JPH029956B2 - - Google Patents

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JPH029956B2
JPH029956B2 JP60112420A JP11242085A JPH029956B2 JP H029956 B2 JPH029956 B2 JP H029956B2 JP 60112420 A JP60112420 A JP 60112420A JP 11242085 A JP11242085 A JP 11242085A JP H029956 B2 JPH029956 B2 JP H029956B2
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film
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amorphous
crystalline
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Kunio Kimura
Noboru Yamada
Susumu Sanai
Eiji Oono
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、光、熱などを甚いお高速か぀、高密
床に情報を蚘録、消去、再生可胜な光孊情報蚘録
郚材に関するものである。 埓来の技術 近幎、情報量の増倧化、蚘録、再生の高速化、
高密床化に䌎ない、レヌザ光線を利甚した光デむ
スクが泚目されおいる。光デむスクには、䞀床の
み蚘録可胜な远蚘型ず、蚘録した信号を消去し䜕
床も䜿甚可胜な曞き換え可胜なものがある。远蚘
型光デむスクには、蚘録信号を穎あき状態ずし
お、再生するものや、凹凞を生成させお再生する
ものがある。曞き換え可胜なものずしおはカルコ
ゲン化物を甚いる詊みがあり、Te−Geを初めず
しお、これにAs、、Si、Se、Sb、Bi、などを
添加した䟋が知られおいる。これらは、レヌザヌ
光等の高密床な光を照射するずアモルフアス状態
から結晶状態に盞倉化しおその光孊定数が倉化
し、これを利甚しお蚘録を行なうものである。 これに察し、本発明者らは先に、Te−TeO2の
ような酞化物を含んだ系の盞転移による反射率の
倉化を信号ずする方匏を提案した。さらに、盞転
移を利甚した曞き換え可胜な光デむスクずしお、
Te−TeO2に察し各皮添加物を添加Sn、Ge、
Bi、In、Pb、Tl、Seなどした䟋がある。これ
らの蚘録郚材の特城は、が高く、耐湿性に
察しおも優れるずいう特城を有しおいる。 発明が解決しようずする問題点 カルコゲン化物よりなる曞き換え可胜な情報蚘
録郚材は、䞀般的に、蚘録、消去の繰り返しに察
する安定性が悪いずい぀た特城を有する。この理
由は、Te、Geずその他の添加成分が、数床のく
り返しによ぀お、膜が盞分離を生じおしたい、初
期ずくり返し埌では膜の構成成分が異なるこずに
垰因するず思われる。消去可胜な光デむスクで盞
転移を利甚する堎合、通垞は、未蚘録、消去状態
を結晶質ずし、蚘録状態を非晶質ずする方法がず
られる。この堎合、蚘録はレヌザ光で、䞀旊、膜
を溶融させ急冷によ぀お非晶質にする蚳である
が、珟圚の半導䜓レヌザにはパワヌの限界があ
り、できるだけ融点の䜎い膜が、蚘録感床が高い
こずになる。このために、䞊述したカルゎゲン化
物よりなる膜は、蚘録感床を䞊昇させるために、
できるだけ融点の䜎い組成、すなわち、Teが倚
