JPH01196743A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH01196743A JPH01196743A JP63019684A JP1968488A JPH01196743A JP H01196743 A JPH01196743 A JP H01196743A JP 63019684 A JP63019684 A JP 63019684A JP 1968488 A JP1968488 A JP 1968488A JP H01196743 A JPH01196743 A JP H01196743A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
この発明は、記録層に光ビームを照射することにより、
ビーム照射部分にビットを形成して情報を記録し、ビッ
ト部と非ビット部との間の光学的特性の差を検出して情
報を再生する光ディスク等の情報記録媒体に関する。
ビーム照射部分にビットを形成して情報を記録し、ビッ
ト部と非ビット部との間の光学的特性の差を検出して情
報を再生する光ディスク等の情報記録媒体に関する。
(従来の技術)
従来、光ディスク等の情報記8媒体として、記録層に光
ビームを照射し、ビーム照射部分を溶融又は蒸発させて
ビットを形成することにより情報を記録するものが知ら
れている。この場合に、光ビームの照射により容易にビ
ットを形成することができるように、記録層として比較
的融点が低い金属又は半導体を使用している。
ビームを照射し、ビーム照射部分を溶融又は蒸発させて
ビットを形成することにより情報を記録するものが知ら
れている。この場合に、光ビームの照射により容易にビ
ットを形成することができるように、記録層として比較
的融点が低い金属又は半導体を使用している。
一方、記録層として、上述のような金属又は半導体の他
に、炭素及び水素を含有させた情報記録媒体も知られて
いる。この場合には、記録層中の炭素及び水素が、金属
又は半導体の酸化を抑制し、記録層が長期間に亘って安
定な追記性能を保持することができるという利点を有す
る。
に、炭素及び水素を含有させた情報記録媒体も知られて
いる。この場合には、記録層中の炭素及び水素が、金属
又は半導体の酸化を抑制し、記録層が長期間に亘って安
定な追記性能を保持することができるという利点を有す
る。
このような情報記録媒体は、例えば、CH4ガス中でT
eをターゲットとしてスパッタリングして形成される。
eをターゲットとしてスパッタリングして形成される。
従って、形成された記録層は炭素及び水素中にT・eが
分散された状態となる。
分散された状態となる。
(発明が解決しようする課題)
しかしながら、このように記録層に炭素及び水素を含有
させても、記録層の安定性が低い場合があり、特に、酸
化に対する耐性が不十分になってしまう場合が生じる。
させても、記録層の安定性が低い場合があり、特に、酸
化に対する耐性が不十分になってしまう場合が生じる。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
記録層の安定性、特に耐酸化性を高くすることかできる
情報記録媒体を提供することを目的とする。
記録層の安定性、特に耐酸化性を高くすることかできる
情報記録媒体を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明に係る情報記録媒体は、基板と、炭素、水素及
び金属又は半導体を含む記録層とを有する情報記録媒体
であって、前記記録層が、そのる活性化エネルギが2.
0eV以上であることを特徴とする。
び金属又は半導体を含む記録層とを有する情報記録媒体
であって、前記記録層が、そのる活性化エネルギが2.
0eV以上であることを特徴とする。
(作用)
記録層の炭素及び水素の酸化抑制効果は、記録層中に分
散している金属又は半導体が微細な状態で分散している
程大きい。即ち、金属又は半導体の凝集度合いが高けれ
ば、記録層表面において金属又は半導体の空気と接触す
る部分が多くなりその耐酸化性か低下する。金属又は半
導体が好ましい分散状態で存在している場合には、X線
回折により明確なピークが得られず、見掛は上非晶質状
態の相となる。従って、X線回折的に非晶質な状態を維
持することにより記録層を安定に維持することができる
。この場合に、金属又は半導体が凝集してX線的に非晶
質な状態から結晶状態に相して維持することかでき、記
録Ω安定性を高めることができる。
散している金属又は半導体が微細な状態で分散している
程大きい。即ち、金属又は半導体の凝集度合いが高けれ
ば、記録層表面において金属又は半導体の空気と接触す
る部分が多くなりその耐酸化性か低下する。金属又は半
導体が好ましい分散状態で存在している場合には、X線
回折により明確なピークが得られず、見掛は上非晶質状
態の相となる。従って、X線回折的に非晶質な状態を維
持することにより記録層を安定に維持することができる
。この場合に、金属又は半導体が凝集してX線的に非晶
質な状態から結晶状態に相して維持することかでき、記
録Ω安定性を高めることができる。
(実施例)
以下、添付図面を参照してこの発明の実施例について具
体的に説明する。
体的に説明する。
第1図はこの実施例に係る情報記録媒体(光ディスク)
を示す断面図である。基板1はポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート若しくはエポキシ等の樹脂、又は
ガラス等、経時変化の少ない材質でつくられている。基
板1の上には記録層2が形成されている。この記録層2
は炭素、水素及び金属又は半導体で形成されており、レ
ーザビームのような光ビームが照射されることにより、
照射部分が溶融又は蒸発してピットが形成され、情報が
記録される。記録層2を構成する金属又は半導体として
は、比較的融点が低くピットを形成し易いものが好まし
く、例えばTe5SeSBi。
を示す断面図である。基板1はポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート若しくはエポキシ等の樹脂、又は
ガラス等、経時変化の少ない材質でつくられている。基
板1の上には記録層2が形成されている。この記録層2
は炭素、水素及び金属又は半導体で形成されており、レ
ーザビームのような光ビームが照射されることにより、
照射部分が溶融又は蒸発してピットが形成され、情報が
記録される。記録層2を構成する金属又は半導体として
は、比較的融点が低くピットを形成し易いものが好まし
く、例えばTe5SeSBi。
PbSSb、Ag、Ga、As又はGeを用いることが
できる。また、この記録層2の厚みは100乃至100
0人であることが好ましい。記録層2の厚みが1000
人を超えた場合には、記録用光ビームのしきい値が上昇
してしまい、また、100人よりも薄いと実質的に記録
できない場合に非晶質である。即ち、金属又は半導体が
炭素及び水素中に極めて微細に分散した相を形成してお
り、X線回折によって明確なピークが現われない。
できる。また、この記録層2の厚みは100乃至100
0人であることが好ましい。記録層2の厚みが1000
人を超えた場合には、記録用光ビームのしきい値が上昇
してしまい、また、100人よりも薄いと実質的に記録
できない場合に非晶質である。即ち、金属又は半導体が
炭素及び水素中に極めて微細に分散した相を形成してお
り、X線回折によって明確なピークが現われない。
この状態においては、金属又は半導体が炭素及び水素に
より有効に保護されるので、記録層2の耐酸化性が極め
て高く、安定性が高い。このような状態の記録層2に外
部から所定値以上の熱等の工このトロ変化はその活性化
エネルギが小さいほど生じ易い。この実施例においては
、X線回折的に非晶質状態から結晶状態へ変化するため
の活性化エネルギが2以上になるように記録層2の炭素
、水素及び金属又は半導体の組成が調整されている。
より有効に保護されるので、記録層2の耐酸化性が極め
て高く、安定性が高い。このような状態の記録層2に外
部から所定値以上の熱等の工このトロ変化はその活性化
エネルギが小さいほど生じ易い。この実施例においては
、X線回折的に非晶質状態から結晶状態へ変化するため
の活性化エネルギが2以上になるように記録層2の炭素
、水素及び金属又は半導体の組成が調整されている。
上述のように記録層2がX線的に結晶状態になった場合
には、その表面において金属又は半導体の空気と接触す
る面積が大きくなり、その耐酸化性か低下するが、X線
回折的に結晶状態になるための活性化エネルギが上述の
ように2以上の場合には、X線的に非晶質な状態が極め
て安定に存在し、記録層2の高耐酸化性を長時間に亘っ
て維持することができる。
には、その表面において金属又は半導体の空気と接触す
る面積が大きくなり、その耐酸化性か低下するが、X線
回折的に結晶状態になるための活性化エネルギが上述の
ように2以上の場合には、X線的に非晶質な状態が極め
て安定に存在し、記録層2の高耐酸化性を長時間に亘っ
て維持することができる。
次に、このような情報記録媒体(先ディスク)の製造方
法の一例について説明する。先ず、真空チャンバ内に基
板1を設置し、基板に対向して例えばTe製のターゲッ
トを設置する。°次いで、チャンバ内をクライオポンプ
等で排気して例えば5 X 10”’ Torr以下の
高真空にする。その後、チャンバ内に所定流量でアルゴ
ン(A「)ガス及びCH4ガスを導入してチャンバ内を
例えば5×10″″3Torrに保持し、ターゲットに
所定電力を供給して所定時間スパッタリングする。これ
により、基板1上に記録層2が成膜される。この記録層
2の組成は、CH4ガスの流量により調節することがで
きる。
法の一例について説明する。先ず、真空チャンバ内に基
板1を設置し、基板に対向して例えばTe製のターゲッ
トを設置する。°次いで、チャンバ内をクライオポンプ
等で排気して例えば5 X 10”’ Torr以下の
高真空にする。その後、チャンバ内に所定流量でアルゴ
ン(A「)ガス及びCH4ガスを導入してチャンバ内を
例えば5×10″″3Torrに保持し、ターゲットに
所定電力を供給して所定時間スパッタリングする。これ
により、基板1上に記録層2が成膜される。この記録層
2の組成は、CH4ガスの流量により調節することがで
きる。
次に、前述の相変化の活性化エネルギの求め方e所
について説明する。X耐ぼに非晶質状態から結晶状態へ
相変化する場合には、第2図に示すように、示差走査熱
量分析(DSC)により測定すると、温度−熱1曲線に
おいて発熱ピークが得られる。
相変化する場合には、第2図に示すように、示差走査熱
量分析(DSC)により測定すると、温度−熱1曲線に
おいて発熱ピークが得られる。
従って、これに基いてキラシンジャープロットを行うこ
とにより、この相変化の活性化エネルギ(ΔE )を求
めることができる。このΔE は、a
H前述したように、記録層2の組成に応じて
変化する。
とにより、この相変化の活性化エネルギ(ΔE )を求
めることができる。このΔE は、a
H前述したように、記録層2の組成に応じて
変化する。
なお、従来は記録層の耐酸化性の把握を高温高湿下の加
速試験により1000時間以上を費やして行っていたが
