JPH02147288A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光、熱などを用いて高速にかつ高密度に情報を
記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に間するもの
である。

従来の技術 近年、情報量の増大化や、記録、再生の高速化あるいは
、高密度化に伴い、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。光ディスクには一度だけ記録可能な追
記型と呼ばれる媒体と記録した信号を随時消去して何度
も記録可能な書換え型媒体がある。追記型光ディスクに
は、記録信号を穴空き状態として、再生するものや、凹
凸を生成させて再生するものがある。書換え可能なもの
としてはカルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｅ−Ｇ
ｅを初めとして、これにＡＳ、Ｓ、Ｓ　ｔｔＳｅ、Ｓｂ
、Ｂｉなどを添加した例が知られている− これに対し、本発明者等は先に、Ｔｅ−ＴｅＯ２のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
して検出する方法を提案した。更に、相転移を利用した
書換え可能な光ディスクとしてＴｅ−ＴｅＯ２に対し、
各種の元素（Ｓ　ｎ、　　Ｇ　ｅ。

Ｂｉ、ｉｎ、Ｐｂ、ＴＩ、Ｓｅなど）を添加した例が見
受けられる。これらの記録部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く
、耐湿性に対しても優れるという特徴を有している。

発明が解決しようとする課題 しかし、カルコゲン化物より成る書換え可能な情報記録
部材は、−船釣に記録、消去の繰り返しに対する安定性
に劣るといった特徴を有する。この理由はＴｅ、Ｇｅと
その他の添加成分が、数度の繰り返しによって記録膜成
分が相分離を生じてしまい初期と繰り返し後では膜の構
成成分が異なってしまうことに起因しているものと思わ
れる。

書換え可能な光ディスクでは、未記録状態を非晶質とし
、記録状態を結晶とする方法がとられる。

この場合記録はレーザ光で、−旦記録膜を溶融させ急冷
によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レーザ
にはパワーの限界がありできるだけ記録膜の融点が低い
方が記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は記録感度を向上させるため
にできるだけ融点の低い組成、すなわちＴｅが多い膜組
成となっている。Ｔｅが他の添加成分より多いというこ
とは、化学量論組成より、それだけずれることになり記
録、消去を繰り返した場合に、相分離が生じやすいこと
になる。したがって、融点を下げるために添加した過剰
のＴｅをいかに化合物として固定化し、安定な組成にす
るかが繰り返し特性を向上させるためには重要である。

本発明はこのようなカルコゲン化物よりなる従来組成の
欠点を克服したもので、記録膜組成をＴｅ、Ｇｅ、Ｓｎ
、Ｂｉより構成することを特徴とするものである。

課題を解決するための手段 本発明における記録膜は、ＴｅＧｅ５ｎＢｉ系の組成物
であって、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第１図のＡ、
　　Ｂ、　　Ｃ，Ｄ、　　Ｅの点を結んだ領域内にある
とともに、Ｂｌａ度が５〜４０ａｔ％である組成より構
成される。

作用 本発明の特徴は上述した従来組成Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎにＢ
ｉを添加して過剰のＴｅを化合物として固定することに
ある。ＢｉはＴｅと化合物を形成し、融点が最も高い場
合でも５８５℃（Ｂｉ２Ｔｅ３）である。この温度は他
のＴｅ−Ｇｅ、　　Ｔｅ−５ｎなどと比較しても２００
℃以上も低い。従って、Ｂｉの添加はＴｅを母材とする
膜の融点を上昇させることなしに過剰なＴｅを化合物と
して固定することが可能となる。

実施例 以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

本発明は、Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎ−Ｂ　ｉの組成を有する。

本発明において、Ｔｅは他の元素と結合した状態で記録
前後で光学的濃度変化を呈する母材である。ＧｅはＴｅ
との濃度比によって非晶質と結晶間の転移速度を支配す
る。すなわち、Ｇｅ濃度が低い領域では（ＴｅとＧｅの
みの場合は。

