JPS63151489A - 光記録媒体とその製造方法 - Google Patents
光記録媒体とその製造方法Info
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- JPS63151489A JPS63151489A JP61300794A JP30079486A JPS63151489A JP S63151489 A JPS63151489 A JP S63151489A JP 61300794 A JP61300794 A JP 61300794A JP 30079486 A JP30079486 A JP 30079486A JP S63151489 A JPS63151489 A JP S63151489A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 77
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- -1 tellurium selenium alloy Chemical class 0.000 description 3
- KEFYKDIPBYQPHW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetraselena-1,3,5,7-tetrazatricyclo[3.3.0.03,7]octane Chemical compound [Se]1N2[Se]N3[Se]N2[Se]N13 KEFYKDIPBYQPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 238000012732 spatial analysis Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体とその製造方法に関するものである。
きる光記録媒体とその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によって情報を媒体に記録しかつ再生する光デ
イスクメモリは、記録密度が高いことが ・ら大容量記
録装置として優れた特徴を有している。この光記録媒１
体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用された（サ
イエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ １５４．１５５０゜１９６
６））。それ以来、種々の材料が使用されているがＴｅ
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物はよく使用され
ている（特公昭４７−２６８９７）。とくにテルルセレ
ン系合金によく使用されている（特公昭５４−４１９０
２゜特公昭５７−７９１９．特公昭５７−５６０５８）
。近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源として
は半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは
発振波長が８０００人前後であるが、テルルセレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
、適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソ
リダイ（ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、ｓｏｌ、７．１８９．１
９６４））。
イスクメモリは、記録密度が高いことが ・ら大容量記
録装置として優れた特徴を有している。この光記録媒１
体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用された（サ
イエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ １５４．１５５０゜１９６
６））。それ以来、種々の材料が使用されているがＴｅ
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物はよく使用され
ている（特公昭４７−２６８９７）。とくにテルルセレ
ン系合金によく使用されている（特公昭５４−４１９０
２゜特公昭５７−７９１９．特公昭５７−５６０５８）
。近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源として
は半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは
発振波長が８０００人前後であるが、テルルセレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
、適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソ
リダイ（ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、ｓｏｌ、７．１８９．１
９６４））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体では、耐候性と感度と信号
品質のすべてを満足するものはなかった。
品質のすべてを満足するものはなかった。
本発明の目的は、耐候性がよく高感度で信号品質が良好
であり、記録パワーの余裕度が大きい光記録媒体および
その製造方法を提供することにある。
であり、記録パワーの余裕度が大きい光記録媒体および
その製造方法を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体とその製造方法は、情報をレーザ光
によって記録しかつ読み取る光記録媒体とその製造方法
であって、基板上に形成されたテルルとセレンと窒素を