い膜組成ずな぀おいる。Teが、他の添加成分よ
り倚いずいうこずは、くり返し特性においおそれ
だけ盞分離が起こし易いこずを意味する。したが
぀お融点を䞋げるために添加した過剰のTeをい
かに固定しお動きにくい組成にするかが、くり返
し特性や、CNR、消去率の経時倉動に倧きな圱
響を及がすこずになる。 酞化物を含んだ蚘録郚材にも、以䞋に蚘述する
欠点がある。すなわち、消去率が録再消去のくり
返しによ぀お䜎䞋するこずである。 曞き換え可胜な光デむスクは、通垞、初期状態
を結晶状態ずし、蚘録状態を非晶質ずしお蚘録を
行なう。消去は初期状態ず同様に結晶質ずする。
この蚘録郚材の結晶質−非晶質間の盞転移は、レ
ヌザの埐冷−急冷の条件倉化によ぀お達成され
る。すなわち、レヌザ光による加熱埌、埐冷によ
぀お結晶質ずなり急冷によ぀お非晶質ずなる。し
たが぀お蚘録、消去のくり返しによ぀お、膜は䜕
床も結晶質、非晶質状態を経るこずになる。この
堎合、膜に酞化物が存圚するず、膜の粘性が高い
ので、カルコゲン化物の泳動性が少なくなり、膜
組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酞化物の
存圚は膜自身の熱䌝導が悪いので、レヌザ光の入
射偎ず反察偎の膜厚間で枩床分垃差を生じ、膜組
成の偏析はやはり生ずる。こうした理由により、
酞化物を含んだ膜は、蚘録、消去のくり返しによ
぀お次第に特性が倉化するなどの欠点を有しおい
た。又、安定性がよく盞倉化による繰り返し蚘録
消去が可胜な薄膜材料ずしおTeGeSn系のものが
提案されおいる。 しかしながら、この材料は結晶化転移に30ÎŒs以
䞊の時間を芁し高速に蚘録消去をする甚途には䞍
十分である。 本発明は、䞊述した酞化物を含む膜のくり返し
特性を向䞊させるこずを目的ずし、さらに、カル
コゲン化物よりなる埓来組成の欠点が䜎
い、消去率が充分ではない、耐湿性、耐熱性が悪
い、くり返し特性が充分ではないを克服し、高
速で蚘録消去が可胜な盞倉化による光孊的情報蚘
録媒䜓を提䟛するこずを目的ずしおいるものであ
る。 問題点を解決するための手段 本発明における蚘録局は、Te−Ge−Sn−Au
系の組成物であ぀お、Te、Ge、Snの原子数比が
第図の、、、、の点を結んだ領域内
にあるずずもに、Auの濃床が〜40atである
材料により構成される。 䜜 甹 本発明の特城は、䞊述した埓来組成、Te−Ge
−SnにAuを添加しお過剰のTeを固定するこずに
ある。AuはTeず化合物を圢成し、Te濃床が50
以䞊のAu−Te系では、融点が最も高い堎合
AuTe2でも464℃である。この枩床は他のTe
−Ge、Te−Sn、などず比范しおも300℃以䞊も
䜎い。したが぀お、Auの添加は、Teず母材ずす
る膜の融点を䞊昇させるこずなしに、過剰なTe
を固定するこずが可胜ずなる。 実斜䟋 本発明は、Te−Ge−Sn−Auより構成される。
本発明においおTeは他の元玠ず結合した状態で
蚘録前埌によ぀お光孊的濃床倉化を呈する母材で
ある。GeはTeずの濃床比によ぀お非晶質結晶間
の転移速床を支配する。すなわち、Ge濃床が䜎
い領域ではTeずGeのみの堎合は、Geが50at
、非晶質ずしお安定に存圚させるが、濃床が
高くなるず結晶質が安定ずなるため、䞀旊結晶質
ずな぀たものを非晶質化させるこずが困難ずな
る。本発明のGe濃床は、50at以䞋であるので、
Geは膜の非晶質性を増倧させるこずに寄䞎する。
Snの圹割は、Geず同様であるが、SnがTeずで非
晶質性を増倧させる領域は狭く、本発明の範囲で
