JPS62161587A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、元、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。

従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。

高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した元ディスクが
注目されている。元ディスクには、一度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｏ−Ｇｅを初め
として、Ｔｅとムｓ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｅ、８ｂ、Ｂｉなど
を添加した例が知られている。

これに対し、本発明者らは先に、Ｔｅ−ＴａＯ２のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き換
え可能な元ディスクとして、Ｔｏ−Ｔｅａ□に対し各種
添加物を添加（Ｓｎ、Ｇｏ。

Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｔ、ｄ、Ｓｅなど）した例がある。

これらの記録部材の特徴は、ｃ７Ｎが高く、耐湿性に対
しても優れるという特徴を有している。

発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に、記録、消去の繰り返しに対する安定性が悪
いといった特徴を有する。この理由ｕｓＴｅ＊Ｇｅとそ
の他の添加成分が、数度のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくり返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があり、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Ｔｅが多
い膜組成となっている。Ｔｅが、他の添加成分より多い
ということは、くり返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のＴｏをいかに固定して動きにぐい組
成にするかが、くり返し特性や、ＣＮＲ，消去率の経時
変動に大きな影響を及ぼすことになる。

酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する欠点があ
る。すなわち、消去率が録再消去のくり返しによって低
下することである。

魯き換え可能な光ディスクは、通常、初期状態を結晶状
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。

この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レーザの
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。

すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によって結晶質
となり急冷によって非晶質となる。したがって記録、消
去のくり返しによって、膜は何度も結晶質、非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少な
くなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化
物の存在は膜自身の熱伝導が悪くするので、レーザ光の
入射側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成の
偏析ばやはり生ずる。こうした理由により、酸化物を含
んだ膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性が
変化するなどの欠点を有していた。

本発明は、上述した酸化物を含む膜のくり返し特性を向
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物より
なる従来組成の欠点（Ｃ／Ｎが低い、消去率が充分では
ない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分では
ない）を克服したものである。

問題点を解決するための手段 本発明における記録層は、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅ−ムＵ系の
組成物であって、Ｔｏ、Ｇｏ、Ｓｅの原子数比が第１　
図のＡ４．Ｂ、、Ｃ１，Ｄ　４．ＩＣ＋の点ｆ結Ｚｖだ
領域内にあるとともに、ムＵの濃度が６〜４０＆ｔ％で
ある材料により構成される。

作用 本発明の特徴は、上述した従来組成、Ｔｏ−Ｇｅ−３ｓ
　　にムＵを添加して過剰のＴｅ　ｆ、固定することに
ある。ムｕｕＴｅ　と化合物を形成し、Ｔｏ濃度が６０
％以上のムｕ−Ｔｅ系では、融点が最も高い場合（ムｕ
Ｔｅ、、）でも４６４°Ｃである０この温度は他のＴｏ
−Ｇｅ、Ｔｅ−３ｎなどと比較しても３００°Ｃ以上も
低い。したがって、ムＵの添加はＴＯと母材とする膜の
融点を上昇させることなしに、過剰なＴｅ　ｆ固定する
ことが可能となる。

実施例 本発明は、Ｔｏ−４ｅ−８ｓ−ムＵにより構成される。

本発明においてＴｏはムｕ９るいはＯｅと結合した状態
で、記録前後によって光学的濃度変化を呈する母材であ
るＯ２０は単独でも、またＴＯとの化合物状態でも非晶
質膜を作成することが容易ではある特徴を有するものの
逆に結晶化速度が遅いこと、結晶転移温度が低い（＝＝
１００°Ｃ）ことなどの欠点を持つ０Ｔｅ−８ｅ　（Ｃ
Ｇｅを添加することにより、結晶転移温度は上昇するが
、結晶化速度は改善されず、元ディスクの実用上必要な
結晶化速度（数百ｎｓ　）は得られない０本発明は、Ｔ
ｏ−Ｇｏ−８ｅで構成される、上述した特長、すなわち
、結晶化転移温度が高いことを活かし、しかも欠点であ
る結晶化速度が遅いこと全ムＵを添加することにより、
大巾に改善し、実用可能な書き換え可能な記録膜を提供
しようとするものである。

