JPS62161589A - 光学情報記録部材 - Google Patents

光学情報記録部材

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JPS62161589A
JPS62161589A JP61004526A JP452686A JPS62161589A JP S62161589 A JPS62161589 A JP S62161589A JP 61004526 A JP61004526 A JP 61004526A JP 452686 A JP452686 A JP 452686A JP S62161589 A JPS62161589 A JP S62161589A
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JP
Japan
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recording
film
crystallization
concentration
composition
Prior art date
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JP61004526A
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Susumu Sanai
佐内 進
Kunio Kimura
邦夫 木村
Noboru Yamada
昇 山田
Masatoshi Takao
高尾 正敏
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • G11B2007/24316Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。
従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。
高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。光ディスクには、一度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Te−Geを初め
として、Toにムs 、S 、Si 、Ss 、Sb 
、Bi  などを添加した例が知られている。
これに対し、本発明者らは先に、Te−100□のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き換
え可能な光ディスクとして、Te−TaO2に対し各種
添加物を添加(Sn 、 Go 。
Bi 、 In 、 Pb 、 Tl 、 Seなど)
した例がある。これらの記録部材の特徴は、C/Nが高
く、耐湿性に対しても優れるという特徴を有している。
消去可能な光ディスクで相転移を利用する場合、通常は
、未記録、消去状態を結晶質とし、記録状態を非晶質と
する方法がとられる。この場合、記録はレーザ光で、一
旦、膜を溶融させ急冷によって非晶質にする訳であるが
、現在の半導体レーザにはパワーの限界があり、できる
だけ融点の低い膜が、記録感度が高いことになる。この
ために、上述したカルコゲン化物よりなる膜は、記録感
度を向上させるために、できるだけ融点の低い組成、す
なわち、Toが多い膜組成となっている。
発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に熱的安定性が悪いという問題があった。この
理由は、結晶化転移温度が120°C以下と低いことに
帰因する。また結晶化転移温度が高いと結晶化速度が遅
い、という問題があった。
一方酸化物を含む膜は結晶化転移温度は酸素量を増加さ
せることで非晶質から結晶質への転移温度を上昇させる
ことが可能であるが、記録、消去を繰り返する酸化物の
粒が大きくなり、酸化物のマトリックスとしての効果が
なくなりカルコゲンのみの転移温度と同じになるため、
結晶化転移温度が低下するなどの欠点を有していた。
また耐湿特性が一般的にカルコゲ/化物は悪いという欠
点を有していた。
本発明は結晶化転移温度と記録、消去特性の向上を目的
とし、さらに上述したカルコゲン化物よりなる従来組成
の欠点を克服したものである。
問題点を解決するだめの手段 本発明における記録層は、Te −Go −8e −P
d系の組成物であって、Te 、 Ge 、 Seの原
子数比が第1図のムI 、B、 、c、 、p、 、g
、の点を結んだ領域内にあると共に、Pdの濃度が6〜
30at%である材料により構成される。
作用 本発明の特徴は結晶化転移温度が高いTe−Ge−5e