主成分とする複合膜からなる記録膜を有し、上記、テル
ルとセレンと窒素を主成分とする複合膜は、テルルとセ
レンと窒素を主成分とする膜と、この膜の表面層として
テルルとセレンと窒素を主成分とする膜とからなること
を特徴とする光記録媒体であり、テルルとセレンと窒素
を主成分とする膜を形成する工程と、この膜の表面層を
強ル１ｊ酸化させてテルルとセレンと窒素と酸素を主成
分とする膜を形成する工程とを有することを特徴とする
光記録媒体の製造方法である。
によって記録しかつ読み取る光記録媒体とその製造方法
であって、基板上に形成されたテルルとセレンと窒素を
主成分とする複合膜からなる記録膜を有し、上記、テル
ルとセレンと窒素を主成分とする複合膜は、テルルとセ
レンと窒素を主成分とする膜と、この膜の表面層として
テルルとセレンと窒素を主成分とする膜とからなること
を特徴とする光記録媒体であり、テルルとセレンと窒素
を主成分とする膜を形成する工程と、この膜の表面層を
強ル１ｊ酸化させてテルルとセレンと窒素と酸素を主成
分とする膜を形成する工程とを有することを特徴とする
光記録媒体の製造方法である。
（作用）
光記録媒体は図のような構成になっている。即ち、基板
１の上に記録層２１が設けられている。記録用レーザ光
は基板１を通して記録層２１に集光照射され、ピット２
２が形成される。基板１としてはポリカーボネイト、ポ
リオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキ
シ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板には、
ピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精
度よく記録されるように案内溝が設けられている。レー
ザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折され
、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分析が変化するので、これを検出してレーザビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系が構成されている。
１の上に記録層２１が設けられている。記録用レーザ光
は基板１を通して記録層２１に集光照射され、ピット２
２が形成される。基板１としてはポリカーボネイト、ポ
リオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキ
シ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板には、
ピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精
度よく記録されるように案内溝が設けられている。レー
ザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折され
、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分析が変化するので、これを検出してレーザビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系が構成されている。
溝の幅は通常０．３〜１゜３１１ｍであり、溝の深さは
使用するレーザ波長の１１１２から１／４の範囲に設定
される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行
う。記録層２１としては種々の材料を使用できる。その
中でもテルルは比較的記録再生特性が良好である。しか
しながら高温高温環境における酸化劣化がはげしいので
実用には供せなかった。又、感度的にもやや不足であっ
た。感度不足を解決する１つとして、加熱時に窒素が遊
離して高感度化するようにテルル膜に窒素を含ませるこ
とが提案されている（特開昭５７−５８２５０）。本発
明者らはこの実施例を追試して光記録媒体を作製し記録
再生特性を評価したところ、本発明者らが目的とする小
型大容量記録装置の光源である半導体レーザ波長（およ
び８３００人）ではほとんど吸収がないため感度不足で
あった。又、窒素が遊離しやすいため、高温高温環境に
おける保存性が充分でなかった。又、上記提案のように
窒素ガス中でスパッタリングして成膜するのではなく、
アルゴンと窒素との混合ガス中でスパッタリングして成
膜するということも提案されている（アプライド・フィ
ジクスルターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。
使用するレーザ波長の１１１２から１／４の範囲に設定
される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行
う。記録層２１としては種々の材料を使用できる。その
中でもテルルは比較的記録再生特性が良好である。しか
しながら高温高温環境における酸化劣化がはげしいので
実用には供せなかった。又、感度的にもやや不足であっ
た。感度不足を解決する１つとして、加熱時に窒素が遊
離して高感度化するようにテルル膜に窒素を含ませるこ
とが提案されている（特開昭５７−５８２５０）。本発
明者らはこの実施例を追試して光記録媒体を作製し記録
再生特性を評価したところ、本発明者らが目的とする小
型大容量記録装置の光源である半導体レーザ波長（およ
び８３００人）ではほとんど吸収がないため感度不足で
あった。又、窒素が遊離しやすいため、高温高温環境に
おける保存性が充分でなかった。又、上記提案のように
窒素ガス中でスパッタリングして成膜するのではなく、
アルゴンと窒素との混合ガス中でスパッタリングして成
膜するということも提案されている（アプライド・フィ
ジクスルターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。
