JPH01116937A - 光学情報記録再生消去部材 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材Info
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- JPH01116937A JPH01116937A JP62272502A JP27250287A JPH01116937A JP H01116937 A JPH01116937 A JP H01116937A JP 62272502 A JP62272502 A JP 62272502A JP 27250287 A JP27250287 A JP 27250287A JP H01116937 A JPH01116937 A JP H01116937A
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/165—Thermal imaging composition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザビーム等によシ、情報を高密度、大容量
で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部材
に関するものである。
で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部材
に関するものである。
従来の技術
光デイスクメモリに関しては、ＴｏとＴａＯ２を主成分
とするＴｅＯｘ （０（Ｘ （２，０）薄膜を用いた追
記型のディスクがある。さらに、レーザ光によシ薄膜を
加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質化し情報
を記録し又これを加熱し、徐冷することによシ結晶化し
、消去することができる材料としては、 ８．Ｒ，Ｏｖ
ｇｈｉｎｓｋｙ （ｘス−７−／ｌ／−オプシンスキー
）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ、５Ｔｅ８，５ｂ２Ｓ２等
が知られている。又、ムｌｌ２Ｓ、やム５２Ｓｅ、ある
いは８ｂ、８ｅｓ等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族あ
るいはＧｅ等の略■族元素等の組合せからなる薄膜等が
広く知られている。これらの薄膜にレーザ光で情報を記
録し、その情報を消去する方法としてはあらかじめ薄膜
を結晶化させておき、これに２φ１μｍＫ狡ったレーザ
光を情報に応じて強度変調を施こし１例えば１円盤状の
記録ディスクを回転せしめて照射し、このレーザ光照射
部位は。
とするＴｅＯｘ （０（Ｘ （２，０）薄膜を用いた追
記型のディスクがある。さらに、レーザ光によシ薄膜を
加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質化し情報
を記録し又これを加熱し、徐冷することによシ結晶化し
、消去することができる材料としては、 ８．Ｒ，Ｏｖ
ｇｈｉｎｓｋｙ （ｘス−７−／ｌ／−オプシンスキー
）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ、５Ｔｅ８，５ｂ２Ｓ２等
が知られている。又、ムｌｌ２Ｓ、やム５２Ｓｅ、ある
いは８ｂ、８ｅｓ等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族あ
るいはＧｅ等の略■族元素等の組合せからなる薄膜等が
広く知られている。これらの薄膜にレーザ光で情報を記
録し、その情報を消去する方法としてはあらかじめ薄膜
を結晶化させておき、これに２φ１μｍＫ狡ったレーザ
光を情報に応じて強度変調を施こし１例えば１円盤状の
記録ディスクを回転せしめて照射し、このレーザ光照射
部位は。
薄膜の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したド
ツトとして情報の記録が行える。この情報を消去するに
！祭してはディスクの回転トラック方向に長いスポット
光を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いス
ポット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法
が知られている。
ツトとして情報の記録が行える。この情報を消去するに
！祭してはディスクの回転トラック方向に長いスポット
光を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いス
ポット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法
が知られている。
発明が解決しようとする問題点
薄膜を加熱昇温し、溶融急冷および加熱昇温徐冷等の手
段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体におい丈
は、加熱サイクルに対応して信号品質が変動する場合が
ある。この変動要因としては、記録スポット光および消
去スポット光による４ ００ ℃以上の急速な加熱、冷
却の多数回のくりかえし刺激による基板材質の熱的機械
的な損傷が考えられる。さらに、記録薄膜の熱的１機械
的な損傷を生ずる場合がある。記録薄膜にっ込ては、そ
の構成組成によっては、膜中のｍ成、成分の場所的な変
化いわゆる偏析が発生する場合もある。
段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体におい丈
