JP2508055B2 - 光記録媒体製造方法 - Google Patents
光記録媒体製造方法Info
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- JP2508055B2 JP2508055B2 JP62034837A JP3483787A JP2508055B2 JP 2508055 B2 JP2508055 B2 JP 2508055B2 JP 62034837 A JP62034837 A JP 62034837A JP 3483787 A JP3483787 A JP 3483787A JP 2508055 B2 JP2508055 B2 JP 2508055B2
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- JP
- Japan
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- recording medium
- optical recording
- tellurium
- selenium
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体製造方法、特に、レーザ光によ
って情報を記録再生することのできる光記録媒体を製造
するための光記録媒体製造方法に関する。
って情報を記録再生することのできる光記録媒体を製造
するための光記録媒体製造方法に関する。
一般に、レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ
再生する光ディスクメモリは、記録密度が高いところか
ら大容量記録装置として優れた特徴を有している。この
光記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用さ
れた{サイエンス(Science)154,1550,1966)}。それ
以来種々の材料が使用されているが、テルル等のカルコ
ゲン元素またはこれらの化合物はよく使用されており
(特公昭47−26897号公報)、とくにテルル−セレン系
合金はよく使用されている。(特公昭54−41902号公
報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058号公
報)。
再生する光ディスクメモリは、記録密度が高いところか
ら大容量記録装置として優れた特徴を有している。この
光記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用さ
れた{サイエンス(Science)154,1550,1966)}。それ
以来種々の材料が使用されているが、テルル等のカルコ
ゲン元素またはこれらの化合物はよく使用されており
(特公昭47−26897号公報)、とくにテルル−セレン系
合金はよく使用されている。(特公昭54−41902号公
報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058号公
報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源として
は半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは
発振波長が8000Å前後であるが、テルル−セレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適
度な吸収率が得られる{フィジカ・ステイタス・ソリダ
イ,7,189,1964(phys・stat・sol.7,189,1964)}。
は半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは
発振波長が8000Å前後であるが、テルル−セレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適
度な吸収率が得られる{フィジカ・ステイタス・ソリダ
イ,7,189,1964(phys・stat・sol.7,189,1964)}。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた本
発明および従来の光記録媒体製造方法によって製造され
た光記録媒体の一例は第1図に示すような構成になって
いる。
発明および従来の光記録媒体製造方法によって製造され
た光記録媒体の一例は第1図に示すような構成になって
いる。
すなわち基板1に隣接してテルル−セレン系合金より
なる記録層21が設けられている。記録用レーザ光は基板
1を通して記録層21に集光照射され、ピット22が形成さ
れる。基板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように通常、案内溝が設けられている。
なる記録層21が設けられている。記録用レーザ光は基板
1を通して記録層21に集光照射され、ピット22が形成さ
れる。基板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように通常、案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回
折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度
の空間分布が変化するので、これを検出してレーザビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されて
いる。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使
用するレーザ波長の1/20から1/4の範囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度
の空間分布が変化するので、これを検出してレーザビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されて
いる。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使
用するレーザ波長の1/20から1/4の範囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行
なう。
ーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行
なう。
しかしながら、テルル−セレン合金膜では良好な品質
の記録再生信号が得られなかった。
の記録再生信号が得られなかった。
本発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たものであり、耐候性がよくかつ高感度で良好な品質の
信号を得ることのできる光記録媒体の製造方法を提供す
ることを目的とする。
たものであり、耐候性がよくかつ高感度で良好な品質の
信号を得ることのできる光記録媒体の製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の光記録媒体製造方法は、基板と、レーザ光に
よって一部が選択的に除去されて情報を記録する前記基
板上に形成された記録層とを少なくとも有する光記録媒
体の製造方法であって、高周波電力によってプラズマ化
された一酸化窒素ガス、酸化二窒素ガスまたは二酸化窒
素、ガスを含むガス中を、テルルおよびセレンを含む蒸
気を通過させることにより、テルルとセレンと窒素とを
主成分とする記録層を作製するように構成される。
よって一部が選択的に除去されて情報を記録する前記基
板上に形成された記録層とを少なくとも有する光記録媒
体の製造方法であって、高周波電力によってプラズマ化
された一酸化窒素ガス、酸化二窒素ガスまたは二酸化窒
素、ガスを含むガス中を、テルルおよびセレンを含む蒸
気を通過させることにより、テルルとセレンと窒素とを
主成分とする記録層を作製するように構成される。