本発明において、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｓ、ムＵは結晶状態に
おいて、ＧｅＴｅ、ＧｅＳｅ２．ムｕＴｅ、、　　など
の結晶状態をとるものと思われる。この中で、ＧｅＳｅ
２は非晶質状態が安定で、結晶化温度は４７０　’Ｃ程
度で、しかも結晶化速度は遅い。このため、膜中にあっ
ては、主に結晶化転移温度を高め、非晶質化を容易にす
る役割を担っているものと思われる。Ｇｅ−ＴｅはＧｅ
とＴｅの比によって、結晶化が容易な領域と、困難な領
域に別れる。すなわちＧｅ−Ｔｅ系で、非晶質状態が最
も安定な領域は、Ｔｅ濃度が７０％程度のＧｅＴｅ２が
生成される領域である。

この点を境にしてＧＯが増えると（量論に近いＧｅＴθ
濃度が増すと）、結晶化速度は速くなる。

本発明においてＧｅはＧｅＳｅ２としての他、ＧｅＴｅ
を形成しており、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅ系においてＧｅＴｅ
は結晶化速度を向上させることに寄与しているものと思
われる。しかしながら、Ｔｅ−Ｇｏ−８ｅで構成される
系では、実用可能な結晶化速度の速い組成はＳｅ量が少
な（、ＧｅＴｅの量論に近い領域となる。この領域の特
徴は、結晶化速度は速いものの、ＧｅＴｅの融点が７２
６°Ｃと高いため、非晶質化が困難なことである。した
がって、実用可能な領域で、結晶化、非晶質化を可能に
するのはＧθ濃度が低くｓＳｅｍ度が高い領域である。

この領域の特徴は、結晶化温度は高いが、結晶化速度が
遅いことである。Ａｕの添加は、膜中で過剰なＴｏとム
ｕＴｅ　２を形成し、結晶化を促進させることである。

Ｔｏ　との化合物で、結晶化を促進する元素は、上述し
たムＵに限らず、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ。

Ｎｉ、Ｇｏ、Ｏｒなど種々の材料がある０こうした材料
は、確かに、結晶化速度が速いという特徴金有し、添加
量を限定することにより、追記型材料（Ｗ１０材料）と
なり得るが、書き換え可能な元ディスク材料としては適
さない。その理由は、上述した元素とＴｅ　とで構成さ
れる合金の融点が高いことによる。

しかし、こうした材料でもレーザパワーが強く、膜を充
分に溶融させることが可能であれば、消去可能なディス
クとして使用することは可能である。

現在、我々が実用上入手できる半導体レーザば、波長が
８３０　ｎｍでパワーは３０ｍＷ程度であり、Ｔｅ、ｅ
ｅ、ｓｏの量論に近い組成（ＴｅＧｅ、（ｒｅｓａ２）
を溶融させることは困難である。（融度が８ｏｏ′Ｃ程
度）Ｔｅ−Ｇｅ−８６で記録、消去可能な領域は。

Ｔｏが非常に多い領域（８０ｔＬｔ％以上）にあるが、
この領域の組成は転移温度が低く、熱的に不安定である
こと、Ｔｅが過剰なため、くり返しによって、Ｔｅ　と
ＴａＧｅあるいはＧｅ５ｅ２に膜が相分離を起こしやす
いことなどの欠点を有している。

本発明のムＵは、この過剰のＴｅをＡｕＴｅ□として安
定化させる働きを有する。ＡｕはＴｅとの合金系ではＴ
ｏが５ｏａｔ％以上では、融点が４６４°Ｃ以下で、ム
Ｕを添加してもＴｅの融点が４５１°Ｃなので、融点を
上昇させることはない。そのため、ムｕｉ添加した膜は
現行の半導体レーザパワーでも充分に溶融させることが
可能である。しかも熱的に不安定な過剰ＴｅをＴθ２ム
Ｕとして結合させているため、熱的に安定で、かつ、記
録、消去のくり返しによっても相分離を生ずることなく
、長期に亘って安定な膜となる。