Ｇｅが５０ａｔ％以下）非晶質として安定に存在させる
が、濃度が高くなると結晶質状態としての方がより安定
となるため、−旦結晶質となったものを非晶質化させる
ことが困難となる。本発明のＧｅ６度は５０ａｔ％以下
であるので、Ｇｅは膜の非晶質性を増大させることに寄
与する。Ｓｎの役割は、Ｇｅと同様ではあるがＳｎがＴ
ｅとで非晶質性を増大させる領域は狭く、本発明の範囲
ではむしろ、結晶化を促進する。すなわち、ＧｅとＳｎ
はＴｅに対しての作用は似ているが、ｒｅとの濃度比に
よって、非晶質性が増大したり、結晶質性が増大したり
する。ＧｅとＳｎの濃度が高くなると、膜は結晶質とし
て安定になるため、非晶質から結晶質への転移は容易と
なるが、逆は困難となる。したがって、こうした材料は
追記型材料となる。しかし、こうした材料でもレーザパ
ワーが強く、膜を充分に溶融させることが可能であれば
、書換え可能なディスクとして使用することが可能であ
る。現在、我々が実用上入手できる半導体レーザは波長
が８３０ｎｍ程度では最大４．０　ｍＷ程度であり、Ｔ
ｅ、Ｇｅ、Ｓｎの量論に近い組成（ＧｅＴｅ；　７９０
℃、５ｎＴｅ；　７２５℃）を溶融させることは困難で
ある。Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎ系で記録、消去が可能な領域は
Ｔｅが非常に多い領域（８０ａｔ％以上）にあるが、こ
の領域の組成は転移温度が低く、熱的に不安定であるこ
と、Ｔｅが過剰であるため、繰り返しによってＴｅとＧ
ｅＴｅあるいは５ｎＴｅに記録膜が相分離を生じ易いな
どの欠点を有している。

本発明のＢｉはこの過剰のＴｅ１ｔＢｉとＴｅの化合物
として安定化させる働きを有する。ＢｉはＴｅとの合金
系ではＴｅが６０ａｔ％以上では、融点が５８５℃以下
でＢｉを添加してもＴｅの融点が４５１℃なのでそれほ
ど融点を上昇させることはない。そのため、Ｂｉを添加
した膜は現行の半導体レーザパワーでも充分に溶融させ
ることができる。熱的に不安定な過剰なＴｅ１ｉ：Ｂｉ
２Ｔｅ３として化合物を形成しているため、熱的に安定
で、かつ記録、消去の繰り返しによっても相分離を生ず
ることなく長期に亘って安定な膜となる。Ｂ１の添加量
は、Ｇｅ、Ｓｎと結合した残りの過剰Ｔｅを固定化する
ので必要なりｉａ度はＴｅ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の量に支配
される。すなわち、Ｔｅ濃度が高い領域ではＢｉｇ度は
高い。

第１図に本発明のＴ　ｅ　−Ｃ；　ｅ−Ｓ　ｎ−Ｂ　ｉ
より構成される記録組成の適正範囲を示した。図はＴｅ
−Ｇｅ−５ｎより構成されているが８１８度は第１図に
示されたＴｅ−Ｇｅ−５ｎ組成に対し、５〜４０ａｔ％
である（Ｂｉｆｉ度は（ＴｅｘＣ；ｅｕＳ　ｎｚ）　ｍ
Ｂ　ｉ　ｎで示した場合のｎに相当）。