  系にPdを添加して、過剰ノT6をPd −Teと
して固定することにある。つまり、Ge、PdはGeT
e 、 PdTe2. PdTeの化合物を形成し、コ
ノ化合物の効果で結晶化速度が促進される。
PdはToとPd2Te 、PdTe (y)化合物を
形成し、Te濃度が5oat%以上のPd−TO系の場
合、各化合物の融点はPa2Teが740’C、PdT
eが720’Cである。この温度は他のTe−Ge化合
物と比較してほぼ同じであるが、Seの効果で膜の融点
は低下すると考えられる。したがってPdの添加は、T
eを母材とする膜の融点を変化させずに、過剰なToを
固定化することが可能である。
実施例 本発明は、To −Go−Ss−Pdにより構成される
。本発明においてTOはPd 、あるいはGoと結合し
た状態で、記録前後によって光学的濃度変化を呈する母
材である、Seは単独でも、またTeとの化合物状態で
も非晶質膜を作成することが容易ではある特徴を有する
ものの、逆に結晶化速度が遅いこと、結晶化転移温度が
低い(−=、:100°C)ことなどの欠点を持つ。T
o−3eにGe を添加することにより、結晶転移温度
は上昇するが、結晶化速度は改善されず、光ディスクの
実用上必要な結晶化速度(数百ns)は得られない。本
発明はTe −Ge −5s  で構成される、上述し
た特長、すなわち、結晶化転移温度が高いことを活かし
、しかも欠点である結晶化速度が遅いことを、P(iを
添加することにより、大巾に改善し、実用可能な書き換
え可能な記録膜を提供しようとするものである。
本発明において、Te、Ge、Se、Pdは結晶状態に
おいて、GeTe 、 Ga552. Pd2Te 、
 PdTeなどの結晶状態をとるものと思われる。この
中で、GeSe2 は非晶質状態が安定で、結晶化温度
は470’C程度で、しかも結晶化速度は遅い。このた
め、膜中にあっては、主に結晶化転移温度を高め、非晶
質化を容易にする役割を担っているものと思われる。G
e−TeはGeとTe  の比によって結晶化が容易な
領域と、困難な領域に別れる。すなわちGe−Ta系で
、非晶質状態が最も安定な領域は、TO濃度が70%程
度のGeTe2が生成される領域である。この点を境に
してGeが増えると(量論に近いGeTe濃度が増すと
)、結晶化速度は速くなる。本発明においてGOはGe
m52としての他、GeTeを形成しておシ、Te −
Go −8s系においてGeTaは結晶化速度を向上さ
せることに寄与しているものと思われる。しかしながら
、Te −Ge −8e  で構成される系では、実用
可能な結晶化速度の速い組成は、Be量が少な(、Ge
Taの量論に近い領域となる。
この領域の特長は結晶化速度は速く、非晶質化も可能で
あるが、Ge が酸化しやすいため、耐環境特性が悪い
という問題がある。
したがって、耐環境特性を含んだ実用可能な領域で、結
晶化、非晶質化を可能にするにはGe濃度が低く、Se
濃度が高い領域である。
しかしこの領域の特長は結晶化温度は高いが、結晶化速
度が遅いことである。Pdの添加は膜中で過剰なToと
P(IT15を形成し、結晶化を促進させることである
。またPd添加で耐環境特性も悪くない。これはSsが
耐環境特性をよくしているためと考えられる。詳細な理
由は不明である。
Pdの添加量は、Ge、Ssと結合した残りの過剰To
 q固定化するので、必要なPd濃度はT。
/(Go−1−8θ)の量に支配される。
すなわち、Pdの添加量はGo −Ta −8s  系
の、組成比により異なる。例えば、比較的Se成分の多
い領域(Ss>2sat%)においては、非晶質として
安定なので、結晶化を促進させるPdの添加量は多くな
る。(15〜302Lt%)、逆にSe成分の少ない領
域(Ss≦15SLt%)では、比較的結晶化速度が速
いので、少ないPd濃度(5〜20 at%)で充分で
ある。同様に、Ge濃度の多い領域(Ge225at%
)は、結晶化速度は速いので、Pd濃度は低く(5〜2
02Lt%)Go酸成分少ない領域(Go≦10at%
)では結晶化が困難なので、比較的多いPd量を必要と
する。
第1図に、本発明ノTe−Ge−5s −Pd より構
成される記録部材の適正範囲を示した。図はTe−GO
−8eより構成されているがPd濃度は第1図に示され
たTe−Go −8s  組成に対し、5〜3゜at%
である。
(Pd濃度は(ToxGe、5e2)、oo−!1lP
d、で示した場合のmに相当、ただしくx+y+z=1
00)第1図において各点は以下の組成である。
ム1点(Ta9゜Ge5Se5)   B、点(Te6
0Ga5Ss35)C7点(To40Go25Ss、5
)   D、点(Te40Go40Ss2o)E1点(
To、Go40Ss5) 本発明は上記、Te −Ge−8eの3元系のム。
