JPH0765414A - 情報記録用媒体 - Google Patents

情報記録用媒体

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JPH0765414A
JPH0765414A JP5207374A JP20737493A JPH0765414A JP H0765414 A JPH0765414 A JP H0765414A JP 5207374 A JP5207374 A JP 5207374A JP 20737493 A JP20737493 A JP 20737493A JP H0765414 A JPH0765414 A JP H0765414A
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JP
Japan
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layer
recording medium
information recording
recording
double
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Pending
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JP5207374A
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English (en)
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Tetsuya Nishida
哲也 西田
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Shinkichi Horigome
信吉 堀籠
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Hitachi Ltd
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 レーザ光の照射を受けて原子配列変化が生じ
て光学特性が変化する無機物の薄膜を記録層とする情報
記録用媒体において、再生専用型のＣＤドライブ等の装
置で直接的に情報を読み出すことが出来るようにすると
共に、情報を記録した場合の再生信号強度が十分になる
ようにする。 【構成】 レプリカ基板１，１’と、保護層２，２’
と、レーザ光の照射を受けて原子配列変化が生じて光学
定数が変化する無機物からなる記録層３，３’と、中間
層４，４’と、反射層５，５’と、上引き層６，６’
と、有機物層７，７’と、接着剤層８から形成され、基
板側からのレーザ光に対する反射率が、未記録部または
記録部のいずれか一方で６５％以上，他方で４５％以下
であり、反射層５，５’の膜厚が、１５ｎｍ以上，２５
ｎｍ以下である情報記録用媒体Ａ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録用媒体に関
し、さらに詳しくは、レーザ光の照射を受けて原子配列
変化が生じて光学特性が変化する無機物の薄膜を記録層
とする情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の照射を受けて原子配列変化が
生じて光学特性が変化する情報記録用媒体に記録用レー
ザ光を照射すると、記録層が、相変化，原子拡散，フォ
トダークニングなどの現象を起して、再生用レーザ光に
対する反射率が変化する。このため、情報が記録され
る。
【０００３】記録層の相変化に関する従来技術は、例え
ば特公昭４７−２６８９７号公報において、Ｔｅ-Ｇｅ
系，Ａｓ-Ｔｅ-Ｇｅ系，Ｔｅ-Ｏ系などの薄膜について
述べられている。また、特開昭５４−４１９０２号公報
において、(Ｇｅ)20(Ｔｌ)5(Ｓｂ)5(Ｓｅ)70などの組成
が述べられている。また、特開昭５７−２４０３９号公
報において、(Ｓｂ)25(Ｔｅ)12.5(Ｓｅ)62.5，(Ｃｄ)14
(Ｔｅ)14(Ｓｅ)72，(Ｂｉ)2(Ｓｅ)3、(Ｓｂ)2(Ｓｅ)3，
(Ｉｎ)20(Ｔｅ)20(Ｓｅ)60，(Ｂｉ)25(Ｔｅ)12.5(Ｓｅ)
62.5，ＣｕＳｅ，(Ｔｅ)33(Ｓｅ)67の薄膜が述べられて
いる。
【０００４】また、記録層の原子拡散に関する従来技術
は、例えば特開昭６１−１８８７５２号公報において、
(Ｓｂ)2(Ｓｅ)3／Ｂｉの２層膜が述べられている。
【０００５】なお、レーザ光の照射を受けて原子配列変
化が生じて光学特性が変化する無機物の薄膜を記録層と
する情報記録用媒体ではないが、例えば特開平２−８７
３３９号公報，特開平２−８７３４０号公報，特開平２
−８７３４２号公報には、有機物を記録層とする情報記
録用媒体および形状変化により記録を行う情報記録用媒
体が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、レーザ光の照射
を受けて原子配列変化が生じて光学特性が変化する無機
物の薄膜を記録層とする情報記録用媒体（以下、「この
種の情報記録用媒体」という場合がある）では、未記録
部または記録部でのレーザ光に対する反射率を６５％よ
り小さくしていた。しかし、反射率が６５％より小さい
と、高反射率の情報記録用媒体を前提としている再生専
用型のＣＤドライブ，ＣＤ−ＲＯＭドライブ，ＣＤ−Ｉ
ドライブ，レーザディスクドライブ等の装置では、直接
的に情報を読み出すことができない問題点があった。こ
のため、未記録部または記録部での反射率を６５％以上
とすることが考えられるが、従来のこの種の情報記録用
媒体では、高反射率とするための構成が最適化されてい
なかったので、情報を記録した場合の再生信号強度が不
十分になってしまう問題点があった。
【０００７】なお、この種の情報記録用媒体記録に較べ
て、有機物を記録層とする情報記録用媒体や形状変化に
より記録を行う情報記録用媒体は、データの保持寿命が
短く、耐環境性が悪い問題点がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、レーザ光の照射
を受けて原子配列変化が生じて光学特性が変化する無機
物の薄膜を記録層とする情報記録用媒体において、未記
録部または記録部での反射率を６５％以上として、再生
専用型のＣＤドライブ等の装置で直接的に情報を読み出
すことが出来るようにすると共に、構成を最適化して、
情報を記録した場合の再生信号強度が十分になるように
した情報記録用媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、基板と、その基板上に直接もしくは保護層を介して
積層されレーザ光の照射を受けて実質的に形状変化を伴
わずに原子配列変化が生じて光学定数が変化する無機物
からなる記録層と、その記録層上に積層された中間層
と、その中間層上に積層され前記レーザ光を反射する反
射層と、その反射層上に積層された上引き層とから少な
くとも形成される情報記録用媒体において、基板側から
のレーザ光に対する反射率が、未記録部または記録部の
いずれか一方で６５％以上，他方で４５％以下であり、
反射層の膜厚が、１５ｎｍ以上，２５ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする情報記録用媒体を提供する。
【００１０】上記構成において、記録層は、非晶質状態
と結晶状態の間で変化するものがよいが、その非晶質状
態に結晶部分が混在していてもよい。また、非晶質状態
と結晶状態の間で変化するものの外に、結晶粒径や結晶
形を変化するものや，結晶と準安定状態の間で変化する
ものなどでもよい。また、記録層中の原子のうちの一部
が拡散，化学反応などにより移動するものでもよい。ま
た、前記相変化と原子の移動の両方を起こすものであっ
てもよい。
【００１１】上記構成において、初期反射率が６５％未
