JP4065032B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
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Description
技術分野
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
背景技術
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜では、情報の書き換えを行なうことができる利点がある。
しかし、この種の記録膜では、高密度化を行なうための、マークエッジ記録など行うと消去特性が不十分であるために書き換えによるジッターの劣化や、１０4回を越える多数回の書き換えにより、記録膜の流動により記録膜の膜厚が変化し、再生信号波形に歪みが生じる。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射により、記録膜が流動し、保護層や中間層の熱膨張による変形により、記録膜が少しずつ押されて生じる。マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。
例えば、文献１『T. Ohta et al.”Optical Data Strage” '89 Proc. SPIE,1078, 27（1989）』には、記録膜を薄くして熱容量を下げ、且つ隣接する層との付着力の影響が大きくなるのを利用して記録膜の流動を防止する方法が開示されている。また、文献２『廣常、寺尾、宮内、峯邑、伏見；第４１応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ１０００』には、記録膜に高融点の成分を添加して記録膜の流動を防止する方法が開示されている。これにより、記録膜の大きな流動は抑制できた。しかし、さらに多数回の書き換えを繰り返すと、反射率レベルの変動が生じる。
また、マークエッジ記録におけるオーバーライトジッタ特性を良好にするため、文献３『大久保、村畑、井出、岡田、岩永：第５回相変化記録研究会講演予稿集ｐ９８』には、透過光を増加したディスクが提案されている。このディスク構造は、ＰＣ基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（250nm）／Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（15nm）／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（18nm）／Ｓｉ（65nm）である。
また、本願の出願人は特開平８−３２９５２５号において、反射層を２層にすること、反射層の材料をＡｌとＳｉの組み合わせにすること、反射層の屈折率と消衰係数を規定したものを既に開示した。
また、公知とはなっていないが、本願の出願人は特願平８−３２８１８３号において、Ａｌ等を第１金属層および第２金属層の主成分とし、第２金属層のＡｌ等の含有量が記録膜に近い方に設けられた第１金属層のＡｌ等の含有量よりも多くすることを開示している。
なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。
発明の開示
従来の情報記録用媒体はいずれも、マークエッジ記録を用いた高密度の書き換え可能な相転移型の情報記録用媒体として用いる場合、消去特性が不十分なために書き換えによるジッター上昇や、また、多数回書き換え時のジッター上昇、反射率レベルの変動が生じるという問題を有している。
そこで、この発明の目的は、書き換え、多数回の書き換えを行っても良好な記録・再生特性を保持し、従来よりジッター上昇が少なく，また反射率レベルの変動が少ない情報記録用媒体を提供することに有る。
（１）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ光入射側から保護層、記録層の順に積層され、その次に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記記録層が，
Ｇｅx-wＳｂyＴｅzＭw
を満たし、０．１３≦ｘ≦０．２２，かつ０．２０≦ｙ≦０．３２，かつ０．５３≦ｚ≦０．６０，ｗ≦０．０６，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす範囲にあり，かつ，Ｍが
Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれか１つからなることを特徴とする。
（２）（１）に記載の情報記録媒体において，前記反射層が組成の異なる材料の第１反射層および第２反射層からなることを特徴とする。
（３）（１）に記載の情報記録媒体において，前記反射層が屈折率または消衰係数の少なくとも一方が異なる材料の第１反射層および第２反射層からなることを特徴とする。
（４）（１）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記ＭがＡｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏからなる群から選ばれた少なくとも１元素であることを特徴とする。
（５）（１）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記Ｍが，Ｐｄ、Ｐｔ，Ｃｏからなる群から選ばれた少なくとも１元素であることを特徴とする。
（６）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む層よりなることを特徴とする。
（７）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層が少なくとも全原子数の９０ｍｏｌ％以上が（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2），（ＺｎＳ）−（Ｔａ2Ｏ5）のいずれか１つに近い組成，あるいはそれらの混合組成の層を有することを特徴とする。
（８）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＡｌ−Ｏを７０ｍｏｌ％以上含む材料よりなる層を有することを特徴とする。
（９）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層が組成の異なる材料の２つの層からなることを特徴とする。
（１０）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む膜とＡｌ−ＯまたはＳｉ−Ｏを７０ｍｏｌ％以上含む膜の少なくとも２層よりなることを特徴とする。
（１１）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む膜と記録膜との間にＡｌ−ＯまたはＳｉ−Ｏの少なくとも１者を７０ｍｏｌ％以上含む膜を設けたことを特徴とする。
（１２）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の全原子数の９５原子％以上の成分がＡｌ合金からなることを特徴とする。
（１３）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第２反射層の全原子数の９５％以上の成分がＡｌ合金からなることを特徴とする。
（１４）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層および第２反射層の両方がＡｌまたはＡｌ合金を全原子の９５％以上含み、第１反射層のＡｌ以外の元素の含有量が前記第２反射層のＡｌ以外の元素の含有量より多いことを特徴とする。
（１５）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の屈折率が前記第２反射層の屈折率より大きく、前記第１反射層の消衰係数が前記第２反射層の消衰係数より小さいことを特徴とする。
（１６）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の全原子数の８０％以上の成分がＳｉからなることを特徴とする。
（１７）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の全原子数の９５％以上の成分がＳｉまたはＳｉと金属元素との混合物または化合物からなり、前記第２反射層の全原子数の９５％以上の成分がＡｌ合金からなることを特徴とする。
（１８）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む層よりなることを特徴とする。
（１９）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層の全原子数の９０％以上が（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2），ＳｉＯ2，（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）のいずれか１つに近い組成あるいはそれらの混合組成の層を有することを特徴とする。
（２０）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層がＡｌ−Ｏを７０ｍｏｌ％以上含む材料よりなる層を有することを特徴とする。
（２１）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層が組成の異なる材料の２つの層からなることを特徴とする。
（２２）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む膜とＡｌ−ＯまたはＳｉ−Ｏの少なくとも１者を７０ｍｏｌ％以上含む膜の少なくとも２層よりなることを特徴とする。
（２３）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記記録膜の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２４）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層の膜厚が８０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２５）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２６）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記反射層の膜厚が８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２７）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の膜厚が４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２８）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第２反射層の膜厚が４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２９）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ反射層を備え、かつ記録および／または再生を行う波長を中心として＋／−５０ｎｍ以下の波長範囲において結晶状態および／または非晶質状態の反射率変化が５％以下である情報記録媒体であることを特徴とする。
（３０）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ中間層および反射層を備え、記録膜と中間層との界面で２つに分離した際、中間層側から中間層を通して光を入射した際の前記反射層の反射率が波長が記録および／または再生を行う波長を中心として＋／−５０ｎｍ以下の波長範囲において反射率変化が５％以下である情報記録媒体であることを特徴とする。
（３１）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ中間層および反射層を備え、記録膜と中間層との界面で２つに分離した際、かつ記録膜側から記録膜を通して光を入射した際の前記保護層の反射率が記録および／または再生を行う波長より２００ｎｍ短い波長から１００ｎｍ短い波長の範囲で極小値を持つ情報記録媒体であることを特徴とする。
（３２） 上記記録膜における，ｘの範囲が０．１５≦ｘ≦０．２０であるとより好ましい。ｙの範囲は０．２２≦ｙ≦０．３０であるとより好ましい。ｚの範囲は０．５４≦ｚ≦０．５８であるとより好ましい。
また，上記記録膜中の不純物元素が記録膜成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましかった。
上記記録膜膜厚は１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が好ましく、１３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればより好ましい。
（３３）上記第１保護層、すなわち記録膜に接する側の保護層の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳの総ｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
上記第１保護層は、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなることを特徴とする。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
上記第２保護層、すなわち記録膜に接しない側の保護層はＡｌ2Ｏ3からなることを特徴とする。Ａｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合物、が好ましい。
ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3が７０原子％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さくを５％以下に抑制できた。９０原子％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。また、第２保護層のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましい。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があり好ましい。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
このように保護層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
第１保護層および第２保護層の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＳｉＯ2はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０％以下等，金属元素量のずれが１０％以下が好ましい。１０％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
第１保護層２および第１保護層の代わりの材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚は６０〜１３０ｎｍが記録時の変調度を４３％以上と大きくすることができ好ましく、８０〜１１０ｎｍがより好ましい。
（３４）前記第１反射層はＡｌ−Ｃｒからなることを特徴とする。Ａｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。
Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。
（３５）前記第２反射層がＡｌ−Ｔｉからなることを特徴とする。Ａｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいものは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
（３６）前記第１反射層材料と前記第２反射層材料の屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。
第１反射層および第２反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