第１図において各点は以下の組成である。

Ａ点　　　Ｔ　ｅ９３ｃ；　ｅｓＳ　ｎ２　　　（ａ　
ｔ％）８点　　　Ｔ　ｅ９ｇＧ　ｅ２ｓ　１０００点　
　　Ｔｅ６８Ｇｅ２Ｓｎ３１！ Ｄ点　　　Ｔ　ｅ　ｓ２Ｇ　ｅ　＋ｅＳ　ｎ　３１１Ｅ
Ｊ：ＬＴｅ５２Ｇｅ４６Ｓｎ２ 本発明は上記Ｔｅ−Ｇｅ−５ｎの三元系のＡＢＣＤＥ点
で囲まれた範囲内にあって、かつＢｉｆｉ度が式（Ｔ　
ｅｘＧ　ｅｙＳ　ｎｚ）　ｌＩＢ　ｔ　、ｌで表わした
場合、ｎの値として５〜４０ａｔ％の範囲内にある。線
ＡＢより多い場合、必然的にＧｅ８度は少なくなり非晶
質化が困難となる。また、Ｇｅ、Ｓｎ濃度が低いため非
晶質から結晶質への転移温度も低い。

線ＢＣよりＧｅが低い場合も、線ＡＢよりＴｅが多い場
合と同様に転移温度が低い。また結晶質から非晶質への
転移に対する傾向は、Ｔｅが多い場合よりも容易である
。しかし、実用的な観点からは、不十分である。線ＣＤ
よりＳｎ濃度が多い場合、Ｓｎの添加は結晶質化を促進
するので、非晶質化が困難となる。また、非晶質から結
晶質への転移温度も低く、熱的な安定性に乏しい。線Ｄ
ＥよりＴｅが少ない場合、この領域は、ＴｅとＧｅ。

Ｓｎが化学量論に近い組成で結晶、ＧｅＴｅ。

５ｎＴｅを形成するので非晶質化が困難となる。

また、この領域では過剰なＴｅがほとんど存在しないの
で添加するＢｉｓ度も少ない。逆に言えば、Ｂ１の添加
量も少ない。したがって、この領域は非晶質化が困難と
なる。

線ＥＡよりＳｎが少ない領域では、非晶質として安定で
あるので結晶質化が困難である。ただしこの傾向はＥＡ
縁線上ＴｅとＣｅＯ比によって支配され、Ｔｅが多いほ
ど結晶化が容易で、　　Ｔｅｌｌｌ度が７０ａｔ％付近
が最も結晶化が困難となり。

Ｔｅが５０ａｔ％付近で、再び結晶化が容易となる。こ
の理由はＴｅとＧｅが非晶質として、より安定な化合物
Ｇ　ｅ　Ｔ　ｅ２を形成するためで＋ＴｅＪ度が７０ａ
　ｔ％付近では、全体的に結晶質化が困難である。

以上述べた理由により、本発明は、第１図において点Ａ
−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅで囲まれた範囲内に限定される。すな
わち、この領域内のＴｅ−Ｇｅ−５ｎにＢｉを５〜４０
ａｔ％添加した場合、実用上、結晶質と非晶質の可逆性
を利用して、情報の記録、消去が可能となる。

次に、第２図の場合について述べる。

第２図は、第１図と同様にＴｅ−Ｇｅ−５ｎとＢｉより
なる本発明の組成範囲を示したもので第１図より、より
実用的な組成範囲を示しである。

第２図において各点の組成を以下に示す。

Ｆｙ：ｉ　　　　Ｔ　ｅ９２Ｇ　ｅｓＳ　ｎ３（ａ　ｔ
％）０点　　　Ｔ　ｅ９２Ｇ　ｅａｓ　ｎ６Ｈ点　　　
Ｔ　６８ｓｃ　ｅａｓ　ｎ２９■点　　Ｔｅ７４Ｇｅ２
３Ｓｎ３ １点　　Ｔ　ｅｖ４Ｇ　ｅ２３ｓ　ｎ３このＦ−Ｇ−Ｈ
−１点で囲まれた領域におけるＢｉ濃度はｌＯ〜３５ａ
　ｔ％である。　（Ｂｉ濃度は（Ｔ　ｅ＊Ｇ　ｅ、Ｓ　
ｎｚ）　ＮＩＢ　ｔ　ｎで示した場合のｎに相当） ８点　　　Ｔ　ｅａｅＧ　ｅａｓ　ｎ２９Ｊ点　　Ｔｅ
７４Ｇｅ２３Ｓｎ３ に点　　　Ｔ　ｅｓａＧ　ｅ２９ｓ　ｎ３Ｌ点　　　Ｔ
ｅ５３Ｇｅ４４Ｓｎ３ ３点　　　Ｔ　ｅ　１５２Ｇ　ｅ　＋９Ｓ　ｎ　２９こ
のＨ−Ｊ−に−Ｌ−Ｍ点で囲まれた領域に於けるＢｉ濃
度は５〜２５ａｔ％である。