はむしろ結晶化を促進する。すなわち、GeずSn
は、Teに察しおの䜜甚は䌌おいるが、Teずの濃
床比によ぀お、非晶質性が増倧したり、結晶質性
が増倧したりする。GeずSnの濃床が高くなるず、
膜は結晶質ずしお安定になるため、非晶質から結
晶質ぞの転移は容易ずなるが、逆は困難ずなる。
したが぀お、こうした材料は远蚘型材料
材料ずなる。しかし、こうした材料でも
レヌザパワヌが匷く、膜を充分に溶融させるこず
が可胜であれば、消去可胜なデむスクずしお䜿甚
するこずは可胜である。珟圚、我々が実甚䞊入手
できる半導䜓レヌザは、波長が830nでパワヌ
は30皋床であり、Te、Ge、Snの量論に近い
組成TeGe、TeSnを溶融させるこずは困難
である。融床が800℃皋床Te−Ge−Snで蚘
録、消去可胜な領域は、Teが非垞に倚い領域
80at以䞊にあるが、この領域の組成は転移
枩床が䜎く、熱的に䞍安定であるこず、Teが過
剰なため、くり返しによ぀お、TeずTeGeあるい
はTeSnに膜が盞分離を起こしやすいこずなどの
欠点を有しおいる。 本発明のAuは、この過剰のTeをAuTe2ずしお
安定化させる働きを有する。AuはTeずの合金系
ではTeが50at以䞊では、融点が464℃以䞋で、
Auを添加しおもTeの融点が451℃なので、融点
を䞊昇させるこずはない。そのため、Auを添加
した膜は珟行の半導䜓レヌザパワヌでも充分に溶
融させるこずが可胜である。しかも熱的に䞍安定
な過剰TeをTe2Auずしお結合させおいるため、
熱的に安定で、か぀、蚘録、消去のくり返しによ
぀おも盞分離を生ずるこずなく、長期に亘぀お安
定な膜ずなる。 Auの添加量は、Ge、Snず結合した残りの過剰
Teを固定化するので、必芁なAu濃床はTe
GeSnの量に支配される。すなわち、Te濃
床が高い領域では、Au濃床は高い。 第図に、本発明のTe−Ge−Sn−Auより構
成される蚘録郚材の適正範囲を瀺した。図はTe
−Ge−Snより構成されおいるが、Au濃床は第
図に瀺されたTe−Ge−Sn組成に察し、〜40at
である。 Au濃床はTexGeySnznAuoで瀺した堎合の
に盞圓 第図においお各点は以䞋の組成である。 点 Te93Ge5Sn2 at 点 Te93Ge2Sn5 点 Te68Ge2Sn30 点 Te52Ge18Sn30 点 Te52Ge46Sn2 本発明は䞊蚘、Te−Ge−Snの䞉元系の
ABCDE点で囲たれた範囲内にあ぀お、か぀、
Au濃床が匏TexGeySnznAuoで衚わした堎合、
の倀ずしお〜40atの範囲内にある。線AB
よりTeが倚い堎合、必然的にGe濃床は少なくな
り非晶質化が困難ずなる。たた、GeSn濃床が䜎
いため、非晶質から結晶質ぞの転移枩床も䜎い。
線BCより、Geが䜎い堎合も、線ABよりTeが倚
い堎合ず同様に、転移枩床が䜎い。たた、結晶質
から非晶質ぞの倉態に察する傟向は、Teが倚い
堎合よりも良奜である。しかし、実甚的な芳点か
らは、充分な結晶から非晶質ぞの盞転移が埗られ
ない。線CDよりSn濃床が倚い堎合、Snの添加は
結晶質化を促進するので、非晶質化が困難ずな
る。たた、非晶質から結晶質ぞの転移枩床も䜎
く、熱的な安定性に乏しい。線DEよりTeが少な
い堎合、この領域は、TeずGe、Snが化孊的量論
量に近に結晶ずしお安定なGeTe、SnTeを圢成
するので、非晶質化が困難ずなる。たた、この領
域は、過剰なTeがほずんどないので、添加する
Au濃床も少ない。逆にいえば、Auの添加効果も
少ない。したが぀お、この領域は膜の融点も高