第１反射層または第２反射層膜厚が３０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％より大きくなる。４０ｎｍでは１０％まで低下できる。また、第１反射層または第２反射層膜厚が１５０ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，１２０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。
これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。第２反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。
また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に強度と形成時間の点から、６０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下がより好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない場合については残っている層の膜厚をいう。
（３７）前記第１反射層材料、と前記第２反射層材料については手段に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上する。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ94Ｃｒ6膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2，第１反射層がＡｌ75Ｔｉ25膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
（３８）前記中間層が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20よりなることを特徴とする。中間層の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。
また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
また，前記中間層の代わりの材料としては、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2、Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
中間層の膜厚が０ｎｍの場合、すなわち中間層を省略することもでき、この場合は１層少なくなるため情報記録媒体の作製が容易になるが、反射層材料の記録膜中への拡散が生じ、消え残りが増加し、１０万回書き換え時のジッターが１３％を超える。また，１０ｎｍより薄いと記録感度が５％以上低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜３０ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
（３９）前記基板が、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板からなることを特徴とする。その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
前記情報記録媒体において、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
前記情報記録媒体において、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
（４０）前記記録膜がＡｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなることを特徴とする。
前記ｚの範囲は０≦ｗ≦０．０６が良好で、より良好な特性を示す範囲は０≦ｚ≦０．０４である。
Ａｇの代わりに記録膜へ添加する元素としては、Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換えても、多数回書き換え時のジッター上昇が起きにくいことがわかった。
これらのなかで特に、Ａｇを添加すると、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べ記録感度も１割向上し、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏのいずれかのうち少なくとも１つを添加するとＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べて、多数回の書き換えを行った場合にジッターが５％以上増加する書き換え回数が３倍以上に向上し、Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄのいずれかのうち少なくとも１つを添加すると、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べ結晶化温度が５０℃以上高くなる効果がみられた。
（４１）前記第１保護層が（Ａｌ2Ｏ3）70（ＺｎＳ）10（ＳｉＯ2）20より形成していることを特徴とする。
保護層成分の全原子数の７０原子％以上がＡｌ−Ｏであると反射率レベル低下が５％以下で抑制できるため、好ましい。また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、保護層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなると保護層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
（Ａｌ2Ｏ3）70（ＺｎＳ）10（ＳｉＯ2）20混合材料中のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合材料が好ましい。次いで，Ｔａ2Ｏ5，その次に，ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，これらとＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2の混合材料が好ましい。
また、第２保護層、すなわち記録膜に接しない側の保護層のＡｌ2Ｏ3の代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。
また、（ＺｎＳ）30（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換えたもの、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
また，このような保護層の場合，保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすることができ好ましい。
（４２）前記第１反射層がＡｌ−Ｔｉからなることを特徴とする。Ａｌ−Ｔｉの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。
Ａｌ合金の場合、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性がより良好になる。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等の主成分以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、より良くなった。
前記第１反射層材料および前記第２反射層材料の組み合わせについては手段に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ94Ｃｒ6膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2，第１反射層がＡｌ75Ｔｉ25膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
このなかで、第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2にあらわされるように主成分以外の元素が同じ場合、記録膜から反射層へ熱が逃げやすくなるため、１０回書き換え後のジッターにおいて、前エッジのジッターと後エッジのジッターの両方が低くなる記録パワーマージンが５％広くなる。
（４３）前記第１保護層がＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20および第２保護層３をＡｌ2Ｏ3により形成していることを特徴とする。
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
第１保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
第１保護層２のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｂ4Ｃが好ましい。次いで、Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，ＳｉＣが好ましい。
また、この層の膜厚を５ｎｍ以上とすると１０万回書き換え時の反射率レベル変化を１０％以下に、２０ｎｍ以上とすると反射率レベル変化を５％以下に抑制できた。さらに、７０ｎｍ以上では保護層の作製時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，５０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。これより５〜７０ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましい。
第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合比を換えたもの、次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
また、第２保護層のＡｌ2Ｏ3の代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましい。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があり好ましい。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが記録感度の低下を１０％以下にでき、かつ作製時間が短くできるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすることができ好ましい。
（４４）前記中間層をＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の２層より形成していることを特徴とする。Ａｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2に変えた場合はＡｌ2Ｏ3に比べて、多数回書き換え時のジッター上昇は増加したが、記録時の線速度を約１．５倍まで高くしてもＤＣ消去比を３０ｄＢ以上に保つことができた。ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3が７０原子％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下を５％以下に抑制できた。９０原子％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。Ａｌ2Ｏ3の変わりとしては、次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。
また、中間層のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましい。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があり好ましい。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
Ａｌ2Ｏ3またはそれに変わる層がある場合、中間層の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20またはそれに変わる材料が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書き換えによる反射率レベル低下を１％以下に抑制できた。Ａｌ2Ｏ3またはそれに変わる層のみからなる場合、記録感度が５％低下した。したがって、このように中間層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
反射層側の中間層および記録膜側の中間層の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3は，書き換え時の反射率レベル変化が１％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＳｉＯ2はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。
また、Ａｌ2Ｏ3，または上記Ａｌ2Ｏ3に代わる材料と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20または上記（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料との２層にする変わりに両者の混合物とすると、線速度を大きくした際の消去特性は２層にした場合に比べ悪いが、製膜時間を短縮できる。この場合、（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）では線速１．１倍にした場合に消去比が３０ｄＢ以上となり，製膜時間は１層となるため約１／２となる。消去比が大きくより好ましい。中間層中のＡｌ−Ｏ量は全原子数の７０原子％以上が多数回書き換え時の反射率レベル変化を５％以下に小さく出来、より好ましい。
また、中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。
また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０％以下等，金属元素量のずれが１０％以下が好ましい。１０％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
中間層全体の膜厚が１０ｎｍより薄いと記録感度が５％以上低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜３０ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
（４５）前記第１反射層がＳｉからなることを特徴とする。Ｓｉの代わりの、第１反射層の材料としてＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓ，Ｇｅを添加すると、反射層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を防ぐことができる。この場合，第１反射層中のＳｉが８０原子％以下になると吸収率が大きくなりすぎ，線速を１．５倍まで上げるとジッタ上昇が４％を超える。
これらの中ではＳｉ−Ｔｉを始めとして，Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌが第１反射層の熱伝導率を上げることができ，かつ光学定数を適当な値とできるため，より好ましい。また，Ｓｉへ添加する元素の添加量については，２原子％以上１０原子％以下が多数回書き換え時の反射率レベル変化を１０％以下に抑制でき、より好ましく，３〜６原子％にした場合が特に好ましいことがわかった。
第１反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
また，ＳｉへＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，等の添加を行うことにより，反射率の波長による変化が小さくなる。これにより，初期化機の波長と記録・再生波長が異なった場合でも，初期化パワーをより高感度化することができ好ましい。記録波長と再生波長が異なる場合においても同様に，記録パワーまたは再生パワーを低減しやすく好ましい。Ｓｉ−Ｇｅは，記録マーク部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え可能回数が低下しない。
第１反射層材料としては、この他、Ｃｄ−Ｓ、Ｉｎ−Ｓｅなどの硫化物やＺｎ−Ｓｅ，Ｃｄ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅなどのセレン化物を用いることが出来る。屈折率が３以上であるのが望ましい。ただし、熱伝導率が低いので、１０万回書き換えによるジッターの上昇は大きくなる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の実施例１の情報記録媒体の構造断面図である。