B、 C,D、 K、点で囲まれた範囲内にあって、か
つ、Pd9度が式 (TexGe、502)、。。−InPdm で表わし
た場合、mの値として6〜302Lt%の範囲内にある
線ム、B、よりGoが少ない場合、膜はTo−8θが過
剰となり、結晶化転移温度は低く(<120°C)、実
用上安定な記録膜を得ることが困難である。線B、 C
,よりSeが多い場合は、TeSe 。
Gem52 の形成量が多くなり、安定な非晶質膜とな
り、結晶化が困難となる。線C,D、よりTeが少ない
場合、結晶化に必要なPdの量も少なくなるので、記録
部と未記録部の信号のコントラスト比が低く、充分な記
録特性が得られない。線D1E、よりGoが多い場合、
この領域は、量論的なGaTeが生成する領域で結晶化
速度は上昇するが、融点の高いGaTeが多量に存在す
るので、非晶質化が困難となる。また耐湿特性が悪くな
る。線A、 E、よりSe量が少ない場合は、Gem5
2 量が少なくなるため、非晶化が困難となる。しかし
同じム、B、線上でもGoが少ない場合はGeTa量が
少ないため、非晶質化は比較的容易であるが、結晶化転
移温度が低くなる。
上述した傾向は、当然ながら、添加するP(1量によっ
て異なってくる。To −Go −5e  からなる組
成を限定しpa量を変化させると、Pd量が少ない場合
は非晶質化が容易で、Pd量が増えるに従って結晶化が
容易となる。この適正なPd量はTe、 Ge、 Se
  によって構成される膜の特性によって異なるが、本
発明の範囲内では6〜30at%で、実用的な書き換え
可能な記録膜が得られる。
以上述べた理由によシ、本発明1は、第1図において、
点ム1  ”1  ’1  ”1−’!で囲まれた範囲
内に限定される。すなわち、この領域内のTe−Ge−
3eにPdを6〜302Lt%添加した場合、実用上、
結晶質と非晶質の可逆性を利用して、情報の記録、消去
が可能となる。
次に第1図のA2−B2−C2−D2−11C2あるい
はム5  ’5  ’5  ”5  ”5によって囲ま
れた領域について述べる。この領域は、第1図のム1−
Bj  ”1−D、−に、に囲まれた範囲より、より実
用的な組成範囲を示しである。
第1図においてム2  ”2  ’2  ”2  ”2
各点の組成を以下に示す。
ム2TeB5Ge 、、Se 。
B2Te6oGe、oSe、。
C2Te45Ge25Ss、。
D2T045Gθ55”20 E 2Te 5aG6.5Se 。
この各点で囲まれた領域におけるPd濃度は5〜25a
t%である。(ただし、(Te!”7SeZ )joi
nPdTll  におけるmの値で、!+7+Z=10
0とする。) この領域の非晶質から結晶質への転移温度は130〜2
70′C以内である。転移温度はム2が最も低く、線C
2D2の方向にSe、Ge 濃度が増えるに従って温度
は上昇する。結晶化を促進する上で必要なPd濃度は2
2点に近い領域では少なく、線B2C2に近い領域では
多くなる。すなわち、ム。
に近い領域では、過剰のTeが多く、結晶化速度は速い
ので多くのP(1量を必要とせず、82C2に近い領域
は結晶化が困難なため、多くのPd量を必要とする。
その結果、点ム1ではGeTe 、 GeSe2の量が
少なく過剰Toも残存しているので安定な非晶質状態が
形成されず、結晶転移温度は低くなる。ム2点よりSe
量が多くなると(82点)転移温度は上昇するが、結晶
化速度は遅くなる。ム2点よりG。
が多くなると、転移温度は上昇し、結晶化温度も高くな
るが、非晶質化が困難となる。すなわち、点ム2−B2
  ’2−D2  ”2で囲まれた点で、Pd量が10
〜26&t%である場合は、用途、目的に応じて、結晶
化転移温度、結晶化速度の適正値を選択することが可能
である。しかし、この人2−B2−02−D2−に2点
で囲まれた領域内であっても、現在、市販されているレ
ーザ出力(25111W程度)で、全ての点で録再が可
能とは限らない。点ム5−B、−C,−D5−に5で囲
まれた領域は、現行のレーザパワーの範囲で録再が可能
で、結晶化速度が速く、かつ、熱的安定性を示す結晶化
転移温度も高く(160〜240’C)より実用的な領
域である。
この領域における必要なPd量は10〜2 E5 at
%である。
Pdの添加したTo−Ge−8e−Pd系はTo −G
e−8e  だけよりなる系とはソ同じ結晶化転移温度
を示した。
これは、P(lを添加した膜の融点はTe −Go −
8e系とはソ同じであり、Te−Goの化合物、Te−
Pdの化合物(PdTe2. PdTe )の融点が各
々726°C,740’C,720°Cであることによ
る。ただし、Te−Go−3e−Pd系においてSe量
が多いほど非晶質化しやすいことから、TeGe 。
PdTa2. PdTe  の融点は比較的多量のSe
添加によって低下させられていると思われる。
以上述べた理由により、本発明のTo −Ge −8s
−Pd の最適組成は限定される。
次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。
第2図は、本発明の記録層を用いて構成した光ディスク
の断面の模式図である。図において、1,5は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート。
アクリル樹脂、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を
用いることが可能である。2μ社保護層で、種々の酸化
物、硫化物、炭化物、窒化物を用いることができる。こ
の保護層2,4は記録膜3の記録、消去の繰り返しによ
る基材の熱劣化を防ぐものであり、さらに、記録膜3を
湿度より保護するものである。
したがって、保護層の材質、膜厚は、上述した観点より
決定される。記録膜3は、蒸着、スパツタリング等によ
って形成される。蒸着で行なう場合は各組成を単独に蒸
着可能な4ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一膜を作成で
きるので望ましい。
本発明の記録膜3の膜厚は、保護層2,4の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。
以下、具体的な例で本発明を詳述する。
実施例1 4源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてTe、Ge
 、Ss 、Pdをそれぞれのソースから基材上に同時
に蒸着した。用いた基材はφ8gのガラスで、蒸着は真
空度がlX10TOrr 基材の回転速度、150rp
mで行ない、膜厚は1000人とした。各ソースからの
蒸着速度は記録膜中のTe 、Ge 、Se 、Pdの
原子数の割合を調整するため、変化させた。第1表の組
成の割合は、この蒸着の速度より換算した値であるが、
代表的な組成をX線マイクロアナライザー(XMム)で
行なったところ、仕込値とほぼ同様の定量結果が得られ
た。したがって、表中の仕込み組成は、膜中でも同じと
思われる。
上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。
〔転移温度〕
転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。
測定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒータ
ーにより試験片の温度を昇温速度1°C/leeで上昇
させた場合の透過率が減少を開始する温度とした。
転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。
〔黒化、白化特性〕
黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。
測定は、φ8謂のガラス片上の記録膜に、レンズを用い
て、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左右移動
可能とした装置を用いて行なった。
レーザ光のスポットは46 X O,4μm、パルス巾
200nS 、パワー密度10.6 mw / μm 
 波長は900nmとした。黒化特性は、試験片を比較
的、緩かに移動させた場合の変態(非晶質から結晶質)
の速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と記
録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とした。
×は緩やかに移動させても、黒化しないもの、あるいは
、コントラスト比が小さいものを示す。○、△は◎と×
の中間に位置する。この定性的な表現において、実用可
能な黒化特性は0以上である。
次に白化特性について述べる。白化特性を観る場合は、
まず、一旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作り、白化(結晶質から非晶質)させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が大きいものを示し、×は全く白化しないものを示
している。○と△は、◎と×の中間に位置する。
上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。
第1表に、本発明の範囲でPd濃度を152Lt%とし