まず第２図の１設点ＦＧＨＩで囲まれた領域の特徴につ
いて述べる。この領域の非晶質から結晶質への転移温度
は１１０〜１９５℃以内であり、後述する点ＨＪＫＬＭ
点で囲まれた領域に比べると低い。Ｂ１の添加はＴｅ−
Ｃｕｅ−９ｎだけよりなる系に比べ、結晶への転移温度
を１０〜４０℃高める働きを有する。しかもＢｉの添加
によって膜の融点は下がるため、非晶質化に刻しては都
合がよい。この理由は、Ｂｉは単独でも２７１’ＣでＴ
ｅとの化合物Ｂｉ２Ｔｅ３でも５８５℃と比較的低いこ
とに起因する。一方、Ｇｅ、Ｓｎの場合はＴｅ８度に対
し、５０％以下の場合、各々最大で７２５℃、７９０℃
となる。それ故、Ｂｉの添加は熱的安定性を示す転移温
度を上昇させる効果と膜の融点を下げ、非晶質化を容易
にするといった利点を有する。

次に、ＨＪＫＬＭ点で囲まれた領域について述べる。こ
の領域の結晶転移温度は１２０℃〜２１５℃程度である
。

前述したように、この領域は過剰のＴｅが少ない領域で
Ｂｉの添加効果はＦＧＨＩ点で囲まれた領域に比べ期待
できない。しかし、ＢｉなしのＴｅ−Ｇｅ−９ｎ系に比
べると非晶質化は容易である。ＪＫＬＭ点で囲まれた領
域の特徴は、転移温度が高く、熱的に安定であることｐ
　　Ｇ　ｅ　Ｔ　ｅ＋５ｎＴｅの量論に近い組成なので
結晶化が容易で非晶質化が困難なことであるが、半導体
レーザを高出力なものを用いれば、非晶質化は容易とな
る。

点ＩＪＫで囲まれた部分は安定な非晶質状態のＧｅＴｅ
２が存在する領域で結晶化が困難である。

以上述べた理由により、本発明のＴｅ−Ｇｅ−９ｎ−Ｂ
ｉの最適組成は限定される。

次に、本発明による光学的情報記録部材の製法についτ
述べる。第３図は、本発明の記録層を用いて構成した光
ディスクの断面の模式図である。

図においてＬ　　５は基板を表わしており、材質はポリ
カーボネート、アクリル樹脂、ガラス、ポリエステルな
どの透明な基材を用いることが可能である。２．４は保
護層で、種々の酸化物、硫化物、炭化物を用いることが
できる。この保護Ｎ２．４は記録膜３の記録、消去の繰
り返しによる基材の熱劣化を防ぐものであり、さらに、
記録膜３を湿度より保護するものである。したがって、
保護層の材質、膜厚は上述した観点より決定される。記
録膜３は蒸着、スパッタリング等によフて形成される。

蒸着で行なう場合は各組成を単独に蒸着可能な４元蒸着
機を用いるのが、均一な膜を形成できるので望ましい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２．４の光学的特性
とのマツチング、すなわち、記録部と未記録部との反射
率の差が大きく取れる値とする。