図２は、従来構造の情報記録媒体の構造断面図である。
図３は、本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示した図である。
図４は、本発明の実施例１の情報記録媒体の書き換え特性を示した図である。
図５は、本発明の実施例１の情報記録媒体の反射率の波長依存性を示した図である。
図６は、本発明の実施例１の情報記録媒体の反射層側および記録膜と保護層側の反射率の波長依存性を示した図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
なお、図面に用いられている符号は、
１，１’： ポリカーボネイト基板
２，２’： 第１保護層
３，３’： 第２保護層
４，４’： 記録膜
５，５’： 中間層
６，６’： 第１反射層
７，７’： 第２反射層
８： 接着剤層
９，９’： 保護層
１０，１０’： 反射層
Ｔ： ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｒ： 低パワーレベル
Ｐｍ： 中間パワーレベル
Ｐｈ： 高パワーレベル
Ｔｃ： 記録パルスの最後に下げる時間
である。
（１）実施例１
（構成、製法）
図１は、この発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２を膜厚約９０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３を膜厚約５ｎｍ、Ｇｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56記録膜４を膜厚約１８ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５を膜厚約２０ｎｍ、Ａｌ94Ｃｒ6膜からなる第１反射層６を膜厚約７０ｎｍ、Ａｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７を膜厚約７０ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの基板１’上に順に膜厚約９０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２’、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３’、膜厚約１８ｎｍのＧｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56膜よりなる記録膜４’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５’、膜厚約７０ｎｍのＡｌ94Ｃｒ6膜よりなる第１反射層６’、膜厚約７０ｎｍのＡｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７’を積層した。
その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材をそれぞれの第２反射層７、７’同士を接着剤層８を介して貼り合わせ、図１に示すディスク状情報記録媒体を得た。
（初期結晶化）
前記のようにして製作した媒体の記録膜４、４’に次のようにして初期結晶化を行った。なお、記録膜４’についてもまったく同様であるから、以下の説明では記録膜４についてのみ述べることとする。
媒体を記録トラック上の点の線速度が８m/sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを８００ｍＷにして基板１を通して記録膜４に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の１／４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
（記録・消去・再生）
次に、以上のようにして初期結晶化が完了した記録膜４の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｍ（５ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（１１ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は６m/s、半導体レーザ波長は６６０ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０．６である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルとのパワー比は１：０．３〜１：０．６の範囲が特に好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように，１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルより低いレベルまでパワーを繰り返し下げ，かつ、記録マーク形成の最後にパワーを下げるクーリングパルスの時間幅Ｔｃを１Ｔｗとした記録波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと，再生信号波形の特に低いジッター値およびエラーレートが得られた。この図では３Ｔｗ，４Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが，５Ｔｗ〜１０Ｔｗは４Ｔｗの波形のＴｃの前に，高いパワーレベルと低いパワーレベルにそれぞれＴｗ／２ずつ保つ組み合わせの波形が１組ずつ追加されていく。７組追加されたものが１１Ｔｗである。３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．６２μｍとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。記録信号には、情報信号の始端部に５５Ｂｙｔｅ、終端部に５５Ｂｙｔｅの４Ｔマークと４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれている。始端部に５５Ｂｙｔｅには３５ＢｙｔｅのＶＦＯが含まれている。
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（５ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転で低パワーレベル（１ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（５ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
これらの方法は、この発明の媒体に用いられる記録膜ばかりでなく他の媒体の記録膜にも有効である。
本実施例の情報記録媒体では、記録・消去を繰り返した時に、図４に示すように，書き換え２〜１０回で実施例２に記載の従来の情報記録媒体に比べてジッター（σ／Ｔｗ）が５％小さくなった。ジッターとは記録マークのエッジ部の位置を再生した際、再生信号がウインドウ幅（Ｔｗ）に対してどの程度ゆらいでいるかを示す指標である。ジッターの値が約１５％になると、エッジ部の検出位置がウインドウ幅をほぼ占めるため、ジッター値が大きくなると記録信号を正確に再生できなくなる。装置によるジッター増加分のマージンをとるため、情報記録媒体ではジッターを１２％以下に押さえることが好ましい。さらにジッターを小さく１０％以下にできれば装置によるジッター増加分のジッターマージンが大きくなり、より好ましい。
また，書き換え１０万回後でもジッターが１０％小さくなった。情報記録媒体に情報を記録する場合、一般に１つの情報記録媒体において１箇所あたりへの記録回数は約１０万回程度必要と言われている。そのため、本実施例においても初回記録から１０万回書き換え後までの記録・再生特性を調べた。
ジッター測定におけるウインド幅（Ｔｗ）は３４ｎｓ、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録信号は１１Ｔｗでこれらをランダムに記録している。これらの測定には再生等化回路を使用した。また、記録膜が流動して記録始端部で膜材料が不足し、終端部で蓄積することによる再生信号波形の大きなひずみが起こる領域の幅を、始端部で１５Ｂｙｔｅ相当以下、終端部で５Ｂｙｔｅ相当以下にすることができた。従来ディスクでは、それぞれ２５Ｂｙｔｅ，３０Ｂｙｔｅとなった。
なお、このディスクにおいて中間層５を省略した場合、多数回書き換え時にジッターの増加がみられた。しかし、従来ディスクにおいて中間層４を省略した場合に比べて、ジッター増加は少なかった。
（記録膜）
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＴｅ量を一定にし、ＧｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
これより、Ｇｅ量を増加させると前エッジのジッターが減少し、後エッジのジッターが増加することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｘの範囲は０．１３≦ｘ≦０．２２で、より良好な特性を示す範囲は０．１５≦ｘ≦０．２０である。
次に、記録膜の組成を三角図におけるＧｅ30Ｓｂ17Ｔｅ60とＧｅ10Ｓｂ40Ｔｅ60を結んだ線上で変化させ、１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
これより、Ｓｂ量を増加させると前エッジのジッターが増加し、後エッジのジッターが減少することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｙの範囲は０．２０≦ｙ≦０．３２で、より良好な特性を示す範囲は０．２２≦ｙ≦０．３０である。
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＧｅ量を一定にし、ＴｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
これより、Ｔｅ量を増加させても、減少させても後エッジのジッターが増加することがわかった。従って、ジッターが良好な特性を示すｚの範囲は０．５３≦ｚ≦０．６０で、より良好な特性を示す範囲は０．５４≦ｚ≦０．５８である。
また，記録膜中の不純物元素が記録膜成分の２原子％を超えると１回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１０％を超えることがわかった。さらに不純物元素が５原子％を超えるとジッターが１３％以上になることがわかった。したがって、記録膜中の不純物元素が記録膜成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましかった。
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。記録膜膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１０万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
これより、記録膜膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析による、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚くすると、１０万回書き換え後のジッターが増加することがわかった。これより、記録膜膜厚は１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が好ましく、１３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればより好ましい。
（情報記録媒体の分光特性）
上記ディスク部材と同じ構成で、基板をガラスに変えた以外は同様のテストピースを２枚作製し，分光特性を調べた。（図５）すなわち，基板には約１ｍｍ厚の光学研磨を施したガラス面板を用い，この基板上にディスクと全く同様の方法により、膜厚約９０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３、膜厚約１８ｎｍのＧｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56膜よりなる記録膜４、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５、膜厚約７０ｎｍのＡｌ94Ｃｒ6膜よりなる第１反射層６、膜厚約７０ｎｍのＡｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７を順次形成した。
こうして得たテストピースのうち１枚はそのままの状態，もう１枚は３００℃で５分間の加熱処理を施した。それぞれのテストピースについて，基板側より光を照射し，反射率の波長依存性を測定した。加熱処理を施した場合の反射率は図中Ｒｃ，そのままの状態（as-depo状態）の反射率は図中Ｒａで示した。加熱処理を施した場合（結晶状態）は上記の長円形半導体レーザービームを用いた初期結晶化を行った状態と同様の光学特性が得られる。
これより本実施例に述べた記録・再生特性の良好なディスクにおいては波長４００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲において、記録・再生波長付近で反射率が最小値に近くなることがわかった。また、記録・再生波長から５０ｎｍの範囲における反射率の変化が、そのままの状態または加熱処理後の状態の両方において５％以下であると書き換え時のジッターが１３％以下となるように記録・再生特性が良好であった。反射率の変化が、そのままの状態および加熱処理後の状態の両方において５％以下であるとより記録・再生特性が良好で、反射率変化が５％以下の波長領域が１００ｎｍの範囲にあるディスクでは、特に記録・再生特性が良好であった。
これらの分光特性をディスクで測定した場合，基板の光吸収の波長依存性が見られるため，極小値および極大値の位置については判別が難しい場合がある。特に波長６５０ｎｍ以下では，反射率が実際よりかなり低く示される傾向にある。
本実施例に述べた書き換え特性の良好なディスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間において剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定を行った（Ｒｃ（ref），Ｒａ（ref））。また，記録膜側から保護層方向についても測定を行った（Ｒｃ（p），Ｒａ（p））。図６に示したように、本実施例に述べた書換特性の良好なディスクの分光特性は従来構造ディスクとは異なる以下の特性が見られた。Ｒｃ（ref），Ｒａ（ref）は波長依存性が小さく、記録・再生波長前後１００ｎｍの範囲において反射率変化が５％以下であることがわかった。一方、Ｒｃ（sub）は記録・再生波長前後１００ｎｍの範囲において、波長が長くなるに連れて反射率が低くなる傾向を示した。Ｒａ（sub）は記録・再生波長より１００〜２００ｎｍ短波長側に極小値が存在することがわかった。このような分光特性が見られたディスクにおいて、書き換え時のジッターを調べると、１３％以下と書き換え特性が良好であった。
（保護層）
本実施例では、第１保護層２、すなわち記録膜に接する側の保護層を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20および第２保護層３、すなわち記録膜に接しない側の保護層をＡｌ2Ｏ3により形成している。
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、第１保護層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
第１保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合物、が好ましい。ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。反射率レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方がよい。また、第２保護層のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
第１保護層が無い場合、記録時に基板の表面温度が高くなり基板の変形による、消去不可能な信号成分の発生とノイズの上昇が起きる。
第２保護層は記録膜中に第１保護層の材料が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書き換えによる反射率レベル低下を３％以下に抑制できた。一方、第２保護層が無い場合の１０万回書き換えによる反射率レベル低下は２５％生じた。