く、非晶質化が困難ずなる。 線EAよりSnが少ない領域では、非晶質ずしお
安定であるので、結晶化が困難である。ただし、
この傟向はEA線䞊のTeずGeの比によ぀お支配
され、Teが倚い皋結晶化がより容易で、Te濃床
が70at付近が、最も結晶化が困難ずなり、Te
が50at付近で、再び、結晶化が容易ずなる。こ
の理由はTeずGeが、非晶質ずしお、より安定な
化合物GeTe2を圢成するためで、Te濃床が70
付近では、党䜓的に結晶質化が困難である。 以䞊述べた理由により、本発明は、第図にお
いお、点−−−−で囲たれた範囲内に
限定される。すなわち、この領域内のTe−Ge−
SnにAuを〜40at添加した堎合、実甚䞊、結
晶質ず非晶質の可逆性を利甚しお、情報の蚘録、
消去が可胜ずなる。 次に第図に぀いお述べる。 第図は、第図ず同様に、Te−Ge−Snず
Auよりなる本発明の組成範囲を瀺したもので、
第図より、より実甚的な組成範囲を瀺しおあ
る。 第図においお各点の組成を以䞋に瀺す。  Te92Ge5Sn3  Te92Ge3Sn5  Te68Ge3Sn29  Te74Ge23Sn3 この−−−点で囲たれた領域における
Au濃床は10〜35atであるただしTexGey
SnznAuoにおいお、の倀  Te68Ge3Sn29  Te70Ge10Sn20  Te68Ge29Sn3  Te52Ge45Sn3  Te52Ge19Sn29 この−−−−点で囲たれた領域にお
けるAu濃床は〜15atである。 たず、第図の䞊段、点FGHIで囲たれた領域
の特城に぀いお述べる。この領域の非晶質から結
晶質ぞの転移枩床は90〜160℃以内であり、埌述
する点HJKLM点で囲たれた領域に比べるず䜎
い。Auの添加はTe−Ge−Snだけよりなる系に
比べ、結晶ぞの転移枩床を10〜30℃高める働きを
有する。しかもAuの添加によ぀お膜の融点は䞋
がるため、非晶質化に察しおは郜合がよい。この
理由は、Auは単独では、融点が1063℃であるが
Au濃床が、Te濃床に察しお47以䞋である堎
合、最倧でも、融点が464℃以䞋であるこずに起
因する。䞀方、Ge、Snの堎合は、Te濃床に察
し、50at以䞋の堎合、各々、最倧で725℃、
790゜ずなる。それ故、Auの添加は、熱的安定性
を瀺す転移枩床を䞊昇させる効果ず、膜の融点を
䞋げ、非晶質化を容易にするずい぀た利点を有す
る。 次にHJKLM点で囲たれた領域に぀いお述べ
る。この領域の結晶転移枩床は、150℃〜220℃繋
床である。 前述したように、この領域は、過剰のTeが少
ない領域で、Auの添加効果は、FGHIで囲たれ
た領域に比べ、期埅できない。しかし、Auなし
のTe−Ge−Sn系に比べるず非晶質化は容易であ
る。JKLM点で囲たれた領域の特城は、転移枩床
が高く、熱的に安定であるこず、GeTe、SnTe
の量論に近い組成なので圢晶化が容易で、非晶質
化が困難なこずであるが、半導䜓レヌザを高出力
なものを甚いれば、非晶質化は容易ずなる。点
IJKで囲たれた郚分は安定な非晶質状態のGeTe2
が存圚する領域で結晶化が困難である。 以䞊述べた理由により、本発明のTe−Ge−Sn
−Auの最適組成は限定される。 次に本発明による光孊情報蚘録郚材の補法に぀
いお述べる。 第図は、本発明の蚘録局を甚いお構成した光
デむスクの断面の暡匏図である。図においお、
は基板を衚わしおおり、材質は、ポリカヌ
ボネヌト、アクリル暹脂、ガラス、ポリ゚ステル
等の透明な基材を甚いるこずが可胜である。
は保護局で、皮々の酞化物、硫化物、炭化物を
甚いるこずができる。この保護局は蚘録膜
の蚘録、消去の繰り返しによる基材の熱劣化を
防ぐものであり、さらに、蚘録膜を湿床より保
護するものである。したが぀お、保護局の材質、
膜厚は、䞊述した芳点より決定される。蚘録膜
は、蒞着、スパツタリング等によ぀お圢成され
る。蒞着で行なう堎合は各組成を単独に蒞着可胜
な゜ヌス蒞着機を甚いるのが、均䞀膜を䜜成で
きるので望たしい。 本発明の蚘録膜の膜厚は、保護局の光
孊特性ずのマツチング、すなわち、蚘録郚ず未蚘
録ずの反射率の差が倧きくずれる倀ずする。 以䞋、具䜓的な䟋で本発明を詳述する。 実斜䟋  源蒞着が可胜な電子ビヌム蒞着機を甚いお
Te、Ge、Sn、Auをそれぞれの゜ヌスから蒞着
した。甚いた基材はφ8mmのガラスで、蒞着は真
空床が×10-5Torr基材の回転速床、150rpmで
行ない、膜厚は1000Åずした。各゜ヌスからの蒞
着速床は蚘録膜䞭のTe、Ge、Sn、Auの原子数
の割合を調敎するため、倉化させた。第衚の組
成の割合は、この蒞着の速床より換算した倀であ
るが、代衚的な組成を線マむクロアナラむザヌ
XMAで行な぀たずころ、仕蟌倀ずほが同様
の定量結果が埗られた。したが぀お、衚䞭の仕蟌
み組成は、膜䞭でも同じず思われる。 䞊蚘補法によ぀お䜜成された詊隓片の評䟡方法
を以䞋に蚘す。 〔転移枩床〕 転移枩床ずは、蒞着盎埌の非晶質状態の膜が熱
によ぀お結晶状態になる開始枩床を意味する。枬
定は、膜の透過率の枬定が可胜な装眮を甚い、ヒ
ヌタヌにより詊隓片の枩床を昇枩速床℃sec
で䞊昇させた堎合の透過率が枛少を開始する枩床
ずした。 転移枩床が高いこずは、膜が熱的に安定である
こずを意味する。 〔黒化、癜化特性〕 黒化特性ずは、非晶質から結晶質ぞの倉態に察
しおの転移速床を瀺したもので、癜化特性は結晶
質から非晶質の転移速床を瀺したものである。 枬定は、φ8mmのガラス片䞊の蚘録膜に、レン
ズを甚いお、レヌザ光を集光させ、サンプル片を
䞊䞋、巊右移動可胜ずした装眮を甚いお行な぀
た。レヌザ光のスポツトは45×0.4Ό、パルス巟
400ns、パワヌ密床10.6Όm2波長は900n
ずした。黒化特性は、詊隓片を比范的、緩やかに
移動させた堎合の倉態非晶質から結晶の速床
を芳察しお評䟡した。詊隓片の移動速床が十分早
いずきはサンンプル䞊の点には単パルスしか照射
されないが、この時に未蚘録郚分ず蚘録郚分のコ
ントラスト比が十分倧きい、蚀い替えるず400ns
の照射時間以内で黒化するものを◎ずした。×は
緩やかに移動させおも、黒化しないもの、あるい
はコントラスト比が小さいもの、蚀い替えるず十
分長い時間照射しおも黒化しないものを瀺す。
〇、△は◎ず×の䞭間に䜍眮する。すなわち
400ns以䞊の照射により黒化するものであり、〇
は数パルスすなわち1ÎŒsのオヌダヌで黒化するも
の、△はそれ以䞊の時間を芁するものである。こ
の評䟡においお、実甚可胜な黒化特性は〇以䞊で
ある。 次に癜化特性に぀いおのべる。癜化特性を芳る
堎合は、たず、䞀旊、黒化しその䞊に䞊蚘のレヌ
ザヌ光スポツトを照射しながら詊隓片を速やかに
移動させ、急冷状態を぀くり、癜化結晶質から
非晶質させる。癜化状態が◎のものは、移動速
床が比范的緩やかでも、癜化し、しかも非晶質郚
分ず結晶質郚分のコントラスト比が倧きいもの、
蚀い替えるず十分長い時間のレヌザヌ光照射でも
非晶質化するものを瀺し、×はた぀たく癜化しな
いものを瀺しおいる。〇ず△は、◎ず×の䞭間に
䜍眮する。〇は数パルス照射しおも癜化する。蚀
い替えるず、1ÎŒsのオヌダヌの照射時間でも非晶
質になるもの、△は単パルスの照射で蚀い替える
ず400ns以内の照射時間で非晶質化するものであ
る。 䞊述した衚珟によれば、黒化、癜化特性ずも非
垞にすぐれおいる堎合は、◎、◎ずなるが、実際
問題ずしおは同じ移動速床で、どちらも◎ずなる
こずはあり埗ず、望たしい材料ずしおは、◎、〇
あるいは◎、△ず、倚少黒化特性が優れおいるも
のである。 第衚に、本発明の範囲で䜜成した膜の転移枩
床ず、黒化、癜化特性の結果を瀺す。第図に
は、第衚に察応する、Te−Ge−Sn系の䞉角図
を瀺す。
【衚】
【衚】 第衚の結果より明らかな様に、本発明の範囲
内にあるTe−Ge−Sn−Au系は黒化特性が×か、
癜化特性が×であるものはなく、この範囲内にあ
る蚘録郚材は加熱条件によ぀お非晶質状態ず結晶
状態をずるこずができ、光孊的に情報曞き蟌み、
消去が可胜である。 実斜䟋  実斜䟋ず同様の䜜成法、評䟡法で、Te−Ge
−Sn系にAuを添加した堎合の濃床䟝存性に察す
る結果を第衚に瀺す。 第図においおFGHIで囲たれた領域からは第
図ので瀺されるTe80Ge10Sn10点を遞択
し、HJKLMで囲たれた領域からは、第図の
Te60Ge25Sn15を遞択した。第衚におい
おAu濃床ずは匏TexGeySnznAuoにおいおの
倀を衚わす。
【衚】 第衚の結果より明らかなように、第図の
FGHIで囲たれた領域にある堎合のAu濃床は、
10atから35atにある堎合、黒化、癜化特性が
〇、△より〇、◎ず良奜である。 第図のHJKLMで囲たれた領域にある堎合の
Au濃床は、〜15atである。1at以䞋No.
24は癜化せず、曞き換え可胜な蚘録郚材ずはな
らない。No.24は本発明の範囲倖で、参考䟋であ
る。Au濃床が15at以䞊の堎合、No.30は、黒
化特性が×〜△で、䞀応黒化が化胜ではあるが、
実甚的には困難である。したが぀お、HJKLMで
囲たれた領域にある堎合のAu濃床は〜15at
である。 実斜䟋  基材ずしお、1.2t×φ200mmのポリカヌボネヌト
暹脂基材を甚い、蚘録膜ずしお、実斜䟋のNo.21
Te80Ge10Sn1070Au30の薄膜ず、No.26の薄膜
を圢成しお皮類の光デむスクを詊䜜し評䟡し
た。 各蚘録薄膜の圢成方法は、実斜䟋ず同様であ
るが、蚘録膜を圢成する前に、耐熱局ずしお、
ZnSを900Aを蒞着し、蚘録膜を圢成埌も1800Å
蒞着した。 これら皮類のデむスクを甚いお、蚘録、消去
パワヌをそれぞれ、15ずし、蚘録レヌ
ザビヌムは半倀巟でφ1Ό、消去レヌザビヌム長
は、半倀巟で玄×15Όの長楕円状ずし癜化状
態で蚘録、黒化状態で消去を行な぀た。なお、蚘
録呚波数は2MHz、デむスクの呚速はで
ある。 No.21のは55dB、消去率は−53dBであ
り、No.26のは50dBで、消去率は−49dBで
あ぀た。 実斜䟋  実斜䟋におけるNo.21の光デむスクを甚いお、
寿呜詊隓を80℃、60RHの条件䞋で行な぀た。 詊隓方法は、予じめ情報を蚘録しおおき、䞊蚘
条件で保持埌のの劣化、消去率の経時倉化
をみた。ケ月経過埌のの䜎䞋は−0.5dB
で、消去率の䜎䞋は1dBであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋におけるNo.21ずNo.26の光デむスクの蚘
録、消去の繰り返し特性を評䟡した。10䞇回蚘
録、消去を繰り返した埌のの䜎䞋は、No.21
で−2dB、No.26で−1dB、消去率の䜎䞋はそれぞ
