JPH08258418A - 情報記録用媒体 - Google Patents

情報記録用媒体

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JPH08258418A
JPH08258418A JP7060307A JP6030795A JPH08258418A JP H08258418 A JPH08258418 A JP H08258418A JP 7060307 A JP7060307 A JP 7060307A JP 6030795 A JP6030795 A JP 6030795A JP H08258418 A JPH08258418 A JP H08258418A
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JP
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layer
recording
recording medium
information recording
substrate
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Tetsuya Nishida
哲也 西田
Yumiko Anzai
由美子 安齋
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Hitachi Ltd
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 記録・再生特性が良好で、記録感度が高く、
書き換え性能の良い情報記録用媒体を提供すること。 【構成】 基板と、該基板上に直接もしくは無機物及び
有機物のうち少なくとも一者からなる保護層を介して設
けられた記録用エネルギービームの照射を受けて形状変
化を伴わずに原子配列変化が生じて光学定数が変化する
記録層と、該記録用エネルギービームを反射する反射層
と、を少なくとも有し、該記録層の平均組成を一般式：
ＡwＧｅxＴｅyＳｅz（ただし、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、原
子パーセントでそれぞれ１≦ｗ≦２０、３０≦ｘ≦７
０、１≦ｙ≦３０、１≦ｚ≦３０の範囲の値であり、Ａ
は、Sb,Bi,Al,Ga,In,Si,Sn,Pb,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,N
i,Zn,Y,Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Pd,Cd,La,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,P
t,Au,Ag及びCuの内の少なくとも一元素を表す）で表さ
れる材料で構成する。 【効果】 記録・消去・再生特性が良好で、記録・消去
感度が高く、長期間安定性に優れた、情報記録用媒体を
得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光、電子線等の
記録用エネルギービームによって、映像や音声等のアナ
ログ信号をＦＭ変調したものや、電子計算機のデータ
や、ファクシミリ信号や、ディジタルオーディオ信号等
のディジタル情報をリアルタイムで記録することが可能
な情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光、電子線等のエネルギービーム
によって薄膜に記録を行う記録方式は種々あるが、記録
層材料自身の結晶、非晶質間、または結晶、結晶間の相
変化（相転移とも呼ばれる）、構成した薄膜の層間での
原子の拡散、及びフォトダークニング等の原子配列変化
が生じて光学定数が変化することを利用する記録方式で
は、構成した薄膜の変形をほとんど伴わない。そこで、
傷防止のための保護コート剤で表面を覆っただけの単板
ディスク、２枚のディスクを直接貼り合わせた両面ディ
スクができるという長所を持っている。この種の記録に
関する発明は多数出願されており、最も早いものは特公
昭４７‐２６８９７号公報に、Ｔｅ‐Ｇｅ系、Ａｓ‐Ｔ
ｅ‐Ｇｅ系、Ｔｅ‐Ｏ系など多くの薄膜について述べら
れている。また、特公昭５７−２４０３９号公報には、
Ｓｂ25Ｔｅ12.5Ｓｅ62.5、Ｃｄ14Ｔｅ14Ｓｅ72、Ｂｉ2
Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｓｅ3、Ｉｎ20Ｔｅ20Ｓｅ60、Ｂｉ25 Ｔｅ
12.5Ｓｅ62.5、ＣｕＳｅ及びＴｅ33Ｓｅ67の薄膜が述べ
られている。
【０００３】また、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＣＤ
−ＲＯＭ、Ｖｉｄｅｏ−ＣＤ、レーザディスク、等の再
生専用型光情報記憶媒体では、大量生産に適するため、
予め情報を持った凹又は凸状のプリピットをインジェク
ション法、フォトポリメリゼイション法等の転写技術に
よってポリカーボネート基板、アクリル基板等に形成
し、この上にＡｌ、Ａｕ等の再生用エネルギービームに
対して７０％以上の高反射率を有する金属反射層を直接
形成し、さらにこの上に傷防止のための有機物保護層を
形成した構造を有している。そこで、上記再生専用型光
情報記憶媒体の平坦部での再生用エネルギービームに対
する反射率は７０％以上とかなり高い。従って、記録用
エネルギービームを用いた記録可能な情報記録用媒体が
上記、再生専用型光情報記憶媒体と完全互換性を有する
ためには未記録部または記録部の反射率が７０％以上と
高くなくてはならない。上記情報記録用媒体として、記
録層材料の原子配列変化による光学定数の変化により記
録（または消去）を行うタイプ情報記録用媒体につい
て、特開平４−２２８１２６号公報、特開平４−２５４
９２５号公報及び特開平６−４４６０６号公報に述べら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の情報記
録媒体は、記録層組成、膜構造が最適化されていなかっ
たので、いずれの媒体でも、一回書き込み可能あるいは
書き換え可能な情報記録媒体として用いる場合に、再生
信号強度が充分でない、再生波形の歪みが大きい、消え
残りが大きい、記録感度が悪い、書き換え回数が少な
い、等の問題があった。
【０００５】本発明の目的は、記録・再生特性が良好
で、記録感度が高く、書き換え性能の良い情報記録用媒
体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の情報記録用媒体は、基板と、該基板上に直
接もしくは無機物及び有機物のうち少なくとも一者から
なる保護層を介して設けられた記録用エネルギービーム
の照射を受けて形状変化を伴わずに原子配列変化が生じ
て光学定数が変化する記録層と、該記録用エネルギービ
ームを反射する反射層と、を少なくとも有し、該記録層
の平均組成を一般式ＡwＧｅxＴｅyＳｅz（ただし、ｗ、
ｘ、ｙ及びｚは、原子パーセントでそれぞれ１≦ｗ≦２
０、３０≦ｘ≦７０、１≦ｙ≦３０、１≦ｚ≦３０の範
囲の値であり、Ａは、Ｓｂ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕの内の少なくとも