このように保護層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
第１保護層２および第２保護層３の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＳｉＯ2はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
第１保護層２および第１保護層の代わりの材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
本実施例で用いた保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚を変化させ、変調度を測定したところ次のようになった。変調度（Ｍｏｄ）の計算式は以下の通りである。
Ｍｏｄ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉｃ
Ｉｃ：ＥＦＭ信号記録時の結晶（消去）状態の反射率レベル
Ｉａ：ＥＦＭ信号記録時の非晶質（記録）状態の反射率レベル
保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚は６０〜１３０ｎｍが記録時の変調度を４３％以上と大きくすることができ好ましく、８０〜１１０ｎｍがより好ましい。
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記載した第１保護層と第２保護層に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果が見られる。
（反射層）
本実施例で第１反射層６に用いたＡｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。
第１反射層６に用いた第１反射層の組成を変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。
本実施例で第２反射層７に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
第２反射層７に用いた第２反射層の組成を変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）および加速試験による寿命を測定したところ次のようになった。１０万回書き換え後のジッターは前エッジの値と後エッジの値の増加した方の値を示した。また、加速試験は各ディスクを８０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に１０００時間入れた前後のビットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を調べた。
これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいものは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
また、第１反射層材料と第２反射層材料の屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、どちらかが異なる材料からなる組み合わせの場合、１０回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制できた。さらに、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。
第１反射層および第２反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
第１反射層または第２反射層膜厚が３０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％より大きくなる。４０ｎｍでは１０％まで低下できる。また、第１反射層または第２反射層膜厚が１５０ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，１２０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。
これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。第２反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。
また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に強度と形成時間の点から、６０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく，８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下がより好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない場合については残っている層の膜厚をいう。
（第１反射層材料と第２反射層材料の組み合わせ）
第１反射層材料、第２反射層材料については本実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ94Ｃｒ6膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2，第１反射層がＡｌ75Ｔｉ25膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
（中間層，基板材料等）
本実施例では、中間層５を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20より形成しているが、中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。
また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。製膜時間が長くなるが，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3のいずれか１つに近い組成あるいはそれらの混合組成の層にすると、線速度を１．２倍に上げた場合でも３０ｄＢ以上とＤＣ消去比を大きくできる。
また，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
中間層の膜厚が０ｎｍの場合、すなわち中間層を省略することもでき、この場合は１層少なくなるため情報記録媒体の作製が容易になるが、反射層材料の記録膜中への拡散が生じ、消え残りが増加し、１０万回書き換え時のジッターが１３％を超える。また，１０ｎｍより薄いと記録感度が５％以上低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜３０ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ’（ｎ’は基板材料の屈折率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５”，２．５”等，他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
本実施例では、まったく同様の方法により、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
本実施例では、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。
（各層の膜厚，材料）
各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
（２）実施例２
（構成、製法）
本実施例における情報記録媒体は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3と５０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3よりなる第２保護層３、Ｇｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56記録膜４を膜厚約１８ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５を膜厚約２０ｎｍ、Ａｌ90Ｔｉ10膜からなる第１反射層６を膜厚約１００ｎｍ、Ａｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７を膜厚約１００ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの基板１’上に順に膜厚約３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3と５０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２’、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３’、膜厚約１８ｎｍのＧｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56膜よりなる記録膜４’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５’、膜厚約１００ｎｍのＡｌ90Ｔｉ10膜よりなる第１反射層６’、膜厚約１００ｎｍのＡｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７’を積層した。
こうしてまったく同様の方法により得た第１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反射層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
（記録・再生特性）
記録・再生特性は実施例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，第１保護層２の材料が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなるディスクに比べて，基板付近の熱拡散が容易になり基板における熱変形を抑制でき、書き換え時のジッター上昇を１％以内に抑制できる。加えて，第２保護層により，１０万回書き換え後に生じる反射率レベルの変化を約３％以下に低減できた。このように、３層の構成では、第１保護層を２層にした効果と第２保護層を設けた効果の両方が得られるため、作製時間は長くなるが、書き換え特性が良好になり、さらに好ましい。
（保護層材料等）
本実施例では、第１保護層２をＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20および第２保護層３をＡｌ2Ｏ3により形成している。
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
第１保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
第１保護層２のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｂ4Ｃが好ましい。次いで、Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，ＳｉＣが好ましい。また、この層の膜厚を５ｎｍ以上とすると１０万回書き換え時の反射率レベル変化を１０％以下に、２０ｎｍ以上とすると反射率レベル変化を５％以下に抑制できた。さらに、７０ｎｍ以上では保護層の作製時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，５０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。これより５〜７０ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましい。
第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合比を換えたもの、次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
また、第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが記録感度の低下を１０％以下にでき、かつ作製時間が短くできるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすることができ好ましい。
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記載した第１保護層と第２保護層に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベル変化を低減する効果が見られる。
本実施例に記載していない事項は実施例１と同様である。
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
背景技術
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜では、情報の書き換えを行なうことができる利点がある。
しかし、この種の記録膜では、高密度化を行なうための、マークエッジ記録など行うと消去特性が不十分であるために書き換えによるジッターの劣化や、１０4回を越える多数回の書き換えにより、記録膜の流動により記録膜の膜厚が変化し、再生信号波形に歪みが生じる。記録膜の流動は、記録時のレーザ照射により、記録膜が流動し、保護層や中間層の熱膨張による変形により、記録膜が少しずつ押されて生じる。マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の“０”に対応させた記録方式のことをいう。
例えば、文献１『T. Ohta et al.”Optical Data Strage” '89 Proc. SPIE,1078, 27（1989）』には、記録膜を薄くして熱容量を下げ、且つ隣接する層との付着力の影響が大きくなるのを利用して記録膜の流動を防止する方法が開示されている。また、文献２『廣常、寺尾、宮内、峯邑、伏見；第４１応用物理学関係連合講演会予稿集ｐ１０００』には、記録膜に高融点の成分を添加して記録膜の流動を防止する方法が開示されている。これにより、記録膜の大きな流動は抑制できた。しかし、さらに多数回の書き換えを繰り返すと、反射率レベルの変動が生じる。
また、マークエッジ記録におけるオーバーライトジッタ特性を良好にするため、文献３『大久保、村畑、井出、岡田、岩永：第５回相変化記録研究会講演予稿集ｐ９８』には、透過光を増加したディスクが提案されている。このディスク構造は、ＰＣ基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（250nm）／Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（15nm）／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（18nm）／Ｓｉ（65nm）である。
また、本願の出願人は特開平８−３２９５２５号において、反射層を２層にすること、反射層の材料をＡｌとＳｉの組み合わせにすること、反射層の屈折率と消衰係数を規定したものを既に開示した。
また、公知とはなっていないが、本願の出願人は特願平８−３２８１８３号において、Ａｌ等を第１金属層および第２金属層の主成分とし、第２金属層のＡｌ等の含有量が記録膜に近い方に設けられた第１金属層のＡｌ等の含有量よりも多くすることを開示している。
なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。
発明の開示
従来の情報記録用媒体はいずれも、マークエッジ記録を用いた高密度の書き換え可能な相転移型の情報記録用媒体として用いる場合、消去特性が不十分なために書き換えによるジッター上昇や、また、多数回書き換え時のジッター上昇、反射率レベルの変動が生じるという問題を有している。
そこで、この発明の目的は、書き換え、多数回の書き換えを行っても良好な記録・再生特性を保持し、従来よりジッター上昇が少なく，また反射率レベルの変動が少ない情報記録用媒体を提供することに有る。
（１）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備え、かつ光入射側から保護層、記録層の順に積層され、その次に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記記録層が，
Ｇｅx-wＳｂyＴｅzＭw
を満たし、０．１３≦ｘ≦０．２２，かつ０．２０≦ｙ≦０．３２，かつ０．５３≦ｚ≦０．６０，ｗ≦０．０６，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす範囲にあり，かつ，Ｍが
Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれか１つからなることを特徴とする。
（２）（１）に記載の情報記録媒体において，前記反射層が組成の異なる材料の第１反射層および第２反射層からなることを特徴とする。
（３）（１）に記載の情報記録媒体において，前記反射層が屈折率または消衰係数の少なくとも一方が異なる材料の第１反射層および第２反射層からなることを特徴とする。
（４）（１）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記ＭがＡｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏからなる群から選ばれた少なくとも１元素であることを特徴とする。
（５）（１）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記Ｍが，Ｐｄ、Ｐｔ，Ｃｏからなる群から選ばれた少なくとも１元素であることを特徴とする。
（６）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む層よりなることを特徴とする。
（７）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層が少なくとも全原子数の９０ｍｏｌ％以上が（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2），（ＺｎＳ）−（Ｔａ2Ｏ5）のいずれか１つに近い組成，あるいはそれらの混合組成の層を有することを特徴とする。
（８）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＡｌ−Ｏを７０ｍｏｌ％以上含む材料よりなる層を有することを特徴とする。
（９）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層が組成の異なる材料の２つの層からなることを特徴とする。
（１０）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む膜とＡｌ−ＯまたはＳｉ−Ｏを７０ｍｏｌ％以上含む膜の少なくとも２層よりなることを特徴とする。
（１１）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む膜と記録膜との間にＡｌ−ＯまたはＳｉ−Ｏの少なくとも１者を７０ｍｏｌ％以上含む膜を設けたことを特徴とする。
（１２）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の全原子数の９５原子％以上の成分がＡｌ合金からなることを特徴とする。
（１３）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第２反射層の全原子数の９５％以上の成分がＡｌ合金からなることを特徴とする。
（１４）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層および第２反射層の両方がＡｌまたはＡｌ合金を全原子の９５％以上含み、第１反射層のＡｌ以外の元素の含有量が前記第２反射層のＡｌ以外の元素の含有量より多いことを特徴とする。
（１５）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の屈折率が前記第２反射層の屈折率より大きく、前記第１反射層の消衰係数が前記第２反射層の消衰係数より小さいことを特徴とする。
（１６）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の全原子数の８０％以上の成分がＳｉからなることを特徴とする。
（１７）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の全原子数の９５％以上の成分がＳｉまたはＳｉと金属元素との混合物または化合物からなり、前記第２反射層の全原子数の９５％以上の成分がＡｌ合金からなることを特徴とする。
（１８）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む層よりなることを特徴とする。
（１９）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層の全原子数の９０％以上が（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2），ＳｉＯ2，（Ａｌ2Ｏ3），（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）のいずれか１つに近い組成あるいはそれらの混合組成の層を有することを特徴とする。
（２０）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層がＡｌ−Ｏを７０ｍｏｌ％以上含む材料よりなる層を有することを特徴とする。
（２１）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層が組成の異なる材料の２つの層からなることを特徴とする。
（２２）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層がＺｎＳを７０ｍｏｌ％以上含む膜とＡｌ−ＯまたはＳｉ−Ｏの少なくとも１者を７０ｍｏｌ％以上含む膜の少なくとも２層よりなることを特徴とする。
（２３）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記記録膜の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２４）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記保護層の膜厚が８０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２５）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記中間層の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２６）（１）〜（５）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記反射層の膜厚が８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２７）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第１反射層の膜厚が４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２８）（２）〜（３）のいずれかに１つに記載の情報記録媒体において，前記第２反射層の膜厚が４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする。
（２９）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ反射層を備え、かつ記録および／または再生を行う波長を中心として＋／−５０ｎｍ以下の波長範囲において結晶状態および／または非晶質状態の反射率変化が５％以下である情報記録媒体であることを特徴とする。
（３０）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ中間層および反射層を備え、記録膜と中間層との界面で２つに分離した際、中間層側から中間層を通して光を入射した際の前記反射層の反射率が波長が記録および／または再生を行う波長を中心として＋／−５０ｎｍ以下の波長範囲において反射率変化が５％以下である情報記録媒体であることを特徴とする。
（３１）基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ中間層および反射層を備え、記録膜と中間層との界面で２つに分離した際、かつ記録膜側から記録膜を通して光を入射した際の前記保護層の反射率が記録および／または再生を行う波長より２００ｎｍ短い波長から１００ｎｍ短い波長の範囲で極小値を持つ情報記録媒体であることを特徴とする。
（３２） 上記記録膜における，ｘの範囲が０．１５≦ｘ≦０．２０であるとより好ましい。ｙの範囲は０．２２≦ｙ≦０．３０であるとより好ましい。ｚの範囲は０．５４≦ｚ≦０．５８であるとより好ましい。
また，上記記録膜中の不純物元素が記録膜成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましかった。
上記記録膜膜厚は１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が好ましく、１３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であればより好ましい。
（３３）上記第１保護層、すなわち記録膜に接する側の保護層の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳの総ｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
上記第１保護層は、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなることを特徴とする。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
上記第２保護層、すなわち記録膜に接しない側の保護層はＡｌ2Ｏ3からなることを特徴とする。Ａｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合物、が好ましい。
ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3が７０原子％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さくを５％以下に抑制できた。９０原子％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。また、第２保護層のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましい。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があり好ましい。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
このように保護層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
第１保護層および第２保護層の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＳｉＯ2はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０％以下等，金属元素量のずれが１０％以下が好ましい。１０％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
第１保護層２および第１保護層の代わりの材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚は６０〜１３０ｎｍが記録時の変調度を４３％以上と大きくすることができ好ましく、８０〜１１０ｎｍがより好ましい。
（３４）前記第１反射層はＡｌ−Ｃｒからなることを特徴とする。Ａｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。
Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。
（３５）前記第２反射層がＡｌ−Ｔｉからなることを特徴とする。Ａｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいものは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
（３６）前記第１反射層材料と前記第２反射層材料の屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。
第１反射層および第２反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
第１反射層または第２反射層膜厚が３０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％より大きくなる。４０ｎｍでは１０％まで低下できる。また、第１反射層または第２反射層膜厚が１５０ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，１２０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。
これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。第２反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。
また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に強度と形成時間の点から、６０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下がより好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない場合については残っている層の膜厚をいう。
（３７）前記第１反射層材料、と前記第２反射層材料については手段に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上する。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ94Ｃｒ6膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2，第１反射層がＡｌ75Ｔｉ25膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
（３８）前記中間層が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20よりなることを特徴とする。中間層の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。
また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
また，前記中間層の代わりの材料としては、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2、Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
中間層の膜厚が０ｎｍの場合、すなわち中間層を省略することもでき、この場合は１層少なくなるため情報記録媒体の作製が容易になるが、反射層材料の記録膜中への拡散が生じ、消え残りが増加し、１０万回書き換え時のジッターが１３％を超える。また，１０ｎｍより薄いと記録感度が５％以上低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜３０ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
（３９）前記基板が、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板からなることを特徴とする。その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
前記情報記録媒体において、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
前記情報記録媒体において、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
（４０）前記記録膜がＡｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなることを特徴とする。
前記ｚの範囲は０≦ｗ≦０．０６が良好で、より良好な特性を示す範囲は０≦ｚ≦０．０４である。
Ａｇの代わりに記録膜へ添加する元素としては、Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれかのうちの少なくとも一つで置き換えても、多数回書き換え時のジッター上昇が起きにくいことがわかった。