Ａｕの添加量は、Ｇｅ、Ｓｅと結合した残りの過剰Ｔｏ
を固定化するので、必要なムＵ濃度はＴｅ／　（Ｇｅ＋
Ｓｅ　）の量に支配される。

すなわち、ムＵの添加量はＧｅ−Ｔｏ−８ｓ系の組成比
により異なる。例えば、比較的Ｓｅ成分の多い領域（Ｓ
ｅ）２５ａｔ％）においては、非晶質として安定なので
、結晶化を促進させるムＵの添加量は多くなる。（２６
〜４０＆ｔ％）逆にＳｓ酸成分少ない領域（Ｓｓ≦１５
ａｔ％）では、比較的結晶化速度が速いので、少ないム
Ｕ濃度（６〜２５ａｔ％）で充分である。同様にＧｅ濃
度の多い領域（Ｇｏ≧２５　ａｔ％）は、結晶化速度は
速いので、ムＵ濃度は低く（５〜２５＆ｔ％）Ｇｅ成分
の少ない領域（Ｇｅく１ｏａｔ％）では結晶化が困難な
ので、比較的多いムＵ量を必要とする。

第１図に、本発明のＴｅ−Ｇｏ−３ｓ−ムＵより構成さ
れる記録部材の適正範囲を示した。図はＴｅ−ＧＯ−８
ａより構成されているが、ムＵ濃度は第１図に示された
Ｔｅ−Ｇｅ−８ｏ組成に対し、６〜４゜ｌＬｔ％である
。

（ムＵ濃度は（ＴｏｘＧｅｙＳｅｚ）−ｕｎテ示シた場
合のｍに相当、ただし％Ｘ＋７＋Ｚ＝１００）第１図に
おいて各点は以下の組成であるＯＡ１点　Ｔｏ　、。Ｇ
ｅ、Ｓｅ　５ ｓ４点　Ｔｅ６ｏＧｅ５Ｓｓ　。

Ｃ１点　’ｒｅ４ｏｅｅ２５Ｓｅ、５ Ｄ１点　Ｔｅ４ｏＧｅ４ｏＳ６２゜ Ｂ１点　Ｔｅ５５Ｇｅ４ｏＳｅ５ 本発明は上記、Ｔｅ−Ｇｏ−８ｅの三元系の人、。

ＢＩＩＣＩ’ｌ”１点で囲まれた範囲内にあっ−Ｃ１か
つ、ムＵ濃度が式（ＴｏｘＧｅｙＳｅｚ）、ｏｏ、ムＵ
、で表わした場合、ｍの値として６〜４０ａｔ％の範囲
内にある。

線ム１”Ｂ１よりＧｅが少ない場合、膜は丁ｅ−８ｅが
過剰となり、結晶化転移温度は低く（く１２゜℃）、実
用上安定な記録膜を得ることが困難である。線Ｂ、、Ｃ
１よりＢｅが多い場合は、Ｔｅ８ｅ。

Ｇｅｍ５２の形成量が多くなり、安定な非晶質膜となり
、結晶化が困難となる。線Ｃ１，Ｄ１よりＴＯが少ない
場合、結晶化に必要なムｕＴｅ　２の量も少なくなるの
で、記録部と未記録部の信号のコントラスト比が１氏く
、充分な記録特性が得られない０線り、、Ｅ、よりＧｅ
が多い場合、この領域は量論的なＧｅＴａが生成する領
域で、結晶化速度は上昇するが、融点の高いＧｅＴｅが
多量に存在するので、非晶質化が困難となる０線ム１．
Ｘ、よりＳｅ量が少ない場合は、　ＧｅＳｅ２量が少な
くなるため、非晶質化が困難となるｏしかし同じム１．
Ｅ、線上でもＧｏが少ない場合はＧｅＴｅ量が少ないた
め、非晶質化は比較的容易であるが、結晶化転移温度が
低くなる。

