JPS62154247A - 記録材料の製造方法 - Google Patents
記録材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS62154247A JPS62154247A JP29554085A JP29554085A JPS62154247A JP S62154247 A JPS62154247 A JP S62154247A JP 29554085 A JP29554085 A JP 29554085A JP 29554085 A JP29554085 A JP 29554085A JP S62154247 A JPS62154247 A JP S62154247A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- vapor deposition
- forming
- thin film
- film
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザーなどのエネルギーと一ムにより記録再
生を行いうる記録材料の製造方法に関するものである。
生を行いうる記録材料の製造方法に関するものである。
さらに詳しくいえば、本発明は、良好な記録再生特性を
有する薄膜記録層を基板上に形成させて、品質のばらつ
きのない記録材料を製造する方法に関するものである。
有する薄膜記録層を基板上に形成させて、品質のばらつ
きのない記録材料を製造する方法に関するものである。
従来の技術
従来、情報記録材料としては、基板上にレーザー光など
のエネルギービームにより状態の変化が生じ１反射率の
変化として記録可能な材料を薄膜状に形成させたものが
用いられている。該記録可能な材料としては、ＴｅやＳ
θを主体とするカルコゲン系材料がよく知られており、
このカルコゲン系材料の中でも、Ｔｏを主成分とし、
ｓｂ及びＧｅを含有する材料は、感度に優れかつ反射率
変化も大きいという特徴を有していることから、情報記
録材料における記録層としてよく用いられている。
のエネルギービームにより状態の変化が生じ１反射率の
変化として記録可能な材料を薄膜状に形成させたものが
用いられている。該記録可能な材料としては、ＴｅやＳ
θを主体とするカルコゲン系材料がよく知られており、
このカルコゲン系材料の中でも、Ｔｏを主成分とし、
ｓｂ及びＧｅを含有する材料は、感度に優れかつ反射率
変化も大きいという特徴を有していることから、情報記
録材料における記録層としてよく用いられている。
しかしながら、この記録層は少なくとも前記３種の元素
を含有する複合膜であるため、基板上に均質な薄膜を形
成させることが困難であって、従来の薄膜形成手段では
、得られた薄膜における記録再生特性のばらつきが大き
く、均一な特性を有する記録材料を得ることが困難であ
った。
を含有する複合膜であるため、基板上に均質な薄膜を形
成させることが困難であって、従来の薄膜形成手段では
、得られた薄膜における記録再生特性のばらつきが大き
く、均一な特性を有する記録材料を得ることが困難であ
った。
発明が解決しようとする問題点
不発明の目的はこのような難点を克服し、Ｔｅを主成分
とし、かつＳｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録層を、
製品間に特性のばらつきが生じないように基板上に形成
させることによって、良好な記録再生特性を有する記録
材料を提供することである。
とし、かつＳｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録層を、
製品間に特性のばらつきが生じないように基板上に形成
させることによって、良好な記録再生特性を有する記録
材料を提供することである。
問題点を解決するだめの手段
本発明者らは、真空蒸着により品質のばらつきのない、
しかも良好な記録再生特性を有する記録材料を得るため
Ｋ、鋭意研究を重ねた結果、真空蒸着法により基板上に
薄膜記録材料を形成させる際の、圧力条件及び薄膜形成
速度を特定の範囲に制御することＫより、その目的を達
成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
しかも良好な記録再生特性を有する記録材料を得るため
Ｋ、鋭意研究を重ねた結果、真空蒸着法により基板上に
薄膜記録材料を形成させる際の、圧力条件及び薄膜形成
速度を特定の範囲に制御することＫより、その目的を達
成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至った。
