沿ってGe量を変えながら、クロスイレーズジッタを調べ、これらの結果を表11、図13に示した。
記録膜の膜厚を8nm、記録膜の組成を、Te量を48原子%に一定に保ち、Bi量と下部保護層膜厚を変化させながら、クロスイレーズジッタを調べ、これらの結果を表13、図15に示した。
さらに、記録膜の組成がGeが37原子%以上46原子%以下、Biが6原子%以上15原子%以下、Teが52原子%以上60原子%以下、記録膜膜厚が6nm以上13nm以下、下部保護層膜厚23nm以上55nm以下の場合、クロスイレーズジッタが9%以下と実用条件における書換え特性がより良好で、マージンも取れることがわかった。
本実施例に記載されていない、例えば第1保護層、界面層、第2保護層、吸収率制御層,反射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1〜4と同様である。
(以後、クロスイレーズオーバーライトジッタと呼ぶ)記録膜の組成、記録膜膜厚を変えながら、ジッタを調べた結果を表14〜16、図16〜18に纏めた。
前記記録膜の膜厚と、記録膜の組成を、Te量を52原子%に一定に保ち、記録膜中のGe量を変えながら(図6のS1の線上)、クロスイレーズジッタを調べ、これらの結果を表14、図17に示した。
また、良好な書換え特性を持つ組成範囲において、不純物元素の量が増加するほど、消去比が低下するため、記録膜中の不純物元素が3原子%より多くなると、クロスイレーズジッタが10%より大きくなり好ましくない。また、Geが39原子%以上42原子%以下、Sbが6原子%以上9原子%以下、Teが52原子%、前記下部保護層膜厚23nm以上55nm以下であると、クロスイレーズジッタが9%以下となり、更に好ましい。
本実施例に記載されていない、例えば第1保護層、界面層、第2保護層、吸収率制御層,反射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1〜7と同様である。
次に、実用条件に近い、より厳しい条件での書換え特性を調べた。2T〜8Tがランダムに含まれる記録パターン(ランダムパターン)を記録し、10回オーバーライト後に、オーバーライトジッタを測定した。ジッタはグルーブの値をクロックの周期Tで割った値を示した。(以後、オーバーライトジッタと呼ぶ)記録膜の組成、記録膜膜厚を変えながら、ジッタを調べた結果を表17に纏めた。
前記記録膜の膜厚と、記録膜の組成を、Te量を48原子%に一定に保ち、記録膜の組成を図12に示した組成図中の[B1]の線上に沿ってGe量を変えながら、クロスイレーズジッタを調べ、これらの結果を表17に示した。
前記記録膜の膜厚を8nm、記録膜の組成をGe30Te70とGe65Bi35の間(図12に示した組成図中の[B2]の線上)について、Te量を変えながら、オーバーライトジッタを調べ、これらの結果を表18に示した。
記録膜の膜厚を8nm、記録膜の組成を、Te量を48原子%に一定に保ち、Bi量と下部保護層膜厚を変化させながら、オーバーライトジッタを調べ、これらの結果を表19に示した。
また、前記第1保護層中のSnO2の一部をZnS、Ta2O5、In2O3あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の書換え特性、製膜特性が得られた。
本実施例に記載されていない、例えば第1保護層、界面層、第2保護層、吸収率制御層,反射層の材料と膜厚範囲、評価方法等については、実施例1〜6と同様である。
5′…第2保護層、6,6′…吸収率調整層、7、7‘…反射層、8…接着層、9,9′
…保護基板。
Claims (2)
- 光の照射により原子配列が変化することによって記録を行う、多数回書換え可能な情報記録媒体であって、
光照射側から、基板上に、18nm以上65nm以下の膜厚の第1保護層と、記録膜と、第2保護層と、反射層とを備え、
かつ前記記録膜が4nm以上18nm以下の膜厚からなり、
かつ記録膜組成の97原子%以上がGeとBiとTeからなり、
かつ前記記録膜中にGeが30原子%以上50原子%以下、
Biが2原子%以上22原子%以下、
Teが40原子%以上65原子%以下含有され、
前記第1保護層は、MgF 2 またはMgOのいずれかからなるMg化合物と、ZnS、SnO 2 、Ta 2 O 5 、In 2 O 3 、Cr 2 O 3 、Al 2 O 3 、SiO 2 のいずれか1種あるいはこれらのうちの数種の混合物と、からなり、前記Mg化合物を10モル%以上90モル%以下含むことを特徴とする情報記録媒体。 - 前記記録膜中に、Geが37原子%以上46原子%以下、Biが6原子%以上15原子%以下、Teが52原子%以上60原子%以下含まれており、前記記録膜膜厚が6nm以上13nm以下、前記下部保護層膜厚が23nm以上55nm以下であることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
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