以下、具体的な例で本発明を詳述する。

実施例１ ４元蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｅ、Ｇｅ
、Ｓｎ、Ｂｉをそれぞれのソースから蒸着した。用いた
基材はφ８ｍｍのガラスで、蒸着は真空度がｌＸｌ０−
５Ｔｏｒｒ、基材の回転速度が１５Ｏｒ　ｐｍで行い、
膜厚は１１００ｎとした。各ソースからの蒸着速度は記
録膜中のＴｅ。

Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉの原子数の割合を調整するため変化さ
せた。

（以下余白） 第−二り一表 つづ 第１表の組成の割合は、この蒸着の速度より換算した値
であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナライザー（
ＸＭＡ）で行なったところ、仕込値とほぼ同様の定量結
果が得られた。したがって、表中の仕込組成は膜中でも
同じと思われる。

上記製法によフて作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

「転移温度」 転移温度とは蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって結
晶状態になる、その開始温度を意味する。

測定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒータ
により試験片の温度を昇温速度６０℃／ｍｉ　ｎで上昇
させた場合の透過率が減少を開始する温度とした。

転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。

「黒化、白化特性」 黒化特性とは、非晶質から結晶質への相変化に対しての
転移のし易さを示したもので、逆に白化特性は結晶質か
ら非晶質の転移のし易さを示したものである。

測定は、φ８ｍｍのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザ光を集光させサンプル片を移動可能な装置
を用いて行なった。レーザ光のスポットは４５Ｘ０．４
μｍ、パルス幅４００ｎｓ、パワー密度１０　、６　ｍ
Ｗ／　ｐ　ｍ２、波長は９００ｎｍとした。黒化特性は
、試験片を比較的緩やかに移動させた場合の相変化のし
易さく非晶質から結晶質）を観察し、容易で、かつ未記
録部分と記録部分のコントラスト比が充分大きいものを
◎とした。Ｘは緩やかに移動させても黒化しないものを
示す。○、Δは◎と×の中間に位置する。この定性的な
表現において、実用可能な黒化特性は０以上である。

次に、白化特性について述べる。白化特性を観察する場
合は、まず記録膜を一旦黒化し、その上で試験片を速や
かに移動させ急冷状態を作り、白化（結晶質から非晶質
への転移）させる。白化状態が◎にのものは移動速度が
比較的緩やかでも、白化し、しかも非晶質部分と結晶質
部分のコントラス比が大きいものを示し、×は全く白化
しないものを示している。ＯとΔは、◎と×の中間に位
置する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常に優れ
ている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては、同
じ移動速度で、どちらも◎となることはありえず、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、Δと多少黒化特
性が優るものが良い。

第１表に、本発明の範囲で作成した膜の転移温度と、黒
化、白化特性の結果を示す。第４図には、第１表に対応
するＴｅ−Ｇｅ−５ｎ系の三角図を示す。

第１表より明らかなように、本発明の範囲内にあるＴｅ
−Ｇｅ−５ｎ−Ｂ　ｉ系は黒化特性がＸか、白化特性が
Ｘであるものはなく、この範囲内にある記録部材は加熱
条件によって非晶質状態と結晶質状態を取ることができ
、光学的にも情報の書き込み、消去が可能である。

実施例２ 実施例１と同様な作成法、評価法でＴｅ−Ｇｅ−５ｎ系
に８１を添加した場合の濃度依存性を検討した結果を第
２表に示す。第２図においてＦＧＨｌで囲まれた領域か
らは第４図の４で示される（ＴｅｓｌｌＧｅ＋ｅＳｎ＋
５）、Ｈ（Ｔｅ６８Ｇｅ３Ｓｎ２９）、Ｉ（Ｔｅ７４Ｇ
ｅ２３Ｓｎ３）点を選択しＨＪＫＬＭで囲まれた領域か
らは、第４図の１２　（Ｔｅ６ｓＧｅ２ｓＳｎ＋５）、
Ｈ（Ｔｅ６８Ｇｅ３Ｓｎ２９）、Ｉ（Ｔｅ７４Ｇｅ２３
Ｓｎ３）を選択した。

