JPS6391837A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。

従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化。

高密度化に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが
注目されている。光ディスクには、−度のみ記録可能な
追記型と、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き
換え可能なものがある。追記型光ディスクには、記録信
号を穴あき状態として、再生するものや、凹凸を生成さ
せて再生するものがある。書き換え可能なものとしては
カルコゲン化物を用いる試みがあり、Ｔｅ−Ｇｅを初め
として、ＴｅにＡｓ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉ　　
などを添加シタ例が知られている。

これに対し、本発明者らは先に、Ｔ　ｅ　−ＴａＯ２の
ような酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信
号とする方式を提案した。さらに、相転移を利用した書
き換え可能な光ディスクとして、Ｔｏ−ＴａＯ２に対し
各種添加物を添加（Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂｉ。

Ｉｎ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｓｅなど）した例がある。これらの
記録部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く、耐湿性に対しても優
れるという特徴を有している。

消去可能な光ディスクで相転移を利用する場合、通常は
、未記録、消去状態を結晶質とし、記録状■を非晶質と
する方法がとられる。この場合、記録はレーザ光で、−
旦、膜を溶融させ急冷によって非晶質にする訳であるが
現在の半導体レーザにはパワーの限界があり、できるだ
け融点の低い膜が、記録感度が高いことになる。このた
めに、上述したカルコゲン化物よりなる膜は、記録感度
を向上させるために、できるだけ融点の低い組成、すな
わち、Ｔｏが多い膜組成となっている。

発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よりなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に熱的安定性が悪いという問題があった。この
理由は、結晶化転移温度が１２０℃以下と低いことに起
因する。また結晶化転移温度が高いと結晶化速度が遅い
、という問題があった。

一方酸化物を含む膜は結晶化転移温度は酸素量を増加さ
せることで非晶質から結晶質への転移温度を上昇させる
ことが可能であるが、記録、消去を繰り返すと酸化物の
粒が太きくなり、酸化物のマトリックスとしての効果が
なくなり、カルコゲンのみの転移温度と同じになるため
、結晶化転移温度が低下するなどの欠点を有していた。

また、耐湿特性が一般的にカルコゲン化物は悪いという
欠点を有していた。

本発明は結晶化転移温度と記録、消去特性の向上を目的
とし、さらに上述したカルコゲン化物よりなる従来組成
の欠点を克服したものである。

問題点を解決するための手段 本発明における記録層は、Ｔｅ−３ｓ−３ｂ　−Ｍ系の
組成物である。ここでＭは添加金属Ｓｎ　、Ｐｂ　　の
うちの少なくとも１元素からなる。Ｔｅ　、Ｓｅ　、Ｓ
ｂ　。

Ｍの原子数比が第１図のＡ４．Ｂ、　、Ｃ，、Ｄ、の点
を結んだ領域内にあると共にＳｅ　の濃度が２〜３０　
ａｔ％である材料により構成される。

作用 本発明の特徴は結晶化転移温度が高いＴｅ−３ｓ−ｓｂ
系に、Ｓｎ　、Ｐｂを添加して、過剰のＴｅ１Ｓｎ　−
ＴｅＰｂ−Ｔｏ　　として固定することにある。つまり
Ｓｎ　、Ｐｂ　。

ｓｂは５ｎＴｅ　、ＰｂＴｅ　、Ｓｂ　２Ｔｅ　、の化
合物を形成し、この化合物の効果で結晶化速度が向上す
る。

５ｎ−Ｔｏ　　系、　Ｐ　ｂ　−Ｔ　ｅ系では融点が最
も高い場合各々７９０°Ｃ１９１ア°Ｃである。この温
度は他のＴｏ−３ｂ化合物比較しても高いが、Ｓｅの効
果で膜の融点は低下すると考えられ、Ｓｎ、Ｐｂの添加
はＴｏを母材とする膜の融点を少し増加させるが、半導
体レーザで十分非晶質化が可能である。