すなわち、本発明は、Ｔｅを主成分とし、かつｓｂ及び
Ｇｅを含有して戚るエネルギービームにより状態変化す
る薄膜記録層を、基板上に形成させる際に、ｌＸｌ０
Ｔｏｒｒ 以下に減圧し、膜形成速度１〜ｉｏÅ／
ｓｅｃに制御しながら各成分を真空蒸着させることを特
徴とする記録材料の製造方法を提供するものである。
Ｇｅを含有して戚るエネルギービームにより状態変化す
る薄膜記録層を、基板上に形成させる際に、ｌＸｌ０
Ｔｏｒｒ 以下に減圧し、膜形成速度１〜ｉｏÅ／
ｓｅｃに制御しながら各成分を真空蒸着させることを特
徴とする記録材料の製造方法を提供するものである。
本発明方法は、真空蒸着法によって、基板上にＴｅを主
成分とし、かつＳｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録材
料を形成させる方法であって、蒸Ｎ真空度については、
ｌ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下を用いることが必要であ
る。この真空度がｌＸｌ０−５を超えると蒸着中に系内
残存ガスと蒸着粒子とが衝突して、該蒸着粒子が酸化さ
れることにより、均質で高品質のＲ膜を形成することが
できず、得られた膜の再生特性が劣化するのを免れない
。
成分とし、かつＳｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録材
料を形成させる方法であって、蒸Ｎ真空度については、
ｌ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下を用いることが必要であ
る。この真空度がｌＸｌ０−５を超えると蒸着中に系内
残存ガスと蒸着粒子とが衝突して、該蒸着粒子が酸化さ
れることにより、均質で高品質のＲ膜を形成することが
できず、得られた膜の再生特性が劣化するのを免れない
。
また１本発明方法においては、該薄膜記録層の形成速度
を１〜１０ス／θθＣの範囲にすることが必要である。
を１〜１０ス／θθＣの範囲にすることが必要である。
この形成速度が１ス／ｓｅｃ未満では記録後再生される
信号の品質、すなわち信号対雑音比（Ｃ／ＩＮ ）が低
くなり、−万１０″”Ａ／ ｓｅｃを超えると多数枚蒸
着した場合のレーザー元に対する感度のばらつきが大き
くなって、均質な記録材料の製造が困難になる。
信号の品質、すなわち信号対雑音比（Ｃ／ＩＮ ）が低
くなり、−万１０″”Ａ／ ｓｅｃを超えると多数枚蒸
着した場合のレーザー元に対する感度のばらつきが大き
くなって、均質な記録材料の製造が困難になる。
前記のＣ／Ｎ比は、基板回転数９００ ｒｐｍ、記録周
波数３．１ＭＨｚ、記録で再生信号のデユーティ−比が
１：ｌとなるときの値として５０ｄＢ以上になることが
望ましく、また、デユーティ−比ｌ：１が得られるとき
の感度の記録媒体ごとのばらつきが１ｍＷ以内になるこ
とが望ましい。このような観点から、薄膜形成速度は２
〜ｓ Ｘ／ ｓｅｃの範囲にすることが好ましい。
波数３．１ＭＨｚ、記録で再生信号のデユーティ−比が
１：ｌとなるときの値として５０ｄＢ以上になることが
望ましく、また、デユーティ−比ｌ：１が得られるとき
の感度の記録媒体ごとのばらつきが１ｍＷ以内になるこ
とが望ましい。このような観点から、薄膜形成速度は２
〜ｓ Ｘ／ ｓｅｃの範囲にすることが好ましい。
これは、該形成速度が速すぎると１゛θ、ｓｂ及びＧｅ
の複合膜における混合状態が疎となって特性のばらつき
が多くなり、−万蒸着速度が遅すぎると混合状態は密と
なるが、膜中に含有される酸素や水分の濃度が高くなっ
て、膜の酸化や不純物の含有量が多くなるからである。
の複合膜における混合状態が疎となって特性のばらつき
が多くなり、−万蒸着速度が遅すぎると混合状態は密と
なるが、膜中に含有される酸素や水分の濃度が高くなっ
て、膜の酸化や不純物の含有量が多くなるからである。
次に、本発明の実施態様のｌ ｆ！＋１について添付図
面に従って説明する。第１図は基板上に薄膜記録層を形
成させるための真空蒸着装置の１例を示す断面説明図で
あって、これは、真空槽ペルジャー７、薄膜形成を行う
基板の支持部８、この支持部８を回転するための機構１
２、真空排気口１１、蒸着物質１０ａ、 １０ｂ、 １
０ｃ及び１０ｄを加熱するためのそれぞれに対応する蒸
着源９ａ、９ｂ、９ｃ及び９ｄ、水晶振動子を用いた膜
厚センサー１３から構成されている。蒸着源の加熱方式
としては、抵抗加熱方式又は電子ビーム加熱方式が用い
られる。
面に従って説明する。第１図は基板上に薄膜記録層を形
成させるための真空蒸着装置の１例を示す断面説明図で