（以下余白） 第一」し二表 第２表において、Ｂｉ濃度とは（ＴｅｙＧｅ。

ｓ　ｎ　ｚ）　ＩＩ　Ｂ　ｌ　ｎで表わした場合、ｎの
値を表わす。

第２表の結果より明らかなように、第２図のＦＧＨＩで
囲まれた領域にある場合のＢｉｇ度は、１０ａｔ％から
３５ａ　ｔ％にある場合、黒化、白化特性がＯ１Δより
○、◎と良好である。

第２図のＨＪＫＬＭて囲まれた領域にある場合の８１濃
度は５〜２５ａ　ｔ％である。５ａｔ％以下（Ｎｏ、２
４．Ｎｏ、２５）は白化せず、書換え可能な記録部材と
はならない。Ｎｏ、２４および２５は本発明の範囲外で
参考例である。ＢｌｌＪｌ度が２５ａｔ％以上の場合、
Ｎ　ｏ　、３０は黒化特性がＸ〜Δで、一応黒化が可能
ではあるが、実用性の銭点からは使用は困難である。し
たがって、ＨＪＫＬＭで囲まれた領域にある場合のＢｉ
ｓ度は５〜２５ａ　ｔ％である。

実施例３ 基材として、１．２ｔＸφ２００ｍｍのポリカーボネー
ト樹脂基材を用い、記録膜として実施例２のＮ　ｏ　、
２１　（ＴｅａｌＩＧｅ＋１ＩＳｒ＋＋１ｌ）７０Ｂｉ
ａＬ！の薄膜とＮｏ。

２６の薄膜を形成して２種類の光ディスクを試作し評価
した。

各記録薄膜の形成方法は、実施例１と同様であるが、記
録膜を形成する前に、耐熱層としてＺｎＳを９０ｎｍ蒸
着し、記録膜を形成後も１０００ｍ蒸着した。これら２
種類のディスクを用いて、記録、消去パワーをそれぞれ
７　ｍＷ、　　１３　ｍＷとし、記録レーザビームは半
値幅でφ１７１ｍ、消去レーザビーム長は、半値幅で約
１×１５μｍの長楕円状とし白化状態で記録、黒化状態
で消去を行なった。なお、記録周波数は２ＭＨｚ、ディ
スクの周速は、５ｍ／ｓである。

Ｎｏ、２１のＣ／Ｎは５３　ｄ　Ｂ、　　消去率は５０
ｄＢであり、Ｎ　ｏ　、２６のＣ／Ｎは４９ｄＢで、消
去率は４７ｄＢであった。

実施例４ 実施例３におけるＮｏ、２１の光ディスクを用いて、寿
命試験を８０℃、６０％ＲＨの条件下で行なった。

試験方法は、予め情報を記録しておき、上記条件で保持
後のＣ／Ｎの劣化、消去率の経時変化をみた。−ケ月経
過後のＣ／Ｎの低下は−１，０ｄＢで、消去率の低下は
２ｄＢであった。

実施例５ 実施例３において、Ｎｏ、２１の光ディスクを、耐熱層
として、ＧｅＯ２とＳｉＣを用い、それぞれレーザ入射
光側の膜厚を８０ｎｍとして蒸着後、記録膜を形成した
。その上に、さらに同様の耐熱層を１９０ｎｍ蒸着して
試料とした。これらのディスクのＣ／ＮはＧ　ｅ　Ｏ２
を用いた場合で５３　ｄ　Ｂ。

ＳｉＣで５１ｄＢで、消去率は各々、４５ｄＢ。

４７ｄＢであった。さらに、実施例４の寿命試験を行な
ったところ、−ケ月経過後で、ＧｅＯ２を用いた場合で
、Ｃ／Ｎの低下は一４ｄＢ、ＳｉＣは−１，５ｄＢであ
った。

実施例６ 実施例３の基材を用いて、実施例１のＮｏ、５の光ディ
スクを作成した。耐熱層はＺｎＳを用いた。

膜厚は第一層目のＺｎＳを８６ｎｍ、記録層を３０ｎｍ
、第二層目のＺｎＳを１９５ｎｍとした。

このディスクのＣ／Ｎは５４ｄＢで消去率は５５ｄＢで
あり、実施例５における繰り返し試験を行なったところ
、１０万回後のＣ／Ｎの低下は一４ｄＢであった。

発明の効果 本発明によるＴ　ｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｂ　ｉ記録膜は、Ｂ
１の添加によりＴｅ−Ｇｅ−３ｎ系より結晶化、非晶質
化領域が拡大され、かつ記録、消去の繰り返し特性が優
れ、消去率の経時変動も少ないという特徴を有する。し
かも、熱や湿度に対しても安定であるにもかかわらず、
膜の融点が低いので現行の半導体レーザパワーで充分に
黒化（消去状態）白化（記録状態）が可能で、実用上極
めて優れた光学情報記録部材を提供することができるも
のである。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による光学情報記録部材の組成の範囲を
示す組成図、第２図は第１図の組成を、さらに限定した
範囲を示す組成図、第３図は本発明の光学情報記録部材
の一実施例における構成を示した断面図、第４図は本発
明の実施例１．２における各試料の組成を示した組成図
である。 １．５・・・基板、２．４・・・保護層、３・・・記録
膜。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第 ］ 図 一 第 図 第 図 第 図 手続補正書 （方式） 事件の表示 昭和６３年特許願第３０ １１５４号 発明の名称 光学情報記録部材 補正をする者 代 理 人 〒５７１ ［連絡先 電話（東京）４３７ 東京特許分室コ → ７、 補正の内容 （１）明細書第１頁第３行目の 「光学情報記録 媒体」 を 「光学情報記録部材」 と訂正致します。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第１図のＡ（Ｔｅ
   ＿９＿３Ｇｅ＿５Ｓｎ＿２）、Ｂ（Ｔｅ＿９＿３Ｇｅ＿
   ２Ｓｎ＿５）、Ｃ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２Ｓｎ＿３＿８
   ）、Ｄ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿１＿８Ｓｎ＿３＿８）、Ｅ
   （Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿４＿６Ｓｎ＿２）点で囲まれる領
   域内にあって、Ｂｉの濃度（ａｔ％）が、 （Ｔｅ＿ｘＧｅ＿ｙＳｎ＿ｚ）＿ｍＢｉ＿ｎで表わされ
   る場合、ｎ＝５〜４０ａｔ％である組成物を備えたこと
   を特徴とする光学情報記録部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第２図のＦ（Ｔｅ
   ＿９＿２Ｇｅ＿５Ｓｎ＿３）、Ｇ（Ｔｅ＿９＿２Ｇｅ＿
   ３Ｓｎ＿５）、Ｈ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｎ＿２＿９
   ）、Ｉ（Ｔｅ＿７＿４Ｇｅ＿２＿３Ｓｎ＿３）点で囲ま
   れる領域内にあって、Ｂｉの濃度ｎの値が１０〜３５ａ
   ｔ％であることを特徴とする請求項１記載の光学情記録
   部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｎの原子数比が第２図のＨ（Ｔｅ
   ＿６＿８Ｇｅ＿３Ｓｎ＿２＿９）、Ｊ（Ｔｅ＿７＿０Ｇ
   ｅ＿１＿０Ｓｎ＿２＿０）、Ｋ（Ｔｅ＿６＿８Ｇｅ＿２
   ＿９Ｓｎ＿３）Ｌ（Ｔｅ＿５＿２Ｇｅ＿４＿５Ｓｎ＿３
   ）、Ｍ（Ｔｅ＿５＿２Ｃｅ＿１＿９Ｓｎ＿２＿９）点で
   囲まれる領域内にあって、Ｂｉの濃度ｎの値が５〜２５
   ａｔ％であることを特徴とする請求項１記載の光学情報
   記録部材。