上述した傾向は、当然ながら、添加するムＵ量によって
異なってくるｏＴｏ−Ｇｏ−８θからなる組成を限定し
ムＵ量を変化させると、ＡＵ量が少ない場合は非晶質化
が容易で、ムＵ量が増えるに従って結晶化が容易となる
。この適正なムＵ量はＴｅ、Ｇｏ、Ｓｓによって構成さ
れる膜の特性によって異なるが、本発明の範囲内では６
〜４０１Ｌｔ％で実用的な書き換え可能な記録膜が得ら
れる０以上述べた理由により、本発明は、第１図におい
て、点ムｊ−Ｂｊ−Ｇ（−ＤＩ　　”１で囲まれた範囲
内に限定される。すなわち、この領域内のＴｅ−Ｇｅ−
８ｅにムｕを６〜ａｏａｔ％添加した場合、実用上、結
晶質と非晶質の可逆性を利用して、情報の記録、消去が
可能となる。

次に第１図のム２−８２−０２−Ｄ　２−ＴＬ２あるい
はム３−ＢＳ−Ｏ５−Ｄ５　　”Ｓによって囲まれた領
域について述べる。この領域は第１図の’Ｉ−Ｂ（’ｊ
−”＋−”＋で囲まれた範囲より、より実用的な組成範
囲を示しであるＯ 第１図においてム２　　”２−Ｃ２−Ｂ２−Ｅ２２点の
組成を以下に示す０ ム２　　”８３”７”１０ Ｂ２Ｔ６６、Ｇ１５７８６３゜ Ｃ２Ｔｅ４５Ｇｅ２．、Ｓｅ、。

Ｄ　２　　Ｔｅ４５Ｇｅ、Ｓｅ２゜ １２　　Ｔｅ５５Ｇｅ５５Ｓｅ、。

この各点で囲まれた領域における人Ｕ濃度は１０〜３６
ａｔ％である。（ただし、 （ＴｅＫ”７ＳｅＺ　）　＋　０００−１１ＩＡｕにお
けるｍの値で、Ｘ＋ｙ　＋　ｚ　＝　１ｏ　ｏとするＯ
　）この領域の非晶質から結晶質への転移温度は１２０
〜１８０°Ｃ以内である。転移温度はム２が最も圓く、
線Ｃ２，Ｄ２の方向にＳｓ　、Ｇｏ濃度が増えるに従っ
て温度は上昇する。結晶化を促進する上で必要なムＵ濃
度はム２点に近い領域では少なく、線Ｃ２，Ｄ２に近い
領域では多くなる。すなわち、ム１に近い領域では、過
剰のＴｏが多く、結晶化速度は速いので多くのムＵ量を
必要とせず、Ｃ２，Ｄ２に近い領域は結晶化が困難なた
め多くのＡＵ量を必要とする。

その結果、点ム、ではＧｅＴｅ、Ｇａｇｅ、、の量が少
なく過剰Ｔｏ　も残存しているので安定な非晶質状態が
形成されず結晶転移温度は低くなる。ム２点よりＳｅ量
が多くなると（Ｂ２点ン転移温度は上昇するが、結晶化
速度は遅くなる。ム２点よりＧｅが多くなると、転移温
度は上昇し、結晶化温度も高くなるが、非晶質化が困難
となる０すなわち、点ム２−Ｂ２−Ｃ２”２−Ｅ２で囲
まれた点でムＵ量が１５〜３０１Ｌｔ％である場合は、
用途、目的に応じて、結晶化転移温度、結晶化速度の適
正値を選択することが可能である。しかし、この人、−
８２−Ｃ２−Ｄ２　　”２点で囲まれた領域内であって
も、現在、市販されているレーザ出力（２５ｍＷ程度〕
で、全ての点で、録再が可能とは限らない。点Ａ　、　
−Ｂ　、　−Ｃ、−Ｄ　、　−ＩＣ、で囲まれた領域は
、現行のレーザパワーの範囲で録再が可能で結晶化速度
が速く、かつ、熱的安定性を示す結晶化転移温度も高く
（１３０〜１８０’Ｃ）より実用的な領域である。この
領域における必要なムＵ量は１０〜２６ａｔ％である。