あって、これは、真空槽ペルジャー７、薄膜形成を行う
基板の支持部８、この支持部８を回転するための機構１
２、真空排気口１１、蒸着物質１０ａ、 １０ｂ、 １
０ｃ及び１０ｄを加熱するためのそれぞれに対応する蒸
着源９ａ、９ｂ、９ｃ及び９ｄ、水晶振動子を用いた膜
厚センサー１３から構成されている。蒸着源の加熱方式
としては、抵抗加熱方式又は電子ビーム加熱方式が用い
られる。
また、多数枚の蒸着を行うために蒸着用の基板を蒸着槽
内に複数枚セットしておき、順次基板支持部８に取り付
ける機構を設けてもよいし、また、排気手段を蒸着室と
は別に設けた多数枚収納できる収納庫を別個に設け、該
収納庫より順次基板を蒸着槽に送り出し、支持部８に取
り付けてもよい。
内に複数枚セットしておき、順次基板支持部８に取り付
ける機構を設けてもよいし、また、排気手段を蒸着室と
は別に設けた多数枚収納できる収納庫を別個に設け、該
収納庫より順次基板を蒸着槽に送り出し、支持部８に取
り付けてもよい。
このようにして、蒸着用基板を支持部８に取り付け、ま
た、Ｔｅ、Ｓｂ％ Ｇｏなどの蒸着物質を蒸着源１０ａ
〜１０．１に仕込む。次に真空排気口１１よシ蒸着漕内
を排気してＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下にしたのち、
蒸着源を加熱する。この際、膜厚センサー１３で観察し
ながら、抵抗加熱蒸着源の投入電力量又は電子ビームの
注入電流をコントロールし、膜形成速度が１〜ｌ ＯＸ
／ ｓｅｃの範囲になるように蒸着速度を制御する。
た、Ｔｅ、Ｓｂ％ Ｇｏなどの蒸着物質を蒸着源１０ａ
〜１０．１に仕込む。次に真空排気口１１よシ蒸着漕内
を排気してＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下にしたのち、
蒸着源を加熱する。この際、膜厚センサー１３で観察し
ながら、抵抗加熱蒸着源の投入電力量又は電子ビームの
注入電流をコントロールし、膜形成速度が１〜ｌ ＯＸ
／ ｓｅｃの範囲になるように蒸着速度を制御する。
蒸着物質の仕込み状態については、ＴＯｌＳｂ、Ｇｅな
どをそれぞれ別個の蒸着源に仕込み多元蒸着を行っても
よいし、 Ｔｅ、 Ｓｂ、 Ｇｅ ％・含有する合金を
１つの蒸着源に仕込んでもよい。また合金同士をそれぞ
れ別個の蒸着源に仕込み多元蒸着を行ってもよいが、組
成比の再現性の観点から、単独の元素をそれぞれ別個の
蒸着源に仕込み、多元蒸着を行うことが好ましい。
どをそれぞれ別個の蒸着源に仕込み多元蒸着を行っても
よいし、 Ｔｅ、 Ｓｂ、 Ｇｅ ％・含有する合金を
１つの蒸着源に仕込んでもよい。また合金同士をそれぞ
れ別個の蒸着源に仕込み多元蒸着を行ってもよいが、組
成比の再現性の観点から、単独の元素をそれぞれ別個の
蒸着源に仕込み、多元蒸着を行うことが好ましい。
このようにして、基板上に、Ｔｅを主成分とし、かつｓ
ｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録層が形成される。次
て、このものを記録媒体として用いる場合のそれぞれ異
なった例について、第２図及び第３図に従って説明する
。これらの図において、２は基板、３は薄膜記録層であ
り、これにレーザー光ｌを照射すると、照射された部分
４に結晶性や形状変化などの状態変化を生じる。状態変
化した部分４と未状態変化部５とでは、再生用レーザー
光に対する反射率が異なり、したがって信号として再生
される。
ｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録層が形成される。次
て、このものを記録媒体として用いる場合のそれぞれ異
なった例について、第２図及び第３図に従って説明する
。これらの図において、２は基板、３は薄膜記録層であ
り、これにレーザー光ｌを照射すると、照射された部分
４に結晶性や形状変化などの状態変化を生じる。状態変
化した部分４と未状態変化部５とでは、再生用レーザー
光に対する反射率が異なり、したがって信号として再生
される。
反射率差が少ない場合には、第３図に示すように、Ｓｂ
、 Ｂｉ、 Ｔｅ、 ＡＩ、Ｏｒなどの元素又はそれら
の合金のようなレーザー光に対して反射性を有する材料
から成る反射層６を、薄膜記録層３の上に積層すること
Ｋより、該反射率差を大きくすることができる。また、
必要に応じ薄膜記録層３の上下、又は薄膜記録層３と反
射層とから成る複合層の上下に、５１０ｘのような保護
層を設けることもできる。
、 Ｂｉ、 Ｔｅ、 ＡＩ、Ｏｒなどの元素又はそれら
の合金のようなレーザー光に対して反射性を有する材料
から成る反射層６を、薄膜記録層３の上に積層すること
Ｋより、該反射率差を大きくすることができる。また、
必要に応じ薄膜記録層３の上下、又は薄膜記録層３と反
射層とから成る複合層の上下に、５１０ｘのような保護
層を設けることもできる。
発明の効果
本発明方法は、真空蒸着法により、基板上にＴｅを主成
分とし、かつｓｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録層を
形成させる方法の改良であって、この方法によると、良
好な記録再生特性を有する記録材料を、製品間に特性の
ばらつきが生じないようにして製造することができる。
分とし、かつｓｂ及びＧｅを含有して成る薄膜記録層を
形成させる方法の改良であって、この方法によると、良
好な記録再生特性を有する記録材料を、製品間に特性の
ばらつきが生じないようにして製造することができる。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
まず十分洗浄した外径３０５ｍ＋１１、板厚１ 、５
＃Ｉｍのアクリル樹脂基板を蒸着槽内の基板支持部に取
り付け、蒸着槽内の２つの電子ビーム蒸着用るつぼにＴ
ｅ及びｓｂをそれぞれ入れ、さらに１つの抵抗加熱蒸着
源にＧｅの試料をセットし、もう−万の抵抗加熱蒸着源
にＳｉＯをセットした。
＃Ｉｍのアクリル樹脂基板を蒸着槽内の基板支持部に取
り付け、蒸着槽内の２つの電子ビーム蒸着用るつぼにＴ
ｅ及びｓｂをそれぞれ入れ、さらに１つの抵抗加熱蒸着
源にＧｅの試料をセットし、もう−万の抵抗加熱蒸着源
にＳｉＯをセットした。
次いで、蒸着槽内を排気して、排気口に抵抗板を設ける
ことにより真空度を８ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒとし
、また膜厚センサーを用いて膜形成速度を３１７ｓｅｃ
に制御しながら蒸着を行った・ 膜の組成（でついては、まず２００ＸのＳｉ０層を設け
、次に原子比にして５ｂ１５Ｔｅ４５Ｇｅ４ｏ の記
録層を膜厚が３ｏｏ Ｘになるように共蒸着により形成
（〜たのち１反射層としてｓｂを２００ Ｋ、さらにＳ
ｉＯを２００ Ｘの順に形成し、１０枚の記録材料を製
造した。
ことにより真空度を８ Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒとし
、また膜厚センサーを用いて膜形成速度を３１７ｓｅｃ
に制御しながら蒸着を行った・ 膜の組成（でついては、まず２００ＸのＳｉ０層を設け
、次に原子比にして５ｂ１５Ｔｅ４５Ｇｅ４ｏ の記
録層を膜厚が３ｏｏ Ｘになるように共蒸着により形成
（〜たのち１反射層としてｓｂを２００ Ｋ、さらにＳ
ｉＯを２００ Ｘの順に形成し、１０枚の記録材料を製
造した。
各記録材料の評価は、基板ｆ ９００ ｒｐｍの回転速
度で回転し、基板側から開口数（Ｎ、Ａ） ０．５ の
レンズを通して、波長８３０ ｎｍの半導体レー′ｆ！
−を照射し、周波数３．１ＭＨ２のデユーティ−比１゛
１にパルス発振させて、記録層を結晶１ヒさせて記録し
、レーザー光を１．２ｍＷまで弱め連続発振させ、記録
部をトレースして再生することにより行った。
度で回転し、基板側から開口数（Ｎ、Ａ） ０．５ の
レンズを通して、波長８３０ ｎｍの半導体レー′ｆ！
−を照射し、周波数３．１ＭＨ２のデユーティ−比１゛
１にパルス発振させて、記録層を結晶１ヒさせて記録し
、レーザー光を１．２ｍＷまで弱め連続発振させ、記録
部をトレースして再生することにより行った。
その結果を第１表に示す。
なお、再生信号のパルスのデユーティ−比ｌ：ｌが得ら
れるときの記録レーザー光の膜面での強度を感度（以下
Ｐ５ｏとして示す）と定義する。また、再生波形のＣ７
Ｎ比〔以下（Ｃ／Ｎ）Ｐ５ｏとして示す〕はスペクトル
アナライザーを用いて測定し、記録半径位置はＲｗ ７
Ｑ ａｍの位置で行った。
れるときの記録レーザー光の膜面での強度を感度（以下
Ｐ５ｏとして示す）と定義する。また、再生波形のＣ７
Ｎ比〔以下（Ｃ／Ｎ）Ｐ５ｏとして示す〕はスペクトル
アナライザーを用いて測定し、記録半径位置はＲｗ ７
Ｑ ａｍの位置で行った。
第１表から明らかなように、Ｐ２Ｏ及び（Ｃ／Ｎ ）
ｐｓ。
ｐｓ。
はそれぞれ４．５〜５．０ ｍＷ及び５０〜５２ｄＢの
範囲に納１す、ばらつきが極めて少ないことが分かる。
範囲に納１す、ばらつきが極めて少ないことが分かる。
第 １ 表
実施例２〜１２
実施例１において、真空度及び膜形成速度を第２表に示
すように変える以外は、実施例１と同様にして記録材料
を１０枚製造し、その性能を評価した。その結果を第２
表に示す。