記録層をテルルとセレンと窒素とを主成分とすること
により、耐候性がよくかつ高感度でかつ良好な品質の信
号の光記録媒体が得られる。この光記録媒体が高感度で
かつ良好な品質の信号が得られる理由は、膜中に窒素と
カルコゲン元素との化合物が生成されることにより、ピ
ット形成記録の初期段階である小穴の形成が比較的低い
記録パワー照射で行なわれるためである。
により、耐候性がよくかつ高感度でかつ良好な品質の信
号の光記録媒体が得られる。この光記録媒体が高感度で
かつ良好な品質の信号が得られる理由は、膜中に窒素と
カルコゲン元素との化合物が生成されることにより、ピ
ット形成記録の初期段階である小穴の形成が比較的低い
記録パワー照射で行なわれるためである。
次に、本発明の実施例について説明する。
本発明の光記録媒体製造方法の一具体例は、100℃で
2時間アニール処理した内径15mm,外形130mm,厚さ1.2mm
の案内溝付きポリカーボネート樹脂ディスク基板を真空
装置内に入れ、5×10-6Torr以下に排気した。蒸発源と
しては、第1の抵抗加熱用ボートにテルルを入れ、第2
の抵抗加熱用ボートにセレンを入れた。一酸化窒素NOと
アルゴンとの混合ガスを導入し、高周波コイルに13.56M
Hzの高周波電力を印加してプラズマを発生させながら、
テルルとセレンとをそれぞれのボートから同時に蒸発さ
せ、該プラズマ中を通過させることにより、テルルおよ
びセレンの一部を窒化して基板上にテルルとセレンと窒
素との比が原子数パーセントで76対19対5のテルルとセ
レンと窒素とを主成分とする層を250Å厚形成した。し
かる後、温度85℃,相対湿度80%の環境に12時間保存し
て光記録媒体を作製した。この光記録媒体は、基板入射
における波長8300Åの反射率を測定したところ、約24%
であった。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して
入射し、記録層上で1.6μmψ程度に絞り、媒体線速度
5.65m/sec,記録周波数3.77MHz,記録パルス幅70nsec,記
録パワー7.5mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バン
ド幅30KHzのキャリアーとノイズとの比(C/N)は46dBと
良好であった。
2時間アニール処理した内径15mm,外形130mm,厚さ1.2mm
の案内溝付きポリカーボネート樹脂ディスク基板を真空
装置内に入れ、5×10-6Torr以下に排気した。蒸発源と
しては、第1の抵抗加熱用ボートにテルルを入れ、第2
の抵抗加熱用ボートにセレンを入れた。一酸化窒素NOと
アルゴンとの混合ガスを導入し、高周波コイルに13.56M
Hzの高周波電力を印加してプラズマを発生させながら、
テルルとセレンとをそれぞれのボートから同時に蒸発さ
せ、該プラズマ中を通過させることにより、テルルおよ
びセレンの一部を窒化して基板上にテルルとセレンと窒
素との比が原子数パーセントで76対19対5のテルルとセ
レンと窒素とを主成分とする層を250Å厚形成した。し
かる後、温度85℃,相対湿度80%の環境に12時間保存し
て光記録媒体を作製した。この光記録媒体は、基板入射
における波長8300Åの反射率を測定したところ、約24%
であった。波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して
入射し、記録層上で1.6μmψ程度に絞り、媒体線速度
5.65m/sec,記録周波数3.77MHz,記録パルス幅70nsec,記
録パワー7.5mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バン
ド幅30KHzのキャリアーとノイズとの比(C/N)は46dBと
良好であった。
この光記録媒体を70℃,80%の高温高湿度の環境に60
時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候
性に優れた光記録媒体であることが確認された。
時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候
性に優れた光記録媒体であることが確認された。
記録層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特
性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パーセ
ントで2パーセント以上40パーセント未満の範囲が記録
再生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含有量は
原子数パーセントで2パーセント以上20パーセント未満
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パーセ
ントで2パーセント以上40パーセント未満の範囲が記録
再生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含有量は
原子数パーセントで2パーセント以上20パーセント未満
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
一酸化窒素ガスNOのかわりに酸化二窒素ガスN2Oまた
は二酸化窒素ガスNO2を用いても同様に良好な結果が得
られるものでNXOYで表わされる酸素と窒素の化合物なら
とれてもよい。
は二酸化窒素ガスNO2を用いても同様に良好な結果が得
られるものでNXOYで表わされる酸素と窒素の化合物なら
とれてもよい。
本発明の光記録媒体製造方法は、耐候性がよくかつ高
感度で信号品質が良好な光記録媒体を製造することがで
きるという効果がある。
感度で信号品質が良好な光記録媒体を製造することがで
きるという効果がある。
第1図は、本発明および従来の光記録媒体製造方法で製
造される光記録媒体の一例を示す部分断面図である。 1……基板、21……記録層、22……ピット。
造される光記録媒体の一例を示す部分断面図である。 1……基板、21……記録層、22……ピット。
Claims (1)
- 【請求項1】基板を高周波電力によってプラズマ化され
たNXOYを含むガス雰囲気中に載置し、前記ガス雰囲気中
にテルルおよびセレンを含む蒸気を通過させ、前記基板
上にテルルとセレンと窒素とを主成分とする記録層を作
製することを特徴とする光記録媒体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62034837A JP2508055B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62034837A JP2508055B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63201934A JPS63201934A (ja) | 1988-08-22 |
JP2508055B2 true JP2508055B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12425307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62034837A Expired - Lifetime JP2508055B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2508055B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62034837A patent/JP2508055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63201934A (ja) | 1988-08-22 |
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