JPH02147289A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光、熱などを用いて高速にかつ高密度に情報を
記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するもの
である。

従来の技術 近年、情報量の増大化や、記録、再生の高速化あるいは
、高密度化に伴い、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。光ディスクには一度だけ記録可能な追
記型と呼ばれる媒体と記録した信号を随時消去して何度
も記録可能な書換え型媒体がある。追記型光ディスクに
は、記録信号を穴空き状態として、再生するものや、凹
凸を生成させて再生するものがある。書換え可能なもの
としてはカルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｅ−Ｇ
ｅを初めとして、これにＡｓ、　　Ｓ、　　Ｓｉ。

Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉなどを添加した例が知られていこれに
対し、本発明者等は先に、Ｔｅ−ＴｅＯ２のような酸化
物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号として検
出する方法を提案した。更に、相転移を利用した書換え
可能な光ディスクとしてＴｅ−ＴｅＯ２に対し、各種の
元素（Ｓｎ、　　Ｇｅ。

Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、ＴＩ、Ｓｅなど）を添加した例が見
受けられる。これらの記録部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く
、耐湿性に対しても優れるという特徴を有している。

発明が解決しようとする課題 しかし、カルコゲン化物より成る書換え可能な情報記録
部材は、−船釣に記録、消去の繰り返しに対する安定性
に劣るといった特徴を有する。この理由はＴｅ、Ｇｅと
その他の添加成分が、数度の繰り返しによって記録膜成
分が相分離を生じてしまい籾量と繰り返し後では膜の構
成成分が異なってしまうことに起因しているものと思わ
れる。

書換え可能な光ディスクでは、未記録状態を非晶質とし
、記録状態を結晶とする方法がとられる。

この場合記録はレーザ光で、−旦記録膜を溶融させ急冷
によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レーザ
にはパワーの限界がありできるだけ記録膜の融点が低い
方が記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は記録感度を向上させるため
にできるだけ融点の低い組成、すなわちＴｅが多い膜組
成となっている。Ｔｅが他の添加成分より多いというこ
とは、化学量論組成より、それだけずれることになり記
録、消去を繰り返した場合に、相分離が生じやすいこと
になる。したがって、融点を下げるために添加した過剰
のＴｅをいかに化合物として固定化し、安定な組成にす
るかが繰り返し特性を向上させるためには重要である。

本発明は、このようなカルコゲン化物よりなる従来組成
の課題を克服したもので、記録膜組成としてＴｅＣ；ｅ
ＳｎＳｂを含む光学情報記録媒体を提供することを目的
とするものである。

課題を解決するための手段 本発明は、ＴｅＧｅ５ｎＳｂ系の組成物であって、Ｔｅ
、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第１図（７）Ａ。

Ｂ、　　Ｃ，Ｄ、　　Ｅの点を結んだ領域内にあるとと
もに、Ｓｂａ度が５〜４０ａｔ％である組成を備えるこ
とを特徴とする。

作用 本発明は、上述した従来組成Ｔｅ−Ｇｅ−５口にＳｂを
添加して過剰のＴｅを化合物として固定することにある
。ＳｂはＴｅと化合物を形成し、融点が最も高い場合で
も６２２℃（Ｓｂ２Ｔｅ３）である。この温度は他のＴ
ｅ−Ｇｅ、　　Ｔｅ−３ｎなどと比較しても２００℃以
上も低い。従って、Ｓｂの添加はＴｅを母材とする膜の
融点を上昇させることなしに過剰なＴｅを化合物として
固定することが可能となる。

実施例 以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

本発明は、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎ−５ｂより構成される組成
を含む記録媒体である。本発明において、１’　ｅは他
の元素と結合した状態で記録前後で光学的濃度変化を呈
する母材である。ＧｅはＴｅとの濃度比によって非晶質
と結晶間の転移速度を支配する。すなわち、Ｇｅ７１！
１度が低い領域では（ＴｅとＣｅのみの場合は、Ｃｅが
５０ａｔ％以下）非晶質として安定に存在させるが、ａ
度が高くなると結晶質状態としての方がより安定となる
ため。

−旦結晶質となったものを非晶質化させることが困難と
なる。本発明のＧｅ８度は５０ａ　ｔ％以下であるので
、Ｇｅは膜の非晶質性を増大させることに寄与する。Ｓ
ｎの役割は、Ｃｘｅと同様ではあるがＳｎがＴｅとで非
晶質性を増大させる領域は狭く、本発明の範囲ではむし
ろ、結晶化を促進する。すなわち、ＣｕｅとＳｎはＴｅ
に対しての作用は似ているが、Ｔｅとの濃度比によって
、非晶質性が増大したり、結晶質性が増大したりする。