れ、1dB、0.5dBであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋においお、No.21の光デむスクを、耐熱
局ずしお、GeO2ずSiCを甚い、それぞれレヌザ
入射光偎の膜厚を800Aずし蚘録膜の圢成埌、さ
らに、各々、1900A蒞着し、詊料ずした。これら
のデむスクのはGeO2で、54dB、SiCで
52dBで、消去率は各々、−48dB、−50dBであ぀
た。さらに実斜䟋の寿呜詊隓を行な぀たずこ
ろ、ケ月経過埌、GeO2を甚いた堎合の
の䜎䞋は−3dBで、SiCは−0.8dBであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋の基材を甚いお、実斜䟋のNo.の光
デむスクを䜜成した。耐熱局は、ZnSを甚いた。
膜厚は、第䞀局目のZnSを860A、蚘録局を300A、
第局目のZnSを1950Aずした。このデむスクの
は56dBで消去率は−55dBであり、実斜䟋
における繰り返し詊隓を行な぀たずころ、10侇
回埌のの䜎䞋は−2dBであ぀た。 発明の効果 本発明によるTe−Ge−Sn−Au蚘録膜はAuの
添加によりTe−Ge−Sn系より結晶化時間が短く
なり400ns以内で結晶化が可胜で、結晶化、非晶
質化領域が拡倧され、か぀、蚘録、消去の繰り返
し特性がすぐれ、消去率の経時倉動も少ないずい
う特城を有する。しかも熱的、湿床的にも安定で
あるにもかかわらず、膜の融点が䜎いので珟行の
半導䜓レヌザパワヌで充分に黒化消去、癜化
蚘録が可胜で、実甚䞊、きわめお優れた光孊
情報蚘録郚材を提䟛するこずができるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明による光孊情報蚘録郚材の組成
の範囲を瀺す組成図、第図は第図の組成を、
さらに限定した範囲を瀺す組成図、第図は本発
明の光孊情報蚘録郚材の䞀実斜䟋における構成を
瀺した断面図、第図は本発明の実斜䟋、に
おける各詊料の組成を瀺した組成図である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  基材䞊に、盞倉化によ぀お光孊定数が倉化す
    る蚘録薄膜を蚭けた光孊情報蚘録郚材であ぀お、 Te、Ge、Snの原子数の比が第図の Te93Ge5Sn2、Te93Ge2Sn5、 Te68Ge2Sn30、Te52Ge18Sn30、 Te52Ge46Sn2点で囲たれる領域内にあ぀
    お、Auの濃床atがTexGeySnznAuoで衚
    わした堎合、〜40atである蚘録薄膜を有する
    こずを特城ずする光孊情報蚘録郚材。  Te、Ge、Snの原子数比が第図の Te92Ge5Sn3、Te92Ge3Sn5、 Te68Ge3Sn29、Te74Ge23Sn3点で囲た
    れる領域内であ぀お、Au濃床の倀が10〜35at
    であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の光孊情報蚘録郚材。  Te、Ge、Snの原子数比が第図の Te68Ge3Sn29、Te70Ge10Sn20、 Te68Ge29Sn3、Te52Ge45Sn3、 Te52Ge19Sn29点で囲たれる領域内であ぀
    お、Au濃床の倀〜15atであるこずを特城
    ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の光孊情報蚘録
    郚材。
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