これらのなかで特に、Ａｇを添加すると、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べ記録感度も１割向上し、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏのいずれかのうち少なくとも１つを添加するとＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べて、多数回の書き換えを行った場合にジッターが５％以上増加する書き換え回数が３倍以上に向上し、Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄのいずれかのうち少なくとも１つを添加すると、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅに比べ結晶化温度が５０℃以上高くなる効果がみられた。
（４１）前記第１保護層が（Ａｌ2Ｏ3）70（ＺｎＳ）10（ＳｉＯ2）20より形成していることを特徴とする。
保護層成分の全原子数の７０原子％以上がＡｌ−Ｏであると反射率レベル低下が５％以下で抑制できるため、好ましい。また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、保護層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなると保護層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
（Ａｌ2Ｏ3）70（ＺｎＳ）10（ＳｉＯ2）20混合材料中のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合材料が好ましい。次いで，Ｔａ2Ｏ5，その次に，ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，これらとＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2の混合材料が好ましい。
また、第２保護層、すなわち記録膜に接しない側の保護層のＡｌ2Ｏ3の代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。
また、（ＺｎＳ）30（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，ＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換えたもの、Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
また，このような保護層の場合，保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすることができ好ましい。
（４２）前記第１反射層がＡｌ−Ｔｉからなることを特徴とする。Ａｌ−Ｔｉの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。
Ａｌ合金の場合、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性がより良好になる。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等の主成分以外の元素の含有量は５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、より良くなった。
前記第１反射層材料および前記第２反射層材料の組み合わせについては手段に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ94Ｃｒ6膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2，第１反射層がＡｌ75Ｔｉ25膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
このなかで、第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2にあらわされるように主成分以外の元素が同じ場合、記録膜から反射層へ熱が逃げやすくなるため、１０回書き換え後のジッターにおいて、前エッジのジッターと後エッジのジッターの両方が低くなる記録パワーマージンが５％広くなる。
（４３）前記第１保護層がＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20および第２保護層３をＡｌ2Ｏ3により形成していることを特徴とする。
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
第１保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
第１保護層２のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｂ4Ｃが好ましい。次いで、Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，ＳｉＣが好ましい。
また、この層の膜厚を５ｎｍ以上とすると１０万回書き換え時の反射率レベル変化を１０％以下に、２０ｎｍ以上とすると反射率レベル変化を５％以下に抑制できた。さらに、７０ｎｍ以上では保護層の作製時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，５０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。これより５〜７０ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましい。
第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合比を換えたもの、次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
また、第２保護層のＡｌ2Ｏ3の代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましい。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があり好ましい。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが記録感度の低下を１０％以下にでき、かつ作製時間が短くできるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすることができ好ましい。
（４４）前記中間層をＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の２層より形成していることを特徴とする。Ａｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2に変えた場合はＡｌ2Ｏ3に比べて、多数回書き換え時のジッター上昇は増加したが、記録時の線速度を約１．５倍まで高くしてもＤＣ消去比を３０ｄＢ以上に保つことができた。ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3が７０原子％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下を５％以下に抑制できた。９０原子％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。Ａｌ2Ｏ3の変わりとしては、次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。
また、中間層のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましい。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があり好ましい。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
Ａｌ2Ｏ3またはそれに変わる層がある場合、中間層の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20またはそれに変わる材料が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書き換えによる反射率レベル低下を１％以下に抑制できた。Ａｌ2Ｏ3またはそれに変わる層のみからなる場合、記録感度が５％低下した。したがって、このように中間層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
反射層側の中間層および記録膜側の中間層の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3は，書き換え時の反射率レベル変化が１％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＳｉＯ2はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。
また、Ａｌ2Ｏ3，または上記Ａｌ2Ｏ3に代わる材料と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20または上記（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料との２層にする変わりに両者の混合物とすると、線速度を大きくした際の消去特性は２層にした場合に比べ悪いが、製膜時間を短縮できる。この場合、（ＺｎＳ）−（Ａｌ2Ｏ3）−（ＳｉＯ2）では線速１．１倍にした場合に消去比が３０ｄＢ以上となり，製膜時間は１層となるため約１／２となる。消去比が大きくより好ましい。中間層中のＡｌ−Ｏ量は全原子数の７０原子％以上が多数回書き換え時の反射率レベル変化を５％以下に小さく出来、より好ましい。
また、中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。
また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０％以下等，金属元素量のずれが１０％以下が好ましい。１０％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
中間層全体の膜厚が１０ｎｍより薄いと記録感度が５％以上低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜３０ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
（４５）前記第１反射層がＳｉからなることを特徴とする。Ｓｉの代わりの、第１反射層の材料としてＳｉにＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｃ，Ｂ，Ｓ，Ｇｅを添加すると、反射層の透過率が下がり、吸収率が上がるため、感度低下を防ぐことができる。この場合，第１反射層中のＳｉが８０原子％以下になると吸収率が大きくなりすぎ，線速を１．５倍まで上げるとジッタ上昇が４％を超える。
これらの中ではＳｉ−Ｔｉを始めとして，Ｓｉ−Ｍｏ，Ｓｉ−Ａｌが第１反射層の熱伝導率を上げることができ，かつ光学定数を適当な値とできるため，より好ましい。また，Ｓｉへ添加する元素の添加量については，２原子％以上１０原子％以下が多数回書き換え時の反射率レベル変化を１０％以下に抑制でき、より好ましく，３〜６原子％にした場合が特に好ましいことがわかった。
第１反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
また，ＳｉへＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，等の添加を行うことにより，反射率の波長による変化が小さくなる。これにより，初期化機の波長と記録・再生波長が異なった場合でも，初期化パワーをより高感度化することができ好ましい。記録波長と再生波長が異なる場合においても同様に，記録パワーまたは再生パワーを低減しやすく好ましい。Ｓｉ−Ｇｅは，記録マーク部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、光吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え可能回数が低下しない。
第１反射層材料としては、この他、Ｃｄ−Ｓ、Ｉｎ−Ｓｅなどの硫化物やＺｎ−Ｓｅ，Ｃｄ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅなどのセレン化物を用いることが出来る。屈折率が３以上であるのが望ましい。ただし、熱伝導率が低いので、１０万回書き換えによるジッターの上昇は大きくなる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の実施例１の情報記録媒体の構造断面図である。
図２は、従来構造の情報記録媒体の構造断面図である。
図３は、本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に用いた記録波形を示した図である。
図４は、本発明の実施例１の情報記録媒体の書き換え特性を示した図である。
図５は、本発明の実施例１の情報記録媒体の反射率の波長依存性を示した図である。
図６は、本発明の実施例１の情報記録媒体の反射層側および記録膜と保護層側の反射率の波長依存性を示した図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
なお、図面に用いられている符号は、
１，１’： ポリカーボネイト基板
２，２’： 第１保護層
３，３’： 第２保護層
４，４’： 記録膜
５，５’： 中間層
６，６’： 第１反射層
７，７’： 第２反射層
８： 接着剤層
９，９’： 保護層
１０，１０’： 反射層
Ｔ： ウインド幅（Ｔｗ）
Ｐｒ： 低パワーレベル
Ｐｍ： 中間パワーレベル
Ｐｈ： 高パワーレベル
Ｔｃ： 記録パルスの最後に下げる時間
である。
（１）実施例１
（構成、製法）
図１は、この発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板１上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２を膜厚約９０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３を膜厚約５ｎｍ、Ｇｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56記録膜４を膜厚約１８ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５を膜厚約２０ｎｍ、Ａｌ94Ｃｒ6膜からなる第１反射層６を膜厚約７０ｎｍ、Ａｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７を膜厚約７０ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの基板１’上に順に膜厚約９０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２’、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３’、膜厚約１８ｎｍのＧｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56膜よりなる記録膜４’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５’、膜厚約７０ｎｍのＡｌ94Ｃｒ6膜よりなる第１反射層６’、膜厚約７０ｎｍのＡｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７’を積層した。
その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材をそれぞれの第２反射層７、７’同士を接着剤層８を介して貼り合わせ、図１に示すディスク状情報記録媒体を得た。
（初期結晶化）
前記のようにして製作した媒体の記録膜４、４’に次のようにして初期結晶化を行った。なお、記録膜４’についてもまったく同様であるから、以下の説明では記録膜４についてのみ述べることとする。
媒体を記録トラック上の点の線速度が８m/sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを８００ｍＷにして基板１を通して記録膜４に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の１／４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。この初期結晶化は高速で行える利点がある。