て作成した膜の転移温度と、黒化、白化特性の結果を示
す。
(以下金 白) 第1表 第1表の結果より明らかなように、本発明の範囲にある
Te −Ge−3e−Pd系記録薄膜は、黒化及び白化
が、それぞれ可能である。即ちこの範囲内にある記録部
材は、加熱条件、例えば照射するレーザ光線の照射強度
、照射時間を適当に選ぶことで非晶質状態と結晶状態の
いずれの状態も、とることが可能であり、光学的に情報
を記録し、かつ消去することが可能である。
本実施例においてはPdの濃度を15at%としたが、
上述の黒化白化特性は、Pdの濃度に強く依存する。一
方、転移温度も又、それほど強くはないがPda度に依
存する。
実施例2 実施例1と同様の作成法、評価法を用い、T。
−Ge−3θ系にPdを添加した場合の濃度依存性につ
いて調べた結果を第2表に示す。−例としてTe6oG
e2,5e2o  組成を選び、Pd濃度を3〜36a
t%の範囲で変化させる。  ′ 第2表の結果から明らかなように、’re 60Ge2
0Se2o  に、Pdを添加した場合、Pd濃度が6
〜30at%にある場合、レーザ光線によって、結晶化
、非晶質化のいずれも可能であり、光学記録部材として
有効である。
結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる場合記録
(非晶質化)速度は、照射部が溶融するまでの時間、消
去(結晶化)速度は、原子配列の秩序が回復する時間に
依存し、一般に前者は後者に比べて十分速い。従って本
発明の組成領域を例えば光ディスクに適用する場合、主
としてその消去速度がデバイスとしてのスペックを決定
する。
即ち、デバイスとしての使用条件、例えば光ディスクの
場合にはその回転速度記録半径(線速度)に応じて組成
を選べば良い。即ち、Pd濃度の低い組成の場合には記
録感度(白化感度)は高いが、消去感度(黒化速度)が
低い、従って、回転速度が比較的遅い場合に有効である
。逆に、P(i濃度の高い組成の場合には消去感度(黒
化速度)は十分であるので高速回転に適用可能である。
ただし、この場合は、やや大きい記録パワーを必要とす
る。
Paの添加効果は、G5−Te −3e  系の組成比
によりやや異なっている。例えば、比較的Ss酸成分多
い領域(Se〉26at%)においては比較的Pd濃度
の高い領域、16〜30 at%が良好な特性を示し、
比較的Se成分の少ない領域(Seく1sat%)にお
いては比較的Pd濃度の低い領域6〜20at%が良好
な特性を示した。
同様に、比較的Ge成分の多い領域(Go>25at%
)においては比較的P(i濃度の低い領域6〜20at
%、Ge  成分の少ない領域(Ge<:1゜at%)
においては比較的Pd濃度の高い領域16〜20at%
、Go成分の少ない領域(Go<10at%)において
は比較的Pd濃度の高い領域16〜30at%が良好な
特性を示した。
実施例3 基材として光ガイド用のトラックを備えた162t×φ
200flのポリカーボネイト樹脂基材を用い、記録膜
とLテ(Te60Gezo”2o)asPd+sの薄膜
を用いて光ディスクを試作した。
まず、基材上に耐熱層としてznS薄膜を900人蒸人
蒸、その上に記録層を約1000への厚さに蒸着し、更
にその上に、同じく耐熱層としてznS薄膜を1800
人蒸漬した。
この光ディスクの基板側から、光学系を用いて絞り込ん
だレーザ光線を照射して信号を記録し、直ちに消去を行
なった。記録に先立って、スポット形状が1μm〜10
μmの長楕円形のレーザ光線を14mWの強さでトラッ
クに、そって照射し、トラック内の記録膜を結晶化し、
次に0.9μmφに絞シ込んだレーザ光線をsmWの強
さで照射した。記録周波数は2MH2、ディスクの回転
速度は5m/Sである。このとき照射部は非晶質化され
、トラックに沿って、信号が記録された。スペクトラム
アナライザーでC/Nを測定したところ45dBが得ら
れた。このトラック上に、前述の長楕円スポットを照射
したところ、信号は完全に消去された。
実施例4 章節@13におけA光ディスクを用いて、寿命試験を8
0”C,60%RHの条件下で行なった。
試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後の07Hの劣化をみた。1ケ月経過後のC/Hの低
下は−0,5dBと無視できる程度であった。
実施例6 実施例3における光ディスクの記録、消去の繰シ返し特
性を評価した。
1万回記録、消去を繰り返した後のC/Nの低下は、約
1dB程度であった。
実施例6 実施例1における組成(To98Ge5Se5)85P
d、5(A5 ) 、 (Te5oGo25Sa25)
as pa、5(05)  のサンプル片と Tl35