一元素を表す）で表される材料で構成する。ここで、本
発明において、記録層や反射層の平均組成とは膜厚方向
の平均組成をいう。
【０００７】本発明の情報記録媒体に記録した情報を、
既に広く普及している再生専用型のＣＤ、レーザディス
ク等の装置で読み出すことができるためには、該情報記
録媒体において、基板側からの再生用エネルギービーム
に対する媒体の反射率が未記録部で６５％以上、記録部
で４５％以下であるか、または未記録部で４５％以下、
記録部で６５％以上であるか、のどちらか一方であるも
のが好ましい。
【０００８】また、本発明の情報記録媒体において、媒
体反射率を高めるためには、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、または
Ｃｕのうち少なくとも１元素をを含有する記録層を用い
ることが好ましい。記録感度を高めるためには、該反射
層の２９８Ｋにおける電気抵抗率が７μΩ・ｃｍ以上で
あるものが好ましい。
【０００９】本発明の情報記録媒体において再生信号強
度を大きくするためには、該情報記録用媒体の媒体構成
は基板側から基板、下部保護層、記録層、上部保護層、
反射層の順に形成されるものが好ましい。また、媒体反
射率を高く保ったまま再生信号強度を大きくするために
は、該情報記録用媒体の媒体構成は基板側から基板、下
部反射層、下部保護層、記録層、上部保護層、上部反射
層の順に形成されるものが好ましい。
【００１０】本発明の情報記録媒体中の記録層及び反射
層では膜厚方向の平均組成が上記の範囲内に有れば膜厚
方向に組成が変化していてもよい。ただし、組成の変化
は不連続的でない方がより好ましい。
【００１１】本発明の情報記録媒体中の一部分に、再生
専用型のデータを予め基板上に凹又は凸状のプリピット
の形で形成し、混在させたものは、同じデータ領域を大
量に製造する場合のコストを安価にできる。
【００１２】
【作用】本発明の情報記録用媒体中の記録層では、レー
ザ光、電子線等のエネルギービームの照射を受けても形
状変化せずに、原子配列変化として相変化（記録層材料
自身の結晶、非晶質間、または結晶、結晶間の相変
化）、原子の拡散（構成した薄膜の層間での原子の移
動）または、フォトダークニングが起こり、光学定数が
変化する。情報の再生は記録層に変化を起こすことのな
い照射時間及びパワーの再生用エネルギービームで行
う。
【００１３】本発明の情報記録用媒体のうち、鏡面部分
での未記録部の初期反射率が７０％以上で記録部の反射
率が２８％以下のものは、ＣＤ規格であるレッドブック
及びＣＤ−Ｒ（追記型ＣＤ）規格であるオレンジブッ
ク、パート２に完全準拠できる点で好ましい。
【００１４】記録及び消去は、上記の原子配列変化を起
こさせることができ、かつ記録層に大きな変形を生じさ
せることのない照射時間及びパワーのエネルギービーム
（例えば、半導体レーザ光）で行い、再生は原子配列変
化を起こすことのない照射時間及びパワーのエネルギー
ビームで行う。
【００１５】本発明の情報記録媒体中の記録層の各群元
素の役割は下記の通りである。Ｇｅ、ＴｅおよびＳｅを
含む合金系では非晶質状態の安定性を保持したまま記録
時の結晶化を高速で行うことができる。しかも、記録層
の結晶、非晶質間での光学定数の差が大きいため、再生
信号強度も大きくできる。さらに、Ａで表されるＳｂ等
の元素とを共存させることによって、非晶質状態の安定
性をさらに高め、書き換え性能、記録点の寿命、等をさ
らに大きく向上することができる。
【００１６】Ａで表される元素郡中の典型元素の内、Ｓ
ｂ、ＢｉのＶｂ族元素は、書き換え性能を高めるという
点で好ましい。Ｓｉ、Ｓｎ、ＰｂのIVｂ族元素は非晶質
状態の安定性を向上させる点で好ましく、Ａｌ、Ｇａ、
ＩｎのIIIｂ族元素は再生信号強度を大きくするという
点で好ましい。
【００１７】Ａで表される元素郡中の遷移金属元素の
内、Ａｕ、 Ａｇ、ＣｕのＩｂ族元素は記録時の結晶化
速度を高めるという点で好ましい。Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ等
の他の遷移金属元素は多数回書き換え時の再生波形の歪
みが小さいという点で好ましい。
【００１８】Ａで表される元素郡中の典型元素の内で、
Ｖｂ族元素のうち好ましい元素はＳｂであり、IVｂ族元
素のうち好ましい元素はＳｎであり、IIIｂ族のうち好
ましい元素はＢｉである。 Ａで表される元素郡中の遷
移金属元素の内で、Ｉｂ族元素のうち好ましい元素はＡ
ｇであり、Ｉｂ族以外の元素のうち好ましい元素はＣｒ
およびＣｏである。
【００１９】Ａで表される元素の添加量は１原子％以上
２０原子％以下が好ましい。それ以上添加すると、記録
・再生特性が劣化する。また、Ａで表される元素中の添
加量は２原子％以上１５原子％以下がより好ましく、４
原子％以上１０原子％以下がさらに好ましい。
【００２０】Ａｒ、Ｘｅ等の希ガス元素は記録層等の形
成時のスパッタリング等の条件により記録層等に混入す
る場合がある。該希ガス元素の添加によって記録・再生
特性に特に顕著な効果はないが、添加量が５原子％未満
と少なければ大きな悪影響はない。但し、５原子％以上
混入すると、多数回書き換え時の再生波形の歪みが大き
くなる。
【００２１】記録層の各構成元素の割合ｗ、ｘ、ｙ及び
ｚのより好ましい範囲は下記の通りである。
【００２２】 １≦ｗ≦２０、０．４≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．６５ また、ｗ、ｘ、ｙ及びｚのさらに好ましい範囲は下記の
通りである。
【００２３】 １≦ｗ≦１５、０．４５≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．６ また、ｗ、ｘ、ｙ及びｚの特に好ましい範囲は下記の通
りである。
【００２４】２≦ｗ≦１０、０．４５≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋
ｚ）≦０．６、０．４５≦ｙ／（ｙ＋ｚ） 記録層中の各元素の含有量の膜厚方向の変化は通常は小
さいが、任意のパターンの変化が存在しても差し支えな
い。特にＳｅについては、記録層のいずれか一方の界面
付近（他の層との界面である場合も有る）においてその
内側よりも多いと、耐酸化性が向上する。
【００２５】本発明の報記録媒体中の記録層の少なくと
も一方の面は他の物質からなる保護層で密着して保護さ
れていれば、情報記録媒体の耐環境性が向上する。もち
ろん両側が保護されていれば、情報記録媒体の耐環境性
がさらに向上し、可逆型として用いた時の書き換え性能
が向上する。
【００２６】これらの保護層は、例えば酸化物、弗化
物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物、ホウ素、炭素
あるいは金属等を主成分とする無機物より形成されてい
てもよい。また、例えばアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテ
レフタレート、フッ素樹脂（ポリ４フッ化エチレン等）
及び紫外線硬化樹脂等の有機物より形成されていてもよ
い。さらに、これらの複合材料より形成されていてもよ
い。
【００２７】無機物保護層の例を挙げると、Ｃｅ、Ｌ
ａ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔ
ｅ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ及び
Ｗよりなる群より選ばれた少なくとも一元素の酸化物、
Ｃｄ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ
ｉよりなる群より選ばれた少なくとも一元素の硫化物、
Ｍｇ、Ｃｅ、Ｃａ等の弗化物、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｂ等
の窒化物、Ｂ、Ｓｉ等の炭化物、Ｔｉ等のホウ化物、ホ
ウ素、炭素より成るものであって、例えば主成分がＳｉ
Ｏ2、ＳｉＯ、ＣｅＯ2、Ｌａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ
3、ＧｅＯ、ＧｅＯ2、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ2、Ｂｉ2
Ｏ3、ＴｅＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、ＺｒＯ2、Ｖ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、ＷＯ2、Ｗ
Ｏ3、ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｉｎ2Ｓ3、Ｓｂ2Ｓ3、Ｇａ2Ｓ
3、ＧｅＳ、ＳｎＳ、ＳｎＳ2、ＰｂＳ、Ｂｉ2Ｓ3、Ｍｇ
Ｆ2、ＣｅＦ3、ＣａＦ2、ＴａＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、
ＢＮ、Ｓｉ、ＴｉＢ2、Ｂ4Ｃ、ＳｉＣ、Ｂ、Ｃのうちの
一者に近い組成をもったもの及びこれらの混合物であ
る。これらの無機物保護層のうち、硫化物ではＺｎＳに
近いものが、屈折率が適当な大きさで層が安定である点
で好ましい。窒化物では表面反射率があまり高くなく、
層が安定であり、強固である点で、ＴａＮ、Ｓｉ3Ｎ4又
はＡｌＮ（窒化アルミニウム）に近い組成のものが好ま
しい。酸化物で好ましいのはＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｙ2Ｏ
3、Ｓｃ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、
Ｉｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＳｎＯ2又はに近い組成のもので
ある。Ｓｉの水素を含む非晶質も好ましい。混合物のう
ち、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は記録感度が良好な点で
好ましい。
【００２８】無機物および有機物保護層のうちでは、記
録層は無機物保護層と密着している方が耐熱性の面で好
ましい。しかし無機物層を厚くするのは、クラック発
生、透過率低下、感度低下のうちの少なくとも１つを起
こしやすいので上記無機物層は薄くし、無機物層の記録
層と反対の側には、機械的強度を増すために厚い有機物
層が密着している方が好ましい。これによって変形も起
こりにくくなる。有機物層に用いる材料としては、例え
ば、ポリスチレン、ポリ４フッ化エチレン、ポリイミ
ド、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ホット
メルト接着剤として知られているエチレン−酢酸ビニル
共重合体等、粘着剤及び紫外線硬化樹脂等がある。
【００２９】無機物よりなる保護層の場合は、そのまま
の形で電子ビーム蒸着、スパッタリング等で形成しても
よいが、反応性スパッタリングや、金属、半金属、半導
体の少なくとも一元素よりなる層を形成したのち、酸
素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一者と反応させるよ
うにすると製造が容易である。
【００３０】保護層を多層にすればさらに保護効果が高
まる。例えば厚さ１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＳｉＯ
2に近い組成の薄膜を記録層から遠い側に形成し、厚さ
１０ｎｍ以上〜３００ｎｍ以下のＺｎＳに近い組成の薄
膜を記録層に近い側に形成すると、耐環境性及び記録・
消去特性が大きく向上し、書き換え性能も大幅に向上で
きる。上記保護層を基板側（光入射側）に形成する場合
は、再生信号強度を大きくするための反射防止層を兼ね
ることができる。
【００３１】本発明の情報記録用媒体中の記録層は、共
蒸着や共スパッタリング等によって、保護層として使用
可能と述べた酸化物、弗化物、窒化物、有機物等、ある
いは炭素又は炭化物の中に分散させた形態としてもよ
い。そうすることによって光吸収係数を調節し、再生信
号強度を大きくすることができる場合が有る。混合化率
は、酸素、弗素、窒素、炭素が層全体で占める割合が４
０％以下が好ましい。このような複合膜化を行うことに
より、結晶化の速度が低下し、感度が低下するのが普通
である。ただし有機物と混合した複合膜では感度が向上
する。
【００３２】本発明の情報記録用媒体中の反射層の膜厚
方向の平均組成が、一般式(Ａｕ)100-x(Ａ)x（ただし、
ｘは原子％で０．５≦ｘ≦１５の値であり、Ａで表され
る元素はＡｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔ
ｅ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ｔｌ、Ｐｂ及びＢｉのうちの少なくとも一元素）また
は、一般式(Ａｕ)100-y(Ｄ)y（ただし、ｙは原子％で１
５≦ｙ≦８５の値であり、ＤはＡｇ及びＣｕのうちの少
なくとも一元素）で表されるものであると、反射層自身
の再生用光ビームに対する反射率が８５％以上と高く、
２９８Ｋにおける電気抵抗率が７μΩ・ｃｍ以上である
ため熱伝導率が１０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下と低い。従って、
該情報記録用媒体の基板側からの該再生用光ビームに対
する媒体の反射率が未記録部で６５％以上あるいは記録
部で６５％以上である場合、記録感度および消去感度が
大きく向上するので好ましい。
【００３３】各層の膜厚に関しては、下記の範囲で、良
好な記録・消去・再生が可能であり、好ましい。
【００３４】 記録層膜厚 ： ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下 反射層膜厚 ： ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下 無機物保護層 ： ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下 有機物保護層 ： ５００ｎｍ以上 ５ｍｍ以下 また、下記の範囲で、さらに良好な記録・再生が可能で
あり、より好ましい。 記録層膜厚 ： １０ｎｍ以上３００ｎｍ以下 反射層膜厚 ： ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下 無機物保護層 ： １０ｎｍ以上３００ｎｍ以下 有機物保護層 ： ２μｍ以上０．５ｍｍ以下 記録層の、基板と反対側に反射層を設けることにより、
高再生信号変調度を得ることができる。この場合、反射
層の膜厚は３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
【００３５】また、反射層を記録層の両側に設けること
により、高反射率と高再生信号変調度を両立することが
できる。この場合、基板側の下部反射層の膜厚は５ｎｍ
以上３０ｎｍ以下が好ましく、基板と反対側の上部反射
層の膜厚は３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
【００３６】さらに、記録層膜厚に関しては、１０ｎｍ
以上２５０ｎｍ以下の範囲では、光の干渉の効果によっ
て、記録による反射率変化が大きくなるため特に好まし
い。また、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲では、記
録感度も高いためさらに好ましい。
【００３７】以上の基板および各層の形成方法は、射出
成形、フォトポリメリゼーション法（２Ｐ法）、キャス
ティング、および、真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリ
ング、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、電子
ビーム蒸着、回転塗布、プラズマ重合、等のうちいずれ
かを適宜選部ものである。反射層、無機物記録層、及び
無機物保護層は、全てスパッタリングにより形成する
と、組成および膜厚を管理しやすく、製造コストが安価
となるので好ましい。
【００３８】本発明の記録層においては、相変化、原子
の拡散、フォトダークニングの他にも、記録用エネルギ
ービームの照射により、記録層の形状変化をほとんど伴
わないなんらかの原子配列変化によって光学的性質の変
化を起こさせればよい。たとえば結晶粒径や結晶形の変
化、結晶、準安定状態（π、γ等）間、準安定状態間同
士の変化などでもよい。非晶質状態と結晶状態の変化で
も、非晶質は完全な非晶質でなく、結晶部分が混在して
いてもよい。また、記録層と保護層、中間層のうちの少
なくとも一者との間で、これらの層を構成する原子のう
ちの一部が移動（化学反応等による）することにより、
あるいは相変化と原子移動との両方により記録されても
よい。
【００３９】本発明の情報記録用媒体を単板として使用
する場合は、基板と反対側の最表面には有機物保護層を
形成することが、記録層、保護層、反射層、全ての層を
機械的な傷から保護できるので好ましい。
【００４０】本発明の情報記録用媒体２枚を基板と反対
側の面を内側にして接着剤により貼り合わせたものは、
機械的な傷に強いばかりでなく、ディスク１枚当たりの
容量を２倍にすることができる。接着剤としては、ホッ
トメルト接着剤、反応型接着剤、２段硬化型接着剤等が
使用可能である。
【００４１】本発明の情報記録用媒体は、ディスク状と
してばかりではなく、テープ状、カード状などの他の形
態でも使用可能である。
【００４２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。
【００４３】〔実施例１〕直径１２０ｍｍ、厚さ１．２
ｍｍのディスク状ポリカーボネート板の表面に射出成形
法によってトラッキング用１．６μｍピッチのスパイラ
ル状溝を形成したレプリカ基板１上に、高周波マグネト
ロンパッタリング装置を用いてまず原子％で（ＺｎＳ）
80（ＳｉＯ2）20の組成の下部誘電体層２を１３０ｎｍ
の膜厚で形成した。続いて同一スパッタリング装置内で
原子％でＧｅ48Ｔｅ32Ｓｅ16Ｓｂ4の組成の記録層３を
２５ｎｍの膜厚に形成した。続いて同一スパッタリング
装置内で原子％で（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の組成の
上部誘電体層４を２５ｎｍの膜厚で形成した。続いて同
一スパッタリング装置内で原子％でＡｌ97Ｔｉ3の組成
の反射層５を７０ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この
反射層５の上に回転塗布した紫外線硬化樹脂を硬化させ
て５０μｍの厚さの有機物層６を形成した。上記のよう
にして作製したディスクＡの断面構造図を図１に示す。
【００４４】上記のように作製したディスクＡを可逆型
として用い、記録・消去・再生評価を、光ディスクドラ
イブ（半導体レーザ波長７８０ｎｍ、ディスク面上最大
パワー５０ｍＷ）により下記の様にして行った。ディス
クＡの作製直後の状態でのディスク反射率は８％と低い
ので、線速度５．６ｍ／ｓ、ディスク面上１８ｍＷ相当
のレーザ光で全面初期化したところ、反射率は８％から
３４％へ上昇した。次に、ディスクを一定線速度で回転
させ、任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を記
録が行われない低パワーレベルに保って、光ヘッド中の
開口数０．５５の対物レンズで集光して基板１を通して
記録層３に照射し、反射光を検出することによって、ト
ラッキング用の溝と溝の中間に光スポットの中心が常に
一致するようにヘッドを駆動した。溝と溝の中間を記録
トラックとすることによって溝から発生するノイズの影
響を避けることができる。この様にトラッキングを行い
ながら、さらに記録層上に焦点が来るように自動焦点合
わせをして１ビームによるオーバーライトで記録と消去
を同時に行う。トラック（トラッキング用の溝と溝の中
間）上に結晶化により記録を行う場合、結晶化するのに
適当なレーザパワーの範囲は、結晶化が起こる程度に高
く、非晶質化が起こるより低い範囲である。また、非晶
質化により消去を行う場合、非晶質化するのに適当なレ
ーザパワーの範囲は、結晶化するパワーより高く、強い
変形を生じたり穴があくよりも低い範囲である。１ビー
ムによるオーバーライトはレーザパワーを結晶化を起こ
す中間パワーレベルと非晶質化を起こす高パワーレベル
との間で変化させることにより行った。非晶質化の高パ
ワーレベルと結晶化の中間パワーレベルとの間のパワー
比は１：０．４〜１：０．８の範囲が特に好ましい。記
録を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを何も変化
を起こさない再生光レベルに下げてトラッキング及び自
動焦点合わせを続けた。なお、記録中もトラッキング及
び自動焦点合わせは継続される。これにより、既に記録
されている部分に対して行っても記録されていた情報が
新たに記録した情報に書き換えられる。しかし、記録書
き換え時の最初の１回転または複数回転で、上記のレー
ザパワー変調の高い方のパワーに近いパワーの連続光を
照射して一旦消去した後、次の１回転で情報信号に従っ
て高パワーレベルと中間パワーレベルとの間で変調した
レーザ光を照射して記録すれば、前に書かれていた情報
の消え残りが少なく、高い搬送波対雑音比が得られる。
この場合に最初に照射する連続光のパワーは、上記の高
いパワーレベルを１としたとき０．８〜１．１の範囲で
良好な書き換えが行えた。
【００４５】ディスクＡの線速度を５．６ｍ／ｓで、再
生光レベルを１．０ｍＷとして、レーザパワーを結晶化
による中間パワーレベル（ディスク面上）と非晶質化に
よる高パワーレベル（ディスク面上）との間で変化させ