実施例 本発明は、ＴＴｅ−８ｅ−Ｓｂ−により構成される。

ここでＭはＳｎ、Ｐｂを１元素以上含んでいる。本発明
においてＴｅはＳｂ、Ｓｎ、Ｐｂと結合した状態で、記
録前後によって光学的濃度変化を呈する母材である。Ｓ
ｅは単独でも、またＴｅ　との化合物状態でも非晶質膜
を作成することが容易である特長を有するものの、逆に
結晶化速度が遅いこと、結晶化転移温度が低い（２１０
０℃）ことなどの欠点を持つ。Ｔｏ−３ｅ［Ｓｂを添加
することにより、結晶転移温度は上昇するが、結晶化速
度はｓｂ　２Ｓｅ　、が生成するため、改善されず、光
ディスクの実用上必要な結晶化速度（数百ｎｓ）は得ら
れない。

本発明はＴｅ−３ｅ−３ｂで構成される、上述した特長
、すなわち、結晶化転移温度が高いことを活かし、しか
も欠点である結晶化速度が遅いことをＳｎ、Ｐｂを添加
することにより、大巾に改善し、実用可能な書き換え可
能な記録膜を提供しようとするものである。

本発明において、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｓｎは、結晶状態
において３５ｎＴｅ　、　５ｎＳａ３８）、Ｄ３（Ｔｅ
５８−αＳｅαＳｂ１３Ｍ２９　Ｓｂ２Ｔｅ３．　Ｓｂ
２Ｓｅ３などの結晶状態をとるものと思われる。この中
で、Ｓｎ　Ｓ　ｅ　２　、　Ｓ　ｂ　２　Ｓｅ３は非晶
質状態が安定で、結晶化温度は４００〜５００℃程度で
、しかも結晶化速度は遅い。このため、膜中にあっては
、主に結晶化転移温度を高め、非晶質化を容易にする役
割を担っているものと思われる。

ここでＴａ−８ｅ−３ｂ系においてＳｂ２Ｔｅ３は結晶
化速度を向上させることに寄与しているものと思われる
。しかしながらＴｅ−８ｅ−Ｓｂ系で構成される系では
、実用可能な結晶化速度の速い組成はＳｅ量が少なく、
Ｓｂ　２　Ｔｅ　ｓの量論に近い領域となる０ この領域の特長は結晶化速度は速く、非晶質化も可能で
あるが、ｓｂが酸化しやすいため、耐環境特性が悪いと
いう点や結晶化の転移温度が低いという問題がある。

したがって耐環境特性を含んだ実用可能な領域で、結晶
化、非晶質化を可能にするにはＳｅ濃度が高い領域であ
る。

しかしこのＳｅ濃度の高い領域の特長は結晶化温度は高
いが、結晶化速度が遅いことである。

Ｓｎ　、　Ｐｂの添加は膜中で過剰なＴｅと５ｎＴｅ　
、ＰｂＴｅを形成し、結晶化を促進させることである。

またＳｎ、Ｐｂ添加で耐環境特性も悪くない。これはＳ
ｅが耐環境特性をよくしているためと考えられる。詳細
な理由は不明である。

第１図に、本発明のＴｅ−３ｓ−Ｓｂ−８ｎより構成さ
れる記録部材の適正範囲を示した。図はＴｅ−Ｓｅ−Ｓ
ｂ−３ｎ　　より構成されているが、Ｓｅ濃度は第１図
に示された組成に対し、２〜３０ａｔ％である。

第１図において各点は以下の組成である。

札点（Ｔｅ６．αＳｅαＳｂ、、８Ｓｎ５）。

Ｂ１点（Ｔｅ５□−αＳｅαＳｂ４３Ｓｎ５）。

Ｃ１点（Ｔｅ４３−αＳｅαＳｂ５Ｓｎ５２）。

Ｂ１点（Ｔｅ６ｏ−αＳｅαＳｂ５Ｓｎ３５）本発明は
上記、Ｔｅ−８ｅ−Ｓｂ−Ｓｎの４元系の人１ＴＢ１１
ＣｊｌＤ１点で囲まれた範囲内にあって、かつＳθ濃濃
度斑４≦α≦３０ａｔ％の範囲内にある０ 線部Ｂ１よりＳｎが少ない場合、膜はＳｂ２Ｓｅ３が多
くなり、結晶化速度が遅くなる。線Ｂ、　Ｃ，よりＴｅ
が少ない場合はＳｎ、Ｓｂの量が多くなり、ＴｅＳｎ　
、ｌ！：　Ｓｂ２Ｔｅ、の化合物の線よりはなれるため
結晶化の速度が遅くなる。しかし安定な非晶質膜は得ら
れる。線Ｃ１Ｄ、よりｓｂ量が少ない場合、この領域は
量論的な５ｎＴｅが生成する領域で、結晶化速度は上昇
するが融点の高い５ｎＴｅが多量に存在するので、非晶
質化が困難となる。線Ａ、　Ｄ。