0Go50.Te5oGe25Pd25ノサンプル片を
用いて、加速耐熱・耐湿試験を80’C,80%RHの
条件下で行なった。
試験方法は、蒸着後のサンプル片と耐熱・耐試験後のサ
ンプル片を顕微鏡観察で劣化をみた。
1ケ月経過後To−Ge系及びTe−Ge−Pd  系
は膜に白い模様がでて劣化していたのに対し、To −
Ge −8e−Pd系は変化がみられなかった。
発明の効果 本発明によるTo −Ge−8s−Pd記録薄膜は、耐
熱性及び耐湿性に極めて優れていることが最大の特徴で
あり、かつ現在市販されている半導体レーザを用いて十
分、記録、消去が可能である。さらに記録、消去を繰り
返しても膜が破壊されることが無い。即ち、本発明によ
って実用上、極めて優れた光学情報記録部材が提供され
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第2図は本発明の光学情報記録部材の一実
施例における構成を示した断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 Ge−U”atλ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Te、Ge、Se、Pdを主材料とし、Te、G
    e、Seの原子数比が第1図の A_1(Te_9_0Ge_5Se_5)、B_1(T
    e_6_0Ge_5Se_3_5)C_1(Te_4_
    0Ge_2_5Se_3_5)、D_1(Te_4_0
    Ge_4_0Se_2_0)E_1(Te_5_5Ge
    _4_0Se_5)の各点で囲まれる領域内に有ってP
    dの濃度(at%)が全体の組成を(Te_xGe_y
    Se_z)_1_0_0_−_mPd_mとしたとき、 5≦m≦30at%である薄膜構造を備えた光学情報記
    録部材。
  2. (2)Te、Ge、Seの原子数比が第1図の、A_2
    (Te_8_3Ge_1_0Se_7)、B_2(Te
    _6_0Ge_1_0Se_3_0)C_2(Te_4
    _5Ge_2_5Se_3_0)、D_2(Te_4_
    5Ge_3_5Se_2_0)E_2(Te_5_3G
    e_3_5Se_7)の各点で囲まれる領域内に有って
    、Pdの濃度(at%)が5≦m≦25at%であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学情報記
    録部材。
  3. (3)Te、Ge、Seの原子数比が第1図のA_3(
    Te_7_5Ge_1_5Se_1_0)、B_3(T
    e_6_0Ge_1_5Se_2_5)C_3(Te_
    5_0Ge_2_5Se_2_5)、D_3(Te_5
    _0Ge_3_0Se_2_0)E_3(Te_6_0
    Ge_3_0Se_1_0)の各点で囲まれる領域内に
    有って、Pdの濃度(at%)が 10≦m≦25at%であることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の光学情報記録部材。
  4. (4)組成を(Te_8_0_−_PGe_PSe_2
    _0)_1_0_0_−_mPd_mと表したとき 15≦P≦25、10≦m≦25at%であることを特
    徴とする特許請求の範囲第3項記載の光学情報記録部材
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753413A (en) * 1995-03-20 1998-05-19 Hitachi, Ltd. Rewritable medium for recording information in which the atomic arrangement is changed without the shape being changed and the optical constant is changed

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753413A (en) * 1995-03-20 1998-05-19 Hitachi, Ltd. Rewritable medium for recording information in which the atomic arrangement is changed without the shape being changed and the optical constant is changed

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