ることにより情報の記録を行った。こうして記録したト
ラック上で、トラッキングと自動焦点合わせを行いなが
ら、記録及び消去が行われない再生光レベルのディスク
面上１．０ｍＷの連続光を照射し、この反射光の強弱を
検出して情報を再生した。ここでは、８−１４変調（Ｅ
ＦＭ）での１１Ｔの繰り返し信号（０．７９ＭＨｚ、デ
ューティー５０％）と３Ｔの繰り返し信号（２．８８Ｍ
Ｈｚ、デューティー５０％）とを、８．６４ＭＨｚ、デ
ューティー５０％のマルチパルスに分割し、高パワーレ
ベル３０ｍＷと中間パワーレベル１８ｍＷとの間で記録
用レーザ光を変調することによりオーバーライトした。
ここで、未記録部の媒体反射率（Ｒｏ）と情報記録部で
の媒体反射率（Ｒｗ）とから、情報記録部での再生信号
変調度（Ｍｏｄ）を下記の式１で示すように定義する
と、 ［Ｍｏｄ（％）＝１００×｜Ｒｏ−Ｒｗ｜／Ｒｏ …… 式１］ まず、ＥＦＭでの１１Ｔの繰り返し信号を記録したとこ
ろ、記録用レーザ光照射部の反射率は３４％から１２％
へ変化し、再生信号変調度６５％、測定帯域分解能（Re
solution Band Width）１０ｋＨｚで搬送波対雑音比６
０ｄＢの再生信号出力が得られた。この上に、ＥＦＭで
の３Ｔの繰り返し信号をオーバーライトした場合、再生
信号変調度６１％、測定帯域１０ｋＨｚで搬送波対雑音
比５８ｄＢ、前信号（１１Ｔの繰り返し信号）の消去比
３０ｄＢの再生信号出力が得られた。また、この時の書
き換え可能回数は１０万回以上であった。
【００４６】上記ディスクＡは耐酸化性が大変優れてお
り、６０℃相対湿度９５％の条件下に３０００時間放置
してもレーザ光に対する媒体反射率または透過率の変化
は無かった。また、予め線速度５．６ｍ／ｓでＥＦＭで
の３Ｔの繰り返し信号をオーバーライトしたディスクＡ
を６０℃相対湿度９５％の条件下に３０００時間放置し
ても再生信号出力としては再生信号変調度及び搬送波対
雑音比ともに変化は見られなかった。
【００４７】ディスクＡのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ系記
録層３において、他の元素の相対的比率をほぼ一定に保
ってＳｂ含有量を変化させた場合、線速度５．６ｍ／ｓ
で１１Ｔの繰り返し信号と３Ｔの繰り返し信号とを、オ
ーバーライトしたの書き換え可能回数と搬送波対雑音比
は次のように変化した。
【００４８】☆
【表１】 記録層組成（原子％） 書き換え可能回数 搬送波対雑音 比 Ｇｅ50 Ｔｅ33.3 Ｓｅ16.7 Ｓｂ0 ５０回 ５８ｄ Ｂ Ｇｅ49.5 Ｔｅ33 Ｓｅ16.5 Ｓｂ1 １万 ５８ Ｇｅ49 Ｔｅ32.7 Ｓｅ16.3 Ｓｂ2 ５万 ５９ Ｇｅ48 Ｔｅ32 Ｓｅ16 Ｓｂ4 １０万 ６０ Ｇｅ46 Ｔｅ30.7 Ｓｅ15.3 Ｓｂ8 １０万 ５９ Ｇｅ45 Ｔｅ30 Ｓｅ15 Ｓｂ10 １０万 ５８ Ｇｅ42.5 Ｔｅ28.3 Ｓｅ14.2 Ｓｂ15 １０万 ５５ Ｇｅ40 Ｔｅ26.6 Ｓｅ13.3 Ｓｂ20 ５万 ５０ Ｇｅ37.5 Ｔｅ25 Ｓｅ12.5 Ｓｂ25 １万 ４３ ★ここで、Ｓｂ含有量が０原子％の場合は書き換え可能
回数が５０回と極めて少なく、２５％の場合は再生信号
変調度が小さいため、搬送波対雑音比が４３ｄＢと、デ
ィジタル信号としてエラー無く再生できる最低レベル４
５ｄＢを下回った。Ｓｂ含有量が１原子％以上２０原子
％以下の場合は書き換え可能回数、搬送波対雑音比共に
良好な特性を示した。Ｓｂ含有量が２原子％以上１０原
子％以下の場合は書き換え可能回数、搬送波対雑音比共
に特に良好な特性を示した。
【００４９】ディスクＡのＧｅ48Ｔｅ32Ｓｅ16Ｓｂ4の
組成の記録層３において、Ｓｂ含有量を４原子％一定、
Ｔｅ含有量とＳｅ含有量との比を２／１一定として、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｓｅの含有量の総量に対するＧｅ含有量の比
｛ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）｝を変化させた場合、記録層自身
の結晶化時間（消去に必要な最短照射時間）および線速
度１．４ｍ／ｓで１１Ｔの繰り返し信号と３Ｔの繰り返
し信号とを、オーバーライトした時の書き換え可能回数
は次のように変化した。
【００５０】☆
【表２】 ｛ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）｝ 結晶化時間 書き換え可能回数 ０．２５ １０μｓ オーバーライト不可 ０．３ １ １万回 ０．３５ ０．８ １万 ０．４ ０．５ ５万 ０．４５ ０．３ １０万 ０．５ ０．１５ １０万 ０．５５ ０．２ １０万 ０．６ ０．３ １０万 ０．６５ ０．５ ５万 ０．７ ０．８ １万 ０．７５ ５ オーバーライト不可 ★ここで、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｅの含有量の総量に対するＧ
ｅ含有量の比｛ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）｝が０．２５および
０．７５の場合は記録層の結晶化時間が５μｓ以上と長
く、線速度１．４ｍ／ｓではオーバーライトができなか
った。０．３＜｛ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）｝＜０．７の場
合、結晶化時間が１μｓ以下と短く、線速度１．４ｍ／
ｓでのオーバーライトが可能であった。０．４＜｛ｘ／
（ｘ＋ｙ＋ｚ）｝＜０．６５の場合は結晶化時間、オー
バーライト共に良好な特性を示した。０．４５＜｛ｘ／
（ｘ＋ｙ＋ｚ）｝＜０．６の場合は結晶化時間、オーバ
ーライト共に特に良好な特性を示した。
【００５１】ディスクＡのＧｅ48Ｔｅ32Ｓｅ16Ｓｂ4の
組成の記録層３において、Ｓｂ含有量を４原子％、Ｇｅ
含有量を４８原子％一定として、ＴｅおよびＳｅの含有
量［Ｔｅ、Ｓｅの含有量の総量に対するＴｅ含有量の比
｛ｙ／（ｙ＋ｚ）｝］を変化させた場合、記録層自身の
結晶化時間（消去に必要な最短照射時間）およびディス
クを温度６０℃相対湿度９５％の条件下に放置した時の
搬送波対雑音比が３ｄＢ低下するまでの記録点の保持寿
命のは次のように変化した。
【００５２】☆
【表３】 記録層組成（原子％） {y/(y+z)} 結晶化時間 記録点の保持 寿命 Ｇｅ48Ｔｅ38Ｓｅ10Ｓｂ4 0.792 ０．１ μｓ １０００時間 Ｇｅ48Ｔｅ34Ｓｅ14Ｓｂ4 0.708 ０．１２ ３０００時間 以上 Ｇｅ48Ｔｅ32Ｓｅ16Ｓｂ4 0.667 ０．１５ ３０００時間 以上 Ｇｅ48Ｔｅ28Ｓｅ20Ｓｂ4 0.583 ０．２５ ３０００時間 以上 Ｇｅ48Ｔｅ24Ｓｅ24Ｓｂ4 0.5 ０．３ ３０００時間 以上 Ｇｅ48Ｔｅ22Ｓｅ26Ｓｂ4 0.458 ０．５ ３０００時間 以上 Ｇｅ48Ｔｅ19Ｓｅ29Ｓｂ4 0.396 ０．８ ３０００時間 以上 Ｇｅ48Ｔｅ16Ｓｅ32Ｓｂ4 0.333 ３ ３０００時間 以上 ★ここで、Ｔｅ含有量が３８原子％と多いところでは、
記録点の保持寿命が短く情報記録用媒体として不適であ
った。Ｓｅ含有量が３２原子％と多いところでは、結晶
化時間が３μｓと長く、オーバーライトができなかっ
た。Ｔｅ含有量が３４原子％以下かつＳｅ含有量が３２