よりＴｅが多い場合には、Ｔｏｓｓの形成量が多くなり
、結晶化の転移温度は低く、Ｔｅ５ｎ−Ｓｂ２Ｔｅ３の
化合物の線よりはなれるため結晶化の速度が遅くなる。

ここでＴｅＳｎ　とＳｂ　２Ｔｅ　３を結ぶ線上のもの
は結晶化の速度がこの系において最も速いところである
。この線とＣ，Ｄ、　、　０２Ｄ３８）、Ｄ３（Ｔｅ５
８−αＳｅαＳｂ１３Ｍ２９　Ｃ，Ｄ、及びＡ、Ｂ、。

Ａ２Ｂ３８）、Ｄ３（Ｔｅ５８−αＳｅαＳｂ１３Ｍ２
９　Ａ３Ｂ３との交点を各々！！：、　、Ｂ３８）、Ｄ
３（Ｔｅ５８−αＳｅαＳｂ１３Ｍ２９Ｂ３．Ｆｌ、Ｆ
２゜Ｆ５　とする。

上述した傾向は、当然ながら、添加するＳｅ量によって
異なってくる。Ｔｏ−３ｂ−８ｎからなる組成を限定し
Ｓｅ量を変化きせると、Ｓｅ量が少ない場合は結晶化が
容易で、Ｓｅ量が増えるに従って非晶質化が容易となる
。この適正なＳｅ量はＴａ、Ｓｂ、Ｓｎによって構成さ
れる膜の特性によって異なるが、本発明の範囲内では４
≦Ｓｅ≦３０２Ｌｔチで実用的な書き換え可能な記録膜
が得られる。

またここでＳｎの代りにｐｂを１元素添加した系及びＳ
ｎ、Ｐｂの２元素から２元素を添加した系においても、
Ｔｅ−５ｅ−３ｂ−８ｎ系と同様の結果が得られた。

以上述べた理由により、本発明は、第１図において、点
Ａ、　、Ｂ、　、Ｃ，、Ｄ、で囲まれた範囲内に限定さ
れる。すなわち、この領域内のＴＴｅ−３ｅ−５ｂ−、
ここでＭ＝Ｓｎ、Ｐｂの１元素以上添加、及び４≦Ｓｅ
≦３０ａｔ％である場合、実用上、結晶質と非晶質の可
逆性を利用して、情報の記録、消去が可能となる。

次に第１図のＡ２−８２−１２−Ｄ２あるいは人、−Ｂ
、−０３−Ｄ３によって囲まれた領域について述べる。

この領域は、第１図のＡ、　−Ｂ、−Ｃ，−Ｄ、で囲ま
れた範囲より、より実用的な組成範囲を示しである０ 第１図において人；２−Ｂ２’−Ｃ２−Ｄ２各点の組成
を以下に示す。

Ａ２（Ｔｅ６４−αＳｅαＳｂ３ｏＳｎ６）　　　Ｂ２
（Ｔｅ５４−Ｉ２ＳａａＳｂ４ｏＳｎ６）Ｃ２（Ｔｅ４
６−αＳｅαＳｂｌｏ”ｎ４４）Ｄ２（Ｔｅ５［１−Ｊ
ｅａＳｂ、Ｏ８”５２）この各点で囲まれた領域におけ
るＳｅ濃度は４≦Ｓｅ≦２５　ａｔ係である。

この領域の非晶質から結晶質への転移温度は１３０〜２
２０℃以内である。転移温度はＳｅ濃度（Ｃ影響し、Ｓ
ｅ濃度と共に上昇する。またＳｅ濃度について、Ｆ２→
人３８）、Ｄ３（Ｔｅ５８−αＳｅαＳｂ１３Ｍ２９Ｆ
１→Ｂ２に変わると共に結晶化が困難になるので、多く
のＳｅ量を必要としない。

組成がＥ２→Ｄ３８）、Ｄ３（Ｔｅ５８−αＳｅαＳｂ
１３Ｍ２９Ｂ２−Ｃ２に変化したときも同様に多くのＳ
ｅ量を必要としない０Ｅ２Ｆ２の１ｉｎｅ上の組成では
ＴｅＳｎとＳｂ、、Ｔｅ、の化合物上なので、結晶化速
度は速い。しかし非晶質化が困難であるので、Ｓｅ量を
多く必要とする。

線Ａ２Ｄ２よりＴｅ量が多くなると過剰なＴｅとＳｅが
でき、結晶化の速度は遅くなる。また線Ｃ２Ｂ２よりＴ
ｅ量が少なくなると過剰なＳｎとｓｂができ、膜の融点
が高くなり、非晶質化が困難になるＯ 線Ｃ２Ｄ２よりｓｂ量が少なくなると、ＴｅＳｎ　（７
）化合物が多くできるため、膜の融点が高くなり、非晶
質化させるのが困難になる。線Ａ２Ｂ２よｐＳｎ量が少
ないと結晶化の速度が遅くなる。

すなわち、黒人Ｚ−Ｂ２”−Ｃ２””Ｄ２で囲まれた点
でＳｅ量が４〜２５　ａｔ％であ６場合は、用途目的に
応じて、結晶化転移温度、結晶化速度の適正値を選択す
ることが可能である。しかし、この人２−８２−０２−
Ｄ２点で囲まれた領域内であっても、現在、市販されて
いるレーザ出力（２ｅｍＷ程度）で、全ての点で録再が
可能とは限らない。黒人。

−Ｂ、−０３−Ｄ、で囲まれた領域は、現行のレーザパ
ワーの範囲で録再が可能で、結晶化速度が速く、かつ、
熱的安定性全示す結晶化転移温度も高く（１３０〜２０
０℃）より実用的な領域である。

この領域における必要なＳｅ量は６〜２０　ａｔ　％で
ある。

Ｓｎの添加はＴｅ−Ｓｅ−３ｂだけよりなる系に比べ、
結晶への転移温度を２０〜４０℃上昇させる働き全有す
る。

またＳｎの添加によって膜の融点はＴｅ−５ｅ−ｓｂ系
より少し上昇する。これはＴｅ−５ｎの化合物、’ｒｅ
−ｓｂの化合物の融点が各々７９０℃。

６２２℃であることによる。ただし、Ｓｅ濃度の高い領
域でのＴｅ−８ｅ−Ｓｂ−３ｎ系の膜においてはＳｅ量
が多いほど非晶質化しやすいことから、ＴｅＳｎの合金
組成の融点は比較的多量のＳｅ添加によって低下きせら
れているものと考えられる。

以上述べた理由により、本発明のＴｅ−３ｅ−３ｂ−３
ｎ　　の最適組成は限定される。

次にＴｅ−５ｅ−３ｂ系にＰｂ、Ｓｉを１元素添加した
系及びＳｎ、Ｐｂの２元素から２元素を添加した系にお
いてもＴｅ−５ｅ−３ｂ−５ｎ系と同様の結果が得られ
た。

次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。

第２図は、本発明の記録層を用いて構成した光ディスク
の断面の模式図である。図において、１゜５は基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが
可能である。２，４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物、窒化物音用いることができる。この保護層２
，４は記録膜３の記録、消去の繰り返しによる基材の熱
劣化を防ぐものであり、さらに、記録膜３を湿度より保
護するものである。したがって、保護層の材質、膜厚は
、上述した観点より決定てれる。記録膜３は、蒸着、ス
パッタリング等によって形成される。蒸着で行なう場合
は各組成を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるの
が、均一膜を作成できるので望才しい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層３８）、Ｄ３（Ｔｅ
５８−αＳｅαＳｂ１３Ｍ２９４の光学特性とのマツチ
ング、すなわち、記録部と朱記録との反射率の差が大き
くとれる値とする０以下、具体的な例で本発明を詳述す
る。

実施例１ ６源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｏ　、　
Ｓｅ　、　Ｓｂ　、　Ｓｎ　、　Ｐｂｉそれぞれノソー
スカら基板上に同時に蒸着した。用いた基材はφ８ｍｍ
のガラスで、蒸着は真空度がｌＸ１０ＴＯｒｒ基材の回
転速度＋　１５　Ｏｒｐｍで行ない、膜厚は１０００人
とした。各ソースからの蒸着速度は記録膜中のＴｏ、Ｓ
ｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂの原子数の割合を調整するため、
変化させた。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度よ
り換算した値であるが、代表的な組成をＸ線マイクロア
ナライザー（ＸＭＡ　）で行なったところ、仕込値とほ
ぼ同様の定量結果が得られた。したがって、表中の仕込
み組成は、膜中でも同じと思われる０ 上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

〔転移温度〕

転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。測定は、膜の透過
率の測定が可能な装置を用い、ヒーターにより試験片の
温度を昇温速度１℃／ｓｅｃで上昇させた場合の透過率
が減少を開始する温度とした０ 転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。

〔黒化、白化特性〕

黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。

測定は、φ８ｍｍのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザ光全集光させ、サンプル片を上下、左右移
動可能とした装置を用いて行なった。

レーザ光のスポットは４５ｘ０．４７ノｍ、パルス巾２
００ｎｓ　、パワー密度１０．６　ｍＷ　／　Ｉｚｍ　
　波長は９００ｎｍとした。黒化特性は、試験片を比較
的、緩かに移動させた場合の変態（非晶質から結晶質）
の速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と記
録部分のコントラスト比が充分太きいものを◎とした。

×は緩やかに移動させても、黒化しないもの、あるいは
、コントラスト比が小さいものを示す。Ｏ２△は◎と×
の中間に位置する。この定性的な表現において、実用可
能な黒化特性は０以上である。

次に白化特性について述べる。白化特性を観る場合は、
まず、−旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状ｕｆ作り、白化（結晶質から非晶質）させる
。白化状、態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかで
も、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラ
スト比が太きいものを示し、×は全く白化しないものを
示している。Ｏと△は、◎と×の中間に位置する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、Ｏあるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。

第１表に、Ｔｅ−３ｅ−５ｂ−５ｎ系の本発明の範囲で
Ｓｅ濃度を１０ａｔ％とじて作成した嘆の転移温度と、
黒化、白化特性の結果を示す。

第２表に、Ｔａ−５ｅ−Ｓｂ−Ｐｂ系の本発明の範囲で
Ｓｅ濃度’ｊｉ７１５１Ｌｔ％として作成した膜の転移
温度と、黒化、白化特性の結果を示す。

（以下余白） 第１表　Ｔｅ−３ｅ−３ｂ−３ｎ系 第２表　Ｔｅ−３ｓ−３ｂ−Ｐｂ系 第１表、第２表の結果より明らかなように、本発明の範
囲にあるＴＯ−Ｓｅ−３ｂ−３ｎ系記録薄膜及びＴｅ−
３ｅ−Ｓｂ−Ｐｂ系記録薄膜は、黒化及び白化がそれぞ
れ可能である。即ちこの範囲内にある記録部材は、加熱
条件、例えば照射するレーザ光線の照射強度、照射時間
を適当に選ぶことで非晶質状態と結晶状態のいずれの状
態も、とることが可能であり、光学的に情報を記録し、
かつ消去することが可能である。

本実施例において、Ｔｅ−３ｅ−３ｂ−Ｓｎ系薄膜の場
合Ｓθの濃度を１０１ｔ％とじた、またＴｅ−３ｅ−３
ｂ−Ｐｂ系薄膜の場合Ｓｅ量を１６ａｔ％とじたが、上
述の黒化、白化特性ばＳｅの濃度に強く依存する。一方
転移温度も又Ｓｅ濃度に依存する。

実施例２ 実施例１と同様の作成法、評価法を用い、Ｔｅ−Ｓｅ　
−Ｓｂ　系にＳｎを添加した場合のＳｅの濃度依存性に
ついて調べた結果を第３表（で示す。−例としてＴｅ５
７．−αＳｅαＳｂ３ｏＳｎ１５の組成を選び５ｅｌ１
度αを２〜５ｏａｔ％の範囲で変化させた。

第３表 第３表の結果から明らかなように、Ｔｅ５７−αＳｅα
Ｓｂ５ｏＳｅ１５において、Ｓｅ濃度が２〜３０ａｔ％
にある場合、レーザ光線によって、結晶化。

非晶質化のいずれも可能であり、光学記録部材として有
効であった○ 結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる場合、記
録（非晶質化）速度は、照射部が溶融するまでの時間、
消去（結晶化）速度は、原子配列の秩序が回復する時間
に依存し、一般に前者は後者に比べて十分速い。従って
本発明の組成領域を例えば光ディスクに適用する場合、
主としてその消去速度がデバイスとしてのスペックを決
定する。

即ち、デバイスとしての使用条件、例えば光ディスクの
場合には、その回転速度記録半径（線速度）に応じて組
成を選べば良い。即ち８０６度の高い組成の場合には記
録感度（白化感度）は高いが、消去感度（黒化速度）が
低い。従って、回転速度が比較的遅い場合に有効である
。逆に、Ｓｅ濃度の高い組成の場合には、消去感度（黒
化速度）は十分であるので高速回転に適用可能である。

５６（７）添加効果は、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ−８ｎ系の組
成比によりやや異なる。例えば、比較的Ｓｅ酸成分多い
領域（Ｓθ≧１５ａｔ％）においては図１においてＴａ
ｒｎとＴｅ２Ｓｂ３を結ぶ線上において、寸たＳｎ≧２
０ａｔ％　　以上において良好な特性を示した。同様に
、Ｓｎ＜２０ａｔ％で３５ｎＴｅとＳｂ２Ｔｅ。

の線上から離れた組成領域においてばＳｅ濃度の低い領
域Ｓｅ≦１６ａｔ％で良好な特性を示した。

実施例３ 実施例１と同様の作成法、評価法を用い、Ｔｅ−３ｅ−
Ｓｂ　系にＳｎ、Ｐｂを添加した場合の濃度依存性につ
いて調べた結果を第４表に示す。−例としてＴｅ４ｏＳ
ｅ３５Ｓｂ、３５Ｓｎ、、ｏｐＰｂｐ　　の組成を選び
ｐｂ濃度βを０〜２０＆ｔ％の範囲で変化させた。

第４表の結果から明らかなように、レーザ光線によって
結晶化、非晶質化のいずれも可能であり、光学情報記録
部材として有効であった。

（以下余　白） 第４表 実施例４ 基材として光ガイド用のトラックを備えた１、２ｔ×φ
２００ｒｕｎのポリカーボネイト樹脂基材を用い、記録
膜としてＴｅ４ｏＳｅ１５Ｓｂ２５Ｓｎ２ｏの薄膜を用
いて光ディスクを試作した。

１ず、基材上に耐熱層としてＺｎＳ薄膜”、Ｉ−９００
入念着し、その上に記録層を約１０００人の厚さに蒸着
し、更にその上に、同じく耐熱層としてＺｎＳ薄膜を１
８００人蒸着入念０ この光ディスクの基板側から、光学系を用いて絞り込ん
だレーザ光線を照射して信号を記録し、直ちに消去を行
なった。記録に先立って、スポット形状が１／１ｍＸ１
０μｍ　の長楕円形のレーザ光線を１４ｍＷの強さでト
ラックにそって照射し、トラック内の記録膜を結晶化し
、次に０．９μｍφに絞り込んだレーザ光線を８ｍＷの
強さで照射した。記録周波数は２　ＭＨｚ　、ディスク
の回転速度はｓ　ｍ　／　ｓである。このとき照射部は
非晶質化され、トラックに滑って信号が記録された。ス
ペクトラムアナライザーでＣ／Ｎを測定したところ、４
５ｄＢが得られた。このトラック上に、前述の長楕円ス
ポノトヲ照射したところ、信号は完全に消去てれた。

実施例５ 実施例３における光ディスクを用いて、寿命試験を８０
℃、６０％ＲＨの条件下で行なった。

試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のＣ／Ｈの劣化をみた。１ケ月経過後のＣ／Ｎの低
下は−０，５ｄＢ　　と無視できる程度であったＯ 実施例６ 実施例３における光ディスクの記録、消去の繰り返し特
性を評価した０ １万回記録、消去を繰り返した後のＣ／Ｎの低下は、約
１ｄＢ程度であった。

実施例７ 実施例１における組成Ｔｅ５３Ｓｅ、ｏＳｂ５ｏＳｎ、
　。

Ｔｅ５ｓ　　ｓｂ　　Ｓｎ　　　、Ｔ６４３Ｓ６，５Ｓ
ｂ１３Ｐｂ、（７）すンプル片とＴｅ５ｏＳｂ２５Ｓｎ
２５．Ｔｅ５ｏＳｂ３ｏＰｂ２ｏ　　のサンプル片を用
いて、加速耐熱試験を行なった。

試験方法は、蒸着後のサンプル片と耐熱・耐湿試験後の
サンプル片を顕微鏡観察で劣化をみた。

１ケ月経過後Ｔｅ−３ｂ−８ｎ系及びＴｅ−３ｂ−Ｐｂ
系は膜に白い模様がでて劣化していたのに対し、Ｔｅ−
Ｓｅ−Ｓｂ−８ｎ系、Ｔｅ−３ｓ−Ｓｂ−Ｐｂ系は変化
がみられなかった。

発明の効果 本発明によるＴｅ−３ｅ−３ｂ−Ｓｎ系及びＴｏ−５ｅ
−ｓｂ−ｐｂ系、Ｔｅ−８ｅ−３ｂ−８ｎ−Ｐｂ系の記
録薄膜は、耐熱性及び耐湿性に極めて優ｔでいる特徴で
あり、かつ現在市販されている半導体レーザを用いて十
分、記録、消去が可能である。さらに記録、消去を繰り
返しても膜が破壊されることがない。

すなわち、本発明によって実用上、極めて優れた光学情
報記録部材が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による光学情報記録部材の組成の範囲
を示す組成図、第２図は本発明の光学情報記録部材の一
実施例における構成全示した断面図である。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図　　　門・Ｓｎ、ｐｂ 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ系材料に、添加金属ＭとしてＳ
   ｎ、Ｐｂのうち少なくとも１元素を添加したことを特徴
   とする光学情報記録部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓｂ添加金属Ｍの原子数比が第１図
   の、 Ａ＿１（Ｔｅ＿６＿−＿αＳｅ＿αＳｂ＿２＿８Ｍ＿５
   ）、Ｂ＿１（Ｔｅ＿５＿２＿−αＳｅ＿αＳｂ＿４＿３
   Ｍ＿５）Ｃ＿１（Ｔｅ＿４＿３＿−＿αＳｅ＿αＳｂ＿
   ５Ｍ＿５＿２）、Ｄ＿１（Ｔｅ＿６＿０＿−＿αＳｅ＿
   αＳｂ＿５Ｍ＿３＿５）の各点で囲まれる領域内に有っ
   て、Ｓｅの濃度αａｔ％が４≦α≦３０ａｔ％である特
   許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓｂ添加金属Ｍの原子数比が第１図
   の、 Ａ＿２（Ｔｅ＿６＿４＿−＿αＳｅ＿αＳｂ＿３＿０Ｍ
   ＿６）、Ｂ＿２（Ｔｅ＿５＿４＿−＿αＳｅ＿αＳｂ＿
   ４＿０Ｍ＿６）Ｃ＿２（Ｔｅ＿４＿６＿−＿αＳｅ＿α
   Ｓｂ＿１＿０Ｍ＿４＿４）、Ｄ＿２（Ｔｅ＿５＿８＿−
   ＿αＳｅ＿αＳｂ＿１＿０Ｍ＿３＿２の各点で囲まれる
   領域内に有って、Ｓｅの濃度とする特許請求の範囲第１
   項記載の光学情報記録部材。
4. （４）Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓｂ添加金属Ｍの原子数比が第１図
   の、 Ａ＿３（Ｔｅ＿６＿３＿−＿αＳｅ＿αＳｂ＿３＿０Ｍ
   ＿７）、Ｂ＿３（Ｔｅ＿５＿６＿−＿αＳｅ＿αＳｂ＿
   ３＿８Ｍ＿７）Ｃ＿３（Ｔｅ＿４＿９＿−＿αＳｅ＿α
   Ｓｂ＿１＿３Ｍ＿３＿８）、Ｄ＿３（Ｔｅ＿５＿８＿−
   ＿αＳｅ＿αＳｂ＿１＿３Ｍ＿２＿９）の各点で囲まれ
   る領域内に有って、Ｓｅの濃度αａｔ％が６≦α≦２０
   ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光学情報記録部材。