ＧｅとＳｎの濃度が高くなると、膜は結晶質として安定
になるため、非晶質から結晶質への転移は容易となるが
、逆は困難となる。したがって、こうした材料は追記型
材料となる。しかし、こうした材料でもレーザパワーが
強く、膜を充分に溶融させることが可能であれば、書換
え可能なディスクとして使用することが可能である。現
在、我々が実用上人手できる半導体レーザは波長が８３
０ｎｍ程度では最大４０ｍＷ程度であり、Ｔｅ、Ｇｅ。

Ｓｎの量論に近い組成（ＧｅＴｅ；７ａＯ℃、５ｎＴｅ
；　７２５℃）を溶融させることは困難である。Ｔｅ−
Ｇｅ−５ｎ系で記録、消去が可能な領域はＴｅが非常に
多い領域（８０ａｔ％以上）にあるが、この領域の組成
は転移温度が低く、熱的に不安定であること、Ｔｅが過
剰であるため、繰り返しによってＴｅとＧｅＴｅあるい
は５ｎＴｅに記録膜が相分離を生じ易いなどの欠点を有
している。

本発明のＳｂはこの過剰のＴｅをＳｂとＴｅの化合物と
して安定化させる働きを有する。ＳｂはＴｅとの合金系
ではＴｅが６０ａｔ％以上では、融点が６２２℃以下で
Ｓｂを添加してもＴｅの融点が４５１’Ｃなのでそれほ
ど融点を上昇させることはない。そのため、Ｓｂを添加
した膜は現行の半導体レーザパワーでも充分に溶融させ
ることができる。熱的に不安定な過剰なＴｅを５ｂ２Ｔ
ｅｉとして化合物を形成しているため、熱的に安定で、
かつ記録、消去の繰り返しによっても相分離を生ずるこ
となく長期に亘って安定な膜となる。

Ｓｂの添加量は、Ｇｅ、Ｓｎと結合した残りの過剰Ｔｅ
を固定化するので必要なＳｂ濃度はＴｅ／（Ｇｅ＋Ｓｎ
）の量に支配される。すなわち、Ｔｅａ度が高い領域で
はＳｂａ度は高い。

第１図に本発明のＴ　ｅ　−Ｇ　ｅ　−Ｓ　ｎ　−Ｓ　
ｂより構成される記録組成の適正範囲を示した。図はＴ
ｅ−にｅ−Ｓｎより構成されているが５ｂｉｌ！度は第
１図に示されたＴｅ−Ｃｘｅ−Ｓｎ！成に対し、５〜４
０ａｔ％である（Ｓｂ濃度は（Ｔ　ｅ　Ｋ　Ｇ　ｅ　！
１ｓ　ｎ　ｚ）　ｓ　ｓ　ｂ　ｎで示した場合のｎに相
当）６第１図において各点は以下の組成である。

Ａ点　　　Ｔ　ｅａｓｃ　ｅａｓ　ｎ２（ａ　ｔ％）８
点　　　Ｔ　ｅｑ３Ｇ　ｅ　２Ｓ　ｎｓＣ，ａＴ　ｅａ
ｓｃ　ｅ２ｓ　ｎ３１！Ｄ点　　　Ｔ　ｅ　５２Ｇ　ｅ
　＋ｓＳ　ｎ　３１１Ｅ点　　　Ｔｅ５２ＧｅｎａＳｎ
２ 本発明は上記Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎの三元系のＡＢＣＤＥ点
で囲まれた範囲内にあって、かつＳｂ濃度が式（Ｔ　ｅ
ｘＧｅ、５ｎｚ）ａＳｂｎで表わした場合、ｎの値とし
て５〜４０ａｔ％の範囲内にある。線ＡＢより多い場合
、必然的にＧｅ９度は少なくなり非晶質化が困難となる
。また、Ｇｅ、５ｎｆｉ度が低いため非晶質から結晶質
への転移温度も低い。