は、加熱サイクルに対応して信号品質が変動する場合が
ある。この変動要因としては、記録スポット光および消
去スポット光による４ ００ ℃以上の急速な加熱、冷
却の多数回のくりかえし刺激による基板材質の熱的機械
的な損傷が考えられる。さらに、記録薄膜の熱的１機械
的な損傷を生ずる場合がある。記録薄膜にっ込ては、そ
の構成組成によっては、膜中のｍ成、成分の場所的な変
化いわゆる偏析が発生する場合もある。
基板ある電ハは記録膜が以上のような変化を生じた場合
、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を
生じ、サイクル特性の劣化が発生するという問題点があ
った。
、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を
生じ、サイクル特性の劣化が発生するという問題点があ
った。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態を
変化させて情報を記録および消去する部材において、記
録と消去のサイクル特性を向上させることを目的として
、薄膜材料として、 Ｇｅ’ｒｅと５ｂ２Ｔａ、と、ｓ
ｂの混合体とし Ｓｂ／Ｓｂ２Ｔｅノモル比をｂとする
とき、０．３ （ｂ （ｏ、ｓに選び、これを基板に形
成してなることを特徴とする光学情報記録再生消去部材
を提供するものである。
変化させて情報を記録および消去する部材において、記
録と消去のサイクル特性を向上させることを目的として
、薄膜材料として、 Ｇｅ’ｒｅと５ｂ２Ｔａ、と、ｓ
ｂの混合体とし Ｓｂ／Ｓｂ２Ｔｅノモル比をｂとする
とき、０．３ （ｂ （ｏ、ｓに選び、これを基板に形
成してなることを特徴とする光学情報記録再生消去部材
を提供するものである。
作用
Ｓｂ２Ｔｅ、 （融点６２２℃）は薄膜化することによ
り、非晶質膜が得られ、非晶質化、結晶化の記録作用を
有する。しかしながら、その黒化（結晶化を伴う）温度
は１００℃と低く、熱的な安定性は低い。そこで、融点
の高いＴｍ＝７２６℃のＧａＴｅを混合することによシ
、この黒化（結晶化）温度を１８０℃以上に上げること
ができる。この混合膜は熱的安定性がすぐれるものの、
加熱記録（非晶質化）、消去（結晶化）あるいはその逆
モードの記録消去のサイクルにおいて、信号品質の低下
が発生しやすい。
り、非晶質膜が得られ、非晶質化、結晶化の記録作用を
有する。しかしながら、その黒化（結晶化を伴う）温度
は１００℃と低く、熱的な安定性は低い。そこで、融点
の高いＴｍ＝７２６℃のＧａＴｅを混合することによシ
、この黒化（結晶化）温度を１８０℃以上に上げること
ができる。この混合膜は熱的安定性がすぐれるものの、
加熱記録（非晶質化）、消去（結晶化）あるいはその逆
モードの記録消去のサイクルにおいて、信号品質の低下
が発生しやすい。
そこで本発明では、ｓｂを含ませて５ｂ２ＴＩＳ、 −
ＧｅＴａ −Ｓｂからなる混合体を用いることを特徴と
するものである。このｓｂは結晶化、非晶質化の過程に
おいて、 ＧｅＴｅ成分と５ｂ２Ｔｏ、成分の相分離に
対する阻止効果を１し、サイクルの向上をもたらす。同
時に結晶化に対して結晶化核のはたらきが期待でき、記
録および消去に対する感度向上をもたらす。
ＧｅＴａ −Ｓｂからなる混合体を用いることを特徴と
するものである。このｓｂは結晶化、非晶質化の過程に
おいて、 ＧｅＴｅ成分と５ｂ２Ｔｏ、成分の相分離に
対する阻止効果を１し、サイクルの向上をもたらす。同
時に結晶化に対して結晶化核のはたらきが期待でき、記
録および消去に対する感度向上をもたらす。
実施例
記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじめ
、レーザ光案内溝を形成した樹脂基板を用い、この表面
にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳあるいは８１０２
等の無機誘電体層を形成しておく。この誘電体層として
はＳｉＯ□を１６モル％以上含ませたＺｎＳ誘電体層が
好ましい。
、レーザ光案内溝を形成した樹脂基板を用い、この表面
にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳあるいは８１０２
等の無機誘電体層を形成しておく。この誘電体層として
はＳｉＯ□を１６モル％以上含ませたＺｎＳ誘電体層が
好ましい。
この上に、 Ｓｂ２Ｔｅ、 、 ＧｅＴｅ および過剰
ｓｂからなる混合薄膜を形成する。
ｓｂからなる混合薄膜を形成する。
薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは。
スパッタ法が使用できる。この薄膜の組成としては、第
１図に示すＳｂ２τｅ５． ＧｅＴｅおよびｓｂからの
組成に選ぶ。
１図に示すＳｂ２τｅ５． ＧｅＴｅおよびｓｂからの
組成に選ぶ。
ｂが０・３以下と少い組成領域では、情報記録、消去の
サイクル測定において結晶化劣化が生じゃすい。又、ｂ
が０．８以上と大きい組成領域では、情−報記録、消去
のサイクル測定において非晶質化劣化が生じやす＜、ｏ
、ａ（ｂくｏ、ａの領域ではサイクル特性が安定になる
。
サイクル測定において結晶化劣化が生じゃすい。又、ｂ
が０．８以上と大きい組成領域では、情−報記録、消去
のサイクル測定において非晶質化劣化が生じやす＜、ｏ
、ａ（ｂくｏ、ａの領域ではサイクル特性が安定になる
。
ると、結晶化転移温度が低下し、坩熱安定性が小さくな
る。
る。
ｇ：１．２ 、 ｂ＝０．５（Ｄｒ姐成点ムではφ１３
０のデイ７、りとして、１８００ｒｐｍ回転でｆ、＝３
．４３Ｍ庵の信号と、ｆ２＝１．６Ｍ）ｈ の信号の