（記録・消去・再生）
次に、以上のようにして初期結晶化が完了した記録膜４の記録領域にトラッキングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光のパワーを中間パワーレベルＰｍ（５ｍＷ）と高パワーレベルＰｈ（１１ｍＷ）との間で変化させて情報の記録を行った。記録トラックの線速度は６m/s、半導体レーザ波長は６６０ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０．６である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶質またはそれに近い部分が記録点となる。
記録用レーザ光の高レベルと中間レベルとのパワー比は１：０．３〜１：０．６の範囲が特に好ましい。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよい。図３に示したように，１つの記録マークの形成中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレベルより低いレベルまでパワーを繰り返し下げ，かつ、記録マーク形成の最後にパワーを下げるクーリングパルスの時間幅Ｔｃを１Ｔｗとした記録波形を生成する手段を持った装置で記録・再生を行うと，再生信号波形の特に低いジッター値およびエラーレートが得られた。この図では３Ｔｗ，４Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示していないが，５Ｔｗ〜１０Ｔｗは４Ｔｗの波形のＴｃの前に，高いパワーレベルと低いパワーレベルにそれぞれＴｗ／２ずつ保つ組み合わせの波形が１組ずつ追加されていく。７組追加されたものが１１Ｔｗである。３Ｔｗに対応する最短記録マーク長を０．６２μｍとした。記録すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に下げるようにした。記録信号には、情報信号の始端部に５５Ｂｙｔｅ、終端部に５５Ｂｙｔｅの４Ｔマークと４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれている。始端部に５５Ｂｙｔｅには３５ＢｙｔｅのＶＦＯが含まれている。
このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベル（５ｍＷ）またはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転で低パワーレベル（１ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）の間で、または中間パワーレベル（５ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上げた場合の書き換えも、容易になる。
これらの方法は、この発明の媒体に用いられる記録膜ばかりでなく他の媒体の記録膜にも有効である。
本実施例の情報記録媒体では、記録・消去を繰り返した時に、図４に示すように，書き換え２〜１０回で実施例２に記載の従来の情報記録媒体に比べてジッター（σ／Ｔｗ）が５％小さくなった。ジッターとは記録マークのエッジ部の位置を再生した際、再生信号がウインドウ幅（Ｔｗ）に対してどの程度ゆらいでいるかを示す指標である。ジッターの値が約１５％になると、エッジ部の検出位置がウインドウ幅をほぼ占めるため、ジッター値が大きくなると記録信号を正確に再生できなくなる。装置によるジッター増加分のマージンをとるため、情報記録媒体ではジッターを１２％以下に押さえることが好ましい。さらにジッターを小さく１０％以下にできれば装置によるジッター増加分のジッターマージンが大きくなり、より好ましい。
また，書き換え１０万回後でもジッターが１０％小さくなった。情報記録媒体に情報を記録する場合、一般に１つの情報記録媒体において１箇所あたりへの記録回数は約１０万回程度必要と言われている。そのため、本実施例においても初回記録から１０万回書き換え後までの記録・再生特性を調べた。
ジッター測定におけるウインド幅（Ｔｗ）は３４ｎｓ、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録信号は１１Ｔｗでこれらをランダムに記録している。これらの測定には再生等化回路を使用した。また、記録膜が流動して記録始端部で膜材料が不足し、終端部で蓄積することによる再生信号波形の大きなひずみが起こる領域の幅を、始端部で１５Ｂｙｔｅ相当以下、終端部で５Ｂｙｔｅ相当以下にすることができた。従来ディスクでは、それぞれ２５Ｂｙｔｅ，３０Ｂｙｔｅとなった。
なお、このディスクにおいて中間層５を省略した場合、多数回書き換え時にジッターの増加がみられた。しかし、従来ディスクにおいて中間層４を省略した場合に比べて、ジッター増加は少なかった。
（記録膜）
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＴｅ量を一定にし、ＧｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
次に、記録膜の組成を三角図におけるＧｅ30Ｓｂ17Ｔｅ60とＧｅ10Ｓｂ40Ｔｅ60を結んだ線上で変化させ、１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の組成をＧｅ量を一定にし、ＴｅとＳｂ量を変化させ、１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
また，記録膜中の不純物元素が記録膜成分の２原子％を超えると１回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１０％を超えることがわかった。さらに不純物元素が５原子％を超えるとジッターが１３％以上になることがわかった。したがって、記録膜中の不純物元素が記録膜成分の５原子％以下が書き換え特性の劣化を少なく出来，好ましい。２原子％以下であるとさらに好ましかった。
本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。記録膜膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの悪い方の値（％）を、１０万回書き換え後については前エッジのジッター値（％）を示した。
（情報記録媒体の分光特性）
上記ディスク部材と同じ構成で、基板をガラスに変えた以外は同様のテストピースを２枚作製し，分光特性を調べた。（図５）すなわち，基板には約１ｍｍ厚の光学研磨を施したガラス面板を用い，この基板上にディスクと全く同様の方法により、膜厚約９０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３、膜厚約１８ｎｍのＧｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56膜よりなる記録膜４、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５、膜厚約７０ｎｍのＡｌ94Ｃｒ6膜よりなる第１反射層６、膜厚約７０ｎｍのＡｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７を順次形成した。
こうして得たテストピースのうち１枚はそのままの状態，もう１枚は３００℃で５分間の加熱処理を施した。それぞれのテストピースについて，基板側より光を照射し，反射率の波長依存性を測定した。加熱処理を施した場合の反射率は図中Ｒｃ，そのままの状態（as-depo状態）の反射率は図中Ｒａで示した。加熱処理を施した場合（結晶状態）は上記の長円形半導体レーザービームを用いた初期結晶化を行った状態と同様の光学特性が得られる。
これより本実施例に述べた記録・再生特性の良好なディスクにおいては波長４００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲において、記録・再生波長付近で反射率が最小値に近くなることがわかった。また、記録・再生波長から５０ｎｍの範囲における反射率の変化が、そのままの状態または加熱処理後の状態の両方において５％以下であると書き換え時のジッターが１３％以下となるように記録・再生特性が良好であった。反射率の変化が、そのままの状態および加熱処理後の状態の両方において５％以下であるとより記録・再生特性が良好で、反射率変化が５％以下の波長領域が１００ｎｍの範囲にあるディスクでは、特に記録・再生特性が良好であった。
これらの分光特性をディスクで測定した場合，基板の光吸収の波長依存性が見られるため，極小値および極大値の位置については判別が難しい場合がある。特に波長６５０ｎｍ以下では，反射率が実際よりかなり低く示される傾向にある。
本実施例に述べた書き換え特性の良好なディスクにおいて，ディスク部材を記録膜と中間層の間において剥がし，中間層側から反射層へ向けて反射率測定を行った（Ｒｃ（ref），Ｒａ（ref））。また，記録膜側から保護層方向についても測定を行った（Ｒｃ（p），Ｒａ（p））。図６に示したように、本実施例に述べた書換特性の良好なディスクの分光特性は従来構造ディスクとは異なる以下の特性が見られた。Ｒｃ（ref），Ｒａ（ref）は波長依存性が小さく、記録・再生波長前後１００ｎｍの範囲において反射率変化が５％以下であることがわかった。一方、Ｒｃ（sub）は記録・再生波長前後１００ｎｍの範囲において、波長が長くなるに連れて反射率が低くなる傾向を示した。Ｒａ（sub）は記録・再生波長より１００〜２００ｎｍ短波長側に極小値が存在することがわかった。このような分光特性が見られたディスクにおいて、書き換え時のジッターを調べると、１３％以下と書き換え特性が良好であった。
（保護層）
本実施例では、第１保護層２、すなわち記録膜に接する側の保護層を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20および第２保護層３、すなわち記録膜に接しない側の保護層をＡｌ2Ｏ3により形成している。
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、第１保護層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。
第１保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合物、が好ましい。ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。反射率レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方がよい。また、第２保護層のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
第１保護層が無い場合、記録時に基板の表面温度が高くなり基板の変形による、消去不可能な信号成分の発生とノイズの上昇が起きる。
第２保護層は記録膜中に第１保護層の材料が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書き換えによる反射率レベル低下を３％以下に抑制できた。一方、第２保護層が無い場合の１０万回書き換えによる反射率レベル低下は２５％生じた。
このように保護層が材料の異なる２つ以上の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するという両方の効果を合わせもつことができ好ましい。
第１保護層２および第２保護層３の組み合わせとしては，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＡｌ2Ｏ3は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小さく、好ましい。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20およびＳｉＯ2はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好である。ＺｎＳおよびＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，のいずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大きいことから好ましい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
第１保護層２および第１保護層の代わりの材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣化が見られた。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。
本実施例で用いた保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚を変化させ、変調度を測定したところ次のようになった。変調度（Ｍｏｄ）の計算式は以下の通りである。
Ｍｏｄ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／Ｉｃ
Ｉｃ：ＥＦＭ信号記録時の結晶（消去）状態の反射率レベル
Ｉａ：ＥＦＭ信号記録時の非晶質（記録）状態の反射率レベル
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記載した第１保護層と第２保護層に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果が見られる。
（反射層）
本実施例で第１反射層６に用いたＡｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。
第１反射層６に用いた第１反射層の組成を変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次のようになった。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。
本実施例で第２反射層７に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。
第２反射層７に用いた第２反射層の組成を変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）および加速試験による寿命を測定したところ次のようになった。１０万回書き換え後のジッターは前エッジの値と後エッジの値の増加した方の値を示した。また、加速試験は各ディスクを８０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に１０００時間入れた前後のビットエラーレート（ＢＥＲ）の変化を調べた。
次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用いてもよい。
この中で、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ合金，Ａｌ合金，Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいものは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。この場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
また、第１反射層材料と第２反射層材料の屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、どちらかが異なる材料からなる組み合わせの場合、１０回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制できた。さらに、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。
第１反射層および第２反射層の材料は，各反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見られた。
第１反射層または第２反射層膜厚が３０ｎｍより薄い場合、強度が弱く、熱拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％より大きくなる。４０ｎｍでは１０％まで低下できる。また、第１反射層または第２反射層膜厚が１５０ｎｍより厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，１２０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。
これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。第２反射層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好ましい。４０ｎｍ〜１２０ｎｍとするとより好ましい。
また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に強度と形成時間の点から、６０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく，８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下がより好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない場合については残っている層の膜厚をいう。
（第１反射層材料と第２反射層材料の組み合わせ）
第１反射層材料、第２反射層材料については本実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わせを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上することがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射層がＡｌ94Ｃｒ6膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，第１反射層がＡｌ90Ｔｉ10膜および第２反射層がＡｌ98Ｔｉ2，第１反射層がＡｌ75Ｔｉ25膜および第２反射層がＡｌ99Ｔｉ1，等第１反射層と第２反射層膜中に含有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有量より多い場合である。Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｔｉの組み合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、また、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，またはこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の向上が見られた。
（中間層，基板材料等）
本実施例では、中間層５を（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20より形成しているが、中間層５の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超えると結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するためである。
また，ＺｎＳはスパッタレートが大きく、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、中間層全体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜時間を１／２以下に低減することができる。製膜時間が長くなるが，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3のいずれか１つに近い組成あるいはそれらの混合組成の層にすると、線速度を１．２倍に上げた場合でも３０ｄＢ以上とＤＣ消去比を大きくできる。
また，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
中間層５および中間層５の代わりの材料は，各中間層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
中間層の膜厚が０ｎｍの場合、すなわち中間層を省略することもでき、この場合は１層少なくなるため情報記録媒体の作製が容易になるが、反射層材料の記録膜中への拡散が生じ、消え残りが増加し、１０万回書き換え時のジッターが１３％を超える。また，１０ｎｍより薄いと記録感度が５％以上低下する。さらに、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜３０ｎｍとすると記録・再生特性がより良くなり，好ましい。
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いてもよい。
また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ’（ｎ’は基板材料の屈折率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃｍに限らず，１３ｃｍ，３．５”，２．５”等，他のサイズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。
本実施例では、まったく同様の方法により、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行ってもよい。
本実施例では、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’同士を貼り合わせているが、貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の第２反射層７，７’上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。
（各層の膜厚，材料）
各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
（２）実施例２
（構成、製法）
本実施例における情報記録媒体は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝を有するポリカーボネイト基板１上に、順に膜厚約３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3と５０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3よりなる第２保護層３、Ｇｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56記録膜４を膜厚約１８ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５を膜厚約２０ｎｍ、Ａｌ90Ｔｉ10膜からなる第１反射層６を膜厚約１００ｎｍ、Ａｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７を膜厚約１００ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの基板１’上に順に膜厚約３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3と５０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる第１保護層２’、膜厚約５ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜よりなる第２保護層３’、膜厚約１８ｎｍのＧｅ18Ｓｂ26Ｔｅ56膜よりなる記録膜４’、膜厚約２０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20膜よりなる中間層５’、膜厚約１００ｎｍのＡｌ90Ｔｉ10膜よりなる第１反射層６’、膜厚約１００ｎｍのＡｌ99Ｔｉ1膜からなる第２反射層７’を積層した。
こうしてまったく同様の方法により得た第１のディスク部材および第２のディスク部材の第２反射層６、６’同士を貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
（記録・再生特性）
記録・再生特性は実施例１と同様の方法で調べた。本実施例のディスクでは，第１保護層２の材料が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなるディスクに比べて，基板付近の熱拡散が容易になり基板における熱変形を抑制でき、書き換え時のジッター上昇を１％以内に抑制できる。加えて，第２保護層により，１０万回書き換え後に生じる反射率レベルの変化を約３％以下に低減できた。このように、３層の構成では、第１保護層を２層にした効果と第２保護層を設けた効果の両方が得られるため、作製時間は長くなるが、書き換え特性が良好になり、さらに好ましい。
（保護層材料等）
本実施例では、第１保護層２をＡｌ2Ｏ3と（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20および第２保護層３をＡｌ2Ｏ3により形成している。
第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましい。
第１保護層２の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，ＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，ＢｅＯ，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｃｕ2Ｏ，ＭｇＯなどの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ（例えばＡｌＳｉＮ2）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3などの硫化物、ＳｎＳｅ2，Ｓｂ2Ｓｅ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。
第１保護層２のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｂ4Ｃが好ましい。次いで、Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＴｈＯ2，ＴｉＯ2，ＳｉＣが好ましい。また、この層の膜厚を５ｎｍ以上とすると１０万回書き換え時の反射率レベル変化を１０％以下に、２０ｎｍ以上とすると反射率レベル変化を５％以下に抑制できた。さらに、７０ｎｍ以上では保護層の作製時間が長くなり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。また，５０ｎｍ以下にすると、他の層の形成時間より短くなるため全体の形成時間に影響を与えずにすむ。これより５〜７０ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましい。
第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わる材料としては，ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の混合比を換えたもの、次いで、Ｔａ2Ｏ5，その次にＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3，が好ましい。これら化合物における元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素と酸素元素の比，または金属元素と硫化物元素については，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3は２：３，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＧｅＯ2は１：２，Ｔａ2Ｏ5は２：５，ＺｎＳは１：１という比をとるかその比に近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得られる。上記整数比から外れている場合、例えばＡｌ−ＯはＡｌとＯの比率がＡｌ2Ｏ3からＡｌ量で±１０原子％以下，Ｓｉ−ＯはＳｉとＯの比率がＳｉＯ2からＳｉ量で±１０原子％以下等，金属元素量のずれが１０原子％以下が好ましい。１０原子％以上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が１０％以上低下した。
また、第２保護層３のＡｌ2Ｏ3に代わりにＣｒ2Ｏ3、ＣｒＯ、Ｃｏ2Ｏ3、ＣｏＯ、あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれらの混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ、あるいはこれらの混合材料でもよい。
また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくなり、高線速において消え残りが小さくなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成した場合も結晶化速度が大きくなった。
また，このような保護層の場合，第２保護層膜厚は２〜３０ｎｍが記録感度の低下を１０％以下にでき、かつ作製時間が短くできるため，好ましい。３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。保護層全体の膜厚は８０〜１１０ｎｍが記録時の変調度を大きくすることができ好ましい。
また，本発明に示した構造のディスクだけでなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記載した第１保護層と第２保護層に置き換えても，多数回書き換え時に生じる反射率レベル変化を低減する効果が見られる。
本実施例に記載していない事項は実施例１と同様である。
Claims (4)
- 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ組成の異なる材料の少なくとも２つの層からなる保護層を備え、かつ光入射側から保護層、記録層の順に積層され、その次に少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記記録層が，
Ｇｅx-wＳｂyＴｅzＭw
を満たし、０．１３≦ｘ≦０．２２，かつ０．２０≦ｙ≦０．３２，かつ０．５３≦ｚ≦０．６０，ｗ≦０．０６，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす範囲にあり，かつ，Ｍが
Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔｌ、Ｐｂ，Ｔｈ、Ｕ、Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれか１つからなり、かつ
前記記録膜に接する側の保護層の少なくとも全原子数の９０ｍｏｌ％以上が（Ｃｒ2Ｏ3），（ＣｒＯ），（Ｃｏ2Ｏ3），（ＣｏＯ）のいずれか１つ、あるいはそれらの混合組成からなることを特徴とする情報記録媒体。 - 基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ２層の保護層を備え、かつ光入射側から保護層、記録層の順に積層され、その次に組成の異なる材料の少なくとも２つの層からなる中間層を介して少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記記録層が，
Ｇｅx-wＳｂyＴｅzＭw
を満たし、０．１３≦ｘ≦０．２２，かつ０．２０≦ｙ≦０．３２，かつ０．５３≦ｚ≦０．６０，ｗ≦０．０６，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす範囲にあり，かつ，Ｍが
Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃｌ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂｉのいずれか１つからなり、かつ
前記記録膜に接する側の保護層の少なくとも全原子数の９０ｍｏｌ％以上が（Ｃｒ2Ｏ3），（ＣｒＯ），（Ｃｏ2Ｏ3），（ＣｏＯ）のいずれか１つ、あるいはそれらの混合組成からなることを特徴とする情報記録媒体。 - 前記Ｍが、Ａｇ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏからなる群から選ばれた少なくとも１元素であることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録媒体。
- 前記Ｍが、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｏからなる群から選ばれた少なくとも１元素であることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録媒体。
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