線ＢＣよりＧｅが低い場合も、線ＡＢよりＴｅが多い場
合と同様に転移温度が低い。また結晶質から非晶質への
転移に対する傾向は、Ｔｅが多い場合よりも容易である
。しかし、実用的な観点からは、不十分である。線ＣＤ
よりＳｎ濃度が多い場合、Ｓｎの添加は結晶質化を促進
するので、非晶質化が困難となる。また、非晶質から結
晶質への転移温度も低く、熱的な安定性に乏しい。線Ｄ
ＥよりＴｅが少ない場合、この領域は、ＴｅとＧｅ。

Ｓｎが化学量論に近い組成で結晶、ＧｅＴｅ。

５ｎＴｅを形成するので非晶質化が困難となる。

また、この領域では過剰なＴｅがほとんど存在しないの
で添加するＳｂ′ｌＩ４度も少ない。逆に言えば、Ｓｂ
の添加量も少ない。したがって、この領域は非晶質化が
困難となる。

線ＥＡよりＳｎが少ない領域では、非晶質として安定で
あるので結晶質化が困難である。ただしこの傾向はＥＡ
綿線上ＴｅとＧｅの比によって支配され、Ｔｅが多いほ
ど結晶化が容易で＋　　Ｔｅａ度が７０ａ　ｔ％付近が
最も結晶化が困難となり。

Ｔｅが５０ａｔ％付近で、再び結晶化が容易となる。こ
の理由はＴｅとＧｅが非晶質として、より安定な化合物
ＧｅＴｅ２を形成するためで＋Ｔｅａ度が７０ａｔ％付
近では、全体的に結晶質化が困難である。

以上述べた理由により、本発明は、第１図において点Ａ
−Ｂ−Ｃ−Ｄ　−Ｅで囲まれた範囲内に限定される。す
なわち、この領域内のＴｅ−Ｇｅ−９ｎにＳｂを５〜４
０ａｔ％添加した場合、実用上、結晶質と非晶質の可逆
性を利用して、情報の記録、消去が可能となる。

次に、第２図の実施例について述べる。

第２図は、第１図と同様にＴｅ−Ｇｅ−５ｎとＳｂより
なる本発明の組成範囲を示したもので第１図より、より
実用的な組成範囲を示しである。

第２図において各点の組成を以下に示す。

Ｆ点　　　Ｔ　ｅ９２Ｇ　ｅ５Ｓ　ｔ１３（ａ　ｔ％）
０点　　　Ｔｅ９２Ｇｅ３Ｓｎ５ Ｈ点　　　Ｔ　ｅ６ｓｃ；　ｅ　３Ｓ　ｎ２ＱＩ点　　
Ｔ　ｅ７ａＧ　ｅ２３ｓ　ｎ３Ｊ点　　Ｔ　ｅｒａＧ　
ｅ２３ｓ　ｎ３このＦ−Ｃ；−Ｈ−１点で囲まれた領域
におけるＳｂ濃度はｌＯ〜３５　ａ　ｔ％である（Ｓｂ
濃度は（ＴｅＸＧｅ、５ｎｚ）ａＳｂｎで示した場合の
ｎに相当）。

Ｈ点　　　Ｔ　ｅ　６８Ｃ；　ｅ　３Ｓ　１１２９Ｊ、
ＩａＴｅ７４Ｇｅ２３Ｓｎ３ に点　　　Ｔ　ｅ６８Ｇ　ｅ２９ｓｒｌ＋Ｌ点　　　Ｔ
　ｅ９２Ｇ　ｅａ６８　ｎ３Ｎ４点　　　Ｔ　ｅ５２Ｇ
　ｅ　１９Ｓ　ｎ２９このＨ−Ｊ−に−Ｌ−Ｍ点で囲ま
れた領域に於けるＳｂａ度は５〜２５ａｔ％である。

まず第２図の上段点ＦＧＨＩで囲まれた領域の特徴につ
いて述べる。この領域の非晶質から結晶質への転移温度
は１２０〜２０５℃以内であり、後述する点ＨＪＫＬＭ
点で囲まれた領域に比べると低い。Ｓｂの添加はＴｅ−
Ｇｅ−５ｎだけよりなる系に比べ、結晶への転移温度を
２０〜５０℃高める働きを有する。しかもＳｂの添加に
よって膜の融点は下がるため、非晶質化に対しては都合
がよい。この理由は、Ｓｂは単独でも６３０℃でＴｅと
の化合物Ｓ　ｂ２Ｔｅ３でも６２２℃と比較的低いこと
に起因する。一方、Ｇｅ、Ｓｎの場合はＴｅ８度に対し
、５０後以下の場合、各々最大で７２５℃、７９０℃と
なる。それ故、Ｓｂの添加は熱的安定性を示す転移温度
を上昇させる効果と膜の融点を下げ、非晶質化を容易に
するといった利点を有する。

次に、ＨＪＫＬＭ点で囲まれた領域について述べる。こ
の領域の結晶転移温度は１４０℃〜２３０℃程度である
。

前述したように、この領域は過剰のＴｅが少ない領域で
Ｓｂの添加効果はＦＣＨ１点で囲まれた領域に比べ期待
できない。しかし、ＳｂなしのＴｅ−Ｇｅ−５ｎ系に比
べると非晶質化は容易である。ＪＫＬＭ点で囲まれた領
域の特徴は、転移温度が高く、熱的に安定であること＋
　　Ｇ　ｅ　Ｔ　ｅ。

５ｎＴｅの量論に近い組成なので結晶化が容易で非晶質
化が困難なことであるが、半導体レーザを高出力なもの
を用いれば、非晶質化は容易となる。

点ＩＪＫで囲まれた部分は安定な非晶質状態のＧｅＴｅ
２が存在する領域で結晶化が困難である。

以上述べた理由により、本発明のＴｅ−Ｇｅ−５ｎ−９
ｂの最適組成は限定される。

次に、本発明による光学的情報記録部材の製法について
述べる。第３図は、本発明の記録層を用いて構成した光
ディスクの断面の模式図である。

図において１．５は基板を表わしており、材質はポリカ
ーボネート、アクリル樹脂、ガラス、ポリエステルなど
の透明な基材を用いることが可能である。２．４は保護
層で、種々の酸化物、硫化物、炭化物を用いることがで
きる。この保護層２．４は記録膜３の記録、消去の繰り
返しによる基材の熱劣化を防ぐものであり、さらに、記
録膜３を湿度より保護するものである。したがって、保
護層の材質、膜あつは上述した観点より決定される。

記録膜３は蒸着、スパッタリング等によって形成される
。蒸着で行なう場合は各組成を単独に蒸着可能な４７［
−蒸着機を用いるのが、均一な膜を形成できるので望ま
しい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２．４の光学的特性
とのマツチング、すなわち、記録部と未記録部との反射
率の差が大きく取れる値とする。

以下、具体的な例で本発明を詳述する。

実施例１ ４元蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｃ、Ｇｅ
、Ｓｎ、Ｓｂをそれぞれのソースから蒸着した。用いた
基材はφ８ｍｍのガラスで、蒸着は真空度がｌＸｌ０−
５Ｔｏｒｒ、基材の回転速度が１５Ｏｒ　ｐｍで行い、
膜厚はｌｏｏｎｍとした。各ソースからの蒸着速度は記
録膜中のＴｅ。

Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂの原子数の割合を調整するため変化さ
せた。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度より換算
した値であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナライ
ザー（ＸＭＡ）で行なったところ、仕込値とほぼ同様の
定量結果が得られた。

（以下余白） 第一１−表 第一１−表（２プ盈り したがって、表中の仕込組成は膜中でも同じと思われる
。

上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

「転移温度」 転移温度とは蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって結
晶状態になる、その開始温度を意味する。

測定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒータ
により試験片の温度を、昇温速度６０℃／ｗｉｎで上昇
させた場合の透過率が減少を開始する温度とした。

転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。

「黒化、白化特性」 黒化特性とは、非晶質から結晶質への相変化に対しての
転移のし易さを示したもので、逆に白化特性は結晶質か
ら非晶質の転移のし易さを示したものである。

測定は、φ８ｍｍのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザ光を集光させサンプル片を移動可能な装置
を用いて行なった。レーザ光のスポットは４５Ｘ０．４
μｍ、パルス幅４００ｎｓ、パワー密度１０．６ｍＷ／
μｍ２、波長は９００ｎｍとした。黒化特性は、試験片
を比較的緩やかに移動させた場合の相変化のし易さく非
晶質から結晶質）を観察し、容易で、かつ未記録部分と
記録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とした
。