原子％以下のものでは結晶化時間、記録点の保持寿命共
に、良好な特性を示した。Ｔｅ、Ｓｅの含有量の総量に
対するＴｅ含有量の比｛ｙ／（ｙ＋ｚ）｝が０．４５以
上の場合、結晶化時間の点で、０．５μｓ以下と特に良
好な特性を示した。
【００５３】ディスクＡのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ系記
録層３において、Ｓｂの一部又は全部を置換してＢｉ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｃ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕ
の内の少なくとも一元素を添加しても、可逆型として記
録・再生・消去した場合、よく似た特性が得られた。一
般式のＡで表される上記の元素のうち、記録・再生・消
去特性が特に良好な元素は、Ｖｂ族ではＳｂであり、IV
ｂ族ではＳｎであり、IIIｂ族ではＩｎであり、Ｉｂ族
ではＡｇであり、Ｉｂ族以外の遷移金属元素ではＣｒお
よびＣｏであった。
【００５４】ディスクＡ中のＡｌ97Ｔｉ3の組成の反射
層５の代わりに、他のＡｌ合金及び、Ａｕ合金、Ａｇ合
金、Ｃｕ合金のうちの何れかよりなる反射層を用いて
も、同様の結果が得られた。
【００５５】ディスクＡ中の記録層３の膜厚は５ｎｍ以
上５００ｎｍ以下のとき半導体レーザでの記録が可能で
あった。光の干渉の効果によって、記録による反射率変
化が大きくなるという点で、１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以
下が好ましかった。また、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
の範囲では、記録感度も高いためさらに好ましかった。
【００５６】ディスクＡ中の反射層５の膜厚は２０ｎｍ
以上５００ｎｍ以下のときディスク反射率が３０％以上
となり半導体レーザでの記録も可能であった。再生信号
変調度をより高くでき、記録感度も高い点で、３０ｎｍ
以上２００ｎｍ以下がより好ましかった。
【００５７】光ディスクドライブ中の波長７８０ｎｍの
半導体レーザの代わりに、波長８３０ｎｍの半導体レー
ザを用いても、反射層５を除いたディスクＡ中の各層の
膜厚を僅かに調整することにより、同様の記録・消去・
再生特性の結果が得られた。また、波長７８０ｎｍの半
導体レーザを有する光ディスクドライブで記録・消去し
たものを波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの半導体レーザ
を有する光ディスクドライブで再生したところ、反射層
５を除いたディスクＡ中の各層の膜厚をそれぞれの波長
に合わせて僅かに調整することにより、同様の再生特性
の結果が得られた。
【００５８】た。
【００５９】ディスクＡ２枚を基板と反対側の面を内側
にしてホットメルト型接着剤により貼り合わせた。該貼
り合わせディスクでは、両面共に、上記実施例１と全く
同じ記録・消去・再生特性が得られ、ディスク１枚当た
りの容量を２倍にすることができた。
【００６０】実施例−２ 直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状ポリカー
ボネート板の表面に射出成形法によってトラッキング用
１．２μｍピッチのスパイラル状溝を形成したレプリカ
基板７上に、高周波マグネトロンパッタリング装置を用
いてまず原子％でＡｕ97Ｃｏ3の組成の下部反射層８を
１３ｎｍの膜厚で形成した。続いて同一スパッタリング
装置内で原子％で（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の組成の
下部誘電体層９を２５ｎｍの膜厚で形成した。続いて同
一スパッタリング装置内で原子％での組成Ｇｅ48Ｔｅ32
Ｓｅ16Ｓｂ4の記録層１０を２０ｎｍの膜厚に形成し
た。続いて同一スパッタリング装置内で原子％で（Ｚｎ
Ｓ）80（ＳｉＯ2）20の組成の上部誘電体層１１を４０
ｎｍの膜厚で形成した。続いて同一スパッタリング装置
内で原子％でＡｕ97Ｃｏ3の組成の上部反射層１２を３
５ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この上部反射層１２
の上に回転塗布した紫外線硬化樹脂を硬化させて５０μ
ｍの厚さの有機物層１３を形成した。上記のようにして
作製したディスクＢの断面構造図を図２に示す。
【００６１】上記のように作製したディスクＢを可逆型
として用い、記録・消去・再生評価を、光ディスクドラ
イブ（記録・消去・再生装置）によりディスクを一定線
速度で回転させ、実施例１と同様にして行った。ディス
クＢの作製直後の状態でのディスク反射率は１４％と低
いので、線速度１．４ｍ／ｓ、ディスク面上１８ｍＷ相
当のレーザ光で全面初期化したところ、反射率は１４％
から７１％へ上昇した。ディスクＢの線速度を１．４ｍ
／ｓとし、再生光レベルを１．０ｍＷとして、レーザパ
ワーを結晶化による中間パワーレベル（ディスク面上）
と非晶質化による高パワーレベル（ディスク面上）との
間で変化させることにより情報の記録を行った。ＥＦＭ
での１１Ｔの繰り返し信号（０．２ＭＨｚ、デューティ
ー５０％）と３Ｔの繰り返し信号（０．７２ＭＨｚ、デ
ューティー５０％）とを、２．１６ＭＨｚ、デューティ
ー３３％のマルチパルスに分割し、高パワーレベル３
１．５ｍＷ、中間パワーレベル１７ｍＷの記録用レーザ
光で交互にオーバーライトした。まず、ＥＦＭでの１１
Ｔの繰り返し信号を記録したところ、記録用レーザ光照
射部の反射率は７１％から２４％へ変化し、再生信号変
調度６６％、測定帯域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比６１
ｄＢの再生信号出力が得られた。この上に、ＥＦＭでの
３Ｔの繰り返し信号をオーバーライトした場合、再生信
号変調度４９％、測定帯域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比
５８ｄＢ、前信号（１１Ｔの繰り返し信号）の消去比３
０ｄＢの再生信号出力が得られた。また、この時の書き
換え可能回数は１万回以上であった。
【００６２】上記ディスクＢは耐酸化性が大変優れてお
り、６０℃相対湿度９５％の条件下に３０００時間放置
してもレーザ光に対する媒体反射率または透過率の変化
は無かった。また、予め線速度１．４ｍ／ｓでＥＦＭで
の３Ｔの繰り返し信号をオーバーライトしたディスクＢ
を６０℃相対湿度９５％の条件下に３０００時間放置し
ても再生信号出力としては再生信号変調度及び搬送波対
雑音比ともに変化は見られなかった。
【００６３】ディスクＢ中のＡｕ97Ｃｏ3の組成の下部
反射層８、上部反射層１２において、Ｃｏ含有量を変化
させた場合、上部反射層１２の反射率、２９８Ｋにおけ
る電気抵抗率、２９８Ｋにおける熱伝導率、および線速
度を１．４ｍ／ｓとしてＥＦＭでの１１Ｔの繰り返し信
号をオーバーライトした時の記録パワー（高パワーレベ
ル）は表１のように変化した。
【００６４】☆