オーバライドサイクル特性を測定したところ、高いパワ
ーレベル１ｅｍｗ、低いパワーレベル８ｍＷの高調で。
０のデイ７、りとして、１８００ｒｐｍ回転でｆ、＝３
．４３Ｍ庵の信号と、ｆ２＝１．６Ｍ）ｈ の信号の
オーバライドサイクル特性を測定したところ、高いパワ
ーレベル１ｅｍｗ、低いパワーレベル８ｍＷの高調で。
１０５サイクル以上Ｃ／Ｎおよび消去率の劣化はみられ
ない。
ない。
記録感度については、ｇ値、ｂ値が小さい方が高感度に
なり、熱安定性については逆にｇ値あるいはｂ値が大き
い領域はど高くなる。ディスク回転数に対応して１ｇ値
、ｂ値を図の三角ダイアグラムの中から選ぶことができ
る。
なり、熱安定性については逆にｇ値あるいはｂ値が大き
い領域はど高くなる。ディスク回転数に対応して１ｇ値
、ｂ値を図の三角ダイアグラムの中から選ぶことができ
る。
ｇ＝２．０ 、 ｂ＝ｏ、ｓの組成点Ｂでは、記録パワ
ー１ａｍｗ、消去パフ−１０ｍＷで１０５サイクル以上
０７Ｈ、消去率の低下はみられない。しかしながら感度
は組成点ムよシ低下する。
ー１ａｍｗ、消去パフ−１０ｍＷで１０５サイクル以上
０７Ｈ、消去率の低下はみられない。しかしながら感度
は組成点ムよシ低下する。
ｂ＝０．３より外側の組成点Ｃ，ｇ＝１．２． ｂ＝α
２では感度の向上は見られるが、１０４サイクル程度で
若干の結晶化変化が発生する。
２では感度の向上は見られるが、１０４サイクル程度で
若干の結晶化変化が発生する。
ｂ ＝ ｏ、ｓよシ外側の組成点Ｄ 、 ｇ＝１．２
、 ｂ＝１．０ではやや非晶質化感度が向上するが、１
０４サイクル程度若干の非晶質化変化が発生する。
、 ｂ＝１．０ではやや非晶質化感度が向上するが、１
０４サイクル程度若干の非晶質化変化が発生する。
発明の効果
レーザ光による記録再生消去する記録部材におイテ、Ｇ
ｅＴｅ −Ｓｂ２Ｔｅ 、 −Ｓｂからなる組成の記録
薄膜は０．３（ｂ（０，８、０，５＜ｇ＜２．０に選ぶ
ことによ９１次の効果を得る。
ｅＴｅ −Ｓｂ２Ｔｅ 、 −Ｓｂからなる組成の記録
薄膜は０．３（ｂ（０，８、０，５＜ｇ＜２．０に選ぶ
ことによ９１次の効果を得る。
（１）サイクル性能として、結晶化あるいは非晶質化変
化を低減できる。
化を低減できる。
（２）ディスク感度の向上および熱安定性が向上する。
図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消去部
材に用いる記録薄膜の組成の三角ダイアグラムである ｂ １””” ｂ＝Ｓｂ２Ｔｅ、 ＝０・３のライ′・２°
°°°°。 ＝０．６のライン。
材に用いる記録薄膜の組成の三角ダイアグラムである ｂ １””” ｂ＝Ｓｂ２Ｔｅ、 ＝０・３のライ′・２°
°°°°。 ＝０．６のライン。
Claims (3)
- （１）レーザ光等の照射により、熱的に状態を変化させ
る薄膜を、ＧｅＴｅとＳｂ＿２Ｔｅ＿３とＳｂの混合体
とし、Ｓｂ／Ｓｂ＿２Ｔｅのモル比をｂとおいて、０．
３＜ｂ＜０．８に選び基板に形成してなる光学情報記録
再生消去部材。 - （２）ＧｅＴｅ／Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３のモル比をｇとおい
て、０．５＜ｇ＜２．０に選び、基板に形成してなる特
許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部材。 - （３）あらかじめ基板の上に誘電体層を形成し、その上
にＧｅＴｅ−Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３−Ｓｂからなる薄膜を形
成し、さらにその上に誘電体層を形成し、さらにその誘
電体層の上に反射層を形成してなる特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生消去部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272502A JP2696858B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光学情報記録再生消去部材 |
| US07/378,521 US5024910A (en) | 1987-10-28 | 1988-09-16 | Optical information recording medium |
| KR1019890701178A KR960013215B1 (ko) | 1987-10-28 | 1988-09-16 | 광학정보 기록매체 |
| PCT/JP1988/000937 WO1989004043A1 (en) | 1987-10-28 | 1988-09-16 | Optical data recording medium |
| DE8888908329T DE3877192T2 (de) | 1987-10-28 | 1988-09-16 | Speichermedium fuer optische daten. |
| EP88908329A EP0344317B1 (en) | 1987-10-28 | 1988-09-16 | Optical data recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272502A JP2696858B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 光学情報記録再生消去部材 |
Publications (2)
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