×は緩やかに移動させても黒化しないものを示す。

○、Δは◎とＸの中間に位置する。この定性的な表現に
おいて、実用可能な黒化特性は０以上である。

次に、白化特性について述べる。白化特性を観察する場
合は、まず記録膜を一旦黒化し、その上で試験片を速や
かに移動させ急冷状態を作り、白化（結晶質から非晶質
への転移）させる。白化状態が◎にのものは移動速度が
比較的緩やかでも、白化し、しかも非晶質部分と結晶質
部分のコントラス比が大きいものを示し、Ｘは全く白化
しないものを示している。ＯとΔは、◎と×の中間に位
置する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常に優れ
ている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては、同
じ移動速度で、どちらも◎となることはありえず、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、Δと多少黒化特
性が優るものが良い。

第１表に、本発明の範囲で作成した膜の転移温度と、黒
化、白化特性の結果を示す。第４図には、第１表に対応
するＴｅ−Ｃｕｅ−５ｎ系の三角図を示す。

第１表より明らかなように、本発明の範囲内にあるＴ　
ｅ−Ｃ；　ｅ−Ｓ　ｎ−５ｂ系は黒化特性が×か、白化
特性が×であるものはなく、この範囲内にある記録部材
は加熱条件によって非晶質状態と結晶質状態を取ること
ができ、光学的にも情報の書き込み、消去が可能である
。

実施例２ 実施例１と同様な作成法、評価法でＴｅ−Ｇｅ−９ｎ系
にＳｂを添加した場合の濃度依存性を検討した結果を第
２表に示す。

（余白） 第一２−表 第２図に置いてＦＧＨＩて囲まれた領域からは第４図の
４で示される（Ｔｅ８ｓＧｅ＋１ＩＳｎ＋ｓ）点を選択
しＨＪＫＬＭで囲まれた領域からは、第４図の１２　（
ＴｅｓｌＩＧｅ２ｓＳｎ＋５）を選択した。第２表にお
いてＳｂａ度とは（Ｔ　ｅｘＧ　ｅ、Ｓ　ｎｚ）　ｌｌ
Ｓ　ｂｎて表わした場合、ｎの値を表わす。

第２表の結果より明らかなように、第２図のＦＣＨＩで
囲まれた領域にある場合のＳｂ濃度は、１０ａｔ％から
３５ａｔ％にある場合、黒化、白化特性が○、△より○
、◎と良好である。

第２図のＨＪＫＬＭで囲まれた領域にある場合のＳｂ濃
度は５〜２５ａ　ｔ％である。５ａｔ％以下（Ｎｏ、２
４．Ｎｏ、２５）は白化せず、書換え可能な記録部材と
はならない。Ｎｏ、２４および２５は本発明の範囲外で
参考例である。Ｓｂ濃度が２５ａ　ｔ％以上の場合、Ｎ
ｏ、３０は黒化特性がＸ〜Δで、一応黒化が可能ではあ
るが、実用性の観点からは使用は困難である。したがっ
て、ＨＪＫＬＭで囲まれた領域にある場合のＳｂａ度は
５〜２５ａ　ｔ％である。

実施例　３ 基材として、１．２ｔＸφ２００ｍｍのポリカーボネー
ト樹脂基材を用い、記録膜として実施例２のＮ　ｏ　、
２１　（ＴｅｓｅＧｅ＋ｓＳｎ＋ｅ）ｔｅＳｂ−Ｊ＠の
薄膜とＮｏ、２６の薄膜を形成して２種類の光ディスク
を試作し評価した。

各記録薄膜の形成方法は、実施例１と同様であるが、記
録膜を形成する前に、耐熱層としてＺｎＳを９０　ｎ　
ｒｎ蒸着し、記録膜を形成後も１８０ｎｍ蒸着した。こ
れら２種類のディスクを用いて、記録、消去パワーをそ
れぞれ８　ｍＷ、　　１５　ｍＷとし、記録レーザビー
１１は半値幅でφ１μｍ、消去レーザビーム長は、半値
幅で約ｌＸ１５７１ｍの長楕円状とし白化状態で記録、
黒化状態で消去を行なった。なお、記録周波数は２ＭＨ
ｚ、ディスクの周速は、５　ｍ　／　ｓである。

Ｎｏ、２１のＣ／Ｎは５５　ｄ　Ｂ、　　消去率は５３
ｄＢであり、Ｎｏ、２６のＣ／Ｎは５０ｄＢで、消去率
は４９ｄＢであった。

実施例４ 実施例３におけるＮｏ、２１の光ディスクを用いて、寿
命試験を８０℃、６０％ＲＨの条件下で行なった。

試験方法は、予め情報を記録しておき、上記条件で保持
後のＣ／Ｎの劣化、消去率の経時変化をみた。−ケ月経
過後のＣ／Ｎの低下は−０，５ｄＢで、消去率の低下は
ｌｄＢであった。

実施例５ 実施例３において、Ｎｏ、２１の光ディスクを、耐熱層
として、Ｇ　ｅ　Ｏ２とＳｉＣを用い、それぞれレーザ
入射光側の膜厚を８０ｎｍとして蒸着後、記録膜を形成
した；　その上に、さらり同様の耐熱層を１９０ｎｍ蒸
着して試料とした。これらのディスクのＣ／ＮはＣｅ　
Ｏ２を用いた場合で５４ｄＢ。

ＳｉＣで５２ｄＢで、消去率は各々、４８ｄＢ。

５０ｄＢであった。さらに、実施例４の寿命試験を行な
ったところ、−ケ月経過後で、ＧｅＯ２を用いた場合で
、Ｃ／Ｎの低下は一３ｄＢ、ＳｉＣは−０，８ｄＢであ
った。

実施例６ 実施例３の基材を用いて、実施例１のＮｏ、５の光ディ
スクを作成した。耐熱層はＺｎＳを用いた。

膜厚は第一層目のＺｎＳを８６ｎｍ、記録層を３０ｎｍ
、　　第二層目のＺｎＳを１９５ｎｍとした。

このディスクのＣ／Ｎは５６ｄＢで消去率は５５ｄＢで
あり、実施例５における繰り返し試験を行なったところ
、ｌＯ万回後のＣ／Ｎの低下は一２ｄＢであった。

発明の効果 本発明によるＴｅ−Ｇｅ−５ｎ−Ｓｂ記録膜は、Ｓｂの
添加によりＴｅ−Ｃｅ−５ｎ系より結晶化、非晶質化領
域が拡大され、かつ記録、消去の繰り返し特性が優れ、
消去率の経時変動も少ないという特徴を有する。しかも
、熱や湿度に対しても安定であるにもかかわらず、膜の
融点が低いので現行の半導体レーザパワーで充分に黒化
（消去状態）白化（記録状態）が可能で、実用上極めて
優れた光学情報記録部材を提供することができるもので
ある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第２図は第１図の組成を、さらに限定した
範囲を示す組成図、第３図は本発明の光学情報記録部材
の一実施例における構成を示した断面図、第４図は本発
明の実施例１．２における各試料の組成を示した組成図
である。 ｌ、５・・・基板、２．４・・・保護層、３・・・記録
膜。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第 ］ 図 ｅ 第 図 第 図 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第１図のＡ（Ｔｅ
   ＿９＿３Ｇｅ＿５Ｓｎ＿２）、Ｂ（Ｔｅ＿９＿３Ｇｅ＿
   ２Ｓｎ＿５）、Ｃ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２Ｓｎ＿３＿０
   ）、Ｄ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿８Ｓｎ＿３＿０）、Ｅ
   （Ｔｅ＿５＿２Ｃｅ＿４＿６Ｓｎ＿２）点で囲まれる領
   域内にあって、Ｓｂの濃度（ａｔ％）が （Ｔｅ＿ｘＧｅ＿ｙＳｎ＿ｚ）＿ｍＳｂ＿ｎで表わした
   場合、ｎ＝５〜４０ａｔ％であることを特徴とする光学
   情報記録部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第二図のＦ（Ｔｅ
   ＿９＿２Ｇｅ＿５Ｓｎ＿３）、Ｇ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿
   ３Ｓｎ＿５）、Ｈ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｎ＿２＿９
   ）、Ｉ（Ｔｅ＿７＿４Ｇｅ＿２＿３Ｓｎ＿３）点で囲ま
   れる領域内にあって、Ｓｂの濃度ｎの値が１０〜３５ａ
   ｔ％であることを特徴とする請求項１記載の光学情報記
   録部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第二図のＨ（Ｔｅ
   ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｎ＿２＿９）、Ｊ（Ｔｅ＿７＿０Ｇ
   ｅ＿１＿０Ｓｎ＿２＿０）、Ｋ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２
   ＿９Ｓｎ＿３）Ｌ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿４＿５Ｓｎ＿３
   ）、Ｍ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿９Ｓｎ＿２＿９）点で
   囲まれる領域内にあって、Ｓｂの濃度ｎの値が５〜２５
   ａｔ％であることを特徴とする請求項１記載の光学情報
   記録部材。