、この実施例では相変化の活性エネルギを測定すること
により記録層2の耐酸化性を把握することができるので
、耐酸化性等の記録層の安定性を極めて短時間で把握す
ることができる。
速試験により1000時間以上を費やして行っていたが
、この実施例では相変化の活性エネルギを測定すること
により記録層2の耐酸化性を把握することができるので
、耐酸化性等の記録層の安定性を極めて短時間で把握す
ることができる。
試験例
次に、この実施例に係る情報記録媒体(光ディスク)を
実際に製造して特性を評価した試験例について説明する
。
実際に製造して特性を評価した試験例について説明する
。
真空チャンバ内に円板状のポリカーボネート基板を設置
し、この基板に対向して直径が5インチのTeターゲッ
トを設置した。チャンバ内にArガス及びCH,1ガス
を供給し、混合ガス雰囲気でターゲットに電力を供給し
てスパッタリングした。
し、この基板に対向して直径が5インチのTeターゲッ
トを設置した。チャンバ内にArガス及びCH,1ガス
を供給し、混合ガス雰囲気でターゲットに電力を供給し
てスパッタリングした。
以下の(1)式においてQ(%)で示すCH4ガスの割
合を第1表のように変化させた5個のサンプルを作成し
た。
合を第1表のように変化させた5個のサンプルを作成し
た。
Q−fcH,、ガス流ffi/(CH4ガス流量+Ar
ガス流ff1)IXloo(%)−(1)第1表 このように、CH4の流量が多い程、相変化の活性化エ
ネルギが大きくなっていることがわかる。
ガス流ff1)IXloo(%)−(1)第1表 このように、CH4の流量が多い程、相変化の活性化エ
ネルギが大きくなっていることがわかる。
即ち、CH、、の流量が多い程、記録層が酸化しに<<
、安定であることが確認された。
、安定であることが確認された。
次に、これらサンプルの記録層の安定性を温度65℃、
湿度90%の雰囲気下における反射率の経時変化により
把握した。第4図は、横軸に時間をとり、縦軸に初期の
反射率を1として規格化した反射率をとって、各光デイ
スクサンプルの記録層の反射率の経時変化を示すグラフ
図である。これによれば、ΔE が2eVを超えている
サンプル4及び5は1000時間経過後も反射率が殆ど
変化せず、記録層が極めて安定であることがわかる。こ
れに対し、サンプル1乃至3は比較的短時間で反射率が
変化し、安定性が不十分であった。
湿度90%の雰囲気下における反射率の経時変化により
把握した。第4図は、横軸に時間をとり、縦軸に初期の
反射率を1として規格化した反射率をとって、各光デイ
スクサンプルの記録層の反射率の経時変化を示すグラフ
図である。これによれば、ΔE が2eVを超えている
サンプル4及び5は1000時間経過後も反射率が殆ど
変化せず、記録層が極めて安定であることがわかる。こ
れに対し、サンプル1乃至3は比較的短時間で反射率が
変化し、安定性が不十分であった。
更に、これらのサンプルを65℃、90%中に500時
間放置後、それらの記録層をX線回折に供した。第4図
(a)、(b)及び(c)は、各サンプルの記録層のX
線回折パターンを示す図であり、(a)はサンプル5、
(b)はサンプル3及び4、(C)はサンプル1を示す
。これによれば、(C)に示すように、ΔE が低いサ
ンプル1は明確な結晶ピークが確認されたが、(a)及
び(b)に示すようにΔE が高いサンプル3乃至5で
は明確な結晶ピークが確認されず、X線回くいことが確
認された。
間放置後、それらの記録層をX線回折に供した。第4図
(a)、(b)及び(c)は、各サンプルの記録層のX
線回折パターンを示す図であり、(a)はサンプル5、
(b)はサンプル3及び4、(C)はサンプル1を示す
。これによれば、(C)に示すように、ΔE が低いサ
ンプル1は明確な結晶ピークが確認されたが、(a)及
び(b)に示すようにΔE が高いサンプル3乃至5で
は明確な結晶ピークが確認されず、X線回くいことが確
認された。
[発明の効果]
品質の状態にすると共に、X5に結晶状態に相変化する
際の活性化エネルギを2eV以上としたので、その相変
化が発生しにくくなり、記録層を極めて安定に維持する
ことができる。
際の活性化エネルギを2eV以上としたので、その相変
化が発生しにくくなり、記録層を極めて安定に維持する
ことができる。
第1図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体(光ディ
スク)を示す断面図、第2図は記録層の相変化における
示差走査熱量分析による測定結果を示す図、第3図は高
温高湿下における記録層の反射率の経時変化を示すグラ
フ図、第4図−−4は、高温高湿下に500時間保 持した後の記録層のX線回折パターンを示す図である。 1一基板、2;記録層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
スク)を示す断面図、第2図は記録層の相変化における
示差走査熱量分析による測定結果を示す図、第3図は高
温高湿下における記録層の反射率の経時変化を示すグラ
フ図、第4図−−4は、高温高湿下に500時間保 持した後の記録層のX線回折パターンを示す図である。 1一基板、2;記録層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
Claims (1)
- 基板と、炭素、水素及び金属又は半導体を含む記録層と
を有する情報記録媒体であって、前記記録層が、その形
成時においてX線回折的に非晶質状態であり、この状態
からX線回折的に結晶状態への相変化に要する活性化エ
ネルギが2.0eV以上であることを特徴とする情報記