４５、２０２．１９８４））。しかしながら、これでも
まだ充分は記録感度と充分な信号品質は得られなかった
。
まだ充分は記録感度と充分な信号品質は得られなかった
。
本発明者らはテルルセレン合金ターゲットをアルゴンと
窒素との混合ガスでスパッタリングすることにより記録
層がテルルとセレンと窒素とからなり、耐候性がよく高
感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られることを見
出し、既に提案している（特願昭６ｌ−１０１３６８）
。この記録層が耐候性がよく高感度で信号品質が良好で
ある理由は、セレンを入れることで系全体の融点が低下
したことと窒化セレン、窒化テルルの爆発性とがあいあ
わさって小穴の形成から表面張力による孔の拡張が比較
的低い温度で生じるようになったために高感度化したと
思われ、テルルと窒化テルルとセレンと窒化セレンとの
相互作用が好都合に作用して耐候性が向上し、信号品質
が向上したものと思われる。
窒素との混合ガスでスパッタリングすることにより記録
層がテルルとセレンと窒素とからなり、耐候性がよく高
感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られることを見
出し、既に提案している（特願昭６ｌ−１０１３６８）
。この記録層が耐候性がよく高感度で信号品質が良好で
ある理由は、セレンを入れることで系全体の融点が低下
したことと窒化セレン、窒化テルルの爆発性とがあいあ
わさって小穴の形成から表面張力による孔の拡張が比較
的低い温度で生じるようになったために高感度化したと
思われ、テルルと窒化テルルとセレンと窒化セレンとの
相互作用が好都合に作用して耐候性が向上し、信号品質
が向上したものと思われる。
本発明はこれをさらに改善したものであり、記録膜をテ
ルルとセレンと窒素とを主成分とする膜とその表面層を
強制酸化させてテルルとセレンと窒素とを主成分とする
膜との複合膜とすることにより、耐候性がよ（高感度で
信号品質が良好であり、しかも記録パワーの余裕度が大
きくなる。記録パワーの余裕度が大きくな゛る理由はま
だ充分に明確ではないが、記録膜の表面に融点の高い層
が出来たことにより、記録時にビットがあまり大きく拡
がらなくなったためと思われる。
ルルとセレンと窒素とを主成分とする膜とその表面層を
強制酸化させてテルルとセレンと窒素とを主成分とする
膜との複合膜とすることにより、耐候性がよ（高感度で
信号品質が良好であり、しかも記録パワーの余裕度が大
きくなる。記録パワーの余裕度が大きくな゛る理由はま
だ充分に明確ではないが、記録膜の表面に融点の高い層
が出来たことにより、記録時にビットがあまり大きく拡
がらなくなったためと思われる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
１００°Ｃで２時間アニール処理した内径１５ｍｍ、外
径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝（溝幅０．７ｐ
ｍ、溝深さ６００人）付きポリカーボネイト樹脂ディス
ク基板上に、原子パーセントで８０対２０のテルルセレ
ンターゲットを窒素ガス分圧４％のアルゴンと窒素との
混合ガスを用いてマグネトロンスパッタすることにより
、テルルとセレンと窒素とが原子数比でおよぼ７７対１
９対４の膜を約２５０入庫作製した。しかる後、約９５
°Ｃの酸素雰囲気中で強度の紫外線照射することにより
、酸素含有量が原子パーセントで２０％程度で２ＯＡ厚
程度の強制酸化層を表面に形成し、この複合膜を記録膜
とする光記録媒体を作製した。
径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝（溝幅０．７ｐ
ｍ、溝深さ６００人）付きポリカーボネイト樹脂ディス
ク基板上に、原子パーセントで８０対２０のテルルセレ
ンターゲットを窒素ガス分圧４％のアルゴンと窒素との
混合ガスを用いてマグネトロンスパッタすることにより
、テルルとセレンと窒素とが原子数比でおよぼ７７対１
９対４の膜を約２５０入庫作製した。しかる後、約９５
°Ｃの酸素雰囲気中で強度の紫外線照射することにより
、酸素含有量が原子パーセントで２０％程度で２ＯＡ厚
程度の強制酸化層を表面に形成し、この複合膜を記録膜
とする光記録媒体を作製した。
この光ディスクの溝部の反射率を波長８３００人で基板
入射で測定したところおよそ２８％であった。波長８３
００人の半導体レーザ光を基板を通して入射して記録膜
上に１．６ｐｍΦ程度に絞り、媒体線速度５゜６５ｍ／
ｓｅｅ、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７０
ｎｓｅｃ。
入射で測定したところおよそ２８％であった。波長８３
００人の半導体レーザ光を基板を通して入射して記録膜
上に１．６ｐｍΦ程度に絞り、媒体線速度５゜６５ｍ／
ｓｅｅ、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７０
ｎｓｅｃ。
記録パワー６．５ｍＷの条件で溝部に記録し、０゜７ｍ
Ｗの一定パワーで再生した。バンド幅３０ｋＨｚのキャ
リアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は５１ｄＢと良好な値
が得られた。又、ＡＣ再生信号の零レベルに対して固定
値のスライスレベルを設けて、１つ１つのビットに対し
て正常に記録再生が行なわれたか否かを判定する方式の
ビット誤り率測定方式で評価したところ、１０−６台の
ビット誤り率が得られた。記録パワーを６．０ｍＷ、７
．０ｍＷとしても同様にビット誤り率は１０−６台と良
好であり、記録パワーの余裕度の大きいことが確認され
た。
Ｗの一定パワーで再生した。バンド幅３０ｋＨｚのキャ
リアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は５１ｄＢと良好な値