ムＵの添加はＴｅ−Ｇｏ−８ｅだけよりなる系に比べ、
結晶への転移温度を１０〜３０’Ｃ高める働きを有する
。しかもムＵの添加によって膜の融点は下がるため、非
晶質化に対しては都合がよい。この理由は、ＡｕはＴｏ
濃度に対して４０％以下である場合、最大でも、融点が
４８４°Ｃ以下であることに起因する。一方、Ｇｏの場
合は、τｅ濃度に対し、５ｏａｔ％以下の場合、最大で
７２６°Ｃとなる。それ故、ムＵの添加は、熱的安定性
を示す転移温度を上昇させる効果と、膜の融点を下げ、
非晶質化を容易にするといった利点を有する０以上述べ
た理由により、本発明のＴｏ−Ｇｅ　−８ｅ−Ａｕ　　
の最適組成は限定される０ 次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。

第２図は、本発明の記録層を用いて構成した元ディスク
の断面の模式図である。図において、１゜５は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが
可能である。２，４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物を用いることができる。この保護層２，４は記
録膜３の記録、消去の繰り返しによる基材の熱劣化を防
ぐものであり、さらに、記録膜３を湿度より保護するも
のである。したがって、保護層の材質、膜厚は、上述し
た観点より決定される。記録膜３は、蒸着、スパッタリ
ング等によって形成される。蒸着で行なう場合は各組成
を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一
膜を作成できるので望ましい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２，４の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が犬きくとれる値とする。

以下、具体的な例で本発明を詳述する。

実施例１ ４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｅ　、Ｇ
ｏ　、Ｓｅ　、ムｕ＝ｉそれぞれのソースから基材上に
同時に蒸着した。用いた基材はφ８Ｈのガラスで、蒸着
は真空度が１×１０　　Ｔｏｒｒ基材の回転速度、１ｓ
ｏｒｐｍで行ない、膜厚は１ｏＯｏ入とした。各ソース
からの蒸着速度は記録膜中のＴｅ。

Ｇｏ、Ｓｅ、ムＵの原子数の割合を調整するため、変化
させた。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度より換
算した値であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナラ
イザー（ＸＭ人）で行なったところ、仕込値とほぼ同様
の定量結果が得られた。したがって、表中の仕込み組成
は、膜中でも同じと思われる。

上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

〔転移温度〕

転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。

測定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒータ
ーにより試験片の温度を昇温速度１°Ｃ／Ｓｅａで上昇
させた場合の透過率が減少を開始する温度とした。

転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。

〔黒化、白化特性〕

黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。

測定は、φ９ＭＭのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左右移
動可能とした装置を用いて行なった。

レーザ光のスポットは４５　Ｘ　０．４μｍ　、パルス
巾２０ｏｎｓ　　、パワー密度１ｏ、ａ　ｍＷ／ｐｎｌ
波長は９００ｎｍとした。黒化特性は、試験片を比較的
、緩かに移動させた場合の変態（非晶質から結晶質）の
速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と記録
部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とした。×
は緩やかに移動させても、黒化しないもの、あるいは、
コントラスト比が小さいものを示す。○、Δは◎と×の
中間に位置する。この定性的な表現において、実用可能
な黒化特性は０以上である。

次に白化特性について述べる。白化特性を観る場合は、
まず、一旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作り、白化（結晶質から非晶質）させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が大きいものを示し、×は全く白化しないものを示
している。○とΔは、◎と×の中間に位置する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、１Δと、多少黒
化特性が優れているものである。

第１表に、本発明の範囲で人Ｕ濃度を２０＆ｔ％として
作成した膜の転移温度と、黒化、白化特性の結果を示す
。

（以　下金　白う 第　　　１　　　表 ［ 第１表の結果より明らかなように、本発明の範囲にある
Ｔｅ−Ｇｅ−８ｓ−ムＵ系記録薄膜は、黒化及び白化が
、それぞれ可能である。即ちこの範囲内にある記録部材
は、加熱条件、例えば照射するレーザー光線の照射強度
、照射時間を適当に選ぶことで非晶質状態と結晶状態の
いずれの状態も、とることが可能であり、光学的に情報
を記録し、かつ消去することが可能である。