満の場合でも、Ａｒレーザ光の照射，半導体レーザ光の
照射およびフラッシュアニール等による初期結晶化によ
り、反射率を６５％以上とすれば、本発明の範囲に含ま
れる。
【００１２】上記構成において、積層順序は、基板に近
い側から順に、記録層、中間層、反射層、上引き層とす
るのが好ましい。上記構成において、記録層、中間層、
反射層および上引き層がそれぞれ隣接していることが好
ましい。
【００１３】記録層，中間層，反射層および上引き層を
合わせて情報記録担体部とすると、この情報記録担体部
の一方の面が保護層で密着して保護されていれば、耐環
境性が向上する。情報記録担体部の両方の面が保護層で
密着して保護されていれば、耐環境性がさらに向上し、
可逆型として用いたときの書き換え可能回数が１０倍以
上向上する。
【００１４】上記構成において、記録層の膜厚が、５０
ｎｍ以上，１２０ｎｍ以下であることが好ましい。上記
構成において、記録層の未記録部または記録部のどちら
か一方でのレーザ光に対する複素屈折率の虚数部である
消衰係数が、０．２以下であることが好ましい。上記構
成において、記録層が、ＳｅまたはＳのうち少なくとも
１元素を含有することが好ましい。上記構成において、
ＳｅまたはＳの含有量が、４０ａｔ％以上，９０ａｔ％
以下であることが好ましい。上記構成において、記録層
が、ＳｅまたはＳのうち少なくとも１元素およびＩｎ，
Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｓｉ，ＰｂまたはＧａのうちの少な
くとも１元素を含有することが好ましい。上記構成にお
いて、記録層が、ＳｅおよびＩｎおよびＳｎ，Ｔｅ，Ｂ
ｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｇａ，ＳｂまたはＧｅのうちの少なく
とも１元素を含有することが好ましい。上記構成媒体に
おいて、記録層が、ＳｅまたはＳのうち少なくとも１元
素およびＴｌ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，ＡｇまたはＡｕのうちの少なくとも１
元素を含有することが好ましい。上記構成において、Ｔ
ｌまたはＣｏの含有量が、２ａｔ％以上，１０ａｔ％以
下であることが好ましい。
【００１５】上記構成において、中間層のレーザ光に対
する複素屈折率の虚数部である消衰係数が、０．２以下
であることが好ましい。
【００１６】上記構成において、上引き層の膜厚が、２
０ｎｍ以上，５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１７】本発明の情報記録用媒体で、一部分が同じ
情報を持つ情報記録用媒体を大量に作製する場合には、
情報記録用媒体の一部分に再生専用型の情報（ＲＯＭ）
を予め凹または凸状のプリピットの形で形成し、混在さ
せておくことが好ましい。
【００１８】本発明の情報記録用媒体は、テープ状，カ
ード状などの形態で使用可能である。また、映像や音声
などのアナログ信号をＦＭ変調したものや，電子計算機
のデータや，ファクシミリ信号や，ディジタルオーディ
オ信号などのディジタル情報を、リアルタイムで記録す
ることが可能である。
【００１９】
【作用】本発明の情報記録用媒体は、基板と、レーザ光
の照射を受けて原子配列変化が生じて光学定数が変化す
る無機物からなる記録層と、中間層と、反射層と、上引
き層とから少なくとも形成され、基板側からのレーザ光
に対する反射率が、未記録部または記録部のいずれか一
方で６５％以上，他方で４５％以下であり、反射層の膜
厚が、１５ｎｍ以上，２５ｎｍ以下である。このような
高い反射率をもたせたため、再生専用型のＣＤドライブ
等の装置で直接的に情報を読み出すことが出来るように
なる。特に、未記録部の初期反射率が７０％以上で記録
部の反射率が２８％以下とした場合は、ＣＤ−ＷＯ（追
記型ＣＤ）規格であるオレンジブックに完全準拠できる
ようになる。一方、反射層の膜厚を１５ｎｍ以上，２５
ｎｍ以下としたため、上記反射率を維持し、且つ、記録
層に損傷を与えないパワーで十分な感度で記録できるよ
うになり、再生信号強度が十分になる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、こ
れにより本発明が限定されるものではない。
【００２１】図１は、本発明の情報記録用媒体の第１実
施例の両面ディスクＡの断面構造図を示す。この両面デ
ィスクＡにおいて、１，１’はレプリカ基板、２，２’
は保護層、３，３’は記録層、４，４’は中間層、５，
５’は反射層、６，６’は上引き層、７，７’は有機物
層、８は接着剤層である。
【００２２】保護層２，２’は、例えばＣｅ，Ｌａ，Ｓ
ｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔ
ａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ＣｒおよびＷな
どよりなる群より選ばれた少なくとも１元素の酸化物、
Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどよりなる群より選ばれた少なくと
も１元素の弗化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂなどよりなる
群より選ばれた少なくとも１元素の窒化物、Ｃｄ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉなどよ
りなる群より選ばれた少なくとも１元素の硫化物、Ｂ，
Ｓｉなどよりなる群より選ばれた少なくとも１元素の炭
化物、Ｔｉなどのホウ化物、ホウ素、炭素あるいは金属
などを主成分とする無機物より形成することが出来る。
また、これらの混合物でもよい。具体的には、例えば、
主成分が、ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉｎ
2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3， ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，
ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ
2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｃｒ
2Ｏ3，ＷＯ2，ＷＯ3，ＣｄＳ，ＺｎＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｓｂ
2Ｓ3， Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ，
Ｂｉ2Ｓ3，ＭｇＦ2，ＣｅＦ3，ＣａＦ2，ＴａＮ，Ｓｉ3
Ｎ4， ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ，ＴｉＢ2，Ｂ4Ｃ，ＳｉＣ，
Ｂ，Ｃのうちのいずれか又はそれに近い組成をもったも
の又はそれらの混合物が挙げられる。上記のうち、酸化
物では、ＳｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＴｉＯ
2，ＺｒＯ2，ＳｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3ま
たはＳｎＯ2に近い組成のものが好ましい。窒化物で
は、 ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4またはＡｌＮ（窒化アルミニウ
ム）に近い組成のものが、表面反射率があまり高くな
く，層が安定であり，強固である点で、好ましい。硫化
物では、ＺｎＳに近い組成のものが、屈折率が適当であ
り，層が安定である点で、好ましい。Ｓｉの水素を含む
非晶質も好ましい。ガラス，石英，サファイア，鉄，チ
タンあるいはアルミニウムを主成分とする基板１，１’
も保護層２，２’として働き得る。
【００２３】一方、保護層２，２’は、例えばアクリル
樹脂，ポリカーボネート，ポリオレフィン，エポキシ樹
脂，ポリイミド，ポリアミド，ポリスチレン，ポリエチ
レン，ポリエチレンテレフタレート，ポリ４フッ化エチ
レン（テフロン）などのフッ素樹脂，紫外線硬化樹脂な
どの有機物より形成してもよい。また、これらの基板
１，１’も保護層２，２’として働き得る。
【００２４】保護層２，２’は、耐熱性の面では無機物
が好ましい。しかし、無機物の保護層（基板の場合を除
く）を厚くすると、クラック発生，透過率低下，感度低
下を起こしやすい問題がある。そこで、無機物の保護層
２，２’は薄くし、保護層２，２’の記録層１，１’側
と反対の面には、厚い有機物層を密着させ、機械的強度
を増すのが好ましい。この有機物層は、基板１，１’で
あってもよい。この有機物層としては、例えば、ポリス
チレン，ポリ４フッ化エチレン（テフロン），ポリイミ
ド，アクリル樹脂，ポリオレフィン，ポリエチレンテレ
フタレート，ポリカーボネート，エポキシ樹脂，ホット
メルト接着剤として知られているエチレン−酢酸ビニル
共重合体など，粘着剤および紫外線硬化樹脂などを用い
ることが出来る。
【００２５】保護層２，２’は、多層にすれば、保護効
果が高まる。例えば、膜厚３０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉ
Ｏ2 に近い組成の薄膜を、レプリカ基板１，１’上に形
成し、その上に、膜厚３０ｎｍ〜３００ｎｍのＺｎＳに
近い組成の薄膜を形成して保護層２，２’とすると、耐
環境性および記録・消去特性が大きく向上し、書き換え
可能回数も大幅に向上できる。
【００２６】記録層３，３’は、ＳｅまたはＳのうち少
なくとも１元素と、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｓｉ，Ｐ
ｂ，Ｇａのうちの少なくとも１元素とから構成されるこ
とが好ましい。さらに、Ｔｌ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕのう
ちの少なくとも１元素を、１０ａｔ％以下の少量添加す
ることにより、非晶質状態の安定性が向上するので好ま
しい。また、ＳｅとＳｂを主成分として含む合金系で
は、非晶質状態の安定性を保持したまま、記録時の結晶
化を高速で行うことができ、耐酸化性も著しく高いた
め、追記型媒体として好ましい。さらに、Ｓｎ，Ｓｉ，
Ｐｂの４価の元素を添加することで、非晶質状態の安定
性をさらに高め、かつ、記録時の結晶化をより高速で行
うことが出来るようになるため、追記型媒体としてより
好ましい。また、ＳｅとＩｎを主成分として含む合金系
では、結晶状態と非晶質状態との相変化を多数回繰り返
して行うことが出来るため、書き換え型媒体として好ま
しい。さらに、ＳｅとＩｎとＳｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｓｉ，
Ｐｂ，Ｇａ，ＳｂまたはＧｅのうち少なくとも１元素と
から構成されると、書換え回数が大きく向上するため、
より好ましい。さらに、Ｔｌ，Ｃｏ等の元素を添加する
ことで、結晶化速度がさらに向上するため、書き換え型
媒体としてより好ましい。記録層３，３’中のＳｅまた
はＳの含有量は、消衰係数を小さくし、耐酸化性を向上
できるという点で、４０ａｔ％以上，９０ａｔ％以下が
好ましく、５０ａｔ％以上がより好ましい。また、５５
ａｔ％以上が特に好ましく、６０ａｔ％以上がより一層
好ましい。記録層３，３’は、未記録状態または記録状
態での再生用レーザ光に対する複素屈折率の虚数部であ
る消衰係数が、０．２以下であるものが好ましい。ま
た、レーザ光を効率良く吸収できるという点で、消衰係
数が０．０５以上であるものが好ましい。
【００２７】中間層４，４’および上引き層６，６’
は、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓ
ｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎ
ｂ，ＣｒおよびＷなどよりなる群より選ばれた少なくと
も１元素の酸化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどよりなる群よ
り選ばれた少なくとも１元素の弗化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔ
ａ，Ｂなどよりなる群より選ばれた少なくとも１元素の
窒化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，
Ｐｂ，Ｂｉなどよりなる群より選ばれた少なくとも１元
素の硫化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｂｉなどよりなる群より選ばれた少なくとも
１元素のセレン化物などを主成分とする無機物より形成
することが出来る。また、これらの混合物でもよい。具
体的には、例えば、主成分が、ＣｅＯ2，Ｌａ2Ｏ3，Ｓ
ｉＯ，ＳｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，
Ｔａ2Ｏ5，Ｓｃ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2， Ｖ2
Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，Ｃｒ2Ｏ3，ＷＯ2，ＷＯ3，ＭｇＦ2，Ｃ
ｅＦ3，ＣａＦ2，ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｃ
ｄＳ，ＺｎＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，Ｇｅ
Ｓ，ＳｎＳ，ＳｎＳ2， ＰｂＳ，Ｂｉ2Ｓ3，ＣｄＳｅ，
ＺｎＳｅ，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，Ｇｅ
Ｓｅ，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ2，ＰｂＳｅ，Ｂｉ2Ｓｅ3 の
うちのいずれか又はそれに近い組成をもったもの又はそ
れらの混合物が挙げられる。上記のうち、酸化物では、
ＳｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，Ｓｃ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＴｉＯ2，Ｚｒ
Ｏ2，ＳｉＯ，Ｔａ2Ｏ5，Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3またはＳ
ｎＯ2 のうちのいずれか又はそれに近い組成のものが好
ましい。ＳｉＯ2 又はそれを含む混合物は、レーザ光照
射時の膜の熱膨張を少なくできるため、多数回書き換え
を行ってもノイズの上昇が少ないので、特に好ましい。
窒化物では、Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ（窒化アルミニウム）ま
たはＴａＮのうちのいずれか又はそれに近い組成のもの
が好ましい。硫化物では、ＺｎＳ又はそれに近い組成の
ものが好ましい。ＺｎＳ又はＺｎＳを含む混合物は、レ
ーザ光照射時の膜変形を少なくできるため、多数回書き
換えを行ってもノイズの上昇が少ないので、特に好まし
い。なお、記録層３，３’と全く同じ組成のものも使用
可能であり、その場合、コストを低減できる点で好まし
い。
【００２８】一方、中間層４，４’および上引き層６，
６’は、例えば、アクリル樹脂，ポリカーボネート，ポ
リオレフィン，エポキシ樹脂，ポリイミド，ポリアミ
ド，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリエチレンテレフ
タレート，ポリ４フッ化エチレン（テフロン）などのフ
ッ素樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、紫外線硬化
樹脂などの有機物またはこれらの混合物より形成するこ
とも出来る。さらに、中間層４，４’および上引き層
６，６’は、上記無機物と上記有機物の混合物を使用し
てもよい。また、無機物層と無機物層，無機物層と有機
物層，有機物層と有機物層等の多層構造にしてもよい。
中間層４，４’および上引き層６，６’は、未記録部の
媒体反射率をより高くできるという点で、レーザ光に対
する複素屈折率の虚数部である消衰係数が０．２以下、
特に０．１以下であるのが好ましい。なお、中間層４，
４’および上引き層６，６’に同じ組成の材料を用いる
と、製造コストが安価になるので好ましい。
【００２９】反射層５，５’は、膜厚５０ｎｍ以上の単
独層とした場合に再生用レーザ光に対する反射率が７０
％以上となるような金属，半金属，半導体およびこれら
の合金を使用できる。例えば、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ
等またはこれらを含む合金等のように、反射率が８０％
以上の高反射率材料を主成分とするものを用いると、両
面ディスクＡの反射率を７０％以上に高めて、情報を再
生する際の再生信号強度を大きくするので、好ましい。
これらの高反射率材料中では、ＡｌまたはＡｌ合金を用
いると、安価になる。また、Ａｕ，Ａｇ，ＣｕまたはＡ
ｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金等の高熱伝導率金属を用い
ると、レーザ光照射時の各層での余分な温度上昇を押さ
え、膜変形を防ぐことができるため、多数回書き換えを
行ってもノイズの上昇が少ないので、好ましい。これら
の高熱伝導率金属中では、ＡｕまたはＡｕ合金を用いる
と、耐環境性が最も高く、データ保持寿命が最長であ
り、好ましい。また、ＣｕまたはＣｕ合金を用いると、
安価になる。
【００３０】有機物層７，７’は、材質が有機物に限定
される以外は、前記保護層２，２’と同等である。
【００３１】記録層３，３’、中間層４，４’、反射層
５，５’および上引き層６，６’では、組成が膜厚方向
に変化していてもよい。ただし、組成の変化は不連続的
でない方が好ましい。
【００３２】各層の形成方法は、真空蒸着，ガス中蒸
着，スパッタリング，イオンビーム蒸着，イオンプレー
ティング，電子ビーム蒸着，射出成形，キャスティン
グ，回転塗布，プラズマ重合などのうちのいずれかを適
宜用いることが出来る。保護層２，２’を無機物とすれ
ば、そのままの形で電子ビーム蒸着，スパッタリング等
で形成できる。また、反応性スパッタリングや、金属，
半金属，半導体の少なくとも１元素よりなる層を形成し
たのち、酸素，硫黄，窒素のうちの少なくとも一者と反
応させるようにして形成することも出来る。なお、スパ
ッタリングにより形成すると、組成および膜厚を管理し
やすく、製造コストが安価となるので好ましい。
【００３３】記録層３，３’をスパッタリングにより形
成すると、組成および膜厚を管理しやすく、製造コスト
が安価となるので好ましい。記録層３，３’をスパッタ
リングで形成する場合は、通常、アルゴンガスを用いる
が、アルゴンガス中に窒素ガスを混合したガスを用いて
スパッタリングしてもよい。これにより、ＳｅまたはＳ
の含有量の少ない組成の場合でも、消衰係数を小さくす
ることが出来る。窒素ガスの濃度は、３モル％以上，３
０モル％以下とするのが好ましい。
【００３４】反射層４，４’をスパッタリングにより形
成すると、組成および膜厚を管理しやすく、製造コスト
が安価となるので好ましい。
【００３５】各層の膜厚の好ましい範囲は、 層 膜厚（ｎｍ） 保護層２，２’ ２０〜１０００ （無機物の場合） 保護層２，２’ ５００〜１０ｍｍ （有機物の場合） 記録層３，３’ ５０〜１２０ 中間層４，４’ １０〜２００ 反射層５，５’ １５〜２５ 上引き層６，６’ ２０〜５００ であって、レプリカ基板１，１’側からのレーザ光に対
する未記録部または記録部の反射率が６５％以上となる
組合せである。
【００３６】各層の膜厚のより好ましい範囲は、 層 膜厚（ｎｍ） 保護層２，２’ ２０〜１０００ （無機物の場合） 保護層２，２’ ５００〜１０ｍｍ （有機物の場合） 記録層３，３’ ７０〜１１０ 中間層４，４’ １０〜１８０ 反射層５，５’ １５〜２５ 上引き層６，６’ ５０〜４００ であって、レプリカ基板１，１’側からのレーザ光に対
する未記録部または記録部の反射率が６５％以上となる
組合せである。
【００３７】各層の膜厚の特に好ましい範囲は、 層 膜厚（ｎｍ） 保護層２，２’ ４０〜６００ （無機物の場合） 保護層２，２’ ２μｍ〜１ｍｍ （有機物の場合） 記録層３，３’ ８０〜１００ 中間層４，４’ ３０〜１６０ 反射層５，５’ ２０〜２５ 上引き層６，６’ １００〜３００ であって、レプリカ基板１，１’側からのレーザ光に対
する未記録部または記録部の反射率が６５％以上となる
組合せである。
【００３８】なお、記録層以外の上記各層の材質や膜厚
は、本発明にかかる記録層に限らず、本発明に含まれな
い相変化記録層，相互拡散型記録層，光磁気記録層など
にも有効である。
【００３９】−第１製造例− 図１の両面ディスクＡを次の製造方法により製造した。 直径１３０ｍｍ，厚さ１．２ｍｍのディスク状ポリカ
ーボネート板の表面に、射出成形法によって、トラッキ
ング用１．５μｍピッチのスパイラル状の溝を形成し、
一周を４９セクターに分割し、各セクターの始まりで、
溝と溝の中間の山の部分（この部分を記録トラックと呼
ぶ）に、凹凸ピットの形で、トラックアドレスやセクタ
ーアドレスなど（この部分をヘッダー部と呼ぶ）を入
れ、レプリカ基板１とした。なお、溝と溝の中間の山の
部分を記録トラックとすることによって、溝から発生す
るノイズの影響を回避できる。 前記レプリカ基板１の上に、高周波マグネトロンスパ
ッタリング装置を用いて、ＳｉＯ2 の保護層２を２５０
ｎｍの膜厚に形成した。 続いて、原子％で(Ｉｎ)45(Ｓｅ)55の組成の記録層３
を、９０ｎｍの膜厚に形成した。 続いて、同一スパッタリング装置内で、原子％で(Ｚ
ｎＳ)60(ＳｉＯ2)40 の組成の中間層４を、７５ｎｍの
膜厚に形成した。 続いて、同一スパッタリング装置内で、原子％で(Ａ
ｌ)20(Ａｕ)80の組成の反射層５を、２０ｎｍの膜厚に
形成した。 続いて、同一スパッタリング装置内で、原子％で(Ｚ
ｎＳ)60(ＳｉＯ2)40 の組成の上引き層６を、２００ｎ
ｍの膜厚に形成した。 さらに、上引き層６の上に、紫外線硬化樹脂を回転塗
布し、硬化させて、５０μｍの厚さの有機物層７を形成
した。 同様にして、別のレプリカ基板１’上に、保護層
２’、記録層３’、中間層４’、反射層５’、上引き層
６’、有機物層７’を順に形成した。 このようにして作製した２枚の片面ディスクを、有機
物層７側および有機物層７’側を内側にして、接着剤層
８によって貼り合わせ、両面ディスクＡを製造した。
【００４０】上記両面ディスクＡを可逆型として用い、
光ディスクドライブ（記録・消去・再生装置）により、
記録，消去，再生の評価を行った。 両面ディスクＡの線速度を１．２ｍ／ｓ（回転数２７
０ｒｐｍ，半径位置４３ｍｍ）で回転させる。 波長７８０ｎｍの半導体レーザから低レベルのレーザ
パワーの連続光を、光ヘッド中の開口数（Numerical Ap
erture）０．５５の対物レンズで集光し、レプリカ基板
１を通して、記録層３の任意の半径位置に照射し、反射
光を検出することによって、記録トラックに光スポット
の中心が常に一致するように光ヘッドを駆動し、トラッ
キングを行った。また、記録層３上に焦点が来るように