が得られた。又、ＡＣ再生信号の零レベルに対して固定
値のスライスレベルを設けて、１つ１つのビットに対し
て正常に記録再生が行なわれたか否かを判定する方式の
ビット誤り率測定方式で評価したところ、１０−６台の
ビット誤り率が得られた。記録パワーを６．０ｍＷ、７
．０ｍＷとしても同様にビット誤り率は１０−６台と良
好であり、記録パワーの余裕度の大きいことが確認され
た。
この光ディスク８０’０９０％の高温高湿度の環境に７
５０時間保存した後も上記特性は実用上変化がなく、耐
候性に優れた光記録媒体であることが確認された。テル
ルとセレンと窒素とを主成分とする層厚さは１００人か
ら１ｏｏｏＡの範囲が記録再生特性の観点で望ましく、
とくに望ましい功は２００人から４００人である。セレ
ンの含有量は原子パーセントで２パ一セント以上４０パ
ーセント未満の範囲が記録再生特性、耐候性、未記録ノ
イズの観点で望ましく、とくに望ましいのは１０パー、
セント以上３０パーセント以下である。窒素の含有量は
原子パーセントで２パ一セント以上２０パーセント未満
が記録再生特性、耐候性の観点で望ましく、とくに望ま
しいのは２パ一セント以上１０パーセント以下である。
５０時間保存した後も上記特性は実用上変化がなく、耐
候性に優れた光記録媒体であることが確認された。テル
ルとセレンと窒素とを主成分とする層厚さは１００人か
ら１ｏｏｏＡの範囲が記録再生特性の観点で望ましく、
とくに望ましい功は２００人から４００人である。セレ
ンの含有量は原子パーセントで２パ一セント以上４０パ
ーセント未満の範囲が記録再生特性、耐候性、未記録ノ
イズの観点で望ましく、とくに望ましいのは１０パー、
セント以上３０パーセント以下である。窒素の含有量は
原子パーセントで２パ一セント以上２０パーセント未満
が記録再生特性、耐候性の観点で望ましく、とくに望ま
しいのは２パ一セント以上１０パーセント以下である。
記録膜中の窒素元素の含有量は、スパッタリングターゲ
ット組成比は窒素ガス分圧に依存するのは勿論であるが
、スパッタ装置の大きさくスパッタ室の表面積等）やス
パッタ時間等にも依存するので、最適組成が得られる窒
素ガス分圧は一義的には決められず、各スパッタ装置ご
とに窒素ガス分圧を適宜設定することが必要である。テ
ルルセレンと窒素とを主成分とする層には、鉛、アンチ
モン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウム、
リン、カドミウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビス
マス、アルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル
、金、パラジウム、コバルトの群から選ばれた少なくと
も１種の元素を添加すると、ビットの形状を良好に整え
る場合がある。ただし、添加量は原子パーセントで２０
パ一セント未満が望ましい。
ット組成比は窒素ガス分圧に依存するのは勿論であるが
、スパッタ装置の大きさくスパッタ室の表面積等）やス
パッタ時間等にも依存するので、最適組成が得られる窒
素ガス分圧は一義的には決められず、各スパッタ装置ご
とに窒素ガス分圧を適宜設定することが必要である。テ
ルルセレンと窒素とを主成分とする層には、鉛、アンチ
モン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウム、
リン、カドミウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビス
マス、アルミニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル
、金、パラジウム、コバルトの群から選ばれた少なくと
も１種の元素を添加すると、ビットの形状を良好に整え
る場合がある。ただし、添加量は原子パーセントで２０
パ一セント未満が望ましい。
強制酸化はどのような方法（たとえばプラズマ酸化）を
用いて行ってもかまわないが、酸化雰囲気中で紫外線を
照射するのが制御性がよいので望ましい。テルルとセレ
ンと窒素を主成分とする膜を成膜した同−真空内で強制
酸化を行うのがとくに望ましい。
用いて行ってもかまわないが、酸化雰囲気中で紫外線を
照射するのが制御性がよいので望ましい。テルルとセレ
ンと窒素を主成分とする膜を成膜した同−真空内で強制
酸化を行うのがとくに望ましい。
（発明の効巣）
上記実施例から明らかなように、本発明により耐候性が
よく高感度で信号品質が良好であり、しかも記録パワー
の余裕度が大きい光記録媒体とその製造方法が得られる
。
よく高感度で信号品質が良好であり、しかも記録パワー
の余裕度が大きい光記録媒体とその製造方法が得られる
。
図は光記録媒体の１例を示す断面概略図である。
図において、１は基板、２１は記録層、２２はピットを
２２ピツト 手続補正書（自発） 昭和 年 ６３刈１゛２９日 ２、発明の名称 光記録媒体とその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 （連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第４頁第１行目に「窒素を主成分」とある
のを［窒素と酸素とを主成分］と補正する。 （２）明細書第４頁第２０行目に［空間分析１とあるの
を「空間分布］と補正する。 （３）明細書第５頁第１９行目に「および］とあるのを
「お□よそ」と補正する。 （４）明細書第６頁第８行目に［は記録感度１とあるの
を「な記録感度」と補正する。 （５）明細書第７頁第６行目に［窒素とを主成分］とあ
るのを「窒素と酸素とを主成分」と補正する。 （６）明細書第９頁第１８行目に「組成比は」とあるの
を「組成比や」と補正する。 （７）明細書第１０頁第３行目に［テルルセレン］とあ
るのを［テルルとセレン］と補正する。 （８）明細書第１０頁第１１行目の後に次の文章を挿入
する。 「この実施例について以下に説明する。 １００°Ｃで２時間アニール処理した内径１５ｍｍ、外