本実施例においてはムＵの濃度’ｉ２０＆ｔ％としたが
、上述の黒化白化特性は、ムＵの濃度に強く依存する。

一方、転移温度も又それほど強くはないがＡｕ濃度に依
存する。

実施例２ 実施例１と同様の作成法、評価法を用い、Ｔｅ−Ｇｏ−
８ｏ系にムＵを添加した場合の濃度依存性について調べ
た結果を第２表に示す。−例としてＴｅ６ｏＧｅ２０Ｓ
ｅ２０組成を選び、Ａｕ濃度を５〜４６ａｔ％の範囲で
変化させる。

第２表の結果から明らかなように、 Ｔｅ６０”２０Ｓ６２０にムＵを添加した場合、Ａｕ濃
度が６〜４ｏａｔ％にある場合、レーザー光線によって
、結晶化、非晶質化のいずれも可能であり、光学記録部
材として有効である。

結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる場合記録
（非晶質化）速度は、照射部が溶融するまでの時間、消
去（結晶化ン速度は、原子配列の秩序が回復する時間に
依存し、一般に前者は後者に比べて十分速い。従って本
発明の組成領域を例えば元ディスクに適用する場合、主
としてその消去速度がデバイスと（７てのスペックを決
定する。

即ち、デバイスとしての使用条件、例えば元ディスクの
場合には、その回転速度記録半径（線速度）に応じて組
成を選べば良い。即ち、Ａｕ濃度の低い組成の場合には
記録感度（白化感度）は高いが、消去感度（黒化速度）
が低い、従って、回転速度が比較的遅い場合に有効であ
る。逆に、　Ａｕ濃度の高い組成の場合には消去感度（
黒化速度〕は十分であるので高速回転に適用可能である
。ただし、この場合は、やや大きい記録パワーを必要と
する。

ムＵの添加効果は、Ｇ６−Ｔｅ−８ｅ系の組成比により
やや異なっている。例えば、比較的Ｓｅ成分の多い領域
（Ｓｓ　〉２５　ａｔ％〕においては比較的Ａｕ濃度の
高い領域、２５〜４０＆ｔ％が良好な特性を示し、比較
的Ｓθ酸成分少ない領域（Ｓｅ　＜１ｓ　ａｔ％）にお
いては比較的Ａｕ濃度の低い領域６〜２６＆ｔ％が良好
な特性を示した。

同様に、比較的Ｇｅ成分の多い領域（Ｇ６〉２５ａｔ％
）においては比較的ムｕａ度の低い領域５〜２５１Ｌｔ
％、Ｇｅ成分の少ない領域（Ｇｅく１０１ｔ％）におい
ては比較的濃度の高い領域２６〜４０＆ｔ％が良好な特
性を示した。

実施例３ 基材として光ガイド用のトラックを備えた１、２ｔ×φ
２ｏｏＮＭのポリカーボネイト樹脂基材を用い、記録膜
として（Ｔｅ６ｏＧθ２０Ｓｅ２０）８０Ａｕ２０の薄
膜を用いて元ディスクを試作した０ まず、基材上に耐熱層としてＺｎＳ薄膜を９００へ蒸着
し、その上に記録層を約１ｏｏｏ人の厚さに蒸着し、更
にその上に、同じく耐熱層としてＺｎＳ薄膜を１８００
Ａ蒸着した。

この元ディスクの基板側から、光学系を用いて絞り込ん
だレーザー光線を照射して信号を記録し、直ちに消去を
行なった。記録に先立って、スポット形状が１μｍＸ１
０μｍの長楕円形のレーザー元線ｆ　１４　ｍＷの強さ
でトラックにそって照射し、トラック内の記録膜を結晶
化し、次に０．９μｍφに絞り込んだレーザー光線ｉａ
ｍＷの強さで照射した。記録周波数は２ＭＨｚ、ディス
クの回転速度は５　ｍ　／　ｓである。このとき照射部
は非晶質化され、トラックに沿って信号が記録された。

スペクトラムアナライザーで、Ｃ／Ｎを測定したところ
、５６ｄＢが得られた。このトラック上に、前述の長楕
円スポットを照射したところ、信号は完全に消去された
。

実施例４ 実施例３における元ディスクを用いて、寿命試験を８０
°Ｃ，６０％ＲＨの条件下で行なった。

試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のＣ／Ｎの劣化をみた。１ケ月経過後のＣ／Ｈの低
下は−１，ＯｄＢと無視できる程度であった。

実施例６ 実施例３における元ディスクの記録、消去の繰り返し特
性を評価した。

１ｅ万回記録、消去を繰シ返した後のＣ／Ｎの低下は、
約２ｄＢ程度であった。

発明の効果 本発明によるＴｅ−Ｇｅ−８ｅ−ムＵ記録薄膜は耐熱性
及び耐湿性に極めて優れていることが最大の特徴であり
、かつ現在市販されている半導体レーザーを用いて十分
、記録、消去が可能である。さらに記録、消去を繰り返
しても膜が破壊されることが無い。即ち、本発明によっ
て実用上、極めて優れた光学情報記録部材が提供される
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第２図は本発明の光学情報記録部材の一実
施例における構成全示した断面図である。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２１！１

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕを主材料とし、Ｔｅ、Ｇ
   ｅ、Ｓｅの原子数比が第１図の、 Ａ＿１（Ｔｅ＿９＿０Ｇｅ＿５Ｓｅ＿５）、Ｂ＿１（Ｔ
   ｅ＿６＿０Ｇｅ＿５Ｓｅ＿３＿５）Ｃ＿１（Ｔｅ＿４＿
   ０Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿３＿５）、Ｄ＿１（Ｔｅ＿４＿０
   Ｇｅ＿４＿０Ｓｅ＿２＿０）Ｅ＿１（Ｔｅ＿５＿５Ｇｅ
   ＿４＿０Ｓｅ＿５）の各点で囲まれる領域内に有ってＡ
   ｕの濃度（ａｔ％）が全体の組成を（Ｔｅ＿ｘＧｅ＿ｙ
   Ｓｅ＿ｚ）＿１＿０＿０＿−＿ｍＡｕ＿ｍと表したとき
   、５≦ｍ≦４０ａｔ％である薄膜を備えた光学情報記録
   部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図の、Ａ＿２
   （Ｔｅ＿８＿３Ｇｅ＿７Ｓｅ＿１＿０）、Ｂ＿２（Ｔｅ
   ＿６＿３Ｇｅ＿７Ｓｅ＿３＿０）Ｃ＿２（Ｔｅ＿４＿５
   Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿３＿０）、Ｄ＿２（Ｔｅ＿４＿５Ｇ
   ｅ＿３＿５Ｓｅ＿２＿０）Ｅ＿２（Ｔｅ＿５＿５Ｇｅ＿
   ３＿５Ｓｅ＿１＿０）の各点で囲まれる領域内に有って
   、Ａｕの濃度（ａｔ％）が１０≦ｍ≦３５ａｔ％である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報
   記録部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図のＡ＿３（
   Ｔｅ＿７＿５Ｇｅ＿１＿０Ｓｅ＿１＿５）、Ｂ＿３（Ｔ
   ｅ＿６＿５Ｇｅ＿１＿０Ｓｅ＿２＿５）Ｃ＿３（Ｔｅ＿
   ５＿０Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿２＿５）、Ｄ＿３（Ｔｅ＿５
   ＿０Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿２＿０）Ｅ＿３（Ｔｅ＿５＿５
   Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿１＿５）の各点で囲まれる領域内に
   有って、Ａｕの濃度（ａｔ％）が、１０≦ｍ≦２５ａｔ
   ％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   光学情報記録部材。
4. （４）組成を（Ｔｅ＿８＿０＿−＿ＰＧｅ＿ＰＳｅ＿２
   ＿０）＿１＿０＿０＿−＿ｍＡｕ＿ｍとするとき、１０
   ≦Ｐ≦２５、１５≦ｍ≦２５ａｔ％であることを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の光学情報記録部材。