【表４】 Ｃｏ含有量 反射率 電気抵抗率 熱伝導率 記録パワー （原子％） （％） （μΩ・cm） （Ｗ／ｍ・Ｋ） （ｍＷ） ０ ９８ ３ ２４５ ５０ｍＷで 記録できず ０．５ ９７．５ ７ １０５ ４５ １ ９７ ９ ８２ ３８ ２ ９６ １４ ５３ ３３ ３ ９５ １９ ３９ ３０ ４ ９４ ２６ ２８ ２７ ５ ９３ ３２ ２３ ２５ ８ ９１ ３３ ２２ ２４．５ １０ ８９ ３３ ２２ ２４ １５ ８５ ３３ ２２ ２３ ２０ ８０ ３３ ２２ ２２ ★ここで、Ｃｏ含有量が０．５原子％未満の場合は、２
９８Ｋにおける電気抵抗率が７μΩ・cm未満となるた
め、２９８Ｋにおける熱伝導率が１０５Ｗ／ｍ・Ｋ超過
となり、ディスク面上４５ｍＷでは記録することができ
なかった。また、Ｃｏ含有量が１５原子％超過の場合
は、反射率が８５％未満となり、ディスク反射率が６５
％以上となることが困難であった。また、Ｃｏ含有量が
１原子％以上８原子％以下の場合は、反射層の反射率が
９１％以上と高いため、ディスク反射率をより高めるこ
とができた。また、Ｃｏ含有量が２原子％以上５原子％
以下の場合は、ディスク反射率が高く、かつ、電気抵抗
率が１４μΩ・cm以上と高いために熱伝導率が５３Ｗ／
ｍ・Ｋ以下と低く、記録感度および消去感度が良好であ
った。また、Ｃｏの一部または全部を置換して、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｌ、Ｐｂ及びＢｉ
のうちの少なくとも一元素を添加しても同様の結果が得
られた。上記の添加元素のうち、他の元素に比べて、Ｃ
ｏ添加では記録感度および消去感度が良好であった。Ｐ
ｄ添加では反射層の耐酸化性が良好であった。Ｔｉ添加
では反射層の結晶粒径が小さく低ノイズであった。Ｍｏ
添加では反射層の密着性が良好で、書き換え可能型での
消去比が大であった。一方、Ｎｉ添加では反射層の接着
力が他の添加元素の場合よりも弱く、書き換え可能型で
の書き換え回数に制限を受けた。Ｃｒ添加では反射層表
面の凹凸が他の添加元素の場合よりもやや大きく、ディ
スクノイズがやや高かった。
【００６５】ディスクＢ中のＡｕ97Ｃｏ3の組成の下部
反射層８上部反射層１２において、Ａｕ97Ｃｏ3の代わ
りにＡｕ50Ａｇ50組成の反射層を用いても、同様の結果
が得られた。
【００６６】上記Ａｕ50Ａｇ50組成の下部反射層８上部
反射層１２において、Ａｇ含有量を変化させた場合、反
射層自身の再生光ビームに対する反射率および、線速度
を１．４ｍ／ｓとしてＥＦＭでの１１Ｔの繰り返し信号
をオーバーライトした時のディスク反射率、２９８Ｋに
おける電気抵抗率、２９８Ｋにおける熱伝導率および記
録パワー（高パワーレベル）は表２のように変化した。
【００６７】☆
【表５】 組成 反射率 電気抵抗率 熱伝導率 記録パ ワー （原子％） （％） （μΩ・cm） （Ｗ／ｍ・Ｋ） （ｍＷ ） Ａｕ９０Ａｇ１０ ９７ ５ １４７ ５０ ｍＷで 記録できず Ａｕ８５Ａｇ１５ ９７ ７ １０５ ４８ ｍＷ Ａｕ８０Ａｇ２０ ９６．５ ９ ８２ ４０ Ａｕ７０Ａｇ３０ ９６．５ １４ ５３ ３４ Ａｕ６０Ａｇ４０ ９６ １５．５ ４７ ３２ Ａｕ５０Ａｇ５０ ９６ １６ ４６ ３０ Ａｕ４０Ａｇ６０ ９６ １５．５ ４７ ３２ Ａｕ３０Ａｇ７０ ９６．５ １４ ５３ ３４ Ａｕ２０Ａｇ８０ ９６．５ ９．５ ７７ ３８ Ａｕ１５Ａｇ８５ ９７ ７ １０５ ４８ Ａｕ１０Ａｇ９０ ９７ ４．５ １６３ ５０ ｍＷで 記録できず ★ここで、Ａｇ含有量が１０原子％未満及びの９０原子
％超過の場合は、２９８Ｋにおける電気抵抗率が７μΩ
・cm未満となるため、２９８Ｋにおける熱伝導率が１０
５Ｗ／ｍ・Ｋ超過となり、ディスク面上３５ｍＷ以上
と、ディスク反射率が３４％と低いのにもかかわらず、
高パワーが必要であった。また、Ａｇ含有量が３０原子
％以上７０原子％以下の場合は、電気抵抗率が１４μΩ
・cm以上と高いために熱伝導率が５３Ｗ／ｍ・Ｋ以下と
低く、記録感度および消去感度が良好であった。さら
に、上記Ａｕ−Ａｇ系反射層の代わりに、Ａｕ−Ｃｕ系
反射層を用いても同様の結果が得られた。
【００６８】ディスクＢ中の上部反射層１２の膜厚は２
０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のときディスク反射率が６５
％以上となり半導体レーザでの記録も可能であった。反
射率をより高くでき、記録感度も高い点で、３０ｎｍ以
上２００ｎｍ以下がより好ましかった。また、下部反射
層８の膜厚は２ｎｍ以上４０ｎｍ以下のときディスク反
射率が６５％以上となり半導体レーザでの記録も可能で
あった。反射率をより高くでき、記録感度も高い点で、
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下がより好ましかった。また、下
部反射層８と上部反射層１２の組成が異なっていてもそ
れぞれの膜厚が上記範囲内であれば、同様の結果が得ら
れた。
【００６９】光ディスクドライブ中の波長７８０ｎｍの
半導体レーザの代わりに、波長８３０ｎｍの半導体レー
ザを用いても、上部反射層１２を除いたディスクＢ中の
各層の膜厚を僅かに調整することにより、同様の記録・
消去・再生特性の結果が得られた。また、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザを有する光ディスクドライブで記録・
消去したものを波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの半導体
レーザを有する光ディスクドライブで再生したところ、
上部反射層１２を除いたディスクＢ中の各層の膜厚をそ
れぞれの波長に合わせて僅かに調整することにより、同
様の再生特性の結果が得られた。
【００７０】ディスクＢを２枚を基板と反対側の面を内
側にして２液混合反応型接着剤により貼り合わせた。該
貼り合わせディスクでは、両面共に、上記実施例２と全
く同じ記録・消去・再生特性が得られ、ディスク１枚当
たりの容量を２倍にすることができた。
【００７１】上記ディスクＡおよびＢにおいて、誘電体
層に用いた（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ2）系の代わりに、同
じく、レーザ光に対する複素屈折率の虚数部である消衰
係数が０．２以下であるＺｎＳ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｃ
ｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｖ2Ｏ
5、ＴａＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ等およびこれらの混合物
を用いても、それぞれの光学定数に合せて、膜厚を制御
することにより、ディスクＡおよびＢと同様の記録・消
去特性が得られた。
【００７２】本実施例の情報記録媒体に用いた基板とし
て、射出成型法により作製したポリカーボネート基板及
びポリオレフィン基板の他に化学強化ガラス板、ポリカ
ーボネート板、ポリオレフィン板、エポキシ板およびア
クリル樹脂板等の表面にフォトポリメリゼイション法に
よりトラッキング用の溝を有する紫外線硬化樹脂層を形
成したレプリカを用いても同様な記録・消去・再生特性
の結果が得られた。
【００７３】本実施例の情報記録媒体中の一部分に、再
生専用型のデータを予め基板上に凹又は凸状のプリピッ
トの形で形成し、混在させた。該再生専用型データ部に