録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63019684A JPH01196743A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 情報記録媒体 |
US07/302,680 US4929485A (en) | 1988-02-01 | 1989-01-27 | Information storage medium and method of manufacturing the same |
DE3902954A DE3902954A1 (de) | 1988-02-01 | 1989-02-01 | Informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63019684A JPH01196743A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01196743A true JPH01196743A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12006062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63019684A Pending JPH01196743A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 情報記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4929485A (ja) |
JP (1) | JPH01196743A (ja) |
DE (1) | DE3902954A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1429338A1 (en) * | 2001-09-18 | 2004-06-16 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | RECORDING/REPRODUCING DEVICE |
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EP0605891A3 (en) * | 1993-01-08 | 1996-08-07 | Eastman Kodak Co | Optical recording element using low absorption materials. |
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CN102171759B (zh) * | 2008-09-12 | 2017-01-18 | 布莱阿姆青年大学 | 包含碳及金属层的数据存储媒介 |
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DE3336445A1 (de) * | 1982-10-06 | 1984-04-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minamiashigara, Kanagawa | Lichtinformationsaufzeichnungsmaterial |
WO1984004824A1 (en) * | 1983-05-31 | 1984-12-06 | Storage Technology Corp | Optical recording structure involving in situ chemical reaction in the active structure |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP63019684A patent/JPH01196743A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-27 US US07/302,680 patent/US4929485A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-01 DE DE3902954A patent/DE3902954A1/de active Granted
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EP1429338A1 (en) * | 2001-09-18 | 2004-06-16 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | RECORDING/REPRODUCING DEVICE |
EP1429338A4 (en) * | 2001-09-18 | 2006-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | RECORDER / PLAYBACK DEVICE |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3902954A1 (de) | 1989-08-10 |
US4929485A (en) | 1990-05-29 |
DE3902954C2 (ja) | 1992-11-26 |
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