自動焦点合わせを行った。 両面ディスクＡを初期化せずに、１ビーム方式による
オーバーライトで、ＥＦＭ（８−１４変調）での１１Ｔ
の繰り返し信号（０．１７ＭＨｚ，デューティー５０
％）を記録した。ディスク面上のパワーレベルは、図２
に示すように、記録を行う部分では結晶化を起こす中間
レベル（６ｍＷ）を用い、消去する部分では非晶質化を
起こす高レベル（９ｍＷ）を用いた。記録・消去する部
分以外では、低レベル（１ｍＷ）とした。 低レベル（１ｍＷ）の連続光を照射し、反射光の強弱
を検出して再生したところ、中間レベル（６ｍＷ）の照
射部の反射率は７２％，高レベル（９ｍＷ）の照射部の
反射率は２６％となり、再生信号変調度６４％，測定帯
域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比６０ｄＢの再生信号出力
が得られた。なお、中間レベルと高レベルの比は、０．
４：１〜０．８：１の範囲が好ましいことが判った。
【００４１】この上に、ＥＦＭでの６Ｔの繰り返し信
号（０．３６ＭＨｚ，デューティー５０％）をオーバー
ライトした。 低レベル（１ｍＷ）の連続光を照射し、反射光の強弱
を検出して再生したところ、中間レベル（６ｍＷ）の照
射部の反射率は７１％，高レベル（９ｍＷ）の照射部の
反射率は２７％となり、再生信号変調度６２％，測定帯
域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比５９ｄＢの再生信号出力
が得られた。この再生信号出力の前信号（１１Ｔの繰り
返し信号）消去比は２９ｄＢであった。また、この時の
書き換え可能回数は、１０万回以上であった。
【００４２】一方、両面ディスクＡを中間レベル（６
ｍＷ）の連続光で初期化して未記録部の反射率を７２％
とし、その後で上記のの記録・消去を行ったところ、
上記のと同じ結果が得られた。また、上記ののオー
バライトを行ったところ、上記のと同じ結果が得られ
た。ここで、記録を行う部分では非晶質化を起こす高レ
ベル（９ｍＷ）を用い、消去する部分では結晶化を起こ
す中間レベル（６ｍＷ）を用いた。従って、未記録部で
の反射率が６５％以上で記録部での反射率が４５％以下
であるか，未記録部での反射率が４５％以下で記録部で
の反射率が６５％以上であれば、記録を行う前に初期化
をしても，しなくても、良好な記録・再生特性を得られ
ることが判った。
【００４３】記録書き換え時に、最初の１回転または
数回転で上記高レベルに近いレベルの連続光を照射して
一旦消去し、次の１回転で情報信号に従って中間レベル
と高レベルとで変調したレーザ光を照射して記録した。 これを再生したところ、搬送波対雑音比および前信号
消去比が向上した。また、上記高レベルに近いレベル
は、高レベルの０．８倍〜１．１倍の範囲が好ましいこ
とが判った。
【００４４】上記両面ディスクＡは、耐酸化性が優れて
おり、６０℃，相対湿度９５％の条件下に３０００時間
放置しても、レーザ光に対する媒体反射率または透過率
の変化は無かった。また、ディスク線速度１．２ｍ／
ｓ，０．１７ＭＨｚの信号を記録した両面ディスクＡ
を、６０℃，相対湿度９５％の条件下に３０００時間放
置しても、再生信号変調度および搬送波対雑音比に変化
は見られなかった。また、ディスク線速度１１ｍ／ｓ，
３ＭＨｚ，デューティー５０％の信号を記録した両面デ
ィスクＡを、６０℃，相対湿度９５％の条件下に３００
０時間放置しても、再生信号変調度および搬送波対雑音
比に変化は見られなかった。
【００４５】−第２製造例− 第２製造例の両面ディスクＢとして、図１の両面ディス
クＡにおける記録層３の組成を原子％で(Ｉｎ)43(Ｓｅ)
53(Ｔｌ)4 に変えたものを製造した。この両面ディスク
Ｂを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記録・消
去・再生装置）により、記録，消去，再生の評価を行っ
た。 ディスク線速度を１１ｍ／ｓ（回転数２５００ｒｐ
ｍ，半径位置４２ｍｍ）として回転した。 両面ディスクＢを初期化せずに、１ビーム方式による
オーバーライトで、３ＭＨｚ，デューティー５０％の信
号を記録した。ディスク面上のパワーレベルは、図３に
示すように、記録を行う部分では結晶化を起こす中間レ
ベル（１６ｍＷ）を用い、消去する部分では非晶質化を
起こす高レベル（２４ｍＷ）を用いた。記録・消去する
部分以外では、低レベル（１ｍＷ）とした。 低レベル（１ｍＷ）の連続光を照射し、反射光の強弱
を検出して再生したところ、中間レベル（１６ｍＷ）の
照射部の反射率は７２％，高レベル（２４ｍＷ）の照射
部の反射率は２６％となり、再生信号変調度６４％，測
定帯域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比６１ｄＢの再生信号
出力が得られた。
【００４６】この上に、４ＭＨｚ，デューティー５０
％の信号をオーバーライトした。 低レベル（１ｍＷ）の連続光を照射し、反射光の強弱
を検出して再生したところ、中間レベル（１６ｍＷ）の
照射部の反射率は７１％，高レベル（２４ｍＷ）の照射
部の反射率は２５％となり、再生信号変調度６２％，測
定帯域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比６０ｄＢの再生信号
出力が得られた。この再生信号出力の前信号（３ＭＨ
ｚ，デューティー５０％信号）消去比は２８．５ｄＢで
あった。また、この時の書き換え可能回数は、３０万回
以上であった。
【００４７】一方、両面ディスクＢを中間レベル（１
６ｍＷ）の連続光で初期化して未記録部の反射率を７２
％とし、その後で上記のの記録・消去を行ったとこ
ろ、上記のと同じ結果が得られた。また、上記のの
オーバライトを行ったところ、上記のと同じ結果が得
られた。ここで、記録を行う部分では非晶質化を起こす
高レベル（２４ｍＷ）を用い、消去する部分では結晶化
を起こす中間レベル（１６ｍＷ）を用いた。従って、未
記録部での反射率が６５％以上で記録部での反射率が４
５％以下であるか，未記録部での反射率が４５％以下で
記録部での反射率が６５％以上であれば、記録を行う前
に初期化をしても，しなくても、良好な記録・再生特性
を得られることが判った。
【００４８】上記ディスクＢは、耐酸化性が優れてお
り、６０℃，相対湿度９５％の条件下に３０００時間放
置しても、レーザ光に対する媒体反射率または透過率の
変化は無かった。また、ディスク線速度１．２ｍ／ｓ，
０．１７ＭＨｚの信号を記録した両面ディスクＢを、６
０℃，相対湿度９５％の条件下に３０００時間放置して
も、再生信号変調度および搬送波対雑音比に変化は見ら
れなかった。また、ディスク線速度１１ｍ／ｓ，３ＭＨ
ｚ，デューティー５０％の信号を記録した両面ディスク
Ｂを、６０℃，相対湿度９５％の条件下に３０００時間
放置しても、再生信号変調度および搬送波対雑音比に変
化は見られなかった。
【００４９】−第３製造例− 第３製造例の両面ディスクＣとして、前記両面ディスク
ＡまたはＢにおける保護層２の組成を、レーザ光に対す
る複素屈折率の虚数部である消衰係数が０．２以下であ
るＺｎＳ，ＺｎＳ−ＳｉＯ2 系，ＳｉＯ，ＣｅＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3，ＺｒＯ2，Ｖ2Ｏ5，Ｔａ
Ｎ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等のうちいずれか又はこれらの混
合物に変えたものを製造した。なお、保護層２の膜厚
は、その組成の光学定数に合せて制御した。この両面デ
ィスクＣを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記
録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の評価
を行ったところ、前記両面ディスクＡと同様の記録・消
去特性が得られた。
【００５０】−第４製造例− 第４製造例の両面ディスクＤとして、前記両面ディスク
Ａ，Ｂ，Ｃにおける保護層２を、記録層３に近い側に厚
さ１６０ｎｍの(ＺｎＳ)60(ＳｉＯ2)40 の第１層，記録
層３から遠い側に厚さ２５０ｎｍのＳｉＯ2 の第２層を
配置した２層構造に変えたものを製造した。この両面デ
ィスクＤを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記
録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の評価
を行ったところ、５０万回以上の書き換えが可能であ
り、書き換え特性が良好であった。すなわち、保護層２
を２層構造以上の積層膜とすることで、保護強度を向上
できることが判った。
【００５１】−第５製造例− 第５製造例の両面ディスクＥとして、前記両面ディスク
Ａ，Ｂ，Ｃにおける保護層６を、記録層３に近い側に厚
さ２００ｎｍの(ＺｎＳ)60(ＳｉＯ2)40 の第１層，記録
層３から遠い側に厚さ２５０ｎｍのＳｉＯ2 の第２層を
配置した２層構造に変えたものを製造した。この両面デ
ィスクＥを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記
録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の評価
を行ったところ、７０万回以上の書き換えが可能であ
り、書き換え特性が良好であった。すなわち、保護層２
を２層構造以上の積層膜とすることで、保護強度を向上
できることが判った。
【００５２】−第６製造例− 第６製造例の両面ディスクＦとして、前記両面ディスク
Ｂにおける反射層５の膜厚を１０ｎｍから３０ｎｍに変
えたものを製造した。この両面ディスクＦを可逆型とし
て用い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生装置）
により、ディスク線速度１１ｍ／ｓ，３ＭＨｚ，デュー
ティー５０％の信号を、オーバーライト記録し、評価を
行ったところ、記録可能な、高レベルのパワーの範囲お
よび中間レベルの照射部の反射率は、次のようになっ
た。 反射層５の膜厚（ｎｍ） 高レベルのパワー（ｍＷ） 反射率（％） １０ ２０ ５０ １５ ２２ ６８ ２０ ２４ ７２ ２５ ２７ ７４ ３０ （注１） − （注１：記録感度が低下し、パワー３０ｍＷ以下では記
録不能であった。） このことから、反射層５の膜厚を、１５ｎｍ以上，２５
ｎｍ以下とすべきことが判った。
【００５３】−第７製造例− 第７製造例の両面ディスクＧとして、前記両面ディスク
Ａにおける記録層３の膜厚を４０ｎｍから１３０ｎｍに
変えると共に、中間層４の膜厚を１５ｎｍから１５０ｎ
ｍに変えたものを製造した。この両面ディスクＧを可逆
型として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生
装置）により、ディスク線速度１．２ｍ／ｓ，０．１７
ＭＨｚ，デューティー５０％の信号をオーバーライト記
録し、評価を行ったところ、中間レベルの照射部の反射
率が６５％以上で，高レベルの照射部の反射率が４５％
以下となる条件を満足する中間層４の膜厚の範囲は、図
４のようになった。このことから、記録層３の膜厚は、
５０ｎｍ以上，１２０ｎｍ以下とするのが好ましいこと
が判った。
【００５４】−第８製造例− 第８製造例の両面ディスクＨとして、前記両面ディスク
Ｂにおける上引き層６の膜厚を１０ｎｍから６００ｎｍ
に変えたものを製造した。この両面ディスクＨを可逆型
として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生装
置）により、ディスク線速度１１ｍ／ｓ，３ＭＨｚ，デ
ューティー５０％の信号と４ＭＨｚ，デューティー５０
％の信号とを交互にオーバーライト記録し、評価を行っ
たところ、記録可能な、高レベルのパワーの範囲および
書き換え可能回数は、次のようになった。 上引き層６の膜厚 高レベルのパワー 書き換え可能回数 （ｎｍ） （ｍＷ） （回） １０ ２０ ２千 ２０ ２０ １０万 ５０ ２１ １５万 １００ ２２ ２０万 １５０ ２３ ２５万 ２００ ２４ ３０万 ３００ ２５ ４０万 ４００ ２７ ５０万 ５００ ２９ ５０万以上 ６００ （注２） − （注２：記録感度が低下し、パワー３０ｍＷ以下では記
録不能であった。） このことから、上引き層６の膜厚は、２０ｎｍ以上，５
００ｎｍ以下とするのが好ましいことが判った。
【００５５】−第９製造例− 第９製造例の両面ディスクＩとして、前記両面ディスク
Ａにおける記録層３のＳｅ含有量の比率を３０ａｔ％〜
９５ａｔ％に変えたものを製造した。この両面ディスク
Ｉを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記録・消
去・再生装置）により、ディスク線速度１．２ｍ／ｓ，
０．１７ＭＨｚ，デューティー５０％の信号をオーバー
ライト記録し、評価を行ったところ、中間レベルの照射
部の反射率および非晶質状態からの結晶化温度は、次の
ようになった。 Ｓｅ含有量（ａｔ％） 反射率（％） 結晶化温度（℃） ３０ ４７ １２５ ３５ ５７ １３５ ４０ ６５ １５５ ４５ ６８ ２３０ ５０ ７０ ２９０ ５５ ７２ ３１０ ６０ ７４ ３２０ ７０ ７５ ２８０ ９０ ７５ １５０ ９５ ７５ ６０ このことから、Ｓｅ含有量は、４０ａｔ％以上，９０ａ
ｔ％以下とするのが好ましいことが判った。
【００５６】−第１０製造例− 第１０製造例の両面ディスクＪとして、前記両面ディス
クＢにおける記録層３のＴｌ含有量の比率を０ａｔ％〜
１５ａｔ％に変えたものを製造した。なお、ＩｎとＳｅ
の相対比率は一定に保った。この両面ディスクＪを可逆
型として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生
装置）により、ディスク線速度１１ｍ／ｓ，３ＭＨｚ，
デューティー５０％の信号を記録し、その上に４ＭＨ
ｚ，デューティー５０％の信号をオーバーライト記録
し、評価を行ったところ、消去比は、次のようになっ
た。また、記録層３を剥き出しにして８０℃，相対湿度
９０％中に放置し、再生信号が５ｄＢ低下するまでのデ
ータ保持寿命を測定したところ、次のようになった。 Ｔｌ含有量（ａｔ％） 消去比（ｄＢ） データ保持寿命（時間） ０ ２０ ３０００以上 １ ２４ ３０００以上 ２ ２６ ３０００以上 ４ ２８．５ ３０００以上 ６ ２９．５ ３０００ ８ ３０ ２５００ １０ ３０ ２０００ １５ ３０ ５００ このことから、ディスク線速度１１ｍ／ｓに対しては、
Ｔｌ含有量は、２ａｔ％以上，１０ａｔ％以下、特に２
ａｔ％以上，６ａｔ％以下とするのが好ましいことが判
った。
【００５７】−第１１製造例− 第１１製造例の両面ディスクＫとして、前記両面ディス
クＢにおける記録層３のＴｌをＣｏに変え、その含有量
の比率を０ａｔ％〜２５ａｔ％に変えたものを製造し
た。なお、ＩｎとＳｅの相対比率は一定に保った。この
両面ディスクＫを可逆型として用い、光ディスクドライ
ブ（記録・消去・再生装置）により、ディスク線速度１
１ｍ／ｓ，３ＭＨｚ，デューティー５０％の信号を記録
し、その上に４ＭＨｚ，デューティー５０％の信号をオ
ーバーライト記録し、評価を行ったところ、記録可能
な、高レベルのパワーおよび消去比は、次のようになっ
た。 Ｃｏ含有量（ａｔ％） 高レベルのパワー（ｍＷ） 消去比（ｄＢ） ０ ２４ ２０ １ ２３ ２３ ２ ２２ ２５ ４ ２０ ２８ ６ ２２ ３０ ８ ２３ ３０ １０ ２６ ３０ １５ ２８ ３０ ２０ ３０ ３０ ２５ 記録感度低下 − このことから、ディスク線速度１１ｍ／ｓに対しては、
Ｃｏ含有量は、２ａｔ％以上，１０ａｔ％以下、特に２
ａｔ％以上，８ａｔ％以下とするのが好ましいことが判
った。なお、Ｃｏの一部または全部の代りに、Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇまたは
Ａｕのうちの少なくとも１元素を用いても同様の結果が
得られた。
【００５８】−第１２製造例− 第１２製造例の両面ディスクＬとして、前記両面ディス
クＡまたはＢにおける記録層３の組成のＩｎの一部また
は全部を、Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｇａのうち
の少なくとも１元素に変えたものを製造した。この両面
ディスクＬを可逆型として用い、光ディスクドライブ
（記録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の
評価を行ったところ、前記両面ディスクＡまたはＢと同
様の記録・消去特性が得られた。
【００５９】−第１３製造例− 第１３製造例の両面ディスクＭとして、前記両面ディス
クＡまたはＢにおける記録層３の組成のＩｎの一部を、
Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｓｂ，Ｇｅのう
ちの少なくとも１元素に変えたものを製造した。この両
面ディスクＭを可逆型として用い、光ディスクドライブ
（記録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の
評価を行ったところ、前記両面ディスクＡまたはＢと同
様の記録・消去特性が得られた。
【００６０】−第１４製造例− 第１４製造例の両面ディスクＮとして、前記両面ディス
クＡにおける中間層４の組成を、 ＺｎＳ-ＳｉＯ2 系と
同じくレーザ光を多重干渉させるＺｎＳ，ＳｉＯ2，Ｓ
ｉＯ，ＣｅＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3，Ｚｒ
Ｏ2，Ｖ2Ｏ5，ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等のうちのい
ずれか又はこれらの混合物に変えたものを製造した。な
お、その組成の屈折率に合わせて、光学的膜厚が同じに
なるように膜厚を制御した。この両面ディスクＮを可逆
型として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生
装置）により、記録，消去，再生の評価を行ったとこ
ろ、前記両面ディスクＡと同様の記録・消去特性が得ら
れた。
【００６１】また、上記組成のうち、ＺｎＳまたはＺｎ
Ｓを含む混合物は、レーザ光照射時の膜変形を少なくで
きるため、５万回以上書き換えを行っても、ノイズの上
昇が３ｄＢ以下と少なかった。また、上記組成のうち、
ＳｉＯ2またはＳｉＯ2を含む混合物は、レーザ光照射時
の膜の熱膨張を少なくできるため、５万回以上書き換え
を行っても、ノイズの上昇が３ｄＢ以下と少なかった。
【００６２】−第１５製造例− 第１５製造例の両面ディスクＯとして、前記両面ディス
クＢにおける中間層４の組成を、 ＺｎＳ-ＳｉＯ2 系と
同じくレーザ光を多重干渉させるＺｎＳ，ＳｉＯ2，Ｓ
ｉＯ，ＣｅＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，Ｙ2Ｏ3，Ｚｒ
Ｏ2，Ｖ2Ｏ5，ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ等のうちのい
ずれか又はこれらの混合物に変えたものを製造した。な
お、その組成の屈折率に合わせて、光学的膜厚が同じに
なるように膜厚を制御した。この両面ディスクＯを可逆
型として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生
装置）により、記録，消去，再生の評価を行ったとこ
ろ、前記両面ディスクＢと同様の記録・消去特性が得ら
れた。
【００６３】また、上記組成のうち、ＺｎＳまたはＺｎ
Ｓを含む混合物は、レーザ光照射時の膜変形を少なくで
きるため、５万回以上書き換えを行っても、ノイズの上
昇が３ｄＢ以下と少なかった。また、上記組成のうち、
ＳｉＯ2またはＳｉＯ2を含む混合物は、レーザ光照射時
の膜の熱膨張を少なくできるため、５万回以上書き換え
を行っても、ノイズの上昇が３ｄＢ以下と少なかった。
【００６４】−第１６製造例− 第１６製造例の両面ディスクＰとして、前記両面ディス
クＡにおける反射層５の組成を、Ａｌ−Ａｕ系と同じく
８０％以上の高反射率であるＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌの
いずれか又は他の元素を含むＣｕ合金，Ａｇ合金，Ａｕ
合金，Ａｌ合金等に変えたものを製造した。この両面デ
ィスクＰを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記
録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の評価
を行ったところ、前記両面ディスクＡと同様の記録・消
去特性が得られた。
【００６５】また、上記組成のうち、Ａｌ，Ｃｕまたは
Ａｌ合金，Ｃｕ合金を用いると、最も安価に製造するこ
とが出来た。また、上記組成のうち、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ
またはＣｕ合金，Ａｇ合金，Ａｕ合金を用いると、熱伝
導率が大きいため、レーザ光照射時の各層での余分な温
度上昇を押さえ、膜変形を防ぐことができるため、５万
回以上書き換えを行っても、ノイズの上昇が３ｄＢ以下
と少なかった。また、上記組成のうち、ＡｕまたはＡｕ
合金を用いると、耐環境性が最も高く、剥き出しにして
８０℃，相対湿度９０％中に放置したとき、再生信号が
５ｄＢ低下するまでのデータ保持寿命は、５０００時間
以上であった。 −第１７製造例− 第１７製造例の両面ディスクＱとして、前記両面ディス
クＢにおける反射層５の組成を、Ａｌ−Ａｕ系と同じく
８０％以上の高反射率であるＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌの
いずれか又は他の元素を含むＣｕ合金，Ａｇ合金，Ａｕ
合金，Ａｌ合金等に変えたものを製造した。この両面デ
ィスクＱを可逆型として用い、光ディスクドライブ（記
録・消去・再生装置）により、記録，消去，再生の評価
を行ったところ、前記両面ディスクＢと同様の記録・消
去特性が得られた。
【００６６】また、上記組成のうち、Ａｌ，Ｃｕまたは
Ａｌ合金，Ｃｕ合金を用いると、最も安価に製造するこ
とが出来た。また、上記組成のうち、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ
またはＣｕ合金，Ａｇ合金，Ａｕ合金を用いると、熱伝
導率が大きいため、レーザ光照射時の各層での余分な温
度上昇を押さえ、膜変形を防ぐことができるため、５万
回以上書き換えを行っても、ノイズの上昇が３ｄＢ以下
と少なかった。また、上記組成のうち、ＡｕまたはＡｕ
合金を用いると、耐環境性が最も高く、剥き出しにして
８０℃，相対湿度９０％中に放置したとき、再生信号が
５ｄＢ低下するまでのデータ保持寿命は、５０００時間
以上であった。 −第１８製造例− 第１８製造例の両面ディスクＲとして、前記両面ディス
クＡまたはＢにおけるレプリカ基板１を、化学強化ガラ
ス板，ポリカーボネート板，ポリオレフィン板，エポキ
シ板またはアクリル樹脂板等のいずれかの表面にフォト
ポリメリゼイション法によりトラッキング用の溝を有す
る紫外線硬化樹脂層を形成したレプリカ基板に変えたも
のを製造した。この両面ディスクＲを可逆型として用
い、光ディスクドライブ（記録・消去・再生装置）によ
り、記録，消去，再生の評価を行ったところ、前記両面
ディスクＡまたはＢと同様の記録・消去特性が得られ
た。
【００６７】−第１９製造例− 第１９製造例の両面ディスクＳとして、前記両面ディス
クＡにおける記録層３の組成のＳｅの一部または全部
を、Ｓに変えたものを製造した。この両面ディスクＳを
可逆型として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・
再生装置）により、記録，消去，再生の評価を行ったと
ころ、前記両面ディスクＡと同様の記録・消去特性が得
られた。但し、Ｓの含有量が多いほど、耐酸化性が劣化
した。
【００６８】−第２０製造例− 第２０製造例の両面ディスクＴとして、前記両面ディス
クＢにおける記録層３の組成のＳｅの一部または全部
を、Ｓに変えたものを製造した。この両面ディスクＴを
可逆型として用い、光ディスクドライブ（記録・消去・
再生装置）により、記録，消去，再生の評価を行ったと
ころ、前記両面ディスクＢと同様の記録・消去特性が得
られた。但し、Ｓの含有量が多いほど、耐酸化性が劣化
した。
【００６９】
【発明の効果】本発明によれば、無機物からなる記録層
材料の原子配列変化により記録を行うタイプの情報記録
媒体において、レーザ光に対する未記録部の反射率が６
５％以上と高くても記録・消去・再生特性が良好で、記
録データの保持寿命が長く、耐環境性に優れた情報記録
用媒体を得ることが出来る。また、本発明の情報記録用
媒体に記録した情報は、広く普及している再生専用型の
ＣＤドライブ，レーザディスクドライブ等の装置で読み
出すことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の両面ディスクの構造を示す
断面図である。
【図２】第１製造例におけるオーバーライト用記録レー
ザ波形を示す説明図である。
【図３】第２製造例におけるオーバーライト用記録レー
ザ波形を示す説明図である。
【図４】第７製造例における評価結果の図表である。
【符号の説明】
Ａ 両面ディスク １，１’ レプリカ基板 ２，２’ 保護層 ３，３’ 記録層 ４，４’ 中間層 ５，５’ 反射層 ６，６’ 上引き層 ７，７’ 有機物層 ８ 接着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀籠 信吉 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、その基板上に直接もしくは保護
    層を介して積層されレーザ光の照射を受けて実質的に形
    状変化を伴わずに原子配列変化が生じて光学定数が変化
    する無機物からなる記録層と、その記録層上に積層され
    た中間層と、その中間層上に積層され前記レーザ光を反
    射する反射層と、その反射層上に積層された上引き層と
    から少なくとも形成される情報記録用媒体において、 基板側からのレーザ光に対する反射率が、未記録部また
    は記録部のいずれか一方で６５％以上，他方で４５％以
    下であり、 反射層の膜厚が、１５ｎｍ以上，２５ｎｍ以下であるこ
    とを特徴とする情報記録用媒体。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の情報記録用媒体におい
    て、反射層が、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕまたはこれらを
    含む合金であることを特徴とする情報記録用媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の情報記
    録用媒体において、積層順序が、基板に近い側から順
    に、記録層、中間層、反射層、上引き層となることを特
    徴とする情報記録用媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
    の情報記録用媒体において、記録層、中間層、反射層お
    よび上引き層がそれぞれ隣接していることを特徴とする
    情報記録用媒体。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
    の情報記録用媒体において、記録層の膜厚が、５０ｎｍ
    以上，１２０ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録
    用媒体。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
    の情報記録用媒体において、記録層の未記録部または記
    録部のどちらか一方でのレーザ光に対する複素屈折率の
    虚数部である消衰係数が、０．２以下であることを特徴
    とする情報記録用媒体。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
    の情報記録用媒体において、記録層が、ＳｅまたはＳの
    うち少なくとも１元素を含有することを特徴とする情報
    記録用媒体。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の情報記録用媒体におい
    て、ＳｅまたはＳの含有量が、４０ａｔ％以上，９０ａ
    ｔ％以下であることを特徴とする情報記録用媒体。
  9. 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかに記載
    の情報記録用媒体において、記録層が、ＳｅまたはＳの
    うち少なくとも１元素およびＩｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，
    Ｓｉ，ＰｂまたはＧａのうちの少なくとも１元素を含有
    することを特徴とする情報記録用媒体。
  10. 【請求項１０】 請求項１から請求項８のいずれかに記
    載の情報記録用媒体において、記録層が、ＳｅおよびＩ
    ｎおよびＳｎ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｓｉ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｓｂま
    たはＧｅのうちの少なくとも１元素を含有することを特
    徴とする情報記録用媒体。
  11. 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
    記載の情報記録用媒体において、記録層が、Ｓｅまたは
    Ｓのうち少なくとも１元素およびＴｌ，Ｃｏ，Ｔｉ，
    Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇまたは
    Ａｕのうちの少なくとも１元素を含有することを特徴と
    する情報記録用媒体。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の情報記録用媒体に
    おいて、ＴｌまたはＣｏの含有量が、２ａｔ％以上，１
    ０ａｔ％以下であることを特徴とする情報記録用媒体。
  13. 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
    記載の情報記録用媒体において、中間層のレーザ光に対
    する複素屈折率の虚数部である消衰係数が、０．２以下
    であることを特徴とする情報記録用媒体。
  14. 【請求項１４】 請求項１から請求項１３のいずれかに
    記載の情報記録用媒体において、上引き層のレーザ光に
    対する複素屈折率の虚数部である消衰係数が、０．２以
    下であることを特徴とする情報記録用媒体。
  15. 【請求項１５】 請求項１から請求項１４のいずれかに
    記載の情報記録用媒体において、上引き層の膜厚が、２
    ０ｎｍ以上，５００ｎｍ以下であることを特徴とする情
    報記録用媒体。
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