すように変える以外は、実施例１と同様にして記録材料
を１０枚製造し、その性能を評価した。その結果を第２
表に示す。
第 ２ 表
比較例１〜１２
実施例１において、真空速度及び膜形成速度を第３表に
示すように変える以外は、実施例１と同様にして、記録
材料１０枚を製造し、その性能を評価した。その結果を
ＷＪ３表に示す。
示すように変える以外は、実施例１と同様にして、記録
材料１０枚を製造し、その性能を評価した。その結果を
ＷＪ３表に示す。
第 ３ 表
第１図は本発明方法を実施するために用いられる真空蒸
着装置の断面説明図、第２図及び第３図は本発明方法に
より製造された記録材料を情報記録媒体として用いる場
合のそれぞれ異なった態様を示す図である。 なお、各図における符号の意味は次に示すとおりである
。 １・・・ レーザー光 ２・・基板 ３・・・ 記録材料 ４・・・ 状態変化部 ５・・ 未状態変化部 ６・・ 反射層 ７・・・真空槽ペルジャー ８・・・ 基板支持部 ９ ａ、ｂ、ｃ、ｄ ・・・ 蒸着物質１０ ａ、ｂ
、ｃ、ｄ ・−・ 蒸着源１１・・・ 真空排気口 １２・・・基板回転装置 １３・・膜厚センサー
着装置の断面説明図、第２図及び第３図は本発明方法に
より製造された記録材料を情報記録媒体として用いる場
合のそれぞれ異なった態様を示す図である。 なお、各図における符号の意味は次に示すとおりである
。 １・・・ レーザー光 ２・・基板 ３・・・ 記録材料 ４・・・ 状態変化部 ５・・ 未状態変化部 ６・・ 反射層 ７・・・真空槽ペルジャー ８・・・ 基板支持部 ９ ａ、ｂ、ｃ、ｄ ・・・ 蒸着物質１０ ａ、ｂ
、ｃ、ｄ ・−・ 蒸着源１１・・・ 真空排気口 １２・・・基板回転装置 １３・・膜厚センサー
Claims (1)
- １ Ｔｅを主成分とし、かつＳｂ及びＧｅを含有して成
るエネルギービームにより状態変化する薄膜記録層を、
基板上に形成させる際に、１×１０＾−＾５Ｔｏｒｒ以
下に減圧し、膜形成速度１〜１０Å／ｓｅｃに制御しな
がら各成分を真空蒸着させることを特徴とする記録材料
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29554085A JPS62154247A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 記録材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29554085A JPS62154247A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 記録材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154247A true JPS62154247A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17821961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29554085A Pending JPS62154247A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 記録材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989004043A1 (en) * | 1987-10-28 | 1989-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium |
| JPH08318679A (ja) * | 1996-07-01 | 1996-12-03 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP29554085A patent/JPS62154247A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989004043A1 (en) * | 1987-10-28 | 1989-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium |
| JPH08318679A (ja) * | 1996-07-01 | 1996-12-03 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
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