おける線速度１．４ｍ／ｓでのＥＦＭ、１１Ｔ繰り返し
信号部では、平坦部での反射率は７１％で、再生信号変
調度８２％、測定帯域１０ｋＨｚで搬送波対雑音比６３
ｄＢの再生信号出力が得られ、ＥＦＭ、３Ｔ繰り返し信
号部では、再生信号変調度５８％、搬送波対雑音比６０
ｄＢの再生信号出力が得られた。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
少なくとも記録層と反射層を有する、記録用エネルギー
ビームを照射して記録を行う情報記録用媒体において、
記録・消去・再生特性が良好で、記録・消去感度が高
く、長期間安定性に優れた、情報記録用媒体を得ること
ができた。また、基板側からの再生用光ビームに対する
媒体の反射率が６５％以上と高くても、記録・消去感度
が高いため記録用光ビームに安価な低出力タイプが使用
可能であり、記録・消去・再生特性にも優れ、記録デー
タの保持寿命も長く、耐環境性にも優れた情報記録用媒
体を得ることができた。反射率が６５％以上の上記情報
記録用媒体に記録した情報は、既に広く普及しているコ
ンパクトディスク（ＣＤ）、レーザディスク、等の安価
な再生専用装置で読み出すことが可能であった。
【００７５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例におけるディスクＡの情報記録用媒体
の構造を示す断面図である。
【図２】本実施例におけるディスクＢの情報記録用媒体
の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１，７…基板、２，９…下部誘電体、３，１０…記録
層、４，１１…上部誘電体５…反射層、６，１３…有機
物層、８…下部反射層、１２…上部反射層。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板と、該基板上に直接もしくは無機物及
    び有機物のうち少なくとも一者からなる保護層を介して
    設けられた記録用エネルギービームの照射を受けて形状
    変化を伴わずに原子配列変化が生じて光学定数が変化す
    る記録層と、該記録用エネルギービームを反射する反射
    層と、を少なくとも有する情報記録用媒体において、該
    記録層の平均組成が、一般式 ＡwＧｅxＴｅyＳｅz （ただし、ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、原子パーセントでそれ
    ぞれ１≦ｗ≦２０、０．３≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．
    ７、１≦ｙ≦３４、１≦ｚ≦２９の範囲の値であり、Ａ
    は、Ｓｂ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐ
    ｂ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
    Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃ
    ｄ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
    Ａｕ、Ａｇ及びＣｕの内の少なくとも一元素を表す）で
    表されることを特徴とする情報記録用媒体。
  2. 【請求項２】上記一般式のＡはＳｂであることを特徴と
    する請求項１に記載の情報記録用媒体。
  3. 【請求項３】上記一般式のＡはＣｒであることを特徴と
    する請求項１に記載の情報記録用媒体。
  4. 【請求項４】上記一般式のＡはＡｇであることを特徴と
    する請求項１に記載の情報記録用媒体。
  5. 【請求項５】基板側からの再生用エネルギービームに対
    する媒体の反射率が未記録部で６５％以上、記録部で４
    ５％以下であるか、または未記録部で４５％以下、記録
    部で６５％以上であるか、のどちらか一方であることを
    特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載の情報
    記録用媒体。
  6. 【請求項６】上記請求項５に記載の再生用エネルギービ
    ームに対する媒体の反射率が未記録部で７０％以上、記
    録部で２８％以下であることを特徴とする請求項１から
    ５までのいずれかに記載の情報記録用媒体。
  7. 【請求項７】上記反射層がＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはＣ
    ｕのうち少なくとも１元素を含有することを特徴とする
    請求項１から６までのいずれかに記載の情報記録用媒
    体。
  8. 【請求項８】上記反射層の２９８Ｋにおける電気抵抗率
    が７μΩ・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１か
    ら７までのいずれかに記載の情報記録用媒体。
  9. 【請求項９】膜厚方向の平均組成が、一般式(Ａｕ)100-
    x(Ａ)x（ただし、ｘは原子％で０．５≦ｘ≦１５の値で
    あり、Ａで表される元素はＡｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、
    Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
    ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、
    Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
    ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｌ、Ｐｂ及びＢｉのうちの少
    なくとも一元素）で表されることを特徴とする請求項１
    から８までのいずれかに記載の情報記録用媒体。
  10. 【請求項１０】膜厚方向の平均組成が、一般式(Ａｕ)10
    0-y(Ｄ)y（ただし、ｙは原子％で１５≦ｙ≦８５の値で
    あり、ＤはＡｇ及びＣｕのうちの少なくとも一元素）で
    表されることを特徴とする請求項１から８までのいずれ
    かに記載の情報記録用媒体。
  11. 【請求項１１】媒体構成が基板側から基板、下部保護
    層、記録層、上部保護層、反射層の順に形成されること
    を特徴とする請求項１から１０までのいずれかに記載の
    情報記録用媒体。
  12. 【請求項１２】媒体構成が基板側から基板、下部反射
    層、下部保護層、記録層、上部保護層、上部反射層の順
    に形成されることを特徴とする請求項１から１０までの
    いずれかに記載の情報記録用媒体。
  13. 【請求項１３】請求項１から請求項１２に記載の情報記
    録用媒体において、該情報記録用媒体の一部分に、再生
    専用型のデータを予め基板上に凹又は凸状のプリピット
    の形で形成し、混在させたことを特徴とする請求項１か
    ら１２までのいずれかに記載の情報記録用媒体。
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