径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付きポリカーボ
ネイト樹脂ディスク基板を、１３．５６ＭＨｚの高周波
電源を有するマグネトロンスパッタ装置内に装着して排
気した。２ Ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入しＩ Ｘ １０’Ｔｏｒｒ ト
した。このときの窒素ガス分圧は０．２６％、窒素ガス
流量は０．３０８ＣＣＭである。原子％で７３対２０対
７のテルルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲット
をこの混合ガスで投入パワー１２０Ｗでディスク基板を
回転させながらスパッタリングすることにより、テルル
と窒素とセレンと鉛との原子数の比がおよそ７１対２対
２０対７の膜を約２２０大軍作製した。しかる後、前記
実施例と同様な処理により、窒素含有量が原子％で２０
％程度で、２０人入庫度の強制酸化層を表面に形成し、
この複合膜を記録膜とする光記録媒体を作製した。
２２ピツト 手続補正書（自発） 昭和 年 ６３刈１゛２９日 ２、発明の名称 光記録媒体とその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 （連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第４頁第１行目に「窒素を主成分」とある
のを［窒素と酸素とを主成分］と補正する。 （２）明細書第４頁第２０行目に［空間分析１とあるの
を「空間分布］と補正する。 （３）明細書第５頁第１９行目に「および］とあるのを
「お□よそ」と補正する。 （４）明細書第６頁第８行目に［は記録感度１とあるの
を「な記録感度」と補正する。 （５）明細書第７頁第６行目に［窒素とを主成分］とあ
るのを「窒素と酸素とを主成分」と補正する。 （６）明細書第９頁第１８行目に「組成比は」とあるの
を「組成比や」と補正する。 （７）明細書第１０頁第３行目に［テルルセレン］とあ
るのを［テルルとセレン］と補正する。 （８）明細書第１０頁第１１行目の後に次の文章を挿入
する。 「この実施例について以下に説明する。 １００°Ｃで２時間アニール処理した内径１５ｍｍ、外
径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付きポリカーボ
ネイト樹脂ディスク基板を、１３．５６ＭＨｚの高周波
電源を有するマグネトロンスパッタ装置内に装着して排
気した。２ Ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入しＩ Ｘ １０’Ｔｏｒｒ ト
した。このときの窒素ガス分圧は０．２６％、窒素ガス
流量は０．３０８ＣＣＭである。原子％で７３対２０対
７のテルルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲット
をこの混合ガスで投入パワー１２０Ｗでディスク基板を
回転させながらスパッタリングすることにより、テルル
と窒素とセレンと鉛との原子数の比がおよそ７１対２対
２０対７の膜を約２２０大軍作製した。しかる後、前記
実施例と同様な処理により、窒素含有量が原子％で２０
％程度で、２０人入庫度の強制酸化層を表面に形成し、
この複合膜を記録膜とする光記録媒体を作製した。
Claims (3)
- （１）情報をレーザ光によって記録しかつ読み取る光記
録媒体において、基板上に形成されたテルルとセレンと
窒素を主成分とする複合膜からなる記録膜を有し、上記
テルルとセレンと窒素を主成分とする複合膜は、テルル
とセレンと窒素を主成分とする膜と、この膜の表面層と
してテルルとセレンと窒素と酸素を主成分とする膜とか
らなることを特徴とする光記録媒体。 - （２）情報をレーザ光によって記録しかつ読み取る光記
録媒体の製造方法において、テルルとセレンと窒素を主
成分とする膜を形成する工程と、この膜の表面層を強制
酸化させてテルルとセレンと窒素を主成分とする膜を形
成する工程とを有することを特徴とする光記録媒体の製
造方法。 - （３）強制酸化は紫外線照射により行う特許請求の範囲
第２項記載の光記録媒体への製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300794A JPS63151489A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300794A JPS63151489A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151489A true JPS63151489A (ja) | 1988-06-24 |
| JPH0481957B2 JPH0481957B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17889175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61300794A Granted JPS63151489A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223479A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61300794A patent/JPS63151489A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223479A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481957B2 (ja) | 1992-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |